Microdot — Microstructured and optical tools for process control for the industrial doping of highly efficient power semiconductor components (Q3539807): Difference between revisions
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Microdot — Strumenti microstrutturati e ottici per il controllo di processo per il doping industriale di componenti semiconduttori ad alta efficienza | |||||||||||||||
Property / summary | |||||||||||||||
Il progetto esaminerà fondamentalmente nuovi concetti per il controllo del doping a semiconduttori di potenza industriale basato sull'impianto ionico. I moderni metodi di impianto ionico, come la tecnologia dei microdegradatori, consentono la produzione di componenti a semiconduttore di potenza particolarmente efficienti. L'obiettivo del progetto è quello di indagare fondamentalmente i sensori di controllo e caratterizzazione dei processi basati interamente sugli effetti di carica basati esclusivamente su modifiche ottiche o topologiche indotte da ioni (TRL 1-4). (Italian) | |||||||||||||||
Property / summary: Il progetto esaminerà fondamentalmente nuovi concetti per il controllo del doping a semiconduttori di potenza industriale basato sull'impianto ionico. I moderni metodi di impianto ionico, come la tecnologia dei microdegradatori, consentono la produzione di componenti a semiconduttore di potenza particolarmente efficienti. L'obiettivo del progetto è quello di indagare fondamentalmente i sensori di controllo e caratterizzazione dei processi basati interamente sugli effetti di carica basati esclusivamente su modifiche ottiche o topologiche indotte da ioni (TRL 1-4). (Italian) / rank | |||||||||||||||
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Property / summary: Il progetto esaminerà fondamentalmente nuovi concetti per il controllo del doping a semiconduttori di potenza industriale basato sull'impianto ionico. I moderni metodi di impianto ionico, come la tecnologia dei microdegradatori, consentono la produzione di componenti a semiconduttore di potenza particolarmente efficienti. L'obiettivo del progetto è quello di indagare fondamentalmente i sensori di controllo e caratterizzazione dei processi basati interamente sugli effetti di carica basati esclusivamente su modifiche ottiche o topologiche indotte da ioni (TRL 1-4). (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 20 January 2022
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Revision as of 09:03, 20 January 2022
Project Q3539807 in Germany
Language | Label | Description | Also known as |
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English | Microdot — Microstructured and optical tools for process control for the industrial doping of highly efficient power semiconductor components |
Project Q3539807 in Germany |
Statements
559,909.61 Euro
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699,887.01 Euro
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80.0 percent
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1 January 2020
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30 June 2022
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Ernst-Abbe-Hochschule Jena University of Applied Sciences
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07745 Jena
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Im Vorhaben sollen neuartige Konzepte zur Kontrolle industrieller Leistungshalbleiterdotierung auf Basis von Ionenimplantation grundlegend erforscht werden. Moderne Verfahren der Ionenimplantation, wie etwa die Microdegrader-Technik ermöglichen die Produktion besonders effizienter Leistungshalbleiterbauelemente. Ziel des Vorhabens ist es eine gänzlich von Ladungseffekten unabhängige, allein auf ioneninduzierte optische oder topologische Materialmodifikation basierende Prozesskontroll- bzw. Charakterisierungssensorik grundlegend (TRL 1-4) zu erforschen. (German)
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The project will fundamentally investigate novel concepts for the control of industrial power semiconductor doping based on ion implantation. Modern methods of ion implantation, such as microdegrader technology, enable the production of particularly efficient power semiconductor components. The aim of the project is to fundamentally investigate process control and characterisation sensors based entirely on charge effects based solely on ion-induced optical or topological material modification (TRL 1-4). (English)
17 November 2021
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Le projet vise à étudier de manière fondamentale les nouveaux concepts de contrôle du dopage industriel de semi-conducteurs basés sur l’implantation ionique. Les procédés modernes d’implantation ionique, tels que la technologie Microdegrader, permettent la production de composants semi-conducteurs de puissance particulièrement efficaces. L’objectif du projet est d’étudier de manière fondamentale un système de contrôle ou de caractérisation de processus entièrement indépendant des effets de charge, basé uniquement sur des modifications de matériaux optiques ou topologiques induites par des ions (TRL 1-4). (French)
9 December 2021
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Het project onderzoekt fundamenteel nieuwe concepten voor de beheersing van industriële power halfgeleider doping op basis van ionenimplantatie. Moderne methoden van ionenimplantatie, zoals microdegradertechnologie, maken de productie van bijzonder efficiënte vermogenshalfgeleidercomponenten mogelijk. Het doel van het project is fundamenteel onderzoek te doen naar procesbesturings- en karakteriseringssensoren die uitsluitend gebaseerd zijn op door ionen geïnduceerde optische of topologische materiaalmodificaties (TRL 1-4). (Dutch)
21 December 2021
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Il progetto esaminerà fondamentalmente nuovi concetti per il controllo del doping a semiconduttori di potenza industriale basato sull'impianto ionico. I moderni metodi di impianto ionico, come la tecnologia dei microdegradatori, consentono la produzione di componenti a semiconduttore di potenza particolarmente efficienti. L'obiettivo del progetto è quello di indagare fondamentalmente i sensori di controllo e caratterizzazione dei processi basati interamente sugli effetti di carica basati esclusivamente su modifiche ottiche o topologiche indotte da ioni (TRL 1-4). (Italian)
20 January 2022
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Identifiers
DE_TEMPORARY_ESF_135719
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