Towards the OBTENTION OF MULTIPLE monocrystalline SILICY CELLS WITH 20 % EFICIENCE AND LESS OF 20 µM GROSOR TO PART OF A UNIQUE OBLEA. (Q3168009)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3168009 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Towards the OBTENTION OF MULTIPLE monocrystalline SILICY CELLS WITH 20 % EFICIENCE AND LESS OF 20 µM GROSOR TO PART OF A UNIQUE OBLEA. |
Project Q3168009 in Spain |
Statements
111,344.8 Euro
0 references
204,490.0 Euro
0 references
54.45 percent
0 references
1 January 2017
0 references
31 January 2019
0 references
UNIVERSIDAD POLITECNICA DE CATALUÑA
0 references
8034
0 references
LA PRACTICA TOTALIDAD (90%) DE LOS PANELES FOTOVOLTAICOS QUE SE PRODUCEN E INSTALAN GLOBALMENTE SE BASAN EN LA TECNOLOGIA DE SILICIO CRISTALINO (C-SI) Y LAS PREVISIONES INDICAN QUE ASI SEGUIRA POR UN LARGO TIEMPO. LAS ESTRATEGIAS QUE HISTORICAMENTE SE HAN PERSEGUIDO PARA REDUCIR LOS COSTES DE GENERACION FOTOVOLTAICA HAN SIDO DOS: LA MEJORA DE LA EFICIENCIA Y LA REDUCCION DE COSTES DERIVADOS DE LOS MATERIALES EMPLEADOS. EN LA DOS ULTIMAS DECADAS LA EFICIENCIA DE LAS CELULAS FOTOVOLTAICAS SE HAN IDO APROXIMANDO PAULATINAMENTE AL LIMITE TEORICO. A DIA DE HOY, LAS CELULAS MAS EFICIENTES HAN TRASLADADO LAS UNIONES Y LOS CONTACTOS A LA CARA TRASERA (ESTRUCTURAS IBC, INTERDIGITATED BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) DEJANDO LA SUPERFICIE FRONTAL TOTALMENTE LIBRE DE SOMBRAS Y ALCANZANDO UNA EFICIENCIA RECORD DE UN 25.6%. EN CUANTO AL PRECIO DE LOS PANELES, UNA GRAN PROPORCION DE SU COSTE DE PRODUCCION, EN TORNO AL 32%, LO SIGUE CONCENTRANDO EL SILICIO EMPLEADO Y SU TRANSFORMACION EN OBLEAS. POR LO TANTO, UNA DE LAS CLAVES EN LA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA ES LA INTRODUCCION DE CONCEPTOS INNOVADORES QUE PERMITAN REDUCIR SENSIBLEMENTE LA CANTIDAD DE SI UTILIZADO SIN PENALIZAR LAS ALTAS EFICIENCIAS DE CONVERSION ACTUALES. _x000D_ _x000D_ ESTE PROYECTO PRETENDE DESARROLLAR UN NUEVO CONCEPTO DE CELULA SOLAR ULTRAFINA UTILIZANDO UN DESARROLLO RECIENTE, LLEVADO A CABO CON PARTICIPACION DEL IP, Y QUE PERMITE EXFOLIAR UNA OBLEA DE SI EN MULTIPLES CAPAS MONOCRISTALINAS ULTRAFINAS (GROSOR 1¿20 µM). DE ESTE MODO, AL REPARTIRSE ENTRE EL NUMERO DE CAPAS EXFOLIADAS, LA CANTIDAD DE SILICIO Y LA ENERGIA NECESARIAS POR CELULA FABRICADA SE REDUCEN ENORMEMENTE. UNA VENTAJA FUNDAMENTAL DE ESTA TECNOLOGIA ES QUE, AL CONTRARIO QUE OTRAS ALTERNATIVAS QUE PRODUCEN LAS CAPAS DE FORMA SUCESIVA REUTILIZANDO EL SUBSTRATO, AQUI LAS CAPAS SE PRODUCEN TODAS ELLAS SIMULTANEAMENTE EN UN UNICO PROCESO. POR LO TANTO, SE PROPONE DESARROLLAR LA TECNOLOGIA DE FABRICACION DE ESTE MATERIAL Y APLICARLO A LA FABRICACION DE CELULAS FINAS CON CONTACTOS INTERDIGITADOS TRASEROS (ESTRUCTURA IBC) UTILIZANDO PROCESOS A BAJA TEMPERATURA. ESTA ESTRUCTURA DE CELULA, ADEMAS DE REPRESENTAR EL ESTADO DEL ARTE EN ALTA EFICIENCIA, PERMITIRA SIMPLIFICAR LA MANIPULACION Y PROCESAMIENTO DE LAS CELULAS FINAS. EN RESUMEN, ESTE PROYECTO PRETENDE COMBINAR DE FORMA INNOVADORA EL ESTADO DEL ARTE EN CELULAS SOLARES DE C-SI CON UN NUEVO SUBSTRATO CRISTALINO ULTRAFINO CON EL FIN DE ABRIR NUEVAS PERSPECTIVAS A LA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA. (Spanish)
0 references
VIRTUALLY ALL (90 %) OF THE PHOTOVOLTAIC PANELS THAT ARE PRODUCED AND INSTALLED GLOBALLY ARE BASED ON CRYSTALLINE SILICON (C-SI) TECHNOLOGY AND FORECASTS INDICATE THAT THIS WILL CONTINUE FOR A LONG TIME. THE STRATEGIES THAT HAVE HISTORICALLY BEEN PURSUED TO REDUCE THE COSTS OF PHOTOVOLTAIC GENERATION HAVE BEEN TWO: IMPROVING EFFICIENCY AND REDUCING THE COSTS OF MATERIALS USED. IN THE LAST TWO DECADES THE EFFICIENCY OF PHOTOVOLTAIC CELLS HAS GRADUALLY BEEN APPROACHING THE THEORETICAL LIMIT. TODAY, THE MOST EFFICIENT CELLS HAVE MOVED THE CONNECTIONS AND CONTACTS TO THE REAR FACE (IBC STRUCTURES, INTERDIGITATED BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) LEAVING THE FRONT SURFACE TOTALLY SHADOW-FREE AND REACHING A RECORD EFFICIENCY OF 25.6 %. AS FOR THE PRICE OF THE PANELS, A LARGE PROPORTION OF ITS PRODUCTION COST, AROUND 32 %, IS STILL CONCENTRATED THE SILICON USED AND ITS TRANSFORMATION INTO WAFERS. THEREFORE, ONE OF THE KEYS TO PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY IS THE INTRODUCTION OF INNOVATIVE CONCEPTS THAT ALLOW TO SIGNIFICANTLY REDUCE THE AMOUNT OF IF USED WITHOUT PENALISING THE CURRENT HIGH CONVERSION EFFICIENCIES. _x000D_ _x000D_ this PROJECT PRESENT TO DEVELOP A NEW CONCEPT OF ULTRAFINE SOLAR CELULA UTILISHING A RECIENT DEVELOPMENT, CLEVATED TO CABO WITH IP PARTICIPATION, AND PERMITED to exfoliate an OBL OF SI IN MULTIPLES ULTRAFINE monocrystalline caps (GROSER 1¿20 µM). THUS, WHEN DIVIDED BETWEEN THE NUMBER OF EXFOLIATED LAYERS, THE AMOUNT OF SILICON AND ENERGY NEEDED PER MANUFACTURED CELL IS GREATLY REDUCED. A FUNDAMENTAL ADVANTAGE OF THIS TECHNOLOGY IS THAT, UNLIKE OTHER ALTERNATIVES THAT PRODUCE THE LAYERS SUCCESSIVELY BY REUSING THE SUBSTRATE, HERE THE LAYERS ARE PRODUCED SIMULTANEOUSLY IN A SINGLE PROCESS. THEREFORE, IT IS PROPOSED TO DEVELOP THE MANUFACTURING TECHNOLOGY OF THIS MATERIAL AND APPLY IT TO THE MANUFACTURE OF THIN CELLS WITH REAR INTERDIGITATED CONTACTS (IBC STRUCTURE) USING PROCESSES AT LOW TEMPERATURE. THIS CELL STRUCTURE, IN ADDITION TO REPRESENTING THE STATE OF ART IN HIGH EFFICIENCY, WILL MAKE IT POSSIBLE TO SIMPLIFY THE MANIPULATION AND PROCESSING OF FINE CELLS. IN SHORT, THIS PROJECT AIMS TO INNOVATIVELY COMBINE THE STATE OF ART IN C-SI SOLAR CELLS WITH A NEW ULTRAFINE CRYSTALLINE SUBSTRATE IN ORDER TO OPEN UP NEW PERSPECTIVES TO PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY. (English)
12 October 2021
0.3309352800736907
0 references
LA QUASI-TOTALITÉ (90 %) DES PANNEAUX PHOTOVOLTAÏQUES PRODUITS ET INSTALLÉS À L’ÉCHELLE MONDIALE SONT BASÉS SUR LA TECHNOLOGIE DU SILICIUM CRISTALLIN (C-SI) ET LES PRÉVISIONS INDIQUENT QUE CELA SE POURSUIVRA LONGTEMPS. LES STRATÉGIES QUI ONT TOUJOURS ÉTÉ MISES EN ŒUVRE POUR RÉDUIRE LES COÛTS DE PRODUCTION PHOTOVOLTAÏQUE ONT ÉTÉ DEUX: AMÉLIORER L’EFFICACITÉ ET RÉDUIRE LES COÛTS DES MATÉRIAUX UTILISÉS. AU COURS DES DEUX DERNIÈRES DÉCENNIES, L’EFFICACITÉ DES CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES S’EST PROGRESSIVEMENT RAPPROCHÉE DE LA LIMITE THÉORIQUE. AUJOURD’HUI, LES CELLULES LES PLUS EFFICACES ONT DÉPLACÉ LES CONNEXIONS ET LES CONTACTS VERS LA FACE ARRIÈRE (STRUCTURES IBC, JONCTION ARRIÈRE INTERNUMÉRÉE EN CONTACT ARRIÈRE) LAISSANT LA SURFACE AVANT TOTALEMENT SANS OMBRE ET ATTEIGNANT UN RENDEMENT RECORD DE 25,6 %. QUANT AU PRIX DES PANNEAUX, UNE GRANDE PARTIE DE SON COÛT DE PRODUCTION, ENVIRON 32 %, EST ENCORE CONCENTRÉE SUR LE SILICIUM UTILISÉ ET SA TRANSFORMATION EN WAFERS. PAR CONSÉQUENT, L’UNE DES CLÉS DE LA TECHNOLOGIE PHOTOVOLTAÏQUE EST L’INTRODUCTION DE CONCEPTS NOVATEURS QUI PERMETTENT DE RÉDUIRE CONSIDÉRABLEMENT LA QUANTITÉ DE SI ELLE EST UTILISÉE SANS PÉNALISER LES RENDEMENTS DE CONVERSION ÉLEVÉS ACTUELS. _x000D_ _x000D_ ce PROJET PRESENT À DÉVELOPPER UN NOUVEAU CONCEPT D’ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING UN DÉVELOPPEMENT Récent, CLÉ À LA CABO AVEC LA PARTICIPATION DE LA PI ET Permis d’exfolier un OBL DE SI IN MULTIPLES ULTRAFINE capuchons monocristallins (Groser 1’20 µM). AINSI, LORSQU’ELLE EST DIVISÉE ENTRE LE NOMBRE DE COUCHES EXFOLIÉES, LA QUANTITÉ DE SILICIUM ET D’ÉNERGIE NÉCESSAIRE PAR CELLULE FABRIQUÉE EST CONSIDÉRABLEMENT RÉDUITE. UN AVANTAGE FONDAMENTAL DE CETTE TECHNOLOGIE EST QUE, CONTRAIREMENT À D’AUTRES ALTERNATIVES QUI PRODUISENT LES COUCHES SUCCESSIVEMENT EN RÉUTILISANT LE SUBSTRAT, ICI LES COUCHES SONT PRODUITES SIMULTANÉMENT EN UN SEUL PROCÉDÉ. IL EST DONC PROPOSÉ DE DÉVELOPPER LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DE CE MATÉRIAU ET DE L’APPLIQUER À LA FABRICATION DE CELLULES MINCES À CONTACTS INTERNUMÉRÉS ARRIÈRE (STRUCTURE IBC) UTILISANT DES PROCÉDÉS À BASSE TEMPÉRATURE. CETTE STRUCTURE CELLULAIRE, EN PLUS DE REPRÉSENTER L’ÉTAT DE L’ART EN HAUTE EFFICACITÉ, PERMETTRA DE SIMPLIFIER LA MANIPULATION ET LE TRAITEMENT DES CELLULES FINES. BREF, CE PROJET VISE À COMBINER DE MANIÈRE INNOVANTE L’ÉTAT DE L’ART DES CELLULES SOLAIRES C-SI AVEC UN NOUVEAU SUBSTRAT CRISTALLIN ULTRAFIN AFIN D’OUVRIR DE NOUVELLES PERSPECTIVES À LA TECHNOLOGIE PHOTOVOLTAÏQUE. (French)
4 December 2021
0 references
NAHEZU ALLE (90 %) DER WELTWEIT PRODUZIERTEN UND INSTALLIERTEN PHOTOVOLTAIK-PANELS BASIEREN AUF DER KRISTALLINEN SILIZIUM-TECHNOLOGIE (C-SI) UND PROGNOSEN DEUTEN DARAUF HIN, DASS DIES FÜR EINE LANGE ZEIT ANHALTEN WIRD. DIE STRATEGIEN, DIE HISTORISCH VERFOLGT WURDEN, UM DIE KOSTEN DER PHOTOVOLTAIK-GENERATION ZU SENKEN, SIND ZWEI: VERBESSERUNG DER EFFIZIENZ UND SENKUNG DER KOSTEN DER VERWENDETEN MATERIALIEN. IN DEN LETZTEN ZWEI JAHRZEHNTEN NÄHERTE SICH DIE EFFIZIENZ DER PHOTOVOLTAIKZELLEN ALLMÄHLICH AN DIE THEORETISCHE GRENZE. HEUTE HABEN DIE EFFIZIENTESTEN ZELLEN DIE VERBINDUNGEN UND KONTAKTE IN DIE RÜCKSEITE BEWEGT (IBC-STRUKTUREN, INTERDIGITIERTE RÜCKENJUNKTION ZURÜCKBERÜHRT), SO DASS DIE FRONTFLÄCHE VÖLLIG SCHATTENFREI UND EINE REKORDEFFIZIENZ VON 25,6 % ERREICHT WURDE. WAS DEN PREIS DER PLATTEN BETRIFFT, SO KONZENTRIERT SICH EIN GROSSER TEIL SEINER PRODUKTIONSKOSTEN, ETWA 32 %, IMMER NOCH AUF DAS VERWENDETE SILIZIUM UND SEINE UMWANDLUNG IN WAFER. DAHER IST EINER DER SCHLÜSSEL ZUR PHOTOVOLTAIK-TECHNOLOGIE DIE EINFÜHRUNG INNOVATIVER KONZEPTE, DIE ES ERMÖGLICHEN, DIE MENGE DER BEI VERWENDUNG DEUTLICH ZU REDUZIEREN, OHNE DIE AKTUELLEN HOHEN UMWANDLUNGSEFFIZIENZEN ZU BENACHTEILIGEN. _x000D_ _x000D_ dieser PROJEKTPRESENT ZUR ENTWICKLUNG eines neuen CONCEPT OF ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING eine recient DEVELOPMENT, KURZIERT ZU CABO mit IP-PARTIKATION, und ermöglichte es, ein OBL SI IN MULTIPLES ULTRAFINE monokristalline Kappen (Groser 1¿20 µM) zu exfoliieren. SO WIRD DIE MENGE AN SILIZIUM UND ENERGIE, DIE PRO HERGESTELLTE ZELLE BENÖTIGT WIRD, STARK REDUZIERT, WENN ZWISCHEN DER ANZAHL DER PEELINGSCHICHTEN AUFGETEILT WIRD. EIN WESENTLICHER VORTEIL DIESER TECHNOLOGIE IST, DASS IM GEGENSATZ ZU ANDEREN ALTERNATIVEN, DIE DIE SCHICHTEN NACHEINANDER DURCH DIE WIEDERVERWENDUNG DES SUBSTRATS PRODUZIEREN, HIER DIE SCHICHTEN GLEICHZEITIG IN EINEM EINZIGEN PROZESS HERGESTELLT WERDEN. DAHER WIRD VORGESCHLAGEN, DIE FERTIGUNGSTECHNOLOGIE DIESES MATERIALS ZU ENTWICKELN UND AUF DIE HERSTELLUNG VON DÜNNEN ZELLEN MIT HINTEREN INTERDIGITIERTEN KONTAKTEN (IBC-STRUKTUR) UNTER VERWENDUNG VON VERFAHREN BEI NIEDRIGER TEMPERATUR ANZUWENDEN. DIESE ZELLSTRUKTUR, NEBEN DER DARSTELLUNG DES STANDS DER TECHNIK IN HOHER EFFIZIENZ, WIRD ES ERMÖGLICHEN, DIE MANIPULATION UND VERARBEITUNG VON FEINEN ZELLEN ZU VEREINFACHEN. KURZ GESAGT, ZIEL DIESES PROJEKTS IST ES, DEN STAND DER TECHNIK IN C-SI-SOLARZELLEN MIT EINEM NEUEN ULTRAFEINEN KRISTALLINEN SUBSTRAT INNOVATIV ZU KOMBINIEREN, UM DER PHOTOVOLTAIK-TECHNOLOGIE NEUE PERSPEKTIVEN ZU ERÖFFNEN. (German)
9 December 2021
0 references
VRIJWEL ALLE (90 %) VAN DE WERELDWIJD GEPRODUCEERDE EN GEÏNSTALLEERDE FOTOVOLTAÏSCHE PANELEN ZIJN GEBASEERD OP KRISTALLIJN SILICIUM (C-SI) TECHNOLOGIE EN PROGNOSES GEVEN AAN DAT DIT NOG LANG ZAL DUREN. DE STRATEGIEËN DIE VAN OUDSHER WERDEN NAGESTREEFD OM DE KOSTEN VAN FOTOVOLTAÏSCHE GENERATIE TE VERMINDEREN, WAREN TWEE: VERBETERING VAN DE EFFICIËNTIE EN VERMINDERING VAN DE KOSTEN VAN DE GEBRUIKTE MATERIALEN. IN DE LAATSTE TWEE DECENNIA IS DE EFFICIËNTIE VAN FOTOVOLTAÏSCHE CELLEN GELEIDELIJK NADERBIJ DE THEORETISCHE GRENS. VANDAAG DE DAG HEBBEN DE MEEST EFFICIËNTE CELLEN DE VERBINDINGEN EN CONTACTEN VERPLAATST NAAR HET ACHTERGEZICHT (IBC-STRUCTUREN, INTERDIGITATED BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) WAARDOOR HET VOOROPPERVLAK VOLLEDIG SCHADUWVRIJ IS EN EEN RECORDRENDEMENT VAN 25,6 % BEREIKT. WAT DE PRIJS VAN DE PANELEN BETREFT, IS EEN GROOT DEEL VAN DE PRODUCTIEKOSTEN, ONGEVEER 32 %, NOG STEEDS GECONCENTREERD HET GEBRUIKTE SILICIUM EN DE OMZETTING ERVAN IN WAFERS. DAAROM IS EEN VAN DE SLEUTELS VOOR FOTOVOLTAÏSCHE TECHNOLOGIE DE INVOERING VAN INNOVATIEVE CONCEPTEN DIE HET MOGELIJK MAKEN OM DE HOEVEELHEID INDIEN GEBRUIKT AANZIENLIJK TE VERMINDEREN ZONDER DE HUIDIGE HOGE CONVERSIE-EFFICIËNTIES TE BENADELEN. _x000D_ _x000D_ dit PROJECT PRESENT VOOR DE VOLGENDE VERZOEKING VAN ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING A recient ONTWIKKELING, GLEVATED TO CABO MET IP PARTICIPATION, EN toegestaan om een OBL VAN SI in MULTIPLES ULTRAFINE monokristallijne caps (Groser 1"20 µM) te exfoliëren. DUS, WANNEER VERDEELD OVER HET AANTAL GEËXFOLIEERDE LAGEN, WORDT DE HOEVEELHEID SILICIUM EN ENERGIE DIE NODIG ZIJN PER VERVAARDIGDE CEL STERK VERMINDERD. EEN FUNDAMENTEEL VOORDEEL VAN DEZE TECHNOLOGIE IS DAT, IN TEGENSTELLING TOT ANDERE ALTERNATIEVEN DIE DE LAGEN ACHTEREENVOLGENS PRODUCEREN DOOR HET SUBSTRAAT TE HERGEBRUIKEN, DE LAGEN HIER GELIJKTIJDIG IN ÉÉN PROCES WORDEN GEPRODUCEERD. DAAROM WORDT VOORGESTELD OM DE FABRICAGETECHNOLOGIE VAN DIT MATERIAAL TE ONTWIKKELEN EN TOE TE PASSEN OP DE VERVAARDIGING VAN DUNNE CELLEN MET ACHTERGEKOPPELDE CONTACTEN (IBC-STRUCTUUR) MET BEHULP VAN PROCESSEN BIJ LAGE TEMPERATUUR. DEZE CELSTRUCTUUR, NAAST HET VERTEGENWOORDIGEN VAN DE STATE OF ART IN HOGE EFFICIËNTIE, ZAL HET MOGELIJK MAKEN OM DE MANIPULATIE EN VERWERKING VAN FIJNE CELLEN TE VEREENVOUDIGEN. KORTOM, DIT PROJECT HEEFT TOT DOEL DE STATE OF ART IN C-SI ZONNECELLEN INNOVATIEF TE COMBINEREN MET EEN NIEUW ULTRAFIJN KRISTALLIJN SUBSTRAAT OM NIEUWE PERSPECTIEVEN TE OPENEN VOOR FOTOVOLTAÏSCHE TECHNOLOGIE. (Dutch)
17 December 2021
0 references
PRATICAMENTE TUTTI (90 %) DEI PANNELLI FOTOVOLTAICI PRODOTTI E INSTALLATI A LIVELLO GLOBALE SONO BASATI SULLA TECNOLOGIA DEL SILICIO CRISTALLINO (C-SI) E LE PREVISIONI INDICANO CHE CIÒ CONTINUERÀ A LUNGO. LE STRATEGIE CHE SONO STATE STORICAMENTE SEGUITE PER RIDURRE I COSTI DELLA GENERAZIONE FOTOVOLTAICA SONO STATE DUE: MIGLIORARE L'EFFICIENZA E RIDURRE I COSTI DEI MATERIALI UTILIZZATI. NEGLI ULTIMI DUE DECENNI L'EFFICIENZA DELLE CELLE FOTOVOLTAICHE SI È AVVICINATA GRADUALMENTE AL LIMITE TEORICO. OGGI, LE CELLE PIÙ EFFICIENTI HANNO SPOSTATO LE CONNESSIONI E I CONTATTI VERSO LA PARTE POSTERIORE (STRUTTURE IBC, INTERDIGITATO BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) LASCIANDO LA SUPERFICIE ANTERIORE TOTALMENTE PRIVA DI OMBRE E RAGGIUNGENDO UN'EFFICIENZA RECORD DEL 25,6 %. PER QUANTO RIGUARDA IL PREZZO DEI PANNELLI, GRAN PARTE DEL SUO COSTO DI PRODUZIONE, CIRCA IL 32 %, CONTINUA A CONCENTRARE IL SILICIO UTILIZZATO E LA SUA TRASFORMAZIONE IN WAFER. PERTANTO, UNA DELLE CHIAVI DELLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA È L'INTRODUZIONE DI CONCETTI INNOVATIVI CHE CONSENTONO DI RIDURRE SIGNIFICATIVAMENTE LA QUANTITÀ DI SE UTILIZZATA SENZA PENALIZZARE LE ATTUALI ELEVATE EFFICIENZE DI CONVERSIONE. _x000D_ _x000D_ questo PROGETTO PRESENTE PER SVILUPERE UN NUOVO CONCEPTO DI CELULA SOLAR ULTRAFINA UTILIZZARE UNO SVILUPPO REENTALE, CLEVATO A CABO CON PARTICIPAZIONE IP, E permesso di esfoliare un OBL DI SI IN MULTIPLE ULTRAFINE ULTRAFINE monocristallino (Groser 1¿20 µM). COSÌ, SE DIVISO TRA IL NUMERO DI STRATI ESFOLIATI, LA QUANTITÀ DI SILICIO E DI ENERGIA NECESSARIA PER CELLA FABBRICATA È NOTEVOLMENTE RIDOTTA. UN VANTAGGIO FONDAMENTALE DI QUESTA TECNOLOGIA È CHE, A DIFFERENZA DI ALTRE ALTERNATIVE CHE PRODUCONO SUCCESSIVAMENTE GLI STRATI RIUTILIZZANDO IL SUBSTRATO, QUI GLI STRATI VENGONO PRODOTTI SIMULTANEAMENTE IN UN UNICO PROCESSO. SI PROPONE PERTANTO DI SVILUPPARE LA TECNOLOGIA DI FABBRICAZIONE DI QUESTO MATERIALE E DI APPLICARLA ALLA FABBRICAZIONE DI CELLE SOTTILI CON CONTATTI INTERDIGITATI POSTERIORI (STRUTTURA IBC) UTILIZZANDO PROCESSI A BASSA TEMPERATURA. QUESTA STRUTTURA CELLULARE, OLTRE A RAPPRESENTARE LO STATO DELL'ARTE IN ALTA EFFICIENZA, PERMETTERÀ DI SEMPLIFICARE LA MANIPOLAZIONE E LA LAVORAZIONE DELLE CELLULE FINI. IN BREVE, QUESTO PROGETTO MIRA A CONIUGARE IN MODO INNOVATIVO LO STATO DELL'ARTE NELLE CELLE SOLARI C-SI CON UN NUOVO SUBSTRATO CRISTALLINO ULTRAFINE AL FINE DI APRIRE NUOVE PROSPETTIVE ALLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA. (Italian)
16 January 2022
0 references
ΣΧΕΔΌΝ ΌΛΑ (90 %) ΤΩΝ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΏΝ ΠΆΝΕΛ ΠΟΥ ΠΑΡΆΓΟΝΤΑΙ ΚΑΙ ΕΓΚΑΘΊΣΤΑΝΤΑΙ ΠΑΓΚΟΣΜΊΩΣ ΒΑΣΊΖΟΝΤΑΙ ΣΤΗΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟΎ ΠΥΡΙΤΊΟΥ (C-SI) ΚΑΙ ΟΙ ΠΡΟΒΛΈΨΕΙΣ ΔΕΊΧΝΟΥΝ ΌΤΙ ΑΥΤΌ ΘΑ ΣΥΝΕΧΙΣΤΕΊ ΓΙΑ ΜΕΓΆΛΟ ΧΡΟΝΙΚΌ ΔΙΆΣΤΗΜΑ. ΟΙ ΣΤΡΑΤΗΓΙΚΈΣ ΠΟΥ ΑΝΈΚΑΘΕΝ ΑΚΟΛΟΥΘΉΘΗΚΑΝ ΓΙΑ ΤΗ ΜΕΊΩΣΗ ΤΟΥ ΚΌΣΤΟΥΣ ΠΑΡΑΓΩΓΉΣ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΏΝ ΕΊΝΑΙ ΔΎΟ: ΒΕΛΤΊΩΣΗ ΤΗΣ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΌΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΜΕΊΩΣΗ ΤΟΥ ΚΌΣΤΟΥΣ ΤΩΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΎΜΕΝΩΝ ΥΛΙΚΏΝ. ΤΙΣ ΤΕΛΕΥΤΑΊΕΣ ΔΎΟ ΔΕΚΑΕΤΊΕΣ Η ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΌΤΗΤΑ ΤΩΝ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΏΝ ΚΥΤΤΆΡΩΝ ΠΛΗΣΙΆΖΕΙ ΣΤΑΔΙΑΚΆ ΤΟ ΘΕΩΡΗΤΙΚΌ ΌΡΙΟ. ΣΉΜΕΡΑ, ΤΑ ΠΙΟ ΑΠΟΔΟΤΙΚΆ ΚΕΛΙΆ ΈΧΟΥΝ ΜΕΤΑΚΙΝΉΣΕΙ ΤΙΣ ΣΥΝΔΈΣΕΙΣ ΚΑΙ ΤΙΣ ΕΠΑΦΈΣ ΠΡΟΣ ΤΟ ΠΊΣΩ ΠΡΌΣΩΠΟ (ΔΟΜΈΣ IBC, ΑΛΛΗΛΟΨΗΦΊΑ ΟΠΙΣΘΟΣΎΝΔΕΣΗΣ-ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΊΑΣ) ΑΦΉΝΟΝΤΑΣ ΤΗΝ ΕΜΠΡΌΣΘΙΑ ΕΠΙΦΆΝΕΙΑ ΕΝΤΕΛΏΣ ΕΛΕΎΘΕΡΗ ΣΚΙΆ ΚΑΙ ΦΤΆΝΟΝΤΑΣ ΣΕ ΑΠΌΔΟΣΗ ΡΕΚΌΡ 25,6 %. ΌΣΟΝ ΑΦΟΡΆ ΤΗΝ ΤΙΜΉ ΤΩΝ ΠΆΝΕΛ, ΜΕΓΆΛΟ ΠΟΣΟΣΤΌ ΤΟΥ ΚΌΣΤΟΥΣ ΠΑΡΑΓΩΓΉΣ, ΠΕΡΊΠΟΥ 32 %, ΕΞΑΚΟΛΟΥΘΕΊ ΝΑ ΕΊΝΑΙ ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΜΈΝΟ ΤΟ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΎΜΕΝΟ ΠΥΡΊΤΙΟ ΚΑΙ Η ΜΕΤΑΤΡΟΠΉ ΤΟΥ ΣΕ ΠΛΑΚΊΔΙΑ. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, ΈΝΑ ΑΠΌ ΤΑ ΚΛΕΙΔΙΆ ΤΗΣ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΉΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑΣ ΕΊΝΑΙ Η ΕΙΣΑΓΩΓΉ ΚΑΙΝΟΤΌΜΩΝ ΕΝΝΟΙΏΝ ΠΟΥ ΕΠΙΤΡΈΠΟΥΝ ΤΗ ΣΗΜΑΝΤΙΚΉ ΜΕΊΩΣΗ ΤΗΣ ΠΟΣΌΤΗΤΑΣ ΤΗΣ ΧΡΉΣΗΣ ΧΩΡΊΣ ΝΑ ΤΙΜΩΡΟΎΝΤΑΙ ΟΙ ΤΡΈΧΟΥΣΕΣ ΥΨΗΛΈΣ ΑΠΟΔΌΣΕΙΣ ΜΕΤΑΤΡΟΠΉΣ. _x000D_ _x000D_ αυτό το ΕΡΓΟ ΠΡΟΕΔΡΙΖΕΙ ΝΑ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΜΙΑ ΝΕΑ ΣΥΜΜΕΤΟΧΗ ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING A recient DEVELOPMENT, CLEVATED TO CABO ΜΕ ΣΥΜΜΕΤΟΧΗ IP, και επιτρέπεται να απολέπιση ένα OBL SI σε MULTIPLES ULTRAFINE μονοκρυσταλλικά καλύμματα (Groser 1^20 µM). ΈΤΣΙ, ΌΤΑΝ ΔΙΑΙΡΕΊΤΑΙ ΜΕΤΑΞΎ ΤΟΥ ΑΡΙΘΜΟΎ ΤΩΝ ΑΠΟΛΕΠΙΣΜΈΝΩΝ ΣΤΡΩΜΆΤΩΝ, Η ΠΟΣΌΤΗΤΑ ΠΥΡΙΤΊΟΥ ΚΑΙ ΕΝΈΡΓΕΙΑΣ ΠΟΥ ΑΠΑΙΤΕΊΤΑΙ ΑΝΆ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΜΈΝΗ ΚΥΨΈΛΗ ΜΕΙΏΝΕΤΑΙ ΣΗΜΑΝΤΙΚΆ. ΈΝΑ ΘΕΜΕΛΙΏΔΕΣ ΠΛΕΟΝΈΚΤΗΜΑ ΑΥΤΉΣ ΤΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑΣ ΕΊΝΑΙ ΌΤΙ, ΣΕ ΑΝΤΊΘΕΣΗ ΜΕ ΆΛΛΕΣ ΕΝΑΛΛΑΚΤΙΚΈΣ ΛΎΣΕΙΣ ΠΟΥ ΠΑΡΆΓΟΥΝ ΤΑ ΣΤΡΏΜΑΤΑ ΔΙΑΔΟΧΙΚΆ ΜΕ ΤΗΝ ΕΠΑΝΑΧΡΗΣΙΜΟΠΟΊΗΣΗ ΤΟΥ ΥΠΟΣΤΡΏΜΑΤΟΣ, ΕΔΏ ΤΑ ΣΤΡΏΜΑΤΑ ΠΑΡΆΓΟΝΤΑΙ ΤΑΥΤΌΧΡΟΝΑ ΣΕ ΜΙΑ ΕΝΙΑΊΑ ΔΙΑΔΙΚΑΣΊΑ. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, ΠΡΟΤΕΊΝΕΤΑΙ ΝΑ ΑΝΑΠΤΥΧΘΕΊ Η ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑ ΚΑΤΑΣΚΕΥΉΣ ΤΟΥ ΕΝ ΛΌΓΩ ΥΛΙΚΟΎ ΚΑΙ ΝΑ ΕΦΑΡΜΟΣΤΕΊ ΣΤΗΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΉ ΛΕΠΤΏΝ ΚΥΤΤΆΡΩΝ ΜΕ ΟΠΊΣΘΙΕΣ ΔΙΑΣΤΑΥΡΩΜΈΝΕΣ ΕΠΑΦΈΣ (ΔΟΜΉ IBC) ΜΕ ΤΗ ΧΡΉΣΗ ΔΙΕΡΓΑΣΙΏΝ ΣΕ ΧΑΜΗΛΉ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΊΑ. ΑΥΤΉ Η ΚΥΤΤΑΡΙΚΉ ΔΟΜΉ, ΠΈΡΑΝ ΤΟΥ ΌΤΙ ΑΝΤΙΠΡΟΣΩΠΕΎΕΙ ΤΗΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑ ΑΙΧΜΉΣ ΜΕ ΥΨΗΛΉ ΑΠΌΔΟΣΗ, ΘΑ ΚΑΤΑΣΤΉΣΕΙ ΔΥΝΑΤΉ ΤΗΝ ΑΠΛΟΎΣΤΕΥΣΗ ΤΟΥ ΧΕΙΡΙΣΜΟΎ ΚΑΙ ΤΗΣ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΊΑΣ ΤΩΝ ΛΕΠΤΏΝ ΚΥΤΤΆΡΩΝ. ΕΝ ΟΛΊΓΟΙΣ, ΤΟ ΈΡΓΟ ΑΥΤΌ ΈΧΕΙ ΩΣ ΣΤΌΧΟ ΝΑ ΣΥΝΔΥΆΣΕΙ ΜΕ ΚΑΙΝΟΤΌΜΟ ΤΡΌΠΟ ΤΗΝ ΥΠΕΡΣΎΓΧΡΟΝΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑ ΤΩΝ ΗΛΙΑΚΏΝ ΚΥΨΕΛΏΝ C-SI ΜΕ ΈΝΑ ΝΈΟ ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ ΛΕΠΤΌ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΌ ΥΠΌΣΤΡΩΜΑ, ΠΡΟΚΕΙΜΈΝΟΥ ΝΑ ΑΝΟΊΞΕΙ ΝΈΕΣ ΠΡΟΟΠΤΙΚΈΣ ΣΤΗ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΉ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑ. (Greek)
18 August 2022
0 references
NÆSTEN ALLE (90 %) FOTOVOLTAISKE PANELER, DER PRODUCERES OG INSTALLERES GLOBALT, ER BASERET PÅ TEKNOLOGI AF KRYSTALLINSK SILICIUM (C-SI), OG PROGNOSERNE TYDER PÅ, AT DETTE VIL FORTSÆTTE I LANG TID. DE STRATEGIER, DER HISTORISK SET ER BLEVET FULGT FOR AT REDUCERE OMKOSTNINGERNE VED SOLCELLEPRODUKTION, HAR VÆRET TO: FORBEDRING AF EFFEKTIVITETEN OG REDUKTION AF OMKOSTNINGERNE VED DE ANVENDTE MATERIALER. I DE SIDSTE TO ÅRTIER HAR FOTOVOLTAISKE CELLERS EFFEKTIVITET GRADVIST NÆRMET SIG DEN TEORETISKE GRÆNSE. I DAG HAR DE MEST EFFEKTIVE CELLER FLYTTET FORBINDELSER OG KONTAKTER TIL BAGSIDEN (IBC-KONSTRUKTIONER, INTERCIFRET BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED), HVILKET EFTERLADER DEN FORRESTE OVERFLADE HELT SKYGGEFRI OG HAR NÅET EN REKORDEFFEKTIVITET PÅ 25,6 %. HVAD ANGÅR PRISEN PÅ PANELERNE, ER EN STOR DEL AF PRODUKTIONSOMKOSTNINGERNE, CA. 32 %, STADIG KONCENTRERET OM DET ANVENDTE SILICIUM OG DETS OMDANNELSE TIL WAFERE. DERFOR ER EN AF NØGLERNE TIL FOTOVOLTAISK TEKNOLOGI INDFØRELSEN AF INNOVATIVE KONCEPTER, DER GØR DET MULIGT AT REDUCERE MÆNGDEN AF, HVIS DET ANVENDES, BETYDELIGT UDEN AT STRAFFE DEN NUVÆRENDE HØJE KONVERTERINGSEFFEKTIVITET. _x000D_ _x000D_ denne PROJEKT PRESENT TIL DEVELOP En ny koncept af ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING En recient DEVELOPMENT, CLEVATED TO CABO MED OPLYSNINGER, OG har tilladelse til at eksfoliere en OBL af SI i MULTIPLES ULTRAFINE monokrystallinske hætter (Groser 1¿20 µM). SÅLEDES, NÅR DIVIDERET MELLEM ANTALLET AF EKSFOLIEREDE LAG, ER MÆNGDEN AF SILICIUM OG ENERGI NØDVENDIG PR. FREMSTILLET CELLE STÆRKT REDUCERET. EN GRUNDLÆGGENDE FORDEL VED DENNE TEKNOLOGI ER, AT I MODSÆTNING TIL ANDRE ALTERNATIVER, DER PRODUCERER LAGENE SUCCESSIVT VED AT GENBRUGE SUBSTRATET, HER DANNES LAGENE SAMTIDIG I EN ENKELT PROCES. DET FORESLÅS DERFOR AT UDVIKLE FREMSTILLINGSTEKNOLOGIEN FOR DETTE MATERIALE OG ANVENDE DEN TIL FREMSTILLING AF TYNDE CELLER MED INTERCIFREDE BAGESTE KONTAKTER (IBC-STRUKTUR) VED HJÆLP AF PROCESSER VED LAV TEMPERATUR. DENNE CELLESTRUKTUR, UD OVER AT REPRÆSENTERE STATE OF ART I HØJ EFFEKTIVITET, VIL GØRE DET MULIGT AT FORENKLE MANIPULATION OG BEHANDLING AF FINE CELLER. KORT SAGT SIGTER DETTE PROJEKT MOD INNOVATIVT AT KOMBINERE STATE OF ART I C-SI-SOLCELLER MED ET NYT ULTRAFINT KRYSTALLINSK SUBSTRAT FOR AT ÅBNE NYE PERSPEKTIVER FOR SOLCELLETEKNOLOGI. (Danish)
18 August 2022
0 references
LÄHES KAIKKI (90 %) MAAILMANLAAJUISESTI TUOTETUISTA JA ASENNETUISTA AURINKOSÄHKÖPANEELEISTA PERUSTUVAT KITEISESTÄ PIISTÄ (C-SI) VALMISTETTUUN TEKNOLOGIAAN, JA ENNUSTEIDEN MUKAAN TÄMÄ JATKUU PITKÄÄN. AURINKOSÄHKÖTUOTANNON KUSTANNUSTEN ALENTAMISEKSI ON PERINTEISESTI TOTEUTETTU KAKSI STRATEGIAA: TEHOKKUUDEN PARANTAMINEN JA KÄYTETTYJEN MATERIAALIEN KUSTANNUSTEN ALENTAMINEN. KAHDEN VIIME VUOSIKYMMENEN AIKANA AURINKOSÄHKÖKENNOJEN TEHOKKUUS ON VÄHITELLEN LÄHESTYNYT TEOREETTISTA RAJAA. NYKYÄÄN TEHOKKAIMMAT SOLUT OVAT SIIRTÄNEET LIITÄNNÄT JA KOSKETTIMET TAKAPINTAAN (IBC-RAKENTEET, INTERDIGITOIDUT TAKALIITOKSET TAKAISIN KOSKETUKSISSA), JOLLOIN ETUPINTA ON TÄYSIN VARJOTON JA SAAVUTTI ENNÄTYSTEHOKKUUDEN 25,6 %. MITÄ TULEE PANEELIEN HINTAAN, SUURI OSA SEN TUOTANTOKUSTANNUKSISTA, NOIN 32 PROSENTTIA, KESKITTÄÄ EDELLEEN KÄYTETYN PIIN JA SEN MUUNTAMISEN KIEKOIKSI. SIKSI YKSI AURINKOSÄHKÖTEKNOLOGIAN AVAINTEKIJÖISTÄ ON SELLAISTEN INNOVATIIVISTEN RATKAISUJEN KÄYTTÖÖNOTTO, JOIDEN AVULLA VOIDAAN MERKITTÄVÄSTI VÄHENTÄÄ NIIDEN MÄÄRÄÄ, JOS NIITÄ KÄYTETÄÄN, RANKAISEMATTA NYKYISISTÄ KORKEISTA MUUNTOTEHOKKUUKSISTA. _x000D_ _x000D_ tämä PROJECT PRESENT to DEVELOP ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING Recient DEVELOPMENT, CLEVATED to CABO WITHHIPATION, JA jonka sallittiin kuoria OBL SI IN MULTIPLES ULTRAFINE yksikiteiset korkit (Groser 1–20 µM). NÄIN OLLEN, KUN JAETAAN KUORITTUJEN KERROSTEN LUKUMÄÄRÄÄN, PIIN JA ENERGIAN MÄÄRÄ, JOTA TARVITAAN VALMISTETTUA SOLUA KOHTI, VÄHENEE HUOMATTAVASTI. TÄMÄN TEKNOLOGIAN PERUSTAVANLAATUINEN ETU ON, ETTÄ TOISIN KUIN MUUT VAIHTOEHDOT, JOTKA TUOTTAVAT KERROKSIA PERÄKKÄIN KÄYTTÄMÄLLÄ ALUSTAA UUDELLEEN, TÄSSÄ KERROKSET TUOTETAAN SAMANAIKAISESTI YHDESSÄ PROSESSISSA. SEN VUOKSI EHDOTETAAN, ETTÄ TÄMÄN MATERIAALIN VALMISTUSTEKNIIKKAA KEHITETÄÄN JA SITÄ SOVELLETAAN OHUIDEN SOLUJEN VALMISTUKSEEN, JOISSA ON TAKAKULMAN INTERDIGITOIDUT KOSKETTIMET (IBC-RAKENNE), KÄYTTÄEN PROSESSEJA ALHAISESSA LÄMPÖTILASSA. TÄMÄ SOLURAKENNE EDUSTAA HUIPPUTEKNOLOGIAN HUIPPUTEHOKKUUTTA JA MAHDOLLISTAA HIENOJEN SOLUJEN MANIPULOINNIN JA KÄSITTELYN YKSINKERTAISTAMISEN. LYHYESTI SANOTTUNA TÄLLÄ HANKKEELLA PYRITÄÄN INNOVATIIVISESTI YHDISTÄMÄÄN C-SI-AURINKOKENNOJEN UUSI HUIPPUTEKNOLOGIA JA UUSI ULTRAHIENO KITEINEN SUBSTRAATTI, JOTTA VOIDAAN AVATA UUSIA NÄKÖKULMIA AURINKOSÄHKÖTEKNOLOGIAAN. (Finnish)
18 August 2022
0 references
KWAŻI KOLLHA (90 %) TAL-PANNELLI FOTOVOLTAJĊI LI HUMA PRODOTTI U INSTALLATI GLOBALMENT HUMA BBAŻATI FUQ IT-TEKNOLOĠIJA TAS-SILIĊJU KRISTALLIN (C-SI) U T-TBASSIR JINDIKA LI DAN SE JKOMPLI GĦAL ŻMIEN TWIL. L-ISTRATEĠIJI LI STORIKAMENT ĠEW SEGWITI BIEX JITNAQQSU L-ISPEJJEŻ TAL-ĠENERAZZJONI FOTOVOLTAJKA KIENU TNEJN: IT-TITJIB TAL-EFFIĊJENZA U T-TNAQQIS TAL-ISPEJJEŻ TAL-MATERJALI UŻATI. F’DAWN L-AĦĦAR GĦOXRIN SENA, L-EFFIĊJENZA TAĊ-ĊELLOLI FOTOVOLTAJĊI BIL-MOD IL-MOD QED TOQROB LEJN IL-LIMITU TEORETIKU. ILLUM, IĊ-ĊELLOLI L-AKTAR EFFIĊJENTI ĊĊAQALQU L-KONNESSJONIJIET U L-KUNTATTI MAL-WIĊĊ TA’ WARA (STRUTTURI IBC, INTERDIĠITATI BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) LI JĦALLU L-WIĊĊ TA’ QUDDIEM TOTALMENT ĦIELES MID-DELL U LAĦAQ EFFIĊJENZA REKORD TA’ 25.6 %. FIR-RIGWARD TAL-PREZZ TAL-PANNELLI, PROPORZJON KBIR TAL-ISPIŻA TAL-PRODUZZJONI TIEGĦU, MADWAR 32 %, GĦADU KKONĊENTRAT FUQ IS-SILIKON UŻAT U T-TRASFORMAZZJONI TIEGĦU F’WEJFERS. GĦALHEKK, WIEĦED MILL-IMFIETAĦ GĦAT-TEKNOLOĠIJA FOTOVOLTAJKA HUWA L-INTRODUZZJONI TA’ KUNĊETTI INNOVATTIVI LI JIPPERMETTU LI JITNAQQAS B’MOD SINIFIKANTI L-AMMONT TA’ JEKK JINTUŻA MINGĦAJR MA JIĠU PPENALIZZATI L-EFFIĊJENZI GĦOLJA ATTWALI FIL-KONVERŻJONI. _x000D_ _x000D_ dan il-PROJECT PRESENTI GĦANDHOM JIŻVILUPP KONĊETTA NEWAR TA’ Ċelula ULTRAFINE SOLAR UTILISHING A DEVELOPMENT recient, CLEVATED TOBO WITH IP PARTICIPATION, U permess li exfoliate OBL TA’ SI MULTIPLES ULTRAFINE tappijiet monokristallini (Groser 1.6.220 µM). GĦALHEKK, META MAQSUM BEJN IN-NUMRU TA ‘SAFFI IMQAXXRA, L-AMMONT TA’ SILIKON U ENERĠIJA MEĦTIEĠA GĦAL KULL ĊELLULA MANIFATTURAT JITNAQQAS ĦAFNA. VANTAĠĠ FUNDAMENTALI TA ‘DIN IT-TEKNOLOĠIJA HUWA LI, B’DIFFERENZA ALTERNATTIVI OĦRA LI JIPPRODUĊU S-SAFFI SUĊĊESSIVAMENT BL-UŻU MILL-ĠDID TAL-SUBSTRAT, HAWN IS-SAFFI HUMA PRODOTTI SIMULTANJAMENT FI PROĊESS WIEĦED. GĦALHEKK, HUWA PROPOST LI TIĠI ŻVILUPPATA T-TEKNOLOĠIJA TAL-MANIFATTURA TA’ DAN IL-MATERJAL U TIĠI APPLIKATA GĦALL-MANIFATTURA TA’ ĊELLOLI RQAQ B’KUNTATTI INTERDIĠITATI FUQ WARA (L-ISTRUTTURA IBC) BL-UŻU TA’ PROĊESSI F’TEMPERATURA BAXXA. DIN L-ISTRUTTURA TAĊ-ĊELLOLI, MINBARRA LI TIRRAPPREŻENTA L-ISTAT TAL-ARTI FL-EFFIĊJENZA GĦOLJA, SE TAGĦMILHA POSSIBBLI LI JIĠU SSIMPLIFIKATI L-MANIPULAZZJONI U L-IPPROĊESSAR TA’ ĊELLOLI FINI. FIL-QOSOR, DAN IL-PROĠETT GĦANDU L-GĦAN LI JGĦAQQAD B’MOD INNOVATTIV L-ISTAT TAL-ARTI FIĊ-ĊELLOLI SOLARI C-SI MA’ SOTTOSTRAT KRISTALLIN ULTRAFIN ĠDID SABIEX JINFETĦU PERSPETTIVI ĠODDA GĦAT-TEKNOLOĠIJA FOTOVOLTAJKA. (Maltese)
18 August 2022
0 references
PRAKTISKI VISI (90 %) NO VISĀ PASAULĒ RAŽOTAJIEM UN UZSTĀDĪTAJIEM FOTOELEKTRISKAJIEM PANEĻIEM IR BALSTĪTI UZ KRISTĀLISKĀ SILĪCIJA (C-SI) TEHNOLOĢIJU, UN PROGNOZES LIECINA, KA TAS TURPINĀSIES ILGU LAIKU. LĪDZ ŠIM ĪSTENOTĀS STRATĒĢIJAS, LAI SAMAZINĀTU FOTOELEMENTU RAŽOŠANAS IZMAKSAS, IR BIJUŠAS DIVAS: EFEKTIVITĀTES UZLABOŠANA UN IZMANTOTO MATERIĀLU IZMAKSU SAMAZINĀŠANA. PĒDĒJĀS DIVĀS DESMITGADĒS FOTOELEMENTU ŠŪNU EFEKTIVITĀTE PAKĀPENISKI TUVOJAS TEORĒTISKAJAI ROBEŽAI. ŠODIEN VISEFEKTĪVĀKĀS ŠŪNAS IR PĀRVIETOJUŠAS SAVIENOJUMUS UN KONTAKTUS UZ AIZMUGURĒJO SEJU (IBC STRUKTŪRAS, STARPCIPARU AIZMUGURES KRUSTOJUMA AIZMUGURE), ATSTĀJOT PRIEKŠĒJO VIRSMU PILNĪGI BEZ ĒNAS UN SASNIEDZOT REKORDLIELU EFEKTIVITĀTI 25,6 %. ATTIECĪBĀ UZ PANEĻU CENU LIELA DAĻA NO TĀ RAŽOŠANAS IZMAKSĀM, APTUVENI 32 %, JOPROJĀM IR KONCENTRĒTA IZMANTOTĀ SILĪCIJA KONCENTRĀCIJA UN TĀ PĀRVEIDOŠANA PLĀKSNĪTĒS. TĀPĒC VIENA NO FOTOELEKTRISKĀS TEHNOLOĢIJAS ATSLĒGĀM IR INOVATĪVU KONCEPCIJU IEVIEŠANA, KAS ĻAUJ IEVĒROJAMI SAMAZINĀT TO DAUDZUMU, JA TO IZMANTO, NESODOT PAŠREIZĒJO AUGSTO KONVERSIJAS EFEKTIVITĀTI. _x000D_ _x000D_ šis PROJEKTS SAVIENĪBAS JAUNS ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING A recient DEVELOPMENT, CLEVATED TO CABO ar IP PARTICIPATION, Un ļāva pīlinga SI IN MULTIPLES ULTRAFINE monokristāliskie vāciņi (Groser 1ľ20 µM). TĀDĒJĀDI, SADALOT STARP PĪLINGA SLĀŅU SKAITU, SILĪCIJA UN ENERĢIJAS DAUDZUMS, KAS NEPIECIEŠAMS SARAŽOTAJAI ŠŪNAI, IR IEVĒROJAMI SAMAZINĀTS. BŪTISKA ŠĪS TEHNOLOĢIJAS PRIEKŠROCĪBA IR TĀ, KA ATŠĶIRĪBĀ NO CITĀM ALTERNATĪVĀM, KAS RADA SLĀŅUS SECĪGI, ATKĀRTOTI IZMANTOJOT SUBSTRĀTU, SLĀŅI TIEK RAŽOTI VIENLAICĪGI VIENĀ PROCESĀ. TĀPĒC TIEK IEROSINĀTS IZSTRĀDĀT ŠĀ MATERIĀLA RAŽOŠANAS TEHNOLOĢIJU UN PIEMĒROT TO PLĀNĀM ŠŪNĀM AR AIZMUGURES INTERDIGITĒTIEM KONTAKTIEM (IBC STRUKTŪRA), IZMANTOJOT PROCESUS ZEMĀ TEMPERATŪRĀ. ŠĪ ŠŪNU STRUKTŪRA, PAPILDUS AUGSTAI EFEKTIVITĀTEI PĀRSTĀVOT JAUNĀKOS SASNIEGUMUS, ĻAUS VIENKĀRŠOT SMALKO ŠŪNU MANIPULĀCIJU UN APSTRĀDI. ĪSĀK SAKOT, ŠĀ PROJEKTA MĒRĶIS IR NOVATORISKI APVIENOT JAUNĀKĀS TEHNOLOĢIJAS C-SI SAULES BATERIJAS AR JAUNU ULTRASMALKU KRISTĀLISKO SUBSTRĀTU, LAI RADĪTU JAUNAS PERSPEKTĪVAS FOTOELEKTRISKAJĀM TEHNOLOĢIJĀM. (Latvian)
18 August 2022
0 references
PRAKTICKY VŠETKY (90 %) FOTOVOLTICKÝCH PANELOV, KTORÉ SA VYRÁBAJÚ A INŠTALUJÚ NA CELOM SVETE, SÚ ZALOŽENÉ NA TECHNOLÓGII KRYŠTALICKÉHO KREMÍKA (C-SI) A PROGNÓZY NAZNAČUJÚ, ŽE TO BUDE TRVAŤ DLHO. STRATÉGIE, KTORÉ SA V MINULOSTI UPLATŇOVALI NA ZNÍŽENIE NÁKLADOV NA FOTOVOLTAICKÚ VÝROBU, BOLI DVE: ZLEPŠENIE EFEKTÍVNOSTI A ZNÍŽENIE NÁKLADOV NA POUŽITÉ MATERIÁLY. V POSLEDNÝCH DVOCH DESAŤROČIACH SA ÚČINNOSŤ FOTOVOLTICKÝCH ČLÁNKOV POSTUPNE PRIBLIŽOVALA K TEORETICKÉMU LIMITU. V SÚČASNOSTI NAJÚČINNEJŠIE BUNKY PRESUNULI SPOJENIA A KONTAKTY NA ZADNÚ STRANU (IBC ŠTRUKTÚRY, INTERDIGITÁLNE SPÄTNÉ PREMOSTENIE) TAKŽE PREDNÝ POVRCH ÚPLNE BEZ TIEŇA A DOSIAHOL REKORDNÚ ÚČINNOSŤ 25,6 %. POKIAĽ IDE O CENU PANELOV, VEĽKÁ ČASŤ JEHO VÝROBNÝCH NÁKLADOV, PRIBLIŽNE 32 %, SA STÁLE SÚSTREĎUJE NA POUŽITÝ KREMÍK A JEHO TRANSFORMÁCIU NA DOŠTIČKY. JEDNÝM Z KĽÚČOV K FOTOVOLTAICKEJ TECHNOLÓGII JE PRETO ZAVEDENIE INOVATÍVNYCH KONCEPCIÍ, KTORÉ UMOŽŇUJÚ VÝRAZNE ZNÍŽIŤ MNOŽSTVO, AK SA POUŽIJE, BEZ TOHO, ABY SA PENALIZOVALA SÚČASNÁ VYSOKÁ ÚČINNOSŤ KONVERZIE. _x000D_ _x000D_ tento PROJEKT NA DEVELOP A NEW CONCEPT OF ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHMENT Recient DEVELOPMENT, CLEVATED TO CABO s IP PARTICIPATION, a ktorý umožňuje odlupovať OBL OF SI v MULTIPLES ULTRAFINE monokryštalických čiapok (Groser 1Φ20 µM). TEDA, KEĎ JE ROZDELENÝ MEDZI POČET EXFOLIOVANÝCH VRSTIEV, MNOŽSTVO KREMÍKA A ENERGIE POTREBNEJ NA VYROBENÚ BUNKU JE VÝRAZNE ZNÍŽENÉ. ZÁKLADNOU VÝHODOU TEJTO TECHNOLÓGIE JE, ŽE NA ROZDIEL OD INÝCH ALTERNATÍV, KTORÉ POSTUPNE VYTVÁRAJÚ VRSTVY OPÄTOVNÝM POUŽITÍM SUBSTRÁTU, SA VRSTVY VYRÁBAJÚ SÚČASNE V JEDNOM PROCESE. PRETO SA NAVRHUJE VYVINÚŤ VÝROBNÚ TECHNOLÓGIU TOHTO MATERIÁLU A APLIKOVAŤ JU NA VÝROBU TENKÝCH BUNIEK SO ZADNÝMI INTERDIGITÁLNYMI KONTAKTMI (IBC ŠTRUKTÚRA) S POUŽITÍM PROCESOV PRI NÍZKEJ TEPLOTE. TÁTO BUNKOVÁ ŠTRUKTÚRA, OKREM TOHO, ŽE REPREZENTUJE STAV TECHNIKY VO VYSOKEJ ÚČINNOSTI, UMOŽNÍ ZJEDNODUŠIŤ MANIPULÁCIU A SPRACOVANIE JEMNÝCH BUNIEK. STRUČNE POVEDANÉ, CIEĽOM TOHTO PROJEKTU JE INOVATÍVNE KOMBINOVAŤ NAJMODERNEJŠIE SOLÁRNE ČLÁNKY C-SI S NOVÝM ULTRAJEMNÝM KRYŠTALICKÝM SUBSTRÁTOM S CIEĽOM OTVORIŤ NOVÉ PERSPEKTÍVY FOTOVOLTAICKEJ TECHNOLÓGIE. (Slovak)
18 August 2022
0 references
LÉIRÍONN BEAGNACH (90 %) DE NA PAINÉIL FHÓTAVOLTACHA A THÁIRGTEAR AGUS A SHUITEÁILTEAR AR FUD AN DOMHAIN AR THEICNEOLAÍOCHT AGUS RÉAMHAISNÉISÍ CRIOSTALACH SILICON (C-SI) GO LEANFAIDH SÉ SEO AR AGHAIDH AR FEADH I BHFAD. IS IAD NA STRAITÉISÍ A SAOTHRAÍODH GO STAIRIÚIL CHUN COSTAIS GHLÚIN FÓTAVOLTACH A LAGHDÚ NÁ DHÁ CHEANN: ÉIFEACHTÚLACHT A FHEABHSÚ AGUS COSTAIS NA N-ÁBHAR A ÚSÁIDTEAR A LAGHDÚ. LE FICHE BLIAIN ANUAS TÁ ÉIFEACHTÚLACHT NA GCEALL FÓTAVOLTACH AG DRUIDIM DE RÉIR A CHÉILE LEIS AN TEORAINN TEOIRICIÚIL. SA LÁ ATÁ INNIU ANN, TÁ NA CEALLA IS ÉIFEACHTAÍ TAR ÉIS NA NAISC AGUS NA TEAGMHÁLACHA A BHOGADH CHUIG AN AGHAIDH CÚIL (STRUCHTÚIR ICB, AIS-JUNCTION IDIRDHIGITITHE AR AIS) AG FÁGÁIL AN DROMCHLA TOSAIGH GO HIOMLÁN SAOR Ó SCÁTH AGUS ÉIFEACHTÚLACHT TAIFEAD 25.6 % A BHAINT AMACH. MAIDIR LE PRAGHAS NA BPAINÉAL, TÁ CUID MHÓR DÁ CHOSTAS TÁIRGTHE, THART AR 32 %, FÓS COMHCHRUINNITHE AN SILICON A ÚSÁIDTEAR AGUS A CHLAOCHLÚ I SLISEOGA. DÁ BHRÍ SIN, CEANN DE NA HEOCHRACHA DO THEICNEOLAÍOCHT FHÓTAVOLTACH IS EA COINCHEAPA NUÁLACHA A THABHAIRT ISTEACH A CHUIREANN AR CHUMAS LAGHDÚ SUNTASACH A DHÉANAMH AR AN MÉID A ÚSÁIDTEAR GAN PIONÓS A GHEARRADH AR NA HÉIFEACHTÚLACHTAÍ COMHSHÓ ARD ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR. _x000D_ _x000D_ an PRIOECT seo atá dírithe ar choinbhinsiún nua a bhaint amach ar Celula SOLAR Celula ag baint úsáide as Forbairt Riachtanach Celula, atá cláraithe chun páirt a ghlacadh le páirtiú IP, agus cead tugtha dó OBL SIAR I gcaidhpeanna monachriostalacha ULTRAFINE (Grosaire 1°20 µM) a dhí-chomhdhlúthú. DÁ BHRÍ SIN, NUAIR A ROINNTEAR IDIR LÍON NA SRAITHEANNA EXFOLIATED, LAGHDAÍTEAR AN MÉID SILICON AGUS FUINNIMH IS GÁ IN AGHAIDH NA CILLE MONARAITHE GO MÓR. BUNTÁISTE BUNÚSACH IS EA AN TEICNEOLAÍOCHT SEO, MURAB IONANN AGUS ROGHANNA EILE A THÁIRGEANN NA SRAITHEANNA I NDIAIDH A CHÉILE TRÍD AN TSUBSTRÁIT A ATHÚSÁID, ANSEO DÉANTAR NA SRAITHEANNA A THÁIRGEADH AG AN AM CÉANNA I BPRÓISEAS AMHÁIN. DÁ BHRÍ SIN, TÁ SÉ BEARTAITHE TEICNEOLAÍOCHT MONARAÍOCHTA AN ÁBHAIR SEO A FHORBAIRT AGUS É A CHUR I BHFEIDHM MAIDIR LE CEALLA TANAÍ A MHONARÚ LE TEAGMHÁLACHA IDIRDHIGITITHE CÚIL (STRUCHTÚR ICB) AG BAINT ÚSÁIDE AS PRÓISIS AG TEOCHT ÍSEAL. LEIS AN STRUCHTÚR CILLE SEO, CHOMH MAITH LE HIONADAÍOCHT A DHÉANAMH AR AN STÁT EALAÍNE I ARDÉIFEACHTÚLACHT, BEIFEAR IN ANN IONRAMHÁIL AGUS PRÓISEÁIL CEALLA FÍNEÁIL A SHIMPLIÚ. I MBEAGÁN FOCAL, TÁ SÉ MAR AIDHM AG AN TIONSCADAL SEO AN STÁT EALAÍNE I NGRIANCHEALLA C-SI A CHOMHCHEANGAL LE FOSHRAITH CRIOSTALACH ULTRAFINE NUA CHUN PEIRSPICTÍOCHTAÍ NUA A OSCAILT DO THEICNEOLAÍOCHT FHÓTAVOLTACH. (Irish)
18 August 2022
0 references
PRAKTICKY VŠECHNY (90 %) FOTOVOLTAICKÝCH PANELŮ, KTERÉ JSOU VYRÁBĚNY A INSTALOVÁNY GLOBÁLNĚ, JSOU ZALOŽENY NA TECHNOLOGII KRYSTALICKÉHO KŘEMÍKU (C-SI) A PROGNÓZY NAZNAČUJÍ, ŽE TO BUDE TRVAT DLOUHO. STRATEGIE, KTERÉ BYLY HISTORICKY SLEDOVÁNY KE SNÍŽENÍ NÁKLADŮ NA FOTOVOLTAICKOU VÝROBU, BYLY DVĚ: ZLEPŠENÍ ÚČINNOSTI A SNÍŽENÍ NÁKLADŮ NA POUŽITÉ MATERIÁLY. V POSLEDNÍCH DVOU DESETILETÍCH SE EFEKTIVITA FOTOVOLTAICKÝCH ČLÁNKŮ POSTUPNĚ BLÍŽÍ TEORETICKÉMU LIMITU. V SOUČASNÉ DOBĚ NEJEFEKTIVNĚJŠÍ BUŇKY PŘESUNULY SPOJENÍ A KONTAKTY DO ZADNÍ STRANY (STRUKTURY IBC, INTERDIGITOVANÉ ZADNÍ SPOJE KONTAKTOVANÉ), TAKŽE PŘEDNÍ POVRCH ZCELA BEZ STÍNU A DOSÁHL REKORDNÍ ÚČINNOSTI 25,6 %. POKUD JDE O CENU PANELŮ, VELKÁ ČÁST JEHO VÝROBNÍCH NÁKLADŮ, PŘIBLIŽNĚ 32 %, JE STÁLE KONCENTROVÁNA POUŽITÝ KŘEMÍK A JEHO PŘEMĚNA NA OPLATKY. PROTO JE JEDNÍM Z KLÍČŮ K FOTOVOLTAICKÉ TECHNOLOGII ZAVEDENÍ INOVATIVNÍCH KONCEPCÍ, KTERÉ UMOŽŇUJÍ VÝRAZNĚ SNÍŽIT MNOŽSTVÍ, POKUD SE POUŽÍVÁ, ANIŽ BY BYLA PENALIZOVÁNA SOUČASNÁ VYSOKÁ ÚČINNOST KONVERZE. _x000D_ _x000D_ tento PROJECT PRESENT PRO DEVELOPU NEW CONCEPT ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING A Recient DEVELOPMENT, CLEVATED to CABO s IP PARTICIPATION, A umožňuje exfoliovat OBL SI v monokrystalických uzávěrech ULTRAFINE ULTRAFINE (Groser 1Å20 µM). TEDY, KDYŽ SE ROZDĚLÍ MEZI POČET EXFOLIOVANÝCH VRSTEV, MNOŽSTVÍ KŘEMÍKU A ENERGIE POTŘEBNÉ NA VYROBENOU BUŇKU JE VÝRAZNĚ SNÍŽENO. ZÁKLADNÍ VÝHODOU TÉTO TECHNOLOGIE JE, ŽE NA ROZDÍL OD JINÝCH ALTERNATIV, KTERÉ POSTUPNĚ VYTVÁŘEJÍ VRSTVY OPĚTOVNÝM POUŽITÍM SUBSTRÁTU, SE VRSTVY VYRÁBĚJÍ SOUČASNĚ V JEDINÉM PROCESU. PROTO SE NAVRHUJE VYVINOUT VÝROBNÍ TECHNOLOGII TOHOTO MATERIÁLU A POUŽÍT JI NA VÝROBU TENKÝCH ČLÁNKŮ SE ZADNÍMI INTERDIGITOVANÝMI KONTAKTY (STRUKTURA IBC) ZA POUŽITÍ PROCESŮ PŘI NÍZKÝCH TEPLOTÁCH. TATO BUNĚČNÁ STRUKTURA, KROMĚ TOHO, ŽE PŘEDSTAVUJE STAV UMĚNÍ VE VYSOKÉ ÚČINNOSTI, UMOŽNÍ ZJEDNODUŠIT MANIPULACI A ZPRACOVÁNÍ JEMNÝCH BUNĚK. STRUČNĚ ŘEČENO, CÍLEM TOHOTO PROJEKTU JE INOVATIVNĚ SPOJIT SOUČASNÝ STAV V SOLÁRNÍCH ČLÁNCÍCH C-SI S NOVÝM ULTRAJEMNÝM KRYSTALICKÝM SUBSTRÁTEM S CÍLEM OTEVŘÍT NOVÉ PERSPEKTIVY FOTOVOLTAICKÝM TECHNOLOGIÍM. (Czech)
18 August 2022
0 references
PRATICAMENTE TODOS (90 %) DOS PAINÉIS FOTOVOLTAICOS QUE SÃO PRODUZIDOS E INSTALADOS GLOBALMENTE SÃO GANZAS NA TECNOLOGIA DE SILÍCIO CRISTALINO (C-SI) E AS PREVISÕES INDICAM QUE ISSO CONTINUARÁ POR MUITO TEMPO. AS ESTRATÉGIAS HISTORICAMENTE DESENVOLVIDAS PARA REDUZIR OS CUSTOS DA GERAÇÃO FOTOVOLTAICA FORAM DUAS: MELHORAR A EFICIÊNCIA E REDUZIR OS CUSTOS DOS MATERIAIS UTILIZADOS. NAS ÚLTIMAS DUAS DÉCADAS, A EFICIÊNCIA DAS CÉLULAS FOTOVOLTAICAS VEM SE APROXIMANDO GRADUALMENTE DO LIMITE TEÓRICO. HOJE, AS CÉLULAS MAIS EFICIENTES MOVERAM AS CONEXÕES E CONTATOS PARA A FACE TRASEIRA (ESTRUTURAS IBC, INTERDIGITADAS BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) DEIXANDO A SUPERFÍCIE FRONTAL TOTALMENTE LIVRE DE SOMBRAS E ATINGINDO UMA EFICIÊNCIA RECORDE DE 25,6 %. QUANTO AO PREÇO DOS PAINÉIS, UMA GRANDE PARTE DOS SEUS CUSTOS DE PRODUÇÃO, CERCA DE 32 %, CONTINUA A CONCENTRAR O SILÍCIO UTILIZADO E A SUA TRANSFORMAÇÃO EM BOLACHAS. PORTANTO, UMA DAS CHAVES DA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA É A INTRODUÇÃO DE CONCEITOS INOVADORES QUE PERMITEM REDUZIR SIGNIFICATIVAMENTE A QUANTIDADE DE SE USADO SEM PENALIZAR AS ALTAS EFICIÊNCIAS DE CONVERSÃO ATUAIS. _x000D_ _x000D_ este PROJETO PRESENTE DE DESENVOLVIMENTO UM NOVA CONCEITAÇÃO DE Célula Solar ULTRAFINA UTILISHING UMA DESENVOLVIMENTO reciproca, CLEVADO PARA CABO COM PARTICIPAÇÃO IP, E permitido esfoliar um OBL DE SI EM MULTIPLES ULTRAFINE CUIDOS monocristalinos (Groser 1¿20 µM). ASSIM, QUANDO DIVIDIDO ENTRE O NÚMERO DE CAMADAS ESFOLIADAS, A QUANTIDADE DE SILÍCIO E ENERGIA NECESSÁRIA POR CÉLULA FABRICADA É MUITO REDUZIDA. UMA VANTAGEM FUNDAMENTAL DESSA TECNOLOGIA É QUE, AO CONTRÁRIO DE OUTRAS ALTERNATIVAS QUE PRODUZEM AS CAMADAS SUCESSIVAMENTE PELA REUTILIZAÇÃO DO SUBSTRATO, AQUI AS CAMADAS SÃO PRODUZIDAS SIMULTANEAMENTE EM UM ÚNICO PROCESSO. POR CONSEGUINTE, PROPÕE-SE DESENVOLVER A TECNOLOGIA DE FABRICO DESTE MATERIAL E APLICÁ-LA AO FABRICO DE CÉLULAS FINAS COM CONTACTOS INTERDIGITADOS TRASEIROS (ESTRUTURA IBC) UTILIZANDO PROCESSOS A BAIXA TEMPERATURA. ESTA ESTRUTURA TELEMÓVEL, ALÉM DE REPRESENTAR O ESTADO DA ARTE EM ALTA EFICIÊNCIA, PERMITIRÁ SIMPLIFICAR A MANIPULAÇÃO E O PROCESSAMENTO DE CÉLULAS FINAS. EM SUMA, ESTE PROJETO VISA COMBINAR DE FORMA INOVADORA O ESTADO DA ARTE EM CÉLULAS SOLARES C-SI COM UM NOVO SUBSTRATO CRISTALINO ULTRAFINO, A FIM DE ABRIR NOVAS PERSPETIVAS PARA A TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA. (Portuguese)
18 August 2022
0 references
PEAAEGU KÕIK (90 %) ÜLEMAAILMSELT TOODETAVATEST JA PAIGALDATUD FOTOGALVAANILISTEST PANEELIDEST PÕHINEVAD KRISTALSE RÄNI (C-SI) TEHNOLOOGIAL JA PROGNOOSID NÄITAVAD, ET SEE JÄTKUB PIKKA AEGA. FOTOGALVAANILISE TOOTMISE KULUDE VÄHENDAMISEKS ON VAREM RAKENDATUD KAHTE STRATEEGIAT: TÕHUSUSE SUURENDAMINE JA KASUTATAVATE MATERJALIDEGA SEOTUD KULUDE VÄHENDAMINE. VIIMASE KAHE AASTAKÜMNE JOOKSUL ON FOTOGALVAANILISTE RAKKUDE EFEKTIIVSUS JÄRK-JÄRGULT LÄHENEMAS TEOREETILISELE PIIRILE. TÄNAPÄEVAL ON KÕIGE TÕHUSAMAD RAKUD LIIGUTANUD ÜHENDUSI JA KONTAKTE TAGAKÜLJELE (IBC STRUKTUURID, INTERDIGITEERITUD TAGASI-SÕLME TAGASIKONTAKTIGA), JÄTTES ESIPINNA TÄIESTI VARJUVABAKS JA SAAVUTADES REKORDILISE TÕHUSUSE 25,6 %. MIS PUUTUB PANEELIDE HINNASSE, SIIS SUUR OSA SELLE TOOTMISKULUDEST (LIGIKAUDU 32 %) KONTSENTREERITAKSE ENDISELT KASUTATAVA RÄNI JA SELLE PLAATIDEKS MUUNDAMISE TEEL. SEETÕTTU ON FOTOGALVAANILISE TEHNOLOOGIA ÜHEKS VÕTMEKS UUENDUSLIKE KONTSEPTSIOONIDE KASUTUSELEVÕTT, MIS VÕIMALDAVAD OLULISELT VÄHENDADA KASUTATAVAT KOGUST, ILMA ET SEE KAHJUSTAKS PRAEGUST SUURT MUUNDAMISE KASUTEGURIT. _x000D_ _x000D_ see PROJECT PRESENT TO DEVELOP NEW CONCEPT OF ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING Relient DEVELOPMENT, CLEVATED TO CABO WITH IP PARTICIPATION, Ja lubatud koorida OBL SI MULTIPLES ULTRAFINE monokristalne korgid (Groser 1,20 µM). SEEGA, KUI JAGADA KOORITUD KIHTIDE ARV, RÄNI JA ENERGIA VAJA IGA TOODETUD RAKU OLULISELT VÄHENDADA. SELLE TEHNOLOOGIA PEAMINE EELIS ON SEE, ET ERINEVALT TEISTEST ALTERNATIIVIDEST, MIS TOODAVAD KIHTE JÄRJESTIKKU SUBSTRAADI TAASKASUTAMISEGA, TOODETAKSE KIHTE SAMAL AJAL ÜHES PROTSESSIS. SEETÕTTU TEHAKSE ETTEPANEK ARENDADA SELLE MATERJALI TOOTMISTEHNOLOOGIAT JA RAKENDADA SEDA TAGAKÜLGEDE VAHELDUVATE KONTAKTIDEGA (IBC STRUKTUUR) ÕHUKESTE ELEMENTIDE TOOTMISEL, KASUTADES MADALAL TEMPERATUURIL PROTSESSE. SEE RAKU STRUKTUUR, LISAKS ESINDADES TEHNIKA TASET KÕRGE EFEKTIIVSUSEGA, VÕIMALDAB LIHTSUSTADA MANIPULEERIMIST JA TÖÖTLEMIST PEENRAKUD. LÜHIDALT ÖELDES ON PROJEKTI EESMÄRK ÜHENDADA C-SI PÄIKESEELEMENTIDE KUNSTITASE UUENDUSLIKULT UUE ÜLIPEENE KRISTALLILISE SUBSTRAADIGA, ET AVADA FOTOGALVAANILISELE TEHNOLOOGIALE UUSI PERSPEKTIIVE. (Estonian)
18 August 2022
0 references
GYAKORLATILAG A VILÁGSZINTEN GYÁRTOTT ÉS TELEPÍTETT FOTOVOLTAIKUS PANELEK MINDEGYIKE (90%) KRISTÁLYOS SZILÍCIUM (C-SI) TECHNOLÓGIÁN ALAPUL, ÉS AZ ELŐREJELZÉSEK AZT MUTATJÁK, HOGY EZ HOSSZÚ IDEIG FOLYTATÓDNI FOG. A FOTOVOLTAIKUS ENERGIATERMELÉS KÖLTSÉGEINEK CSÖKKENTÉSE ÉRDEKÉBEN HAGYOMÁNYOSAN KÉT STRATÉGIÁT KÖVETNEK: A HATÉKONYSÁG NÖVELÉSE ÉS A FELHASZNÁLT ANYAGOK KÖLTSÉGEINEK CSÖKKENTÉSE. AZ ELMÚLT KÉT ÉVTIZEDBEN A FOTOVOLTAIKUS ELEMEK HATÉKONYSÁGA FOKOZATOSAN MEGKÖZELÍTETTE AZ ELMÉLETI HATÁRÉRTÉKET. MA A LEGHATÉKONYABB CELLÁK MOZGATTÁK A KAPCSOLATOKAT ÉS ÉRINTKEZŐKET A HÁTSÓ FELÜLETRE (IBC SZERKEZETEK, INTERDIGITÁLT BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED), ÍGY AZ ELÜLSŐ FELÜLET TELJESEN ÁRNYÉKMENTES ÉS REKORDHATÉKONYSÁGA 25,6%. AMI A PANELEK ÁRÁT ILLETI, GYÁRTÁSI KÖLTSÉGEINEK NAGY RÉSZE, MINTEGY 32%-A MÉG MINDIG KONCENTRÁLÓDIK A FELHASZNÁLT SZILÍCIUMRA ÉS ANNAK LEMEZEKKÉ TÖRTÉNŐ ÁTALAKÍTÁSÁRA. EZÉRT A FOTOVOLTAIKUS TECHNOLÓGIA EGYIK KULCSA OLYAN INNOVATÍV KONCEPCIÓK BEVEZETÉSE, AMELYEK LEHETŐVÉ TESZIK A HASZNÁLATUK MENNYISÉGÉNEK JELENTŐS CSÖKKENTÉSÉT ANÉLKÜL, HOGY BÜNTETNÉK A JELENLEGI NAGY KONVERZIÓS HATÉKONYSÁGNÖVEKEDÉST. _x000D_ _x000D_ ez a PROJEKT ELŐZETES A ULTRAFINE SOLAR celula új CONCEPT-jét egy jókora FEJEZETI FEJEZETRE VONATKOZÓ KÖVETKEZTETÉSI FEJEZETRE VONATKOZÓ ELŐZETESÍTÉSRE VONATKOZÓ ELŐZETES FELHASZNÁLÁSRA VONATKOZÓ ELŐZETT ELŐZETES ELŐZETES ELŐZETESÍTÉSI ELŐZETEK ELŐZETTETŐ ELŐZETTETŐ ELŐZETÉBEN (1–20 µM grroser) engedélyezve volt, hogy az ULTRAFINE egykristályos kupakban egy szemhéjat hámozzanak. ÍGY, HA ELOSZTJUK A HÁMOZOTT RÉTEGEK SZÁMA, A SZILÍCIUM MENNYISÉGE ÉS A SZÜKSÉGES ENERGIA EGY GYÁRTOTT CELLA JELENTŐSEN CSÖKKEN. ENNEK A TECHNOLÓGIÁNAK AZ EGYIK ALAPVETŐ ELŐNYE, HOGY ELLENTÉTBEN MÁS ALTERNATÍVÁKKAL, AMELYEK A RÉTEGEKET EGYMÁS UTÁN, A SZUBSZTRÁTUM ÚJRAHASZNÁLATÁVAL ÁLLÍTJÁK ELŐ, ITT A RÉTEGEKET EGYSZERRE, EGYETLEN FOLYAMAT SORÁN ÁLLÍTJÁK ELŐ. EZÉRT JAVASOLT EZEN ANYAG GYÁRTÁSI TECHNOLÓGIÁJÁNAK FEJLESZTÉSE ÉS ALKALMAZÁSA A HÁTSÓ INTERDIGITÁLT ÉRINTKEZŐKKEL (IBC-STRUKTÚRÁVAL) RENDELKEZŐ VÉKONY CELLÁK GYÁRTÁSÁRA ALACSONY HŐMÉRSÉKLETŰ FOLYAMATOK ALKALMAZÁSÁVAL. EZ A SEJTSZERKEZET, AMELLETT, HOGY KÉPVISELI A LEGKORSZERŰBB NAGY HATÉKONYSÁGÚ, LEHETŐVÉ TESZI, HOGY EGYSZERŰSÍTSE A MANIPULÁCIÓ ÉS FELDOLGOZÁSA FINOM SEJTEK. RÖVIDEN, A PROJEKT CÉLJA, HOGY INNOVATÍV MÓDON ÖTVÖZZE A C-SI NAPELEMEK KORSZERŰ TECHNOLÓGIÁJÁT EGY ÚJ ULTRAFINOM KRISTÁLYOS SZUBSZTRÁTTAL, HOGY ÚJ PERSPEKTÍVÁKAT NYISSON MEG A FOTOVOLTAIKUS TECHNOLÓGIA ELŐTT. (Hungarian)
18 August 2022
0 references
ПОЧТИ ВСИЧКИ (90 %) ФОТОВОЛТАИЧНИ ПАНЕЛИ, КОИТО СЕ ПРОИЗВЕЖДАТ И ИНСТАЛИРАТ В СВЕТОВЕН МАЩАБ, СЕ ОСНОВАВАТ НА ТЕХНОЛОГИЯТА НА КРИСТАЛНИЯ СИЛИЦИЙ (C-SI) И ПРОГНОЗИТЕ СОЧАТ, ЧЕ ТОВА ЩЕ ПРОДЪЛЖИ ДЪЛГО ВРЕМЕ. ИСТОРИЧЕСКИ СЛЕДВАНИТЕ СТРАТЕГИИ ЗА НАМАЛЯВАНЕ НА РАЗХОДИТЕ ЗА ФОТОВОЛТАИЧНО ПРОИЗВОДСТВО СА ДВЕ: ПОДОБРЯВАНЕ НА ЕФЕКТИВНОСТТА И НАМАЛЯВАНЕ НА РАЗХОДИТЕ ЗА ИЗПОЛЗВАНИТЕ МАТЕРИАЛИ. ПРЕЗ ПОСЛЕДНИТЕ ДВЕ ДЕСЕТИЛЕТИЯ ЕФЕКТИВНОСТТА НА ФОТОВОЛТАИЧНИТЕ КЛЕТКИ ПОСТЕПЕННО СЕ ДОБЛИЖАВА ДО ТЕОРЕТИЧНАТА ГРАНИЦА. ДНЕС, НАЙ-ЕФЕКТИВНИТЕ КЛЕТКИ СА ПРЕМЕСТИЛИ ВРЪЗКИТЕ И КОНТАКТИТЕ КЪМ ЗАДНАТА СТРАНА (IBC СТРУКТУРИ, КРЪСТОСАНИ ГРЪБ-КОНТАКТНА ВРЪЗКА) ОСТАВЯЙКИ ПРЕДНАТА ПОВЪРХНОСТ НАПЪЛНО БЕЗ СЯНКА И ДОСТИГАЙКИ РЕКОРДНА ЕФЕКТИВНОСТ ОТ 25,6 %. ЩО СЕ ОТНАСЯ ДО ЦЕНАТА НА ПАНЕЛИТЕ, ГОЛЯМА ЧАСТ ОТ ПРОИЗВОДСТВЕНИТЕ РАЗХОДИ, ОКОЛО 32 %, ВСЕ ОЩЕ СА КОНЦЕНТРИРАНИ ИЗПОЛЗВАНИЯ СИЛИЦИЙ И НЕГОВОТО ПРЕОБРАЗУВАНЕ В ПОЛУПРОВОДНИКОВИ ПЛАСТИНИ. СЛЕДОВАТЕЛНО ЕДИН ОТ КЛЮЧОВЕТЕ КЪМ ФОТОВОЛТАИЧНАТА ТЕХНОЛОГИЯ Е ВЪВЕЖДАНЕТО НА ИНОВАТИВНИ КОНЦЕПЦИИ, КОИТО ПОЗВОЛЯВАТ ЗНАЧИТЕЛНО НАМАЛЯВАНЕ НА КОЛИЧЕСТВОТО НА ИЗПОЛЗВАНИТЕ, БЕЗ ДА СЕ САНКЦИОНИРА НАСТОЯЩАТА ВИСОКА ЕФЕКТИВНОСТ НА ПРЕОБРАЗУВАНЕ. _x000D_ _x000D_ настоящия ПРОЕКТ ПРЕДСТАВЯНЕ НА НОВИ КОНСЕПТ НА ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING A recient DEVELOPMENT, CLEVATE TO CABO WITH IP PARTICIPATION, и разрешено да ексфолира OBL OF SI В ULTIPLES ULTRAFINE монокристални капачки (Groser 1'20 µM). ПО ТОЗИ НАЧИН, КОГАТО СЕ РАЗДЕЛЯ МЕЖДУ БРОЯ НА ЕКСФОЛИРАНИТЕ СЛОЕВЕ, КОЛИЧЕСТВОТО СИЛИЦИЙ И ЕНЕРГИЯ, НЕОБХОДИМИ ЗА ПРОИЗВЕДЕНА КЛЕТКА, СЕ НАМАЛЯВА ЗНАЧИТЕЛНО. ОСНОВНО ПРЕДИМСТВО НА ТАЗИ ТЕХНОЛОГИЯ Е, ЧЕ ЗА РАЗЛИКА ОТ ДРУГИ АЛТЕРНАТИВИ, КОИТО ПРОИЗВЕЖДАТ СЛОЕВЕТЕ ПОСЛЕДОВАТЕЛНО ЧРЕЗ ПОВТОРНО ИЗПОЛЗВАНЕ НА СУБСТРАТА, ТУК СЛОЕВЕТЕ СЕ ПРОИЗВЕЖДАТ ЕДНОВРЕМЕННО В ЕДИН ПРОЦЕС. ПОРАДИ ТОВА СЕ ПРЕДЛАГА ДА СЕ РАЗРАБОТИ ТЕХНОЛОГИЯТА ЗА ПРОИЗВОДСТВО НА ТОЗИ МАТЕРИАЛ И ТЯ ДА СЕ ПРИЛАГА ЗА ПРОИЗВОДСТВОТО НА ТЪНКИ КЛЕТКИ СЪС ЗАДНИ МЕЖДУЦИФРОВИ КОНТАКТИ (IBC СТРУКТУРА), КАТО СЕ ИЗПОЛЗВАТ ПРОЦЕСИ ПРИ НИСКА ТЕМПЕРАТУРА. ТАЗИ КЛЕТЪЧНА СТРУКТУРА, В ДОПЪЛНЕНИЕ КЪМ ПРЕДСТАВЯНЕТО НА СЪВРЕМЕННОТО ТЕХНИЧЕСКО РАВНИЩЕ ПРИ ВИСОКА ЕФЕКТИВНОСТ, ЩЕ ДАДЕ ВЪЗМОЖНОСТ ЗА ОПРОСТЯВАНЕ НА МАНИПУЛАЦИЯТА И ОБРАБОТКАТА НА ФИНИТЕ КЛЕТКИ. НАКРАТКО, ТОЗИ ПРОЕКТ ИМА ЗА ЦЕЛ ИНОВАТИВНОТО СЪЧЕТАВАНЕ НА НАЙ-СЪВРЕМЕННИТЕ ТЕХНОЛОГИИ В СОЛАРНИТЕ КЛЕТКИ C-SI С НОВ УЛТРАФИНЕН КРИСТАЛЕН СУБСТРАТ, ЗА ДА СЕ ОТКРИЯТ НОВИ ПЕРСПЕКТИВИ ЗА ФОТОВОЛТАИЧНАТА ТЕХНОЛОГИЯ. (Bulgarian)
18 August 2022
0 references
BEVEIK VISOS (90 %) VISAME PASAULYJE GAMINAMOS IR SUMONTUOTOS FOTOVOLTINĖS PLOKŠTĖS GRINDŽIAMOS KRISTALINIO SILICIO (C-SI) TECHNOLOGIJA IR PROGNOZĖS RODO, KAD TAI TĘSIS ILGĄ LAIKĄ. STRATEGIJOS, KURIOS ISTORIŠKAI BUVO VYKDOMOS SIEKIANT SUMAŽINTI FOTOVOLTINĖS ENERGIJOS GAMYBOS SĄNAUDAS, BUVO DVI: EFEKTYVUMO DIDINIMAS IR NAUDOJAMŲ MEDŽIAGŲ SĄNAUDŲ MAŽINIMAS. PER PASTARUOSIUS DU DEŠIMTMEČIUS FOTOVOLTINIŲ ELEMENTŲ EFEKTYVUMAS PALAIPSNIUI ARTĖJA PRIE TEORINĖS RIBOS. ŠIANDIEN EFEKTYVIAUSIOS LĄSTELĖS PERKĖLĖ JUNGTIS IR KONTAKTUS Į GALINĮ PAVIRŠIŲ (IBC STRUKTŪRAS, TARPUSAVYJE SUSKAITMENINTĄ ATGALINĖS JUNGTIES ATGALINĮ RYŠĮ), PALIKDAMI PRIEKINĮ PAVIRŠIŲ VISIŠKAI BE ŠEŠĖLIŲ IR PASIEKDAMI REKORDINĮ 25,6 % EFEKTYVUMĄ. KALBANT APIE PLOKŠČIŲ KAINĄ, DIDELĖ JŲ GAMYBOS SĄNAUDŲ DALIS, T. Y. APIE 32 %, VIS DAR SUTELKTA NAUDOJAMAM SILICIUI IR JO TRANSFORMAVIMUI Į PLOKŠTELES. TODĖL VIENAS IŠ FOTOVOLTINIŲ TECHNOLOGIJŲ RAKTŲ YRA NAUJOVIŠKŲ KONCEPCIJŲ, KURIOS LEIDŽIA ŽYMIAI SUMAŽINTI JŲ KIEKĮ, JEI NAUDOJAMAS, ĮDIEGIMAS, NEDARANT NEIGIAMO POVEIKIO DABARTINIAM AUKŠTAM KONVERSIJOS EFEKTYVUMUI. _x000D_ _x000D_ šis PROJEKTAS PRESENTUOJA NAUJĄ SOLAR Celula UTILIZING SOLAR Celula UTILIZUOTĄ SUTARTIJĄ, CLEVATed to CABO SU IP DARTICIPACIJA, ir leido austi SI OBL daugelyje ULTRAFINE monokristalinių dangtelių (Groser 1"20 µM). TAIGI, PADALIJUS Į AKYTŲJŲ SLUOKSNIŲ SKAIČIŲ, LABAI SUMAŽĖJA SILICIO IR ENERGIJOS KIEKIS, REIKALINGAS PAGAMINTAM ELEMENTUI. PAGRINDINIS ŠIOS TECHNOLOGIJOS PRIVALUMAS YRA TAS, KAD, SKIRTINGAI NUO KITŲ ALTERNATYVŲ, KURIOS IŠ EILĖS GAMINA SLUOKSNIUS PAKARTOTINAI PANAUDODAMI SUBSTRATĄ, ČIA SLUOKSNIAI GAMINAMI VIENU METU VIENU METU. TODĖL SIŪLOMA PLĖTOTI ŠIOS MEDŽIAGOS GAMYBOS TECHNOLOGIJĄ IR TAIKYTI JĄ PLONOMS LĄSTELĖMS SU GALINIAIS TARPSKAITMENINIAIS KONTAKTAIS (IBC STRUKTŪRA), NAUDOJANT PROCESUS ŽEMOJE TEMPERATŪROJE. ŠI LĄSTELIŲ STRUKTŪRA, BE TO, KAD ATSTOVAUTŲ MODERNIAUSIĄ AUKŠTĄ EFEKTYVUMĄ, LEIS SUPAPRASTINTI SMULKIŲ LĄSTELIŲ MANIPULIAVIMĄ IR APDOROJIMĄ. TRUMPAI TARIANT, ŠIUO PROJEKTU SIEKIAMA NOVATORIŠKAI SUDERINTI C-SI SAULĖS ELEMENTŲ MODERNUMĄ SU NAUJU ITIN SMULKIU KRISTALINIU SUBSTRATU, KAD BŪTŲ ATVERTOS NAUJOS FOTOVOLTINĖS TECHNOLOGIJOS PERSPEKTYVOS. (Lithuanian)
18 August 2022
0 references
GOTOVO SVI (90 %) FOTONAPONSKIH PLOČA KOJE SE PROIZVODE I INSTALIRAJU NA GLOBALNOJ RAZINI TEMELJE SE NA TEHNOLOGIJI KRISTALNOG SILICIJA (C-SI), A PROGNOZE POKAZUJU DA ĆE SE TO NASTAVITI DUGO VREMENA. STRATEGIJE KOJE SU SE POVIJESNO PROVODILE KAKO BI SE SMANJILI TROŠKOVI FOTONAPONSKE PROIZVODNJE BILE SU DVIJE: POBOLJŠANJE UČINKOVITOSTI I SMANJENJE TROŠKOVA KORIŠTENIH MATERIJALA. U POSLJEDNJA DVA DESETLJEĆA UČINKOVITOST FOTONAPONSKIH ĆELIJA POSTUPNO SE PRIBLIŽAVA TEORETSKOJ GRANICI. DANAS, NAJUČINKOVITIJE STANICE SU PREMJESTILI VEZE I KONTAKTE NA STRAŽNJOJ STRANI (IBC STRUKTURE, ISPREPLETENE BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) OSTAVLJAJUĆI PREDNJU POVRŠINU POTPUNO BEZ SJENE I DOSEGNUVŠI REKORDNU UČINKOVITOST OD 25,6 %. KAD JE RIJEČ O CIJENI PLOČA, VELIK DIO TROŠKOVA PROIZVODNJE, OKO 32 %, I DALJE JE KONCENTRIRAN NA UPOTRIJEBLJENI SILICIJ I NJEGOVU PRETVORBU U PLOČICE. STOGA JE JEDAN OD KLJUČEVA FOTONAPONSKE TEHNOLOGIJE UVOĐENJE INOVATIVNIH KONCEPATA KOJI OMOGUĆUJU ZNATNO SMANJENJE KOLIČINE KORIŠTENJA BEZ KAŽNJAVANJA TRENUTAČNE VISOKE UČINKOVITOSTI PRETVORBE. _x000D_ _x000D_ to PROJECT PRESENT TO DEVELOPOPO NEW CONCEPT ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING Određivanje recitenta, CLEVATED TO CABO S I PARTICIPATION, I dopušteno da se piling OBL SI u MULTIPLES ULTRAFINE monokristalne kape (Groser 1 – 20 µM). DAKLE, KADA SE PODIJELI IZMEĐU BROJA PILING SLOJEVA, KOLIČINA SILICIJA I ENERGIJE POTREBNE PO PROIZVEDENOJ ĆELIJI UVELIKE SE SMANJUJE. TEMELJNA PREDNOST OVE TEHNOLOGIJE JE DA, ZA RAZLIKU OD DRUGIH ALTERNATIVA KOJE PROIZVODE SLOJEVE SUKCESIVNO PONOVNOM UPORABOM SUPSTRATA, OVDJE SE SLOJEVI PROIZVODE ISTODOBNO U JEDNOM PROCESU. STOGA SE PREDLAŽE RAZVOJ PROIZVODNE TEHNOLOGIJE OVOG MATERIJALA I PRIMJENA NA PROIZVODNJU TANKIH STANICA SA STRAŽNJIM MEĐUZNAMENKASTIM KONTAKTIMA (STRUKTURA IBC-A) PRIMJENOM POSTUPAKA NA NISKOJ TEMPERATURI. OVA STANIČNA STRUKTURA, OSIM PREDSTAVLJANJA STANJA UMJETNOSTI U VISOKOJ UČINKOVITOSTI, OMOGUĆIT ĆE POJEDNOSTAVLJENJE MANIPULACIJE I OBRADE FINIH STANICA. UKRATKO, CILJ JE OVOG PROJEKTA INOVATIVNO KOMBINIRATI STANJE U PODRUČJU C-SI SOLARNIH ĆELIJA S NOVIM ULTRAFINIM KRISTALNIM SUPSTRATOM KAKO BI SE FOTONAPONSKOJ TEHNOLOGIJI OTVORILE NOVE PERSPEKTIVE. (Croatian)
18 August 2022
0 references
NÄSTAN ALLA (90 %) AV DE SOLCELLSPANELER SOM PRODUCERAS OCH INSTALLERAS GLOBALT BYGGER PÅ TEKNIK FÖR KRISTALLINT KISEL (C-SI), OCH PROGNOSER VISAR ATT DETTA KOMMER ATT FORTSÄTTA UNDER LÅNG TID. DE STRATEGIER SOM HISTORISKT HAR FÖLJTS FÖR ATT MINSKA KOSTNADERNA FÖR SOLCELLSGENERERING HAR VARIT TVÅ: FÖRBÄTTRA EFFEKTIVITETEN OCH MINSKA KOSTNADERNA FÖR DE MATERIAL SOM ANVÄNDS. UNDER DE SENASTE TVÅ DECENNIERNA HAR SOLCELLSCELLERNAS EFFEKTIVITET GRADVIS NÄRMAT SIG DEN TEORETISKA GRÄNSEN. IDAG HAR DE MEST EFFEKTIVA CELLERNA FLYTTAT ANSLUTNINGARNA OCH KONTAKTERNA TILL BAKSIDAN (IBC-STRUKTURER, INTERDIGITERADE RYGGKORSNINGAR BAKÅTKONTAKTADE) VILKET LÄMNAR DEN FRÄMRE YTAN HELT SKUGGFRI OCH NÅR EN REKORDEFFEKTIVITET PÅ 25,6 %. NÄR DET GÄLLER PRISET PÅ PANELERNA ÄR EN STOR DEL AV TILLVERKNINGSKOSTNADEN, OMKRING 32 %, FORTFARANDE KONCENTRERAD DEN KISEL SOM ANVÄNDS OCH DESS OMVANDLING TILL PLATTOR. DÄRFÖR ÄR EN AV NYCKLARNA TILL FOTOVOLTAISK TEKNIK INFÖRANDET AV INNOVATIVA KONCEPT SOM GÖR DET MÖJLIGT ATT AVSEVÄRT MINSKA MÄNGDEN OM DEN ANVÄNDS UTAN ATT STRAFFA DEN NUVARANDE HÖGA OMVANDLINGSEFFEKTIVITETEN. _x000D_ _x000D_ denna PROJEKT PRESENT to DEVELOP A NY CONCEPT OF ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING En recient DEVELOPMENT, KLEVATED to CABO MED IP PARTICIPATION, och tillåts exfoliera en OBL OF SI I MULTIPLES ULTRAFINE monokristallina kepsar (Groser 1–20 µM). SÅLEDES, NÄR DEN DELAS MELLAN ANTALET EXFOLIERADE SKIKT, MÄNGDEN KISEL OCH ENERGI SOM BEHÖVS PER TILLVERKAD CELL MINSKAS KRAFTIGT. EN GRUNDLÄGGANDE FÖRDEL MED DENNA TEKNIK ÄR ATT, TILL SKILLNAD FRÅN ANDRA ALTERNATIV SOM PRODUCERAR SKIKTEN SUCCESSIVT GENOM ATT ÅTERANVÄNDA SUBSTRATET, HÄR PRODUCERAS SKIKTEN SAMTIDIGT I EN ENDA PROCESS. DÄRFÖR FÖRESLÅS DET ATT MAN UTVECKLAR TILLVERKNINGSTEKNIKEN FÖR DETTA MATERIAL OCH TILLÄMPAR DEN PÅ TILLVERKNING AV TUNNA CELLER MED BAKRE INTERSIFFRIGA KONTAKTER (IBC-STRUKTUR) MED HJÄLP AV PROCESSER VID LÅG TEMPERATUR. DENNA CELLSTRUKTUR, FÖRUTOM ATT REPRESENTERA DEN SENASTE TEKNIKEN I HÖG EFFEKTIVITET, KOMMER ATT GÖRA DET MÖJLIGT ATT FÖRENKLA MANIPULERING OCH BEARBETNING AV FINCELLER. KORT SAGT SYFTAR DETTA PROJEKT TILL ATT PÅ ETT INNOVATIVT SÄTT KOMBINERA DEN SENASTE TEKNIKEN I C-SI-SOLCELLER MED ETT NYTT ULTRAFINT KRISTALLINT SUBSTRAT FÖR ATT ÖPPNA UPP NYA PERSPEKTIV FÖR FOTOVOLTAISK TEKNIK. (Swedish)
18 August 2022
0 references
PRACTIC, TOATE (90 %) PANOURILE FOTOVOLTAICE PRODUSE ȘI INSTALATE LA NIVEL MONDIAL SE BAZEAZĂ PE TEHNOLOGIA SILICIULUI CRISTALIN (C-SI), IAR PREVIZIUNILE INDICĂ FAPTUL CĂ ACEASTA VA CONTINUA PENTRU O LUNGĂ PERIOADĂ DE TIMP. STRATEGIILE CARE AU FOST URMĂRITE ÎN TRECUT PENTRU A REDUCE COSTURILE PRODUCERII DE ENERGIE FOTOVOLTAICĂ AU FOST DOUĂ: ÎMBUNĂTĂȚIREA EFICIENȚEI ȘI REDUCEREA COSTURILOR MATERIALELOR UTILIZATE. ÎN ULTIMELE DOUĂ DECENII, EFICIENȚA CELULELOR FOTOVOLTAICE S-A APROPIAT TREPTAT DE LIMITA TEORETICĂ. ÎN PREZENT, CELULELE CELE MAI EFICIENTE AU DEPLASAT CONEXIUNILE ȘI CONTACTELE CĂTRE FAȚA POSTERIOARĂ (STRUCTURI IBC, INTERDIGITAT BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) LĂSÂND SUPRAFAȚA FRONTALĂ COMPLET FĂRĂ UMBRĂ ȘI ATINGÂND O EFICIENȚĂ RECORD DE 25,6 %. ÎN CEEA CE PRIVEȘTE PREȚUL PANOURILOR, O MARE PARTE DIN COSTUL DE PRODUCȚIE, APROXIMATIV 32 %, ESTE ÎNCĂ CONCENTRATĂ ÎN SILICIUL UTILIZAT ȘI TRANSFORMAREA SA ÎN PLACHETE. PRIN URMARE, UNA DINTRE CHEILE TEHNOLOGIEI FOTOVOLTAICE ESTE INTRODUCEREA UNOR CONCEPTE INOVATOARE CARE SĂ PERMITĂ REDUCEREA SEMNIFICATIVĂ A CANTITĂȚII DACĂ ESTE UTILIZATĂ FĂRĂ A PENALIZA EFICIENȚA ACTUALĂ RIDICATĂ A CONVERSIEI. _x000D_ _x000D_ acest PROJECT PRESENT pentru a dezvolta un nou CONCEPT de ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING O DEVELOPMENT recient, CLEVATAT LA CABO CU PARTICIPARE IP, ȘI permis să exfolieze o LOBLĂ de SI ÎN MULTIPLELE capace monocristaline ULTRAFINE (Groser 1-20 µM). ASTFEL, ATUNCI CÂND ESTE ÎMPĂRȚIT ÎNTRE NUMĂRUL DE STRATURI EXFOLIATE, CANTITATEA DE SILICIU ȘI ENERGIA NECESARĂ PENTRU FIECARE CELULĂ FABRICATĂ ESTE FOARTE REDUSĂ. UN AVANTAJ FUNDAMENTAL AL ACESTEI TEHNOLOGII ESTE CĂ, SPRE DEOSEBIRE DE ALTE ALTERNATIVE CARE PRODUC STRATURILE SUCCESIV PRIN REUTILIZAREA SUBSTRATULUI, AICI STRATURILE SUNT PRODUSE SIMULTAN ÎNTR-UN SINGUR PROCES. PRIN URMARE, SE PROPUNE DEZVOLTAREA TEHNOLOGIEI DE FABRICAȚIE A ACESTUI MATERIAL ȘI APLICAREA ACESTEIA LA FABRICAREA CELULELOR SUBȚIRI CU CONTACTE INTERDIGITATE SPATE (STRUCTURA IBC) UTILIZÂND PROCESE LA TEMPERATURĂ SCĂZUTĂ. ACEASTĂ STRUCTURĂ CELULARĂ, PE LÂNGĂ REPREZENTAREA STADIULUI TEHNICII ÎN EFICIENȚĂ RIDICATĂ, VA FACE POSIBILĂ SIMPLIFICAREA MANIPULĂRII ȘI PRELUCRĂRII CELULELOR FINE. PE SCURT, ACEST PROIECT ARE CA SCOP COMBINAREA INOVATOARE A STĂRII DE ARTĂ ÎN CELULELE SOLARE C-SI CU UN NOU SUBSTRAT CRISTALIN ULTRAFIN PENTRU A DESCHIDE NOI PERSPECTIVE PENTRU TEHNOLOGIA FOTOVOLTAICĂ. (Romanian)
18 August 2022
0 references
SKORAJ VSI (90 %) FOTONAPETOSTNI PANELI, KI SE PROIZVAJAJO IN NAMEŠČAJO GLOBALNO, TEMELJIJO NA TEHNOLOGIJI KRISTALNEGA SILICIJA (C-SI), NAPOVEDI PA KAŽEJO, DA SE BO TO NADALJEVALO ŠE DOLGO ČASA. STRATEGIJE, KI SO SE V PRETEKLOSTI IZVAJALE ZA ZMANJŠANJE STROŠKOV FOTONAPETOSTNE GENERACIJE, SO BILE: IZBOLJŠANJE UČINKOVITOSTI IN ZMANJŠANJE STROŠKOV UPORABLJENIH MATERIALOV. V ZADNJIH DVEH DESETLETJIH SE UČINKOVITOST FOTOVOLTAIČNIH CELIC POSTOPOMA PRIBLIŽUJE TEORETIČNI MEJI. DANES SO NAJUČINKOVITEJŠE CELICE PREMAKNILE POVEZAVE IN KONTAKTE NA ZADNJO STRAN (STRUKTURE IBC, INTERDIGITIRANE NAZAJ-JUNCTION BACK-STITACTED), TAKO DA JE SPREDNJA POVRŠINA POPOLNOMA BREZ SENC IN DOSEGLA REKORDNO UČINKOVITOST 25,6 %. KAR ZADEVA CENO PANELOV, JE VELIK DELEŽ NJEGOVIH PROIZVODNIH STROŠKOV, PRIBLIŽNO 32 %, ŠE VEDNO KONCENTRIRAN SILICIJ, KI SE UPORABLJA, IN NJEGOVA PREDELAVA V REZINE. ZATO JE EDEN OD KLJUČEV FOTONAPETOSTNE TEHNOLOGIJE UVEDBA INOVATIVNIH KONCEPTOV, KI OMOGOČAJO ZNATNO ZMANJŠANJE KOLIČINE, ČE SE UPORABLJA, NE DA BI KAZNOVALI TRENUTNO VISOKO UČINKOVITOST PRETVORBE. _x000D_ _x000D_ ta PROJEKT PREDSTAVLJANJA ZA NOVOSTI NOVE NOVE NIČENJE ULTRAFINE SOLAR celule UTILISHING V MULTIPLESU ULTRAFINE monokristalinične kape, KI JIH IZPOSTAVLJENE Z PODJETJEM IZDELKU IN OBVEZNOSTI OBMOČJA ULTRAFINE monokristaliničnih kapic (Groser 1ρ20 µM). TAKO SE, KO SE RAZDELI MED ŠTEVILO LUŠČENIH PLASTI, KOLIČINA SILICIJA IN ENERGIJE, KI JE POTREBNA NA PROIZVEDENO CELICO, MOČNO ZMANJŠA. TEMELJNA PREDNOST TE TEHNOLOGIJE JE, DA SE V NASPROTJU Z DRUGIMI ALTERNATIVAMI, KI ZAPOREDNO PROIZVAJAJO PLASTI S PONOVNO UPORABO SUBSTRATA, TU PLASTI PROIZVAJAJO HKRATI V ENEM SAMEM PROCESU. ZATO SE PREDLAGA RAZVOJ PROIZVODNE TEHNOLOGIJE TEGA MATERIALA IN NJEGOVA UPORABA PRI PROIZVODNJI TANKIH CELIC Z ZADNJIMI INTERDIGITIRANIMI KONTAKTI (STRUKTURA IBC) Z UPORABO POSTOPKOV PRI NIZKI TEMPERATURI. TA CELIČNA STRUKTURA BO POLEG TEGA, DA PREDSTAVLJA NAJSODOBNEJŠE STANJE V VISOKI UČINKOVITOSTI, OMOGOČILA POENOSTAVITEV MANIPULACIJE IN OBDELAVE FINIH CELIC. SKRATKA, CILJ TEGA PROJEKTA JE INOVATIVNO ZDRUŽITI STANJE V SONČNIH CELICAH C-SI Z NOVIM ULTRAFINIM KRISTALNIM SUBSTRATOM, DA BI ODPRLI NOVE PERSPEKTIVE FOTONAPETOSTNI TEHNOLOGIJI. (Slovenian)
18 August 2022
0 references
PRAKTYCZNIE WSZYSTKIE (90 %) PANELE FOTOWOLTAICZNE PRODUKOWANE I INSTALOWANE NA CAŁYM ŚWIECIE OPIERAJĄ SIĘ NA TECHNOLOGII KRZEMU KRYSTALICZNEGO (C-SI), A PROGNOZY WSKAZUJĄ, ŻE BĘDZIE TO KONTYNUOWANE PRZEZ DŁUGI CZAS. STRATEGIE, KTÓRE W PRZESZŁOŚCI BYŁY REALIZOWANE W CELU ZMNIEJSZENIA KOSZTÓW PRODUKCJI ENERGII FOTOWOLTAICZNEJ, BYŁY DWIE: POPRAWA EFEKTYWNOŚCI I OBNIŻENIE KOSZTÓW STOSOWANYCH MATERIAŁÓW. W CIĄGU OSTATNICH DWÓCH DEKAD WYDAJNOŚĆ OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH STOPNIOWO ZBLIŻAŁA SIĘ DO TEORETYCZNEGO LIMITU. OBECNIE NAJBARDZIEJ WYDAJNE OGNIWA PRZESUNĘŁY POŁĄCZENIA I KONTAKTY NA TYLNĄ POWIERZCHNIĘ (STRUKTURY IBC, INTERCYFROWANE WSTECZNE ZAKRĘTY) POZOSTAWIAJĄC PRZEDNIĄ POWIERZCHNIĘ CAŁKOWICIE BEZ CIENIA I OSIĄGAJĄC REKORDOWĄ WYDAJNOŚĆ 25,6 %. JEŚLI CHODZI O CENĘ PANELI, ZNACZNA CZĘŚĆ KOSZTÓW PRODUKCJI, OKOŁO 32 %, JEST NADAL SKONCENTROWANA NA STOSOWANYM KRZEMIE I JEGO PRZEKSZTAŁCENIU W PŁYTKI. W ZWIĄZKU Z TYM JEDNYM Z KLUCZY DO TECHNOLOGII FOTOWOLTAICZNEJ JEST WPROWADZENIE INNOWACYJNYCH KONCEPCJI, KTÓRE POZWALAJĄ ZNACZNIE ZMNIEJSZYĆ ILOŚĆ, JEŚLI SĄ STOSOWANE, BEZ KARANIA OBECNYCH WYSOKICH WYDAJNOŚCI KONWERSJI. _x000D_ _x000D_ ten PROJEKT PRZEDSIĘBIORSTWA NA NOWYCH KONCEptach ULTRAFINE SOLAR Cella UTILISHING Recient DEVELOPMENT, CLEVATED TO CABO Z ARTICIPRACJĄ I zezwolił na złuszczanie OBL OF SI IN MULTIPLES ULTRAFINE monokrystaliczne czapki (Groser 1¿20 µM). TAK WIĘC, GDY DZIELI SIĘ NA LICZBĘ ZŁUSZCZANYCH WARSTW, ILOŚĆ KRZEMU I ENERGII POTRZEBNEJ NA WYTWORZONE OGNIWO JEST ZNACZNIE ZMNIEJSZONA. PODSTAWOWĄ ZALETĄ TEJ TECHNOLOGII JEST TO, ŻE W PRZECIWIEŃSTWIE DO INNYCH ALTERNATYW, KTÓRE PRODUKUJĄ WARSTWY KOLEJNO POPRZEZ PONOWNE WYKORZYSTANIE PODŁOŻA, WARSTWY SĄ WYTWARZANE JEDNOCZEŚNIE W JEDNYM PROCESIE. W ZWIĄZKU Z TYM PROPONUJE SIĘ ROZWÓJ TECHNOLOGII WYTWARZANIA TEGO MATERIAŁU I STOSOWANIE GO DO PRODUKCJI CIENKICH OGNIW Z TYLNYMI STYKAMI INTERCYFROWYMI (STRUKTURA IBC) PRZY UŻYCIU PROCESÓW W NISKIEJ TEMPERATURZE. TA STRUKTURA KOMÓRKI, OPRÓCZ REPREZENTOWANIA STANU TECHNIKI W WYSOKIEJ WYDAJNOŚCI, POZWOLI UPROŚCIĆ MANIPULOWANIE I PRZETWARZANIE DROBNYCH KOMÓREK. KRÓTKO MÓWIĄC, PROJEKT TEN MA NA CELU INNOWACYJNE POŁĄCZENIE NAJNOWOCZEŚNIEJSZYCH OGNIW SŁONECZNYCH C-SI Z NOWYM ULTRADROBNYM KRYSTALICZNYM PODŁOŻEM, ABY OTWORZYĆ NOWE PERSPEKTYWY NA TECHNOLOGIĘ FOTOWOLTAICZNĄ. (Polish)
18 August 2022
0 references
Barcelona
0 references
20 December 2023
0 references
Identifiers
ENE2015-74009-JIN
0 references