Microdot — Microstructured and optical tools for process control for the industrial doping of highly efficient power semiconductor components (Q3539807)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3539807 in Germany
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Microdot — Microstructured and optical tools for process control for the industrial doping of highly efficient power semiconductor components |
Project Q3539807 in Germany |
Statements
559,909.61 Euro
0 references
699,887.01 Euro
0 references
80.0 percent
0 references
1 January 2020
0 references
30 June 2022
0 references
Ernst-Abbe-Hochschule Jena University of Applied Sciences
0 references
50°54'32.44"N, 11°34'31.40"E
0 references
07745 Jena
0 references
Im Vorhaben sollen neuartige Konzepte zur Kontrolle industrieller Leistungshalbleiterdotierung auf Basis von Ionenimplantation grundlegend erforscht werden. Moderne Verfahren der Ionenimplantation, wie etwa die Microdegrader-Technik ermöglichen die Produktion besonders effizienter Leistungshalbleiterbauelemente. Ziel des Vorhabens ist es eine gänzlich von Ladungseffekten unabhängige, allein auf ioneninduzierte optische oder topologische Materialmodifikation basierende Prozesskontroll- bzw. Charakterisierungssensorik grundlegend (TRL 1-4) zu erforschen. (German)
0 references
The project will fundamentally investigate novel concepts for the control of industrial power semiconductor doping based on ion implantation. Modern methods of ion implantation, such as microdegrader technology, enable the production of particularly efficient power semiconductor components. The aim of the project is to fundamentally investigate process control and characterisation sensors based entirely on charge effects based solely on ion-induced optical or topological material modification (TRL 1-4). (English)
17 November 2021
0.584229688756525
0 references
Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French)
9 December 2021
0 references
Het project onderzoekt fundamenteel nieuwe concepten voor de beheersing van industriële power halfgeleider doping op basis van ionenimplantatie. Moderne methoden van ionenimplantatie, zoals microdegradertechnologie, maken de productie van bijzonder efficiënte vermogenshalfgeleidercomponenten mogelijk. Het doel van het project is fundamenteel onderzoek te doen naar procesbesturings- en karakteriseringssensoren die uitsluitend gebaseerd zijn op door ionen geïnduceerde optische of topologische materiaalmodificaties (TRL 1-4). (Dutch)
21 December 2021
0 references
Il progetto esaminerà fondamentalmente nuovi concetti per il controllo del doping a semiconduttori di potenza industriale basato sull'impianto ionico. I moderni metodi di impianto ionico, come la tecnologia dei microdegradatori, consentono la produzione di componenti a semiconduttore di potenza particolarmente efficienti. L'obiettivo del progetto è quello di indagare fondamentalmente i sensori di controllo e caratterizzazione dei processi basati interamente sugli effetti di carica basati esclusivamente su modifiche ottiche o topologiche indotte da ioni (TRL 1-4). (Italian)
20 January 2022
0 references
El proyecto investigará fundamentalmente conceptos novedosos para el control del dopaje de semiconductores de potencia industrial basados en la implantación iónica. Los métodos modernos de implantación de iones, como la tecnología microdegrader, permiten la producción de componentes semiconductores de potencia especialmente eficientes. El objetivo del proyecto es investigar fundamentalmente los sensores de control y caracterización de procesos basados enteramente en efectos de carga basados únicamente en la modificación del material óptico o topológico inducido por iones (TRL 1-4). (Spanish)
23 January 2022
0 references
Projektet vil grundlæggende undersøge nye koncepter for styring af industriel kraft halvlederdoping baseret på ionimplantation. Moderne metoder til ionimplantation, f.eks. mikronedbrydende teknologi, muliggør produktion af særligt effektive krafthalvlederkomponenter. Formålet med projektet er grundlæggende at undersøge processtyrings- og karakteriseringssensorer udelukkende baseret på ladningseffekter, der udelukkende er baseret på ioninduceret optisk eller topologisk materialemodifikation (TRL 1-4). (Danish)
15 July 2022
0 references
Το έργο θα διερευνήσει θεμελιωδώς νέες έννοιες για τον έλεγχο του ντόπινγκ των ημιαγωγών βιομηχανικής ισχύος με βάση την εμφύτευση ιόντων. Οι σύγχρονες μέθοδοι εμφύτευσης ιόντων, όπως η τεχνολογία μικροδιασπαστών, επιτρέπουν την παραγωγή ιδιαίτερα αποδοτικών εξαρτημάτων ημιαγωγών ισχύος. Στόχος του έργου είναι να διερευνήσει θεμελιωδώς αισθητήρες ελέγχου και χαρακτηρισμού της διεργασίας με βάση εξ ολοκλήρου τις επιδράσεις φόρτισης που βασίζονται αποκλειστικά στην οπτική ή τοπολογική τροποποίηση υλικού που προκαλείται από ιόντα (TRL 1-4). (Greek)
15 July 2022
0 references
Projekt će temeljito istražiti nove koncepte za kontrolu industrijske snage poluvodičkih dopinga na temelju ionske implantacije. Moderne metode implantacije iona, kao što je tehnologija mikrorazgraditelja, omogućuju proizvodnju posebno učinkovitih poluvodičkih komponenti snage. Cilj je projekta temeljito istražiti senzore za kontrolu procesa i karakterizaciju koji se u potpunosti temelje na efektima punjenja koji se temelje isključivo na ionskoj induciranoj optičkoj ili topološkoj modifikaciji materijala (TRL 1 – 4). (Croatian)
15 July 2022
0 references
Proiectul va investiga fundamental concepte noi pentru controlul dopajului semiconductorilor industriali pe baza implantării ionice. Metodele moderne de implantare ionică, cum ar fi tehnologia microdegradorului, permit producerea de componente semiconductoare de putere deosebit de eficiente. Scopul proiectului este de a investiga în mod fundamental senzorii de control al procesului și de caracterizare bazați în întregime pe efectele de încărcare bazate exclusiv pe modificarea materialelor optice sau topologice induse de ioni (TRL 1-4). (Romanian)
15 July 2022
0 references
V rámci projektu sa v podstate preskúmajú nové koncepcie kontroly dopingu priemyselných výkonových polovodičov na základe implantácie iónov. Moderné metódy implantácie iónov, ako je technológia mikrodegraderov, umožňujú výrobu obzvlášť účinných výkonových polovodičových komponentov. Cieľom projektu je zásadne preskúmať snímače riadenia a charakterizácie procesov založené výlučne na efektoch náboja založených výlučne na iónovo indukovanej optickej alebo topologickej modifikácii (TRL 1 – 4). (Slovak)
15 July 2022
0 references
Il-proġett se jinvestiga fundamentalment kunċetti ġodda għall-kontroll tad-doping semikonduttur tal-enerġija industrijali abbażi tal-impjantazzjoni jonika. Metodi moderni ta’ impjantazzjoni jonika, bħat-teknoloġija mikrodegradatriċi, jippermettu l-produzzjoni ta’ komponenti semikondutturi tal-enerġija partikolarment effiċjenti. L-għan tal-proġett huwa li jinvestiga fundamentalment is-sensuri tal-kontroll u tal-karatterizzazzjoni tal-proċess ibbażati kompletament fuq l-effetti taċ-ċarġ ibbażati biss fuq il-modifika tal-materjal ottiku jew topoloġiku indott mill-joni (TRL 1–4). (Maltese)
15 July 2022
0 references
O projeto irá investigar fundamentalmente novos conceitos para o controle de doping semicondutores de potência industrial com base na implantação de iões. Os métodos modernos de implantação de íons, como a tecnologia de microdegradadores, permitem a produção de componentes semicondutores de energia particularmente eficientes. O objetivo do projeto é investigar fundamentalmente os sensores de controle e caracterização do processo com base inteiramente em efeitos de carga ganzas exclusivamente na modificação de material ótico ou topológico induzido por iões (TRL 1-4). (Portuguese)
15 July 2022
0 references
Hankkeessa tutkitaan perusteellisesti uusia ratkaisuja teollisuuden tehopuolijohdedopingin hallintaan ioni-istutukseen perustuen. Nykyaikaiset ioni-istutusmenetelmät, kuten mikrohajotintekniikka, mahdollistavat erityisen tehokkaiden tehopuolijohdekomponenttien tuotannon. Hankkeen tavoitteena on tutkia perusteellisesti prosessinohjaus- ja karakterisointiantureita, jotka perustuvat yksinomaan ionin aiheuttamaan optiseen tai topologiseen materiaalin muuntamiseen (TRL 1–4). (Finnish)
15 July 2022
0 references
W ramach projektu przeanalizowane zostaną nowatorskie koncepcje kontroli dopingu półprzewodnikowego mocy przemysłowej w oparciu o implantację jonową. Nowoczesne metody implantacji jonów, takie jak technologia mikrodegradatora, umożliwiają produkcję szczególnie wydajnych komponentów półprzewodnikowych mocy. Celem projektu jest gruntowne zbadanie czujników kontroli i charakterystyki procesu w oparciu wyłącznie o efekty ładowania oparte wyłącznie na modyfikacji materiału optycznego lub topologicznego wywołanego jonami (TRL 1-4). (Polish)
15 July 2022
0 references
Projekt bo v osnovi raziskal nove koncepte za nadzor industrijske moči polprevodniških dopingov, ki temeljijo na ionski implantaciji. Sodobne metode ionske implantacije, kot je tehnologija mikrorazgradnikov, omogočajo proizvodnjo posebej učinkovitih komponent moči polprevodnikov. Cilj projekta je temeljito raziskati senzorje za nadzor procesov in karakterizacijo, ki temeljijo izključno na učinkih naboja, ki temeljijo izključno na ionsko povzročenem optičnem ali topološkem materialu (TRL 1–4). (Slovenian)
15 July 2022
0 references
Projekt bude zásadně zkoumat nové koncepty pro řízení dopingu průmyslové energie polovodičů na základě iontové implantace. Moderní metody iontové implantace, jako je technologie mikrodegradérů, umožňují výrobu zvláště účinných výkonových polovodičových komponent. Cílem projektu je zásadně prozkoumat procesní řídicí a charakterizační senzory založené výhradně na nabitých účincích založených výhradně na iontově indukované optické nebo topologické modifikaci materiálu (TRL 1–4). (Czech)
15 July 2022
0 references
Projektas bus iš esmės ištirti naujas koncepcijas kontroliuoti pramonės galios puslaidininkių dopingo remiantis jonų implantacija. Šiuolaikiniai jonų implantacijos metodai, tokie kaip mikroskilimo technologija, leidžia gaminti ypač efektyvius galios puslaidininkius komponentus. Projekto tikslas – iš esmės ištirti proceso valdymo ir apibūdinimo jutiklius, pagrįstus vien tik krūvio efektais, grindžiamais tik jonų sukelta optine arba topologine medžiagų modifikacija (TRL 1–4). (Lithuanian)
15 July 2022
0 references
Projekts fundamentāli pētīs jaunas koncepcijas rūpnieciskās jaudas pusvadītāju dopinga kontrolei, pamatojoties uz jonu implantāciju. Mūsdienu jonu implantācijas metodes, piemēram, mikrodegradācijas tehnoloģija, ļauj ražot īpaši efektīvus jaudas pusvadītāju komponentus. Projekta mērķis ir fundamentāli izpētīt procesa kontroli un raksturošanas sensorus, pamatojoties tikai uz lādiņa iedarbību, kas balstīta tikai uz jonu inducētu optisko vai topoloģisko materiālu modifikāciju (TRL 1–4). (Latvian)
15 July 2022
0 references
Проектът ще проучи фундаментално нови концепции за контрол на допинга на полупроводниковите елементи на индустриалната енергия въз основа на йонно имплантиране. Съвременните методи за имплантиране на йони, като микроразградителната технология, позволяват производството на особено ефективни силови полупроводникови компоненти. Целта на проекта е основно да се проучат датчиците за контрол и характеризиране на процесите въз основа изцяло на ефектите на заряда, основани единствено на йонно индуцирано оптично или топологично изменение на материала (TRL 1—4). (Bulgarian)
15 July 2022
0 references
A projekt alapvetően vizsgálja az ionbeültetésen alapuló ipari félvezető dopping szabályozásának új koncepcióit. Az ionbeültetés modern módszerei, mint például a mikrodegradációs technológia, lehetővé teszik a különösen hatékony félvezető alkatrészek gyártását. A projekt célja, hogy alapvetően vizsgálja a kizárólag ionindukált optikai vagy topológiai anyagmódosításon (TRL 1–4) alapuló töltési hatásokon alapuló folyamatszabályozási és jellemzési érzékelőket. (Hungarian)
15 July 2022
0 references
Déanfaidh an tionscadal imscrúdú bunúsach ar choincheapa núíosacha chun dópáil leathsheoltóra cumhachta tionsclaíche a rialú bunaithe ar ionchlannú ian. Cuireann modhanna nua-aimseartha ionchlannaithe, amhail teicneolaíocht micreadhíghrádóra, ar chumas comhpháirteanna leathsheoltóra cumhachta atá an-éifeachtach a tháirgeadh. Is é aidhm an tionscadail imscrúdú bunúsach a dhéanamh ar bhraiteoirí rialaithe agus tréithrithe próisis atá bunaithe go hiomlán ar éifeachtaí luchtaithe atá bunaithe ar mhodhnú ábhair optúil nó toipeolaíochta arna spreagadh ian amháin (TRL 1-4). (Irish)
15 July 2022
0 references
Projektet kommer att i grunden undersöka nya koncept för kontroll av industriell effekthalvledardopning baserad på jonimplantation. Moderna metoder för jonimplantation, såsom mikronedbrytarteknik, möjliggör produktion av särskilt effektiva komponenter i effekthalvledarkomponenter. Syftet med projektet är att grundligt undersöka processkontroll- och karakteriseringssensorer baserade helt på laddningseffekter baserade enbart på joninducerad optisk eller topologisk materialmodifiering (TRL 1–4). (Swedish)
15 July 2022
0 references
Projekti raames uuritakse põhjalikult uusi kontseptsioone tööstusliku võimsuse pooljuhtide dopingu kontrollimiseks ioonide implanteerimisel. Kaasaegsed ioonide implanteerimise meetodid, nagu mikrolagundaja tehnoloogia, võimaldavad toota eriti tõhusaid võimsuspooljuhtkomponente. Projekti eesmärk on põhjalikult uurida protsessi juhtimise ja iseloomustamise andureid, mis põhinevad täielikult laenguefektidel, mis põhinevad üksnes ioonide indutseeritud optilisel või topoloogilisel materjali modifitseerimisel (TRL 1–4). (Estonian)
15 July 2022
0 references
16 February 2024
0 references
Identifiers
DE_TEMPORARY_ESF_135719
0 references