INTEGRATION OF SEMICONDUCTORS III-V ON WHETHER FOR ELECTRONIC AND PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS (Q3205819)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3205819 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | INTEGRATION OF SEMICONDUCTORS III-V ON WHETHER FOR ELECTRONIC AND PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS |
Project Q3205819 in Spain |
Statements
112,003.65 Euro
0 references
205,700.0 Euro
0 references
54.45 percent
0 references
30 December 2016
0 references
29 December 2020
0 references
UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID
0 references
28049
0 references
LA TECNOLOGIA DEL SILICIO HA LIDERADO LA PRODUCCION ELECTRONICA Y MICROELECTRONICA DURANTE DECADAS, DEBIDO AL BAJO COSTE DE FABRICACION Y A LAS PRESTACIONES DE SUS DISPOSITIVOS. TANTO EL PRECIO DEL SUSTRATO COMO COMO EL RENDIMIENTO DE LA TECNOLOGIA DE SI SON ACTUALMENTE IMBATIBLES PARA LOS SEMICONDUCTORES III-V. POR ELLO, LA TECNOLOGIA III-V (GAAS, GAP,..) SOLO HA PODIDO DOMINAR A LA DEL SI EN APLICACIONES OPTOELECTRONICAS DONDE EL GAP INDIRECTO DEL SI NO ES ADECUADO PARA UNA EMISON EFICIENTE DE LUZ (LED¿S, LASER¿S,..)._x000D_ HAY ALGUNAS APLICACIONES DONDE LOS III-V PUEDEN SUPERAR AL SI A COSTA DE UN MAYOR PRECIO, PERO LOS COSTES DE FABRICACION DEBERIAN REDUCIRSE, INTEGRANDO LOS DISPOSITIVOS III-V SOBRE SUSTRATOS DE SI. ESTA TECNOLOGIA III-V SOBRE SI PODRIA PERMITIR LA FABRICACION DE UNA NUEVA GENERACION DE DISPOSITIVOS, INCLUSO INTEGRANDO DISPOSITIVOS III-V Y DE SI EN LA MISMA OBLEA._x000D_ LA INVESTIGACION SOBRE TECNOLOGIA III-V SOBRE SI SE HA ABORDADO DESDE HACE AÑOS. ESTA TECNICA NECESITA ALGUN TIPO DE CRECIMIENTO EPITAXIAL PARA OBTENER CAPAS III-V DE ALTA CALIDAD CRISTALINA Y LIBRES DE DEFECTOS QUE PUDIERAN DEGRADAR LAS CARACTERISTICAS DE LOS DISPOSITIVOS. POR ELLO, LA TECNICA DE PREPARACION DE LOS SUSTRATOS DE SI Y LAS ESTRATEGIAS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL DE UNA CAPA BUFFER SON PASOS CLAVE PARA EVITAR LA NUCLEACION O PROPAGACION DE DEFECTOS HACIA LAS CAPAS ACTIVAS DEL DISPOSITIVO CRECIDO SOBRE SI. LOS DEFECTOS HABITUALES QUE APARECEN AL CRECER UNA CAPA III-V POLAR SOBRE UN SUSTRATO NO POLAR DE SI SUELEN SER DOMINIOS DE ANTIFASE Y DEFECTOS DE APILAMIENTO; EN EL CASO DE DESAJUSTE DE RED, LA RELAJACION DE LA TENSION MEDIANTE LA FORMACION DE DISLOCACIONES ES OTRO PROBLEMA AÑADIDO._x000D_ PROBABLEMENTE LAS APLICACIONES MAS PROMETEDORAS DE III-V SOBRE SI PUEDEN SER LASERES INTEGRADOS CON LA ELECTRONICA DE CONTROL DE SI, CELULAS SOLARES (SC) DE ALTA EFICIENCIA Y TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOSFET) DE CANAL-N. LOS OBJETIVOS DE ESTE PROYECTO SE DIRIGEN HACIA EL DESARROLLO DE ESTAS DOS ULTIMAS TECNOLOGIAS, CONCRETAMENTE: _x000D_ - ESTUDIAR, CRECR Y DESARROLLAR CELULAS SOLARES DE TERCERA GENERACION BASADAS EN LA ALEACION CUATERNARIA GAASNP SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO._x000D_ - DESARROLLAR EL CONOCIMIENTO CIENTIFICO Y TECNICO NECESARIO PARA LA INTEGRACION DE NANOESTRUCTURAS DE DE IN(GA)AS SOBRE ASISLANTE (XOI) Y DE HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN NANOHILOS SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO. (Spanish)
0 references
SILICON TECHNOLOGY HAS LED ELECTRONIC AND MICROELECTRONIC PRODUCTION FOR DECADES, DUE TO THE LOW MANUFACTURING COST AND THE PERFORMANCE OF ITS DEVICES. Both the price of the sustrate as well as the return of the technology of whether or not they are currently imbasable for SMICONDUCTORS III-V. BY THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) It has only been able to doom that of the if in OPTOELECTRONIC APPLICATIONS OF THE INDIRECT GAP of if it is not adduced for an efficacious Emison of Light (LED, LasER¿S,..)._x000D_There are some applications where the III-V can be covered by more than one price, but the manufacturing costs should be reduced, including provisions III-V on yes. This TECHNOLOGY III-V ON Whether it could permit the development of a new GENERATION OF DISPOSITIVES, INTEGRANTED INCLUDING DISPOSITIVEs III-V AND OF YES IN THE OBLEA SAME._x000D_ THE RESEARCH ON TECHNOLOGY III-V ON Whether it has been addressed from years. THIS TECHNIQUE NEEDS SOME KIND OF EPITAXIAL GROWTH TO OBTAIN HIGH-QUALITY CRYSTALLINE III-V LAYERS AND FREE OF DEFECTS THAT COULD DEGRADE THE CHARACTERISTICS OF THE DEVICES. THEREFORE, THE TECHNIQUE OF PREPARATION OF THE SI SUBSTRATES AND THE EPITAXIAL GROWTH STRATEGIES OF A BUFFER LAYER ARE KEY STEPS TO PREVENT THE NUCLEATION OR PROPAGATION OF DEFECTS TO THE ACTIVE LAYERS OF THE DEVICE GROWN UPON ITSELF. THE USUAL DEFECTS THAT OCCUR WHEN A POLAR III-V LAYER GROWS ON A NON-POLAR SUBSTRATE IF THEY ARE USUALLY ANTIPHASE DOMAINS AND STACKING DEFECTS; In the case of netting-disaggregation, the RELAJATION OF THE TENSION MEDIANCE THE FORMATION OF dislocations IS another ADDITED PROBLEM._x000D_ PROBABLELY THE most promising applications OF III-V ON Whether they may be insepared with the ELECTRONICAL CONTROL OF SI, SOLAR CELLES (SC) OF HIGH EFICIENCE AND METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) OF CANAL-N. The OBJECTIVES OF THIS PROJECT are directed to the development of these last TECHNOLOGIES, CONCRETLY: _x000D_ — Study, CRECR AND DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED IN THE QUATERNARIA GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ — DEVELOPMENT OF SCIENTIFIC AND TECHNICAL KNOWINGS FOR THE INTEGRATION OF NANOSTRUCTURES IN(GA)AS ON ASISLANTE (XOI) AND BASED heterostructures in nano-threads ON SILICIO SUBSTRATES. (English)
14 October 2021
0.0844838609461313
0 references
LA TECHNOLOGIE DU SILICIUM DIRIGE LA PRODUCTION ÉLECTRONIQUE ET MICROÉLECTRONIQUE DEPUIS DES DÉCENNIES, EN RAISON DU FAIBLE COÛT DE FABRICATION ET DE LA PERFORMANCE DE SES APPAREILS. Tant le prix du sustrate que le retour de la technologie de savoir s’ils sont ou non imbasables ou non pour les Smiconductors III-V. PAR THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Il n’a été en mesure de condamner celui de si en OPTOELECTRONIC APPLICATIONS DU GAP INDIRECT de s’il n’est pas présenté pour un Emison de lumière efficace (LED, LasER’S,..)._x000D_Il existe certaines applications pour lesquelles le III-V peut être couvert par plus d’un prix, mais les coûts de fabrication devraient être réduits, y compris les dispositions III-V sur oui. Cette TECHNOLOGIE III-V sur la question de savoir s’il pourrait permettre l’élaboration d’une nouvelle GENÉRATION DES DISPOSITIONS DANS L’OBLEA SAME._x000D_ LA RECHERCHE SUR LA TECHNOLOGIE III-V sur la question de savoir si elle a été abordée depuis des années. CETTE TECHNIQUE A BESOIN D’UNE SORTE DE CROISSANCE ÉPITAXIALE POUR OBTENIR DES COUCHES CRISTALLINES III-V DE HAUTE QUALITÉ ET EXEMPTES DE DÉFAUTS QUI POURRAIENT DÉGRADER LES CARACTÉRISTIQUES DES DISPOSITIFS. PAR CONSÉQUENT, LA TECHNIQUE DE PRÉPARATION DES SUBSTRATS SI ET LES STRATÉGIES DE CROISSANCE ÉPITAXIALE D’UNE COUCHE TAMPON SONT DES ÉTAPES CLÉS POUR PRÉVENIR LA NUCLÉATION OU LA PROPAGATION DE DÉFAUTS AUX COUCHES ACTIVES DU DISPOSITIF CULTIVÉ SUR LUI-MÊME. LES DÉFAUTS HABITUELS QUI SE PRODUISENT LORSQU’UNE COUCHE POLAIRE III-V SE DÉVELOPPE SUR UN SUBSTRAT NON POLAIRE S’IL S’AGIT GÉNÉRALEMENT DE DOMAINES ANTIPHASES ET DE DÉFAUTS D’EMPILEMENT; Dans le cas de la ventilation par compensation, la RELAJATION DE LA TENSION Médiance La FORMATION DES dislocations est un autre PROBLEM._x000D_ PROBABLELY Les applications les plus prometteuses de III-V sur la question de savoir s’ils peuvent être séparés avec le CONTRÔLE Électronique DE SI, CELLES SOLAIRES (SC) DE HIGH EFICIENCE ET MÉTAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) CANAL-N. Les OBJECTIFS DE CE PROJET sont dirigés vers le développement de ces dernières TECHNOLOGIES, concrètement: _x000D_ — étude, CRECR ET DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED DANS L’ALÉATION DES SUSTRATS SILICIO GAASNP._x000D_ — DÉVELOPPEMENT DES CONNAISSANCES SCIENTIFIQUES ET TECHNIQUES POUR L’INTÉGRATION DES nanostructures IN(GA)AS SUR ASISLANTE (XOI) ET Hétérostructures BASED dans les nano-fils SUR SILICIO SUBSTRATES. (French)
5 December 2021
0 references
DIE SILIZIUMTECHNOLOGIE FÜHRT SEIT JAHRZEHNTEN DIE ELEKTRONISCHE UND MIKROELEKTRONISCHE PRODUKTION DURCH DIE NIEDRIGEN HERSTELLUNGSKOSTEN UND DIE LEISTUNG IHRER GERÄTE. Sowohl der Preis der Sustrate als auch die Rückkehr der Technologie, ob sie derzeit für Smiconductors III-V. BY THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Es ist nur in der Lage, die der, wenn in OPTOELECTRONIC APPLICATIONEN DER INDIRECT GAP zu unterbrechen, wenn es nicht für ein wirksames Emison of Light (LED, LasER¿S,..)._x000D_Es gibt einige Anwendungen, bei denen die III-V durch mehr als einen Preis gedeckt werden kann, aber die Herstellungskosten sollten gesenkt werden, einschließlich der Bestimmungen III-V auf Ja. Diese TECHNOLOGIE III-V AUF Egal ob es die Entwicklung einer neuen ENERATION OF Dispositiven erlauben könnte, integranted INCLUDING Dispositiven III-V UND JA in der OBLEA SAME._x000D_ THE RESEARCH ON TECHNOLOGY III-V ON Ob es seit Jahren angesprochen wurde. DIESE TECHNIK BRAUCHT EINE ART EPITAXIELLES WACHSTUM, UM HOCHWERTIGE KRISTALLINE III-V-SCHICHTEN ZU ERHALTEN UND FREI VON DEFEKTEN, DIE DIE EIGENSCHAFTEN DER GERÄTE VERSCHLECHTERN KÖNNTEN. DAHER SIND DIE TECHNIK DER VORBEREITUNG DER SI-SUBSTRATE UND DIE EPITAXIELLEN WACHSTUMSSTRATEGIEN EINER PUFFERSCHICHT WICHTIGE SCHRITTE, UM DIE KERNBILDUNG ODER AUSBREITUNG VON DEFEKTEN ZU DEN AKTIVEN SCHICHTEN DES GERÄTS ZU VERHINDERN, DIE AUF SICH SELBST ANGEBAUT WERDEN. DIE ÜBLICHEN MÄNGEL, DIE AUFTRETEN, WENN EINE POLARE III-V-SCHICHT AUF EINEM NICHTPOLAREN SUBSTRAT WÄCHST, WENN ES SICH IN DER REGEL UM ANTIPHASEN-DOMÄNEN UND STAPELFEHLER HANDELT; Im Falle der Netting-Disaggregation ist die RELAJATION DES TENSION Mediance THE FORMATION OF Dislocations ein weiteres Addited PROBLEM._x000D_ PROBABLELY Die vielversprechendsten Anwendungen von III-V ON Ob sie mit dem elektronischen CONTROL OF SI, SOLAR CELLES (SC) DER HIGHISCHEN EFICIENCE UND METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) getrennt werden können OF CANAL-N. Die OBJECTIVES dieses PROJEKT sind auf die Entwicklung dieser letzten TECHNOLOGIE gerichtet, konkret: _x000D_ – Studie, CRECR UND DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED IN DER quaternaria GAASNP ALEATION FÜR SILICIO SUSTRATS._x000D_ – ENTWICKLUNG DER SCIENTIFISCHEN UND TECHNISCHEN WISSEN FÜR DEN SILICIO SUBSTRATES IN(GA)AS ON ASISLANTE (XOI) UND BASED Heterostrukturen in Nanothreads auf SILICIO SUBSTRATES. (German)
9 December 2021
0 references
SILICIUMTECHNOLOGIE HEEFT GELEID TOT ELEKTRONISCHE EN MICRO-ELEKTRONISCHE PRODUCTIE VOOR DECENNIA, ALS GEVOLG VAN DE LAGE PRODUCTIEKOSTEN EN DE PRESTATIES VAN ZIJN APPARATEN. Zowel de prijs van de sustrate als de terugkeer van de technologie van het feit of ze op dit moment imbaseerbaar zijn voor Smiconductoren III-V. BY THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Het is alleen in staat geweest om dat van de te doen in OPTOELECTRONIC TOEPASSINGEN VAN DE INDIRECT GAP van als het niet wordt toegevoegd voor een effectieve Emison van Licht (LED, LasER’S,..)._x000D_Er zijn een aantal toepassingen waarbij de III-V kan worden gedekt door meer dan één prijs, maar de productiekosten moeten worden verlaagd, met inbegrip van bepalingen III-V op ja. Deze TECHNOLOGIE III-V over de vraag of zij de ontwikkeling van een nieuwe GENERATION VAN dispositieven, geïntegraneerd INCLUDING dispositives III-V EN JA IN HET OBLEA SAME._x000D_ DE RESEARCH ON TECHNOLOGIE III-V kan toestaan. DEZE TECHNIEK HEEFT EEN SOORT EPITAXIALE GROEI NODIG OM HOOGWAARDIGE KRISTALLIJNE III-V LAGEN TE VERKRIJGEN EN VRIJ VAN DEFECTEN DIE DE KENMERKEN VAN DE APPARATEN KUNNEN AANTASTEN. DAAROM ZIJN DE BEREIDINGSTECHNIEK VAN DE SI-SUBSTRATEN EN DE EPITAXIALE GROEISTRATEGIEËN VAN EEN BUFFERLAAG BELANGRIJKE STAPPEN OM DE NUCLEATIE OF VOORTPLANTING VAN DEFECTEN AAN DE ACTIEVE LAGEN VAN HET APPARAAT OP ZICHZELF TE VOORKOMEN. DE GEBRUIKELIJKE DEFECTEN DIE OPTREDEN WANNEER EEN POLAIRE III-V-LAAG GROEIT OP EEN NIET-POLAIR SUBSTRAAT ALS ZE GEWOONLIJK ANTIFASEDOMEINEN EN STAPELFOUTEN ZIJN; In het geval van netting-disaggregatie is de VERSLAG VAN DE TENSIEbemiddeling DE FORMATION OF dislocaties een andere toevoeging van PROBLEM._x000D_ PROBABLELY DE meest veelbelovende toepassingen van III-V over de vraag of zij kunnen worden gescheiden met de elektronische CONTROL VAN SI, SOLAR CELLES (SC) VAN HIGH EFICIENCE EN METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) de OBJECTIEVEN VAN DEZE PROJECT zijn gericht op de ontwikkeling van deze laatste TECHNOLOGIES, concreet: _x000D_ — studie, CRECR EN DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED IN THE quaternaria GAASNP ALEATION on SILICIO SUSTRATS._x000D_ — ONTWIKKELING VAN SCIENTIFISCHE EN TECHNISCHE KNOWING VOOR de INTEGRATIE VAN nanostructuren IN(GA)AS ON ASISLANTE (XOI) EN BASED heterostructuren in nanothreads op SILICIO SUBSTRATES. (Dutch)
17 December 2021
0 references
LA TECNOLOGIA DEL SILICIO HA CONDOTTO LA PRODUZIONE ELETTRONICA E MICROELETTRONICA PER DECENNI, A CAUSA DEL BASSO COSTO DI PRODUZIONE E DELLE PRESTAZIONI DEI SUOI DISPOSITIVI. Sia il prezzo del sustrato che il ritorno della tecnologia di se sono attualmente imbasabili per gli Smiconductors III-V. DALLA TECNOLOGIA III-V (GAAS, GAP,..) Esso è stato in grado di condannare solo quello del if in OPTOELECTRONIC APPLICATIONS OF THE INDIRECT GAP di se non viene addotto per un efficace Emison of Light (LED, LasER¿S,..)._x000D_Ci sono alcune applicazioni in cui la III-V può essere coperta da più di un prezzo, ma i costi di produzione dovrebbero essere ridotti, comprese le disposizioni III-V su sì. Questa TECNOLOGIA III-V sul fatto che possa consentire lo sviluppo di una nuova GENERAZIONE DEI Dispositivi Integrati III-V E DI SÌ NELLA OBLEA SAME._x000D_ LA RICERCA DELLA TECNOLOGIA III-V SULLA SICUREZZA DEGLI anni. QUESTA TECNICA HA BISOGNO DI QUALCHE TIPO DI CRESCITA EPITASSIALE PER OTTENERE STRATI CRISTALLINI DI ALTA QUALITÀ III-V E PRIVI DI DIFETTI CHE POTREBBERO DEGRADARE LE CARATTERISTICHE DEI DISPOSITIVI. PERTANTO, LA TECNICA DI PREPARAZIONE DEI SUBSTRATI SI E LE STRATEGIE DI CRESCITA EPITAXIALI DI UNO STRATO TAMPONE SONO PASSAGGI CHIAVE PER PREVENIRE LA NUCLEAZIONE O LA PROPAGAZIONE DEI DIFETTI AGLI STRATI ATTIVI DEL DISPOSITIVO COLTIVATI SU SE STESSO. I DIFETTI USUALI CHE SI VERIFICANO QUANDO UNO STRATO POLARE III-V CRESCE SU UN SUBSTRATO NON POLARE SE SONO DI SOLITO DOMINI ANTIFASE E DIFETTI DI IMPILAMENTO; Nel caso di netting-disaggregation, la RELAJATION OF THE TENSION Mediance THE FORMATION OF Dislocations IS un altro PROBLEM._x000D_ PROBABLELY Le applicazioni più promettenti DI III-V sul fatto che possano essere inseparate con il CONTROLLO elettronico DI SI, CELLE SOLARI (SC) DI ALTA EFICIENZA E METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) gli OBIETTIVI DI QUESTO PROGETTO sono diretti allo sviluppo di queste ultime TECNOLOGIE, in modo concreto: _x000D_ — studio, CRECR E SOLAR SOLAR SOLAR TERZI DI GENERAZIONE TERZA NELL'ALEAZIONE DEL GAASNP quaternaria SUL SILICIO SUSTRATS._x000D_ — SVILUPPO DI CONOSCENZE SCIENTIFICHE E TECNICHE PER L'INTEGRAZIONE delle nanostrutture IN(GA) SULLA ASISLANTE (XOI) E Eterostrutture BASED in nano-thread SUBSTRATES SILICIO. (Italian)
16 January 2022
0 references
RÄNITEHNOLOOGIA ON VIINUD ELEKTROONIKA- JA MIKROELEKTROONILISE TOOTMISENI AASTAKÜMNEID TÄNU OMA SEADMETE MADALATELE TOOTMISKULUDELE JA JÕUDLUSELE. Nii hind sustraadi kui ka tagastamise tehnoloogia, kas nad on praegu imbasable for Smiconductors III-V. BY TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) See on olnud võimalik ainult seda, et kui in OPTOELECTRONIC APPLIKTSIOONID INDIRECT GAP kui see ei ole esitatud tõhusa valguse Emison (LED, LasERïS,..)._x000D_On mõned rakendused, kus III-V saab katta rohkem kui ühe hinnaga, kuid tootmiskulusid tuleks vähendada, sealhulgas sätted III-V, mis käsitlevad jah. See TEKHNOLOOGIA III-V ON Kas see võiks võimaldada uue GENERATION of dispositiivsed, III-V JA JA JA JA JA JA JA JA JA JA JAH ON OBLEA SAME._x000D_ RESEARCH ON TECHNOLOGY III-V ON, kas seda on käsitletud juba aastaid. SEE TEHNIKA VAJAB MINGIT EPITAKSILIST KASVU, ET SAADA KVALITEETSEID KRISTALSEID III-V KIHTE JA ILMA DEFEKTIDETA, MIS VÕIVAD SEADMETE OMADUSI HALVENDADA. SEETÕTTU ON SI-SUBSTRAATIDE VALMISTAMISE MEETOD JA PUHVERKIHI EPITAKSIAALSED KASVUSTRATEEGIAD OLULISED SAMMUD, ET VÄLTIDA DEFEKTIDE NUKLEOTEERUMIST VÕI LEVIMIST SEADME AKTIIVSETESSE KIHTIDESSE, MIS ON ISE KASVANUD. TAVALISED DEFEKTID, MIS TEKIVAD, KUI POLAARNE III-V KIHT KASVAB MITTEPOLAARSEL SUBSTRAADIL, KUI NEED ON TAVALISELT ANTIFAASILISED DOMEENID JA VIRNASTAMISVEAD; Kui tegemist on tasaarveldus-eristamisega, siis TENSION Mediance THE FORMATION of dislocations on veel üks lisand PROBLEM._x000D_ PROBABLELY kõige paljutõotavamatest rakendustest, kas need võivad olla lahutamatult seotud SI, SOLAR CELLES (SC) HIGH EFICIENCE JA METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTORi elektroonilise CONTROLiga. (MOSFET) KANAL-N. THIS PROJEKTi OBJEKTIIVID on suunatud nende viimaste TECHNOLOOGIade väljatöötamisele: _x000D_ – uuring, CRECR JA DEVELOP SILICIO SUSTRATS._x000D_ – Kvarternarias GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ – SCIENTIFIKATSIOONI JA TECHNICALI KOHTUASI SILICIO SUBSTRATID IN(GA)AS ASISLANTE (XOI) ja BASED heterostruktuurid nano-keermetega nano-keermetega nanostruktuuride INTEGRIIGI JA TEKHNALIKU KOOSTÖÖVÕTMISE KOOSTÖÖVÕTMISE JA TÖÖTLASED KOHTUSTEERIMISED (Estonian)
4 August 2022
0 references
SILICIO TECHNOLOGIJA DEŠIMTMEČIUS PASKATINO ELEKTRONINĘ IR MIKROELEKTRONINĘ GAMYBĄ DĖL MAŽŲ GAMYBOS SĄNAUDŲ IR JOS PRIETAISŲ NAŠUMO. Tiek substrato kaina, tiek technologijos grąža, nesvarbu, ar jie šiuo metu yra imbas „Smiconductors III-V“. BY THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Jis galėjo tik pasmerkti, kad tai būtų tik tada, jei INDIRECT GAP OPTOELECTRONICIJOS APDOVANOJIMAI, jei ji nėra pateikta veiksmingam šviesos emisonui (LED, yra keletas programų, kuriose III-V gali būti padengtos daugiau nei viena kaina, tačiau gamybos sąnaudos turėtų būti sumažintos, įskaitant III-V nuostatas dėl „taip“. Šis TECHNOLOGIJA III-V ANT Nesvarbu, ar tai galėtų leisti sukurti naują dispozityvų GENERACIJĄ, integruotą III-V ir TAIP šalinimo priemones OBLEA SAME._x000D_ TECHNOLOGIJOS III-V TECHNOLOGIJOS TECHNOLOGIJOS III-V TECHNOLOGIJOS V ANT, nesvarbu, ar jis buvo sprendžiamas nuo metų. ŠIAM METODUI REIKIA TAM TIKRO EPITAKSINIO AUGIMO, KAD BŪTŲ GALIMA GAUTI AUKŠTOS KOKYBĖS KRISTALINIUS III-V SLUOKSNIUS IR BE DEFEKTŲ, KURIE GALĖTŲ PABLOGINTI PRIETAISŲ SAVYBES. TODĖL SI SUBSTRATŲ PARUOŠIMO METODAS IR BUFERINIO SLUOKSNIO EPITAKSINIO AUGIMO STRATEGIJOS YRA PAGRINDINIAI ŽINGSNIAI SIEKIANT UŽKIRSTI KELIĄ DEFEKTŲ BRANDUOLIUI AR PLITIMUI Į AKTYVIUOSIUS PRIETAISO SLUOKSNIUS, UŽAUGUSIUS ANT JO. ĮPRASTINIAI DEFEKTAI, ATSIRANDANTYS, KAI POLIARINIS III-V SLUOKSNIS AUGA ANT NEPOLINIO PAGRINDO, JEI JIE PAPRASTAI YRA ANTIFAZINIAI DOMENAI IR KROVIMO DEFEKTAI; Užskaitos-skirstymo atveju TENSION Mediance THE FORMATION OF Dislocations yra dar vienas papildomas PROBLEM._x000D_ PROBABLELY TIKSliausios III-V paraiškos nepriklausomai nuo to, ar jos gali būti atskirtos nuo SI, SOLAR CELLES (SC) elektroninio KONTROLĖS IR METALO-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) CANAL-N. ŠIO PROJEKTO OBJEKTAI yra nukreipti į šių paskutinių TECHNOLOGIJŲ kūrimą, betono: _x000D_ – tyrimas, CRECR IR DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED in the quaternaria GAASNP ALEATION ALEATION ANT SILICIO SUSTRATS._x000D_ – SCIENTIFIKOS IR TECHNINĖS ŽINOTYS Nanostruktūrų INTEGRACIJA (GA)AS ASISLANTE (XOI) IR BASED heterostruktūros nanojuostose. (Lithuanian)
4 August 2022
0 references
SILICIJSKA TEHNOLOGIJA DESETLJEĆIMA JE DOVELA DO ELEKTRONIČKE I MIKROELEKTRONIČKE PROIZVODNJE ZBOG NISKIH TROŠKOVA PROIZVODNJE I PERFORMANSI SVOJIH UREĐAJA. I cijena sustrata, kao i povratak tehnologije o tome jesu li trenutno nemjerljivi za Smiconductors III-V. BY TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) To je bio u stanju propasti samo ako u OPTOELECTRONIC APPLIKACIJE INDIRECT GAP, ako se ne navodi za učinkovit emison svjetlosti (LED, laserski,..)._x000D_Postoje neke primjene u kojima se III-V može pokriti s više od jedne cijene, ali troškove proizvodnje treba smanjiti, uključujući odredbe III-V o „da”. Ovaj TEHNOLOGIJA III-V O tome da li bi to moglo dopustiti razvoj novog OPERACIJA dispozitivs, integraniran UTJECAJTE III-V I DA U OBLEA SAME._x000D_ RESEARCH ON TEHNOLOGIJA III-V O tome je li to riješeno od godina. OVA TEHNIKA TREBA NEKU VRSTU EPITAKSIJALNOG RASTA KAKO BI SE DOBILI VISOKOKVALITETNI KRISTALNI III-V SLOJEVI I BEZ NEDOSTATAKA KOJI BI MOGLI DEGRADIRATI KARAKTERISTIKE UREĐAJA. DAKLE, TEHNIKA PRIPREME SI SUPSTRATA I EPITAKSIJALNE STRATEGIJE RASTA PUFERSKOG SLOJA KLJUČNI SU KORACI ZA SPREČAVANJE NUKLEACIJE ILI ŠIRENJA NEDOSTATAKA NA AKTIVNE SLOJEVE UREĐAJA KOJI SE UZGAJAJU SAM PO SEBI. UOBIČAJENE NEDOSTATKE KOJI NASTAJU KADA POLARNI III-V SLOJ RASTE NA NEPOLARNI SUPSTRAT AKO SU OBIČNO ANTIFAZNE DOMENE I OŠTEĆENJA SLAGANJA; U slučaju razdvajanja mreže, RELAJATION TENSION Mediance FORMACIJA dislokacije još je jedan dodani PROBLEM._x000D_ PROBABLELY Najperspektivnije aplikacije III-V ON O tome mogu li biti nerazdvojene s elektroničkim KONTROLOM SI, SOLAR CELLES (SC) VELIKIH UČINKA I METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) CANAL-N. OBJEKTI OVOG PROJEKTA usmjereni su na razvoj ovih posljednjih TEHNOLOGIJA, konkretno: _x000D_ – studija, CRECR I DEVELOP SOLAR TENERATION CELLS BASED U Kvarteraria GAASNP ALEATION NA SILICIO SUSTRATS._x000D_ – IZGRADNJA SCIENTIFIKA I TEHNIČKIH ZNAKA za integraciju nanostruktura U(GA)AS na ASISLANTE (XOI) i zapečaćene heterostrukture u nano-nitrima na SILICIO SUBSTRATES. (Croatian)
4 August 2022
0 references
Η ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑ ΠΥΡΙΤΊΟΥ ΈΧΕΙ ΟΔΗΓΉΣΕΙ ΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΉ ΚΑΙ ΜΙΚΡΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΉ ΠΑΡΑΓΩΓΉ ΕΔΏ ΚΑΙ ΔΕΚΑΕΤΊΕΣ, ΛΌΓΩ ΤΟΥ ΧΑΜΗΛΟΎ ΚΌΣΤΟΥΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΉΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΑΠΌΔΟΣΗΣ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ ΤΗΣ. Τόσο η τιμή του στελέχους όσο και η επιστροφή της τεχνολογίας του κατά πόσον είναι επί του παρόντος αβάσιμα για τους Smiconductors III-V. Από την ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ III-V (ΓΑΑΣ, GAP,..) Έχει μόνο τη δυνατότητα να καταδικάσει αυτό από το εάν στις ΟΠΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΗΣ INDIRECT GAP αν δεν προσκομίζεται για ένα αποτελεσματικό Έμισον του Φωτός (LED, LasER^S,..)._x000D_Υπάρχουν ορισμένες εφαρμογές όπου το III-V μπορεί να καλυφθεί από περισσότερες από μία τιμές, αλλά το κόστος κατασκευής θα πρέπει να μειωθεί, συμπεριλαμβανομένων των διατάξεων III-V σχετικά με το ναι. Η παρούσα ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ III-V ΕΠΙΒΕΒΑΙΩΝΕΙ εάν θα μπορούσε να επιτρέψει την ανάπτυξη μιας νέας ΓΕΝΙΚΗΣ ΓΕΝΗΣΗΣ ΑΠΟΘΕΤΙΚΩΝ, ενσωματωμένων ΠΕΡΙΛΑΜΒΑΝΟΝΤΩΝ III-V ΚΑΙ ΝΑΙ ΣΤΗ ΣΤΑ ΠΛΑΙΣΙΑ ΣΤΟ ΟΡΓΑΝΟ._x000D_ ΤΗΣ ΕΡΕΥΝΑΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ III-V Είτε έχει αντιμετωπιστεί από χρόνια. ΑΥΤΉ Η ΤΕΧΝΙΚΉ ΧΡΕΙΆΖΕΤΑΙ ΚΆΠΟΙΟΥ ΕΊΔΟΥΣ ΕΠΙΤΑΞΙΑΚΉ ΑΝΆΠΤΥΞΗ ΓΙΑ ΝΑ ΑΠΟΚΤΉΣΕΙ ΥΨΗΛΉΣ ΠΟΙΌΤΗΤΑΣ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΆ ΣΤΡΏΜΑΤΑ III-V ΚΑΙ ΧΩΡΊΣ ΕΛΑΤΤΏΜΑΤΑ ΠΟΥ ΘΑ ΜΠΟΡΟΎΣΑΝ ΝΑ ΥΠΟΒΑΘΜΊΣΟΥΝ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΆ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, Η ΤΕΧΝΙΚΉ ΠΑΡΑΣΚΕΥΉΣ ΤΩΝ ΥΠΟΣΤΡΩΜΆΤΩΝ SI ΚΑΙ ΟΙ ΣΤΡΑΤΗΓΙΚΈΣ ΕΠΙΤΑΞΙΑΚΉΣ ΑΝΆΠΤΥΞΗΣ ΕΝΌΣ ΡΥΘΜΙΣΤΙΚΟΎ ΣΤΡΏΜΑΤΟΣ ΑΠΟΤΕΛΟΎΝ ΒΑΣΙΚΆ ΒΉΜΑΤΑ ΓΙΑ ΤΗΝ ΠΡΌΛΗΨΗ ΤΟΥ ΠΥΡΉΝΩΣΗΣ Ή ΤΗΣ ΕΞΆΠΛΩΣΗΣ ΤΩΝ ΕΛΑΤΤΩΜΆΤΩΝ ΣΤΑ ΕΝΕΡΓΆ ΣΤΡΏΜΑΤΑ ΤΟΥ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟΎ ΠΡΟΪΌΝΤΟΣ ΠΟΥ ΚΑΛΛΙΕΡΓΕΊΤΑΙ. ΤΑ ΣΥΝΉΘΗ ΕΛΑΤΤΏΜΑΤΑ ΠΟΥ ΕΜΦΑΝΊΖΟΝΤΑΙ ΌΤΑΝ ΈΝΑ ΠΟΛΙΚΌ ΣΤΡΏΜΑ III-V ΑΝΑΠΤΎΣΣΕΤΑΙ ΣΕ ΜΗ ΠΟΛΙΚΌ ΥΠΌΣΤΡΩΜΑ, ΕΆΝ ΠΡΌΚΕΙΤΑΙ ΣΥΝΉΘΩΣ ΓΙΑ ΑΝΤΙΦΑΣΙΚΆ ΠΕΔΊΑ ΚΑΙ ΕΛΑΤΤΏΜΑΤΑ ΣΤΟΙΒΑΣΊΑΣ· Στην περίπτωση του συμψηφισμού-ανάλυσης, η ΑΠΑΝΤΗΣΗ ΤΗΣ ΔΙΑΜΕΣΟΛΑΒΗΣΗΣ ΤΗΣ ΔΗΛΩΣΗΣ ΤΗΣ ΔΙΑΤΑΞΗΣ Η ΜΟΡΦΗ των εξαρθρώσεων είναι ένα άλλο προστιθέμενο PROBLEM._x000D_ PROBABLELY Οι πιο ελπιδοφόροι εφαρμογές του III-V ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ τον ηλεκτρονικό έλεγχο του SI, της SOLAR CELLES (SC) ΤΗΣ ΥΨΗΛΗΣ ΕΠΙΧΕΙΡΗΜΑΤΙΚΟΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΜΕΤΑΛΛΙΚΗΣ-ΟΞΙΔΟ-ΣΕΜΗΚΟΣ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΤΗΣ οι ΣΤΟΧΟΙ ΤΟΥ ΕΡΓΟΥ αυτού έχουν ως στόχο την ανάπτυξη αυτών των τελευταίων ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΩΝ: _x000D_ — μελέτη, CRECR και DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED IN THE quaternaria GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ — ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΙΚΩΝ ΓΝΩΣΕΩΝ ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΝΙΣΧΥΣΗ νανοδομών IN(GA)AS ON ASISLANTE (XOI) ΚΑΙ BASED heterostructures in nano-threads ON SILICIO SUBSTRATES. (Greek)
4 August 2022
0 references
TECHNOLÓGIA KREMÍKA VIEDLA UŽ DESAŤROČIA ELEKTRONICKÚ A MIKROELEKTRONICKÚ VÝROBU VĎAKA NÍZKYM VÝROBNÝM NÁKLADOM A VÝKONU SVOJICH ZARIADENÍ. Ako cena sustrate, ako aj návrat technológie, či sú alebo nie sú v súčasnosti neschopné pre Smiconductors III-V. BY TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) To bolo schopné odvrátiť len to, ak v OPTOELECTRONICKÉ APPLIKÁCIE INDIRECT GAP, ak nie je predložený pre efektívne Emison svetla (LED, LasERиS,..)._x000D_Existujú niektoré aplikácie, kde III-V možno pokryť viac ako jednou cenou, ale výrobné náklady by sa mali znížiť, vrátane ustanovení III-V o áno. Táto TECHNOLOGIA III-V O tom, či by to mohlo umožniť vývoj novej GENERÁCIE disponibilných, integrantovaných inkludentných látok III-V A ÁNO v OBLEA SAME._x000D_ RESEARCH ON TECHNOLOGY III-V ON Či sa to rieši už roky. TÁTO TECHNIKA POTREBUJE URČITÝ DRUH EPITAXIÁLNEHO RASTU NA ZÍSKANIE VYSOKOKVALITNÝCH KRYŠTALICKÝCH III-V VRSTIEV A BEZ CHÝB, KTORÉ BY MOHLI POŠKODIŤ VLASTNOSTI ZARIADENÍ. PRETO JE TECHNIKA PRÍPRAVY SUBSTRÁTOV SI A EPITAXIÁLNA STRATÉGIA RASTU NÁRAZNÍKOVEJ VRSTVY KĽÚČOVÝMI KROKMI NA ZABRÁNENIE NUKLEÁCII ALEBO ŠÍRENIU DEFEKTOV NA AKTÍVNYCH VRSTVÁCH POMÔCKY PESTOVANEJ NA SEBE. OBVYKLÉ CHYBY, KTORÉ SA VYSKYTUJÚ, KEĎ POLÁRNA III-V VRSTVA RASTIE NA NEPOLÁRNOM SUBSTRÁTE, AK SÚ ZVYČAJNE ANTIFÁZOVÉ DOMÉNY A STOHOVACIE CHYBY; V prípade členenia siete je ďalším pridaným PROBLEMom._x000D_ PROBABLELY Najsľubnejšie aplikácie III-V O tom, či môžu byť oddelené s elektronickým KONTROLOM SI, SOLAR CELLES (SC) HIGH EFICIENCE A METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) CANAL-N. OBJEKTY TOHO PROJEKTU sú zamerané na vývoj týchto posledných TECHNOLOGIÍ, konkrétne: _x000D_ – štúdia, CRECR AND DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED IN THE quaternaria GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ – VÝVOJ SCIENTIFICKÝCH A TECHNICKÝCH VEDOMÍ NA INTEGRÁCIU nanoštruktúr v (GA) na ASISLANTE (XOI) a BASED heteroštruktúry v nano- nitiach na SILICIO SUBSTRATES. (Slovak)
4 August 2022
0 references
PIITEKNOLOGIA ON JOHTANUT ELEKTRONISTA JA MIKROELEKTRONISTA TUOTANTOA VUOSIKYMMENIÄ, MIKÄ JOHTUU ALHAISISTA VALMISTUSKUSTANNUKSISTA JA SEN LAITTEIDEN SUORITUSKYVYSTÄ. Sekä hinta sustrate sekä palauttaa teknologian siitä, ovatko ne tällä hetkellä korvaamattomia Smiconductors III-V. BY THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Se on voinut vain tuomittu että jos OPTOELECTRONIC AP INDIRECTRONIC AP, jos sitä ei ole esitetty tehokkaan Emison of Light (LED, LasER-S,..)._x000D_On joitakin sovelluksia, joissa III-V voidaan kattaa useammalla kuin yhdellä hinnalla, mutta valmistuskustannuksia olisi alennettava, mukaan lukien III-V kyllä-säännökset. Tämä TEKNOLOGIA III-V ON OBLEA SAME._x000D_ TUTKIMUKSET III-V JA KYLLÄ OBLEA SAME._x000D_ TECHNOLOGY III-V ON TECHNOLOGY III-V ON PÄÄTÖKSEN, onko siihen puututtu jo vuosia. TÄMÄ TEKNIIKKA TARVITSEE JONKINLAISTA EPITAKSISTA KASVUA, JOTTA SAADAAN LAADUKKAITA KITEISIÄ III-V-KERROKSIA JA ILMAN VIKOJA, JOTKA VOIVAT HEIKENTÄÄ LAITTEIDEN OMINAISUUKSIA. SIKSI SI-SUBSTRAATTIEN VALMISTUSTEKNIIKKA JA PUSKURIKERROKSEN EPITAKSINEN KASVUSTRATEGIA OVAT KESKEISIÄ VAIHEITA, JOILLA ESTETÄÄN VIKOJEN TUKKEUTUMINEN TAI LEVIÄMINEN ITSE KASVATETUN LAITTEEN AKTIIVISIIN KERROKSIIN. TAVANOMAISET VIAT, JOITA ESIINTYY, KUN POLAARINEN III-V-KERROS KASVAA EI-POLAARISELLA ALUSTALLA, JOS NE OVAT YLEENSÄ ANTIFAASE-VERKKOTUNNUKSIA JA PINOAVIA VIKOJA; Jos kyseessä on nettoutus-jaottelu, TENSION Mediance FORMATION OF dislocations on toinen lisätty PROBLEM._x000D_ PROBABLELY lupaavimmat sovellukset III-V ON PÄÄTTÄNYT siitä, voidaanko ne erotella SI, SOLAR CELLES (SC) HIGH EFICIENCE JA METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) Kansallinen-N. OBJECTIVES TÄMÄN PROJECT on suunnattu näiden viimeisten TECHNOLOGIES, konkreettisesti: _x000D_ – tutkimus, CRECR JA DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLSED Quaternaria GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ – KEHITTÄMINEN SCIENTIFICIC JA TECHNICAL KNOWINGS TIETOJEN Nanorakenteiden IN(GA)AS ON ASISLANTE (XOI) JA BASED heterostruktuurit nanosäteitä SILICIO SUBSTRATES. (Finnish)
4 August 2022
0 references
TECHNOLOGIA KRZEMU OD DZIESIĘCIOLECI PROWADZI PRODUKCJĘ ELEKTRONICZNĄ I MIKROELEKTRONICZNĄ, ZE WZGLĘDU NA NISKIE KOSZTY PRODUKCJI I WYDAJNOŚĆ SWOICH URZĄDZEŃ. Zarówno cena sustratu, jak i zwrot technologii tego, czy są one obecnie niebazowalne dla Smiconductors III-V. Przez TECHNOLOGII III-V (GAAS, GAP,..) To było w stanie skazać tylko wtedy, gdy w OPTOELECTRONICYCH APLIKACJI INDIRECT GAP, jeśli nie jest stosowany dla skutecznej Emison of Light (LED, LasER¿S,..)._x000D_Istnieją pewne zastosowania, w których III-V może być pokryty więcej niż jedną ceną, ale koszty produkcji powinny zostać zmniejszone, w tym przepisy III-V dotyczące tak. Ta TECHNOLOGIA III-V W sprawie tego, czy może to pozwolić na opracowanie nowej GENERACJI dyspozytorów, integrowanych dyspozytorów INCLUDING III-V I TAK w OBLEA SAME._x000D_ RESEARCH NA TECHNOLOGII III-V W sprawie tego, czy była adresowana od lat. TECHNIKA TA WYMAGA PEWNEGO RODZAJU EPITAKSJALNEGO WZROSTU, ABY UZYSKAĆ WYSOKIEJ JAKOŚCI KRYSTALICZNE WARSTWY III-V I WOLNE OD WAD, KTÓRE MOGŁYBY POGORSZYĆ CHARAKTERYSTYKĘ URZĄDZEŃ. DLATEGO TECHNIKA PRZYGOTOWANIA SUBSTRATÓW SI I EPITAKSJALNE STRATEGIE WZROSTU WARSTWY BUFOROWEJ SĄ KLUCZOWYMI KROKAMI, ABY ZAPOBIEC NUKLEACJI LUB ROZPRZESTRZENIANIU SIĘ WAD DO AKTYWNYCH WARSTW WYROBU UPRAWIANYCH NA SOBIE. ZWYKŁE WADY, KTÓRE WYSTĘPUJĄ, GDY POLARNA WARSTWA III-V ROŚNIE NA PODŁOŻU NIEBIEGUNOWYM, JEŚLI SĄ ZWYKLE DOMENAMI ANTYFAZOWYMI I WADAMI UKŁADANIA W STOSY; W przypadku dezagregacji netting, RELAJATION OF THE TENSION Mediance THE FORMATION of dislocations is another addited PROBLEM._x000D_ PROBABLELY Najbardziej obiecujące zastosowania III-V w sprawie tego, czy mogą być one nierozłączone z elektronicznym CONTROL OF SI, SOLAR CELLES (SC) HIGH EFICIENCE I METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) CANAL-N. Cele TEGO PROJEKTU skierowane są do rozwoju tych ostatnich TECHNOLOGII, concretly: _x000D_ – badanie, CRECR I DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED in the quaternaria GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ – UZNANIE WIĘCEJ WIĘCEJ I TECHNICZNYCH WIĘCEJ DOTYCZĄCE nanostruktury nanostruktury w (GA)AS na ASISLANTE (XOI) I pokrytych heterostrukturami w nanonitkach nanonitkowych na SILICIO SUBSTRATES. (Polish)
4 August 2022
0 references
A SZILÍCIUMTECHNOLÓGIA ÉVTIZEDEK ÓTA VEZETI AZ ELEKTRONIKUS ÉS MIKROELEKTRONIKAI GYÁRTÁST AZ ALACSONY GYÁRTÁSI KÖLTSÉGEK ÉS AZ ESZKÖZÖK TELJESÍTMÉNYE MIATT. Mind a szusztrát ára, mind annak a technológiának a visszatérése, hogy jelenleg a Smiconductors III-V (GAAS, GAP,..) A TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) A TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) A TECHNOLOGY III-V. LasER-S,..)._x000D_Vannak olyan alkalmazások, amelyek esetében a III-V egynél több árral fedezhető, de a gyártási költségeket csökkenteni kell, beleértve az igenre vonatkozó III-V. rendelkezést is. Ez a III-V. TECHNOLOGIA lehetővé teszi-e a diszpozitívok új fogalommeghatározásának kifejlesztését, a III-V. és IGEN IGEN A TECHNOLOGY III-V-ról, hogy évek óta foglalkoztak-e vele. ENNEK A TECHNIKÁNAK VALAMILYEN EPITAXIÁLIS NÖVEKEDÉSRE VAN SZÜKSÉGE AHHOZ, HOGY KIVÁLÓ MINŐSÉGŰ KRISTÁLYOS III-V RÉTEGEKET KAPJUNK, ÉS OLYAN HIBÁKTÓL MENTESEK LEGYENEK, AMELYEK LEBONTHATJÁK AZ ESZKÖZÖK JELLEMZŐIT. EZÉRT AZ SI-SZUBSZTRÁTOK ELŐKÉSZÍTÉSÉNEK TECHNIKÁJA ÉS A PUFFERRÉTEG EPITAXIÁLIS NÖVEKEDÉSI STRATÉGIÁI KULCSFONTOSSÁGÚ LÉPÉST JELENTENEK ANNAK MEGAKADÁLYOZÁSÁRA, HOGY A HIBÁK MAGJA VAGY TERJEDÉSE AZ ESZKÖZ AKTÍV RÉTEGEIRE KITERJEDJEN. A SZOKÁSOS HIBÁK, AMELYEK AKKOR FORDULNAK ELŐ, AMIKOR A POLÁRIS III-V RÉTEG NEM POLÁRIS SZUBSZTRÁTON NŐ, HA ÁLTALÁBAN ANTIFÁZIS-TARTOMÁNYOK ÉS EGYMÁSRA HELYEZÉSI HIBÁK; A nettósítás-lebontás esetén a TERJESZTÉSA A diszlokációk FORMÁCIÓJA egy másik hozzáadott PROBLEM._x000D_ PROBLEM._x000D_ PROBABLELY A III-V legígéretesebb alkalmazásai attól függetlenül, hogy elválaszthatatlanok lehetnek-e a SI elektronikus ELLÓLÓI (SC) a HIGH EFICIENCE ÉS METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOSFET) elektronikus CONTROL-jával. az EGYESÜLT PROJEKT CÉLKITŰZÉSEK ezen utolsó TECHNOLOGIÁK fejlesztésére irányulnak, konkretizálva: _x000D_ – tanulmány, CRECR ÉS DEVELOP SOLAR HARMADIK A kvaternaria GAASNP ALEATION A SILICIO SUSTRATS-on._x000D_ – A SCIENTIFIKAI ÉS TECHNIKAI TUDOMÁSOK A SCIENTIFIKAI ÉS TECHNIKAI TUDOMÁNYOK ASISLANTE-n (XOI) belüli nanoszerkezetek és a SILICIO SUBSTRATES nanoszálú heterostruktúrain belül. (Hungarian)
4 August 2022
0 references
KŘEMÍKOVÁ TECHNOLOGIE VEDLA ELEKTRONIKU A MIKROELEKTRONIKU JIŽ DESÍTKY LET KVŮLI NÍZKÝM VÝROBNÍM NÁKLADŮM A VÝKONU SVÝCH ZAŘÍZENÍ. Jak cena sustátu, tak i návrat technologie, zda jsou v současné době pro Smiconductors III-V. BY TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Dospěla pouze k tomu, že v případě, že v OPTOELECTRONICICKÝCH APPLIKACE INDIRECTNÍHO GAPu není předložena pro efektivní emison světla (LED, LasER S,..)._x000D_Existují některé aplikace, kde III-V může být pokryto více než jednou cenou, ale výrobní náklady by měly být sníženy, včetně ustanovení III-V o ano. Tato TECHNOLOGIE III-V O tom, zda by mohla umožnit rozvoj nové GENERACE dispozitivních, integrovaných ZAŘÍZENÍ III-V A A A ANO V OBLEA SAME._x000D_ VÝZKUM NA TECHNOLOGIE III-V O tom, zda je řešena od let. TATO TECHNIKA POTŘEBUJE NĚJAKÝ DRUH EPITAXIÁLNÍHO RŮSTU, ABY SE ZÍSKAL VYSOCE KVALITNÍ KRYSTALICKÉ VRSTVY III-V A BEZ VAD, KTERÉ BY MOHLY ZHORŠIT VLASTNOSTI ZAŘÍZENÍ. PROTO TECHNIKA PŘÍPRAVY SUBSTRÁTŮ SI A EPITAXIÁLNÍ RŮSTOVÉ STRATEGIE NÁRAZNÍKOVÉ VRSTVY JSOU KLÍČOVÝMI KROKY, ABY SE ZABRÁNILO NUKLEACI NEBO ŠÍŘENÍ DEFEKTŮ NA AKTIVNÍCH VRSTVÁCH ZAŘÍZENÍ, KTERÉ SE NA SOBĚ PĚSTUJÍ. OBVYKLÉ VADY, K NIMŽ DOCHÁZÍ, KDYŽ POLÁRNÍ VRSTVA III-V ROSTE NA NEPOLÁRNÍM SUBSTRÁTU, POKUD JSOU OBVYKLE ANTIFÁZOVÝMI DOMÉNAMI A DEFEKTY STOHOVÁNÍ; V případě netting-disagregace, RELAJATION of the TENSION Mediance THE FORMATION of dislocations is another addited PROBLEM._x000D_ PROBABLELY Nejslibnější aplikace III-V NA Ať už mohou být odděleny s elektronickým KONTROL SI, SOLAR CELLES (SC) HIGH EFICIENCE A METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) OF CANAL-N. OBJEKTIVY TÉHO PROJEKTU jsou zaměřeny na vývoj těchto posledních TECHNOLOGIÍ, konkrétně: _x000D_ – studie, CRECR A DEVELOP SOLAR THIRDERATION CELLS BASED IN THE quaternaria GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ – DEVELOPMENT OF SCIENTIFICKÉ A TECHNICKÉ VĚDOMÍ PRO ZVĚŘENÍ nanostruktur v(GA)AS NA ASISLANTE (XOI) A BASED heterostruktury v nanovlákna na SILICIO SUBSTRATES. (Czech)
4 August 2022
0 references
SILĪCIJA TEHNOLOĢIJA IR NOVEDUSI ELEKTRONISKO UN MIKROELEKTRONISKO RAŽOŠANU GADU DESMITIEM, PATEICOTIES ZEMAJĀM RAŽOŠANAS IZMAKSĀM UN TĀS IERĪČU VEIKTSPĒJAI. Gan sustrāta cena, gan tehnoloģijas atdeve, neatkarīgi no tā, vai tās pašlaik nav izmantojamas Smiconductors III-V. BY THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Tas ir spējis tikai lemt par to, ja OPTOELECTRONIC PIETEIKUMI INDIRECT GAP, ja tas nav paredzēts efektīvai gaismas emison (LED, LasERľS,..)._x000D_Ir daži lietojumi, kuros III-V var segt ar vairāk nekā vienu cenu, bet ražošanas izmaksas ir jāsamazina, ieskaitot III-V noteikumus par jā. Šī TECHNOLOGY III-V PAR Neatkarīgi no tā, vai tas varētu ļaut izstrādāt jaunu ĢENERĀCIJAS dispozitīvu, integrētu INCLUDING dispozitīvu III-V UN JĀ OBLEA SAME._x000D_ THE RESEARCH ON TECHNOLOGY III-V ON neatkarīgi no tā, vai tas ir risināts jau gadiem. ŠĪ METODE IR NEPIECIEŠAMA SAVA VEIDA EPITAKSIĀLO IZAUGSMI, LAI IEGŪTU AUGSTAS KVALITĀTES KRISTĀLISKS III-V SLĀŅIEM UN BEZ DEFEKTIEM, KAS VARĒTU PASLIKTINĀT ĪPAŠĪBAS IERĪCĒM. TĀPĒC SI SUBSTRĀTU SAGATAVOŠANAS METODE UN BUFERA SLĀŅA EPITAKSIĀLĀS AUGŠANAS STRATĒĢIJAS IR GALVENIE SOĻI, LAI NOVĒRSTU BOJĀJUMU NUKLEĀCIJU VAI IZPLATĪŠANOS UZ PAŠAS IERĪCES AKTĪVAJIEM SLĀŅIEM. PARASTIE DEFEKTI, KAS RODAS, KAD POLĀRAIS III-V SLĀNIS AUG UZ NEPOLĀRA SUBSTRĀTA, JA TIE PARASTI IR ANTIFĀZES DOMĒNI UN KRAUŠANAS DEFEKTI; Attiecībā uz savstarpējo prasījumu ieskaita sadalījumu TENSIJAS mediance dislokācijas gadījumā ir vēl viens pievienots PROBLEM._x000D_ PROBABLELY Visdaudzsološākie III-V pieteikumi Neatkarīgi no tā, vai tos var atdalīt ar SI, SOLAR CELLES (SC) HIGH EFICIENCE UN METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOSFET) elektronisko KONTROLU CANAL-N. ŠO PROJEKTU OBJECTIVES ir vērstas uz šo pēdējo TECHNOLOGIES izstrādi, konkrēti: _x000D_ — pētījums, CRECR UN DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED IN The Quternaria GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ — ZINĀTNISKĀS ZINĀŠANAS UN TECHNISKĀS KNOVĒŠANAS IN(GA) kā ASISLANTE (XOI) UN PASĀKUMU heterostruktūras nanodreads uz SILICIO SUBSTRATES. (Latvian)
4 August 2022
0 references
TÁ TEICNEOLAÍOCHT SILICON FAOI STIÚIR TÁIRGEADH LEICTREONACH AGUS MICRILEICTREONAICE AR FEADH NA MBLIANTA, MAR GHEALL AR AN GCOSTAS ÍSEAL DÉANTÚSAÍOCHTA AGUS FEIDHMÍOCHT A FEISTÍ. An dá an praghas ar an sustrate chomh maith le filleadh ar an teicneolaíocht an bhfuil nó nach bhfuil siad in ann faoi láthair do SMICONDUCTORS III-V. AN TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Ní raibh sé in ann a dhéanamh ach amháin más rud é i IARRATAIS OPTOELECTRONIC OF THE GAP INDIRECT de más rud é nach bhfuil sé ar eolas le haghaidh Emison efficacious Solas (faoi stiúir, tá roinnt iarratas nuair is féidir leis an III-V a bheith clúdaithe ag níos mó ná praghas amháin, ach ba chóir na costais déantúsaíochta a laghdú, lena n-áirítear forálacha III-V ar yes. Seo TECHNOLOGY III-V AR Cibé an bhféadfadh sé a cheadú forbairt nua GENERATION OF Dispositives, INTEGRANTED INCLUDING Dispositives III-V AND OF YES IN OBLEA SAME._x000D_ AN ATHBHREITHNIÚ AR TECHNOLOGY III-V AR Cibé ar tugadh aghaidh air ó bhlianta. NÍ MÓR AN TEICNÍC DE CHINEÁL ÉIGIN FÁS EPITAXIAL A FHÁIL ARD-CHAIGHDEÁN CRIOSTALACH SRAITHEANNA III-V AGUS SAOR Ó LOCHTANNA A D’FHÉADFADH DEGRADE NA SAINTRÉITHE NA FEISTÍ. DÁ BHRÍ SIN, IS PRÍOMHCHÉIMEANNA IAD TEICNÍC ULLMHÚCHÁIN NA BHFOSHRAITHEANNA SI AGUS NA STRAITÉISÍ FÁIS EPITAXIAL DE CHISEAL MAOLÁNACH CHUN COSC A CHUR AR NÚICLÉASÚ NÓ IOMADÚ LOCHTANNA AR SHRAITHEANNA GNÍOMHACHA NA FEISTE A FHÁSTAR AIR FÉIN. NA GNÁTHFHABHTANNA A THARLAÍONN NUAIR A FHÁSANN CISEAL POLACH III-V AR FHOSHRAITH NEAMHPHOLACH MÁS FEARAINN FHRITHPHASE AGUS LOCHTANNA CRUACHTA IAD DE GHNÁTH; I gcás dí-chomhbhailiú líontáin, IS AN MEÁIN NA TENSION MEDIANCE FORMATION OF dislocations Is é PROBLEM._x000D_ PROBABLELY NA hiarratais is geallta de III-V AR Cibé an féidir iad a scaradh le Rialú ELECTRONICAL SI, SOLAR Celles (SC) de HIGH EFICIENCE agus TRANSISTOR METAL-oxido-SEMICONDUCTOR (MOSFET) cé gurbh iad Avondale rogha na coitianta tháinig buachaillí GCM le plean agus chuireadar I bhfeidhm é. _x000D_ — Staidéar ar Silicio SUSTRATS._x000D_ — DÉANAMH DO DHÉANAMH LE hAGHAIDH GNÍOMHAÍOCHTAÍ NA hEORPAIGH._x000D_ _x000D_ — Foirgnimh TEICNIÚLA AGUS TEICNIÚLA DON EAGARTHÓIRÍ DON EAGARTHÓIRÍ in (GA)AS ar ASISLANTE (XOI) agus ar heitreabúis ghaoithe i nana-snáitheanna ar shnáitheanna síoda. (Irish)
4 August 2022
0 references
SILIKONSKA TEHNOLOGIJA ŽE DESETLETJA VODI ELEKTRONSKO IN MIKROELEKTRONSKO PROIZVODNJO ZARADI NIZKIH PROIZVODNIH STROŠKOV IN UČINKOVITOSTI NJENIH NAPRAV. Tako cena sustrate kot tudi vrnitev tehnologije, ali so trenutno nepremagljivi za Smiconductors III-V. Z TEHNOLOGIJA III-V (GAAS, GAP,..) To je bil sposoben samo doom da če v OPTOELECTRONIC APPLICATIONS INDIRECT GAP, če ni predložen za učinkovito Emison of Light (LED, LasERφS,..)._x000D_Obstajajo nekatere aplikacije, kjer se lahko III-V pokrije z več kot eno ceno, vendar je treba proizvodne stroške zmanjšati, vključno z določbami III-V o da. Ta TEHNOLOGIJA III-V O tem, ali bi to lahko omogočilo razvoj novega SPENERACIJE dispozitivnih, integriranih VKLJUČNIH dispozitivnih snovi III-V IN DA V OBLEA SAME._x000D_ RESEARKA NA TEHNOLOGIJI III-V O tem, ali je bila obravnavana že od let. TA TEHNIKA POTREBUJE NEKE VRSTE EPITAKSIAL RAST, DA DOBIMO VISOKOKAKOVOSTNE KRISTALINIČNE III-V PLASTI IN BREZ NAPAK, KI BI LAHKO POSLABŠALE ZNAČILNOSTI NAPRAV. ZATO SO TEHNIKA PRIPRAVE SUBSTRATOV SI IN STRATEGIJE EPITAKSIALNE RASTI PUFERSKE PLASTI KLJUČNI KORAKI ZA PREPREČEVANJE NUKLEACIJE ALI ŠIRJENJA NAPAK NA AKTIVNE PLASTI NAPRAVE, KI SE GOJIJO NA SEBI. OBIČAJNE NAPAKE, KI SE POJAVIJO, KO PLAST POLARNEGA III-V RASTE NA NEPOLARNEM SUBSTRATU, ČE SO OBIČAJNO PROTIFAZNE DOMENE IN NAPAKE PRI ZLAGANJU; V primeru razčlenitve pobotov je še ena dodana PROBLEM._x000D_ PROBABLELY najbolj obetavne vloge III-V OBLIČNOSTI, ali so lahko ločene z elektronskim CONTROLOM SI, SOLAR CELLES (SC) HIGH EFICIENCE IN METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) CANAL-N. OBJEKTI TEGA PROJEKTA so usmerjeni v razvoj teh zadnjih TEHNOLOGIJ: _x000D_ – študija, CRECR IN DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS V kvarteraria GAASNP ALEATION O SILICIO SUSTRATS._x000D_ – razvoj SCIENTIFIKA IN TEHNIČNIH SKLADOV ZA UPORABO nanostruktur V(GA) NA ASISLANTE (XOI) IN razporejene heterostrukture v nanonivojih na SILICIO SUBSTRATES. (Slovenian)
4 August 2022
0 references
СИЛИЦИЕВАТА ТЕХНОЛОГИЯ ВОДИ ЕЛЕКТРОННО И МИКРОЕЛЕКТРОННО ПРОИЗВОДСТВО В ПРОДЪЛЖЕНИЕ НА ДЕСЕТИЛЕТИЯ, ПОРАДИ НИСКИТЕ ПРОИЗВОДСТВЕНИ РАЗХОДИ И ПРОИЗВОДИТЕЛНОСТТА НА СВОИТЕ УСТРОЙСТВА. Както цената на подложката, така и връщането на технологията за това дали в момента те са неподвижни за Smiconductors III-V. Чрез TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Тя е била в състояние да обрече само тази на ако в ОПТОЕЛЕКТРОНИ АПЛИКАЦИИ НА ИНДИРЕКТАТА GAP на ако тя не е представена за ефикасен Emison на светлината (LED, LasER’S,..)._x000D_Има някои приложения, при които III-V може да бъде покрит от повече от една цена, но производствените разходи следва да бъдат намалени, включително разпоредби III-V за „да“. Настоящият ТЕХНОЛОГИЯ III-V относно това дали би могъл да позволи разработването на нова ОБЩА ОБЩИ ОБЩИ, интегрирани ВКЛЮЧЕНИЯ III-V И ДА В ОБЛЕЖДАНЕТО._x000D_ НА ИЗСЛЕДВАНЕТО НА ТЕХНОЛОГИЯ III-V относно това дали е бил разглеждан от години. ТАЗИ ТЕХНИКА СЕ НУЖДАЕ ОТ НЯКАКЪВ ЕПИТАКСИАЛЕН РАСТЕЖ, ЗА ДА СЕ ПОЛУЧАТ ВИСОКОКАЧЕСТВЕНИ КРИСТАЛНИ III-V СЛОЕВЕ И БЕЗ ДЕФЕКТИ, КОИТО БИХА МОГЛИ ДА ВЛОШАТ ХАРАКТЕРИСТИКИТЕ НА ИЗДЕЛИЯТА. СЛЕДОВАТЕЛНО ТЕХНИКАТА НА ПРИГОТВЯНЕ НА СУБСТРАТИТЕ НА SI И ЕПИТАКСИАЛНИТЕ СТРАТЕГИИ ЗА РАСТЕЖ НА БУФЕРНИЯ СЛОЙ СА КЛЮЧОВИ СТЪПКИ ЗА ПРЕДОТВРАТЯВАНЕ НА ОБРАЗУВАНЕТО ИЛИ РАЗПРОСТРАНЕНИЕТО НА ДЕФЕКТИ В АКТИВНИТЕ СЛОЕВЕ НА ИЗДЕЛИЕТО, ОТГЛЕЖДАНИ ВЪРХУ НЕГО. ОБИЧАЙНИТЕ ДЕФЕКТИ, КОИТО ВЪЗНИКВАТ, КОГАТО ПОЛЯРЕН III-V СЛОЙ РАСТЕ ВЪРХУ НЕПОЛЮСЕН СУБСТРАТ, АКО ТЕ ОБИКНОВЕНО СА АНТИФАЗНИ ДОМЕЙНИ И ДЕФЕКТИ ПОДРЕЖДАНЕ; В случай на нетиране-дезагрегация, РЕЛАЯЦИЯ НА МЕДИРАНЕТО НА ФОРМАЦИЯТА НА разместването е друго добавено PROBLEM._x000D_ PROBABLELY най-обещаващите приложения на III-V за това дали те могат да бъдат отделени с електронния КОНТРОЛ НА SI, SOLAR CELLES (SC) НА ВЪЗЛОЖЕНИЕТО И МЕТАЛ-ОКСИДО-СЕМИКОНДУКТОР ТРАНЗИСТОР (MOSFET) ОТ КАНАЛ-N. Обещанията на този проект са насочени към разработването на последните ТЕХНОЛОГИИ, по-конкретно: _x000D_ — проучване, CRECR И DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED IN THE quaternaria GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ — Разработване на SCIENTIFIC И TECHNICAL KNOWINGS FOR THE INTEGRATION OF наноструктури В(GA)AS ON ASISLANTE (XOI) И BASED хетероструктури в нанонишки нишки ON SILICIO SUBSTRATES. (Bulgarian)
4 August 2022
0 references
IT-TEKNOLOĠIJA TAS-SILIKON MEXXIET IL-PRODUZZJONI ELETTRONIKA U MIKROELETTRONIKA GĦAL GĦEXIEREN TA’ SNIN, MINĦABBA L-ISPIŻA BAXXA TAL-MANIFATTURA U L-PRESTAZZJONI TAL-APPARAT TAGĦHA. Kemm il-prezz tas-sustrate kif ukoll ir-ritorn tat-teknoloġija ta ‘jekk humiex attwalment imbassra jew le għall Smiconductors III-V. BY THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,.) Kien biss kapaċi li jagħmlu dak ta ‘jekk fl-APPLIKAZZJONI OPTOELETRONIC TAL-GAP INDIRECT ta ‘jekk ma jiġix ippreżentat għal Emison effiċjenti tad-dawl (LED, LasERрS,..._x000D_Hemm xi applikazzjonijiet fejn l-III-V jista’ jiġi kopert b’aktar minn prezz wieħed, iżda l-ispejjeż tal-manifattura għandhom jitnaqqsu, inklużi d-dispożizzjonijiet III-V dwar iva. Din it-TEKNOLOĠJA III-V DWAR jekk tistax tippermetti l-iżvilupp ta’ ĠENERAZZJONI ġdida tad-dispożittivi, integranti INCLUDING dispożittivi III-V U TA’ IVA Fis-SAME OBLEA._x000D_ IL-RIĊERKA DWAR TEKNOLOĠIJA III-V DWAR Jekk ġiet indirizzata mis-snin. DIN IT-TEKNIKA TEĦTIEĠ XI TIP TA’ TKABBIR EPITASSJALI BIEX TIKSEB SAFFI KRISTALLINI III-V TA’ KWALITÀ GĦOLJA U ĦIELSA MINN DIFETTI LI JISTGĦU JIDDEGRADAW IL-KARATTERISTIĊI TAL-APPARATI. GĦALHEKK, IT-TEKNIKA TA’ PREPARAZZJONI TAS-SOTTOSTRATI SI U L-ISTRATEĠIJI TA’ TKABBIR EPITASSJALI TA’ SAFF TA’ BUFFER HUMA PASSI EWLENIN GĦALL-PREVENZJONI TAN-NUKLEAZZJONI JEW IL-PROPAGAZZJONI TA’ DIFETTI FIS-SAFFI ATTIVI TAL-APPARAT IMKABBRA FUQU NNIFSU. ID-DIFETTI TAS-SOLTU LI JSEĦĦU META SAFF POLARI III-V JIKBER FUQ SUBSTRAT MHUX POLARI JEKK NORMALMENT IKUNU DOMINJI ANTIFAŻI U DIFETTI FL-ISTIVAR; Fil-każ ta ‘diżaggregazzjoni tan-netting, ir-RELAJAZZJONI TAL-Medjazzjoni tat-TENSION mill-FORMAZZJONI DWAR PROBLEM._x000D_ PROBLEM._x000D_ PROBABBELJA L-aktar applikazzjonijiet promettenti TA’ III-V DWAR Jekk jistgħux jiġu inseparati mal-KONTROLLU elettroniku tas-SI, SOLAR CELLES (SC) TA’ EFIĊJENZA GĦOLJA U METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOSFET) TA’ KANALI-N. L-GĦANJETTI TA’ DIN IL-PRJETTIJIET huma diretti lejn l-iżvilupp ta’ dawn l-aħħar TEKNOLOĠIJIET, b’mod konkret: _x000D_ — studju, CRECR U DEVELOP SOLAR THIRD ĠENERAZZJONI KELLI FIL-kwaternarja GAASNP ALEATION FUQ SUSTRATS SILICIO SILICIO._x000D_ — ŻVILUPP TA’ KONTIFIKA U TEKNIKA TEKONIFIKA U TEKNIKA GĦALL-INTEGRAZZJONI tan-nanostrutturi f’GAAS FUQ ASISLANTE (XOI) U heterostructures BASED fil nano-threads fuq SUBSTI SILITIO. (Maltese)
4 August 2022
0 references
A TECNOLOGIA DE SILICONA TEM PRODUÇÃO ELETRÓNICA E MICROELECTRÓNICA DE LEDS PARA DECADES, DEVIDO AO BAIXO CUSTO DE FABRICO E AO DESEMPENHO DOS SEUS DISPOSITIVOS. Tanto o preço do sustrado como o retorno da tecnologia de se eles são ou não actualmente inbasable para SMICONDUCTORS III-V. BY THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Só tem sido capaz de condenar a do if em OPTOELECTRONIC APPLICATIONS OF THE INDIRECT GAP de se não for apresentado para uma eficaz Emison of Light (LED, LasER¿S,..)._x000D_Há algumas aplicações onde o III-V pode ser coberto por mais de um preço, mas os custos de fabricação devem ser reduzidos, incluindo as disposições III-V em sim. Esta TECNOLOGIA III-V Sobre se poderia permitir o desenvolvimento de uma nova GERAÇÃO DE DEPÓSITOS, INTEGRADA INCLUINDO DEPÓSITOS III-V E DE SIM NA OBRIGAÇÃO O MESMO._x000D_ A INVESTIGAÇÃO SOBRE TECNOLOGIA III-V Sobre se tem sido abordada a partir de anos. Esta técnica necessita de algum tipo de crescimento epitáxico para obter camadas cristalinas III-V de alta qualidade e livres de defeitos que possam desvalorizar as características dos dispositivos. Por conseguinte, a técnica de preparação dos substratos SI e as estratégias de crescimento benéficas de uma camada de suporte são passos fundamentais para evitar a acumulação ou a antecipação de defeitos nas camadas activas do próprio dispositivo. Os defeitos usuais que se verificam quando uma camada polar III-V se desenvolve sobre um substrato não polar, se estes forem geralmente dominados por antipofases e defeitos de fixação; No caso de netting-desagregação, a RELAJAÇÃO DA MÉDIA DE TENSÃO A FORMAÇÃO DE deslocamentos é outro PROBLEMA ADICIONADO._x000D_ PROBABLEMENTAMENTE as aplicações mais promissoras de III-V Sobre se podem ser inseparáveis com o CONTROLO ELECTRÓNICO DE SI, CÉLULAS SOLARES (SC) DE ELEVADA EFICIÊNCIA E METAL-ÓXIDO-SEMICONDUTOR TRANSISTOR (MOSFET) DO CANAL-N. Os OBJETIVOS DO PRESENTE PROJETO estão direcionados para o desenvolvimento destas últimas TECNOLOGIAS, CONCRETAMENTE: _x000D_ — Estudo, CRECR E DESENVOLVIMENTO DE CÉLULAS SOLARES DE TERCEIRA GERAÇÃO BASEADAS NA ALEAÇÃO DE GAASNP DA QUATERNARIA EM SUSTRATOS DE SILICIO._x000D_ — DESENVOLVIMENTO DE CONHECIMENTOS CIENTÍFICOS E TÉCNICOS PARA A INTEGRAÇÃO DE NANOESTRUTURAS EM (GA) COMO EM ASISLANTE (XOI) E heteroestruturas BASEADAS em nanofios EM SUBSTRATOS DE SILICIO. (Portuguese)
4 August 2022
0 references
SILICIUMTEKNOLOGI HAR FØRT TIL ELEKTRONISK OG MIKROELEKTRONISK PRODUKTION I ÅRTIER PÅ GRUND AF DE LAVE PRODUKTIONSOMKOSTNINGER OG DENS UDSTYRS YDEEVNE. Både prisen på sustraten samt tilbageleveringen af teknologien for, om de i øjeblikket er ubasable for Smiconductors III-V. Af TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Det har kun været i stand til at underkende den, hvis i OPTOELEKTRONISKE APPLIKATIONER AF INDIRECT GAP, hvis det ikke er fremlagt for en effektiv Emison of Light (LED, der er nogle anvendelser, hvor III-V kan dækkes af mere end én pris, men produktionsomkostningerne bør reduceres, herunder bestemmelser III-V om ja. Denne TEKNOLOGY III-V om det kunne tillade udvikling af en ny GENERATION AF dispositiver, integreret INCLUDING dispositiver III-V OG JA I OBLEA SAME._x000D_ THE RESEARCH ON TECHNOLOGY III-V ON Uanset om det er blevet behandlet fra år. DENNE TEKNIK HAR BRUG FOR EN FORM FOR EPITAKSIAL VÆKST FOR AT OPNÅ HØJ KVALITET KRYSTALLINSKE III-V LAG OG FRI FOR DEFEKTER, DER KAN NEDBRYDE EGENSKABERNE AF ENHEDERNE. DERFOR ER TEKNIKKEN TIL FREMSTILLING AF SI-SUBSTRATERNE OG EPITAKSIALE VÆKSTSTRATEGIER FOR ET BUFFERLAG VIGTIGE SKRIDT TIL AT FORHINDRE NUKLEATION ELLER FORMERING AF DEFEKTER TIL DE AKTIVE LAG AF ENHEDEN DYRKET PÅ SIG SELV. DE SÆDVANLIGE FEJL, DER OPSTÅR, NÅR ET POLÆRT III-V-LAG VOKSER PÅ ET IKKE-POLÆRT SUBSTRAT, HVIS DE NORMALT ER ANTIFASEDOMÆNER OG STABLINGSFEJL I tilfælde af netting-opdeling, er RELAJATION AF TENSION Mægling AF dislokationer en anden additeret PROBLEM._x000D_ PROBABLELY de mest lovende anvendelser af III-V om de kan være insepareret med den elektroniske CONTROL OF SI, SOLAR KELLES (SC) AF HØJDE EFICIENCE OG METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) AF KANAL-N. MÅL FOR DENNE PROJEKTIV er rettet mod udviklingen af disse sidste TEKNOLOGIER, konkret: _x000D_ — undersøgelse, CRECR OG DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLSERET I quaternaria GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ — UDVIKLING AF SCIENTIFISKE OG TEKNIKISKE KONGERER TIL INTEGRATION af nanostrukturer i (GA)AS ON ASISLANTE (XOI) OG BASED heterostrukturer i nano-tråde på SILICIO SUBSTRATES. (Danish)
4 August 2022
0 references
TEHNOLOGIA SILICIULUI A CONDUS PRODUCȚIA ELECTRONICĂ ȘI MICROELECTRONICĂ TIMP DE DECENII, DATORITĂ COSTULUI SCĂZUT DE FABRICAȚIE ȘI PERFORMANȚEI DISPOZITIVELOR SALE. Atât prețul sustratului, cât și revenirea tehnologiei de a fi sau nu imbatabile în prezent pentru Smiconductori III-V. Prin TEHNOLOGIA III-V (GAAS, GAP,..) Acesta a fost capabil să-l condamne doar pe cel al în cazul în care în cazul în care în OPTOELECTRONIC GAP de în cazul în care nu este prezentat pentru o Emison eficientă de lumină (LED, lasere,..)._x000D_Există unele aplicații în care III-V pot fi acoperite cu mai mult de un preț, dar costurile de fabricație ar trebui reduse, inclusiv dispozițiile III-V privind da. Această TEHNOLOGIE III-V PE dacă ar putea permite dezvoltarea unei noi GENERAȚII de dispozitivi, integrante INCLUDING dispozitive III-V ȘI DA în OBLEA SAME._x000D_ CERCETARE LA TEHNOLOGIA III-V PE Indiferent dacă a fost abordată de ani de zile. ACEASTĂ TEHNICĂ ARE NEVOIE DE UN FEL DE CREȘTERE EPITAXIALĂ PENTRU A OBȚINE STRATURI CRISTALINE III-V DE ÎNALTĂ CALITATE ȘI FĂRĂ DEFECTE CARE AR PUTEA DEGRADA CARACTERISTICILE DISPOZITIVELOR. PRIN URMARE, TEHNICA DE PREPARARE A SUBSTRATURILOR SI ȘI STRATEGIILE DE CREȘTERE EPITAXIALĂ ALE UNUI STRAT TAMPON SUNT PAȘI-CHEIE PENTRU A PREVENI NUCLEAREA SAU PROPAGAREA DEFECTELOR LA STRATURILE ACTIVE ALE DISPOZITIVULUI CARE SE DEZVOLTĂ SINGUR. DEFECTELE OBIȘNUITE CARE APAR ATUNCI CÂND UN STRAT POLAR III-V CREȘTE PE UN SUBSTRAT NEPOLAR DACĂ SUNT DE OBICEI DOMENII ANTIFAZATE ȘI DEFECTE DE STIVUIRE; În cazul dezagregării de compensare, RELAJAREA TENSIUNII Medianței Formarea dislocărilor este un alt PROBLEM Adited._x000D_ PROBLELY Cele mai promițătoare aplicații ale III-V PE Dacă acestea pot fi inseparate de CONTROLUL electronic al SI, CELELE SOLARe (SC) ale EFICIENȚEI ȘI TRANSISTORULUI METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOSFET) OF CANAL-N. OBJECTIVEle acestui proiect sunt orientate spre dezvoltarea acestor ultime tehnologii, concret: _x000D_ – studiu, CRECR AND DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED in the quaternaria GAASNP ALEATION on SUSTRATS SILICIO._x000D_ – Dezvoltarea cunoștințelor științifice și tehnologice pentru INTEGRAREA nanostructurilor din (GA) pe ASISLANTE (XOI) ȘI heterostructuri BASED în nano-threads on SILICIO SUBSTRATES. (Romanian)
4 August 2022
0 references
KISELTEKNIKEN HAR LETT TILL ELEKTRONISK OCH MIKROELEKTRONISK PRODUKTION I ÅRTIONDEN, PÅ GRUND AV DEN LÅGA TILLVERKNINGSKOSTNADEN OCH PRESTANDAN HOS DESS PRODUKTER. Både priset på sustratet och returen av tekniken oavsett om de för närvarande är imbasable för Smiconductors III-V. BY THE TECHNOLOGY III-V (GAAS, GAP,..) Det har bara kunnat döma den för om i OPTOELECTRONIC APPLICATIONER AV DEN INDIRECT GAP av om den inte föreslås för en effektiv Emison of Light (LED, LasER-S,...)._x000D_Det finns vissa tillämpningar där III-V kan täckas av mer än ett pris, men tillverkningskostnaderna bör minskas, inklusive bestämmelserna III-V om ja. Denna TEKNOLOGY III-V PÅ Huruvida den skulle kunna möjliggöra utvecklingen av en ny GENERATION OF dispositives, inte beviljad INCLUDING dispositives III-V OCH JA I OBLEA SAME._x000D_ RESEARCHEN OM TECHNOLOGY III-V OM huruvida den har behandlats från flera år. DENNA TEKNIK BEHÖVER NÅGON FORM AV EPITAXIELL TILLVÄXT FÖR ATT FÅ HÖGKVALITATIVA KRISTALLINA III-V LAGER OCH FRI FRÅN DEFEKTER SOM KAN FÖRSÄMRA EGENSKAPERNA HOS PRODUKTERNA. DÄRFÖR ÄR TEKNIKEN FÖR BEREDNING AV SI-SUBSTRATEN OCH DE EPITAXIELLA TILLVÄXTSTRATEGIERNA FÖR ETT BUFFERTSKIKT VIKTIGA STEG FÖR ATT FÖRHINDRA KÄRNBILDNING ELLER SPRIDNING AV DEFEKTER TILL DE AKTIVA LAGREN AV PRODUKTEN SOM VÄXER PÅ SIG SJÄLV. DE VANLIGA DEFEKTER SOM UPPSTÅR NÄR ETT POLÄRT III-V-SKIKT VÄXER PÅ ETT ICKE-POLÄRT SUBSTRAT OM DE VANLIGTVIS ÄR ANTIFASDOMÄNER OCH STAPLINGSDEFEKTER. När det gäller nettning-uppdelning är RELAJATION OF THE TENSION Mediance THE FORMATION of Dislocations en annan additerad PROBLEM._x000D_ PROBABLELY De mest lovande ansökningarna AV III-V OM huruvida de kan vara inseparerade med de elektroniska KONTROLLEN AV SI, SOLAR CELLES (SC) OF HIGH EFICIENCE OCH METAL-OXIDO-SEMINDUCTOR TRANSISTOR (MOSFET) OF CANAL-N. DENNA PROJEKTIV är inriktade på utvecklingen av dessa sista TECHNOLOGIER, konkret: _x000D_ – studie, CRECR OCH DEVELOP SOLAR THIRD GENERATION CELLS BASED in the kvartria GAASNP ALEATION ON SILICIO SUSTRATS._x000D_ – Utveckling av SCIENTIFIKA OCH TECHNICAL VETOWINGS FÖR INTEGRATIONER av nanostrukturer I(GA)AS ON ASISLANTE (XOI) och BASED heterostrukturer i nanotrådar på SILICIO SUBSTRATER. (Swedish)
4 August 2022
0 references
Madrid
0 references
20 December 2023
0 references
Identifiers
TEC2016-78433-R
0 references