EMERGING III-V DILUTED NITRIDE ALLOYS AND RELATED ENGINEERING NANOSTRUCTURES FOR HIGH EFFICIENCY PHOTOVOLTAIC AND PHOTODETECTION APPLICATIONS (Q3138194)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3138194 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | EMERGING III-V DILUTED NITRIDE ALLOYS AND RELATED ENGINEERING NANOSTRUCTURES FOR HIGH EFFICIENCY PHOTOVOLTAIC AND PHOTODETECTION APPLICATIONS |
Project Q3138194 in Spain |
Statements
83,154.36 Euro
0 references
103,220.41 Euro
0 references
80.56 percent
0 references
1 January 2014
0 references
30 June 2017
0 references
UNIVERSIDAD DE CADIZ
0 references
11510
0 references
LAS ALEACIONES SEMICONDUCTORAS DE GAASSBN SE HAN REVELADO COMO UNO DE LOS MATERIALES MAS PROMETEDORES PARA APLICACIONES FOTONICAS BASADAS EN GAAS. ESTE MATERIAL SE PUEDE CRECER EPITAXIALMENTE AJUSTADO EN RED AL GAAS Y TIENE UNA BANDA PROHIBIDA DE ENERGIA MAS PEQUEÑA Y SINTONIZABLE. ADEMAS, AÑADE PARTICULARIDADES ADICIONALES A LAS DE OTROS NITRUROS DILUIDOS COMO EL INGAASN, YA QUE PERMITE EL CONTROL INDEPENDIENTE DE LAS BANDAS DE CONDUCCION Y VALENCIA A TRAVES DEL CONTENIDO DE N Y SB, RESPECTIVAMENTE. POR TANTO, ES UN CANDIDATO IDEAL PARA LA INGENIERIA DE BANDAS Y DE TENSIONES-DEFORMACIONES. EN ESTE PROYECTO SE PROPONE EXPLOTAR LAS PROPIEDADES UNICAS DEL GAASSBN PARA FABRICAR DISPOSITIVOS FOTONICOS DE ALTA EFICIENCIA QUE PODRIAN MEJORAR LA TECNOLOGIA EXISTENTE EN DOS AREAS DE GRAN IMPACTO: CELULAS SOLARES Y COMUNICACIONES OPTICAS EN EL ESPACIO._x000D_ POR UN LADO, EL SB HA SIDO UTILIZADO RECIENTEMENTE COMO SURFACTANTE EN EL CRECIMIENTO POR EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) DE INGAASN PARA PRODUCIR CAPAS DE 1 EV AJUSTADAS EN RED AL GAAS EN CELULAS MULTI-UNION, PROPORCIONANDO LOS DOS ULTIMOS RECORD CONSECUTIVOS DE EFICIENCIA EN CELULAS SOLARES. EL GRAN NUMERO DE VENTAJAS INHERENTES DEL GAASSBN RESPECTO AL INGAASN DEBERIA PERMITIR MEJORAR SIGNIFICATIVAMENTE ESTOS RESULTADOS. POR OTRO LADO, LA FALTA DE UN MATERIAL ADECUADO PARA PRODUCIR FOTODETECTORES ALTAMENTE EFICIENTES A 1064 NM, ELEMENTO CLAVE EN LA TECNOLOGIA DE PROXIMA GENERACION DE COMUNICACION OPTICA EN EL ESPACIO, TAMBIEN PODRIA CUBRIRSE USANDO GAASSBN, CON NUMEROSAS VENTAJAS RESPECTO AL SISTEMA INGAAS/INP._x000D_ SE PROPONEN LAS DOS MISMAS APROXIMACIONES PARA AMBAS APLICACIONES. LA PRIMERA ES EL USO DE CAPAS GRUESAS DE GAASSBN AJUSTADAS EN RED AL GAAS PARA ASEGURAR UN ALTO VOLUMEN DE ABSORCION. LA SEGUNDA ES EL USO DE NUEVAS ESTRATEGIAS BASADAS EN NANOESTRUCTURAS CON INGENIERIA DE BANDAS QUE CUBREN DESDE 2D A 0D Y QUE TIENEN VENTAJAS POTENCIALES SOBRE LAS CAPAS GRUESAS. EL CRECIMIENTO DE POZOS/PUNTOS CUANTICOS Y SUPERREDES BASADAS EN GAASSBN MUESTRA UNA GRAN VERSATILIDAD EN EL DISEÑO YA QUE PERMITE SINTONIZAR ALINEAMIENTOS DE BANDA DESDE CONFIGURACIONES DE TIPO I A TIPO II Y COMPENSAR O MODULAR LA TENSION EN LAS NANOESTRUCTURAS EN COMPRESION O TRACCION._x000D_ SIN EMBARGO, LA OBTENCION DE CAPAS Y NANOESTRUCTURAS DE GAASBN DE ALTA CALIDAD TODAVIA SE ENFRENTA A MUCHOS DESAFIOS IMPORTANTES INHERENTES AL CRECIMIENTO DE LOS NITRUROS DILUIDOS, TALES COMO UNA ALTA DENSIDAD DE DEFECTOS PUNTUALES, SEPARACION DE FASES Y UN DIFICIL CONTROL DE COMPOSICION. SE REQUIERE UN PROFUNDO CONOCIMIENTO DEL MECANISMO DE CRECIMIENTO Y LAS PROPIEDADES DEL MATERIAL A NIVEL MICROSCOPICO ANTES DE QUE EL GAASSBN SE PUEDA APLICAR EN DISPOSITIVOS DE ULTRA-ALTA EFICIENCIA. ESTO SOLO ES POSIBLE A TRAVES DE UN ESTUDIO SISTEMATICO QUE CORRELACIONE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO CON LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES, OPTICAS Y ELECTRICAS CARACTERIZADAS POR UNA GRAN VARIEDAD DE TECNICAS AVANZADAS. ESE ES UN PRIMER OBJETIVO DEL PROYECTO. EL OBJETIVO FINAL ES FABRICAR CELULAS FOTOVOLTAICAS DE UNA UNION A 1 EV Y FOTODETECTORES A 1064 NM CON CARACTERISTICAS MEJORADAS SOBRE LAS TECNOLOGIAS EXISTENTES. EL PROYECTO ABARCARA TODA LA CADENA DE CONOCIMIENTO, DESDE EL DISEÑO, CRECIMIENTO POR MBE, CARACTERIZACION EXHAUSTIVA DEL MATERIAL, Y FABRICACION Y EVALUACION DE DISPOSITIVOS. PARA LOGRAR ESTOS OBJETIVOS, LA COORDINACION DE LAS COMPETENCIAS COMPLEMENTARIAS DE LA U. POLITECNICA DE MADRID Y LA U. DE CADIZ ES UNA CLAVE PARA EL EXITO DEL PROYECTO. (Spanish)
0 references
GAASSBN SEMICONDUCTOR ALLOYS HAVE PROVEN TO BE ONE OF THE MOST PROMISING MATERIALS FOR GAAS-BASED PHOTONICAL APPLICATIONS. THIS MATERIAL CAN BE GROWN EPITAXIALLY ADJUSTED IN NETWORK TO THE GAAS AND HAS A FORBIDDEN BAND OF ENERGY SMALLER AND TUNABLE. IN ADDITION, IT ADDS ADDITIONAL PARTICULARITIES TO THOSE OF OTHER DILUTED NITRIDES SUCH AS INGAASN, AS IT ALLOWS INDEPENDENT CONTROL OF THE DRIVING BANDS AND VALENCIA THROUGH THE CONTENT OF N AND SB, RESPECTIVELY. HE IS THEREFORE AN IDEAL CANDIDATE FOR THE ENGINEERING OF BANDS AND TENSION-DEFORMATIONS. IN THIS PROJECT IT IS PROPOSED TO EXPLOIT THE UNIQUE PROPERTIES OF GAASSBN TO MANUFACTURE HIGH EFFICIENCY PHOTONIC DEVICES THAT COULD IMPROVE THE EXISTING TECHNOLOGY IN TWO AREAS OF GREAT IMPACT: Solar Cells and OPTICAL COMMUNICATIONS IN THE SPACE._x000D_ BY A side, SB has been reciprocated as surfactant in the growth by epitaxia of molecules (MBE) of INGAASN to produce caps of 1 EV adjusted to GAAS in MULTI-UNION CELLS, by PROPORCING THE TWO ULTIMUM RECORD CONSECUTIVES OF EFICIENCE IN SOLAR CELLS. THE LARGE NUMBER OF INHERENT ADVANTAGES OF GAASSBN OVER INGAASN SHOULD MAKE IT POSSIBLE TO SIGNIFICANTLY IMPROVE THESE RESULTS. For another side, THE FALTE OF A MATERIAL ADECTED TO PRODUCT photodetectors HIGH Efffficient at 1064 NM, Key ELEMENT IN THE TECHNOLOGY OF PROXIMA GENERATION OF OPTIC COMMUNICATION IN THE SPACE, TAMBIEN PODRIA CUBRIRSE USNDO GAASSBN, with NUMEROUS SALES RESPECTED TO the InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM PROPONATE THE TWO MISMAS APPLICATIONS FOR Above APPLICATIONS. THE FIRST IS THE USE OF THICK LAYERS OF GAASSBN NETWORKED TO THE GAAS TO ENSURE A HIGH ABSORPTION VOLUME. THE SECOND IS THE USE OF NEW NANOSTRUCTURE-BASED STRATEGIES WITH BAND ENGINEERING THAT COVER FROM 2D TO 0D AND HAVE POTENTIAL ADVANTAGES OVER THICK LAYERS. The growth of quantum and supernets built in GAASSBN weave a great versatility in the design and which allows to synthise BANDA alignments from typo I to TYPE II CONFIGURATIONS AND COMPENCE OR MODULAR TENSION IN COMPRETIONS OR TRACTIONS._x000D_ WITHOUT EMBARGO, the operation of high quality GAASBN caps and nano-estructs is offered to many important problems that are inherent to the growth of diluted nitrides, as well as a high denseness of political defects, phasing out and a difficult control of competition. DEEP KNOWLEDGE OF THE GROWTH MECHANISM AND MATERIAL PROPERTIES AT THE MICROSCOPIC LEVEL IS REQUIRED BEFORE GAASSBN CAN BE APPLIED TO ULTRA-HIGH EFFICIENCY DEVICES. THIS IS ONLY POSSIBLE THROUGH A SYSTEMATIC STUDY THAT CORRELATES THE GROWTH CONDITIONS WITH THE STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES CHARACTERISED BY A WIDE VARIETY OF ADVANCED TECHNIQUES. THAT IS A FIRST OBJECTIVE OF THE PROJECT. THE FINAL OBJECTIVE IS TO MANUFACTURE PHOTOVOLTAIC CELLS FROM A UNION TO 1 EV AND PHOTODETECTORS AT 1064 NM WITH IMPROVED CHARACTERISTICS OVER EXISTING TECHNOLOGIES. THE PROJECT WILL COVER THE ENTIRE CHAIN OF KNOWLEDGE, FROM DESIGN, GROWTH BY MBE, COMPREHENSIVE MATERIAL CHARACTERISATION, AND MANUFACTURING AND EVALUATION OF DEVICES. TO ACHIEVE THESE OBJECTIVES, THE COORDINATION OF COMPLEMENTARY COMPETENCIES OF THE U. POLITECNICA DE MADRID AND THE U. DE CADIZ IS A KEY TO THE SUCCESS OF THE PROJECT. (English)
12 October 2021
0.308129039115802
0 references
LES ALLIAGES À SEMI-CONDUCTEURS GAASSBN SE SONT RÉVÉLÉS ÊTRE L’UN DES MATÉRIAUX LES PLUS PROMETTEURS POUR LES APPLICATIONS PHOTONIQUES À BASE DE GAAS. CE MATÉRIAU PEUT ÊTRE CULTIVÉ ÉPITAXIALEMENT AJUSTÉ EN RÉSEAU AU GAAS ET A UNE BANDE D’ÉNERGIE INTERDITE PLUS PETITE ET THONBLE. EN OUTRE, ELLE AJOUTE DES PARTICULARITÉS SUPPLÉMENTAIRES À CELLES D’AUTRES NITRIDES DILUÉES TELLES QUE INGAASN, CAR ELLE PERMET UN CONTRÔLE INDÉPENDANT DES BANDES DE CONDUITE ET DE VALENCE À TRAVERS LE CONTENU DE N ET DE SB, RESPECTIVEMENT. IL EST DONC UN CANDIDAT IDÉAL POUR L’INGÉNIERIE DES BANDES ET DES DÉFORMATIONS DE TENSION. DANS CE PROJET, IL EST PROPOSÉ D’EXPLOITER LES PROPRIÉTÉS UNIQUES DE GAASSBN POUR FABRIQUER DES APPAREILS PHOTONIQUES À HAUT RENDEMENT QUI POURRAIENT AMÉLIORER LA TECHNOLOGIE EXISTANTE DANS DEUX DOMAINES D’IMPACT: Cellules Solaires et COMMUNICATIONS OPTICALES DANS L’ESPACE._x000D_ PAR Côté, le SB a été remplacé comme tensioactif dans la croissance par épitaxie de molécules (MBE) d’INGAASN pour produire des capuchons de 1 EV ajustés aux GAAS dans les MULTI-UNION CELLS, en prouvant les deux suites de RECORD ULTIMUM D’EFICIENCE DANS LES VILLES SOLAIRES. LE GRAND NOMBRE D’AVANTAGES INHÉRENTS DE GAASSBN PAR RAPPORT À INGAASN DEVRAIT PERMETTRE D’AMÉLIORER CONSIDÉRABLEMENT CES RÉSULTATS. Pour un autre côté, la falte d’un MATÉRIEL ADÉCÉTÉ POUR PRODUITS DE LA COMMUNICATION OPTICE À L’ESPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, avec des SALES NUMÉRIQUES RESPECTÉS À l’InGaAS/INP._x000D_ SYSTÈME SYSTÈME proponate LES DEUX MAMES APPLICATIONS POUR LES APPLICATIONS ci-dessus. LE PREMIER EST L’UTILISATION DE COUCHES ÉPAISSES DE GAASSBN EN RÉSEAU AVEC LE GAAS POUR ASSURER UN VOLUME D’ABSORPTION ÉLEVÉ. LA SECONDE EST L’UTILISATION DE NOUVELLES STRATÉGIES BASÉES SUR LES NANOSTRUCTURES AVEC L’INGÉNIERIE DES BANDES QUI COUVRENT DE 2D À 0D ET PRÉSENTENT DES AVANTAGES POTENTIELS SUR LES COUCHES ÉPAISSES. La croissance des quantiques et des supernets construits dans GAASSBN tissent une grande polyvalence dans la conception et qui permet de synthétiser les alignements BANDA du typo I à TYPE II CONFIGURATIONS ET compence OU TENSION MODULAIRE EN COMPRETIONS OU TRACTIONS._x000D_ SANS EMBARGO, le fonctionnement de bouchons GAASBN de haute qualité et de nano-structures est proposé à de nombreux problèmes importants qui sont inhérents à la croissance des nitrides diluées, ainsi qu’une forte densité de défauts politiques, l’élimination progressive et un contrôle difficile de la concurrence. UNE CONNAISSANCE APPROFONDIE DU MÉCANISME DE CROISSANCE ET DES PROPRIÉTÉS DES MATÉRIAUX AU NIVEAU MICROSCOPIQUE EST REQUISE AVANT QUE GAASSBN PUISSE ÊTRE APPLIQUÉ SUR DES DISPOSITIFS À ULTRA-HAUTE EFFICACITÉ. CELA N’EST POSSIBLE QUE PAR UNE ÉTUDE SYSTÉMATIQUE QUI ÉTABLIT UNE CORRÉLATION ENTRE LES CONDITIONS DE CROISSANCE ET LES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES, OPTIQUES ET ÉLECTRIQUES CARACTÉRISÉES PAR UNE GRANDE VARIÉTÉ DE TECHNIQUES AVANCÉES. C’EST UN PREMIER OBJECTIF DU PROJET. L’OBJECTIF FINAL EST DE FABRIQUER DES CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES D’UNE UNION À 1 EV ET DES PHOTODÉTECTEURS À 1064 NM AVEC DES CARACTÉRISTIQUES AMÉLIORÉES PAR RAPPORT AUX TECHNOLOGIES EXISTANTES. LE PROJET COUVRIRA L’ENSEMBLE DE LA CHAÎNE DE CONNAISSANCES, DEPUIS LA CONCEPTION, LA CROISSANCE PAR MBE, LA CARACTÉRISATION COMPLÈTE DES MATÉRIAUX, LA FABRICATION ET L’ÉVALUATION DES DISPOSITIFS. POUR ATTEINDRE CES OBJECTIFS, LA COORDINATION DES COMPÉTENCES COMPLÉMENTAIRES DE L’U. POLITECNICA DE MADRID ET DE L’U. DE CADIZ EST UNE CLÉ DU SUCCÈS DU PROJET. (French)
2 December 2021
0 references
GAASSBN HALBLEITERLEGIERUNGEN HABEN SICH ALS EINES DER VIELVERSPRECHENDSTEN MATERIALIEN FÜR GAAS-BASIERTE PHOTONISCHE ANWENDUNGEN ERWIESEN. DIESES MATERIAL KANN EPITAXIAL IM NETZWERK AN DIE GAAS ANGEPASST WERDEN UND HAT EINE VERBOTENE ENERGIEBAND KLEINER UND ABSTIMMBAR. DARÜBER HINAUS FÜGT SIE DEN ANDEREN VERDÜNNTEN NITRIDEN WIE INGAASN ZUSÄTZLICHE BESONDERHEITEN HINZU, DA SIE EINE UNABHÄNGIGE KONTROLLE ÜBER DIE FAHRBÄNDER UND VALENCIA ÜBER DEN INHALT VON N BZW. SB ERMÖGLICHT. ER IST DAHER EIN IDEALER KANDIDAT FÜR DAS ENGINEERING VON BANDEN UND SPANNUNGSVERFORMUNGEN. IN DIESEM PROJEKT WIRD VORGESCHLAGEN, DIE EINZIGARTIGEN EIGENSCHAFTEN VON GAASSBN ZU NUTZEN, UM HOCHEFFIZIENTE PHOTONISCHE GERÄTE HERZUSTELLEN, DIE DIE BESTEHENDE TECHNOLOGIE IN ZWEI BEREICHEN VON GROSSER WIRKUNG VERBESSERN KÖNNTEN: Solarzellen und OPTICAL COMMUNICATIONEN IN DER SPACE._x000D_ BY Eine Seite, SB wurde als Tensid im Wachstum durch Epitaxie von Molekülen (MBE) von INGAASN reziprociert, um Kappen von 1 EV zu produzieren, die an GAAS in MULTI-UNION CELLS angepasst wurden, indem sie die TWO ULTIMUM RECORD Folgerungen der EFICIENCE in SOLAR-KELLEN EINSTELLEN. DIE VIELZAHL DER INHÄRENTEN VORTEILE VON GAASSBN GEGENÜBER INGAASN DÜRFTE ES ERMÖGLICHEN, DIESE ERGEBNISSE DEUTLICH ZU VERBESSERN. Für eine andere Seite, Die Falte eines MATERIAL ANZEUGUNG AUF PRODUKT Fotodetektoren HIGH Efficient bei 1064 NM, Key ELEMENT IN DER TECHNOLOGIE PROXIMA GENERATION VON OPTIC COMMUNICATION IN DER SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, mit NUMEROUS-Verkäufen an die InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM proponiert die TWO mismas APPLICATIONS. DIE ERSTE IST DIE VERWENDUNG VON DICKEN SCHICHTEN VON GAASSBN VERNETZT AN DIE GAAS, UM EIN HOHES ABSORPTIONSVOLUMEN ZU GEWÄHRLEISTEN. DIE ZWEITE IST DER EINSATZ NEUER NANOSTRUKTURBASIERTER STRATEGIEN MIT BANDTECHNIK, DIE VON 2D BIS 0D ABDECKEN UND POTENZIELLE VORTEILE GEGENÜBER DICKEN SCHICHTEN HABEN. Das Wachstum von Quanten- und Supernets, die in GAASSBN gebaut wurden, verwebt eine große Vielseitigkeit im Design und ermöglicht die Synchronisierung von BANDA-Angleichungen von Typ I zu TYPE II CONFIGURATIONEN UND Zwang ODER MODULAR TENSION IN COMPRETIONEN ODER TRACTIONEN._x000D_ OHNE EMBARGO, der Betrieb von hochwertigen GAASBN Kappen und Nano-Estructs wird vielen wichtigen Problemen angeboten, die dem Wachstum von verdünnten Nitriden innewohnen, sowie eine hohe Dichte politischer Defekte, Ausstieg und eine schwierige Kontrolle des Wettbewerbs. EINE TIEFE KENNTNIS DES WACHSTUMSMECHANISMUS UND DER MATERIALEIGENSCHAFTEN AUF MIKROSKOPISCHER EBENE IST ERFORDERLICH, BEVOR GAASSBN AUF HOCHEFFIZIENTE GERÄTE ANGEWENDET WERDEN KANN. DIES IST NUR DURCH EINE SYSTEMATISCHE STUDIE MÖGLICH, DIE DIE WACHSTUMSBEDINGUNGEN MIT DEN STRUKTURELLEN, OPTISCHEN UND ELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN KORRELIERT, DIE DURCH EINE VIELZAHL FORTSCHRITTLICHER TECHNIKEN GEKENNZEICHNET SIND. DAS IST EIN ERSTES ZIEL DES PROJEKTS. DAS ENDZIEL IST DIE HERSTELLUNG VON PHOTOVOLTAIKZELLEN AUS EINER UNION ZU 1 EV UND PHOTODETEKTOREN BEI 1064 NM MIT VERBESSERTEN EIGENSCHAFTEN GEGENÜBER BESTEHENDEN TECHNOLOGIEN. DAS PROJEKT WIRD DIE GESAMTE WISSENSKETTE ABDECKEN, VON DESIGN, WACHSTUM DURCH MBE, UMFASSENDE MATERIALCHARAKTERISIERUNG, HERSTELLUNG UND AUSWERTUNG VON GERÄTEN. UM DIESE ZIELE ZU ERREICHEN, IST DIE KOORDINATION KOMPLEMENTÄRER KOMPETENZEN DER U. POLITECNICA DE MADRID UND DER U. DE CADIZ EIN SCHLÜSSEL ZUM ERFOLG DES PROJEKTS. (German)
9 December 2021
0 references
GAASSBN HALFGELEIDERLEGERINGEN HEBBEN BEWEZEN EEN VAN DE MEEST VEELBELOVENDE MATERIALEN VOOR GAAS-GEBASEERDE FOTONICAL TOEPASSINGEN TE ZIJN. DIT MATERIAAL KAN EPITAXIAAL IN NETWERK WORDEN AANGEPAST AAN DE GAAS EN HEEFT EEN VERBODEN ENERGIEBAND KLEINER EN AFSTEMBAAR. BOVENDIEN VOEGT ZIJ EXTRA BIJZONDERHEDEN TOE AAN DIE VAN ANDERE VERDUNDE NITRIDEN ZOALS INGAASN, AANGEZIEN ZIJ EEN ONAFHANKELIJKE CONTROLE VAN DE RIJBANDEN EN VALENCIA MOGELIJK MAAKT VIA DE INHOUD VAN RESPECTIEVELIJK N EN SB. HIJ IS DAN OOK EEN IDEALE KANDIDAAT VOOR DE ENGINEERING VAN BANDEN EN SPANNINGSVERVORMINGEN. IN DIT PROJECT WORDT VOORGESTELD OM GEBRUIK TE MAKEN VAN DE UNIEKE EIGENSCHAPPEN VAN GAASSBN OM HOGE EFFICIËNTIE FOTONISCHE APPARATEN TE PRODUCEREN DIE DE BESTAANDE TECHNOLOGIE OP TWEE GEBIEDEN MET GROTE IMPACT KUNNEN VERBETEREN: Zonnecellen en OPTICAL COMMUNICATIONS IN THE SPACE._x000D_ BY Een kant, SB is als oppervlakteactieve stof in de groei van epitaxie van moleculen (MBE) van INGAASN om caps van 1 EV aangepast aan GAAS in MULTI-UNION CELLS te produceren, door het twee uLTIMUM RECORD van EFICIENCE IN SOLAR CELLS te PROPORCING. HET GROTE AANTAL INHERENTE VOORDELEN VAN GAASSBN TEN OPZICHTE VAN INGAASN ZOU HET MOGELIJK MOETEN MAKEN DEZE RESULTATEN AANZIENLIJK TE VERBETEREN. Voor een andere kant, het falte van een MAATRIËLE ADECTED VOOR PRODUCT fotodetectoren HIGH Effffficient op 1064 NM, Key ELEMENT IN DE TECHNOLOGIE VAN PROXIMA GENERATIE VAN OPTIC COMMUNICATIE IN DE SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, met NUMEROUS SALES RESPECTED AAN de InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM proponeren de twee misstappen APPLICATIONS VOOR Bovenaanwijzingen. DE EERSTE IS HET GEBRUIK VAN DIKKE LAGEN GAASSBN VERBONDEN AAN DE GAAS OM EEN HOOG ABSORPTIEVOLUME TE GARANDEREN. DE TWEEDE IS HET GEBRUIK VAN NIEUWE OP NANOSTRUCTUUR GEBASEERDE STRATEGIEËN MET BAND ENGINEERING DIE BESLAAN VAN 2D TOT 0D EN POTENTIËLE VOORDELEN HEBBEN TEN OPZICHTE VAN DIKKE LAGEN. De groei van kwantum en supernetten gebouwd in GAASSBN weven een grote veelzijdigheid in het ontwerp en die het mogelijk maakt om synthise BANDA-uitlijningen van typo I naar TYPE II CONFIGURATIONS EN compence OF MODULAR TENSION IN COMPRETIONS OF TRACTIONS._x000D_ WITHOUT EMBARGO, de werking van hoge kwaliteit GAASBN caps en nano-estructies wordt aangeboden aan vele belangrijke problemen die inherent zijn aan de groei van verdunde nitriden, evenals een hoge dichtheid van politieke gebreken, geleidelijke uitfasering en een moeilijke controle van de concurrentie. GRONDIGE KENNIS VAN HET GROEIMECHANISME EN DE MATERIAALEIGENSCHAPPEN OP MICROSCOPISCH NIVEAU IS VEREIST VOORDAT GAASSBN KAN WORDEN TOEGEPAST OP ULTRAHOGE EFFICIËNTIEAPPARATEN. DIT IS ALLEEN MOGELIJK DOOR EEN SYSTEMATISCHE STUDIE DIE DE GROEIOMSTANDIGHEDEN CORRELEERT MET DE STRUCTURELE, OPTISCHE EN ELEKTRISCHE EIGENSCHAPPEN DIE WORDEN GEKENMERKT DOOR EEN BREED SCALA AAN GEAVANCEERDE TECHNIEKEN. DAT IS EEN EERSTE DOELSTELLING VAN HET PROJECT. HET UITEINDELIJKE DOEL IS FOTOVOLTAÏSCHE CELLEN TE PRODUCEREN UIT EEN UNIE TOT 1 EV EN FOTODETECTOREN BIJ 1064 NM MET VERBETERDE EIGENSCHAPPEN TEN OPZICHTE VAN BESTAANDE TECHNOLOGIEËN. HET PROJECT ZAL BETREKKING HEBBEN OP DE HELE KETEN VAN KENNIS, VAN ONTWERP, GROEI DOOR MBE, UITGEBREIDE MATERIAALKARAKTERISERING, EN PRODUCTIE EN EVALUATIE VAN APPARATEN. OM DEZE DOELSTELLINGEN TE BEREIKEN, IS DE COÖRDINATIE VAN COMPLEMENTAIRE COMPETENTIES VAN DE U. POLITECNICA DE MADRID EN DE U. DE CADIZ EEN SLEUTEL TOT HET SUCCES VAN HET PROJECT. (Dutch)
17 December 2021
0 references
LE LEGHE A SEMICONDUTTORE GAASSBN SI SONO RIVELATE UNO DEI MATERIALI PIÙ PROMETTENTI PER LE APPLICAZIONI FOTONICHE BASATE SU GAAS. QUESTO MATERIALE PUÒ ESSERE COLTIVATO EPITASSIALMENTE ADATTATO IN RETE AI GAA E HA UNA BANDA DI ENERGIA PROIBITA PIÙ PICCOLA E ACCORDABILE. INOLTRE, ESSA AGGIUNGE ULTERIORI PARTICOLARITÀ A QUELLE DI ALTRI NITRURI DILUITI COME INGAASN, IN QUANTO CONSENTE IL CONTROLLO INDIPENDENTE DELLE BANDE DI GUIDA E DI VALENCIA ATTRAVERSO IL CONTENUTO RISPETTIVAMENTE DI N E SB. È QUINDI UN CANDIDATO IDEALE PER L'INGEGNERIA DI BANDE E TENSIONI-DEFORMAZIONI. IN QUESTO PROGETTO SI PROPONE DI SFRUTTARE LE PROPRIETÀ UNICHE DI GAASSBN PER PRODURRE DISPOSITIVI FOTONICI AD ALTA EFFICIENZA CHE POTREBBERO MIGLIORARE LA TECNOLOGIA ESISTENTE IN DUE AREE DI GRANDE IMPATTO: Celle solari e COMUNICAZIONI OPTICALI NELLO SPAZIO._x000D_ Da un lato, SB è stato ricambiato come tensioattivo nella crescita da epitassia delle molecole (MBE) di INGAASN per produrre tappi di 1 EV adattati ai GAAS nelle CELLE MULTI-UNIONE, proporcendo il DUE ULTIMUM RECORD consecutivi di EFICIENCE IN CELLI SOLARI. L'ELEVATO NUMERO DI VANTAGGI INTRINSECI DI GAASSBN RISPETTO A INGAASN DOVREBBE CONSENTIRE DI MIGLIORARE SIGNIFICATIVAMENTE QUESTI RISULTATI. Per un'altra parte, il falte di un MATERIALE ADECATO A PRODOTTI fotodetector ALTO EFFICIENTE a 1064 NM, ELEMENTO PRINCIPALE NELLA TECNOLOGIA DI PROXIMA GENERAZIONE DELLA COMUNICAZIONE OPTICA NELLA SPAZIA, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, con VENDITA NUMERO RISPETTO ALL'INGAAS/INP._x000D_SYSTEM SYSTEM proponano I TWO MISMA APPLICATIONS PER APPLICAZIONE DEGLI AGGIORNI. IL PRIMO È L'USO DI STRATI SPESSI DI GAASSBN COLLEGATI IN RETE AI GAA PER GARANTIRE UN ELEVATO VOLUME DI ASSORBIMENTO. IL SECONDO È L'USO DI NUOVE STRATEGIE BASATE SULLE NANOSTRUTTURE CON L'INGEGNERIA A BANDA CHE COPRONO DA 2D A 0D E PRESENTANO POTENZIALI VANTAGGI RISPETTO A STRATI SPESSI. La crescita di quanti e superreti costruiti in GAASSBN tesse una grande versatilità nella progettazione e che permette di sincronizzare gli allineamenti BANDA da tipo I a TIPO II CONFIGURATIONS E compence O MODULAR TENSIONE IN COMPREZIONI O TRACTIONI._x000D_ SENZA EMBARGO, il funzionamento di cappucci GAASBN di alta qualità e nano-estruzioni è offerto a molti problemi importanti che sono inerenti alla crescita dei nitruri diluiti, così come un'elevata densità di difetti politici, la graduale eliminazione e un difficile controllo della concorrenza. È NECESSARIA UNA PROFONDA CONOSCENZA DEL MECCANISMO DI CRESCITA E DELLE PROPRIETÀ DEI MATERIALI A LIVELLO MICROSCOPICO PRIMA CHE GAASSBN POSSA ESSERE APPLICATO A DISPOSITIVI AD ALTISSIMA EFFICIENZA. CIÒ È POSSIBILE SOLO ATTRAVERSO UNO STUDIO SISTEMATICO CHE CORRELA LE CONDIZIONI DI CRESCITA CON LE PROPRIETÀ STRUTTURALI, OTTICHE ED ELETTRICHE CARATTERIZZATE DA UN'AMPIA VARIETÀ DI TECNICHE AVANZATE. QUESTO È UN PRIMO OBIETTIVO DEL PROGETTO. L'OBIETTIVO FINALE È QUELLO DI PRODURRE CELLE FOTOVOLTAICHE DA UN'UNIONE A 1 EV E FOTORILEVATORI A 1064 NM CON CARATTERISTICHE MIGLIORATE RISPETTO ALLE TECNOLOGIE ESISTENTI. IL PROGETTO COPRIRÀ L'INTERA CATENA DI CONOSCENZE, DALLA PROGETTAZIONE, CRESCITA DA PARTE DI MBE, CARATTERIZZAZIONE COMPLETA DEI MATERIALI, PRODUZIONE E VALUTAZIONE DEI DISPOSITIVI. PER RAGGIUNGERE QUESTI OBIETTIVI, IL COORDINAMENTO DELLE COMPETENZE COMPLEMENTARI DELLA U. POLITECNICA DE MADRID E DELL'U. DE CADICE È UNA CHIAVE PER IL SUCCESSO DEL PROGETTO. (Italian)
16 January 2022
0 references
ΤΑ ΚΡΆΜΑΤΑ ΗΜΙΑΓΩΓΏΝ GAASSBN ΈΧΟΥΝ ΑΠΟΔΕΙΧΘΕΊ ΌΤΙ ΕΊΝΑΙ ΈΝΑ ΑΠΌ ΤΑ ΠΙΟ ΕΛΠΙΔΟΦΌΡΑ ΥΛΙΚΆ ΓΙΑ ΤΙΣ ΦΩΤΟΝΙΚΈΣ ΕΦΑΡΜΟΓΈΣ ΠΟΥ ΒΑΣΊΖΟΝΤΑΙ ΣΤΟ GAAS. ΤΟ ΥΛΙΚΌ ΑΥΤΌ ΜΠΟΡΕΊ ΝΑ ΑΝΑΠΤΥΧΘΕΊ ΕΠΙΤΑΞΙΑΚΆ ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΈΝΟ ΣΤΟ ΔΊΚΤΥΟ ΤΩΝ GAAS ΚΑΙ ΈΧΕΙ ΜΙΑ ΑΠΑΓΟΡΕΥΜΈΝΗ ΖΏΝΗ ΕΝΈΡΓΕΙΑΣ ΜΙΚΡΌΤΕΡΗ ΚΑΙ ΣΥΝΤΟΝΊΣΙΜΗ. ΕΠΙΠΛΈΟΝ, ΠΡΟΣΘΈΤΕΙ ΠΡΌΣΘΕΤΕΣ ΙΔΙΑΙΤΕΡΌΤΗΤΕΣ ΣΕ ΕΚΕΊΝΕΣ ΆΛΛΩΝ ΑΡΑΙΩΜΈΝΩΝ ΝΙΤΡΙΔΊΩΝ, ΌΠΩΣ ΤΟ INGAASN, ΔΕΔΟΜΈΝΟΥ ΌΤΙ ΕΠΙΤΡΈΠΕΙ ΤΟΝ ΑΝΕΞΆΡΤΗΤΟ ΈΛΕΓΧΟ ΤΩΝ ΖΩΝΏΝ ΟΔΉΓΗΣΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΒΑΛΈΝΘΙΑ ΜΈΣΩ ΤΟΥ ΠΕΡΙΕΧΟΜΈΝΟΥ ΤΩΝ N ΚΑΙ SB, ΑΝΤΊΣΤΟΙΧΑ. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, ΕΊΝΑΙ ΙΔΑΝΙΚΌΣ ΥΠΟΨΉΦΙΟΣ ΓΙΑ ΤΗ ΜΗΧΑΝΙΚΉ ΤΩΝ ΣΥΓΚΡΟΤΗΜΆΤΩΝ ΚΑΙ ΤΗΣ ΈΝΤΑΣΗΣ-ΠΑΡΑΜΟΡΦΏΣΕΙΣ. ΣΕ ΑΥΤΌ ΤΟ ΈΡΓΟ ΠΡΟΤΕΊΝΕΤΑΙ ΝΑ ΑΞΙΟΠΟΙΗΘΟΎΝ ΟΙ ΜΟΝΑΔΙΚΈΣ ΙΔΙΌΤΗΤΕΣ ΤΟΥ GAASSBN ΓΙΑ ΤΗΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΉ ΦΩΤΟΝΙΚΏΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ ΥΨΗΛΉΣ ΑΠΌΔΟΣΗΣ ΠΟΥ ΘΑ ΜΠΟΡΟΎΣΑΝ ΝΑ ΒΕΛΤΙΏΣΟΥΝ ΤΗΝ ΥΠΆΡΧΟΥΣΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑ ΣΕ ΔΎΟ ΤΟΜΕΊΣ ΜΕ ΜΕΓΆΛΟ ΑΝΤΊΚΤΥΠΟ: Ηλιακά κύτταρα και OPTICAL COMMUNICATIONS IN THE SPACE._x000D_ By A side, SB έχει παλινδρομηθεί ως επιφανειοδραστική ουσία στην ανάπτυξη από την επιταξία των μορίων (MBE) του INGAASN για την παραγωγή καψουλών 1 EV προσαρμοσμένων στο GAAS σε MULTI-UNION CELLS, από την PROPORCING THE TWO ULTIMUM RECORD διαδοχικές σειρές EFICIENCE IN SOLAR CELLS. Ο ΜΕΓΆΛΟΣ ΑΡΙΘΜΌΣ ΕΓΓΕΝΏΝ ΠΛΕΟΝΕΚΤΗΜΆΤΩΝ ΤΟΥ GAASSBN ΈΝΑΝΤΙ ΤΟΥ INGAASN ΑΝΑΜΈΝΕΤΑΙ ΝΑ ΚΑΤΑΣΤΉΣΕΙ ΔΥΝΑΤΉ ΤΗ ΣΗΜΑΝΤΙΚΉ ΒΕΛΤΊΩΣΗ ΑΥΤΏΝ ΤΩΝ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΆΤΩΝ. Για μια άλλη πλευρά, το falte ενός ΥΛΙΚΟΥ που προσελήφθη για την παραγωγή φωτοανιχνευτές ΥΨΗΛΟΣ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΟΣ στα 1064 NM, Βασικό ELEMENT ΣΤΗ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΤΗΣ ΠΡΟΞΗΜΙΑΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΚΟΙΝΟΤΗΤΑΣ ΣΤΟ ΧΩΡΟ, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, με NUMEROUS SALES που ΕΦΑΡΜΟΖΟΝΤΑΙ στο InGaAS/INP._x000D_ΣΥΣΤΗΜΑ ΣΥΣΤΗΜΑ ΥΠΟΒΟΛΗ ΥΠΟΒΟΛΗΣ ΤΩΝ ΔΥΤΙΚΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ για Πάνω από τις αιτήσεις. ΤΟ ΠΡΏΤΟ ΕΊΝΑΙ Η ΧΡΉΣΗ ΠΑΧΙΏΝ ΣΤΡΩΜΆΤΩΝ GAASSBN ΔΙΚΤΥΩΜΈΝΩΝ ΣΤΟ GAAS ΓΙΑ ΝΑ ΕΞΑΣΦΑΛΙΣΤΕΊ ΥΨΗΛΌΣ ΌΓΚΟΣ ΑΠΟΡΡΌΦΗΣΗΣ. ΤΟ ΔΕΎΤΕΡΟ ΕΊΝΑΙ Η ΧΡΉΣΗ ΝΈΩΝ ΣΤΡΑΤΗΓΙΚΏΝ ΒΆΣΕΙ ΝΑΝΟΔΟΜΏΝ ΜΕ ΜΗΧΑΝΙΚΉ ΖΏΝΗΣ ΠΟΥ ΚΑΛΎΠΤΟΥΝ ΑΠΌ 2D ΈΩΣ 0D ΚΑΙ ΈΧΟΥΝ ΔΥΝΗΤΙΚΆ ΠΛΕΟΝΕΚΤΉΜΑΤΑ ΣΕ ΣΧΈΣΗ ΜΕ ΤΑ ΠΑΧΙΆ ΣΤΡΏΜΑΤΑ. Η ανάπτυξη των κβαντικών και υπερδιχτυών που κατασκευάζονται στο GAASSBN ύφανση μια μεγάλη ευελιξία στο σχεδιασμό και η οποία επιτρέπει να συνοψίσει BANDA ευθυγραμμίσεις από τυπογραφικό I σε ΤΥΠΟ ΙΙ ΕΠΙΧΕΙΡΗΣΕΙΣ ΚΑΙ compence OR MODULAR TENSION IN COMPRETIONS Ή TRACTIONS._x000D_ WITHOUT EMBARGO, η λειτουργία υψηλής ποιότητας καψών GAASBN και νανο-δομών προσφέρεται σε πολλά σημαντικά προβλήματα που είναι εγγενή στην ανάπτυξη των αραιωμένων νιτριδίων, καθώς και στην υψηλή πυκνότητα των πολιτικών ελαττωμάτων, στη σταδιακή κατάργηση και στον δύσκολο έλεγχο του ανταγωνισμού. ΑΠΑΙΤΕΊΤΑΙ ΒΑΘΙΆ ΓΝΏΣΗ ΤΟΥ ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΎ ΑΝΆΠΤΥΞΗΣ ΚΑΙ ΤΩΝ ΙΔΙΟΤΉΤΩΝ ΤΟΥ ΥΛΙΚΟΎ ΣΕ ΜΙΚΡΟΣΚΟΠΙΚΌ ΕΠΊΠΕΔΟ ΠΡΙΝ ΑΠΌ ΤΗΝ ΕΦΑΡΜΟΓΉ ΤΟΥ GAASSBN ΣΕ ΣΥΣΚΕΥΈΣ ΥΠΕΡΥΨΗΛΉΣ ΑΠΌΔΟΣΗΣ. ΑΥΤΌ ΕΊΝΑΙ ΔΥΝΑΤΌ ΜΌΝΟ ΜΈΣΩ ΜΙΑΣ ΣΥΣΤΗΜΑΤΙΚΉΣ ΜΕΛΈΤΗΣ ΠΟΥ ΣΥΣΧΕΤΊΖΕΙ ΤΙΣ ΣΥΝΘΉΚΕΣ ΑΝΆΠΤΥΞΗΣ ΜΕ ΤΙΣ ΔΟΜΙΚΈΣ, ΟΠΤΙΚΈΣ ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΙΚΈΣ ΙΔΙΌΤΗΤΕΣ ΠΟΥ ΧΑΡΑΚΤΗΡΊΖΟΝΤΑΙ ΑΠΌ ΜΙΑ ΜΕΓΆΛΗ ΠΟΙΚΙΛΊΑ ΠΡΟΗΓΜΈΝΩΝ ΤΕΧΝΙΚΏΝ. ΑΥΤΌΣ ΕΊΝΑΙ Ο ΠΡΏΤΟΣ ΣΤΌΧΟΣ ΤΟΥ ΣΧΕΔΊΟΥ. ΤΕΛΙΚΌΣ ΣΤΌΧΟΣ ΕΊΝΑΙ Η ΚΑΤΑΣΚΕΥΉ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΏΝ ΚΥΨΕΛΏΝ ΑΠΌ ΜΙΑ ΈΝΩΣΗ ΣΕ 1 ΗΟ ΚΑΙ ΦΩΤΟΑΝΙΧΝΕΥΤΏΝ ΣΤΑ 1064 NM ΜΕ ΒΕΛΤΙΩΜΈΝΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΆ ΈΝΑΝΤΙ ΤΩΝ ΥΦΙΣΤΆΜΕΝΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΏΝ. ΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΚΑΛΎΨΕΙ ΟΛΌΚΛΗΡΗ ΤΗΝ ΑΛΥΣΊΔΑ ΤΗΣ ΓΝΏΣΗΣ, ΑΠΌ ΤΟ ΣΧΕΔΙΑΣΜΌ, ΤΗΝ ΑΝΆΠΤΥΞΗ ΑΠΌ ΤΟ MBE, ΤΟΝ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΌ ΤΟΥ ΥΛΙΚΟΎ ΚΑΙ ΤΗΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΉ ΚΑΙ ΑΞΙΟΛΌΓΗΣΗ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ. ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΊΤΕΥΞΗ ΑΥΤΏΝ ΤΩΝ ΣΤΌΧΩΝ, Ο ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΌΣ ΤΩΝ ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΏΝ ΑΡΜΟΔΙΟΤΉΤΩΝ ΤΗΣ U. POLITECNICA DE MADRID ΚΑΙ ΤΟΥ U. DE CADIZ ΑΠΟΤΕΛΕΊ ΤΟ ΚΛΕΙΔΊ ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΙΤΥΧΊΑ ΤΟΥ ΣΧΕΔΊΟΥ. (Greek)
17 August 2022
0 references
GAASSBN HALVLEDERLEGERINGER HAR VIST SIG AT VÆRE ET AF DE MEST LOVENDE MATERIALER TIL GAAS-BASEREDE FOTONISKE APPLIKATIONER. DETTE MATERIALE KAN DYRKES EPITAKSIALT JUSTERET I NETVÆRK TIL GAAS OG HAR ET FORBUDT BÅND AF ENERGI MINDRE OG TUNABLE. DESUDEN TILFØJER DEN YDERLIGERE SÆREGENHEDER I FORHOLD TIL ANDRE FORTYNDEDE NITRIDER SÅSOM INGAASN, DA DET GIVER MULIGHED FOR UAFHÆNGIG KONTROL AF KØREBÅNDENE OG VALENCIA GENNEM INDHOLDET AF HENHOLDSVIS N OG SB. HAN ER DERFOR EN IDEEL KANDIDAT TIL KONSTRUKTION AF BANDS OG SPÆNDINGSDEFORMATIONER. I DETTE PROJEKT FORESLÅS DET AT UDNYTTE GAASSBN'S UNIKKE EGENSKABER TIL AT FREMSTILLE HØJEFFEKTIVE FOTONISKE ENHEDER, DER KAN FORBEDRE DEN EKSISTERENDE TEKNOLOGI PÅ TO OMRÅDER AF STOR BETYDNING: Solceller og OPTICAL KOMMUNIKATIONER I SPACE._x000D_ BY A side, SB er blevet tilbage- og tilbagegående som overfladeaktivt stof i væksten af epitaxi af molekyler (MBE) af INGAASN at producere caps på 1 EV justeret til GAAS i MULTI-UNION CELLS, ved at PROPORCER TWO ULTIMUM RECORD konsekventer af EFICIENCE I SOLAR CELLS. DET STORE ANTAL IBOENDE FORDELE VED GAASSBN I FORHOLD TIL INGAASN BØR GØRE DET MULIGT AT FORBEDRE DISSE RESULTATER BETYDELIGT. For en anden side, den falte af en MATERIAL ADECTED TIL PRODUCT fotodetektorer HØJE Effekt på 1064 NM, nøgle ELEMENT I TECHNOLOGY af PROXIMA GENERATION AF OPTIC KOMMUNIKATION I SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, med NUMEROUS SALES RESPET TIL INGAAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM proponate TWO mismas APPLICATIONER TIL Over APPLICATIONS. DEN FØRSTE ER BRUGEN AF TYKKE LAG AF GAASSBN NETVÆRKET TIL GAAS FOR AT SIKRE EN HØJ ABSORPTIONSVOLUMEN. DEN ANDEN ER BRUGEN AF NYE NANOSTRUKTURBASEREDE STRATEGIER MED BAND ENGINEERING, DER DÆKKER FRA 2D TIL 0D OG HAR POTENTIELLE FORDELE I FORHOLD TIL TYKKE LAG. Væksten af kvante- og supernet bygget i GAASSBN væver en stor alsidighed i designet, og som gør det muligt at synkronisere BANDA-tilpasninger fra typo I til TYPE II CONFIGURATIONER OG Kompetence ELLER MODULAR TENSION I COMPRETIONS ELLER TRACTIONS._x000D_ UDEN EMBARGO, driften af høj kvalitet GAASBN caps og nano-østructs tilbydes til mange vigtige problemer, der er iboende i væksten af fortyndede nitrider, samt en høj tæthed af politiske fejl, udfasning og en vanskelig kontrol af konkurrence. DYB VIDEN OM VÆKSTMEKANISMEN OG MATERIALEEGENSKABER PÅ MIKROSKOPISK NIVEAU ER PÅKRÆVET, FØR GAASSBN KAN ANVENDES PÅ ULTRA-HØJ EFFEKTIVITET ENHEDER. DETTE ER KUN MULIGT GENNEM EN SYSTEMATISK UNDERSØGELSE, DER KORRELERER VÆKSTBETINGELSERNE MED DE STRUKTURELLE, OPTISKE OG ELEKTRISKE EGENSKABER, DER ER KENDETEGNET VED EN BRED VIFTE AF AVANCEREDE TEKNIKKER. DETTE ER ET AF PROJEKTETS FØRSTE MÅL. DET ENDELIGE MÅL ER AT FREMSTILLE FOTOVOLTAISKE CELLER FRA EN UNION TIL 1 EV OG FOTODETEKTORER VED 1064 NM MED FORBEDREDE EGENSKABER I FORHOLD TIL EKSISTERENDE TEKNOLOGIER. PROJEKTET VIL DÆKKE HELE KÆDEN AF VIDEN, FRA DESIGN, VÆKST AF MBE, OMFATTENDE MATERIALEKARAKTERISERING OG FREMSTILLING OG EVALUERING AF UDSTYR. FOR AT NÅ DISSE MÅL ER KOORDINERINGEN AF KOMPLEMENTÆRE KOMPETENCER HOS U. POLITECNICA DE MADRID OG U. DE CADIZ EN NØGLE TIL PROJEKTETS SUCCES. (Danish)
17 August 2022
0 references
GAASSBN PUOLIJOHDESEOKSET OVAT OSOITTAUTUNEET YHDEKSI LUPAAVIMMISTA MATERIAALEISTA GAAS-POHJAISTEN FOTONIIKAN SOVELLUKSISSA. TÄMÄ MATERIAALI VOIDAAN KASVATTAA EPITAKSISESTI VERKON GAAS JA ON KIELLETTY BÄNDI ENERGIAA PIENEMPI JA VIRITETTÄVÄ. LISÄKSI SE LISÄÄ MUIDEN LAIMENNETTUJEN NITRIDIEN, KUTEN INGAASNIN, ERITYISPIIRTEITÄ, KOSKA SE MAHDOLLISTAA AJOTAAJUUKSIEN RIIPPUMATTOMAN VALVONNAN N:N JA SB:N SISÄLLÖN KAUTTA. SIKSI HÄN ON IHANTEELLINEN EHDOKAS SUUNNITTELU BÄNDEJÄ JA JÄNNITYS-MUODONMUUTOKSIA. TÄSSÄ HANKKEESSA EHDOTETAAN GAASSBN:N AINUTLAATUISTEN OMINAISUUKSIEN HYÖDYNTÄMISTÄ SELLAISTEN TEHOKKAIDEN FOTONIIKKALAITTEIDEN VALMISTAMISESSA, JOTKA VOISIVAT PARANTAA OLEMASSA OLEVAA TEKNOLOGIAA KAHDELLA MERKITTÄVÄLLÄ ALALLA: Solar Cells ja OPTICAL COMMUNICATIONS IN THE SPACE._x000D_ BY A, SB on vastasyntynyt pinta-aktiivisena aineena INGAASN-molekyylien epitaksilla (MBE) tuottamaan 1 EV: n korkit, jotka on mukautettu GAAS: lle MULTI-UNION CELLS: ssä, jonka on PROPO ULTIMUM RECORDIN EFICIENCE IN SOLAR CELLS -sarjassa. GAASSBN:N LUONTAISET EDUT INGAASNIIN VERRATTUNA ANTAVAT MAHDOLLISUUDEN PARANTAA NÄITÄ TULOKSIA MERKITTÄVÄSTI. Toisella puolella, vääristeltyjen TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN fotodetektoreita, jotka ovat tehokkaita 1064 NM: ssä, Key ELEMENTIN TECHNOLOGIA PROXIMA GENERATION OF OPTIC COMMUNICATION in the SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, jossa NUMEROUS SALES RESPECTED InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM proponaatti TWO mismas APPLICATIONS FOR edellä APPLICATIONS. ENSIMMÄINEN ON GAASSBN: N PAKSUJEN KERROSTEN KÄYTTÖ GAAS-VERKKOON SUUREN ABSORPTIOMÄÄRÄN VARMISTAMISEKSI. TOINEN ON UUSIEN NANORAKENTEESEEN PERUSTUVIEN STRATEGIOIDEN KÄYTTÖ KAISTASUUNNITTELULLA, JOKA KATTAA 2D-0D: STÄ 0D: IIN JA JOLLA ON POTENTIAALISIA ETUJA PAKSUIHIN KERROKSIIN NÄHDEN. GAASSBN:ään rakennettujen kvantti- ja superverkkojen kasvu on erittäin monipuolista ja mahdollistaa BANDA-linjausten synkronoinnin typo I: stä tyypin II CONFIGURATIONS- JA kompenssiin TAI MODULAR TENSION IN COMPRETIONS OR TRACTIONS._x000D_ WITHOUT EMBARGO, korkealaatuisten GAASBN-korkkien ja nano-ohjeiden toimintaa tarjotaan moniin tärkeisiin ongelmiin, jotka ovat luonnostaan laimennettujen nitridien kasvulle, sekä poliittisten vikojen korkealle tiheydelle, asteittaiselle poistamiselle ja vaikealle kilpailulle. MIKROSKOOPPISEN TASON KASVUMEKANISMISTA JA MATERIAALIOMINAISUUKSISTA ON TIEDETTÄVÄ SYVÄSTI, ENNEN KUIN GAASSBN:ÄÄ VOIDAAN SOVELTAA ERITTÄIN TEHOKKAISIIN LAITTEISIIN. TÄMÄ ON MAHDOLLISTA VAIN JÄRJESTELMÄLLISELLÄ TUTKIMUKSELLA, JOSSA KASVUOLOSUHTEET KORRELOIVAT RAKENTEELLISIIN, OPTISIIN JA SÄHKÖISIIN OMINAISUUKSIIN, JOILLE ON OMINAISTA LAAJA VALIKOIMA KEHITTYNEITÄ TEKNIIKOITA. TÄMÄ ON HANKKEEN ENSIMMÄINEN TAVOITE. LOPULLISENA TAVOITTEENA ON VALMISTAA AURINKOSÄHKÖKENNOJA UNIONISTA YHTEEN SÄHKÖAJONEUVOON JA 1064 NM:N FOTODETEKTORIIN, JOILLA ON PAREMMAT OMINAISUUDET KUIN OLEMASSA OLEVILLA TEKNOLOGIOILLA. HANKE KATTAA KOKO OSAAMISKETJUN SUUNNITTELUSTA, MBE:N KASVUSTA, KATTAVASTA MATERIAALIN KARAKTERISOIMISESTA SEKÄ LAITTEIDEN VALMISTUKSESTA JA ARVIOINNISTA. NÄIDEN TAVOITTEIDEN SAAVUTTAMISEKSI U. POLITECNICA DE MADRIDIN JA U. DE CADIZIN TÄYDENTÄVIEN TOIMIVALTUUKSIEN KOORDINOINTI ON AVAIN HANKKEEN ONNISTUMISEEN. (Finnish)
17 August 2022
0 references
LIGI SEMIKONDUTTURI GAASSBN UREW LI HUMA WIEĦED MILL-AKTAR MATERJALI PROMETTENTI GĦALL-APPLIKAZZJONIJIET FOTONIĊI BBAŻATI FUQ GAAS. DAN IL-MATERJAL JISTA’ JITKABBAR B’MOD EPITASSJALI AĠĠUSTAT FIN-NETWERK TAL-GAAS U GĦANDU FAXXA PPROJBITA TA’ ENERĠIJA IŻGĦAR U INTONABBLI. BARRA MINN HEKK, HIJA ŻŻID PARTIKOLARITAJIET ADDIZZJONALI MA’ DAWK TA’ NITRURI DILWITI OĦRA BĦAL INGAASN, PERESS LI TIPPERMETTI KONTROLL INDIPENDENTI TAL-MEDED TAS-SEWQAN U TA’ VALENCIA PERMEZZ TAL-KONTENUT TA’ N U SB, RISPETTIVAMENT. HUWA GĦALHEKK KANDIDAT IDEALI GĦALL-INĠINERIJA TAL-BANED U D-DEFORMAZZJONIJIET TAT-TENSJONI. F’DAN IL-PROĠETT QED JIĠI PROPOST LI JIĠU SFRUTTATI L-PROPRJETAJIET UNIĊI TA’ GAASSBN GĦALL-MANIFATTURA TA’ APPARAT FOTONIKU B’EFFIĊJENZA GĦOLJA LI JISTA’ JTEJJEB IT-TEKNOLOĠIJA EŻISTENTI F’ŻEWĠ OQSMA TA’ IMPATT KBIR: Ċelloli Solari u KOMUNIKAZZJONI OPTIĊI FIL-SPACE._x000D_ BY A naħa, SB ġie reċiprokat bħala surfactant fit-tkabbir minn epitassja ta ‘molekuli (MBE) ta’ INGAASN biex jipproduċi kapep ta '1 EV aġġustati għal GAAS fil-KELLI MULTI-UNJONI, billi PROPORCING IL-RECORD ULTIMUM TWO konsekuttivi TA ‘EFIĊJENZA FIL-KELLI SOLAR. IN-NUMRU KBIR TA’ VANTAĠĠI INERENTI TA’ GAASSBN FUQ INGAASN GĦANDU JAGĦMILHA POSSIBBLI LI DAWN IR-RIŻULTATI JITTEJBU B’MOD SINIFIKANTI. Għal naħa oħra, Il-falte ta ‘A ADECTED MATERIAL biex PRODOTT Photodetectors GĦOLJA Effiċjenti fil 1064 NM, ELEMENT Ewlenin fil-TEHNOLOGY TA ‘ĠENERAZZJONI PROXIMA TAL-KOMUNIKAZZJONI OPTIC fl-SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, bil SALES NUMEROUS RESPECTED għall-InGaAS/INP._x000D_ SISTEMA SISTEMA proponate L-APPLIKAZZJONI TWO mismas Għall-Applikazzjonijiet hawn fuq APPLIKAZZJONI. L-EWWEL WIEĦED HUWA L-UŻU TA’ SAFFI ĦOXNIN TA’ GAASSBN F’NETWERK MAL-GAAS BIEX JIĠI ŻGURAT VOLUM GĦOLI TA’ ASSORBIMENT. IT-TIENI HUWA L-UŻU TA’ STRATEĠIJI ĠODDA BBAŻATI FUQ IN-NANOSTRUTTURA B’INĠINERIJA TAL-BANDA LI JKOPRU MINN 2D SA 0D U GĦANDHOM VANTAĠĠI POTENZJALI FUQ SAFFI ĦOXNIN. It-tkabbir ta ‘quantum u supernets mibnija fin-nisġa GAASSBN versatilità kbira fid-disinn u li jippermetti li synthise BANDA allinjamenti minn typo I għal TYPE II KONFERMAZZJONIJIET U Kompetenza JEW TENSJONI MODULAR F’KOMPREZZJONIJIET JEW TRACTIONS._x000D_ MINGĦAJR EMBARGO, l-operazzjoni ta ‘kaps GAASBN ta’ kwalità għolja u nano-strutturi huwa offrut għal ħafna problemi importanti li huma inerenti għat-tkabbir ta ‘nitridi dilwiti, kif ukoll densità għolja ta’ difetti politiċi, tneħħija gradwali u l-kontroll diffiċli ta ‘kompetizzjoni. HUWA MEĦTIEĠ GĦARFIEN PROFOND TAL-PROPRJETAJIET TAL-MEKKANIŻMU TAT-TKABBIR U TAL-MATERJAL FIL-LIVELL MIKROSKOPIKU QABEL MA GAASSBN IKUN JISTA’ JIĠI APPLIKAT GĦAL APPARATI TA’ EFFIĊJENZA GĦOLJA ĦAFNA. DAN HUWA POSSIBBLI BISS PERMEZZ TA’ STUDJU SISTEMATIKU LI JIKKORRELATA L-KUNDIZZJONIJIET TAT-TKABBIR MAL-PROPRJETAJIET STRUTTURALI, OTTIĊI U ELETTRIĊI KKARATTERIZZATI MINN VARJETÀ WIESGĦA TA’ TEKNIKI AVVANZATI. DAN HUWA L-EWWEL GĦAN TAL-PROĠETT. L-GĦAN AĦĦARI HUWA LI JIĠU MMANIFATTURATI ĊELLOLI FOTOVOLTAJĊI MINN UNJONI GĦAL 1 EV U FOTODETETTURI F’1064 NM B’KARATTERISTIĊI MTEJBA FUQ TEKNOLOĠIJI EŻISTENTI. IL-PROĠETT SE JKOPRI L-KATINA KOLLHA TAL-GĦARFIEN, MID-DISINN, IT-TKABBIR MILL-MBE, IL-KARATTERIZZAZZJONI KOMPRENSIVA TAL-MATERJAL, U L-MANIFATTURA U L-EVALWAZZJONI TAL-APPARATI. BIEX JINTLAĦQU DAWN L-OBJETTIVI, IL-KOORDINAZZJONI TAL-KOMPETENZI KOMPLEMENTARI TAL-U. POLITECNICA DE MADRID U TAL-U. DE CADIZ HIJA KRUĊJALI GĦAS-SUĊĊESS TAL-PROĠETT. (Maltese)
17 August 2022
0 references
GAASSBN PUSVADĪTĀJU SAKAUSĒJUMI IR IZRĀDĪJUŠIES VIENS NO DAUDZSOLOŠĀKAJIEM MATERIĀLIEM UZ GAAS BĀZES FOTONISKIEM LIETOJUMIEM. ŠO MATERIĀLU VAR AUDZĒT EPITAKSIĀLI PIELĀGOT TĪKLĀ GAAS, UN IR AIZLIEGTA JOSLU ENERĢIJAS MAZĀKU UN NOSKAŅOJAMU. TURKLĀT TĀ PIEVIENO PAPILDU ĪPATNĪBAS CITU ATŠĶAIDĪTU NITRĪDU, PIEMĒRAM, INGAASN, ĪPAŠĪBĀM, JO TAS ĻAUJ NEATKARĪGI KONTROLĒT BRAUKŠANAS JOSLAS UN VALENSIJU, IZMANTOJOT ATTIECĪGI N UN SB SATURU. TĀPĒC VIŅŠ IR IDEĀLS KANDIDĀTS JOSLU INŽENIERZINĀTNĒM UN SPRIEDZES DEFORMĀCIJĀM. ŠAJĀ PROJEKTĀ IR IEROSINĀTS IZMANTOT GAASSBN UNIKĀLĀS ĪPAŠĪBAS, LAI RAŽOTU AUGSTAS EFEKTIVITĀTES FOTONIKAS IERĪCES, KAS VARĒTU UZLABOT ESOŠO TEHNOLOĢIJU DIVĀS LIELAS IETEKMES JOMĀS: Saules šūnas un OPTICAL COMMUNIKĀCIJAS SPACE._x000D_ BY A pusē, SB ir apgriezts kā virsmaktīvā viela INGAASN molekulu epitaksijas (MBE) augšanā, lai radītu 1 EV vāciņus, kas pielāgoti GAAS MULTI-UNION CELLS, ar PROPORCING TWO ULTIMUM RECORD secīgus EFICIENCE SOLAR CELLS. LIELAJAM GAASSBN RAKSTURĪGO PRIEKŠROCĪBU SKAITAM SALĪDZINĀJUMĀ AR INGAASN VAJADZĒTU ĻAUT IEVĒROJAMI UZLABOT ŠOS REZULTĀTUS. Attiecībā uz otru pusi, falte of A MATERIAL ADECTED TO PRODUCT photodetectors HIGH Efficient pie 1064 NM, Key ELEMENT IN THE TECHNOLOGY OF PROXIMA GENERATION OF OPTIC COMMUNICATION IN THE SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, ar NUMEROUS SALESĪBU PIEŅEMTS InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM proponēt divas kļūdas PIETEIKUMI virs PIETEIKUMIEM. PIRMAIS IR GAASSBN BIEZU SLĀŅU IZMANTOŠANA, KAS SAVIENOTA AR GAAS, LAI NODROŠINĀTU AUGSTU ABSORBCIJAS APJOMU. OTRAIS IR JAUNU NANOSTRUKTŪRAS STRATĒĢIJU IZMANTOŠANA AR JOSLU INŽENIERIJU, KAS APTVER NO 2D LĪDZ 0D UN KAM IR POTENCIĀLAS PRIEKŠROCĪBAS PĀR BIEZIEM SLĀŅIEM. GAASSBN iebūvēto kvantu un supertīklu augšanai ir liela daudzpusība dizainā un kas ļauj sintezēt BANDA izlīdzinājumus no tipo I līdz II TYPE CONFIGURATIONS UN Compence OR MODULAR TENSION IN COMPRETIONS OR TRACTIONS._x000D_ BITHOUT EMBARGO, augstas kvalitātes GAASBN vāciņu un nano-estructs darbība tiek piedāvāta daudzām svarīgām problēmām, kas raksturīgas atšķaidītu nitrīdu augšanai, kā arī augstai politisko defektu blīvībai, pakāpeniskai izslēgšanai un sarežģītai konkurences kontrolei. LAI GAASSBN VARĒTU IZMANTOT ĪPAŠI AUGSTAS EFEKTIVITĀTES IERĪCĒM, IR NEPIECIEŠAMAS DZIĻAS ZINĀŠANAS PAR AUGŠANAS MEHĀNISMU UN MATERIĀLU ĪPAŠĪBĀM MIKROSKOPISKĀ LĪMENĪ. TAS IR IESPĒJAMS TIKAI AR SISTEMĀTISKU PĒTĪJUMU, KAS KORELĒ AUGŠANAS APSTĀKĻUS AR STRUKTURĀLAJĀM, OPTISKAJĀM UN ELEKTRISKAJĀM ĪPAŠĪBĀM, KO RAKSTURO DAŽĀDAS PROGRESĪVAS METODES. TAS IR PIRMAIS PROJEKTA MĒRĶIS. GALĪGAIS MĒRĶIS IR RAŽOT FOTOELEMENTUS NO SAVIENĪBAS LĪDZ 1 EV UN FOTODETEKTORUS PIE 1064 NM AR UZLABOTĀM ĪPAŠĪBĀM SALĪDZINĀJUMĀ AR ESOŠAJĀM TEHNOLOĢIJĀM. PROJEKTS APTVERS VISU ZINĀŠANU ĶĒDI, SĀKOT AR PROJEKTĒŠANU, MBE IZAUGSMI, VISAPTVEROŠU MATERIĀLU RAKSTUROŠANU, IERĪČU RAŽOŠANU UN NOVĒRTĒŠANU. LAI SASNIEGTU ŠOS MĒRĶUS, U. POLITECNICA DE MADRID UN U. DE CADIZ PAPILDU KOMPETENČU KOORDINĀCIJA IR PROJEKTA PANĀKUMU ATSLĒGA. (Latvian)
17 August 2022
0 references
POLOVODIČOVÉ ZLIATINY GAASSBN SA OSVEDČILI AKO JEDEN Z NAJSĽUBNEJŠÍCH MATERIÁLOV PRE FOTONICKÉ APLIKÁCIE NA BÁZE GAAS. TENTO MATERIÁL JE MOŽNÉ PESTOVAŤ EPITAXIÁLNE V SIETI GAA A MÁ ZAKÁZANÉ PÁSMO ENERGIE MENŠIE A LADITEĽNÉ. OKREM TOHO PRIDÁVA ĎALŠIE OSOBITOSTI K ŠPECIFIKÁM INÝCH ZRIEDENÝCH NITRIDOV, AKO JE INGAASN, PRETOŽE UMOŽŇUJE NEZÁVISLÚ KONTROLU NAD JAZDNÝMI PÁSMAMI A VALENCIA PROSTREDNÍCTVOM OBSAHU N A SB. JE PRETO IDEÁLNYM KANDIDÁTOM NA INŽINIERSTVO KAPIEL A NAPÄTIE-DEFORMÁCIE. V TOMTO PROJEKTE SA NAVRHUJE VYUŽIŤ JEDINEČNÉ VLASTNOSTI GAASSBN NA VÝROBU VYSOKO ÚČINNÝCH FOTONICKÝCH ZARIADENÍ, KTORÉ BY MOHLI ZLEPŠIŤ EXISTUJÚCU TECHNOLÓGIU V DVOCH OBLASTIACH VEĽKÉHO VPLYVU: Solárne bunky a OPTICKÉ KOMUNIKÁCIE V SPACE._x000D_ BY A strana, SB bola reciprocovaná ako povrchovo aktívna látka v raste epitaxi molekúl (MBE) INGAASN na výrobu čiapok 1 EV upravených na GAAS v MULTI-UNION CELLS, a to tým, že PROPORCING THE TWO ULTIMUM RECORD po sebe idúcich EFICIENCE IN SOLAR CELLS. VEĽKÉ MNOŽSTVO INHERENTNÝCH VÝHOD GAASSBN OPROTI INGAASN BY MALO UMOŽNIŤ VÝRAZNE ZLEPŠIŤ TIETO VÝSLEDKY. Pre druhú stranu, falšovanie MATERIÁLNEJ DOPRAVY fotodetektory vysoko efektívne na 1064 NM, Key ELEMENT IN TECHNOLOGY PROXIMA GENERATION OF OPTICICATION IN THE SPACE, Tambien podria kubrirse USNDO GAASSBN, s NUMEROUS SALES RESPECTED NA InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM proponovať DVA mismas APPLIKÁCIE pre nad APPLICATIONS. PRVÝM JE POUŽITIE HRUBÝCH VRSTIEV GAASSBN PRIPOJENÝCH K GAAS, ABY SA ZABEZPEČIL VYSOKÝ ABSORPČNÝ OBJEM. DRUHÝM JE POUŽITIE NOVÝCH STRATÉGIÍ ZALOŽENÝCH NA NANOŠTRUKTÚRE S PÁSOVÝM INŽINIERSTVOM, KTORÉ POKRÝVAJÚ 2D AŽ 0D A MAJÚ POTENCIÁLNE VÝHODY OPROTI HRUBÝM VRSTVÁM. Rast kvantových a supersiete postavených v GAASSBN tkať veľkú všestrannosť v dizajne a ktorý umožňuje synthise BANDA zarovnanie od typo I TYPE II CONFIGURATIONS ALEBO MODULAR TENSION v COMPRETIONS ALEBO TRACTIONS._x000D_ BEZ EMBARGO, prevádzka vysoko kvalitné GAASBN čiapky a nano-eštrukcie sa ponúka mnohým dôležitým problémom, ktoré sú vlastné rastu zriedených nitridov, ako aj vysoká hustota politických defektov, postupné vyraďovanie a náročná kontrola hospodárskej súťaže. PRED APLIKÁCIOU GAASSBN NA ZARIADENIA S ULTRA VYSOKOU ÚČINNOSŤOU JE POTREBNÁ HLBOKÁ ZNALOSŤ RASTOVÉHO MECHANIZMU A MATERIÁLOVÝCH VLASTNOSTÍ NA MIKROSKOPICKEJ ÚROVNI. TO JE MOŽNÉ LEN PROSTREDNÍCTVOM SYSTEMATICKEJ ŠTÚDIE, KTORÁ KORELUJE PODMIENKY RASTU SO ŠTRUKTURÁLNYMI, OPTICKÝMI A ELEKTRICKÝMI VLASTNOSŤAMI CHARAKTERIZOVANÝMI ŠIROKOU ŠKÁLOU POKROČILÝCH TECHNÍK. TO JE PRVÝ CIEĽ PROJEKTU. KONEČNÝM CIEĽOM JE VYRÁBAŤ FOTOVOLTICKÉ ČLÁNKY Z ÚNIE DO 1 EV A FOTODETEKTORY PRI 1064 NM SO ZLEPŠENÝMI VLASTNOSŤAMI OPROTI EXISTUJÚCIM TECHNOLÓGIÁM. PROJEKT BUDE POKRÝVAŤ CELÝ REŤAZEC POZNATKOV, OD NÁVRHU, RASTU MBE, KOMPLEXNEJ CHARAKTERIZÁCIE MATERIÁLU, VÝROBY A HODNOTENIA ZARIADENÍ. NA DOSIAHNUTIE TÝCHTO CIEĽOV JE KOORDINÁCIA DOPLNKOVÝCH KOMPETENCIÍ U. POLITECNICA DE MADRID A U. DE CADIZ KĽÚČOM K ÚSPECHU PROJEKTU. (Slovak)
17 August 2022
0 references
TÁ SÉ CRUTHAITHE GO BHFUIL CÓIMHIOTAIL LEATHSHEOLTÓRA GAASSBN AR CHEANN DE NA HÁBHAIR IS MÓ A BHFUIL GEALLADH FÚTHU D’IARRATAIS PHOTONICAL BUNAITHE AR GAAS. IS FÉIDIR AN T-ÁBHAR A FHÁS EPITAXIALLY CHOIGEARTÚ I LÍONRA LEIS AN GAAS AGUS TÁ BANNA COSC FUINNIMH NÍOS LÚ AGUS TUNABLE. INA THEANNTA SIN, CUIREANN SÉ SAINGHNÉITHE BREISE LEIS NA CINN A BHAINEANN LE NÍTRÍDÍ CAOLAITHE EILE AMHAIL INGAASN, TOISC GO GCEADAÍONN SÉ RIALÚ NEAMHSPLEÁCH AR NA BANDAÍ TIOMÁNA AGUS VALENCIA TRÍ ÁBHAR N AGUS SB, FAOI SEACH. DÁ BHRÍ SIN, TÁ SÉ INA IARRTHÓIR IONTACH LE HAGHAIDH INNEALTÓIREACHT BANNAÍ AGUS TEANNAS-DEFORMATIONS. SA TIONSCADAL SEO TÁ SÉ BEARTAITHE LEAS A BHAINT AS AIRÍONNA UATHÚLA GAASSBN CHUN GLÉASANNA FÓTÓNAÍOCHA ARDÉIFEACHTÚLACHTA A MHONARÚ A D’FHÉADFADH FEABHAS A CHUR AR AN TEICNEOLAÍOCHT ATÁ ANN CHEANA IN DHÁ RÉIMSE A BHFUIL TIONCHAR MÓR ACU: Cealla Gréine agus COMHPHOBAL I SPACE._x000D_ BY A taobh, tá SB frithingithe mar fhrithghníomhaí i bhfás epitaxia de mhóilíní (MBE) de INGAASN chun caipíní de 1 EV arna gcoigeartú do GAAS i MULTI-UNION CELLS a tháirgeadh, ag PROPORCING the TWO ULTIMUM RECORD leanúnaí EFICICE I gCELLS SOLAR. MAR GHEALL AR AN LÍON MÓR BUNTÁISTÍ BUNÚSACHA A BHAINEANN LE GAASSBN THAR INGAASN, BA CHEART GO BHFÉADFAÍ FEABHAS SUNTASACH A CHUR AR NA TORTHAÍ SIN. Ar thaobh eile, AN Falte ADECTED A DHÉANAMH go dtí Grianghrafadóirí TÁIRGE Éifeachtach ag 1064 NM, ELEADH EORPACH SA TECHNOLOGY AN GINEARÁLTA PROXIMA COMHPHOBAL OPT IN AN SPÁS, TAMBIEN podria CUBRIRSE USNDO GAASSBN, le CÓRAS CÓRAS NUMEROUS IARRATAIS LE hAGHAIDH IARRATAIS/INP._x000D_ CÓRAS CÓRAS IARRATAIS D’Iarratais Thar Lear. IS É AN CHÉAD CHEANN NÁ ÚSÁID SRAITHEANNA TIUBHA DE GAASSBN ATÁ LÍONRAITHE LEIS NA GAAS CHUN MÉID ARD IONSÚCHÁIN A CHINNTIÚ. IS É AN DARA CEANN NÁ ÚSÁID A BHAINT AS STRAITÉISÍ NUA ATÁ BUNAITHE AR NANASTRUCHTÚR LE HINNEALTÓIREACHT BANDA A CHLÚDAÍONN Ó 2D GO 0D AGUS A BHFUIL BUNTÁISTÍ FÉIDEARTHA ACU THAR SRAITHEANNA TIUBHA. Fágann fás candamach agus supernets a tógadh i GAASSBN solúbthacht mhór sa dearadh agus a ligeann ailíniú BANDA a shioncrónú ó Typo I go TYPE II agus COMPENCE NÓ MODULAR TENSION I gCOMHPHOBAL NÓ TRACTIONS._x000D_ GAN EMBARGO, cuirtear oibriú caipíní GAASBN agus nana-struchtúir ar ardchaighdeán ar fáil do go leor fadhbanna tábhachtacha a bhaineann le fás nítrídí caolaithe, chomh maith le déine ard lochtanna polaitiúla, céimniú amach agus iomaíocht deacair. TÁ EOLAS DOMHAIN AR AN MEICNÍOCHT FÁIS AGUS AIRÍONNA ÁBHARTHA AG AN LEIBHÉAL MICREASCÓPACHA AG TEASTÁIL SULAR FÉIDIR GAASSBN A CHUR I BHFEIDHM AR FHEISTÍ ÉIFEACHTÚLACHTA ULTRA-ARD. NÍL SÉ SEO INDÉANTA ACH AMHÁIN TRÍ STAIDÉAR CÓRASACH A CHOMHFHREAGRAÍONN NA COINNÍOLLACHA FÁIS LEIS NA HAIRÍONNA STRUCHTÚRACHA, OPTÚLA AGUS LEICTREACHA ARB IAD IS SAINAIRÍONNA RÉIMSE LEATHAN TEICNÍCÍ CHUN CINN. IS É SIN AN CHÉAD CHUSPÓIR DE CHUID AN TIONSCADAIL. IS É AN CUSPÓIR DEIRIDH CEALLA FÓTAVOLTACHA A MHONARÚ Ó AONTAS GO 1 EV AGUS FÓTABHRAITEOIRÍ AG 1064 NM A BHFUIL TRÉITHE FEABHSAITHE ACU THAR NA TEICNEOLAÍOCHTAÍ ATÁ ANN CHEANA. CLÚDÓIDH AN TIONSCADAL AN SLABHRA EOLAIS AR FAD, Ó DHEARADH, FÁS AG MBE, TRÉITHRIÚ ÁBHAR CUIMSITHEACH, AGUS DÉANTÚSAÍOCHT AGUS MEASTÓIREACHT FEISTÍ. CHUN NA CUSPÓIRÍ SIN A BHAINT AMACH, TÁ COMHORDÚ INNIÚLACHTAÍ COMHLÁNTACHA U. POLITECNICA DE MADRID AGUS U. DE CADIZ RÍTHÁBHACHTACH DO RATH AN TIONSCADAIL. (Irish)
17 August 2022
0 references
POLOVODIČOVÉ SLITINY GAASSBN SE UKÁZALY JAKO JEDEN Z NEJSLIBNĚJŠÍCH MATERIÁLŮ PRO FOTONICKÉ APLIKACE ZALOŽENÉ NA GAAS. TENTO MATERIÁL LZE PĚSTOVAT EPITAXIÁLNĚ NASTAVIT V SÍTI NA GAA A MÁ ZAKÁZANÉ PÁSMO ENERGIE MENŠÍ A LADITELNÉ. KROMĚ TOHO PŘIDÁVÁ DALŠÍ ZVLÁŠTNOSTI KE ZVLÁŠTNOSTEM JINÝCH ZŘEDĚNÝCH NITRIDŮ, JAKO JE INGAASN, NEBOŤ UMOŽŇUJE NEZÁVISLOU KONTROLU JÍZDNÍCH PÁSŮ A VALENCIE PROSTŘEDNICTVÍM OBSAHU N A SB. JE PROTO IDEÁLNÍM KANDIDÁTEM NA STROJÍRENSTVÍ KAPEL A DEFORMACÍ NAPĚTÍ. V TOMTO PROJEKTU SE NAVRHUJE VYUŽÍT JEDINEČNÉ VLASTNOSTI GAASSBN K VÝROBĚ VYSOCE ÚČINNÝCH FOTONICKÝCH ZAŘÍZENÍ, KTERÁ BY MOHLA ZLEPŠIT STÁVAJÍCÍ TECHNOLOGII VE DVOU OBLASTECH S VELKÝM DOPADEM: Solární články a OPTIKÁLNÍ KOMUNIKACE V mezerníku._x000D_ BY A strana, SB byla vratná jako povrchově aktivní látka v růstu epitaxií molekul (MBE) INGAASN produkovat čepice 1 EV upravené na GAAS v MULTI-UNION CELLS, tím, že PROPORCING TWO ULTIMUM RECORD navazuje na EFICIENCE ve SOLAR CELLS. VELKÉ MNOŽSTVÍ VÝHOD GAASSBN OPROTI INGAASN BY MĚLO UMOŽNIT VÝRAZNÉ ZLEPŠENÍ TĚCHTO VÝSLEDKŮ. Pro druhou stranu, Falete of A MATERIAL ADECTED to PRODUCT photodetectors HIGH Efficient at 1064 NM, Key ELEMENT IN THE TECHNOLOGIE PROXIMA GENERATION of OPTIC COMMUNICATION IN THE SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, s NUMEROUS SALES RESPECTED NA InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM zastáncem dvou mismas APPLICATIONS pro nad APLIKACE. PRVNÍM JE POUŽITÍ SILNÝCH VRSTEV GAASSBN PROPOJENÝCH S GAA, ABY BYL ZAJIŠTĚN VYSOKÝ ABSORPČNÍ OBJEM. DRUHÝM JE VYUŽITÍ NOVÝCH STRATEGIÍ ZALOŽENÝCH NA NANOSTRUKTURÁCH S PÁSMOVÝM INŽENÝRSTVÍM, KTERÉ POKRÝVAJÍ 2D AŽ 0D A MAJÍ POTENCIÁLNÍ VÝHODY OPROTI SILNÝM VRSTVÁM. Růst kvantových a supersítí postavených v GAASSBN tká velké univerzálnosti v designu a který umožňuje synchronizovat zarovnání BANDA od typo I po TYPE II CONFIGURATIONS AND compence OR MODULAR TENSION IN COMPRETIONS OR TRACTIONS._x000D_ BEZ EMBARGO, provoz vysoce kvalitních GAASBN čepic a nanoestrukcí je nabízen mnoha důležitým problémům, které jsou vlastní růstu zředěných nitridů, stejně jako vysoké hustotě politických vad, postupnému vypínání a obtížné kontrole hospodářské soutěže. PŘED APLIKACÍ GAASSBN U ZAŘÍZENÍ S VYSOKOU ÚČINNOSTÍ JE ZAPOTŘEBÍ HLUBOKÉ ZNALOSTI RŮSTOVÉHO MECHANISMU A VLASTNOSTÍ MATERIÁLU NA MIKROSKOPICKÉ ÚROVNI. TO JE MOŽNÉ POUZE PROSTŘEDNICTVÍM SYSTEMATICKÉ STUDIE, KTERÁ KORELUJE RŮSTOVÉ PODMÍNKY SE STRUKTURÁLNÍMI, OPTICKÝMI A ELEKTRICKÝMI VLASTNOSTMI CHARAKTERIZOVANÝMI ŠIROKOU ŠKÁLOU POKROČILÝCH TECHNIK. TO JE PRVNÍ CÍL PROJEKTU. KONEČNÝM CÍLEM JE VYRÁBĚT FOTOVOLTAICKÉ ČLÁNKY Z UNIE NA 1 EV A FOTODETEKTORY PŘI 1064 NM SE ZLEPŠENÝMI VLASTNOSTMI OPROTI STÁVAJÍCÍM TECHNOLOGIÍM. PROJEKT SE BUDE ZABÝVAT CELÝM ŘETĚZCEM ZNALOSTÍ, OD NÁVRHU, RŮSTU MBE, KOMPLEXNÍ CHARAKTERIZACE MATERIÁLU A VÝROBY A HODNOCENÍ ZAŘÍZENÍ. PRO DOSAŽENÍ TĚCHTO CÍLŮ JE KLÍČEM K ÚSPĚCHU PROJEKTU KOORDINACE DOPLŇKOVÝCH KOMPETENCÍ U. POLITECNICA DE MADRID A U. DE CÁDIZ. (Czech)
17 August 2022
0 references
AS LIGAS DE SEMICONDUTORES GAASSBN PROVARAM SER UM DOS MATERIAIS MAIS PROMISSORES PARA APLICAÇÕES FOTÔNICAS BASEADAS EM GAAS. ESTE MATERIAL PODE SER CULTIVADO EPITAXIALMENTE AJUSTADO EM REDE PARA OS GAAS E TEM UMA FAIXA PROIBIDA DE ENERGIA MAIS PEQUENO E SINTONIZÁVEL. ALÉM DISSO, ACRESCENTA PARTICULARIDADES ADICIONAIS ÀS DE OUTROS NITRETOS DILUÍDOS, COMO O INGAASN, UMA VEZ QUE PERMITE O CONTROLO INDEPENDENTE DAS FAIXAS DE CONDUÇÃO E VALÊNCIA ATRAVÉS DO CONTEÚDO DE N E SB, RESPETIVAMENTE. ELE É, PORTANTO, UM CANDIDATO IDEAL PARA A ENGENHARIA DE BANDAS E DEFORMAÇÕES DE TENSÃO. NESTE PROJETO, PROPÕE-SE EXPLORAR AS PROPRIEDADES ÚNICAS DO GAASSBN PARA FABRICAR DISPOSITIVOS FOTÔNICOS DE ALTA EFICIÊNCIA QUE POSSAM MELHORAR A TECNOLOGIA EXISTENTE EM DUAS ÁREAS DE GRANDE IMPACTO: Células solares e COMUNICAÇÕES Óticas NO ESPAÇO._x000D_ POR lado, SB tem sido retribuída como surfatante no crescimento por epitaxia de moléculas (MBE) de INGAASN para produzir tampas de 1 EV ajustadas ao GAAS em CÉLULAS MULTI-UNIONAIS, PROPORCING THE TWO ULTIMUM RECORD consecutivos DE EFICIÊNCIA EM CÉLULAS SOLARes. O GRANDE NÚMERO DE VANTAGENS INERENTES AO GAASSBN EM RELAÇÃO AO INGAASN DEVE PERMITIR MELHORAR SIGNIFICATIVAMENTE ESSES RESULTADOS. Por outro lado, a falsidade de um material destinado a produzir fotodetetores muito eficientes em 1064 NM, a eliminação chave na tecnologia da proxima GENERAÇÃO DA COMUNICAÇÃO Ótica no espaço, Tambien podria cubrir o USNDO GAASSBN, com NUMERO SALES RESPECTADOS AO InGaAS/INP._x000D_ SISTEMA DE SISTEMA propone as duas aplicações erradas para cima das aplicações. O PRIMEIRO É O USO DE CAMADAS GROSSAS DE GAASSBN EM REDE COM OS GAAS PARA GARANTIR UM ALTO VOLUME DE ABSORÇÃO. O SEGUNDO É O USO DE NOVAS ESTRATÉGIAS BASEADAS EM NANOESTRUTURAS COM ENGENHARIA DE BANDA QUE COBREM DE 2D A 0D E TÊM VANTAGENS POTENCIAIS SOBRE CAMADAS GROSSAS. O crescimento de quânticos e supernets construídos em GAASSBN tecer uma grande versatilidade no design e que permite sintetizar os alinhamentos BANDA de typo I para TYPE II CONFIGURAÇÕES E compence OU MODULAR TENSÃO EM COMPREÇÕES OU TRACTIONS._x000D_ SEM EMBARGO, o funcionamento de tampas GAASBN de alta qualidade e nano-estruts é oferecido a muitos problemas importantes que são inerentes ao crescimento de nitretos diluídos, bem como uma alta densidade de defeitos políticos, progressivamente fora e um controle difícil da concorrência. É NECESSÁRIO UM CONHECIMENTO PROFUNDO DO MECANISMO DE CRESCIMENTO E DAS PROPRIEDADES DO MATERIAL A NÍVEL MICROSCÓPICO ANTES QUE O GAASSBN POSSA SER APLICADO A DISPOSITIVOS DE EFICIÊNCIA ULTRAELEVADA. ISSO SÓ É POSSÍVEL ATRAVÉS DE UM ESTUDO SISTEMÁTICO QUE CORRELACIONA AS CONDIÇÕES DE CRESCIMENTO COM AS PROPRIEDADES ESTRUTURAIS, ÓTICAS E ELÉTRICAS CARACTERIZADAS POR UMA AMPLA VARIEDADE DE TÉCNICAS AVANÇADAS. ESTE É UM PRIMEIRO OBJETIVO DO PROJETO. O OBJETIVO FINAL É FABRICAR CÉLULAS FOTOVOLTAICAS DE UMA UNIÃO PARA 1 EV E FOTODETETORES A 1064 NM COM CARACTERÍSTICAS MELHORADAS EM RELAÇÃO ÀS TECNOLOGIAS EXISTENTES. O PROJETO ABRANGERÁ TODA A CADEIA DE CONHECIMENTO, DESDE DESIGN, CRESCIMENTO POR MBE, CARACTERIZAÇÃO ABRANGENTE DE MATERIAIS E FABRICO E AVALIAÇÃO DE DISPOSITIVOS. PARA ATINGIR ESTES OBJETIVOS, A COORDENAÇÃO DAS COMPETÊNCIAS COMPLEMENTARES DA U. POLITECNICA DE MADRID E DA U. DE CADIZ É UMA CHAVE PARA O SUCESSO DO PROJETO. (Portuguese)
17 August 2022
0 references
GAASSBN POOLJUHTIDE SULAMID ON OSUTUNUD ÜHEKS KÕIGE PALJUTÕOTAVAMAKS MATERJALIKS GAAS-PÕHISTE FOTONAALSETE RAKENDUSTE JAOKS. SEDA MATERJALI SAAB KASVATADA EPITAKSIAALSELT VÕRGUS GAAS JA ON KEELATUD RIBA ENERGIAT VÄIKSEM JA TIMMITAV. LISAKS LISAB SEE TÄIENDAVAID ERIPÄRASID VÕRRELDES TEISTE LAHJENDATUD NITRIIDIDEGA, NAGU INGAASN, KUNA SEE VÕIMALDAB ISESEISVALT KONTROLLIDA JUHTIMISRIBASID JA VALENCIAT N JA SB SISU KAUDU. SEETÕTTU ON TA IDEAALNE KANDIDAAT ANSAMBLITE JA PINGETE DEFORMATSIOONIDE PROJEKTEERIMISEKS. SELLES PROJEKTIS TEHAKSE ETTEPANEK KASUTADA GAASSBNI AINULAADSEID OMADUSI, ET TOOTA SUURE TÕHUSUSEGA FOTOONILISI SEADMEID, MIS VÕIKSID OLEMASOLEVAT TEHNOLOOGIAT PARANDADA KAHES SUURE MÕJUGA VALDKONNAS: Päikeseelemendid ja OPTICAL ÜHENDUSED KOOSTIS._x000D_ BY A küljel, SB on võrreldud pindaktiivse ainena INGAASNi molekulide (MBE) epitaksiaga kasvus, et toota 1 EV-d, mis on kohandatud GAAS-ile MULTI-UNION CELLSides, EFICIENCE IN SOLAR CELLS’i TWO ULTIMUM RECORDi järel. GAASSBNILE OMASTE EELISTE SUUR HULK VÕRRELDES INGAASNIGA PEAKS VÕIMALDAMA NEID TULEMUSI MÄRKIMISVÄÄRSELT PARANDADA. Teisel pool, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, NUMEROUS SALES RESPECTED InGaAS/INP._x000D_SYSTEM SYSTEM proponaat TWO mismas APPLIKTSIOONID. ESIMENE ON GAAS VÕRKU ÜHENDATUD GAASSBN-I PAKSUDE KIHTIDE KASUTAMINE, ET TAGADA KÕRGE IMENDUMISRUUMALA. TEINE ON UUTE NANOSTRUKTUURIPÕHISTE STRATEEGIATE KASUTAMINE KOOS RIBATEHNIKAGA, MIS HÕLMAVAD 2D KUNI 0D JA MILLEL ON PAKSUDE KIHTIDE EES VÕIMALIKUD EELISED. Kasvu kvant- ja supervõrgud ehitatud GAASSBN kududa suur mitmekülgsus disain ja mis võimaldab sünkroniseerida BANDA joondused alates Typo I kuni TYPE II CONFIGURATIONS JA pädevus VÕI MODULAR TENSION IN COMPRETIONS VÕI TRACTIONS._x000D_ WITHOUT EMBARGO, kõrgekvaliteediliste GAASBN korkide ja nanorünnakute toimimist pakutakse paljudele olulistele probleemidele, mis on omased lahjendatud nitriidide kasvule, samuti poliitiliste defektide suurele tihedusele, järkjärgulisele kaotamisele ja raskele konkurentsikontrollile. ENNE KUI GAASSBN-I SAAB ÜLISUURE TÕHUSUSEGA SEADMETELE RAKENDADA, ON VAJA SÜGAVAID TEADMISI KASVUMEHHANISMI JA MATERJALI OMADUSTE KOHTA MIKROSKOOPILISEL TASANDIL. SEE ON VÕIMALIK AINULT SÜSTEMAATILISE UURINGU ABIL, MIS SEOB KASVUTINGIMUSED STRUKTUURILISTE, OPTILISTE JA ELEKTRILISTE OMADUSTEGA, MIDA ISELOOMUSTAVAD MITMESUGUSED ARENENUD TEHNIKAD. SEE ON PROJEKTI ESIMENE EESMÄRK. LÕPPEESMÄRK ON TOOTA FOTOGALVAANILISI RAKKE LIIDUST KUNI 1 ELEKTRIELEKTRISÕIDUKINI JA FOTODETEKTORINI 1064 NM JUURES, MILLEL ON OLEMASOLEVATE TEHNOLOOGIATEGA VÕRRELDES PAREMAD OMADUSED. PROJEKT HÕLMAB KOGU TEADMISTE AHELAT ALATES DISAINIST, MBE KASVUST, PÕHJALIKUST MATERJALI ISELOOMUSTUSEST NING SEADMETE TOOTMISEST JA HINDAMISEST. NENDE EESMÄRKIDE SAAVUTAMISEKS ON PROJEKTI EDU VÕTI U. POLITECNICA DE MADRIDI JA U. DE CÁDIZI TÄIENDAVATE PÄDEVUSTE KOORDINEERIMINE. (Estonian)
17 August 2022
0 references
A GAASSBN FÉLVEZETŐ ÖTVÖZETEK A GAA-ALAPÚ FOTONIKÁLIS ALKALMAZÁSOK EGYIK LEGÍGÉRETESEBB ANYAGÁNAK BIZONYULTAK. EZ AZ ANYAG LEHET TERMESZTENI EPITAXIÁLISAN A HÁLÓZAT A GAAS, ÉS TILTOTT SÁV ENERGIA KISEBB ÉS HANGOLHATÓ. EMELLETT TOVÁBBI SAJÁTOSSÁGOKKAL EGÉSZÍTI KI AZ EGYÉB HÍGÍTOTT NITRIDEK, PÉLDÁUL AZ INGAASN SAJÁTOSSÁGAIT, MIVEL LEHETŐVÉ TESZI A VEZETÉSI SÁVOK FÜGGETLEN ELLENŐRZÉSÉT AZ N ÉS AZ SB TARTALMÁN KERESZTÜL. EZÉRT IDEÁLIS JELÖLT A ZENEKAROK ÉS A FESZÜLTSÉG-DEFORMÁCIÓK TERVEZÉSÉRE. EBBEN A PROJEKTBEN AZT JAVASOLJUK, HOGY A GAASSBN EGYEDÜLÁLLÓ TULAJDONSÁGAIT OLYAN NAGY HATÉKONYSÁGÚ FOTONESZKÖZÖK GYÁRTÁSÁRA HASZNÁLJÁK FEL, AMELYEK JAVÍTHATJÁK A MEGLÉVŐ TECHNOLÓGIÁT KÉT NAGY HATÁSÚ TERÜLETEN: Solar Cells és OPTICAL COMMUNICATIONS A SPACE._x000D_ A oldalán az SB-t, mint felületaktív anyagot az INGAASN molekuláinak epitaxiája (MBE) növekedése során, hogy a MULTI-UNION CELLS-ben a GAAS-ra igazított 1 EV-s kupakokat állítsanak elő, a TWO ULTIMUM RECORD egymást követőit a SOLAR CELLS-ben. A GAASSBN-NEK AZ INGAASN-NEL SZEMBENI ELŐNYEINEK NAGY SZÁMA LEHETŐVÉ TESZI EZEKNEK AZ EREDMÉNYEKNEK A JELENTŐS JAVULÁSÁT. A másik oldalon a Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, a Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, A TIGUEN podria cubrirse, a Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN az InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM A TWO mismas APPLICATIONS PPLIKÁCIÓK HOZZÁJÁRULÁSA. AZ ELSŐ A GAASSBN VASTAG RÉTEGEINEK HASZNÁLATA, AMELYEK A GAA-KHOZ KAPCSOLÓDNAK A NAGY ABSZORPCIÓS TÉRFOGAT BIZTOSÍTÁSA ÉRDEKÉBEN. A MÁSODIK AZ ÚJ NANOSTRUKTÚRA-ALAPÚ STRATÉGIÁK ALKALMAZÁSA, AMELYEK 2D-TŐL 0D-IG TERJEDNEK, ÉS A VASTAG RÉTEGEKKEL SZEMBEN POTENCIÁLIS ELŐNYÖKKEL RENDELKEZNEK. A GAASSBN-be épített kvantum és szuperhálók növekedése nagy sokoldalúságot kölcsönöz a tervezésnek, és lehetővé teszi a BANDA beállításainak szintézisét az I. típustól a II. TYPE II-ig, VAGY VAGY MODULAR TENSION IN COMPRETIONS VAGY TRACTIONS._x000D_ WITHOUT EMBARGO, a kiváló minőségű GAASBN sapkák és nanoszerkezetek működtetése számos olyan fontos probléma számára kínálható, amelyek a hígított nitridek növekedéséből erednek, valamint a politikai hibák nagy sűrűsége, a fokozatos kivezetés és a verseny nehéz ellenőrzése. A MIKROSZKÓPOS SZINTEN A NÖVEKEDÉSI MECHANIZMUS ÉS AZ ANYAGTULAJDONSÁGOK ALAPOS ISMERETE SZÜKSÉGES AHHOZ, HOGY A GAASSBN-T ULTRA-NAGY HATÉKONYSÁGÚ ESZKÖZÖKRE LEHESSEN ALKALMAZNI. EZ CSAK EGY SZISZTEMATIKUS TANULMÁNY SEGÍTSÉGÉVEL LEHETSÉGES, AMELY ÖSSZEFÜGGÉSBE HOZZA A NÖVEKEDÉSI FELTÉTELEKET A SZERKEZETI, OPTIKAI ÉS ELEKTROMOS TULAJDONSÁGOKKAL, AMELYEKET A FEJLETT TECHNIKÁK SZÉLES VÁLASZTÉKA JELLEMEZ. EZ A PROJEKT EGYIK ELSŐ CÉLJA. A VÉGSŐ CÉL A FOTOVOLTAIKUS ELEMEK GYÁRTÁSA AZ UNIÓBÓL 1 EV-RE ÉS FOTODETEKTOROKRA 1064 NM-EN, A MEGLÉVŐ TECHNOLÓGIÁK JOBB JELLEMZŐIVEL. A PROJEKT A TELJES TUDÁSLÁNCRA KITERJED, A TERVEZÉSTŐL, AZ MBE ÁLTALI NÖVEKEDÉSTŐL, AZ ÁTFOGÓ ANYAGJELLEMZÉSTŐL, VALAMINT AZ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSÁTÓL ÉS ÉRTÉKELÉSÉTŐL. E CÉLOK ELÉRÉSE ÉRDEKÉBEN AZ U. POLITECNICA DE MADRID ÉS AZ U. DE CADIZ KIEGÉSZÍTŐ HATÁSKÖREINEK ÖSSZEHANGOLÁSA KULCSFONTOSSÁGÚ A PROJEKT SIKERÉHEZ. (Hungarian)
17 August 2022
0 references
GAASSBN ПОЛУПРОВОДНИКОВИТЕ СПЛАВИ СЕ ДОКАЗАХА КАТО ЕДИН ОТ НАЙ-ОБЕЩАВАЩИТЕ МАТЕРИАЛИ ЗА ФОТОННИ ПРИЛОЖЕНИЯ НА БАЗАТА НА GAAS. ТОЗИ МАТЕРИАЛ МОЖЕ ДА СЕ ОТГЛЕЖДА ЕПИТАКСИАЛНО ПРИСПОСОБЕН В МРЕЖА КЪМ GAAS И ИМА ЗАБРАНЕНА ЛЕНТА ОТ ЕНЕРГИЯ, ПО-МАЛКА И РЕГУЛИРУЕМА. ОСВЕН ТОВА ТО ДОБАВЯ ДОПЪЛНИТЕЛНИ ОСОБЕНОСТИ КЪМ ТЕЗИ НА ДРУГИ РАЗРЕДЕНИ НИТРИДИ, КАТО INGAASN, ТЪЙ КАТО ПОЗВОЛЯВА НЕЗАВИСИМ КОНТРОЛ НА ЛЕНТИТЕ НА ДВИЖЕНИЕ И VALENCIA СЪОТВЕТНО ЧРЕЗ СЪДЪРЖАНИЕТО НА N И SB. ЕТО ЗАЩО ТОЙ Е ИДЕАЛЕН КАНДИДАТ ЗА ИНЖЕНЕРИНГ НА ЛЕНТИ И ДЕФОРМАЦИИ НА НАПРЕЖЕНИЕ. В ТОЗИ ПРОЕКТ СЕ ПРЕДЛАГА ДА СЕ ИЗПОЛЗВАТ УНИКАЛНИТЕ СВОЙСТВА НА GAASSBN ЗА ПРОИЗВОДСТВО НА ВИСОКОЕФЕКТИВНИ ФОТОННИ УСТРОЙСТВА, КОИТО БИХА МОГЛИ ДА ПОДОБРЯТ СЪЩЕСТВУВАЩАТА ТЕХНОЛОГИЯ В ДВЕ ОБЛАСТИ С ГОЛЯМО ВЪЗДЕЙСТВИЕ: Слънчеви клетки и ОПТИЧНИ ОБЩИ КОМУНИКАЦИИ В пространството._x000D_ ОТ А страна, SB е реципрочен като повърхностноактивно вещество в растежа чрез епитаксия на молекули (MBE) на INGAASN за производство на капачки от 1 EV, коригирани към GAAS в MULTI-UNION CELLS, чрез ПРЕДСТАВЯНЕ Двата ULTIMUM RECORD последователни от EFICIENCE IN SOLAR CELLS. ГОЛЕМИЯТ БРОЙ ПРИСЪЩИ ПРЕДИМСТВА НА GAASSBN ПРЕД INGAASN СЛЕДВА ДА ДАДЕ ВЪЗМОЖНОСТ ЗА ЗНАЧИТЕЛНО ПОДОБРЯВАНЕ НА ТЕЗИ РЕЗУЛТАТИ. От друга страна, фалтацията на материята, насочена към производството на фотодетектори, които са високо ефективни в 1064 NM, Ключова ЕЛЕНЦИЯ в Технологиите на PROXIMA GENERATION OF OPTIC COMMUNICATION IN THE SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, с NUMEROUS SALES RESPECTED към InGaAS/INP._x000D_СИСТЕМА СИСТЕМА пропонират Двадесетте миси Апликации за над Апликации. ПЪРВИЯТ Е ИЗПОЛЗВАНЕТО НА ДЕБЕЛИ СЛОЕВЕ GAASSBN, СВЪРЗАНИ В МРЕЖА С GAAS, ЗА ДА СЕ ГАРАНТИРА ВИСОК ОБЕМ НА АБСОРБЦИЯ. ВТОРИЯТ Е ИЗПОЛЗВАНЕТО НА НОВИ СТРАТЕГИИ, БАЗИРАНИ НА НАНОСТРУКТУРА, С ЛЕНТОВ ИНЖЕНЕРИНГ, КОИТО ОБХВАЩАТ ОТ 2D ДО 0D И ИМАТ ПОТЕНЦИАЛНИ ПРЕДИМСТВА ПРЕД ДЕБЕЛИТЕ СЛОЕВЕ. Растежът на квантовите и супермрежите, построени в GAASSBN тъкат голяма гъвкавост в дизайна и който позволява да се синхронизират BANDA подравнения от тип I към TYPE II CONFIGURATIONS И ОБРАЗОВАНИЕ ИЛИ МОДУЛЕНТ В КОМПЕКЦИИ ИЛИ TRACTIONS._x000D_ БЕЗ EMBARGO, работата на висококачествени GAASBN капачки и нано-еструктури се предлага на много важни проблеми, които са присъщи на растежа на разредените нитриди, както и висока плътност на политическите дефекти, постепенно премахване и труден контрол на конкуренцията. ИЗИСКВА СЕ ЗАДЪЛБОЧЕНО ПОЗНАВАНЕ НА МЕХАНИЗМА ЗА РАСТЕЖ И СВОЙСТВАТА НА МАТЕРИАЛА НА МИКРОСКОПСКО НИВО, ПРЕДИ GAASSBN ДА МОЖЕ ДА СЕ ПРИЛОЖИ КЪМ СВРЪХВИСОКОЕФЕКТИВНИ УСТРОЙСТВА. ТОВА Е ВЪЗМОЖНО САМО ЧРЕЗ СИСТЕМАТИЧНО ПРОУЧВАНЕ, КОЕТО СВЪРЗВА УСЛОВИЯТА НА РАСТЕЖ СЪС СТРУКТУРНИТЕ, ОПТИЧНИТЕ И ЕЛЕКТРИЧЕСКИТЕ СВОЙСТВА, ХАРАКТЕРИЗИРАЩИ СЕ С ГОЛЯМО РАЗНООБРАЗИЕ ОТ СЪВРЕМЕННИ ТЕХНИКИ. ТОВА Е ПЪРВАТА ЦЕЛ НА ПРОЕКТА. КРАЙНАТА ЦЕЛ Е ДА СЕ ПРОИЗВЕЖДАТ ФОТОВОЛТАИЧНИ КЛЕТКИ ОТ ЕС ДО 1 EV И ФОТОДЕТЕКТОРИ ПРИ 1064 NM С ПОДОБРЕНИ ХАРАКТЕРИСТИКИ В СРАВНЕНИЕ СЪС СЪЩЕСТВУВАЩИТЕ ТЕХНОЛОГИИ. ПРОЕКТЪТ ЩЕ ОБХВАНЕ ЦЯЛАТА ВЕРИГА ОТ ЗНАНИЯ — ОТ ПРОЕКТИРАНЕТО, РАСТЕЖА ОТ СТРАНА НА MBE, ЦЯЛОСТНОТО ХАРАКТЕРИЗИРАНЕ НА МАТЕРИАЛИТЕ И ПРОИЗВОДСТВОТО И ОЦЕНКАТА НА ИЗДЕЛИЯТА. ЗА ПОСТИГАНЕТО НА ТЕЗИ ЦЕЛИ КООРДИНАЦИЯТА НА ДОПЪЛВАЩИТЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ НА U. POLITECNICA DE MADRID И U. DE CADIZ Е ОТ КЛЮЧОВО ЗНАЧЕНИЕ ЗА УСПЕХА НА ПРОЕКТА. (Bulgarian)
17 August 2022
0 references
GAASSBN PUSLAIDININKINIAI LYDINIAI PASIRODĖ ESANTYS VIENA IŠ PERSPEKTYVIAUSIŲ MEDŽIAGŲ, SKIRTŲ „GAAS“ FOTONINIAMS PRITAIKYMAMS. ŠI MEDŽIAGA GALI BŪTI AUGINAMA EPITAKSIŠKAI SUREGULIUOTA TINKLE Į GAAS IR TURI DRAUDŽIAMĄ ENERGIJOS JUOSTĄ, MAŽESNĘ IR DERINAMĄ. BE TO, BE KITŲ PRASKIESTŲ NITRIDŲ, PVZ., INGAASN, JI PAPILDO PAPILDOMUS YPATUMUS, NES LEIDŽIA NEPRIKLAUSOMAI KONTROLIUOTI VAIRAVIMO JUOSTAS IR VALENSIJĄ ATITINKAMAI PER N IR SB TURINĮ. TODĖL JIS YRA IDEALUS KANDIDATAS Į JUOSTŲ IR ĮTAMPOS DEFORMACIJŲ INŽINERIJĄ. ŠIAME PROJEKTE SIŪLOMA IŠNAUDOTI UNIKALIAS GAASSBN SAVYBES, KAD BŪTŲ GALIMA GAMINTI DIDELIO EFEKTYVUMO FOTONINIUS ĮRENGINIUS, KURIE GALĖTŲ PAGERINTI ESAMAS TECHNOLOGIJAS DVIEJOSE DIDELIO POVEIKIO SRITYSE: Saulės elementai ir OPTICAL COMMUNICATIONS SPACE._x000D_ BY A pusėje, SB buvo grįžtamas kaip paviršinio aktyvumo medžiaga augant molekulių (MBE) epitaksija (MBE) gaminti dangtelius 1 EV, pakoreguotą pagal GAAS MULTI-UNION CELLS, PROPORCING DAUGIAU ULTIMUM RECORD iš eilės EFICIENCE SOLAR CELLS. DIDELIS GAASSBN PRIVALUMŲ, PALYGINTI SU INGAASN, SKAIČIUS TURĖTŲ PADĖTI GEROKAI PAGERINTI ŠIUOS REZULTATUS. Dėl kitos pusės, falte of ATERIAL ADECTED to PRODUCT photodetectors HIGH Efficient at 1064 NM, Pagrindiniai ELEMENTAI PROXIMAI GENERACIJA OPTICIJOS KOMUNIKACIJA erdvėje, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, su NUMEROUS SALES RESPECTED į InGaAS/INP._x000D_ SISTEMOS SISTEMOS proponuoti DWO mismas APPLICATIONS virš APPLICATIONS. PIRMASIS YRA STORŲ GAASSBN SLUOKSNIŲ NAUDOJIMAS, SUJUNGTAS SU GAA, KAD BŪTŲ UŽTIKRINTAS DIDELIS ABSORBCIJOS TŪRIS. ANTRASIS YRA NAUJŲ NANOSTRUKTŪROS STRATEGIJŲ NAUDOJIMAS SU JUOSTOS INŽINERIJA, KURI APIMA NUO 2D IKI 0D IR TURI POTENCIALIŲ PRIVALUMŲ, PALYGINTI SU STORAIS SLUOKSNIAIS. Iš kvantinių ir supernetų, pastatytų GAASSBN pynimo didelį universalumą dizaino ir kuris leidžia sinchronizuoti BANDA derinimą nuo typo I į TIPO II CONFIGURATIONS AND compence OR MODULAR TENSION IN COMPRETIONS OR TRACTIONS._x000D_ BE EMBARGO, aukštos kokybės GAASBN dangtelių ir nano-estructs veikimas yra siūlomas daugeliui svarbių problemų, kurios yra būdingos atskiestų nitridų augimui, taip pat didelis politinių defektų tankumas, laipsniškas panaikinimas ir sudėtinga konkurencijos kontrolė. PRIEŠ GAASSBN GALI BŪTI TAIKOMAS ITIN DIDELIO EFEKTYVUMO PRIETAISAMS, REIKIA GILIŲ ŽINIŲ APIE AUGIMO MECHANIZMĄ IR MEDŽIAGŲ SAVYBES MIKROSKOPINIAME LYGYJE. TAI ĮMANOMA TIK PER SISTEMINĮ TYRIMĄ, KURIS SUSIEJA AUGIMO SĄLYGAS SU STRUKTŪRINĖMIS, OPTINĖMIS IR ELEKTRINĖMIS SAVYBĖMIS, KURIOMS BŪDINGA DAUGYBĖ PAŽANGIŲ METODŲ. TAI YRA PIRMASIS PROJEKTO TIKSLAS. GALUTINIS TIKSLAS – GAMINTI FOTOVOLTINIUS ELEMENTUS IŠ SĄJUNGOS Į 1 EVV IR FOTODETEKTORIUS ESANT 1064 NM BANGOS ILGIUI, PASIŽYMINČIUS GERESNĖMIS CHARAKTERISTIKOMIS, PALYGINTI SU ESAMOMIS TECHNOLOGIJOMIS. PROJEKTAS APIMS VISĄ ŽINIŲ GRANDINĘ, PRADEDANT PROJEKTAVIMU, MBE AUGIMU, IŠSAMIU MEDŽIAGŲ APIBŪDINIMU, PRIETAISŲ GAMYBA IR VERTINIMU. NORINT PASIEKTI ŠIUOS TIKSLUS, VIENAS IŠ PAGRINDINIŲ PROJEKTO SĖKMĖS VEIKSNIŲ YRA U. POLITECNICA DE MADRID IR U. DE CADIZ PAPILDOMŲ KOMPETENCIJŲ KOORDINAVIMAS. (Lithuanian)
17 August 2022
0 references
GAASSBN POLUVODIČKE LEGURE DOKAZALE SU SE KAO JEDAN OD NAJPERSPEKTIVNIJIH MATERIJALA ZA FOTONIČKU PRIMJENU NA TEMELJU GAAS-A. OVAJ MATERIJAL SE MOŽE UZGAJATI EPITAKSIJSKI PRILAGODITI U MREŽI GAAS I IMA ZABRANJENU SKUPINU ENERGIJE MANJI I PODESIV. OSIM TOGA, DODAJE DODATNE POSEBNOSTI ONIMA DRUGIH RAZRIJEĐENIH NITRIDA KAO ŠTO JE INGAASN JER OMOGUĆUJE NEOVISNU KONTROLU NAD VOZNIM POJASEVIMA I VALENCIJOM PUTEM SADRŽAJA N-A I SB-A. STOGA JE IDEALAN KANDIDAT ZA INŽENJERING BENDOVA I DEFORMACIJA NAPETOSTI. U OVOM PROJEKTU PREDLAŽE SE ISKORIŠTAVANJE JEDINSTVENIH SVOJSTAVA GAASSBN-A ZA PROIZVODNJU FOTONSKIH UREĐAJA VISOKE UČINKOVITOSTI KOJI BI MOGLI POBOLJŠATI POSTOJEĆU TEHNOLOGIJU U DVA PODRUČJA VELIKOG UTJECAJA: Solarne ćelije i OPTIČKE KOMUNIKACIJE U SPACE._x000D_ BY A strani, SB je uzvratio kao surfaktan u rastu epitaksijom molekula (MBE) INGAASN kako bi se proizvele kape od 1 EV prilagođeno GAAS-u u MULTI-UNION CELLS, PROPORCING THE TWO ULTIMUM RECORD uzastopne EFICIENCE U SOLAR CELLS. VELIK BROJ INHERENTNIH PREDNOSTI GAASSBN-A U ODNOSU NA INGAASN TREBAO BI OMOGUĆITI ZNAČAJNO POBOLJŠANJE TIH REZULTATA. Za drugu stranu, faltiranje MATERIALNOG ODNOSA na proizvodnju fotodetektora VELIKO Učinkovito na 1064 NM, Ključni ELEMENT U TEHNOLOGiji PROXIMA GENERACIJA OPTIKE KOMUNIKACIJE U SPACE, Tambien Podria Cubrirse USNDO GAASSBN, s NUMEROUS SALES RESPECTED za InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM predlaže Dva mismas APPLIKACIJE za iznad APPLIKACIJE. PRVI JE KORIŠTENJE DEBELIH SLOJEVA GAASSBN UMREŽENIH NA GAAS KAKO BI SE OSIGURAO VISOK VOLUMEN APSORPCIJE. DRUGA JE UPOTREBA NOVIH STRATEGIJA TEMELJENIH NA NANOSTRUKTURI S POJASNIM INŽENJERINGOM KOJI POKRIVAJU OD 2D DO 0D I IMAJU POTENCIJALNE PREDNOSTI NAD DEBELIM SLOJEVIMA. Rast kvantnih i supernets izgrađenih u GAASSBN tkati veliku svestranost u dizajnu i koji omogućuje da synthise BANDA poravnanja iz typo I na TYPE II CONFIGURATIONS i kompetenciju ILI MODULAR TENSION U ODNOSU ILI TRACTIONS._x000D_ BEZ EMBARGO, rad visokokvalitetnih GAASBN kapa i nano-estrukta nudi se mnogim važnim problemima koji su svojstveni rastu razrijeđenih nitrida, kao i velikoj gustosti političkih nedostataka, postupnom ukidanju i teškoj kontroli tržišnog natjecanja. DUBOKO POZNAVANJE MEHANIZMA RASTA I SVOJSTAVA MATERIJALA NA MIKROSKOPSKOJ RAZINI POTREBNO JE PRIJE NEGO ŠTO SE GAASSBN MOŽE PRIMIJENITI NA UREĐAJE ULTRA-VISOKE UČINKOVITOSTI. TO JE MOGUĆE SAMO KROZ SUSTAVNU STUDIJU KOJA POVEZUJE UVJETE RASTA SA STRUKTURNIM, OPTIČKIM I ELEKTRIČNIM SVOJSTVIMA KOJA KARAKTERIZIRA ŠIROK RASPON NAPREDNIH TEHNIKA. TO JE PRVI CILJ PROJEKTA. KONAČNI JE CILJ PROIZVODNJA FOTONAPONSKIH ĆELIJA IZ UNIJE NA 1 EV I FOTODETEKTORA NA 1064 NM S POBOLJŠANIM SVOJSTVIMA U ODNOSU NA POSTOJEĆE TEHNOLOGIJE. PROJEKT ĆE OBUHVATITI CIJELI LANAC ZNANJA, OD PROJEKTIRANJA, RASTA MBE-A, SVEOBUHVATNE KARAKTERIZACIJE MATERIJALA TE PROIZVODNJE I PROCJENE UREĐAJA. KAKO BI SE POSTIGLI TI CILJEVI, KOORDINACIJA KOMPLEMENTARNIH KOMPETENCIJA U. POLITECNICA DE MADRID I U. DE CADIZ KLJUČNA JE ZA USPJEH PROJEKTA. (Croatian)
17 August 2022
0 references
GAASSBN HALVLEDARLEGERINGAR HAR VISAT SIG VARA ETT AV DE MEST LOVANDE MATERIALEN FÖR GAAS-BASERADE FOTONISKA APPLIKATIONER. DETTA MATERIAL KAN ODLAS EPITAXIELLT JUSTERAS I NÄTVERK TILL GAAS OCH HAR ETT FÖRBJUDET BAND AV ENERGI MINDRE OCH AVSTÄMBAR. DESSUTOM TILLFÖR DEN YTTERLIGARE SÄRDRAG TILL ANDRA UTSPÄDDA NITRIDER, SÅSOM INGAASN, EFTERSOM DET MÖJLIGGÖR OBEROENDE KONTROLL AV KÖRBANDEN OCH VALENCIA GENOM INNEHÅLLET I N RESPEKTIVE SB. HAN ÄR DÄRFÖR EN IDEALISK KANDIDAT FÖR KONSTRUKTION AV BAND OCH SPÄNNINGSDEFORMATIONER. I DETTA PROJEKT FÖRESLÅS ATT MAN UTNYTTJAR DE UNIKA EGENSKAPERNA HOS GAASSBN FÖR ATT TILLVERKA HÖGEFFEKTIVA FOTONISKA ENHETER SOM SKULLE KUNNA FÖRBÄTTRA DEN BEFINTLIGA TEKNIKEN INOM TVÅ OMRÅDEN MED STOR INVERKAN: Solceller och OPTICAL KOMMUNIKATIONER I SPACE._x000D_ På en sida, SB har återgående som ytaktivt ämne i tillväxten av epitaxi av molekyler (MBE) av INGAASN för att producera lock på 1 EV justerad till GAAS i MULTI-UNION CELLS, genom att PROPORCING TWO ULTIMUM RECORD konsekutioner av EFICIENCE I SOLAR CELLS. DET STORA ANTALET INNEBOENDE FÖRDELAR MED GAASSBN JÄMFÖRT MED INGAASN BÖR GÖRA DET MÖJLIGT ATT AVSEVÄRT FÖRBÄTTRA DESSA RESULTAT. För en annan sida, The falte OF A MATERIAL ADECTed to PRODUKT Photodetectors HIGH Efffficient at 1064 NM, Key ELEMENT IN THE TECHNOLOGY OF PROXIMA GENERATION OF OPTIC COMMUNICATION I SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, med NUMEROUS SALES RESPECTED TILL InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM proponera de två felen ANSÖKNINGAR FÖR Ovanstående APPLICATIONER. DEN FÖRSTA ÄR ANVÄNDNINGEN AV TJOCKA LAGER AV GAASSBN ANSLUTNA TILL GAAS FÖR ATT SÄKERSTÄLLA EN HÖG ABSORPTIONSVOLYM. DEN ANDRA ÄR ANVÄNDNINGEN AV NYA NANOSTRUKTURBASERADE STRATEGIER MED BANDTEKNIK SOM TÄCKER FRÅN 2D TILL 0D OCH HAR POTENTIELLA FÖRDELAR JÄMFÖRT MED TJOCKA LAGER. Tillväxten av kvant och supernät inbyggda i GAASSBN väver en stor mångsidighet i designen och som gör det möjligt att synkronisera BANDA-justeringar från typo I till TYPE II CONFIGURATIONS OCH compence ELLER MODULAR TENSION I COMPRETIONS ELLER TRACTIONS._x000D_ UTAN EMBARGO, drift av högkvalitativa GAASBN-kapslar och nano-estructs erbjuds till många viktiga problem som är inneboende i tillväxten av utspädda nitrider, samt en hög densitet av politiska defekter, utfasning och en svår konkurrenskontroll. DET KRÄVS DJUP KUNSKAP OM TILLVÄXTMEKANISMEN OCH MATERIALEGENSKAPERNA PÅ MIKROSKOPISK NIVÅ INNAN GAASSBN KAN APPLICERAS PÅ ENHETER MED ULTRAHÖG VERKNINGSGRAD. DETTA ÄR ENDAST MÖJLIGT GENOM EN SYSTEMATISK STUDIE SOM KORRELERAR TILLVÄXTFÖRHÅLLANDENA MED DE STRUKTURELLA, OPTISKA OCH ELEKTRISKA EGENSKAPER SOM KÄNNETECKNAS AV EN MÄNGD OLIKA AVANCERADE TEKNIKER. DET ÄR ETT FÖRSTA MÅL MED PROJEKTET. DET SLUTLIGA MÅLET ÄR ATT TILLVERKA SOLCELLSCELLER FRÅN EN UNION TILL 1 ELFORDON OCH FOTODETEKTORER VID 1064 NM MED FÖRBÄTTRADE EGENSKAPER JÄMFÖRT MED BEFINTLIG TEKNIK. PROJEKTET KOMMER ATT OMFATTA HELA KUNSKAPSKEDJAN, FRÅN DESIGN, TILLVÄXT MED MBE, OMFATTANDE MATERIALKARAKTERISERING SAMT TILLVERKNING OCH UTVÄRDERING AV PRODUKTER. FÖR ATT UPPNÅ DESSA MÅL ÄR SAMORDNINGEN AV KOMPLETTERANDE KOMPETENSER MELLAN U. POLITECNICA DE MADRID OCH U. DE CADIZ EN NYCKEL TILL PROJEKTETS FRAMGÅNG. (Swedish)
17 August 2022
0 references
ALIAJELE SEMICONDUCTOARE GAASSBN S-AU DOVEDIT A FI UNUL DINTRE CELE MAI PROMIȚĂTOARE MATERIALE PENTRU APLICAȚIILE FOTONICE BAZATE PE GAAS. ACEST MATERIAL POATE FI CULTIVAT EPITAXIAL AJUSTAT ÎN REȚEA LA GAA ȘI ARE O BANDĂ INTERZISĂ DE ENERGIE MAI MICĂ ȘI ACORDABILĂ. ÎN PLUS, ACEASTA ADAUGĂ PARTICULARITĂȚI SUPLIMENTARE CELOR ALE ALTOR NITRURI DILUATE, CUM AR FI INGAASN, DEOARECE PERMITE CONTROLUL INDEPENDENT AL BENZILOR DE CONDUCERE ȘI AL VALENCIA PRIN CONȚINUTUL N ȘI, RESPECTIV, AL SB. PRIN URMARE, EL ESTE UN CANDIDAT IDEAL PENTRU INGINERIA BENZILOR ȘI A DEFORMĂRILOR DE TENSIUNE. ÎN ACEST PROIECT SE PROPUNE EXPLOATAREA PROPRIETĂȚILOR UNICE ALE GAASSBN PENTRU A PRODUCE DISPOZITIVE FOTONICE DE ÎNALTĂ EFICIENȚĂ CARE AR PUTEA ÎMBUNĂTĂȚI TEHNOLOGIA EXISTENTĂ ÎN DOUĂ DOMENII CU IMPACT MAJOR: Celule solare și COMUNICAȚII OPTICE ÎN SPACE._x000D_ BY O parte, SB a fost reciprocat ca agent tensioactiv în creșterea prin epitaxia moleculelor (MBE) de INGAASN pentru a produce capace de 1 EV ajustate la GAAS în CELELE MULTI-UNI, prin PROPORCAREA CELE CUMURI ULTIMUM RECORD DE CELELE DE EFICIENȚĂ IN SOLARĂ. NUMĂRUL MARE DE AVANTAJE INERENTE GAASSBN FAȚĂ DE INGAASN AR TREBUI SĂ PERMITĂ ÎMBUNĂTĂȚIREA SEMNIFICATIVĂ A ACESTOR REZULTATE. Pentru o altă parte, falte of a MATERIAL ADECTED to PRODUCT Photodetectors HIGH Efficificient at 1064 NM, ELEMENT cheie ÎN TEHNOLOGIE GENERARE PROXIMA DE COMUNICARE OPTICĂ în spațiu, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, cu SALES NUMEROUS RESPECTATE la InGaAS/INP._x000D_ SISTEMUL DE SYSTEM proponează cele două aplicații de mismas pentru a depăși APPLICATIONS. PRIMUL ESTE UTILIZAREA STRATURILOR GROASE DE GAASSBN ÎN REȚEA LA GAAS PENTRU A ASIGURA UN VOLUM MARE DE ABSORBȚIE. AL DOILEA ESTE UTILIZAREA DE NOI STRATEGII BAZATE PE NANOSTRUCTURĂ CU INGINERIE DE BANDĂ CARE ACOPERĂ DE LA 2D LA 0D ȘI AU AVANTAJE POTENȚIALE FAȚĂ DE STRATURILE GROASE. Creșterea cuantică și a supernetelor construite în GAASSBN țese o mare versatilitate în design și care permite sintetizarea aliniamentelor BANDA de la tipo I la TIP II CONFIGURAȚII ȘI componență SAU TENSIUNE MODULARă în COMPREȚII SAU TRACȚII._x000D_ FĂRĂ EMBARGO, operarea de capace GAASBN de înaltă calitate și nano-structuri este oferită multor probleme importante care sunt inerente creșterii nitrurilor diluate, precum și o densitate ridicată a defectelor politice, eliminarea treptată și un control dificil al concurenței. CUNOAȘTEREA PROFUNDĂ A MECANISMULUI DE CREȘTERE ȘI A PROPRIETĂȚILOR MATERIALE LA NIVEL MICROSCOPIC ESTE NECESARĂ ÎNAINTE CA GAASSBN SĂ POATĂ FI APLICAT DISPOZITIVELOR CU EFICIENȚĂ FOARTE RIDICATĂ. ACEST LUCRU ESTE POSIBIL NUMAI PRINTR-UN STUDIU SISTEMATIC CARE CORELEAZĂ CONDIȚIILE DE CREȘTERE CU PROPRIETĂȚILE STRUCTURALE, OPTICE ȘI ELECTRICE CARACTERIZATE PRINTR-O GAMĂ LARGĂ DE TEHNICI AVANSATE. ACESTA ESTE UN PRIM OBIECTIV AL PROIECTULUI. OBIECTIVUL FINAL ESTE DE A PRODUCE CELULE FOTOVOLTAICE DINTR-O UNIUNE LA 1 VE ȘI FOTODETECTOARE LA 1064 NM CU CARACTERISTICI ÎMBUNĂTĂȚITE FAȚĂ DE TEHNOLOGIILE EXISTENTE. PROIECTUL VA ACOPERI ÎNTREGUL LANȚ DE CUNOȘTINȚE, DE LA PROIECTARE, CREȘTERE PRIN MBE, CARACTERIZARE CUPRINZĂTOARE A MATERIALELOR ȘI FABRICAREA ȘI EVALUAREA DISPOZITIVELOR. PENTRU A ATINGE ACESTE OBIECTIVE, COORDONAREA COMPETENȚELOR COMPLEMENTARE ALE U. POLITECNICA DE MADRID ȘI U. DE CADIZ ESTE ESENȚIALĂ PENTRU SUCCESUL PROIECTULUI. (Romanian)
17 August 2022
0 references
GAASSBN POLPREVODNIŠKE ZLITINE SO SE IZKAZALE ZA ENEGA NAJBOLJ OBETAVNIH MATERIALOV ZA FOTONIKALNE APLIKACIJE NA OSNOVI GAAS. TA MATERIAL SE LAHKO GOJI EPITAKSIALLY PRILAGODITI V OMREŽJU NA GAAS IN IMA PREPOVEDAN PAS ENERGIJE MANJŠI IN NASTAVLJIV. POLEG TEGA DODAJA DODATNE POSEBNOSTI DRUGIM RAZREDČENIM NITRIDOM, KOT JE INGAASN, SAJ OMOGOČA NEODVISEN NADZOR NAD VOZNIŠKIMI PASOVI IN VALENCIJO Z VSEBNOSTJO N OZIROMA SB. ZATO JE IDEALEN KANDIDAT ZA INŽENIRING PASOV IN NAPETOSTNIH DEFORMACIJ. V TEM PROJEKTU SE PREDLAGA IZKORIŠČANJE EDINSTVENIH LASTNOSTI GAASSBN ZA PROIZVODNJO VISOKO UČINKOVITIH FOTONSKIH NAPRAV, KI BI LAHKO IZBOLJŠALE OBSTOJEČO TEHNOLOGIJO NA DVEH PODROČJIH Z VELIKIM UČINKOM: Sončne celice in OPTIKALNE SKUPNOSTI V preslednici._x000D_ BY A stran, SB je bila reciprocirana kot površinsko aktivna snov v rasti molekul (MBE) INGAASN (MBE) za proizvodnjo kapic 1 EV, prilagojenih GAAS v MULTI-UNION CELLS, tako da so PROPORCING TWO ULTIMUM RECORD zaporedoma EFICIENCE IN SOLAR CELLS. VELIKO ŠTEVILO PREDNOSTI, KI JIH IMA GAASSBN V PRIMERJAVI Z INGAASN, BI MORALO OMOGOČITI ZNATNO IZBOLJŠANJE TEH REZULTATOV. Na drugi strani pa se je spogledoval z MATERIALNO SPREJETJO, da bi fotodetektorji uspešno delovali pri 1064 NM, Ključna ELEMENT V TEHNOLOGIJI PROXIMA GENERATION OF OPTIC COMMUNICATION IN THE SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, z NUMEROUS SALES RESPECTED na InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SISTEM proponat dve mismas APPLICATIONS ZA Zgoraj APPLICATIONS. PRVA JE UPORABA DEBELIH PLASTI GAASSBN, POVEZANIH Z GAA, DA SE ZAGOTOVI VELIK ABSORPCIJSKI OBSEG. DRUGA JE UPORABA NOVIH STRATEGIJ, KI TEMELJIJO NA NANOSTRUKTURI, S PAS INŽENIRINGOM, KI POKRIVAJO OD 2D DO 0D IN IMAJO POTENCIALNE PREDNOSTI PRED DEBELIMI PLASTMI. Rast kvantnih in supernet, ki so vgrajeni v GAASSBN tkajo veliko vsestranskost v zasnovi in ki omogoča sintezo BANDA poravnav od tipko I do TYPE II CONFIGURATIONS IN kompence ALI MODULARNO TENSION IN COMPRETIONS ALI TRACTIONS._x000D_ BREZ EMBARGO, delovanje visoko kakovostnih GAASBN kape in nano-estructs je na voljo številnim pomembnim problemom, ki so neločljivo povezani z rastjo razredčenih nitridov, kot tudi visoko gostost političnih napak, postopno opuščanje in težaven nadzor konkurence. PREDEN SE GAASSBN LAHKO UPORABI ZA ULTRA-VISOKOUČINKOVITE NAPRAVE, JE POTREBNO GLOBOKO POZNAVANJE MEHANIZMA RASTI IN LASTNOSTI MATERIALA NA MIKROSKOPSKI RAVNI. TO JE MOGOČE LE S SISTEMATIČNO ŠTUDIJO, KI POGOJE RASTI POVEZUJE S STRUKTURNIMI, OPTIČNIMI IN ELEKTRIČNIMI LASTNOSTMI, ZA KATERE JE ZNAČILNA ŠIROKA PALETA NAPREDNIH TEHNIK. TO JE PRVI CILJ PROJEKTA. KONČNI CILJ JE PROIZVODNJA FOTONAPETOSTNIH CELIC IZ UNIJE NA 1 EV IN FOTODETEKTORJEV PRI 1064 NM Z IZBOLJŠANIMI ZNAČILNOSTMI GLEDE NA OBSTOJEČE TEHNOLOGIJE. PROJEKT BO ZAJEMAL CELOTNO VERIGO ZNANJA, OD ZASNOVE, RASTI S STRANI MBE, CELOVITE KARAKTERIZACIJE MATERIALA TER PROIZVODNJE IN VREDNOTENJA NAPRAV. ZA DOSEGO TEH CILJEV JE ZA USPEH PROJEKTA KLJUČNEGA POMENA USKLAJEVANJE KOMPLEMENTARNIH PRISTOJNOSTI U. POLITECNICA DE MADRID IN U. DE CADIZ. (Slovenian)
17 August 2022
0 references
STOPY PÓŁPRZEWODNIKOWE GAASSBN OKAZAŁY SIĘ JEDNYM Z NAJBARDZIEJ OBIECUJĄCYCH MATERIAŁÓW DO ZASTOSOWAŃ FOTONICZNYCH OPARTYCH NA GAAS. MATERIAŁ TEN MOŻE BYĆ UPRAWIANY EPITAKSJALNIE W SIECI DO GAAS I MA ZAKAZANE PASMO ENERGII MNIEJSZE I PRZESTRAJALNE. PONADTO DODAJE ONA DODATKOWE CECHY SZCZEGÓLNE DO CECH INNYCH ROZCIEŃCZONYCH AZOTKÓW, TAKICH JAK INGAASN, PONIEWAŻ UMOŻLIWIA NIEZALEŻNĄ KONTROLĘ NAD PASMAMI NAPĘDOWYMI I WALENCJĄ POPRZEZ ZAWARTOŚĆ ODPOWIEDNIO N I SB. JEST WIĘC IDEALNYM KANDYDATEM DO INŻYNIERII ZESPOŁÓW I DEFORMACJI NAPIĘCIA. W RAMACH TEGO PROJEKTU PROPONUJE SIĘ WYKORZYSTANIE UNIKALNYCH WŁAŚCIWOŚCI GAASSBN DO PRODUKCJI WYSOKOWYDAJNYCH URZĄDZEŃ FOTONICZNYCH, KTÓRE MOGŁYBY USPRAWNIĆ ISTNIEJĄCĄ TECHNOLOGIĘ W DWÓCH OBSZARACH O DUŻYM ODDZIAŁYWANIU: Ogniwa słoneczne i KOMUNIKACJE OPTYCZNE W Przestrzeni._x000D_ BY A strona, SB została odwrócona jako środek powierzchniowo czynny we wzroście epitaksji cząsteczek (MBE) INGAASN w celu wytworzenia nakrętek o wartości 1 EV dostosowanych do GAAS w KELLS MULTI-UNION, poprzez PROPORACJĘ Dwie dwa kolejne KONTYKCJI EFICIENCJI W SOLAR CELLS. DUŻA LICZBA NIEODŁĄCZNYCH ZALET GAASSBN NAD INGAASN POWINNA UMOŻLIWIĆ ZNACZNĄ POPRAWĘ TYCH WYNIKÓW. Z drugiej strony, falte OF A MATERIAL ADECTED TO PRODUKTU fotodetektorów HIGH Efficient przy 1064 NM, Key ELEMENT W TECHNOLOGII PROXIMA GENERATION OF OPTIC COMMUNICATION in the SPACE, Tambien podria cubrirse USNDO GAASSBN, z NUMEROUS SALES RESPECTED do InGaAS/INP._x000D_ SYSTEM SYSTEM proponate dwa mismas APPLICATIONs dla powyżej APLIKACJI. PIERWSZYM Z NICH JEST ZASTOSOWANIE GRUBYCH WARSTW GAASSBN PODŁĄCZONYCH DO SIECI GAA, ABY ZAPEWNIĆ DUŻĄ OBJĘTOŚĆ ABSORPCJI. DRUGI TO WYKORZYSTANIE NOWYCH STRATEGII OPARTYCH NA NANOSTRUKTURZE Z INŻYNIERIĄ PASMA, KTÓRE OBEJMUJĄ OD 2D DO 0D I MAJĄ POTENCJALNE ZALETY NAD GRUBYMI WARSTWAMI. Wzrost kwantowych i supersieci zbudowanych w GAASSBN ma dużą uniwersalność w projektowaniu i który pozwala na syntezę wyrównań BANDA od typo I do TYPU II KONFIGURACJE I Kompetencje LUB MODULARNE TENSION W KONKURENCJI LUB TRACTIONS._x000D_ BEZ EMBARGO, działanie wysokiej jakości czapek GAASBN i nano-estructów jest oferowane wielu ważnym problemom, które są nieodłącznie związane z rozwojem rozcieńczonych azotków, a także wysoką gęstością wad politycznych, wycofywaniem się i trudną kontrolą konkurencji. PRZED ZASTOSOWANIEM GAASSBN DO URZĄDZEŃ O BARDZO WYSOKIEJ WYDAJNOŚCI WYMAGANA JEST DOGŁĘBNA ZNAJOMOŚĆ MECHANIZMU WZROSTU I WŁAŚCIWOŚCI MATERIAŁU NA POZIOMIE MIKROSKOPOWYM. JEST TO MOŻLIWE TYLKO DZIĘKI SYSTEMATYCZNEMU BADANIU, KTÓRE KORELUJE WARUNKI WZROSTU Z WŁAŚCIWOŚCIAMI STRUKTURALNYMI, OPTYCZNYMI I ELEKTRYCZNYMI CHARAKTERYZUJĄCYMI SIĘ SZEROKĄ GAMĄ ZAAWANSOWANYCH TECHNIK. JEST TO PIERWSZY CEL PROJEKTU. OSTATECZNYM CELEM JEST PRODUKCJA OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH Z UNII DO 1 EV I FOTODETEKTORÓW PRZY 1064 NM O ULEPSZONYCH WŁAŚCIWOŚCIACH W STOSUNKU DO ISTNIEJĄCYCH TECHNOLOGII. PROJEKT OBEJMIE CAŁY ŁAŃCUCH WIEDZY, OD PROJEKTOWANIA, ROZWOJU PRZEZ MBE, KOMPLEKSOWEJ CHARAKTERYSTYKI MATERIAŁOWEJ, PRODUKCJI I OCENY URZĄDZEŃ. ABY OSIĄGNĄĆ TE CELE, KLUCZEM DO SUKCESU PROJEKTU JEST KOORDYNACJA UZUPEŁNIAJĄCYCH KOMPETENCJI U. POLITECNICA DE MADRID I U. DE CADIZ. (Polish)
17 August 2022
0 references
Puerto Real
0 references
20 December 2023
0 references
Identifiers
MAT2013-47102-C2-1-R
0 references