ELECTRIC CHARACTERISATION OF MY AND MIM STRUCTURES WITH HIGH PERMITIVITY DIELECTRICS FOR APPLICATION IN RRAMS AND MEMRISTORES (Q3189205)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3189205 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | ELECTRIC CHARACTERISATION OF MY AND MIM STRUCTURES WITH HIGH PERMITIVITY DIELECTRICS FOR APPLICATION IN RRAMS AND MEMRISTORES |
Project Q3189205 in Spain |
Statements
66,806.88 Euro
0 references
122,694.0 Euro
0 references
54.45 percent
0 references
1 January 2015
0 references
31 December 2018
0 references
UNIVERSIDAD DE VALLADOLID
0 references
47011
0 references
LAS MEMORIAS DE CONMUTACION RESISTIVA SON LAS CANDIDATAS MAS PROMETEDORAS PARA SUSTITUIR A LAS MEMORIAS FLASH EN EL AMBITO DE LAS MEMORIAS. POR ELLO, EL INTERES CIENTIFICO Y TECNOLOGICO EN ESTOS DISPOSITIVOS HA EXPERIMENTADO UN GRAN CRECIMIENTO EN LOS ULTIMOS AÑOS. AUNQUE LOS FENOMENOS DE CONMUTACION RESISTIVA HAN SIDO OBSERVADOS EN DIVERSAS ESTRUCTURAS METAL-OXIDO-METAL (MIM) Y METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MIS), SE PLANTEAN MUCHOS INTERROGANTES ACERCA DEL ORIGEN DE LOS MECANISMOS DE CONDUCCION Y DE LA CONMUTACION RESISTIVA. POR CONSIGUIENTE, ANTES DE ABORDAR EL USO COMERCIAL DE LAS RRAM ES NECESARIO RESOLVER ALGUNOS ASPECTOS FUNDAMENTALES, UNO DE LOS MAS IMPORTANTES ES LA EXISTENCIA DE FLUCTUACIONES EN LOS DIFERENTES ESTADOS RESISTIVOS, RESPONSABLE DE LA VARIABILIDAD ENTRE CICLOS Y ENTRE DISPOSITIVOS. LA VARIABILIDAD AFECTA A PARAMETROS TALES COMO LOS VOLTAJES DE SET Y RESET Y LOS NIVELES DE CORRIENTE. LA COMPRENSION DE LA VARIABILIDAD EN LA CONMUTACION Y SU INFLUENCIA EN LA ROBUSTEZ Y PRESTACIONES DEL DISPOSITIVO ES ESENCIAL PARA CONSEGUIR APLICACIONES INDUSTRIALES DE LAS RRAM. _x000D_ _x000D_ TOMANDO TODO ESTO EN CONSIDERACION, NUESTRA PROPUESTA SE CENTRA EN ALCANZAR UNA VISION MAS PROFUNDA EN LOS ASPECTOS FISICOS Y TECNOLOGICOS DE LAS RRAM: DIFERENTES MATERIALES Y ESTRUCTURAS, VARIABILIDAD, ROBUSTEZ Y OTROS ELEMENTOS DECISIVOS EN LAS PRESTACIONES DEL DISPOSITIVO. PARA LOGRAR ESTE OBJETIVO, HEMOS UNIDO LOS RECURSOS DE TRES GRUPOS DE INVESTIGACION (IMB-CNM, UNIVERSIDAD DE VALLADOLID Y UNIVERSIDAD DE GRANADA) PARA CUBRIR UN AMPLIO ESPECTRO DE TEMATICAS DE INVESTIGACION RELACIONADAS CON LAS RRAM. ABORDAREMOS LOS ASPECTOS DE FABRICACION, UTILIZANDO NUESTRAS INSTALACIONES Y LAS DE NUESTROS COLABORADORES, ASI COMO LA CARACTERIZACION Y LA SIMULACION Y MODELADO ORIENTADOS A LA SIMULACION DEL CIRCUITO, TANTO DESDE EL PUNTO DE VISTA DIGITAL (MEMORIAS) COMO ANALOGICO (MEMRESISTORS). A TRAVES DE ESTOS ULTIMOS DISPOSITIVOS PODREMOS ANALIZAR NUEVOS PARADIGMAS DE DISEÑO DE CIRCUITOS, TALES COMO LAS APLICACIONES BIO-INSPIRADAS Y NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ EN ESTE CONTEXTO, NOS BENEFICIAREMOS DE LA SINERGIA CONTENIDA EN ESTA PROPUESTA DE PROYECTO: UN GRUPO CON AMPLIA EXPERIENCIA DEMOSTRADA EN LA FABRICACION Y CARACTERIZACION DE DIELECTRICOS DE ALA PERMITIVIDAD Y DISPOSITIVOS RRAM (IMB); UN GRUPO CON UNA LARGA TRAYECTORIA EN LAS TECNICAS AVANZADAS DE CARACTERIZACION ELECTRICA (UVA); Y UN GRUPO CON UN EXTENSO CONOCIMIENTO EN LA SIMULACION FISICA Y MODELADO COMPACTO INCLUYENDO APLICACIONES DE CIRCUITOS AD HOC DE DIVERSOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS (UGR).DESARROLLAREMOS CONJUNTAMENTE LAS PROPUESTAS DESCRITAS A TRAVES DE LOS SIGUIENTES OBJETIVOS:_x000D_ _x000D_ 1. PUESTA A PUNTO DE TECNOLOGIAS DE PROCESO PARA LA FABRICACION DE CELDAS RRAM BASADAS EN ESTRUCTURAS MIS Y MIM CON DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD._x000D_ 2. ESTUDIO DE LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS Y DE LOS MECANISMOS DE CONMUTACION DE LAS ESTRUCTURAS MIS Y MIS, Y DE SU DEPENDENCIA DEL PROCESO TECNOLOGICO, DE LOS MATERIALES Y DE LAS DIMENSIONES._x000D_ 3. ANALISIS DE LA VARIABILIDAD Y FIABILIDAD DE LA CONMUTACION EN LAS CELDAS RRAM._x000D_ 4. ESTUDIO DE LOS EFECTOS DE LA RADIACION EN LAS PELICULAS DE ALTA PERMITIVIDAD Y SU IMPACTO EN LA CONMUTACION RESISTIVA._x000D_ 5. DESARROLLO DE HERRAMIENTAS DE SIMULACION RRAM._x000D_ 6. MODELADO COMPACTO DE DISPOSITIVOS RRAM Y MEMRESISTORS. (Spanish)
0 references
RESISTIVE SWITCHING MEMORIES ARE THE MOST PROMISING CANDIDATES FOR REPLACING FLASH MEMORIES IN THE FIELD OF MEMORIES. THEREFORE, THE SCIENTIFIC AND TECHNOLOGICAL INTEREST IN THESE DEVICES HAS EXPERIENCED A GREAT GROWTH IN THE LAST FEW YEARS. ALTHOUGH RESISTIVE SWITCHING PHENOMENA HAVE BEEN OBSERVED IN VARIOUS METAL-OXIDE-METAL (MIM) AND METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (MIS) STRUCTURES, MANY QUESTIONS ARISE ABOUT THE ORIGIN OF DRIVING MECHANISMS AND RESISTIVE SWITCHING. THEREFORE, BEFORE DEALING WITH THE COMMERCIAL USE OF RRAM IT IS NECESSARY TO RESOLVE SOME FUNDAMENTAL ASPECTS, ONE OF THE MOST IMPORTANT IS THE EXISTENCE OF FLUCTUATIONS IN THE DIFFERENT RESISTIVE STATES, RESPONSIBLE FOR VARIABILITY BETWEEN CYCLES AND BETWEEN DEVICES. VARIABILITY AFFECTS PARAMETERS SUCH AS SET AND RESET VOLTAGES AND CURRENT LEVELS. UNDERSTANDING THE VARIABILITY IN SWITCHING AND ITS INFLUENCE ON THE ROBUSTNESS AND PERFORMANCE OF THE DEVICE IS ESSENTIAL FOR ACHIEVING INDUSTRIAL RRAM APPLICATIONS. _x000D_ _x000D_ taking EVERYTHING THIS IN CONSIDERATION, OUR PROPOSES CENTRE IN AREATING A MORE VISION IN THE PHISIC AND TECHNOLOGIC ASPECTS OF RRAM: DIFFERENT MATERIALS AND STRUCTURES, VARIABILITY, ROBUSTNESS AND OTHER DECISIVE ELEMENTS IN THE PERFORMANCE OF THE DEVICE. TO ACHIEVE THIS GOAL, WE HAVE UNITED THE RESOURCES OF THREE RESEARCH GROUPS (IMB-CNM, UNIVERSITY OF VALLADOLID AND UNIVERSITY OF GRANADA) TO COVER A WIDE SPECTRUM OF RESEARCH TOPICS RELATED TO RRAM. WE WILL ADDRESS THE MANUFACTURING ASPECTS, USING OUR FACILITIES AND THOSE OF OUR COLLABORATORS, AS WELL AS THE CHARACTERISATION AND SIMULATION AND MODELING ORIENTED TO THE SIMULATION OF THE CIRCUIT, BOTH FROM THE DIGITAL POINT OF VIEW (MEMORIES) AND ANALOGIC (MEMRESISTORS). THROUGH THESE LATEST DEVICES WE WILL BE ABLE TO ANALYSE NEW CIRCUIT DESIGN PARADIGMS, SUCH AS BIO-INSPIRED APPLICATIONS AND NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ at THIS CONTEXT, we will benefit from the SINERGY contained in this PROJECT PROPOSAL: A GROUP WITH EXTENSIVE PROVEN EXPERIENCE IN THE MANUFACTURE AND CHARACTERISATION OF PERMITTIVITY WING DIELECTRICS AND RRAM (IMB) DEVICES; A GROUP WITH A LONG TRAJECTORY IN ADVANCED TECHNIQUES OF ELECTRIC CHARACTERISATION (UVA); And a group with an extensive knowledge in the physical and modelling of electronic devices (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES IN THE FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Setting up of process technology for the manufacture of RRAM-based CELDS in my and MIM structures with high-permitability dielectrics._x000D_ 2. Study of the ELECTRIC CHARACTERISTICS AND OF THE COMMUNICATION MECHANISMS OF MY and MIS STRUCTURES, AND OF THE DEPENDENCE OF THE TECHNOLOGIC PROCESS, MATERIALS AND DIMENSIONS._x000D_ 3. Analysis OF VARIABILITY AND FIABILITY OF COMMUNICATION IN RRAM._x000D_ 4. Study OF RADIATION EFFECTS in High Allowance PELICULES AND IMPACT IN RESISTIVE switching._x000D_ 5. Development of RRAM._x000D_ Simplification Tools 6. COMPACT MODELING OF RRAM AND MEMRESISTORS DEVICES. (English)
12 October 2021
0.0568994646910389
0 references
LES MÉMOIRES DE COMMUTATION RÉSISTIVES SONT LES CANDIDATS LES PLUS PROMETTEURS POUR REMPLACER LES MÉMOIRES FLASH DANS LE DOMAINE DE LA MÉMOIRE. PAR CONSÉQUENT, L’INTÉRÊT SCIENTIFIQUE ET TECHNOLOGIQUE POUR CES DISPOSITIFS A CONNU UNE FORTE CROISSANCE CES DERNIÈRES ANNÉES. BIEN QUE DES PHÉNOMÈNES DE COMMUTATION RÉSISTIF AIENT ÉTÉ OBSERVÉS DANS DIVERSES STRUCTURES MÉTAL-OXYDE-MÉTAL (MIM) ET MÉTAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR (MIS), DE NOMBREUSES QUESTIONS SE POSENT QUANT À L’ORIGINE DES MÉCANISMES DE CONDUITE ET DE COMMUTATION RÉSISTIVE. PAR CONSÉQUENT, AVANT DE TRAITER DE L’UTILISATION COMMERCIALE DU RRAM, IL EST NÉCESSAIRE DE RÉSOUDRE CERTAINS ASPECTS FONDAMENTAUX, L’UN DES PLUS IMPORTANTS EST L’EXISTENCE DE FLUCTUATIONS DANS LES DIFFÉRENTS ÉTATS RÉSISTIFS, RESPONSABLES DE LA VARIABILITÉ ENTRE LES CYCLES ET ENTRE LES DISPOSITIFS. LA VARIABILITÉ AFFECTE DES PARAMÈTRES TELS QUE LES TENSIONS DE RÉGLAGE ET DE RÉINITIALISATION ET LES NIVEAUX DE COURANT. IL EST ESSENTIEL DE COMPRENDRE LA VARIABILITÉ DE LA COMMUTATION ET SON INFLUENCE SUR LA ROBUSTESSE ET LES PERFORMANCES DE L’APPAREIL POUR RÉALISER DES APPLICATIONS RRAM INDUSTRIELLES. _x000D_ _x000D_ prenant TOUT CE CETTE EN CONSIDÉRATION, NOS PROPOSITIONS CENTRE DANS UN PLUS DE VISION DANS LES ASPECTS PHISIQUES ET TECHNOLOGIQUES DU RRAM: DIFFÉRENTS MATÉRIAUX ET STRUCTURES, VARIABILITÉ, ROBUSTESSE ET AUTRES ÉLÉMENTS DÉTERMINANTS DANS LA PERFORMANCE DE L’APPAREIL. POUR ATTEINDRE CET OBJECTIF, NOUS AVONS UNIS LES RESSOURCES DE TROIS GROUPES DE RECHERCHE (IMB-CNM, UNIVERSITÉ DE VALLADOLID ET UNIVERSITÉ DE GRENADE) POUR COUVRIR UN LARGE ÉVENTAIL DE SUJETS DE RECHERCHE LIÉS AU RRAM. NOUS ABORDERONS LES ASPECTS DE FABRICATION, EN UTILISANT NOS INSTALLATIONS ET CELLES DE NOS COLLABORATEURS, AINSI QUE LA CARACTÉRISATION ET LA SIMULATION ET LA MODÉLISATION ORIENTÉES VERS LA SIMULATION DU CIRCUIT, TANT DU POINT DE VUE NUMÉRIQUE (MÉMOIRES) QUE ANALOGIQUE (MEMRESISTORS). GRÂCE À CES DERNIERS APPAREILS, NOUS SERONS EN MESURE D’ANALYSER DE NOUVEAUX PARADIGMES DE CONCEPTION DE CIRCUITS, TELS QUE LES APPLICATIONS BIO-INSPIRÉES ET NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ à CE CONTEXTE, nous bénéficierons de la SINERGY contenue dans cette PROPOSITION DE PROJET: UN GROUPE POSSÉDANT UNE VASTE EXPÉRIENCE ÉPROUVÉE DANS LA FABRICATION ET LA CARACTÉRISATION DE DIÉLECTRIQUES D’AILES DE PERMIS ET DE DISPOSITIFS RRAM (IMB); UN GROUPE AYANT UNE LONGUE TRAJECTOIRE DANS LES TECHNIQUES AVANCÉES DE CARACTÉRISATION ÉLECTRIQUE (UVA); Et un groupe possédant une connaissance approfondie de la physique et de la modélisation des dispositifs électroniques (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS PROPOSITIONS DESCRIPTIONS DANS LES OBJECTIFS DE FOLLOWING:_x000D_ _x000D_ 1. Mise en place d’une technologie de process pour la fabrication de CELDS basés sur RRAM dans les structures de mon et MIM avec diélectriques à haute permis._x000D_ 2. Étude des CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET DES MÉCANISMES DE COMMUNICATION DE MES et MIS STRUCTURES, ET DE LA DEPENDENCE DU PROCESSUS TECHNOLOGIQUE, MATERIALS ET DIMENSIONS._x000D_ 3. Analyse DE VARIABILITÉ ET Fiabilité DE COMMUNICATION EN RRAM._x000D_ 4. Étude DES EFFECTS DE RADIATION dans les PELICULES DE L’ADMINISTRATION ET L’IMPACT DANS LA RECHERCHE RÉSISTIVE._x000D_ 5. Développement de RRAM._x000D_ Outils de simplification 6. MODÉLISATION COMPACTE DES APPAREILS RRAM ET MEMRESISTORS. (French)
4 December 2021
0 references
WIDERSPRÜCHLICHE SCHALTSPEICHER SIND DIE VIELVERSPRECHENDSTEN KANDIDATEN FÜR DEN AUSTAUSCH VON FLASH-SPEICHERN IM BEREICH DER ERINNERUNGEN. DAHER HAT DAS WISSENSCHAFTLICHE UND TECHNOLOGISCHE INTERESSE AN DIESEN GERÄTEN IN DEN LETZTEN JAHREN EIN GROSSES WACHSTUM ERLEBT. OBWOHL WIDERSPRÜCHLICHE SCHALTPHÄNOMENE IN VERSCHIEDENEN METALL-OXIDMETALL-METALL- (MIM)- UND METALL-OXID-SEMICONDUCTOR-STRUKTUREN (MIS) BEOBACHTET WURDEN, STELLEN SICH VIELE FRAGEN NACH DEM URSPRUNG DER FAHRMECHANISMEN UND DES WIDERSTANDSWECHSELS. DAHER IST ES VOR DER KOMMERZIELLEN NUTZUNG VON RRAM NOTWENDIG, EINIGE GRUNDLEGENDE ASPEKTE ZU LÖSEN, EINER DER WICHTIGSTEN IST DIE EXISTENZ VON SCHWANKUNGEN IN DEN VERSCHIEDENEN WIDERSTANDSSTAATEN, DIE FÜR DIE VARIABILITÄT ZWISCHEN ZYKLEN UND ZWISCHEN GERÄTEN VERANTWORTLICH SIND. VARIABILITÄT WIRKT SICH AUF PARAMETER WIE EINGESTELLTE UND RESET-SPANNUNGEN UND STROMNIVEAUS AUS. DAS VERSTÄNDNIS DER VARIABILITÄT DES SCHALTENS UND SEINES EINFLUSSES AUF DIE ROBUSTHEIT UND LEISTUNGSFÄHIGKEIT DES GERÄTS IST FÜR DIE REALISIERUNG INDUSTRIELLER RRAM-ANWENDUNGEN UNERLÄSSLICH. _x000D_ _x000D_ unter der Annahme, dass dies in CONSIDERATION, UNSER PROPOSES ZENTRUM IN DER MEHR VISION in den phisischen und TECHNOLOGISCHEn ASPECTS des RRAMs: UNTERSCHIEDLICHE MATERIALIEN UND STRUKTUREN, VARIABILITÄT, ROBUSTHEIT UND ANDERE ENTSCHEIDENDE ELEMENTE IN DER LEISTUNGSFÄHIGKEIT DES GERÄTS. UM DIESES ZIEL ZU ERREICHEN, HABEN WIR DIE RESSOURCEN VON DREI FORSCHUNGSGRUPPEN (IMB-CNM, UNIVERSITY OF VALLADOLID UND UNIVERSITY OF GRANADA) VEREINT, UM EIN BREITES SPEKTRUM VON FORSCHUNGSTHEMEN IM ZUSAMMENHANG MIT RRAM ABZUDECKEN. WIR WERDEN DIE FERTIGUNGSASPEKTE UNTER VERWENDUNG UNSERER ANLAGEN UND UNSERER MITARBEITER SOWIE DIE CHARAKTERISIERUNG UND SIMULATION UND MODELLIERUNG, DIE AUF DIE SIMULATION DER SCHALTUNG AUSGERICHTET IST, SOWOHL AUS DIGITALER SICHT (MEMORIES) ALS AUCH AUS ANALOGIE (MEMRESISTORS) BEHANDELN. MIT DIESEN NEUESTEN GERÄTEN WERDEN WIR IN DER LAGE SEIN, NEUE SCHALTUNGSDESIGN-PARADIGMEN WIE BIO-INSPIRIERTE ANWENDUNGEN UND NEUROMORFICAS ZU ANALYSIEREN. _x000D_ _x000D_ bei THIS CONTEXT profitieren wir von der in diesem PROJECT PROPOSAL enthaltenen SINERGY: EINE GRUPPE MIT LANGJÄHRIGER ERFAHRUNG IN DER HERSTELLUNG UND CHARAKTERISIERUNG VON GENEHMIGUNGSFLÜGELDIELEKTRIZITÄT UND RRAM (IMB) GERÄTEN; EINE GRUPPE MIT EINER LANGEN FLUGBAHN IN FORTGESCHRITTENEN TECHNIKEN DER ELEKTRISCHEN CHARAKTERISIERUNG (UVA); Und eine Gruppe mit umfangreichen Kenntnissen in der physikalischen und Modellierung von elektronischen Geräten (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY BESCHREIBUNGEN DESCRED PROPOSES IN DER FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Aufbau von Prozesstechnik zur Herstellung von RRAM-basierten CELDS in meinen und MIM-Strukturen mit hochzulässiger Dielektrizität._x000D_ 2. Studie der ELECTRIC CHARACTERISTICS UND DER KOMMUNIKATION MECHANISMS OF MY and MIS STRUCTURES, UND DER DEPENDENCE DES TECHNOLOGISCHEN PROCESSs, MATERIALS und AMENSIONEN._x000D_ 3. Analyse VARIABILITÄT UND Fakturierbarkeit DER KOMMUNIKATION IN RRAM._x000D_ 4. Studie DER RADIATION EFFECTS in High Allowance PELICULES UND IMPACT IN RESISTIVE Switching._x000D_ 5. Entwicklung von RRAM._x000D_ Simplification Tools 6. KOMPAKTE MODELLIERUNG VON RRAM- UND MEMRESISTORS-GERÄTEN. (German)
9 December 2021
0 references
RESISTIEVE SCHAKELGEHEUGENS ZIJN DE MEEST VEELBELOVENDE KANDIDATEN VOOR HET VERVANGEN VAN FLASHGEHEUGENS OP HET GEBIED VAN HERINNERINGEN. DAAROM HEEFT DE WETENSCHAPPELIJKE EN TECHNOLOGISCHE INTERESSE IN DEZE APPARATEN DE AFGELOPEN JAREN EEN GROTE GROEI DOORGEMAAKT. HOEWEL RESISTIEVE SCHAKELVERSCHIJNSELEN ZIJN WAARGENOMEN IN VERSCHILLENDE METAALOXIDE-METALEN (MIM) EN METAALOXIDE-SEMICONDUCTOR (MIS)STRUCTUREN, DOEN ZICH VEEL VRAGEN VOOR OVER DE OORSPRONG VAN DRIJFMECHANISMEN EN RESISTIEF SCHAKELEN. ALVORENS HET COMMERCIËLE GEBRUIK VAN RRAM’S AAN TE PAKKEN, IS HET DAAROM NOODZAKELIJK EEN AANTAL FUNDAMENTELE ASPECTEN OP TE LOSSEN, EEN VAN DE BELANGRIJKSTE IS HET BESTAAN VAN FLUCTUATIES IN DE VERSCHILLENDE RESISTIEVE STATEN, DIE VERANTWOORDELIJK ZIJN VOOR DE VARIABILITEIT TUSSEN CYCLI EN TUSSEN HULPMIDDELEN. VARIABILITEIT BEÏNVLOEDT PARAMETERS ZOALS INGESTELDE EN RESET SPANNINGEN EN HUIDIGE NIVEAUS. INZICHT IN DE VARIABILITEIT IN HET SCHAKELEN EN DE INVLOED ERVAN OP DE ROBUUSTHEID EN PRESTATIES VAN HET APPARAAT IS ESSENTIEEL VOOR HET BEREIKEN VAN INDUSTRIËLE RRAM-TOEPASSINGEN. _x000D_ _x000D_ ALLES DIT IN CONSIDERATIE, ONZE PROPOSES CENTRE IN ZIJN EEN MEER VISIE IN DE Phisic EN TECHNOLOGISCHE ASPECTEN VAN RRAMEN: VERSCHILLENDE MATERIALEN EN STRUCTUREN, VARIABILITEIT, ROBUUSTHEID EN ANDERE BESLISSENDE ELEMENTEN IN DE PRESTATIES VAN HET APPARAAT. OM DIT DOEL TE BEREIKEN, HEBBEN WE UNITED DE MIDDELEN VAN DRIE ONDERZOEKSGROEPEN (IMB-CNM, UNIVERSITEIT VAN VALLADOLID EN UNIVERSITEIT VAN GRANADA) OM EEN BREED SPECTRUM VAN ONDERZOEKSTHEMA’S MET BETREKKING TOT RRAM TE BEHANDELEN. WE ZULLEN DE PRODUCTIEASPECTEN AANPAKKEN, MET BEHULP VAN ONZE FACILITEITEN EN DIE VAN ONZE MEDEWERKERS, EVENALS DE KARAKTERISERING EN SIMULATIE EN MODELLERING GERICHT OP DE SIMULATIE VAN HET CIRCUIT, ZOWEL VANUIT DIGITAAL OOGPUNT (HERINNERINGEN) ALS ANALOOG (MEMRESISTORS). MET DEZE NIEUWSTE APPARATEN KUNNEN WE NIEUWE CIRCUITONTWERPPARADIGMA’S ANALYSEREN, ZOALS BIO-GEÏNSPIREERDE TOEPASSINGEN EN NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ DIT CONTEXT, zullen wij profiteren van de SINERGY in dit PROJECT PROPOSAL: EEN GROEP MET UITGEBREIDE AANTOONBARE ERVARING IN DE VERVAARDIGING EN KARAKTERISERING VAN DE DIËLEKTRISCHE DIËLEKTRISCHE EN RRAM-APPARATUUR (IMB); EEN GROEP MET EEN LANG TRAJECT IN GEAVANCEERDE TECHNIEKEN VAN ELEKTRISCHE KARAKTERISERING (UVA); En een groep met een uitgebreide kennis in de fysieke en modellering van elektronische apparaten (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES IN THE FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Opzetten van procestechnologie voor de vervaardiging van op RRAM gebaseerde CELDS in mijn en MIM-structuren met diëlektrische diëlektrische systemen met een hoge vergunning._x000D_ 2. Studie van de ELECTRIC CHARACTERISTISCHE EN VAN DE COMMUNICATIEMECHANISMS VAN MIJN en MIJS STRUCTURES EN VAN DE ONTWIKKELING VAN HET TECHNOLOGISCHE PROCESS, MATERIALS EN AFMETINGEN._x000D_ 3. Analyse VAN VARIABILITEIT EN fiabiliteit van COMMUNICATIE IN RRAM._x000D_ 4. Studie VAN RADIATIEFFECTEN in hoge vergoedingen PELICULES EN IMPACT IN RESISTIVE switching._x000D_ 5. Ontwikkeling van RRAM._x000D_ Simplification Tools 6. COMPACTE MODELLERING VAN RRAM- EN MEMRESISTORS-APPARATEN. (Dutch)
17 December 2021
0 references
LE MEMORIE DI COMMUTAZIONE RESISTIVE SONO I CANDIDATI PIÙ PROMETTENTI PER LA SOSTITUZIONE DELLE MEMORIE FLASH NEL CAMPO DEI RICORDI. PERTANTO, L'INTERESSE SCIENTIFICO E TECNOLOGICO PER QUESTI DISPOSITIVI HA REGISTRATO UNA GRANDE CRESCITA NEGLI ULTIMI ANNI. SEBBENE I FENOMENI DI COMMUTAZIONE RESISTIVI SIANO STATI OSSERVATI IN VARIE STRUTTURE METAL-OSSIDO-METALLO (MIM) E METALLO-OSSIDO-SEMICONDUTTORE (MIS), SORGONO MOLTE DOMANDE CIRCA L'ORIGINE DEI MECCANISMI DI GUIDA E DELLA COMMUTAZIONE RESISTIVA. PERTANTO, PRIMA DI AFFRONTARE L'USO COMMERCIALE DELLE RRAM È NECESSARIO RISOLVERE ALCUNI ASPETTI FONDAMENTALI, UNO DEI PIÙ IMPORTANTI È L'ESISTENZA DI FLUTTUAZIONI NEI DIVERSI STATI RESISTIVI, RESPONSABILI DELLA VARIABILITÀ TRA CICLI E DISPOSITIVI. LA VARIABILITÀ INFLUENZA PARAMETRI COME SET E RESET TENSIONI E LIVELLI DI CORRENTE. COMPRENDERE LA VARIABILITÀ NELLA COMMUTAZIONE E LA SUA INFLUENZA SULLA ROBUSTEZZA E LE PRESTAZIONI DEL DISPOSITIVO È ESSENZIALE PER OTTENERE APPLICAZIONI RRAM INDUSTRIALI. _x000D_ _x000D_ prendendo TUTTO QUESTO NELLA CONSIDERAZIONE, NOSTRO CENTRO PROPOSITI IN AZIONAMENTO DI PIÙ VISIONE NEGLI ASPETTI FORMATIVI E TECNOLOGICI DI RRAM: DIVERSI MATERIALI E STRUTTURE, VARIABILITÀ, ROBUSTEZZA E ALTRI ELEMENTI DECISIVI NELLE PRESTAZIONI DEL DISPOSITIVO. PER RAGGIUNGERE QUESTO OBIETTIVO, ABBIAMO UNITO LE RISORSE DI TRE GRUPPI DI RICERCA (IMB-CNM, UNIVERSITÀ DI VALLADOLID E UNIVERSITÀ DI GRANADA) PER COPRIRE UN AMPIO SPETTRO DI ARGOMENTI DI RICERCA RELATIVI ALLA RRAM. AFFRONTEREMO GLI ASPETTI MANIFATTURIERI, UTILIZZANDO LE NOSTRE STRUTTURE E QUELLE DEI NOSTRI COLLABORATORI, NONCHÉ LA CARATTERIZZAZIONE E SIMULAZIONE E MODELLAZIONE ORIENTATA ALLA SIMULAZIONE DEL CIRCUITO, SIA DAL PUNTO DI VISTA DIGITALE (MEMORIE) CHE ANALOGICO (MEMRESISTORS). ATTRAVERSO QUESTI ULTIMI DISPOSITIVI SAREMO IN GRADO DI ANALIZZARE NUOVI PARADIGMI DI PROGETTAZIONE DI CIRCUITI, COME APPLICAZIONI BIO-ISPIRATE E NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ a QUESTO CONTEXT, beneficeremo della SINERGIA contenuta in questa PROPOSTA PROGETTA: UN GRUPPO CON UNA VASTA ESPERIENZA COMPROVATA NELLA PRODUZIONE E CARATTERIZZAZIONE DI DISPOSITIVI DIELETTRICI AD ALA DI PERMITTIVITÀ E DISPOSITIVI RRAM (IMB); UN GRUPPO CON UNA LUNGA TRAIETTORIA IN TECNICHE AVANZATE DI CARATTERIZZAZIONE ELETTRICA (UVA); E un gruppo con una vasta conoscenza della fisica e della modellazione dei dispositivi elettronici (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES NEL FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Messa a punto di tecnologia di processo per la produzione di CELDS basati su RRAM nelle mie strutture MIM con dielettriche ad alta autorizzazione._x000D_ 2. Studio delle CARATTERISTICHE ELETTRICHE E DEL MECCANISMO DI COMUNICAZIONE DI MY e MIS STRUTTURE E DELLA DEPENDENZA DEL PROCESSO TECNICO, MATERIALI E DIMENSIONI._x000D_ 3. Analisi DI VARIABILITÀ E FUNITÀ DI COMUNICAZIONE IN RRAM._x000D_ 4. Studio DEGLI EFFETTI DI RADIAZIONE in PELICULES ad alta indennità e IMPATTI nella commutazione RESISTIVE._x000D_ 5. Sviluppo di RRAM._x000D_ Strumenti di semplificazione 6. MODELLAZIONE COMPATTA DI DISPOSITIVI RRAM E MEMRESISTORS. (Italian)
16 January 2022
0 references
ΟΙ ΑΝΘΕΚΤΙΚΈΣ ΕΝΑΛΛΑΓΉΣ ΜΝΉΜΕΣ ΕΊΝΑΙ ΟΙ ΠΙΟ ΕΛΠΙΔΟΦΌΡΟΙ ΥΠΟΨΉΦΙΟΙ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΝΤΙΚΑΤΆΣΤΑΣΗ ΤΩΝ FLASH ΜΝΉΜΕΣ ΣΤΟΝ ΤΟΜΈΑ ΤΩΝ ΑΝΑΜΝΉΣΕΩΝ. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, ΤΟ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΌ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΌ ΕΝΔΙΑΦΈΡΟΝ ΓΙΑ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ ΈΧΕΙ ΒΙΏΣΕΙ ΜΙΑ ΜΕΓΆΛΗ ΑΝΆΠΤΥΞΗ ΤΑ ΤΕΛΕΥΤΑΊΑ ΧΡΌΝΙΑ. ΑΝ ΚΑΙ ΈΧΟΥΝ ΠΑΡΑΤΗΡΗΘΕΊ ΦΑΙΝΌΜΕΝΑ ΑΛΛΑΓΉΣ ΑΝΤΊΣΤΑΣΗΣ ΣΕ ΔΙΆΦΟΡΕΣ ΔΟΜΈΣ ΜΕΤΑΛΛΙΚΟΎ ΟΞΕΙΔΊΟΥ-ΜΕΤΑΛΛΙΚΟΎ (MIM) ΚΑΙ ΜΕΤΑΛΛΙΚΟΎ ΟΞΕΙΔΊΟΥ-ΗΜΙΑΓΩΓΟΎ (MIS), ΑΝΑΚΎΠΤΟΥΝ ΠΟΛΛΆ ΕΡΩΤΉΜΑΤΑ ΣΧΕΤΙΚΆ ΜΕ ΤΗΝ ΠΡΟΈΛΕΥΣΗ ΤΩΝ ΜΗΧΑΝΙΣΜΏΝ ΟΔΉΓΗΣΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΑΝΤΊΣΤΑΣΗΣ ΜΕΤΑΓΩΓΉΣ. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, ΠΡΙΝ ΑΠΌ ΤΗΝ ΕΞΈΤΑΣΗ ΤΗΣ ΕΜΠΟΡΙΚΉΣ ΧΡΉΣΗΣ ΤΟΥ RRAM, ΕΊΝΑΙ ΑΠΑΡΑΊΤΗΤΟ ΝΑ ΕΠΙΛΥΘΟΎΝ ΟΡΙΣΜΈΝΕΣ ΘΕΜΕΛΙΏΔΕΙΣ ΠΤΥΧΈΣ, ΜΊΑ ΑΠΌ ΤΙΣ ΣΗΜΑΝΤΙΚΌΤΕΡΕΣ ΕΊΝΑΙ Η ΎΠΑΡΞΗ ΔΙΑΚΥΜΆΝΣΕΩΝ ΣΤΑ ΔΙΆΦΟΡΑ ΚΡΆΤΗ ΑΝΤΊΣΤΑΣΗΣ, ΠΟΥ ΕΥΘΎΝΟΝΤΑΙ ΓΙΑ ΤΗ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑ ΜΕΤΑΞΎ ΤΩΝ ΚΎΚΛΩΝ ΚΑΙ ΜΕΤΑΞΎ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ. Η ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑ ΕΠΗΡΕΆΖΕΙ ΠΑΡΑΜΈΤΡΟΥΣ ΌΠΩΣ ΤΟ ΣΎΝΟΛΟ ΚΑΙ ΟΙ ΤΆΣΕΙΣ ΕΠΑΝΑΦΟΡΆΣ ΚΑΙ ΤΑ ΕΠΊΠΕΔΑ ΡΕΎΜΑΤΟΣ. Η ΚΑΤΑΝΌΗΣΗ ΤΗΣ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑΣ ΤΗΣ ΜΕΤΑΓΩΓΉΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΕΠΙΡΡΟΉΣ ΤΗΣ ΣΤΗΝ ΑΝΘΕΚΤΙΚΌΤΗΤΑ ΚΑΙ ΤΙΣ ΕΠΙΔΌΣΕΙΣ ΤΟΥ ΙΑΤΡΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟΎ ΠΡΟΪΌΝΤΟΣ ΕΊΝΑΙ ΑΠΑΡΑΊΤΗΤΗ ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΊΤΕΥΞΗ ΒΙΟΜΗΧΑΝΙΚΏΝ ΕΦΑΡΜΟΓΏΝ RRAM. _x000D_ _x000D_ ΛΑΜΒΑΝΟΝΤΑΣ ΥΠΟΨΗ ΤΟΥΣ, οι ΠΡΟΤΑΣΕΙΣ ΜΑΣ ΚΕΝΤΟΥΝ ΠΕΡΙΣΣΟΤΕΡΕΣ ΟΡΑΣΕΙΣ ΣΤΙΣ ΦΙΣΙΚΕΣ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΕΣ ΠΕΡΙΠΤΩΣΕΙΣ RRAM: ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΆ ΥΛΙΚΆ ΚΑΙ ΔΟΜΈΣ, ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑ, ΑΝΘΕΚΤΙΚΌΤΗΤΑ ΚΑΙ ΆΛΛΑ ΚΑΘΟΡΙΣΤΙΚΆ ΣΤΟΙΧΕΊΑ ΣΤΙΣ ΕΠΙΔΌΣΕΙΣ ΤΟΥ ΙΑΤΡΟΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟΎ ΠΡΟΪΌΝΤΟΣ. ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΊΤΕΥΞΗ ΑΥΤΟΎ ΤΟΥ ΣΤΌΧΟΥ, ΈΧΟΥΜΕ ΤΟΥΣ ΠΌΡΟΥΣ ΤΡΙΏΝ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΏΝ ΟΜΆΔΩΝ (IMB-CNM, ΠΑΝΕΠΙΣΤΉΜΙΟ ΤΟΥ VALLADOLID ΚΑΙ ΠΑΝΕΠΙΣΤΉΜΙΟ ΤΗΣ ΓΡΑΝΆΔΑΣ) ΓΙΑ ΤΗΝ ΚΆΛΥΨΗ ΕΝΌΣ ΕΥΡΈΟΣ ΦΆΣΜΑΤΟΣ ΕΡΕΥΝΗΤΙΚΏΝ ΘΕΜΆΤΩΝ ΠΟΥ ΣΧΕΤΊΖΟΝΤΑΙ ΜΕ ΤΟ RRAM. ΘΑ ΑΣΧΟΛΗΘΟΎΜΕ ΜΕ ΤΙΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΙΚΈΣ ΠΤΥΧΈΣ, ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΏΝΤΑΣ ΤΙΣ ΕΓΚΑΤΑΣΤΆΣΕΙΣ ΜΑΣ ΚΑΙ ΤΙΣ ΕΓΚΑΤΑΣΤΆΣΕΙΣ ΤΩΝ ΣΥΝΕΡΓΑΤΏΝ ΜΑΣ, ΚΑΘΏΣ ΚΑΙ ΤΟΝ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΌ ΚΑΙ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗ ΚΑΙ ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΊΗΣΗ ΠΡΟΣΑΝΑΤΟΛΙΣΜΈΝΗ ΣΤΗΝ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗ ΤΟΥ ΚΥΚΛΏΜΑΤΟΣ, ΤΌΣΟ ΑΠΌ ΤΗΝ ΨΗΦΙΑΚΉ ΆΠΟΨΗ (ΜΝΉΜΕΣ) ΌΣΟ ΚΑΙ ΑΠΌ ΤΗΝ ΑΝΑΛΟΓΙΚΉ (MEMRESISTORS). ΜΈΣΑ ΑΠΌ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΤΕΛΕΥΤΑΊΕΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ ΘΑ ΕΊΜΑΣΤΕ ΣΕ ΘΈΣΗ ΝΑ ΑΝΑΛΎΣΟΥΜΕ ΝΈΑ ΠΡΌΤΥΠΑ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΎ ΚΥΚΛΩΜΆΤΩΝ, ΌΠΩΣ ΕΦΑΡΜΟΓΈΣ ΒΙΟΛΟΓΙΚΉΣ ΈΜΠΝΕΥΣΗΣ ΚΑΙ NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ στο ΠΑΡΟΝ CONTEXT, θα ωφεληθούμε από το SINERGY που περιέχεται στην παρούσα ΠΡΟΤΑΣΗ ΕΡΓΟΥ: ΟΜΆΔΑ ΜΕ ΕΚΤΕΤΑΜΈΝΗ ΑΠΟΔΕΔΕΙΓΜΈΝΗ ΠΕΊΡΑ ΣΤΗΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΉ ΚΑΙ ΤΟΝ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΌ ΔΙΑΤΆΞΕΩΝ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΏΝ ΠΤΕΡΎΓΩΝ ΑΔΕΙΟΔΌΤΗΣΗΣ ΚΑΙ ΣΥΣΚΕΥΏΝ RRAM (IMB)· ΟΜΆΔΑ ΜΕ ΜΑΚΡΆ ΤΡΟΧΙΆ ΠΡΟΗΓΜΈΝΩΝ ΤΕΧΝΙΚΏΝ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΎ ΗΛΕΚΤΡΙΚΉΣ ΕΝΈΡΓΕΙΑΣ (UVA)· Και μια ομάδα με εκτενείς γνώσεις στη φυσική και μοντελοποίηση των ηλεκτρονικών συσκευών (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES IN THE FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Δημιουργία τεχνολογίας διεργασίας για την κατασκευή CELDS με βάση RRAM στις δομές μου και MIM με διηλεκτρικά προϊόντα υψηλής επιτρεπτότητας._x000D_ 2. Μελέτη των ΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΩΝ ΜΗΧΑΝΙΣΜΩΝ ΤΗΣ ΚΟΙΝΟΤΗΤΑΣ ΤΩΝ ΔΙΑΡΘΡΩΤΙΚΩΝ ΜΩΝΩΝ και ΜΙΣ, ΚΑΙ ΤΗΣ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ ΤΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΗΣ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑΣ, των ΥΛΙΚΩΝ και των ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ._x000D_ 3. ΑΝΑΛΥΣΗ ΤΗΣ VARIABILITY ΚΑΙ ΤΗΣ ΕΥΘΥΝΟΤΗΤΑΣ ΤΗΣ ΚΟΙΝΟΤΗΤΑΣ ΣΤΗ RRAM._x000D_ 4. ΜΕΛΕΤΗ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΩΝ RADIATION σε Υψηλές Επιδόσεις και Επιπτώσεις στην Καταστατική Εναλλαγή._x000D_ 5. Ανάπτυξη RRAM._x000D_ Εργαλεία απλούστευσης 6. ΣΥΜΠΑΓΉΣ ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΊΗΣΗ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ RRAM ΚΑΙ MEMRESISTORS. (Greek)
18 August 2022
0 references
RESISTIVE SKIFTE MINDER ER DE MEST LOVENDE KANDIDATER TIL AT ERSTATTE FLASH MINDER INDEN FOR HUKOMMELSE. DERFOR HAR DEN VIDENSKABELIGE OG TEKNOLOGISKE INTERESSE FOR DISSE APPARATER OPLEVET EN STOR VÆKST I DE SENESTE ÅR. SELV OM DER ER OBSERVERET RESISTIVE KOBLINGSFÆNOMENER I FORSKELLIGE METAL-OXID-METAL (MIM) OG METAL-OXID-HALVLEDER (MIS) STRUKTURER, OPSTÅR DER MANGE SPØRGSMÅL OM OPRINDELSEN AF KØREMEKANISMER OG RESISTIV SKIFT. FØR MAN BESKÆFTIGER SIG MED DEN KOMMERCIELLE BRUG AF RRAM, ER DET DERFOR NØDVENDIGT AT LØSE NOGLE GRUNDLÆGGENDE ASPEKTER, ET AF DE VIGTIGSTE ER FOREKOMSTEN AF UDSVING I DE FORSKELLIGE MODSTANDSSTATER, DER ER ANSVARLIGE FOR VARIABILITETEN MELLEM CYKLUSSER OG MELLEM ENHEDER. VARIABILITET PÅVIRKER PARAMETRE SOM INDSTILLEDE OG NULSTIL SPÆNDINGER OG STRØMNIVEAUER. AT FORSTÅ VARIABILITETEN I SKIFT OG DENS INDFLYDELSE PÅ ENHEDENS ROBUSTHED OG YDEEVNE ER AFGØRENDE FOR AT OPNÅ INDUSTRIELLE RRAM-APPLIKATIONER. _x000D_ _x000D_ tager alt, hvad der sker i konSIdering, vores produkter CENTRE i at opnå en mere udsynet i phisic og TEKNOLOGIC ASPECTS af RRAM: FORSKELLIGE MATERIALER OG STRUKTURER, VARIABILITET, ROBUSTHED OG ANDRE AFGØRENDE ELEMENTER I UDSTYRETS YDEEVNE. FOR AT NÅ DETTE MÅL HAR VI FORENEDE RESSOURCERNE FRA TRE FORSKERGRUPPER (IMB-CNM, UNIVERSITY OF VALLADOLID OG UNIVERSITY OF GRANADA) TIL AT DÆKKE ET BREDT SPEKTRUM AF FORSKNINGSEMNER RELATERET TIL RRAM. VI VIL BEHANDLE PRODUKTIONSASPEKTERNE VED HJÆLP AF VORES OG VORES SAMARBEJDSPARTNERES FACILITETER SAMT KARAKTERISERING OG SIMULERING OG MODELLERING, DER ER ORIENTERET MOD SIMULERINGEN AF KREDSLØBET, BÅDE UD FRA ET DIGITALT SYNSPUNKT (MEMORIES) OG ANALOGI (MEMRESISTORER). GENNEM DISSE NYESTE ENHEDER VIL VI VÆRE I STAND TIL AT ANALYSERE NYE KREDSLØB DESIGN PARADIGMER, SÅSOM BIO-INSPIREREDE APPLIKATIONER OG NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ på DENNE CONTEXT, vil vi drage fordel af den SINERGY, der er indeholdt i denne PROJEKT PROPOSAL: EN GRUPPE MED OMFATTENDE DOKUMENTERET ERFARING INDEN FOR FREMSTILLING OG KARAKTERISERING AF GODKENDELSESVINGEDIELEKTRISKE OG RRAM-UDSTYR (IMB) EN GRUPPE MED EN LANG BANE I AVANCEREDE TEKNIKKER TIL ELEKTRISK KARAKTERISERING (UVA) Og en gruppe med omfattende viden om fysisk og modellering af elektroniske enheder (UGR).DESARROLLAREM KONJUNTALIENDE BESKRIVELSER DESCRED PROPOSER I FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Etablering af procesteknologi til fremstilling af RRAM-baserede CELDS i mine og MIM strukturer med høj tilladelighed dielectrics._x000D_ 2. Undersøgelse af ELEKTRIK KARACTERISTIK OG KOMMUNIKATIONs MEKHANISTERNE AF MY og MIS STRUCTURES, OG DEPENDEN FOR DE TEKNOLOGISKE PROCESSER, MATERIALER og DIMENSIONER._x000D_ 3. Analyse af VARIABILITY OG fiability OF KOMMUNIKATION I RRAM._x000D_ 4. Undersøgelse AF RADIATION EFFECTS i høj godtgørelse PELICULES OG IMPACT I RESISTIVE skift._x000D_ 5. Udvikling af RRAM._x000D_ Forenklingsværktøjer 6. KOMPAKT MODELLERING AF RRAM OG MEMRESISTORS ENHEDER. (Danish)
18 August 2022
0 references
RESISTIIVISET KYTKENTÄMUISTIT OVAT LUPAAVIMPIA EHDOKKAITA FLASH-MUISTOJEN KORVAAMISEEN MUISTOJEN ALALLA. SIKSI TIETEELLINEN JA TEKNOLOGINEN KIINNOSTUS NÄITÄ LAITTEITA KOHTAAN ON KASVANUT HUOMATTAVASTI VIIME VUOSINA. VAIKKA ERI METALLIOKSIDI-METALLI (MIM) JA METALLI-OKSIDI-PUOLIJOHDE (MIS) RAKENTEISSA ON HAVAITTU RESISTIIVISIÄ KYTKENTÄILMIÖITÄ, AJOMEKANISMIEN ALKUPERÄSTÄ JA RESISTIIVISESTÄ VAIHTAMISESTA HERÄÄ MONIA KYSYMYKSIÄ. SIKSI, ENNEN KUIN KÄSITELLÄÄN RRAM:N KAUPALLISTA KÄYTTÖÄ, ON TARPEEN RATKAISTA JOITAKIN PERUSTAVANLAATUISIA NÄKÖKOHTIA, JOISTA YKSI TÄRKEIMMISTÄ ON VAIHTELUT ERI RESISTIIVISISSÄ VALTIOISSA, JOTKA OVAT VASTUUSSA SYKLIEN JA LAITTEIDEN VÄLISESTÄ VAIHTELUSTA. VAIHTELU VAIKUTTAA PARAMETREIHIN, KUTEN ASETETTUIHIN JA NOLLAAVIIN JÄNNITTEISIIN JA VIRTATASOIHIN. TEOLLISTEN RRAM-SOVELLUSTEN SAAVUTTAMISEKSI ON OLENNAISEN TÄRKEÄÄ YMMÄRTÄÄ VAIHTAMISEN VAIHTELU JA SEN VAIKUTUS LAITTEEN VAHVUUTEEN JA SUORITUSKYKYYN. _x000D_ _x000D_ ottaen kaikki TÄMÄN KOSKEVAT TIEDOT, OVAT PROPOSES CENTRE ON ALUE LISÄÄ VISIONIN KOSKEVAT JA TECHNOLOGIC ASPECTS RRAM: ERILAISET MATERIAALIT JA RAKENTEET, VAIHTELU, KESTÄVYYS JA MUUT RATKAISEVAT TEKIJÄT LAITTEEN SUORITUSKYVYSSÄ. TÄMÄN TAVOITTEEN SAAVUTTAMISEKSI OLEMME YHDISTYNEET RESURSSIT KOLME TUTKIMUSRYHMÄÄ (IMB-CNM, UNIVERSITY OF VALLADOLID JA UNIVERSITY OF GRANADA) KATTAA LAAJAN KIRJON TUTKIMUSAIHEITA LIITTYVÄT RRAM. KÄSITTELEMME VALMISTUSNÄKÖKOHTIA, KÄYTTÄMÄLLÄ TILOJAMME JA YHTEISTYÖKUMPPANEITAMME, SEKÄ KARAKTERISOINTIA, SIMULOINTIA JA MALLINTAMISTA PIIRIN SIMULOINTIIN SEKÄ DIGITAALISESTA NÄKÖKULMASTA (MUISTOT) ETTÄ ANALOGISESTA (MEMRESISTORS). NÄIDEN UUSIMPIEN LAITTEIDEN AVULLA VOIMME ANALYSOIDA UUSIA PIIRISUUNNITTELUMALLEJA, KUTEN BIOINSPIROITUJA SOVELLUKSIA JA NEUROMORFICASIA. _x000D_ _x000D_ klo THIS CONTEXT, me hyötyvät SINERGY sisältyvät tähän PROJECT PROPOSAL: RYHMÄ, JOLLA ON LAAJA TODISTETTU KOKEMUS LUPASIIVEN DIELEKTRISTEN JA RRAM (IMB) -LAITTEIDEN VALMISTUKSESTA JA KARAKTERISOIMISESTA; RYHMÄ, JOLLA ON PITKÄ KEHITYSPOLKU EDISTYKSELLISISSÄ SÄHKÖISISSÄ KARAKTERISOINTITEKNIIKOISSA (UVA); Ja ryhmä, jolla on laaja tietämys elektronisten laitteiden fyysisestä ja mallintamisesta (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRIPTIONS DESCRIPTIONS DESCRIPTIONS DESCRIPTIONS IN THE FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Prosessiteknologian perustaminen RRAM-pohjaisten CELDS-järjestelmien valmistamiseksi minun ja MIM-rakenteissa, joissa on suuri sallittavuus dielektriset._x000D_ 2. Tutkimus: ELECTRIC CHARACTERISTICS JA MINÄ TECHNOLOGIC PROCESS, MATERIALS JA DIMENSIONSAN JÄRJESTELMÄN TIEDOT._x000D_ 3. RRAM._x000D_4 TIETOJEN ARIABILITYISEN JA TIEDOTUKSEN ARIABILITYISYYS JA fiktiivisyyden analyysi Tutkimus RADIATION EFFECTS High Allowance PELICULES JA IMPACT IN RESISTIVE vaihtaminen._x000D_ 5. RRAM._x000D_ Yksinkertaistamistyökalujen kehittäminen 6. KOMPAKTI MALLINNUS RRAM- JA MEMRESISTORS-LAITTEISTA. (Finnish)
18 August 2022
0 references
MEMORJI TA ‘SWIĊĊJAR RESISTIVI HUMA L-KANDIDATI L-AKTAR PROMETTENTI GĦAS-SOSTITUZZJONI TA’ MEMORJI FLASH FIL-QASAM TAL-MEMORJI. GĦALHEKK, L-INTERESS XJENTIFIKU U TEKNOLOĠIKU F’DAWN L-APPARATI ESPERJENZA TKABBIR KBIR F’DAWN L-AĦĦAR FTIT SNIN. GĦALKEMM ĠEW OSSERVATI FENOMENI TA ‘SWIĊĊJAR REŻISTENTI F’DIVERSI STRUTTURI (MIM) TA’ METALL-OSSIDU TAL-METALL U SEMIKONDUTTUR TAL-OSSIDU TAL-METALL (MIS), JINQALGĦU ĦAFNA MISTOQSIJIET DWAR L-ORIĠINI TAL-MEKKANIŻMI TAS-SEWQAN U L-ISWIĊĊJAR REŻISIV. GĦALHEKK, QABEL MA JIĠI TTRATTAT L-UŻU KUMMERĊJALI TAL-RRAM HUWA MEĦTIEĠ LI JIĠU SOLVUTI XI ASPETTI FUNDAMENTALI, WIEĦED MILL-AKTAR IMPORTANTI HUWA L-EŻISTENZA TA’ FLUTTWAZZJONIJIET FL-ISTATI DIFFERENTI TA’ REŻISTENZA, RESPONSABBLI GĦALL-VARJABBILTÀ BEJN IĊ-ĊIKLI U BEJN L-APPARATI. IL-VARJABBILTÀ TAFFETTWA PARAMETRI BĦALL-VULTAĠĠI SSETTJATI U RESETTJATI U L-LIVELLI ATTWALI. IL-FEHIM TAL-VARJABBILTÀ FIL-BDIL U L-INFLUWENZA TIEGĦU FUQ IR-ROBUSTEZZA U L-PRESTAZZJONI TAL-APPARAT HUWA ESSENZJALI GĦALL-KISBA TA’ APPLIKAZZJONIJIET RRAM INDUSTRIJALI. _x000D_ _x000D_ tieħu EVERYTHING DIN F’KONSIDERAZZJONI, OUR PROPOŻI TA’ KONTRU fit-TWAQT TA’ VISJONI MORE F’ISPEĊI PARTIĊI U TEKNOLOĠIĊI TA’ RRAM: MATERJALI U STRUTTURI DIFFERENTI, VARJABBILTÀ, ROBUSTEZZA U ELEMENTI DEĊIŻIVI OĦRA FIL-PRESTAZZJONI TAL-APPARAT. BIEX JINTLAĦAQ DAN L-GĦAN, GĦANDNA MAGĦQUDA-RIŻORSI TA ‘TLIET GRUPPI TA’ RIĊERKA (IMB-CNM, UNIVERSITÀ TA ‘VALLADOLID U L-UNIVERSITÀ TA’ GRANADA) BIEX IKOPRU FIRXA WIESGĦA TA ‘SUĠĠETTI TA’ RIĊERKA RELATATI MAL RRAM. AĦNA SE NINDIRIZZAW L-ASPETTI TAL-MANIFATTURA, BL-UŻU TAL-FAĊILITAJIET TAGĦNA U DAWK TAL-KOLLABORATURI TAGĦNA, KIF UKOLL IL-KARATTERIZZAZZJONI U S-SIMULAZZJONI U L-IMMUDELLAR ORJENTATI LEJN IS-SIMULAZZJONI TAĊ-ĊIRKWIT, KEMM MIL-LAT DIĠITALI (MEMORJI) KIF UKOLL ANALOĠIĊI (MEMRESISTORS). PERMEZZ TA’ DAWN L-AĦĦAR APPARATI SE NKUNU NISTGĦU NANALIZZAW MUDELLI ĠODDA TA’ DISINN TAĊ-ĊIRKWITI, BĦAL APPLIKAZZJONIJIET BIJOISPIRATI U NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ f’dan il-KONT, aħna se jibbenefikaw mill-SINERGY li jinsab f’dan PROPOSTA PROJECT: GRUPP B’ESPERJENZA PPRUVATA ESTENSIVA FIL-MANIFATTURA U L-KARATTERIZZAZZJONI TA’ APPARATI DIELETTRIĊI BIL-ĠEWNAĦ PERMESS U RRAM (IMB); GRUPP BI TRAJETTORJA TWILA F’TEKNIKI AVVANZATI TA’ KARATTERIZZAZZJONI ELETTRIKA (UVA); U grupp b’għarfien estensiv dwar il-fiżika u l-immudellar tal-apparat elettroniku (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY ESCRIPTIONS PROPOŻIJIET DESCRED FL-OBJETTIVI TA’ FOLLOWING:_x000D_ _x000D_ 1. It-twaqqif ta’ teknoloġija tal-proċess għall-manifattura ta’ CELDS ibbażati fuq RRAM fl-istrutturi tiegħi u MIM b’dielettriċi ta’ permitabbiltà għolja._x000D_ 2. Studju tal-KARRACTERISTICS ELECTRIC U TAL-MECHANIŻI TAL-KOMUNIKAZZJONI TAL-ISTRUSTIŻI MY u MIS, U D-DAPPENDENZA TAL-PROĊESS TEKNOLOĠIKA, il-MATERIALS U d-DIMENSJONIJIET._x000D_ 3. Analiżi TAL-VARJABILITÀ U l-fiabilità tal-KOMUNIKAZZJONI F’RRAM._x000D_ 4. Studju TA’ EFFETTI TA’ RADIAZZJONI f’PELIKULI b’Allowance Għolja u IMPATT F’swiċċjar RESISTTIVA._x000D_ 5. Żvilupp ta’ RRAM._x000D_ Għodod ta’ Simplifikazzjoni 6. IMMUDELLAR KOMPATT TA ‘TAGĦMIR RRAM U MEMRESISTORS. (Maltese)
18 August 2022
0 references
PRETESTĪBAS PĀRSLĒGŠANAS ATMIŅAS IR VISDAUDZSOLOŠĀKIE KANDIDĀTI, LAI AIZSTĀTU ZIBSPULDZES ATMIŅAS ATMIŅU JOMĀ. TĀPĒC ZINĀTNISKĀ UN TEHNOLOĢISKĀ INTERESE PAR ŠĪM IERĪCĒM PĒDĒJO GADU LAIKĀ IR PIEDZĪVOJUSI LIELU IZAUGSMI. LAI GAN PRETESTĪBAS KOMUTĀCIJAS PARĀDĪBAS IR NOVĒROTAS DAŽĀDĀS METĀLA OKSĪDA-METĀLĀ (MIM) UN METĀLA OKSĪDA PUSVADĪTĀJA (MIS) STRUKTŪRĀS, RODAS DAUDZI JAUTĀJUMI PAR BRAUKŠANAS MEHĀNISMU UN PRETESTĪBAS PĀRSLĒGŠANAS IZCELSMI. TĀPĒC, PIRMS PIEVĒRSTIES RRAM KOMERCIĀLAI IZMANTOŠANAI, IR JĀATRISINA DAŽI BŪTISKI ASPEKTI, VIENS NO SVARĪGĀKAJIEM IR SVĀRSTĪBU ESĪBA DAŽĀDĀS REZISTĪVAJĀS VALSTĪS, KAS IR ATBILDĪGAS PAR CIKLU UN IERĪČU MAINĪBU. MAINĪGUMS IETEKMĒ PARAMETRUS, PIEMĒRAM, IESTATĪJUMU UN ATIESTATĪT SPRIEGUMUS UN STRĀVAS LĪMEŅUS. IZPRATNE PAR PĀRSLĒGŠANAS MAINĪGUMU UN TĀS IETEKMI UZ IERĪCES IZTURĪBU UN VEIKTSPĒJU IR BŪTISKA, LAI SASNIEGTU RRAM RŪPNIECISKOS LIETOJUMUS. _x000D_ _x000D_ ņemot visu šo informāciju KONSIDERĀCIJAS, MŪSU PROPOSES Izcelsmes VAIRĀK PĀRSKATĪŠANAS UN TECHNOLOGIC ASPECTS RRAM: DAŽĀDI MATERIĀLI UN STRUKTŪRAS, MAINĪGUMS, IZTURĪBA UN CITI BŪTISKI ELEMENTI IERĪCES VEIKTSPĒJAI. LAI SASNIEGTU ŠO MĒRĶI, MUMS IR APVIENOTI RESURSI TRĪS PĒTNIECĪBAS GRUPĀM (IMB-CNM, UNIVERSITY OF VALLADOLID UN UNIVERSITY OF GRANADA), LAI APTVERTU PLAŠU PĒTNIECĪBAS TĒMU, KAS SAISTĪTAS AR RRAM. MĒS PIEVĒRSĪSIMIES RAŽOŠANAS ASPEKTIEM, IZMANTOJOT MŪSU UN MŪSU SADARBĪBAS PARTNERU IEKĀRTAS, KĀ ARĪ RAKSTUROJUMU UN SIMULĀCIJU UN MODELĒŠANU, KAS VĒRSTA UZ ĶĒDES SIMULĀCIJU GAN NO DIGITĀLĀ VIEDOKĻA (ATMIŅAS), GAN ANALOGĀS (MEMRESISTORS). IZMANTOJOT ŠĪS JAUNĀKĀS IERĪCES, MĒS VARĒSIM ANALIZĒT JAUNAS SHĒMAS DIZAINA PARADIGMAS, PIEMĒRAM, BIO-IEDVESMOJUŠAS LIETOJUMPROGRAMMAS UN NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ THIS CONTEXT, mēs gūsim labumu no SINERGY, kas ietverti šajā PROJECT PROPOSAL: GRUPA AR PLAŠU PIERĀDĪTU PIEREDZI ATĻAUJAS SPĀRNU DIELEKTRISKO IERĪČU UN RRAM (IMB) IERĪČU RAŽOŠANĀ UN RAKSTUROŠANĀ; GRUPA AR GARU TRAJEKTORIJU PROGRESĪVU ELEKTRISKĀS RAKSTUROŠANAS METOŽU (UVA) TRAJEKTORIJĀ; Un grupa ar plašām zināšanām par fizisko un modelēšanu elektronisko ierīču (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES par FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Procesa tehnoloģijas izveide RRAM bāzes CELDS ražošanai manās un MIM struktūrās ar augstas izšķirtspējas dielektriskajām ierīcēm._x000D_ 2. Pētījums par ELECTRIC CHARACTERISTICS UN KOMUNIKĀCIJAS MEHANISMS MANS un MIS STRUCTURES, UN TECHNOLOĢIJAS PROCESS, MATERIALS UN DIMENSIONS DEPENDENCE._x000D_ 3. VARIABILITIJAS UN KOMUNIKĀCIJAS uzticamības analīze RRAM._x000D_ 4. Pētījums RADIATION EFFECTS par augstu pabalstu PELICULES UN IMPACT RESISTIVE komutācijas._x000D_ 5. RRAM._x000D_ vienkāršošanas rīku izstrāde 6. KOMPAKTA RRAM UN MEMRESISTORS IERĪČU MODELĒŠANA. (Latvian)
18 August 2022
0 references
ODPOROVÉ SPÍNACIE SPOMIENKY SÚ NAJSĽUBNEJŠÍMI KANDIDÁTMI NA VÝMENU FLASH SPOMIENOK V OBLASTI SPOMIENOK. PRETO VEDECKÝ A TECHNOLOGICKÝ ZÁUJEM O TIETO ZARIADENIA ZAŽIL V POSLEDNÝCH ROKOCH VEĽKÝ RAST. NAPRIEK TOMU, ŽE V RÔZNYCH ŠTRUKTÚRACH KOV-OXID-METAL (MIM) A METAL-OXID-POLOVODIČ (MIS) BOLI POZOROVANÉ ODPOROVÉ SPÍNACIE JAVY, VZNIKAJÚ MNOHÉ OTÁZKY TÝKAJÚCE SA PÔVODU HNACÍCH MECHANIZMOV A ODPOROVÉHO PREPÍNANIA. PRETO PRED RIEŠENÍM KOMERČNÉHO POUŽÍVANIA RRAM JE POTREBNÉ VYRIEŠIŤ NIEKTORÉ ZÁKLADNÉ ASPEKTY, JEDNÝM Z NAJDÔLEŽITEJŠÍCH JE EXISTENCIA KOLÍSANIA V RÔZNYCH ODPOROVÝCH ŠTÁTOCH, KTORÉ SÚ ZODPOVEDNÉ ZA VARIABILITU MEDZI CYKLAMI A MEDZI ZARIADENIAMI. VARIABILITA OVPLYVŇUJE PARAMETRE, AKO JE NASTAVENIE A RESET NAPÄTIA A AKTUÁLNE ÚROVNE. POCHOPENIE VARIABILITY PRI PREPÍNANÍ A JEHO VPLYVU NA ROBUSTNOSŤ A VÝKON ZARIADENIA JE NEVYHNUTNÉ NA DOSIAHNUTIE PRIEMYSELNÝCH APLIKÁCIÍ RRAM. _x000D_ _x000D_ pričom všetko, čo je v CONSIDERATION, naše PROPOSES CENTRUJÚce sa na viac VISION v phisic a TECHNOLOGICKÝCH ASPECTS RRAM: RÔZNE MATERIÁLY A ŠTRUKTÚRY, VARIABILITA, ROBUSTNOSŤ A INÉ ROZHODUJÚCE PRVKY VÝKONU ZARIADENIA. NA DOSIAHNUTIE TOHTO CIEĽA MÁME SPOJENÉ ZDROJE TROCH VÝSKUMNÝCH SKUPÍN (IMB-CNM, UNIVERSITY OF VALLADOLID A UNIVERSITY OF GRANADA) NA POKRYTIE ŠIROKÉHO SPEKTRA VÝSKUMNÝCH TÉM SÚVISIACICH S RRAM. BUDEME SA ZAOBERAŤ VÝROBNÝMI ASPEKTMI, VYUŽITÍM NAŠICH ZARIADENÍ A ZARIADENÍ NAŠICH SPOLUPRACOVNÍKOV, AKO AJ CHARAKTERIZÁCIOU A SIMULÁCIOU A MODELOVANÍM ORIENTOVANÝMI NA SIMULÁCIU OBVODU, A TO Z DIGITÁLNEHO HĽADISKA (MEMORIES) A ANALÓGIE (MEMRESISTORS). PROSTREDNÍCTVOM TÝCHTO NAJNOVŠÍCH ZARIADENÍ BUDEME SCHOPNÍ ANALYZOVAŤ NOVÉ PARADIGMY DIZAJNU OBVODOV, AKO SÚ BIO-INŠPIROVANÉ APLIKÁCIE A NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ v THIS CONTEXT, budeme ťažiť z SINERGY obsiahnutej v tomto PROJEKTNÝCH PROPOSÁLENÍ: SKUPINA S ROZSIAHLYMI PREUKÁZANÝMI SKÚSENOSŤAMI V OBLASTI VÝROBY A CHARAKTERIZÁCIE DIELEKTRÍK A ZARIADENÍ RRAM (IMB); SKUPINA S DLHOU TRAJEKTÓRIOU V POKROČILÝCH TECHNIKÁCH ELEKTRICKEJ CHARAKTERIZÁCIE (UVA); A skupina s rozsiahlymi znalosťami v oblasti fyzického a modelovania elektronických zariadení (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES IN THE FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Nastavenie procesnej technológie pre výrobu CELDS na báze RRAM v mojich a MIM štruktúrach s vysoko permitabilnými dielektrikmi._x000D_ 2. Štúdia CHARACTERISTIKÁCIE ELECTRICKÝCH A KOMUNIKÁCIE MECHANISMS MY a MIS STRUCTURES, A DEPENDENCE TECHNOLOGICKÉHO PROCESSU, MATERIALS A DIMENSIONS._x000D_ 3. Analýza VARIABILITY A Ľahkosti KOMUNIKÁCIE V RRAM._x000D_ 4. Štúdia RADIATION EFFECTS vo vysokých príspevkoch a IMPACT pri prepínaní RESISTIVE._x000D_ 5. Vývoj RRAM._x000D_ Nástroje na zjednodušenie 6. KOMPAKTNÉ MODELOVANIE ZARIADENÍ RRAM A MEMRESISTORS. (Slovak)
18 August 2022
0 references
IS IAD CUIMHNÍ CINN ATHRÚ FRIOTACH NA HIARRTHÓIRÍ IS MÓ A BHFUIL GEALLADH FÚTHU CHUN CUIMHNÍ FLASH A ATHSHOLÁTHAR I RÉIMSE NA GCUIMHNÍ CINN. DÁ BHRÍ SIN, TÁ FÁS MÓR TAGTHA AR AN LEAS EOLAÍOCH AGUS TEICNEOLAÍOCH SNA FEISTÍ SEO LE BLIANTA BEAGA ANUAS. CÉ GO BHFUIL FEINIMÉIN ATHRÚ RESISTIVE TUGTHA FAOI DEARA I STRUCHTÚIR ÉAGSÚLA MIOTAIL-OCSAÍD-MIOTAIL (MIM) AGUS MIOTAIL-OCSAÍD-LEATHSHEOLTÓIR (MIS), TAGANN GO LEOR CEISTEANNA CHUN CINN FAOI THIONSCNAMH MEICNÍOCHTAÍ TIOMÁNA AGUS ATHRÚ FRIOTACH. DÁ BHRÍ SIN, SULA NDÉILEÁILTEAR LE HÚSÁID TRÁCHTÁLA RRAM IS GÁ ROINNT GNÉITHE BUNÚSACHA A RÉITEACH, IS É CEANN DE NA CINN IS TÁBHACHTAÍ NÁ LUAINEACHTAÍ A BHEITH ANN SNA STÁIT FRIOTACHA ÉAGSÚLA, ATÁ FREAGRACH AS INATHRAITHEACHT IDIR TIMTHRIALLTA AGUS IDIR FEISTÍ. BÍONN TIONCHAR AG ATHRAITHEACHT AR PHARAIMÉADAIR AMHAIL VOLTAIS SOCRAITHE AGUS ATHSHOCRAITHE AGUS LEIBHÉIL REATHA. TUISCINT AR AN ATHRAITHEACHT I ATHRÚ AGUS A THIONCHAR AR AN STÓINSEACHT AGUS FEIDHMÍOCHT AN GLÉAS RIACHTANACH CHUN IARRATAIS RRAM TIONSCLAÍOCH A BHAINT AMACH. _x000D_ _x000D_ ag glacadh leis sin i gCúnamh, CÚIRTEANNA GNÍOMHAÍOCHTA I gCeartú VISION MÓR IN ASPECTS phisic agus TECHNOLOGIC RRAM: ÁBHAIR AGUS STRUCHTÚIR ÉAGSÚLA, INATHRAITHEACHT, STÓINSEACHT AGUS EILIMINTÍ CINNTITHEACHA EILE I BHFEIDHMÍOCHT NA FEISTE. CHUN AN SPRIOC SEO A BHAINT AMACH, NÍ MÓR DÚINN NA HACMHAINNÍ DE THRÍ GHRÚPA TAIGHDE (IMB-CNM, OLLSCOIL VALLADOLID AGUS OLLSCOIL GRANADA) A CHLÚDACH RAON LEATHAN DE THOPAICÍ TAIGHDE A BHAINEANN LE RRAM. DÉANFAIMID AGHAIDH A THABHAIRT AR NA GNÉITHE DÉANTÚSAÍOCHTA, AG BAINT ÚSÁIDE AS ÁR N-ÁISEANNA AGUS IAD SIÚD DÁR GCOMHOIBRITHE, CHOMH MAITH LEIS AN TRÉITHRIÚ AGUS INSAMHALTA AGUS SAMHALTÚ DÍRITHE AR AN INSAMHALTA AN CHUAIRD, ARAON Ó THAOBH DIGITEACH DE (CUIMHNÍ) AGUS ANALOGIC (MEMRESISTORS). TRÍ NA GLÉASANNA IS DÉANAÍ SEO BEIMID IN ANN ANAILÍS A DHÉANAMH AR PHARAIDÍMÍ NUA DEARTHA CIORCAID, AMHAIL FEIDHMCHLÁIR BHITHSPREAGTHA AGUS NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ ag CONTEXT SEO, beidh muid ag leas a bhaint as an SINERGY atá sa PROJECT PROPOSAL: GRÚPA AG A BHFUIL TAITHÍ CHRUTHAITHE FHAIRSING AR MHONARÚ AGUS AR THRÉITHRIÚ FEISTÍ TRÉLEICTREACHA SCIATHÁIN CEADÚLACHTA AGUS FEISTÍ RRAM (IMB); GRÚPA AG A BHFUIL RUTHAG FHADA I DTEICNÍCÍ ARDFHORBARTHA DE THRÉITHRIÚ LEICTREACH (UVA); Agus grúpa a bhfuil eolas fairsing acu ar ghléasanna leictreonacha (UGR).DESARROLLARLLAREM DESCRIPTIONS DÉANAMH DÍOLTAÍOCHTAÍ SA OBHARLACHA FOLLOWING:_x000D_ _x000D_ 1. Bunú na teicneolaíochta próiseas do mhonarú CELDS RRAM-bhunaithe i mo agus MIM struchtúir le tréleictreach ard-incheadaitheacht._x000D_ 2. Staidéar ar Chaibidlí ELECTRIC agus ar Mheabhráin Chroíláracha agus ar Mhionstaideanna, agus ar Dhíolúintí na Nósanna Imeachta TECHNOLOGIC, MATERIALS agus DIMENSIONS._x000D_ 3. Anailís ar VARIABILITY and fiability of COMMICATION IN RRAM._x000D_ 4. Staidéar AR EFFECTS IARRATAIS in Ard-Liúntas agus IMPACT I athrú._x000D_ 5. Forbairt Uirlisí RRAM._x000D_ Simpliú 6. SAMHALTÚ DLÚTH NA BHFEISTÍ RRAM AGUS MEMRESISTORS. (Irish)
18 August 2022
0 references
ODPOROVÉ PŘEPÍNÁNÍ PAMĚTI JSOU NEJSLIBNĚJŠÍ KANDIDÁTI NA VÝMĚNU FLASH VZPOMÍNKY V OBLASTI VZPOMÍNEK. PROTO VĚDECKÝ A TECHNOLOGICKÝ ZÁJEM O TATO ZAŘÍZENÍ ZAZNAMENAL V POSLEDNÍCH NĚKOLIKA LETECH VELKÝ RŮST. AČKOLI BYLY V RŮZNÝCH STRUKTURÁCH OXIDŮ KOVŮ A KOVŮ (MIM) A KOVOVÝCH-OXIDOVÝCH POLOVODIČOVÝCH (MIS) STRUKTUR POZOROVÁNY ODPOROVÉ SPÍNACÍ JEVY, VZNIKÁ MNOHO OTÁZEK OHLEDNĚ PŮVODU HNACÍCH MECHANISMŮ A ODPOROVÉHO PŘEPÍNÁNÍ. PROTO JE PŘED KOMERČNÍM POUŽITÍM RRAM NUTNÉ VYŘEŠIT NĚKTERÉ ZÁKLADNÍ ASPEKTY, JEDNÍM Z NEJDŮLEŽITĚJŠÍCH JE EXISTENCE KOLÍSÁNÍ V RŮZNÝCH ODPOROVÝCH STÁTECH, ODPOVĚDNÝCH ZA VARIABILITU MEZI CYKLY A MEZI ZAŘÍZENÍMI. VARIABILITA OVLIVŇUJE PARAMETRY, JAKO JSOU NASTAVENÁ A RESETOVANÁ NAPĚTÍ A PROUDOVÉ HLADINY. POCHOPENÍ VARIABILITY PŘEPÍNÁNÍ A JEHO VLIVU NA ROBUSTNOST A VÝKONNOST ZAŘÍZENÍ JE ZÁSADNÍ PRO DOSAŽENÍ PRŮMYSLOVÝCH APLIKACÍ RRAM. _x000D_ _x000D_ s ohledem na vše, co je toto v KONSIDERACE, Náš PROPOSES CENTRUM ve více vizi v phisic and TECHNOLOGIC ASPECTS OF RRAM: RŮZNÉ MATERIÁLY A KONSTRUKCE, VARIABILITA, ROBUSTNOST A DALŠÍ ROZHODUJÍCÍ PRVKY VE VÝKONU ZAŘÍZENÍ. K DOSAŽENÍ TOHOTO CÍLE MÁME UNITED ZDROJE TŘÍ VÝZKUMNÝCH SKUPIN (IMB-CNM, UNIVERSITY OF VALLADOLID A UNIVERSITY OF GRANADA) POKRÝT ŠIROKÉ SPEKTRUM VÝZKUMNÝCH TÉMAT SOUVISEJÍCÍCH S RRAM. BUDEME SE ZABÝVAT VÝROBNÍMI ASPEKTY, VYUŽITÍM NAŠICH ZAŘÍZENÍ A NAŠICH SPOLUPRACOVNÍKŮ, JAKOŽ I CHARAKTERIZACÍ A SIMULACÍ A MODELOVÁNÍM ORIENTOVANÝMI NA SIMULACI OBVODU, A TO JAK Z DIGITÁLNÍHO HLEDISKA (MEMORIES), TAK ANALOGICKÉHO (MEMRESISTORS). POMOCÍ TĚCHTO NEJNOVĚJŠÍCH ZAŘÍZENÍ BUDEME SCHOPNI ANALYZOVAT NOVÁ PARADIGMATA NÁVRHU OBVODŮ, JAKO JSOU BIOINSPIROVANÉ APLIKACE A NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ na THIS CONTEXT, budeme těžit z SINERGIE obsažené v tomto PROJECT PROPOSAL: SKUPINA S ROZSÁHLÝMI PROKÁZANÝMI ZKUŠENOSTMI S VÝROBOU A CHARAKTERIZACÍ SILOVÝCH DIELEKTRIK A ZAŘÍZENÍ RRAM (IMB); SKUPINA S DLOUHOU TRAJEKTORIÍ V POKROČILÝCH TECHNIKÁCH ELEKTRICKÉ CHARAKTERIZACE (UVA); A skupina s rozsáhlými znalostmi v oblasti fyzického a modelování elektronických zařízení (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES IN THE FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Nastavení procesní technologie pro výrobu CELDS založených na RRAM v mých a MIM strukturách s vysoce povolenými dielektrikami._x000D_ 2. Studie ELECTRICKÉHO CHARACTERISTICKÉHO A KOMUNIKACE MECHANISŮ MÝCH a MIS STRUCTURŮ A DEPENDENCE TECHNOLOGICKÉHO PROCESSU, MATERIALS A ROZMĚRY._x000D_ 3. Analýza VARIABILITY A SPOLEČNOSTI V RRAM._x000D_ 4. Studie RADIATION EFFECTS ve vysokých příspěvcích PELICULES A IMPACT IN RESISTIVE switch._x000D_ 5. Vývoj RRAM._x000D_ Nástroje pro zjednodušení 6. KOMPAKTNÍ MODELOVÁNÍ ZAŘÍZENÍ RRAM A MEMRESISTORS. (Czech)
18 August 2022
0 references
MEMÓRIAS DE COMUTAÇÃO RESISTIVAS SÃO OS CANDIDATOS MAIS PROMISSORES PARA SUBSTITUIR MEMÓRIAS FLASH NO CAMPO DAS MEMÓRIAS. PORTANTO, O INTERESSE CIENTÍFICO E TECNOLÓGICO POR ESSES DISPOSITIVOS TEM EXPERIMENTADO UM GRANDE CRESCIMENTO NOS ÚLTIMOS ANOS. EMBORA FENÔMENOS DE COMUTAÇÃO RESISTIVA TENHAM SIDO OBSERVADOS EM VÁRIAS ESTRUTURAS DE METAL-ÓXIDO-METAL (MIM) E METAL-ÓXIDO-SEMICONDUTOR, MUITAS QUESTÕES SURGEM SOBRE A ORIGEM DOS MECANISMOS DE CONDUÇÃO E DA COMUTAÇÃO RESISTIVA. PORTANTO, ANTES DE LIDAR COM O USO COMERCIAL DE RRAM É NECESSÁRIO RESOLVER ALGUNS ASPETOS FUNDAMENTAIS, UM DOS MAIS IMPORTANTES É A EXISTÊNCIA DE FLUTUAÇÕES NOS DIFERENTES ESTADOS RESISTIVOS, RESPONSÁVEIS PELA VARIABILIDADE ENTRE CICLOS E ENTRE DISPOSITIVOS. A VARIABILIDADE AFETA PARÂMETROS COMO SET E RESET VOLTAGES E NÍVEIS DE CORRENTE. COMPREENDER A VARIABILIDADE NA COMUTAÇÃO E SUA INFLUÊNCIA NA ROBUSTEZ E DESEMPENHO DO DISPOSITIVO É ESSENCIAL PARA ALCANÇAR APLICAÇÕES DE RRAM INDUSTRIAIS. _x000D_ _x000D_ tomando TODOS OS QUE ESTE EM CONSIDERAÇÃO, NOSSAs PROPOSTAS CENTRE EM CONSIDERAÇÃO A MAIS VISÃO NOS ASPETOS PISTICOS E TECNOLOGICOS DE RRAM: DIFERENTES MATERIAIS E ESTRUTURAS, VARIABILIDADE, ROBUSTEZ E OUTROS ELEMENTOS DECISIVOS NO DESEMPENHO DO DISPOSITIVO. PARA ATINGIR ESSE OBJETIVO, UNIMOS OS RECURSOS DE TRÊS GRUPOS DE PESQUISA (IMB-CNM, UNIVERSIDADE DE VALLADOLID E UNIVERSIDADE DE GRANADA) PARA COBRIR UM AMPLO ESPETRO DE TÓPICOS DE PESQUISA RELACIONADOS AO RRAM. ABORDAREMOS OS ASPETOS DE FABRICO, USANDO NOSSAS INSTALAÇÕES E OS DE NOSSOS COLABORADORES, BEM COMO A CARACTERIZAÇÃO E SIMULAÇÃO E MODELAGEM ORIENTADAS PARA A SIMULAÇÃO DO CIRCUITO, TANTO DO PONTO DE VISTA DIGITAL (MEMÓRIAS) QUANTO ANALÓGICO (MEMRESTORES). ATRAVÉS DESTES DISPOSITIVOS MAIS RECENTES, PODEREMOS ANALISAR NOVOS PARADIGMAS DE CONCEÇÃO DE CIRCUITOS, COMO APLICAÇÕES DE INSPIRAÇÃO BIOLÓGICA E NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ neste CONTEXTO, beneficiaremos da SINERGY contida nesta PROPOSTA DE PROJETO: UM GRUPO COM VASTA EXPERIÊNCIA COMPROVADA NO FABRICO E CARACTERIZAÇÃO DE DISPOSITIVOS DIELÉTRICOS E RRAM (IMB) DE ASAS DE LICENCIAMENTO; UM GRUPO COM UMA LONGA TRAJETÓRIA EM TÉCNICAS AVANÇADAS DE CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA (UVA); E um grupo com um amplo conhecimento em física e modelagem de dispositivos eletrônicos (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS PROPOSES DESCREDOS NO OBJETIVOS DE FOLLOWING:_x000D_ _x000D_ 1. Instalação de tecnologia de processos para o fabrico de CELDS ganzas em RRAM nas minhas estruturas e MIM com dielétricos de alta permeabilidade._x000D_ 2. Estudo das CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E DA COMUNICAÇÃO MECHANISMOS DE MINHAS e MIS ESTRUTURAS, E DA DEPENDÊNCIA DO PROCESSO TECNOLOGÓGICA, MATERIAIS E DIMENSÕES._x000D_3. Análise DA VARIABILIDADE E FIabilidade DA COMUNICAÇÃO EM RRAM._x000D_ 4. Estudo DE EFEITOS DE RADIAÇÃO em PELICULOS DE ALTA APLICULAÇÃO E IMPACTO EM Comutação RESISTIVA._x000D_ 5. Desenvolvimento de RRAM._x000D_ Ferramentas de Simplificação 6. MODELAGEM COMPACTA DE DISPOSITIVOS RRAM E MEMRESISTORS. (Portuguese)
18 August 2022
0 references
VASTUPIDAVAD VAHETUSMÄLUD ON KÕIGE PALJUTÕOTAVAMAD KANDIDAADID MÄLUDE VALDKONNAS VÄLKMÄLUDE ASENDAMISEKS. SEETÕTTU ON TEADUSLIK JA TEHNOLOOGILINE HUVI NENDE SEADMETE VASTU VIIMASTEL AASTATEL VÄGA KASVANUD. KUIGI ERINEVATE METALL-OKSIID-METALLI (MIM) JA METALL-OKSIID-POOLJUHT (MIS) STRUKTUURIDE PUHUL ON TÄHELDATUD VASTUPIDAVAID KOMMUTATSIOONE, TEKIB PALJU KÜSIMUSI JUHTIMISMEHHANISMIDE JA VASTUPIDAVATE LÜLITUSTE PÄRITOLU KOHTA. SEETÕTTU ON ENNE RRAM-I KOMMERTSKASUTUSEGA TEGELEMIST VAJA LAHENDADA MÕNED PÕHIASPEKTID, ÜKS TÄHTSAMAID ON ERINEVATE RESISTIIVSETE RIIKIDE KÕIKUMISED, MIS VASTUTAVAD TSÜKLITE JA SEADMETE VAHELISE VARIEERUVUSE EEST. VARIEERUVUS MÕJUTAB SELLISEID PARAMEETREID NAGU SEADISTAMINE JA LÄHTESTAMINE PINGED JA VOOLUTASEMED. TÖÖSTUSLIKE RRAM-RAKENDUSTE SAAVUTAMISEKS ON OLULINE MÕISTA VAHETAMISE VARIEERUVUST JA SELLE MÕJU SEADME TÖÖKINDLUSELE JA TOIMIVUSELE. _x000D_ _x000D_ võttes VÄLJA TEADMISEKS KONSIDERIMISE, meie MÄRKUSED LIIKMESRIIKIDE JA TEKHNOLOOGIA ASPEKTSIOONID RRAM-is: ERINEVAD MATERJALID JA STRUKTUURID, VARIEERUVUS, TÖÖKINDLUS JA MUUD OTSUSTAVAD ELEMENDID SEADME TOIMIMISES. SELLE EESMÄRGI SAAVUTAMISEKS ON MEIL AMEERIKA KOLME UURIMISRÜHMA (IMB-CNM, VALLADOLIDI ÜLIKOOL JA GRANADA ÜLIKOOL) RESSURSID, MIS HÕLMAVAD MITMESUGUSEID RRAM-IGA SEOTUD UURIMISTEEMASID. KÄSITLEME TOOTMISE ASPEKTE, KASUTADES MEIE JA MEIE KAASTÖÖTAJATE RAJATISI, SAMUTI ISELOOMUSTUST, SIMULATSIOONI JA MODELLEERIMIST, MIS ON SUUNATUD AHELA SIMULATSIOONILE, NII DIGITAALSEST SEISUKOHAST (MEMORIES) KUI KA ANALOOGSEST (MEMRESISTORS). NENDE UUSIMATE SEADMETE KAUDU SAAME ANALÜÜSIDA UUSI AHELATE DISAINI PARADIGMAID, NAGU BIOINSPIREERITUD RAKENDUSED JA NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ THIS CONTEXTis, saame kasu käesolevas PROJECT PROPOSAL sisalduvast SINERGYst: RÜHM, KELLEL ON ULATUSLIK TÕENDATUD KOGEMUS LOATIIVA DIELEKTRIKUTE JA RRAM-SEADMETE TOOTMISES JA ISELOOMUSTAMISEL; RÜHM, MILLEL ON PIKK TRAJEKTOOR TÄIUSTATUD ELEKTRILISE ISELOOMUSTAMISE TEHNIKAGA (UVA); Ja rühm, kellel on laialdased teadmised elektrooniliste seadmete füüsilisest ja modelleerimisest (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRIPTIONS DESCRIPTIONES FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Protsessitehnoloogia loomine RRAM-põhise CELDSi tootmiseks minu ja MIM-struktuurides, millel on kõrge lubatavusega dielectrics._x000D_ 2. Uuring ELECTRIC CHARACTERISTICS JA KOMMUNIKATSIOONIDE ja MIS STRUCTURESte JA TECHNOLOGIA PROCESS, MATERIALS JA DIMENSIONS._x000D_ 3. RRAM._x000D_4 ÜHENDUSE VARIABILITY JA Püsivuse analüüs. Uuring RADIATION EFFEKTSID kõrge saastekvoodi PELICULES JA IMPACT IN RESISTIVE vahetamine._x000D_ 5. RRAM._x000D_ Lihtsustamisvahendite väljatöötamine 6. KOMPAKTNE MODELLEERIMINE RRAM JA MEMRESISTORS SEADMED. (Estonian)
18 August 2022
0 references
A REZISZTÍV VÁLTÓ EMLÉKEK A LEGÍGÉRETESEBB JELÖLTEK A FLASH EMLÉKEK CSERÉJÉRE AZ EMLÉKEK TERÜLETÉN. EZÉRT AZ EZEN ESZKÖZÖK IRÁNTI TUDOMÁNYOS ÉS TECHNOLÓGIAI ÉRDEKLŐDÉS AZ ELMÚLT ÉVEKBEN NAGY NÖVEKEDÉST MUTATOTT. BÁR ELLENÁLLÁSOS KAPCSOLÁSI JELENSÉGEKET FIGYELTEK MEG KÜLÖNBÖZŐ FÉM-OXID-FÉM (MIM) ÉS FÉM-OXID-FÉLVEZETŐ (MIS) SZERKEZETEKBEN, SOK KÉRDÉS MERÜL FEL A VEZETÉSI MECHANIZMUSOK ÉS AZ ELLENÁLLÁSOS KAPCSOLÁS EREDETÉVEL KAPCSOLATBAN. EZÉRT A RRAM KERESKEDELMI CÉLÚ FELHASZNÁLÁSÁNAK KEZELÉSE ELŐTT MEG KELL OLDANI NÉHÁNY ALAPVETŐ SZEMPONTOT, AZ EGYIK LEGFONTOSABB AZ INGADOZÁSOK MEGLÉTE A KÜLÖNBÖZŐ ELLENÁLLÓ ÁLLAMOKBAN, AMELYEK FELELŐSEK A CIKLUSOK ÉS AZ ESZKÖZÖK KÖZÖTTI VARIABILITÁSÉRT. A VARIABILITÁS BEFOLYÁSOLJA AZ OLYAN PARAMÉTEREKET, MINT A BEÁLLÍTOTT FESZÜLTSÉGEK ÉS AZ ÁRAMSZINTEK. AZ IPARI RRAM-ALKALMAZÁSOK ELÉRÉSÉHEZ ELENGEDHETETLEN A KAPCSOLÁSI VARIABILITÁS ÉS AZ ESZKÖZ ROBUSZTUSSÁGÁRA ÉS TELJESÍTMÉNYÉRE GYAKOROLT HATÁSÁNAK MEGÉRTÉSE. _x000D_ _x000D_ figyelembe véve ezt a KONZIDERÁCIÓT, A TERMÉKEKRE VONATKOZÓ TÁMOGATÁSRA VONATKOZÓ TECHNOLÓGIAI KÖVETKEZTETÉSEK: KÜLÖNBÖZŐ ANYAGOK ÉS SZERKEZETEK, VÁLTOZÉKONYSÁG, ROBUSZTUSSÁG ÉS MÁS MEGHATÁROZÓ ELEMEK AZ ESZKÖZ TELJESÍTMÉNYÉBEN. E CÉL ELÉRÉSE ÉRDEKÉBEN HÁROM KUTATÓCSOPORT (IMB-CNM, VALLADOLIDI EGYETEM ÉS GRANADAI EGYETEM) ERŐFORRÁSAIT EGYESÍTJÜK, HOGY A RRAM-MAL KAPCSOLATOS KUTATÁSI TÉMÁK SZÉLES KÖRÉT LEFEDJÜK. FOGLALKOZUNK A GYÁRTÁSI SZEMPONTOKKAL, FELHASZNÁLVA LÉTESÍTMÉNYEINKET ÉS MUNKATÁRSAINKÉT, VALAMINT AZ ÁRAMKÖR SZIMULÁCIÓJÁRA IRÁNYULÓ JELLEMZÉST, SZIMULÁCIÓT ÉS MODELLEZÉST, MIND DIGITÁLIS SZEMPONTBÓL (MEMÓRIÁK), MIND ANALÓG (MEMRESISTORS) SZEMPONTBÓL. EZEKKEL A LEGÚJABB ESZKÖZÖKKEL KÉPESEK LESZÜNK ELEMEZNI AZ ÚJ ÁRAMKÖRI TERVEZÉSI PARADIGMÁKAT, PÉLDÁUL A BIO-INSPIRÁLT ALKALMAZÁSOKAT ÉS A NEUROMORFICAS-T. _x000D_ _x000D_ e KONTEXT-nél, a jelen PROJEKT PROPOSAL SZINERGIA előnyeit élvezzük: AZ ENGEDÉLYEZETT SZÁRNY DIELEKTROMOS ÉS RRAM (IMB) ESZKÖZÖK GYÁRTÁSÁBAN ÉS JELLEMZÉSÉBEN SZERZETT SZÉLES KÖRŰ, BIZONYÍTOTT TAPASZTALATTAL RENDELKEZŐ CSOPORT; A FEJLETT ELEKTROMOS JELLEMZÉSI TECHNIKÁK (UVA) TERÉN HOSSZÚ RÖPPÁLYÁVAL RENDELKEZŐ CSOPORT; És egy csoport széles körű ismeretekkel a fizikai és modellezés elektronikus eszközök (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS A FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Technológiai technológia létrehozása a RRAM-alapú CELDS-ek gyártásához az én és MIM-struktúráimban, nagy megengedett dielektromosokkal._x000D_ 2. Az ELECTRIC KARACTERISTICS ÉS A KÖZTÁRSASÁG MECHANISMÁCIÓK MÉGEK és VÁLLALKOZÁSOK, valamint a TECHNOLOGIKAI PROCESS, MATERIALS ÉS DIMENSIONS DEPENDENCE tanulmánya._x000D_ 3. A COMMUNICATION IN RRAM._x000D_ 4. VARIABILITITÁS ÉS megvalósíthatóságának elemzése. Study of RADIATION EFFECTS in High Allowance PELICULES AND IMPACT in RESISTIVE switch._x000D_ 5. RRAM._x000D_ Egyszerűsítő eszközök fejlesztése 6. RRAM ÉS MEMRESISTORS ESZKÖZÖK KOMPAKT MODELLEZÉSE. (Hungarian)
18 August 2022
0 references
РЕЗИСТИВНИТЕ ПРЕВКЛЮЧВАЩИ СПОМЕНИ СА НАЙ-ОБЕЩАВАЩИТЕ КАНДИДАТИ ЗА ЗАМЯНА НА ФЛАШ СПОМЕНИ В ОБЛАСТТА НА СПОМЕНИТЕ. ПОРАДИ ТОВА НАУЧНИЯТ И ТЕХНОЛОГИЧЕН ИНТЕРЕС КЪМ ТЕЗИ УСТРОЙСТВА Е ПРЕТЪРПЯЛ ГОЛЯМ РАСТЕЖ ПРЕЗ ПОСЛЕДНИТЕ НЯКОЛКО ГОДИНИ. ВЪПРЕКИ ЧЕ В РАЗЛИЧНИ МЕТАЛ-ОКСИД-МЕТАЛ (MIM) И МЕТАЛ-ОКСИД-ПОЛУПРОВОДНИКОВИ (MIS) СТРУКТУРИ СЕ НАБЛЮДАВАТ РЕЗИСТИВНИ ЯВЛЕНИЯ, ВЪЗНИКВАТ МНОГО ВЪПРОСИ ОТНОСНО ПРОИЗХОДА НА МЕХАНИЗМИТЕ НА УПРАВЛЕНИЕ И РЕЗИСТИВНОТО ПРЕВКЛЮЧВАНЕ. ПОРАДИ ТОВА, ПРЕДИ ДА СЕ РАЗГЛЕДА ТЪРГОВСКАТА УПОТРЕБА НА RRAM, Е НЕОБХОДИМО ДА СЕ РАЗРЕШАТ НЯКОИ ОСНОВНИ АСПЕКТИ, ЕДИН ОТ НАЙ-ВАЖНИТЕ Е НАЛИЧИЕТО НА КОЛЕБАНИЯ В РАЗЛИЧНИТЕ СЪПРОТИВИТЕЛНИ ДЪРЖАВИ, ОТГОВОРНИ ЗА ПРОМЕНЛИВОСТТА МЕЖДУ ЦИКЛИТЕ И МЕЖДУ УСТРОЙСТВАТА. ПРОМЕНЛИВОСТТА ЗАСЯГА ПАРАМЕТРИ КАТО ЗАДАВАНЕ И НУЛИРАНЕ НА НАПРЕЖЕНИЯ И ТОКОВИ НИВА. РАЗБИРАНЕТО НА ПРОМЕНЛИВОСТТА ПРИ ПРЕВКЛЮЧВАНЕ И НЕГОВОТО ВЛИЯНИЕ ВЪРХУ УСТОЙЧИВОСТТА И ДЕЙСТВИЕТО НА ИЗДЕЛИЕТО Е ОТ СЪЩЕСТВЕНО ЗНАЧЕНИЕ ЗА ПОСТИГАНЕ НА ПРОМИШЛЕНИ ПРИЛОЖЕНИЯ ЗА RRAM. _x000D_ _x000D_ като ВСИЧКИ ВЪПРОСИ В КОНСИДЕРАЦИЯТА, НАШИТЕ ПРОПОЗИ ЦЕНТРИ В ОБРАЗОВАНИЕ НА ПОВЕЧЕ ВИСИОН НА Физическите И ТЕХНОЛОГИЧНИ АСПЕКТИ НА РАМ: РАЗЛИЧНИ МАТЕРИАЛИ И СТРУКТУРИ, ПРОМЕНЛИВОСТ, УСТОЙЧИВОСТ И ДРУГИ РЕШАВАЩИ ЕЛЕМЕНТИ В РАБОТАТА НА ИЗДЕЛИЕТО. ЗА ДА ПОСТИГНЕМ ТАЗИ ЦЕЛ, ИМАМЕ ОБЕДИНЕНИ РЕСУРСИТЕ НА ТРИ ИЗСЛЕДОВАТЕЛСКИ ГРУПИ (IMB-CNM, УНИВЕРСИТЕТА НА ВАЛЯДОЛИД И УНИВЕРСИТЕТА В ГРАНАДА), КОИТО ДА ОБХВАНАТ ШИРОК СПЕКТЪР ОТ ИЗСЛЕДОВАТЕЛСКИ ТЕМИ, СВЪРЗАНИ С RRAM. ЩЕ РАЗГЛЕДАМЕ ПРОИЗВОДСТВЕНИТЕ АСПЕКТИ, ИЗПОЛЗВАЙКИ НАШИТЕ СЪОРЪЖЕНИЯ И ТЕЗИ НА НАШИТЕ СЪТРУДНИЦИ, КАКТО И ХАРАКТЕРИЗИРАНЕТО И СИМУЛАЦИЯТА И МОДЕЛИРАНЕТО, ОРИЕНТИРАНИ КЪМ СИМУЛАЦИЯТА НА ВЕРИГАТА, КАКТО ОТ ДИГИТАЛНА ГЛЕДНА ТОЧКА (ПАМЕТНИЦИ), ТАКА И ОТ АНАЛОГИЧНИ (MEMRESISTORS). ЧРЕЗ ТЕЗИ НАЙ-НОВИ УСТРОЙСТВА ЩЕ МОЖЕМ ДА АНАЛИЗИРАМЕ НОВИ МОДЕЛИ ЗА ПРОЕКТИРАНЕ НА ВЕРИГИ, КАТО НАПРИМЕР БИО-ВДЪХНОВЕНИ ПРИЛОЖЕНИЯ И NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ в ТОЗИ КОНТЕКСТ, ние ще се възползваме от SINERGY, съдържащ се в този ПРОЕКТ ПРОПОЗАЛ: ГРУПА С ДЪЛГОГОДИШЕН ДОКАЗАН ОПИТ В ПРОИЗВОДСТВОТО И ХАРАКТЕРИЗИРАНЕТО НА ДИЕЛЕКТРИЦИ НА КРИЛАТА НА КРИЛАТА И RRAM (IMB) УСТРОЙСТВА; ГРУПА С ДЪЛГА ТРАЕКТОРИЯ НА УСЪВЪРШЕНСТВАНИ ТЕХНИКИ ЗА ЕЛЕКТРИЧЕСКО ХАРАКТЕРИЗИРАНЕ (UVA); И група с обширни познания в областта на физическото и моделирането на електронни устройства (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESARROLLAREM DESCRIPTIONS DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESARROLLAREM _x000D_ 1. Създаване на технологична технология за производство на RRAM-базирани CELDS в моите и MIM структури с диелектрици с висока степен на разрешаване._x000D_ 2. Проучване на ELECTRIC CHARACTERISTICS AND THE COMMUNICATION MECHANISMS OF MY и MIS STRUCTURES, И НА РАЗВИТИЕТО НА ТЕХНОЛОГИЧНИТЕ ПРОЦЕС, МАТЕРИАЛИ И РАЗМЕРИ._x000D_ 3. Анализ НА ВАРИАБИЛНОСТТА И МОЖЕТО СЪОБЩЕНИЕ В RRAM._x000D_ 4. Проучване НА РАДИАЦИОННИ ЕФЕКТИ в ПУЛИКУЛТИ И ИЗПЪЛНЕНИЕ при превключване._x000D_ 5. Разработване на RRAM._x000D_ Инструменти за опростяване 6. КОМПАКТНО МОДЕЛИРАНЕ НА RRAM И MEMRESISTORS УСТРОЙСТВА. (Bulgarian)
18 August 2022
0 references
REZISTENTINIAI PERJUNGIMO PRISIMINIMAI YRA PERSPEKTYVIAUSI KANDIDATAI, NORINTYS PAKEISTI „FLASH“ PRISIMINIMUS PRISIMINIMŲ SRITYJE. TODĖL MOKSLINIS IR TECHNOLOGINIS SUSIDOMĖJIMAS ŠIAIS PRIETAISAIS PER PASTARUOSIUS KELERIUS METUS PATYRĖ DIDELĮ AUGIMĄ. NORS ĮVAIRIOSE METALO-OKSIDO-METALO (MIM) IR METALO-OKSIDO PUSLAIDININKIŲ (MIS) STRUKTŪROSE BUVO PASTEBĖTI REZISTENTINIAI PERJUNGIMO REIŠKINIAI, KYLA DAUG KLAUSIMŲ APIE VAIRAVIMO MECHANIZMŲ KILMĘ IR VARŽINĮ PERJUNGIMĄ. TODĖL, PRIEŠ NAGRINĖJANT RRAM KOMERCINIO NAUDOJIMO KLAUSIMĄ, BŪTINA IŠSPRĘSTI KAI KURIUOS ESMINIUS ASPEKTUS, VIENAS IŠ SVARBIAUSIŲ YRA SVYRAVIMAI SKIRTINGOSE VARŽINĖSE VALSTYBĖSE, DĖL KURIŲ SKIRIASI CIKLAI IR ĮTAISAI. KINTAMUMAS TURI ĮTAKOS TOKIEMS PARAMETRAMS KAIP NUSTATYTI IR IŠ NAUJO NUSTATYTI ĮTAMPAS IR SROVĖS LYGIUS. NORINT PASIEKTI PRAMONINES RRAM PROGRAMAS, LABAI SVARBU SUPRASTI PERJUNGIMO KINTAMUMĄ IR JO ĮTAKĄ PRIETAISO PATVARUMUI IR VEIKSMINGUMUI. _x000D_ _x000D_ Kiekvieną KARTĄ KARTĄ VARTOTOJANT KONSIDERACIJA, MŪSŲ PASLAUGOS KARTĄ DAUGIAU RRAMOS IR TECHNOLOGIJOS ASPEKTOJE: ĮVAIRIOS MEDŽIAGOS IR KONSTRUKCIJOS, KINTAMUMAS, TVIRTUMAS IR KITI LEMIAMI PRIETAISO VEIKIMO ELEMENTAI. NORĖDAMI PASIEKTI ŠĮ TIKSLĄ, TURIME VIENINGĄ TRIJŲ MOKSLINIŲ TYRIMŲ GRUPIŲ (IMB-CNM, VALJADOLIDO UNIVERSITETO IR GRANADOS UNIVERSITETO) IŠTEKLIUS, APIMANČIUS PLATŲ MOKSLINIŲ TYRIMŲ TEMŲ, SUSIJUSIŲ SU RRAM, SPEKTRĄ. MES APTARSIME GAMYBOS ASPEKTUS, NAUDODAMI MŪSŲ IR MŪSŲ BENDRADARBIŲ ĮRENGINIUS, TAIP PAT APIBŪDINIMĄ, MODELIAVIMĄ IR MODELIAVIMĄ, ORIENTUOTĄ Į GRANDINĖS MODELIAVIMĄ, TIEK SKAITMENINIU POŽIŪRIU (ATMINTIES), TIEK ANALOGINIS (MEMRESISTORS). NAUDODAMIESI ŠIAIS NAUJAUSIAIS ĮRENGINIAIS GALĖSIME ANALIZUOTI NAUJUS GRANDINĖS DIZAINO PARADIGMUS, TOKIUS KAIP BIOĮKVĖPTOS PROGRAMOS IR NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ Šiuo CONTEXT, mes gausime naudos iš šioje PROJEKTO PROPOSALO SINERGY: GRUPĖ, TURINTI DIDELĘ ĮRODYTĄ PATIRTĮ GAMINANT IR APIBŪDINANT DIELEKTRIKO DIELEKTRINES IR RRAM (IMB) PRIEMONES; GRUPĖ, TURINTI ILGĄ PAŽANGIŲ ELEKTROS CHARAKTERISTIKŲ METODŲ (UVA) TRAJEKTORIJĄ; Ir grupė, turinti daug žinių apie fizinius ir modeliavimo elektroninius prietaisus (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES ĮGYVENDINIMO OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Proceso technologijos nustatymas RRAM pagrindu pagamintų CELDS gamybai mano ir MIM struktūrose su didelio leistinumo dielektrikais._x000D_ 2. MY ir MIS STRUKTŪRŲ ir TECHNOLOGINĖS PROCEDŪROS, MATERIALIŲ IR MATMENŲ KOMUNIKACIJOS MEKHANIZŲ tyrimas._x000D_ 3. VARIABILITIJOS analizė ir BENDROJIMO fiktyvumas RRAM._x000D_ 4. RADIACIJOS EFFECTS tyrimas didelės išmokos PELICULES IR ĮGYVENDINIMO perjungimas._x000D_ 5. RRAM._x000D_ Supaprastinimo priemonių kūrimas 6. KOMPAKTIŠKAS RRAM IR MEMRESISTORS PRIETAISŲ MODELIAVIMAS. (Lithuanian)
18 August 2022
0 references
OTPORNE PREBACIVANJE USPOMENE SU NAJPERSPEKTIVNIJI KANDIDATI ZA ZAMJENU FLASH SJEĆANJA U PODRUČJU SJEĆANJA. STOGA JE ZNANSTVENI I TEHNOLOŠKI INTERES ZA OVE UREĐAJE DOŽIVIO VELIKI RAST U POSLJEDNJIH NEKOLIKO GODINA. IAKO SU U RAZNIM METAL-OKSID-METALNIM (MIM) I METAL-OKSID-POLUVODIČKIM (MIS) STRUKTURAMA PRIMIJEĆENI FENOMENI OTPORNIKA, JAVLJAJU SE MNOGA PITANJA O PODRIJETLU POGONSKIH MEHANIZAMA I OTPORNOG PREBACIVANJA. STOGA JE PRIJE NEGO ŠTO SE BAVI KOMERCIJALNOM UPORABOM RRAM-A POTREBNO RIJEŠITI NEKE TEMELJNE ASPEKTE, JEDAN OD NAJVAŽNIJIH JE POSTOJANJE FLUKTUACIJA U RAZLIČITIM DRŽAVAMA OTPORA, KOJE SU ODGOVORNE ZA VARIJABILNOST IZMEĐU CIKLUSA I IZMEĐU UREĐAJA. VARIJABILNOST UTJEČE NA PARAMETRE KAO ŠTO SU PODEŠAVANJE I PONOVNO POSTAVLJANJE NAPONA I STRUJNIH RAZINA. RAZUMIJEVANJE VARIJABILNOSTI U PREBACIVANJU I NJEGOVOG UTJECAJA NA ROBUSNOST I UČINKOVITOST UREĐAJA KLJUČNO JE ZA POSTIZANJE INDUSTRIJSKIH RRAM APLIKACIJA. _x000D_ _x000D_ uzimajući SVAKO OVU OVU OBAVIJESTI, Naši PRIJEVOZi CENTAR U RAM-u: RAZLIČITI MATERIJALI I STRUKTURE, VARIJABILNOST, ROBUSNOST I DRUGI ODLUČUJUĆI ELEMENTI U UČINKOVITOSTI PROIZVODA. DA BISMO POSTIGLI TAJ CILJ, IMAMO UNITED RESURSE TRI ISTRAŽIVAČKE SKUPINE (IMB-CNM, SVEUČILIŠTE U VALLADOLID I SVEUČILIŠTE U GRANADI) POKRITI ŠIROK SPEKTAR ISTRAŽIVAČKIH TEMA VEZANIH UZ RRAM. BAVIT ĆEMO SE PROIZVODNIM ASPEKTIMA, KORISTEĆI NAŠE OBJEKTE I OBJEKTE NAŠIH SURADNIKA, KAO I KARAKTERIZACIJU I SIMULACIJU I MODELIRANJE USMJERENO NA SIMULACIJU KRUGA, KAKO S DIGITALNOG GLEDIŠTA (SJEĆANJA) TAKO I ANALOGNOG (MEMRESISTORS). KROZ OVE NAJNOVIJE UREĐAJE MOĆI ĆEMO ANALIZIRATI NOVE PARADIGME DIZAJNA KRUGA, KAO ŠTO SU BIOINPIRIRANE APLIKACIJE I NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ na OVOG KONTEXT, mi ćemo imati koristi od SINERGY sadržane u ovom PROJEKT PROJEKTA: SKUPINA S VELIKIM DOKAZANIM ISKUSTVOM U PROIZVODNJI I KARAKTERIZACIJI DIELEKTRIČNIH DIELEKTRIKA KRILA I UREĐAJA RRAM (IMB); SKUPINA S DUGOM PUTANJOM U NAPREDNIM TEHNIKAMA ELEKTRIČNE KARAKTERIZACIJE (UVA); I grupa s opsežnim znanjem o fizičkom i modeliranju elektroničkih uređaja (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSE U FOLLOWING OBJECTIVE:_x000D_ _x000D_ 1. Postavljanje procesne tehnologije za proizvodnju CELDS-a temeljenih na RRAM-u u mojim i MIM strukturama s dielektričnim uređajima visoke dopuštenosti._x000D_ 2. Studija ELEKTRIC CHARACTERISTICS I KOMUNIKACIJA MECHANISMA MY i MIS STRUCTURE, I DEPENDENCE TECHNOLOGIC PROCESS, MATERIALS I DIMENSIONS._x000D_ 3. Analiza VARIABILNOSTI I opravdanost KOMUNIKACIJE U RRAM-u._x000D_ 4. Studija RADIATION EFFECTS u visokim doplatcima i IMPACT u RESISTIVE prebacivanje._x000D_ 5. Razvoj RRAM._x000D_ Alati za pojednostavnjenje 6. KOMPAKTNO MODELIRANJE RRAM I MEMRESISTORS UREĐAJA. (Croatian)
18 August 2022
0 references
RESISTIVA VÄXLINGSMINNEN ÄR DE MEST LOVANDE KANDIDATERNA FÖR ATT ERSÄTTA FLASHMINNEN INOM OMRÅDET MINNEN. DÄRFÖR HAR DET VETENSKAPLIGA OCH TEKNISKA INTRESSET FÖR DESSA PRODUKTER ÖKAT KRAFTIGT UNDER DE SENASTE ÅREN. ÄVEN OM RESISTIVA VÄXLINGSFENOMEN HAR OBSERVERATS I OLIKA METALLOXIDMETALLER (MIM) OCH METALLOXID-HALVLEDARSTRUKTURER UPPSTÅR MÅNGA FRÅGOR OM URSPRUNGET TILL DRIVMEKANISMER OCH RESISTIV VÄXLING. INNAN MAN TAR ITU MED DEN KOMMERSIELLA ANVÄNDNINGEN AV RRAM ÄR DET DÄRFÖR NÖDVÄNDIGT ATT LÖSA VISSA GRUNDLÄGGANDE ASPEKTER, OCH EN AV DE VIKTIGASTE ÄR ATT DET FÖREKOMMER FLUKTUATIONER I DE OLIKA RESISTIVA STATERNA, SOM ORSAKAR VARIATIONER MELLAN CYKLER OCH MELLAN ANORDNINGAR. VARIABILITETEN PÅVERKAR PARAMETRAR SOM SET- OCH ÅTERSTÄLLSPÄNNINGAR OCH STRÖMNIVÅER. ATT FÖRSTÅ VARIABILITETEN I BYTET OCH DESS INVERKAN PÅ ENHETENS ROBUSTHET OCH PRESTANDA ÄR AVGÖRANDE FÖR ATT UPPNÅ INDUSTRIELLA RRAM-TILLÄMPNINGAR. _x000D_ _x000D_ som tar allt detta i CONSIDERATION, VÅRA PROPOSER CENTRE I AREATING A MORE Vision IN THE phisic and TECHNOLOGIC ASPECTS of RRAM: OLIKA MATERIAL OCH STRUKTURER, VARIATIONER, ROBUSTHET OCH ANDRA AVGÖRANDE FAKTORER I PRODUKTENS PRESTANDA. FÖR ATT UPPNÅ DETTA MÅL HAR VI SAMLAT RESURSERNA FRÅN TRE FORSKARGRUPPER (IMB-CNM, UNIVERSITY OF VALLADOLID OCH UNIVERSITY OF GRANADA) FÖR ATT TÄCKA ETT BRETT SPEKTRUM AV FORSKNINGSÄMNEN RELATERADE TILL RRAM. VI KOMMER ATT TA ITU MED TILLVERKNINGSASPEKTERNA, MED HJÄLP AV VÅRA ANLÄGGNINGAR OCH VÅRA SAMARBETSPARTNERS, SAMT KARAKTERISERING OCH SIMULERING OCH MODELLERING INRIKTAD PÅ SIMULERING AV KRETSEN, BÅDE UR DIGITAL SYNVINKEL (MINNEN) OCH ANALOGT (MEMRESISTORS). GENOM DESSA SENASTE ENHETER KOMMER VI ATT KUNNA ANALYSERA NYA KRETSDESIGNPARADIGMER, SÅSOM BIOINSPIRERADE APPLIKATIONER OCH NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ på DETTA CONTEXT, kommer vi att dra nytta av den SINERGY som ingår i detta PROJEKT PROPOSAL: EN GRUPP MED OMFATTANDE DOKUMENTERAD ERFARENHET AV TILLVERKNING OCH KARAKTERISERING AV TILLSTÅNDSGIVANDE VINGE DIELEKTRIKER OCH RRAM-ANORDNINGAR (IMB). EN GRUPP MED EN LÅNG BANA I AVANCERADE TEKNIKER FÖR ELEKTRISK KARAKTERISERING (UVA). Och en grupp med omfattande kunskaper i fysisk och modellering av elektroniska enheter (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRIPTIONS DESCRIPTIONS DESCRIPTIONER I FOLLOWING OBJEKTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Installation av processteknik för tillverkning av RRAM-baserade CELDS i mina och MIM-strukturer med hög behörighet dielektriker._x000D_ 2. Studie av ELECTRICKKARACTERISTICER OCH KOMMUNIKATIONsMECHANISMS of MIY and MIS STRUCTURES, OCH AV DEPENDENCE of the TECHNOLOGIC PROCESS, MATERIALS and DIMENSIONS._x000D_ 3. Analys AV VARIABILITET OCH fiabilitet AV KOMMUNIKATION I RRAM._x000D_ 4. Studie AV RADIATION EFFEKTER i hög ersättning PELICULER OCH IMPACT IN RESISTIVE switch._x000D_ 5. Utveckling av RRAM._x000D_ Förenklingsverktyg 6. KOMPAKT MODELLERING AV RRAM- OCH MEMRESISTORS-ENHETER. (Swedish)
18 August 2022
0 references
AMINTIRILE DE COMUTARE REZISTIVE SUNT CELE MAI PROMIȚĂTOARE CANDIDAȚI PENTRU ÎNLOCUIREA AMINTIRILOR FLASH ÎN DOMENIUL AMINTIRILOR. PRIN URMARE, INTERESUL ȘTIINȚIFIC ȘI TEHNOLOGIC PENTRU ACESTE DISPOZITIVE A CUNOSCUT O CREȘTERE SEMNIFICATIVĂ ÎN ULTIMII ANI. DEȘI AU FOST OBSERVATE FENOMENE REZISTIVE DE COMUTARE ÎN DIFERITE STRUCTURI METAL-OXID-METAL (MIM) ȘI METAL-OXID-SEMICONDUCTOR (MIS), APAR MULTE ÎNTREBĂRI CU PRIVIRE LA ORIGINEA MECANISMELOR DE CONDUCERE ȘI COMUTAREA REZISTIVĂ. PRIN URMARE, ÎNAINTE DE A ABORDA UTILIZAREA COMERCIALĂ A RRAM, ESTE NECESAR SĂ SE REZOLVE UNELE ASPECTE FUNDAMENTALE, UNUL DINTRE CELE MAI IMPORTANTE FIIND EXISTENȚA FLUCTUAȚIILOR ÎN DIFERITELE STATE REZISTIVE, RESPONSABILE PENTRU VARIABILITATEA ÎNTRE CICLURI ȘI ÎNTRE DISPOZITIVE. VARIABILITATEA AFECTEAZĂ PARAMETRI, CUM AR FI SETAREA ȘI RESETAREA TENSIUNILOR ȘI A NIVELURILOR DE CURENT. ÎNȚELEGEREA VARIABILITĂȚII ÎN COMUTARE ȘI A INFLUENȚEI SALE ASUPRA ROBUSTEȚII ȘI PERFORMANȚEI DISPOZITIVULUI ESTE ESENȚIALĂ PENTRU REALIZAREA APLICAȚIILOR RRAM INDUSTRIALE. _x000D_ _x000D_ luând fiecare dintre acestea în cadrul CONSIDERAȚIEI, PROPUNEREA NOASTRĂ ÎN MAI MULTE VIZIȚII ÎN ASPECTE Phisice ȘI TEHNOLOGice ale RRAMului: MATERIALE ȘI STRUCTURI DIFERITE, VARIABILITATE, ROBUSTEȚE ȘI ALTE ELEMENTE DECISIVE ÎN PERFORMANȚA DISPOZITIVULUI. PENTRU A ATINGE ACEST OBIECTIV, AVEM UNITED RESURSELE A TREI GRUPURI DE CERCETARE (IMB-CNM, UNIVERSITATEA DIN VALLADOLID ȘI UNIVERSITATEA DIN GRANADA) PENTRU A ACOPERI UN SPECTRU LARG DE SUBIECTE DE CERCETARE LEGATE DE RRAM. VOM ABORDA ASPECTELE DE FABRICAȚIE, FOLOSIND FACILITĂȚILE NOASTRE ȘI ALE COLABORATORILOR NOȘTRI, PRECUM ȘI CARACTERIZAREA, SIMULAREA ȘI MODELAREA ORIENTATE CĂTRE SIMULAREA CIRCUITULUI, ATÂT DIN PUNCT DE VEDERE DIGITAL (MEMORII) CÂT ȘI ANALOGICE (MEMRESISTORS). PRIN ACESTE ULTIME DISPOZITIVE VOM PUTEA ANALIZA NOI PARADIGME DE PROIECTARE A CIRCUITELOR, CUM AR FI APLICAȚIILE BIO-INSPIRATE ȘI NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ la ACEST CONTEXT, vom beneficia de SINERGIA cuprinsa in acest PROPUNE PROIECT: UN GRUP CU O VASTĂ EXPERIENȚĂ DOVEDITĂ ÎN FABRICAREA ȘI CARACTERIZAREA DISPOZITIVELOR DIELECTRICE CU ARIPI DE PERMISIVITATE ȘI A DISPOZITIVELOR RRAM (IMB); UN GRUP CU O TRAIECTORIE LUNGĂ ÎN TEHNICILE AVANSATE DE CARACTERIZARE ELECTRICĂ (UVA); Și un grup cu cunoștințe extinse în fizica și modelarea dispozitivelor electronice (UGR). DESCRIPȚII CONJUNTALIALE DESARROLLAREM DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES IN THE FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Configurarea tehnologiei de proces pentru fabricarea CELDS pe bază de RRAM în structurile mele și MIM cu dielectrice cu capacitate ridicată de autorizare._x000D_ 2. Studiu al CHARACTERISTICILOR ELECTRICĂ ȘI A MECHANISMELOR COMUNICARELOR MY și MIS, ȘI DEPENDENȚA PROCESULUI TEHNOLOGIC, MATERIALE ȘI DIMENSIUNILOR._x000D_ 3. Analiza VARIABILITATEI ȘI fiabilitatea COMUNICĂRII ÎN RRAM._x000D_ 4. Studiul EFFECTELOR DE RADIARE în PELICULELE ȘI IMPACTUL DE INFORMAȚII PRIVIND APLICAȚIA ȘI IMPACTUL DE REZISTAȚIE._x000D_ 5. Dezvoltarea RRAM._x000D_ Instrumente de simplificare 6. MODELAREA COMPACTĂ A DISPOZITIVELOR RRAM ȘI MEMRESISTORS. (Romanian)
18 August 2022
0 references
UPORNIŠKI PREKLAPLJANJE SPOMINOV SO NAJBOLJ OBETAVNI KANDIDATI ZA ZAMENJAVO SPOMINOV NA PODROČJU SPOMINOV. ZATO JE ZNANSTVENO IN TEHNOLOŠKO ZANIMANJE ZA TE NAPRAVE V ZADNJIH NEKAJ LETIH DOŽIVELO VELIKO RAST. ČEPRAV SO V RAZLIČNIH KOVINSKO-OKSIDNIH KOVINSKIH (MIM) IN KOVINSKO-OKSIDNIH POLPREVODNIŠKIH (MIS) STRUKTURAH OPAZILI POJAVE UPOROV, SE POJAVLJAJO ŠTEVILNA VPRAŠANJA O IZVORU VOZNIH MEHANIZMOV IN UPOROVNEM PREKLAPLJANJU. ZATO JE TREBA PRED OBRAVNAVO KOMERCIALNE UPORABE RRAM REŠITI NEKATERE TEMELJNE VIDIKE, EDEN OD NAJPOMEMBNEJŠIH JE OBSTOJ NIHANJ V RAZLIČNIH ODPORNIH DRŽAVAH, KI SO ODGOVORNE ZA VARIABILNOST MED CIKLI IN MED NAPRAVAMI. VARIABILNOST VPLIVA NA PARAMETRE, KOT SO NASTAVITVE IN PONASTAVITEV NAPETOSTI IN TRENUTNE RAVNI. RAZUMEVANJE VARIABILNOSTI PRI PREKLAPLJANJU IN NJENEGA VPLIVA NA ROBUSTNOST IN UČINKOVITOST NAPRAVE JE BISTVENO ZA DOSEGANJE INDUSTRIJSKIH APLIKACIJ RRAM. _x000D_ _x000D_ ob VKLJUČEVANJU TEGA V KONSIDERACIJI, NAŠI PROPOSES CENTRE V VEČ VISIJI V Fiziki IN TEHNOLOGIČNIH ASPEKTIH RRAMOV: RAZLIČNI MATERIALI IN STRUKTURE, SPREMENLJIVOST, ROBUSTNOST IN DRUGI ODLOČILNI ELEMENTI PRI DELOVANJU NAPRAVE. ZA DOSEGO TEGA CILJA IMAMO ZDRUŽENE VIRE TREH RAZISKOVALNIH SKUPIN (IMB-CNM, UNIVERZA V VALLADOLIDU IN UNIVERZA V GRANADI) ZA POKRIVANJE ŠIROKEGA SPEKTRA RAZISKOVALNIH TEM, POVEZANIH Z RRAM. LOTILI SE BOMO PROIZVODNIH VIDIKOV, PRI ČEMER BOMO UPORABILI NAŠE PROSTORE IN PROSTORE NAŠIH SODELAVCEV, PA TUDI KARAKTERIZACIJO IN SIMULACIJO TER MODELIRANJE, USMERJENO V SIMULACIJO VEZJA, TAKO Z DIGITALNEGA VIDIKA (SPOMIJEV) KOT ANALOGNEGA (MEMRESISTORS). S TEMI NAJNOVEJŠIMI NAPRAVAMI BOMO LAHKO ANALIZIRALI NOVE PARADIGME OBLIKOVANJA VEZIJ, KOT SO APLIKACIJE, KI JIH NAVDAHNEMO Z BIO INSPIRACIJO, IN NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ na THIS CONTEXT, bomo imeli koristi od SINERGIJA, ki ga vsebuje ta PROJEKT PROPOSAL: SKUPINA Z BOGATIMI DOKAZANIMI IZKUŠNJAMI S PROIZVODNJO IN KARAKTERIZACIJO NAPRAV ZA DIELEKTRIČNA KRILA IN RRAM (IMB); SKUPINO Z DOLGO POTJO V NAPREDNIH TEHNIKAH ELEKTRIČNE KARAKTERIZACIJE (UVA); In skupino z obsežnim znanjem na področju fizičnega in modeliranja elektronskih naprav (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRED PROPOSES V FOLLOWING OBJEKTI:_x000D_ _x000D_ 1. Vzpostavitev procesne tehnologije za izdelavo CELDS na osnovi RRAM v mojih in MIM strukturah z visoko prepustnostjo dielektričnih naprav._x000D_ 2. Študija ELEKTRICKERISTIC IN KOMUNIKACIJSKIH MEHANISMS MY in MIS STRUCTURES, IN DEPENDENCE TEHNOLOGIJSKEGA PROCESA, MATERIALS IN DIMENZIJE._x000D_ 3. Analiza VARIABILITIJE IN zamenljivosti SKUPNOSTI V RRAM._x000D_ 4. Študija RADIATION EFFECTS in High Allowance PELICULES IN IMPACT IN RESISTIVE switch._x000D_ 5. Razvoj RRAM._x000D_ Orodja za poenostavitev 6. KOMPAKTNO MODELIRANJE NAPRAV RRAM IN MEMRESISTORS. (Slovenian)
18 August 2022
0 references
REZYSTANCYJNE PAMIĘCI PRZEŁĄCZAJĄCE SĄ NAJBARDZIEJ OBIECUJĄCYMI KANDYDATAMI DO ZASTĄPIENIA PAMIĘCI FLASH W DZIEDZINIE WSPOMNIEŃ. DLATEGO TEŻ ZAINTERESOWANIE NAUKOWO-TECHNOLOGICZNYMI TYMI URZĄDZENIAMI ODNOTOWAŁO OGROMNY WZROST W CIĄGU OSTATNICH KILKU LAT. CHOCIAŻ REZYSTANCYJNE ZJAWISKA PRZEŁĄCZANIA ZAOBSERWOWANO W RÓŻNYCH KONSTRUKCJACH METALOWO-TLENEK-METAL (MIM) I METALO-TLENEK-PÓŁPRZEWODNIK (MIS), POJAWIA SIĘ WIELE PYTAŃ DOTYCZĄCYCH POCHODZENIA MECHANIZMÓW NAPĘDOWYCH I REZYSTANCYJNEGO PRZEŁĄCZANIA. DLATEGO PRZED ZAJĘCIEM SIĘ HANDLOWYM WYKORZYSTANIEM PAMIĘCI RRAM KONIECZNE JEST ROZWIĄZANIE PEWNYCH PODSTAWOWYCH ASPEKTÓW, JEDNYM Z NAJWAŻNIEJSZYCH JEST ISTNIENIE WAHAŃ W RÓŻNYCH PAŃSTWACH REZYSTANCYJNYCH, ODPOWIEDZIALNYCH ZA ZMIENNOŚĆ MIĘDZY CYKLAMI I MIĘDZY URZĄDZENIAMI. ZMIENNOŚĆ WPŁYWA NA PARAMETRY TAKIE JAK USTAWIONY I RESET NAPIĘCIA I POZIOMY PRĄDU. ZROZUMIENIE ZMIENNOŚCI PRZEŁĄCZANIA I JEGO WPŁYWU NA ODPORNOŚĆ I WYDAJNOŚĆ URZĄDZENIA MA ZASADNICZE ZNACZENIE DLA OSIĄGNIĘCIA PRZEMYSŁOWYCH ZASTOSOWAŃ PAMIĘCI RRAM. _x000D_ _x000D_ biorąc WSZYSTKIE TEGO W KONZIDERACJI, Nasze PROPOZYTY CENTRUM NA WIĘCEJ WIZJI w Phisic I TECHNOLOGIC ASPECTS RRAM: RÓŻNE MATERIAŁY I STRUKTURY, ZMIENNOŚĆ, WYTRZYMAŁOŚĆ I INNE ELEMENTY DECYDUJĄCE O DZIAŁANIU WYROBU. ABY OSIĄGNĄĆ TEN CEL, MAMY ZJEDNOCZONE ZASOBY TRZECH GRUP BADAWCZYCH (IMB-CNM, UNIVERSITY OF VALLADOLID I UNIVERSITY OF GRANADA) NA POKRYCIE SZEROKIEGO SPEKTRUM TEMATÓW BADAWCZYCH ZWIĄZANYCH Z RRAM. ZAJMIEMY SIĘ ASPEKTAMI PRODUKCYJNYMI, KORZYSTAJĄC Z NASZYCH OBIEKTÓW I WSPÓŁPRACOWNIKÓW, A TAKŻE CHARAKTERYSTYKĄ I SYMULACJĄ I MODELOWANIEM ZORIENTOWANYM NA SYMULACJĘ OBWODU, ZARÓWNO Z CYFROWEGO PUNKTU WIDZENIA (PAMIĘCI) JAK I ANALOGOWEJ (MEMRESISTORS). DZIĘKI TYM NAJNOWSZYM URZĄDZENIOM BĘDZIEMY MOGLI ANALIZOWAĆ NOWE PARADYGMATY PROJEKTOWANIA OBWODÓW, TAKIE JAK APLIKACJE INSPIROWANE BIO I NEUROMORFICAS. _x000D_ _x000D_ w TYM KONTEXT skorzystamy z SINERGII zawartej w niniejszym PROJEKTU: GRUPA POSIADAJĄCA BOGATE DOŚWIADCZENIE W PRODUKCJI I CHARAKTERYZOWANIU DIELEKTRYKÓW SKRZYDŁOWYCH I URZĄDZEŃ RRAM (IMB); GRUPA O DŁUGIEJ TRAJEKTORII W ZAAWANSOWANYCH TECHNIKACH CHARAKTERYSTYKI ELEKTRYCZNEJ (UVA); Oraz grupa z rozległą wiedzą w zakresie fizycznych i modelowania urządzeń elektronicznych (UGR).DESARROLLAREM CONJUNTALY DESCRIPTIONS DESCRED PROPOZYCJE W FOLLOWING OBJECTIVES:_x000D_ _x000D_ 1. Tworzenie technologii procesowej do produkcji CELDS opartych na RRAM w moich i MIM strukturach z dielektrykami o wysokiej dopuszczalnej zdolności._x000D_ 2. Badanie ELECTRIC CHARACTERISTICS AND OF THE COMMUNICATION MECHANISMS OF MY and MIS STRUCTURES, AND OF THE DEPENDENCE OF TECHNOLOGIC PROCESS, MATERIALS I DIMENSIONS._x000D_ 3. Analiza WARIABILICZNOŚCI I niewypłacalności KOMUNIKACJI W RRAMie._x000D_ 4. Badanie EFFECTS RADIATION in High Allowance PELICULES I IMPACT IN RESISTIVE switch._x000D_ 5. Rozwój RRAM._x000D_ Narzędzia upraszczające 6. KOMPAKTOWE MODELOWANIE URZĄDZEŃ RRAM I MEMRESISTORS. (Polish)
18 August 2022
0 references
Valladolid
0 references
20 December 2023
0 references
Identifiers
TEC2014-52152-C3-3-R
0 references