Functional Plate Gallium Shadow-Oxide and Zinc Gallate thin layers and New Deposition Technologies (Q3056498)

From EU Knowledge Graph
Jump to navigation Jump to search
Project Q3056498 in Latvia
Language Label Description Also known as
English
Functional Plate Gallium Shadow-Oxide and Zinc Gallate thin layers and New Deposition Technologies
Project Q3056498 in Latvia

    Statements

    contained in NUTS
    Riga
    0 references
    Riga
    0 references
    Riga
    0 references
    country
    Latvia
    0 references
    EU contribution
    441,901.08 Euro
    0 references
    budget
    537,004.6 Euro
    0 references
    co-financing rate
    82.29 percent
    0 references
    start time
    1 January 2021
    0 references
    end time
    30 June 2023
    0 references
    beneficiary name (string)
    Atvasināta publiska persona LATVIJAS UNIVERSITĀTES CIETVIELU FIZIKAS INSTITŪTS
    0 references
    beneficiary
    Q3058548
    0 references
    coordinate location

    56°54'57.24"N, 24°9'56.95"E
    0 references

    56°58'44.72"N, 24°12'35.53"E
    0 references

    56°58'49.01"N, 24°10'14.99"E
    0 references
    summary
    Gallija oksīds Ga2O3 šobrīd ir kļuvis par vienu no visvairāk pētītākajiem materiāliem. Gandrīz jebkurā ar materiālzinātni saistītā zinātniskā žurnāla numurā ir raksti par gallija oksīda audzēšanu, materiāla īpašībām vai tā ierīču pielietojumiem. Iemesls lielajai interesei ir šī platās aizliegtās zonas materiāla ārkārtīgi daudzsološās īpašības elektroniskos un optiskos pielietojumos kopā ar relatīvi nedārgiem pamatņu materiāliem. Pavisam nesen ir parādīts, ka platzonas spineļa cinka gallātam ZnGa2O4 ir vairākas priekšrocības salīdzinājumā ar gallija oksīdu, kas būtu jāpēta padziļinātāk.Šī rūpnieciskā pētījuma projekta mērķis ir attīstīt modernas augsta uzklāšanas ātruma PVD magnetrona izputināšanas un MOCVD tehnoloģijas, lai uzklātu funkcionālas ultra-platas aizliegtās zonas gallija oksīda Ga2O3 un cinka gallāta ZnGa2O4 plānās kārtiņas optoelektronikas un elektronikas pielietojumiem. Galvenie uzdevumi ir:•Izstrādāt augsta uzklāšanas ātruma PVD magnetronu izputināšanas tehnoloģiju, lai uzklātu tīras un leģētas (p-tipa dopanti un RE) amorfas un kristāliskas gallija oksīda Ga2O3 plānās kārtiņas un ZnGa2O4 plānas kārtiņas. Galvenie pielietojumi ir (1) dziļā-UV (DUV) caurspīdīgi elektrovadoši oksīdi (TCOs) un (2) efektīvas neorganiskas luminiscējošas ierīces.•Izstrādāt Ga2O3 un ZnGa2O4 plānu kārtiņu uzklāšanas tehnoloģiju ar MOCVD un attīstīt epitaksiālu n- un p-tipa Ga2O3 un ZnGa2O4 plānu kārtiņu audzēšanas procesus dziļā-UV optoelektronikas un elektronikas pielietojumiem.Piedāvāto rūpniecisko pētījuma projektu īstenos LU CFI, SIA AGL Technologies un SIA BC Corporation Limited. Šis starpdisciplinārais projekts sastāv no pētījumiem fizikas un ķīmijas zinātnēs (1.3., 1.4.) un materiālu inženierzinātnē (2.5.).Projekta produkti:Jauna augstas uzklāšanas ātruma PVD magnetronā izputināšanas tehnoloģija kristālisku un amorfu Ga2O3 un ZnGa2O4 plāno kārtiņu uzklāšanai uz dažādām pamatnēm, lai attīstītu DUV TCOs un efektīvas neorganiskas luminiscējošas ierīces (patenti, tehnoloģijas apraksts, zinātniskas publikācijas).Platzonas epitaksiālu n- un p-tipa Ga2O3 un ZnGa2O4 plānu kārtiņu uzklāšanas tehnoloģija ar MOCVD jauniem pielietojumiem elektronikā un optoelektronikā (tehnoloģijas apraksts, zinātniskas publikācijas).Jaunas amorfas a-Ga2Ox (neleģētas vai RE leģētas) plānās kārtiņas ar uzlabotām elektriskajām un optiskajām īpašībām, atomārās struktūras un fizikāli ķīmisko īpašību apraksts, izmantojot modernas eksperimentālās metodes, un Ga2O3 un ZnGa2O4 atomārās struktūras datormodelēšana no pirmajiem principiem (zinātniskie raksti).Projekts lielā mērā veicinās progresīvu materiālu izpēti optiskās elektronikas ierīcēs uz oksīdu bāzes, kam saskaņā ar Starptautisko tehnoloģiju pusvadītāju ceļvedi (ITRS2.0) būs globāla ietekme, nodrošinot arī Latvijas zinātnes un rūpniecības konkurētspēju starptautiskā līmenī.Papildus ietekmei uz tirgu mēs sagaidām ievērojamus zinātniskos ieguvumus, kas izriet no starpdisciplināras pieejas izmantošanas, kombinējot progresīvu augstas uzklāšanas ātruma PVD tehnoloģiju un MOCVD (2.5. Materiālu inženierija) ar teorētisko kvantu ķīmijas metodi un eksperimentālo parametru aprakstu ar fizikāli ķīmiskām metodēm (1.3 fizikālās zinātnes, 1.4 ķīmijas zinātnes), koncentrējoties uz GaMeO un heterostruktūru datormodelēšanu no pirmajiem principiem.Projekts ir tieši saistīts ar RIS3 specializācijas jomu “Viedie materiāli, tehnoloģijas un inženiersistēmas” un atbalsta nākotnes izaugsmes nozares, kurās pastāv vai varētu rasties produkti un pakalpojumi ar augstu pievienoto vērtību. Projekta īstenošanas joma un sagaidāmie rezultāti atbilst saimniecisko darbību statistiskās klasifikācijas NACE 72.19 kodam.Projektu īstenos kvalificētu pētnieku grupa (11 darbavietas, kopā 5.33 PLE), ieskaitot 2 studentus 1,33 PLE (25%) un 2 jauno zinātnieku pozīcijas 1,33 PLE (25%).Projekts ir saistīts ar nesaimniecisku darbību un apvieno fundamentālus un lietišķus pētījumus. Projekta kopējās izmaksas ir 537 004 EUR (60% ISSP LU, 20% SIA AGL Technologies un 20% SIA BC Corporation Limited), t.sk. 441 901 EUR (82.29 %) ERAF, 54 828 EUR (10.21%) valsts budžeta ieguldījums un 24 165 EUR (4.5%) cits publiskais finansējums. Projekta ilgums ir 30 mēneši (01.01.2021 - 30.06.2023).Atslēgvārdi: gallija oksīds, cinka gallāts, plānās kārtiņas, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Latvian)
    0 references
    Gallium oxide Ga2O3 is now one of the most researched materials. Almost any issue related to material science contains articles on the cultivation of gallium oxide, the properties of the material, or the use of its appliances. The great interest is due to the extremely promising properties of this wide restricted area material in electronic and optical applications, together with relatively inexpensive base materials. Most recently, it has been shown that wide-zone spinel zinc gallate ZnGa2O4 has several advantages over gallium oxide that should be studied in greater depth.The aim of this industrial research project is to develop modern high application rate PVD magnetron dusting and MOCVD technologies to apply functional ultra-wide restricted zone gallium oxide GaO3 and zinc gallate ZnGa2O4 thin layers and applications of optical electronics. The main tasks are:•Develop high-speed PVD magnetron dusting technology to apply clean and alloyed (p-type hollows and RE) amorphous and crystalline gallium oxide Ga2O3 thin sheets and ZnGa2O4 thin sheets. The main applications are (1) deep-UV (DUV) transparent electroconductive oxides (TCOs) and (2) effective inorganic fluorescent devices.•Develop Ga2O3 and ZnGa2O4 thin film coating technology with MOCVD and develop epitaxial n- and p-type Ga2O3 and ZnGa2O4 thin thin layers technology with MOCVD and develop epitaxial n- and p-type Ga2O3 and ZnGa2O4 thin layer coating processes with MOCVD and develop epitaxial n- and p-type Ga2O3 and ZnGa2O4 thin layer coating processes with MOCVD and industrial solutions for SIA BOOO. This cross-disciplinary project consists of studies in physics and chemistry sciences (1.3, 1.4.) and material engineering (2.5).Project products:New high-speed PVD magnetron dusting technology with crystalline and amorphous Ga2O3 and ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Optical Applications on Different Footprints to develop DUV TCOs and effective non-organic luminous devices, and ZnGO in the direction of accommodating technologies, the description of the MothO and the technology to develop the DUV TCOs and effective non-organic luminous devices, and ZnG’s scientific specifications, the description of the technology with the MothO. Materials engineering) with theoretical method of quantum chemistry and description of experimental parameters with physico-chemical methods (1.3 physical sciences, 1.4 chemical sciences), focusing on computer modelling of GaMeO and heterostructures from the first principles.The project is directly related to the RIS3 specialisation field Smart Materials, Technologies and Engineering Systems and supports future growth sectors where high value added products and services exist or could be developed. The project’s scope and expected results correspond to NACE 72.19 of the statistical classification of economic activities.The project will be implemented by a group of qualified researchers (11 jobs, total 5.33 PLE), including 2 students 1.33 FTE (25 %) and 2 young scientists positions 1.33 FLE (25 %). The project is related to non-economic activities and combines fundamental and applied research. The total cost of the project is EUR 537004 (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies and 20 % SIA BC Corporation Limited), including: EUR 441901 (82.29 %) ERDF, EUR 54828 (10.21 %) national budget contribution and EUR 24165 (4.5 %) other public funding. Project duration is 30 months (01.01.2021-30.06.2023). Gallium oxide, zinc gallate, thin sheets, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (English)
    point in time
    15 July 2021
    readability score
    0.3974057789788919
    0 references
    L’oxyde de gallium Ga2O3 est devenu l’un des matériaux les plus étudiés. Presque tous les numéros de la revue scientifique se rapportant à la science des matériaux contiennent des articles sur la culture de l’oxyde de gallium, les propriétés du matériau ou l’application de ses dispositifs. La raison de ce grand intérêt est les caractéristiques extrêmement prometteuses de ce vaste matériau à zone restreinte dans les applications électroniques et optiques, ainsi que les matériaux de support relativement peu coûteux. Plus récemment, il a été démontré que le gallate de zinc spinel znGa2O4 présente un certain nombre d’avantages par rapport à l’oxyde de gallium, qu’il convient d’étudier plus avant. L’objectif de ce projet de recherche industrielle est de développer des ruines PVD à haut débit d’application avancée et des technologies MOCVD pour appliquer des couches minces d’optoélectronique et d’électronique en zone ultra-largement restreinte d’oxyde de gallium Ga2O3 et de galate de zinc ZnGa2O4. Les principales tâches sont•Développer une technologie de brochage de magnétron PVD à haut débit pour appliquer des couches minces d’oxyde de gallium amorphe et cristallin Ga2O3 propres et alliées (p-type dopants et RE) et des couches minces ZnGa2O4. Les principales applications sont (1) les oxydes d’électroconducteurs transparents (DUV) et (2) les dispositifs fluorescents inorganiques efficaces.•Développez la technologie d’application des couches minces Ga2O3 et ZnGa2O4 avec MOCVD et développez des procédés de culture de couches minces de type n- et p Ga2O3 et ZnGa2O4 pour l’optoélectronique et les applications électroniques des UV profonds. Le projet de recherche industrielle proposé sera mis en œuvre par LU CFI, SIA AGL Technologies et SIA BC Corporation Limited. Ce projet interdisciplinaire comprend la recherche en physique et en chimie (1.3, 1.4) et l’ingénierie des matériaux (2.5).Projet produkti:Jauna technologie de ruine de magnétron PVD à taux élevé pour l’application de couches minces de Ga2O3 et de ZnGa2O4 cristallines et amorphes sur divers substrats pour développer des TCO DUV et des dispositifs fluorescents inorganiques efficaces (brevets, description de la technologie, publications scientifiques).Platzone épitaxiale n- et p- Ga2O3 et ZnGa2O4 technologie d’application de films minces avec MOCVD pour de nouvelles applications en électronique et optoélectronique (description de la technologie, publications scientifiques).Nouvelles couches minces amorphes a-Ga2Ox (non alliées ou dopées par RE) avec des propriétés électriques et optiques améliorées, description de la structure atomique et des propriétés physico-chimiques à l’aide de méthodes expérimentales avancées, et modélisation informatique de la structure atomique Ga2O3 et ZnGa2O4 à partir des premiers principes (articles scientifiques).Le projet favorisera grandement la recherche de matériaux avancés dans l’électronique optique à base d’oxydes, qui, selon le Guide technologique international des semiconducteurs (ITRS2.0), aura un impact mondial, garantissant également la compétitivité de la science et de l’industrie lettones au niveau international.En plus de l’impact sur le marché, nous attendons des avantages scientifiques significatifs résultant de l’utilisation d’une approche interdisciplinaire combinant la technologie avancée de PVD à haut taux d’application et MOCVD (2.5. Ingénierie des matériaux) avec la méthode théorique de chimie quantique et la description des paramètres expérimentaux avec des méthodes physico-chimiques (1.3 sciences physiques, 1.4 sciences chimiques), mettant l’accent sur la modélisation informatique Gameo et hétérostructure à partir des premiers principes.Le projet est directement lié au domaine de spécialisation de RIS3 «Matériaux intelligents, technologies et systèmes d’ingénierie» et soutient les industries en croissance future dans lesquelles des produits et des services à forte valeur ajoutée existent ou pourraient se produire. La portée et les résultats escomptés du projet sont conformes au code NACE 72.19 de la nomenclature statistique des activités économiques.Le projet sera mis en œuvre par un groupe de chercheurs qualifiés (11 emplois, un total de 5,33 FLE), dont 2 étudiants de 1,33 FLE (25 %) et 2 jeunes scientifiques à 1,33 FLE (25 %).Le projet est lié à des activités non économiques et combine recherche fondamentale et recherche appliquée. Le coût total du projet s’élève à 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies et 20 % SIA BC Corporation Limited), y compris. 441 901 EUR (82,29 %) FEDER, 54 828 EUR (10,21 %) contribution du budget de l’État et 24 165 EUR (4,5 %) autres financements publics. La durée du projet est de 30 mois (01.01.2021-30.06.2023). oxyde de gallium, gallate de zinc, couches minces, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (French)
    point in time
    25 November 2021
    0 references
    Galliumoxid Ga2O3 ist mittlerweile eines der am meisten untersuchten Materialien geworden. Fast jede Ausgabe in der wissenschaftlichen Fachzeitschrift zur Materialwissenschaft enthält Artikel über den Galliumoxidanbau, die Eigenschaften des Materials oder die Anwendungen seiner Geräte. Grund für dieses große Interesse sind die äußerst vielversprechenden Eigenschaften dieses weiträumigen Flächenmaterials in elektronischen und optischen Anwendungen sowie relativ kostengünstige Trägermaterialien. In jüngerer Zeit hat sich gezeigt, dass das ZnGa2O4-Platzone-Zinkgalat eine Reihe von Vorteilen gegenüber Galliumoxid aufweist, die weiter untersucht werden sollten. Ziel dieses industriellen Forschungsprojekts ist es, fortschrittliche PVD-Magnetronruinen und MOCVD-Technologien zu entwickeln, um funktionelle ultraweite Sperrzonen Galliumoxid Ga2O3 und Zinkgallut ZnGa2O4 dünne Schichten von Optoelektronik und Elektronikanwendungen anzuwenden. Die Hauptaufgaben sind•Die Entwicklung einer hochauflösenden PVD-Magnetron-Broaching-Technologie zur Anwendung von sauberen und legierten (p-Typ Dopants und RE) amorphen und kristallinen Galliumoxid Ga2O3 dünnen Schichten und ZnGa2O4 dünnen Schichten. Die wichtigsten Anwendungen sind (1) Deep-UV (DUV) Transparente elektroleitende Oxiden (TCOs) und (2) Effektive anorganische Fluoreszenzgeräte.•Entwickeln Sie Ga2O3 und ZnGa2O4 Dünnschichtanwendungen mit MOCVD und entwickeln epitaxielle n- und p-Typen Ga2O3 und ZnGa2O4 Dünnschichtanbauverfahren für Tief-UV-Optoelektronik und elektronische Anwendungen. Das vorgeschlagene industrielle Forschungsprojekt wird von LU CFI, SIA AGL Technologies und SIA BC Corporation Limited umgesetzt. Dieses interdisziplinäre Projekt besteht aus Forschung in Physik und Chemie (1.3, 1.4) und Materialtechnik (2.5).Projekt produkti:Jauna Hochanwendungsrate PVD Magnetron Ruine Technologie für die Anwendung von kristallinen und amorphen Ga2O3 und ZnGa2O4 Dünnschichtschichten auf verschiedenen Substraten zur Entwicklung von DUV TCOs und effektive anorganische Fluoreszenzgeräte (Patente, Technologiebeschreibung, wissenschaftliche Publikationen).Platzone epitaxial n- und p-Typ Ga2O3 und ZnGa2O4 Dünnschicht-Anwendungstechnik mit MOCVD für neue Anwendungen in der Elektronik und Optoelektronik (Beschreibung von Technologie, wissenschaftliche Veröffentlichungen).Neue amorphe a-Ga2Ox (nicht legierte oder RE-dotierte) dünne Schichten mit verbesserten elektrischen und optischen Eigenschaften, Beschreibung der atomaren Struktur und physikalisch-chemischen Eigenschaften mittels fortgeschrittener experimenteller Methoden und Computermodellierung der Atomstruktur Ga2O3 und ZnGa2O4 aus den ersten Prinzipien (wissenschaftliche Artikel).Das Projekt wird die fortgeschrittene Materialforschung in der oxidbasierten optischen Elektronik stark fördern, die nach dem International Technology Semiconductor Guide (ITRS2.0) werden globale Auswirkungen haben und auch die Wettbewerbsfähigkeit der lettischen Wissenschaft und Industrie auf internationaler Ebene gewährleisten.Neben den Auswirkungen auf den Markt erwarten wir erhebliche wissenschaftliche Vorteile, die sich aus der Anwendung eines interdisziplinären Ansatzes ergeben, der fortschrittliche PVD-Technologie mit hoher Anwendungsrate und MOCVD kombiniert (2.5. Materialtechnik) mit theoretischer Quantenchemie-Methode und Beschreibung experimenteller Parameter mit physikalisch-chemischen Methoden (1,3 Physik, 1.4 Chemiewissenschaften), mit Schwerpunkt auf Gameo und Heterostruktur Computermodellierung von den ersten Prinzipien.Das Projekt steht in direktem Zusammenhang mit dem Fachgebiet der Spezialisierung von RIS3 „Smart Materials, Technologies and Engineering Systems“ und unterstützt zukünftige Wachstumsbranchen, in denen Produkte und Dienstleistungen mit hohem Mehrwert existieren oder auftreten könnten. Der Umfang und die erwarteten Ergebnisse des Projekts entsprechen dem Code der NACE 72.19 der statistischen Systematik der Wirtschaftszweige.Das Projekt wird von einer Gruppe qualifizierter Forscher (11 Arbeitsplätze, insgesamt 5,33 FLE), darunter 2 Studenten von 1,33 FLE (25 %) und 2 junge Wissenschaftler mit 1,33 FLE (25 %) durchgeführt.Das Projekt bezieht sich auf nichtwirtschaftliche Tätigkeiten und kombiniert grundlegende und angewandte Forschung. Die Gesamtkosten des Projekts betragen 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies und 20 % SIA BC Corporation Limited), inkl. 441 901 EUR (82,29 %) EFRE, 54 828 EUR (10,21 %) Staatsbeitrag und 24 165 EUR (4,5 %) sonstige öffentliche Mittel. Die Projektlaufzeit beträgt 30 Monate (01.01.2021-30.06.2023). Galliumoxid, Zinkgalat, dünne Schichten, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (German)
    point in time
    28 November 2021
    0 references
    Galliumoxide Ga2O3 is nu een van de meest bestudeerde materialen geworden. Bijna elke kwestie in het wetenschappelijke tijdschrift met betrekking tot de materiële wetenschap bevat artikelen over galliumoxideteelt, de eigenschappen van het materiaal of de toepassingen van zijn apparaten. De reden voor deze grote belangstelling is de uiterst veelbelovende eigenschappen van dit brede beperkte gebied materiaal in elektronische en optische toepassingen, in combinatie met relatief goedkope backing materialen. Meer recent is aangetoond dat het ZnGa2O4 platzone spinelzinkgallaat een aantal voordelen heeft ten opzichte van galliumoxide, dat verder moet worden bestudeerd. Het doel van dit industriële onderzoeksproject is om geavanceerde PVD magnetronruïnes en MOCVD-technologieën te ontwikkelen om functionele ultrabreed beperkte zone galliumoxide Ga2O3 en zinkgallaat ZnGa2O4 dunne lagen opto-elektronica en elektronicatoepassingen toe te passen. De belangrijkste taken zijn•Ontwikkelen van hoge toepassingssnelheid PVD magnetron broaching technologie voor het aanbrengen van schone en gelegeerde (p-type dopants en RE) amorfe en kristallijn galliumoxide Ga2O3 dunne lagen en ZnGa2O4 dunne lagen. De belangrijkste toepassingen zijn (1) Deep-UV (DUV) Transparante elektrogeleidende Oxiden (TCO’s) en (2) Effectieve anorganische fluorescerende apparaten.•Ontwikkel Ga2O3 en ZnGa2O4 thin film applicatietechnologie met MOCVD en ontwikkelen epitaxiale n- en p-type Ga2O3 en ZnGa2O4 dunne laag teeltprocessen voor diep-UV opto-elektronica en elektronische toepassingen. Het voorgestelde industriële onderzoeksproject zal worden uitgevoerd door LU CFI, SIA AGL Technologies en SIA BC Corporation Limited. Dit interdisciplinaire project bestaat uit onderzoek op het gebied van fysica en chemie (1.3, 1.4) en materiaaltechniek (2.5).Project produkti:Jauna hoge toepassingssnelheid PVD magnetron ruinetechnologie voor de toepassing van kristallijne en amorfe Ga2O3 en ZnGa2O4 dunne lagen op verschillende substraten om DUV TCO’s en effectieve anorganische fluorescerende apparaten te ontwikkelen (octrooien, beschrijving van technologie, wetenschappelijke publicaties).Platzone epitaxiale n- en p-type Ga2O3 en ZnGa2O4 thin film applicatietechnologie met MOCVD voor nieuwe toepassingen in elektronica en opto-elektronica (beschrijving van technologie, wetenschappelijke publicaties).Nieuwe amorfe a-Ga2Ox (niet-gelegeerd of RE-gedopt) dunne lagen met verbeterde elektrische en optische eigenschappen, beschrijving van de atoomstructuur en fysisch-chemische eigenschappen met behulp van geavanceerde experimentele methoden, en computermodellering van de atoomstructuur Ga2O3 en ZnGa2O4 van de eerste principes (wetenschappelijke artikelen).Het project zal geavanceerd materiaalonderzoek in op oxide gebaseerde optische elektronica sterk bevorderen, die volgens de International Technology Semiconductor Guide (ITRS2.0), zal een wereldwijde impact hebben, waardoor ook het concurrentievermogen van de Letse wetenschap en industrie op internationaal niveau wordt gewaarborgd.Naast de impact op de markt verwachten we aanzienlijke wetenschappelijke voordelen als gevolg van het gebruik van een interdisciplinaire aanpak waarbij geavanceerde PVD-technologie met hoge toepassingsgraad en MOCVD (2.5) worden gecombineerd. Materiaaltechniek) met theoretische kwantumchemiemethode en beschrijving van experimentele parameters met fysisch-chemische methoden (1.3 fysische wetenschappen, 1.4 chemische wetenschappen), gericht op Gameo en heterostructuur computermodellering vanaf de eerste principes.Het project is direct gerelateerd aan het specialisatiegebied van RIS3 „Smart Materials, Technologies and Engineering Systems” en ondersteunt toekomstige groeisectoren waarin producten en diensten met een hoge toegevoegde waarde bestaan of kunnen voorkomen. De reikwijdte en de verwachte resultaten van het project zijn in overeenstemming met de NACE 72.19-code van de statistische classificatie van economische activiteiten. Het project zal worden uitgevoerd door een groep gekwalificeerde onderzoekers (11 banen, in totaal 5,33 FLE), waaronder 2 studenten van 1,33 FLE (25 %) en 2 jonge wetenschappers met 1,33 FLE (25 %).Het project houdt verband met niet-economische activiteiten en combineert fundamenteel en toegepast onderzoek. De totale kosten van het project bedragen 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies en 20 % SIA BC Corporation Limited), incl. 441 901 EUR (82,29 %) EFRO, 54 828 EUR (10,21 %) bijdrage uit de overheidsbegroting en 24 165 EUR (4,5 %) andere overheidsfinanciering. De duur van het project bedraagt 30 maanden (01.01.2021-30.06.2023). galliumoxide, zinkgallaat, dunne lagen, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Dutch)
    point in time
    28 November 2021
    0 references
    L'ossido di gallio Ga2O3 è diventato uno dei materiali più studiati. Quasi ogni numero della rivista scientifica relativa alla scienza dei materiali contiene articoli sulla coltivazione dell'ossido di gallio, le proprietà del materiale o le applicazioni dei suoi dispositivi. La ragione di questo grande interesse è le caratteristiche estremamente promettenti di questo ampio materiale ad area ristretta in applicazioni elettroniche ed ottiche, insieme a materiali di supporto relativamente poco costosi. Più recentemente, è stato dimostrato che il gallato di zinco spinale ZnGa2O4 platzone presenta una serie di vantaggi rispetto all'ossido di gallio, che andrebbero ulteriormente studiati. L'obiettivo di questo progetto di ricerca industriale è sviluppare rovine di magnetron PVD ad alto tasso di applicazione avanzate e tecnologie MOCVD per applicare ossido di gallio a zona ultra-larga, Ga2O3 e gallato di zinco ZnGa2O4 strati sottili di applicazioni optoelettroniche ed elettroniche. I compiti principali sono•Sviluppo di tecnologia di brocciatura di magnetron PVD ad alto tasso di applicazione per applicare strati sottili di gallio amorfo e cristallino Ga2O3 e strati sottili ZnGa2O4. Le principali applicazioni sono (1) Ossidi elettroconduttori trasparenti (TCO) Deep-UV (DUV) e (2) Efficaci dispositivi fluorescenti inorganici.•Sviluppa la tecnologia di applicazione a film sottile Ga2O3 e ZnGa2O4 con MOCVD e sviluppa processi epitassiali di tipo Ga2O3 e p-tipo Ga2O3 e ZnGa2O4 per l'optoelettronica profonda e per applicazioni elettroniche. Il progetto di ricerca industriale proposto sarà implementato da LU CFI, SIA AGL Technologies e SIA BC Corporation Limited. Questo progetto interdisciplinare consiste nella ricerca in fisica e chimica (1.3, 1.4) e ingegneria dei materiali (2.5).Progetto produkti:Jauna ad alta velocità di applicazione PVD magnetron tecnologia rovina per l'applicazione di cristallini e amorfi Ga2O3 e ZnGa2O4 strati sottili su vari substrati per sviluppare TCO DUV e dispositivi fluorescenti inorganici efficaci (brevetti, descrizione della tecnologia, pubblicazioni scientifiche).Platzone epitassiale n- e p-tipo Ga2O3 e ZnGa2O4 tecnologia di applicazione a film sottile con MOCVD per nuove applicazioni in elettronica e optoelettronica (descrizione di tecnologia, pubblicazioni scientifiche).Nuovi strati sottili amorfo a-Ga2Ox (non legati o drogati RE) con proprietà elettriche ed ottiche migliorate, descrizione della struttura atomica e proprietà fisico-chimiche utilizzando metodi sperimentali avanzati, e modellazione computerizzata della struttura atomica Ga2O3 e ZnGa2O4 dai primi principi (articoli scientifici).Il progetto promuoverà notevolmente la ricerca avanzata dei materiali nell'elettronica ottica a base di ossido, che, secondo la International Technology Semiconductor Guide (ITRS2.0), avrà un impatto globale, garantendo anche la competitività della scienza e dell'industria lettone a livello internazionale. Oltre all'impatto sul mercato, ci aspettiamo notevoli benefici scientifici derivanti dall'uso di un approccio interdisciplinare che combina tecnologia PVD ad alto tasso di applicazione avanzata e MOCVD (2.5. Ingegneria dei materiali) con metodo teorico di chimica quantistica e descrizione dei parametri sperimentali con metodi fisico-chimici (1.3 scienze fisiche, 1.4 scienze chimiche), concentrandosi sulla modellazione computerizzata Gameo ed eterostruttura dai primi principi. Il progetto è direttamente correlato al campo di specializzazione di RIS3 "Smart Materials, Technologies and Engineering Systems" e sostiene le future industrie di crescita in cui prodotti e servizi ad alto valore aggiunto esistono o potrebbero verificarsi. La portata e i risultati attesi del progetto sono in linea con il codice NACE 72.19 della classificazione statistica delle attività economiche. Il progetto sarà attuato da un gruppo di ricercatori qualificati (11 posti di lavoro, per un totale di 5,33 FLE), di cui 2 studenti di 1,33 FLE (25 %) e 2 giovani scienziati a 1,33 FLE (25 %).Il progetto è collegato ad attività non economiche e combina ricerca fondamentale e applicata. Il costo totale del progetto è di 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies e 20 % SIA BC Corporation Limited), incl. 441 901 EUR (82,29 %) FESR, 54 828 EUR (10,21 %) contributo del bilancio dello Stato e 24 165 EUR (4,5 %) altri finanziamenti pubblici. La durata del progetto è di 30 mesi (01.01.2021-30.06.2023). ossido di gallio, gallato di zinco, strati sottili, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Italian)
    point in time
    11 January 2022
    0 references
    El óxido de galio Ga2O3 se ha convertido en uno de los materiales más estudiados. Casi cualquier tema de la revista científica relacionada con la ciencia material contiene artículos sobre el cultivo de óxido de galio, las propiedades del material o las aplicaciones de sus dispositivos. La razón de este gran interés son las características extremadamente prometedoras de este amplio material de área restringida en aplicaciones electrónicas y ópticas, junto con materiales de respaldo relativamente baratos. Más recientemente, se ha demostrado que el galato de zinc de platzona ZnGa2O4 tiene una serie de ventajas sobre el óxido de galio, que debe ser estudiado más a fondo. El objetivo de este proyecto de investigación industrial es desarrollar ruinas de magnetrón PVD de alta tasa de aplicación avanzadas y tecnologías MOCVD para aplicar el óxido de galio de zona restringida ultraancha funcional Ga2O3 y el galato de zinc ZnGa2O4 finas capas de optoelectrónica y aplicaciones electrónicas. Las tareas principales son•Desarrollar tecnología de brocha de magnetrón PVD de alta tasa de aplicación para aplicar capas finas de óxido de galio amorfo y cristalino Ga2O3 y capas delgadas ZnGa2O4. Las principales aplicaciones son: 1) Óxidos electroconductores transparentes (TCO) Deep-UV (DUV) y (2) dispositivos fluorescentes inorgánicos eficaces.•Desarrollar la tecnología de aplicación de película delgada Ga2O3 y ZnGa2O4 con MOCVD y desarrollar procesos epitaxiales de cultivo de capas finas de tipo n- y p Ga2O3 y ZnGa2O4 para aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas. El proyecto de investigación industrial propuesto será implementado por LU CFI, SIA AGL Technologies y SIA BC Corporation Limited. Este proyecto interdisciplinario consiste en la investigación en física y química (1.3, 1.4) y la ingeniería de materiales (2.5).Proyecto produkti:Jauna alta tasa de aplicación PVD magnetrón ruina tecnología para la aplicación de capas cristalinas y amorfas Ga2O3 y ZnGa2O4 finos en varios sustratos para desarrollar DUV TCOs y dispositivos fluorescentes inorgánicos eficaces (patentes, descripción de la tecnología, publicaciones científicas).Platzone epitaxial n- y p-tipo Ga2O3 y ZnGa2O4 tecnología de aplicación de película delgada con MOCVD para nuevas aplicaciones en electrónica y optoelectrónica (descripción de tecnología, publicaciones científicas).Nuevas capas amorfas a-Ga2Ox (sin alear o dotadas de RE) con propiedades eléctricas y ópticas mejoradas, descripción de la estructura atómica y propiedades fisicoquímicas utilizando métodos experimentales avanzados, y modelado por ordenador de la estructura atómica Ga2O3 y ZnGa2O4 desde los primeros principios (artículos científicos).El proyecto promoverá en gran medida la investigación de materiales avanzados en electrónica óptica basada en óxido, que, según la Guía Internacional de Semiconductores Tecnológicos (ITRS2.0), tendrá un impacto global, garantizando también la competitividad de la ciencia y la industria letonas a nivel internacional.Además del impacto en el mercado, esperamos beneficios científicos significativos derivados del uso de un enfoque interdisciplinario que combine tecnología avanzada de alta tasa de aplicación PVD y MOCVD (2.5. Ingeniería de materiales) con método teórico de química cuántica y descripción de parámetros experimentales con métodos físico-químicos (1.3 ciencias físicas, 1.4 ciencias químicas), centrándose en el modelado por ordenador Gameo y heteroestructura desde los primeros principios.El proyecto está directamente relacionado con el campo de especialización de RIS3 «materiales inteligentes, tecnologías y sistemas de ingeniería» y apoya futuras industrias de crecimiento en las que existen o podrían producirse productos y servicios de alto valor añadido. El alcance y los resultados esperados del proyecto están en consonancia con el código NACE 72.19 de la nomenclatura estadística de actividades económicas. El proyecto será ejecutado por un grupo de investigadores cualificados (11 puestos de trabajo, un total de 5,33 FLE), incluidos 2 estudiantes de 1,33 FLE (25 %) y 2 jóvenes científicos con 1,33 FLE (25 %).El proyecto está relacionado con actividades no económicas y combina investigación fundamental y aplicada. El coste total del proyecto es de 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies y 20 % SIA BC Corporation Limited), incl. 441 901 EUR (82,29 %) FEDER, 54 828 EUR (10,21 %) contribución al presupuesto del Estado y 24 165 EUR (4,5 %) otros fondos públicos. La duración del proyecto es de 30 meses (01.01.2021-30.06.2023). óxido de galio, galato de zinc, capas finas, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Spanish)
    point in time
    12 January 2022
    0 references
    Galliumoksiid Ga2O3 on nüüd üks enim uuritud materjale. Peaaegu iga materjaliteadusega seotud küsimus sisaldab artikleid galliumoksiidi kasvatamise, materjali omaduste või selle seadmete kasutamise kohta. Suur huvi on tingitud selle laia piiratud ala materjali väga paljutõotavatest omadustest elektroonilistes ja optilistes rakendustes koos suhteliselt odavate alusmaterjalidega. Viimati on näidatud, et laia tsooni spinel tsinkgallaadil ZnGa2O4 on mitmeid eeliseid galliumoksiidi suhtes, mida tuleks põhjalikumalt uurida. Selle tööstusuuringute projekti eesmärk on arendada kaasaegseid kõrge kasutusmääraga PVD magnetroni tolmutamise ja MOCVD tehnoloogiaid, et rakendada funktsionaalset ülilai kitsendustega tsooni galliumoksiidi GaO3 ja tsinkgalaati ZnGa2O4 õhukest kihti ja optilise elektroonika rakendusi. Peamised ülesanded on:• Arendada kiire PVD magnetron tolmu tehnoloogia rakendada puhas ja legeeritud (p-tüüpi õõnsad ja RE) amorfne ja kristalliline galliumoksiid Ga2O3 õhukesed lehed ja ZnGa2O4 õhukesed lehed. Peamised rakendused on (1) sügav-UV (DUV) läbipaistvad elektrojuhtivad oksiidid (TCO) ja (2) tõhusad anorgaanilised fluorestseerivad seadmed.• Arendada Ga2O3 ja ZnGa2O4 õhukese kile katmise tehnoloogiat MOCVD-ga ning arendada epitaksiaalseid n- ja p-tüüpi Ga2O3 ja ZnGa2O4 õhukeste õhukeste kihtide katmise protsesse MOCVD-ga ning arendada epitaksiaalse n- ja p-tüüpi Ga2O3 ja ZnGa2O4 õhukese kihi katmise protsesse MOCVD-ga. ja arendada epitaksiaalse n- ja p-tüüpi Ga2O3 ja ZnGa2O4 õhukese kihi katmine protsessid MOCVD ja tööstuslikud lahendused SIA BOOO. See interdistsiplinaarne projekt koosneb uuringutest füüsika- ja keemiateadustes (1.3, 1.4.) ja materjalitehnikas (2.5).Projekt products:New kiire PVD magnetroni tolmutamise tehnoloogia kristallilise ja amorfse Ga2O3 ja ZnGa2O-Mine-Moderal Promote’iga, optilised rakendused erinevate jalajälgede arendamiseks DUV TCO-de ja tõhusate mittemahepõllumajanduslike helendavate seadmete arendamiseks, ja ZnGO suunas majutavad tehnoloogiad, kirjeldus Motho ja tehnoloogia arendada DUV TCOs ja tõhusad mittemahepõllumajanduslikud helendavad seadmed, ja ZNG teaduslikud kirjeldused, kirjeldus tehnoloogia Motho. Materjalide insener) koos teoreetilise meetodi kvantkeemia ja kirjeldus eksperimentaalsed parameetrid füüsikalis-keemiliste meetoditega (1.3 füüsikateadused, 1.4 keemiateadused), keskendudes arvuti modelleerimine Gameo ja heterostruktuure esimestest põhimõtetest.Projekt on otseselt seotud RIS3 spetsialiseerumise valdkonnas Smart Materials, Technologies and Engineering Systems ja toetab tulevasi kasvusektoreid, kus kõrge lisandväärtusega tooted ja teenused on olemas või võiks arendada. Projekti ulatus ja oodatavad tulemused vastavad majanduse tegevusalade statistilise klassifikaatori NACE 72.19-le. Projekti viib ellu rühm kvalifitseeritud teadlasi (11 töökohta, kokku 5,33 PLE), sealhulgas 2 tudengit 1,33 täistööajale taandatud töötajat (25 %) ja 2 noorteadlaste ametikohta 1,33 FLE (25 %). Projekt on seotud mittemajandusliku tegevusega ning selles on ühendatud alus- ja rakendusuuringud. Projekti kogumaksumus on 537004 eurot (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies ja 20 % SIA BC Corporation Limited), sealhulgas: 441901 eurot (82,29 %) ERFist, 54828 eurot (10,21 %) riigieelarvest ja 24165 eurot (4,5 %) muudest riiklikest vahenditest. Projekti kestus on 30 kuud (01.01.2021–30.06.2023). Galliumoksiid, tsinkgallaat, õhukesed lehed, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Estonian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Galio oksidas Ga2O3 dabar yra viena iš labiausiai tirtų medžiagų. Beveik bet koks klausimas, susijęs su medžiagų mokslu, yra straipsnių apie galio oksido auginimą, medžiagos savybes arba jos prietaisų naudojimą. Didelis susidomėjimas yra dėl labai perspektyvių savybių šio plataus riboto ploto medžiagos elektroninių ir optinių programų, kartu su santykinai nebrangių pagrindinių medžiagų. Neseniai buvo įrodyta, kad plataus zonos spinelio cinko galatas ZnGa2O4 turi keletą privalumų, palyginti su galio oksidu, kuris turėtų būti tiriamas išsamiau. Šio pramoninio tyrimo projekto tikslas yra sukurti šiuolaikines aukšto lygio PVD magnetrono dulkes ir MOCVD technologijas, kad būtų galima taikyti funkcines ultraplačias ribojimų zonos galio oksido GaO3 ir cinko galato ZnGa2O4 plonus sluoksnius ir optinės elektronikos programas. Pagrindinės užduotys yra:•Parengti didelės spartos PVD magnetrono dulkinimo technologiją, kad būtų galima naudoti švarius ir legiruotus (p tipo tuščiavidurius ir RE) amorfinius ir kristalinius galio oksido Ga2O3 lakštus ir ZnGa2O4 plonus lakštus. Pagrindinės programos yra 1) giliai-UV (DUV) skaidrūs elektrolaidieji oksidai (TCO) ir (2) veiksmingi neorganiniai fluorescenciniai prietaisai.•Develop Ga2O3 ir ZnGa2O4 plonos plėvelės dengimo technologija su MOCVD ir sukurti epitaksinį n- ir p-tipo Ga2O3 ir ZnGa2O4 plonų sluoksnių technologiją su MOCVD ir sukurti epitaksinį n- ir p-tipo Ga2O3 ir ZnGa2O4 plono sluoksnio dengimo procesus MOCVD ir plėtoti epitaksinius n- ir p-tipo Ga2O3 ir ZnGa2O4 plono sluoksnio dengimo procesus su MOCVD ir pramoniniais SIA BOOO sprendimais. Šis tarpdisciplininis projektas susideda iš fizikos ir chemijos mokslų (1.3, 1.4.) ir medžiagų inžinerijos (2.5) studijų.Projektas products:New didelės spartos PVD magnetrono dulkinimo technologija su kristaliniu ir amorfiniu Ga2O3 ir ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Optiniais pritaikymais skirtingiems pėdsakams kurti DUV TCO ir efektyvius neorganinius šviesos prietaisus, ir „ZnGO“ pritaikant technologijas, „Motho“ ir technologijos, skirtos DUV TCO ir efektyviems neorganiniams šviesos prietaisams kurti, aprašymas ir ZNG mokslinės specifikacijos, technologijos aprašymas su „Motho“. Medžiagų inžinerija) su teoriniu kvantinės chemijos metodu ir eksperimentinių parametrų aprašymu naudojant fizinius ir cheminius metodus (1.3 fizikos mokslai, 1,4 chemijos mokslai), daugiausia dėmesio skiriant „Gameo“ kompiuteriniam modeliavimui ir heterostruktūroms iš pirmųjų principų. Projektas yra tiesiogiai susijęs su RIS3 specializacijos sritimi „Pažangios medžiagos, technologijos ir inžinerinės sistemos“ ir remia ateities augimo sektorius, kuriuose yra arba galėtų būti kuriami didelės pridėtinės vertės produktai ir paslaugos. Projekto apimtis ir laukiami rezultatai atitinka statistinio ekonominės veiklos rūšių klasifikatoriaus NACE 72.19 kodą. Projektą įgyvendins kvalifikuotų mokslininkų grupė (11 darbo vietų, iš viso 5,33 PLE), įskaitant 2 studentus 1.33 etato ekvivalentais (25 %) ir 2 jaunus mokslininkus 1.33 FLE (25 %). Projektas yra susijęs su neekonomine veikla ir apima fundamentinius ir taikomuosius mokslinius tyrimus. Bendros projekto išlaidos yra 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies ir 20 % SIA BC Corporation Limited), įskaitant: 441 901 EUR (82,29 proc.) ERPF, 54 828 EUR (10,21 proc.) nacionalinio biudžeto įnašas ir 24 165 EUR (4,5 proc.) kitas viešasis finansavimas. Projekto trukmė – 30 mėnesių (2021 01 01–2023 06 30). Galio oksidas, cinko galatas, ploni lakštai, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Lithuanian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Galijev oksid Ga2O3 je sada jedan od najistraživanijih materijala. Gotovo svako pitanje koje se odnosi na znanost o materijalima sadrži članke o uzgoju galijevog oksida, svojstvima materijala ili korištenju njegovih aparata. Veliki interes je zbog iznimno obećavajućih svojstava ovog širokog materijala ograničenog područja u elektroničkim i optičkim primjenama, zajedno s relativno jeftinim osnovnim materijalima. Nedavno je dokazano da široka zona spinel cink gallate ZnGa2O4 ima nekoliko prednosti nad galijev oksid koji treba proučavati u većoj dubini. Cilj ovog industrijskog istraživačkog projekta je razviti moderne visoke stope primjene PVD magnetron prašine i MOCVD tehnologije za primjenu funkcionalnih ultra široka zona galij oksid GaO3 i cink gallate ZnGa2O4 tankih slojeva i primjene optičke elektronike. Glavni zadaci su:• Razviti tehnologiju PVD magnetrona za prašinu velike brzine za primjenu čistih i legiranih (p-tipa šupljina i RE) amorfnih i kristalnih galij oksida Ga2O3 tankih listova i ZnGa2O4 tankih listova. Glavne primjene su (1) dubinski UV (DUV) prozirni elektrovodljivi oksidi (TCOs) i (2) učinkoviti anorganski fluorescentni uređaji.• Razviti tehnologiju tankih slojeva Ga2O3 i ZnGa2O4 s MOCVD-om i razviti epitaksijalne n- i p-tipove Ga2O3 i ZnGa2O4 tanke slojeve s MOCVD-om i razviti epitaksijalne n- i p-tipove Ga2O3 i ZnGa2O4 tankih slojeva s MOCVD-om i razviti epitaksijalne procese premaza n- i p-tip Ga2O3 i ZnGa2O4 tankoslojni postupci premaza s MOCVD-om i industrijskim rješenjima za SIA BOOO. Ovaj interdisciplinarni projekt sastoji se od studija iz fizike i kemije znanosti (1.3, 1.4.) i inženjeringa materijala (2.5).Projekt products:New tehnologija za prašinu PVD magnetrona visoke brzine s kristalnom i amorfnom Ga2O3 i ZnGa2O-Mine-moderal Promote, Optical Applications on different Footprints to development DUV TCOs i učinkoviti neorganski svjetlosni uređaji, i ZnGO u smjeru prilagodljivih tehnologija, opis Motho i tehnologije za razvoj DUV TCO-a i učinkovitih neorganskih svjetlosnih uređaja i ZNG-ovih znanstvenih specifikacija, opis tehnologije s Mothom. Inženjerstvo materijala) s teoretskom metodom kvantne kemije i opisom eksperimentalnih parametara fizikalno-kemijskim metodama (1,3 fizikalne znanosti, 1.4 kemijske znanosti), fokusirajući se na računalno modeliranje Gameo i heterostruktura iz prvih principa. Projekt je izravno povezan s područjem specijalizacije RIS3 Smart Materials, Technologies and Engineering Systems i podržava buduće sektore rasta u kojima postoje ili bi se mogli razviti proizvodi i usluge visoke dodane vrijednosti. Opseg projekta i očekivani rezultati odgovaraju NACE 72.19 statističke klasifikacije ekonomskih djelatnosti.Projekt će provoditi skupina kvalificiranih istraživača (11 radnih mjesta, ukupno 5.33 PLE), uključujući 2 studenata 1,33 EPRV (25 %) i 2 mlada znanstvenika pozicije 1.33 FLE (25 %). Projekt je povezan s negospodarskim aktivnostima i kombinira temeljna i primijenjena istraživanja. Ukupni trošak projekta iznosi 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies i 20 % SIA BC Corporation Limited), uključujući: 441 901 EUR (82,29 %) EFRR-a, 54 828 EUR (10,21 %) nacionalnog proračuna i 24 165 EUR (4,5 %) ostalih javnih sredstava. Trajanje projekta je 30 mjeseci (01.01.2021. – 30.06.2023.). Galijev oksid, cinkov galat, tanki listovi, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Croatian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Το οξείδιο του γαλλίου Ga2O3 είναι πλέον ένα από τα πιο ερευνητικά υλικά. Σχεδόν κάθε θέμα που σχετίζεται με την επιστήμη των υλικών περιέχει άρθρα σχετικά με την καλλιέργεια του οξειδίου του γαλλίου, τις ιδιότητες του υλικού, ή τη χρήση των συσκευών του. Το μεγάλο ενδιαφέρον οφείλεται στις εξαιρετικά ελπιδοφόρες ιδιότητες αυτού του ευρέως περιορισμένου υλικού σε ηλεκτρονικές και οπτικές εφαρμογές, μαζί με σχετικά φθηνά βασικά υλικά. Πιο πρόσφατα, έχει αποδειχθεί ότι το γαλλικό ZnGa2O4 ψευδαργύρου ευρείας ζώνης έχει διάφορα πλεονεκτήματα πέρα από το οξείδιο του γάλλιου που πρέπει να μελετηθεί σε μεγαλύτερο βάθος. Ο στόχος αυτού του βιομηχανικού ερευνητικού προγράμματος είναι να αναπτύξει τις σύγχρονες τεχνολογίες σκόνης PVD magnetron ποσοστού εφαρμογής και MOCVD για να εφαρμόσει λειτουργικά εξαιρετικά απαγορευμένα οξείδιο γάλλιου GaO3 και γαλλικό ψευδάργυρο ZnGa2O4 λεπτά στρώματα και εφαρμογές της οπτικής ηλεκτρονικής. Τα κύρια καθήκοντα είναι:• Αναπτύξτε υψηλής ταχύτητας τεχνολογία σκόνης μαγνητών PVD για την εφαρμογή καθαρών και κραματοποιημένων κοίλων (π-τύπων κοίλων και RE) άμορφων και κρυσταλλικών οξειδίων του γαλλίου Ga2O3 λεπτά φύλλα και ZnGa2O4 λεπτά φύλλα. Οι κύριες εφαρμογές είναι (1) βαθιά-UV (DUV) διαφανή ηλεκτροαγώγιμα οξείδια (TCOs) και (2) αποτελεσματικές ανόργανες φθορίζουσες συσκευές.•Ανάπτυξε Ga2O3 και ZnGa2O4 τεχνολογία επίστρωσης λεπτής μεμβράνης με MOCVD και αναπτύσσει επιταξιακές n- και p-τύπου Ga2O3 και ZnGa2O4 λεπτές στρώσεις τεχνολογίας με MOCVD και αναπτύσσουν επταξικές διεργασίες επίστρωσης λεπτού στρώματος τύπου Ga2O3 και ZnGa2O4 με MOCVD και ανάπτυξη επιταξιακών διεργασιών επίστρωσης λεπτού στρώματος n- και p τύπου Ga2O3 και ZnGa2O4 με MOCVD και βιομηχανικές λύσεις για το SIA BOOO. Αυτό το διεπιστημονικό έργο αποτελείται από μελέτες στις επιστήμες της φυσικής και της χημείας (1.3, 1.4.) και της μηχανικής υλικών (2.5).Σχέδιο products:New υψηλής ταχύτητας τεχνολογία σκόνης μαγνήτρου PVD με κρυσταλλική και άμορφη Ga2O3 και ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Οπτικές Εφαρμογές σε διαφορετικά αποτυπώματα για την ανάπτυξη DUV TCOs και αποτελεσματικές μη οργανικές φωτεινές συσκευές, και ZnGO προς την κατεύθυνση των τεχνολογιών υποδοχής, την περιγραφή του Motho και την τεχνολογία για την ανάπτυξη των TCO DUV και αποτελεσματικών μη οργανικών φωτεινών συσκευών, καθώς και τις επιστημονικές προδιαγραφές της ZNG, την περιγραφή της τεχνολογίας με το Motho. Μηχανική υλικών) με θεωρητική μέθοδο κβαντικής χημείας και περιγραφή των πειραματικών παραμέτρων με φυσικοχημικές μεθόδους (1.3 φυσικές επιστήμες, 1.4 χημικές επιστήμες), εστιάζοντας στη μοντελοποίηση υπολογιστών του Gameo και των ετεροδομών από τις πρώτες αρχές.Το έργο συνδέεται άμεσα με τον τομέα εξειδίκευσης RIS3 Smart Materials, Technologies and Engineering Systems και υποστηρίζει μελλοντικούς τομείς ανάπτυξης όπου υπάρχουν ή θα μπορούσαν να αναπτυχθούν προϊόντα και υπηρεσίες υψηλής προστιθέμενης αξίας. Το πεδίο εφαρμογής του έργου και τα αναμενόμενα αποτελέσματα αντιστοιχούν στη NACE 72.19 της στατιστικής ταξινόμησης των οικονομικών δραστηριοτήτων. Το έργο θα υλοποιηθεί από ομάδα ειδικευμένων ερευνητών (11 θέσεις εργασίας, σύνολο 5.33 PLE), συμπεριλαμβανομένων 2 φοιτητών 1.33 ΙΠΑ (25 %) και 2 νέων επιστημόνων 1.33 FLE (25 %). Το έργο σχετίζεται με μη οικονομικές δραστηριότητες και συνδυάζει βασική και εφαρμοσμένη έρευνα. Το συνολικό κόστος του έργου ανέρχεται σε 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies και 20 % SIA BC Corporation Limited), συμπεριλαμβανομένων: 441 901 EUR (82,29 %) ΕΤΠΑ, 54 828 EUR (10,21 %) συνεισφορά του εθνικού προϋπολογισμού και 24 165 EUR (4,5 %) άλλη δημόσια χρηματοδότηση. Η διάρκεια του έργου είναι 30 μήνες (01.01.2021-30.06.2023). Οξείδιο του γαλλίου, γαλλικός ψευδάργυρος, λεπτά φύλλα, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Greek)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Oxid gália Ga2O3 je teraz jedným z najviac skúmaných materiálov. Takmer akýkoľvek problém súvisiaci s vedou o materiáloch obsahuje články o kultivácii oxidu gália, vlastnosti materiálu alebo použitie jeho spotrebičov. Veľký záujem je spôsobený mimoriadne sľubnými vlastnosťami tohto široko obmedzeného materiálu v elektronických a optických aplikáciách spolu s relatívne lacnými základnými materiálmi. V poslednej dobe sa ukázalo, že širokozónový spinelový galát zinočnatý ZnGa2O4 má niekoľko výhod oproti oxidu gália, ktorý by mal byť študovaný vo väčšej hĺbke. Cieľom tohto priemyselného výskumného projektu je vyvinúť moderné vysoké aplikačné rýchlosti PVD magnetron poprašovanie a MOCVD technológie aplikovať funkčné ultra-široká zakázaná zóna oxidu gália GaO3 a zinočnatý galát ZnGa2O4 tenké vrstvy a aplikácie optickej elektroniky. Hlavnými úlohami sú:•Vyvinúť vysokorýchlostnú technológiu PVD magnetronového prachu na aplikáciu čistých a legovaných (p-typov a RE) amorfných a kryštalických oxidov gália Ga2O3 tenkých plechov a tenkých plechov ZnGa2O4. Hlavnými aplikáciami sú (1) hlboké UV (DUV) transparentné elektrovodivé oxidy (TCO) a (2) účinné anorganické fluorescenčné zariadenia.• Rozvoj technológie tenkej vrstvy Ga2O3 a ZnGa2O4 s MOCVD a vývoj epitaxiálnych n- a p-typov Ga2O3 a ZnGa2O4 technológie tenkých tenkých vrstiev s MOCVD a vývoj epitaxiálnych n- a p-typov Ga2O3 a ZnGa2O4 tenkých vrstiev s MOCVD a vyvinúť epitaxiálne n- a p-typ Ga2O3 a ZnGa2O4 tenkovrstvové poťahovacie procesy s MOCVD a priemyselnými riešeniami pre SIA BOOO. Tento interdisciplinárny projekt pozostáva zo štúdií fyziky a chémie (1.3, 1.4.) a materiálového inžinierstva (2.5).Projekt products:New vysokorýchlostná technológia PVD magnetrónového prachu s kryštalickým a amorfným Ga2O3 a ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, optickými aplikáciami na rôznych stopách na vývoj DUV TCO a účinných neekologických svetelných zariadení, a ZnGO smerom k ústretovým technológiám, opisu Motho a technológie na vývoj DUV TCO a efektívnych neekologických svetelných zariadení, a vedecké špecifikácie ZNG, opis technológie s Motho. Materiálové inžinierstvo) s teoretickou metódou kvantovej chémie a popisom experimentálnych parametrov fyzikálno-chemickými metódami (1,3 fyzikálnych vied, 1.4 chemických vied), so zameraním na počítačové modelovanie Gameo a heteroštruktúry z prvých princípov. Projekt priamo súvisí s oblasťou špecializácie RIS3 Inteligentné materiály, technológie a inžinierske systémy a podporuje budúce rastové odvetvia, v ktorých existujú alebo by sa mohli vyvinúť produkty a služby s vysokou pridanou hodnotou. Rozsah projektu a očakávané výsledky zodpovedajú NACE 72.19 štatistickej klasifikácie ekonomických činností. Projekt bude realizovať skupina kvalifikovaných výskumných pracovníkov (11 pracovných miest, spolu 5,33 PLE), z toho 2 študenti 1,33 FTE (25 %) a 2 mladí vedci na pozíciách 1,33 FLE (25 %). Projekt súvisí s nehospodárskymi činnosťami a kombinuje základný a aplikovaný výskum. Celkové náklady na projekt sú 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies a 20 % SIA BC Corporation Limited) vrátane: 441 901 EUR (82,29 %) EFRR, 54 828 EUR (10,21 %) príspevok zo štátneho rozpočtu a 24 165 EUR (4,5 %) iné verejné financovanie. Trvanie projektu je 30 mesiacov (01.01.2021 – 30.06.2023). Oxid gálnatý, galát zinočnatý, tenké plechy, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Slovak)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Galliumoksidi Ga2O3 on nyt yksi tutkituimmista materiaaleista. Lähes mikä tahansa materiaalitieteeseen liittyvä kysymys sisältää artikkeleita galliumoksidin viljelystä, materiaalin ominaisuuksista tai sen laitteiden käytöstä. Suuri kiinnostus johtuu tämän laajan rajoitetun alueen materiaalin erittäin lupaavista ominaisuuksista elektronisissa ja optisissa sovelluksissa sekä suhteellisen edullisista perusmateriaaleista. Viimeksi on osoitettu, että laaja vyöhykkeen spinellisinkkigallaatti ZnGa2O4 on useita etuja verrattuna galliumoksidia, jota olisi tutkittava perusteellisemmin.Tällä teollisella tutkimushankkeella on tarkoitus kehittää nykyaikainen korkea levitysnopeus PVD magnetron pölytys ja MOCVD-tekniikat toiminnallisen ultralaajarajoitusalueen galliumoksidi GaO3: n ja sinkkigallaatin ZnGa2O4 ohuiden kerrosten ja optisen elektroniikan sovellusten soveltamiseksi. Tärkeimmät tehtävät ovat: • Kehitä nopea PVD magnetron pölytys tekniikka soveltaa puhtaita ja seostettu (p-tyyppinen ontot ja RE) amorfinen ja kiteinen galliumoksidi Ga2O3 ohuet levyt ja ZnGa2O4 ohut arkkia. Tärkeimmät sovellukset ovat (1) syvä-UV (DUV) läpinäkyvät elektrojohtavat oksidit (TCO) ja 2) tehokkaat epäorgaaniset fluoresoivat laitteet. • Kehitä Ga2O3 ja ZnGa2O4 ohutkalvopinnoitetekniikka MOCVD: llä ja kehitä epitaksiaalinen n- ja p-tyyppi Ga2O3 ja p-tyyppi Ga2O3 ja ZnGa2O4 ohut ohut kerros tekniikka MOCVD: llä ja kehittää epitaksiaalinen n- ja p-tyyppi Ga2O3 ja ZnGa2O4 ohut kerros pinnoite prosessit MOCVD ja kehittää epitaksiaalinen n- ja p-tyypin Ga2O3 ja ZnGa2O4 ohut kerros pinnoite prosessit MOCVD ja teollisuuden ratkaisuja SIA BOOO. Tämä poikkitieteellinen hanke koostuu fysiikan ja kemian alan opinnoista (1.3, 1.4.) ja materiaalitekniikasta (2.5).Projekti products:New nopea PVD magnetron pölytystekniikka kiteinen ja amorfinen Ga2O3 ja ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Optiset sovellukset eri jalanjälkien kehittämiseksi DUV TCOs ja tehokkaat ei-orgaaniset valovoimalaitteet, ja ZnGO mukautuvan teknologian suuntaan, kuvaus Motosta ja teknologia DUV TCO:iden ja tehokkaiden ei-orgaanisten valovoimalaitteiden kehittämiseksi sekä ZNG:n tieteelliset eritelmät, kuvaus teknologiasta Mothossa. Materiaalitekniikka) teoreettisella kvanttikemian menetelmällä ja kokeellisten parametrien kuvauksella fysikaalis-kemiallisilla menetelmillä (1.3 fysiikkatieteet, 1.4 kemiantieteet), keskitytään Gameon tietokonemallinnukseen ja heterostruktuureihin ensimmäisistä periaatteista. Hanke liittyy suoraan RIS3:n erikoistumisalaan Älykkäät materiaalit, teknologiat ja tekniset järjestelmät ja tukee tulevia kasvualoja, joilla on olemassa tai voitaisiin kehittää korkean lisäarvon tuotteita ja palveluja. Hankkeen laajuus ja odotetut tulokset vastaavat tilastollisen toimialaluokituksen NACE 72.19:ää. Hankkeen toteutuksesta vastaa joukko päteviä tutkijoita (11 työpaikkaa, yhteensä 5,33 PLE), mukaan lukien 2 opiskelijaa 1,33 kokoaikavastaavaa (25 %) ja 2 nuoren tutkijan paikkaa 1,33 FLE (25 %). Hanke liittyy muuhun kuin taloudelliseen toimintaan, ja siinä yhdistyvät perustutkimus ja soveltava tutkimus. Hankkeen kokonaiskustannukset ovat 537004 euroa (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies ja 20 % SIA BC Corporation Limited), mukaan lukien: 441901 euroa (82,29 prosenttia) EAKR:sta, 54828 euroa (10,21 prosenttia) kansallisesta talousarviosta ja 24165 euroa (4,5 prosenttia) muuta julkista rahoitusta. Hankkeen kesto on 30 kuukautta (01.1.2021–30.6.2023). Galliumoksidi, sinkkigallaatti, ohut levyt, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Finnish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Tlenek galu Ga2O3 jest obecnie jednym z najbardziej badanych materiałów. Prawie każda kwestia związana z nauką materiałową zawiera artykuły dotyczące uprawy tlenku galu, właściwości materiału lub wykorzystania jego urządzeń. Duże zainteresowanie wynika z niezwykle obiecujących właściwości tego szerokiego ograniczonego materiału w zastosowaniach elektronicznych i optycznych, wraz ze stosunkowo tanimi materiałami bazowymi. Ostatnio wykazano, że szerokostrefowy galan cynku spinelowego ZnGa2O4 ma kilka zalet w stosunku do tlenku galu, który należy zbadać na większej głębokości. Celem tego przemysłowego projektu badawczego jest opracowanie nowoczesnych technologii pylania magnetronowego PVD o wysokiej szybkości i technologii MOCVD w celu zastosowania funkcjonalnych ultra-szerokiej strefy zamkniętej tlenku galu GaO3 i galanu cynku ZnGa2O4 cienkich warstw i zastosowań elektroniki optycznej. Główne zadania to: • Rozwijanie szybkich technologii odpylania magnetronowego PVD w celu stosowania czystych i stopowych (p-typ pustych i RE) amorficznych i krystalicznych tlenku galu Ga2O3 cienkich arkuszy i cienkich arkuszy ZnGa2O4. Główne zastosowania to (1) Deep-UV (DUV) przezroczyste tlenki elektroprzewodzące (TCO) i (2) skuteczne nieorganiczne urządzenia fluorescencyjne. • Rozwijanie technologii cienkich warstw Ga2O3 i ZnGa2O4 z MOCVD oraz opracowanie epitaksjalnego n- i p-typu Ga2O3 i ZnGa2O4 technologii cienkich warstw z MOCVD i opracowanie epitaksjalnych n- i p-typu Ga2O3 i ZnGa2O4 procesów cienkich warstw z MOCVD i opracowanie procesów powlekania cienkowarstwowego n- i p typu Ga2O3 i ZnGa2O4 z MOCVD i rozwiązaniami przemysłowymi dla SIA BOOO. Ten międzydyscyplinarny projekt składa się z badań fizyki i chemii (1.3, 1.4.) i inżynierii materiałowej (2.5).Projekt products:New Szybka technologia zapylania magnetronowego PVD z krystalicznym i amorficznym Ga2O3 i ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Optical Applications on Different Footprints w celu opracowania TCO DUV i skutecznych nieekologicznych urządzeń świetlnych, i ZnGO w kierunku przystosowania technologii, opisu Motho i technologii rozwoju TCO DUV i skutecznych nieekologicznych urządzeń świetlnych, a także specyfikacji naukowych ZNG, opisu technologii z Motho. Inżynieria materiałowa) z teoretyczną metodą chemii kwantowej i opisem parametrów eksperymentalnych metodami fizykochemicznymi (1.3 nauk fizycznych, 1.4 nauk chemicznych), koncentrując się na modelowaniu komputerowym Gameo i heterostruktur z pierwszych zasad. Projekt jest bezpośrednio związany z dziedziną specjalizacji RIS3 Inteligentne materiały, technologie i systemy inżynieryjne i wspiera przyszłe sektory wzrostu, w których istnieją lub mogą zostać opracowane produkty i usługi o wysokiej wartości dodanej. Zakres i oczekiwane wyniki projektu odpowiadają klasyfikacji statystycznej działalności gospodarczej NACE 72.19. Projekt będzie realizowany przez grupę wykwalifikowanych naukowców (11 miejsc pracy, łącznie 5.33 PLE), w tym 2 studentów 1,33 EPC (25 %) i 2 młodych naukowców 1.33 FLE (25 %). Projekt jest związany z działalnością niegospodarczą i łączy w sobie badania podstawowe i stosowane. Całkowity koszt projektu wynosi 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies i 20 % SIA BC Corporation Limited), w tym: 441 901 EUR (82,29 %) z EFRR, 54 828 EUR (10,21 %) wkład z budżetu krajowego i 24 165 EUR (4,5 %) inne środki publiczne. Czas trwania projektu wynosi 30 miesięcy (01.01.2021-30.06.2023). Tlenek galu, galan cynku, cienkie arkusze, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Polish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    A gallium-oxid Ga2O3 jelenleg az egyik leginkább kutatott anyag. Szinte minden anyagtudományhoz kapcsolódó kérdés tartalmaz cikkeket a gallium-oxid termesztéséről, az anyag tulajdonságairól vagy készülékeinek használatáról. A nagy érdeklődés ennek a széles, korlátozott területű anyagnak az elektronikus és optikai alkalmazásokban való rendkívül ígéretes tulajdonságainak köszönhető, valamint a viszonylag olcsó alapanyagoknak. A közelmúltban kimutatták, hogy a széles zónás gerinc-cink-gallát ZnGa2O4 számos előnnyel rendelkezik a gallium-oxiddal szemben, amelyet mélyebben kell tanulmányozni. Ennek az ipari kutatási projektnek az a célja, hogy modern, nagy alkalmazási arányú PVD magnetron porzást és MOCVD technológiákat fejlesszen ki a funkcionális ultra-széleskörű gallium-oxid GaO3 és cink-gallát ZnGa2O4 vékony rétegek és optikai elektronika alkalmazásaihoz. A fő feladatok a következők: • Nagy sebességű PVD magnetron porozási technológia kifejlesztése tiszta és ötvözött (p-típusú üreges és RE) amorf és kristályos gallium-oxid Ga2O3 vékony lemezek és ZnGa2O4 vékony lemezek alkalmazásához. A fő alkalmazások (1) mély UV (DUV) átlátszó elektrovezető oxidok (TCO-k) és (2) hatékony szervetlen fluoreszkáló eszközök.•G2O3 és ZnGa2O4 vékonyréteg bevonat technológia fejlesztése MOCVD-vel, és epitaxiális n- és p-típusú Ga2O3 és ZnGa2O4 vékony vékony rétegek technológiája MOCVD-vel, és epitaxiális n- és p-típusú Ga2O3 és ZnGa2O4 vékonyréteg bevonati folyamatok fejlesztése MOCVD-vel és fejlesszék az epitaxiális n- és p-típusú Ga2O3 és ZnGa2O4 vékony rétegbevonási folyamatokat MOCVD-vel és ipari megoldásokkal a SIA BOOO-hoz. Ez a cross-diszciplináris projekt a fizika és kémia tudományok (1.3, 1.4.) és az anyagmérnöki (2.5.) tanulmányokból áll. Projekt products:New Nagy sebességű PVD magnetron porzási technológia kristályos és amorf Ga2O3 és ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Optikai alkalmazások különböző lábnyomok fejlesztésére DUV TCO-k és hatékony nem szerves világító eszközök, és a ZnGO az alkalmazkodó technológiák irányába, a Motho leírása és a DUV TCO-k és a hatékony nem ökológiai világítóeszközök kifejlesztésének technológiája, valamint a ZNG tudományos specifikációi, a technológia leírása a Motho-val. Anyagmérnöki) elméleti kvantum kémia módszer és leírása kísérleti paraméterek fizikai-kémiai módszerekkel (1,3 fizikai tudományok, 1,4 kémiai tudományok), összpontosítva számítógépes modellezése Gameo és heterostruktúra az első elvek.A projekt közvetlenül kapcsolódik a RIS3 szakosodási terület intelligens anyagok, technológiák és mérnöki rendszerek és támogatja a jövőbeli növekedési ágazatok, ahol magas hozzáadott értékű termékek és szolgáltatások léteznek, vagy lehetne fejleszteni. A projekt hatóköre és várt eredményei megfelelnek a gazdasági tevékenységek statisztikai osztályozása NACE 72.19-ének.A projektet szakképzett kutatókból álló csoport (11 állás, összesen 5,33 PLE) hajtja végre, köztük 2 hallgató 1,33 teljes munkaidős egyenérték (25%) és 2 fiatal tudós 1,33 FLE (25%). A projekt nem gazdasági tevékenységekhez kapcsolódik, és ötvözi az alapkutatást és az alkalmazott kutatást. A projekt összköltsége 537 004 EUR (60% ISSP LU, 20% SIA AGL Technologies és 20% SIA BC Corporation Limited), beleértve a következőket: 441 901 EUR (82,29%) ERFA, 54 828 EUR (10,21%) nemzeti költségvetési hozzájárulás és 24 165 EUR (4,5%) egyéb közfinanszírozás. A projekt időtartama 30 hónap (2021.1.01–30.06.2023). Gallium-oxid, cink-gallát, vékony lemezek, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Hungarian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Oxid galnatý Ga2O3 je nyní jedním z nejvíce zkoumaných materiálů. Téměř jakýkoli problém související s vědou o materiálech obsahuje články o pěstování oxidu galia, vlastnostech materiálu nebo použití jeho spotřebičů. Velký zájem je dán mimořádně slibnými vlastnostmi tohoto širokého omezeného prostoru materiálu v elektronických a optických aplikacích, spolu s relativně levnými základními materiály. V poslední době bylo prokázáno, že širokopásmový spinel zinečnatý galát ZnGa2O4 má několik výhod oproti oxidu galličitému, které by měly být studovány ve větší hloubce.Cílem tohoto průmyslového výzkumu je vyvinout moderní vysoce aplikační PVD magnetronové poprašování a MOCVD technologie aplikovat funkční ultraširokopásmový oxid gallium GaO3 a zinečnatý galát ZnGa2O4 tenké vrstvy a aplikace optické elektroniky. Hlavními úkoly jsou:•Rozvíjet vysokorychlostní technologii PVD magnetronového poprašování pro aplikaci čistých a legovaných (p-dut a RE) amorfních a krystalických oxidů galia Ga2O3 tenkých plechů a tenkých plechů ZnGa2O4. Hlavní aplikace jsou (1) hluboké UV (DUV) průhledné elektrovodivé oxidy (TCO) a (2) účinné anorganické fluorescenční zařízení.•Vyvíjejte technologie tenkých vrstev Ga2O3 a ZnGa2O4 s MOCVD a vyvíjejí epitaxiální n- a p-typ Ga2O3 a ZnGa2O4 tenké vrstvy technologie s MOCVD a vyvinout epitaxiální n- a p-typ Ga2O3 a ZnGa2O4 tenké vrstvy procesy s MOCVD a vyvinout epitaxiální n- a p-typ Ga2O3 a ZnGa2O4 tenké povlakovací procesy s MOCVD a průmyslová řešení pro SIA BOOO. Tento mezioborový projekt se skládá ze studií fyziky a chemie (1.3, 1.4.) a materiálového inženýrství (2.5).Projekt products:New vysokorychlostní technologie PVD magnetronového poprašování s krystalickou a amorfní Ga2O3 a ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, optické aplikace na různých stopách pro vývoj DUV TCO a efektivních neorganických světelných zařízení, a ZnGO ve směru vstřícných technologií, popis Motho a technologie vývoje DUV TCO a účinných neorganických světelných zařízení, a vědecké specifikace ZNG, popis technologie s Motho. Materiálové inženýrství) s teoretickou metodou kvantové chemie a popisem experimentálních parametrů fyzikálně-chemickými metodami (1,3 fyzikálních věd, 1,4 chemické vědy), se zaměřením na počítačové modelování Gameo a heterostruktur z prvních principů. Projekt přímo souvisí se specializačním oborem RIS3 Smart Materials, Technologies and Engineering Systems a podporuje budoucí růstová odvětví, kde existují nebo by mohly být vyvinuty produkty a služby s vysokou přidanou hodnotou. Rozsah a očekávané výsledky projektu odpovídají NACE 72.19 statistické klasifikace ekonomických činností. Projekt bude realizován skupinou kvalifikovaných výzkumných pracovníků (11 pracovních míst, celkem 5,33 PLE), včetně 2 studentů 1,33 FTE (25 %) a 2 pozice mladých vědců 1,33 FLE (25 %). Projekt souvisí s nehospodářskými činnostmi a kombinuje základní a aplikovaný výzkum. Celkové náklady projektu činí 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies a 20 % SIA BC Corporation Limited), včetně: 441 901 EUR (82,29 %) EFRR, 54 828 EUR (10,21 %) příspěvku z vnitrostátního rozpočtu a 24 165 EUR (4,5 %) jiných veřejných finančních prostředků. Doba trvání projektu je 30 měsíců (01.01.2021–30.06.2023). Oxid galnatý, galát zinečnatý, tenké listy, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Czech)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Tá ocsaíd Gailliam Ga2O3 anois ar cheann de na hábhair is mó taighde. Tá beagnach aon cheist a bhaineann le heolaíocht ábhar earraí ar shaothrú ocsaíd gallium, airíonna an ábhair, nó úsáid a fearais. Is é an t-ús mór mar gheall ar na hairíonna thar a bheith geallta ag an ábhar limistéar srianta leathan seo in iarratais leictreonacha agus optúla, mar aon le bunábhair réasúnta saor. Le déanaí, tá sé léirithe go bhfuil roinnt buntáistí ag ZnGa2O4 gallate since spinel crios leathan thar ocsaíd gailliam ba chóir staidéar a dhéanamh air i níos mó doimhneacht. Is iad na príomhchúraimí: • Forbairt ard-luas PVD teicneolaíocht dusting magnetron a chur i bhfeidhm glan agus alloyed (hollows P-cineál agus RE) bileoga tanaí Ga2O3 ocsaíd gallium éagruthach agus criostalach agus bileoga tanaí ZnGa2O4. Is iad na príomh-iarratais (1) ocsaídí leictreasheoltacha trédhearcacha (TCOanna) domhain-UV (DUV) agus (2) feistí fluaraiseacha neamhorgánacha éifeachtacha.• Forbairt Ga2O3 agus ZnGa2O4 teicneolaíocht sciath scannáin tanaí le MOCVD agus próisis sciath ciseal tanaí eipealuadracha n- agus p-chineál Ga2O3 agus ZnGa2O4 a fhorbairt le MOCVD agus próisis sciath ciseal tanaí n- agus p-chineál a fhorbairt le MOCVD agus próisis sciath ciseal tanaí n-agus p-cineál Ga2O3 agus ZnGa2O4 eipealuadrach a fhorbairt le MOCVD agus réitigh thionsclaíocha do SIA BOOO. Is éard atá sa tionscadal tras-dhisciplíneach seo staidéir san fhisic agus sna heolaíochtaí ceimice (1.3, 1.4.) agus innealtóireacht ábhair (2.5).Tionscadal: Teicneolaíocht dhustála maighnéadóin PVD ardluais le criostalach agus Ga2O3 agus ZnGa2O-Mine-Mine-Nua-Nua-Nua-Nua-Nua-Nua-Nua-Nua-Nua, Feidhmchláir Optúla ar Lorganna Difriúla chun TCOnna DUV agus feistí éifeachtacha lonrúil neamhorgánacha a fhorbairt, agus ZnGO i dtreo teicneolaíochtaí freastal, tuairisc ar an motho agus ar an teicneolaíocht chun TCOnna DUV agus feistí lonrúil neamhorgánacha éifeachtacha a fhorbairt, agus sonraíochtaí eolaíocha ZNG, cur síos ar an teicneolaíocht leis an motho. Innealtóireacht Ábhar) le modh teoiriciúil na ceimice candamaí agus cur síos ar pharaiméadair thurgnamhacha le modhanna fisiceimiceacha (1.3 eolaíochtaí fisiceacha, 1.4 eolaíochtaí ceimiceacha), ag díriú ar shamhaltú ríomhaireachta Gameo agus heterostructures ó na chéad phrionsabail. Freagraíonn raon feidhme agus torthaí ionchais an tionscadail do NACE 72.19 d’aicmiú staidrimh gníomhaíochtaí eacnamaíocha.Cuirfidh grúpa taighdeoirí cáilithe (11 phost, 5.33 PLE san iomlán) an tionscadal chun feidhme, lena n-áirítear 2 mhac léinn 1.33 FTE (25 %) agus 2 phost eolaithe óga 1.33 FLE (25 %). Baineann an tionscadal le gníomhaíochtaí neamheacnamaíocha agus comhcheanglaíonn sé taighde bunúsach agus taighde feidhmeach. Is é costas iomlán an tionscadail ná EUR 537004 (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies agus 20 % SIA BC Corporation Limited), lena n-áirítear: EUR 441901 (82.29 %) CFRE, EUR 54828 (10.21 %) den bhuiséad náisiúnta agus EUR 24165 (4.5 %) de chistiú poiblí eile. Maireann an tionscadal 30 mí (01.01.2021-30.06.2023). Ocsaíd gailliam, gallate since, leatháin tanaí, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Irish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Galijev oksid Ga2O3 je zdaj eden od najbolj raziskanih materialov. Skoraj vsako vprašanje, povezano z materialno znanostjo, vsebuje članke o gojenju galijevega oksida, lastnostih materiala ali uporabi njegovih aparatov. Velik interes je posledica izjemno obetavnih lastnosti tega širokega omejenega materiala v elektronskih in optičnih aplikacijah, skupaj z relativno poceni osnovnimi materiali. Nedavno je bilo dokazano, da ima širokopasovni spinel cinkov galat ZnGa2O4 več prednosti pred galijevim oksidom, ki jih je treba preučiti v večji globini. Cilj tega industrijskega raziskovalnega projekta je razviti sodobne visoke stopnje uporabe PVD magnetron prah in MOCVD tehnologije za uporabo funkcionalnih ultra-širokega območja galijevega oksida GaO3 in cinkovega galata ZnGa2O4 tankih plasti in aplikacij optične elektronike. Glavne naloge so:•Razvijte visokohitrostno tehnologijo za prah magnetronov za nanos čistih in legiranih (p-tip votlih in RE) amorfnih in kristaliničnih galijevega oksida Ga2O3 tankih listov in ZnGa2O4 tankih listov. Glavne aplikacije so (1) globoki UV (DUV) prozorni elektroprevodni oksidi (TCOs) in (2) učinkoviti anorganski fluorescenčni pripomočki.•Razviti tehnologijo tankih plasti Ga2O3 in ZnGa2O4 z MOCVD ter razviti epitaksialne n- in p-tipe Ga2O3 in ZnGa2O4 tanke tanke plasti tehnologije z MOCVD in razviti epitaksialne n- in p-vrste Ga2O3 in ZnGa2O4 tankoplastne premaze z MOCVD in razviti epitaksialne postopke premazovanja s tanko plastjo MOCVD n- in p-tip Ga2O3 in ZnGa2O4 tankoplastni postopki premazovanja z MOCVD in industrijskimi rešitvami za SIA BOOO. Ta meddisciplinarni projekt je sestavljen iz študij fizike in kemije (1.3, 1.4.) in materialnega inženiringa (2.5).Project products:New High-speed PVD magnetron prašna tehnologija s kristalinično in amorfno Ga2O3 in ZnGa2O-Mone-Moderal Promote, optične aplikacije na različnih odtisih za razvoj DUV TCO in učinkovitih neorganskih svetlobnih naprav, in ZnGO v smeri prilagodljivih tehnologij, opis Motho in tehnologije za razvoj DUV TCO in učinkovite neekološke svetlobne naprave, in ZNG znanstvene specifikacije, opis tehnologije z Motho. Inženirstvo materialov) s teoretično metodo kvantne kemije in opisom eksperimentalnih parametrov s fizikalno-kemijskimi metodami (1,3 fizikalne znanosti, 1.4 kemijske znanosti), s poudarkom na računalniškem modeliranju Gameo in heterostruktur iz prvih načel. Projekt je neposredno povezan s področjem specializacije RIS3 Pametni materiali, tehnologije in inženirski sistemi ter podpira prihodnje sektorje rasti, kjer obstajajo ali bi lahko razvili izdelke in storitve z visoko dodano vrednostjo. Obseg projekta in pričakovani rezultati ustrezajo NACE 72.19 statistične klasifikacije gospodarskih dejavnosti. Projekt bo izvajala skupina usposobljenih raziskovalcev (11 delovnih mest, skupaj 5.33 PLE), vključno z dvema študentoma 1,33 EPDČ (25 %) in dvema mestoma mladih znanstvenikov 1,33 FLE (25 %). Projekt je povezan z negospodarskimi dejavnostmi ter združuje temeljne in uporabne raziskave. Skupni stroški projekta znašajo 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies in 20 % SIA BC Corporation Limited), vključno z: 441 901 EUR (82,29 %) ESRR, 54 828 EUR (10,21 %) nacionalni proračunski prispevek in 24 165 EUR (4,5 %) druga javna sredstva. Projekt traja 30 mesecev (01.01.2021–30.06.2023). Galijev oksid, cinkov galat, tanke plošče, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Slovenian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Галиев оксид Ga2O3 сега е един от най-изследваните материали. Почти всеки въпрос, свързан с материалната наука, съдържа статии за отглеждането на галиев оксид, свойствата на материала или използването на неговите уреди. Големият интерес се дължи на изключително обещаващите свойства на този широко ограничен материал в електронни и оптични приложения, заедно с относително евтини основни материали. Съвсем наскоро е доказано, че широкозонният шпинел цинк галат ZnGa2O4 има няколко предимства пред галиев оксид, които трябва да бъдат проучени в по-голяма дълбочина.Целта на този индустриален изследователски проект е да се разработи модерна висока степен на приложение PVD магнетрон прах и MOCVD технологии за прилагане на функционални ултра-широк ограничена зона галиев оксид GaO3 и цинк галат ZnGa2O4 тънки слоеве и приложения на оптична електроника. Основните задачи са: • Разработване на високоскоростна PVD технология за запрашаване на магнетрон за прилагане на чисти и сплавени (p-тип кухини и RE) аморфни и кристални галиев оксид Ga2O3 тънки листове и ZnGa2O4 тънки листове. Основните приложения са (1) дълбоки ултравиолетови (DUV) прозрачни електропроводими оксиди (TCO) и (2) ефективни неорганични флуоресцентни устройства. • Разработване на технология за тънки слоеве Ga2O3 и ZnGa2O4 с MOCVD и разработване на епитаксиални n- и p-тип Ga2O3 и ZnGa2O4 тънки слоеве технология с MOCVD и разработване на епитаксиални n- и p-тип Ga2O3 и ZnGa2O4 тънкослойни покрития с MOCVD и разработване на епитаксиални n- и p-тип Ga2O3 и ZnGa2O4 тънкослойни покрития с MOCVD и промишлени решения за SIA BOOO. Този междудисциплинарен проект се състои от изследвания в областта на физиката и химията (1.3, 1.4.) и материално инженерство (2.5).Проект products:New високоскоростна PVD магнетронна технология за запрашаване с кристални и аморфни Ga2O3 и ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, оптични приложения за различни отпечатъци за разработване на DUV TCO и ефективни неорганични светещи устройства, и ZnGO в посока на приемане на технологии, описанието на Motho и технологията за разработване на DUV TCO и ефективни неорганични светещи устройства, както и научните спецификации на ZNG, описанието на технологията с Motho. Материално инженерство) с теоретичен метод на квантовата химия и описание на експерименталните параметри с физико-химични методи (1.3 физични науки, 1.4 химически науки), фокусирайки се върху компютърното моделиране на Gameo и хетероструктурите от първите принципи.Проектът е пряко свързан с областта на специализация на RIS3 Smart Materials, Technologies and Engineering Systems и подкрепя бъдещи сектори на растеж, в които съществуват или могат да бъдат разработени продукти и услуги с висока добавена стойност. Обхватът и очакваните резултати на проекта съответстват на NACE 72.19 от статистическата класификация на икономическите дейности. Проектът ще бъде реализиран от група квалифицирани изследователи (11 работни места, общо 5,33 PLE), в т.ч. двама студенти 1,33 ЕПРВ (25 %) и 2 млади учени 1,33 FLE (25 %). Проектът е свързан с нестопански дейности и съчетава фундаментални и приложни изследвания. Общата стойност на проекта е 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies и 20 % SIA BC Corporation Limited), включително: 441 901 EUR (82,29 %) ЕФРР, 54 828 EUR (10,21 %) принос от националния бюджет и 24 165 EUR (4,5 %) друго публично финансиране. Продължителността на проекта е 30 месеца (1.01.2021—30.6.2023 г.). Галиев оксид, цинков галат, тънки листове, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Bulgarian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Ossidu tal-gallju Ga2O3 issa huwa wieħed mill-materjali l-aktar riċerkati. Kważi kull kwistjoni relatata max-xjenza materjali fiha artikli dwar il-kultivazzjoni ta ‘ossidu tal-gallju, il-proprjetajiet tal-materjal, jew l-użu ta’ apparat tagħha. L-interess kbir huwa dovut għall-proprjetajiet estremament promettenti ta ‘dan il-materjal ta’ żona ristretta wiesgħa fl-applikazzjonijiet elettroniċi u ottiċi, flimkien ma ‘materjali bażi relattivament rħas. Aktar reċentement, intwera li l-gallat taż-żingu spinel ta ‘żona wiesgħa ZnGa2O4 għandu diversi vantaġġi fuq l-ossidu tal-gallju li għandu jiġi studjat f’aktar fond. L-għan ta ‘dan il-proġett ta’ riċerka industrijali huwa li jiżviluppa rata ta ‘applikazzjoni għolja moderna PVD magnetron trabing u teknoloġiji MOCVD biex japplikaw ossidu tal-gallju ta’ żona ristretta funzjonali GaO3 u gallat taż-żingu ZnGa2O4 saffi rqaq u applikazzjonijiet ta ‘elettronika ottika. Il-kompiti ewlenin huma:•L-iżvilupp tat-teknoloġija tat-trab PVD b’veloċità għolja biex jiġu applikati folji rqaq ta’ Ga2O3 li jkunu nodfa u illigati (p-type hollows u RE) amorfi u kristallini tal-gallju Ga2O3 u folji rqaq ZnGa2O4. L-applikazzjonijiet ewlenin huma (1) ossidi elettrokonduttivi trasparenti tal-UV (DUV) trasparenti (TCOs) u (2) tagħmir fluworexxenti inorganiku effettiv.•Jiżviluppa t-teknoloġija ta ‘saffi rqaq irqaq Ga2O3 u ZnGa2O4 ma’ MOCVD u jiżviluppa epitassjali tat-tip n u p tat-tip Ga2O3 u ZnGa2O4 teknoloġija ta ‘saffi rqaq irqaq b’MOCVD u jiżviluppaw proċessi epitassjali ta’ saff irqiq Ga2O3 u ZnGa2O4 b’MOCVD u jiżviluppaw proċessi ta ‘kisi ta’ saff irqiq b’MOCVD u ZnGa2O4 proċessi ta’ kisi ta’ saff irqiq ta’ n u tat-tip p epitassjali Ga2O3 u ZnGa2O4 b’MOCVD u soluzzjonijiet industrijali għal SIA BOOO. Dan il-proġett transdixxiplinarju jikkonsisti fi studji fil-fiżika u x-xjenzi tal-kimika (1.3, 1.4.) u l-inġinerija tal-materjal (2.5).Proġett products:New teknoloġija tat-trab PVD b’veloċità għolja b’Ga2O3 kristallin u amorfu u ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Applikazzjonijiet ottiċi fuq Impronti Differenti biex jiġu żviluppati TCOs DUV u tagħmir luminuż effettiv mhux organiku, u ZnGO fid-direzzjoni tat-teknoloġiji li jakkomodaw, id-deskrizzjoni tal-Motho u t-teknoloġija biex jiġu żviluppati t-TCOs tad-DUV u t-tagħmir luminuż mhux organiku effettiv, u l-ispeċifikazzjonijiet xjentifiċi taż-ZNG, id-deskrizzjoni tat-teknoloġija mal-Motho. Inġinerija tal-materjali) b’metodu teoretiku ta’ kimika kwantistika u deskrizzjoni ta’ parametri sperimentali b’metodi fiżikokimiċi (1.3 xjenzi fiżiċi, 1.4 xjenzi kimiċi), b’enfasi fuq l-immudellar tal-kompjuter ta’ Gameo u eterostrutturi mill-ewwel prinċipji. Il-proġett huwa direttament relatat mal-qasam ta’ speċjalizzazzjoni RIS3 Materjali Intelliġenti, Teknoloġiji u Sistemi ta’ Inġinerija u jappoġġja setturi ta’ tkabbir futuri fejn jeżistu jew jistgħu jiġu żviluppati prodotti u servizzi b’valur miżjud għoli. L-ambitu u r-riżultati mistennija tal-proġett jikkorrispondu għal NACE 72.19 tal-klassifikazzjoni statistika tal-attivitajiet ekonomiċi. Il-proġett se jiġi implimentat minn grupp ta’ riċerkaturi kwalifikati (11-il impjieg, total ta’ 5.33 PLE), inklużi 2 studenti 1.33 FTE (25 %) u 2 xjentisti żgħażagħ jokkupaw 1.33 FLE (25 %). Il-proġett huwa relatat ma’ attivitajiet mhux ekonomiċi u jgħaqqad ir-riċerka fundamentali u applikata. L-ispiża totali tal-proġett hija ta’ EUR 537004 (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies u 20 % SIA BC Corporation Limited), inklużi: EUR 441901 (82.29 %) tal-FEŻR, EUR 54828 (10.21 %) kontribuzzjoni tal-baġit nazzjonali u EUR 24165 (4.5 %) finanzjament pubbliku ieħor. It-tul ta’ żmien tal-proġett huwa ta’ 30 xahar (01.01.2021–30.06.2023). Ossidu tal-gallju, gallat taż-żingu, folji rqaq, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Maltese)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Óxido de gálio Ga2O3 é agora um dos materiais mais pesquisados. Quase qualquer questão relacionada à ciência dos materiais contém artigos sobre o cultivo de óxido de gálio, as propriedades do material ou o uso de seus aparelhos. O grande interesse deve-se às propriedades extremamente promissoras deste material de ampla área restrita em aplicações eletrônicas e óticas, juntamente com materiais de base relativamente baratos. Mais recentemente, tem sido demonstrado que o galato de zinco de espinal de zona larga ZnGa2O4 tem várias vantagens sobre o óxido de gálio que devem ser estudados em maior profundidade. O objetivo deste projeto de pesquisa industrial é desenvolver modernas camadas finas de alta taxa de aplicação PVD magnetron e tecnologias MOCVD para aplicar o óxido de gálio de zona restrita ultralarga funcional GaO3 e o galato de zinco ZnGa2O4 camadas finas e aplicações de eletrônica ótica. As principais tarefas são:•Desenvolver tecnologia de poeira de magnetron PVD de alta velocidade para aplicar folhas finas de óxido de gálio Ga2O3 limpas e ligadas (ocas do tipo P e RE) e folhas finas ZnGa2O4. As principais aplicações são (1) óxidos eletrocondutores transparentes de UV profundo (DUV) e (2) dispositivos fluorescentes inorgânicos eficazes.•Desenvolver tecnologia de revestimento de película fina Ga2O3 e ZnGa2O4 com MOCVD e desenvolver tecnologia de revestimento de camada fina tipo n- e p epitaxial Ga2O3 e ZnGa2O4 com MOCVD e desenvolvimento de processos de revestimento de camada fina n- e p epitaxial com MOCVD e processos de revestimento de camada fina tipo p Ga2O3 e ZnGa2O4 com MOCVD e soluções industriais para SIA BOOO. Este projeto interdisciplinar consiste em estudos em ciências da física e química (1.3, 1.4.) e engenharia de materiais (2.5).Projeto products:New tecnologia de pulverização de magnetron PVD de alta velocidade com Ga2O3 cristalino e amorfo e ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Aplicações óticas em diferentes pegadas para desenvolver TCO DUV e dispositivos luminosos não orgânicos eficazes, e ZnGO na direção de tecnologias de acolhimento, a descrição do Motho e a tecnologia para desenvolver os TCOs DUV e dispositivos luminosos não orgânicos eficazes, e as especificações científicas da ZNG, a descrição da tecnologia com o Motho. Engenharia de materiais) com método teórico de química quântica e descrição de parâmetros experimentais com métodos físico-químicos (1,3 ciências físicas, 1.4 ciências químicas), com foco na modelagem computacional de Gameo e heteroestruturas a partir dos primeiros princípios. O projeto está diretamente relacionado com o campo de especialização RIS3 Smart Materials, Tecnologias e Sistemas de Engenharia e apoia futuros setores de crescimento onde existem ou podem ser desenvolvidos produtos e serviços de alto valor agregado. O âmbito do projeto e os resultados esperados correspondem à NACE 72.19 da nomenclatura estatística das atividades económicas. O projeto será executado por um grupo de investigadores qualificados (11 postos de trabalho, um total de 5,33 PLE), incluindo 2 estudantes 1,33 ETI (25 %) e 2 jovens cientistas posições 1,33 FLE (25 %). O projeto está relacionado com atividades não económicas e combina investigação fundamental e aplicada. O custo total do projeto é de 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies e 20 % SIA BC Corporation Limited), incluindo: 441 901 EUR (82,29 %) FEDER, 54 828 EUR (10,21 %) contribuição orçamental nacional e 24 165 EUR (4,5 %) outros financiamentos públicos. A duração do projeto é de 30 meses (01.01.2021 — 30.06.2023). Óxido de gálio, galato de zinco, folhas finas, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Portuguese)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Galliumoxid Ga2O3 er nu et af de mest undersøgte materialer. Næsten ethvert spørgsmål relateret til materialevidenskab indeholder artikler om dyrkning af galliumoxid, materialets egenskaber eller brugen af dets apparater. Den store interesse skyldes de ekstremt lovende egenskaber ved dette brede område materiale i elektroniske og optiske applikationer, sammen med relativt billige basismaterialer. Senest har det vist sig, at bredzone-spinelzinkgallat ZnGa2O4 har flere fordele i forhold til galliumoxid, der bør undersøges i større dybde.Formålet med dette industrielle forskningsprojekt er at udvikle moderne høj påføringshastighed PVD magnetronstøvning og MOCVD-teknologier til at anvende funktionel ultrabred spærrezone galliumoxid GaO3 og zinkgallat ZnGa2O4 tynde lag og anvendelser af optisk elektronik. De vigtigste opgaver er:•Udvikle højhastigheds PVD magnetron støvning teknologi til at anvende rene og legerede (p-type hule og RE) amorf og krystallinsk galliumoxid Ga2O3 tynde plader og ZnGa2O4 tynde plader. De vigtigste anvendelser er (1) dyb-UV (DUV) transparente elektroledende oxider (TCO'er) og (2) effektive uorganiske fluorescerende udstyr.•Develop Ga2O3 og ZnGa2O4 tynde lag teknologi med MOCVD og udvikle epitaksial n- og p-type Ga2O3 og ZnGa2O4 tynde lag teknologi med MOCVD og udvikle epitaksial n- og p-type Ga2O3 og ZnGa2O4 tyndlagsbelægningsprocesser med MOCVD og udvikle epitaksial n- og p-type Ga2O3 og ZnGa2O4 tyndlagsbelægningsprocesser med MOCVD og industrielle løsninger til SIA BOOO. Dette tværfaglige projekt består af studier i fysik og kemividenskab (1.3, 1.4.) og materialeteknik (2.5).Projekt products:New højhastigheds PVD magnetron støvning teknologi med krystallinsk og amorf Ga2O3 og ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, optiske applikationer på forskellige fodaftryk til at udvikle DUV TCO'er og effektive ikke-organiske lysende enheder, og ZnGO i retning af at imødekomme teknologier, beskrivelsen af Motho og teknologien til at udvikle DUV TCO'er og effektive ikke-organiske lysende enheder, og ZNG's videnskabelige specifikationer, beskrivelsen af teknologien med Motho. Materialeteknik) med teoretisk metode til kvantekemi og beskrivelse af eksperimentelle parametre med fysisk-kemiske metoder (1.3 fysiske videnskaber, 1.4 kemiske videnskaber), med fokus på computermodellering af Gameo og heterostrukturer fra de første principper. Projektet er direkte relateret til specialiseringsområdet RIS3 Smart Materials, Technologies and Engineering Systems og understøtter fremtidige vækstsektorer, hvor der findes eller kan udvikles produkter og tjenester med høj værditilvækst. Projektets omfang og forventede resultater svarer til NACE 72.19 i den statistiske nomenklatur for økonomiske aktiviteter. Projektet vil blive gennemført af en gruppe kvalificerede forskere (11 job, i alt 5,33 PLE), herunder 2 studerende 1,33 fuldtidsækvivalenter (25 %) og 2 unge forskere med 1,33 FLE (25 %). Projektet vedrører ikke-økonomiske aktiviteter og kombinerer grundforskning og anvendt forskning. De samlede projektomkostninger er på 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies og 20 % SIA BC Corporation Limited), herunder: 441 901 EUR (82,29 %) EFRU, 54 828 EUR (10,21 %) bidrag fra det nationale budget og 24 165 EUR (4,5 %) andre offentlige midler. Projektets varighed er 30 måneder (01.01.2021-30.06.2023). Galliumoxid, zinkgallat, tynde plader, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Danish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Oxidul de galiu Ga2O3 este acum unul dintre cele mai cercetate materiale. Aproape orice problemă legată de știința materialelor conține articole privind cultivarea oxidului de galiu, proprietățile materialului sau utilizarea aparatelor sale. Marele interes se datorează proprietăților extrem de promițătoare ale acestui material cu arie largă restricționată în aplicații electronice și optice, împreună cu materiale de bază relativ ieftine. Cel mai recent, sa demonstrat că galatul de zinc cu zonă largă ZnGa2O4 are mai multe avantaje față de oxidul de galiu, care ar trebui studiat în profunzime. Scopul acestui proiect de cercetare industrială este de a dezvolta moderne de înaltă rată de aplicare PVD magnetron praf și tehnologii MOCVD pentru a aplica funcționale ultra-largă zonă restricționată oxid de galiu GaO3 și galat de zinc ZnGa2O4 straturi subțiri și aplicații electronice optice. Principalele sarcini sunt:•Dezvoltarea de mare viteză PVD magnetron praf tehnologie pentru a aplica foi subțiri curate și aliate (de tip p și RE) amorf și cristalin oxid de galiu Ga2O3 și ZnGa2O4 foi subțiri. Principalele aplicații sunt (1) Deep-UV (DUV) oxizi electroconductori transparenți (TCO) și (2) dispozitive fluorescente anorganice eficiente.• Dezvoltați tehnologia de acoperire a stratului subțire Ga2O3 și ZnGa2O4 cu MOCVD și dezvoltați procese de acoperire cu straturi subțiri de tip n- și P1nGa2O4 epitaxiale cu MOCVD și dezvoltați procese de acoperire epitaxială cu strat subțire de tip n- și p și ZnGa2O4 procese de acoperire cu strat subțire de tip N și p Ga2O3 și ZnGa2O4 cu MOCVD și soluții industriale pentru SIA BOOO. Acest proiect interdisciplinar constă în studii în științele fizicii și chimiei (1.3, 1.4.) și inginerie materială (2.5).Proiect products:New tehnologie de praf de mare viteză PVD magnetron cu cristaline și amorfe Ga2O3 și ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Aplicații optice pe diferite amprente pentru a dezvolta TCO-uri DUV și dispozitive luminoase eficiente non-organice, și ZnGO în direcția tehnologiilor de cazare, descrierea Motho și tehnologia de dezvoltare a TCO-urilor DUV și a dispozitivelor luminoase neecologice eficiente, precum și specificațiile științifice ale ZNG, descrierea tehnologiei cu Motho. Ingineria materialelor) cu metoda teoretică de chimie cuantică și descrierea parametrilor experimentali cu metode fizico-chimice (1,3 științe fizice, 1.4 științe chimice), concentrându-se pe modelarea computerizată a Gameo și heterostructuri din primele principii. Proiectul este direct legat de domeniul de specializare RIS3 Materiale inteligente, tehnologii și sisteme de inginerie și sprijină viitoare sectoare de creștere în care există sau ar putea fi dezvoltate produse și servicii cu valoare adăugată ridicată. Domeniul de aplicare al proiectului și rezultatele preconizate corespund NACE 72.19 din nomenclatorul statistic al activităților economice. Proiectul va fi implementat de un grup de cercetători calificați (11 locuri de muncă, în total 5,33 PLE), inclusiv 2 studenți 1,33 ENI (25 %) și 2 tineri oameni de știință 1,33 FLE (25 %). Proiectul este legat de activități neeconomice și combină cercetarea fundamentală cu cea aplicată. Costul total al proiectului este de 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies și 20 % SIA BC Corporation Limited), inclusiv: 441 901 EUR (82,29 %) FEDR, 54 828 EUR (10,21 %) contribuție de la bugetul național și 24 165 EUR (4,5 %) alte fonduri publice. Durata proiectului este de 30 de luni (01.01.2021-30.6.2023). Oxid de galiu, galat de zinc, foi subțiri, PVD, MOCVD, DFT ab-initio, TCO. (Romanian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Galliumoxid Ga2O3 är nu ett av de mest undersökta materialen. Nästan alla frågor relaterade till materialvetenskap innehåller artiklar om odling av galliumoxid, materialets egenskaper eller användningen av dess apparater. Det stora intresset beror på de extremt lovande egenskaperna hos detta breda begränsade områdesmaterial i elektroniska och optiska tillämpningar, tillsammans med relativt billiga basmaterial. Senast har det visat sig att bredzonspinellzinkgalate ZnGa2O4 har flera fördelar jämfört med galliumoxid som bör studeras i större djup.Syftet med detta industriella forskningsprojekt är att utveckla modern hög applikationshastighet PVD magnetrondamm och MOCVD-teknik för att tillämpa funktionell ultrabred begränsad zon galliumoxid GaO3 och zinkgalate ZnGa2O4 tunna lager och tillämpningar av optisk elektronik. Huvuduppgifterna är:•Utveckla snabb PVD magnetron dammteknik för att tillämpa rena och legerade (p-typ ihåliga och RE) amorfa och kristallin galliumoxid Ga2O3 tunna ark och ZnGa2O4 tunna ark. De viktigaste tillämpningarna är (1) djup-UV (DUV) transparenta elektroledande oxider (TCOs) och (2) effektiva oorganiska fluorescerande enheter.• Utveckla Ga2O3 och ZnGa2O4 tunnfilmsbeläggningsteknik med MOCVD och utveckla epitaxial n- och p-typ Ga2O3 och ZnGa2O4 tunnskiktsteknik med MOCVD och utveckla epitaxiella n- och p-typ Ga2O3 och ZnGa2O4 tunnskiktsbeläggningsprocesser med MOCVD och utveckla epitaxiella n- och p-typ Ga2O3 och ZnGa2O4 tunnskiktsbeläggningsprocesser med MOCVD och industriella lösningar för SIA BOOO. Detta tvärvetenskapliga projekt består av studier inom fysik och kemivetenskap (1.3, 1.4.) och materialteknik (2.5).Projekt products:New höghastighets PVD magnetron dammteknik med kristallin och amorf Ga2O3 och ZnGa2O-Mine-Moderal Promote, Optical Applications on Different Footprints för att utveckla DUV TCOs och effektiva icke-organiska lysande enheter, och ZnGO i riktning mot att ta emot teknik, beskrivningen av Motho och tekniken för att utveckla DUV TCO och effektiva icke-organiska ljusanordningar, och ZNG:s vetenskapliga specifikationer, beskrivningen av tekniken med Motho. Materialteknik) med teoretisk kvantkemi och beskrivning av experimentella parametrar med fysikalisk-kemiska metoder (1.3 fysik, 1.4 kemiska vetenskaper), med fokus på datormodellering av Gameo och heterostrukturer från de första principerna.Projektet är direkt relaterat till specialiseringsfältet RIS3 Smart Materials, Technologies and Engineering Systems och stödjer framtida tillväxtsektorer där det finns eller skulle kunna utvecklas produkter och tjänster med högt mervärde. Projektets omfattning och förväntade resultat motsvarar Nace 72.19 i den statistiska näringsgrensindelningen. Projektet kommer att genomföras av en grupp kvalificerade forskare (11 jobb, totalt 5,33 PLE), inklusive 2 studenter 1,33 heltidsekvivalenter (25 %) och 2 unga forskare 1,33 FLE (25 %). Projektet är relaterat till icke-ekonomisk verksamhet och kombinerar grundforskning och tillämpad forskning. Den totala kostnaden för projektet är 537 004 EUR (60 % ISSP LU, 20 % SIA AGL Technologies och 20 % SIA BC Corporation Limited), inklusive: 441 901 EUR (82,29 %) Eruf, 54 828 EUR (10,21 %) nationellt budgetbidrag och 24 165 EUR (4,5 %) annan offentlig finansiering. Projektets löptid är 30 månader (01.01.2021–30.6.2023). Galliumoxid, zinkgallat, tunnplåt, PVD, MOCVD, ab-initio DFT, TCO. (Swedish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    location (string)
    Ķengaraga iela 8, Rīga, LV-1063
    0 references
    Šmerļa iela 3, Rīga, LV-1006
    0 references
    Starta iela 4A, Rīga, LV-1026
    0 references

    Identifiers

    Latvian Kohesio ID
    1.1.1.1/20/A/057
    0 references
     
    Retrieved from "https://linkedopendata.eu/w/index.php?title=Item:Q3056498&oldid=40420912"