NEW ARCHITECTURES BASED ON NANOSSTRUCTURES WITH SB FOR HIGH EFFICIENCY PHOTOVOLTACI APPLICATIONS (Q3136997)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3136997 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | NEW ARCHITECTURES BASED ON NANOSSTRUCTURES WITH SB FOR HIGH EFFICIENCY PHOTOVOLTACI APPLICATIONS |
Project Q3136997 in Spain |
Statements
73,108.2 Euro
0 references
90,750.0 Euro
0 references
80.56 percent
0 references
30 December 2016
0 references
31 December 2020
0 references
UNIVERSIDAD DE CADIZ
0 references
11510
0 references
LAS CELULAS SOLARES (SC) DE TERCERA GENERACION ESTAN SIENDO INVESTIGADAS COMO LA RUTA PRINCIPAL HACIA LA ENERGIA FOTOVOLTAICA DE ALTA EFICIENCIA. LAS LIMITACIONES EN LOS ENFOQUES PRINCIPALES, COMO LAS SC DE MULTIUNION (MJSC) O DE BANDA INTERMEDIA (IBSC), SON DEBIDAS A LA FALTA DE MATERIALES Y NANOESTRUCTURAS CON LAS PROPIEDADES Y ESTRUCTURA DE BANDAS REQUERIDAS. ESTO IMPIDE ACTUALMENTE EL DESARROLLO DE MJSCS E IBSCS, ASI COMO DE SC DE UNA UNION (SJSC), CON LOS DISEÑOS OPTIMOS. PROPONEMOS UNA NUEVA CLASE DE NANOESTRUCTURAS BASADAS EN (AL)GAASSB(N) Y CRECIDAS SOBRE GAAS QUE PODRIAN MEJORAR SIGNIFICATIVAMENTE ESTOS DISPOSITIVOS, YA QUE PERMITEN LA INGENIERIA DE ESTRUCTURA DE BANDAS EN LA NANOESCALA CON UNA LIBERTAD SIN PRECEDENTES, ASI COMO LA COMPENSACION DE LAS TENSIONES. MIENTRAS QUE LA INCORPORACION DE N EN GAASSB POSIBILITA EL AJUSTE RETICULAR CON EL GAAS Y UNA MANIPULACION INDEPENDIENTE DE LOS OFFSETS DE LAS BANDAS DE CONDUCCION Y VALENCIA, AÑADIENDO AL SE FACILITA UN RANGO MUCHO MAYOR DE VARIACION DEL OFFSET Y PODRIA REDUCIRSE LA SEGREGACION DE SB. NUESTRO OBJETIVO ES UTILIZAR ESTAS CARACTERISTICAS UNICAS PARA PRODUCIR CELULAS SOLARES NANOESTRUCTURADAS CON LOS DISEÑOS OPTIMOS._x000D_ ENTRE LAS SJSC, LAS BASADAS EN GAAS TIENEN UNA EFICIENCIA DE CONVERSION MUY POR ENCIMA DE OTROS MATERIALES. SU EFICIENCIA PODRIA SER MEJORADA MEDIANTE LA ADICION DE PUNTOS CUANTICOS (QD) TIPO-I DE INAS/GAAS CON CAPAS RECUBRIDORAS (CL) DE (AL)GAASSBN, QUE PODRIAN RESOLVER LOS DOS PROBLEMAS PRESENTES EN LAS SC DE QDS: LA ACUMULACION DE LA TENSION Y LA REDUCCION DEL VOC. A SU VEZ, TALES ESTRUCTURAS SE PUEDEN INCORPORAR EN LA SUBCELULA DE GAAS EN MJSC PARA ACOPLAMIENTO DE CORRIENTES. ADEMAS, EL CRECIMIENTO DE ESTRUCTURAS DE POZOS CUANTICOS (QW) O SUPERREDES DE GAAS(SB)(N) AJUSTADAS RETICULARMENTE AL GAAS PODRIAN SER UTILIZADAS COMO SUBCELULAS A 1,0 O 1,15 EV EN MJSC, PROPORCIONANDO LAS ENERGIAS OPTIMAS Y PRESENTANDO VENTAJAS POTENCIALES SOBRE CAPAS GRUESAS. POR ULTIMO, EL DISEÑO ADECUADO EN IBSCS PUEDE LOGRARSE UTILIZANDO NANOESTRUCTURAS DE TIPO-II, TALES COMO QDS DE INAS/GAAS CON CL DE (AL)GAASSB(N) CON ALTOS CONTENIDOS DE SB O CON QWS TIPO II DE GAASN/ALGAASSB. ESTAS ESTRUCTURAS PODRIAN INCREMENTAR LOS PROCESOS DE ABSORCION DE FOTONES EN DOS ETAPAS AL PROPORCIONAR MAYORES TIEMPOS DE VIDA A LOS PORTADORES EN LA BANDA INTERMEDIA._x000D_ EL DISEÑO PRECISO DE ESTAS NANOESTRUCTURAS CON DEFORMACION Y ESTRUCTURA DE BANDAS ADECUADAS SOLO ES POSIBLE A TRAVES DE UN PROFUNDO CONOCIMIENTO DEL PROCESO DE CRECIMIENTO Y UN PERFECTO DOMINIO DE LA DISTRIBUCION DE LA COMPOSICION A ESCALA ATOMICA. CIERTAMENTE, EL CRECIMIENTO DE ALEACIONES CUATERNARIAS Y QUINARIAS DE (AL)GAASSB(N) ESTA EN SUS COMIENZOS Y REQUIERE MANTENER BAJO CONTROL FENOMENOS NO DESEADOS COMO LA SEGREGACION O SEPARACION DE FASES. POR TANTO, LA OBTENCION DE SCS DE ULTRA-ALTA EFICIENCIA BASADAS EN ESTAS NANOESTRUCTURAS SOLO ES POSIBLE A TRAVES DE UN ESTUDIO EXTENSO Y SISTEMATICO QUE CORRELACIONE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO CON LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES, OPTICAS Y ELECTRICAS, UTILIZANDO UNA GRAN VARIEDAD DE TECNICAS DE ULTIMA GENERACION. EL PROYECTO ABARCARA TODA LA CADENA DE CONOCIMIENTO DESDE EL DISEÑO DE LAS ESTRUCTURAS, EL CRECIMIENTO POR MBE, LA EXHAUSTIVA CARACTERIZACION DE LOS MATERIALES Y LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS Y SU CARACTERIZACION. PARA LOGRAR ESTOS OBJETIVOS, LA COORDINACION DE COMPETENCIAS COMPLEMENTARIAS DE LA U. POLITECNICA DE MADRID Y LA U. DE CADIZ ES UNA CLAVE PARA EL EXITO DEL PROYECTO. (Spanish)
0 references
THIRD GENERATION SOLAR CELLS (SC) ARE BEING INVESTIGATED AS THE MAIN ROUTE TO HIGH-EFFICIENCY PHOTOVOLTAIC ENERGY. LIMITATIONS IN THE MAIN APPROACHES, SUCH AS MULTIUNION SC (MJSC) OR INTERMEDIATE BAND (IBSC), ARE DUE TO THE LACK OF MATERIALS AND NANOSTRUCTURES WITH THE REQUIRED BAND PROPERTIES AND STRUCTURE. THIS CURRENTLY PREVENTS THE DEVELOPMENT OF MJSCS AND IBSCS, AS WELL AS OF A UNION SC (SJSC), WITH THE DESIGNS WE OPTED FOR. WE PROPOSE A NEW CLASS OF NANOSTRUCTURES BASED ON (AL)GAASSB(N) AND FLOODS ON GAAS THAT COULD SIGNIFICANTLY IMPROVE THESE DEVICES, AS THEY ALLOW THE ENGINEERING OF BAND STRUCTURE IN THE NANOSCALE WITH UNPRECEDENTED FREEDOM, AS WELL AS THE COMPENSATION OF TENSIONS. WHILE THE INCORPORATION OF N IN GAASSB ALLOWS THE RETICULAR ADJUSTMENT WITH THE GAAS AND AN INDEPENDENT MANIPULATION OF THE OFFSETS OF THE DRIVING BANDS AND VALENCIA, ADDING TO THE FACILITATES A MUCH GREATER RANGE OF VARIATION OF THE OFFSET AND THE SEGREGATION OF SB COULD BE REDUCED. Our OBJECTIVE IS USE THESE UNIQUE CHARACTERISTICS to produce nanostructured SOLAR CELULS WITH OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES IN GAAS have a VERY CONVERTION EFICIENCE OF OTHER MATERIALS. ITS EFFICIENCY COULD BE IMPROVED BY ADDING INAS/GAAS TYPE I QUANTUM POINTS (QD) WITH (AL)GAASSBN COATING LAYERS, WHICH COULD SOLVE THE TWO PROBLEMS PRESENT IN QDS SCS: THE ACCUMULATION OF TENSION AND REDUCTION OF THE VOC. IN TURN, SUCH STRUCTURES CAN BE INCORPORATED INTO THE GAA SUBCELULA IN MJSC FOR CURRENT COUPLING. IN ADDITION, THE GROWTH OF QUANTUM WELL STRUCTURES (QW) OR GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY ADJUSTED TO THE GAAS COULD BE USED AS SUBCELLULES AT 1.0 OR 1.15 EV IN MJSC, PROVIDING OPTIMAL ENERGIES AND PRESENTING POTENTIAL ADVANTAGES OVER THICK LAYERS. FINALLY, THE APPROPRIATE DESIGN IN IBSCS CAN BE ACHIEVED USING TYPE II NANOSTRUCTURES, SUCH AS INAS/GAAS QDS WITH (AL)GAASSB(N) CL WITH HIGH SB CONTENT OR GAASN/ALGAASSB TYPE II QWS. These STRUCTURES CAN INCREMENT PROCESSES OF PHOTONS ABSORCTION IN TWO FROM THE PROPOSES OF LIFE TIME TO THE PORTATORS IN THE INTERMEDIA BANDA._x000D_ THE DESIGN PRICE OF these NANOSTRUCTURES WITH DEFORMATION AND STRUCTURE OF ADECTED BANDAS ONLY IS POSIBLE through a PROFUNT KNOWLEDGE OF THE GROWTH PROCESS AND A DOMINAL PERFECT OF THE DISTRIBUTION OF THE ATOMIC ESCAL COMMISSION. CERTAINLY, THE GROWTH OF QUATERNARY AND QUINARY ALLOYS OF (AL)GAASSB(N) IS IN ITS INFANCY AND REQUIRES TO KEEP UNDER CONTROL UNWANTED PHENOMENA SUCH AS SEGREGATION OR SEPARATION OF PHASES. THEREFORE, OBTAINING ULTRA-HIGH EFFICIENCY SCS BASED ON THESE NANOSTRUCTURES IS ONLY POSSIBLE THROUGH AN EXTENSIVE AND SYSTEMATIC STUDY THAT CORRELATES GROWTH CONDITIONS WITH STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES, USING A WIDE VARIETY OF LATEST GENERATION TECHNIQUES. THE PROJECT WILL COVER THE ENTIRE CHAIN OF KNOWLEDGE FROM THE DESIGN OF THE STRUCTURES, THE GROWTH BY MBE, THE EXHAUSTIVE CHARACTERISATION OF THE MATERIALS AND THE MANUFACTURE OF DEVICES AND THEIR CHARACTERISATION. TO ACHIEVE THESE OBJECTIVES, THE COORDINATION OF COMPLEMENTARY COMPETENCIES OF THE U. POLITECNICA DE MADRID AND THE U. DE CADIZ IS A KEY TO THE SUCCESS OF THE PROJECT. (English)
12 October 2021
0.4914275105598245
0 references
LES CELLULES SOLAIRES (SC) DE TROISIÈME GÉNÉRATION SONT À L’ÉTUDE COMME LA VOIE PRINCIPALE VERS L’ÉNERGIE PHOTOVOLTAÏQUE À HAUT RENDEMENT. LES LIMITES DANS LES APPROCHES PRINCIPALES, TELLES QUE LE SC MULTIUNION (MJSC) OU LA BANDE INTERMÉDIAIRE (IBSC), SONT DUES AU MANQUE DE MATÉRIAUX ET DE NANOSTRUCTURES AYANT LES PROPRIÉTÉS ET LA STRUCTURE DE BANDE REQUISES. CELA EMPÊCHE ACTUELLEMENT LE DÉVELOPPEMENT DE MJSCS ET IBSCS, AINSI QUE D’UNE UNION SC (SJSC), AVEC LES CONCEPTIONS QUE NOUS AVONS CHOISIES. NOUS PROPOSONS UNE NOUVELLE CLASSE DE NANOSTRUCTURES BASÉES SUR (AL)GAASSB(N) ET DES INONDATIONS SUR GAAS QUI POURRAIENT AMÉLIORER CONSIDÉRABLEMENT CES DISPOSITIFS, CAR ILS PERMETTENT L’INGÉNIERIE DE LA STRUCTURE DE BANDE À L’ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE AVEC UNE LIBERTÉ SANS PRÉCÉDENT, AINSI QUE LA COMPENSATION DES TENSIONS. ALORS QUE L’INCORPORATION DE N DANS GAASSB PERMET L’AJUSTEMENT RÉTICULAIRE AVEC LE GAA ET UNE MANIPULATION INDÉPENDANTE DES DÉCALAGES DES BANDES DE CONDUITE ET DE VALENCE, L’AJOUT D’UNE GAMME BEAUCOUP PLUS GRANDE DE VARIATION DU DÉCALAGE ET LA SÉGRÉGATION DE SB POURRAIENT ÊTRE RÉDUITES. Notre OBJECTIVE Utilise ces CHARACTERISTIQUES UNIQUEs pour produire des CELULS SOLAIRES nanostructurés AVEC DESIGNES OPTIMALES._x000D_ ENTRE SJSC, BASATES IN GAAS ont une grande efficacité de CONVERTION d’AUTRES MATÉRIALS. SON EFFICACITÉ POURRAIT ÊTRE AMÉLIORÉE EN AJOUTANT DES POINTS QUANTIQUES INAS/GAAS DE TYPE I (QD) AVEC DES COUCHES DE REVÊTEMENT (AL)GAASSBN, QUI POURRAIENT RÉSOUDRE LES DEUX PROBLÈMES PRÉSENTS DANS LES QD SCS: L’ACCUMULATION DE TENSION ET LA RÉDUCTION DES COV. À LEUR TOUR, CES STRUCTURES PEUVENT ÊTRE INCORPORÉES DANS LE SUBCELULA GAA DANS LE MJSC POUR LE COUPLAGE COURANT. EN OUTRE, LA CROISSANCE DES STRUCTURES DE PUITS QUANTIQUES (QW) OU GAAS(SB)(N) SUPERNETS AJUSTÉES RETICULAIREMENT AUX GAAS POURRAIT ÊTRE UTILISÉE COMME SUBCELLULES À 1,0 OU 1,15 EV DANS LE MJSC, FOURNISSANT DES ÉNERGIES OPTIMALES ET PRÉSENTANT DES AVANTAGES POTENTIELS SUR LES COUCHES ÉPAISSES. ENFIN, LA CONCEPTION APPROPRIÉE DE L’IBSCS PEUT ÊTRE RÉALISÉE À L’AIDE DE NANOSTRUCTURES DE TYPE II, TELLES QUE LES QD INAS/GAAS AVEC (AL)GAASSB(N) CL À FORTE TENEUR EN SB OU GAASN/ALGAASSB DE TYPE II QWS. Ces STRUCTURES peuvent étoffer les processus de PHOTONS ABSORCTION EN DEUX PROPOSITIONS DE VIE TEMPS AUX PORTATEURS DANS L’INTERMEDIA BANDA._x000D_ LE DESIGN PRIX DE ces nanostructures AVEC LA DÉFORMATION ET LA STRUCTURE DES BANDAS ADECTÉS SEULEMENT EST POSIBLE à travers un PROFUNT KNOWLEDGE DE LA PROCESSUS DE GROWTH ET D’UN PERFECT DOMINAL DE LA DISTRIBUTION DE LA COMMISSION ESCALE ATOMIQUE. CERTES, LA CROISSANCE DES ALLIAGES QUATERNAIRES ET QUINAIRES DE (AL)GAASSB(N) EN EST À SES DÉBUTS ET NÉCESSITE DE GARDER SOUS CONTRÔLE DES PHÉNOMÈNES INDÉSIRABLES TELS QUE LA SÉGRÉGATION OU LA SÉPARATION DES PHASES. PAR CONSÉQUENT, L’OBTENTION D’UNE SCS ULTRA-HAUTE EFFICACITÉ BASÉE SUR CES NANOSTRUCTURES N’EST POSSIBLE QUE GRÂCE À UNE ÉTUDE APPROFONDIE ET SYSTÉMATIQUE QUI ÉTABLIT UNE CORRÉLATION ENTRE LES CONDITIONS DE CROISSANCE ET LES PROPRIÉTÉS STRUCTURELLES, OPTIQUES ET ÉLECTRIQUES, EN UTILISANT UNE GRANDE VARIÉTÉ DE TECHNIQUES DE DERNIÈRE GÉNÉRATION. LE PROJET COUVRIRA L’ENSEMBLE DE LA CHAÎNE DE CONNAISSANCES DE LA CONCEPTION DES STRUCTURES, LA CROISSANCE PAR MBE, LA CARACTÉRISATION EXHAUSTIVE DES MATÉRIAUX ET LA FABRICATION DES DISPOSITIFS ET LEUR CARACTÉRISATION. POUR ATTEINDRE CES OBJECTIFS, LA COORDINATION DES COMPÉTENCES COMPLÉMENTAIRES DE L’U. POLITECNICA DE MADRID ET DE L’U. DE CADIZ EST UNE CLÉ DU SUCCÈS DU PROJET. (French)
2 December 2021
0 references
SOLARZELLEN DER DRITTEN GENERATION (SC) WERDEN ALS HAUPTWEG ZUR HOCHEFFIZIENTEN PHOTOVOLTAIK-ENERGIE UNTERSUCHT. EINSCHRÄNKUNGEN IN DEN WICHTIGSTEN ANSÄTZEN WIE MULTIUNION SC (MJSC) ODER ZWISCHENBAND (IBSC) SIND AUF DEN MANGEL AN MATERIALIEN UND NANOSTRUKTUREN MIT DEN ERFORDERLICHEN BANDEIGENSCHAFTEN UND -STRUKTUR ZURÜCKZUFÜHREN. DIES VERHINDERT DERZEIT DIE ENTWICKLUNG VON MJSCS UND IBSCS SOWIE EINES UNION SC (SJSC) MIT DEN VON UNS GEWÄHLTEN ENTWÜRFEN. WIR SCHLAGEN EINE NEUE KLASSE VON NANOSTRUKTUREN VOR, DIE AUF (AL)GAASSB(N) UND ÜBERSCHWEMMUNGEN AUF GAAS BASIERT, DIE DIESE GERÄTE ERHEBLICH VERBESSERN KÖNNTEN, DA SIE DAS ENGINEERING DER BANDSTRUKTUR IM NANOSKALA MIT BEISPIELLOSER FREIHEIT SOWIE DIE KOMPENSATION VON SPANNUNGEN ERMÖGLICHEN. WÄHREND DIE EINBEZIEHUNG VON N IN GAASSB DIE RETICULARE ANPASSUNG MIT DEN GAAS UND EINE UNABHÄNGIGE MANIPULATION DER OFFSETS DER FAHRBÄNDER UND VALENCIA ERMÖGLICHT, KÖNNTE DIES EINE WESENTLICH GRÖSSERE VARIATIONSBREITE DES OFFSETS UND DER SEGREGATION VON SB VERRINGERN. Unser OBJECTIVE IST DIESE UNIQUE CHARACTERISTICS zur Herstellung von nanostrukturierten SOLAR CELULS mit OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES IN GAAS haben eine sehr große KONVERTION EFICIENCE OF ANDERE MATERIALS. SEINE EFFIZIENZ KÖNNTE VERBESSERT WERDEN, INDEM INAS/GAAS TYP I QUANTENPUNKTE (QD) MIT (AL)GAASSBN-BESCHICHTUNGSSCHICHTEN HINZUGEFÜGT WERDEN, DIE DIE BEIDEN PROBLEME IN QDS SCS LÖSEN KÖNNTEN: DIE ANSAMMLUNG VON SPANNUNG UND REDUKTION DER VOC. DIESE STRUKTUREN KÖNNEN WIEDERUM ZUR STROMKOPPLUNG IN DIE GAA SUBCELULA IN MJSC INTEGRIERT WERDEN. DARÜBER HINAUS KÖNNTE DAS WACHSTUM VON QUANTENBRUNNENSTRUKTUREN (QW) ODER GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY AN DIE GAAS ANGEPASST WERDEN, ALS SUBCELLULES BEI 1,0 ODER 1.15 EV IN MJSC VERWENDET WERDEN, DIE OPTIMALE ENERGIEN BIETEN UND POTENZIELLE VORTEILE GEGENÜBER DICKEN SCHICHTEN BIETEN. SCHLIESSLICH KANN DAS ENTSPRECHENDE DESIGN IN IBSCS MIT NANOSTRUKTUREN DES TYPS II ERREICHT WERDEN, WIE Z. B. INAS/GAAS QDS MIT (AL)GAASSB(N) CL MIT HOHEM SB-GEHALT ODER GAASN/ALGAASSB TYP II QWS. Diese STRUCTUREN können PROCESSEN von PHOTONS ABSORCTION IN TWO von den PROPOSES des Lebens zu den PORTATOREN in den INTERMEDIA BANDA._x000D_The DESIGN PREIS dieser Nanostrukturen mit der Entwicklung und Struktur von ADECTED BANDAS nur durch eine PROFUNT-WISSENWISSE DES GRENDEN PROCESSES und eines DOMINAL PERFEKT DER ENTWICKLUNG DER ENTWICKLUNG DER ZUSAMMENHEIT DER ZUSAMMENHÖRDE DER ZUSAMMENSETZUNG. SICHERLICH IST DAS WACHSTUM VON QUATERNÄREN UND QUINARY LEGIERUNGEN VON (AL)GAASSB(N) IN DEN KINDERSCHUHEN UND ERFORDERT, UNERWÜNSCHTE PHÄNOMENE WIE SEGREGATION ODER TRENNUNG VON PHASEN UNTER KONTROLLE ZU HALTEN. DAHER IST DAS ERLANGEN ULTRAHOCHEFFIZIENTER SCS AUF BASIS DIESER NANOSTRUKTUREN NUR DURCH EINE UMFANGREICHE UND SYSTEMATISCHE STUDIE MÖGLICH, DIE DIE WACHSTUMSBEDINGUNGEN MIT STRUKTURELLEN, OPTISCHEN UND ELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN KORRELIERT, WOBEI EINE VIELZAHL VON TECHNIKEN DER NEUESTEN GENERATION VERWENDET WIRD. DAS PROJEKT WIRD DIE GESAMTE WISSENSKETTE AUS DER KONSTRUKTION DER STRUKTUREN, DEM WACHSTUM DURCH MBE, DER ERSCHÖPFENDEN CHARAKTERISIERUNG DER MATERIALIEN UND DER HERSTELLUNG VON GERÄTEN UND DEREN CHARAKTERISIERUNG ABDECKEN. UM DIESE ZIELE ZU ERREICHEN, IST DIE KOORDINATION KOMPLEMENTÄRER KOMPETENZEN DER U. POLITECNICA DE MADRID UND DER U. DE CADIZ EIN SCHLÜSSEL ZUM ERFOLG DES PROJEKTS. (German)
9 December 2021
0 references
DE DERDE GENERATIE ZONNECELLEN (SC) WORDT ONDERZOCHT ALS DE BELANGRIJKSTE ROUTE NAAR HOOGRENDERENDE FOTOVOLTAÏSCHE ENERGIE. BEPERKINGEN IN DE BELANGRIJKSTE BENADERINGEN, ZOALS MULTIUNION SC (MJSC) OF INTERMEDIAIRE BAND (IBSC), ZIJN TE WIJTEN AAN HET GEBREK AAN MATERIALEN EN NANOSTRUCTUREN MET DE VEREISTE BANDEIGENSCHAPPEN EN STRUCTUUR. DIT VOORKOMT MOMENTEEL DE ONTWIKKELING VAN MJSCS EN IBSCS, EVENALS VAN EEN UNION SC (SJSC), MET DE ONTWERPEN WAARVOOR WE GEKOZEN HEBBEN. WE STELLEN EEN NIEUWE KLASSE VAN NANOSTRUCTUREN VOOR OP BASIS VAN (AL)GAASSB(N) EN OVERSTROMINGEN OP GAAS DIE DEZE APPARATEN AANZIENLIJK KUNNEN VERBETEREN, OMDAT ZE DE ENGINEERING VAN BANDSTRUCTUUR IN DE NANOSCHAAL MET ONGEKENDE VRIJHEID MOGELIJK MAKEN, EVENALS DE COMPENSATIE VAN SPANNINGEN. HOEWEL DE OPNAME VAN N IN GAASSB DE RETICULAIRE AANPASSING MET DE GAAS MOGELIJK MAAKT EN EEN ONAFHANKELIJKE MANIPULATIE VAN DE OFFSETS VAN DE RIJBANDEN EN VALENCIA, KAN HET TOEVOEGEN VAN EEN VEEL GROTERE VARIATIE VAN DE OFFSET EN DE SEGREGATIE VAN SB WORDEN VERMINDERD. Onze OBJECTIVE IS GEBRUIK DEZE UNIQUE CHARACTERISTICS om nanogestructureerde SOLAR CELULS te produceren met OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES IN GAAS hebben een ZEER CONVERTIE EFICIENCE VAN ANDERE MATERIALS. DE EFFICIËNTIE KAN WORDEN VERBETERD DOOR INAS/GAAS TYPE I KWANTUMPUNTEN (QD) TOE TE VOEGEN MET (AL)GAASSBN-COATINGLAGEN, DIE DE TWEE PROBLEMEN IN QD’S SCS KUNNEN OPLOSSEN: DE ACCUMULATIE VAN SPANNING EN VERMINDERING VAN DE VOC. OP ZIJN BEURT KUNNEN DERGELIJKE STRUCTUREN WORDEN OPGENOMEN IN DE GAA SUBCELULA IN MJSC VOOR STROOMKOPPELING. DAARNAAST KAN DE GROEI VAN KWANTUMPUTSTRUCTUREN (QW) OF GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY AANGEPAST AAN DE GAAS WORDEN GEBRUIKT ALS SUBCELLULES BIJ 1,0 OF 1,15 EV IN MJSC, WAARDOOR OPTIMALE ENERGIEËN WORDEN GEBODEN EN POTENTIËLE VOORDELEN WORDEN GEBODEN TEN OPZICHTE VAN DIKKE LAGEN. TEN SLOTTE KAN HET JUISTE ONTWERP IN IBSCS WORDEN BEREIKT MET NANOSTRUCTUREN VAN TYPE II, ZOALS INAS/GAAS QD’S MET (AL)GAASSB(N) CL MET EEN HOOG SB-GEHALTE OF GAASN/ALGAASSB TYPE II QWS. Deze STRUCTURES KUNNEN PROCESSES VAN PHOTONS ABSORCTIE IN TWEE VAN DE PROPOSES VAN LEVEN TIJD AAN DE PORTATOREN IN DE INTERMEDIA BANDA._x000D_ DE DESIGN PRICE VAN deze nanostructuren met de ONTHOUDING EN STRUCTURE VAN ADECTED BANDA. en een DOMINAL PERFECT VAN DE DISTRIBUTIE VAN DE ATOMISCHE ESCALE COMMISSIE. ZEKER, DE GROEI VAN QUATERNAIRE EN QUINARY LEGERINGEN VAN (AL)GAASSB(N) IS IN DE KINDERSCHOENEN EN VEREIST OM ONGEWENSTE FENOMENEN ZOALS SEGREGATIE OF SCHEIDING VAN FASEN ONDER CONTROLE TE HOUDEN. DAAROM IS HET VERKRIJGEN VAN ULTRAHOOG RENDEMENT SCS OP BASIS VAN DEZE NANOSTRUCTUREN ALLEEN MOGELIJK DOOR EEN UITGEBREIDE EN SYSTEMATISCHE STUDIE DIE GROEIOMSTANDIGHEDEN CORRELEERT MET STRUCTURELE, OPTISCHE EN ELEKTRISCHE EIGENSCHAPPEN, MET BEHULP VAN EEN BREED SCALA AAN NIEUWSTE TECHNIEKEN. HET PROJECT BESTRIJKT DE GEHELE KENNISKETEN VAN HET ONTWERP VAN DE STRUCTUREN, DE GROEI DOOR MBE, DE UITPUTTENDE KARAKTERISERING VAN DE MATERIALEN EN DE FABRICAGE VAN APPARATEN EN DE KARAKTERISERING ERVAN. OM DEZE DOELSTELLINGEN TE BEREIKEN, IS DE COÖRDINATIE VAN COMPLEMENTAIRE COMPETENTIES VAN DE U. POLITECNICA DE MADRID EN DE U. DE CADIZ EEN SLEUTEL TOT HET SUCCES VAN HET PROJECT. (Dutch)
17 December 2021
0 references
LE CELLE SOLARI DI TERZA GENERAZIONE (SC) SONO IN FASE DI STUDIO COME PRINCIPALE VIA VERSO L'ENERGIA FOTOVOLTAICA AD ALTA EFFICIENZA. LE LIMITAZIONI DEGLI APPROCCI PRINCIPALI, COME IL MULTIUNION SC (MJSC) O LA BANDA INTERMEDIA (IBSC), SONO DOVUTE ALLA MANCANZA DI MATERIALI E NANOSTRUTTURE CON LE PROPRIETÀ E LA STRUTTURA DELLA BANDA RICHIESTA. CIÒ IMPEDISCE ATTUALMENTE LO SVILUPPO DI MJSCS E IBSCS, NONCHÉ DI UN'UNIONE SC (SJSC), CON I DISEGNI PER CUI ABBIAMO OPTATO. PROPONIAMO UNA NUOVA CLASSE DI NANOSTRUTTURE BASATE SU (AL)GAASSB(N) E INONDAZIONI SU GAA CHE POTREBBERO MIGLIORARE SIGNIFICATIVAMENTE QUESTI DISPOSITIVI, IN QUANTO CONSENTONO L'INGEGNERIA DELLA STRUTTURA DELLA BANDA IN SCALA NANOMETRICA CON LIBERTÀ SENZA PRECEDENTI, NONCHÉ LA COMPENSAZIONE DELLE TENSIONI. MENTRE L'INCORPORAZIONE DI N IN GAASSB CONSENTE LA REGOLAZIONE RETICOLARE CON I GAA E UNA MANIPOLAZIONE INDIPENDENTE DEGLI OFFSET DELLE BANDE DI GUIDA E DI VALENCIA, AGGIUNGENDO ALLE FACILITA UNA GAMMA MOLTO MAGGIORE DI VARIAZIONE DELLO OFFSET E LA SEGREGAZIONE DI SB POTREBBE ESSERE RIDOTTA. Il nostro OBJECTIVE È UTILIZZARE queste CARATTERISTICHE UNICHE per produrre CELULI SOLAri nanostrutturati con DESIGN OPTIMALI._x000D_ Tra SJSC, BASATE IN GAAS hanno un'EFICIENZA DI ALTRI MATERIALI DI MOLTA CONVERZIONE. LA SUA EFFICIENZA POTREBBE ESSERE MIGLIORATA AGGIUNGENDO PUNTI QUANTICI INAS/GAA DI TIPO I (QD) CON STRATI DI RIVESTIMENTO (AL)GAASSBN, CHE POTREBBERO RISOLVERE I DUE PROBLEMI PRESENTI NEI QD SCS: ACCUMULO DI TENSIONE E RIDUZIONE DEL COV. A SUA VOLTA, TALI STRUTTURE POSSONO ESSERE INCORPORATE NEL GAA SUBCELULA IN MJSC PER L'ACCOPPIAMENTO CORRENTE. INOLTRE, LA CRESCITA DELLE STRUTTURE DI POZZO QUANTISTICO (QW) O GAA(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY REGOLATE AI GAA POTREBBE ESSERE UTILIZZATA COME SUBCELLULES A 1.0 O 1.15 EV IN MJSC, FORNENDO ENERGIE OTTIMALI E PRESENTANDO POTENZIALI VANTAGGI RISPETTO A STRATI SPESSI. INFINE, LA PROGETTAZIONE APPROPRIATA IN IBSCS PUÒ ESSERE OTTENUTA UTILIZZANDO NANOSTRUTTURE DI TIPO II, COME I QD INAS/GAAS CON (AL)GAASSB(N) CL AD ALTO CONTENUTO DI SB O GAASN/ALGAASSB DI TIPO II QWS. Queste STRUTTURE possono INCREARE PROCESSI DI ABSORCAZIONE FOTO IN DUE DEI PROPOSITI DEL TEMPO DI VITA ai PORTATORI NELL'InterMEDIA BANDA._x000D_ Il PREZZO DESIGN di queste nanostrutture con DEFORMAZIONE E STRUTTURA DI BANDA ADOTTATE SOLO È POSIBILE attraverso un PROFUNTO CONCONTO DEL PROCESTO GROWTH E UN PERFETTO DOMINALE DELLA DISTRIBUZIONE DELLA COMMISSIONE CESTA'ATOMICA. CERTAMENTE, LA CRESCITA DI LEGHE QUATERNARIO E QUINARY DI (AL)GAASSB(N) È NELLA SUA INFANZIA E RICHIEDE DI TENERE SOTTO CONTROLLO FENOMENI INDESIDERATI COME LA SEGREGAZIONE O LA SEPARAZIONE DELLE FASI. PERTANTO, OTTENERE SCS AD ALTISSIMA EFFICIENZA SULLA BASE DI QUESTE NANOSTRUTTURE È POSSIBILE SOLO ATTRAVERSO UN AMPIO E SISTEMATICO STUDIO CHE CORRELA LE CONDIZIONI DI CRESCITA CON PROPRIETÀ STRUTTURALI, OTTICHE ED ELETTRICHE, UTILIZZANDO UN'AMPIA VARIETÀ DI TECNICHE DI ULTIMA GENERAZIONE. IL PROGETTO COPRIRÀ L'INTERA CATENA DI CONOSCENZE DALLA PROGETTAZIONE DELLE STRUTTURE, DALLA CRESCITA DA PARTE DI MBE, DALLA CARATTERIZZAZIONE ESAUSTIVA DEI MATERIALI E DALLA FABBRICAZIONE DEI DISPOSITIVI E DALLA LORO CARATTERIZZAZIONE. PER RAGGIUNGERE QUESTI OBIETTIVI, IL COORDINAMENTO DELLE COMPETENZE COMPLEMENTARI DELLA U. POLITECNICA DE MADRID E DELL'U. DE CADICE È UNA CHIAVE PER IL SUCCESSO DEL PROGETTO. (Italian)
16 January 2022
0 references
KOLMANDA PÕLVKONNA PÄIKESEELEMENTE UURITAKSE KUI PEAMIST TEED SUURE TÕHUSUSEGA FOTOGALVAANILISE ENERGIA SAAMISEKS. PEAMISTE LÄHENEMISVIISIDE, NAGU MULTIUNIION SC (MJSC) VÕI VAHERIBA (IBSC) PIIRANGUD, ON TINGITUD NÕUTAVATE RIBAOMADUSTE JA STRUKTUURIGA MATERJALIDE JA NANOSTRUKTUURIDE PUUDUMISEST. SEE TAKISTAB PRAEGU MJSCSI JA IBSCSI NING LIIDU JÄRELEVALVEKOMITEE (SJSC) ARENDAMIST, MILLE JAOKS ME VALISIME. PAKUME VÄLJA UUE NANOSTRUKTUURIDE KLASSI, MIS PÕHINEB (AL)GAASSB(N) JA ÜLEUJUTUSTEL GAAS-IL, MIS VÕIKS NEID SEADMEID OLULISELT PARANDADA, KUNA NEED VÕIMALDAVAD NANOTASANDI RIBASTRUKTUURI PROJEKTEERIMIST ENNEOLEMATU VABADUSEGA, SAMUTI PINGETE KOMPENSEERIMIST. KUIGI N-I LISAMINE GAASSB-SSE VÕIMALDAB RETIKULAARSET KOHANDAMIST GAAS-IGA NING JUHTIMISRIBADE JA VALENCIA KOMPENSEERIMISTE SÕLTUMATUT MANIPULEERIMIST, HÕLBUSTAB SEE KOMPENSEERIMISE PALJU SUUREMAT VARIEERUMIST JA SB ERALDATUST SAAKS VÄHENDADA. Meie OBJEKTIIV on kasutada THESE UNIQUE CHARACTERISTICS toota nanostruktureeritud SOLAR CELULS WITH OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES GAAS on VERY CONVERTION EFICIENCE OF OTHER MATERIALS. SELLE TÕHUSUST SAAKS PARANDADA, LISADES I TÜÜPI INAS/GAAS (QD) KOOS (AL)GAASSBN KATTEKIHIGA, MIS VÕIKS LAHENDADA KAKS PROBLEEMI, MIS ESINEVAD KVALIFITSEERITUD SEADMETES SCS: PINGETE KUHJUMINE JA LENDUVATE ORGAANILISTE ÜHENDITE VÄHENDAMINE. SELLISEID STRUKTUURE SAAB OMAKORDA ÜHENDADA GAA SUBCELULA MJSC-S VOOLU ÜHENDAMISEKS. LISAKS VÕIB KVANTPUURAUKUDE (QW) VÕI GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY GAASIDELE KOHANDATUD KASVU KASUTADA MJSC-S KUI 1,0 VÕI 1,15 EV JUURES, PAKKUDES OPTIMAALSET ENERGIAT JA PAKKUDES VÕIMALIKKE EELISEID PAKSUDE KIHTIDE EES. LÕPUKS SAAB IBSCSIS SOBIVA DISAINI SAAVUTADA II TÜÜPI NANOSTRUKTUURIDEGA, NAGU INAS/GAAS QDD, MILLEL ON KÕRGE SB-SISALDUSEGA (AL)GAASSB(N) CL VÕI GAASN/ALGAASSB II TÜÜPI QWS. Need STRUCTURES CAN INCREMENT PROCESSESSID FOTONSID HÄÄLETAMISE TEADMISEKS TÄHELEPANU TÄHELEPANU TÄHELEPANU TÄHELEPANU TÄHELEPANU ja AATOMIC ESCAL KOMISJONI DISTRIBUTSIOONI DOMINAL PERFECAT. KINDLASTI KASVU KVATERNAARSE JA QUINARY SULAMID (AL)GAASSB (N) ON LAPSEKINGADES JA NÕUAB, ET HOIDA KONTROLLI ALL SOOVIMATUID NÄHTUSI NAGU SEGREGATSIOON VÕI ERALDAMINE FAASID. SEETÕTTU ON NENDEL NANOSTRUKTUURIDEL PÕHINEV ÜLITÕHUS SCS VÕIMALIK AINULT ULATUSLIKU JA SÜSTEMAATILISE UURINGU ABIL, MIS SEOB KASVUTINGIMUSED STRUKTUURSETE, OPTILISTE JA ELEKTRILISTE OMADUSTEGA, KASUTADES MITMESUGUSEID UUSIMAID PÕLVKONNA MEETODEID. PROJEKT HÕLMAB KOGU TEADMISTEAHELAT ALATES STRUKTUURIDE PROJEKTEERIMISEST, MBE KASVUST, MATERJALIDE AMMENDAVAST ISELOOMUSTUSEST JA SEADMETE TOOTMISEST NING NENDE ISELOOMUSTAMISEST. NENDE EESMÄRKIDE SAAVUTAMISEKS ON PROJEKTI EDU VÕTI U. POLITECNICA DE MADRIDI JA U. DE CÁDIZI TÄIENDAVATE PÄDEVUSTE KOORDINEERIMINE. (Estonian)
4 August 2022
0 references
TREČIOSIOS KARTOS SAULĖS ELEMENTAI (SC) TIRIAMI KAIP PAGRINDINIS DIDELIO EFEKTYVUMO FOTOVOLTINĖS ENERGIJOS TIEKIMO BŪDAS. PAGRINDINIŲ METODŲ, TOKIŲ KAIP MULTIUNION SC (MJSC) ARBA TARPINĖ JUOSTA (IBSC), APRIBOJIMAI ATSIRANDA DĖL TO, KAD TRŪKSTA MEDŽIAGŲ IR NANOSTRUKTŪRŲ, TURINČIŲ REIKIAMAS JUOSTOS SAVYBES IR STRUKTŪRĄ. TAI ŠIUO METU UŽKERTA KELIĄ MJSCS IR IBSCS, TAIP PAT SĄJUNGOS SC (SJSC) PLĖTRAI SU MŪSŲ PASIRINKTAIS DIZAINAIS. MES SIŪLOME NAUJĄ NANOSTRUKTŪRŲ KLASĘ, PAGRĮSTĄ (AL)GAASSB (N) IR POTVYNIAIS GAA, KURIE GALĖTŲ ŽYMIAI PAGERINTI ŠIUOS ĮRENGINIUS, NES JIE LEIDŽIA NANOSKALĖS JUOSTOS STRUKTŪROS INŽINERIJĄ SU PRECEDENTO NETURINČIA LAISVE, TAIP PAT KOMPENSUOTI ĮTAMPĄ. NORS N ĮTRAUKIMAS Į GAASSB SUDARO SĄLYGAS RETENKULIARINIAM REGULIAVIMUI PAGAL GAAS IR SAVARANKIŠKAI MANIPULIUOTI VAIRAVIMO JUOSTŲ IR VALENSIJOS POSLINKIAIS, TAI PALENGVINA DAUG DIDESNĮ ATSVAROS VARIACIJOS DIAPAZONĄ IR GALI BŪTI SUMAŽINTAS SB ATSKYRIMAS. Mūsų KONKRETUS TIKSLAS NAUDOJA TIKSLAS KARAKTERISTIKOS gaminti nanostruktūrinius SOLAR CELULS su OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES IN GAAS turi VERY CONVERTION EFICIENCE of OTHER MATERIALS. JO EFEKTYVUMĄ BŪTŲ GALIMA PAGERINTI PRIDEDANT INAS/GAAS I TIPO KVANTINIUS TAŠKUS (QD) SU (AL) GAASSBN DANGŲ SLUOKSNIAIS, KURIE GALĖTŲ IŠSPRĘSTI DVI QD SCS PROBLEMAS: ĮTAMPOS KAUPIMASIS IR LOJ SUMAŽINIMAS. SAVO RUOŽTU, TOKIOS KONSTRUKCIJOS GALI BŪTI ĮTRAUKTOS Į GAA SUBCELULA MJSC SROVĖS SUKABINIMO. BE TO, KVANTINIŲ GRĘŽINIŲ STRUKTŪRŲ (QW) ARBA GAAS (SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY, PRIDERINTŲ PRIE GAA, AUGIMAS GALĖTŲ BŪTI NAUDOJAMAS KAIP SUBCELLULES ESANT 1,0 ARBA 1.15 EV MJSC, SUTEIKIANT OPTIMALIĄ ENERGIJĄ IR SUTEIKIANT POTENCIALIĄ NAUDĄ STORIEMS SLUOKSNIAMS. GALIAUSIAI TINKAMĄ IBSCS KONSTRUKCIJĄ GALIMA PASIEKTI NAUDOJANT II TIPO NANOSTRUKTŪRAS, TOKIAS KAIP INAS/GAAS QD SU (AL) GAASSB (N) CL SU DIDELIU SB KIEKIU ARBA GAASN/ALGAASSB II TIPO QWS. Šios NUOMONĖS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS, DĖL PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS IR PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS NUORODOS NUOSTATOS IR PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS PRIEŽIŪROS GYVYBOS NAVIJOS PRIEMONIOS NUOSTATOS NUOSTATOS, susijusios su PRIEŽIJŲ PRIEMONijomis, kurias ji vykdo tik per tam tikrą laiką per APSAUGINĮ GYVINIO GYVINIO KOMISIJOS PRIEŽIJĄ NUOSTATĄ. ŽINOMA, KETVIRTINIŲ IR (AL)GAASSB(N) LYDINIŲ AUGIMAS YRA ANKSTYVAS IR REIKALAUJA KONTROLIUOTI NEPAGEIDAUJAMUS REIŠKINIUS, TOKIUS KAIP FAZIŲ ATSKYRIMAS AR ATSKYRIMAS. TODĖL GAUTI ITIN DIDELIO EFEKTYVUMO SCS, PAGRĮSTĄ ŠIOMIS NANOSTRUKTŪROMIS, GALIMA TIK ATLIKUS IŠSAMŲ IR SISTEMINGĄ TYRIMĄ, KURIS SUSIEJA AUGIMO SĄLYGAS SU STRUKTŪRINĖMIS, OPTINĖMIS IR ELEKTRINĖMIS SAVYBĖMIS, NAUDOJANT ĮVAIRIUS NAUJAUSIOS KARTOS METODUS. PROJEKTAS APIMS VISĄ ŽINIŲ GRANDINĘ, SUSIJUSIĄ SU KONSTRUKCIJŲ PROJEKTAVIMU, MBE AUGIMU, IŠSAMIU MEDŽIAGŲ APIBŪDINIMU IR PRIETAISŲ GAMYBA BEI JŲ APIBŪDINIMU. NORINT PASIEKTI ŠIUOS TIKSLUS, VIENAS IŠ PAGRINDINIŲ PROJEKTO SĖKMĖS VEIKSNIŲ YRA U. POLITECNICA DE MADRID IR U. DE CADIZ PAPILDOMŲ KOMPETENCIJŲ KOORDINAVIMAS. (Lithuanian)
4 August 2022
0 references
TREĆE GENERACIJE SOLARNIH ĆELIJA (SC) ISTRAŽUJU SE KAO GLAVNI PUT PREMA VISOKOUČINKOVITOJ FOTONAPONSKOJ ENERGIJI. OGRANIČENJA U GLAVNIM PRISTUPIMA, KAO ŠTO SU MULTIUNION SC (MJSC) ILI SREDNJI POJAS (IBSC), POSLJEDICA SU NEDOSTATKA MATERIJALA I NANOSTRUKTURA S POTREBNIM SVOJSTVIMA I STRUKTUROM POJASA. TIME SE TRENUTAČNO SPRJEČAVA RAZVOJ MJSCS-A I IBSCS-A, KAO I POSEBNOG ODBORA UNIJE (SJSC), S DIZAJNOM ZA KOJE SMO SE ODLUČILI. PREDLAŽEMO NOVU KLASU NANOSTRUKTURA NA TEMELJU (AL)GAASSB(N) I POPLAVA NA GAAS KOJI BI MOGLI ZNAČAJNO POBOLJŠATI OVE UREĐAJE, JER OMOGUĆUJU INŽENJERING STRUKTURE POJASA U NANORAZINI S NEZABILJEŽENOM SLOBODOM, KAO I KOMPENZACIJU NAPETOSTI. IAKO SE UKLJUČIVANJEM N-A U GAASSB OMOGUĆUJE RETIKULARNA PRILAGODBA S GAA-OVIMA I NEOVISNA MANIPULACIJA KOMPENZACIJAMA VOZNIH POJASEVA I VALENCIJE, DODAVANJEM MNOGO VEĆEG RASPONA VARIJACIJA KOMPENZACIJE I SMANJENJA ODVAJANJA SB-A MOGLO BI SE SMANJITI. Naš CILJ UPOZORENJE KARAKTERISTIKE UNIQUE za proizvodnju nanostrukturiranih SOLAR CELULS-a s OPTIMALnim DESIGNS-om._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES u GAAS-u imaju vrlo visoku razinu sposobnosti drugih materijala. NJEGOVA UČINKOVITOST MOGLA BI SE POBOLJŠATI DODAVANJEM KVANTNIH TOČAKA TIPA I INAS/GAAS (QD) S (AL)GAASSBN SLOJEVIMA PREMAZA, ČIME BI SE MOGLA RIJEŠITI DVA PROBLEMA PRISUTNA U QD SCS: NAKUPLJANJE NAPETOSTI I SMANJENJE HOS-A. S DRUGE STRANE, TAKVE SE KONSTRUKCIJE MOGU UGRADITI U GAA SUBCELULA U MJSC-U ZA SPAJANJE STRUJE. OSIM TOGA, RAST STRUKTURA KVANTNE BUŠOTINE (QW) ILI GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY PRILAGOĐEN GAASU MOŽE SE KORISTITI KAO SUBCELLULES NA 1.0 ILI 1,15 EV U MJSC, PRUŽAJUĆI OPTIMALNE ENERGIJE I PREDSTAVLJAJU POTENCIJALNE PREDNOSTI NAD DEBELIM SLOJEVIMA. KONAČNO, ODGOVARAJUĆI DIZAJN U IBSCS-U MOŽE SE POSTIĆI UPOTREBOM NANOSTRUKTURA TIPA II, KAO ŠTO SU INAS/GAAS QDS S (AL)GAASSB(N) CL S VISOKIM SADRŽAJEM SB ILI GAASN/ALGAASSB TIPA II QWS. Ove STRUCTURE CAN INCREMENT PROCESSs of FHOTONS ABSORCTION U DVA OD PRIJEDLOGA ŽIVOTINJA VOŽE PORTATORA U INTERMEDIA BANDA._x000D_ DESIGN PRIMJENE ovih nanostruktura S DEFORMACIJE I STRUCTURE POSEBNIH BANDA SAMO JE POSIBLITE kroz PROFUNT KNOWLEDGE GROWTH PROCESS I A DOMINAL PERFECT OF THE DISTRIBUTION THE ATOMIC ESCAL COMMISSION. NARAVNO, RAST KVARTARNIH I QUINARY LEGURA (AL)GAASSB(N) JE U DJETINJSTVU I ZAHTIJEVA DA SE DRŽE POD KONTROLOM NEŽELJENE POJAVE KAO ŠTO SU SEGREGACIJA ILI ODVAJANJE FAZA. STOGA JE DOBIVANJE SCS-A ULTRA-VISOKE UČINKOVITOSTI NA TEMELJU TIH NANOSTRUKTURA MOGUĆE SAMO KROZ OPSEŽNU I SUSTAVNU STUDIJU KOJA POVEZUJE UVJETE RASTA SA STRUKTURNIM, OPTIČKIM I ELEKTRIČNIM SVOJSTVIMA, KORISTEĆI ŠIROK RASPON TEHNIKA NAJNOVIJE GENERACIJE. PROJEKT ĆE OBUHVATITI CIJELI LANAC ZNANJA OD PROJEKTIRANJA STRUKTURA, RASTA MBE-A, ISCRPNE KARAKTERIZACIJE MATERIJALA I PROIZVODNJE UREĐAJA TE NJIHOVE KARAKTERIZACIJE. KAKO BI SE POSTIGLI TI CILJEVI, KOORDINACIJA KOMPLEMENTARNIH KOMPETENCIJA U. POLITECNICA DE MADRID I U. DE CADIZ KLJUČNA JE ZA USPJEH PROJEKTA. (Croatian)
4 August 2022
0 references
ΟΙ ΗΛΙΑΚΈΣ ΚΥΨΈΛΕΣ ΤΡΊΤΗΣ ΓΕΝΙΆΣ (SC) ΔΙΕΡΕΥΝΏΝΤΑΙ ΩΣ Η ΚΎΡΙΑ ΟΔΌΣ ΠΡΟΣ ΤΗ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΪΚΉ ΕΝΈΡΓΕΙΑ ΥΨΗΛΉΣ ΑΠΌΔΟΣΗΣ. ΟΙ ΠΕΡΙΟΡΙΣΜΟΊ ΤΩΝ ΚΎΡΙΩΝ ΠΡΟΣΕΓΓΊΣΕΩΝ, ΌΠΩΣ Η ΠΟΛΥΣΎΝΤΑΞΗ SC (MJSC) Ή Η ΕΝΔΙΆΜΕΣΗ ΖΏΝΗ (IBSC), ΟΦΕΊΛΟΝΤΑΙ ΣΤΗΝ ΈΛΛΕΙΨΗ ΥΛΙΚΏΝ ΚΑΙ ΝΑΝΟΔΟΜΏΝ ΜΕ ΤΙΣ ΑΠΑΙΤΟΎΜΕΝΕΣ ΙΔΙΌΤΗΤΕΣ ΚΑΙ ΔΟΜΉ ΖΏΝΗΣ. ΑΥΤΌ ΕΜΠΟΔΊΖΕΙ ΕΠΊ ΤΟΥ ΠΑΡΌΝΤΟΣ ΤΗΝ ΑΝΆΠΤΥΞΗ ΤΩΝ MJSCS ΚΑΙ IBSCS, ΚΑΘΏΣ ΚΑΙ ΕΝΌΣ ΕΝΩΣΙΑΚΟΎ SC (SJSC), ΜΕ ΤΑ ΣΧΈΔΙΑ ΠΟΥ ΕΠΙΛΈΞΑΜΕ. ΠΡΟΤΕΊΝΟΥΜΕ ΜΙΑ ΝΈΑ ΚΑΤΗΓΟΡΊΑ ΝΑΝΟΔΟΜΏΝ ΜΕ ΒΆΣΗ (AL)GAASSB(N) ΚΑΙ ΠΛΗΜΜΎΡΕΣ ΣΤΟ GAAS ΠΟΥ ΘΑ ΜΠΟΡΟΎΣΑΝ ΝΑ ΒΕΛΤΙΏΣΟΥΝ ΣΗΜΑΝΤΙΚΆ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ, ΚΑΘΏΣ ΕΠΙΤΡΈΠΟΥΝ ΤΗ ΜΗΧΑΝΙΚΉ ΤΗΣ ΔΟΜΉΣ ΖΏΝΗΣ ΣΤΗ ΝΑΝΟΚΛΊΜΑΚΑ ΜΕ ΠΡΩΤΟΦΑΝΉ ΕΛΕΥΘΕΡΊΑ, ΚΑΘΏΣ ΚΑΙ ΤΗΝ ΑΝΤΙΣΤΆΘΜΙΣΗ ΤΩΝ ΕΝΤΆΣΕΩΝ. ΕΝΏ Η ΕΝΣΩΜΆΤΩΣΗ ΤΟΥ Ν ΣΤΟ GAASSB ΕΠΙΤΡΈΠΕΙ ΤΗΝ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΉ ΤΟΥ ΔΙΚΤΥΏΜΑΤΟΣ ΜΕ ΤΟΥΣ GAAS ΚΑΙ ΤΗΝ ΑΝΕΞΆΡΤΗΤΗ ΧΕΙΡΑΓΏΓΗΣΗ ΤΩΝ ΑΝΤΙΣΤΑΘΜΊΣΕΩΝ ΤΩΝ ΖΩΝΏΝ ΟΔΉΓΗΣΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΒΑΛΈΝΘΙΑ, Η ΑΎΞΗΣΗ ΤΗΣ ΔΙΑΚΎΜΑΝΣΗΣ ΤΟΥ ΌΦΣΕΤ ΚΑΙ Ο ΔΙΑΧΩΡΙΣΜΌΣ ΤΩΝ SB ΘΑ ΜΠΟΡΟΎΣΑΝ ΝΑ ΜΕΙΩΘΟΎΝ. Ο ΣΤΟΧΟΣ ΜΑΣ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΕΙΤΑΙ ΑΥΤΕΣ ΜΟΝΑΔΕΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ για την παραγωγή νανοδομημένων SOLAR CELULS με OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES IN GAAS έχουν μια ΠΟΛΥ ΣΥΜΒΑΣΗ ΑΛΛΩΝ ΥΛΙΚΩΝ. Η ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΌΤΗΤΆ ΤΟΥ ΘΑ ΜΠΟΡΟΎΣΕ ΝΑ ΒΕΛΤΙΩΘΕΊ ΜΕ ΤΗΝ ΠΡΟΣΘΉΚΗ ΚΒΑΝΤΙΚΏΝ ΣΗΜΕΊΩΝ INAS/GAAS ΤΎΠΟΥ I (QD) ΜΕ ΣΤΡΏΜΑΤΑ ΕΠΙΚΆΛΥΨΗΣ (AL)GAASSBN, ΤΑ ΟΠΟΊΑ ΘΑ ΜΠΟΡΟΎΣΑΝ ΝΑ ΕΠΙΛΎΣΟΥΝ ΤΑ ΔΎΟ ΠΡΟΒΛΉΜΑΤΑ ΠΟΥ ΥΠΆΡΧΟΥΝ ΣΤΑ SCS ΤΗΣ QD: Η ΣΥΣΣΏΡΕΥΣΗ ΈΝΤΑΣΗΣ ΚΑΙ Η ΜΕΊΩΣΗ ΤΩΝ ΠΟΕ. ΜΕ ΤΗ ΣΕΙΡΆ ΤΟΥΣ, ΟΙ ΔΟΜΈΣ ΑΥΤΈΣ ΜΠΟΡΟΎΝ ΝΑ ΕΝΣΩΜΑΤΩΘΟΎΝ ΣΤΟ GAA SUBCELULA ΣΤΟ MJSC ΓΙΑ ΤΗΝ ΤΡΈΧΟΥΣΑ ΣΎΖΕΥΞΗ. ΕΠΙΠΛΈΟΝ, Η ΑΝΆΠΤΥΞΗ ΔΟΜΏΝ ΚΒΑΝΤΙΚΉΣ ΦΡΈΑΤΟΣ (QW) Ή GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΈΝΩΝ ΣΤΙΣ GAAS ΘΑ ΜΠΟΡΟΎΣΕ ΝΑ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΗΘΕΊ ΩΣ SUBCELLULES ΣΕ 1,0 Ή 1,15 EV ΣΤΟ MJSC, ΠΑΡΈΧΟΝΤΑΣ ΒΈΛΤΙΣΤΕΣ ΕΝΈΡΓΕΙΕΣ ΚΑΙ ΠΑΡΟΥΣΙΆΖΟΝΤΑΣ ΠΙΘΑΝΆ ΠΛΕΟΝΕΚΤΉΜΑΤΑ ΈΝΑΝΤΙ ΤΩΝ ΠΑΧΙΏΝ ΣΤΡΩΜΆΤΩΝ. ΤΈΛΟΣ, Ο ΚΑΤΆΛΛΗΛΟΣ ΣΧΕΔΙΑΣΜΌΣ ΣΤΟ IBSCS ΜΠΟΡΕΊ ΝΑ ΕΠΙΤΕΥΧΘΕΊ ΜΕ ΤΗ ΧΡΉΣΗ ΝΑΝΟΔΟΜΈΣ ΤΎΠΟΥ II, ΌΠΩΣ QD ΤΎΠΟΥ INAS/GAAS ΜΕ (AL)GAASSB(N) CL ΜΕ ΥΨΗΛΉ ΠΕΡΙΕΚΤΙΚΌΤΗΤΑ ΣΕ SB Ή GAASN/ALGAASSB ΤΎΠΟΥ II QWS. Οι ΔΡΟΜΟΙ αυτοί ΜΠΟΡΟΥΝ να ΑΝΤΑΓΩΝΙΣΟΥΝ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΕΣ ΦΩΤΟΓΡΑΦΙΑΣ σε ΔΙΚΤΥΟ ΑΠΟ ΤΙΣ ΠΡΟΤΑΣΕΙΣ ΖΩΗΣ ΣΤΟΥΣ ΠΟΡΤΟΓΑΛΟΥΣ ΤΗΣ INTERMEDIA BANDA._x000D_ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΚΑΙ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΤΗΣ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑΣ ΤΗΣ ΑΤΟΜΙΚΗΣ ΚΟΙΝΩΝΙΚΗΣ ΕΠΙΤΡΟΠΗΣ. ΑΣΦΑΛΏΣ, Η ΑΝΆΠΤΥΞΗ ΤΩΝ ΤΕΤΑΡΤΟΤΑΓΏΝ ΚΑΙ ΚΟΙΝΙΚΏΝ ΚΡΑΜΆΤΩΝ (AL)GAASSB(N) ΕΊΝΑΙ ΣΤΑ ΝΗΠΙΑΚΆ ΤΟΥ ΚΑΙ ΑΠΑΙΤΕΊ ΝΑ ΔΙΑΤΗΡΕΊΤΑΙ ΥΠΌ ΈΛΕΓΧΟ ΑΝΕΠΙΘΎΜΗΤΑ ΦΑΙΝΌΜΕΝΑ ΌΠΩΣ Ο ΔΙΑΧΩΡΙΣΜΌΣ Ή Ο ΔΙΑΧΩΡΙΣΜΌΣ ΤΩΝ ΦΆΣΕΩΝ. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, Η ΑΠΌΚΤΗΣΗ SCS ΕΞΑΙΡΕΤΙΚΆ ΥΨΗΛΉΣ ΑΠΌΔΟΣΗΣ ΜΕ ΒΆΣΗ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΝΑΝΟΔΟΜΈΣ ΕΊΝΑΙ ΔΥΝΑΤΉ ΜΌΝΟ ΜΈΣΩ ΜΙΑΣ ΕΚΤΕΤΑΜΈΝΗΣ ΚΑΙ ΣΥΣΤΗΜΑΤΙΚΉΣ ΜΕΛΈΤΗΣ ΠΟΥ ΣΥΣΧΕΤΊΖΕΙ ΤΙΣ ΣΥΝΘΉΚΕΣ ΑΝΆΠΤΥΞΗΣ ΜΕ ΔΟΜΙΚΈΣ, ΟΠΤΙΚΈΣ ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΙΚΈΣ ΙΔΙΌΤΗΤΕΣ, ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΏΝΤΑΣ ΜΙΑ ΕΥΡΕΊΑ ΠΟΙΚΙΛΊΑ ΤΕΧΝΙΚΏΝ ΤΕΛΕΥΤΑΊΑΣ ΓΕΝΙΆΣ. ΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΚΑΛΎΨΕΙ ΟΛΌΚΛΗΡΗ ΤΗΝ ΑΛΥΣΊΔΑ ΓΝΏΣΕΩΝ ΑΠΌ ΤΟ ΣΧΕΔΙΑΣΜΌ ΤΩΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΏΝ, ΤΗΝ ΑΝΆΠΤΥΞΗ ΑΠΌ ΤΗΝ MBE, ΤΟΝ ΕΞΑΝΤΛΗΤΙΚΌ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΌ ΤΩΝ ΥΛΙΚΏΝ ΚΑΙ ΤΗΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΉ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ ΚΑΙ ΤΟΝ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΌ ΤΟΥΣ. ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΊΤΕΥΞΗ ΑΥΤΏΝ ΤΩΝ ΣΤΌΧΩΝ, Ο ΣΥΝΤΟΝΙΣΜΌΣ ΤΩΝ ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΏΝ ΑΡΜΟΔΙΟΤΉΤΩΝ ΤΗΣ U. POLITECNICA DE MADRID ΚΑΙ ΤΟΥ U. DE CADIZ ΑΠΟΤΕΛΕΊ ΤΟ ΚΛΕΙΔΊ ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΙΤΥΧΊΑ ΤΟΥ ΣΧΕΔΊΟΥ. (Greek)
4 August 2022
0 references
AKO HLAVNÁ CESTA K VYSOKOÚČINNEJ FOTOVOLTICKEJ ENERGII SA SKÚMAJÚ SOLÁRNE ČLÁNKY TRETEJ GENERÁCIE. OBMEDZENIA V HLAVNÝCH PRÍSTUPOCH, AKO JE MULTIUNION SC (MJSC) ALEBO STREDNÉ PÁSMO (IBSC), SÚ SPÔSOBENÉ NEDOSTATKOM MATERIÁLOV A NANOŠTRUKTÚR S POŽADOVANÝMI VLASTNOSŤAMI A ŠTRUKTÚROU PÁSMA. TO V SÚČASNOSTI BRÁNI ROZVOJU MJSCS A IBSCS, AKO AJ ÚNIE SC (SJSC), S NÁVRHMI, KTORÉ SME SI ZVOLILI. NAVRHUJEME NOVÚ TRIEDU NANOŠTRUKTÚR ZALOŽENÝCH NA (AL)GAASSB(N) A ZÁPLAVÁCH NA GAA, KTORÉ BY MOHLI VÝRAZNE ZLEPŠIŤ TIETO ZARIADENIA, PRETOŽE UMOŽŇUJÚ INŽINIERSTVO ŠTRUKTÚRY PÁSMA V NANOÚROVNI S BEZPRECEDENTNOU SLOBODOU, AKO AJ KOMPENZÁCIU NAPÄTIA. ZATIAĽ ČO ZAČLENENIE N DO GAASSB UMOŽŇUJE RETIKULÁRNU ÚPRAVU POMOCOU GAAS A NEZÁVISLÚ MANIPULÁCIU S POSUNMI JAZDNÝCH PÁSIEM A VALENCIA, ČÍM SA UĽAHČÍ OVEĽA VÄČŠIA ŠKÁLA VARIÁCIÍ OFFSETU A SEGREGÁCIA SB BY SA MOHLA ZNÍŽIŤ. Náš OBJECTÍV JE POUŽÍVATEĽOV UNIQUE CHARACTERISTICS na výrobu nanoštruktúrované SOLAR CELULS s OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES IN GAAS majú veľmi konvergenčné EFICIENCE ĎALŠIE MATERIALS. JEHO ÚČINNOSŤ BY SA MOHLA ZLEPŠIŤ PRIDANÍM INAS/GAAS TYPU I KVANTOVÝCH BODOV (QD) S (AL)GAASSBN VRSTVAMI, KTORÉ BY MOHLI VYRIEŠIŤ DVA PROBLÉMY PRÍTOMNÉ V QD SCS: HROMADENIE NAPÄTIA A ZNÍŽENIE PRCHAVÝCH ORGANICKÝCH ZLÚČENÍN. NA DRUHEJ STRANE, TAKÉTO KONŠTRUKCIE MÔŽU BYŤ ZAČLENENÉ DO GAA SUBCELULA V MJSC PRE PRÚDOVÉ SPOJKY. OKREM TOHO RAST ŠTRUKTÚR KVANTOVÝCH VRTOV (QW) ALEBO GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY UPRAVENÝCH NA GAAS BY SA MOHOL POUŽIŤ AKO SUBCELLULES PRI 1,0 ALEBO 1,15 EV V MJSC, ČO POSKYTUJE OPTIMÁLNE ENERGIE A PREDSTAVUJE POTENCIÁLNE VÝHODY OPROTI HRUBÝM VRSTVÁM. NAPOKON, VHODNÝ DIZAJN V SYSTÉME IBSCS MOŽNO DOSIAHNUŤ POMOCOU NANOŠTRUKTÚR TYPU II, AKO SÚ INAS/GAAS QD S (AL)GAASSB(N) CL S VYSOKÝM OBSAHOM SB ALEBO GAASN/ALGAASSB TYPU II QWS. Tieto STRUKTURY môžu viesť k vyčleneniu FOTONS ABSORCTION in TWO PROPOSES OF LIFE TIME DO PORTATORS V INTERMEDIA BANDA._x000D_ DESIGN CECE of these nanostructures with DEFORMATION and STRUCTURE of ADECTED BANDAS ONLY ISSEBLE prostredníctvom PROFUNTU ZRUŠENIA ROWTH PROCESS A DOMINAL PERFECT DOMINAL PERFECT DISTRIBUCIE ATOMICKÉ ESCAL KOMISIY. ISTE, RAST KVARTÉRNE A QUINARY ZLIATINY (AL)GAASSB(N) JE V DETSTVE A VYŽADUJE UDRŽAŤ POD KONTROLOU NEŽIADUCE JAVY, AKO JE SEGREGÁCIA ALEBO ODDELENIE FÁZ. PRETO JE ZÍSKANIE SCS S VEĽMI VYSOKOU ÚČINNOSŤOU NA ZÁKLADE TÝCHTO NANOŠTRUKTÚR MOŽNÉ LEN PROSTREDNÍCTVOM ROZSIAHLEJ A SYSTEMATICKEJ ŠTÚDIE, KTORÁ KORELUJE PODMIENKY RASTU SO ŠTRUKTURÁLNYMI, OPTICKÝMI A ELEKTRICKÝMI VLASTNOSŤAMI S POUŽITÍM ŠIROKEJ ŠKÁLY TECHNÍK NAJNOVŠEJ GENERÁCIE. PROJEKT BUDE POKRÝVAŤ CELÝ REŤAZEC POZNATKOV Z NÁVRHU ŠTRUKTÚR, RAST MBE, VYČERPÁVAJÚCU CHARAKTERIZÁCIU MATERIÁLOV A VÝROBU ZARIADENÍ A ICH CHARAKTERIZÁCIU. NA DOSIAHNUTIE TÝCHTO CIEĽOV JE KOORDINÁCIA DOPLNKOVÝCH KOMPETENCIÍ U. POLITECNICA DE MADRID A U. DE CADIZ KĽÚČOM K ÚSPECHU PROJEKTU. (Slovak)
4 August 2022
0 references
KOLMANNEN SUKUPOLVEN AURINKOKENNOJA TUTKITAAN PÄÄVÄYLÄNÄ TEHOKKAASEEN AURINKOSÄHKÖÖN. TÄRKEIMPIEN LÄHESTYMISTAPOJEN, KUTEN MULTIUNION SC:N (MJSC) TAI VÄLIKAISTAN (IBSC), RAJOITUKSET JOHTUVAT MATERIAALIEN JA NANORAKENTEIDEN PUUTTEESTA, JOILLA ON VAADITUT KAISTAOMINAISUUDET JA RAKENNE. TÄLLÄ HETKELLÄ TÄMÄ ESTÄÄ MJSCS:N JA IBSCS:N SEKÄ UNIONIN VALVONTAKOMITEAN (SJSC) KEHITTÄMISEN VALITSEMILLAMME MALLEILLA. EHDOTAMME UUTTA NANORAKENTEIDEN LUOKKAA, JOKA PERUSTUU (AL)GAASSB(N) JA TULVAT GAAS, JOKA VOISI MERKITTÄVÄSTI PARANTAA NÄITÄ LAITTEITA, KOSKA NE MAHDOLLISTAVAT SUUNNITTELUN KAISTAN RAKENNE NANOMITTAKAAVASSA ENNENNÄKEMÄTTÖMÄN VAPAUDEN SEKÄ KOMPENSOIDA JÄNNITTEITÄ. VAIKKA N:N SISÄLLYTTÄMINEN GAASSB:HEN MAHDOLLISTAA RETIKULAARISEN SÄÄDÖN GAA:N KANSSA JA ITSENÄISEN MANIPULOINNIN AJOTAAJUUKSIEN JA VALENCIAN VÄLILLÄ, SEN LISÄÄMINEN HELPOTTAA HUOMATTAVASTI SUUREMPAA VAIHTELUN VAIHTELUA JA SB:N EROTTELUA VOITAISIIN VÄHENTÄÄ. Meidän OBJECTIVE on käytössä UNIQUE CHARACTERISTICS tuottaa nanostrukturoituja SOLAR CELULS, joilla on OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES IN GAAS on erittäin CONVERTION EFICIENCE OTHER MATERIALS. SEN TEHOKKUUTTA VOITAISIIN PARANTAA LISÄÄMÄLLÄ INAS/GAAS-TYYPIN I KVANTTIPISTEITÄ (AL)GAASSBN-PINNOITEKERROKSIA, MIKÄ VOISI RATKAISTA KAKSI ONGELMAA, JOTKA ESIINTYVÄT QDS SCS:SSÄ: JÄNNITTEEN KERTYMINEN JA VOC:N PIENENEMINEN. TÄLLAISET RAKENTEET PUOLESTAAN VOIDAAN LIITTÄÄ GAA SUBCELULA MJSC VIRRAN KYTKEMISTÄ VARTEN. LISÄKSI KVANTTIKAIVOJEN RAKENTEIDEN (QW) TAI GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY -KASVUA VOITAISIIN KÄYTTÄÄ SUBCELLULESINA MJSC:SSÄ 1.0 TAI 1.15 EV:NÄ, MIKÄ TARJOAA OPTIMAALISET ENERGIAMUODOT JA TARJOAA POTENTIAALISIA ETUJA PAKSUIHIN KERROKSIIN NÄHDEN. IBSCS:N ASIANMUKAINEN SUUNNITTELU VOIDAAN TOTEUTTAA TYYPIN II NANORAKENTEISTA, KUTEN INAS/GAAS QD:STÄ, JOSSA ON (AL)GAASSB(N) CL, JONKA SB-PITOISUUS ON SUURI, TAI GAASN/ALGAASSB-TYYPIN II QWS-LAITTEISTA. Nämä STRUCTURES CAN INCREMENT PROCESSES of PHOTONS ABSORCTION TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN TUOMIOISTUIMEN TUOTTEET INTERMEDIA BANDA:n PORTATORSSA._x000D_ DESIGN PRICE näistä nanorakenteista, jotka ovat peräisin näistä nanorakenteista, jotka ovat VAIN VAIKUTETTUjen BANDAAN TUOTTEIDEN kautta ATOMIC ESCAL KOMISSION TUOMIOISTUIMEN JA MÄÄRÄKSEN TUOMIOISTUIN. (AL)GAASSB(N) KVATERNAARISTEN JA QUINARY-SEOSTEN KASVU ON LAPSENKENGISSÄÄN JA VAATII HALLITSEMAAN EI-TOIVOTTUJA ILMIÖITÄ, KUTEN EROTTELUA TAI FAASIEN EROTTAMISTA. SIKSI NÄIHIN NANORAKENTEISIIN PERUSTUVAN ERITTÄIN TEHOKKAAN SCS:N SAAMINEN ON MAHDOLLISTA VAIN LAAJAN JA JÄRJESTELMÄLLISEN TUTKIMUKSEN AVULLA, JOKA KORRELOI KASVUOLOSUHTEITA RAKENTEELLISTEN, OPTISTEN JA SÄHKÖISTEN OMINAISUUKSIEN KANSSA KÄYTTÄEN MONENLAISIA UUSIMMAN SUKUPOLVEN TEKNIIKOITA. HANKE KATTAA KOKO OSAAMISKETJUN RAKENTEIDEN SUUNNITTELUSTA, MBE:N KASVUSTA, MATERIAALIEN KATTAVASTA KARAKTERISOINNISTA SEKÄ LAITTEIDEN VALMISTUKSESTA JA NIIDEN KARAKTERISOIMISESTA. NÄIDEN TAVOITTEIDEN SAAVUTTAMISEKSI U. POLITECNICA DE MADRIDIN JA U. DE CADIZIN TÄYDENTÄVIEN TOIMIVALTUUKSIEN KOORDINOINTI ON AVAIN HANKKEEN ONNISTUMISEEN. (Finnish)
4 August 2022
0 references
BADANE SĄ OGNIWA SŁONECZNE TRZECIEJ GENERACJI (SC) JAKO GŁÓWNA DROGA DO WYSOKOSPRAWNEJ ENERGII FOTOWOLTAICZNEJ. OGRANICZENIA W GŁÓWNYCH PODEJŚCIACH, TAKICH JAK MULTIUNION SC (MJSC) LUB PASMO POŚREDNIE (IBSC), WYNIKAJĄ Z BRAKU MATERIAŁÓW I NANOSTRUKTUR O WYMAGANYCH WŁAŚCIWOŚCIACH I STRUKTURZE PASMA. OBECNIE UNIEMOŻLIWIA TO ROZWÓJ MJSCS I IBSCS, A TAKŻE UNIJNEGO KOMITETU NADZORU (SJSC) WRAZ Z WYBRANYMI PRZEZ NAS PROJEKTAMI. PROPONUJEMY NOWĄ KLASĘ NANOSTRUKTUR OPARTYCH NA (AL)GAASSB(N) I POWODZIACH NA GAA, KTÓRE MOGŁYBY ZNACZNIE ULEPSZYĆ TE URZĄDZENIA, PONIEWAŻ POZWALAJĄ NA INŻYNIERIĘ KONSTRUKCJI PASMA W NANOSKALI Z BEZPRECEDENSOWĄ SWOBODĄ, A TAKŻE KOMPENSACJĘ NAPIĘĆ. PODCZAS GDY WŁĄCZENIE N DO GAASSB POZWALA NA REGULACJĘ SIATKÓWKI ZA POMOCĄ GAA I NIEZALEŻNĄ MANIPULACJĘ PRZESUNIĘCIEM PASM NAPĘDOWYCH I WALENCJI, MOŻNA ZMNIEJSZYĆ O WIELE WIĘKSZY ZAKRES WAHAŃ OFFSETU I SEGREGACJI SB. Nasza OBJECTIVE JEST UŻYTKOWANYCH CHARACTERISTICS do produkcji nanostrukturyzowanych SOLAR CELULS z OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES W GAAS mają BERY CONVERTION EFICIENCE INNYCH MATERIAŁÓW. JEGO WYDAJNOŚĆ MOŻNA POPRAWIĆ POPRZEZ DODANIE PUNKTÓW KWANTOWYCH INAS/GAAS TYPU I (QD) Z WARSTWAMI POWLEKAJĄCYMI (AL)GAASSBN, KTÓRE MOGŁYBY ROZWIĄZAĆ DWA PROBLEMY WYSTĘPUJĄCE W QDS SCS: NAGROMADZENIE NAPIĘCIA I ZMNIEJSZENIE LZO. Z KOLEI TAKIE KONSTRUKCJE MOGĄ BYĆ WŁĄCZONE DO GAA SUBCELULA W MJSC DLA ZŁĄCZA PRĄDOWEGO. PONADTO WZROST STRUKTUR ODWIERTU KWANTOWEGO (QW) LUB GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY DOSTOSOWANY DO GAA MOŻE BYĆ STOSOWANY JAKO SUBCELLULES PRZY 1,0 LUB 1,15 EV W MJSC, ZAPEWNIAJĄC OPTYMALNĄ ENERGIĘ I PRZEDSTAWIAJĄC POTENCJALNE ZALETY NAD GRUBYMI WARSTWAMI. WRESZCIE, ODPOWIEDNI PROJEKT W IBSCS MOŻNA OSIĄGNĄĆ ZA POMOCĄ NANOSTRUKTUR TYPU II, TAKICH JAK QD INAS/GAAS Z (AL)GAASSB(N) CL O WYSOKIEJ ZAWARTOŚCI SB LUB GAASN/ALGAASSB TYPU II QWS. Te STRUKTYWY W Dwóch Z PROPOZYCJI ŻYCIA TYM DO PORTATORÓW W INTERMEDIA BANDA._x000D_ CENA DESIGN tych nanostruktur z DEFORMATION I STRUKTURY ADECTED BANDAS JEDYNIE JEST POZYCJA poprzez PROFUNTOWANIE WIĘCEJ PROCESU i DOMINALNYCH PERFECT DISTRYBUCJI ATOMIC ESCAL COMMISSION. OCZYWIŚCIE, WZROST CZWARTORZĘDOWYCH I QUINARY STOPÓW (AL)GAASSB(N) JEST W OKRESIE NIEMOWLĘCYM I WYMAGA UTRZYMANIA POD KONTROLĄ NIEPOŻĄDANYCH ZJAWISK, TAKICH JAK SEGREGACJA LUB ROZDZIELENIE FAZ. DLATEGO UZYSKANIE BARDZO WYSOKIEJ WYDAJNOŚCI SCS W OPARCIU O TE NANOSTRUKTURY JEST MOŻLIWE TYLKO POPRZEZ OBSZERNE I SYSTEMATYCZNE BADANIE, KTÓRE KORELUJE WARUNKI WZROSTU Z WŁAŚCIWOŚCIAMI STRUKTURALNYMI, OPTYCZNYMI I ELEKTRYCZNYMI, PRZY UŻYCIU SZEROKIEJ GAMY TECHNIK NAJNOWSZEJ GENERACJI. PROJEKT OBEJMIE CAŁY ŁAŃCUCH WIEDZY OD PROJEKTOWANIA KONSTRUKCJI, ROZWOJU PRZEZ MBE, WYCZERPUJĄCEJ CHARAKTERYSTYKI MATERIAŁÓW, PRODUKCJI URZĄDZEŃ I ICH CHARAKTERYSTYKI. ABY OSIĄGNĄĆ TE CELE, KLUCZEM DO SUKCESU PROJEKTU JEST KOORDYNACJA UZUPEŁNIAJĄCYCH KOMPETENCJI U. POLITECNICA DE MADRID I U. DE CADIZ. (Polish)
4 August 2022
0 references
JELENLEG VIZSGÁLJÁK A HARMADIK GENERÁCIÓS NAPELEMEKET, MINT A NAGY HATÁSFOKÚ FOTOVOLTAIKUS ENERGIÁHOZ VEZETŐ FŐ ÚTVONALAT. A FŐ MEGKÖZELÍTÉSEK, PÉLDÁUL A MULTIUNION SC (MJSC) VAGY A KÖZTES SÁV (IBSC) KORLÁTAI A SZÜKSÉGES SÁVTULAJDONSÁGOKKAL ÉS SZERKEZETTEL RENDELKEZŐ ANYAGOK ÉS NANOSZERKEZETEK HIÁNYÁNAK TUDHATÓK BE. EZ JELENLEG MEGAKADÁLYOZZA AZ MJSCS ÉS AZ IBSCS, VALAMINT AZ UNIÓS SC (SJSC) FEJLESZTÉSÉT, AZ ÁLTALUNK VÁLASZTOTT TERVEKKEL. JAVASOLJUK A NANOSZERKEZETEK ÚJ OSZTÁLYÁT, AMELY AZ (AL)GAASSB(N) ÉS A GAA-K ÁRVIZEIN ALAPUL, AMELYEK JELENTŐSEN JAVÍTHATJÁK EZEKET AZ ESZKÖZÖKET, MIVEL LEHETŐVÉ TESZIK A NANOMÉRETŰ SÁVSZERKEZET TERVEZÉSÉT PÉLDÁTLAN SZABADSÁGGAL, VALAMINT A FESZÜLTSÉGEK KOMPENZÁLÁSÁT. MÍG AZ N-NEK A GAASSB-BA TÖRTÉNŐ BEÉPÍTÉSE LEHETŐVÉ TESZI A GAA-KKAL VALÓ RETIKULÁRIS BEÁLLÍTÁST, VALAMINT A VEZETÉSI SÁVOK ÉS A VALENCIAI ELTOLÓDÁSOK FÜGGETLEN MANIPULÁCIÓJÁT, AZ ELTOLÁS SOKKAL NAGYOBB VARIÁCIÓJÁT ÉS AZ SB SZEGREGÁCIÓJÁT LEHETNE CSÖKKENTENI. CÉLKITŰZÉSE AZ UNIQUE CHARACTERISTICS-eket használja, hogy nanostrukturált SOLAR CELULS-okat készítsen OPTIMAL DESIGNS-ekkel._x000D_ BETWEEN SJSC, A GAAS-ban A GAAS-ban van egy nagyon ELLENŐRZÉS EFICIENCE ETHERIALS. HATÉKONYSÁGÁT JAVÍTHATJA AZ INAS/GAAS I. TÍPUSÚ KVANTUMPONTOK (QD) HOZZÁADÁSÁVAL (AL)GAASSBN BEVONATRÉTEGEKKEL, AMELYEK MEGOLDHATJÁK A QD-K SCS-BEN JELEN LÉVŐ KÉT PROBLÉMÁT: A FESZÜLTSÉG FELHALMOZÓDÁSA ÉS A VOC CSÖKKENÉSE. EZEK A SZERKEZETEK VISZONT BEÉPÍTHETŐK A GAA SUBCELULA-BA AZ MJSC-BEN AZ ÁRAMKAPCSOLÁSHOZ. EZEN TÚLMENŐEN A KVANTUMKÚT-STRUKTÚRÁK (QW) VAGY A GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY A GAA-KHOZ IGAZÍTOTT NÖVEKEDÉSÉT AZ MJSC-BEN 1,0 VAGY 1,15 EV-NÉL SUBCELLULES-KÉNT IS FEL LEHET HASZNÁLNI, OPTIMÁLIS ENERGIÁKAT BIZTOSÍTVA ÉS POTENCIÁLIS ELŐNYÖKET KÍNÁLVA A VASTAG RÉTEGEKKEL SZEMBEN. VÉGÜL AZ IBSCS MEGFELELŐ KIALAKÍTÁSA A II. TÍPUSÚ NANOSZERKEZETEK, PÉLDÁUL A MAGAS SB TARTALMÚ (AL)GAASSB(N) CL VAGY GAASN/ALGAASSB II QWS TÍPUSÚ INAS/GAAS QD-K HASZNÁLATÁVAL ÉRHETŐ EL. Ezek a TÁJÉKOZTATÁSI TERMÉKEK AZ INTERMEDIA BANDA-n belül a PORTATORSZÁGHOZ._x000D_ ezeknek a nanoszerkezeteknek a DESIGN-mintáján keresztül, amennyiben az ADECTED BANDAS-TARTOMÁNYOK ÉS TÁRSULÁSA csak a Női PROCESS-en keresztül jutnak el, és az ATOMIC ESCAL BIZOTTSÁG DOMINÁCIÓS ÁLTALÁNOS ÖSSZEFOGLALÁSA. TERMÉSZETESEN A (AL)GAASSB(N) KVATERNER ÉS QUINARY ÖTVÖZETEINEK NÖVEKEDÉSE GYEREKCIPŐBEN JÁR, ÉS MEGKÖVETELI, HOGY ELLENŐRZÉS ALATT TARTSA A NEM KÍVÁNT JELENSÉGEKET, MINT PÉLDÁUL A SZEGREGÁCIÓ VAGY A FÁZISOK SZÉTVÁLASZTÁSA. EZÉRT AZ ILYEN NANOSZERKEZETEKEN ALAPULÓ ULTRA-NAGY HATÉKONYSÁGÚ SCS CSAK EGY KITERJEDT ÉS SZISZTEMATIKUS VIZSGÁLATTAL LEHETSÉGES, AMELY A NÖVEKEDÉSI FELTÉTELEKET A SZERKEZETI, OPTIKAI ÉS ELEKTROMOS TULAJDONSÁGOKKAL ÖSSZEFÜGGÉSBE HOZZA, A LEGÚJABB GENERÁCIÓS TECHNIKÁK SZÉLES SKÁLÁJÁT ALKALMAZVA. A PROJEKT A SZERKEZETEK TERVEZÉSÉTŐL, AZ MBE NÖVEKEDÉSÉTŐL, AZ ANYAGOK TELJES KÖRŰ JELLEMZÉSÉTŐL, AZ ESZKÖZÖK GYÁRTÁSÁTÓL ÉS JELLEMZÉSÉTŐL KEZDVE A TELJES TUDÁSLÁNCRA KITERJED. E CÉLOK ELÉRÉSE ÉRDEKÉBEN AZ U. POLITECNICA DE MADRID ÉS AZ U. DE CADIZ KIEGÉSZÍTŐ HATÁSKÖREINEK ÖSSZEHANGOLÁSA KULCSFONTOSSÁGÚ A PROJEKT SIKERÉHEZ. (Hungarian)
4 August 2022
0 references
TŘETÍ GENERACE SOLÁRNÍCH ČLÁNKŮ JE ZKOUMÁNA JAKO HLAVNÍ CESTA K VYSOCE ÚČINNÉ FOTOVOLTAICKÉ ENERGII. OMEZENÍ HLAVNÍCH PŘÍSTUPŮ, JAKO JE MULTIUNION SC (MJSC) NEBO STŘEDNÍ PÁSMO (IBSC), JSOU ZPŮSOBENA NEDOSTATKEM MATERIÁLŮ A NANOSTRUKTUR S POŽADOVANÝMI VLASTNOSTMI A STRUKTUROU PÁSMA. TO V SOUČASNÉ DOBĚ BRÁNÍ ROZVOJI MJSCS A IBSCS, STEJNĚ JAKO UNION SC (SJSC), S NÁVRHY, KTERÉ JSME ZVOLILI. NAVRHUJEME NOVOU TŘÍDU NANOSTRUKTUR ZALOŽENÝCH NA (AL)GAASSB(N) A ZÁPLAVÁCH NA GAA, KTERÉ BY MOHLY TATO ZAŘÍZENÍ VÝRAZNĚ ZLEPŠIT, NEBOŤ UMOŽŇUJÍ INŽENÝRSTVÍ STRUKTURY PÁSMA V NANOMĚŘÍTKU S BEZPRECEDENTNÍ SVOBODOU, JAKOŽ I KOMPENZACI NAPĚTÍ. ZATÍMCO ZAČLENĚNÍ N DO GAASSB UMOŽŇUJE RETIKULÁRNÍ ÚPRAVU S GAA A NEZÁVISLOU MANIPULACI S KOMPENZACEMI JÍZDNÍCH PÁSŮ A VALENCIE, MOHLO BY BÝT SNÍŽENO MNOHEM VĚTŠÍ SPEKTRUM KOLÍSÁNÍ A SEGREGACE SB. Náš OBJECTIVE JE POUŽITÍ UNIQUE CHARACTERISTICS k výrobě nanostrukturovaných SOLAR CELULS s OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES IN GAAS mají velmi konverzační EFICIENCE dalších MATERIALS. JEHO ÚČINNOST BY MOHLA BÝT ZLEPŠENA PŘIDÁNÍM KVANTOVÝCH BODŮ INAS/GAAS TYPU I (QD) O VRSTVY (AL)GAASSBN, COŽ BY MOHLO VYŘEŠIT DVA PROBLÉMY VYSKYTUJÍCÍ SE V QD SCS: AKUMULACE NAPĚTÍ A SNÍŽENÍ TĚKAVÝCH ORGANICKÝCH SLOUČENIN. TYTO KONSTRUKCE MOHOU BÝT NÁSLEDNĚ ZAČLENĚNY DO GAA SUBCELULA V MJSC PRO SPOJENÍ PROUDU. KROMĚ TOHO LZE RŮST STRUKTUR KVANTOVÝCH VRTŮ (QW) NEBO GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY UPRAVENÝCH NA GAA POUŽÍT JAKO SUBCELLULES PŘI 1,0 NEBO 1,15 EV V MJSC, COŽ POSKYTUJE OPTIMÁLNÍ ENERGII A PŘEDSTAVUJE POTENCIÁLNÍ VÝHODY OPROTI SILNÝM VRSTVÁM. VHODNÉHO NÁVRHU V SYSTÉMU IBSCS LZE DOSÁHNOUT POMOCÍ NANOSTRUKTUR TYPU II, JAKO JSOU QD INAS/GAAS S (AL)GAASSB(N) CL S VYSOKÝM OBSAHEM SB NEBO GAASN/ALGAASSB TYPU II QWS. Tyto STRUCTURY mohou zařazovat do systému PHOTONS ABSORCTION ve dvou letech od PROPOSES of LIFE TIME PROPORTATORům v INTERMEDIA BANDA._x000D_ DESIGN PRICE těchto nanostruktur s DEFORMATION a STRUCTURE PŘEDSEDENÝCH ZÁSTUPCŮ POUŽITÍ JE POSIBLE prostřednictvím PROFUNTNÍHO ZŘÍZENÍ VÝROBY A DOMINÁLNÍ PERFEKTU DISTRIBUCE ATOMICKÉHO ESKALMISE. RŮST KVARTÉRNÍCH A QUINÁRNÍCH SLITIN (AL)GAASSB(N) JE JISTĚ V PLENKÁCH A VYŽADUJE UDRŽET POD KONTROLOU NEŽÁDOUCÍ JEVY, JAKO JE SEGREGACE NEBO SEPARACE FÁZÍ. PROTO JE ZÍSKÁNÍ VYSOCE ÚČINNÉ SCS ZALOŽENÉ NA TĚCHTO NANOSTRUKTURÁCH MOŽNÉ POUZE PROSTŘEDNICTVÍM ROZSÁHLÉ A SYSTEMATICKÉ STUDIE, KTERÁ KORELUJE RŮSTOVÉ PODMÍNKY SE STRUKTURÁLNÍMI, OPTICKÝMI A ELEKTRICKÝMI VLASTNOSTMI ZA POUŽITÍ ŠIROKÉ ŠKÁLY TECHNIK NEJNOVĚJŠÍ GENERACE. PROJEKT BUDE ZAHRNOVAT CELÝ ŘETĚZEC ZNALOSTÍ Z NÁVRHU KONSTRUKCÍ, RŮST MBE, VYČERPÁVAJÍCÍ CHARAKTERIZACI MATERIÁLŮ A VÝROBU ZAŘÍZENÍ A JEJICH CHARAKTERIZACI. PRO DOSAŽENÍ TĚCHTO CÍLŮ JE KLÍČEM K ÚSPĚCHU PROJEKTU KOORDINACE DOPLŇKOVÝCH KOMPETENCÍ U. POLITECNICA DE MADRID A U. DE CÁDIZ. (Czech)
4 August 2022
0 references
TIEK PĒTĪTI TREŠĀS PAAUDZES SAULES ELEMENTI (SC) KĀ GALVENAIS CEĻŠ UZ AUGSTAS EFEKTIVITĀTES FOTOELEMENTU ENERĢIJU. IEROBEŽOJUMI GALVENAJĀS PIEEJĀS, PIEMĒRAM, MULTISAVIENĪBU SC (MJSC) VAI STARPPOSMA JOSLĀ (IBSC), IR SAISTĪTI AR MATERIĀLU UN NANOSTRUKTŪRU TRŪKUMU AR NEPIECIEŠAMAJĀM JOSLU ĪPAŠĪBĀM UN STRUKTŪRU. TAS PAŠLAIK KAVĒ MJSCS UN IBSCS, KĀ ARĪ SAVIENĪBAS UZRAUDZĪBAS KOMITEJAS (VAS) ATTĪSTĪBU AR MŪSU IZVĒLĒTAJIEM DIZAINPARAUGIEM. MĒS IEROSINĀM JAUNAS KLASES NANOSTRUKTŪRAS, PAMATOJOTIES UZ (AL)GAASSB(N) UN PLŪDIEM GAAS, KAS VARĒTU IEVĒROJAMI UZLABOT ŠĪS IERĪCES, JO TIE ĻAUJ INŽENIERZINĀTNES JOSLU STRUKTŪRU NANOMĒROGĀ AR VĒL NEBIJUŠU BRĪVĪBU, KĀ ARĪ KOMPENSĒT SPRIEDZI. LAI GAN N IEKĻAUŠANA GAASSB ĻAUJ RETIKULĀRAS KOREKCIJAS AR GAAS UN NEATKARĪGU MANIPULĀCIJU AR BRAUKŠANAS JOSLU UN VALENSIJAS NOBĪDĒM, PIEVIENOJOT TAM DAUDZ LIELĀKU NOBĪDES DIAPAZONU UN SB NOŠĶIRŠANU VARĒTU SAMAZINĀT. Mūsu MĒRĶIS LIETOŠANAI UNIQUE CHARACTERISTICS, lai ražotu nanostrukturētus SOLAR CELULS ar OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES GAAS ir VERY CONVERTION EFICIENCE OTHER MATERIALS. TĀ EFEKTIVITĀTI VARĒTU UZLABOT, PIEVIENOJOT INAS/GAAS I TIPA KVANTU PUNKTUS (QD) AR (AL)GAASSBN PĀRKLĀJUMA SLĀŅIEM, KAS VARĒTU ATRISINĀT ABAS PROBLĒMAS, KAS SAISTĪTAS AR QD SCS: SPRIEDZES UZKRĀŠANOS UN GOS SAMAZINĀŠANU. SAVUKĀRT ŠĀDAS KONSTRUKCIJAS VAR IEKĻAUT GAA SUBCELULA MJSC STRĀVAS SAVIENOŠANAI. TURKLĀT KVANTU URBUMU STRUKTŪRU (QW) VAI GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY PIEAUGUMU, KAS PIELĀGOTS GAA, VARĒTU IZMANTOT KĀ SUBCELLULES 1.0 VAI 1.15 EV MJSC, NODROŠINOT OPTIMĀLU ENERĢIJU UN RADOT POTENCIĀLAS PRIEKŠROCĪBAS PĀR BIEZIEM SLĀŅIEM. VISBEIDZOT, ATBILSTOŠU DIZAINU IBSCS VAR PANĀKT, IZMANTOJOT II TIPA NANOSTRUKTŪRAS, PIEMĒRAM, INAS/GAAS QD AR (AL)GAASSB(N) CL AR AUGSTU SB SATURU VAI GAASN/ALGAASSB II TIPA QWS. Šie STRUCTURES CAN INCREMENT PROCESSES FOTO ABSORCTION in two no PROPOSES LIFE TIME PORTA IN INTERMEDIA BANDA._x000D_ DESIGN PRICE šo nanostruktūru ar DEFORMĀCIJAS BANDAS TIKAI IZMANTOŠANAS BOSIBLE ar PROFUNTĒŠANAS PROCESS UN DOMINAL PERFECT OF ATOMIC ESSKĀ KOMISIJAS DEFORMĀCIJAS UN STRUCTURE. PROTAMS, ČETRAIZVIETOTO UN QUINARY SAKAUSĒJUMU (AL)GAASSB(N) AUGŠANA IR SĀKUMSTADIJĀ UN PRASA KONTROLĒT NEVĒLAMAS PARĀDĪBAS, PIEMĒRAM, FĀŽU SEGREGĀCIJU VAI ATDALĪŠANU. TĀPĒC ĪPAŠI AUGSTAS EFEKTIVITĀTES SCS IEGŪŠANA, PAMATOJOTIES UZ ŠĪM NANOSTRUKTŪRĀM, IR IESPĒJAMA TIKAI AR PLAŠU UN SISTEMĀTISKU PĒTĪJUMU, KAS KORELĒ AUGŠANAS APSTĀKĻUS AR STRUKTURĀLĀM, OPTISKĀM UN ELEKTRISKĀM ĪPAŠĪBĀM, IZMANTOJOT DAŽĀDAS JAUNĀKĀS PAAUDZES METODES. PROJEKTS APTVERS VISU ZINĀŠANU ĶĒDI, SĀKOT AR KONSTRUKCIJU IZSTRĀDI, MBE IZAUGSMI, MATERIĀLU IZSMEĻOŠU RAKSTUROJUMU UN IERĪČU RAŽOŠANU, KĀ ARĪ TO RAKSTUROŠANU. LAI SASNIEGTU ŠOS MĒRĶUS, U. POLITECNICA DE MADRID UN U. DE CADIZ PAPILDU KOMPETENČU KOORDINĀCIJA IR PROJEKTA PANĀKUMU ATSLĒGA. (Latvian)
4 August 2022
0 references
TÁ IMSCRÚDÚ Á DHÉANAMH AR CHEALLA GRÉINE (SC) DEN TRÍÚ GLÚIN MAR AN PRÍOMHBHEALACH CHUIG FUINNEAMH FÓTAVOLTACH ARDÉIFEACHTÚLACHTA. TÁ TEORAINNEACHA SNA PRÍOMHCHUR CHUIGE, AMHAIL MULTIUNION SC (MJSC) NÓ BANDA IDIRMHEÁNACH (IBSC), MAR GHEALL AR EASPA ÁBHAR AGUS NANASTRUCHTÚR A BHFUIL AIRÍONNA BANDA AGUS STRUCHTÚR RIACHTANACH ACU. FAOI LÁTHAIR, CUIREANN SÉ SIN COSC AR FHORBAIRT MJSCS AGUS IBSCS, CHOMH MAITH LE SC DE CHUID AN AONTAIS (SJSC), AGUS NA DEARAÍ ATÁ ROGHNAITHE AGAINN. MOLAIMID AICME NUA NANASTRUCHTÚR BUNAITHE AR (AL)GAASSB(N) AGUS TUILTE AR GAAS A D’FHÉADFADH FEABHAS SUNTASACH A CHUR AR NA GLÉASANNA SEO, TOISC GO GCEADAÍONN SIAD STRUCHTÚR BANDAÍ A INNEALTÓIREACHT AR AN NANASCÁLA LE SAOIRSE NACH BHFACTHAS A LEITHÉID RIAMH ROIMHE SEO, CHOMH MAITH LE TEANNAS A CHÚITEAMH. CÉ GO GCEADAÍONN AN T-IONCHORPRÚ N IN GAASSB COIGEARTÚ INGEARACH LEIS AN GAAS AGUS IONRAMHÁIL NEAMHSPLEÁCH AR FHRITHÁIREAMH NA MBANDAÍ TIOMÁNA AGUS VALENCIA, RUD A CHUIREANN LEIS AN ÉASCÚ RAON I BHFAD NÍOS MÓ ÉAGSÚLACHTA AR AN BHFRITHÁIREAMH AGUS D’FHÉADFAÍ LEITHSCARADH SB A LAGHDÚ. Is é ár n-OBJECTIVE ÚSÁID AN AONTAIS AONTAITHE chun CELULS SOLAR nanastruchtúraithe a tháirgeadh le OPTIMAL DESIGNS._x000D_ SJSC BETWEEN, BASATES I GAAS Tá EFICIEN VERVERTION OF OTHER MATERIALS. D’FHÉADFAÍ A ÉIFEACHTÚLACHT A FHEABHSÚ TRÍ PHOINTÍ CANDAMACHA INAS/GAAS DE CHINEÁL I (QD) A CHUR LE SRAITHEANNA SCIATH (AL)GAASSBN, A D’FHÉADFADH AN DÁ FHADHB ATÁ I SCS QDANNA A RÉITEACH: CARNADH TEANNAS AGUS LAGHDÚ VOC. INA DHIAIDH SIN, IS FÉIDIR STRUCHTÚIR DEN SÓRT SIN A IONCHORPRÚ IN ÁBHAR CLG I MJSC LE HAGHAIDH CÚPLÁLA REATHA. INA THEANNTA SIN, D’FHÉADFAÍ AN FÁS AR STRUCHTÚIR TOBAIR CHANDAMACH (QW) NÓ GAAS (SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY CHOIGEARTÚ CHUN AN GAAS A ÚSÁID MAR SUBCELLULES AG 1.0 NÓ 1.15 EV I MJSC, AG SOLÁTHAR FUINNIMH IS FEARR IS FÉIDIR AGUS BUNTÁISTÍ FÉIDEARTHA A CHUR I LÁTHAIR THAR SRAITHEANNA TIUBH. AR DEIREADH, IS FÉIDIR AN DEARADH CUÍ IN IBSCS A BHAINT AMACH TRÍ ÚSÁID A BHAINT AS NANASTRUCHTÚIR DE CHINEÁL II, AMHAIL INAS/GAAS QDS LE (AL)GAASSB(N) CL LE HÁBHAR SB ARD NÓ GAASN/ALGAASSB CINEÁL II QWS. Tá na nósanna imeachta um measúnú tionchair seo ar fáil do na honnmhaireoirí in INTERMEDIA BANDA._x000D_ PRAGHAS DEARADH NA NA NÓSANNA A BHAINEANN LEIS AN STIÚRTHÓIRÍ IDIRNÁISIÚNTA BANDA._x000D_ PRICEACHT NA NÓSCRÍOCH NA NÓSÁIDE seo le faisnéis agus le haithint Bannaí ADECTED A BHAINEANN LE STIÚRTHÓIREACHT A DHÉANAMH agus an Coiste um Thalmhaíocht agus um Fhorbairt Tuaithe. CINNTE, TÁ FÁS CÓIMHIOTAIL CHEATHARTHA AGUS CHÚIGEACHA (AL)GAASSB(N) INA THÚS AGUS ÉILÍONN SÉ FEINIMÉIN NACH DTEASTAÍONN A CHOINNEÁIL FAOI SMACHT AMHAIL DEIGHILT NÓ SCARADH CÉIMEANNA. DÁ BHRÍ SIN, NÍ FÉIDIR SCS ÉIFEACHTÚLACHTA ULTRA-ARD A FHÁIL BUNAITHE AR NA NANASTRUCHTÚIR SEO ACH AMHÁIN TRÍ STAIDÉAR FAIRSING AGUS CÓRASACH A CHOMHCHOIBHNEAS LE COINNÍOLLACHA FÁIS LE HAIRÍONNA STRUCHTÚRACHA, OPTÚLA AGUS LEICTREACHA, AG BAINT ÚSÁIDE AS RÉIMSE LEATHAN TEICNÍCÍ GINIÚNA IS DÉANAÍ. CLÚDÓIDH AN TIONSCADAL AN SLABHRA EOLAIS AR FAD Ó DHEARADH NA STRUCHTÚR, FÁS AG MBE, TRÉITHRIÚ UILEGHABHÁLACH NA N-ÁBHAR AGUS MONARÚ FEISTÍ AGUS A DTRÉITHRIÚ. CHUN NA CUSPÓIRÍ SIN A BHAINT AMACH, TÁ COMHORDÚ INNIÚLACHTAÍ COMHLÁNTACHA U. POLITECNICA DE MADRID AGUS U. DE CADIZ RÍTHÁBHACHTACH DO RATH AN TIONSCADAIL. (Irish)
4 August 2022
0 references
KOT GLAVNA POT DO VISOKOUČINKOVITE FOTOVOLTAIČNE ENERGIJE SE PREISKUJEJO SONČNE CELICE TRETJE GENERACIJE. OMEJITVE PRI GLAVNIH PRISTOPIH, KOT STA MULTIUNION SC (MJSC) ALI VMESNI PAS (IBSC), SO POSLEDICA POMANJKANJA MATERIALOV IN NANOSTRUKTUR Z ZAHTEVANIMI LASTNOSTMI IN STRUKTURO PASOV. TO TRENUTNO PREPREČUJE RAZVOJ MJSCS IN IBSCS TER SC UNIJE (SJSC) Z MODELI, ZA KATERE SMO SE ODLOČILI. PREDLAGAMO NOV RAZRED NANOSTRUKTUR, KI TEMELJIJO NA (AL)GAASSB(N) IN POPLAVAH NA GAAS, KI BI LAHKO BISTVENO IZBOLJŠALI TE NAPRAVE, SAJ OMOGOČAJO INŽENIRING TRAČNE STRUKTURE V NANORAVNI S SVOBODO BREZ PRIMERE IN IZRAVNAVO NAPETOSTI. MEDTEM KO VKLJUČITEV N V GAASSB OMOGOČA RETIKULARNO PRILAGODITEV Z GAA IN NEODVISNO MANIPULACIJO ODMIKOV MED VOZNIMI PASOVI IN VALENCIO, POLEG TEGA OMOGOČA VELIKO VEČJI RAZPON ODSTOPANJ ODMIKA IN SE LAHKO ZMANJŠA LOČEVANJE SB. Naš OBJEKTIVA JE UPORABLJAJO UNIQUE CHARACTERISTICS za proizvodnjo nanostrukturiranih SOLAR CELULS z OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES V GAAS imajo zelo POGODBENOST ODRUGIH MATERIALS. NJEGOVO UČINKOVITOST BI BILO MOGOČE IZBOLJŠATI Z DODAJANJEM INAS/GAAS TIPA I KVANTNIH TOČK (QD) Z (AL) PREMAZNIMI PLASTMI GAASSBN, KAR BI LAHKO REŠILO DVE TEŽAVI, KI STA PRISOTNI V SCS QD: KOPIČENJE NAPETOSTI IN ZMANJŠANJE HOS. PO DRUGI STRANI SE LAHKO TAKŠNE STRUKTURE VKLJUČIJO V GAA SUBCELULA V MJSC ZA SPENJANJE TOKA. POLEG TEGA BI SE LAHKO RAST STRUKTUR KVANTNIH VRTIN (QW) ALI GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY, PRILAGOJENIH GAA, UPORABILA KOT SUBCELLULES PRI 1,0 ALI 1,15 EV V MJSC, KAR ZAGOTAVLJA OPTIMALNO ENERGIJO IN PREDSTAVLJA POTENCIALNE PREDNOSTI PRED DEBELIMI PLASTMI. USTREZNO ZASNOVO V IBSCS JE MOGOČE DOSEČI TUDI Z UPORABO NANOSTRUKTUR TIPA II, KOT SO QD-JI INAS/GAAS Z (AL)GAASSB(N) CL Z VISOKO VSEBNOSTJO SB ALI GAASN/ALGAASSB TIP II QWS. Te STRUKURIJE INCREMENT PROCESES OF FHOTONS ABSORCTION V TWO IZ PROPOSOV LIFE TIME TO PORTATORS V INTERMEDIA BANDA._x000D_ DESIGN PRICE teh nanostruktur Z DEFORMACIJEM IN STRUCTURE DODELJENIH BANDAS SAMO JE NAČELI s PROFUNTOM NAROČILA RASTNIŠKE PROCES in DOMINALNI POSTOPEK DISTRIBUCIJE ATOMIC ESCAL KOMISIJE. ZAGOTOVO JE RAST KVARTARNIH IN KVINARNIH ZLITIN (AL)GAASSB(N) V POVOJIH IN ZAHTEVA NADZOR NAD NEŽELENIMI POJAVI, KOT STA LOČEVANJE ALI LOČEVANJE FAZ. ZATO JE PRIDOBITEV IZJEMNO VISOKO UČINKOVITIH SCS NA PODLAGI TEH NANOSTRUKTUR MOGOČA LE Z OBSEŽNO IN SISTEMATIČNO ŠTUDIJO, KI POVEZUJE POGOJE RASTI S STRUKTURNIMI, OPTIČNIMI IN ELEKTRIČNIMI LASTNOSTMI Z UPORABO NAJRAZLIČNEJŠIH TEHNIK NAJNOVEJŠE GENERACIJE. PROJEKT BO ZAJEMAL CELOTNO VERIGO ZNANJA OD ZASNOVE STRUKTUR, RASTI S STRANI MBE, IZČRPNE KARAKTERIZACIJE MATERIALOV IN IZDELAVE NAPRAV TER NJIHOVE KARAKTERIZACIJE. ZA DOSEGO TEH CILJEV JE ZA USPEH PROJEKTA KLJUČNEGA POMENA USKLAJEVANJE KOMPLEMENTARNIH PRISTOJNOSTI U. POLITECNICA DE MADRID IN U. DE CADIZ. (Slovenian)
4 August 2022
0 references
ПРОУЧВАТ СЕ СЛЪНЧЕВИТЕ КЛЕТКИ ОТ ТРЕТО ПОКОЛЕНИЕ КАТО ОСНОВЕН ПЪТ КЪМ ВИСОКОЕФЕКТИВНА ФОТОВОЛТАИЧНА ЕНЕРГИЯ. ОГРАНИЧЕНИЯТА В ОСНОВНИТЕ ПОДХОДИ, КАТО НАПРИМЕР MULTIUNION SC (MJSC) ИЛИ МЕЖДИННАТА ЛЕНТА (IBSC), СЕ ДЪЛЖАТ НА ЛИПСАТА НА МАТЕРИАЛИ И НАНОСТРУКТУРИ С НЕОБХОДИМИТЕ СВОЙСТВА И СТРУКТУРА НА ЛЕНТАТА. ТОВА ПОНАСТОЯЩЕМ ПРЕЧИ НА РАЗВИТИЕТО НА MJSCS И IBSCS, КАКТО И НА ЮНИОН SC (SJSC), С ИЗБРАНИТЕ ОТ НАС ПРОЕКТИ. ПРЕДЛАГАМЕ НОВ КЛАС НАНОСТРУКТУРИ, ОСНОВАНИ НА (AL)GAASSB(N) И НАВОДНЕНИЯ В GAAS, КОИТО БИХА МОГЛИ ЗНАЧИТЕЛНО ДА ПОДОБРЯТ ТЕЗИ УСТРОЙСТВА, ТЪЙ КАТО ТЕ ПОЗВОЛЯВАТ ИЗГРАЖДАНЕТО НА СТРУКТУРА НА ЧЕСТОТНАТА ЛЕНТА В НАНОМАЩАБА С БЕЗПРЕЦЕДЕНТНА СВОБОДА, КАКТО И КОМПЕНСИРАНЕ НА НАПРЕЖЕНИЕТО. ВЪПРЕКИ ЧЕ ВКЛЮЧВАНЕТО НА N В GAASSB ПОЗВОЛЯВА РЕЦИКУЛАРНАТА КОРЕКЦИЯ С GAAS И НЕЗАВИСИМАТА МАНИПУЛАЦИЯ НА КОМПЕНСАЦИИТЕ НА ЛЕНТИТЕ НА ЗАДВИЖВАНЕ И ВАЛЕНСИЯ, ДОБАВЯНЕТО КЪМ ТЯХ УЛЕСНЯВА МНОГО ПО-ГОЛЯМ ДИАПАЗОН НА ВАРИРАНЕ НА ОТМЕСТВАНЕТО И РАЗДЕЛЯНЕТО НА SB БИ МОГЛО ДА БЪДЕ НАМАЛЕНО. Нашата OBJECTIVE Е ПОТВЪРЖДАВАНЕ НА УНИКЕРИСТИКА за производство на наноструктурирани SOLAR CELULS с оперативни дизайни._x000D_ BETWEEN SJSC, Базите в GAAS имат VERY CONVERTION EFICIENCE OF OTHER MATERIALS. НЕГОВАТА ЕФЕКТИВНОСТ МОЖЕ ДА БЪДЕ ПОДОБРЕНА ЧРЕЗ ДОБАВЯНЕ НА КВАНТОВИ ТОЧКИ (QD) ПО INAS/GAAS ТИП I С (AL)GAASSBN СЛОЕВЕ ЗА ПОКРИТИЕ, КОЕТО БИ МОГЛО ДА РЕШИ ДВАТА ПРОБЛЕМА, СЪЩЕСТВУВАЩИ В QDS SCS: НАТРУПВАНЕ НА НАПРЕЖЕНИЕ И НАМАЛЯВАНЕ НА ЛОС. ОТ СВОЯ СТРАНА ТАКИВА КОНСТРУКЦИИ МОГАТ ДА БЪДАТ ВКЛЮЧЕНИ В GAA SUBCELULA В MJSC ЗА ТЕКУЩО СВЪРЗВАНЕ. ОСВЕН ТОВА РАСТЕЖЪТ НА КВАНТОВИТЕ СОНДАЖНИ СТРУКТУРИ (QW) ИЛИ GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY, ПРИСПОСОБЕН КЪМ GAAS, МОЖЕ ДА СЕ ИЗПОЛЗВА КАТО SUBCELLULES ПРИ 1.0 ИЛИ 1.15 EV В MJSC, ОСИГУРЯВАЙКИ ОПТИМАЛНИ ЕНЕРГИИ И ПРЕДСТАВЯЙКИ ПОТЕНЦИАЛНИ ПРЕДИМСТВА ПРЕД ДЕБЕЛИ СЛОЕВЕ. И НАКРАЯ, ПОДХОДЯЩОТО ПРОЕКТИРАНЕ В IBSCS МОЖЕ ДА БЪДЕ ПОСТИГНАТО ЧРЕЗ ИЗПОЛЗВАНЕ НА НАНОСТРУКТУРИ ОТ ТИП II, КАТО НАПРИМЕР QD НА INAS/GAAS С (AL)GAASSB(N) CL С ВИСОКО СЪДЪРЖАНИЕ НА SB ИЛИ GAASN/ALGAASSB ТИП II QWS. Тези СТРУКТУРИ могат да предизвикат абсорбция на фотони в два от пропозициите на живота, TIME TO PORTATORS In the INTERMEDIA BANDA._x000D_ DESIGN Цената на тези наноструктури с разработване и изпълнение на ADECTED BANDAS ONLY е POSIBLE чрез PROFUNTY KNOWEDGE на GROWTH ПРОЦЕС И ДОМИНАЛЕН ПЕРФЕКТ НА ДИСТРИБУЦИЯТА НА АТОМИЧНАТА ИССАЛНА КОМИСИЯ. РАЗБИРА СЕ, РАСТЕЖЪТ НА ЧЕТВЪРТИЧНИ И QUINARY СПЛАВИ НА (AL)GAASSB(N) Е В НАЧАЛЕН СТАДИЙ И ИЗИСКВА ДА СЕ ДЪРЖАТ ПОД КОНТРОЛ НЕЖЕЛАНИ ЯВЛЕНИЯ КАТО СЕГРЕГАЦИЯ ИЛИ РАЗДЕЛЯНЕ НА ФАЗИ. ПОРАДИ ТОВА ПОЛУЧАВАНЕТО НА СВРЪХВИСОКОЕФЕКТИВНИ SCS ВЪЗ ОСНОВА НА ТЕЗИ НАНОСТРУКТУРИ Е ВЪЗМОЖНО САМО ЧРЕЗ ОБШИРНО И СИСТЕМАТИЧНО ПРОУЧВАНЕ, КОЕТО СВЪРЗВА УСЛОВИЯТА НА РАСТЕЖ СЪС СТРУКТУРНИТЕ, ОПТИЧНИТЕ И ЕЛЕКТРИЧЕСКИТЕ СВОЙСТВА, КАТО СЕ ИЗПОЛЗВА ГОЛЯМО РАЗНООБРАЗИЕ ОТ ТЕХНИКИ ОТ ПОСЛЕДНО ПОКОЛЕНИЕ. ПРОЕКТЪТ ЩЕ ОБХВАНЕ ЦЯЛАТА ВЕРИГА ОТ ЗНАНИЯ ОТ ПРОЕКТИРАНЕТО НА СТРУКТУРИТЕ, РАСТЕЖА ОТ СТРАНА НА MBE, ИЗЧЕРПАТЕЛНОТО ХАРАКТЕРИЗИРАНЕ НА МАТЕРИАЛИТЕ И ПРОИЗВОДСТВОТО НА УСТРОЙСТВА И ТЯХНОТО ХАРАКТЕРИЗИРАНЕ. ЗА ПОСТИГАНЕТО НА ТЕЗИ ЦЕЛИ КООРДИНАЦИЯТА НА ДОПЪЛВАЩИТЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ НА U. POLITECNICA DE MADRID И U. DE CADIZ Е ОТ КЛЮЧОВО ЗНАЧЕНИЕ ЗА УСПЕХА НА ПРОЕКТА. (Bulgarian)
4 August 2022
0 references
IĊ-ĊELLOLI SOLARI TAT-TIELET ĠENERAZZJONI (SC) QED JIĠU INVESTIGATI BĦALA R-ROTTA EWLENIJA GĦALL-ENERĠIJA FOTOVOLTAJKA B’EFFIĊJENZA GĦOLJA. IL-LIMITAZZJONIJIET FL-APPROĊĊI EWLENIN, BĦALL-MULTIUNION SC (MJSC) JEW IL-MEDDA INTERMEDJA (IBSC), HUMA DOVUTI GĦAN-NUQQAS TA’ MATERJALI U NANOSTRUTTURI BIL-PROPRJETAJIET U L-ISTRUTTURA TAL-MEDDA MEĦTIEĠA. DAN ATTWALMENT JIPPREVJENI L-IŻVILUPP TA’ MJSCS U IBSCS, KIF UKOLL TA’ SC TAL-UNJONI (SJSC), BID-DISINJI LI GĦAŻILNA. AĦNA NIPPROPONU KLASSI ĠDIDA TA’ NANOSTRUTTURI BBAŻATI FUQ (AL)GAASSB(N) U GĦARGĦAR FUQ IL-GAAS LI JISTGĦU JTEJBU B’MOD SINIFIKANTI DAWN L-APPARATI, PERESS LI JIPPERMETTU L-INĠINERIJA TAL-ISTRUTTURA TAL-BANDA FIN-NANOSKALA B’LIBERTÀ MINGĦAJR PREĊEDENT, KIF UKOLL IL-KUMPENS GĦAT-TENSJONIJIET. FILWAQT LI L-INKORPORAZZJONI TA’ N F’GAASSB TIPPERMETTI L-AĠĠUSTAMENT RETIKULARI MAL-GAAS U MANIPULAZZJONI INDIPENDENTI TAL-KUMPENSI TAL-BANED TAS-SEWQAN U TA’ VALENCIA, U DAN IŻID MAL-FAĊILITAZZJONI TA’ FIRXA ĦAFNA AKBAR TA’ VARJAZZJONI TAL-KUMPENS U S-SEGREGAZZJONI TAL-SB TISTA’ TITNAQQAS. L-OBJETTIVA TIEGĦEK UŻU L-UNIQUE CHARACTERISTICS li jipproduċu CELULS SOLAR nanostrutturati ma DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC OPTIMAL DWAR SJSC, BASATI F’GAAS għandhom EFIĊJENZA VERY KONVERZZJONI TA’ MATERJALI OĦRA. L-EFFIĊJENZA TAGĦHA TISTA’ TITTEJJEB BILLI JIŻDIEDU L-PUNTI TAL-KWANTUM TAT-TIP I INAS/GAAS (QD) B’SAFFI TA’ KISI (AL)GAASSBN, LI JISTGĦU JSOLVU Ż-ŻEWĠ PROBLEMI PREŻENTI FIL-QDS SCS: L-AKKUMULAZZJONI TAT-TENSJONI U T-TNAQQIS TAL-VOC. MIN-NAĦA TAGĦHOM, DAWN L-ISTRUTTURI JISTGĦU JIĠU INKORPORATI FIS-SUBCELULA TAL-GAA FL-MJSC GĦALL-IGGANĊJAR TAL-KURRENT. BARRA MINN HEKK, IT-TKABBIR TA’ STRUTTURI TA’ BJAR KWANTISTIĊI (QW) JEW GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY AĠĠUSTAT GĦALL-GAAS JISTA’ JINTUŻA BĦALA SUBCELLULES F’1.0 JEW 1.15 EV FL-MJSC, LI JIPPROVDI ENERĠIJI OTTIMALI U JIPPREŻENTA VANTAĠĠI POTENZJALI FUQ SAFFI ĦOXNIN. FL-AĦĦAR NETT, ID-DISINN XIERAQ FL-IBSCS JISTA’ JINKISEB BL-UŻU TA’ NANOSTRUTTURI TAT-TIP II, BĦAL INAS/GAAS QDS B’CL (AL)GAASSB(N) B’KONTENUT GĦOLI TA’ SB JEW GAASN/ALGAASSB TAT-TIP II QWS. Dawn il-PROĊESSIJIET INCREMENT ISTRUCTURES CAN INCREMENT TAL-POŻIZZJONI FIL-POPOŻI TAL-LIFE ĦIN GĦALL-PORTATORJI FIL-BANDA INTERMEDJA._x000D_ Il-PRIFIKA TA’ dawn in-nanostrutturi Matul id-DEFORMAZZJONI U L-ISTRUTTURA TA’ BISS BISS IŻ-ŻONA TA’ POSIBBLI permezz ta’ KNOWLEDGE PROĠENTI TAL-PROĊESS TA’ GROWTH u PERĊETTI DOMINALI tad-DISTRIBUZZJONI TAL-KUMMISSJONI ESCAL ATOMIC. ĊERTAMENT, IT-TKABBIR TAL-LIGI KWATERNARJI U KWINARJI TA’ (AL)GAASSB(N) HUWA FIL-BIDU TIEGĦU U JEĦTIEĠ LI JINŻAMMU TAĦT KONTROLL FENOMENI MHUX MIXTIEQA BĦAS-SEGREGAZZJONI JEW IS-SEPARAZZJONI TAL-FAŻIJIET. GĦALHEKK, IL-KISBA TA’ SCS TA’ EFFIĊJENZA GĦOLJA ĦAFNA ABBAŻI TA’ DAWN IN-NANOSTRUTTURI HIJA POSSIBBLI BISS PERMEZZ TA’ STUDJU ESTENSIV U SISTEMATIKU LI JIKKORRELATA L-KUNDIZZJONIJIET TAT-TKABBIR MAL-PROPRJETAJIET STRUTTURALI, OTTIĊI U ELETTRIĊI, BL-UŻU TA’ VARJETÀ WIESGĦA TA’ TEKNIKI TAL-AĦĦAR ĠENERAZZJONI. IL-PROĠETT SE JKOPRI L-KATINA KOLLHA TA’ GĦARFIEN MID-DISINN TAL-ISTRUTTURI, IT-TKABBIR MILL-MBE, IL-KARATTERIZZAZZJONI EŻAWRJENTI TAL-MATERJALI U L-MANIFATTURA TAL-APPARATI U L-KARATTERIZZAZZJONI TAGĦHOM. BIEX JINTLAĦQU DAWN L-OBJETTIVI, IL-KOORDINAZZJONI TAL-KOMPETENZI KOMPLEMENTARI TAL-U. POLITECNICA DE MADRID U TAL-U. DE CADIZ HIJA KRUĊJALI GĦAS-SUĊĊESS TAL-PROĠETT. (Maltese)
4 August 2022
0 references
AS CÉLULAS SOLARES DE TERCEIRA GERAÇÃO (SC) ESTÃO A SER INVESTIGADAS COMO A PRINCIPAL VIA PARA A ENERGIA FOTOVOLTAICA DE ELEVADA EFICIÊNCIA. AS LIMITAÇÕES NAS PRINCIPAIS ABORDAGENS, COMO A MULTISUNIÃO SC (MJSC) OU A BANDA INTERMEDIÁRIA (IBSC), DEVEM-SE À FALTA DE MATERIAIS E NANOESTRUTURAS COM AS PROPRIEDADES E ESTRUTURA NECESSÁRIAS DA BANDA. ISTO IMPEDE ATUALMENTE O DESENVOLVIMENTO DO MJSCS E DO IBSCS, BEM COMO DE UM SC DA UNIÃO (SJSC), COM OS DESENHOS PELOS QUAIS OPTAMOS. PROPOMOS UMA NOVA CLASSE DE NANOESTRUTURAS BASEADAS EM (AL)GAASSB(N) E INUNDAÇÕES EM GAAS QUE PODERIAM MELHORAR SIGNIFICATIVAMENTE ESSES DISPOSITIVOS, POIS PERMITEM A ENGENHARIA DA ESTRUTURA DA BANDA NA NANOESCALA COM LIBERDADE SEM PRECEDENTES, BEM COMO A COMPENSAÇÃO DE TENSÕES. ENQUANTO A INCORPORAÇÃO DE N NO GAASSB PERMITE O AJUSTE RETICULAR COM OS GAAS E UMA MANIPULAÇÃO INDEPENDENTE DOS DESLOCAMENTOS DAS FAIXAS DE CONDUÇÃO E VALÊNCIA, SOMANDO AOS FACILITA UMA GAMA MUITO MAIOR DE VARIAÇÃO DO OFFSET E A SEGREGAÇÃO DE SB PODERIA SER REDUZIDA. Nosso OBJETIVO É UTILIZAR Estas CARACTERÍSTICAS UNIQUES para produzir CELULS SOLAR nanoestruturados COM DESIGNS OPTIMAL._x000D_ ENTRE SJSC, BASATES EM GAAS têm uma EFICIÊNCIA MUITO DE CONVERÇÃO DE OUTRAS MATERIAIS. SUA EFICIÊNCIA PODERIA SER MELHORADA ADICIONANDO INAS/GAAS TIPO I PONTOS QUÂNTICOS (QD) COM CAMADAS DE REVESTIMENTO (AL)GAASSBN, O QUE PODERIA RESOLVER OS DOIS PROBLEMAS PRESENTES EM QDS SCS: O ACÚMULO DE TENSÃO E REDUÇÃO DO COV. POR SUA VEZ, TAIS ESTRUTURAS PODEM SER INCORPORADAS NO GAA SUBCELULA NO MJSC PARA ACOPLAMENTO DE CORRENTE. ALÉM DISSO, O CRESCIMENTO DE ESTRUTURAS DE POÇOS QUÂNTICOS (QW) OU GAAS (SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY AJUSTADOS AOS GAAS PODERIA SER USADO COMO SUBCELLULES EM 1,0 OU 1,15 EV NO MJSC, FORNECENDO ENERGIAS ÓTIMAS E APRESENTANDO VANTAGENS POTENCIAIS SOBRE CAMADAS GROSSAS. POR FIM, O PROJETO ADEQUADO NO IBSCS PODE SER ALCANÇADO UTILIZANDO NANOESTRUTURAS DE TIPO II, TAIS COMO INAS/GAAS QDS COM (AL)GAASSB(N) CL COM ALTO TEOR DE SB OU GAASN/ALGAASSB TIPO II QWS. Estes ESTRUTURAS POR PROCESSOS DE INCREMENTO DA ABSORÇÃO DE FOTONS EM SEGURANÇAS DOS PROPOSTAS DA VIDA DOSPORTADORES NA INTERMEDIA BANDA._x000D_ O PREÇO DE DESIGN destas nanoestruturas COM DEFORMAÇÃO E ESTRUTURA DE BANDAS ADECTAS SOMENTES É POSÍVEL através de um CONHECIMENTO PROFUNTO DO PROCESSO DE GROWTH e de um PERFEITO DOMINAL DA DISTRIBUIÇÃO DA COMISSÃO ATÓMICA. CERTAMENTE, O CRESCIMENTO DE LIGAS QUATERNÁRIAS E QUINÁRIAS DE (AL)GAASSB(N) ESTÁ EM SUA INFÂNCIA E REQUER MANTER SOB CONTROLE FENÔMENOS INDESEJADOS, COMO SEGREGAÇÃO OU SEPARAÇÃO DE FASES. PORTANTO, A OBTENÇÃO DE SCS DE ULTRA-ALTA EFICIÊNCIA A PARTIR DESSAS NANOESTRUTURAS SÓ É POSSÍVEL ATRAVÉS DE UM ESTUDO EXTENSO E SISTEMÁTICO QUE CORRELACIONA AS CONDIÇÕES DE CRESCIMENTO COM PROPRIEDADES ESTRUTURAIS, ÓTICAS E ELÉTRICAS, UTILIZANDO UMA AMPLA VARIEDADE DE TÉCNICAS DE ÚLTIMA GERAÇÃO. O PROJETO ABRANGERÁ TODA A CADEIA DE CONHECIMENTO DESDE O DESIGN DAS ESTRUTURAS, O CRESCIMENTO DA MBE, A CARACTERIZAÇÃO EXAUSTIVA DOS MATERIAIS E A FABRICO DE DISPOSITIVOS E SUA CARACTERIZAÇÃO. PARA ATINGIR ESTES OBJETIVOS, A COORDENAÇÃO DAS COMPETÊNCIAS COMPLEMENTARES DA U. POLITECNICA DE MADRID E DA U. DE CADIZ É UMA CHAVE PARA O SUCESSO DO PROJETO. (Portuguese)
4 August 2022
0 references
TREDJEGENERATIONS SOLCELLER ER VED AT BLIVE UNDERSØGT SOM DEN VIGTIGSTE VEJ TIL HØJEFFEKTIV SOLCELLEENERGI. BEGRÆNSNINGERNE I DE VIGTIGSTE TILGANGE, F.EKS. MULTIUNION SC (MJSC) ELLER MELLEMLIGGENDE BÅND (IBSC), SKYLDES MANGLEN PÅ MATERIALER OG NANOSTRUKTURER MED DE KRÆVEDE BÅNDEGENSKABER OG -STRUKTUR. DETTE FORHINDRER I ØJEBLIKKET UDVIKLINGEN AF MJSCS OG IBSCS SAMT AF EN UNION SC (SJSC) MED DE DESIGN, VI VALGTE. VI FORESLÅR EN NY KLASSE AF NANOSTRUKTURER BASERET PÅ (AL)GAASSB(N) OG OVERSVØMMELSER PÅ GAA'ER, DER KAN FORBEDRE DISSE ENHEDER BETYDELIGT, DA DE GØR DET MULIGT AT KONSTRUERE BÅNDSTRUKTUR I NANOSKALA MED HIDTIL USET FRIHED SAMT KOMPENSATION FOR SPÆNDINGER. SELV OM INDARBEJDELSEN AF N I GAASSB GIVER MULIGHED FOR RETIKULÆR JUSTERING MED GAA'ERNE OG EN UAFHÆNGIG MANIPULATION AF FORSKYDNINGERNE AF DRIVBÅNDENE OG VALENCIA, VIL DET LETTE EN LANGT STØRRE VARIATION AF FORSKYDNINGEN, OG ADSKILLELSEN AF SB KUNNE REDUCERES. Vores OBJECTIVE er brug af disse UNIQUE KARAKTERISTIK til at producere nanostrukturerede SOLAR CELULS med OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES I GAAS har en meget konvergerende EFICIENCE af andre MATERIALS. DENS EFFEKTIVITET KUNNE FORBEDRES VED AT TILFØJE INAS/GAAS TYPE I-KVANTEPUNKTER (QD) MED (AL)GAASSBN-BELÆGNINGSLAG, HVILKET KUNNE LØSE DE TO PROBLEMER, DER FINDES I QD'ER SCS: AKKUMULERING AF SPÆNDING OG REDUKTION AF VOC. TIL GENGÆLD KAN SÅDANNE STRUKTURER INDARBEJDES I GAA SUBCELULA I MJSC TIL STRØMKOBLING. DESUDEN KAN VÆKSTEN AF KVANTEHULSSTRUKTURER (QW) ELLER GAAS (SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY JUSTERET TIL GAA'ERNE ANVENDES SOM SUBCELLULES VED 1,0 ELLER 1,15 EV I MJSC, HVILKET GIVER OPTIMALE ENERGIER OG GIVER POTENTIELLE FORDELE I FORHOLD TIL TYKKE LAG. ENDELIG KAN DEN RELEVANTE KONSTRUKTION I IBSCS OPNÅS VED HJÆLP AF TYPE II-NANOSTRUKTURER, SÅSOM INAS/GAAS QD'ER MED (AL)GAASSB(N) CL MED HØJT SB-INDHOLD ELLER GAASN/ALGAASSB TYPE II QWS. Disse STRUKTURER KAN INDSTILLING AF FOTONE ABSORCTION I DEN PROPOSER AF LIFE TIME TIL PORTATORERne i INTERMEDIA BANDA._x000D_ DESIGN PRISEN af disse nanostrukturer med oplysning og STRUCTure af ADECTED BANDA._x000D_ DESIGN PRISKE PRISEN AF disse nanostrukturer med oplysning om disse nanostrukturer med oplysning om disse nanostrukturer med oplysning om og kontrol med, at ATOMISKE SAMARBEJDE kan anvendes. BESTEMT, VÆKSTEN AF KVATERNÆRE OG QUINARY LEGERINGER AF (AL)GAASSB(N) ER I SIN VORDEN OG KRÆVER AT HOLDE UNDER KONTROL UØNSKEDE FÆNOMENER SÅSOM ADSKILLELSE ELLER ADSKILLELSE AF FASER. DERFOR ER DET KUN MULIGT AT OPNÅ ULTRAHØJEFFEKTIVE SCS'ER BASERET PÅ DISSE NANOSTRUKTURER GENNEM EN OMFATTENDE OG SYSTEMATISK UNDERSØGELSE, DER KORRELERER VÆKSTFORHOLD MED STRUKTURELLE, OPTISKE OG ELEKTRISKE EGENSKABER VED HJÆLP AF EN BRED VIFTE AF NYESTE PRODUKTIONSTEKNIKKER. PROJEKTET VIL DÆKKE HELE KÆDEN AF VIDEN FRA KONSTRUKTIONERNES DESIGN, MBE'S VÆKST, DEN UDTØMMENDE KARAKTERISERING AF MATERIALERNE OG FREMSTILLINGEN AF UDSTYR OG DERES KARAKTERISERING. FOR AT NÅ DISSE MÅL ER KOORDINERINGEN AF KOMPLEMENTÆRE KOMPETENCER HOS U. POLITECNICA DE MADRID OG U. DE CADIZ EN NØGLE TIL PROJEKTETS SUCCES. (Danish)
4 August 2022
0 references
CELULELE SOLARE DE A TREIA GENERAȚIE (SC) SUNT ANALIZATE CA FIIND PRINCIPALA CALE CĂTRE ENERGIA FOTOVOLTAICĂ DE ÎNALTĂ EFICIENȚĂ. LIMITĂRILE PRINCIPALELOR ABORDĂRI, CUM AR FI MULTIUNION SC (MJSC) SAU BANDA INTERMEDIARĂ (IBSC), SE DATOREAZĂ LIPSEI DE MATERIALE ȘI NANOSTRUCTURI CU PROPRIETĂȚILE ȘI STRUCTURA BENZII NECESARE. ACEST LUCRU ÎMPIEDICĂ ÎN PREZENT DEZVOLTAREA MJSCS ȘI IBSCS, PRECUM ȘI A UNUI CS AL UNIUNII (SJSC), CU PROIECTELE PE CARE LE-AM ALES. PROPUNEM O NOUĂ CLASĂ DE NANOSTRUCTURI BAZATE PE (AL)GAASSB(N) ȘI INUNDAȚII PE GAAS, CARE AR PUTEA ÎMBUNĂTĂȚI ÎN MOD SEMNIFICATIV ACESTE DISPOZITIVE, DEOARECE ACESTEA PERMIT INGINERIA STRUCTURII BENZII PE SCARĂ NANO CU LIBERTATE FĂRĂ PRECEDENT, PRECUM ȘI COMPENSAREA TENSIUNILOR. ÎN TIMP CE ÎNCORPORAREA N ÎN GAASSB PERMITE AJUSTAREA RETICULARĂ CU GAA ȘI O MANIPULARE INDEPENDENTĂ A COMPENSĂRILOR BENZILOR DE CONDUCERE ȘI VALENCIA, ADĂUGÂND LA FACILITAREA UNEI GAME MULT MAI MARI DE VARIAȚIE A COMPENSĂRII, IAR SEGREGAREA SB AR PUTEA FI REDUSĂ. Obiectivul nostru este de a folosi aceste CHARACTERISTICI UNIQe pentru a produce CELULE SOLARe nanostructurate cu DESIGNS OPTIMAL._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATELE ÎN GAAS au o VERIE FICIENȚA CONVERȚIEI ALTE MATERII. EFICIENȚA SA AR PUTEA FI ÎMBUNĂTĂȚITĂ PRIN ADĂUGAREA DE PUNCTE CUANTICE INAS/GAAS DE TIP I (QD) CU STRATURI DE ACOPERIRE (AL)GAASSBN, CARE AR PUTEA REZOLVA CELE DOUĂ PROBLEME PREZENTE ÎN SCS-URI QD: ACUMULAREA DE TENSIUNE ȘI REDUCEREA COV. LA RÂNDUL LOR, ASTFEL DE STRUCTURI POT FI ÎNCORPORATE ÎN GAA SUBCELULA ÎN MJSC PENTRU CUPLAREA CURENTULUI. ÎN PLUS, CREȘTEREA STRUCTURILOR PUȚURILOR CUANTICE (QW) SAU GAAS(SB)(N) SUPERNETS AJUSTATE RETICULAR LA GAAS AR PUTEA FI UTILIZATĂ CA SUBCELLULES LA 1,0 SAU 1,15 EV ÎN MJSC, OFERIND ENERGII OPTIME ȘI PREZENTÂND AVANTAJE POTENȚIALE FAȚĂ DE STRATURILE GROASE. ÎN CELE DIN URMĂ, PROIECTAREA CORESPUNZĂTOARE ÎN IBSCS POATE FI REALIZATĂ UTILIZÂND NANOSTRUCTURI DE TIP II, CUM AR FI QD INAS/GAAS CU (AL)GAASSB(N) CL CU CONȚINUT RIDICAT DE SB SAU GAASN/ALGAASSB TIP II QWS. Aceste STRUCTURES CAN INCREMENT PROCESURI DE PHOTONS ABSORCTION ÎN ACUMUL PROPUNCȚII DE DUMNEAVOASTRĂ DE DUMNEAVOASTRĂ CU DEFORMAȚII ȘI STRUCTURA BANDALOR ADECTATE ÎN INTERMEDIA BANDA._x000D_PRICEREA DESIGNULUI acestor nanostructuri cu DEFORMAȚII ȘI STRUCTURĂ A BANDURILOR ADECTATE NUMAI printr-un KNOWLEGE PROFUNT al PROCESULUI GROWTH și un PERFECT DOMINAL al DISTRIBUȚIEI COMISIA ESCALĂ ATOMICă. DESIGUR, CREȘTEREA ALIAJELOR CUATERNARE ȘI CHINARE ALE (AL)GAASSB(N) ESTE ÎN FAZĂ INCIPIENTĂ ȘI NECESITĂ MENȚINEREA SUB CONTROL A FENOMENELOR NEDORITE, CUM AR FI SEGREGAREA SAU SEPARAREA FAZELOR. PRIN URMARE, OBȚINEREA SCS DE ÎNALTĂ EFICIENȚĂ PE BAZA ACESTOR NANOSTRUCTURI ESTE POSIBILĂ NUMAI PRINTR-UN STUDIU AMPLU ȘI SISTEMATIC CARE CORELEAZĂ CONDIȚIILE DE CREȘTERE CU PROPRIETĂȚILE STRUCTURALE, OPTICE ȘI ELECTRICE, UTILIZÂND O GAMĂ LARGĂ DE TEHNICI DE ULTIMĂ GENERAȚIE. PROIECTUL VA ACOPERI ÎNTREGUL LANȚ DE CUNOȘTINȚE DE LA PROIECTAREA STRUCTURILOR, CREȘTEREA DE CĂTRE MBE, CARACTERIZAREA EXHAUSTIVĂ A MATERIALELOR ȘI FABRICAREA DISPOZITIVELOR ȘI CARACTERIZAREA ACESTORA. PENTRU A ATINGE ACESTE OBIECTIVE, COORDONAREA COMPETENȚELOR COMPLEMENTARE ALE U. POLITECNICA DE MADRID ȘI U. DE CADIZ ESTE ESENȚIALĂ PENTRU SUCCESUL PROIECTULUI. (Romanian)
4 August 2022
0 references
TREDJE GENERATIONENS SOLCELLER (SC) UNDERSÖKS SOM HUVUDVÄG TILL HÖGEFFEKTIV SOLCELLSENERGI. BEGRÄNSNINGAR I DE VIKTIGASTE METODERNA, SÅSOM MULTIUNION SC (MJSC) ELLER MELLANLIGGANDE BAND (IBSC), BEROR PÅ BRISTEN PÅ MATERIAL OCH NANOSTRUKTURER MED DE BANDEGENSKAPER OCH DEN STRUKTUR SOM KRÄVS. DETTA FÖRHINDRAR FÖR NÄRVARANDE UTVECKLINGEN AV MJSCS OCH IBSCS, LIKSOM AV EN UNION SC (SJSC), MED DE MÖNSTER VI VALDE. VI FÖRESLÅR EN NY KLASS AV NANOSTRUKTURER BASERADE PÅ (AL)GAASSB(N) OCH ÖVERSVÄMNINGAR PÅ GAAS SOM AVSEVÄRT SKULLE KUNNA FÖRBÄTTRA DESSA ENHETER, EFTERSOM DE MÖJLIGGÖR KONSTRUKTION AV BANDSTRUKTUR I NANOSKALA MED ALDRIG TIDIGARE SKÅDAD FRIHET, SAMT KOMPENSATION FÖR SPÄNNINGAR. INFÖRLIVANDET AV N I GAASSB MÖJLIGGÖR EN RETIKULÄR JUSTERING MED GAAS OCH EN OBEROENDE MANIPULERING AV FÖRSKJUTNINGARNA I KÖRBANDEN OCH VALENCIA, MEN ATT LÄGGA TILL ETT MYCKET STÖRRE UTBUD AV VARIATIONER I OFFSET OCH SEGREGERING AV SB SKULLE KUNNA MINSKAS. Vårt OBJEKTIV ÄR ANVÄNDA DENNA UNIQUE CHARACTERISTICER för att producera nanostrukturerade SOLAR CELULS MED OPTIMAL DESIGNS._x000D_ BETWEEN SJSC, BASATES I GAAS har en mycket positiv EFICIENCE OF ANDRE MATERIALS. DESS EFFEKTIVITET SKULLE KUNNA FÖRBÄTTRAS GENOM TILLÄGG AV INAS/GAAS TYP I-KVANTPUNKTER (QD) MED (AL)GAASSBN-BELÄGGNINGSSKIKT, VILKET SKULLE KUNNA LÖSA DE TVÅ PROBLEM SOM FINNS I QD SCS: ACKUMULERING AV SPÄNNING OCH MINSKNING AV VOC. SÅDANA STRUKTURER KAN I SIN TUR INFÖRLIVAS I GAA SUBCELULA I MJSC FÖR NUVARANDE KOPPLING. DESSUTOM KAN TILLVÄXTEN AV KVANTBRUNNSSTRUKTURER (QW) ELLER GAAS(SB)(N) SUPERNETS RETICULARLY SOM ANPASSATS TILL GAAS ANVÄNDAS SOM SUBCELLULER VID 1,0 ELLER 1,15 EV I MJSC, VILKET GER OPTIMALA ENERGIER OCH GER POTENTIELLA FÖRDELAR JÄMFÖRT MED TJOCKA LAGER. SLUTLIGEN KAN LÄMPLIG UTFORMNING I IBSCS UPPNÅS MED HJÄLP AV NANOSTRUKTURER AV TYP II, T.EX. INAS/GAAS QD MED (AL)GAASSB(N) CL MED HÖGT SB-INNEHÅLL ELLER GAASN/ALGAASSB TYP II QWS. Dessa STRUCTURES CAN INCREMENT PROCESSER AV FOTONS ABSORCTION I DOM FRÅN PROPOSER av Life TIME TO THE PORTATORS IN THE INTERMEDIA BANDA._x000D_ DESIGN PRICE AV dessa nanostrukturer MED DEFORMATION OCH STRUCTURE of ADECTED BANDAS ENDAST ÄR POSIBLE genom en PROFUNT VETOWLEDGE AV GROWTH PROCESS OCH DOMINAL PERFEKT AV DISTRIBUTIONEN AV DISTRIBUTIONEN AV DISTRIKET I den ATOMICSKA ESCALKOMMISSIONEN. VISST ÄR TILLVÄXTEN AV KVARTÄRA OCH KVINARÄRA LEGERINGAR AV (AL)GAASSB(N) I SIN LINDA OCH KRÄVER ATT HÅLLA UNDER KONTROLL OÖNSKADE FENOMEN SOM SEGREGERING ELLER SEPARATION AV FASER. DÄRFÖR ÄR DET ENDAST MÖJLIGT ATT FÅ ULTRAHÖGEFFEKTIVA SCS BASERADE PÅ DESSA NANOSTRUKTURER GENOM EN OMFATTANDE OCH SYSTEMATISK STUDIE SOM KORRELERAR TILLVÄXTFÖRHÅLLANDEN MED STRUKTURELLA, OPTISKA OCH ELEKTRISKA EGENSKAPER, MED HJÄLP AV EN MÄNGD OLIKA SENASTE GENERATIONENS TEKNIKER. PROJEKTET KOMMER ATT OMFATTA HELA KUNSKAPSKEDJAN FRÅN KONSTRUKTIONENS UTFORMNING, MBE:S TILLVÄXT, DEN UTTÖMMANDE KARAKTERISERINGEN AV MATERIALEN OCH TILLVERKNINGEN AV ANORDNINGAR OCH DERAS KARAKTERISERING. FÖR ATT UPPNÅ DESSA MÅL ÄR SAMORDNINGEN AV KOMPLETTERANDE KOMPETENSER MELLAN U. POLITECNICA DE MADRID OCH U. DE CADIZ EN NYCKEL TILL PROJEKTETS FRAMGÅNG. (Swedish)
4 August 2022
0 references
Puerto Real
0 references
20 December 2023
0 references
Identifiers
MAT2016-77491-C2-2-R
0 references