Microdot — Microstructured and optical tools for process control for the industrial doping of highly efficient power semiconductor components (Q3539807): Difference between revisions
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| label / fr | label / fr | ||||||||||||||
Microdot — Outils microstructurés et optiques pour le dopage industriel de dispositifs semi-conducteurs à haute efficacité | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French) | |||||||||||||||
| Property / summary: Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 9 December 2021
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Revision as of 18:17, 9 December 2021
Project Q3539807 in Germany
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Microdot — Microstructured and optical tools for process control for the industrial doping of highly efficient power semiconductor components |
Project Q3539807 in Germany |
Statements
559,909.61 Euro
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699,887.01 Euro
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80.0 percent
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1 January 2020
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30 June 2022
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Ernst-Abbe-Hochschule Jena University of Applied Sciences
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50°54'32.44"N, 11°34'31.40"E
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07745 Jena
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Im Vorhaben sollen neuartige Konzepte zur Kontrolle industrieller Leistungshalbleiterdotierung auf Basis von Ionenimplantation grundlegend erforscht werden. Moderne Verfahren der Ionenimplantation, wie etwa die Microdegrader-Technik ermöglichen die Produktion besonders effizienter Leistungshalbleiterbauelemente. Ziel des Vorhabens ist es eine gänzlich von Ladungseffekten unabhängige, allein auf ioneninduzierte optische oder topologische Materialmodifikation basierende Prozesskontroll- bzw. Charakterisierungssensorik grundlegend (TRL 1-4) zu erforschen. (German)
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The project will fundamentally investigate novel concepts for the control of industrial power semiconductor doping based on ion implantation. Modern methods of ion implantation, such as microdegrader technology, enable the production of particularly efficient power semiconductor components. The aim of the project is to fundamentally investigate process control and characterisation sensors based entirely on charge effects based solely on ion-induced optical or topological material modification (TRL 1-4). (English)
17 November 2021
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Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French)
9 December 2021
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Identifiers
DE_TEMPORARY_ESF_135719
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