INTERLAYER CONTROL FOR THE REALISATION OF ADVANCED PHYSICAL PHENOMENA AND ELECTRONIC DEVICES (Q3198686)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3198686 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | INTERLAYER CONTROL FOR THE REALISATION OF ADVANCED PHYSICAL PHENOMENA AND ELECTRONIC DEVICES |
Project Q3198686 in Spain |
Statements
197,653.5 Euro
0 references
363,000.0 Euro
0 references
54.45 percent
0 references
1 January 2016
0 references
31 December 2019
0 references
ASOC CIC NANOGUNE
0 references
20018
0 references
LA TENDENCIA ACTUAL EN LA MINIATURIZACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS REQUIERE QUE EL TAMAÑO DE CADA COMPONENTE INDIVIDUAL SE REDUZCA PROGRESIVAMENTE, EN CONSECUENCIA LAS PROPIEDADES DE VOLUMEN INTRINSECAS DE LOS PROPIOS MATERIALES SON CADA VEZ MENOS IMPORTANTES Y LAS INTERCAPAS ENTRE DIFERENTES MATERIALES SE ESTAN HACIENDO CADA VEZ MAS RELEVANTES. LAS INTERCAPAS SE ENCUENTRAN ACTUALMENTE EN EL CENTRO DE PRACTICAMENTE CUALQUIER DISPOSITIVO NANOELECTRONICA. DESDE EL PUNTO DE VISTA FUNDAMENTAL, LAS INTERCAPAS PRESENTAN NUEVOS FENOMENOS FISICOS QUE NO SE ENCUENTRAN EN LOS MATERIALES DE FRONTERA Y PUEDEN DE ESTA FORMA ABRIR EL CAMINO A ZONAS INEXPLORADAS DE POTENCIAL TECNOLOGICO VIRGEN. EN ESTE PROYECTO, NUESTRO OBJETIVO ES LA COMPRENSION Y EL CONTROL DE LAS INTERCAPAS PARA PRODUCIR FENOMENOS FISICOS AVANZADOS Y DISPOSITIVOS QUE PUEDAN TENER UN IMPACTO EN EL FUTURO DE LA INDUSTRIA ELECTRONICA._x000D_ EL PROYECTO, TENIENDO EN CUENTA NUESTRA EXPERIENCIA INVESTIGADORA Y EL EQUIPAMIENTO DISPONIBLE, SE HA DIVIDIDO EN TRES SECCIONES QUE SON: INTERCAPAS PARA LA ESPINTRONICA, METAL / INTERCPAS METAL/MOLECULA E INTERCAPAS MATERIAL 2D/MOLECULA, RESPECTIVAMENTE. EN LA PRIMERA SECCION EXPLORAREMOS LA CONVERSION DE CORRIENTES DE CARGA A CORRIENTES DE ESPIN POR MEDIO DE VALVULAS DE ESPIN NO LOCALES. EN LAS INTERCAPAS ENTRE DIFERENTES METALES Y ENTRES METALES Y OTROS MATERIALES COMO AISLANTES TOPOLOGICOS ESPERAMOS OBTENER UNA GRAN CONVERSION ENTRE LA CARGA Y EL ESPIN SIENDO CAPACES DE CREAR CORRIENTES DE ESPIN SIN MATERIALES FERROMAGNETICOS. IGUALMENTE ASPIRAMOS A CONTROLAR LAS CORRIENTES PURAS DE ESPIN POR MEDIO DEL FENOMENO DE TRANSFERENCIA DE ESPIN EN INTERCAPAS ENTRE METALES O GRAFENO CON AISLANTES MAGNETICOS. ESTE CONTROL DE LAS CORRIENTES DE ESPIN NOS COLOCARA MAS CERCA DEL LARGAMENTE CODICIADO TRANSISTOR DE ESPIN. EN LA SEGUNDA SECCION, PRIMERO EXPLORAREMOS LA ALINEACION DE LOS NIVELES DE ENERGIA ENTRE METALES Y SEMICONDUCTORES MOLECULARES (TANTO PEQUEÑAS MOLECULAS COMO POLIMEROS). ESTA ALINEACION DETERMINA EL RENDIMIENTO DE PRACTICAMENTE TODOS LOS DISPOSITIVOS ORGANICOS (POR EJEMPLO, OLEDS O CELDAS FOTOVOLTAICAS) Y SU DETERMINACION EN UNA CONFIGURACION SIMPLE SERIA UN GRAN AVANCE PRACTICO EN EL CAMPO. TAMBIEN ESPERAMOS CONTROLAR TAL ALINEACION DE ENERGIA A TRAVES DE LA MODIFICACION DE LA INTERCAPA POR MEDIO DE MOLECULAS DIPOLARES, MIENTRAS QUE COTEJAREMOS LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON LOS DATOS INDEPENDIENTES PROCEDENTES DE ESPECTROSCOPIA DE FOTOEMISION. MAS ALLA DE LA SINTONIZACION DE ENERGIA EN LAS INTERCAPAS, NUESTRO OBJETIVO ES TAMBIEN LA CREACION DE NUEVOS MATERIALES EN LA SUPERFICIE DE METALES REACTIVOS POR MEDIO DE DEPOSICION MOLECULAR. ESTA ES UN AREA EN GRAN PARTE INEXPLORADA Y ESPERAMOS SER CAPACES DE CREAR BITS MAGNETICOS EN LA NANOESCALA SOBRE SUSTRATOS TALES COMO COBRE. EN LA TERCERA Y ULTIMA SECCION VAMOS A EXPLORAR LA BARRERA SCHOTTKY EN LA INTERCAPA ENTRE DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION BIDIMENSIONALES Y SEMICONDUCTORES MOLECULARES. HAREMOS USO DE MATERIALES TANTO TIPO P COMO TIPO N PARA AVANZAR EN LA REALIZACION DE CIRCUITOS COMPLEJOS, TALES COMO OSCILADORES Y CELULAS FOTOVOLTAICAS CONTROLADAS POR UNA TENSION DE PUERTA EXTERNA. (Spanish)
0 references
THE CURRENT TREND IN THE MINIATURISATION OF ELECTRONIC DEVICES REQUIRES THAT THE SIZE OF EACH INDIVIDUAL COMPONENT IS PROGRESSIVELY REDUCED, CONSEQUENTLY THE INTRICATE VOLUME PROPERTIES OF THE MATERIALS THEMSELVES ARE BECOMING LESS AND LESS IMPORTANT AND THE INTERLAYERS BETWEEN DIFFERENT MATERIALS ARE BECOMING INCREASINGLY RELEVANT. THE INTERLAYERS ARE CURRENTLY AT THE CENTER OF PRACTICALLY ANY NANOELECTRONIC DEVICE. FROM THE FUNDAMENTAL POINT OF VIEW, THE INTERLAYERS PRESENT NEW PHYSICAL PHENOMENA THAT ARE NOT FOUND IN THE BORDER MATERIALS AND THUS CAN OPEN THE WAY TO UNEXPLORED AREAS OF TECHNOLOGICAL POTENTIAL VIRGIN. In this project, our employer is the purchase and control of the interlayers to produce advanced and advanced physical phenomena and provisions that may have an impact on the future of the electronic industry._x000D_ THE PROJECT, having REGARD TO OUR RESEARCH EXPERIENCE AND AVAILABLE EQUIPMENT, it has been divided into three sections which are: INTERLAYERS FOR SPINTRONICA, METAL/INTERCPAS METAL/MOLECULE AND 2D/MOLECULE MATERIAL INTERLAYERS, RESPECTIVELY. IN THE FIRST SECTION WE WILL EXPLORE THE CONVERSION OF LOAD CURRENTS TO ESPIN CURRENTS BY MEANS OF NON-LOCAL ESPIN VALVES. IN THE INTERLAYERS BETWEEN DIFFERENT METALS AND BETWEEN METALS AND OTHER MATERIALS SUCH AS TOPOLOGICOS INSULATORS WE HOPE TO OBTAIN A LARGE CONVERSION BETWEEN THE LOAD AND THE ESPIN BEING ABLE TO CREATE CURRENTS OF ESPIN WITHOUT FERROMAGNETIC MATERIALS. WE ALSO ASPIRE TO CONTROL THE PURE CURRENTS OF ESPIN BY MEANS OF THE PHENOMENE TRANSFER OF ESPIN IN INTERLAYERS BETWEEN METALS OR GRAPHENE WITH MAGNETIC INSULATORS. THIS CONTROL OF THE CURRENTS OF ESPIN WILL PLACE US CLOSER TO THE LONG-AWAITED TRANSISTOR OF ESPIN. IN THE SECOND SECTION, WE WILL FIRST EXPLORE THE ALIGNMENT OF ENERGY LEVELS BETWEEN METALS AND MOLECULAR SEMICONDUCTORS (BOTH SMALL MOLECULES AND POLYMERS). THIS ALIGNMENT DETERMINES THE PERFORMANCE OF PRACTICALLY ALL ORGANIC DEVICES (E.G., OLEDS OR PHOTOVOLTAIC CELLS) AND THEIR DETERMINATION IN A SIMPLE CONFIGURATION WOULD BE A GREAT PRACTICAL ADVANCE IN THE FIELD. WE ALSO HOPE TO CONTROL SUCH ENERGY ALIGNMENT THROUGH THE MODIFICATION OF THE INTERLAYER BY MEANS OF DIPOLAR MOLECULES, WHILE WE WILL COMPARE THE RESULTS OBTAINED WITH THE INDEPENDENT DATA FROM FOTOEMISION SPECTROSCOPY. BEYOND THE ENERGY TUNING IN THE INTERLAYERS, OUR GOAL IS ALSO THE CREATION OF NEW MATERIALS ON THE SURFACE OF REACTIVE METALS BY MEANS OF MOLECULAR DEPOSITION. THIS IS A LARGELY UNEXPLORED AREA AND WE HOPE TO BE ABLE TO CREATE MAGNETIC BITS ON THE NANOSCALE OVER SUBSTRATES SUCH AS COPPER. IN THE THIRD AND FINAL SECTION WE WILL EXPLORE THE SCHOTTKY BARRIER IN THE INTERLAYER BETWEEN TWO-DIMENSIONAL TRANSITION METAL DICALCOGENIDES AND MOLECULAR SEMICONDUCTORS. WE WILL USE MATERIALS BOTH TYPE P AND TYPE N TO ADVANCE THE REALISATION OF COMPLEX CIRCUITS, SUCH AS OSCILLATORS AND PHOTOVOLTAIC CELLS CONTROLLED BY AN EXTERNAL DOOR TENSION. (English)
13 October 2021
0.3377399979662911
0 references
LA TENDANCE ACTUELLE À LA MINIATURISATION DES APPAREILS ÉLECTRONIQUES EXIGE QUE LA TAILLE DE CHAQUE COMPOSANT SOIT PROGRESSIVEMENT RÉDUITE, DE SORTE QUE LES PROPRIÉTÉS VOLUMIQUES COMPLEXES DES MATÉRIAUX EUX-MÊMES DEVIENNENT DE MOINS EN MOINS IMPORTANTES ET QUE LES INTERCALAIRES ENTRE LES DIFFÉRENTS MATÉRIAUX DEVIENNENT DE PLUS EN PLUS PERTINENTS. LES INTERCALAIRES SONT ACTUELLEMENT AU CENTRE DE PRATIQUEMENT N’IMPORTE QUEL DISPOSITIF NANOÉLECTRONIQUE. DU POINT DE VUE FONDAMENTAL, LES INTERCALAIRES PRÉSENTENT DE NOUVEAUX PHÉNOMÈNES PHYSIQUES QUI NE SE TROUVENT PAS DANS LES MATÉRIAUX DE LA FRONTIÈRE ET PEUVENT AINSI OUVRIR LA VOIE À DES ZONES INEXPLORÉES DE POTENTIEL TECHNOLOGIQUE VIRGIN. Dans ce projet, notre employeur est l’achat et le contrôle des intercalaires pour produire des phénomènes physiques avancés et avancés et des dispositions susceptibles d’avoir un impact sur l’avenir de l’industrie électronique._x000D_ LE PROJET, ayant VERTU À NOS EXPÉRIENCE DE RECHERCHE ET ÉQUIPEMENT DISPONIBLE, il a été divisé en trois sections qui sont: INTERCALAIRES POUR LES INTERCALAIRES SPINTRONICA, MÉTAL/INTERCPAS MÉTAL/MOLÉCULE ET 2D/MOLÉCULE, RESPECTIVEMENT. DANS LA PREMIÈRE SECTION, NOUS EXPLORERONS LA CONVERSION DES COURANTS DE CHARGE EN COURANTS ESPIN AU MOYEN DE VANNES ESPIN NON LOCALES. DANS LES INTERCALAIRES ENTRE LES DIFFÉRENTS MÉTAUX ET ENTRE LES MÉTAUX ET D’AUTRES MATÉRIAUX TELS QUE LES ISOLANTS TOPOLOGICOS, NOUS ESPÉRONS OBTENIR UNE GRANDE CONVERSION ENTRE LA CHARGE ET L’ESPIN CAPABLE DE CRÉER DES COURANTS D’ESPIN SANS MATÉRIAUX FERROMAGNÉTIQUES. NOUS ASPIRONS ÉGALEMENT À CONTRÔLER LES COURANTS PURS D’ESPIN PAR LE TRANSFERT DE PHÉNOMÈNE D’ESPIN DANS LES INTERCALAIRES ENTRE MÉTAUX OU GRAPHÈNES AVEC DES ISOLANTS MAGNÉTIQUES. CE CONTRÔLE DES COURANTS D’ESPIN NOUS RAPPROCHERA DU TRANSISTOR TANT ATTENDU D’ESPIN. DANS LA DEUXIÈME SECTION, NOUS EXAMINERONS D’ABORD L’ALIGNEMENT DES NIVEAUX D’ÉNERGIE ENTRE LES MÉTAUX ET LES SEMI-CONDUCTEURS MOLÉCULAIRES (TANT LES PETITES MOLÉCULES QUE LES POLYMÈRES). CET ALIGNEMENT DÉTERMINE LES PERFORMANCES DE PRATIQUEMENT TOUS LES APPAREILS ORGANIQUES (E.G., OLED OU CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES) ET LEUR DÉTERMINATION DANS UNE CONFIGURATION SIMPLE SERAIT UNE AVANCÉE PRATIQUE IMPORTANTE SUR LE TERRAIN. NOUS ESPÉRONS ÉGALEMENT CONTRÔLER CET ALIGNEMENT ÉNERGÉTIQUE PAR LA MODIFICATION DE L’INTERCALAIRE AU MOYEN DE MOLÉCULES DIPOLAIRES, TANDIS QUE NOUS COMPARERONS LES RÉSULTATS OBTENUS AVEC LES DONNÉES INDÉPENDANTES DE LA SPECTROSCOPIE FOTOEMISION. AU-DELÀ DU RÉGLAGE ÉNERGÉTIQUE DANS LES INTERCALAIRES, NOTRE OBJECTIF EST AUSSI LA CRÉATION DE NOUVEAUX MATÉRIAUX À LA SURFACE DES MÉTAUX RÉACTIFS AU MOYEN DE DÉPÔTS MOLÉCULAIRES. IL S’AGIT D’UNE ZONE LARGEMENT INEXPLORÉE ET NOUS ESPÉRONS POUVOIR CRÉER DES BITS MAGNÉTIQUES À L’ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE SUR DES SUBSTRATS TELS QUE LE CUIVRE. DANS LA TROISIÈME ET DERNIÈRE SECTION, NOUS EXPLORERONS LA BARRIÈRE SCHOTTKY DANS L’INTERCALAIRE ENTRE LES DICALCOGENIDES MÉTALLIQUES BIDIMENSIONNELS ET LES SEMI-CONDUCTEURS MOLÉCULAIRES. NOUS UTILISERONS DES MATÉRIAUX DE TYPE P ET DE TYPE N POUR FAIRE PROGRESSER LA RÉALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, TELS QUE LES OSCILLATEURS ET LES CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES CONTRÔLÉES PAR UNE TENSION EXTÉRIEURE DE PORTE. (French)
4 December 2021
0 references
DER AKTUELLE TREND BEI DER MINIATURISIERUNG ELEKTRONISCHER GERÄTE SETZT VORAUS, DASS DIE GRÖSSE JEDES EINZELNEN BAUTEILS NACH UND NACH REDUZIERT WIRD, SO DASS DIE KOMPLIZIERTEN VOLUMENEIGENSCHAFTEN DER MATERIALIEN SELBST IMMER WENIGER WICHTIG WERDEN UND DIE ZWISCHENSCHICHTEN ZWISCHEN VERSCHIEDENEN MATERIALIEN ZUNEHMEND RELEVANT WERDEN. DIE ZWISCHENSCHICHTEN BEFINDEN SICH DERZEIT IM ZENTRUM VON PRAKTISCH JEDEM NANOELEKTRONISCHEN GERÄT. AUS FUNDAMENTALER SICHT PRÄSENTIEREN DIE ZWISCHENSCHICHTEN NEUE PHYSIKALISCHE PHÄNOMENE, DIE NICHT IN DEN GRENZMATERIALIEN ZU FINDEN SIND UND SO DEN WEG FÜR UNERFORSCHTE BEREICHE DES TECHNOLOGISCHEN POTENZIALS VIRGIN ÖFFNEN KÖNNEN. In diesem Projekt ist unser Arbeitgeber der Kauf und die Kontrolle der Zwischenschichten, um fortgeschrittene und fortschrittliche physikalische Phänomene und Bestimmungen zu produzieren, die Auswirkungen auf die Zukunft der elektronischen Industrie haben können._x000D_ THE PROJECT, mit REGARD auf unsere RESEARCH EXPERIENCE und AVAILABLE EQUIPMENT, wurde in drei Abschnitte unterteilt: ZWISCHENSCHICHTEN FÜR SPINTRONICA, METALL/INTERCPAS METALL/MOLEKÜL UND 2D/MOLECULE MATERIAL ZWISCHENSCHICHTEN. IM ERSTEN ABSCHNITT WERDEN WIR DIE UMWANDLUNG VON LASTSTRÖMEN AUF ESPIN-STRÖME MITTELS NICHT-LOKALER ESPIN-VENTILE UNTERSUCHEN. IN DEN ZWISCHENSCHICHTEN ZWISCHEN VERSCHIEDENEN METALLEN UND ZWISCHEN METALLEN UND ANDEREN MATERIALIEN WIE TOPOLOGICOS-ISOLATOREN HOFFEN WIR, EINE GROSSE UMWANDLUNG ZWISCHEN LAST UND ESPIN ZU ERREICHEN, DIE STRÖME VON ESPIN OHNE FERROMAGNETISCHE MATERIALIEN ERZEUGEN KANN. WIR STREBEN AUCH AN, DIE REINEN STRÖME VON ESPIN DURCH DEN PHENOMENTRANSFER VON ESPIN IN ZWISCHENSCHICHTEN ZWISCHEN METALLEN ODER GRAPHEN MIT MAGNETISCHEN ISOLATOREN ZU STEUERN. DIESE KONTROLLE DER STRÖME VON ESPIN WIRD UNS DEM LANG ERWARTETEN TRANSISTOR VON ESPIN NÄHER BRINGEN. IM ZWEITEN ABSCHNITT WERDEN WIR ZUNÄCHST DIE AUSRICHTUNG DER ENERGIENIVEAUS ZWISCHEN METALLEN UND MOLEKULAREN HALBLEITERN (SOWOHL KLEINE MOLEKÜLE ALS AUCH POLYMERE) UNTERSUCHEN. DIESE AUSRICHTUNG BESTIMMT DIE LEISTUNG VON PRAKTISCH ALLEN ORGANISCHEN GERÄTEN (E.G., OLEDS ODER PHOTOVOLTAIKZELLEN) UND IHRE BESTIMMUNG IN EINER EINFACHEN KONFIGURATION WÄRE EIN GROSSER PRAKTISCHER FORTSCHRITT AUF DEM GEBIET. WIR HOFFEN AUCH, DIESE ENERGIEAUSRICHTUNG DURCH DIE MODIFIKATION DER ZWISCHENSCHICHT MITTELS DIPOLARER MOLEKÜLE ZU STEUERN, WÄHREND WIR DIE ERGEBNISSE MIT DEN UNABHÄNGIGEN DATEN AUS DER FOTOEMISION-SPEKTROSKOPIE VERGLEICHEN. ÜBER DIE ENERGIEABSTIMMUNG IN DEN ZWISCHENSCHICHTEN HINAUS IST UNSER ZIEL AUCH DIE SCHAFFUNG NEUER MATERIALIEN AUF DER OBERFLÄCHE REAKTIVER METALLE MITTELS MOLEKULARER DEPOSITION. DIES IST EIN WEITGEHEND UNERFORSCHTES GEBIET UND WIR HOFFEN, MAGNETISCHE BITS AUF DER NANOSKALA ÜBER SUBSTRATE WIE KUPFER ZU ERSTELLEN. IM DRITTEN UND LETZTEN ABSCHNITT WERDEN WIR DIE SCHOTTKY-BARRIERE IN DER ZWISCHENSCHICHT ZWISCHEN ZWEIDIMENSIONALEN ÜBERGANGSMETALLEN DICALCOGENIDES UND MOLEKULAREN HALBLEITERN ERFORSCHEN. WIR WERDEN MATERIALIEN SOWOHL TYP P ALS AUCH TYP N VERWENDEN, UM DIE REALISIERUNG KOMPLEXER SCHALTUNGEN, WIE OSZILLATOREN UND PHOTOVOLTAIKZELLEN, DIE DURCH EINE EXTERNE TÜRSPANNUNG GESTEUERT WERDEN, VORANZUTREIBEN. (German)
9 December 2021
0 references
DE HUIDIGE TREND IN DE MINIATURISERING VAN ELEKTRONISCHE APPARATEN VEREIST DAT DE GROOTTE VAN ELKE AFZONDERLIJKE COMPONENT GELEIDELIJK WORDT VERMINDERD, WAARDOOR DE INGEWIKKELDE VOLUME-EIGENSCHAPPEN VAN DE MATERIALEN ZELF STEEDS MINDER BELANGRIJK WORDEN EN DE TUSSENLAGEN TUSSEN VERSCHILLENDE MATERIALEN STEEDS RELEVANTER WORDEN. DE TUSSENLAGEN BEVINDEN ZICH MOMENTEEL IN HET CENTRUM VAN VRIJWEL ELK NANO-ELEKTRONISCH APPARAAT. VANUIT FUNDAMENTEEL OOGPUNT PRESENTEREN DE TUSSENLAGEN NIEUWE FYSISCHE FENOMENEN DIE NIET IN DE GRENSMATERIALEN VOORKOMEN EN ZO DE WEG KUNNEN OPENEN NAAR ONONTDEKTE GEBIEDEN VAN TECHNOLOGISCH POTENTIEEL VIRGIN. In dit project is onze werkgever de aankoop en controle van de tussenlagen om geavanceerde en geavanceerde fysieke fenomenen en voorzieningen te produceren die van invloed kunnen zijn op de toekomst van de elektronische industrie._x000D_ THE PROJECT, met REGARD TO ONZE RESEARCH EXPERIENCE EN BESCHIKBAAR EQUIPMENT, is het verdeeld in drie secties: TUSSENLAGEN VOOR SPINTRONICA, METAAL/INTERCPAS METAAL/MOLECUUL EN 2D/MOLECULE MATERIAAL TUSSENLAGEN, RESPECTIEVELIJK. IN HET EERSTE DEEL ZULLEN WE DE OMZETTING VAN LADINGSSTROMEN IN ESPIN-STROMINGEN ONDERZOEKEN DOOR MIDDEL VAN NIET-LOKALE ESPIN-KLEPPEN. IN DE TUSSENLAGEN TUSSEN VERSCHILLENDE METALEN EN TUSSEN METALEN EN ANDERE MATERIALEN ZOALS TOPOLOGICOS ISOLATOREN HOPEN WE EEN GROTE CONVERSIE TE VERKRIJGEN TUSSEN DE LADING EN DE ESPIN OM STROMINGEN VAN ESPIN TE CREËREN ZONDER FERROMAGNETISCHE MATERIALEN. WE STREVEN ER OOK NAAR OM DE ZUIVERE STROMINGEN VAN ESPIN TE BEHEERSEN DOOR MIDDEL VAN DE FENOMEENOVERDRACHT VAN ESPIN IN TUSSENLAGEN TUSSEN METALEN OF GRAFEEN MET MAGNETISCHE ISOLATOREN. DEZE CONTROLE VAN DE STROMINGEN VAN ESPIN ZAL ONS DICHTER BIJ DE LANGVERWACHTE TRANSISTOR VAN ESPIN BRENGEN. IN HET TWEEDE DEEL ZULLEN WE EERST DE AFSTEMMING VAN ENERGIENIVEAUS TUSSEN METALEN EN MOLECULAIRE HALFGELEIDERS (ZOWEL KLEINE MOLECULEN ALS POLYMEREN) ONDERZOEKEN. DEZE UITLIJNING BEPAALT DE PRESTATIES VAN VRIJWEL ALLE ORGANISCHE APPARATEN (E.G., OLED’S OF FOTOVOLTAÏSCHE CELLEN) EN HUN BEPALING IN EEN EENVOUDIGE CONFIGURATIE ZOU EEN GROTE PRAKTISCHE VOORUITGANG IN HET VELD ZIJN. WE HOPEN OOK DERGELIJKE ENERGIE-UITLIJNING TE CONTROLEREN DOOR MIDDEL VAN DE MODIFICATIE VAN DE TUSSENLAAG DOOR MIDDEL VAN DIPOLAIRE MOLECULEN, TERWIJL WE DE VERKREGEN RESULTATEN ZULLEN VERGELIJKEN MET DE ONAFHANKELIJKE GEGEVENS VAN FOTOEMISION SPECTROSCOPIE. NAAST DE ENERGIEAFSTEMMING IN DE TUSSENLAGEN IS ONS DOEL OOK HET CREËREN VAN NIEUWE MATERIALEN OP HET OPPERVLAK VAN REACTIEVE METALEN DOOR MIDDEL VAN MOLECULAIRE DEPOSITIE. DIT IS EEN GROTENDEELS ONONTGONNEN GEBIED EN WE HOPEN MAGNETISCHE BITS TE KUNNEN MAKEN OP DE NANOSCHAAL OVER SUBSTRATEN ZOALS KOPER. IN HET DERDE EN LAATSTE DEEL ZULLEN WE DE SCHOTTKY-BARRIÈRE VERKENNEN IN DE TUSSENLAAG TUSSEN TWEEDIMENSIONALE OVERGANGSMETALEN DICALCOGENIDES EN MOLECULAIRE HALFGELEIDERS. WE ZULLEN MATERIALEN VAN ZOWEL HET TYPE P ALS HET TYPE N GEBRUIKEN OM DE REALISATIE VAN COMPLEXE CIRCUITS TE BEVORDEREN, ZOALS OSCILLATOREN EN FOTOVOLTAÏSCHE CELLEN DIE WORDEN BESTUURD DOOR EEN EXTERNE DEURSPANNING. (Dutch)
17 December 2021
0 references
L'ATTUALE TENDENZA DELLA MINIATURIZZAZIONE DEI DISPOSITIVI ELETTRONICI RICHIEDE CHE LE DIMENSIONI DI OGNI SINGOLO COMPONENTE SIANO PROGRESSIVAMENTE RIDOTTE, DI CONSEGUENZA LE INTRICATE PROPRIETÀ VOLUMETRICHE DEI MATERIALI STESSI STANNO DIVENTANDO SEMPRE MENO IMPORTANTI E GLI INTERSTRATI TRA MATERIALI DIVERSI DIVENTANO SEMPRE PIÙ RILEVANTI. GLI INTERSTRATI SONO ATTUALMENTE AL CENTRO DI PRATICAMENTE QUALSIASI DISPOSITIVO NANOELETTRONICO. DAL PUNTO DI VISTA FONDAMENTALE, GLI INTERSTRATI PRESENTANO NUOVI FENOMENI FISICI CHE NON SI TROVANO NEI MATERIALI DI CONFINE E POSSONO QUINDI APRIRE LA STRADA AD AREE INESPLORATE DEL POTENZIALE TECNOLOGICO VIRGIN. In questo progetto, il nostro datore di lavoro è l'acquisto e il controllo degli interstrati per produrre fenomeni fisici avanzati e avanzati e disposizioni che possono avere un impatto sul futuro dell'industria elettronica._x000D_ IL PROGETTO, avendo PRESIDATO LA NOSTRA ESPERIENZA DI RICERCA E ATTREZZATURA DISPONIBILE, è stato suddiviso in tre sezioni che sono: INTERSTRATI PER INTERCALARI SPINTRONICA, METALLO/INTERCPAS METALLO/MOLECOLA E 2D/MOLECOLA, RISPETTIVAMENTE. NELLA PRIMA SEZIONE ESPLOREREMO LA CONVERSIONE DELLE CORRENTI DI CARICO IN CORRENTI ESPIN PER MEZZO DI VALVOLE ESPIN NON LOCALI. NEGLI INTERSTRATI TRA DIVERSI METALLI E TRA METALLI E ALTRI MATERIALI COME GLI ISOLANTI TOPOLOGICOS SPERIAMO DI OTTENERE UNA GRANDE CONVERSIONE TRA IL CARICO E L'ESPIN POTENDO CREARE CORRENTI DI ESPIN SENZA MATERIALI FERROMAGNETICI. ASPIRIAMO ANCHE A CONTROLLARE LE CORRENTI PURE DI ESPIN MEDIANTE IL TRASFERIMENTO FENOMENICO DI ESPIN IN INTERSTRATI TRA METALLI O GRAFENE CON ISOLATORI MAGNETICI. QUESTO CONTROLLO DELLE CORRENTI DI ESPIN CI AVVICINERÀ AL TANTO ATTESO TRANSISTOR DI ESPIN. NELLA SECONDA SEZIONE, ESAMINEREMO IN PRIMO LUOGO L'ALLINEAMENTO DEI LIVELLI DI ENERGIA TRA METALLI E SEMICONDUTTORI MOLECOLARI (SIA PICCOLE MOLECOLE CHE POLIMERI). QUESTO ALLINEAMENTO DETERMINA LE PRESTAZIONI DI PRATICAMENTE TUTTI I DISPOSITIVI ORGANICI (E.G., OLED O CELLE FOTOVOLTAICHE) E LA LORO DETERMINAZIONE IN UNA CONFIGURAZIONE SEMPLICE SAREBBE UN GRANDE PROGRESSO PRATICO NEL CAMPO. SPERIAMO INOLTRE DI CONTROLLARE TALE ALLINEAMENTO ENERGETICO ATTRAVERSO LA MODIFICA DELL'INTERSTRATO MEDIANTE MOLECOLE DIPOLARI, MENTRE CONFRONTIAMO I RISULTATI OTTENUTI CON I DATI INDIPENDENTI DELLA SPETTROSCOPIA FOTOEMISION. OLTRE ALLA MESSA A PUNTO DELL'ENERGIA NEGLI INTERSTRATI, IL NOSTRO OBIETTIVO È ANCHE LA CREAZIONE DI NUOVI MATERIALI SULLA SUPERFICIE DEI METALLI REATTIVI ATTRAVERSO LA DEPOSIZIONE MOLECOLARE. QUESTA È UN'AREA IN GRAN PARTE INESPLORATA E SPERIAMO DI ESSERE IN GRADO DI CREARE BIT MAGNETICI SU NANOSCALA SU SUBSTRATI COME IL RAME. NELLA TERZA E ULTIMA SEZIONE ESPLOREREMO LA BARRIERA SCHOTTKY NELL'INTERSTRATO TRA METALLO DI TRANSIZIONE BIDIMENSIONALE DICALCOGENIDES E SEMICONDUTTORI MOLECOLARI. UTILIZZEREMO MATERIALI SIA DI TIPO P CHE DI TIPO N PER AVANZARE LA REALIZZAZIONE DI CIRCUITI COMPLESSI, COME OSCILLATORI E CELLE FOTOVOLTAICHE CONTROLLATE DA UNA TENSIONE ESTERNA DELLA PORTA. (Italian)
16 January 2022
0 references
Η ΤΡΈΧΟΥΣΑ ΤΆΣΗ ΌΣΟΝ ΑΦΟΡΆ ΤΗ ΜΙΚΡΟΓΡΆΦΗΣΗ ΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΏΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ ΑΠΑΙΤΕΊ ΤΗ ΣΤΑΔΙΑΚΉ ΜΕΊΩΣΗ ΤΟΥ ΜΕΓΈΘΟΥΣ ΚΆΘΕ ΕΠΙΜΈΡΟΥΣ ΣΤΟΙΧΕΊΟΥ, ΜΕ ΑΠΟΤΈΛΕΣΜΑ ΟΙ ΠΕΡΊΠΛΟΚΕΣ ΙΔΙΌΤΗΤΕΣ ΌΓΚΟΥ ΤΩΝ ΊΔΙΩΝ ΤΩΝ ΥΛΙΚΏΝ ΝΑ ΚΑΘΊΣΤΑΝΤΑΙ ΌΛΟ ΚΑΙ ΛΙΓΌΤΕΡΟ ΣΗΜΑΝΤΙΚΈΣ ΚΑΙ ΤΑ ΠΑΡΕΜΒΑΛΛΌΜΕΝΑ ΜΕΤΑΞΎ ΤΩΝ ΔΙΑΦΌΡΩΝ ΥΛΙΚΏΝ ΥΛΙΚΆ ΝΑ ΑΠΟΚΤΟΎΝ ΌΛΟ ΚΑΙ ΜΕΓΑΛΎΤΕΡΗ ΣΗΜΑΣΊΑ. ΤΑ ΠΑΡΕΜΒΑΛΛΌΜΕΝΑ ΣΤΡΏΜΑΤΑ ΒΡΊΣΚΟΝΤΑΙ ΕΠΊ ΤΟΥ ΠΑΡΌΝΤΟΣ ΣΤΟ ΚΈΝΤΡΟ ΠΡΑΚΤΙΚΆ ΟΠΟΙΑΣΔΉΠΟΤΕ ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΉΣ ΣΥΣΚΕΥΉΣ. ΑΠΌ ΤΗ ΘΕΜΕΛΙΏΔΗ ΆΠΟΨΗ, ΟΙ ΔΙΑΣΤΡΩΤΉΡΕΣ ΠΑΡΟΥΣΙΆΖΟΥΝ ΝΈΑ ΦΥΣΙΚΆ ΦΑΙΝΌΜΕΝΑ ΠΟΥ ΔΕΝ ΒΡΊΣΚΟΝΤΑΙ ΣΤΑ ΣΥΝΟΡΙΑΚΆ ΥΛΙΚΆ ΚΑΙ ΈΤΣΙ ΜΠΟΡΟΎΝ ΝΑ ΑΝΟΊΞΟΥΝ ΤΟ ΔΡΌΜΟ ΣΕ ΑΝΕΞΕΡΕΎΝΗΤΕΣ ΠΕΡΙΟΧΈΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟΎ ΔΥΝΑΜΙΚΟΎ ΠΑΡΘΈΝΟΥ. Σε αυτό το έργο, ο εργοδότης μας είναι η αγορά και ο έλεγχος των ενδιάμεσων στρωμάτων για την παραγωγή προηγμένων και προηγμένων φυσικών φαινομένων και διατάξεων που μπορεί να έχουν αντίκτυπο στο μέλλον της ηλεκτρονικής βιομηχανίας._x000D_ ΤΟ ΕΡΓΟ, έχοντας υπόψη τη ΔΑΠΑΝΗ ΕΡΕΥΝΑΣ ΚΑΙ τον ΑΘΗΝΑ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟ, έχει χωριστεί σε τρία τμήματα, τα οποία είναι: ΕΝΔΙΆΜΕΣΑ ΣΤΡΏΜΑΤΑ ΓΙΑ SPINTRONICA, ΜΕΤΑΛΛΙΚΆ/INTERCPAS ΜΕΤΑΛΛΙΚΆ/ΜΌΡΙΑ ΚΑΙ 2D/MOLECULE ΕΝΔΙΆΜΕΣΑ ΣΤΡΏΜΑΤΑ, ΑΝΤΊΣΤΟΙΧΑ. ΣΤΗΝ ΠΡΏΤΗ ΕΝΌΤΗΤΑ ΘΑ ΔΙΕΡΕΥΝΉΣΟΥΜΕ ΤΗ ΜΕΤΑΤΡΟΠΉ ΤΩΝ ΡΕΥΜΆΤΩΝ ΦΟΡΤΊΟΥ ΣΕ ΡΕΎΜΑΤΑ ESPIN ΜΈΣΩ ΜΗ ΤΟΠΙΚΏΝ ΒΑΛΒΊΔΩΝ ESPIN. ΣΤΑ ΔΙΑΣΤΡΏΜΑΤΑ ΜΕΤΑΞΎ ΔΙΑΦΌΡΩΝ ΜΕΤΆΛΛΩΝ ΚΑΙ ΜΕΤΑΞΎ ΜΕΤΆΛΛΩΝ ΚΑΙ ΆΛΛΩΝ ΥΛΙΚΏΝ ΌΠΩΣ ΟΙ ΜΟΝΩΤΉΡΕΣ TOPOLOGICOS ΕΛΠΊΖΟΥΜΕ ΝΑ ΕΠΙΤΕΥΧΘΕΊ ΜΙΑ ΜΕΓΆΛΗ ΜΕΤΑΤΡΟΠΉ ΜΕΤΑΞΎ ΤΟΥ ΦΟΡΤΊΟΥ ΚΑΙ ΤΟΥ ESPIN ΝΑ ΕΊΝΑΙ ΣΕ ΘΈΣΗ ΝΑ ΔΗΜΙΟΥΡΓΉΣΕΙ ΡΕΎΜΑΤΑ ESPIN ΧΩΡΊΣ ΣΙΔΗΡΟΜΑΓΝΗΤΙΚΆ ΥΛΙΚΆ. ΕΠΙΔΙΏΚΟΥΜΕ ΕΠΊΣΗΣ ΝΑ ΕΛΈΓΞΟΥΜΕ ΤΑ ΚΑΘΑΡΆ ΡΕΎΜΑΤΑ ΤΗΣ ESPIN ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΜΕΤΑΦΟΡΆΣ ΦΑΙΝΟΜΕΝΙΚΟΎ ESPIN ΣΕ ΔΙΑΣΤΡΏΜΑΤΑ ΜΕΤΑΞΎ ΜΕΤΆΛΛΩΝ Ή ΓΡΑΦΕΝΊΟΥ ΜΕ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟΎΣ ΜΟΝΩΤΈΣ. ΑΥΤΌΣ Ο ΈΛΕΓΧΟΣ ΤΩΝ ΡΕΥΜΆΤΩΝ ΤΟΥ ESPIN ΘΑ ΜΑΣ ΦΈΡΕΙ ΠΙΟ ΚΟΝΤΆ ΣΤΟ ΠΟΛΥΑΝΑΜΕΝΌΜΕΝΟ ΤΡΑΝΖΊΣΤΟΡ ΤΟΥ ESPIN. ΣΤΟ ΔΕΎΤΕΡΟ ΤΜΉΜΑ, ΘΑ ΔΙΕΡΕΥΝΉΣΟΥΜΕ ΠΡΏΤΑ ΤΗΝ ΕΥΘΥΓΡΆΜΜΙΣΗ ΤΩΝ ΕΠΙΠΈΔΩΝ ΕΝΈΡΓΕΙΑΣ ΜΕΤΑΞΎ ΜΕΤΆΛΛΩΝ ΚΑΙ ΜΟΡΙΑΚΏΝ ΗΜΙΑΓΩΓΏΝ (ΤΌΣΟ ΜΙΚΡΏΝ ΜΟΡΊΩΝ ΌΣΟ ΚΑΙ ΠΟΛΥΜΕΡΏΝ). ΑΥΤΉ Η ΕΥΘΥΓΡΆΜΜΙΣΗ ΚΑΘΟΡΊΖΕΙ ΤΗΝ ΑΠΌΔΟΣΗ ΣΧΕΔΌΝ ΌΛΩΝ ΤΩΝ ΟΡΓΑΝΙΚΏΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ (E.G., OLEDS Ή ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΏΝ ΚΥΤΤΆΡΩΝ) ΚΑΙ Ο ΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΜΌΣ ΤΟΥΣ ΣΕ ΜΙΑ ΑΠΛΉ ΔΙΑΜΌΡΦΩΣΗ ΘΑ ΉΤΑΝ ΜΙΑ ΜΕΓΆΛΗ ΠΡΑΚΤΙΚΉ ΠΡΌΟΔΟΣ ΣΤΟΝ ΤΟΜΈΑ. ΕΛΠΊΖΟΥΜΕ ΕΠΊΣΗΣ ΝΑ ΕΛΈΓΞΟΥΜΕ ΑΥΤΉ ΤΗΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΉ ΕΥΘΥΓΡΆΜΜΙΣΗ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΤΡΟΠΟΠΟΊΗΣΗΣ ΤΟΥ ΠΑΡΕΜΒΑΛΛΌΜΕΝΟΥ ΣΤΡΏΜΑΤΟΣ ΜΈΣΩ ΔΙΠΟΛΙΚΏΝ ΜΟΡΊΩΝ, ΕΝΏ ΘΑ ΣΥΓΚΡΊΝΟΥΜΕ ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΈΣΜΑΤΑ ΠΟΥ ΛΑΜΒΆΝΟΝΤΑΙ ΜΕ ΤΑ ΑΝΕΞΆΡΤΗΤΑ ΔΕΔΟΜΈΝΑ ΑΠΌ ΤΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΊΑ FOTOEMISION. ΠΈΡΑ ΑΠΌ ΤΗΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΉ ΡΎΘΜΙΣΗ ΤΩΝ ΔΙΑΣΤΡΩΜΆΤΩΝ, ΣΤΌΧΟΣ ΜΑΣ ΕΊΝΑΙ ΕΠΊΣΗΣ Η ΔΗΜΙΟΥΡΓΊΑ ΝΈΩΝ ΥΛΙΚΏΝ ΣΤΗΝ ΕΠΙΦΆΝΕΙΑ ΤΩΝ ΑΝΤΙΔΡΑΣΤΙΚΏΝ ΜΕΤΆΛΛΩΝ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΜΟΡΙΑΚΉΣ ΕΝΑΠΌΘΕΣΗΣ. ΑΥΤΉ ΕΊΝΑΙ ΜΙΑ ΣΕ ΜΕΓΆΛΟ ΒΑΘΜΌ ΑΝΕΞΕΡΕΎΝΗΤΗ ΠΕΡΙΟΧΉ ΚΑΙ ΕΛΠΊΖΟΥΜΕ ΝΑ ΜΠΟΡΈΣΟΥΜΕ ΝΑ ΔΗΜΙΟΥΡΓΉΣΟΥΜΕ ΜΑΓΝΗΤΙΚΆ ΚΟΜΜΆΤΙΑ ΣΤΗ ΝΑΝΟΚΛΊΜΑΚΑ ΠΆΝΩ ΑΠΌ ΥΠΟΣΤΡΏΜΑΤΑ ΌΠΩΣ Ο ΧΑΛΚΌΣ. ΣΤΟ ΤΡΊΤΟ ΚΑΙ ΤΕΛΕΥΤΑΊΟ ΤΜΉΜΑ ΘΑ ΕΞΕΡΕΥΝΉΣΟΥΜΕ ΤΟ ΦΡΆΓΜΑ SCHOTTKY ΣΤΟ ΕΝΔΙΆΜΕΣΟ ΣΤΡΏΜΑ ΜΕΤΑΞΎ ΔΙΣΔΙΆΣΤΑΤΟΥ ΜΕΤΑΒΑΤΙΚΟΎ ΜΕΤΆΛΛΟΥ DICALCOGENIDES ΚΑΙ ΜΟΡΙΑΚΏΝ ΗΜΙΑΓΩΓΏΝ. ΘΑ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΉΣΟΥΜΕ ΥΛΙΚΆ ΤΎΠΟΥ P ΚΑΙ ΤΎΠΟΥ Ν ΓΙΑ ΝΑ ΠΡΟΩΘΉΣΟΥΜΕ ΤΗΝ ΥΛΟΠΟΊΗΣΗ ΣΎΝΘΕΤΩΝ ΚΥΚΛΩΜΆΤΩΝ, ΌΠΩΣ ΤΑΛΑΝΤΩΤΈΣ ΚΑΙ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΆ ΚΎΤΤΑΡΑ ΠΟΥ ΕΛΈΓΧΟΝΤΑΙ ΑΠΌ ΕΞΩΤΕΡΙΚΉ ΤΆΣΗ ΠΌΡΤΑΣ. (Greek)
18 August 2022
0 references
DEN NUVÆRENDE TENDENS INDEN FOR MINIATURISERING AF ELEKTRONISKE APPARATER KRÆVER, AT STØRRELSEN AF HVER ENKELT KOMPONENT GRADVIST REDUCERES, HVORFOR MATERIALERNES INDVIKLEDE VOLUMENEGENSKABER BLIVER MINDRE OG MINDRE VIGTIGE, OG MELLEMLÆGGENE MELLEM FORSKELLIGE MATERIALER BLIVER STADIG MERE RELEVANTE. MELLEMLÆGGENE ER I ØJEBLIKKET I CENTRUM FOR NÆSTEN ENHVER NANOELEKTRONISK ENHED. UD FRA ET FUNDAMENTALT SYNSPUNKT PRÆSENTERER MELLEMLÆGGENE NYE FYSISKE FÆNOMENER, DER IKKE FINDES I GRÆNSEMATERIALERNE, OG SOM DERMED KAN ÅBNE VEJEN FOR UUDFORSKEDE OMRÅDER MED TEKNOLOGISK POTENTIALE VIRGIN. I dette projekt er vores arbejdsgiver køb og kontrol af mellemlæggene til at producere avancerede og avancerede fysiske fænomener og bestemmelser, der kan have indflydelse på fremtiden for den elektroniske industri._x000D_ PROJEKT, efter at have HENVIS TIL VORES RESEARCH EXPERIENCE OG AVAILABLE EQUIPMENT, er det blevet opdelt i tre sektioner, som er: MELLEMLÆG TIL MELLEMLÆGGENE SPINTRONICA, METAL/INTERCPAS-METAL/MOLEKYLE OG MELLEMLÆGGENDE 2D/MOLEKYLEMATERIALE. I FØRSTE AFSNIT VIL VI UNDERSØGE KONVERTERINGEN AF BELASTNINGSSTRØMME TIL ESPIN STRØMME VED HJÆLP AF IKKE-LOKALE ESPIN VENTILER. I MELLEMLÆGGENE MELLEM FORSKELLIGE METALLER OG MELLEM METALLER OG ANDRE MATERIALER SOM TOPOLOGICOS ISOLATORER HÅBER VI AT OPNÅ EN STOR KONVERTERING MELLEM BELASTNINGEN OG ESPINEN KAN SKABE STRØMNINGER AF ESPIN UDEN FERROMAGNETISKE MATERIALER. VI STRÆBER OGSÅ EFTER AT KONTROLLERE DE RENE STRØMME AF ESPIN VED HJÆLP AF FÆNOMENET OVERFØRSEL AF ESPIN I MELLEMLAG MELLEM METALLER ELLER GRAFEN MED MAGNETISKE ISOLATORER. DENNE KONTROL AF STRØMMENE I ESPIN VIL BRINGE OS TÆTTERE PÅ DEN LÆNGE VENTEDE TRANSISTOR ESPIN. I DET ANDET AFSNIT VIL VI FØRST UNDERSØGE TILPASNINGEN AF ENERGINIVEAUER MELLEM METALLER OG MOLEKYLÆRE HALVLEDERE (BÅDE SMÅ MOLEKYLER OG POLYMERER). DENNE JUSTERING BESTEMMER YDEEVNEN FOR PRAKTISK TAGET ALT ORGANISK UDSTYR (E.G., OLED'ER ELLER FOTOVOLTAISKE CELLER), OG DERES BESTEMMELSE I EN SIMPEL KONFIGURATION VILLE VÆRE ET STORT PRAKTISK FREMSKRIDT I MARKEN. VI HÅBER OGSÅ AT KONTROLLERE EN SÅDAN ENERGITILPASNING GENNEM MODIFIKATION AF MELLEMLÆGGET VED HJÆLP AF DIPOLÆRE MOLEKYLER, MENS VI VIL SAMMENLIGNE DE OPNÅEDE RESULTATER MED DE UAFHÆNGIGE DATA FRA FOTOEMISION-SPEKTROSKOPI. UD OVER ENERGIJUSTERINGEN I MELLEMLÆGGENE ER VORES MÅL OGSÅ AT SKABE NYE MATERIALER PÅ OVERFLADEN AF REAKTIVE METALLER VED HJÆLP AF MOLEKYLÆR AFLEJRING. DETTE ER ET STORT SET UUDFORSKET OMRÅDE, OG VI HÅBER AT KUNNE SKABE MAGNETISKE BITS PÅ NANOSKALAEN OVER SUBSTRATER SOM KOBBER. I TREDJE OG SIDSTE AFSNIT VIL VI UNDERSØGE SCHOTTKY-BARRIEREN I MELLEMLÆGGET MELLEM TODIMENSIONALE OVERGANGSMETAL DICALCOGENIDES OG MOLEKYLÆRE HALVLEDERE. VI VIL BRUGE MATERIALER BÅDE TYPE P OG TYPE N TIL AT FREMME REALISERINGEN AF KOMPLEKSE KREDSLØB, SÅSOM OSCILLATORER OG SOLCELLER STYRET AF EN EKSTERN DØRSPÆNDING. (Danish)
18 August 2022
0 references
ELEKTRONISTEN LAITTEIDEN PIENENTÄMISEN NYKYINEN SUUNTAUS EDELLYTTÄÄ, ETTÄ KUNKIN YKSITTÄISEN KOMPONENTIN KOKOA PIENENNETÄÄN ASTEITTAIN, MINKÄ SEURAUKSENA ITSE MATERIAALIEN MONIMUTKAISTEN TILAVUUSOMINAISUUKSIEN MERKITYS VÄHENEE JA ERI MATERIAALIEN VÄLIKERROKSET OVAT YHÄ TÄRKEÄMPIÄ. VÄLIKERROKSET OVAT TÄLLÄ HETKELLÄ KÄYTÄNNÖLLISESTI KATSOEN MINKÄ TAHANSA NANOELEKTRONISEN LAITTEEN KESKELLÄ. PERUSTAVANLAATUISESTA NÄKÖKULMASTA VÄLIKERROKSET ESITTELEVÄT UUSIA FYYSISIÄ ILMIÖITÄ, JOITA EI LÖYDY RAJAMATERIAALEISTA, JA NE VOIVAT SITEN AVATA TIEN TUTKIMATTOMILLE ALUEILLE, JOILLA ON TEKNOLOGISET MAHDOLLISUUDET. Tässä hankkeessa työnantajamme ostaa ja valvoo välikerroksia sellaisten kehittyneiden ja edistyneiden fyysisten ilmiöiden ja säännösten tuottamiseksi, joilla voi olla vaikutusta elektroniikkateollisuuden tulevaisuuteen._x000D_ HANKE, joka ottaa huomioon RESEARCH EXPERIENCE JA AVAILABLE EQUIPMENTin, on jaettu kolmeen osaan, jotka ovat: VÄLIKERROKSET SPINTRONICAA VARTEN, METALLI/INTERCPAS METALLI/MOLEKYYLI JA 2D/MOLEKYYLIMATERIAALIVÄLIKERROKSET. ENSIMMÄISESSÄ OSASSA TUTKIMME KUORMITUSVIRTOJEN MUUNTAMISTA ESPIN-VIRROIKSI EI-PAIKALLISILLA ESPIN-VENTTIILEILLÄ. ERI METALLIEN VÄLIKERROKSISSA SEKÄ METALLIEN JA MUIDEN MATERIAALIEN, KUTEN TOPOLOGICOS-ERISTIMIEN, VÄLILLÄ TOIVOMME SAAVAMME SUUREN MUUNNOKSEN KUORMAN JA ESPININ VÄLILLÄ, JOTTA ESPININ VIRTAUKSET VOIDAAN LUODA ILMAN FERROMAGNEETTISIA MATERIAALEJA. PYRIMME MYÖS HALLITSEMAAN ESPININ PUHTAITA VIRTAUKSIA KÄYTTÄMÄLLÄ ESPININ FENOMENISIIRTOA VÄLIKERROKSISSA METALLIEN TAI GRAFEENIEN JA MAGNEETTIERISTIMIEN VÄLILLÄ. ESPININ VIRTAUKSEN HALLINTA VIE MEIDÄT LÄHEMMÄKSI KAUAN ODOTETTUA ESPININ TRANSISTORIA. TOISESSA OSASSA TARKASTELEMME ENSIN ENERGIATASOJEN YHDENMUKAISTAMISTA METALLIEN JA MOLEKYYLIPUOLIJOHTEIDEN (SEKÄ PIENTEN MOLEKYYLIEN ETTÄ POLYMEERIEN) VÄLILLÄ. TÄMÄ LINJAUS MÄÄRITTÄÄ KÄYTÄNNÖLLISESTI KATSOEN KAIKKIEN ORGAANISTEN LAITTEIDEN (E.G., OLED- TAI AURINKOSÄHKÖKENNOT) SUORITUSKYVYN, JA NIIDEN MÄÄRITTÄMINEN YKSINKERTAISESSA KOKOONPANOSSA OLISI SUURI KÄYTÄNNÖN EDISTYSASKEL KENTÄLLÄ. TOIVOMME MYÖS VOIVAMME HALLITA TÄLLAISTA ENERGIAN YHDENMUKAISTAMISTA MUUTTAMALLA VÄLIKERROSTA DIPOLAARISTEN MOLEKYYLIEN AVULLA, JA VERTAAMME SAATUJA TULOKSIA FOTOEMISION-SPEKTROSKOPIASTA SAATUIHIN RIIPPUMATTOMIIN TIETOIHIN. VÄLIKERROSTEN ENERGIAVIRITYKSEN LISÄKSI TAVOITTEENAMME ON MYÖS LUODA UUSIA MATERIAALEJA REAKTIIVISTEN METALLIEN PINNALLE MOLEKYYLILASKEUMAN AVULLA. TÄMÄ ON SUURELTA OSIN TUTKIMATON ALUE, JA TOIVOMME VOIVAMME LUODA MAGNEETTISIA BITTEJÄ NANOMITTAKAAVAAN KUPARIN KALTAISTEN SUBSTRAATTIEN YLI. KOLMANNESSA JA VIIMEISESSÄ OSASSA TUTKIMME SCHOTTKY-ESTEEN VÄLIKERROKSESSA KAKSIULOTTEISEN SIIRTYMÄMETALLIN DICALCOGENIDESIN JA MOLEKYYLIPUOLIJOHTEIDEN VÄLILLÄ. KÄYTÄMME MATERIAALEJA SEKÄ TYYPPI P ETTÄ TYYPPI N EDISTÄÄ TOTEUTUMISTA MONIMUTKAISIA PIIREJÄ, KUTEN OSKILLAATTORIT JA AURINKOSÄHKÖKENNOT OHJATAAN ULKOISEN OVEN JÄNNITYSTÄ. (Finnish)
18 August 2022
0 references
IX-XEJRA ATTWALI FIL-MINJATURIZZAZZJONI TAL-APPARATI ELETTRONIĊI TEĦTIEĠ LI D-DAQS TA’ KULL KOMPONENT INDIVIDWALI JITNAQQAS PROGRESSIVAMENT, KONSEGWENTEMENT IL-KARATTERISTIĊI KUMPLESSI TAL-VOLUM TAL-MATERJALI NFUSHOM QED ISIRU INQAS U INQAS IMPORTANTI U S-SAFFI BEJN IS-SAFFI BEJN IL-MATERJALI DIFFERENTI QED ISIRU DEJJEM AKTAR RILEVANTI. IS-SAFFI TA’ BEJN IS-SAFFI BĦALISSA JINSABU FIĊ-ĊENTRU TA’ PRATTIKAMENT KWALUNKWE APPARAT NANOELETTRONIKU. MILL-PERSPETTIVA FUNDAMENTALI, IS-SAFFI TA’ BEJN IS-SAFFI JIPPREŻENTAW FENOMENI FIŻIĊI ĠODDA LI MA JINSTABUX FIL-MATERJALI TAL-FRUNTIERA U B’HEKK JISTGĦU JIFTĦU T-TRIQ GĦAL ŻONI MHUX ESPLORATI TA’ POTENZJAL TEKNOLOĠIKU VERĠNI. F’dan il-proġett, min iħaddem tagħna huwa x-xiri u l-kontroll tas-saffi bejn is-saffi biex jipproduċu fenomeni fiżiċi avvanzati u avvanzati u dispożizzjonijiet li jista ‘jkollhom impatt fuq il-futur ta’ l-industrija elettronika._x000D_ IL-PROJECT, wara LI KKUNSIDRAW LI JIEĦU ESPERĊJENZA RIĊERKA U AVAILABLE EQUIPMENT, ġie maqsum fi tliet taqsimiet li huma: IS-SAFFI TA’ BEJN IS-SAFFI GĦAL SPINTRONICA, METALL/INTERCPAS METALL/MOLEKULA U 2D/MOLEKULA TA’ BEJN IS-SAFFI, RISPETTIVAMENT. FL-EWWEL TAQSIMA AĦNA SE TESPLORA L-KONVERŻJONI TA ‘KURRENTI TAT-TAGĦBIJA GĦAL KURRENTI ESPIN PERMEZZ TA’ VALVOLI ESPIN MHUX LOKALI. FIS-SAFFI BEJN METALLI DIFFERENTI U BEJN METALLI U MATERJALI OĦRA BĦALL-IŻOLATURI TOPOLOGICOS NITTAMAW LI TINKISEB KONVERŻJONI KBIRA BEJN IT-TAGĦBIJA U L-ESPIN LI TKUN KAPAĊI TOĦLOQ KURRENTI TA’ ESPIN MINGĦAJR MATERJALI FERROMANJETIĊI. AĦNA WKOLL JASPIRAW LI JIKKONTROLLAW IL-KURRENTI PURI TA ‘ESPIN PERMEZZ TAT-TRASFERIMENT FENOMENE TA’ ESPIN FIS-SAFFI BEJN IS-SAFFI BEJN METALLI JEW GRAFEN B’IŻOLATURI MANJETIĊI. DAN IL-KONTROLL TAL-KURRENTI TA ‘ESPIN SE TPOĠĠINA EQREB LEJN IT-TRANSISTOR TANT MISTENNI TA’ ESPIN. FIT-TIENI TAQSIMA, L-EWWEL SE NESPLORAW L-ALLINJAMENT TAL-LIVELLI TAL-ENERĠIJA BEJN IL-METALLI U S-SEMIKONDUTTURI MOLEKULARI (KEMM MOLEKULI ŻGĦAR KIF UKOLL POLIMERI). DAN L-ALLINJAMENT JIDDETERMINA L-PRESTAZZJONI PRATTIKAMENT TAT-TAGĦMIR ORGANIKU KOLLU (E.G., OLEDS JEW ĊELLOLI FOTOVOLTAJĊI) U D-DETERMINAZZJONI TAGĦHOM F’KONFIGURAZZJONI SEMPLIĊI TKUN AVVANZ PRATTIKU KBIR FIL-QASAM. NITTAMAW UKOLL LI NIKKONTROLLAW TALI ALLINJAMENT TAL-ENERĠIJA PERMEZZ TAL-MODIFIKA TAS-SAFF TA’ BEJN IS-SAFFI PERMEZZ TA’ MOLEKULI DIPOLARI, FILWAQT LI NQABBLU R-RIŻULTATI MIKSUBA MAD-DATA INDIPENDENTI MILL-ISPETTROSKOPIJA FOTOEMISION. LIL HINN MILL-IRFINAR TAL-ENERĠIJA FIS-SAFFI TA’ BEJN IS-SAFFI, L-GĦAN TAGĦNA HUWA WKOLL IL-ĦOLQIEN TA’ MATERJALI ĠODDA FUQ IL-WIĊĊ TA’ METALLI REATTIVI PERMEZZ TA’ DEPOŻIZZJONI MOLEKULARI. DIN HIJA ŻONA FIL-BIĊĊA L-KBIRA MHUX ESPLORATA U NITTAMAW LI NKUNU KAPAĊI JOĦOLQU BITS MANJETIĊI FUQ IN-NANOSKALA FUQ SOTTOSTRATI BĦAR-RAM. FIT-TIELET U L-AĦĦAR TAQSIMA SE NESPLORAW L-OSTAKLU TA’ SCHOTTKY FIS-SAFF TA’ BEJN IS-SAFFI BEJN DICALCOGENIDES TA’ TRANŻIZZJONI BIDIMENSJONALI U SEMIKONDUTTURI MOLEKULARI. SE NUŻAW MATERJALI KEMM TAT-TIP P KIF UKOLL TAT-TIP N BIEX NAVVANZAW IR-REALIZZAZZJONI TA’ ĊIRKWITI KUMPLESSI, BĦAL OXXILLATURI U ĊELLOLI FOTOVOLTAJĊI KKONTROLLATI MINN TENSJONI ESTERNA TAL-BIEBA. (Maltese)
18 August 2022
0 references
ELEKTRONISKO IERĪČU MINIATURIZĀCIJAS PAŠREIZĒJĀ TENDENCE PRASA, LAI PAKĀPENISKI TIKTU SAMAZINĀTS KATRA ATSEVIŠĶĀ KOMPONENTA LIELUMS, LĪDZ AR TO PAŠU MATERIĀLU SAREŽĢĪTĀS TILPUMA ĪPAŠĪBAS KĻŪST ARVIEN MAZĀK SVARĪGAS UN DAŽĀDU MATERIĀLU STARPSLĀŅI KĻŪST ARVIEN NOZĪMĪGĀKI. STARPSLĀŅI PAŠLAIK ATRODAS GANDRĪZ JEBKURAS NANOELEKTRONISKĀS IERĪCES CENTRĀ. NO FUNDAMENTĀLĀ VIEDOKĻA, STARPSLĀŅI RADA JAUNAS FIZISKAS PARĀDĪBAS, KAS NAV ATRODAMAS PIEROBEŽAS MATERIĀLOS, UN TĀDĒJĀDI VAR PAVĒRT CEĻU UZ NEIZPĒTĪTĀM TEHNOLOĢISKĀ POTENCIĀLA JOMĀM VIRGIN. Šajā projektā mūsu darba devējs ir starpslāņu iegāde un kontrole, lai ražotu progresīvus un progresīvus fiziskus fenomenus un noteikumus, kas var ietekmēt elektroniskās rūpniecības nākotni._x000D_ PROJEKTS, ņemot vērā mūsu RESEARCH EXPERIENCE UN AVAILABLE EQUIPMENT, tas ir sadalīts trīs sadaļās, kas ir: STARPSLĀŅI SPINTRONICA, METĀLA/INTERCPAS METĀLA/MOLEKULU UN 2D/MOLEKULU MATERIĀLA STARPSLĀŅIEM. PIRMAJĀ SADAĻĀ MĒS IZPĒTĪSIM SLODZES STRĀVU PĀRVEIDOŠANU ESPIN STRĀVĀS, IZMANTOJOT NEVIETĒJUS ESPIN VĀRSTUS. STARPSLĀŅOS STARP DAŽĀDIEM METĀLIEM UN STARP METĀLIEM UN CITIEM MATERIĀLIEM, PIEMĒRAM, TOPOLOGICOS IZOLATORIEM, MĒS CERAM IEGŪT LIELU PĀRVEIDI STARP SLODZI UN ESPIN SPĒJU RADĪT ESPIN STRĀVU BEZ FEROMAGNĒTISKIEM MATERIĀLIEM. MĒS ARĪ CENŠAMIES KONTROLĒT ESPIN TĪRO STRĀVU, IZMANTOJOT ESPIN FENOMENU STARPSLĀŅOS STARP METĀLIEM VAI GRAFĒNU AR MAGNĒTISKAJIEM IZOLATORIEM. ŠĪ KONTROLE STRAUMES ESPIN NOLIKS MŪS TUVĀK ILGI GAIDĪTO TRANZISTORS ESPIN. OTRAJĀ SADAĻĀ MĒS VISPIRMS IZPĒTĪSIM ENERĢIJAS LĪMEŅU SASKAŅOŠANU STARP METĀLIEM UN MOLEKULĀRAJIEM PUSVADĪTĀJIEM (GAN MAZĀM MOLEKULĀM, GAN POLIMĒRIEM). ŠĪ IZLĪDZINĀŠANA NOSAKA PRAKTISKI VISU ORGANISKO IERĪČU (EG, OLED VAI FOTOELEMENTU ŠŪNU) VEIKTSPĒJU, UN TO NOTEIKŠANA VIENKĀRŠĀ KONFIGURĀCIJĀ BŪTU LIELS PRAKTISKS PROGRESS ŠAJĀ JOMĀ. MĒS ARĪ CERAM KONTROLĒT ŠĀDU ENERĢIJAS IZLĪDZINĀŠANU, PĀRVEIDOJOT STARPSLĀNI, IZMANTOJOT DIPOLĀRĀS MOLEKULAS, BET MĒS SALĪDZINĀM IEGŪTOS REZULTĀTUS AR NEATKARĪGAJIEM DATIEM NO FOTOEMISION SPEKTROSKOPIJAS. PAPILDUS ENERĢIJAS REGULĒŠANAI STARPSLĀŅOS, MŪSU MĒRĶIS IR ARĪ RADĪT JAUNUS MATERIĀLUS UZ REAKTĪVO METĀLU VIRSMAS, IZMANTOJOT MOLEKULĀRO NOGULSNĒŠANOS. ŠĪ IR LIELĀ MĒRĀ NEIZPĒTĪTA JOMA, UN MĒS CERAM, KA SPĒSIM IZVEIDOT MAGNĒTISKOS BITUS NANOMĒROGĀ VIRS SUBSTRĀTIEM, PIEMĒRAM, VARA. TREŠAJĀ UN PĒDĒJĀ POSMĀ MĒS PĒTĪSIM SCHOTTKY BARJERU STARP DIVDIMENSIJU PĀREJAS METĀLA DICALCOGENIDES UN MOLEKULĀRAJIEM PUSVADĪTĀJIEM. MĒS IZMANTOSIM GAN P TIPA, GAN N TIPA MATERIĀLUS, LAI VEICINĀTU SAREŽĢĪTU SHĒMU REALIZĀCIJU, PIEMĒRAM, OSCILATORUS UN FOTOELEMENTU ŠŪNAS, KO KONTROLĒ ĀRĒJO DURVJU SPRIEDZE. (Latvian)
18 August 2022
0 references
SÚČASNÝ TREND V MINIATURIZÁCII ELEKTRONICKÝCH ZARIADENÍ SI VYŽADUJE, ABY SA POSTUPNE ZMENŠOVALA VEĽKOSŤ KAŽDEJ JEDNOTLIVEJ ZLOŽKY, V DÔSLEDKU ČOHO SA ZLOŽITÉ OBJEMOVÉ VLASTNOSTI SAMOTNÝCH MATERIÁLOV STÁVAJÚ ČORAZ MENEJ DÔLEŽITÝMI A MEDZIVRSTVY MEDZI RÔZNYMI MATERIÁLMI SA STÁVAJÚ ČORAZ RELEVANTNEJŠÍMI. MEDZIVRSTVY SÚ V SÚČASNOSTI V CENTRE PRAKTICKY AKÉHOKOĽVEK NANOELEKTRONICKÉHO ZARIADENIA. ZO ZÁKLADNÉHO HĽADISKA MEDZIVRSTVY PREDSTAVUJÚ NOVÉ FYZIKÁLNE JAVY, KTORÉ SA NENACHÁDZAJÚ V POHRANIČNÝCH MATERIÁLOCH, A TAK MÔŽU OTVORIŤ CESTU K NEPRESKÚMANÝM OBLASTIAM TECHNOLOGICKÉHO POTENCIÁLU PANNY. V tomto projekte je naším zamestnávateľom nákup a kontrola medzivrstv na výrobu pokročilých a pokročilých fyzikálnych javov a rezerv, ktoré môžu mať vplyv na budúcnosť elektronického priemyslu._x000D_ PROJEKT, so ZRETEĽOM NA NAŠEJ VÝROBKU A VÝROBKÉ VYBAVENIE, bol rozdelený do troch sekcií, ktoré sú: MEDZIVRSTVY PRE MEDZIVRSTVY SPINTRONICA, KOV/INTERCPAS KOV/MOLECULE A 2D/MOLECULOVÉ MEDZIVRSTVY. V PRVEJ ČASTI BUDEME SKÚMAŤ KONVERZIU ZÁŤAŽOVÝCH PRÚDOV NA ESPIN PRÚDY POMOCOU NELOKÁLNYCH ESPIN VENTILOV. V MEDZIVRSTVÁCH MEDZI RÔZNYMI KOVMI A MEDZI KOVMI A INÝMI MATERIÁLMI, AKO SÚ TOPOLOGICOS IZOLÁTORY, DÚFAME, ŽE DOSIAHNEME VEĽKÚ PREMENU MEDZI ZÁŤAŽOU A ESPINOM, KTORÝ DOKÁŽE VYTVÁRAŤ PRÚDY ESPIN BEZ FEROMAGNETICKÝCH MATERIÁLOV. SNAŽÍME SA TIEŽ KONTROLOVAŤ ČISTÉ PRÚDY ESPINU PROSTREDNÍCTVOM FENOMÉNU PRENOSU ESPIN V MEDZIVRSTVÁCH MEDZI KOVMI ALEBO GRAFÉNOM S MAGNETICKÝMI IZOLÁTORMI. TÁTO KONTROLA PRÚDOV ESPIN NÁS POSUNIE BLIŽŠIE K DLHO OČAKÁVANÉMU TRANZISTORU ESPIN. V DRUHEJ ČASTI BUDEME NAJPRV SKÚMAŤ VYROVNANIE ENERGETICKÝCH ÚROVNÍ MEDZI KOVMI A MOLEKULÁRNYMI POLOVODIČMI (MALÝMI MOLEKULAMI AJ POLYMÉRMI). TOTO ZAROVNANIE URČUJE VÝKON PRAKTICKY VŠETKÝCH ORGANICKÝCH ZARIADENÍ (E.G., OLED ALEBO FOTOVOLTICKÝCH ČLÁNKOV) A ICH STANOVENIE V JEDNODUCHEJ KONFIGURÁCII BY BOLO VEĽKÝM PRAKTICKÝM POKROKOM V TEJTO OBLASTI. DÚFAME TIEŽ, ŽE BUDEME KONTROLOVAŤ TAKÉTO ENERGETICKÉ ZLADENIE PROSTREDNÍCTVOM MODIFIKÁCIE MEDZIVRSTVY POMOCOU DIPOLÁRNYCH MOLEKÚL, ZATIAĽ ČO VÝSLEDKY BUDEME POROVNÁVAŤ S NEZÁVISLÝMI ÚDAJMI Z FOTOEMISION SPEKTROSKOPIE. OKREM ENERGETICKÉHO LADENIA V MEDZIVRSTVÁCH JE NAŠÍM CIEĽOM AJ TVORBA NOVÝCH MATERIÁLOV NA POVRCHU REAKTÍVNYCH KOVOV POMOCOU MOLEKULÁRNEJ DEPOZÍCIE. TOTO JE PREVAŽNE NEPRESKÚMANÁ OBLASŤ A DÚFAME, ŽE BUDEME SCHOPNÍ VYTVORIŤ MAGNETICKÉ KÚSKY NA NANOÚROVNI CEZ SUBSTRÁTY, AKO JE MEĎ. V TRETEJ A ZÁVEREČNEJ SEKCII PRESKÚMAME SCHOTTKY BARIÉRU V MEDZIVRSTVE MEDZI DVOJROZMERNÝMI PRECHODOVÝMI KOVOVÝMI DICALCOGENIDES A MOLEKULÁRNYMI POLOVODIČMI. POUŽIJEME MATERIÁLY TYPU P AJ TYPU N NA URÝCHLENIE REALIZÁCIE KOMPLEXNÝCH OBVODOV, AKO SÚ OSCILÁTORY A FOTOVOLTICKÉ ČLÁNKY RIADENÉ VONKAJŠÍM NAPNUTÍM DVERÍ. (Slovak)
18 August 2022
0 references
ÉILÍONN AN TREOCHT ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR MAIDIR LE MINIATURIZATION FEISTÍ LEICTREONACHA GO LAGHDÓFAR MÉID GACH COMHPHÁIRTE AONAIR DE RÉIR A CHÉILE, AGUS DÁ BHRÍ SIN TÁ AIRÍONNA MÉIDE INTRICATE NA N-ÁBHAR FÉIN AG ÉIRÍ NÍOS LÚ AGUS NÍOS LÚ TÁBHACHTA AGUS TÁ NA HIDIRSHRAITHEANNA IDIR ÁBHAIR ÉAGSÚLA AG ÉIRÍ NÍOS ÁBHARTHA. IS IAD NA INTERLAYERS FAOI LÁTHAIR I LÁR BEAGNACH AON FHEISTE NANALEICTREONAIC. Ó THAOBH BUNÚSACH DE, CUIREANN NA INTERLAYERS FEINIMÉIN FHISICEACHA NUA NACH BHFUIL LE FÁIL SNA HÁBHAIR TEORANN I LÁTHAIR AGUS DÁ BHRÍ SIN IS FÉIDIR LEO AN BEALACH A OSCAILT CHUIG LIMISTÉIR NEAMHFHIOSRAITHE DE PHOITÉINSEAL TEICNEOLAÍOCHTA MAIGHDEAN. Sa tionscadal seo, is é ár bhfostóir ceannach agus rialú na n-idirsraitheanna chun cinn agus feiniméin fhisiceacha chun cinn agus forálacha a d’fhéadfadh tionchar a bheith acu ar thodhchaí an tionscail leictreonaigh. INTERLAYERS DO SPINTRONICA, MIOTAIL/INTERCPAS MIOTAIL/MÓILÍNEACH AGUS 2D/ÁBHAR MÓILÍNEACH INTERLAYERS, FAOI SEACH. SA CHÉAD CHUID DÉANFAIMID INIÚCHADH AR ATHRÚ SRUTHANNA UALAIGH GO SRUTHANNA ESPIN TRÍ CHOMHLAÍ NEAMHÁITIÚLA ESPIN. SNA HIDIRSRAITHEANNA IDIR MIOTAIL ÉAGSÚLA AGUS IDIR MIOTAIL AGUS ÁBHAIR EILE AR NÓS INSLITHEOIRÍ TOPOLOGICOS TÁ SÚIL AGAINN TIONTÚ MÓR A FHÁIL IDIR AN T-UALACH AGUS AN ESPIN A BHEITH IN ANN SRUTHANNA ESPIN A CHRUTHÚ GAN ÁBHAIR FERROMAGNETIC. TÁIMID AG SÚIL FREISIN LE SRUTHANNA ÍON ESPIN A RIALÚ TRÍ AISTRIÚ PHENOMENE ESPIN I IDIRSHRAITHEANNA IDIR MIOTAIL NÓ GRAPHENE LE INSLITHEOIRÍ MAIGHNÉADACHA. CUIRFIDH AN RIALÚ SEO AR SHRUTHANNA ESPIN MUID NÍOS GAIRE DO THRASRAITHEOIR ESPIN A BHFUILTEAR AG SÚIL LEIS LE FADA. SA DARA CUID, DÉANFAIMID INIÚCHADH AR DTÚS AR AILÍNIÚ LEIBHÉIL FUINNIMH IDIR MIOTAIL AGUS LEATHSHEOLTÓIRÍ MÓILÍNEACHA (IDIR MHÓILÍNÍ BEAGA AGUS POLAIMÉIRÍ). CINNEANN AN AILÍNIÚ SEO FEIDHMÍOCHT BEAGNACH GACH FEISTE ORGÁNACH (E.G., OLEDS NÓ CEALLA FÓTAVOLTACHA) AGUS BHEADH A GCINNEADH I GCUMRAÍOCHT SHIMPLÍ DUL CHUN CINN MÓR PRAITICIÚIL SA RÉIMSE. TÁ SÚIL AGAINN FREISIN AILÍNIÚ FUINNIMH DEN SÓRT SIN A RIALÚ TRÍD AN MODHNÚ AR AN INTERLAYER TRÍ MHÓILÍNÍ DIPOLAR, AGUS DÉANFAIMID COMPARÁID IDIR NA TORTHAÍ A FHAIGHTEAR LEIS NA SONRAÍ NEAMHSPLEÁCHA Ó SPEICTREASCÓPACHT FOTOEMISION. TAOBH AMUIGH DEN TIÚNADH FUINNIMH SNA INTERLAYERS, IS É ÁR GCUSPÓIR FREISIN CRUTHÚ ÁBHAR NUA AR DHROMCHLA MIOTAIL IMOIBRÍOCHA TRÍ DHEASCADH MÓILÍNEACH. IS LIMISTÉAR NEAMHFHIOSRAITHE DEN CHUID IS MÓ É SEO AGUS TÁ SÚIL AGAINN GO MBEIDH MUID IN ANN GIOTÁIN MHAIGHNÉADACHA A CHRUTHÚ AR AN NANASCÁLA THAR FHOSHRAITHEANNA COSÚIL LE COPAR. SA TRÍÚ CUID AGUS SA RANNÓG DEIRIDH DÉANFAIMID INIÚCHADH AR AN MBACAINN SCHOTTKY SA INTERLAYER IDIR DICALCOGENIDES MIOTAIL AISTRITHE DÉTHOISEACH AGUS LEATHSHEOLTÓIRÍ MÓILÍNEACHA. BAINFIMID ÚSÁID AS ÁBHAIR ARAON CINEÁL P AGUS CINEÁL N CHUN RÉADÚ CIORCAID CHASTA A CHUR CHUN CINN, MAR SHAMPLA OSCILLATORS AGUS CEALLA FÓTAVOLTACHA RIALAITHE AG TEANNAS DORAS SEACHTRACH. (Irish)
18 August 2022
0 references
SOUČASNÝ TREND V MINIATURIZACI ELEKTRONICKÝCH ZAŘÍZENÍ VYŽADUJE POSTUPNÉ SNIŽOVÁNÍ VELIKOSTI JEDNOTLIVÝCH KOMPONENTŮ, V DŮSLEDKU ČEHOŽ JSOU KOMPLIKOVANÉ OBJEMOVÉ VLASTNOSTI SAMOTNÝCH MATERIÁLŮ STÁLE MÉNĚ DŮLEŽITÉ A MEZIVRSTVY MEZI RŮZNÝMI MATERIÁLY JSOU STÁLE DŮLEŽITĚJŠÍ. MEZIVRSTVY JSOU V SOUČASNÉ DOBĚ VE STŘEDU PRAKTICKY JAKÉHOKOLI NANOELEKTRONICKÉHO ZAŘÍZENÍ. ZE ZÁKLADNÍHO HLEDISKA PREZENTUJÍ MEZIVRSTVY NOVÉ FYZIKÁLNÍ JEVY, KTERÉ NEJSOU V PŘÍHRANIČNÍCH MATERIÁLECH NALEZENY, A TAK MOHOU OTEVŘÍT CESTU NEPROZKOUMANÝM OBLASTEM TECHNOLOGICKÉHO POTENCIÁLU PANNY MARIE. V tomto projektu je náš zaměstnavatel nákupem a řízením mezivrstv pro výrobu pokročilých a pokročilých fyzikálních jevů a opatření, která mohou mít dopad na budoucnost elektronického průmyslu._x000D_ PROJECT, s OHLEDEM NA NAŠE VÝZKU VÝZORU A Kvalitní VYBAVENÍ, byla rozdělena do tří sekcí, které jsou: MEZIVRSTVY PRO MEZIVRSTVY MATERIÁLU SPINTRONICA, METAL/INTERCPAS METAL/MOLEKULE A 2D/MOLEKULE. V PRVNÍ ČÁSTI PROZKOUMÁME PŘEMĚNU ZATĚŽOVACÍCH PROUDŮ NA PROUDY ESPIN POMOCÍ NEMÍSTNÍCH VENTILŮ ESPIN. V MEZIVRSTVÁCH MEZI RŮZNÝMI KOVY A MEZI KOVY A DALŠÍMI MATERIÁLY, JAKO JSOU TOPOLOGICOS IZOLÁTORY, DOUFÁME, ŽE ZÍSKÁME VELKOU PŘEMĚNU MEZI ZATÍŽENÍM A ESPINEM, KTERÝ DOKÁŽE VYTVÁŘET PROUDY ESPINU BEZ FEROMAGNETICKÝCH MATERIÁLŮ. USILUJEME TAKÉ O KONTROLU ČISTÝCH PROUDŮ ESPINU POMOCÍ FENOMENOVÉHO PŘENOSU ESPINU V MEZIVRSTVÁCH MEZI KOVY NEBO GRAFENEM S MAGNETICKÝMI IZOLÁTORY. TATO KONTROLA PROUDŮ ESPINU NÁS PŘIBLÍŽÍ DLOUHO OČEKÁVANÉMU TRANZISTORU ESPINU. VE DRUHÉ ČÁSTI NEJPRVE PROZKOUMÁME SLADĚNÍ ENERGETICKÉ HLADINY MEZI KOVY A MOLEKULÁRNÍMI POLOVODIČI (JAK MALÝMI MOLEKULAMI, TAK POLYMERY). TOTO ZAROVNÁNÍ URČUJE VÝKON PRAKTICKY VŠECH ORGANICKÝCH ZAŘÍZENÍ (E.G., OLED NEBO FOTOVOLTAICKÝCH ČLÁNKŮ) A JEJICH STANOVENÍ V JEDNODUCHÉ KONFIGURACI BY BYLO VELKÝM PRAKTICKÝM POKROKEM V OBORU. DOUFÁME TAKÉ, ŽE TAKOVÉ ZAROVNÁNÍ ENERGIE BUDE ŘÍZENO MODIFIKACÍ MEZIVRSTVY POMOCÍ DIPOLÁRNÍCH MOLEKUL, ZATÍMCO POROVNÁME ZÍSKANÉ VÝSLEDKY S NEZÁVISLÝMI DATY Z FOTOEMISION SPEKTROSKOPIE. KROMĚ ENERGETICKÉHO LADĚNÍ V MEZIVRSTVÁCH JE NAŠÍM CÍLEM TAKÉ VYTVOŘENÍ NOVÝCH MATERIÁLŮ NA POVRCHU REAKTIVNÍCH KOVŮ PROSTŘEDNICTVÍM MOLEKULÁRNÍ DEPOZICE. JEDNÁ SE O DO ZNAČNÉ MÍRY NEPROZKOUMANOU OBLAST A DOUFÁME, ŽE BUDEME SCHOPNI VYTVÁŘET MAGNETICKÉ BITY NA NANOMĚŘÍTKU NA SUBSTRÁTECH, JAKO JE MĚĎ. VE TŘETÍ A ZÁVĚREČNÉ ČÁSTI PROZKOUMÁME SCHOTTKYHO BARIÉRU V MEZIVRSTVĚ MEZI DVOJROZMĚRNÝMI PŘECHODOVÝMI KOVY DICALCOGENIDES A MOLEKULÁRNÍMI POLOVODIČI. K URYCHLENÍ REALIZACE KOMPLEXNÍCH OBVODŮ, JAKO JSOU OSCILÁTORY A FOTOVOLTAICKÉ ČLÁNKY ŘÍZENÉ VNĚJŠÍM NAPĚTÍM DVEŘÍ, POUŽIJEME MATERIÁLY TYPU P I TYPU N. (Czech)
18 August 2022
0 references
A TENDÊNCIA ATUAL NA MINIATURIZAÇÃO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS EXIGE QUE O TAMANHO DE CADA COMPONENTE INDIVIDUAL SEJA PROGRESSIVAMENTE REDUZIDO, CONSEQUENTEMENTE AS PROPRIEDADES INTRINCADAS DE VOLUME DOS PRÓPRIOS MATERIAIS ESTÃO SE TORNANDO CADA VEZ MENOS IMPORTANTES E OS INTERLAYERS ENTRE DIFERENTES MATERIAIS ESTÃO SE TORNANDO CADA VEZ MAIS RELEVANTES. OS INTERLAYERS ESTÃO ATUALMENTE NO CENTRO DE PRATICAMENTE QUALQUER DISPOSITIVO NANOELETRÔNICO. DO PONTO DE VISTA FUNDAMENTAL, OS INTERCALARES APRESENTAM NOVOS FENÔMENOS FÍSICOS QUE NÃO SÃO ENCONTRADOS NOS MATERIAIS DE FRONTEIRA E, PORTANTO, PODEM ABRIR CAMINHO A ÁREAS INEXPLORADAS DE POTENCIAL TECNOLÓGICO VIRGEM. Neste projeto, nosso empregador é a compra e o controle dos intercalares para produzir fenômenos físicos avançados e avançados e provisões que possam ter impacto no futuro da indústria eletrônica._x000D_ O PROJETO, tendo EM CONTA a nossa experiência de pesquisa e equipamentos disponíveis, foi dividido em três seções que são: INTERLAYERS PARA SPINTRONICA, METAL/INTERCPAS METAL/MOLÉCULA E 2D/MOLÉCULA MATERIAL INTERLAYERS, RESPETIVAMENTE. NA PRIMEIRA SECÇÃO VAMOS EXPLORAR A CONVERSÃO DE CORRENTES DE CARGA PARA CORRENTES ESPIN POR MEIO DE VÁLVULAS ESPIN NÃO-LOCAIS. NOS INTERLAYERS ENTRE DIFERENTES METAIS E ENTRE METAIS E OUTROS MATERIAIS, COMO OS ISOLADORES TOPOLOGICOS, ESPERAMOS OBTER UMA GRANDE CONVERSÃO ENTRE A CARGA E O ESPIN SENDO CAPAZ DE CRIAR CORRENTES DE ESPIN SEM MATERIAIS FERROMAGNÉTICOS. TAMBÉM ASPIRAMOS A CONTROLAR AS CORRENTES PURAS DE ESPIN POR MEIO DA TRANSFERÊNCIA DE FENOMENO DE ESPIN EM CAMADAS INTERCALADAS ENTRE METAIS OU GRAFENO COM ISOLADORES MAGNÉTICOS. ESTE CONTROLE DAS CORRENTES DE ESPIN NOS COLOCARÁ MAIS PERTO DO TÃO ESPERADO TRANSISTOR DE ESPIN. NA SEGUNDA SECÇÃO, VAMOS PRIMEIRO EXPLORAR O ALINHAMENTO DOS NÍVEIS DE ENERGIA ENTRE METAIS E SEMICONDUTORES MOLECULARES (TANTO PEQUENAS MOLÉCULAS QUANTO POLÍMEROS). ESTE ALINHAMENTO DETERMINA O DESEMPENHO DE PRATICAMENTE TODOS OS DISPOSITIVOS ORGÂNICOS (E.G., OLEDS OU CÉLULAS FOTOVOLTAICAS) E SUA DETERMINAÇÃO EM UMA CONFIGURAÇÃO SIMPLES SERIA UM GRANDE AVANÇO PRÁTICO NO CAMPO. ESPERAMOS TAMBÉM CONTROLAR ESSE ALINHAMENTO ENERGÉTICO ATRAVÉS DA MODIFICAÇÃO DO INTERLAYER POR MEIO DE MOLÉCULAS DIPOLARES, ENQUANTO COMPARAREMOS OS RESULTADOS OBTIDOS COM OS DADOS INDEPENDENTES DA ESPETROSCOPIA FOTOEMISION. ALÉM DA AFINAÇÃO DE ENERGIA NOS INTERCALARES, NOSSO OBJETIVO É TAMBÉM A CRIAÇÃO DE NOVOS MATERIAIS NA SUPERFÍCIE DE METAIS REATIVOS POR MEIO DE DEPOSIÇÃO MOLECULAR. ESTA É UMA ÁREA EM GRANDE PARTE INEXPLORADA E ESPERAMOS PODER CRIAR BITS MAGNÉTICOS NA NANOESCALA SOBRE SUBSTRATOS COMO O COBRE. NA TERCEIRA E ÚLTIMA SECÇÃO EXPLORAREMOS A BARREIRA SCHOTTKY NO INTERLAYER ENTRE DICALCOGENIDES DE METAL DE TRANSIÇÃO BIDIMENSIONAL E SEMICONDUTORES MOLECULARES. USAREMOS MATERIAIS TANTO DO TIPO P QUANTO DO TIPO N PARA AVANÇAR NA REALIZAÇÃO DE CIRCUITOS COMPLEXOS, COMO OSCILADORES E CÉLULAS FOTOVOLTAICAS CONTROLADAS POR UMA TENSÃO EXTERNA DA PORTA. (Portuguese)
18 August 2022
0 references
ELEKTROONIKASEADMETE MINIATURISEERIMISE PRAEGUNE SUUNDUMUS NÕUAB, ET IGA ÜKSIKU KOMPONENDI SUURUST VÄHENDATAKS JÄRK-JÄRGULT, MISTÕTTU MUUTUVAD MATERJALIDE ENDA KEERUKAD MAHUOMADUSED ÜHA OLULISEMAKS JA ERI MATERJALIDE VAHEKIHID MUUTUVAD ÜHA OLULISEMAKS. VAHEKIHID ON PRAEGU PEAAEGU IGA NANOELEKTROONILISE SEADME KESKMES. FUNDAMENTAALSEST VAATEPUNKTIST ON VAHEKIHID UUED FÜÜSIKALISED NÄHTUSED, MIDA PIIRIMATERJALIDES EI LEIDU JA SEEGA VÕIVAD NAD AVADA TEE UURIMATA TEHNOLOOGILISE POTENTSIAALIGA ALADELE NEITSI. Selles projektis on meie tööandja vahekihtide ostmine ja kontroll, et toota arenenud ja arenenud füüsikalisi nähtusi ja sätteid, mis võivad mõjutada elektroonikatööstuse tulevikku._x000D_ THE PROJECT, võttes arvesse meie TEADUSED EKERIENCE JA VALITSUSTE Kvaliteet, on see jagatud kolme ossa, mis on: VAHEKIHID VASTAVALT SPINTRONICA, METALLI/INTERCPAS METALLI/MOLEKULI JA 2D/MOLEKULMATERJALI VAHEKIHTIDE JAOKS. ESIMESES OSAS UURIME KOORMUSVOOLUDE TEISENDAMIST ESPINI HOOVUSTEKS MITTEKOHALIKE ESPIN-VENTIILIDE ABIL. ERINEVATE METALLIDE VAHEKIHTIDES NING METALLIDE JA MUUDE MATERJALIDE VAHEL, NAGU TOPOLOGICOS ISOLAATORID, LOODAME SAAVUTADA SUURE KONVERSIOONI KOORMUSE JA ESPINI VAHEL, MIS SUUDAB LUUA ESPERIINI VOOLU ILMA FERROMAGNETILISTE MATERJALIDETA. SAMUTI PÜÜAME KONTROLLIDA ESPERIINI PUHAST VOOLU, KASUTADES ESPIN’I FENOMENI ÜLEKANDMIST METALLIDE VÕI GRAFEENI VAHEKIHTIDESSE MAGNETISOLAATORITEGA. SEE KONTROLL ESPINI HOOVUSTE ÜLE VIIB MEID LÄHEMALE KAUAOODATUD ESPINI TRANSISTORILE. TEISES OSAS UURIME KÕIGEPEALT METALLIDE JA MOLEKULAARPOOLJUHTIDE (NII VÄIKESTE MOLEKULIDE KUI KA POLÜMEERIDE) ENERGIATASEMETE ÜHTLUSTAMIST. SEE JOONDAMINE MÄÄRAB PRAKTILISELT KÕIGI ORGAANILISTE SEADMETE (E.G., OLEDID VÕI FOTOGALVAANILISED RAKUD) TOIMIVUSE JA NENDE MÄÄRAMINE LIHTSAS KONFIGURATSIOONIS OLEKS SUUR PRAKTILINE EDASIMINEK SELLES VALDKONNAS. SAMUTI LOODAME KONTROLLIDA ENERGIA JOONDAMIST INTERKIHI MUUTMISE KAUDU DIPOLAARSETE MOLEKULIDE ABIL, SAMAL AJAL KUI ME VÕRDLEME SAADUD TULEMUSI FOTOEMISIONI SPEKTROSKOOPIA SÕLTUMATUTE ANDMETEGA. LISAKS ENERGIA HÄÄLESTAMISELE VAHEKIHTIDES ON MEIE EESMÄRGIKS KA UUTE MATERJALIDE LOOMINE REAKTIIVSETE METALLIDE PINNAL MOLEKULAARSADESTAMISE ABIL. SEE ON SUURES OSAS UURIMATA ALA JA ME LOODAME, ET SUUDAME LUUA NANOSKAALAL MAGNETBITTE ÜLE SUBSTRAATIDE NAGU VASK. KOLMANDAS JA VIIMASES OSAS UURIME SCHOTTKY BARJÄÄRI KAHEMÕÕTMELISE ÜLEMINEKUMETALLI DICALCOGENIDES JA MOLEKULAARPOOLJUHTIDE VAHEKIHIS. KASUTAME MATERJALE NII P KUI KA TÜÜP N, ET EDENDADA KEERUKATE AHELATE REALISEERIMIST, NAGU OSTSILLAATORID JA FOTOGALVAANILISED RAKUD, MIDA JUHIB VÄLISUKSE PINGE. (Estonian)
18 August 2022
0 references
AZ ELEKTRONIKUS ESZKÖZÖK MINIATÜRIZÁLÁSÁNAK JELENLEGI TENDENCIÁJA MEGKÖVETELI, HOGY AZ EGYES KOMPONENSEK MÉRETE FOKOZATOSAN CSÖKKENJEN, KÖVETKEZÉSKÉPPEN AZ ANYAGOK BONYOLULT TÉRFOGATI TULAJDONSÁGAI EGYRE KEVÉSBÉ FONTOSAK, ÉS A KÜLÖNBÖZŐ ANYAGOK KÖZÖTTI KÖZBENSŐ RÉTEGEK EGYRE INKÁBB RELEVÁNSAK. A KÖZBENSŐ RÉTEGEK JELENLEG GYAKORLATILAG BÁRMILYEN NANOELEKTRONIKAI ESZKÖZ KÖZÉPPONTJÁBAN ÁLLNAK. ALAPVETŐ SZEMPONTBÓL A KÖZBENSŐ RÉTEGEK OLYAN ÚJ FIZIKAI JELENSÉGEKET MUTATNAK BE, AMELYEK NEM TALÁLHATÓK MEG A HATÁRMENTI ANYAGOKBAN, ÉS ÍGY MEGNYITHATJÁK AZ UTAT A TECHNOLÓGIAI POTENCIÁLIS SZŰZ FEL NEM TÁRT TERÜLETEI ELŐTT. Ebben a projektben munkáltatónk a közbenső rétegek vásárlása és ellenőrzése olyan fejlett és fejlett fizikai jelenségek és rendelkezések előállítása érdekében, amelyek hatással lehetnek az elektronikus ipar jövőjére._x000D_ A PROJEKT, tekintettel a RESEARCH EXPERIENCE ÉS AVAILABLE EQUIPMENT-re, három részre oszlik: KÖZBENSŐ RÉTEGEK SPINTRONICA, FÉM/INTERCPAS FÉM/MOLEKULA ÉS 2D/MOLEKULA ANYAG KÖZBENSŐ RÉTEGEKHEZ. AZ ELSŐ RÉSZBEN A TERHELÉSI ÁRAMOK ESPIN ÁRAMMÁ TÖRTÉNŐ ÁTALAKÍTÁSÁT VIZSGÁLJUK MEG NEM HELYI ESPIN SZELEPEK SEGÍTSÉGÉVEL. A KÜLÖNBÖZŐ FÉMEK KÖZÖTTI KÖZBENSŐ RÉTEGEKBEN, VALAMINT A FÉMEK ÉS MÁS ANYAGOK, MINT PÉLDÁUL A TOPOLOGICOS SZIGETELŐK KÖZÖTT, REMÉLJÜK, HOGY A TERHELÉS ÉS AZ ESPIN KÖZÖTT NAGY ÁTALAKÍTÁST ÉRÜNK EL, HOGY KÉPESEK LEGYENEK LÉTREHOZNI ESPIN ÁRAMAIT FERROMÁGNESES ANYAGOK NÉLKÜL. ARRA IS TÖREKSZÜNK, HOGY IRÁNYÍTSUK AZ ESPIN TISZTA ÁRAMAIT A FÉMEK VAGY MÁGNESES SZIGETELŐKKEL ELLÁTOTT GRAFÉN KÖZÖTTI RÉTEGEKBEN LÉVŐ ESPIN FENOMÉN ÁTVITELÉVEL. AZ ESPIN ÁRAMLATAINAK EZ AZ IRÁNYÍTÁSA KÖZELEBB VISZ MINKET ESPIN RÉGÓTA VÁRT TRANZISZTORÁHOZ. A MÁSODIK RÉSZBEN ELŐSZÖR A FÉMEK ÉS A MOLEKULÁRIS FÉLVEZETŐK (KIS MOLEKULÁK ÉS POLIMEREK) KÖZÖTTI ENERGIASZINTEK ÖSSZEHANGOLÁSÁT VIZSGÁLJUK MEG. EZ AZ ÖSSZEHANGOLÁS HATÁROZZA MEG GYAKORLATILAG AZ ÖSSZES SZERVES ESZKÖZ (E.G., OLED VAGY FOTOVOLTAIKUS CELLÁK) TELJESÍTMÉNYÉT, ÉS EZEK EGYSZERŰ KONFIGURÁCIÓBAN TÖRTÉNŐ MEGHATÁROZÁSA NAGY GYAKORLATI ELŐRELÉPÉST JELENTENE A TERÜLETEN. REMÉLJÜK, HOGY EZT AZ ENERGIABEÁLLÍTÁST A KÖZBENSŐ RÉTEG DIPOLÁRIS MOLEKULÁK SEGÍTSÉGÉVEL TÖRTÉNŐ MÓDOSÍTÁSÁVAL TUDJUK SZABÁLYOZNI, MIKÖZBEN ÖSSZEHASONLÍTJUK A KAPOTT EREDMÉNYEKET A FOTOEMISION SPEKTROSZKÓPIA FÜGGETLEN ADATAIVAL. A KÖZBENSŐ RÉTEGEK ENERGIAHANGOLÁSÁN TÚL CÉLUNK AZ IS, HOGY A REAKTÍV FÉMEK FELÜLETÉN ÚJ ANYAGOKAT HOZZUNK LÉTRE MOLEKULÁRIS LERAKÓDÁSSAL. EZ EGY NAGYRÉSZT FELTÁRATLAN TERÜLET, ÉS REMÉLJÜK, HOGY KÉPESEK LESZÜNK MÁGNESES BITEKET LÉTREHOZNI A NANOMÉRETŰ SZUBSZTRÁTOKON, PÉLDÁUL A RÉZ FELETT. A HARMADIK ÉS AZ UTOLSÓ RÉSZBEN A KÉTDIMENZIÓS ÁTMENETI FÉM DICALCOGENIDES ÉS A MOLEKULÁRIS FÉLVEZETŐK KÖZÖTTI KÖZBENSŐ RÉTEGBEN LÉVŐ SCHOTTKY GÁTAT VIZSGÁLJUK. A P ÉS N TÍPUSÚ ANYAGOKAT EGYARÁNT FELHASZNÁLJUK A KOMPLEX ÁRAMKÖRÖK MEGVALÓSÍTÁSÁNAK ELŐMOZDÍTÁSÁRA, MINT PÉLDÁUL AZ OSZCILLÁTOROK ÉS A KÜLSŐ AJTÓFESZÍTÉS ÁLTAL VEZÉRELT FOTOVOLTAIKUS CELLÁK. (Hungarian)
18 August 2022
0 references
НАСТОЯЩАТА ТЕНДЕНЦИЯ В МИНИАТЮРИЗАЦИЯТА НА ЕЛЕКТРОННИТЕ УСТРОЙСТВА ИЗИСКВА ПОСТЕПЕННО НАМАЛЯВАНЕ НА РАЗМЕРА НА ВСЕКИ ОТДЕЛЕН КОМПОНЕНТ, ВСЛЕДСТВИЕ НА КОЕТО СЛОЖНИТЕ СВОЙСТВА НА ОБЕМА НА САМИТЕ МАТЕРИАЛИ СТАВАТ ВСЕ ПО-МАЛОВАЖНИ И МЕЖДИННИТЕ СЛОЕВЕ МЕЖДУ РАЗЛИЧНИТЕ МАТЕРИАЛИ СТАВАТ ВСЕ ПО-ВАЖНИ. МЕЖДИННИТЕ СЛОЕВЕ В МОМЕНТА СА В ЦЕНТЪРА НА ПРАКТИЧЕСКИ ВСЯКО НАНОЕЛЕКТРОННО УСТРОЙСТВО. ОТ ФУНДАМЕНТАЛНА ГЛЕДНА ТОЧКА МЕЖДИННИТЕ СЛОЕВЕ ПРЕДСТАВЯТ НОВИ ФИЗИЧЕСКИ ЯВЛЕНИЯ, КОИТО НЕ СЕ СРЕЩАТ В ГРАНИЧНИТЕ МАТЕРИАЛИ И ПО ТОЗИ НАЧИН МОГАТ ДА ОТВОРЯТ ПЪТЯ КЪМ НЕИЗСЛЕДВАНИ РАЙОНИ С ТЕХНОЛОГИЧЕН ПОТЕНЦИАЛ ДЕВА. В този проект, нашият работодател е закупуването и контрола на междинните слоеве да произвеждат напреднали и напреднали физически явления и провизии, които могат да окажат влияние върху бъдещето на електронната индустрия._x000D_ THE PROJECT, като се има предвид, че РЕЗЕРВИРАНЕТО И РАЗВИТИЕТО е разделено на три секции, които са: МЕЖДИННИ СЛОЕВЕ СЪОТВЕТНО ЗА SPINTRONICA, МЕТАЛ/INTERCPAS МЕТАЛ/МОЛЕКУЛА И 2D/МОЛЕКУЛНИ МАТЕРИАЛИ. В ПЪРВИЯ РАЗДЕЛ ЩЕ ПРОУЧИМ ПРЕОБРАЗУВАНЕТО НА НАТОВАРВАЩИТЕ ТОКОВЕ В ESPIN ТОКОВЕ С ПОМОЩТА НА НЕЛОКАЛНИ ESPIN КЛАПАНИ. В МЕЖДИННИТЕ СЛОЕВЕ МЕЖДУ РАЗЛИЧНИ МЕТАЛИ И МЕЖДУ МЕТАЛИ И ДРУГИ МАТЕРИАЛИ КАТО TOPOLOGICOS ИЗОЛАТОРИ СЕ НАДЯВАМЕ ДА ПОЛУЧИМ ГОЛЯМА КОНВЕРСИЯ МЕЖДУ ТОВАРА И ESPIN ДА СЪЗДАДЕ ТОКОВЕ НА ESPIN БЕЗ ФЕРОМАГНИТНИ МАТЕРИАЛИ. НИЕ СЪЩО ТАКА СЕ СТРЕМИМ ДА КОНТРОЛИРАМЕ ЧИСТИТЕ ТЕЧЕНИЯ НА ESPIN ЧРЕЗ ФЕНОМЕН ТРАНСФЕР НА ESPIN В МЕЖДИННИ СЛОЕВЕ МЕЖДУ МЕТАЛИ ИЛИ ГРАФЕН С МАГНИТНИ ИЗОЛАТОРИ. ТОЗИ КОНТРОЛ НА ТЕЧЕНИЯТА НА ESPIN ЩЕ НИ ПОСТАВИ ПО-БЛИЗО ДО ДЪЛГООЧАКВАНИЯ ТРАНЗИСТОР НА ESPIN. ВЪВ ВТОРИЯ РАЗДЕЛ ПЪРВО ЩЕ ПРОУЧИМ ИЗРАВНЯВАНЕТО НА ЕНЕРГИЙНИТЕ НИВА МЕЖДУ МЕТАЛИТЕ И МОЛЕКУЛЯРНИТЕ ПОЛУПРОВОДНИЦИ (КАКТО МАЛКИ МОЛЕКУЛИ, ТАКА И ПОЛИМЕРИ). ТОВА ПОДРАВНЯВАНЕ ОПРЕДЕЛЯ ЕФЕКТИВНОСТТА НА ПРАКТИЧЕСКИ ВСИЧКИ ОРГАНИЧНИ УСТРОЙСТВА (ЕГ, OLED ИЛИ ФОТОВОЛТАИЧНИ КЛЕТКИ) И ТЯХНОТО ОПРЕДЕЛЯНЕ В ЕДНА ПРОСТА КОНФИГУРАЦИЯ БИ БИЛО ГОЛЯМ ПРАКТИЧЕСКИ НАПРЕДЪК В ОБЛАСТТА. НАДЯВАМЕ СЕ СЪЩО ТАКА ДА КОНТРОЛИРАМЕ ТАКОВА ЕНЕРГИЙНО ИЗРАВНЯВАНЕ ЧРЕЗ МОДИФИКАЦИЯ НА МЕЖДИННИЯ СЛОЙ С ПОМОЩТА НА ДИПОЛЯРНИ МОЛЕКУЛИ, ДОКАТО ЩЕ СРАВНИМ ПОЛУЧЕНИТЕ РЕЗУЛТАТИ С НЕЗАВИСИМИТЕ ДАННИ ОТ СПЕКТРОСКОПИЯТА FOTOEMISION. ОТВЪД ЕНЕРГИЙНАТА НАСТРОЙКА В МЕЖДИННИТЕ СЛОЕВЕ, НАШАТА ЦЕЛ Е И СЪЗДАВАНЕТО НА НОВИ МАТЕРИАЛИ НА ПОВЪРХНОСТТА НА РЕАКТИВНИТЕ МЕТАЛИ ЧРЕЗ МОЛЕКУЛЯРНО ОТЛАГАНЕ. ТОВА Е ДО ГОЛЯМА СТЕПЕН НЕИЗСЛЕДВАНА ОБЛАСТ И СЕ НАДЯВАМЕ ДА МОЖЕМ ДА СЪЗДАДЕМ МАГНИТНИ БИТА НА НАНОМАЩАБА НАД СУБСТРАТИ КАТО МЕД. В ТРЕТАТА И ПОСЛЕДНА СЕКЦИЯ ЩЕ ИЗСЛЕДВАМЕ SCHOTTKY БАРИЕРАТА В МЕЖДИННИЯ СЛОЙ МЕЖДУ ДВУИЗМЕРЕН ПРЕХОДЕН МЕТАЛ DICALCOGENIDES И МОЛЕКУЛЯРНИ ПОЛУПРОВОДНИЦИ. ЩЕ ИЗПОЛЗВАМЕ МАТЕРИАЛИ КАКТО ТИП P, ТАКА И ТИП N, ЗА ДА УСКОРИМ РЕАЛИЗАЦИЯТА НА СЛОЖНИ СХЕМИ, КАТО ОСЦИЛАТОРИ И ФОТОВОЛТАИЧНИ КЛЕТКИ, КОНТРОЛИРАНИ ОТ ВЪНШНО НАПРЕЖЕНИЕ НА ВРАТАТА. (Bulgarian)
18 August 2022
0 references
DABARTINĖ ELEKTRONINIŲ PRIETAISŲ MINIATIŪRIZAVIMO TENDENCIJA REIKALAUJA, KAD KIEKVIENO ATSKIRO KOMPONENTO DYDIS BŪTŲ PALAIPSNIUI MAŽINAMAS, TODĖL PAČIŲ MEDŽIAGŲ SUDĖTINGOS TŪRIO SAVYBĖS TAMPA VIS MAŽIAU SVARBIOS, O SKIRTINGŲ MEDŽIAGŲ TARPSLUOKSNIAI TAMPA VIS AKTUALESNI. TARPSLUOKSNIAI ŠIUO METU YRA BEVEIK BET KURIO NANOELEKTRONINIO PRIETAISO CENTRE. ESMINIU POŽIŪRIU, TARPSLUOKSNIAI PRISTATO NAUJUS FIZINIUS REIŠKINIUS, KURIŲ NĖRA PASIENIO MEDŽIAGOSE, TODĖL GALI ATVERTI KELIĄ NEIŠTIRTOMS TECHNOLOGINIO POTENCIALO SRITIMS MERGELĖS. Šiame projekte mūsų darbdavys yra tarpsluoksnių pirkimas ir kontrolė, siekiant gaminti pažangius ir pažangius fizinius reiškinius ir nuostatas, kurios gali turėti įtakos elektronikos pramonės ateičiai._x000D_ PROJEKTAS, atsižvelgdamas į mūsų RESEARCH EXPERIENCE IR AVAILABLE EQUIPMENT, jis buvo padalintas į tris skyrius, kurie yra: TARPSLUOKSNIAI SPINTRONICA, METALUI/INTERCPAS METALUI/MOLEKULEI IR 2D/MOLEKULĖS TARPSLUOKSNIAMS. PIRMAJAME SKYRIUJE MES IŠNAGRINĖSIME APKROVOS SROVIŲ KONVERTAVIMĄ Į ESPIN SROVES NAUDOJANT NEVIETINIUS ESPIN VOŽTUVUS. TARPSLUOKSNIUOSE TARP SKIRTINGŲ METALŲ IR TARP METALŲ IR KITŲ MEDŽIAGŲ, TOKIŲ KAIP TOPOLOGICOS IZOLIATORIAI, TIKIMĖS GAUTI DIDELĘ KONVERSIJĄ TARP APKROVOS IR ESPIN, KAD GALĖTUME SUKURTI ESPIN SROVES BE FEROMAGNETINIŲ MEDŽIAGŲ. MES TAIP PAT SIEKIAME KONTROLIUOTI GRYNAS ESPIN SROVES FENOMENO PERDAVIMO ESPIN TARPSLUOKSNIUOSE TARP METALŲ AR GRAFENO SU MAGNETINIAIS IZOLIATORIAIS. ŠI ESPIN SROVIŲ KONTROLĖ PADĖS MUMS ARČIAU ILGAI LAUKTO ESPIN TRANZISTORIAUS. ANTROJE DALYJE PIRMIAUSIA IŠNAGRINĖSIME ENERGIJOS LYGIŲ DERINIMĄ TARP METALŲ IR MOLEKULINIŲ PUSLAIDININKIŲ (TIEK MAŽŲ MOLEKULIŲ, TIEK POLIMERŲ). ŠIS SUDERINIMAS LEMIA BEVEIK VISŲ ORGANINIŲ PRIETAISŲ (E.G., OLED ARBA FOTOVOLTINIŲ ELEMENTŲ) VEIKIMĄ, O JŲ NUSTATYMAS PAPRASTA KONFIGŪRACIJA BŪTŲ DIDELĖ PRAKTINĖ PAŽANGA ŠIOJE SRITYJE. MES TAIP PAT TIKIMĖS KONTROLIUOTI TOKĮ ENERGIJOS DERINIMĄ, MODIFIKUODAMI TARPSLUOKSNĮ DIPOLINĖMIS MOLEKULĖMIS, O GAUTUS REZULTATUS PALYGINSIME SU NEPRIKLAUSOMAIS FOTOEMISION SPEKTROSKOPIJOS DUOMENIMIS. BE ENERGIJOS DERINIMO TARPSLUOKSNIUOSE, MŪSŲ TIKSLAS TAIP PAT YRA NAUJŲ MEDŽIAGŲ KŪRIMAS REAKTYVIŲJŲ METALŲ PAVIRŠIUJE MOLEKULINIU NUSODINIMU. TAI IŠ ESMĖS NEIŠTIRTA SRITIS, IR MES TIKIMĖS, KAD GALĖSIME SUKURTI MAGNETINIUS BITUS ANT NANOSKALĖS ANT SUBSTRATŲ, TOKIŲ KAIP VARIS. TREČIAME IR PASKUTINIAME SKYRIUJE MES IŠNAGRINĖSIME SCHOTTKY BARJERĄ TARPSLUOKSNYJE TARP DVIMAČIŲ PEREINAMŲJŲ METALŲ DICALCOGENIDES IR MOLEKULINIŲ PUSLAIDININKIŲ. MES NAUDOSIME TIEK P TIPO, TIEK N TIPO MEDŽIAGAS, KAD IŠ ANKSTO ĮGYVENDINTUME SUDĖTINGAS GRANDINES, TOKIAS KAIP OSCILIATORIAI IR FOTOVOLTINIAI ELEMENTAI, VALDOMI IŠORINĖS DURŲ ĮTAMPOS. (Lithuanian)
18 August 2022
0 references
TRENUTAČNI TREND MINIJATURIZACIJE ELEKTRONIČKIH UREĐAJA ZAHTIJEVA POSTUPNO SMANJENJE VELIČINE SVAKE POJEDINE KOMPONENTE, ZBOG ČEGA ZAMRŠENA SVOJSTVA VOLUMENA SAMIH MATERIJALA POSTAJU SVE MANJE VAŽNA, A MEĐUSLOJEVI IZMEĐU RAZLIČITIH MATERIJALA POSTAJU SVE VAŽNIJI. MEĐUSLOJEVI SU TRENUTNO U SREDIŠTU GOTOVO SVAKOG NANOELEKTRONIČKOG UREĐAJA. S TEMELJNE TOČKE GLEDIŠTA, MEĐUSLOJEVI PREDSTAVLJAJU NOVE FIZIČKE POJAVE KOJE SE NE NALAZE U GRANIČNOM MATERIJALU I TAKO MOGU OTVORITI PUT NEISTRAŽENIM PODRUČJIMA TEHNOLOŠKOG POTENCIJALA DJEVICE. U ovom projektu naš poslodavac je kupnja i kontrola međuslojeva kako bi se proizvele napredne i napredne fizičke pojave i odredbe koje mogu utjecati na budućnost elektroničke industrije._x000D_ PROJEKT, imajući U OBZIR NAŠE IZVJEŠĆE I POSTUPAK, podijeljen je u tri dijela: MEĐUSLOJEVI ZA SPINTRONICA, METAL/INTERCPAS METAL/MOLEKULA I 2D/MOLEKULA MATERIJALA MEĐUSLOJEVI, ODNOSNO. U PRVOM DIJELU ISTRAŽIT ĆEMO PRETVORBU STRUJE OPTEREĆENJA U ESPIN STRUJE POMOĆU NELOKALNIH ESPINSKIH VENTILA. U MEĐUSLOJEVIMA IZMEĐU RAZLIČITIH METALA TE IZMEĐU METALA I DRUGIH MATERIJALA KAO ŠTO SU TOPOLOGICOS IZOLATORI NADAMO SE DA ĆEMO DOBITI VELIKU PRETVORBU IZMEĐU OPTEREĆENJA I ESPINA KOJI MOŽE STVORITI STRUJE ESPINA BEZ FEROMAGNETNIH MATERIJALA. TAKOĐER NASTOJIMO KONTROLIRATI ČISTE STRUJE ESPINA POMOĆU PRIJENOSA FENOMENA ESPINA U MEĐUSLOJEVIMA IZMEĐU METALA ILI GRAFENA S MAGNETSKIM IZOLATORIMA. OVA KONTROLA STRUJA ESPINA ĆE NAS PRIBLIŽITI DUGO OČEKIVANOM TRANZISTORU ESPINA. U DRUGOM DIJELU PRVO ĆEMO ISTRAŽITI USKLAĐIVANJE RAZINA ENERGIJE IZMEĐU METALA I MOLEKULARNIH POLUVODIČA (I MALIH MOLEKULA I POLIMERA). OVO USKLAĐIVANJE ODREĐUJE UČINKOVITOST PRAKTIČKI SVIH ORGANSKIH UREĐAJA (E.G., OLED ILI FOTONAPONSKIH ĆELIJA) I NJIHOVO ODREĐIVANJE U JEDNOSTAVNOJ KONFIGURACIJI BILO BI VELIK PRAKTIČAN NAPREDAK U TOM PODRUČJU. TAKOĐER SE NADAMO DA ĆEMO KONTROLIRATI TAKVO ENERGETSKO PORAVNANJE KROZ MODIFIKACIJU MEĐUSLOJA POMOĆU DIPOLARNIH MOLEKULA, DOK ĆEMO USPOREDITI DOBIVENE REZULTATE S NEOVISNIM PODACIMA IZ FOTOEMISION SPEKTROSKOPIJE. OSIM UGAĐANJA ENERGIJE U MEĐUSLOJEVIMA, NAŠ CILJ JE I STVARANJE NOVIH MATERIJALA NA POVRŠINI REAKTIVNIH METALA POMOĆU MOLEKULARNOG TALOŽENJA. TO JE U VELIKOJ MJERI NEISTRAŽENO PODRUČJE I NADAMO SE DA ĆEMO MOĆI STVORITI MAGNETSKE BITOVE NA NANO RAZINI NAD SUPSTRATIMA KAO ŠTO JE BAKAR. U TREĆEM I ZAVRŠNOM DIJELU ISTRAŽIT ĆEMO SCHOTTKY BARIJERU U MEĐUSLOJU IZMEĐU DVODIMENZIONALNOG PRIJELAZNOG METALA DICALCOGENIDES I MOLEKULARNIH POLUVODIČA. KORISTIT ĆEMO MATERIJALE TIPA P I TIPA N KAKO BISMO UNAPRIJEDILI REALIZACIJU SLOŽENIH KRUGOVA, KAO ŠTO SU OSCILATORI I FOTONAPONSKE ĆELIJE KOJE KONTROLIRA NAPETOST VANJSKIH VRATA. (Croatian)
18 August 2022
0 references
DEN NUVARANDE TRENDEN NÄR DET GÄLLER MINIATYRISERING AV ELEKTRONISKA APPARATER KRÄVER ATT STORLEKEN PÅ VARJE ENSKILD KOMPONENT GRADVIS MINSKAS, VILKET INNEBÄR ATT DE INVECKLADE VOLYMEGENSKAPERNA HOS SJÄLVA MATERIALEN BLIR ALLT MINDRE VIKTIGA OCH ATT MELLANSKIKTEN MELLAN OLIKA MATERIAL BLIR ALLTMER RELEVANTA. MELLANSKIKTEN ÄR FÖR NÄRVARANDE I CENTRUM AV PRAKTISKT TAGET ALLA NANOELEKTRONISKA ENHETER. UR DEN GRUNDLÄGGANDE SYNVINKELN PRESENTERAR MELLANSKIKTEN NYA FYSISKA FENOMEN SOM INTE FINNS I GRÄNSMATERIALEN OCH SOM DÄRMED KAN BANA VÄG FÖR OUTFORSKADE OMRÅDEN AV TEKNISK POTENTIAL VIRGIN. I detta projekt är vår arbetsgivare inköp och kontroll av mellanskikten för att producera avancerade och avancerade fysiska fenomen och bestämmelser som kan påverka framtiden för den elektroniska industrin._x000D_ PROJEKT, som BEAKTAR VÅR RESEARCH EXPERIENCE OCH AVAILABLE EQUIPMENT, den har delats in i tre delar som är: MELLANSKIKT FÖR SPINTRONICA, METALL/INTERCPAS METALL/MOLEKYL OCH 2D/MOLEKYLMATERIAL MELLANSKIKT. I DET FÖRSTA AVSNITTET KOMMER VI ATT UNDERSÖKA OMVANDLINGEN AV BELASTNINGSSTRÖMMAR TILL ESPIN-STRÖMMAR MED HJÄLP AV ICKE-LOKALA ESPINVENTILER. I MELLANSKIKTEN MELLAN OLIKA METALLER OCH MELLAN METALLER OCH ANDRA MATERIAL SOM TOPOLOGICOS ISOLATORER HOPPAS VI FÅ EN STOR OMVANDLING MELLAN BELASTNINGEN OCH ESPIN ATT KUNNA SKAPA STRÖMMAR AV ESPIN UTAN FERROMAGNETISKA MATERIAL. VI STRÄVAR OCKSÅ EFTER ATT KONTROLLERA DE RENA STRÖMMARNA I ESPIN GENOM FENOMENÖVERFÖRINGEN AV ESPIN I MELLANSKIKT MELLAN METALLER ELLER GRAFEN MED MAGNETISKA ISOLATORER. DENNA KONTROLL AV STRÖMMARNA I ESPIN KOMMER ATT FÖRA OSS NÄRMARE ESPINS EFTERLÄNGTADE TRANSISTOR. I DET ANDRA AVSNITTET KOMMER VI FÖRST ATT UNDERSÖKA ANPASSNINGEN AV ENERGINIVÅER MELLAN METALLER OCH MOLEKYLÄRA HALVLEDARE (BÅDE SMÅ MOLEKYLER OCH POLYMERER). DENNA JUSTERING BESTÄMMER PRESTANDAN HOS PRAKTISKT TAGET ALLA ORGANISKA PRODUKTER (E.G., OLED ELLER FOTOVOLTAISKA CELLER) OCH DERAS BESTÄMNING I EN ENKEL KONFIGURATION SKULLE VARA ETT STORT PRAKTISKT FRAMSTEG PÅ OMRÅDET. VI HOPPAS OCKSÅ KUNNA KONTROLLERA EN SÅDAN ENERGIANPASSNING GENOM MODIFIERING AV MELLANSKIKTET MED HJÄLP AV DIPOLÄRA MOLEKYLER, MEDAN VI KOMMER ATT JÄMFÖRA DE RESULTAT SOM ERHÅLLITS MED DE OBEROENDE DATA FRÅN FOTOEMISION SPEKTROSKOPI. UTÖVER ENERGIINSTÄLLNINGEN I MELLANSKIKTEN ÄR VÅRT MÅL OCKSÅ ATT SKAPA NYA MATERIAL PÅ YTAN AV REAKTIVA METALLER GENOM MOLEKYLÄR DEPOSITION. DETTA ÄR ETT TILL STOR DEL OUTFORSKAT OMRÅDE OCH VI HOPPAS KUNNA SKAPA MAGNETISKA BITAR PÅ NANOSKALAN ÖVER SUBSTRAT SOM KOPPAR. I DET TREDJE OCH SISTA AVSNITTET KOMMER VI ATT UTFORSKA SCHOTTKY-BARRIÄREN I MELLANSKIKTET MELLAN TVÅDIMENSIONELLA ÖVERGÅNGSMETALL DICALCOGENIDES OCH MOLEKYLÄRA HALVLEDARE. VI KOMMER ATT ANVÄNDA MATERIAL BÅDE TYP P OCH TYP N FÖR ATT FRÄMJA FÖRVERKLIGANDET AV KOMPLEXA KRETSAR, SÅSOM OSCILLATORER OCH FOTOVOLTAISKA CELLER SOM STYRS AV EN YTTRE DÖRRSPÄNNING. (Swedish)
18 August 2022
0 references
TENDINȚA ACTUALĂ ÎN MINIATURIZAREA DISPOZITIVELOR ELECTRONICE IMPUNE CA DIMENSIUNEA FIECĂREI COMPONENTE INDIVIDUALE SĂ FIE REDUSĂ PROGRESIV, ÎN CONSECINȚĂ PROPRIETĂȚILE COMPLEXE ALE VOLUMULUI MATERIALELOR ÎN SINE DEVIN DIN CE ÎN CE MAI PUȚIN IMPORTANTE, IAR STRATURILE INTERMEDIARE DINTRE DIFERITE MATERIALE DEVIN DIN CE ÎN CE MAI RELEVANTE. STRATURILE INTERMEDIARE SUNT ÎN PREZENT ÎN CENTRUL ORICĂRUI DISPOZITIV NANOELECTRONIC. DIN PUNCT DE VEDERE FUNDAMENTAL, STRATURILE INTERMEDIARE PREZINTĂ NOI FENOMENE FIZICE CARE NU SE GĂSESC ÎN MATERIALELE DE FRONTIERĂ ȘI, ASTFEL, POT DESCHIDE CALEA CĂTRE ZONE NEEXPLORATE ALE POTENȚIALULUI TEHNOLOGIC VIRGIN. În acest proiect, angajatorul nostru este achiziționarea și controlul straturilor intermediare pentru a produce fenomene fizice avansate și avansate și dispoziții care pot avea un impact asupra viitorului industriei electronice._x000D_ PROJECT, având ÎN VEDERE EXPERIENȚA DE CERCETARE ȘI Eficiența AVAILABILĂ, acesta a fost împărțit în trei secțiuni, care sunt: STRATURI INTERMEDIARE PENTRU SPINTRONICA, METAL/INTERCPAS METAL/MOLECULE ȘI, RESPECTIV, 2D/MOLECULE MATERIALE INTERMEDIARE. ÎN PRIMA SECȚIUNE VOM EXPLORA CONVERSIA CURENȚILOR DE SARCINĂ ÎN CURENȚII ESPIN PRIN INTERMEDIUL SUPAPELOR ESPIN NON-LOCALE. ÎN STRATURILE INTERMEDIARE ÎNTRE DIFERITE METALE ȘI ÎNTRE METALE ȘI ALTE MATERIALE, CUM AR FI IZOLATORII TOPOLOGICOS, SPERĂM SĂ OBȚINEM O CONVERSIE MARE ÎNTRE ÎNCĂRCĂTURĂ ȘI ESPIN FIIND CAPABIL SĂ CREEZE CURENȚI DE ESPIN FĂRĂ MATERIALE FEROMAGNETICE. DE ASEMENEA, ASPIRĂM SĂ CONTROLĂM CURENȚII PURI AI ESPIN PRIN TRANSFERUL FENOMENIC AL ESPIN ÎN STRATURILE INTERMEDIARE ÎNTRE METALE SAU GRAFEN CU IZOLATORI MAGNETICI. ACEST CONTROL AL CURENȚILOR ESPIN NE VA PLASA MAI APROAPE DE MULT-AȘTEPTATUL TRANZISTOR ESPIN. ÎN A DOUA SECȚIUNE, VOM EXPLORA MAI ÎNTÂI ALINIEREA NIVELURILOR DE ENERGIE ÎNTRE METALE ȘI SEMICONDUCTORII MOLECULARI (ATÂT MOLECULE MICI, CÂT ȘI POLIMERI). ACEASTĂ ALINIERE DETERMINĂ PERFORMANȚA PRACTIC TUTUROR DISPOZITIVELOR ORGANICE (E.G., OLED-URI SAU CELULE FOTOVOLTAICE), IAR DETERMINAREA LOR ÎNTR-O CONFIGURAȚIE SIMPLĂ AR FI UN MARE PROGRES PRACTIC ÎN DOMENIU. DE ASEMENEA, SPERĂM SĂ CONTROLĂM O ASTFEL DE ALINIERE ENERGETICĂ PRIN MODIFICAREA STRATULUI INTERMEDIAR CU AJUTORUL MOLECULELOR DIPOLARE, ÎN TIMP CE VOM COMPARA REZULTATELE OBȚINUTE CU DATELE INDEPENDENTE DIN SPECTROSCOPIA FOTOEMISION. DINCOLO DE REGLAJUL ENERGETIC ÎN STRATURILE INTERMEDIARE, SCOPUL NOSTRU ESTE, DE ASEMENEA, CREAREA DE NOI MATERIALE PE SUPRAFAȚA METALELOR REACTIVE PRIN DEPUNEREA MOLECULARĂ. ACEASTA ESTE O ZONĂ ÎN MARE PARTE NEEXPLORATĂ ȘI SPERĂM SĂ PUTEM CREA BIȚI MAGNETICI PE SCARĂ NANOMETRICĂ PESTE SUBSTRATURI, CUM AR FI CUPRUL. ÎN A TREIA ȘI ULTIMA SECȚIUNE VOM EXPLORA BARIERA SCHOTTKY DIN STRATUL INTERMEDIAR DINTRE DICALCOGENIDES DE TRANZIȚIE BIDIMENSIONALĂ ȘI SEMICONDUCTORII MOLECULARI. VOM FOLOSI MATERIALE ATÂT DE TIP P, CÂT ȘI DE TIP N PENTRU A AVANSA REALIZAREA CIRCUITELOR COMPLEXE, CUM AR FI OSCILATOARELE ȘI CELULELE FOTOVOLTAICE CONTROLATE DE O TENSIUNE EXTERNĂ A UȘII. (Romanian)
18 August 2022
0 references
TRENUTNI TREND MINIATURIZACIJE ELEKTRONSKIH NAPRAV ZAHTEVA, DA SE VELIKOST VSAKEGA POSAMEZNEGA SESTAVNEGA DELA POSTOPOMA ZMANJŠUJE, POSLEDIČNO POSTAJAJO KOMPLEKSNE LASTNOSTI SAMIH MATERIALOV VSE MANJ POMEMBNE IN VMESNI SLOJI MED RAZLIČNIMI MATERIALI POSTAJAJO VSE POMEMBNEJŠI. VMESNI SLOJI SO TRENUTNO V SREDIŠČU PRAKTIČNO KATERE KOLI NANOELEKTRONSKE NAPRAVE. Z TEMELJNEGA VIDIKA VMESNI SLOJI PREDSTAVLJAJO NOVE FIZIKALNE POJAVE, KI JIH NE NAJDEMO V MEJNIH MATERIALIH, IN TAKO LAHKO ODPREJO POT DO NERAZISKANIH OBMOČIJ TEHNOLOŠKEGA POTENCIALA DEVICE. V tem projektu je naš delodajalec nakup in nadzor vmesnih slojev za izdelavo naprednih in naprednih fizikalnih pojavov in določb, ki lahko vplivajo na prihodnost elektronske industrije._x000D_ PROJECT, ki ima ob UPOŠTEVANJU NAŠE PRIPRAVLJENJE IN AVAILABNO OPREMA, razdeljen na tri oddelke, ki so: VMESNI SLOJI ZA VMESNE SLOJE MATERIALA SPINTRONICA, KOVINE/INTERCPAS IN 2D/MOLEKULE. V PRVEM DELU BOMO RAZISKALI PRETVORBO TOKOV OBREMENITVE V ESPIN TOKOVE S POMOČJO NELOKALNIH ESPIN VENTILOV. V VMESNIH SLOJIH MED RAZLIČNIMI KOVINAMI TER MED KOVINAMI IN DRUGIMI MATERIALI, KOT SO IZOLATORJI TOPOLOGICOS, UPAMO, DA BOMO DOSEGLI VELIKO PRETVORBO MED OBREMENITVIJO IN ESPINOM, KI BO LAHKO USTVARIL TOKOVE ESPINA BREZ FEROMAGNETNIH MATERIALOV. PRAV TAKO SI PRIZADEVAMO NADZOROVATI ČISTE TOKOVE ESPINA S PRENOSOM FENOMENA ESPINA V VMESNIH SLOJIH MED KOVINAMI ALI GRAFENOM Z MAGNETNIMI IZOLATORJI. TA NADZOR NAD TOKOVI ESPINA NAS BO PRIBLIŽAL DOLGO PRIČAKOVANEMU TRANZISTORJU ESPINA. V DRUGEM DELU BOMO NAJPREJ RAZISKALI PORAVNAVO RAVNI ENERGIJE MED KOVINAMI IN MOLEKULARNIMI POLPREVODNIKI (TAKO MAJHNIMI MOLEKULAMI KOT POLIMERI). TA PORAVNAVA DOLOČA DELOVANJE PRAKTIČNO VSEH ORGANSKIH NAPRAV (E.G., OLED ALI FOTOVOLTAIČNIH CELIC) IN NJIHOVA DOLOČITEV V PREPROSTI KONFIGURACIJI BI BILA VELIK PRAKTIČEN NAPREDEK NA TEM PODROČJU. PRAV TAKO UPAMO, DA BOMO NADZOROVALI TAKŠNO ENERGIJSKO PORAVNAVO S SPREMINJANJEM VMESNEGA SLOJA Z DIPOLARNIMI MOLEKULAMI, MEDTEM KO BOMO REZULTATE PRIMERJALI Z NEODVISNIMI PODATKI IZ FOTOEMISION SPEKTROSKOPIJE. POLEG ENERGETSKEGA UGLAŠEVANJA V VMESNIH SLOJIH JE NAŠ CILJ TUDI USTVARJANJE NOVIH MATERIALOV NA POVRŠINI REAKTIVNIH KOVIN S POMOČJO MOLEKULARNEGA ODLAGANJA. TO JE VEČINOMA NERAZISKANO OBMOČJE IN UPAMO, DA BOMO LAHKO USTVARILI MAGNETNE BITE NA NANORAVNINI NAD SUBSTRATI, KOT JE BAKER. V TRETJEM IN ZADNJEM DELU BOMO RAZISKALI SCHOTTKY PREGRADO V VMESNI PLASTI MED DVODIMENZIONALNIMI PREHODNIMI KOVINSKIMI DICALCOGENIDES IN MOLEKULARNIMI POLPREVODNIKI. UPORABILI BOMO MATERIALE TIPA P IN TIPA N ZA POSPEŠITEV REALIZACIJE KOMPLEKSNIH VEZIJ, KOT SO OSCILATORJI IN FOTOVOLTAIČNE CELICE, KI JIH NADZIRA NAPETOST ZUNANJIH VRAT. (Slovenian)
18 August 2022
0 references
OBECNA TENDENCJA W ZAKRESIE MINIATURYZACJI URZĄDZEŃ ELEKTRONICZNYCH WYMAGA STOPNIOWEGO ZMNIEJSZANIA WIELKOŚCI POSZCZEGÓLNYCH KOMPONENTÓW, W ZWIĄZKU Z CZYM SKOMPLIKOWANE WŁAŚCIWOŚCI OBJĘTOŚCIOWE SAMYCH MATERIAŁÓW STAJĄ SIĘ CORAZ MNIEJ WAŻNE, A MIĘDZYWARSTWY MIĘDZY RÓŻNYMI MATERIAŁAMI STAJĄ SIĘ CORAZ BARDZIEJ ISTOTNE. MIĘDZYWARSTWY ZNAJDUJĄ SIĘ OBECNIE W CENTRUM PRAKTYCZNIE KAŻDEGO URZĄDZENIA NANOELEKTRONICZNEGO. Z FUNDAMENTALNEGO PUNKTU WIDZENIA MIĘDZYWARSTWY PRZEDSTAWIAJĄ NOWE ZJAWISKA FIZYCZNE, KTÓRE NIE WYSTĘPUJĄ W MATERIAŁACH GRANICZNYCH, A TYM SAMYM MOGĄ OTWORZYĆ DROGĘ DO NIEZBADANYCH OBSZARÓW POTENCJAŁU TECHNOLOGICZNEGO DZIEWICY. W tym projekcie, naszym pracodawcą jest zakup i kontrola międzywarstw w celu wytworzenia zaawansowanych i zaawansowanych zjawisk fizycznych i przepisów, które mogą mieć wpływ na przyszłość przemysłu elektronicznego._x000D_ PROJEKT, mając NA UWADZE NASZE WYKONANIE I WYPOSAŻENIE AVAILABLE, został podzielony na trzy sekcje, które są: MIĘDZYWARSTWY DLA ODPOWIEDNIO MIĘDZYWARSTW SPINTRONICA, METAL/INTERCPAS METAL/MOLECULE I 2D/MOLECULE MATERIAŁ MIĘDZYWARSTWY. W PIERWSZEJ SEKCJI ZBADAMY KONWERSJĘ PRĄDÓW OBCIĄŻENIA NA PRĄDY ESPIN ZA POMOCĄ NIELOKALNYCH ZAWORÓW ESPIN. W MIĘDZYWARSTWACH POMIĘDZY RÓŻNYMI METALAMI ORAZ MIĘDZY METALAMI A INNYMI MATERIAŁAMI, TAKIMI JAK IZOLATORY TOPOLOGICOS, MAMY NADZIEJĘ UZYSKAĆ DUŻĄ KONWERSJĘ POMIĘDZY OBCIĄŻENIEM A ESPINEM W STANIE TWORZYĆ PRĄDY ESPIN BEZ MATERIAŁÓW FERROMAGNETYCZNYCH. DĄŻYMY RÓWNIEŻ DO KONTROLOWANIA CZYSTYCH PRĄDÓW ESPINU POPRZEZ PRZENIESIENIE FENOMENU ESPINA W MIĘDZYWARSTWACH MIĘDZY METALAMI LUB GRAFENEM Z IZOLATORAMI MAGNETYCZNYMI. TA KONTROLA PRĄDÓW ESPIN PRZYBLIŻY NAS DO DŁUGO OCZEKIWANEGO TRANZYSTORA ESPINA. W DRUGIEJ SEKCJI ZBADAMY NAJPIERW WYRÓWNANIE POZIOMÓW ENERGII POMIĘDZY METALAMI I PÓŁPRZEWODNIKAMI MOLEKULARNYMI (ZARÓWNO MAŁYMI CZĄSTECZKAMI, JAK I POLIMERAMI). TO WYRÓWNANIE OKREŚLA WYDAJNOŚĆ PRAKTYCZNIE WSZYSTKICH URZĄDZEŃ ORGANICZNYCH (E.G., OLED LUB OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH), A ICH OKREŚLENIE W PROSTEJ KONFIGURACJI BYŁOBY DUŻYM POSTĘPEM PRAKTYCZNYM W TEJ DZIEDZINIE. MAMY RÓWNIEŻ NADZIEJĘ KONTROLOWAĆ TAKIE WYRÓWNANIE ENERGII POPRZEZ MODYFIKACJĘ MIĘDZYWARSTWY ZA POMOCĄ CZĄSTECZEK DIPOLARNYCH, PODCZAS GDY PORÓWNAMY WYNIKI UZYSKANE Z NIEZALEŻNYCH DANYCH ZE SPEKTROSKOPII FOTOEMISION. POZA DOSTRAJANIEM ENERGII W WARSTWACH MIĘDZYWARSTW NASZYM CELEM JEST RÓWNIEŻ TWORZENIE NOWYCH MATERIAŁÓW NA POWIERZCHNI METALI REAKTYWNYCH ZA POMOCĄ OSADZANIA MOLEKULARNEGO. JEST TO W DUŻEJ MIERZE NIEODKRYTY OBSZAR I MAMY NADZIEJĘ, ŻE BĘDZIEMY W STANIE TWORZYĆ BITY MAGNETYCZNE NA NANOSKALI NAD PODŁOŻAMI, TAKIMI JAK MIEDŹ. W TRZECIM I OSTATNIM ODCINKU ZBADAMY BARIERĘ SCHOTTKY’EGO W MIĘDZYWARSTWY MIĘDZY DWUWYMIAROWYM PRZEJŚCIEM METALOWYM DICALCOGENIDES A PÓŁPRZEWODNIKAMI MOLEKULARNYMI. DO REALIZACJI ZŁOŻONYCH OBWODÓW, TAKICH JAK OSCYLATORY I OGNIWA FOTOWOLTAICZNE STEROWANE PRZEZ ZEWNĘTRZNE NAPIĘCIE DRZWIOWE, WYKORZYSTAMY MATERIAŁY ZARÓWNO TYPU P, JAK I TYPU N. (Polish)
18 August 2022
0 references
Donostia/San Sebastián
0 references
20 December 2023
0 references
Identifiers
MAT2015-65159-R
0 references