Chlorine-based AI and AIN etching processes (Q7281191)
Jump to navigation
Jump to search
Project GENERATED-ID-2014DE16RFOP001-2024-2-9-176321 in Germany
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Chlorine-based AI and AIN etching processes |
Project GENERATED-ID-2014DE16RFOP001-2024-2-9-176321 in Germany |
Statements
990,000.0 Euro
0 references
13 January 2022
0 references
30 June 2023
0 references
Hahn-Schickard-Gesellschaft für angewandte Forschung e.V.
0 references
Um chlorbasierte Trockenätzprozesse zu etablieren, soll bei Hahn-Schickard eine entsprechende Plasmaanlage beschafft und im Reinraum in Villingen-Schwenningen installiert werden, was auch die dafür notwendige Infrastruktur (v.a. Chlorgasversorgung mit sicherheitsrelevanten Einrichtungen sowie und Abluftreinigung) beinhaltet. Nach der Entwicklung und dem Einfahren von Ätzprozessen für Al (CI-Prozess) und AIN (Cl/Ar-Prozess) werden diese in die Fertigungslinie von Hahn-Schickard implementiert und stehen dann für die Anfertigung neuartiger MEMS-Komponenten im Rahmen eigenfinanzierter oder öffentlich geförderter F&E-Projekten sowie der Auftragsforschung zur Verfügung. (German)
0 references
In order to establish chlorine-based dry etching processes, Hahn-Schickard will procure a corresponding plasma plant and install it in the clean room in Villingen-Schwenningen, which also includes the necessary infrastructure (especially chlorine gas supply with safety-relevant facilities as well as exhaust air purification). After the development and application of etching processes for Al (CI process) and AIN (Cl/Ar process), these are implemented in Hahn-Schickard’s production line and are then available for the production of novel MEMS components as part of self-funded or publicly funded R & D projects as well as contract research. (English)
0.7354899197470728
0 references
D’fhonn próisis eitseáil thirim clóirín-bhunaithe a bhunú, soláthróidh Hahn-Schickard gléasra plasma comhfhreagrach agus é a shuiteáil sa seomra glan i Villingen-Schwenningen, lena n-áirítear freisin an bonneagar is gá (go háirithe soláthar gáis clóirín le saoráidí a bhaineann le sábháilteacht chomh maith le íonú aeir sceite). Tar éis próisis eitseáil a fhorbairt agus a chur i bhfeidhm le haghaidh Al (próiseas FR) agus AIN (Próiseas Cl/Ar), cuirtear iad seo i bhfeidhm i líne táirgeachta Hahn-Schickard agus tá siad ar fáil ansin chun comhpháirteanna nua MEMS a tháirgeadh mar chuid de thionscadail T & F féinmhaoinithe nó maoinithe go poiblí chomh maith le taighde conartha. (Irish)
0 references
For at etablere klorbaserede tørre ætsningsprocesser vil Hahn-Schickard anskaffe et tilsvarende plasmaanlæg og installere det i renrummet i Villingen-Schwenningen, som også omfatter den nødvendige infrastruktur (især klorgasforsyning med sikkerhedsrelevante faciliteter samt rensning af udstødningsluft). Efter udvikling og anvendelse af ætsningsprocesser for Al (CI-proces) og AIN (Cl/Ar-processen) implementeres disse i Hahn-Schickards produktionslinje og er derefter tilgængelige for produktion af nye MEMS-komponenter som en del af selvfinansierede eller offentligt finansierede F & U-projekter samt kontraktforskning. (Danish)
0 references
Pentru a stabili procesele de gravare uscată pe bază de clor, Hahn-Schickard va achiziționa o instalație de plasmă corespunzătoare și o va instala în camera curată din Villingen-Schwenningen, care include, de asemenea, infrastructura necesară (în special alimentarea cu clor cu instalații relevante pentru siguranță, precum și purificarea aerului de evacuare). După dezvoltarea și aplicarea proceselor de gravare pentru Al (procesul CI) și AIN (procesul Cl/Ar), acestea sunt implementate în linia de producție a Hahn-Schickard și sunt apoi disponibile pentru producția de noi componente MEMS ca parte a proiectelor de cercetare și dezvoltare autofinanțate sau finanțate din fonduri publice, precum și a cercetării contractuale. (Romanian)
0 references
Afin d’établir des procédés de gravure sèche à base de chlore, Hahn-Schickard doit acquérir une installation de plasma appropriée et l’installer dans la salle blanche à Villingen-Schwenningen, qui comprend également l’infrastructure nécessaire à cet effet (notamment l’approvisionnement en gaz de chlore avec des installations de sécurité et la purification de l’air). Après le développement et l’introduction de processus de gravure pour Al (processus CI) et AIN (Cl/Ar), ceux-ci sont mis en œuvre dans la ligne de production de Hahn-Schickard et sont ensuite disponibles pour la réalisation de nouveaux composants MEMS dans le cadre de projets de R & D autofinancés ou financés par le secteur public, ainsi que de la recherche sous contrat. (French)
0 references
Aby bolo možné zaviesť procesy suchého leptania na báze chlóru, Hahn-Schickard obstará zodpovedajúci plazmový závod a inštaluje ho v čistej miestnosti vo Villingen-Schwenningen, ktorá zahŕňa aj potrebnú infraštruktúru (najmä dodávky chlórového plynu s bezpečnostnými zariadeniami, ako aj čistenie výfukového vzduchu). Po vývoji a aplikácii procesov leptania pre Al (proces CI) a AIN (proces Cl/Ar) sa tieto postupy implementujú vo výrobnej linke spoločnosti Hahn-Schickard a sú potom k dispozícii na výrobu nových komponentov MEMS ako súčasť projektov výskumu a vývoja financovaných z vlastných zdrojov alebo z verejných zdrojov, ako aj zmluvného výskumu. (Slovak)
0 references
Con el fin de establecer procesos de grabado en seco a base de cloro, Hahn-Schickard adquirirá una planta de plasma correspondiente e instalará en la sala limpia de Villingen-Schwenningen, que también incluye la infraestructura necesaria (especialmente el suministro de gas de cloro con instalaciones relevantes para la seguridad, así como la purificación del aire de escape). Después del desarrollo y aplicación de procesos de grabado para Al (proceso CI) y AIN (proceso Cl/Ar), estos se implementan en la línea de producción de Hahn-Schickard y luego están disponibles para la producción de nuevos componentes MEMS como parte de proyectos de I+D autofinanciados o financiados con fondos públicos, así como para la investigación por contrato. (Spanish)
0 references
Klooripõhiste kuivsöövitusprotsesside loomiseks hangib Hahn-Schickard vastava plasmatehase ja paigaldab selle Villingen-Schwenningeni puhtasse ruumi, mis hõlmab ka vajalikku taristut (eriti kloori gaasiga varustamist ohutuse seisukohast oluliste rajatistega ja heitgaaside puhastamist). Pärast Al (CI protsess) ja AIN (Cl/Ar protsess) söövitusprotsesside väljatöötamist ja rakendamist rakendatakse neid Hahn-Schickardi tootmisliinil ja on seejärel saadaval uute MEMS-komponentide tootmiseks iserahastatud või riiklikult rahastatud teadus- ja arendusprojektide ning lepinguliste teadusuuringute osana. (Estonian)
0 references
Za vzpostavitev postopkov suhega jedkanja na osnovi klora bo Hahn-Schickard nabavil ustrezen obrat v plazmi in ga namestil v čisto sobo v Villingen-Schwenningenu, ki vključuje tudi potrebno infrastrukturo (zlasti oskrbo s klorovim plinom z napravami, ki so pomembne za varnost, ter čiščenje izpušnih plinov). Po razvoju in uporabi procesov jedkanja za Al (proces CI) in AIN (proces Cl/Ar) se ti procesi izvajajo v proizvodni liniji Hahn-Schickard in so nato na voljo za proizvodnjo novih komponent MEMS v okviru samofinanciranih ali javno financiranih raziskovalnih in razvojnih projektov ter pogodbenih raziskav. (Slovenian)
0 references
Om droge etsprocessen op basis van chloor vast te stellen, zal Hahn-Schickard een overeenkomstige plasma-installatie aanschaffen en installeren in de cleanroom in Villingen-Schwenningen, die ook de nodige infrastructuur omvat (vooral chloorgasvoorziening met veiligheidsrelevante voorzieningen en uitlaatgasreiniging). Na de ontwikkeling en toepassing van etsprocessen voor Al (CI-proces) en AIN (Cl/Ar-proces), worden deze geïmplementeerd in de productielijn van Hahn-Schickard en zijn ze vervolgens beschikbaar voor de productie van nieuwe MEMS-componenten als onderdeel van zelfgefinancierde of door de overheid gefinancierde O & O-projecten en contractonderzoek. (Dutch)
0 references
Lai izveidotu hlora sausās kodināšanas procesus, Hahn-Schickard iegādāsies atbilstošu plazmas rūpnīcu un uzstādīs to tīrā telpā Villingenā-Švenningenā, kas ietver arī nepieciešamo infrastruktūru (jo īpaši hlora gāzes piegādi ar drošībai svarīgām iekārtām, kā arī izplūdes gaisa attīrīšanu). Pēc Al (CI process) un AIN (Cl/Ar process) kodināšanas procesu izstrādes un piemērošanas tie tiek īstenoti Hahn-Schickard ražošanas līnijā un pēc tam ir pieejami jaunu MEMS komponentu ražošanai pašfinansētu vai valsts finansētu pētniecības un izstrādes projektu ietvaros, kā arī līgumpētījumu ietvaros. (Latvian)
0 references
Kako bi se uspostavili postupci suhog jetkanja na bazi klora, Hahn-Schickard će nabaviti odgovarajuće postrojenje za plazmu i ugraditi ga u čistu sobu u Villingen-Schwenningenu, što uključuje i potrebnu infrastrukturu (posebno opskrbu klornim plinom s objektima relevantnima za sigurnost, kao i pročišćavanje ispušnog zraka). Nakon razvoja i primjene postupaka jetkanja za Al (CI proces) i AIN (postupak Cl/Ar), oni se provode u proizvodnoj liniji Hahn-Schickarda i zatim su dostupni za proizvodnju novih komponenti MEMS-a u okviru vlastitih ili javno financiranih projekata istraživanja i razvoja te ugovornih istraživanja. (Croatian)
0 references
Sabiex jiġu stabbiliti proċessi ta’ inċiżjoni fin-niexef ibbażati fuq il-kloru, Hahn-Schickard se jakkwista impjant tal-plażma korrispondenti u jinstallah fil-kamra nadifa f’Villingen-Schwenningen, li tinkludi wkoll l-infrastruttura meħtieġa (speċjalment il-provvista tal-gass tal-kloru b’faċilitajiet rilevanti għas-sikurezza kif ukoll il-purifikazzjoni tal-arja tal-egżost). Wara l-iżvilupp u l-applikazzjoni ta’ proċessi ta’ inċiżjoni għal Al (CI process) u AIN (proċess Cl/Ar), dawn jiġu implimentati fil-linja ta’ produzzjoni ta’ Hahn-Schickard u mbagħad ikunu disponibbli għall-produzzjoni ta’ komponenti ġodda tal-MEMS bħala parti minn proġetti ta’ R & Ż awtofinanzjati jew iffinanzjati pubblikament kif ukoll riċerka kuntrattwali. (Maltese)
0 references
A fim de estabelecer processos de gravação a seco à base de cloro, a Hahn-Schickard adquirirá uma planta de plasma correspondente e instalá-la-á na sala limpa em Villingen-Schwenningen, que também inclui a infraestrutura necessária (especialmente o fornecimento de gás de cloro com instalações relevantes para a segurança, bem como a purificação do ar de exaustão). Após o desenvolvimento e a aplicação de processos de gravação para Al (processo de IC) e AIN (processo de CL/Ar), estes são implementados na linha de produção de Hahn-Schickard e estão então disponíveis para a produção de novos componentes MEMS como parte de projetos de I & D autofinanciados ou financiados por fundos públicos, bem como de investigação contratual. (Portuguese)
0 references
Προκειμένου να καθιερωθούν διαδικασίες ξηρής χάραξης με βάση το χλώριο, ο Hahn-Schickard θα προμηθεύσει ένα αντίστοιχο εργοστάσιο πλάσματος και θα το εγκαταστήσει στο καθαρό δωμάτιο στο Villingen-Schwenningen, το οποίο περιλαμβάνει επίσης την απαραίτητη υποδομή (ιδίως την παροχή αερίου χλωρίου με εγκαταστάσεις σχετικές με την ασφάλεια, καθώς και τον καθαρισμό του αέρα εξάτμισης). Μετά την ανάπτυξη και εφαρμογή των διαδικασιών χάραξης για το Al (CI process) και το AIN (διαδικασία Cl/Ar), αυτές υλοποιούνται στη γραμμή παραγωγής του Hahn-Schickard και στη συνέχεια είναι διαθέσιμες για την παραγωγή νέων εξαρτημάτων MEMS στο πλαίσιο αυτοχρηματοδοτούμενων ή χρηματοδοτούμενων από το δημόσιο έργων Ε & Α, καθώς και έρευνας συμβάσεων. (Greek)
0 references
A klóralapú száraz maratási folyamatok kialakítása érdekében a Hahn-Schickard megfelelő plazmaüzemet szerez be és telepíti a Villingen-Schwenningenben található tisztatérbe, amely magában foglalja a szükséges infrastruktúrát (különösen a biztonsági szempontból releváns létesítményekkel ellátott klórgázellátást és a kipufogógáz-tisztítást). Az Al (CI-folyamat) és az AIN (Cl/Ar folyamat) maratási folyamatainak fejlesztését és alkalmazását követően ezeket a Hahn-Schickard gyártósorában valósítják meg, és ezután rendelkezésre állnak új MEMS-komponensek gyártására önfinanszírozott vagy államilag finanszírozott K+F projektek, valamint szerződéses kutatások részeként. (Hungarian)
0 references
Al fine di stabilire processi di incisione a secco a base di cloro, Hahn-Schickard acquisirà un corrispondente impianto al plasma e lo installerà nella stanza pulita di Villingen-Schwenningen, che comprende anche le infrastrutture necessarie (in particolare la fornitura di gas cloro con strutture rilevanti per la sicurezza e la depurazione dell'aria di scarico). Dopo lo sviluppo e l'applicazione di processi di incisione per Al (processo CI) e AIN (processo Cl/Ar), questi sono implementati nella linea di produzione di Hahn-Schickard e sono quindi disponibili per la produzione di nuovi componenti MEMS come parte di progetti di R & S autofinanziati o finanziati con fondi pubblici, nonché per la ricerca su contratti. (Italian)
0 references
Klooripohjaisten kuivaetsausprosessien luomiseksi Hahn-Schickard hankkii vastaavan plasmalaitoksen ja asentaa sen Villingen-Schwenningenin puhtaaseen tilaan, joka sisältää myös tarvittavan infrastruktuurin (erityisesti kloorikaasun syötön turvallisuuden kannalta merkityksellisillä laitteilla sekä poistoilman puhdistuksen). Al (CI-prosessi) ja AIN (Cl/Ar-prosessi) etsausprosessien kehittämisen ja soveltamisen jälkeen ne toteutetaan Hahn-Schickardin tuotantolinjalla ja ovat sitten saatavilla uusien MEMS-komponenttien tuotantoon osana itse rahoitettuja tai julkisesti rahoitettuja T & K-hankkeita sekä sopimustutkimusta. (Finnish)
0 references
För att etablera klorbaserade torretsningsprocesser kommer Hahn-Schickard att upphandla en motsvarande plasmaanläggning och installera den i renrummet i Villingen-Schwenningen, som också omfattar nödvändig infrastruktur (särskilt klorgasförsörjning med säkerhetsrelevanta anläggningar samt frånluftsrening). Efter utveckling och tillämpning av etsningsprocesser för Al (CI-process) och AIN (Cl/Ar-processen) implementeras dessa i Hahn-Schickards produktionslinje och är sedan tillgängliga för produktion av nya MEMS-komponenter som en del av självfinansierade eller offentligt finansierade FoU-projekt samt kontraktsforskning. (Swedish)
0 references
Siekiant sukurti chloro pagrindu pagamintus sausojo ėsdinimo procesus, Hahn-Schickard įsigys atitinkamą plazmos gamyklą ir įrengs ją švarioje Villingeno-Švenningeno patalpoje, kurioje taip pat yra būtina infrastruktūra (ypač chloro dujų tiekimas su saugai svarbiais įrenginiais, taip pat išmetamo oro valymas). Sukūrus ir pritaikius ėsdinimo procesus Al (CI procesas) ir AIN (Cl/Ar procesas), jie įgyvendinami Hahn-Schickard gamybos linijoje ir tada yra prieinami naujų MEMS komponentų gamybai kaip savarankiškai finansuojamų arba valstybės finansuojamų mokslinių tyrimų ir technologinės plėtros projektų dalis, taip pat pagal sutartis vykdomi moksliniai tyrimai. (Lithuanian)
0 references
За да се установят процеси на сухо ецване на основата на хлор, Hahn-Schickard ще закупи съответна плазмена инсталация и ще я инсталира в чистото помещение във Villingen-Schwenningen, което включва и необходимата инфраструктура (особено снабдяване с хлорен газ със съоръжения, свързани с безопасността, както и пречистване на отработения въздух). След разработването и прилагането на процесите на ецване за Al (CI process) и AIN (Cl/Ar процес), те се изпълняват в производствената линия на Хан-Шикард и след това са на разположение за производството на нови компоненти на MEMS като част от самофинансирани или публично финансирани научноизследователски и развойни проекти, както и за научни изследвания по договори. (Bulgarian)
0 references
Za účelem zavedení procesů suchého leptání na bázi chloru obstará společnost Hahn-Schickard odpovídající plazmovou elektrárnu a instaluje ji do čisté místnosti ve Villingenu-Schwenningenu, která zahrnuje také nezbytnou infrastrukturu (zejména dodávky chlorového plynu se zařízeními pro bezpečnost, jakož i čištění odpadního vzduchu). Po vývoji a aplikaci leptacích procesů pro Al (CI process) a AIN (Cl/Ar process) jsou tyto procesy implementovány ve výrobní lince společnosti Hahn-Schickard a poté jsou k dispozici pro výrobu nových komponentů MEMS v rámci samofinancovaných nebo veřejně financovaných výzkumných a vývojových projektů, jakož i smluvního výzkumu. (Czech)
0 references
16 February 2024
0 references
Villingen-Schwenningen
0 references
Identifiers
GENERATED-ID-2014DE16RFOP001-2024-2-9-176321
0 references