Terahertz Sensor Based on Topological Materials (Q84251)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q84251 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Terahertz Sensor Based on Topological Materials |
Project Q84251 in Poland |
Statements
3,498,988.0 zloty
0 references
3,498,988.0 zloty
0 references
100.0 percent
0 references
1 September 2017
0 references
29 November 2020
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
Recently, a new quantum state of matter called-topological insulator (TI) has been discovered. TIs are insulating in the bulk but possess intrinsically metallic surface/edge states, similar to these of graphene, where electrons behave as mass-less Dirac fermions and carry electrical as well as spin currents with extremely high mobility. Such peculiar surface/edge states, are expected to play a key role in realizing new high frequency devices. To reach such devices the project propose the research on innovative HgCdTe and GaSb/InAs structures overcoming two existing up today problems: i) having TI states preserved up to elevated temperatures (up to 300K) ii) allowing fast electrical switching (on/off) of TI states. The project aims to build by world-class leaders, the TEAM having strong international collaborations and performing basic/applied physics research on innovative TI structures in view of demonstration of innovative high frequency devices as well as terahertz radiation sensors (Polish)
0 references
Recently, a new quantum state of matter called-topological insulator (TI) has been discovered. Tis are Insulating in the bulk but possess intrinsically metallic surface/edge states, similar to these of graphene, where electrons behave as mass-less Dirac fermions and carry electrical as well as spin currents with extremely high mobility. Such peculiar surface/edge states, are expected to play a key role in realising new high frequency devices. To reach such devices the project propose the research on innovative HgCdTe and GaSb/Inas structures Overcoming two existing up today problems: I) having TI states preserved up to elevated temperatures (up to 300K) (ii) allowing fast electrical switching (on/off) of TI states. The project aims to build by world-class leaders, the TEAM having strong international collaborations and performing basic/applied physics research on innovative TI structures in view of demonstration of innovative high frequency devices as well as terahertz radiation sensors (English)
14 October 2020
0.1239572641192607
0 references
Récemment, un nouvel état quantique de la matière appelé isolant topologique (TI) a été découvert. Les tis sont isolants en vrac, mais possèdent des états de surface/bord intrinsèquement métalliques, similaires à ceux du graphène, où les électrons se comportent comme des fermions de Dirac sans masse et transportent des courants électriques ainsi que des courants de spin avec une mobilité extrêmement élevée. On s’attend à ce que ces états particuliers de surface/bord jouent un rôle clé dans la réalisation de nouveaux dispositifs à haute fréquence. Pour atteindre ces dispositifs, le projet propose la recherche sur les structures innovantes HgCdTe et GaSb/InAs pour surmonter deux problèmes existants aujourd’hui: I) avoir des états TI conservés jusqu’à des températures élevées (jusqu’à 300K) (ii) permettant une commutation électrique rapide (marche/arrêt) des états TI. Le projet vise à construire par des leaders de classe mondiale, l’équipe ayant de solides collaborations internationales et effectuant des recherches physiques fondamentales/appliquées sur des structures TI innovantes en vue de la démonstration de dispositifs innovants à haute fréquence ainsi que de capteurs de rayonnement terahertz. (French)
30 November 2021
0 references
Vor kurzem wurde ein neuer Quantenzustand der Materie namens-topologischer Isolator (TI) entdeckt. TIS isolieren in der Masse, besitzen aber intrinsisch metallische Oberflächen-/Randzustände, ähnlich denen von Graphen, wo Elektronen sich als massenlose Dirac-Fermionen verhalten und elektrische sowie Spinströme mit extrem hoher Beweglichkeit tragen. Es wird erwartet, dass solche eigentümlichen Oberflächen-/Randzustände eine Schlüsselrolle bei der Realisierung neuer Hochfrequenzgeräte spielen. Um solche Geräte zu erreichen, schlägt das Projekt die Forschung an innovativen HgCdTe- und GaSb/InAs-Strukturen vor, die zwei bis heute bestehende Probleme überwinden: I) mit TI-Zuständen bis zu erhöhten Temperaturen (bis zu 300K) (ii) für schnelles elektrisches Schalten (Ein/Aus) von TI-Zuständen konserviert. Das Projekt zielt darauf ab, von Weltklasse-Führungskräften, dem TEAM mit starken internationalen Kooperationen und der Durchführung grundlegender/angewandter Physikforschung an innovativen TI-Strukturen aufzubauen, um innovative Hochfrequenzgeräte sowie Terahertz-Strahlungssensoren zu demonstrieren. (German)
7 December 2021
0 references
Onlangs is een nieuwe kwantumtoestand van materie genaamd-topologische isolator (TI) ontdekt. Tis zijn isolerend in de bulk, maar bezitten intrinsiek metaaloppervlak/randtoestanden, vergelijkbaar met die van grafeen, waar elektronen zich gedragen als massaloze Dirac-fermionen en elektrische en spinstromen met extreem hoge mobiliteit dragen. Van dergelijke eigenaardige oppervlakte/randtoestanden wordt verwacht dat zij een belangrijke rol spelen bij het realiseren van nieuwe hoogfrequente apparaten. Om dergelijke apparaten te bereiken, stelt het project het onderzoek voor naar innovatieve HgCdTe en GaSb/InAs-structuren die twee bestaande problemen overwinnen: I) met TI-toestanden behouden tot verhoogde temperaturen (tot 300K) (ii) die een snelle elektrische uitschakeling (aan/uit) van TI-toestanden mogelijk maken. Het project is bedoeld om te bouwen door leiders van wereldklasse, het TEAM met sterke internationale samenwerkingen en het uitvoeren van fundamenteel/toegepast fysisch onderzoek naar innovatieve TI-structuren met het oog op demonstratie van innovatieve hoogfrequente apparaten en terahertz stralingssensoren (Dutch)
16 December 2021
0 references
Recentemente, è stato scoperto un nuovo stato quantico della materia chiamato isolante topologico (TI). La TIS è isolante nella massa ma possiede stati intrinsecamente metallici di superficie/bordo, simili a quelli del grafene, dove gli elettroni si comportano come fermioni Dirac senza massa e trasportano correnti elettriche e spin con mobilità estremamente elevata. Tali stati peculiari di superficie/bordo, dovrebbero svolgere un ruolo chiave nella realizzazione di nuovi dispositivi ad alta frequenza. Per raggiungere tali dispositivi il progetto propone la ricerca sulle strutture innovative HgCdTe e GaSb/InAs superando due problemi attuali: I) avere stati TI conservati fino a temperature elevate (fino a 300K) (ii) consentendo una rapida commutazione elettrica (on/off) degli stati TI. Il progetto mira a costruire da leader di livello mondiale, il TEAM che ha forti collaborazioni internazionali e esegue ricerche di fisica di base/applicate su strutture TI innovative in vista della dimostrazione di dispositivi ad alta frequenza innovativi e sensori di radiazione terahertz (Italian)
16 January 2022
0 references
Recientemente, se ha descubierto un nuevo estado cuántico de la materia llamado aislante topológico (TI). Los tis son aislantes a granel, pero poseen estados de superficie/borde intrínsecamente metálicos, similares a los del grafeno, donde los electrones se comportan como fermiones Dirac sin masa y transportan corrientes eléctricas y de espín con una movilidad extremadamente alta. Se espera que estos peculiares estados superficiales/de borde desempeñen un papel clave en la realización de nuevos dispositivos de alta frecuencia. Para llegar a tales dispositivos, el proyecto propone la investigación sobre estructuras innovadoras de HgCdTe y GaSb/InAs superando dos problemas actuales: I) tener estados TI preservados hasta temperaturas elevadas (hasta 300K) (ii) permitiendo la conmutación eléctrica rápida (encendido/apagado) de los estados TI. El proyecto tiene como objetivo construir por líderes de clase mundial, el TEAM tiene fuertes colaboraciones internacionales y realiza investigación física básica/aplicada en estructuras TI innovadoras con vistas a la demostración de dispositivos innovadores de alta frecuencia, así como sensores de radiación de terahertz. (Spanish)
19 January 2022
0 references
Hiljuti avastati uus kvantseisund ainest, mida nimetatakse topoloogiliseks isolaatoriks (TI). Tis isoleerib lahtiselt, kuid neil on oma olemuselt metallilise pinna/serva olekud, mis sarnanevad grafeeni omadega, kus elektronid käituvad massivaba Dirac fermionina ja kannavad nii elektrilisi kui ka pöörlemisvoolusid äärmiselt suure liikuvusega. Sellised omapärased pinna-/servaseisundid peaksid mängima olulist rolli uute kõrgsageduslike seadmete realiseerimisel. Selliste seadmeteni jõudmiseks pakub projekt välja teadusuuringute uuenduslike HgCdTe ja GaSb/InAs struktuuride kohta, mis lahendavad täna kaks olemasolevat probleemi: I) TI olekute säilitamine kõrgendatud temperatuurini (kuni 300K) ii) võimaldab TI olekute kiiret elektrilist väljalülitamist (sees/väljas). Projekti eesmärk on luua maailmatasemel juhid, TEAM, millel on tugev rahvusvaheline koostöö ja mis teostab alus- ja rakendusfüüsikauuringuid uuenduslike TI-struktuuride kohta, et demonstreerida uuenduslikke kõrgsagedusseadmeid ja terahertsi kiirgussensoreid. (Estonian)
13 August 2022
0 references
Neseniai buvo atrasta nauja kvantinė materijos būsena, vadinama topologiniu izoliatoriumi (TI). TIS yra izoliuotas urmu, bet turi iš esmės metalinio paviršiaus/kraštų būsenas, panašias į grafeno, kur elektronai elgiasi kaip be masės Dirac fermions ir atlikti elektros, taip pat nugaros sroves su labai dideliu judrumu. Tikimasi, kad tokios ypatingos paviršiaus/paviršiaus būsenos vaidins svarbų vaidmenį realizuojant naujus aukšto dažnio įrenginius. Norint pasiekti tokius prietaisus, projekte siūloma atlikti novatoriškų HgCdTe ir GaSb/InAs struktūrų mokslinius tyrimus, kuriais būtų įveiktos dvi dabartinės problemos: I) kad TI būsenos būtų išsaugotos iki aukštesnės temperatūros (iki 300 K); ii) būtų galima greitai įjungti TI būsenas (įjungti/išjungti). Projekto tikslas – sukurti pasaulinio lygio lyderius, kurie turi tvirtą tarptautinį bendradarbiavimą ir atlieka fundamentinius/taikomus inovatyvių TI struktūrų fizikos tyrimus, kad būtų demonstruojami novatoriški aukšto dažnio prietaisai ir terahertzo spinduliuotės jutikliai. (Lithuanian)
13 August 2022
0 references
Nedavno je otkriveno novo kvantno stanje tvari zvanotopološki izolator (TI). Tis su izolacijski u rasutom stanju, ali posjeduju intrinzično metalne površine/ruba stanja, slična onima od grafena, gdje elektroni ponašaju kao masovne Dirac fermions i nose električne i spin struje s iznimno visokom pokretljivošću. Očekuje se da će takva neobična stanja površine/ruba igrati ključnu ulogu u realizaciji novih visokofrekventnih uređaja. Da bi došli do takvih uređaja, projekt predlaže istraživanje inovativnih HgCdTe i GaSb/InAs struktura prevladavanja dva postojeća problema: I) održavanje stanja TI do povišenih temperatura (do 300K) (ii) omogućavanje brzog električnog uključivanja (uključivanje/isključivanje) stanja TI. Projekt ima za cilj izgraditi svjetske lidere, TEAM ima snažnu međunarodnu suradnju i provodi osnovna/primjena istraživanja fizike na inovativnim TI strukturama s ciljem demonstracije inovativnih visokofrekventnih uređaja, kao i terahertskih senzora zračenja. (Croatian)
13 August 2022
0 references
Πρόσφατα, ανακαλύφθηκε μια νέα κβαντική κατάσταση της ύλης που ονομάζεται τοπολογικός μονωτής (TI). Η ΤΙS μονώνεται στο χύμα, αλλά διαθέτει εγγενώς μεταλλικές καταστάσεις επιφάνειας/άκρου, παρόμοιες με αυτές του γραφενίου, όπου τα ηλεκτρόνια συμπεριφέρονται ως φερμιόνια Dirac χωρίς μάζα και φέρουν ηλεκτρικά καθώς και ρεύματα σπιν με εξαιρετικά υψηλή κινητικότητα. Τέτοιες ιδιόμορφες καταστάσεις επιφάνειας/άκρων, αναμένεται να διαδραματίσουν βασικό ρόλο στην υλοποίηση νέων συσκευών υψηλής συχνότητας. Για την επίτευξη τέτοιων συσκευών, το έργο προτείνει την έρευνα σχετικά με καινοτόμες δομές HgCdTe και GaSb/InAs που ξεπερνούν δύο υφιστάμενα προβλήματα: I) με καταστάσεις TI διατηρημένες μέχρι ανυψωμένες θερμοκρασίες (έως 300K) (ii) επιτρέποντας γρήγορη ηλεκτρική εναλλαγή (on/off) των καταστάσεων TI. Το έργο στοχεύει να οικοδομήσει από ηγέτες παγκόσμιας κλάσης, η TEAM έχει ισχυρές διεθνείς συνεργασίες και εκτελεί βασική/εφαρμοσμένη φυσική έρευνα σε καινοτόμες δομές TI με σκοπό την επίδειξη καινοτόμων συσκευών υψηλής συχνότητας καθώς και αισθητήρων ακτινοβολίας terahertz (Greek)
13 August 2022
0 references
Nedávno bol objavený nový kvantový stav hmoty nazývaný topologický izolátor (TI). Tis sú izolované vo veľkom, ale majú vnútorne kovové povrchové/hranové stavy, podobné tým grafénu, kde sa elektróny správajú ako nehmotné Dirac fermióny a prenášajú elektrické, ako aj spinové prúdy s extrémne vysokou pohyblivosťou. Očakáva sa, že takéto zvláštne stavy povrchu a okraja budú zohrávať kľúčovú úlohu pri realizácii nových vysokofrekvenčných zariadení. Na dosiahnutie takýchto zariadení projekt navrhuje výskum inovačných štruktúr HgCdTe a GaSb/InAs, ktoré prekonávajú dva súčasné problémy: I) mať stavy TI zachované až do zvýšených teplôt (až 300K) (ii) umožňujúce rýchle elektrické prepínanie (zapnuté/vypnuté) stavov TI. Cieľom projektu je vybudovať svetoví lídri, TEAM, ktorý má silnú medzinárodnú spoluprácu a vykonáva základný/aplikovaný výskum fyziky na inovatívnych TI štruktúrach s cieľom demonštrovať inovatívne vysokofrekvenčné zariadenia, ako aj terahertzové radiačné snímače. (Slovak)
13 August 2022
0 references
Viime aikoina on löydetty uusi materian kvanttitila, jota kutsutaan-topologiseksi eristeeksi (TI). Tis eristävät irtotavarana, mutta niillä on luontaisesti metalliset pinta-/reunatilat, jotka ovat samanlaisia kuin grafeenin, jossa elektronit käyttäytyvät massattomina Dirac-fermioneina ja kantavat sähkö- ja spin-virtoja, joilla on erittäin suuri liikkuvuus. Tällaisilla erikoisilla pinta-/reunatiloilla odotetaan olevan keskeinen rooli uusien korkean taajuuden laitteiden toteuttamisessa. Tällaisten laitteiden saavuttamiseksi hankkeessa ehdotetaan tutkimusta innovatiivisista HgCdTe- ja GaSb/InAs-rakenteista, joilla ratkaistaan kaksi nykyistä ongelmaa: I) TI-tilat säilyvät korkeissa lämpötiloissa (enintään 300K), ii) mahdollistavat nopean sähkökytkennän (on/pois) TI-tiloissa. Hankkeen tavoitteena on rakentaa maailmanluokan johtajia, TEAM tekee vahvaa kansainvälistä yhteistyötä ja suorittaa perus-/sovelletun fysiikan tutkimusta innovatiivisista TI-rakenteista innovatiivisten suurtaajuuslaitteiden ja terahertsin säteilyantureiden demonstroimiseksi. (Finnish)
13 August 2022
0 references
A közelmúltban felfedezték az anyag új kvantumállapotát, az úgynevezett-topológiai szigetelőt (TI). A tis ömlesztett szigeteléssel rendelkezik, de belsőleg fémes felületi/széli állapotokkal rendelkezik, hasonlóan a grafénéhoz, ahol az elektronok tömegmentes Dirac fermionokként viselkednek, és rendkívül nagy mobilitású elektromos és spináramokat hordoznak. Ezek a sajátos felszíni/széli állapotok várhatóan kulcsszerepet játszanak az új nagyfrekvenciás eszközök megvalósításában. Az ilyen eszközök elérése érdekében a projekt javaslatot tesz az innovatív HgCdTe és GaSb/InAs struktúrák kutatására, amelyek két meglévő problémát oldanak meg: I) a TI állapotok megtartása magas hőmérsékletig (akár 300 K) (ii) lehetővé teszi a TI-állapotok gyors elektromos kapcsolását (be/ki). A projekt célja, hogy építsen világszínvonalú vezetők, a TEAM erős nemzetközi együttműködések és végez alap/alkalmazott fizika kutatás innovatív TI szerkezetek bemutatására innovatív nagyfrekvenciás eszközök, valamint a terahertz sugárzás érzékelők (Hungarian)
13 August 2022
0 references
Nedávno byl objeven nový kvantový stav hmoty zvaný topologický izolátor (TI). Tis jsou izolační ve velkém, ale mají vnitřně kovové povrchové/okrajové stavy, podobné těm grafenu, kde se elektrony chovají jako bezhmotné Dirac fermiony a nesou elektrické i spinové proudy s extrémně vysokou pohyblivostí. Očekává se, že takové zvláštní povrchové/okrajové stavy budou hrát klíčovou roli při realizaci nových vysokofrekvenčních zařízení. K dosažení těchto zařízení projekt navrhuje výzkum inovativních struktur HgCdTe a GaSb/InAs překonávajících dva stávající problémy: I) mají stavy TI zachovány až do vyšších teplot (až 300K) (ii) umožňující rychlé elektrické spínání (zapnuto/vypnuto) stavů TI. Projekt si klade za cíl vybudovat lídry světové úrovně, TEAM má silnou mezinárodní spolupráci a provádí základní/aplikovaný výzkum fyziky na inovativních strukturách TI s ohledem na demonstrace inovativních vysokofrekvenčních zařízení a terahertzových radiačních senzorů. (Czech)
13 August 2022
0 references
Nesen ir atklāts jauns kvantu stāvoklis, ko sauc par topoloģisko izolatoru (TI). Tis izolē vairumā, bet piemīt pēc būtības metāla virsmas/malu stāvokļi, līdzīgi kā grafēns, kur elektroni izturas kā bezmasas Dirac fermions un veic elektrisko, kā arī spin strāvu ar ļoti augstu mobilitāti. Paredzams, ka šādiem savdabīgiem virsmas/malu stāvokļiem būs svarīga loma jaunu augstfrekvences ierīču realizēšanā. Lai sasniegtu šādas ierīces, projekts piedāvā pētījumu par inovatīvām HgCdTe un GaSb/InAs struktūrām, kas pārvar divas pašreizējās problēmas: I) TI stāvokļi saglabāti līdz paaugstinātai temperatūrai (līdz 300K) ii) ļaujot ātri ieslēgt/izslēgt TI stāvokļus. Projekta mērķis ir veidot pasaules līmeņa līderus, TEAM, kuriem ir spēcīga starptautiska sadarbība un veikt fundamentālus/piemērotus fizikas pētījumus par inovatīvām TI struktūrām, lai demonstrētu inovatīvas augstfrekvences ierīces, kā arī terahertz starojuma sensorus. (Latvian)
13 August 2022
0 references
Le déanaí, aimsíodh staid nua chandamach ábhair ar a dtugtar inslitheoir topeolaíochta (TI). Tá TIS ag insliú sa chuid is mó ach tá stáit dhromchla/imeall iontu féin, cosúil leis na cinn seo de graphene, áit a n-iompraíonn leictreoin mar raithneach Dirac gan mais agus sruthanna leictreacha chomh maith le sruthanna casadh le soghluaisteacht an-ard. Táthar ag súil go mbeidh ról lárnach ag stáit dhromchla/imeall den sórt sin chun feistí ardmhinicíochta nua a bhaint amach. Chun teacht ar gléasanna den sórt sin a mholadh an tionscadal an taighde ar struchtúir HgCdTe agus GaSb/InAs nuálacha a shárú dhá fhadhb atá ann cheana féin suas sa lá atá inniu ann: I) a bhfuil stáit TI chaomhnú suas go dtí teochtaí ardaithe (suas go dtí 300K) (ii) ag ligean lascadh leictreach go tapa (ar/as) de stáit TI. Tá sé mar aidhm ag an tionscadal ceannairí den scoth a thógáil, comhoibriú láidir idirnáisiúnta a bheith ag TEAM agus taighde fisice bunúsach/feidhmithe a dhéanamh ar struchtúir nuálacha TI d’fhonn gairis nuálacha ardmhinicíochta chomh maith le braiteoirí radaíochta terahertz a thaispeáint (Irish)
13 August 2022
0 references
Pred kratkim so odkrili novo kvantno stanje snovi, imenovano topološki izolator (TI). Tis so izolirani v razsutem stanju, vendar imajo intrinzično kovinsko površinsko/robno stanje, podobno kot grafen, kjer se elektroni obnašajo kot praproti Dirac brez mase in nosijo električne in spinske tokove z izjemno visoko gibljivostjo. Takšna posebna površinska/robna stanja naj bi igrala ključno vlogo pri uresničevanju novih visokofrekvenčnih naprav. Da bi dosegli takšne naprave, projekt predlaga raziskave o inovativnih strukturah HgCdTe in GaSb/InAs, ki premagata dve obstoječi težavi: I) ohranjanje stanja TI do povišane temperature (do 300K) (ii) omogoča hitro izklapljanje električne energije (vklop/izklop) stanj TI. Projekt naj bi zgradili vodilni v svetovnem merilu, TEAM z močnim mednarodnim sodelovanjem in izvajanjem temeljnih/uporabnih fizikalnih raziskav o inovativnih strukturah TI z namenom predstavitve inovativnih visokofrekvenčnih naprav in senzorjev terahertzovega sevanja. (Slovenian)
13 August 2022
0 references
Наскоро беше открито ново квантово състояние на материята, наречено топологичен изолатор (TI). TIS са изолиращи в насипно състояние, но притежават вътрешно метални повърхностни/крайни състояния, подобни на тези на графена, където електроните се държат като безмасови фермиони Dirac и носят електрически, както и спин токове с изключително висока подвижност. Такива странни повърхностни/крайни състояния се очаква да играят ключова роля в реализирането на нови високочестотни устройства. За да достигне до такива устройства, проектът предлага проучване на иновативни HgCdTe и GaSb/InAs структури, които преодоляват два съществуващи днес проблема: I) състоянията на TI запазват до повишени температури (до 300K) (ii) позволяват бързо електрическо включване (в/изключено) на състоянията на TI. Проектът има за цел да изгради от лидери от световна класа, TEAM със силни международни сътрудничества и извършване на основни/приложни изследвания по физика на иновативни TI структури с оглед демонстрация на иновативни високочестотни устройства, както и терахерц радиационни сензори (Bulgarian)
13 August 2022
0 references
Dan l-aħħar, ġie skopert stat kwantistiku ġdid ta’ materja msejħa iżolatur topoloġiku (TI). It-TI huma iżolanti fil-massa iżda għandhom stati intrinsikament metalliċi tal-wiċċ/tarf, Simili għal dawn tal-graphene, fejn l-elettroni jaġixxu bħala fermentazzjonijiet Dirac mingħajr massa u jġorru kurrenti elettriċi kif ukoll spin b’mobbiltà għolja ħafna. Dawn l-istati partikolari tal-wiċċ/tar-riħ, huma mistennija li jkollhom rwol ewlieni fit-twettiq ta’ apparat ġdid ta’ frekwenza għolja. Biex jintlaħqu dawn l-apparati, il-proġett jipproponi r-riċerka dwar strutturi innovattivi ta’ HgCdTe u GaSb/InAs li jegħlbu żewġ problemi eżistenti llum: I) li jkollhom stati TI żammew sa temperaturi elevati (sa 300K) (ii) li jippermettu li l-elettriku jinxtegħel malajr (mixgħul/mitfi) ta’ stati TI. Il-proġett għandu l-għan li jibni minn mexxejja ta’ klassi dinjija, it-TEAM ikollu kollaborazzjonijiet internazzjonali b’saħħithom u jwettaq riċerka bażika/applikata tal-fiżika dwar strutturi innovattivi tat-TI fid-dawl tad-dimostrazzjoni ta’ tagħmir innovattiv ta’ frekwenza għolja kif ukoll sensuri tar-radjazzjoni terahertz. (Maltese)
13 August 2022
0 references
Recentemente, um novo estado quântico da matéria chamado isolador topológico (TI) foi descoberto. Os Tis são isolantes em massa, mas possuem estados intrinsecamente metálicos de superfície/borda, semelhantes aos do grafeno, onde os elétrons se comportam como férmions de Dirac com menos massa e carregam correntes elétricas e de spin com mobilidade extremamente alta. Espera-se que tais estados peculiares de superfície/borda desempenhem um papel fundamental na realização de novos dispositivos de alta frequência. Para chegar a tais dispositivos, o projeto propõe a investigação de estruturas inovadoras de HgCdTe e GaSb/Inas. I) ter estados de TI preservados até temperaturas elevadas (até 300K) (ii) permitir a comutação elétrica rápida (ligar/desligar) dos estados de TI. O projeto visa construir por líderes de craveira mundial, tendo a TEAM fortes colaborações internacionais e realizando investigação física básica/aplicada em estruturas inovadoras de TI com vista à demonstração de dispositivos inovadores de alta frequência, bem como sensores de radiação terahertz (Portuguese)
13 August 2022
0 references
For nylig er en ny kvantetilstand af stof kaldet-topologisk isolator (TI) blevet opdaget. Tis isolerer i bulk, men besidder iboende metalliske overflade/kant tilstande, svarende til dem af grafen, hvor elektroner opfører sig som masse-mindre Dirac fermioner og bære elektriske såvel som spin strømme med ekstremt høj mobilitet. Sådanne ejendommelige overflade/kant tilstande, forventes at spille en central rolle i realiseringen af nye højfrekvente enheder. For at nå frem til sådanne enheder foreslår projektet forskning i innovative HgCdTe- og GaSb/InAs-strukturer, der overvinder to eksisterende problemer i dag: I) at have TI-tilstande bevaret op til forhøjede temperaturer (op til 300K) (ii) tillader hurtig elektrisk tænding (til/fra) af TI-tilstande. Projektet sigter mod at bygge af verdensklasse ledere, TEAM har stærke internationale samarbejder og udfører grundlæggende/anvendt fysik forskning i innovative TI strukturer med henblik på demonstration af innovative højfrekvente enheder samt terahertz stråling sensorer (Danish)
13 August 2022
0 references
Recent, a fost descoperită o nouă stare cuantică a materiei numită izolator topologic (TI). Tisul se izolează în vrac, dar posedă stări intrinsec metalice, similare cu cele ale grafenului, unde electronii se comportă ca fermioni Dirac fără masă și transportă curenți electrici, precum și curenți de spin cu mobilitate extrem de mare. Astfel de stări ciudate de suprafață/margină, sunt de așteptat să joace un rol-cheie în realizarea de noi dispozitive de înaltă frecvență. Pentru a ajunge la astfel de dispozitive, proiectul propune cercetarea privind structurile inovatoare HgCdTe și GaSb/InAs, depășind două probleme existente în prezent: I) menținerea stărilor TI până la temperaturi ridicate (până la 300K) (ii) permițând comutarea electrică rapidă (on/off) a stărilor TI. Proiectul își propune să construiască de către lideri de talie mondială, TEAM având colaborări internaționale puternice și efectuând cercetări fizice de bază/aplicate asupra structurilor TI inovatoare în vederea demonstrării dispozitivelor inovatoare de înaltă frecvență, precum și a senzorilor de radiații terahertz. (Romanian)
13 August 2022
0 references
Nyligen har ett nytt kvanttillstånd av materia som kallas topologisk isolator (TI) upptäckts. Tis isolerar i bulk men har inneboende metallisk yta/kanttillstånd, liknande dem av grafen, där elektroner beter sig som masslösa Dirac fermioner och bär elektriska såväl som spinnströmmar med extremt hög rörlighet. Sådana märkliga yt-/kanttillstånd förväntas spela en nyckelroll i förverkligandet av nya högfrekventa enheter. För att nå sådana anordningar föreslår projektet forskning om innovativa HgCdTe- och GaSb/InAs-strukturer som övervinner två befintliga problem: I) med TI-tillstånd bevarade upp till förhöjda temperaturer (upp till 300K) (ii) möjliggör snabb elektrisk omkoppling (på/av) av TI-tillstånd. Projektet syftar till att bygga av ledare i världsklass, TEAM har starka internationella samarbeten och utföra grundläggande/tillämpad fysikforskning om innovativa TI-strukturer i syfte att demonstrera innovativa högfrekventa enheter samt terahertzstrålningssensorer. (Swedish)
13 August 2022
0 references
Cały Kraj
0 references
6 July 2023
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-3D76/16
0 references