Microdot — Microstructured and optical tools for process control for the industrial doping of highly efficient power semiconductor components (Q3539807): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Created a new Item: import item from Germany) |
(Added qualifier: readability score (P590521): 0.584229688756525) |
||||||||||||||
| (15 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||||||||||||||
| label / en | label / en | ||||||||||||||
Microdot — Microstructured and optical tools for process control for the industrial doping of highly efficient power semiconductor components | |||||||||||||||
| label / fr | label / fr | ||||||||||||||
Microdot — Outils microstructurés et optiques pour le dopage industriel de dispositifs semi-conducteurs à haute efficacité | |||||||||||||||
| label / nl | label / nl | ||||||||||||||
Microdot — Microgestructureerde en optische gereedschappen voor procesbesturing voor industriële doping van zeer efficiënte vermogenshalfgeleidercomponenten | |||||||||||||||
| label / it | label / it | ||||||||||||||
Microdot — Strumenti microstrutturati e ottici per il controllo di processo per il doping industriale di componenti semiconduttori ad alta efficienza | |||||||||||||||
| label / es | label / es | ||||||||||||||
Microdot — Herramientas microestructuradas y ópticas para el control de procesos para el dopaje industrial de componentes semiconductores de potencia altamente eficientes | |||||||||||||||
| label / da | label / da | ||||||||||||||
Microdot — Mikrostrukturerede og optiske værktøjer til processtyring til industriel doping af højeffektive halvlederkomponenter | |||||||||||||||
| label / el | label / el | ||||||||||||||
Microdot — Μικροδομημένα και οπτικά εργαλεία για τον έλεγχο διεργασιών για τη βιομηχανική ντόπινγκ άκρως αποδοτικών εξαρτημάτων ημιαγωγών ισχύος | |||||||||||||||
| label / hr | label / hr | ||||||||||||||
Microdot – Mikrostrukturirani i optički alati za kontrolu procesa industrijskog dopinga visoko učinkovitih energetskih poluvodičkih komponenti | |||||||||||||||
| label / ro | label / ro | ||||||||||||||
Microdot – Instrumente microstructurate și optice pentru controlul proceselor pentru dopajul industrial al componentelor semiconductoare de înaltă eficiență | |||||||||||||||
| label / sk | label / sk | ||||||||||||||
Microdot – Mikroštruktúrované a optické nástroje na riadenie procesov pre priemyselné doping vysoko účinných výkonových polovodičových komponentov | |||||||||||||||
| label / mt | label / mt | ||||||||||||||
Mikrodot — Għodod mikrostrutturati u ottiċi għall-kontroll tal-proċess għad-doping industrijali ta’ komponenti semikondutturi tal-enerġija effiċjenti ħafna | |||||||||||||||
| label / pt | label / pt | ||||||||||||||
Microdot — Ferramentas microestruturadas e óticas para controle de processos para doping industrial de componentes semicondutores de potência altamente eficientes | |||||||||||||||
| label / fi | label / fi | ||||||||||||||
Mikropiste – Mikrostrukturoidut ja optiset työkalut erittäin tehokkaiden puolijohdekomponenttien teolliseen dopingiin | |||||||||||||||
| label / pl | label / pl | ||||||||||||||
Microdot – Mikrostrukturalne i optyczne narzędzia do sterowania procesami dozowania przemysłowego wysokowydajnych komponentów półprzewodnikowych | |||||||||||||||
| label / sl | label / sl | ||||||||||||||
Mikrodot – mikrostrukturirana in optična orodja za nadzor procesov za industrijsko doping visoko učinkovitih močnostnih polprevodniških komponent | |||||||||||||||
| label / cs | label / cs | ||||||||||||||
Microdot – Mikrostrukturované a optické nástroje pro řízení procesů pro průmyslové dopingy vysoce účinných silových polovodičových komponentů | |||||||||||||||
| label / lt | label / lt | ||||||||||||||
Microdot – Mikrostruktūriniai ir optiniai proceso valdymo įrankiai labai efektyvių galios puslaidininkių komponentų pramoniniam dopingui | |||||||||||||||
| label / lv | label / lv | ||||||||||||||
Microdot — Mikrostrukturēti un optiski instrumenti procesu kontrolei augstas efektivitātes pusvadītāju komponentu rūpnieciskai dopingam | |||||||||||||||
| label / bg | label / bg | ||||||||||||||
Microdot — Микроструктурирани и оптични инструменти за управление на процеси за индустриално допинг на високоефективни силови полупроводникови компоненти | |||||||||||||||
| label / hu | label / hu | ||||||||||||||
Microdot – Mikrostruktúra és optikai eszközök a nagy hatékonyságú félvezető alkatrészek ipari doppingolásához | |||||||||||||||
| label / ga | label / ga | ||||||||||||||
Microdot — Uirlisí micreastruchtúrtha agus optúla le haghaidh próisis a rialú le haghaidh dópáil thionsclaíoch comhpháirteanna leathsheoltóra cumhachta ardéifeachtúla | |||||||||||||||
| label / sv | label / sv | ||||||||||||||
Microdot – Mikrostrukturerade och optiska verktyg för processstyrning för industriell dopning av högeffektiva halvledarkomponenter | |||||||||||||||
| label / et | label / et | ||||||||||||||
Microdot – Mikrostruktureeritud ja optilised tööriistad väga tõhusate võimsuspooljuhtkomponentide tööstuslikuks dopinguks | |||||||||||||||
| description / en | description / en | ||||||||||||||
Project in Germany | Project Q3539807 in Germany | ||||||||||||||
| description / bg | description / bg | ||||||||||||||
Проект Q3539807 в Германия | |||||||||||||||
| description / hr | description / hr | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 u Njemačkoj | |||||||||||||||
| description / hu | description / hu | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 Németországban | |||||||||||||||
| description / cs | description / cs | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 v Německu | |||||||||||||||
| description / da | description / da | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 i Tyskland | |||||||||||||||
| description / nl | description / nl | ||||||||||||||
Project Q3539807 in Duitsland | |||||||||||||||
| description / et | description / et | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 Saksamaal | |||||||||||||||
| description / fi | description / fi | ||||||||||||||
Projekti Q3539807 Saksassa | |||||||||||||||
| description / fr | description / fr | ||||||||||||||
Projet Q3539807 en Allemagne | |||||||||||||||
| description / de | description / de | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 in Deutschland | |||||||||||||||
| description / el | description / el | ||||||||||||||
Έργο Q3539807 στη Γερμανία | |||||||||||||||
| description / ga | description / ga | ||||||||||||||
Tionscadal Q3539807 sa Ghearmáin | |||||||||||||||
| description / it | description / it | ||||||||||||||
Progetto Q3539807 in Germania | |||||||||||||||
| description / lv | description / lv | ||||||||||||||
Projekts Q3539807 Vācijā | |||||||||||||||
| description / lt | description / lt | ||||||||||||||
Projektas Q3539807 Vokietijoje | |||||||||||||||
| description / mt | description / mt | ||||||||||||||
Proġett Q3539807 fil-Ġermanja | |||||||||||||||
| description / pl | description / pl | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 w Niemczech | |||||||||||||||
| description / pt | description / pt | ||||||||||||||
Projeto Q3539807 na Alemanha | |||||||||||||||
| description / ro | description / ro | ||||||||||||||
Proiectul Q3539807 în Germania | |||||||||||||||
| description / sk | description / sk | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 v Nemecku | |||||||||||||||
| description / sl | description / sl | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 v Nemčiji | |||||||||||||||
| description / es | description / es | ||||||||||||||
Proyecto Q3539807 en Alemania | |||||||||||||||
| description / sv | description / sv | ||||||||||||||
Projekt Q3539807 i Tyskland | |||||||||||||||
| Property / instance of: Kohesio project / rank | Property / instance of: Kohesio project / rank | ||||||||||||||
Deprecated rank | |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / budget: 699,887.01 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 559,909.61 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Jena, Stadt / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / instance of | |||||||||||||||
| Property / instance of: Discontinued Kohesio Project / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
The project will fundamentally investigate novel concepts for the control of industrial power semiconductor doping based on ion implantation. Modern methods of ion implantation, such as microdegrader technology, enable the production of particularly efficient power semiconductor components. The aim of the project is to fundamentally investigate process control and characterisation sensors based entirely on charge effects based solely on ion-induced optical or topological material modification (TRL 1-4). (English) | |||||||||||||||
| Property / summary: The project will fundamentally investigate novel concepts for the control of industrial power semiconductor doping based on ion implantation. Modern methods of ion implantation, such as microdegrader technology, enable the production of particularly efficient power semiconductor components. The aim of the project is to fundamentally investigate process control and characterisation sensors based entirely on charge effects based solely on ion-induced optical or topological material modification (TRL 1-4). (English) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: The project will fundamentally investigate novel concepts for the control of industrial power semiconductor doping based on ion implantation. Modern methods of ion implantation, such as microdegrader technology, enable the production of particularly efficient power semiconductor components. The aim of the project is to fundamentally investigate process control and characterisation sensors based entirely on charge effects based solely on ion-induced optical or topological material modification (TRL 1-4). (English) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 17 November 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary: The project will fundamentally investigate novel concepts for the control of industrial power semiconductor doping based on ion implantation. Modern methods of ion implantation, such as microdegrader technology, enable the production of particularly efficient power semiconductor components. The aim of the project is to fundamentally investigate process control and characterisation sensors based entirely on charge effects based solely on ion-induced optical or topological material modification (TRL 1-4). (English) / qualifier | |||||||||||||||
readability score: 0.584229688756525
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French) | |||||||||||||||
| Property / summary: Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 9 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Het project onderzoekt fundamenteel nieuwe concepten voor de beheersing van industriële power halfgeleider doping op basis van ionenimplantatie. Moderne methoden van ionenimplantatie, zoals microdegradertechnologie, maken de productie van bijzonder efficiënte vermogenshalfgeleidercomponenten mogelijk. Het doel van het project is fundamenteel onderzoek te doen naar procesbesturings- en karakteriseringssensoren die uitsluitend gebaseerd zijn op door ionen geïnduceerde optische of topologische materiaalmodificaties (TRL 1-4). (Dutch) | |||||||||||||||
| Property / summary: Het project onderzoekt fundamenteel nieuwe concepten voor de beheersing van industriële power halfgeleider doping op basis van ionenimplantatie. Moderne methoden van ionenimplantatie, zoals microdegradertechnologie, maken de productie van bijzonder efficiënte vermogenshalfgeleidercomponenten mogelijk. Het doel van het project is fundamenteel onderzoek te doen naar procesbesturings- en karakteriseringssensoren die uitsluitend gebaseerd zijn op door ionen geïnduceerde optische of topologische materiaalmodificaties (TRL 1-4). (Dutch) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Het project onderzoekt fundamenteel nieuwe concepten voor de beheersing van industriële power halfgeleider doping op basis van ionenimplantatie. Moderne methoden van ionenimplantatie, zoals microdegradertechnologie, maken de productie van bijzonder efficiënte vermogenshalfgeleidercomponenten mogelijk. Het doel van het project is fundamenteel onderzoek te doen naar procesbesturings- en karakteriseringssensoren die uitsluitend gebaseerd zijn op door ionen geïnduceerde optische of topologische materiaalmodificaties (TRL 1-4). (Dutch) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 21 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Il progetto esaminerà fondamentalmente nuovi concetti per il controllo del doping a semiconduttori di potenza industriale basato sull'impianto ionico. I moderni metodi di impianto ionico, come la tecnologia dei microdegradatori, consentono la produzione di componenti a semiconduttore di potenza particolarmente efficienti. L'obiettivo del progetto è quello di indagare fondamentalmente i sensori di controllo e caratterizzazione dei processi basati interamente sugli effetti di carica basati esclusivamente su modifiche ottiche o topologiche indotte da ioni (TRL 1-4). (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Il progetto esaminerà fondamentalmente nuovi concetti per il controllo del doping a semiconduttori di potenza industriale basato sull'impianto ionico. I moderni metodi di impianto ionico, come la tecnologia dei microdegradatori, consentono la produzione di componenti a semiconduttore di potenza particolarmente efficienti. L'obiettivo del progetto è quello di indagare fondamentalmente i sensori di controllo e caratterizzazione dei processi basati interamente sugli effetti di carica basati esclusivamente su modifiche ottiche o topologiche indotte da ioni (TRL 1-4). (Italian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Il progetto esaminerà fondamentalmente nuovi concetti per il controllo del doping a semiconduttori di potenza industriale basato sull'impianto ionico. I moderni metodi di impianto ionico, come la tecnologia dei microdegradatori, consentono la produzione di componenti a semiconduttore di potenza particolarmente efficienti. L'obiettivo del progetto è quello di indagare fondamentalmente i sensori di controllo e caratterizzazione dei processi basati interamente sugli effetti di carica basati esclusivamente su modifiche ottiche o topologiche indotte da ioni (TRL 1-4). (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 20 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
El proyecto investigará fundamentalmente conceptos novedosos para el control del dopaje de semiconductores de potencia industrial basados en la implantación iónica. Los métodos modernos de implantación de iones, como la tecnología microdegrader, permiten la producción de componentes semiconductores de potencia especialmente eficientes. El objetivo del proyecto es investigar fundamentalmente los sensores de control y caracterización de procesos basados enteramente en efectos de carga basados únicamente en la modificación del material óptico o topológico inducido por iones (TRL 1-4). (Spanish) | |||||||||||||||
| Property / summary: El proyecto investigará fundamentalmente conceptos novedosos para el control del dopaje de semiconductores de potencia industrial basados en la implantación iónica. Los métodos modernos de implantación de iones, como la tecnología microdegrader, permiten la producción de componentes semiconductores de potencia especialmente eficientes. El objetivo del proyecto es investigar fundamentalmente los sensores de control y caracterización de procesos basados enteramente en efectos de carga basados únicamente en la modificación del material óptico o topológico inducido por iones (TRL 1-4). (Spanish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: El proyecto investigará fundamentalmente conceptos novedosos para el control del dopaje de semiconductores de potencia industrial basados en la implantación iónica. Los métodos modernos de implantación de iones, como la tecnología microdegrader, permiten la producción de componentes semiconductores de potencia especialmente eficientes. El objetivo del proyecto es investigar fundamentalmente los sensores de control y caracterización de procesos basados enteramente en efectos de carga basados únicamente en la modificación del material óptico o topológico inducido por iones (TRL 1-4). (Spanish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 23 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projektet vil grundlæggende undersøge nye koncepter for styring af industriel kraft halvlederdoping baseret på ionimplantation. Moderne metoder til ionimplantation, f.eks. mikronedbrydende teknologi, muliggør produktion af særligt effektive krafthalvlederkomponenter. Formålet med projektet er grundlæggende at undersøge processtyrings- og karakteriseringssensorer udelukkende baseret på ladningseffekter, der udelukkende er baseret på ioninduceret optisk eller topologisk materialemodifikation (TRL 1-4). (Danish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektet vil grundlæggende undersøge nye koncepter for styring af industriel kraft halvlederdoping baseret på ionimplantation. Moderne metoder til ionimplantation, f.eks. mikronedbrydende teknologi, muliggør produktion af særligt effektive krafthalvlederkomponenter. Formålet med projektet er grundlæggende at undersøge processtyrings- og karakteriseringssensorer udelukkende baseret på ladningseffekter, der udelukkende er baseret på ioninduceret optisk eller topologisk materialemodifikation (TRL 1-4). (Danish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektet vil grundlæggende undersøge nye koncepter for styring af industriel kraft halvlederdoping baseret på ionimplantation. Moderne metoder til ionimplantation, f.eks. mikronedbrydende teknologi, muliggør produktion af særligt effektive krafthalvlederkomponenter. Formålet med projektet er grundlæggende at undersøge processtyrings- og karakteriseringssensorer udelukkende baseret på ladningseffekter, der udelukkende er baseret på ioninduceret optisk eller topologisk materialemodifikation (TRL 1-4). (Danish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Το έργο θα διερευνήσει θεμελιωδώς νέες έννοιες για τον έλεγχο του ντόπινγκ των ημιαγωγών βιομηχανικής ισχύος με βάση την εμφύτευση ιόντων. Οι σύγχρονες μέθοδοι εμφύτευσης ιόντων, όπως η τεχνολογία μικροδιασπαστών, επιτρέπουν την παραγωγή ιδιαίτερα αποδοτικών εξαρτημάτων ημιαγωγών ισχύος. Στόχος του έργου είναι να διερευνήσει θεμελιωδώς αισθητήρες ελέγχου και χαρακτηρισμού της διεργασίας με βάση εξ ολοκλήρου τις επιδράσεις φόρτισης που βασίζονται αποκλειστικά στην οπτική ή τοπολογική τροποποίηση υλικού που προκαλείται από ιόντα (TRL 1-4). (Greek) | |||||||||||||||
| Property / summary: Το έργο θα διερευνήσει θεμελιωδώς νέες έννοιες για τον έλεγχο του ντόπινγκ των ημιαγωγών βιομηχανικής ισχύος με βάση την εμφύτευση ιόντων. Οι σύγχρονες μέθοδοι εμφύτευσης ιόντων, όπως η τεχνολογία μικροδιασπαστών, επιτρέπουν την παραγωγή ιδιαίτερα αποδοτικών εξαρτημάτων ημιαγωγών ισχύος. Στόχος του έργου είναι να διερευνήσει θεμελιωδώς αισθητήρες ελέγχου και χαρακτηρισμού της διεργασίας με βάση εξ ολοκλήρου τις επιδράσεις φόρτισης που βασίζονται αποκλειστικά στην οπτική ή τοπολογική τροποποίηση υλικού που προκαλείται από ιόντα (TRL 1-4). (Greek) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Το έργο θα διερευνήσει θεμελιωδώς νέες έννοιες για τον έλεγχο του ντόπινγκ των ημιαγωγών βιομηχανικής ισχύος με βάση την εμφύτευση ιόντων. Οι σύγχρονες μέθοδοι εμφύτευσης ιόντων, όπως η τεχνολογία μικροδιασπαστών, επιτρέπουν την παραγωγή ιδιαίτερα αποδοτικών εξαρτημάτων ημιαγωγών ισχύος. Στόχος του έργου είναι να διερευνήσει θεμελιωδώς αισθητήρες ελέγχου και χαρακτηρισμού της διεργασίας με βάση εξ ολοκλήρου τις επιδράσεις φόρτισης που βασίζονται αποκλειστικά στην οπτική ή τοπολογική τροποποίηση υλικού που προκαλείται από ιόντα (TRL 1-4). (Greek) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekt će temeljito istražiti nove koncepte za kontrolu industrijske snage poluvodičkih dopinga na temelju ionske implantacije. Moderne metode implantacije iona, kao što je tehnologija mikrorazgraditelja, omogućuju proizvodnju posebno učinkovitih poluvodičkih komponenti snage. Cilj je projekta temeljito istražiti senzore za kontrolu procesa i karakterizaciju koji se u potpunosti temelje na efektima punjenja koji se temelje isključivo na ionskoj induciranoj optičkoj ili topološkoj modifikaciji materijala (TRL 1 – 4). (Croatian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt će temeljito istražiti nove koncepte za kontrolu industrijske snage poluvodičkih dopinga na temelju ionske implantacije. Moderne metode implantacije iona, kao što je tehnologija mikrorazgraditelja, omogućuju proizvodnju posebno učinkovitih poluvodičkih komponenti snage. Cilj je projekta temeljito istražiti senzore za kontrolu procesa i karakterizaciju koji se u potpunosti temelje na efektima punjenja koji se temelje isključivo na ionskoj induciranoj optičkoj ili topološkoj modifikaciji materijala (TRL 1 – 4). (Croatian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt će temeljito istražiti nove koncepte za kontrolu industrijske snage poluvodičkih dopinga na temelju ionske implantacije. Moderne metode implantacije iona, kao što je tehnologija mikrorazgraditelja, omogućuju proizvodnju posebno učinkovitih poluvodičkih komponenti snage. Cilj je projekta temeljito istražiti senzore za kontrolu procesa i karakterizaciju koji se u potpunosti temelje na efektima punjenja koji se temelje isključivo na ionskoj induciranoj optičkoj ili topološkoj modifikaciji materijala (TRL 1 – 4). (Croatian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Proiectul va investiga fundamental concepte noi pentru controlul dopajului semiconductorilor industriali pe baza implantării ionice. Metodele moderne de implantare ionică, cum ar fi tehnologia microdegradorului, permit producerea de componente semiconductoare de putere deosebit de eficiente. Scopul proiectului este de a investiga în mod fundamental senzorii de control al procesului și de caracterizare bazați în întregime pe efectele de încărcare bazate exclusiv pe modificarea materialelor optice sau topologice induse de ioni (TRL 1-4). (Romanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Proiectul va investiga fundamental concepte noi pentru controlul dopajului semiconductorilor industriali pe baza implantării ionice. Metodele moderne de implantare ionică, cum ar fi tehnologia microdegradorului, permit producerea de componente semiconductoare de putere deosebit de eficiente. Scopul proiectului este de a investiga în mod fundamental senzorii de control al procesului și de caracterizare bazați în întregime pe efectele de încărcare bazate exclusiv pe modificarea materialelor optice sau topologice induse de ioni (TRL 1-4). (Romanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Proiectul va investiga fundamental concepte noi pentru controlul dopajului semiconductorilor industriali pe baza implantării ionice. Metodele moderne de implantare ionică, cum ar fi tehnologia microdegradorului, permit producerea de componente semiconductoare de putere deosebit de eficiente. Scopul proiectului este de a investiga în mod fundamental senzorii de control al procesului și de caracterizare bazați în întregime pe efectele de încărcare bazate exclusiv pe modificarea materialelor optice sau topologice induse de ioni (TRL 1-4). (Romanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
V rámci projektu sa v podstate preskúmajú nové koncepcie kontroly dopingu priemyselných výkonových polovodičov na základe implantácie iónov. Moderné metódy implantácie iónov, ako je technológia mikrodegraderov, umožňujú výrobu obzvlášť účinných výkonových polovodičových komponentov. Cieľom projektu je zásadne preskúmať snímače riadenia a charakterizácie procesov založené výlučne na efektoch náboja založených výlučne na iónovo indukovanej optickej alebo topologickej modifikácii (TRL 1 – 4). (Slovak) | |||||||||||||||
| Property / summary: V rámci projektu sa v podstate preskúmajú nové koncepcie kontroly dopingu priemyselných výkonových polovodičov na základe implantácie iónov. Moderné metódy implantácie iónov, ako je technológia mikrodegraderov, umožňujú výrobu obzvlášť účinných výkonových polovodičových komponentov. Cieľom projektu je zásadne preskúmať snímače riadenia a charakterizácie procesov založené výlučne na efektoch náboja založených výlučne na iónovo indukovanej optickej alebo topologickej modifikácii (TRL 1 – 4). (Slovak) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: V rámci projektu sa v podstate preskúmajú nové koncepcie kontroly dopingu priemyselných výkonových polovodičov na základe implantácie iónov. Moderné metódy implantácie iónov, ako je technológia mikrodegraderov, umožňujú výrobu obzvlášť účinných výkonových polovodičových komponentov. Cieľom projektu je zásadne preskúmať snímače riadenia a charakterizácie procesov založené výlučne na efektoch náboja založených výlučne na iónovo indukovanej optickej alebo topologickej modifikácii (TRL 1 – 4). (Slovak) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Il-proġett se jinvestiga fundamentalment kunċetti ġodda għall-kontroll tad-doping semikonduttur tal-enerġija industrijali abbażi tal-impjantazzjoni jonika. Metodi moderni ta’ impjantazzjoni jonika, bħat-teknoloġija mikrodegradatriċi, jippermettu l-produzzjoni ta’ komponenti semikondutturi tal-enerġija partikolarment effiċjenti. L-għan tal-proġett huwa li jinvestiga fundamentalment is-sensuri tal-kontroll u tal-karatterizzazzjoni tal-proċess ibbażati kompletament fuq l-effetti taċ-ċarġ ibbażati biss fuq il-modifika tal-materjal ottiku jew topoloġiku indott mill-joni (TRL 1–4). (Maltese) | |||||||||||||||
| Property / summary: Il-proġett se jinvestiga fundamentalment kunċetti ġodda għall-kontroll tad-doping semikonduttur tal-enerġija industrijali abbażi tal-impjantazzjoni jonika. Metodi moderni ta’ impjantazzjoni jonika, bħat-teknoloġija mikrodegradatriċi, jippermettu l-produzzjoni ta’ komponenti semikondutturi tal-enerġija partikolarment effiċjenti. L-għan tal-proġett huwa li jinvestiga fundamentalment is-sensuri tal-kontroll u tal-karatterizzazzjoni tal-proċess ibbażati kompletament fuq l-effetti taċ-ċarġ ibbażati biss fuq il-modifika tal-materjal ottiku jew topoloġiku indott mill-joni (TRL 1–4). (Maltese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Il-proġett se jinvestiga fundamentalment kunċetti ġodda għall-kontroll tad-doping semikonduttur tal-enerġija industrijali abbażi tal-impjantazzjoni jonika. Metodi moderni ta’ impjantazzjoni jonika, bħat-teknoloġija mikrodegradatriċi, jippermettu l-produzzjoni ta’ komponenti semikondutturi tal-enerġija partikolarment effiċjenti. L-għan tal-proġett huwa li jinvestiga fundamentalment is-sensuri tal-kontroll u tal-karatterizzazzjoni tal-proċess ibbażati kompletament fuq l-effetti taċ-ċarġ ibbażati biss fuq il-modifika tal-materjal ottiku jew topoloġiku indott mill-joni (TRL 1–4). (Maltese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
O projeto irá investigar fundamentalmente novos conceitos para o controle de doping semicondutores de potência industrial com base na implantação de iões. Os métodos modernos de implantação de íons, como a tecnologia de microdegradadores, permitem a produção de componentes semicondutores de energia particularmente eficientes. O objetivo do projeto é investigar fundamentalmente os sensores de controle e caracterização do processo com base inteiramente em efeitos de carga ganzas exclusivamente na modificação de material ótico ou topológico induzido por iões (TRL 1-4). (Portuguese) | |||||||||||||||
| Property / summary: O projeto irá investigar fundamentalmente novos conceitos para o controle de doping semicondutores de potência industrial com base na implantação de iões. Os métodos modernos de implantação de íons, como a tecnologia de microdegradadores, permitem a produção de componentes semicondutores de energia particularmente eficientes. O objetivo do projeto é investigar fundamentalmente os sensores de controle e caracterização do processo com base inteiramente em efeitos de carga ganzas exclusivamente na modificação de material ótico ou topológico induzido por iões (TRL 1-4). (Portuguese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: O projeto irá investigar fundamentalmente novos conceitos para o controle de doping semicondutores de potência industrial com base na implantação de iões. Os métodos modernos de implantação de íons, como a tecnologia de microdegradadores, permitem a produção de componentes semicondutores de energia particularmente eficientes. O objetivo do projeto é investigar fundamentalmente os sensores de controle e caracterização do processo com base inteiramente em efeitos de carga ganzas exclusivamente na modificação de material ótico ou topológico induzido por iões (TRL 1-4). (Portuguese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Hankkeessa tutkitaan perusteellisesti uusia ratkaisuja teollisuuden tehopuolijohdedopingin hallintaan ioni-istutukseen perustuen. Nykyaikaiset ioni-istutusmenetelmät, kuten mikrohajotintekniikka, mahdollistavat erityisen tehokkaiden tehopuolijohdekomponenttien tuotannon. Hankkeen tavoitteena on tutkia perusteellisesti prosessinohjaus- ja karakterisointiantureita, jotka perustuvat yksinomaan ionin aiheuttamaan optiseen tai topologiseen materiaalin muuntamiseen (TRL 1–4). (Finnish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeessa tutkitaan perusteellisesti uusia ratkaisuja teollisuuden tehopuolijohdedopingin hallintaan ioni-istutukseen perustuen. Nykyaikaiset ioni-istutusmenetelmät, kuten mikrohajotintekniikka, mahdollistavat erityisen tehokkaiden tehopuolijohdekomponenttien tuotannon. Hankkeen tavoitteena on tutkia perusteellisesti prosessinohjaus- ja karakterisointiantureita, jotka perustuvat yksinomaan ionin aiheuttamaan optiseen tai topologiseen materiaalin muuntamiseen (TRL 1–4). (Finnish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeessa tutkitaan perusteellisesti uusia ratkaisuja teollisuuden tehopuolijohdedopingin hallintaan ioni-istutukseen perustuen. Nykyaikaiset ioni-istutusmenetelmät, kuten mikrohajotintekniikka, mahdollistavat erityisen tehokkaiden tehopuolijohdekomponenttien tuotannon. Hankkeen tavoitteena on tutkia perusteellisesti prosessinohjaus- ja karakterisointiantureita, jotka perustuvat yksinomaan ionin aiheuttamaan optiseen tai topologiseen materiaalin muuntamiseen (TRL 1–4). (Finnish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
W ramach projektu przeanalizowane zostaną nowatorskie koncepcje kontroli dopingu półprzewodnikowego mocy przemysłowej w oparciu o implantację jonową. Nowoczesne metody implantacji jonów, takie jak technologia mikrodegradatora, umożliwiają produkcję szczególnie wydajnych komponentów półprzewodnikowych mocy. Celem projektu jest gruntowne zbadanie czujników kontroli i charakterystyki procesu w oparciu wyłącznie o efekty ładowania oparte wyłącznie na modyfikacji materiału optycznego lub topologicznego wywołanego jonami (TRL 1-4). (Polish) | |||||||||||||||
| Property / summary: W ramach projektu przeanalizowane zostaną nowatorskie koncepcje kontroli dopingu półprzewodnikowego mocy przemysłowej w oparciu o implantację jonową. Nowoczesne metody implantacji jonów, takie jak technologia mikrodegradatora, umożliwiają produkcję szczególnie wydajnych komponentów półprzewodnikowych mocy. Celem projektu jest gruntowne zbadanie czujników kontroli i charakterystyki procesu w oparciu wyłącznie o efekty ładowania oparte wyłącznie na modyfikacji materiału optycznego lub topologicznego wywołanego jonami (TRL 1-4). (Polish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: W ramach projektu przeanalizowane zostaną nowatorskie koncepcje kontroli dopingu półprzewodnikowego mocy przemysłowej w oparciu o implantację jonową. Nowoczesne metody implantacji jonów, takie jak technologia mikrodegradatora, umożliwiają produkcję szczególnie wydajnych komponentów półprzewodnikowych mocy. Celem projektu jest gruntowne zbadanie czujników kontroli i charakterystyki procesu w oparciu wyłącznie o efekty ładowania oparte wyłącznie na modyfikacji materiału optycznego lub topologicznego wywołanego jonami (TRL 1-4). (Polish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekt bo v osnovi raziskal nove koncepte za nadzor industrijske moči polprevodniških dopingov, ki temeljijo na ionski implantaciji. Sodobne metode ionske implantacije, kot je tehnologija mikrorazgradnikov, omogočajo proizvodnjo posebej učinkovitih komponent moči polprevodnikov. Cilj projekta je temeljito raziskati senzorje za nadzor procesov in karakterizacijo, ki temeljijo izključno na učinkih naboja, ki temeljijo izključno na ionsko povzročenem optičnem ali topološkem materialu (TRL 1–4). (Slovenian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt bo v osnovi raziskal nove koncepte za nadzor industrijske moči polprevodniških dopingov, ki temeljijo na ionski implantaciji. Sodobne metode ionske implantacije, kot je tehnologija mikrorazgradnikov, omogočajo proizvodnjo posebej učinkovitih komponent moči polprevodnikov. Cilj projekta je temeljito raziskati senzorje za nadzor procesov in karakterizacijo, ki temeljijo izključno na učinkih naboja, ki temeljijo izključno na ionsko povzročenem optičnem ali topološkem materialu (TRL 1–4). (Slovenian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt bo v osnovi raziskal nove koncepte za nadzor industrijske moči polprevodniških dopingov, ki temeljijo na ionski implantaciji. Sodobne metode ionske implantacije, kot je tehnologija mikrorazgradnikov, omogočajo proizvodnjo posebej učinkovitih komponent moči polprevodnikov. Cilj projekta je temeljito raziskati senzorje za nadzor procesov in karakterizacijo, ki temeljijo izključno na učinkih naboja, ki temeljijo izključno na ionsko povzročenem optičnem ali topološkem materialu (TRL 1–4). (Slovenian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekt bude zásadně zkoumat nové koncepty pro řízení dopingu průmyslové energie polovodičů na základě iontové implantace. Moderní metody iontové implantace, jako je technologie mikrodegradérů, umožňují výrobu zvláště účinných výkonových polovodičových komponent. Cílem projektu je zásadně prozkoumat procesní řídicí a charakterizační senzory založené výhradně na nabitých účincích založených výhradně na iontově indukované optické nebo topologické modifikaci materiálu (TRL 1–4). (Czech) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt bude zásadně zkoumat nové koncepty pro řízení dopingu průmyslové energie polovodičů na základě iontové implantace. Moderní metody iontové implantace, jako je technologie mikrodegradérů, umožňují výrobu zvláště účinných výkonových polovodičových komponent. Cílem projektu je zásadně prozkoumat procesní řídicí a charakterizační senzory založené výhradně na nabitých účincích založených výhradně na iontově indukované optické nebo topologické modifikaci materiálu (TRL 1–4). (Czech) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt bude zásadně zkoumat nové koncepty pro řízení dopingu průmyslové energie polovodičů na základě iontové implantace. Moderní metody iontové implantace, jako je technologie mikrodegradérů, umožňují výrobu zvláště účinných výkonových polovodičových komponent. Cílem projektu je zásadně prozkoumat procesní řídicí a charakterizační senzory založené výhradně na nabitých účincích založených výhradně na iontově indukované optické nebo topologické modifikaci materiálu (TRL 1–4). (Czech) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projektas bus iš esmės ištirti naujas koncepcijas kontroliuoti pramonės galios puslaidininkių dopingo remiantis jonų implantacija. Šiuolaikiniai jonų implantacijos metodai, tokie kaip mikroskilimo technologija, leidžia gaminti ypač efektyvius galios puslaidininkius komponentus. Projekto tikslas – iš esmės ištirti proceso valdymo ir apibūdinimo jutiklius, pagrįstus vien tik krūvio efektais, grindžiamais tik jonų sukelta optine arba topologine medžiagų modifikacija (TRL 1–4). (Lithuanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektas bus iš esmės ištirti naujas koncepcijas kontroliuoti pramonės galios puslaidininkių dopingo remiantis jonų implantacija. Šiuolaikiniai jonų implantacijos metodai, tokie kaip mikroskilimo technologija, leidžia gaminti ypač efektyvius galios puslaidininkius komponentus. Projekto tikslas – iš esmės ištirti proceso valdymo ir apibūdinimo jutiklius, pagrįstus vien tik krūvio efektais, grindžiamais tik jonų sukelta optine arba topologine medžiagų modifikacija (TRL 1–4). (Lithuanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektas bus iš esmės ištirti naujas koncepcijas kontroliuoti pramonės galios puslaidininkių dopingo remiantis jonų implantacija. Šiuolaikiniai jonų implantacijos metodai, tokie kaip mikroskilimo technologija, leidžia gaminti ypač efektyvius galios puslaidininkius komponentus. Projekto tikslas – iš esmės ištirti proceso valdymo ir apibūdinimo jutiklius, pagrįstus vien tik krūvio efektais, grindžiamais tik jonų sukelta optine arba topologine medžiagų modifikacija (TRL 1–4). (Lithuanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekts fundamentāli pētīs jaunas koncepcijas rūpnieciskās jaudas pusvadītāju dopinga kontrolei, pamatojoties uz jonu implantāciju. Mūsdienu jonu implantācijas metodes, piemēram, mikrodegradācijas tehnoloģija, ļauj ražot īpaši efektīvus jaudas pusvadītāju komponentus. Projekta mērķis ir fundamentāli izpētīt procesa kontroli un raksturošanas sensorus, pamatojoties tikai uz lādiņa iedarbību, kas balstīta tikai uz jonu inducētu optisko vai topoloģisko materiālu modifikāciju (TRL 1–4). (Latvian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekts fundamentāli pētīs jaunas koncepcijas rūpnieciskās jaudas pusvadītāju dopinga kontrolei, pamatojoties uz jonu implantāciju. Mūsdienu jonu implantācijas metodes, piemēram, mikrodegradācijas tehnoloģija, ļauj ražot īpaši efektīvus jaudas pusvadītāju komponentus. Projekta mērķis ir fundamentāli izpētīt procesa kontroli un raksturošanas sensorus, pamatojoties tikai uz lādiņa iedarbību, kas balstīta tikai uz jonu inducētu optisko vai topoloģisko materiālu modifikāciju (TRL 1–4). (Latvian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekts fundamentāli pētīs jaunas koncepcijas rūpnieciskās jaudas pusvadītāju dopinga kontrolei, pamatojoties uz jonu implantāciju. Mūsdienu jonu implantācijas metodes, piemēram, mikrodegradācijas tehnoloģija, ļauj ražot īpaši efektīvus jaudas pusvadītāju komponentus. Projekta mērķis ir fundamentāli izpētīt procesa kontroli un raksturošanas sensorus, pamatojoties tikai uz lādiņa iedarbību, kas balstīta tikai uz jonu inducētu optisko vai topoloģisko materiālu modifikāciju (TRL 1–4). (Latvian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Проектът ще проучи фундаментално нови концепции за контрол на допинга на полупроводниковите елементи на индустриалната енергия въз основа на йонно имплантиране. Съвременните методи за имплантиране на йони, като микроразградителната технология, позволяват производството на особено ефективни силови полупроводникови компоненти. Целта на проекта е основно да се проучат датчиците за контрол и характеризиране на процесите въз основа изцяло на ефектите на заряда, основани единствено на йонно индуцирано оптично или топологично изменение на материала (TRL 1—4). (Bulgarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Проектът ще проучи фундаментално нови концепции за контрол на допинга на полупроводниковите елементи на индустриалната енергия въз основа на йонно имплантиране. Съвременните методи за имплантиране на йони, като микроразградителната технология, позволяват производството на особено ефективни силови полупроводникови компоненти. Целта на проекта е основно да се проучат датчиците за контрол и характеризиране на процесите въз основа изцяло на ефектите на заряда, основани единствено на йонно индуцирано оптично или топологично изменение на материала (TRL 1—4). (Bulgarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Проектът ще проучи фундаментално нови концепции за контрол на допинга на полупроводниковите елементи на индустриалната енергия въз основа на йонно имплантиране. Съвременните методи за имплантиране на йони, като микроразградителната технология, позволяват производството на особено ефективни силови полупроводникови компоненти. Целта на проекта е основно да се проучат датчиците за контрол и характеризиране на процесите въз основа изцяло на ефектите на заряда, основани единствено на йонно индуцирано оптично или топологично изменение на материала (TRL 1—4). (Bulgarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A projekt alapvetően vizsgálja az ionbeültetésen alapuló ipari félvezető dopping szabályozásának új koncepcióit. Az ionbeültetés modern módszerei, mint például a mikrodegradációs technológia, lehetővé teszik a különösen hatékony félvezető alkatrészek gyártását. A projekt célja, hogy alapvetően vizsgálja a kizárólag ionindukált optikai vagy topológiai anyagmódosításon (TRL 1–4) alapuló töltési hatásokon alapuló folyamatszabályozási és jellemzési érzékelőket. (Hungarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: A projekt alapvetően vizsgálja az ionbeültetésen alapuló ipari félvezető dopping szabályozásának új koncepcióit. Az ionbeültetés modern módszerei, mint például a mikrodegradációs technológia, lehetővé teszik a különösen hatékony félvezető alkatrészek gyártását. A projekt célja, hogy alapvetően vizsgálja a kizárólag ionindukált optikai vagy topológiai anyagmódosításon (TRL 1–4) alapuló töltési hatásokon alapuló folyamatszabályozási és jellemzési érzékelőket. (Hungarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A projekt alapvetően vizsgálja az ionbeültetésen alapuló ipari félvezető dopping szabályozásának új koncepcióit. Az ionbeültetés modern módszerei, mint például a mikrodegradációs technológia, lehetővé teszik a különösen hatékony félvezető alkatrészek gyártását. A projekt célja, hogy alapvetően vizsgálja a kizárólag ionindukált optikai vagy topológiai anyagmódosításon (TRL 1–4) alapuló töltési hatásokon alapuló folyamatszabályozási és jellemzési érzékelőket. (Hungarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Déanfaidh an tionscadal imscrúdú bunúsach ar choincheapa núíosacha chun dópáil leathsheoltóra cumhachta tionsclaíche a rialú bunaithe ar ionchlannú ian. Cuireann modhanna nua-aimseartha ionchlannaithe, amhail teicneolaíocht micreadhíghrádóra, ar chumas comhpháirteanna leathsheoltóra cumhachta atá an-éifeachtach a tháirgeadh. Is é aidhm an tionscadail imscrúdú bunúsach a dhéanamh ar bhraiteoirí rialaithe agus tréithrithe próisis atá bunaithe go hiomlán ar éifeachtaí luchtaithe atá bunaithe ar mhodhnú ábhair optúil nó toipeolaíochta arna spreagadh ian amháin (TRL 1-4). (Irish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Déanfaidh an tionscadal imscrúdú bunúsach ar choincheapa núíosacha chun dópáil leathsheoltóra cumhachta tionsclaíche a rialú bunaithe ar ionchlannú ian. Cuireann modhanna nua-aimseartha ionchlannaithe, amhail teicneolaíocht micreadhíghrádóra, ar chumas comhpháirteanna leathsheoltóra cumhachta atá an-éifeachtach a tháirgeadh. Is é aidhm an tionscadail imscrúdú bunúsach a dhéanamh ar bhraiteoirí rialaithe agus tréithrithe próisis atá bunaithe go hiomlán ar éifeachtaí luchtaithe atá bunaithe ar mhodhnú ábhair optúil nó toipeolaíochta arna spreagadh ian amháin (TRL 1-4). (Irish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Déanfaidh an tionscadal imscrúdú bunúsach ar choincheapa núíosacha chun dópáil leathsheoltóra cumhachta tionsclaíche a rialú bunaithe ar ionchlannú ian. Cuireann modhanna nua-aimseartha ionchlannaithe, amhail teicneolaíocht micreadhíghrádóra, ar chumas comhpháirteanna leathsheoltóra cumhachta atá an-éifeachtach a tháirgeadh. Is é aidhm an tionscadail imscrúdú bunúsach a dhéanamh ar bhraiteoirí rialaithe agus tréithrithe próisis atá bunaithe go hiomlán ar éifeachtaí luchtaithe atá bunaithe ar mhodhnú ábhair optúil nó toipeolaíochta arna spreagadh ian amháin (TRL 1-4). (Irish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projektet kommer att i grunden undersöka nya koncept för kontroll av industriell effekthalvledardopning baserad på jonimplantation. Moderna metoder för jonimplantation, såsom mikronedbrytarteknik, möjliggör produktion av särskilt effektiva komponenter i effekthalvledarkomponenter. Syftet med projektet är att grundligt undersöka processkontroll- och karakteriseringssensorer baserade helt på laddningseffekter baserade enbart på joninducerad optisk eller topologisk materialmodifiering (TRL 1–4). (Swedish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektet kommer att i grunden undersöka nya koncept för kontroll av industriell effekthalvledardopning baserad på jonimplantation. Moderna metoder för jonimplantation, såsom mikronedbrytarteknik, möjliggör produktion av särskilt effektiva komponenter i effekthalvledarkomponenter. Syftet med projektet är att grundligt undersöka processkontroll- och karakteriseringssensorer baserade helt på laddningseffekter baserade enbart på joninducerad optisk eller topologisk materialmodifiering (TRL 1–4). (Swedish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektet kommer att i grunden undersöka nya koncept för kontroll av industriell effekthalvledardopning baserad på jonimplantation. Moderna metoder för jonimplantation, såsom mikronedbrytarteknik, möjliggör produktion av särskilt effektiva komponenter i effekthalvledarkomponenter. Syftet med projektet är att grundligt undersöka processkontroll- och karakteriseringssensorer baserade helt på laddningseffekter baserade enbart på joninducerad optisk eller topologisk materialmodifiering (TRL 1–4). (Swedish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekti raames uuritakse põhjalikult uusi kontseptsioone tööstusliku võimsuse pooljuhtide dopingu kontrollimiseks ioonide implanteerimisel. Kaasaegsed ioonide implanteerimise meetodid, nagu mikrolagundaja tehnoloogia, võimaldavad toota eriti tõhusaid võimsuspooljuhtkomponente. Projekti eesmärk on põhjalikult uurida protsessi juhtimise ja iseloomustamise andureid, mis põhinevad täielikult laenguefektidel, mis põhinevad üksnes ioonide indutseeritud optilisel või topoloogilisel materjali modifitseerimisel (TRL 1–4). (Estonian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekti raames uuritakse põhjalikult uusi kontseptsioone tööstusliku võimsuse pooljuhtide dopingu kontrollimiseks ioonide implanteerimisel. Kaasaegsed ioonide implanteerimise meetodid, nagu mikrolagundaja tehnoloogia, võimaldavad toota eriti tõhusaid võimsuspooljuhtkomponente. Projekti eesmärk on põhjalikult uurida protsessi juhtimise ja iseloomustamise andureid, mis põhinevad täielikult laenguefektidel, mis põhinevad üksnes ioonide indutseeritud optilisel või topoloogilisel materjali modifitseerimisel (TRL 1–4). (Estonian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekti raames uuritakse põhjalikult uusi kontseptsioone tööstusliku võimsuse pooljuhtide dopingu kontrollimiseks ioonide implanteerimisel. Kaasaegsed ioonide implanteerimise meetodid, nagu mikrolagundaja tehnoloogia, võimaldavad toota eriti tõhusaid võimsuspooljuhtkomponente. Projekti eesmärk on põhjalikult uurida protsessi juhtimise ja iseloomustamise andureid, mis põhinevad täielikult laenguefektidel, mis põhinevad üksnes ioonide indutseeritud optilisel või topoloogilisel materjali modifitseerimisel (TRL 1–4). (Estonian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
50°54'32.44"N, 11°34'31.40"E
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 50°54'32.44"N, 11°34'31.40"E / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / beneficiary | |||||||||||||||
| Property / beneficiary: Q3400783 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
699,887.01 Euro
| |||||||||||||||
| Property / budget: 699,887.01 Euro / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
559,909.61 Euro
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 559,909.61 Euro / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Jena / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / date of last update | |||||||||||||||
16 February 2024
| |||||||||||||||
| Property / date of last update: 16 February 2024 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
Latest revision as of 11:14, 22 March 2024
Project Q3539807 in Germany
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Microdot — Microstructured and optical tools for process control for the industrial doping of highly efficient power semiconductor components |
Project Q3539807 in Germany |
Statements
559,909.61 Euro
0 references
699,887.01 Euro
0 references
80.0 percent
0 references
1 January 2020
0 references
30 June 2022
0 references
Ernst-Abbe-Hochschule Jena University of Applied Sciences
0 references
50°54'32.44"N, 11°34'31.40"E
0 references
07745 Jena
0 references
Im Vorhaben sollen neuartige Konzepte zur Kontrolle industrieller Leistungshalbleiterdotierung auf Basis von Ionenimplantation grundlegend erforscht werden. Moderne Verfahren der Ionenimplantation, wie etwa die Microdegrader-Technik ermöglichen die Produktion besonders effizienter Leistungshalbleiterbauelemente. Ziel des Vorhabens ist es eine gänzlich von Ladungseffekten unabhängige, allein auf ioneninduzierte optische oder topologische Materialmodifikation basierende Prozesskontroll- bzw. Charakterisierungssensorik grundlegend (TRL 1-4) zu erforschen. (German)
0 references
The project will fundamentally investigate novel concepts for the control of industrial power semiconductor doping based on ion implantation. Modern methods of ion implantation, such as microdegrader technology, enable the production of particularly efficient power semiconductor components. The aim of the project is to fundamentally investigate process control and characterisation sensors based entirely on charge effects based solely on ion-induced optical or topological material modification (TRL 1-4). (English)
17 November 2021
0.584229688756525
0 references
Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French)
9 December 2021
0 references
Het project onderzoekt fundamenteel nieuwe concepten voor de beheersing van industriële power halfgeleider doping op basis van ionenimplantatie. Moderne methoden van ionenimplantatie, zoals microdegradertechnologie, maken de productie van bijzonder efficiënte vermogenshalfgeleidercomponenten mogelijk. Het doel van het project is fundamenteel onderzoek te doen naar procesbesturings- en karakteriseringssensoren die uitsluitend gebaseerd zijn op door ionen geïnduceerde optische of topologische materiaalmodificaties (TRL 1-4). (Dutch)
21 December 2021
0 references
Il progetto esaminerà fondamentalmente nuovi concetti per il controllo del doping a semiconduttori di potenza industriale basato sull'impianto ionico. I moderni metodi di impianto ionico, come la tecnologia dei microdegradatori, consentono la produzione di componenti a semiconduttore di potenza particolarmente efficienti. L'obiettivo del progetto è quello di indagare fondamentalmente i sensori di controllo e caratterizzazione dei processi basati interamente sugli effetti di carica basati esclusivamente su modifiche ottiche o topologiche indotte da ioni (TRL 1-4). (Italian)
20 January 2022
0 references
El proyecto investigará fundamentalmente conceptos novedosos para el control del dopaje de semiconductores de potencia industrial basados en la implantación iónica. Los métodos modernos de implantación de iones, como la tecnología microdegrader, permiten la producción de componentes semiconductores de potencia especialmente eficientes. El objetivo del proyecto es investigar fundamentalmente los sensores de control y caracterización de procesos basados enteramente en efectos de carga basados únicamente en la modificación del material óptico o topológico inducido por iones (TRL 1-4). (Spanish)
23 January 2022
0 references
Projektet vil grundlæggende undersøge nye koncepter for styring af industriel kraft halvlederdoping baseret på ionimplantation. Moderne metoder til ionimplantation, f.eks. mikronedbrydende teknologi, muliggør produktion af særligt effektive krafthalvlederkomponenter. Formålet med projektet er grundlæggende at undersøge processtyrings- og karakteriseringssensorer udelukkende baseret på ladningseffekter, der udelukkende er baseret på ioninduceret optisk eller topologisk materialemodifikation (TRL 1-4). (Danish)
15 July 2022
0 references
Το έργο θα διερευνήσει θεμελιωδώς νέες έννοιες για τον έλεγχο του ντόπινγκ των ημιαγωγών βιομηχανικής ισχύος με βάση την εμφύτευση ιόντων. Οι σύγχρονες μέθοδοι εμφύτευσης ιόντων, όπως η τεχνολογία μικροδιασπαστών, επιτρέπουν την παραγωγή ιδιαίτερα αποδοτικών εξαρτημάτων ημιαγωγών ισχύος. Στόχος του έργου είναι να διερευνήσει θεμελιωδώς αισθητήρες ελέγχου και χαρακτηρισμού της διεργασίας με βάση εξ ολοκλήρου τις επιδράσεις φόρτισης που βασίζονται αποκλειστικά στην οπτική ή τοπολογική τροποποίηση υλικού που προκαλείται από ιόντα (TRL 1-4). (Greek)
15 July 2022
0 references
Projekt će temeljito istražiti nove koncepte za kontrolu industrijske snage poluvodičkih dopinga na temelju ionske implantacije. Moderne metode implantacije iona, kao što je tehnologija mikrorazgraditelja, omogućuju proizvodnju posebno učinkovitih poluvodičkih komponenti snage. Cilj je projekta temeljito istražiti senzore za kontrolu procesa i karakterizaciju koji se u potpunosti temelje na efektima punjenja koji se temelje isključivo na ionskoj induciranoj optičkoj ili topološkoj modifikaciji materijala (TRL 1 – 4). (Croatian)
15 July 2022
0 references
Proiectul va investiga fundamental concepte noi pentru controlul dopajului semiconductorilor industriali pe baza implantării ionice. Metodele moderne de implantare ionică, cum ar fi tehnologia microdegradorului, permit producerea de componente semiconductoare de putere deosebit de eficiente. Scopul proiectului este de a investiga în mod fundamental senzorii de control al procesului și de caracterizare bazați în întregime pe efectele de încărcare bazate exclusiv pe modificarea materialelor optice sau topologice induse de ioni (TRL 1-4). (Romanian)
15 July 2022
0 references
V rámci projektu sa v podstate preskúmajú nové koncepcie kontroly dopingu priemyselných výkonových polovodičov na základe implantácie iónov. Moderné metódy implantácie iónov, ako je technológia mikrodegraderov, umožňujú výrobu obzvlášť účinných výkonových polovodičových komponentov. Cieľom projektu je zásadne preskúmať snímače riadenia a charakterizácie procesov založené výlučne na efektoch náboja založených výlučne na iónovo indukovanej optickej alebo topologickej modifikácii (TRL 1 – 4). (Slovak)
15 July 2022
0 references
Il-proġett se jinvestiga fundamentalment kunċetti ġodda għall-kontroll tad-doping semikonduttur tal-enerġija industrijali abbażi tal-impjantazzjoni jonika. Metodi moderni ta’ impjantazzjoni jonika, bħat-teknoloġija mikrodegradatriċi, jippermettu l-produzzjoni ta’ komponenti semikondutturi tal-enerġija partikolarment effiċjenti. L-għan tal-proġett huwa li jinvestiga fundamentalment is-sensuri tal-kontroll u tal-karatterizzazzjoni tal-proċess ibbażati kompletament fuq l-effetti taċ-ċarġ ibbażati biss fuq il-modifika tal-materjal ottiku jew topoloġiku indott mill-joni (TRL 1–4). (Maltese)
15 July 2022
0 references
O projeto irá investigar fundamentalmente novos conceitos para o controle de doping semicondutores de potência industrial com base na implantação de iões. Os métodos modernos de implantação de íons, como a tecnologia de microdegradadores, permitem a produção de componentes semicondutores de energia particularmente eficientes. O objetivo do projeto é investigar fundamentalmente os sensores de controle e caracterização do processo com base inteiramente em efeitos de carga ganzas exclusivamente na modificação de material ótico ou topológico induzido por iões (TRL 1-4). (Portuguese)
15 July 2022
0 references
Hankkeessa tutkitaan perusteellisesti uusia ratkaisuja teollisuuden tehopuolijohdedopingin hallintaan ioni-istutukseen perustuen. Nykyaikaiset ioni-istutusmenetelmät, kuten mikrohajotintekniikka, mahdollistavat erityisen tehokkaiden tehopuolijohdekomponenttien tuotannon. Hankkeen tavoitteena on tutkia perusteellisesti prosessinohjaus- ja karakterisointiantureita, jotka perustuvat yksinomaan ionin aiheuttamaan optiseen tai topologiseen materiaalin muuntamiseen (TRL 1–4). (Finnish)
15 July 2022
0 references
W ramach projektu przeanalizowane zostaną nowatorskie koncepcje kontroli dopingu półprzewodnikowego mocy przemysłowej w oparciu o implantację jonową. Nowoczesne metody implantacji jonów, takie jak technologia mikrodegradatora, umożliwiają produkcję szczególnie wydajnych komponentów półprzewodnikowych mocy. Celem projektu jest gruntowne zbadanie czujników kontroli i charakterystyki procesu w oparciu wyłącznie o efekty ładowania oparte wyłącznie na modyfikacji materiału optycznego lub topologicznego wywołanego jonami (TRL 1-4). (Polish)
15 July 2022
0 references
Projekt bo v osnovi raziskal nove koncepte za nadzor industrijske moči polprevodniških dopingov, ki temeljijo na ionski implantaciji. Sodobne metode ionske implantacije, kot je tehnologija mikrorazgradnikov, omogočajo proizvodnjo posebej učinkovitih komponent moči polprevodnikov. Cilj projekta je temeljito raziskati senzorje za nadzor procesov in karakterizacijo, ki temeljijo izključno na učinkih naboja, ki temeljijo izključno na ionsko povzročenem optičnem ali topološkem materialu (TRL 1–4). (Slovenian)
15 July 2022
0 references
Projekt bude zásadně zkoumat nové koncepty pro řízení dopingu průmyslové energie polovodičů na základě iontové implantace. Moderní metody iontové implantace, jako je technologie mikrodegradérů, umožňují výrobu zvláště účinných výkonových polovodičových komponent. Cílem projektu je zásadně prozkoumat procesní řídicí a charakterizační senzory založené výhradně na nabitých účincích založených výhradně na iontově indukované optické nebo topologické modifikaci materiálu (TRL 1–4). (Czech)
15 July 2022
0 references
Projektas bus iš esmės ištirti naujas koncepcijas kontroliuoti pramonės galios puslaidininkių dopingo remiantis jonų implantacija. Šiuolaikiniai jonų implantacijos metodai, tokie kaip mikroskilimo technologija, leidžia gaminti ypač efektyvius galios puslaidininkius komponentus. Projekto tikslas – iš esmės ištirti proceso valdymo ir apibūdinimo jutiklius, pagrįstus vien tik krūvio efektais, grindžiamais tik jonų sukelta optine arba topologine medžiagų modifikacija (TRL 1–4). (Lithuanian)
15 July 2022
0 references
Projekts fundamentāli pētīs jaunas koncepcijas rūpnieciskās jaudas pusvadītāju dopinga kontrolei, pamatojoties uz jonu implantāciju. Mūsdienu jonu implantācijas metodes, piemēram, mikrodegradācijas tehnoloģija, ļauj ražot īpaši efektīvus jaudas pusvadītāju komponentus. Projekta mērķis ir fundamentāli izpētīt procesa kontroli un raksturošanas sensorus, pamatojoties tikai uz lādiņa iedarbību, kas balstīta tikai uz jonu inducētu optisko vai topoloģisko materiālu modifikāciju (TRL 1–4). (Latvian)
15 July 2022
0 references
Проектът ще проучи фундаментално нови концепции за контрол на допинга на полупроводниковите елементи на индустриалната енергия въз основа на йонно имплантиране. Съвременните методи за имплантиране на йони, като микроразградителната технология, позволяват производството на особено ефективни силови полупроводникови компоненти. Целта на проекта е основно да се проучат датчиците за контрол и характеризиране на процесите въз основа изцяло на ефектите на заряда, основани единствено на йонно индуцирано оптично или топологично изменение на материала (TRL 1—4). (Bulgarian)
15 July 2022
0 references
A projekt alapvetően vizsgálja az ionbeültetésen alapuló ipari félvezető dopping szabályozásának új koncepcióit. Az ionbeültetés modern módszerei, mint például a mikrodegradációs technológia, lehetővé teszik a különösen hatékony félvezető alkatrészek gyártását. A projekt célja, hogy alapvetően vizsgálja a kizárólag ionindukált optikai vagy topológiai anyagmódosításon (TRL 1–4) alapuló töltési hatásokon alapuló folyamatszabályozási és jellemzési érzékelőket. (Hungarian)
15 July 2022
0 references
Déanfaidh an tionscadal imscrúdú bunúsach ar choincheapa núíosacha chun dópáil leathsheoltóra cumhachta tionsclaíche a rialú bunaithe ar ionchlannú ian. Cuireann modhanna nua-aimseartha ionchlannaithe, amhail teicneolaíocht micreadhíghrádóra, ar chumas comhpháirteanna leathsheoltóra cumhachta atá an-éifeachtach a tháirgeadh. Is é aidhm an tionscadail imscrúdú bunúsach a dhéanamh ar bhraiteoirí rialaithe agus tréithrithe próisis atá bunaithe go hiomlán ar éifeachtaí luchtaithe atá bunaithe ar mhodhnú ábhair optúil nó toipeolaíochta arna spreagadh ian amháin (TRL 1-4). (Irish)
15 July 2022
0 references
Projektet kommer att i grunden undersöka nya koncept för kontroll av industriell effekthalvledardopning baserad på jonimplantation. Moderna metoder för jonimplantation, såsom mikronedbrytarteknik, möjliggör produktion av särskilt effektiva komponenter i effekthalvledarkomponenter. Syftet med projektet är att grundligt undersöka processkontroll- och karakteriseringssensorer baserade helt på laddningseffekter baserade enbart på joninducerad optisk eller topologisk materialmodifiering (TRL 1–4). (Swedish)
15 July 2022
0 references
Projekti raames uuritakse põhjalikult uusi kontseptsioone tööstusliku võimsuse pooljuhtide dopingu kontrollimiseks ioonide implanteerimisel. Kaasaegsed ioonide implanteerimise meetodid, nagu mikrolagundaja tehnoloogia, võimaldavad toota eriti tõhusaid võimsuspooljuhtkomponente. Projekti eesmärk on põhjalikult uurida protsessi juhtimise ja iseloomustamise andureid, mis põhinevad täielikult laenguefektidel, mis põhinevad üksnes ioonide indutseeritud optilisel või topoloogilisel materjali modifitseerimisel (TRL 1–4). (Estonian)
15 July 2022
0 references
16 February 2024
0 references
Identifiers
DE_TEMPORARY_ESF_135719
0 references