PioneerGaN: Fast, intrinsically vertical GaN switching transistors for direct control of diode lasers (Q3298187)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3298187 in Germany
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | PioneerGaN: Fast, intrinsically vertical GaN switching transistors for direct control of diode lasers |
Project Q3298187 in Germany |
Statements
401,450.6 Euro
0 references
802,901.21 Euro
0 references
50.0 percent
0 references
1 September 2015
0 references
30 September 2019
0 references
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz- Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
0 references
52°26'15.04"N, 13°32'41.10"E
0 references
12489 - Berlin
0 references
Es sollen GaN-basierte Feldeffekttransistoren mit vertikalem Stromfluss entwickelt werden, welche mittels der vertikalen Transistoren künftig Diodenlaser in Nano- bis Pikosekunden mit Strömen von bis zu 50 A pulsen können. Hierdurch könnten hohe Lichtintensitäten unter Beibehaltung der Strahlqualität erzeugt werden. (German)
0 references
GaN-based field effect transistors with vertical current flow will be developed, which can pulse diode lasers in nano to picoseconds with currents of up to 50 A using vertical transistors in the future. This could generate high light intensities while maintaining beam quality. (English)
24 October 2021
0.044311926879355
0 references
Il s’agit de développer des transistors à effet de champ à flux vertical à base de GaN, qui, à l’aide des transistors verticaux, pourront pulser à l’avenir des lasers à diode en nano-picoseconde avec des courants allant jusqu’à 50 A. Cela permettrait de produire des intensités lumineuses élevées tout en conservant la qualité du faisceau. (French)
6 December 2021
0 references
Op Gan gebaseerde veldeffecttransistors met verticale stroomstroom zullen worden ontwikkeld, die diodelasers in nano tot picoseconden met stromen tot 50 A met behulp van verticale transistors in de toekomst kunnen pulseren. Dit kan hoge lichtsterkten genereren met behoud van de stralingskwaliteit. (Dutch)
19 December 2021
0 references
Saranno sviluppati transistori ad effetto di campo basati su GAN con flusso di corrente verticale, in grado di utilizzare i laser a diodo ad impulsi in nano-picosecondi con correnti fino a 50 A utilizzando in futuro transistori verticali. Ciò potrebbe generare alte intensità di luce mantenendo la qualità del fascio. (Italian)
18 January 2022
0 references
Se desarrollarán transistores de efecto de campo basados en Gan con flujo de corriente vertical, que pueden pulsar láseres de diodo en nano a picosegundos con corrientes de hasta 50 A utilizando transistores verticales en el futuro. Esto podría generar altas intensidades de luz mientras se mantiene la calidad del haz. (Spanish)
22 January 2022
0 references
Θα αναπτυχθούν τρανζίστορ επίδρασης πεδίου GAN με κάθετη ροή ρεύματος, τα οποία μπορούν να παλμίσουν λέιζερ διόδων σε νανο-πικοδευτερόλεπτα με ρεύματα έως 50 Α χρησιμοποιώντας κάθετες κρυσταλλολυχνίες στο μέλλον. Αυτό θα μπορούσε να δημιουργήσει υψηλές εντάσεις φωτός διατηρώντας παράλληλα την ποιότητα της δέσμης. (Greek)
19 August 2022
0 references
Gan-baserede felteffekttransistorer med vertikal strømstrøm vil blive udviklet, som kan pulsdiodelasere i nano til picosekunder med strømninger på op til 50 A ved hjælp af lodrette transistorer i fremtiden. Dette kunne generere høje lysintensiteter samtidig opretholde strålekvalitet. (Danish)
19 August 2022
0 references
Gan-pohjaisia kenttätransistoreita, joissa on pystyvirtavirta, kehitetään, jotka voivat pulssidiodilasereja nano-picosekunneissa, joiden virta on jopa 50 A käyttäen pystytransistoreja tulevaisuudessa. Tämä voisi tuottaa korkeaa valon voimakkuutta säilyttäen säteen laadun. (Finnish)
19 August 2022
0 references
Se jiġu żviluppati tranżisters b’effett tal-kamp ibbażati fuq il-Gan bi fluss ta’ kurrent vertikali, li jistgħu jpulsraw lasers b’dijodu f’nano għal pikosekondi b’kurrenti sa 50 A bl-użu ta’ transisters vertikali fil-futur. Dan jista’ jiġġenera intensitajiet għolja ta’ dawl filwaqt li jżomm il-kwalità tar-raġġ. (Maltese)
19 August 2022
0 references
Tiks izstrādāti Gan bāzes lauka efekta tranzistori ar vertikālo strāvas plūsmu, kas nākotnē var impulsa diožu lāzerus nano pikosekundēs ar strāvu līdz 50 A, izmantojot vertikālos tranzistorus. Tas varētu radīt augstu gaismas intensitāti, vienlaikus saglabājot gaismas kvalitāti. (Latvian)
19 August 2022
0 references
Na báze GAN-založené pole efekt tranzistory s vertikálnym prúdom budú vyvinuté, ktoré môžu pulzovať diódové lasery v nano až pikosekundy s prúdmi až 50 A pomocou vertikálnych tranzistory v budúcnosti. To by mohlo generovať vysokú intenzitu svetla pri zachovaní kvality lúča. (Slovak)
19 August 2022
0 references
Forbrófar trasraitheoirí éifeacht allamuigh gan-bhunaithe le sreabhadh srutha ingearach, ar féidir leo léasair dé-óid a bhrú i nana go picoseconds le sruthanna suas le 50 A ag baint úsáide as trasraitheoirí ingearacha sa todhchaí. D’fhéadfadh sé seo déine solais ard a ghiniúint agus cáilíocht bhíoma á chothabháil ag an am céanna. (Irish)
19 August 2022
0 references
Budou vyvinuty tranzistory na bázi Gan s vertikálním proudem, které mohou pulzovat diodové lasery v nano až pikosekundách s proudy až 50 A pomocí vertikálních tranzistorů v budoucnu. To by mohlo generovat vysokou intenzitu světla při zachování kvality paprsku. (Czech)
19 August 2022
0 references
Transistores de efeito de campo ganzas em Gan com fluxo de corrente vertical serão desenvolvidos, que podem pulsar lasers de diodo em nano a picosegundos com correntes de até 50 A usando transistores verticais no futuro. Isso poderia gerar altas intensidades de luz, mantendo a qualidade do feixe. (Portuguese)
19 August 2022
0 references
Töötatakse välja vertikaalse vooluga Gan-põhised väliefekti transistorid, mis võivad tulevikus vertikaalsete transistorite abil trükkida lasereid nano-pikosekunditesse, mille voolutugevus on kuni 50 A. See võib tekitada suure valgustugevuse, säilitades samal ajal kiire kvaliteedi. (Estonian)
19 August 2022
0 references
Gan-alapú térhatású tranzisztorokat fognak kifejleszteni függőleges áramáramlással, amelyek a jövőben függőleges tranzisztorokat használva nano-pikoszekundumokban impulzálhatnak lézereket, akár 50 A árammal. Ez magas fényintenzitást generálhat, miközben megőrzi a gerenda minőségét. (Hungarian)
19 August 2022
0 references
Ще бъдат разработени GAN-базирани полеви транзистори с вертикален ток, които могат да импулсни диодни лазери в нано до пикосекунди с ток до 50 А с помощта на вертикални транзистори в бъдеще. Това може да доведе до високи интензитети на светлината, като същевременно се запази качеството на лъча. (Bulgarian)
19 August 2022
0 references
Bus sukurti Gan pagrindu pagaminti lauko tranzistoriai su vertikalios srovės srautu, kurie ateityje gali impulsuoti diodų lazerius nano iki pikosekundių su srovėmis iki 50 A, naudojant vertikalius tranzistorius. Tai gali sukelti didelį šviesos intensyvumą, tuo pačiu išlaikant šviesos kokybę. (Lithuanian)
19 August 2022
0 references
Razvit će se tranzistori s efektom polja s vertikalnim protokom struje, koji mogu pulsirati diodne lasere u nano u pikosekunde s strujama do 50 A pomoću vertikalnih tranzistora u budućnosti. To bi moglo generirati velike intenzitete svjetlosti uz održavanje kvalitete zraka. (Croatian)
19 August 2022
0 references
Gan-baserade fälteffekttransistorer med vertikalt strömflöde kommer att utvecklas, som kan pulsera diodlasrar i nano till picosekunder med strömmar på upp till 50 A med hjälp av vertikala transistorer i framtiden. Detta kan generera höga ljusintensiteter samtidigt som strålkvaliteten bibehålls. (Swedish)
19 August 2022
0 references
Vor fi dezvoltate tranzistoare cu efect de câmp pe bază de Gan cu flux de curent vertical, care pot pulsa laserele diode în nano până la picosecunde cu curenți de până la 50 A folosind tranzistori verticali în viitor. Acest lucru ar putea genera intensități ridicate ale luminii, menținând în același timp calitatea fasciculului. (Romanian)
19 August 2022
0 references
Razvili se bodo tranzistorji z učinkom na področju Gan z navpičnim tokom, ki lahko impulzne diode laserje v nano do picosekunde s tokovi do 50 A z uporabo navpičnih tranzistorjev v prihodnosti. To lahko ustvari visoke svetlobne intenzivnosti, hkrati pa ohranja kakovost žarka. (Slovenian)
19 August 2022
0 references
Opracowane zostaną tranzystory z efektem pola Gan o pionowym przepływie prądu, które mogą impulsować lasery diodowe w nano-pikosekundach z prądami do 50 A przy użyciu tranzystorów pionowych w przyszłości. Może to generować wysokie natężenie światła przy jednoczesnym zachowaniu jakości wiązki. (Polish)
19 August 2022
0 references
16 February 2024
0 references
Identifiers
DE_TEMPORARY_991
0 references