“The first 200 mm European Siliciu Carbide Pilot Line (SiC) dedicated to power devices electronics – REACTION” (Q3099170)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3099170 in Romania
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | “The first 200 mm European Siliciu Carbide Pilot Line (SiC) dedicated to power devices electronics – REACTION” |
Project Q3099170 in Romania |
Statements
4,800,000.0 Romanian Leu
0 references
6,000,000.0 Romanian Leu
0 references
80.0 percent
0 references
24 April 2019
0 references
30 April 2023
0 references
Universitatea Naţională de Ştiinţă şi Tehnologie Politehnica Bucureşti
0 references
44°26'10.10"N, 26°6'9.79"E
0 references
Obiectivul general al prezentului proiect, acceptat la finantare in cadrul ECSEL Joint Undertaking il reprezinta realizarea primei Facilitati Mondiale de tip Linie Pilot pentru Carbura de Siliciu (SiC) de 200 mm dedicată tehnologiei de Putere. Acest lucru îi va permite industriei Europene să devină o referință mondială capabilă sa ofere soluții inovatoare și competitive pentru provocările societale critice, cum ar fi economisirea de Energie și Reducerea emisiilor de CO2 (Acordul COP21 ), precum și Sustenabilitatea Mediului prin mobilitate electrică, eficiența conversiei de putere și Producția Inteligentă. Acest proiect se angajează să abordeze următoarele obiective: Dezvoltarea și demonstrarea funcționării primei instalații mondiale avansate de producție a SiC de 200mm prin abordarea unor capabilități multiple/transversale. Acest proiect cu capabilitate transversală exploatează prezența tuturor actorilor de-a lungul lanțului său de valori și creează masa critică adecvată pentru a promova inovația vitală care va contribui la obiectivele generale ale ECSEL. Strategia Liniei Pilot SiC de 8’’ va permite: • dezvoltarea substratului SiC de 8’’ • dezvoltatrea echipamentului SiC de 8’’ • realizarea Diodelor, a MOSFET-urilor Planare și cu Caneluri de Putere (Trench Power ) pornind de la Dispozitive şi Procese de 6’’ și mergând spre cele de 8’’ • dezvoltarea unui echipament avansat și special pentru prelucrarea SiC de 8", profitând de echipamentele deja existente din linia de producție a Siliciului la dimensiunea plachetei de 200 mm. • aplicarea unor astfel de tehnologii SiC va fi un factor de dezvoltare pentru Eficiența Energetică și Reducerea emisiilor de CO2 la nivel mondial, în conformitate cu planul global de acțiune COP21. • Rezultatele Liniei Pilot de 8’’vor fi extrem de importante în viitor pentru a determina deciziile strategice privind stabilirea unei linii de producție de dimensiuni mari pentru dispozitivele de putere SiC (de ex. dispozitive Inteligente de Putere de înaltă complexitate și dispozitive de putere). • In final Demonstratorii vor proba rezultatele în domeniul Energiei și Mobilității Inteligente Linia pilot se va baza pe trei piloni principali: i) Inovarea tehnologică continuă a dispozitivelor de putere SiC cu ajutorul cărora este satisfăcută cererea din ce în ce mai mare a aplicațiilor de pe piață; ii) Politica industrială axată pe reducerea și optimizarea costurilor de producție de înaltă calitate și în masă a SiC; iii) Pregătirea pentru viitoarele upgrade-uri ale plachetelor de 8” privind tehnologiile disruptive "More than Moore" (de ex. fabricarea avansată de SiC, acum la 150 mm). Caracteristicile țintă ale primei Linii Pilot SiC de 8”: Linia Pilot SiC de 200 mm va fi amplasată în fabrica de plachete ST din Catania (Italia) și va împărți facilitățile cu cea utilizată în prezent. Vor exista activități foarte dificile în ceea ce privește asamblarea și adaptarea problemelor datorită faptului că noile c (Romanian)
0 references
The general objective of this project, accepted for funding within ECSEL Joint Undertaking, is the realisation of the first 200 mm World Siliciu Carbide Carbide (SiC) Pilot Line Facility dedicated to Power Technology. This will enable European industry to become a global benchmark capable of delivering innovative and competitive solutions to critical societal challenges such as energy saving and CO2 reduction (COP21 agreement), as well as environmental sustainability through electric mobility, power conversion efficiency and Intelligent Production. This project is committed to addressing the following objectives: Develop and demonstrate the operation of the world’s first advanced 200 mm SiC production plant by addressing multiple/cross-reverse capabilities. This cross-cutting capability project exploits the presence of all actors along its value chain and creates the appropriate critical mass to promote vital innovation that will contribute to the overall objectives of ECSEL. The 8" SiC Pilot Line Strategy will allow: • development of 8“SiC substrate • development of 8” SiC equipment • development of diodes, planar MOSFETs and Power Rigs (Trench Power) from 6“devices and Processes to the 8” • development of advanced and special equipment for 8 SiC processing, taking advantage of the already existing equipment from the Silicium production line at the 200 mm wafer size. • the application of such SiC technologies will be a development factor for global energy efficiency and CO2 reduction, in line with the Global Action Plan COP21. • The results of the 8" Pilot Line will be extremely important in the future to determine the strategic decisions regarding the establishment of a large-scale production line for SiC power devices (e.g. intelligent high-complexity power devices and power devices). • The demonstrators will finally test the results in the field of Intelligent Energy and Mobility The pilot line will be based on three main pillars: I) Continuous technological innovation of SiC power devices that meet the growing demand of market applications; II) Industrial policy focused on reducing and optimising the cost of high quality and mass production of SiC; III) Preparing for future upgrades of 8" wafers on disruptive technologies "More than Moore" (e.g. advanced SiC manufacturing, now 150 mm). Target characteristics of the first 8 SiC Pilot Line: The 200 mm SiC Pilot Line will be located in the ST wafer factory in Catania (Italy) and will share the facilities with the one currently in use. There will be very difficult activities in terms of assembling and adapting problems due to the fact that the new c (English)
16 September 2021
0.6802709754849783
0 references
L’objectif général de ce projet, accepté pour un financement au sein de l’entreprise commune ECSEL, est la réalisation de la première installation de ligne pilote de siliciu Carbide Carbure (SiC) de 200 mm consacrée à la technologie de l’énergie. Cela permettra à l’industrie européenne de devenir une référence mondiale capable de fournir des solutions innovantes et compétitives aux défis sociétaux critiques tels que les économies d’énergie et la réduction des émissions de CO2 (accord COP21), ainsi que la durabilité environnementale grâce à la mobilité électrique, à l’efficacité de la conversion d’énergie et à la production intelligente. Ce projet s’engage à atteindre les objectifs suivants: Développer et démontrer le fonctionnement de la première usine de production de 200 mm SiC avancée au monde en abordant les capacités multiples/cross-reverse. Ce projet de capacité transversale exploite la présence de tous les acteurs tout au long de sa chaîne de valeur et crée la masse critique appropriée pour promouvoir l’innovation vitale qui contribuera à la réalisation des objectifs généraux d’ECSEL. La stratégie de ligne pilote de 8 po de SiC permettra: • développement de substrat 8«SiC • développement d’équipements 8» SiC • développement de diodes, MOSFETs planaires et Power Rigs (Trench Power) de 6«devices et Processes au 8» • développement d’équipements avancés et spéciaux pour le traitement 8 SiC, en profitant de l’équipement déjà existant de la ligne de production Silicium à la taille de 200 mm. • l’application de ces technologies SiC sera un facteur de développement pour l’efficacité énergétique mondiale et la réduction des émissions de CO2, conformément au plan d’action mondial COP21. • Les résultats de la ligne pilote de 8 pouces seront extrêmement importants à l’avenir pour déterminer les décisions stratégiques concernant la mise en place d’une ligne de production à grande échelle pour les appareils électriques SiC (par exemple, les appareils électriques intelligents à haute complexité et les appareils électriques). • Les démonstrateurs testeront enfin les résultats dans le domaine de l’énergie intelligente et de la mobilité La ligne pilote sera basée sur trois piliers principaux: I) L’innovation technologique continue des dispositifs électriques SiC qui répondent à la demande croissante des applications du marché; II) Politique industrielle axée sur la réduction et l’optimisation des coûts de haute qualité et de production en série de SiC; III) Préparation à des mises à niveau futures de wafers de 8" sur des technologies perturbatrices "Plus que Moore" (par exemple, fabrication de SiC avancée, maintenant 150 mm). Caractéristiques cibles de la première ligne pilote 8 SiC: La ligne pilote de 200 mm SiC sera située dans l’usine ST de wafers à Catane (Italie) et partagera les installations avec celle actuellement utilisée. Il y aura des activités très difficiles en termes d’assemblage et d’adaptation des problèmes du fait que le nouveau (French)
27 November 2021
0 references
Das allgemeine Ziel dieses Projekts, das im Rahmen des Gemeinsamen Unternehmens ECSEL gefördert werden soll, ist die Realisierung der ersten 200 mm-Pilotlinie für Siliciu Carbide Carbide (SiC) für Power Technology. Dies wird es der europäischen Industrie ermöglichen, zu einem globalen Maßstab zu werden, der in der Lage ist, innovative und wettbewerbsfähige Lösungen für kritische gesellschaftliche Herausforderungen wie Energieeinsparung und CO2-Reduktion (COP21-Vereinbarung) sowie ökologische Nachhaltigkeit durch Elektromobilität, Energieumwandlungseffizienz und intelligente Produktion zu liefern. Dieses Projekt setzt sich für folgende Ziele ein: Entwickeln und demonstrieren Sie den Betrieb der weltweit ersten fortschrittlichen 200 mm SiC-Produktionsanlage, indem Sie Multiple/cross-Reverse-Funktionen ansprechen. Dieses bereichsübergreifende Kapazitätsprojekt nutzt die Präsenz aller Akteure entlang seiner Wertschöpfungskette und schafft die geeignete kritische Masse, um lebenswichtige Innovationen zu fördern, die zu den allgemeinen Zielen von ECSEL beitragen. Die 8" SiC Pilot Line Strategie ermöglicht: • Entwicklung von 8„SiC Substrat • Entwicklung von 8“ SiC-Geräten • Entwicklung von Dioden, planaren MOSFETs und Power Rigs (Trench Power) von 6„Geräten und Prozessen bis zu 8“ • Entwicklung von fortschrittlichen und speziellen Geräten für die 8 SiC-Verarbeitung unter Nutzung der bereits vorhandenen Geräte aus der Silicium-Produktionslinie in der 200 mm Wafergröße. • die Anwendung solcher SiC-Technologien wird im Einklang mit dem Globalen Aktionsplan COP21 ein Entwicklungsfaktor für die globale Energieeffizienz und die CO2-Reduktion sein. • Die Ergebnisse der 8" Pilotlinie werden in Zukunft äußerst wichtig sein, um die strategischen Entscheidungen bezüglich der Errichtung einer großen Produktionslinie für SiC-Leistungsgeräte (z. B. intelligente hochkomplexe Leistungsgeräte und Leistungsgeräte) zu bestimmen. • Die Demonstranten werden schließlich die Ergebnisse im Bereich Intelligente Energie und Mobilität testen. Die Pilotlinie wird sich auf drei Säulen stützen: I) kontinuierliche technologische Innovation von SiC-Leistungsgeräten, die der wachsenden Nachfrage nach Marktanwendungen gerecht werden; II) Die Industriepolitik konzentrierte sich auf die Senkung und Optimierung der Kosten für hohe Qualität und Massenproduktion von SiC; III) Vorbereitung auf zukünftige Upgrades von 8" Wafern auf disruptive Technologien "Mehr als Moore" (z. B. fortschrittliche SiC-Produktion, jetzt 150 mm). Zielmerkmale der ersten 8 SiC Pilotlinie: Die 200 mm SiC Pilot Line befindet sich im ST-Wafer-Werk in Catania (Italien) und teilt die Anlagen mit der derzeit genutzten Anlage. Es wird sehr schwierige Aktivitäten in Bezug auf die Montage und Anpassung von Problemen geben, da die neue (German)
1 December 2021
0 references
De algemene doelstelling van dit project, dat is aanvaard voor financiering binnen de gemeenschappelijke onderneming ECSEL, is de realisatie van de eerste 200 mm World siliciu Carbide Carbide (SiC) Pilot Line Facility voor energietechnologie. Dit zal de Europese industrie in staat stellen een mondiale benchmark te worden die innovatieve en concurrerende oplossingen kan bieden voor cruciale maatschappelijke uitdagingen, zoals energiebesparing en CO2-reductie (COP21-overeenkomst), alsook milieuduurzaamheid door middel van elektrische mobiliteit, energieomzettingsefficiëntie en intelligente productie. Dit project heeft tot doel de volgende doelstellingen te verwezenlijken: Ontwikkelen en demonstreren van de werking van ’s werelds eerste geavanceerde 200 mm SiC productie-installatie door het aanpakken van meerdere/cross-reverse mogelijkheden. Dit horizontale capaciteitsproject maakt gebruik van de aanwezigheid van alle actoren in de waardeketen en creëert de juiste kritische massa om essentiële innovatie te bevorderen die zal bijdragen tot de algemene doelstellingen van ECSEL. De 8" SiC-proeflijnstrategie zal het mogelijk maken: • ontwikkeling van 8„SiC substraat • ontwikkeling van 8” SiC apparatuur • ontwikkeling van diodes, planaire MOSFET’s en Power Rigs (Trench Power) van 6„apparaten en Processen tot de 8” • ontwikkeling van geavanceerde en speciale apparatuur voor 8 SiC verwerking, waarbij gebruik wordt gemaakt van de reeds bestaande apparatuur van de Silicium productielijn op de 200 mm wafer-grootte. • de toepassing van dergelijke SiC-technologieën zal een ontwikkelingsfactor zijn voor wereldwijde energie-efficiëntie en CO2-reductie, in overeenstemming met het mondiale actieplan COP21. • De resultaten van de 8" Pilot Line zullen in de toekomst uiterst belangrijk zijn voor het bepalen van de strategische beslissingen met betrekking tot de totstandbrenging van een grootschalige productielijn voor SiC-elektriciteitsapparatuur (bv. intelligente hoogcomplexiteitselektrische apparaten en elektrische apparaten). • De demonstranten zullen eindelijk de resultaten op het gebied van intelligente energie en mobiliteit testen. De proeflijn zal gebaseerd zijn op drie hoofdpijlers: I) Continue technologische innovatie van SiC-elektriciteitsapparaten die voldoen aan de groeiende vraag naar markttoepassingen; II) Industrieel beleid gericht op het verminderen en optimaliseren van de kosten van hoge kwaliteit en massaproductie van SiC; III) Voorbereiding van toekomstige upgrades van 8" wafers op disruptieve technologieën "Meer dan Moore" (bv. geavanceerde SiC-productie, nu 150 mm). Doelkenmerken van de eerste 8 SiC Pilot Line: De 200 mm SiC Pilot Line zal worden gevestigd in de ST wafer fabriek in Catania (Italië) en zal de faciliteiten delen met de op dit moment in gebruik zijnde installaties. Er zullen zeer moeilijke activiteiten plaatsvinden op het gebied van de assemblage en aanpassing van de problemen als gevolg van het feit dat de nieuwe (Dutch)
6 December 2021
0 references
L'obiettivo generale di questo progetto, accettato per il finanziamento nell'ambito dell'impresa comune ECSEL, è la realizzazione del primo impianto pilota per linee pilota di carburo di carburo siliciu carburo (SiC) da 200 mm dedicato alla tecnologia energetica. Ciò consentirà all'industria europea di diventare un parametro di riferimento globale in grado di fornire soluzioni innovative e competitive alle sfide fondamentali della società, quali il risparmio energetico e la riduzione delle emissioni di CO2 (accordo COP21), nonché la sostenibilità ambientale attraverso la mobilità elettrica, l'efficienza di conversione dell'energia e la produzione intelligente. Il presente progetto si impegna a conseguire i seguenti obiettivi: Sviluppare e dimostrare il funzionamento del primo impianto di produzione SiC avanzato di 200 mm al mondo affrontando capacità multiple/cross-reverse. Questo progetto di capacità trasversale sfrutta la presenza di tutti gli attori lungo la sua catena del valore e crea la massa critica appropriata per promuovere l'innovazione vitale che contribuirà agli obiettivi generali di ECSEL. La strategia per la linea pilota del SiC da 8" consentirà: • sviluppo del substrato 8"SiC • sviluppo di apparecchiature 8" SiC • sviluppo di diodi, MOSFET planari e Power Rigs (Trench Power) da 6"dispositivi e processi a 8" • sviluppo di attrezzature avanzate e speciali per la lavorazione 8 SiC, sfruttando le attrezzature già esistenti dalla linea di produzione Silicium alle dimensioni di 200 mm. • l'applicazione di tali tecnologie SiC costituirà un fattore di sviluppo per l'efficienza energetica globale e la riduzione delle emissioni di CO2, in linea con il piano d'azione globale COP21. • I risultati della linea pilota 8" saranno estremamente importanti in futuro per determinare le decisioni strategiche relative alla creazione di una linea di produzione su larga scala per dispositivi di alimentazione SiC (ad esempio dispositivi elettrici intelligenti ad alta complessità e dispositivi di alimentazione). • I manifestanti testeranno infine i risultati nel campo dell'energia intelligente e della mobilità La linea pilota si baserà su tre pilastri principali: I) Continua innovazione tecnologica dei dispositivi di alimentazione SiC che soddisfano la crescente domanda di applicazioni di mercato; II) la politica industriale si è concentrata sulla riduzione e l'ottimizzazione dei costi di produzione di alta qualità e di massa del SiC; III) Preparazione per futuri aggiornamenti di wafer da 8" su tecnologie dirompenti "Più di Moore" (ad esempio produzione avanzata di SiC, ora 150 mm). Caratteristiche target della prima linea pilota 8 SiC: La 200 mm SiC Pilot Line sarà ubicata nello stabilimento ST wafer di Catania (Italia) e condividerà gli impianti con quello attualmente in uso. Ci saranno attività molto difficili per quanto riguarda l'assemblaggio e l'adattamento dei problemi dovuti al fatto che la nuova (Italian)
12 January 2022
0 references
El objetivo general de este proyecto, aceptado para su financiación en el marco de la Empresa Común ECSEL, es la realización de la primera instalación de línea piloto de carburo de carburo de carburo de carburo de carburo (SiC) de 200 mm dedicada a la tecnología eléctrica. Esto permitirá que la industria europea se convierta en un referente mundial capaz de ofrecer soluciones innovadoras y competitivas a retos sociales críticos como el ahorro de energía y la reducción de CO2 (acuerdo COP21), así como la sostenibilidad medioambiental a través de la movilidad eléctrica, la eficiencia de la conversión de energía y la producción inteligente. Este proyecto se compromete a abordar los siguientes objetivos: Desarrollar y demostrar el funcionamiento de la primera planta de producción avanzada de SiC de 200 mm del mundo abordando capacidades múltiples/transversas. Este proyecto de capacidad transversal aprovecha la presencia de todos los agentes a lo largo de su cadena de valor y crea la masa crítica adecuada para promover una innovación vital que contribuya a los objetivos generales de ECSEL. La estrategia de línea piloto SiC de 8 pulgadas permitirá: • desarrollo de sustrato de 8"SiC • desarrollo de equipos SiC de 8" • desarrollo de diodos, MOSFETs planas y Power Rigs (Trench Power) desde dispositivos y procesos de 6" hasta el desarrollo de equipos avanzados y especiales para el procesamiento de 8 SiC, aprovechando los equipos ya existentes de la línea de producción de Silicium a 200 mm. • la aplicación de estas tecnologías será un factor de desarrollo para la eficiencia energética mundial y la reducción de CO2, en consonancia con el Plan de Acción Mundial COP21. • Los resultados de la línea piloto de 8" serán extremadamente importantes en el futuro para determinar las decisiones estratégicas relativas al establecimiento de una línea de producción a gran escala para dispositivos de potencia SiC (por ejemplo, dispositivos inteligentes de alta complejidad y dispositivos de potencia). • Los manifestantes probarán finalmente los resultados en el campo de la Energía Inteligente y la Movilidad La línea piloto se basará en tres pilares principales: I) Innovación tecnológica continua de dispositivos de potencia SiC que satisfagan la creciente demanda de aplicaciones del mercado; II) Política industrial centrada en la reducción y optimización del costo de la producción en masa y de alta calidad de la CE; III) Preparación para futuras actualizaciones de obleas de 8" en tecnologías disruptivas "Más que Moore" (por ejemplo, fabricación avanzada de SiC, ahora 150 mm). Características objetivo de la primera línea piloto de 8 SiC: La Línea Piloto SiC de 200 mm se ubicará en la fábrica de obleas ST de Catania (Italia) y compartirá las instalaciones con la actualmente en uso. Habrá actividades muy difíciles en términos de montaje y adaptación de los problemas debido al hecho de que la nueva (Spanish)
13 January 2022
0 references
Selle ühisettevõtte ECSEL raames rahastamiseks heaks kiidetud projekti üldeesmärk on esimese 200 mm suuruse ülemaailmse siliciu karbiidikarbiidi (SiC) elektritehnoloogiale pühendatud katseliini rajatise realiseerimine. See võimaldab Euroopa tööstusel saada ülemaailmseks võrdlusaluseks, mis suudab pakkuda uuenduslikke ja konkurentsivõimelisi lahendusi sellistele kriitilistele ühiskondlikele probleemidele nagu energia säästmine ja CO2-heite vähendamine (COP21 kokkulepe), samuti keskkonnasäästlikkus elektrilise liikuvuse, energia muundamise tõhususe ja aruka tootmise kaudu. Projekti eesmärk on saavutada järgmised eesmärgid: Arendada ja näidata maailma esimese arenenud 200 mm ränikarbiidi tootmise tehase toimimist, käsitledes mitmeid/ristpöördvõimeid. Selle valdkonnaülese suutlikkuse projekti puhul kasutatakse ära kõigi osalejate esindatust selle väärtusahelas ja luuakse asjakohane kriitiline mass, et edendada elutähtsat innovatsiooni, mis aitab kaasa ECSELi üldeesmärkide saavutamisele. SiC katseliini kaheksas strateegia võimaldab: • 8"SiC substraadi" arendamine • 8"SiC-seadmete väljatöötamine • dioodide, tasapinnaliste MOSFETide ja Power Rigs’ide (Trench Power) arendamine alates 6 "seadmetest ja protsessidest 8" • täiustatud ja spetsiaalsete seadmete väljatöötamine 8 ränikarbiidi töötlemiseks, kasutades ära juba olemasolevaid silitsiumi tootmisliini seadmeid vahvli suurusega 200 mm. • selliste ränikarbonaatide kasutamine on ülemaailmse energiatõhususe ja CO2-heite vähendamise arengutegur kooskõlas ÜRO kliimamuutuste raamkonventsiooni osaliste 21. konverentsi ülemaailmse tegevuskavaga. • 8. katseliini tulemused on tulevikus äärmiselt olulised, et määrata kindlaks strateegilised otsused ränidioksiidi elektriseadmete (nt intelligentsed suure keerukusega elektriseadmed ja elektriseadmed) suuremahulise tootmisliini rajamise kohta. • Demonstrandid katsetavad lõpuks tulemusi aruka energeetika ja liikuvuse valdkonnas. Katseliin põhineb kolmel peamisel sambal: I) SiC-elektriseadmete pidev tehnoloogiline innovatsioon, mis vastab tururakenduste kasvavale nõudlusele; II) tööstuspoliitika, mis keskendub ränikarbiidi kõrge kvaliteedi ja masstootmise kulude vähendamisele ja optimeerimisele; III) Valmistumine 8" plaatide tulevaseks ajakohastamiseks murranguliste tehnoloogiate "rohkem kui Moore" puhul (nt täiustatud ränikarbiidi tootmine, nüüd 150 mm). SiC 8 esimese katseliini sihtnäitajad: 200 mm SiC Pilot Line asub ST vahvli tehases Catania (Itaalia) ja jagab rajatisi praegu kasutusel olevaga. Probleemide kokkupanemisel ja kohandamisel on väga rasked tegevused, sest uus (Estonian)
3 August 2022
0 references
Bendrasis šio projekto, kuriam buvo pritarta bendrosios įmonės ECSEL finansavimui, tikslas – įgyvendinti pirmąjį 200 mm pasaulio silicio karbido karbido (SiC) bandomąją liniją, skirtą elektros energijos technologijoms. Tai sudarys sąlygas Europos pramonei tapti pasauliniu lyginamuoju standartu, galinčiu padėti rasti novatoriškus ir konkurencingus svarbiausių visuomenės uždavinių, pavyzdžiui, energijos taupymo ir CO2 mažinimo (COP 21 susitarimas), sprendimus, taip pat užtikrinti aplinkos tvarumą pasitelkiant elektromobilumą, energijos konversijos efektyvumą ir pažangiąją gamybą. Šiuo projektu siekiama šių tikslų: Sukurkite ir demonstruokite pirmosios pasaulyje pažangios 200 mm SiC gamyklos veikimą, spręsdami daugialypius/kryžminius atvirkštinius pajėgumus. Šiuo kompleksiniu pajėgumų projektu išnaudojamas visų jos vertės grandinės dalyvių dalyvavimas ir sukuriama tinkama kritinė masė gyvybiškai svarbioms inovacijoms, kurios padės siekti bendrų ECSEL tikslų, skatinti. 8" SiC bandomųjų linijų strategija leis: • 8„SiC substrato kūrimas • 8“ SiC įrangos kūrimas • diodų, plokščių MOSFET ir Power Rigs (Trench Power) kūrimas nuo 6 „įrenginių ir procesų iki 8“ • pažangios ir specialios įrangos, skirtos 8 SiC apdorojimui, kūrimas, pasinaudojant jau esama įranga iš Silicium gamybos linijos 200 mm plokštelių dydžio. • tokių SiC technologijų taikymas bus pasaulinio energijos vartojimo efektyvumo ir CO2 mažinimo vystymosi veiksnys, kaip numatyta 21-ajame Visuotiniame veiksmų plane. • 8 "bandomosios linijos rezultatai ateityje bus labai svarbūs nustatant strateginius sprendimus dėl didelės apimties SiC maitinimo įrenginių (pvz., pažangiųjų didelio sudėtingumo elektros įrenginių ir maitinimo įrenginių) gamybos linijos sukūrimo. • Demonstrantai galiausiai išbandys rezultatus pažangios energetikos ir judumo srityje. Bandomoji linija bus grindžiama trimis pagrindiniais ramsčiais: I) nuolat diegiamos SiC galios įrenginių, atitinkančių didėjančią paklausą rinkoje, technologijos; II) pramonės politika, kuria siekiama mažinti ir optimizuoti aukštos kokybės ir masinės SiC gamybos sąnaudas; III) Pasirengimas būsimam 8" revoliucinių technologijų "Daugiau nei Moore" (pvz., pažangios SiC gamybos, dabar 150 mm) plokštelių atnaujinimui. Pirmosios 8 SiC piloto linijos tikslinės charakteristikos: 200 mm SiC bandomoji linija bus įrengta ST plokštelių gamykloje Katanijoje (Italija) ir ja bus dalijamasi su šiuo metu naudojama įranga. Bus labai sudėtinga veikla, susijusi su surinkimu ir pritaikymu, nes naujasis (Lithuanian)
3 August 2022
0 references
Opći je cilj ovog projekta, koji je prihvaćen za financiranje u okviru zajedničkog poduzeća ECSEL, realizacija prvog 200 mm svjetskog pilot-instrumenta siliciu Carbide Carbide (SiC) posvećenog energetskoj tehnologiji. Time će se europskoj industriji omogućiti da postane globalno mjerilo koje može pružiti inovativna i konkurentna rješenja za ključne društvene izazove kao što su ušteda energije i smanjenje CO2 (sporazum COP21), kao i ekološka održivost putem električne mobilnosti, učinkovitosti pretvorbe električne energije i inteligentne proizvodnje. Ovim se projektom nastoje ostvariti sljedeći ciljevi: Razviti i demonstrirati rad prvog svjetskog naprednog 200 mm SiC proizvodnog pogona rješavanjem višestrukih/preokrenutih sposobnosti. Ovim međusektorskim projektom u području sposobnosti iskorištava se prisutnost svih aktera duž njegova vrijednosnog lanca i stvara se odgovarajuća kritična masa za promicanje ključnih inovacija koje će doprinijeti općim ciljevima ECSEL-a. 8" pilot-projektom SiC-a omogućit će se: • razvoj 8„SiC supstrata • razvoj 8” SiC opreme • razvoj dioda, planskih MOSFET-a i Power Rigs (Trench Power) od 6 „uređaja i procesa do 8” • razvoj napredne i posebne opreme za 8 SiC obradu, iskorištavajući već postojeću opremu iz proizvodne linije Silicium na 200 mm veličine pločice. • primjena takvih tehnologija SiC-a bit će čimbenik razvoja globalne energetske učinkovitosti i smanjenja emisija CO2, u skladu s Globalnim akcijskim planom COP21. • Rezultati 8" pilot-linije bit će iznimno važni u budućnosti kako bi se odredile strateške odluke o uspostavi velike proizvodne linije za SiC energetske uređaje (npr. inteligentne uređaje za napajanje visoke složenosti i uređaje za napajanje). • Demonstratori će konačno testirati rezultate u području inteligentne energije i mobilnosti. Pilot-linija temeljit će se na tri glavna stupa: I) Kontinuirana tehnološka inovacija SiC energetskih uređaja koji zadovoljavaju rastuću potražnju tržišnih aplikacija; Ii. industrijska politika usmjerena na smanjenje i optimizaciju troškova visoke kvalitete i masovne proizvodnje SiC-a; III) Priprema za buduće nadogradnje 8" pločica na disruptivnim tehnologijama "Više od Moore" (npr. napredna proizvodnja SiC-a, sada 150 mm). Ciljna obilježja prve 8 pilot-linije SiC-a: 200 mm SiC Pilot linija bit će smještena u tvornici ST pločica u Cataniji (Italija) i podijelit će objekte s onom koja se trenutačno koristi. Bit će vrlo teških aktivnosti u smislu sastavljanja i prilagodbe problema zbog činjenice da je novi c (Croatian)
3 August 2022
0 references
Ο γενικός στόχος αυτού του έργου, το οποίο έγινε δεκτό για χρηματοδότηση στο πλαίσιο της κοινής επιχείρησης ECSEL, είναι η υλοποίηση της πρώτης πιλοτικής εγκατάστασης γραμμής 200 mm World siliciu Carbide Carbide (SiC) που προορίζεται για την τεχνολογία ηλεκτρικής ενέργειας. Αυτό θα επιτρέψει στην ευρωπαϊκή βιομηχανία να καταστεί παγκόσμιος δείκτης αναφοράς ικανός να προσφέρει καινοτόμες και ανταγωνιστικές λύσεις σε κρίσιμες κοινωνικές προκλήσεις, όπως η εξοικονόμηση ενέργειας και η μείωση του CO2 (συμφωνία COP21), καθώς και η περιβαλλοντική βιωσιμότητα μέσω της ηλεκτρικής κινητικότητας, της απόδοσης μετατροπής ισχύος και της έξυπνης παραγωγής. Το έργο αυτό έχει δεσμευτεί για την επίτευξη των ακόλουθων στόχων: Ανάπτυξη και επίδειξη της λειτουργίας της πρώτης προηγμένης μονάδας παραγωγής SiC 200 mm στον κόσμο με την αντιμετώπιση πολλαπλών/διασταυρούμενων δυνατοτήτων. Αυτό το εγκάρσιο έργο ικανοτήτων αξιοποιεί την παρουσία όλων των παραγόντων σε ολόκληρη την αλυσίδα αξίας του και δημιουργεί την κατάλληλη κρίσιμη μάζα για την προώθηση ζωτικής σημασίας καινοτομίας που θα συμβάλει στην επίτευξη των γενικών στόχων της ECSEL. Η στρατηγική της πιλοτικής γραμμής SIC 8" θα επιτρέψει: • ανάπτυξη υποστρώματος 8«SiC • ανάπτυξη εξοπλισμού 8» SiC • ανάπτυξη διόδων, επίπεδων MOSFETs και Power Rigs (Trench Power) από 6 «συσκευές και διεργασίες έως 8» • ανάπτυξη προηγμένου και ειδικού εξοπλισμού για την επεξεργασία 8 SiC, αξιοποιώντας τον ήδη υφιστάμενο εξοπλισμό της γραμμής παραγωγής Silicium σε μέγεθος πλακιδίων 200 mm. • η εφαρμογή αυτών των τεχνολογιών SiC θα αποτελέσει παράγοντα ανάπτυξης για την παγκόσμια ενεργειακή απόδοση και τη μείωση του CO2, σύμφωνα με το παγκόσμιο σχέδιο δράσης COP21. • Τα αποτελέσματα της πιλοτικής γραμμής 8" θα είναι εξαιρετικά σημαντικά στο μέλλον για τον καθορισμό των στρατηγικών αποφάσεων σχετικά με τη δημιουργία μιας μεγάλης κλίμακας γραμμής παραγωγής για συσκευές ισχύος SiC (π.χ. ευφυείς συσκευές ισχύος υψηλής πολυπλοκότητας και συσκευές ισχύος). • Οι διαδηλωτές θα δοκιμάσουν τελικά τα αποτελέσματα στον τομέα της Ευφυούς Ενέργειας και της Κινητικότητας. Η πιλοτική γραμμή θα βασίζεται σε τρεις βασικούς πυλώνες: I) Συνεχής τεχνολογική καινοτομία των συσκευών ισχύος SiC που ανταποκρίνονται στην αυξανόμενη ζήτηση εφαρμογών της αγοράς. II) Βιομηχανική πολιτική εστιασμένη στη μείωση και τη βελτιστοποίηση του κόστους της υψηλής ποιότητας και μαζικής παραγωγής SiC· III) Προετοιμασία για μελλοντικές αναβαθμίσεις 8" πλακιδίων σε ανατρεπτικές τεχνολογίες "Περισσότερο από το Moore" (π.χ. προηγμένη παραγωγή SiC, τώρα 150 mm). Χαρακτηριστικά-στόχοι της πρώτης πιλοτικής γραμμής 8 SiC: Η πιλοτική γραμμή 200 mm SiC θα βρίσκεται στο εργοστάσιο πλακιδίων ST στην Κατάνια (Ιταλία) και θα μοιράζεται τις εγκαταστάσεις με αυτήν που χρησιμοποιείται επί του παρόντος. Θα υπάρξουν πολύ δύσκολες δραστηριότητες όσον αφορά τη συγκέντρωση και την προσαρμογή των προβλημάτων λόγω του γεγονότος ότι η νέα (Greek)
3 August 2022
0 references
Všeobecným cieľom tohto projektu, ktorý bol schválený na financovanie v rámci spoločného podniku ECSEL, je realizácia prvého 200 mm svetového pilotného zariadenia karbidu oxidu kremičitého (SiC) určeného na energetické technológie. To umožní európskemu priemyslu stať sa globálnym referenčným kritériom schopným prinášať inovatívne a konkurencieschopné riešenia kritických spoločenských výziev, ako je úspora energie a znižovanie emisií CO2 (dohoda COP21), ako aj udržateľnosť životného prostredia prostredníctvom elektrickej mobility, účinnosti konverzie energie a inteligentnej výroby. Tento projekt je odhodlaný riešiť tieto ciele: Rozvíjať a demonštrovať prevádzku prvého pokročilého 200 mm výrobného závodu SiC na svete riešením viacnásobných/krížových opačných schopností. Tento prierezový projekt spôsobilostí využíva prítomnosť všetkých aktérov v celom jeho hodnotovom reťazci a vytvára vhodné kritické množstvo na podporu životne dôležitých inovácií, ktoré prispejú k celkovým cieľom programu ECSEL. Stratégia pilotnej línie 8" SiC umožní: • vývoj 8„SiC substrátu • vývoj 8“ SiC zariadení • vývoj diód, rovinné MOSFETs a Power Rigs (Trench Power) od 6„zariadení a procesov do 8“ • vývoj moderných a špeciálnych zariadení pre 8 SiC spracovanie, s využitím už existujúcich zariadení z výrobnej linky silikónu s veľkosťou 200 mm. • uplatňovanie takýchto technológií SiC bude faktorom rozvoja globálnej energetickej účinnosti a znižovania emisií CO2 v súlade s globálnym akčným plánom COP21. • Výsledky 8-palcovej pilotnej linky budú v budúcnosti mimoriadne dôležité pri rozhodovaní o strategických rozhodnutiach týkajúcich sa zriadenia rozsiahlej výrobnej linky pre elektrické zariadenia SiC (napr. inteligentné vysokokomplexné napájacie zariadenia a energetické zariadenia). • Demonštranti nakoniec otestujú výsledky v oblasti inteligentnej energie a mobility. Pilotná línia bude založená na troch hlavných pilieroch: I) nepretržitá technologická inovácia energetických zariadení SiC, ktoré uspokojujú rastúci dopyt po trhových aplikáciách; II) Priemyselná politika zameraná na zníženie a optimalizáciu nákladov na vysokokvalitnú a hromadnú výrobu SiC; III) Príprava na budúcu modernizáciu 8" doštičiek na prevratné technológie "viac ako Moore" (napr. pokročilá výroba SiC, teraz 150 mm). Cieľové charakteristiky prvej 8 pilotnej linky SiC: Pilotná linka SiC 200 mm sa bude nachádzať v továrni na výrobu doštičiek ST v Catanii (Taliansko) a bude zdieľať zariadenia s tými, ktoré sa v súčasnosti používajú. Budú veľmi náročné činnosti, pokiaľ ide o zhromažďovanie a prispôsobenie problémov vzhľadom na skutočnosť, že nové (Slovak)
3 August 2022
0 references
Tämän ECSEL-yhteisyrityksen rahoittaman hankkeen yleisenä tavoitteena on toteuttaa ensimmäinen 200 mm:n maailman siliciu Carbide Carbide (SiC) -pilottilinja, joka on omistettu Power Technologylle. Näin eurooppalaisesta teollisuudesta voi tulla maailmanlaajuinen vertailukohta, joka kykenee tarjoamaan innovatiivisia ja kilpailukykyisiä ratkaisuja kriittisiin yhteiskunnallisiin haasteisiin, kuten energiansäästöön ja hiilidioksidipäästöjen vähentämiseen (COP 21 -sopimus), sekä ympäristön kestävyyteen sähköisen liikkuvuuden, tehon muuntamisen tehokkuuden ja älykkään tuotannon avulla. Hankkeella pyritään seuraaviin tavoitteisiin: Kehittää ja demonstroida maailman ensimmäisen kehittyneen 200 mm:n SiC-tuotantolaitoksen toimintaa tarkastelemalla useita/monisuuntaisia ominaisuuksia. Tässä monialaisessa voimavarahankkeessa hyödynnetään kaikkien toimijoiden läsnäoloa sen arvoketjussa ja luodaan asianmukainen kriittinen massa elintärkeiden innovaatioiden edistämiseksi, mikä edistää ECSELin yleisiä tavoitteita. SiC-pilottilinjan kahdeksan tuuman strategian avulla voidaan • 8”SiC-substraatin kehittäminen • 8” SiC-laitteiden kehittäminen • diodien, tasomaisten MOSFET- ja Power Rigs (Trench Power) kehittäminen 6 ”laitteista ja prosesseista 8” • kehittyneiden ja erikoislaitteiden kehittäminen 8 SiC-käsittelyyn hyödyntäen jo olemassa olevia silikonituotantolinjan laitteita 200 mm kiekkojen kokoon. • tällaisten piikarbiditeknologioiden soveltaminen on kehitystekijä maailmanlaajuisen energiatehokkuuden ja hiilidioksidipäästöjen vähentämisen kannalta COP21-kokouksen maailmanlaajuisen toimintasuunnitelman mukaisesti. • 8-tuumaisen pilottilinjan tulokset ovat tulevaisuudessa erittäin tärkeitä määriteltäessä strategisia päätöksiä, jotka koskevat suuren mittakaavan tuotantolinjan perustamista piiC-virtalaitteille (esim. älykkäät suurteholaitteet ja teholaitteet). • Demonstraatiot testaavat lopulta tuloksia älykkään energian ja liikkuvuuden alalla. Pilottilinja perustuu kolmeen pääpilariin: I) jatkuva teknologinen innovointi piiC-sähkölaitteissa, jotka vastaavat markkinasovellusten kasvavaan kysyntään; II) Teollisuuspolitiikassa keskityttiin piikarbidin korkealaatuisen tuotannon ja massatuotannon kustannusten vähentämiseen ja optimointiin; III) Valmistautuminen 8 tuuman kiekkojen tuleviin parannuksiin murroksellisiin teknologioihin ”Moore” (esim. kehittynyt piidioksidin valmistus, nyt 150 mm). Ensimmäisen kahdeksan SiC-pilottilinjan kohdeominaisuudet: 200 mm:n SiC Pilot Line sijaitsee ST-kiekkotehtaassa Cataniassa (Italia) ja jakaa tilat käytössä olevan laitteen kanssa. On erittäin vaikeaa toimia, jotka liittyvät ongelmien kokoamiseen ja mukauttamiseen, mikä johtuu siitä, että uusi c (Finnish)
3 August 2022
0 references
Ogólnym celem tego projektu, który został przyjęty do finansowania w ramach wspólnego przedsięwzięcia ECSEL, jest realizacja pierwszego pilotażowego instrumentu pilotażowego z węglika krzemu (SiC) World Siliciu Carbide (SiC) przeznaczonego na technologię energetyczną. Pozwoli to przemysłowi europejskiemu stać się globalnym punktem odniesienia zdolnym do dostarczania innowacyjnych i konkurencyjnych rozwiązań dla krytycznych wyzwań społecznych, takich jak oszczędność energii i redukcja emisji CO2 (porozumienie COP21), a także zrównoważenia środowiskowego poprzez mobilność elektryczną, efektywność konwersji energii i inteligentną produkcję. Projekt ten ma na celu osiągnięcie następujących celów: Opracuj i zademonstruj działanie pierwszego na świecie zaawansowanego zakładu produkcyjnego SiC 200 mm poprzez zajęcie się wieloma/przekrojowymi możliwościami. Ten przekrojowy projekt zdolności wykorzystuje obecność wszystkich podmiotów w całym łańcuchu wartości i tworzy odpowiednią masę krytyczną w celu promowania kluczowych innowacji, które przyczynią się do osiągnięcia ogólnych celów ECSEL. 8" pilotażowa strategia SiC pozwoli na: • opracowanie 8„substratów SiC • opracowanie 8” sprzętu SiC • opracowanie diod, planarnych MOSFET i Power Rigs (Trench Power) z 6„urządzeń i procesów do 8” • opracowanie zaawansowanego i specjalnego sprzętu do obróbki 8 SiC, korzystając z już istniejącego sprzętu z linii produkcyjnej Silicium o wielkości płytki 200 mm. • zastosowanie takich technologii SiC będzie czynnikiem rozwoju globalnej efektywności energetycznej i redukcji emisji CO2, zgodnie z globalnym planem działania COP21. • Wyniki 8" linii pilotażowej będą w przyszłości niezwykle ważne dla określenia strategicznych decyzji dotyczących utworzenia na dużą skalę linii produkcyjnej dla urządzeń zasilających SiC (np. inteligentnych urządzeń energetycznych o dużej złożoności i urządzeń zasilających). • Demonstranci ostatecznie przetestują wyniki w dziedzinie inteligentnej energii i mobilności Linia pilotażowa będzie oparta na trzech głównych filarach: I) Ciągła innowacja technologiczna urządzeń zasilających SiC, które zaspokajają rosnące zapotrzebowanie na zastosowania rynkowe; II) polityka przemysłowa skoncentrowana na zmniejszeniu i optymalizacji kosztów wysokiej jakości i masowej produkcji SiC; III) Przygotowywanie do przyszłych modernizacji 8" płytek na przełomowych technologiach "Więcej niż Moore" (np. zaawansowanej produkcji SiC, obecnie 150 mm). Charakterystyka celu pierwszej 8 linii pilotażowej SiC: Linia pilotażowa SiC 200 mm będzie znajdować się w fabryce płytek ST w Katanii (Włochy) i będzie dzielić się obiektami z obecnie używanymi urządzeniami. Będą bardzo trudne działania w zakresie montażu i adaptacji problemów ze względu na fakt, że nowy c (Polish)
3 August 2022
0 references
E projekt általános célkitűzése, amelyet az ECSEL közös vállalkozáson belül finanszírozásra fogadtak el, az első 200 mm-es World siliciu Carbide Carbide (SiC) kísérleti vonali eszköz megvalósítása, amely az energiatechnológiára irányul. Ez lehetővé teszi az európai ipar számára, hogy globális viszonyítási alapmá váljon, amely képes innovatív és versenyképes megoldásokat nyújtani az olyan kritikus társadalmi kihívásokra, mint az energiatakarékosság és a szén-dioxid-kibocsátás csökkentése (COP21 megállapodás), valamint a környezeti fenntarthatóság az elektromos mobilitás, az energiaátalakítás hatékonysága és az intelligens termelés révén. Ez a projekt elkötelezett a következő célkitűzések megvalósítása mellett: Fejlessze és mutassa be a világ első fejlett 200 mm-es SiC gyártóüzemének működését a többszörös/keresztirányú képességek kezelése révén. Ez a horizontális képességfejlesztési projekt kihasználja az értékláncában részt vevő valamennyi szereplő jelenlétét, és megfelelő kritikus tömeget hoz létre az ECSEL átfogó célkitűzéseihez hozzájáruló létfontosságú innováció előmozdításához. A 8" SiC Pilot Line stratégia lehetővé teszi: • 8„SiC szubsztrát fejlesztése • 8” SiC berendezés fejlesztése • diódák, sík MOSFET-ek és Power Rigs (Trench Power) fejlesztése 6„eszközökből és folyamatokból a 8” • fejlett és speciális berendezések fejlesztése a 8 SiC feldolgozáshoz, kihasználva a már meglévő berendezéseket a Silicium gyártósoron a 200 mm-es szeletméretben. • az ilyen szilícium-dioxid-technológiák alkalmazása fejlesztési tényező lesz a globális energiahatékonyság és a szén-dioxid-kibocsátás csökkentése szempontjából, összhangban a COP21 globális cselekvési tervével. • A 8"-os kísérleti vonal eredményei a jövőben rendkívül fontosak lesznek a SiC-erőművek (pl. intelligens nagykomplexitású erőátviteli eszközök és erőátviteli eszközök) nagyüzemi gyártósorának létrehozására vonatkozó stratégiai döntések meghozatalában. • A tüntetők végre tesztelik az intelligens energia és mobilitás területén elért eredményeket. A kísérleti vonal három fő pillérre épül: I) Folyamatos technológiai innováció a SiC-erőművek, amelyek megfelelnek a növekvő kereslet a piaci alkalmazások; II) Az iparpolitika a szilícium-karbid magas színvonalú és tömegtermelési költségeinek csökkentésére és optimalizálására összpontosít; III) A „Moore-nál nagyobb” diszruptív technológiákon (pl. korszerű szilícium-dioxid-gyártás, jelenleg 150 mm) történő jövőbeli fejlesztésre való felkészülés. Az első 8 SiC Pilot Line céljellemzői: A 200 mm-es SiC Pilot Line a Catania (Olaszország) ST ostyagyárában helyezkedik el, és megosztja a létesítményeket a jelenleg használatban lévővel. Nagyon nehéz tevékenységek lesznek az összeszerelés és az alkalmazkodás terén, mivel az új c (Hungarian)
3 August 2022
0 references
Obecným cílem tohoto projektu, který byl přijat pro financování v rámci společného podniku ECSEL, je realizace prvního 200 mm pilotního zařízení světového karbidu siliciu (SiC) na výrobu elektrické energie. To umožní evropskému průmyslu stát se globálním měřítkem schopným zajistit inovativní a konkurenceschopná řešení kritických společenských výzev, jako je úspora energie a snižování emisí CO2 (dohoda COP21), jakož i environmentální udržitelnost prostřednictvím elektrické mobility, účinnosti přeměny energie a inteligentní výroby. Tento projekt je odhodlán zaměřit se na tyto cíle: Vyvinout a demonstrovat provoz prvního vyspělého 200 mm výrobního závodu SiC na světě tím, že se zaměří na vícenásobné/křížové reverzní schopnosti. Tento průřezový projekt zaměřený na schopnosti využívá přítomnost všech aktérů v celém hodnotovém řetězci a vytváří odpovídající kritické množství na podporu životně důležitých inovací, které přispějí k celkovým cílům ECSEL. Osmipalcová strategie pilotní tratě SiC umožní: • vývoj 8„SiC substrátu • vývoj 8“ SiC zařízení • vývoj diod, planární MOSFETs a Power Rigs (Trench Power) od 6„zařízení a procesy až po 8“ • vývoj pokročilých a speciálních zařízení pro zpracování 8 SiC, s využitím již existující zařízení z výrobní linky na silikonu o velikosti 200 mm. • v souladu s globálním akčním plánem COP21 bude používání těchto technologií SiC faktorem rozvoje celosvětové energetické účinnosti a snižování emisí CO2. • Výsledky 8" Pilot Line budou v budoucnu mimořádně důležité pro stanovení strategických rozhodnutí týkajících se zřízení rozsáhlé výrobní linky pro elektrická zařízení SiC (např. inteligentní výkonová zařízení s vysokou složitostí a výkonová zařízení). • Demonstranti nakonec otestují výsledky v oblasti inteligentní energie a mobility Pilotní linka bude založena na třech hlavních pilířích: I) nepřetržitá technologická inovace elektrických zařízení SiC, která splňují rostoucí poptávku tržních aplikací; II) Průmyslová politika zaměřená na snižování a optimalizaci nákladů na vysokou kvalitu a hromadnou výrobu SiC; III) Příprava na budoucí modernizace 8" destiček na rušivých technologiích "Více než Moore" (např. pokročilá výroba SiC, nyní 150 mm). Cílové vlastnosti první 8 SiC Pilot Line: 200 mm SiC Pilot Line bude umístěn v továrně na oplatky ST v Katánii (Itálie) a bude sdílet zařízení s tou, která se v současné době používá. Budou existovat velmi obtížné činnosti, pokud jde o montáž a přizpůsobení problémů vzhledem k tomu, že nový c (Czech)
3 August 2022
0 references
Šā projekta vispārīgais mērķis, kas pieņemts finansēšanai kopuzņēmumā ECSEL, ir pirmā 200 mm Pasaules siliciu karbīda karbīda karbīda (SiC) izmēģinājuma līnijas izveide, kas paredzēta energotehnoloģijām. Tas ļaus Eiropas rūpniecībai kļūt par globālu etalonu, kas spēj rast inovatīvus un konkurētspējīgus risinājumus būtiskām sabiedrības problēmām, piemēram, energotaupībai un CO2 samazināšanai (COP21 nolīgums), kā arī vides ilgtspējai, izmantojot elektrisko mobilitāti, enerģijas pārveidošanas efektivitāti un viedo ražošanu. Šis projekts ir apņēmies sasniegt šādus mērķus: Izstrādāt un demonstrēt pasaulē pirmās modernās 200 mm SiC ražotnes darbību, pievēršoties vairākām/šķērspārvērstām spējām. Šis transversālais spēju projekts izmanto visu dalībnieku klātbūtni tā vērtību ķēdē un rada atbilstošu kritisko masu, lai veicinātu būtisku inovāciju, kas palīdzēs sasniegt ECSEL vispārējos mērķus. 8" SiC izmēģinājuma līnijas stratēģija ļaus: • 8“SiC substrāta izstrāde • 8” SiC iekārtu izstrāde • diožu, plakanu MOSFET un Power Rigs (Trench Power) izstrāde no 6“ierīcēm un procesiem līdz 8” • modernu un īpašu iekārtu izstrāde 8 SiC apstrādei, izmantojot jau esošās iekārtas no silīcija ražošanas līnijas ar 200 mm vafeļu izmēru. • šādu SiC tehnoloģiju izmantošana būs globālās energoefektivitātes un CO2 samazināšanas attīstības faktors saskaņā ar Globālo rīcības plānu COP21. • 8" Pilot līnijas rezultāti nākotnē būs ārkārtīgi svarīgi, lai noteiktu stratēģiskos lēmumus attiecībā uz liela mēroga ražošanas līnijas izveidi SiC barošanas ierīcēm (piemēram, viedām augstas sarežģītības barošanas ierīcēm un barošanas ierīcēm). • Demonstranti beidzot pārbaudīs rezultātus inteliģentas enerģijas un mobilitātes jomā. Izmēģinājuma līnijas pamatā būs trīs galvenie pīlāri: I) nepārtrauktas tehnoloģiskās inovācijas SiC barošanas ierīcēs, kas atbilst pieaugošajam tirgus lietojumprogrammu pieprasījumam; II) rūpniecības politika, kas vērsta uz SiC augstas kvalitātes un masveida ražošanas izmaksu samazināšanu un optimizēšanu; III) Gatavojoties 8" plāksnīšu turpmākai modernizācijai revolucionārās tehnoloģijās "Vairāk nekā Moore" (piemēram, uzlabota SiC ražošana, tagad 150 mm). Pirmās 8 SiC izmēģinājuma līnijas mērķa raksturlielumi: 200 mm SiC Pilot līnija atradīsies ST vafeļu rūpnīcā Katānijā (Itālija) un kopīgi izmantos iekārtas. Būs ļoti sarežģītas darbības attiecībā uz problēmu apkopošanu un pielāgošanu sakarā ar to, ka jaunā (Latvian)
3 August 2022
0 references
Is é cuspóir ginearálta an tionscadail seo, a nglactar leis le haghaidh cistiúcháin laistigh de Chomhghnóthas ECSEL, an chéad Áis Píolótach Carbide Carbide (SiC) ar domhan 200 mm ar domhan a bhaint amach atá tiomnaithe do Theicneolaíocht Cumhachta. Cuirfidh sé sin ar chumas thionscal na hEorpa a bheith ina thagarmharc domhanda a bheidh in ann réitigh nuálacha iomaíocha a sholáthar ar dhúshláin shochaíocha ríthábhachtacha amhail coigilt fuinnimh agus laghdú CO2 (comhaontú COP21), chomh maith le hinbhuanaitheacht chomhshaoil trí shoghluaisteacht leictreach, éifeachtúlacht tiontaithe cumhachta agus táirgeadh cliste. Tá an tionscadal seo tiomanta do dhul i ngleic leis na cuspóirí seo a leanas: Oibriú an chéad ghléasra táirgthe 200 mm SiC ar domhan a fhorbairt agus a léiriú trí aghaidh a thabhairt ar chumais il/traschúlaithe. Baineann an tionscadal cumais trasearnála seo leas as láithreacht na ngníomhaithe uile feadh a shlabhra luacha agus cruthaítear an mhais chriticiúil iomchuí chun nuálaíocht ríthábhachtach a chur chun cinn a chuirfidh le cuspóirí foriomlána ECSEL. Leis an Straitéis Phíolótach SÁC, beifear in ann an méid seo a leanas a dhéanamh: • forbairt 8“substráit SiC • forbairt 8” Trealamh SiC • forbairt dé-óidí, MOSFETanna planar agus Power Rigs (Trench Power) ó 6“feistí agus Próisis go dtí an 8” • forbairt trealaimh chun cinn agus speisialta le haghaidh próiseála 8 SiC, ag baint leasa as an trealamh atá ann cheana féin ón líne táirgeachta Silicium ag méid sliseog 200 mm. • beidh cur i bhfeidhm na dteicneolaíochtaí SiC sin ina fhachtóir forbartha don éifeachtúlacht fuinnimh dhomhanda agus don laghdú CO2, i gcomhréir leis an bPlean Gníomhaíochta Domhanda COP21. • Beidh torthaí na 8 "Líne Píolótach thar a bheith tábhachtach sa todhchaí chun cinntí straitéiseacha a chinneadh maidir le líne táirgeachta ar mhórscála a bhunú d’fheistí cumhachta SiC (e.g. gléasanna cumhachta cliste ardchastachta agus gléasanna cumhachta). • Déanfaidh na taispeántóirí tástáil deiridh ar na torthaí i réimse an Fhuinnimh Chliste agus na Soghluaisteachta Beidh an líne phíolótach bunaithe ar thrí phríomhcholún: I) Nuálaíocht theicneolaíoch leanúnach ar fheistí cumhachta SiC a chomhlíonann éileamh méadaitheach na bhfeidhmchlár margaidh; II) Beartas tionsclaíoch dírithe ar chostas ard-tháirgthe agus olltáirgeadh SiC a laghdú agus a bharrfheabhsú; III) Ag ullmhú d’uasghráduithe sa todhchaí de 8" sliseoga ar theicneolaíochtaí suaiteacha "Níos mó ná Moore" (e.g. déantúsaíocht SiC chun cinn, 150 mm anois). Saintréithe sprice na chéad 8 Líne Píolótach SiC: Beidh an Líne Phíolótach 200 mm SiC lonnaithe i monarcha wafer ST i Catania (an Iodáil) agus roinnfidh sé na háiseanna leis an gceann atá in úsáid faoi láthair. Beidh gníomhaíochtaí an-deacair ó thaobh fadhbanna a chur le chéile agus a oiriúnú mar gheall ar an bhfíric go bhfuil an c nua (Irish)
3 August 2022
0 references
Splošni cilj tega projekta, ki je bil sprejet za financiranje v okviru Skupnega podjetja ECSEL, je realizacija prvih 200-milimetrske pilotne linije World siliciu Carbide Carbide (SiC), namenjene tehnologiji električne energije. To bo evropski industriji omogočilo, da postane globalno merilo uspešnosti, ki bo zmožno zagotavljati inovativne in konkurenčne rešitve za ključne družbene izzive, kot so varčevanje z energijo in zmanjšanje emisij CO2 (sporazum COP 21), pa tudi okoljsko trajnost z električno mobilnostjo, učinkovitostjo pretvorbe električne energije in inteligentno proizvodnjo. Ta projekt je zavezan doseganju naslednjih ciljev: Razviti in prikazati delovanje prvega naprednega proizvodnega obrata SK 200 mm na svetu z obravnavanjem več/navzkrižnih zmogljivosti. Ta medsektorski projekt zmogljivosti izkorišča prisotnost vseh akterjev v vrednostni verigi in ustvarja ustrezno kritično maso za spodbujanje ključnih inovacij, ki bodo prispevale k splošnim ciljem ECSEL. 8" Strategija za pilotno linijo SK bo omogočila: • razvoj 8„SiC substrata • razvoj 8“ SiC opreme • razvoj diod, ravninskih MOSFET in Power Rigs (Trench Power) od 6„naprav in postopkov do 8“ • razvoj napredne in posebne opreme za 8 SK obdelavo, pri čemer se izkoristi že obstoječa oprema proizvodne linije silicija pri velikosti rezin 200 mm. • uporaba takšnih tehnologij SK bo razvojni dejavnik za svetovno energetsko učinkovitost in zmanjšanje CO2 v skladu z globalnim akcijskim načrtom COP21. • Rezultati 8-palčne pilotne linije bodo v prihodnosti izredno pomembni za določitev strateških odločitev v zvezi z vzpostavitvijo obsežne proizvodne linije za SiC električne naprave (npr. inteligentne visokokompleksne električne naprave in električne naprave). • Demonstratorji bodo končno preizkusili rezultate na področju inteligentne energije in mobilnosti. Pilotna vrstica bo temeljila na treh glavnih stebrih: I) stalne tehnološke inovacije SK-energetskih naprav, ki izpolnjujejo vse večje povpraševanje po tržnih aplikacijah; II) industrijska politika se osredotoča na zmanjšanje in optimizacijo stroškov visokokakovostne in množične proizvodnje SK; III) Priprava na prihodnje nadgradnje 8" rezin na prelomnih tehnologijah "Več kot Moore" (npr. napredna SK proizvodnja, zdaj 150 mm). Ciljne značilnosti prvih 8 pilotnih linij SK: 200 mm SiC Pilot Line se bo nahajala v tovarni rezin ST v Catanii (Italija) in bo delila objekte s tisto, ki se trenutno uporablja. Na voljo bodo zelo težke dejavnosti v smislu zbiranja in prilagajanja težav zaradi dejstva, da je nova (Slovenian)
3 August 2022
0 references
Общата цел на този проект, приет за финансиране в рамките на Съвместното предприятие ECSEL, е реализирането на първия пилотен инструмент за линии от типа „SiC“ в размер на 200 mm World siliciu Carbide Carbide (SiC), посветен на енергийните технологии. Това ще даде възможност на европейската промишленост да се превърне в световен показател, способен да предоставя иновативни и конкурентни решения на критични предизвикателства пред обществото, като например енергоспестяването и намаляването на емисиите на CO2 (споразумението COP21), както и устойчивостта на околната среда чрез електрическа мобилност, ефективност на преобразуването на електроенергията и интелигентно производство. Този проект е поел ангажимент за постигане на следните цели: Разработване и демонстриране на функционирането на първия в света напреднал завод за производство на SiC с дължина 200 mm, като се обърне внимание на множество/кръстосани възможности. Този междусекторен проект за способностите използва присъствието на всички участници по своята верига за създаване на стойност и създава подходяща критична маса за насърчаване на жизненоважни иновации, които ще допринесат за общите цели на ECSEL. 8-инчовата пилотна стратегия за SiC ще позволи: • разработване на 8„SiC субстрат • разработване на 8„SiC оборудване • разработване на диоди, планарни MOSFETs и Power Rigs (Trench Power) от 6 „устройства и процеси до 8“ • разработване на усъвършенствано и специално оборудване за 8 SiC обработка, възползвайки се от вече съществуващото оборудване от производствената линия на силиций с размер 200 mm вафли. • прилагането на такива SiC технологии ще бъде фактор за развитие на глобалната енергийна ефективност и намаляване на емисиите на CO2 в съответствие с Глобалния план за действие COP21. • Резултатите от 8-инчовата пилотна линия ще бъдат изключително важни в бъдеще, за да се определят стратегическите решения относно създаването на широкомащабна производствена линия за SiC захранващи устройства (напр. интелигентни електрически устройства с висока сложност и електрически устройства). • Демонстрантите най-накрая ще тестват резултатите в областта на интелигентната енергия и мобилността. Пилотният ред ще се основава на три основни стълба: И) Непрекъснати технологични иновации на SiC електрически устройства, които отговарят на нарастващото търсене на пазарни приложения; II) Индустриална политика, насочена към намаляване и оптимизиране на разходите за високо качество и масово производство на SiC; III) Подготовка за бъдещи подобрения на 8„полупроводникови пластини на революционни технологии „Повече от Мур“ (напр. усъвършенствано производство на SiC, сега 150 mm). Целеви характеристики на първата линия от 8 SiC пилотни линии: Линията SiC Pilot 200 mm ще бъде разположена във фабриката ST за вафли в Катания (Италия) и ще споделя съоръженията с тази, която се използва в момента. Ще има много трудни дейности по отношение на сглобяването и адаптирането на проблемите поради факта, че новият (Bulgarian)
3 August 2022
0 references
L-objettiv ġenerali ta’ dan il-proġett, aċċettat għall-finanzjament fi ħdan l-Impriża Konġunta ECSEL, huwa t-twettiq tal-ewwel Faċilità tal-Linja Pilota ta’ 200 mm World siliciu Carbide Carbide (SiC) iddedikata għat-Teknoloġija tal-Enerġija. Dan se jippermetti lill-industrija Ewropea ssir punt ta’ riferiment globali li kapaċi jwassal soluzzjonijiet innovattivi u kompetittivi għall-isfidi kritiċi tas-soċjetà bħall-iffrankar tal-enerġija u t-tnaqqis tas-CO2 (il-ftehim COP21), kif ukoll is-sostenibbiltà ambjentali permezz tal-mobbiltà elettrika, l-effiċjenza fil-konverżjoni tal-enerġija u l-Produzzjoni Intelliġenti. Dan il-proġett huwa impenjat li jindirizza l-objettivi li ġejjin: Tiżviluppa u turi l-operazzjoni tal-ewwel impjant avvanzat ta’ produzzjoni SiC 200 mm fid-dinja billi tindirizza kapaċitajiet multipli/cross-reverse. Dan il-proġett ta’ kapaċità trasversali jisfrutta l-preżenza tal-atturi kollha tul il-katina tal-valur tiegħu u joħloq il-massa kritika xierqa biex tiġi promossa l-innovazzjoni vitali li se tikkontribwixxi għall-objettivi ġenerali tal-ECSEL. L-Istrateġija tal-Linja Pilota tal-SiCs 8" se tippermetti: • l-iżvilupp ta’ 8“sottostrat tas-SiC • l-iżvilupp ta’ tagħmir SiC 8” • l-iżvilupp ta’ dajowds, MOSFETs planari u Rigs tal-Enerġija (Trench Power) minn 6 “apparati u Proċessi sat-8” • l-iżvilupp ta’ tagħmir avvanzat u speċjali għall-ipproċessar ta’ 8 SiC, filwaqt li jittieħed vantaġġ mit-tagħmir diġà eżistenti mil-linja tal-produzzjoni tas-silikon fid-daqs tal-wejfer ta’ 200 mm. • l-applikazzjoni ta’ teknoloġiji SiC bħal dawn se tkun fattur ta’ żvilupp għall-effiċjenza globali fl-użu ta’ l-enerġija u t-tnaqqis tas-CO2, f’konformità mal-Pjan ta’ Azzjoni Globali COP21. • Ir-riżultati tal-“Pilot Line 8” se jkunu importanti ħafna fil-futur biex jiġu determinati d-deċiżjonijiet strateġiċi dwar l-istabbiliment ta’ linja ta’ produzzjoni fuq skala kbira għall-apparat tal-enerġija SiC (eż. apparat intelliġenti tal-enerġija b’kumplessità għolja u apparat tal-enerġija). • Id-dimostraturi fl-aħħar se jittestjaw ir-riżultati fil-qasam ta’ l-Enerġija Intelliġenti u l-Mobilità Il-linja pilota se tkun ibbażata fuq tliet pilastri ewlenin: I) L-innovazzjoni teknoloġika kontinwa ta’ apparat tal-enerġija SiC li jissodisfa d-domanda dejjem tikber tal-applikazzjonijiet tas-suq; II) Il-politika industrijali ffukata fuq it-tnaqqis u l-ottimizzazzjoni tal-ispiża tal-kwalità għolja u l-produzzjoni tal-massa tas-SiC; III) Tħejjija għal titjib fil-ġejjieni ta’ 8" wejfers fuq teknoloġiji ta’ tfixkil "Aktar minn Moore" (eż. manifattura SiC avvanzata, issa 150 mm). Karatteristiċi fil-mira tal-ewwel 8 SiC Pilot Line: Il-Linja Pilota SiC ta’ 200 mm se tkun tinsab fil-fabbrika tal-wejfers ST f’Catania (l-Italja) u se taqsam il-faċilitajiet ma’ dik li qed tintuża bħalissa. Se jkun hemm attivitajiet diffiċli ħafna f’termini ta’ assemblaġġ u adattament ta’ problemi minħabba l-fatt li l— (Maltese)
3 August 2022
0 references
O objetivo geral deste projeto, aceite para financiamento no âmbito da Empresa Comum ECSEL, é a realização da primeira linha-piloto de carboneto de silicio (SiC) de 200 mm dedicada à tecnologia de energia. Tal permitirá à indústria europeia tornar-se um parâmetro de referência mundial capaz de fornecer soluções inovadoras e competitivas para desafios societais críticos, como a poupança de energia e a redução das emissões de CO2 (acordo COP 21), bem como a sustentabilidade ambiental através da mobilidade elétrica, da eficiência da conversão de energia e da produção inteligente. Este projeto está empenhado em atingir os seguintes objetivos: Desenvolver e demonstrar o funcionamento da primeira unidade de produção avançada de SiC de 200 mm do mundo, abordando as capacidades múltiplas/transversais. Este projeto transversal de capacidades explora a presença de todos os intervenientes ao longo da sua cadeia de valor e cria a massa crítica adequada para promover a inovação vital que contribuirá para os objetivos gerais da ECSEL. A estratégia da linha-piloto SiC de 8" permitirá: • desenvolvimento de 8 «substratos SiC • desenvolvimento de 8» equipamentos SiC • desenvolvimento de díodos, MOSFET planares e equipamentos de potência (potência de trincheira) a partir de 6 «dispositivos e processos até 8» • desenvolvimento de equipamentos avançados e especiais para o processamento de 8 SiC, tirando partido do equipamento já existente da linha de produção de Silicium com uma dimensão de disco de 200 mm. • a aplicação dessas tecnologias de SiC será um factor de desenvolvimento para a eficiência energética e a redução das emissões de CO2 a nível mundial, em conformidade com o Plano de Acção Global COP21. • Os resultados da linha-piloto de 8" serão extremamente importantes no futuro para determinar as decisões estratégicas relativas à criação de uma linha de produção em grande escala para dispositivos de potência SiC (por exemplo, dispositivos de potência inteligentes de alta complexidade e dispositivos de potência). • Os demonstradores testarão finalmente os resultados no domínio da energia inteligente e da mobilidade. A linha-piloto basear-se-á em três pilares principais: I) Inovação tecnológica contínua dos dispositivos de potência SiC que satisfaçam a procura crescente das aplicações do mercado; II) A política industrial centrada na redução e optimização do custo da produção em massa e de alta qualidade de SiC; III) Preparando-se para futuras atualizações de 8 "wafers em tecnologias disruptivas "Mais do que Moore" (por exemplo, fabricação avançada de SiC, agora 150 mm). Características-alvo da primeira linha piloto de 8 SiC: A Linha Piloto SiC de 200 mm estará localizada na fábrica de bolachas ST em Catânia (Itália) e partilhará as instalações com a atualmente em uso. Haverá atividades muito difíceis em termos de montagem e adaptação de problemas devido ao facto de a nova c (Portuguese)
3 August 2022
0 references
Det overordnede mål med dette projekt, der er godkendt til finansiering inden for fællesforetagendet ECSEL, er gennemførelsen af den første pilotlinjefacilitet på 200 mm World siliciu Carbide Carbide (SiC), der er dedikeret til energiteknologi. Dette vil gøre det muligt for den europæiske industri at blive et globalt benchmark, der kan levere innovative og konkurrencedygtige løsninger på kritiske samfundsmæssige udfordringer såsom energibesparelser og CO2-reduktion (COP21-aftalen) samt miljømæssig bæredygtighed gennem elektrisk mobilitet, energiomdannelseseffektivitet og intelligent produktion. Dette projekt har til formål at opfylde følgende mål: Udvikle og demonstrere driften af verdens første avancerede 200 mm SiC-produktionsanlæg ved at tage fat på flere/krydsvendte kapaciteter. Dette tværgående kapacitetsprojekt udnytter alle aktørers tilstedeværelse i hele værdikæden og skaber en passende kritisk masse til at fremme vital innovation, som vil bidrage til at opfylde ECSEL's overordnede mål. Den 8" SiC Pilot Line-strategi vil gøre det muligt at: • udvikling af 8"SiC substrat • udvikling af 8" SiC udstyr • udvikling af dioder, planar MOSFETs og Power Rigs (Trench Power) fra 6" enheder og processer til 8" • udvikling af avanceret og specielt udstyr til 8 SiC behandling, udnytte det allerede eksisterende udstyr fra Silicium produktionslinje i 200 mm wafer størrelse. • anvendelsen af sådanne SiC-teknologier vil være en udviklingsfaktor for global energieffektivitet og CO2-reduktion i overensstemmelse med den globale handlingsplan COP21. • Resultaterne af den 8" pilotlinje vil være yderst vigtige i fremtiden for at fastlægge de strategiske beslutninger om etablering af en storstilet produktionslinje til SiC-elenheder (f.eks. intelligente højkompleksitetsenheder og el-enheder). • Demonstranterne vil endelig teste resultaterne inden for intelligent energi og mobilitet Pilotlinjen vil blive baseret på tre hovedsøjler: I) Kontinuerlig teknologisk innovation af SiC power-enheder, der imødekommer den stigende efterspørgsel efter markedsapplikationer; II) Industripolitikken fokuserede på at reducere og optimere omkostningerne ved høj kvalitet og masseproduktion af siliciumcarbid; III) Forberedelse til fremtidige opgraderinger af 8" wafere på disruptive teknologier "Mere end Moore" (f.eks. avanceret SiC-produktion, nu 150 mm). Målkarakteristika for den første 8 SiC Pilot Line: Den 200 mm SiC Pilot Line vil blive placeret i ST wafer fabrikken i Catania (Italien) og vil dele faciliteterne med den, der i øjeblikket anvendes. Der vil være meget vanskelige aktiviteter med hensyn til samling og tilpasning af problemer som følge af, at det nye (Danish)
3 August 2022
0 references
Det allmänna målet för detta projekt, som godkänts för finansiering inom det gemensamma företaget Ecsel, är att förverkliga den första pilotlinjeanläggningen för energiteknik (World Siliciu Carbide Carbide, SiC) som är avsedd för energiteknik. Detta kommer att göra det möjligt för den europeiska industrin att bli ett globalt riktmärke som kan leverera innovativa och konkurrenskraftiga lösningar på viktiga samhällsutmaningar såsom energibesparingar och minskade koldioxidutsläpp (COP21-avtalet), samt miljömässig hållbarhet genom elmobilitet, effektiv energiomvandling och intelligent produktion. Detta projekt har åtagit sig att uppfylla följande mål: Utveckla och demonstrera driften av världens första avancerade produktionsanläggning med 200 mm SiC genom att ta itu med multipla/omvända funktioner. Detta övergripande kapacitetsprojekt utnyttjar närvaron av alla aktörer längs dess värdekedja och skapar en lämplig kritisk massa för att främja viktig innovation som kommer att bidra till Ecsels övergripande mål. Den 8” SiC Pilot Line-strategin kommer att göra det möjligt att • utveckling av 8”SiC-substrat • utveckling av 8” SiC-utrustning • utveckling av dioder, plana MOSFETs och Power Rigs (Trench Power) från 6” enheter och processer till 8” • utveckling av avancerad och speciell utrustning för 8 SiC-bearbetning, med utnyttjande av den redan befintliga utrustningen från Silicium produktionslinjen vid 200 mm wafer storlek. • tillämpningen av sådan SiC-teknik kommer att vara en utvecklingsfaktor för global energieffektivitet och minskning av koldioxidutsläppen, i linje med den globala handlingsplanen COP21. • Resultaten av 8-tums pilotlinjen kommer att vara oerhört viktiga i framtiden för att fastställa de strategiska besluten om inrättandet av en storskalig produktionslinje för SiC-kraftenheter (t.ex. intelligenta kraftanordningar med hög komplexitet och kraftanordningar). • Demonstranterna kommer slutligen att testa resultaten på området Intelligent energi och rörlighet Pilotlinjen kommer att bygga på tre huvudpelare: I) Kontinuerlig teknisk innovation av SiC-kraftenheter som tillgodoser den växande efterfrågan på marknadstillämpningar. II) Industripolitik inriktad på att minska och optimera kostnaderna för högkvalitativ och massproduktion av kiselkarbid. III) Förberedelser för framtida uppgraderingar av 8” plattor på banbrytande teknik ”Mer än Moore” (t.ex. avancerad SiC-tillverkning, nu 150 mm). Målegenskaper för den första 8 SiC-pilotlinjen: SiC Pilot Line på 200 mm kommer att ligga i ST-waferfabriken i Catania (Italien) och kommer att dela anläggningarna med den som för närvarande används. Det kommer att finnas mycket svåra aktiviteter när det gäller att samla och anpassa problem på grund av det faktum att den nya (Swedish)
3 August 2022
0 references
Municipiul Bucureşti, Romania
0 references
5 June 2024
0 references
Identifiers
121169
0 references