Planar field emission microtriode structure (Q3056487)

From EU Knowledge Graph
Jump to navigation Jump to search
Project Q3056487 in Latvia
Language Label Description Also known as
English
Planar field emission microtriode structure
Project Q3056487 in Latvia

    Statements

    contained in NUTS
    Riga
    0 references
    Riga
    0 references
    Riga
    0 references
    country
    Latvia
    0 references
    EU contribution
    444,809.67 Euro
    0 references
    budget
    540,539.16 Euro
    0 references
    co-financing rate
    82.29 percent
    0 references
    start time
    1 February 2021
    0 references
    end time
    30 November 2023
    0 references
    beneficiary name (string)
    RĪGAS TEHNISKĀ UNIVERSITĀTE
    0 references
    beneficiary
    Q3058551
    0 references
    coordinate location

    56°56'12.12"N, 24°5'50.71"E
    0 references

    56°57'12.82"N, 24°4'50.16"E
    0 references

    56°59'7.40"N, 24°12'9.58"E
    0 references
    summary
    Panākumi mikro un nanotehnoloģijā iedvesmo vakuuma elektronikas atdzimšanu. Lauka emisijas ierīces pielieto vakuuma mikro un nanoelektronikas shēmās, kurām ir priekšrocības salīdzinājumā ar pusvadītāju analogiem: augstfrekvences darbība, piemērotas augstsprieguma ķēdēm un tāpēc aiz tām nav nepieciešams liels signāla pastiprinājums, zema jutība pret ārēju troksni. Tas ļauj izmantot lauka emisijas komponentes ierīcēs, kas darbojas paaugstinātā temperatūrā un skarbā vidē, piemēram, militāriem un kosmiskiem lietojumiem.Lauka emisijas ierīces var atrast pielietojumu audioelektronikas pastiprinātājos. Modernas audio sistēmas mēdz radīt “dzīvu skaņu”, kurai raksturīgi harmonisko signālu nelineāri kropļojumi. Līdz ar to ir sagaidāms, ka tādas audio shēmas kā audioelektroniskie pastiprinātāji radīs nelineārus, izkropļotus harmoniskos signālus, kas tiks pārraidīti uz audio sistēmām. Šādam pastiprināšanas nolūkam ir piemērotas vakuuma mikrotriodes.Lauka emitētāja spēja izstarot elektronus ir ļoti atkarīga no tā izstarojošā gala asuma. Izstarojošās virsmas izliekuma rādiuss jāsamazina līdz vairākiem nanometriem. Parasti lauka emitētāji mikroelektronikā tiek izgatavoti kā vertikāli stāvošas struktūras (asi konusi, gali, nanocaurules utt.). Lai izgatavotu šādas struktūras, planārās pusvadītāju tehnoloģijas parasti papildina ar nanotehnoloģijām. Tas sarežģī lauka emisijas ierīču konstrukciju un palielina to ražošanas izmaksas. Lai samazinātu ražošanas izmaksas, pašreizējais projekts piedāvā izstrādāt lauka emisijas mikrotriodes un to izstarojošās daļas izgatavošanas tehnoloģiju, kas izmanto tikai planārās pusvadītāju tehnoloģijas. Vēl viena svarīga planāro pusvadītāju tehnoloģiju priekšrocība ir iespēja vienā mikroshēmā integrēt lauka emisijas ierīces ar aktīvām pusvadītāju struktūrām.Projekta mērķis ir izstrādāt planāro lauka emisijas mikrotriodes struktūru, kas izgatavota, izmantojot tradicionālas planārās pusvadītāju tehnoloģijas. Izgatavotā planārā mikrotriodes struktūra būs tehnoloģiski savietojama ar planāriem audioelektroniskajiem pastiprinātājiem.Lauka emisijas ierīču ražošanas tirgus strauji attīstās, tomēr tajā vēl nav noteiktu līderu. Latvijas elektronikas industrijai ir liela pieredze un tradīcijas mikroelektronikas ierīču, tai skaitā audielektronikas komponentu, ražošanā. Audioelektronikas lauka emisijas ierīču ražošana dos Latvijas industrijai iespēju ieiet tirgū īstajā laikā un kļūt par tā nozīmīgo spēlētāju. Rezultātā tiks veicināta Latvijas ekonomikas inovācijas spēja un konkurētspēja.Projekts nav saistīts ar saimniecisko darbību un tā ietvaros notiks sadarbība starp projekta iesniedzēju Rīgas Tehnisko universitāti un partneriem Latvijas Universitāti un pusvadītāju ierīču rūpnīcu AS “ALFA PRAR". Tiks veikts rūpniecisks pētījums ar galvenajām darbībām: mikrotriodes struktūras (1) projektēšana, (2) izgatavošana, (3) īpašību raksturošana un (4) prototipēšana laboratorijas vidē. Rezultāti: 1) rezultātu izplātīšana zinātnisko publikāciju veidā, konferencēs; 2) laboratorijas vidē izveidots mikrotriodes struktūras prototips; 3) patenta pieteikums par mikrotriodes struktūras konstrukciju. Projekts attīstīs NACE2 26.1 nozari “Elektronisko komponentu un plašu ražošana” un RIS3 Viedās specializācijas jomas “Viedie materiāli, tehnoloģijas un inženiersistēmas”, “Informācijas un komunikācijas tehnoloģijas”. Projekts atbilst Fizikālo zinātņu (1.3.), Elektrotehnikas, elektronikas, informācijas un komunikāciju tehnoloģiju (2.2.), kā arī Materiālzinātņu (2.5.) nozarēm.Mērķa grupas: zinātniskas institūcijas, zinātnieki, studējošie, jaunie zinātnieki, komersanti, kas darbojas elektronisko komponentu ražošanas jomā. Projekta īstenošanas ilgums: darbības ir izsāktas pirms vienošanās par projekta īstenošanu noslēgšanai no 1.02.2021 līdz 30.11.2023. Projekta ilgums 33 mēneši. Projekta kopējās attiecināmas izmaksas ir 540 539.16 EUR, tai skaitā 444 809.67 EUR ERAF finansējums un 55 189.04 EUR valsts budžeta finansējums.Atslēgvārdi: mikrotriode, mikroelektronikas tehnoloģija, planārā pusvadītāju tehnoloģija (Latvian)
    0 references
    Success in micro- and nanotechnology inspires the revival of vacuum electronics. Field emission devices shall be used in vacuum micro and nanoelectronic circuits having advantages over semiconductor analogues: High frequency operation suitable for high voltage circuits and therefore do not require high signal amplification, low sensitivity to external noise. This allows the use of field emission components in high temperature and harsh environments, such as military and space applications.Field emission devices can be found for use in audio electronics amplifiers. Modern audio systems tend to create “live sound” characterised by non-linear distortions of harmonious signals. Consequently, audio circuits such as audio-electronic amplifiers are expected to generate non-linear, distorted harmonic signals that will be transmitted to audio systems. For this amplification purpose there are suitable vacuum microtriodes.The ability of a field emitter to emit electrons is highly dependent on its radiant end sharpness. The radius of curvature of the radiant surface must be reduced to several nanometres. Typically, field emitters are produced in microelectronics as vertically standing structures (brick cones, ends, nanotubes, etc.). In order to produce such structures, planar semiconductor technologies are usually complemented by nanotechnologies. This complicates the design of field emission devices and increases their manufacturing costs. In order to reduce production costs, the current project proposes the development of a technology for the production of field emission micro-triodes and the radiating part that only uses planar semiconductor technologies. Another important advantage of planar semiconductor technologies is the possibility of integrating field emission devices with active semiconductor structures into one chip.The project aims to develop a planar field emission microtriode structure, made using traditional planar semiconductor technologies. The planetary microtriode structure will be technologically compatible with planar audio-electronic amplifiers.The market for the production of field emission devices is rapidly developing, but there are no specific leaders yet. The Latvian electronics industry has great experience and traditions in the manufacture of microelectronic devices, including audielectronics components. Production of audio electronics field emission devices will enable Latvian industry to enter the market at the right time and become an important player in it. As a result, the innovation capacity and competitiveness of the Latvian economy will be promoted.The project is not related to economic activity and will be co-operation between the project applicant Riga Technical University and partners of the University of Latvia and the semiconductor device factory AS “ALFA PRAR”. An industrial study will be carried out with key actions: Design of a microtriode structure (1), (2) production, (3) characterisation of properties and (4) prototyping in a laboratory environment. Results: 1. dissemination of results in the form of scientific publications, conferences; 2) prototype microtriode structure created in a laboratory environment; 3) a patent application on the construction of a microtriode structure. The project will develop the fields of NACE2 26.1 “Manufacture of electronic components and plates” and RIS3 Smart specialisation domains “Smart Materials, Technologies and Engineering Systems”, “Information and Communication Technologies”. The project complies with the fields of Physical Sciences (1.3), Electrical Engineering, Electronics, Information and Communication Technologies (2.2), as well as Material Sciences (2.5). Scientific institutions, scientists, students, young scientists, merchants working in the field of manufacture of electronic components. Duration of the project: The activities have been launched before the agreement on project implementation for conclusion from 1.02.2021 to 30.11.2023. Project duration: 33 months. The total eligible costs of the project are EUR 540539.16, including EUR 444809.67 ERDF funding and EUR 55189.04 state budget funding. Microtriode, microelectronics technology, planar semiconductor technology (English)
    point in time
    15 July 2021
    readability score
    0.7426760405248758
    0 references
    Le succès des micro et nanotechnologies inspire la renaissance de l’électronique sous vide. Les dispositifs d’émission de champ sont utilisés dans les circuits micro et nanoélectronique sous vide qui présentent des avantages par rapport aux analogues à semi-conducteurs: fonctionnement à haute fréquence, adapté aux circuits haute tension et donc derrière eux ne nécessitent pas d’amplification grand signal, faible sensibilité au bruit externe. Cela permet l’utilisation de composants d’émission sur le terrain dans des appareils fonctionnant à des températures élevées et dans des environnements difficiles tels que les applications militaires et spatiales.Les dispositifs d’émission sur le terrain peuvent trouver des applications dans les amplificateurs audioélectroniques. Les systèmes audio modernes ont tendance à produire un «son vivant» caractérisé par une distorsion non linéaire des signaux harmoniques. Par conséquent, les circuits audio tels que les amplificateurs audio électroniques devraient générer des signaux harmoniques non linéaires et déformés qui seront transmis aux systèmes audio. Pour de telles fins d’amplification, les microtriodes sous vide sont appropriés. La capacité de l’émetteur de champ à émettre des électrons dépend fortement de sa netteté rayonnante de l’extrémité. Le rayon de courbure de la surface rayonnante doit être réduit à plusieurs nanomètres. Typiquement, les émetteurs de champ en microélectronique sont produits sous forme de structures verticalement debout (cônes d’axe, extrémités, nanotubes, etc.). Pour produire de telles structures, les technologies à semi-conducteurs planétaires sont généralement complétées par des nanotechnologies. Cela complique la conception des dispositifs d’émission sur le terrain et augmente leurs coûts de production. Afin de réduire les coûts de production, le projet actuel propose le développement d’une technologie pour la production de microtriodes d’émission sur le terrain et de leur partie rayonnante utilisant uniquement des technologies à semi-conducteurs planaires. Un autre avantage important de la technologie des semi-conducteurs planaires est la capacité d’intégrer des dispositifs d’émission sur le terrain à des structures de semi-conducteurs actives dans une seule puce. Le projet vise à développer une structure planaire de microtriodes d’émission de champs, réalisée à l’aide des technologies traditionnelles des semi-conducteurs planaires. La structure de microtriode planaire fabriquée sera compatible technologiquement avec les amplificateurs audioélectroniques planaires.Le marché de la fabrication de dispositifs d’émission sur le terrain se développe rapidement, mais il n’y a pas encore de leaders identifiés. L’industrie lettone de l’électronique possède beaucoup d’expérience et de traditions dans la fabrication d’appareils microélectroniques, y compris de composants audiélectroniques. La production de dispositifs d’émission audioélectronique sur le terrain donnera à l’industrie lettone la possibilité d’entrer sur le marché au bon moment et de devenir son acteur important. En conséquence, la capacité d’innovation et la compétitivité de l’économie lettone seront encouragées. Le projet n’est pas lié à l’activité économique et impliquera une coopération entre l’université technique de Riga et ses partenaires à l’Université de Lettonie et l’usine de semi-conducteurs JSC «ALFA PRAR». Une étude industrielle sera réalisée avec des actions clés: conception de la structure des microtriodes (1), (2) fabrication, (3) caractérisation des propriétés et (4) prototypage dans des environnements de laboratoire. Résultats: 1) dispersion des résultats sous forme de publications scientifiques, de conférences; 2) Prototype de structure de microtriode créé dans l’environnement de laboratoire; 3) Demande de brevet pour la construction d’une structure de microtriode. Le projet développera la NACE2 26.1 «Fabrication de composants électroniques et de larges zones» et les domaines de spécialisation intelligente RIS3 «Matériaux intelligents, technologies et systèmes d’ingénierie», «Technologies de l’information et de la communication». Le projet correspond aux sciences physiques (1.3), au génie électrique, à l’électronique, aux technologies de l’information et des communications (2.2), ainsi qu’aux sciences des matériaux (2.5). institutions scientifiques, scientifiques, étudiants, jeunes scientifiques, entrepreneurs actifs dans le domaine de la fabrication de composants électroniques. Durée du projet: les activités ont débuté avant la conclusion d’un accord sur la mise en œuvre du projet du 1.02.2021 au 30.11.2023. Durée du projet 33 mois. Le total des coûts éligibles du projet s’élève à 540 539,16 EUR, dont 444 809,67 EUR au titre du FEDER et 55 189,04 EUR au titre du budget de l’État. microtriode, technologie de microélectronique, technologie des semi-conducteurs planaires (French)
    point in time
    25 November 2021
    0 references
    Erfolg in der Mikro- und Nanotechnologie inspiriert die Wiederbelebung der Vakuumelektronik. Feldemissionsgeräte werden in Vakuum-Mikro- und Nanoelektronikschaltungen eingesetzt, die Vorteile gegenüber Halbleiteranalogen haben: Hochfrequenzbetrieb, geeignet für Hochspannungskreise und daher hinter ihnen erfordert keine große Signalverstärkung, geringe Empfindlichkeit gegenüber externem Rauschen. Dies ermöglicht den Einsatz von Feldemissionskomponenten in Geräten, die bei erhöhten Temperaturen und in rauen Umgebungen wie Militär- und Weltraumanwendungen arbeiten.Field-Emissionsgeräte können Anwendungen in Audioelektronik-Verstärkern finden. Moderne Audiosysteme produzieren tendenziell „Live-Sound“ und zeichnen sich durch nichtlineare Verzerrungen von harmonischen Signalen aus. Daher wird erwartet, dass Audioschaltungen wie elektronische Audioverstärker nichtlineare, verzerrte harmonische Signale erzeugen, die an Audiosysteme übertragen werden. Für solche Verstärkungszwecke sind Vakuum-Mikrotrioden geeignet.Die Fähigkeit des Feldsenders, Elektronen auszustrahlen, hängt stark von seiner abstrahlenden Endschärfe ab. Der Krümmungsradius der Strahlungsfläche muss auf mehrere Nanometer reduziert werden. Typischerweise werden Feldstrahler in der Mikroelektronik als vertikal stehende Strukturen (Achsenkegel, Enden, Nanoröhren usw.) hergestellt. Um solche Strukturen herzustellen, werden Planetenhalbleitertechnologien in der Regel durch Nanotechnologien ergänzt. Dies erschwert die Konstruktion von Feldemissionsgeräten und erhöht ihre Produktionskosten. Um die Produktionskosten zu senken, schlägt das aktuelle Projekt die Entwicklung einer Technologie für die Herstellung von Feldemissionsmikrotrioden und deren Ausstrahlungsteil unter Verwendung von nur planaren Halbleitertechnologien vor. Ein weiterer wichtiger Vorteil der planaren Halbleitertechnologie ist die Fähigkeit, Feldemissionsgeräte mit aktiven Halbleiterstrukturen in einen Chip zu integrieren.Das Projekt zielt darauf ab, eine planare Feldemissions-Mikrotriode-Struktur zu entwickeln, die mit traditionellen planaren Halbleitertechnologien hergestellt wird. Die hergestellte planare Mikrotriode wird technologisch mit planaren audioelektronischen Verstärkern kompatibel sein.Der Markt für die Herstellung von Emissionsgeräten entwickelt sich rasch, aber es gibt noch keine identifizierten Marktführer. Die lettische Elektronikindustrie verfügt über viel Erfahrung und Tradition bei der Herstellung von Mikroelektronikgeräten, einschließlich audielektronischer Komponenten. Die Produktion von Audioelektronik-Feldemissionsgeräten wird der lettischen Industrie die Möglichkeit geben, zum richtigen Zeitpunkt in den Markt zu treten und ihr wichtiger Akteur zu werden. Im Ergebnis werden die Innovationskapazitäten und die Wettbewerbsfähigkeit der lettischen Wirtschaft gefördert. Das Projekt steht nicht im Zusammenhang mit der wirtschaftlichen Tätigkeit und wird die Zusammenarbeit zwischen dem Projektantragsteller Riga Technical University und Partnern an der Universität Lettland und dem Halbleiterbauwerk JSC „ALFA PRAR“ umfassen. Es wird eine Industriestudie mit Leitaktionen durchgeführt: Konstruktion von Mikrotriodenstruktur (1), (2) Herstellung, (3) Charakterisierung von Eigenschaften und (4) Prototyping in Laborumgebungen. Ergebnisse: 1) Streuung der Ergebnisse in Form wissenschaftlicher Veröffentlichungen, Konferenzen; 2) Prototyp der Mikrotriode Struktur in Laborumgebung erstellt; 3) Patentanmeldung für Mikrotriode Strukturkonstruktion. Das Projekt wird NACE2 26.1 „Herstellung von elektronischen Komponenten und weiten Bereichen“ und RIS3 intelligente Spezialisierungsbereiche „Smart Materials, Technology and Engineering Systems“, „Informations- und Kommunikationstechnologien“ entwickeln. Das Projekt entspricht Physikalischen Wissenschaften (1.3), Elektrotechnik, Elektronik, Informations- und Kommunikationstechnologien (2.2) sowie Materialwissenschaften (2.5). wissenschaftliche Einrichtungen, Wissenschaftler, Studenten, junge Wissenschaftler, Unternehmer, die auf dem Gebiet der elektronischen Komponentenherstellung tätig sind. Laufzeit des Projekts: die Aktivitäten begannen vor dem Abschluss einer Vereinbarung über die Projektdurchführung vom 1.02.2021 bis zum 30.11.2023. Projektdauer 33 Monate. Die förderfähigen Gesamtkosten des Projekts belaufen sich auf 540 539,16 EUR, einschließlich 444 809,67 EUR aus dem EFRE und 55 189,04 EUR aus dem Staatshaushalt. Mikrotriode, Mikroelektronik, planare Halbleitertechnik (German)
    point in time
    28 November 2021
    0 references
    Succes in micro- en nanotechnologie inspireert de heropleving van vacuümelektronica. Veldemissieapparatuur wordt gebruikt in vacuümmicro- en nano-elektronicacircuits die voordelen hebben ten opzichte van halfgeleideranalogen: de hoge frequentieverrichting, geschikt voor hoogspanningskringen en daarom achter hen vereist geen grote signaalversterking, lage gevoeligheid voor extern lawaai. Dit maakt het gebruik van veld emissie componenten in apparaten werken bij verhoogde temperaturen en in ruwe omgevingen zoals militaire en ruimtetoepassingen.Veld emissie apparaten kunnen toepassingen vinden in audio-elektronica versterkers. Moderne audiosystemen hebben de neiging om „live geluid” te produceren gekenmerkt door niet-lineaire vervorming van harmonische signalen. Bijgevolg zullen audiocircuits zoals audio-elektronische versterkers naar verwachting niet-lineaire, vervormde harmonische signalen genereren die naar audiosystemen zullen worden overgebracht. Voor dergelijke versterkingsdoeleinden zijn vacuümmicrotriodes geschikt.Het vermogen van de veldstraler om elektronen uit te zenden hangt sterk af van de uitstralende eindscherpte. De kromtestraal van het uitstralende oppervlak moet tot meerdere nanometer worden beperkt. Doorgaans worden velduitstoters in micro-elektronica geproduceerd als verticaal staande structuren (askegels, uiteinden, nanobuizen, enz.). Om dergelijke structuren te produceren, worden planetaire halfgeleidertechnologieën meestal aangevuld met nanotechnologieën. Dit bemoeilijkt het ontwerp van veldemissieapparatuur en verhoogt de productiekosten ervan. Om de productiekosten te verlagen, wordt in het huidige project de ontwikkeling voorgesteld van een technologie voor de productie van veldemissiemicrotriodes en het uitstralend deel daarvan, waarbij uitsluitend gebruik wordt gemaakt van planaire halfgeleidertechnologieën. Een ander belangrijk voordeel van planaire halfgeleidertechnologie is de mogelijkheid om veldemissieapparaten met actieve halfgeleiderstructuren in één chip te integreren. Het project is gericht op de ontwikkeling van een planaire veldemissie microtriodestructuur, gemaakt met behulp van traditionele planar halfgeleidertechnologieën. De gefabriceerde planaire microtriodestructuur zal technologisch compatibel zijn met planaire audio-elektronische versterkers. De markt voor de productie van het veldemissieapparaat ontwikkelt zich snel, maar er zijn nog geen geïdentificeerde leiders. De Letse elektronica-industrie heeft veel ervaring en tradities bij de vervaardiging van micro-elektronica, waaronder audi-elektronische componenten. De productie van emissieapparatuur voor audio-elektronica zal de Letse industrie de kans geven om op het juiste moment de markt te betreden en een belangrijke speler te worden. Als gevolg daarvan zullen de innovatiecapaciteit en het concurrentievermogen van de Letse economie worden bevorderd. Het project houdt geen verband met economische activiteiten en omvat samenwerking tussen de projectaanvrager van de Technische Universiteit Riga en partners aan de Universiteit van Letland en de fabriek voor halfgeleiderapparatuur JSC „ALFA PRAR”. Er zal een industriële studie worden uitgevoerd met kernactiviteiten: ontwerp van microtriodestructuur (1), (2) vervaardiging, (3) karakterisering van eigenschappen en (4) prototyping in laboratoriumomgevingen. Resultaten: 1) verspreiding van de resultaten in de vorm van wetenschappelijke publicaties, conferenties; 2) Prototype van microtriodestructuur die in laboratoriummilieu wordt gecreëerd; 3) Octrooitoepassing voor de bouw van de microtriodestructuur. Het project zal de ontwikkeling van NACE2 26.1 „Vervaardiging van elektronische componenten en brede gebieden” en RIS3 Slimme specialisatiegebieden „Slimme materialen, technologie en ingenieurssystemen”, „Informatie- en communicatietechnologieën” ontwikkelen. Het project komt overeen met fysische wetenschappen (1.3), elektrotechniek, elektronica, informatie- en communicatietechnologieën (2.2) en materiaalwetenschappen (2.5). wetenschappelijke instellingen, wetenschappers, studenten, jonge wetenschappers, ondernemers die actief zijn op het gebied van de productie van elektronische componenten. Duur van het project: de activiteiten zijn van start gegaan vóór de sluiting van een overeenkomst over de uitvoering van projecten van 1.02.2021 tot en met 30.11.2023. Duur van het project 33 maanden. De totale subsidiabele kosten van het project bedragen 540 539,16 EUR, waarvan 444 809,67 EUR EFRO-financiering en 55 189,04 EUR financiering uit de overheidsbegroting. microtriode, micro-elektronicatechnologie, planaire halfgeleidertechnologie (Dutch)
    point in time
    28 November 2021
    0 references
    Il successo in micro e nanotecnologie ispira la ripresa dell'elettronica sottovuoto. I dispositivi di emissione di campo sono utilizzati nei circuiti micro e nanoelettronici sotto vuoto che presentano vantaggi rispetto agli analoghi a semiconduttori: funzionamento ad alta frequenza, adatto per circuiti ad alta tensione e quindi dietro di loro non richiedono amplificazione del segnale di grandi dimensioni, bassa sensibilità al rumore esterno. Ciò consente l'utilizzo di componenti per emissioni di campo in dispositivi che operano a temperature elevate e in ambienti difficili come applicazioni militari e spaziali. I dispositivi di emissione del campo possono trovare applicazioni negli amplificatori audioelettronici. I moderni sistemi audio tendono a produrre "audio dal vivo" caratterizzato da distorsioni non lineari dei segnali armonici. Di conseguenza, i circuiti audio come gli amplificatori elettronici audio dovrebbero generare segnali armonici non lineari e distorti che saranno trasmessi ai sistemi audio. Per tali scopi di amplificazione, i microtriodi sottovuoto sono adatti. La capacità dell'emettitore di campo di emettere elettroni dipende fortemente dalla sua nitidezza radiante finale. Il raggio di curvatura della superficie radiante deve essere ridotto a diversi nanometri. Tipicamente, gli emettitori di campo nella microelettronica sono prodotti come strutture verticali (coni di asse, estremità, nanotubi, ecc.). Al fine di produrre tali strutture, le tecnologie a semiconduttore planetari sono di solito integrate da nanotecnologie. Ciò complica la progettazione dei dispositivi di emissione sul campo e ne aumenta i costi di produzione. Al fine di ridurre i costi di produzione, l'attuale progetto propone lo sviluppo di una tecnologia per la produzione di microtriodi ad emissione di campo e la loro parte radiante utilizzando solo tecnologie a semiconduttore planari. Un altro importante vantaggio della tecnologia a semiconduttore planare è la capacità di integrare i dispositivi di emissione di campo con strutture attive a semiconduttore in un unico chip. Il progetto mira a sviluppare una struttura planare a microtriodi a emissione di campo, realizzata utilizzando le tradizionali tecnologie a semiconduttore planare. La struttura a microtriodi planare prodotta sarà tecnologicamente compatibile con amplificatori audioelettronici planari. Il mercato della produzione di dispositivi a emissione di campo si sta sviluppando rapidamente, ma non ci sono ancora leader identificati. L'industria elettronica lettone ha molta esperienza e tradizioni nella fabbricazione di dispositivi di microelettronica, compresi i componenti audielettronici. La produzione di dispositivi di emissione sul campo audioelettronica darà all'industria lettone l'opportunità di entrare nel mercato al momento giusto e di diventare il suo importante attore. Di conseguenza, saranno promosse la capacità di innovazione e la competitività dell'economia lettone. Il progetto non è legato all'attività economica e comporterà la cooperazione tra il candidato al progetto Università tecnica di Riga e i partner dell'Università di Lettonia e la fabbrica di dispositivi a semiconduttore JSC "ALFA PRAR". Sarà realizzato uno studio industriale con azioni chiave: progettazione della struttura a microtriodi (1), (2) fabbricazione, (3) caratterizzazione delle proprietà e (4) prototipazione in ambienti di laboratorio. Risultati: 1) dispersione dei risultati sotto forma di pubblicazioni scientifiche, conferenze; 2) Prototipo della struttura microtriode creata in ambiente di laboratorio; 3) domanda di brevetto per la costruzione della struttura a microtriodi. Il progetto svilupperà la NACE2 26.1 "Fabbricazione di componenti elettronici e vaste aree" e le aree di specializzazione intelligente RIS3 "Materiali intelligenti, tecnologia e sistemi di ingegneria", "Tecnologie dell'informazione e della comunicazione". Il progetto corrisponde alle scienze fisiche (1.3), all'ingegneria elettrica, all'elettronica, alle tecnologie dell'informazione e della comunicazione (2.2) e alle scienze dei materiali (2.5). istituzioni scientifiche, scienziati, studenti, giovani scienziati, imprenditori attivi nel campo della produzione di componenti elettronici. Durata del progetto: le attività sono iniziate prima della conclusione di un accordo sull'attuazione dei progetti dall'1.2.2021 al 30.11.2023. Durata del progetto 33 mesi. I costi totali ammissibili del progetto ammontano a 540 539,16 EUR, di cui 444 809,67 EUR di finanziamento FESR e 55 189,04 EUR di finanziamento del bilancio dello Stato. microtriode, tecnologia microelettronica, tecnologia a semiconduttore planare (Italian)
    point in time
    11 January 2022
    0 references
    El éxito en micro y nanotecnología inspira la reactivación de la electrónica de vacío. Los dispositivos de emisión de campo se utilizan en circuitos micro y nanoelectrónicos de vacío que tienen ventajas sobre los análogos de semiconductores: funcionamiento de alta frecuencia, adecuado para circuitos de alta tensión y por lo tanto detrás de ellos no requieren amplificación de señal grande, baja sensibilidad al ruido externo. Esto permite el uso de componentes de emisión de campo en dispositivos que funcionan a temperaturas elevadas y en entornos difíciles como aplicaciones militares y espaciales.Los dispositivos de emisión de campo pueden encontrar aplicaciones en amplificadores de audioelectrónica. Los sistemas de audio modernos tienden a producir «sonido vivo» caracterizado por la distorsión no lineal de las señales armónicas. En consecuencia, se espera que los circuitos de audio como los amplificadores electrónicos de audio generen señales armónicas no lineales distorsionadas que se transmitirán a los sistemas de audio. Para tales propósitos de amplificación, los microtriodos de vacío son adecuados. La capacidad del emisor de campo para emitir electrones depende en gran medida de su nitidez del extremo radiante. El radio de curvatura de la superficie radiante deberá reducirse a varios nanómetros. Típicamente, los emisores de campo en microelectrónica se producen como estructuras verticalmente en pie (conos de eje, extremos, nanotubos, etc.). Para producir estas estructuras, las tecnologías planetarias de semiconductores suelen complementarse con nanotecnologías. Esto complica el diseño de los dispositivos de emisión de campo y aumenta sus costes de producción. Con el fin de reducir los costes de producción, el proyecto actual propone el desarrollo de una tecnología para la producción de microturbos de emisión de campo y su parte radiante utilizando solo tecnologías de semiconductores planos. Otra ventaja importante de la tecnología de semiconductores planar es la capacidad de integrar dispositivos de emisión de campo con estructuras de semiconductores activas en un solo chip. El proyecto tiene como objetivo desarrollar una estructura de microtriode de emisión de campo plano, hecha utilizando tecnologías de semiconductores planares tradicionales. La estructura de microtriode plano fabricada será compatible tecnológicamente con amplificadores de audioelectrónicos planos. El mercado de fabricación de dispositivos de emisión de campo se está desarrollando rápidamente, pero todavía no hay líderes identificados. La industria electrónica letona tiene mucha experiencia y tradiciones en la fabricación de dispositivos de microelectrónica, incluidos los componentes audielectrónicos. La producción de dispositivos de emisión de campo de audioelectrónica dará a la industria letona la oportunidad de entrar en el mercado en el momento adecuado y convertirse en su jugador importante. Como resultado, se promoverá la capacidad de innovación y la competitividad de la economía letona, que no está relacionada con la actividad económica y implicará la cooperación entre la solicitante del proyecto Riga Technical University y los socios de la Universidad de Letonia y la fábrica de dispositivos semiconductores JSC «ALFA PRAR». Se llevará a cabo un estudio industrial con acciones clave: diseño de la estructura del microtriodo (1), (2) fabricación, (3) caracterización de propiedades y (4) prototipos en ambientes de laboratorio. Resultados: 1) dispersión de resultados en forma de publicaciones científicas, conferencias; 2) Prototipo de la estructura del microtriode creado en el ambiente del laboratorio; 3) Aplicación de la patente para la construcción de la estructura del microtriode. El proyecto desarrollará NACE2 26.1 «Fabricación de componentes electrónicos y áreas amplias» y RIS3 áreas de especialización inteligente «materiales inteligentes, tecnología y sistemas de ingeniería», «Tecnologías de la información y la comunicación». El proyecto corresponde a Ciencias Físicas (1.3), Ingeniería Eléctrica, Electrónica, Tecnologías de la Información y la Comunicación (2.2), así como Ciencias de los Materiales (2.5). instituciones científicas, científicos, estudiantes, jóvenes científicos, emprendedores activos en el campo de la fabricación de componentes electrónicos. Duración del proyecto: las actividades comenzaron antes de la celebración de un acuerdo sobre la ejecución del proyecto del 1.02.2021 al 30.11.2023. Duración del proyecto 33 meses. Los costes subvencionables totales del proyecto ascienden a 540 539,16 EUR, incluidos 444 809,67 EUR de financiación del FEDER y 55 189,04 EUR de financiación con cargo al presupuesto del Estado. microtriode, tecnología microelectrónica, tecnología de semiconductores plano (Spanish)
    point in time
    12 January 2022
    0 references
    Edu mikro- ja nanotehnoloogia inspireerib taaselustada vaakumelektroonika. Väljaheiteseadmeid kasutatakse vaakummikro- ja nanoelektroonikaahelates, millel on pooljuhtanaloogide ees eelised: Kõrge sagedusega töö sobib kõrgepinge ahelad ja seetõttu ei nõua kõrge signaali võimendamine, madal tundlikkus välismüra. See võimaldab kasutada valdkonnas emissiooni komponendid kõrgel temperatuuril ja karmides keskkondades, nagu sõjalised ja kosmoserakendused.Väljaheitmete seadmeid võib leida kasutamiseks audioelektroonika võimendid. Kaasaegsed audiosüsteemid kipuvad looma „elus heli“, mida iseloomustavad harmooniliste signaalide mittelineaarsed moonutused. Seega heliahelad nagu audio-elektroonilised võimendid eeldatavasti genereerida mittelineaarsed, moonutatud harmoonilised signaalid, mis edastatakse helisüsteemidele. Selle võimendamise eesmärgil on sobivad vaakum microtriodes.Võime välja emitter emiteerida elektrone on väga sõltuv oma kiirgava otsa teravus. Kiirguspinna kõverusraadius tuleb vähendada mitme nanomeetrini. Tavaliselt toodetakse välikiirgust mikroelektroonikas vertikaalselt seisvate struktuuridena (telliste koonused, otsad, nanotorud jne). Selliste struktuuride tootmiseks täiendavad tasapinnalisi pooljuhttehnoloogiaid tavaliselt nanotehnoloogiad. See raskendab väliheitmete seadmete kavandamist ja suurendab nende tootmiskulusid. Tootmiskulude vähendamiseks tehakse käesolevas projektis ettepanek tehnoloogia väljatöötamiseks, et toota väliemissioonmikrotoone ja kiirgavat osa, mis kasutab ainult tasapinnalisi pooljuhttehnoloogiaid. Tasapinnaliste pooljuhtide tehnoloogiate teine oluline eelis on võimalus integreerida aktiivsete pooljuhtide struktuuridega välikiirgusseadmed üheks kiibiks. Projekti eesmärk on arendada tasapinnalise välja emissiooni mikrotrioodi struktuuri, mis on valmistatud traditsiooniliste tasapinnaliste pooljuhtide tehnoloogiate abil. Planetary microtriode struktuur on tehnoloogiliselt ühilduv tasapinnaliste audio-elektrooniliste võimenditega. Väljumisseadmete tootmise turg areneb kiiresti, kuid konkreetseid juhte veel ei ole. Läti elektroonikatööstusel on suured kogemused ja traditsioonid mikroelektroonikaseadmete, sealhulgas audielektroonika komponentide tootmisel. Audioelektroonika välja emissiooniseadmete tootmine võimaldab Läti tööstusel siseneda turule õigel ajal ja saada selles oluliseks osalejaks. Selle tulemusena edendatakse Läti majanduse innovatsioonisuutlikkust ja konkurentsivõimet. Projekt ei ole seotud majandustegevusega ning see on koostöö projekti taotleja Riia Tehnikaülikooli ja Läti Ülikooli partnerite ning pooljuhtseadmete tehase AS „ALFA PRAR“ vahel. Viiakse läbi tööstusuuring, mis hõlmab järgmisi põhimeetmeid: Mikrotrioodi struktuuri projekteerimine (1), 2) tootmine, 3) omaduste iseloomustamine ja 4) prototüübi loomine laborikeskkonnas. Tulemused: 1. tulemuste levitamine teaduspublikatsioonide, konverentside vormis; 2) laborikeskkonnas loodud mikrotrioodi struktuuri prototüüp; 3) patenditaotlus mikrotrioodi struktuuri ehitamiseks. Projektiga arendatakse välja NACE 2 26.1 „Elektrooniliste komponentide ja plaatide tootmine“ ja RIS3 aruka spetsialiseerumise valdkonnad „Arukad materjalid, tehnoloogiad ja insenerisüsteemid“, „Info- ja kommunikatsioonitehnoloogia“. Projekt vastab füüsikateadustele (1.3), elektrotehnikale, elektroonikale, info- ja kommunikatsioonitehnoloogiale (2.2) ning materjaliteadustele (2.5). Teadusasutused, teadlased, üliõpilased, noored teadlased, kaupmehed, kes töötavad elektroonikakomponentide tootmise valdkonnas. Projekti kestus: Tegevust alustati enne projekti rakendamise kokkulepet, mis sõlmitakse ajavahemikul 1.02.2021–30.11.2023. Projekti kestus: 33 kuud. Projekti abikõlblikud kogukulud on 540539,16 eurot, sealhulgas 444809,67 eurot Euroopa Regionaalarengu Fondist ja 55189,04 eurot riigieelarvest. Microtriode, mikroelektroonika tehnoloogia, tasapinnaline pooljuhttehnoloogia (Estonian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Mikro- ir nanotechnologijų sėkmė įkvepia vakuuminės elektronikos atgimimą. Lauko spinduliuotės įtaisai naudojami vakuuminėse mikroelektroninėse ir nanoelektroninėse grandinėse, turinčiose pranašumų prieš puslaidininkių analogus: Aukšto dažnio operacija tinka aukštos įtampos grandinėms, todėl nereikia didelio signalo stiprinimo, mažo jautrumo išoriniam triukšmui. Tai leidžia naudoti lauko emisijos komponentus aukštoje temperatūroje ir atšiauriose aplinkose, tokiose kaip karinės ir kosmoso programos. Lauko emisijos įrenginius galima rasti garso elektronikos stiprintuvuose. Šiuolaikinės garso sistemos paprastai sukuria „gyvą garsą“, kuriam būdingi netiesiniai harmoningų signalų iškraipymai. Todėl tikimasi, kad garso grandinės, tokios kaip garso ir elektroniniai stiprintuvai, generuos netiesinius, iškreiptus harmoninius signalus, kurie bus perduodami į garso sistemas. Šiam stiprinimo tikslui yra tinkami vakuuminiai mikrotriodai. Lauko skleidėjo gebėjimas spinduliuoti elektronus labai priklauso nuo jo spinduliavimo galo aštrumo. Spinduliavimo paviršiaus kreivio spindulys turi būti sumažintas iki kelių nanometrų. Paprastai lauko skleidėjai gaminami mikroelektronikoje kaip vertikaliai stovinčios konstrukcijos (plytų kūgiai, galai, nanovamzdeliai ir kt.). Norint sukurti tokias struktūras, plokščių puslaidininkių technologijas paprastai papildo nanotechnologijos. Tai apsunkina lauko emisijos įtaisų projektavimą ir padidina jų gamybos sąnaudas. Siekiant sumažinti gamybos sąnaudas, dabartiniame projekte siūloma sukurti technologiją, skirtą lauko emisijos mikrotriodams gaminti, ir spinduliuojančią dalį, kurioje naudojamos tik plokščiosios puslaidininkių technologijos. Kitas svarbus plokštuminių puslaidininkių technologijų privalumas yra galimybė integruoti lauko emisijos įrenginius su aktyviosiomis puslaidininkių struktūromis į vieną lustą. Projekto tikslas – sukurti plokščiojo lauko emisijos mikrotriodo struktūrą, pagamintą naudojant tradicines plokštuminių puslaidininkių technologijas. Planetos mikrotriodo struktūra bus technologiškai suderinama su plokštuminiais garso-elektroniniais stiprintuvais. Lauko emisijos įrenginių gamybos rinka sparčiai vystosi, tačiau konkrečių lyderių dar nėra. Latvijos elektronikos pramonė turi didelę patirtį ir tradicijas gaminant mikroelektronikos prietaisus, įskaitant audielektronikos komponentus. Garso elektronikos lauko spinduliuotės prietaisų gamyba leis Latvijos pramonei tinkamu laiku patekti į rinką ir tapti svarbia veikėja. Dėl to bus skatinamas Latvijos ekonomikos inovacinis pajėgumas ir konkurencingumas. Projektas nesusijęs su ekonomine veikla ir bus vykdomas projekto pareiškėjo Rygos technikos universiteto ir Latvijos universiteto partnerių bei puslaidininkių įrenginių gamyklos AS „ALFA PRAR“ bendradarbiavimas. Bus atliktas pramoninis tyrimas, kuriame bus numatyti pagrindiniai veiksmai: Mikrotrido struktūros projektavimas (1), 2) gamyba, 3) savybių apibūdinimas ir 4) prototipų kūrimas laboratorijos aplinkoje. Rezultatai: 1. rezultatų sklaida mokslinių publikacijų, konferencijų forma; 2) mikrotriodo struktūros prototipas, sukurtas laboratorijos aplinkoje; 3) patento paraiška dėl mikrotriodo struktūros statybos. Projektu bus plėtojamos NACE2 26.1 „Elektroninių komponentų ir plokščių gamyba“ ir RIS3 pažangiosios specializacijos sritys „Pažangios medžiagos, technologijos ir inžinerinės sistemos“, „Informacinės ir ryšių technologijos“. Projektas atitinka fizikinių mokslų (1.3), Elektros inžinerijos, elektronikos, informacinių ir ryšių technologijų (2.2), taip pat medžiagų mokslų (2.5) sritis. Mokslo įstaigos, mokslininkai, studentai, jauni mokslininkai, prekybininkai, dirbantys elektroninių komponentų gamybos srityje. Projekto trukmė: Veikla pradėta prieš sudarant susitarimą dėl projekto įgyvendinimo, kuris turi būti sudarytas nuo 2021 m. vasario 1 d. iki 2023 m. lapkričio 30 d. Projekto trukmė: 33 mėnesiai. Visos tinkamos finansuoti projekto išlaidos yra 540 539,16 EUR, įskaitant 444 809,67 EUR ERPF finansavimą ir 55 189,04 EUR valstybės biudžeto finansavimą. Mikrotriodo, mikroelektronikos technologijos, plokščiosios puslaidininkių technologijos (Lithuanian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Uspjeh u mikro- i nanotehnologiji inspirira oživljavanje vakuum elektronike. Uređaji za emisije iz polja upotrebljavaju se u vakuum mikro i nanoelektroničkim krugovima koji imaju prednosti u odnosu na poluvodičke analoge: Visokofrekventni rad pogodan za visokonaponske krugove i stoga ne zahtijeva pojačanje visokog signala, nisku osjetljivost na vanjsku buku. To omogućuje korištenje komponenti emisije polja u visokim temperaturama i teškim okruženjima, kao što su vojne i svemirske aplikacije. Uređaji za emisiju polja mogu se pronaći za uporabu u pojačalima audio elektronike. Moderni audio sustavi imaju tendenciju stvaranja „živog zvuka” koji karakterizira nelinearna izobličenja skladnih signala. Stoga se očekuje da će audio krugovi kao što su audio-elektronička pojačala generirati nelinearne, iskrivljene harmoničke signale koji će se prenijeti na audio sustave. Za ovu svrhu pojačavanja postoje prikladne vakuum mikrotriode. Sposobnost polja emitera da emitira elektrone je vrlo ovisna o svojoj blistavosti kraja. Polumjer zakrivljenosti površine zračenja mora se smanjiti na nekoliko nanometara. Tipično, onečišćivači polja proizvode se u mikroelektronici kao vertikalno stojeće strukture (opečni češeri, krajevi, nanocijevi itd.). Kako bi se proizvele takve strukture, planarne poluvodičke tehnologije obično se nadopunjuju nanotehnologijama. To komplicira dizajn uređaja za emisiju na terenu i povećava njihove troškove proizvodnje. Kako bi se smanjili troškovi proizvodnje, u okviru ovog projekta predlaže se razvoj tehnologije za proizvodnju mikrotrija s emisijom na terenu i zračećeg dijela koji koristi samo planarne poluvodičke tehnologije. Još jedna važna prednost planarnih poluvodičkih tehnologija je mogućnost integracije uređaja za emisiju polja s aktivnim poluvodičkim strukturama u jedan čip. Projekt ima za cilj razviti planarna struktura mikrotrioda emisije polja, izrađena pomoću tradicionalnih planarnih poluvodičkih tehnologija. Planetarna mikrotriode struktura će biti tehnološki kompatibilan s planarni audio-elektronička pojačala. Tržište za proizvodnju uređaja za mjerenje emisija polja brzo se razvija, ali još nema specifičnih lidera. Latvijska industrija elektronike ima veliko iskustvo i tradiciju u proizvodnji mikroelektroničkih uređaja, uključujući komponente audioelektronike. Proizvodnja uređaja za emisiju audio elektronike omogućit će latvijskoj industriji da uđe na tržište u pravo vrijeme i postane važan igrač u njemu. Kao rezultat toga, promicat će se inovacijski kapacitet i konkurentnost latvijskog gospodarstva.Projekt nije povezan s gospodarskom aktivnošću i bit će suradnja između podnositelja zahtjeva za projekt Tehničkog sveučilišta Riga i partnera Sveučilišta u Latviji i tvornice poluvodičkih uređaja AS „ALFA PRAR”. Provest će se industrijska studija s ključnim mjerama: Dizajn mikrotriodne strukture (1), (2) proizvodnja, (3) karakterizacija svojstava i (4) izrada prototipa u laboratorijskom okruženju. Rezultati: 1. širenje rezultata u obliku znanstvenih publikacija, konferencija; 2) prototip mikrotriodne strukture stvorene u laboratorijskom okruženju; 3) patentna prijava na izgradnju mikrotriodne strukture. Projektom će se razviti područja NACE2 26.1 „Proizvodnja elektroničkih komponenti i ploča” i RIS3 područja pametne specijalizacije „Pametni materijali, tehnologije i inženjerski sustavi”, „Informacijske i komunikacijske tehnologije”. Projekt je u skladu s područjima fizikalnih znanosti (1.3), elektrotehnike, elektronike, informacijskih i komunikacijskih tehnologija (2.2), kao i znanosti o materijalima (2.5). Znanstvene institucije, znanstvenici, studenti, mladi znanstvenici, trgovci koji rade u području proizvodnje elektroničkih komponenti. Trajanje projekta: Aktivnosti su pokrenute prije sklapanja sporazuma o provedbi projekta od 1. veljače 2021. do 30.11.2023. Trajanje projekta: 33 mjeseca. Ukupni prihvatljivi troškovi projekta iznose 540 539,16 EUR, uključujući 444 809,67 EUR iz EFRR-a i 55 189,04 EUR iz državnog proračuna. Microtriode, tehnologija mikroelektronike, planarna poluvodička tehnologija (Croatian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Η επιτυχία στη μικροτεχνολογία και τη νανοτεχνολογία εμπνέει την αναβίωση των ηλεκτρονικών ειδών κενού. Οι συσκευές εκπομπής πεδίου χρησιμοποιούνται σε μικροηλεκτρονικά και νανοηλεκτρονικά κυκλώματα κενού με πλεονεκτήματα έναντι των αναλόγων ημιαγωγών: Λειτουργία υψηλής συχνότητας κατάλληλη για κυκλώματα υψηλής τάσης και ως εκ τούτου δεν απαιτούν υψηλή ενίσχυση σήματος, χαμηλή ευαισθησία στον εξωτερικό θόρυβο. Αυτό επιτρέπει τη χρήση εξαρτημάτων εκπομπών πεδίου σε υψηλής θερμοκρασίας και σκληρά περιβάλλοντα, όπως στρατιωτικές και διαστημικές εφαρμογές.Οι συσκευές εκπομπής πεδίου μπορούν να βρεθούν για χρήση σε ακουστικούς ενισχυτές ηλεκτρονικών. Τα σύγχρονα συστήματα ήχου τείνουν να δημιουργούν «ζωντανό ήχο» που χαρακτηρίζεται από μη γραμμικές στρεβλώσεις των αρμονικών σημάτων. Κατά συνέπεια, τα ακουστικά κυκλώματα όπως οι ακουστικοί-ηλεκτρονικοί ενισχυτές αναμένεται να παράγουν μη γραμμικά, στρεβλωμένα αρμονικά σήματα που θα μεταδίδονται σε συστήματα ήχου. Για αυτό το σκοπό ενίσχυσης υπάρχουν κατάλληλες μικροτριόδους κενού.Η ικανότητα ενός εκπομπού πεδίου να εκπέμπει ηλεκτρόνια εξαρτάται σε μεγάλο βαθμό από την ευκρίνεια του ακτινοβολούντος άκρου. Η ακτίνα καμπυλότητας της ακτινοβολούμενης επιφάνειας πρέπει να μειώνεται σε αρκετά νανόμετρα. Συνήθως, οι πομποί πεδίου παράγονται στη μικροηλεκτρονική ως κάθετα μόνιμες δομές (κώνοι τούβλου, άκρα, νανοσωλήνες κ.λπ.). Για την παραγωγή τέτοιων δομών, οι επίπεδες τεχνολογίες ημιαγωγών συνήθως συμπληρώνονται από νανοτεχνολογίες. Αυτό περιπλέκει τον σχεδιασμό των συσκευών εκπομπής πεδίου και αυξάνει το κόστος κατασκευής τους. Προκειμένου να μειωθεί το κόστος παραγωγής, το τρέχον έργο προτείνει την ανάπτυξη τεχνολογίας για την παραγωγή μικροτριόδων εκπομπών πεδίου και του τμήματος ακτινοβολίας που χρησιμοποιεί μόνο επίπεδες τεχνολογίες ημιαγωγών. Ένα άλλο σημαντικό πλεονέκτημα των επίπεδων τεχνολογιών ημιαγωγών είναι η δυνατότητα ενσωμάτωσης συσκευών εκπομπής τομέων με ενεργές δομές ημιαγωγών σε ένα τσιπ. Το πρόγραμμα στοχεύει στην ανάπτυξη μιας επίπεδης δομής μικροτριόδων εκπομπής τομέων, που γίνεται χρησιμοποιώντας τις παραδοσιακές επίπεδες τεχνολογίες ημιαγωγών. Η πλανητική δομή μικροτριόδων θα είναι τεχνολογικά συμβατή με τους επίπεδους ακουστικούς-ηλεκτρονικούς ενισχυτές.Η αγορά για την παραγωγή συσκευών εκπομπής πεδίου αναπτύσσεται ταχέως, αλλά δεν υπάρχουν ακόμη συγκεκριμένοι ηγέτες. Η λετονική βιομηχανία ηλεκτρονικών ειδών έχει μεγάλη εμπειρία και παραδόσεις στην κατασκευή μικροηλεκτρονικών συσκευών, συμπεριλαμβανομένων των εξαρτημάτων ακουσηλεκτρονικής. Η παραγωγή συσκευών εκπομπής ηχητικών ηλεκτρονικών ειδών θα επιτρέψει στη λετονική βιομηχανία να εισέλθει στην αγορά την κατάλληλη στιγμή και να καταστεί σημαντικός παράγοντας σε αυτήν. Ως εκ τούτου, θα προωθηθεί η ικανότητα καινοτομίας και η ανταγωνιστικότητα της λετονικής οικονομίας. Το έργο δεν σχετίζεται με την οικονομική δραστηριότητα και θα είναι συνεργασία μεταξύ του υποψήφιου Τεχνικού Πανεπιστημίου της Ρίγας και των εταίρων του Πανεπιστημίου της Λετονίας και του εργοστασίου συσκευών ημιαγωγών AS «ALFA PRAR». Θα διεξαχθεί βιομηχανική μελέτη με βασικές δράσεις: Σχεδιασμός δομής μικροτριόδων (1), (2) παραγωγή, (3) χαρακτηρισμός ιδιοτήτων και (4) κατασκευή πρωτοτύπων σε εργαστηριακό περιβάλλον. Αποτελέσματα: 1. διάδοση των αποτελεσμάτων υπό μορφή επιστημονικών δημοσιεύσεων, συνεδρίων· 2) πρωτότυπη μικροτριόδου δομή που δημιουργείται σε ένα εργαστηριακό περιβάλλον? 3) μια αίτηση διπλώματος ευρεσιτεχνίας για την κατασκευή μιας δομής μικροτριόδων. Το έργο θα αναπτύξει τους τομείς της NACE2 26.1 «Κατασκευή ηλεκτρονικών εξαρτημάτων και πλακών» και των τομέων έξυπνης εξειδίκευσης RIS3 «Έξυπνα υλικά, τεχνολογίες και συστήματα μηχανικής», «Τεχνολογίες πληροφοριών και επικοινωνιών». Το έργο συμμορφώνεται με τους τομείς Φυσικών Επιστημών (1.3), Ηλεκτρολόγων Μηχανικών, Ηλεκτρονικών, Τεχνολογιών Πληροφορικής και Επικοινωνιών (2.2), καθώς και Επιστημών Υλικών (2.5). Επιστημονικά ιδρύματα, επιστήμονες, φοιτητές, νέοι επιστήμονες, έμποροι που εργάζονται στον τομέα της κατασκευής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων. Διάρκεια του σχεδίου: Οι δραστηριότητες ξεκίνησαν πριν από τη συμφωνία για την υλοποίηση του έργου προς σύναψη από 1.02.2021 έως 30.11.2023. Διάρκεια του έργου: 33 μήνες. Οι συνολικές επιλέξιμες δαπάνες του έργου ανέρχονται σε 540 539,16 EUR, εκ των οποίων 444 809,67 EUR χρηματοδοτούνται από το ΕΤΠΑ και 55 189,04 EUR από τον κρατικό προϋπολογισμό. Microtriode, τεχνολογία μικροηλεκτρονικής, επίπεδη τεχνολογία ημιαγωγών (Greek)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Úspech v mikrotechnológiách a nanotechnológiách inšpiruje oživenie vákuovej elektroniky. Zariadenia na emisie polí sa používajú vo vákuových mikro a nanoelektronických obvodoch, ktoré majú výhody oproti polovodičovým analógom: Vysokofrekvenčná prevádzka vhodná pre vysokonapäťové obvody, a preto nevyžadujú vysoké zosilnenie signálu, nízku citlivosť na vonkajší hluk. To umožňuje použitie komponentov emisií polí v prostredí s vysokou teplotou a drsným prostredím, ako sú vojenské a vesmírne aplikácie. Poľné emisné zariadenia možno nájsť na použitie v zosilňovačoch audio elektroniky. Moderné audio systémy majú tendenciu vytvárať „živý zvuk“ charakterizovaný nelineárnymi deformáciami harmonických signálov. V dôsledku toho sa očakáva, že zvukové obvody, ako sú audio-elektronické zosilňovače, generujú nelineárne, skreslené harmonické signály, ktoré sa prenášajú do zvukových systémov. Pre tento účel zosilnenia sú vhodné vákuové mikrotriódy.Schopnosť vyžarujúceho poľa emitovať elektróny je vysoko závislá od jeho žiarivej koncovej ostrosti. Polomer zakrivenia sálavého povrchu sa musí zmenšiť na niekoľko nanometrov. Poľné žiariče sa zvyčajne vyrábajú v mikroelektronike ako vertikálne stojace štruktúry (tehlové kužele, konce, nanorúry atď.). S cieľom vytvoriť takéto štruktúry sú rovinné polovodičové technológie zvyčajne doplnené nanotechnológiami. To komplikuje navrhovanie zariadení na emisie v teréne a zvyšuje ich výrobné náklady. S cieľom znížiť výrobné náklady sa v súčasnom projekte navrhuje vývoj technológie na výrobu poľných emisných mikrotriód a vyžarujúcej časti, ktorá využíva len rovinné polovodičové technológie. Ďalšou dôležitou výhodou rovinných polovodičových technológií je možnosť integrácie zariadení na emisie polí s aktívnymi polovodičovými štruktúrami do jedného čipu. Cieľom projektu je vyvinúť rovinnú štruktúru emisnej mikrotriódy v teréne, vyrobenú s použitím tradičných rovinných polovodičových technológií. Planetárna mikrotriódová štruktúra bude technologicky kompatibilná s rovinnými audio-elektronickými zosilňovačmi. Trh pre výrobu zariadení na emisie v teréne sa rýchlo vyvíja, ale zatiaľ neexistujú žiadne konkrétne vodcovia. Lotyšský elektronický priemysel má veľké skúsenosti a tradície vo výrobe mikroelektronických zariadení vrátane komponentov audielectronics. Výroba zariadení na emisie audio elektroniky umožní lotyšskému priemyslu vstúpiť na trh v správnom čase a stať sa v ňom dôležitým hráčom. Výsledkom bude podpora inovačnej kapacity a konkurencieschopnosti lotyšského hospodárstva. Projekt nesúvisí s hospodárskou činnosťou a bude spolupracovať medzi žiadateľom o projekt Rigou Technickou univerzitou a partnermi Lotyšskej univerzity a továrňou polovodičových zariadení AS „ALFA PRAR“. Uskutoční sa priemyselná štúdia s kľúčovými opatreniami: Návrh mikrotriódovej štruktúry (1), (2) výroba, (3) charakterizácia vlastností a (4) prototypovanie v laboratórnom prostredí. Výsledky: 1. šírenie výsledkov vo forme vedeckých publikácií, konferencií; 2) prototyp mikrotriódová štruktúra vytvorená v laboratórnom prostredí; 3) patentová prihláška na výstavbu mikrotriódovej štruktúry. Projekt bude rozvíjať oblasti NACE2 26.1 „Výroba elektronických komponentov a dosiek“ a RIS3 oblasti inteligentnej špecializácie „Inteligentné materiály, technológie a inžinierske systémy“, „Informačné a komunikačné technológie“. Projekt je v súlade s oblasťami fyzikálnych vied (1.3), elektrotechniky, elektroniky, informačných a komunikačných technológií (2.2), ako aj materiálových vied (2.5). Vedecké inštitúcie, vedci, študenti, mladí vedci, obchodníci pracujúci v oblasti výroby elektronických súčiastok. Trvanie projektu: Činnosti sa začali pred uzavretím dohody o realizácii projektu od 1. 2. 2021 do 30.11.2023. Trvanie projektu: 33 mesiacov. Celkové oprávnené náklady na projekt sú 540 539,16 EUR vrátane 444 809,67 EUR financovania z EFRR a 55 189,04 EUR zo štátneho rozpočtu. Mikrotriode, mikroelektronická technológia, rovinná polovodičová technológia (Slovak)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Mikro- ja nanoteknologian menestys innostaa tyhjiöelektroniikan elpymistä. Kenttäpäästölaitteita on käytettävä tyhjiömikro- ja nanoelektronisissa piireissä, joilla on etuja puolijohdeanalogeihin nähden: Korkean taajuuden toiminta sopii suurjännitepiireille ja siksi ne eivät vaadi suurta signaalin vahvistusta, alhainen herkkyys ulkoiselle melulle. Tämä mahdollistaa kenttäpäästökomponenttien käytön korkeissa lämpötiloissa ja ankarissa ympäristöissä, kuten sotilas- ja avaruussovelluksissa.Field-päästölaitteet löytyvät käytettäväksi audioelektroniikan vahvistimissa. Nykyaikaiset äänijärjestelmät luovat yleensä ”elävää ääntä”, jolle on tunnusomaista harmonisten signaalien epälineaariset vääristymät. Näin ollen äänipiirien, kuten audioelektronisten vahvistimien, odotetaan tuottavan epälineaarisia, vääristyneitä harmonisia signaaleja, jotka lähetetään audiojärjestelmiin. Tätä vahvistin varten on sopivia tyhjiö mikrotriodeja. Kyky kenttä emit elektroneja on erittäin riippuvainen sen säteilevä pää terävyys. Säteilevän pinnan kaarevuussäde on pienennettävä useisiin nanometreihin. Tyypillisesti kentän säteilijät tuotetaan mikroelektroniikassa pystysuunnassa seisovina rakenteina (tiilikartiot, päät, nanoputket jne.). Tällaisten rakenteiden tuottamiseksi tasomaisia puolijohdeteknologioita täydennetään yleensä nanoteknologioilla. Tämä vaikeuttaa kentän päästölaitteiden suunnittelua ja lisää niiden valmistuskustannuksia. Tuotantokustannusten vähentämiseksi nykyisessä hankkeessa ehdotetaan teknologian kehittämistä kentän päästömikrotriodeja ja säteilevää osaa varten, jossa käytetään ainoastaan tasoperäistä puolijohdeteknologiaa. Toinen tärkeä etu tasopuolijohdeteknologioissa on mahdollisuus integroida kenttäpäästölaitteet aktiivisiin puolijohderakenteisiin yhdeksi siruksi. Hankkeen tavoitteena on kehittää tasomainen päästömikrotriodirakenne, joka on valmistettu perinteisillä tasomaisilla puolijohdeteknologioilla. Planetaarinen mikrotriodirakenne on teknisesti yhteensopiva tasomaisten audio-elektronisten vahvistimien kanssa. Kenttäpäästölaitteiden tuotannon markkinat kehittyvät nopeasti, mutta erityisiä johtajia ei vielä ole. Latvian elektroniikkateollisuudella on paljon kokemusta ja perinteitä mikroelektronisten laitteiden, kuten audielektroniikkakomponenttien, valmistuksessa. Äänielektroniikkakentän päästölaitteiden tuotanto antaa Latvian teollisuudelle mahdollisuuden päästä markkinoille oikeaan aikaan ja tulla tärkeäksi toimijaksi siinä. Näin edistetään Latvian talouden innovointikapasiteettia ja kilpailukykyä. Hanke ei liity taloudelliseen toimintaan, vaan se on hankkeen hakijan Riian teknillisen yliopiston ja Latvian yliopiston kumppaneiden ja puolijohdelaitetehtaan AS ”ALFA PRAR” välinen yhteistyö. Toteutetaan teollinen tutkimus, jossa on seuraavat keskeiset toimet: Mikrotriodirakenteen suunnittelu (1), 2) tuotanto, 3) ominaisuuksien karakterisointi ja 4) prototyyppien suunnittelu laboratorioympäristössä. Tulokset: 1. tulosten levittäminen tieteellisten julkaisujen ja konferenssien muodossa; 2) prototyyppi mikrotriodi rakenne luotu laboratorioympäristössä; 3) patenttihakemus mikrotriodirakenteen rakentamisesta. Hankkeessa kehitetään NACE 2:n 26.1 ”elektronisten komponenttien ja levyjen valmistus” ja RIS3:n älykkään erikoistumisen osa-alueita ”Älykkäät materiaalit, teknologia ja tekniset järjestelmät”, ”Tieto- ja viestintäteknologia”. Hanke vastaa fysiikan (1.3), sähkötekniikan, elektroniikan, tieto- ja viestintätekniikan (2.2) sekä materiaalitieteiden (2.5) aloja. Tieteelliset laitokset, tutkijat, opiskelijat, nuoret tutkijat, kauppiaat, jotka työskentelevät elektroniikkakomponenttien valmistuksen alalla. Hankkeen kesto: Toimet on käynnistetty ennen hankkeen toteuttamista koskevan sopimuksen tekemistä, ja ne on tarkoitus saattaa päätökseen 1. helmikuuta 2021–30.11.2023. Hankkeen kesto: 33 kuukautta. Hankkeen tukikelpoiset kokonaiskustannukset ovat 540539,16 euroa, josta 444809,67 euroa EAKR:n rahoitusta ja 55199,04 euroa valtion talousarviosta. Mikrotriodi, mikroelektroniikkatekniikka, tasomainen puolijohdetekniikka (Finnish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Sukces w mikro- i nanotechnologii inspiruje ożywienie elektroniki próżniowej. Urządzenia do emisji polowej stosuje się w próżniowych obwodach mikro- i nanoelektronicznych mających przewagę nad analogami półprzewodnikowymi: Wysoka częstotliwość pracy nadaje się do obwodów wysokiego napięcia, a zatem nie wymaga wysokiego wzmocnienia sygnału, niskiej czułości na hałas zewnętrzny. Pozwala to na wykorzystanie komponentów emitujących pole w wysokiej temperaturze i trudnych warunkach, takich jak zastosowania wojskowe i kosmiczne. Urządzenia emisyjne można znaleźć do stosowania we wzmacniaczach elektroniki audio. Nowoczesne systemy audio mają tendencję do tworzenia „na żywo dźwięku” charakteryzującego się nieliniowymi zniekształceniami harmonijnych sygnałów. W związku z tym oczekuje się, że obwody audio, takie jak wzmacniacze audio-elektroniczne, będą generować nieliniowe, zniekształcone sygnały harmoniczne, które będą przesyłane do systemów audio. Do tego celu amplifikacji istnieją odpowiednie mikrotriody próżniowe.Zdolność emitera pola do emitowania elektronów jest w dużym stopniu zależna od jego promiennej ostrości końcowej. Promień krzywizny promienistej powierzchni musi być zredukowany do kilku nanometrów. Zazwyczaj emitery pola są produkowane w mikroelektroniki jako pionowo stojące struktury (szybki ceglane, końce, nanorurki itp.). W celu wyprodukowania takich konstrukcji, planarne technologie półprzewodnikowe są zazwyczaj uzupełniane przez nanotechnologie. Komplikuje to projektowanie urządzeń do emisji zanieczyszczeń w terenie i zwiększa ich koszty produkcji. W celu zmniejszenia kosztów produkcji w ramach obecnego projektu proponuje się opracowanie technologii produkcji mikrotriodów emisji w terenie oraz części promieniującej, która wykorzystuje wyłącznie płaskie technologie półprzewodnikowe. Kolejną ważną zaletą planarnych technologii półprzewodnikowych jest możliwość zintegrowania w jeden układ urządzeń do emisji polowej z aktywnymi strukturami półprzewodnikowymi. Projekt ma na celu opracowanie struktury mikrotriody emisji pola planarnego, wykonanej przy użyciu tradycyjnych płaskowych technologii półprzewodnikowych. Struktura mikrotriody planetarnej będzie technologicznie kompatybilna z planarnymi wzmacniaczami audio-elektronicznymi. Rynek produkcji urządzeń do emisji polowej szybko się rozwija, ale nie ma jeszcze konkretnych liderów. Łotewski przemysł elektroniczny ma duże doświadczenie i tradycje w produkcji urządzeń mikroelektronicznych, w tym komponentów audielektroniki. Produkcja urządzeń emitujących pola elektroniki audio pozwoli łotewskiemu przemysłowi wejść na rynek we właściwym czasie i stać się ważnym graczem w nim. W rezultacie promowana będzie zdolność innowacyjna i konkurencyjność łotewskiej gospodarki. Projekt nie jest związany z działalnością gospodarczą i będzie współpracował między wnioskującym o projekt Uniwersytetem Technicznym w Rydze a partnerami Uniwersytetu Łotewskiego i fabryki urządzeń półprzewodnikowych AS „ALFA PRAR”. Przeprowadzone zostanie badanie przemysłowe obejmujące kluczowe działania: Projektowanie struktury mikrotriody (1), (2) produkcja, (3) charakterystyka właściwości i (4) prototypowanie w środowisku laboratoryjnym. Wyniki: 1. upowszechnianie wyników w formie publikacji naukowych, konferencji; 2) prototypowa struktura mikrotriody stworzona w środowisku laboratoryjnym; 3) zgłoszenie patentowe na budowę struktury mikrotriody. Projekt będzie rozwijał dziedziny NACE2 26.1 „Produkcja podzespołów i płyt elektronicznych” oraz dziedziny inteligentnej specjalizacji RIS3 „Inteligentne materiały, technologie i systemy inżynieryjne”, „Technologie informacyjne i komunikacyjne”. Projekt jest zgodny z dziedzinami nauk fizycznych (1.3), inżynierii elektrycznej, elektroniki, technologii informacyjno-komunikacyjnych (2.2), a także nauk materiałowych (2.5). Instytucje naukowe, naukowcy, studenci, młodzi naukowcy, kupcy pracujący w dziedzinie produkcji komponentów elektronicznych. Czas trwania projektu: Działania rozpoczęto przed zawarciem umowy w sprawie realizacji projektu w okresie od 1.02.2021 r. do 30.11.2023 r. Czas trwania projektu: 33 miesiące. Łączne koszty kwalifikowalne projektu wynoszą 540 539,16 EUR, w tym 444 809,67 EUR finansowania z EFRR i 55 189,04 EUR z budżetu państwa. Mikrotrioda, technologia mikroelektroniki, płaska technologia półprzewodnikowa (Polish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    A mikro- és nanotechnológia sikere inspirálja a vákuumelektronika újjáéledését. A terepen kibocsátott berendezéseket olyan vákuum mikro- és nanoelektronikai áramkörökben kell használni, amelyek a félvezető analógokkal szemben előnyösebbek: Nagyfrekvenciás működés alkalmas nagyfeszültségű áramkörökhöz, és ezért nem igényel nagy jelerősítést, alacsony érzékenységet a külső zajra. Ez lehetővé teszi a terepi kibocsátási alkatrészek magas hőmérsékletű és durva környezetben, mint például a katonai és űralkalmazások.Field emissziós eszközök megtalálhatók az audio elektronika erősítők. A modern audiorendszerek általában „élő hangot” hoznak létre, amelyet a harmonikus jelek nem lineáris torzulásai jellemeznek. Következésképpen az audio áramkörök, mint például az audio-elektronikus erősítők várhatóan nem lineáris, torzított harmonikus jeleket generálnak, amelyeket audio rendszerekbe továbbítanak. Erre az erősítési célra megfelelő vákuum mikrotriódák vannak. A mezőkibocsátó elektronok kibocsátására való képessége nagymértékben függ a sugárzó vég élességétől. A sugárzó felület görbületi sugarát több nanométerre kell csökkenteni. A terepi kibocsátókat jellemzően mikroelektronikában állítják elő függőlegesen álló szerkezetekként (téglakúpok, végek, nanocsövek stb.). Az ilyen struktúrák előállítása érdekében a sík félvezető technológiákat általában nanotechnológiák egészítik ki. Ez megnehezíti a helyszíni emissziós berendezések tervezését és növeli gyártási költségeiket. A termelési költségek csökkentése érdekében a jelenlegi projekt egy olyan technológia kifejlesztését javasolja, amely lehetővé teszi a terepen kibocsátott mikrotriódák és a kizárólag sík félvezető technológiákat alkalmazó sugárzó rész gyártását. A sík félvezető technológiák másik fontos előnye az aktív félvezető szerkezetekkel rendelkező terepi emissziós eszközök integrálásának lehetősége egy chipbe. A projekt célja egy síktéri emissziós mikrotrióda-szerkezet kialakítása, hagyományos sík félvezető technológiák felhasználásával. A bolygó mikrotrióda szerkezete technológiailag kompatibilis lesz a síkbeli audio-elektronikus erősítőkkel. A terepi emissziós eszközök gyártásának piaca gyorsan fejlődik, de nincsenek konkrét vezetők. A lett elektronikai ipar nagy tapasztalattal és hagyományokkal rendelkezik a mikroelektronikai eszközök, köztük az audielektronikai alkatrészek gyártása terén. Az audioelektronikai mezőt kibocsátó berendezések gyártása lehetővé teszi a lett ipar számára, hogy a megfelelő időben belépjen a piacra, és fontos szereplővé váljon benne. Ennek eredményeként elő fogják mozdítani a lett gazdaság innovációs kapacitását és versenyképességét.A projekt nem kapcsolódik a gazdasági tevékenységhez, és együttműködik a projektet kérelmező Rigai Műszaki Egyetem és a Lett Egyetem partnerei és az AS „ALFA PRAR” félvezető eszközgyár között. Ipari tanulmány készül a legfontosabb fellépésekről: Mikrotrióda szerkezet tervezése (1), (2) gyártás, (3) tulajdonságok jellemzése és (4) laboratóriumi környezetben történő prototípuskészítés. Eredmények: 1. eredmények terjesztése tudományos publikációk, konferenciák formájában; 2) prototípus mikrotriód szerkezet létrehozott laboratóriumi környezetben; 3) szabadalmi bejelentés mikrotrióda szerkezet felépítésére. A projekt a NACE2 26.1 „Elektronikus alkatrészek és lemezek gyártása” és az „Intelligens anyagok, technológiák és műszaki rendszerek”, „Információs és kommunikációs technológiák” intelligens szakosodási területeinek fejlesztését célozza. A projekt megfelel a Fizikai Tudományok (1.3), Villamosmérnöki, elektronika, információs és kommunikációs technológiák (2.2), valamint az anyagtudományok (2.5) területének. Tudományos intézmények, tudósok, diákok, fiatal tudósok, kereskedők az elektronikai alkatrészek gyártása területén. A projekt időtartama: A tevékenységeket a projekt végrehajtásáról szóló, 2021. február 1. és 2013. november 30. között megkötendő megállapodás előtt indították el. A projekt időtartama: 33 hónap. A projekt teljes elszámolható költsége 540 539,16 EUR, ebből 444 809,67 EUR ERFA-finanszírozás és 55 189,04 EUR állami költségvetési finanszírozás. Mikrotrióda, mikroelektronikai technológia, sík félvezető technológia (Hungarian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Úspěch v mikrotechnologiích a nanotechnologiích inspiruje oživení vakuové elektroniky. Polní emisní zařízení se používají ve vakuových mikroelektronických a nanoelektronických obvodech, které mají oproti polovodičovým analogům výhody: Vysokofrekvenční provoz vhodný pro vysokonapěťové obvody, a proto nevyžadují vysoké zesílení signálu, nízkou citlivost na vnější hluk. To umožňuje použití terénních emisních složek ve vysokých teplotách a drsných prostředích, jako jsou vojenské a vesmírné aplikace.Field emisní zařízení lze nalézt pro použití v zesilovačích audio elektroniky. Moderní audio systémy mají tendenci vytvářet „živý zvuk“ charakterizovaný nelineárním narušením harmonických signálů. V důsledku toho se očekává, že zvukové obvody, jako jsou audio-elektronické zesilovače, budou generovat nelineární, zkreslené harmonické signály, které budou přenášeny do audio systémů. Pro tento zesilovací účel jsou vhodné vakuové mikrotriody.Schopnost polního emitoru emitovat elektrony je vysoce závislá na jeho ostrosti zářivého konce. Poloměr zakřivení sálavé plochy se musí zmenšit na několik nanometrů. Obvykle se polní emitory vyrábějí v mikroelektronice jako vertikálně stojící struktury (cihelné kužely, konce, nanotrubice atd.). Za účelem výroby takových struktur jsou rovinné polovodičové technologie obvykle doplněny nanotechnologiemi. To komplikuje konstrukci polních emisních zařízení a zvyšuje jejich výrobní náklady. Za účelem snížení výrobních nákladů navrhuje současný projekt vývoj technologie pro výrobu terénních emisních mikrotříd a vyzařující části, která využívá pouze planární polovodičové technologie. Další důležitou výhodou planárních polovodičových technologií je možnost integrace terénních emisních zařízení s aktivními polovodičovými strukturami do jednoho čipu.Cílem projektu je vyvinout rovinnou strukturu emisních mikrotridů v poli, vytvořenou pomocí tradičních planárních polovodičových technologií. Planetární mikrotriode struktura bude technologicky kompatibilní s planární audio-elektronické zesilovače. Trh pro výrobu polních emisních zařízení se rychle vyvíjí, ale zatím neexistují žádné konkrétní lídry. Lotyšský elektronický průmysl má velké zkušenosti a tradice ve výrobě mikroelektronických zařízení, včetně komponentů audielektroniky. Výroba emisních zařízení audio elektroniky umožní lotyšskému průmyslu vstoupit na trh ve správný čas a stát se na něm důležitým hráčem. V důsledku toho bude podporována inovační kapacita a konkurenceschopnost lotyšského hospodářství. Projekt nesouvisí s hospodářskou činností a bude spolupracovat mezi žadatelem o projekt v Rize Technická univerzita a partnery Lotyšské univerzity a továrnou polovodičových zařízení AS „ALFA PRAR“. Bude provedena průmyslová studie s klíčovými akcemi: Návrh struktury mikrotriod (1), 2) výroby, 3) charakterizace vlastností a 4) prototypování v laboratorním prostředí. Výsledky: 1. šíření výsledků ve formě vědeckých publikací, konferencí; 2) prototyp mikrotriod struktury vytvořené v laboratorním prostředí; 3) patentová přihláška na konstrukci mikrotriode struktury. Projekt bude rozvíjet oblasti NACE2 26.1 „Výroba elektronických součástek a desek“ a RIS3 Inteligentní specializační oblasti „Inteligentní materiály, technologie a inženýrské systémy“, „Informační a komunikační technologie“. Projekt je v souladu s obory fyzikálních věd (1.3), elektrotechniky, elektroniky, informačních a komunikačních technologií (2.2), jakož i věd o materiálech (2.5). Vědecké instituce, vědci, studenti, mladí vědci, obchodníci pracující v oblasti výroby elektronických součástek. Doba trvání projektu: Činnosti byly zahájeny před uzavřením dohody o realizaci projektu od 1.02.2021 do 30.11.2023. Doba trvání projektu: 33 měsíců. Celkové způsobilé náklady projektu činí 540 539,16 EUR, včetně 444 809,67 EUR z EFRR a 55 189,04 EUR financování ze státního rozpočtu. Microtriode, mikroelektronika, rovinná polovodičová technologie (Czech)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Spreagann rath i micritheicneolaíocht agus nanaitheicneolaíocht athbheochan leictreonaic folúis. Úsáidfear feistí astaíochtaí allamuigh i micreachiorcad folúis agus i gciorcaid nanaileictreonacha a bhfuil buntáistí acu thar analógacha leathsheoltóra: Oibriú ardmhinicíochta atá oiriúnach do chiorcaid ardvoltais agus dá bhrí sin ní gá aimpliú comhartha ard, íogaireacht íseal do thorann seachtrach. Ligeann sé seo an úsáid a bhaint as comhpháirteanna astaíochtaí réimse i dtimpeallachtaí teocht ard agus harsh, ar nós míleata agus spás applications.Field Is féidir feistí astaíochtaí a fháil lena n-úsáid i aimplitheoirí leictreonaic fuaime. Claonadh a bhíonn córais fuaime nua-aimseartha a chruthú “fuaim beo” arb iad is sainairíonna saobhadh neamh-líneach comharthaí chomhchuí. Dá bhrí sin, táthar ag súil le ciorcaid fuaime ar nós aimplitheoirí fuaime-leictreonacha a ghiniúint neamh-líneach, comharthaí armónacha a shaobhadh a tharchuirfear chuig córais fuaime. Chun na críche sin aimpliú tá microtriodes bhfolús oiriúnach.The cumas a emitter réimse a astú leictreoin ag brath go mór ar a sharpness deiridh radiant. Ní mór ga cuaire an dromchla radanta a laghdú go dtí roinnt nanametres. De ghnáth, déantar astaírí allamuigh a tháirgeadh i micrileictreonaic mar struchtúir ina seasamh go hingearach (cones bríce, foircinn, nanatubes, etc.). D’fhonn struchtúir den sórt sin a tháirgeadh, déantar teicneolaíochtaí leathsheoltóra plánacha a chomhlánú de ghnáth le nanaitheicneolaíochtaí. Déanann sé seo casta ar dhearadh feistí astaíochtaí allamuigh agus méadaíonn sé a gcostais mhonaraíochta. D’fhonn costais táirgthe a laghdú, molann an tionscadal reatha teicneolaíocht a fhorbairt chun micrea-thríodaí astaíochtaí allamuigh a tháirgeadh agus an chuid radaitheach nach n-úsáideann ach teicneolaíochtaí leathsheoltóra plánacha. Buntáiste tábhachtach eile a bhaineann le teicneolaíochtaí leathsheoltóra pleanála is ea an fhéidearthacht feistí astaíochtaí réimse a chomhtháthú le struchtúir leathsheoltóra gníomhacha i dtionscadal chip.The amháin a bhfuil sé mar aidhm aige struchtúr micrea-triode astaíochtaí réimse pleanála a fhorbairt, a rinneadh ag baint úsáide as teicneolaíochtaí leathsheoltóra planar traidisiúnta. Beidh an struchtúr microtriode phláinéid a bheith ag luí teicneolaíochta leis an margadh planar fuaime-leictreonach amplifiers.The do tháirgeadh feistí astaíochtaí réimse ag forbairt go tapa, ach níl aon ceannairí ar leith go fóill. Tá taithí agus traidisiúin an-mhaith ag tionscal leictreonaice na Laitvia i monarú gléasanna micrileictreonacha, lena n-áirítear comhpháirteanna audielectronics. Cuirfidh táirgeadh feistí astaíochta réimse leictreonaice fuaime ar chumas thionscal na Laitvia dul isteach sa mhargadh ag an am ceart agus a bheith ina imreoir tábhachtach ann. Mar thoradh air sin, cuirfear cumas nuálaíochta agus iomaíochas gheilleagar na Laitvia chun cinn. Ní bhaineann an tionscadal le gníomhaíocht eacnamaíoch agus beidh sé ina chomhoibriú idir Ollscoil Theicniúil Ríge is iarratasóir ar an tionscadal agus comhpháirtithe in Ollscoil na Laitvia agus monarcha na ngléasanna leathsheoltóra AS “ALFA PRAR”. Déanfar staidéar tionsclaíoch le príomhghníomhaíochtaí: Dearadh struchtúr microtriode (1), (2) táirgeadh, (3) tréithriú airíonna agus (4) fréamhshamhlú i dtimpeallacht saotharlainne. Torthaí: 1. scaipeadh na dtorthaí i bhfoirm foilseachán eolaíoch, comhdhálacha; 2) struchtúr microtriode fhréamhshamhail a cruthaíodh i dtimpeallacht saotharlainne; 3) iarratas ar phaitinn ar thógáil struchtúr microtriode. Forbróidh an tionscadal réimsí NACE2 26.1 “Monarú comhpháirteanna agus plátaí leictreonacha” agus réimsí speisialtóireachta cliste RIS3 “Ábhair Chliste, Teicneolaíochtaí agus Córais Innealtóireachta”, “Teicneolaíochtaí Faisnéise agus Cumarsáide”. Comhlíonann an tionscadal réimsí na nEolaíochtaí Fisiciúla (1.3), Innealtóireacht Leictreach, Leictreonaic, Teicneolaíochtaí Faisnéise agus Cumarsáide (2.2), chomh maith le hEolaíochtaí Ábhar (2.5). Institiúidí eolaíochta, eolaithe, mic léinn, eolaithe óga, ceannaithe atá ag obair i réimse mhonarú comhpháirteanna leictreonacha. Fad an tionscadail: Seoladh na gníomhaíochtaí sular thángthas ar chomhaontú maidir le cur chun feidhme an tionscadail le tabhairt i gcrích ón 1.02.2021 go dtí an 30.11.2023. Fad an tionscadail: 33 mhí. Is é EUR 540539.16 costais incháilithe iomlána an tionscadail, lena n-áirítear maoiniú EUR 444809.67 CFRE agus maoiniú buiséid stáit EUR 55189.04. Micritríóid, teicneolaíocht mhicrileictreonaic, teicneolaíocht leathsheoltóra plánach (Irish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Uspeh v mikro- in nanotehnologiji navdihuje oživitev vakuumske elektronike. Naprave za sevanje se uporabljajo v vakuumskih mikro in nanoelektronskih vezjih, ki imajo prednosti pred polprevodniškimi analogi: Visokofrekvenčno delovanje, primerno za visokonapetostna vezja in zato ne zahtevajo visoko ojačanja signala, nizke občutljivosti na zunanji hrup. To omogoča uporabo komponent terenskih emisij v visokotemperaturnih in težkih okoljih, kot so vojaške in vesoljske aplikacije. Naprave za emisije polja lahko najdete za uporabo v ojačevalnikih avdio elektronike. Sodobni avdio sistemi običajno ustvarjajo „živi zvok“, za katerega je značilno nelinearno izkrivljanje harmoničnih signalov. Zato se pričakuje, da avdio vezja, kot so avdio-elektronski ojačevalniki, ustvarjajo nelinearne, izkrivljene harmonične signale, ki se bodo prenašali v avdio sisteme. Za ta namen ojačanja obstajajo primerne vakuumske mikrotriode. Sposobnost poljskega oddajnika za oddajanje elektronov je zelo odvisna od njegove sijoče končne ostrine. Polmer ukrivljenosti sijoče površine je treba zmanjšati na več nanometrov. Običajno se poljski oddajniki proizvajajo v mikroelektroniki kot vertikalno stoječe strukture (opeka stožci, konci, nanocevke itd.). Za izdelavo takšnih struktur se polprevodniške tehnologije običajno dopolnjujejo z nanotehnologijami. To otežuje zasnovo naprav za uravnavanje emisij na terenu in povečuje njihove proizvodne stroške. Da bi zmanjšali proizvodne stroške, sedanji projekt predlaga razvoj tehnologije za proizvodnjo terenskih emisijskih mikrotriod in sevalnega dela, ki uporablja samo ravninske polprevodniške tehnologije. Druga pomembna prednost ravninskih polprevodniških tehnologij je možnost integracije naprav za emisije na terenu z aktivnimi polprevodniškimi strukturami v en čip. Cilj projekta je razviti strukturo ravninskih emisijskih mikrotriod, narejenih s tradicionalnimi ravninskimi polprevodniškimi tehnologijami. Planetarna mikrotriodna struktura bo tehnološko združljiva z ravninskimi avdio-elektronskimi ojačevalniki. Trg za proizvodnjo naprav za emisije na terenu se hitro razvija, vendar še ni posebnih voditeljev. Latvijska elektronska industrija ima veliko izkušenj in tradicij pri proizvodnji mikroelektronskih naprav, vključno z avdioelektronskimi komponentami. Proizvodnja naprav za oddajanje avdio elektronike bo latvijski industriji omogočila vstop na trg ob pravem času in postala pomemben akter na njem. Zato se bo spodbujala inovacijska zmogljivost in konkurenčnost latvijskega gospodarstva. Projekt ni povezan z gospodarsko dejavnostjo in bo sodelovanje med prijaviteljem projekta Riga Technical University in partnerji Univerze v Latviji ter tovarno polprevodniških naprav AS „ALFA PRAR“. Izvedena bo industrijska študija s ključnimi ukrepi: Zasnova strukture mikrotriod (1), (2) proizvodnja, (3) karakterizacija lastnosti in (4) izdelava prototipov v laboratorijskem okolju. Rezultati: 1. razširjanje rezultatov v obliki znanstvenih publikacij, konferenc; 2) prototipna struktura mikrotriod, ustvarjena v laboratorijskem okolju; 3) patentna prijava za gradnjo mikrotriodne strukture. Projekt bo razvil področji NACE2 26.1 „Proizvodnja elektronskih komponent in plošč“ in RIS3 področij pametne specializacije „pametni materiali, tehnologije in inženirski sistemi“, „Informacijske in komunikacijske tehnologije“. Projekt je skladen s področji fizikalnih znanosti (1.3), elektrotehnike, elektronike, informacijskih in komunikacijskih tehnologij (2.2) ter materialnih znanosti (2.5). Znanstvene ustanove, znanstveniki, študenti, mladi znanstveniki, trgovci, ki delajo na področju proizvodnje elektronskih komponent. Trajanje projekta: Dejavnosti so se začele izvajati pred sklenitvijo sporazuma o izvajanju projekta od 1. februarja 2021 do 30.11.2023. Trajanje projekta: 33 mesecev. Skupni upravičeni stroški projekta znašajo 540 539,16 EUR, od tega 444 809,67 EUR sredstev ESRR in 55 189,04 EUR državnega proračuna. Microtriode, tehnologija mikroelektronike, ravninska polprevodniška tehnologija (Slovenian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Успехът в микро- и нанотехнологиите вдъхновява възраждането на вакуумната електроника. Устройствата за излъчване на полето се използват във вакуумни микро- и наноелектронни вериги, които имат предимства пред полупроводниковите аналози: Високочестотна работа, подходяща за вериги с високо напрежение и следователно не изисква висока усилване на сигнала, ниска чувствителност към външен шум. Това позволява използването на полеви емисионни компоненти във висока температура и тежки условия, като военни и космически приложения. Полеви емисионни устройства могат да бъдат намерени за използване в аудио електроника усилватели. Съвременните аудио системи са склонни да създават „жив звук“, характеризиращ се с нелинейни изкривявания на хармонични сигнали. Следователно се очаква аудио вериги като аудио-електронни усилватели да генерират нелинейни, изкривени хармонични сигнали, които ще бъдат предавани на аудио системи. За тази цел за усилване има подходящи вакуумни микротриоди. Способността на излъчващия поле да излъчва електрони е силно зависима от неговата сияйна острота на края. Радиусът на кривината на лъчистата повърхност трябва да бъде намален до няколко нанометра. Обикновено излъчвателите на полета се произвеждат в микроелектрониката като вертикално постоянни структури (тухови конуси, краища, нанотръби и т.н.). За да се създадат такива структури, равнинните полупроводникови технологии обикновено се допълват от нанотехнологии. Това усложнява проектирането на устройствата за емисии на полето и увеличава производствените им разходи. За да се намалят производствените разходи, настоящият проект предлага разработването на технология за производство на микротриоди на полето и излъчващата част, която използва само равнинни полупроводникови технологии. Друго важно предимство на равнинните полупроводникови технологии е възможността за интегриране на полеви емисионни устройства с активни полупроводникови конструкции в един чип. Проектът има за цел да разработи планарна емисионна микротриодна структура, изработена от традиционни равнинни полупроводникови технологии. Планетарната микротриодна структура ще бъде технологично съвместима с планарни аудио-електронни усилватели.Пазарът за производство на полеви емисионни устройства се развива бързо, но все още няма конкретни лидери. Латвийската електроника има голям опит и традиции в производството на микроелектронни устройства, включително аудиоелектронни компоненти. Производството на устройства за излъчване на аудиоелектроника ще позволи на латвийската индустрия да навлезе на пазара в подходящия момент и да стане важен участник в него. В резултат на това ще бъдат насърчавани иновационният капацитет и конкурентоспособността на латвийската икономика. Проектът не е свързан с икономическата дейност и ще бъде сътрудничество между кандидатстващия за проект Технически университет в Рига и партньорите на Латвийския университет и фабриката за полупроводници AS „ALFA PRAR“. Ще бъде проведено промишлено проучване с ключови действия: Проектиране на микротриодна структура (1), 2) производство, (3) характеризиране на свойствата и 4) създаване на прототипи в лабораторна среда. Резултати: 1. разпространение на резултатите под формата на научни публикации, конференции; 2) прототип микротриодна структура, създадена в лабораторна среда; 3) заявка за патент върху изграждането на микротриодна структура. Проектът ще развие областите на NACE2 26.1 „Производство на електронни компоненти и табели„и RIS3 области интелигентна специализация „Интелигентни материали, технологии и инженерни системи“, „Информационни и комуникационни технологии“. Проектът съответства на областта на физическите науки (1.3), електротехниката, електрониката, информационните и комуникационните технологии (2.2), както и на материалните науки (2.5). Научни институции, учени, студенти, млади учени, търговци, работещи в областта на производството на електронни компоненти. Продължителност на проекта: Дейностите са стартирани преди сключването на споразумението за изпълнение на проекта от 1.2.2021 г. до 30.11.2023 г. Продължителност на проекта: 33 месеца. Общите допустими разходи по проекта са 540 539,16 EUR, от които 444 809,67 EUR финансиране от ЕФРР и 55 189,04 EUR финансиране от държавния бюджет. Микротриод, микроелектроника технология, планарни полупроводникови технологии (Bulgarian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Is-suċċess fil-mikroteknoloġija u n-nanoteknoloġija jispira l-qawmien mill-ġdid tal-elettronika fil-vakwu. Strumenti ta’ emissjoni fuq il-post għandhom jintużaw f’ċirkwiti mikro u nanoelettroniċi f’vakwu li jkollhom vantaġġi fuq analogi semikondutturi: Operazzjoni ta ‘frekwenza għolja adattata għal ċirkwiti ta’ vultaġġ għoli u għalhekk ma jeħtiġux amplifikazzjoni għolja tas-sinjal, sensittività baxxa għall-istorbju estern. Dan jippermetti l-użu ta ‘komponenti ta’ emissjoni fuq il-post f’ambjenti ta ‘temperatura għolja u ħorox, bħal applikazzjonijiet militari u spazjali.Tagħmir ta’ emissjoni tal-qasam jista ‘jinstab għall-użu f’amplifikaturi ta’ l-elettronika awdjo. Sistemi awdjo moderni għandhom tendenza li joħolqu “ħoss ħaj” ikkaratterizzat minn distorsjonijiet mhux lineari ta ‘sinjali armonjużi. Konsegwentement, ċirkwiti tal-awdjo bħal amplifikaturi awdjo-elettroniċi huma mistennija li jiġġeneraw sinjali armoniċi mhux lineari u mgħawġa li se jiġu trażmessi lis-sistemi awdjo. Għal dan l-iskop ta ‘amplifikazzjoni hemm microtriodes.The vakwu xierqa abbiltà ta’ emittenti qasam li jemettu elettroni hija dipendenti ħafna fuq Sharpness tmiem radjanti tagħha. Ir-raġġ tal-kurvatura tal-wiċċ radjanti jrid jitnaqqas għal diversi nanometri. Tipikament, l-emittenti fuq il-post jiġu prodotti f’mikroelettronika bħala strutturi wieqfa vertikalment (koni tal-briks, truf, nanotubi, eċċ.). Sabiex jiġu prodotti strutturi bħal dawn, it-teknoloġiji tas-semikondutturi planari huma normalment ikkumplimentati min-nanoteknoloġiji. Dan jikkomplika d-disinn tal-apparat tal-emissjonijiet fuq il-post u jżid l-ispejjeż tal-manifattura tagħhom. Sabiex jitnaqqsu l-ispejjeż tal-produzzjoni, il-proġett attwali jipproponi l-iżvilupp ta’ teknoloġija għall-produzzjoni ta’ mikrotrijodi ta’ emissjoni fuq il-post u l-parti ta’ radjazzjoni li tuża biss teknoloġiji semikondutturi planari. Vantaġġ ieħor importanti tat-teknoloġiji tas-semikondutturi planari huwa l-possibbiltà li jiġu integrati apparati ta’ emissjoni fuq il-post bi strutturi semikondutturi attivi f’ċippa waħda. Il-proġett għandu l-għan li jiżviluppa struttura ta’ mikrotrijodu ta’ emissjoni fuq il-post planari, magħmul bl-użu ta’ teknoloġiji semikondutturi planari tradizzjonali. L-istruttura tal-mikrotrijodu planetarju se tkun teknoloġikament kompatibbli ma’ amplifikaturi awdjo-elettroniċi planari. Is-suq għall-produzzjoni ta’ apparat ta’ emissjoni fuq il-post qed jiżviluppa b’mod rapidu, iżda għad m’hemm l-ebda mexxejja speċifiċi. L-industrija tal-elettronika Latvjana għandha esperjenza u tradizzjonijiet kbar fil-manifattura ta’ apparat mikroelettroniku, inklużi komponenti tal-awdjoelettronika. Il-produzzjoni ta’ tagħmir għall-emissjonijiet fuq il-post tal-elettronika awdjo se tippermetti lill-industrija Latvjana tidħol fis-suq fil-ħin it-tajjeb u ssir attur importanti fih. B’riżultat ta’ dan, il-kapaċità ta’ innovazzjoni u l-kompetittività tal-ekonomija Latvjana se jiġu promossi. Il-proġett mhuwiex relatat mal-attività ekonomika u se jkun kooperazzjoni bejn l-applikant għall-proġett, l-Università Teknika ta’ Riga u l-imsieħba tal-Università tal-Latvja u l-fabbrika tal-apparat semikonduttur AS “ALFA PRAR”. Se jitwettaq studju industrijali b’azzjonijiet ewlenin: Disinn ta’ struttura ta’ mikrotrijodu (1), (2) produzzjoni, (3) karatterizzazzjoni ta’ proprjetajiet u (4) prototipi f’ambjent ta’ laboratorju. Riżultati: 1. tixrid ta’ riżultati fil-forma ta’ pubblikazzjonijiet xjentifiċi, konferenzi; 2) struttura mikrotrijodu tal-prototip maħluqa f’ambjent tal-laboratorju; 3) applikazzjoni għal privattiva dwar il-kostruzzjoni ta’ struttura ta’ mikrotrijodu. Il-proġett se jiżviluppa l-oqsma ta’ NACE2 26.1 “Manifattura ta’ komponenti u pjanċi elettroniċi” u RIS3 Dominji ta’ speċjalizzazzjoni intelliġenti “Materjali Intelliġenti, Teknoloġiji u Sistemi ta’ Inġinerija”, “Teknoloġiji tal-Informazzjoni u tal-Komunikazzjoni”. Il-proġett jikkonforma mal-oqsma tax-Xjenzi Fiżika (1.3), l-Inġinerija Elettrika, l-Elettronika, it-Teknoloġiji tal-Informazzjoni u l-Komunikazzjoni (2.2), kif ukoll ix-Xjenzi Materjali (2.5). Istituzzjonijiet xjentifiċi, xjentisti, studenti, xjentisti żgħażagħ, negozjanti li jaħdmu fil-qasam tal-manifattura ta’ komponenti elettroniċi. Tul ta’ żmien tal-proġett: L-attivitajiet tnedew qabel il-ftehim dwar l-implimentazzjoni tal-proġett għall-konklużjoni minn 1.02.2021 sat-30.11.2023. Tul ta’ żmien tal-proġett: 33 xahar. L-ispejjeż totali eliġibbli tal-proġett huma ta’ EUR 540539.16, inkluż finanzjament mill-FEŻR ta’ EUR 444809.67 u EUR 55189.04 finanzjament mill-baġit tal-Istat. Microtriode, teknoloġija mikroelettronika, teknoloġija tas-semikondutturi planari (Maltese)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    O sucesso em micro e nanotecnologia inspira o renascimento da eletrônica a vácuo. Os dispositivos de emissão de campo devem ser utilizados em circuitos micro e nanoeletrónicos a vácuo com vantagens em relação aos análogos de semicondutores: Operação de alta frequência adequada para circuitos de alta tensão e, portanto, não requer alta amplificação de sinal, baixa sensibilidade ao ruído externo. Isso permite o uso de componentes de emissão de campo em ambientes de alta temperatura e severos, como aplicações militares e espaciais. Dispositivos de emissão de campo podem ser encontrados para uso em amplificadores eletrônicos de áudio. Sistemas de áudio modernos tendem a criar «som ao vivo» caracterizado por distorções não-lineares de sinais harmoniosos. Consequentemente, espera-se que circuitos de áudio, como amplificadores áudio-eletrônicos, gerem sinais harmônicos não lineares e distorcidos que serão transmitidos aos sistemas de áudio. Para esta finalidade de amplificação existem microtriodos de vácuo adequados. A capacidade de um emissor de campo para emitir elétrons é altamente dependente de sua nitidez final radiante. O raio de curvatura da superfície radiante deve ser reduzido a vários nanómetros. Normalmente, os emissores de campo são produzidos em microeletrônica como estruturas verticalmente em pé (cones de tijolos, extremidades, nanotubos, etc.). Para produzir tais estruturas, as tecnologias de semicondutores planares são geralmente complementadas por nanotecnologias. Isso complica a conceção de dispositivos de emissão de campo e aumenta seus custos de fabrico. A fim de reduzir os custos de produção, o projeto atual propõe o desenvolvimento de uma tecnologia para a produção de microtriodos de emissão de campo e a parte radiante que utiliza apenas tecnologias planas de semicondutores. Outra vantagem importante das tecnologias de semicondutores planares é a possibilidade de integrar dispositivos de emissão de campo com estruturas ativas de semicondutores em um chip. O projeto visa desenvolver uma estrutura de microtriodos de emissão de campo planar, feita usando tecnologias de semicondutores planares tradicionais. A estrutura planetária de microtriodos será tecnologicamente compatível com amplificadores audioeletrônicos planares. O mercado para a produção de dispositivos de emissão de campo está se desenvolvendo rapidamente, mas ainda não há líderes específicos. A indústria eletrônica letã tem grande experiência e tradições no fabrico de dispositivos microeletrônicos, incluindo componentes de audieletrônica. A produção de dispositivos de emissão de campos de eletrónica de áudio permitirá à indústria letã entrar no mercado no momento certo e tornar-se um interveniente importante no mesmo. Em consequência, será promovida a capacidade de inovação e a competitividade da economia letã.O projeto não está relacionado com a atividade económica e será a cooperação entre a Universidade Técnica de Riga candidata ao projeto e os parceiros da Universidade da Letónia e a fábrica de dispositivos semicondutores AS «ALFA PRAR». Será realizado um estudo industrial com ações-chave: Conceção de uma estrutura de microtriodos (1), (2) produção, (3) caracterização de propriedades e (4) prototipagem em ambiente laboratorial. Resultados: 1. Divulgação dos resultados sob a forma de publicações científicas, conferências; 2) estrutura do protótipo do microtriodo criado em um ambiente laboratorial; 3) um pedido de patente na construção de uma estrutura de microtriodos. O projeto desenvolverá os domínios NACE2 26.1 «Fabricação de componentes e placas eletrónicas» e RIS3 domínios de especialização inteligente «Materiais inteligentes, tecnologias e sistemas de engenharia», «Tecnologias da informação e das comunicações». O projeto está em conformidade com as áreas de Ciências Físicas (1.3), Engenharia Elétrica, Eletrônica, Tecnologias da Informação e Comunicação (2.2), bem como Ciências dos Materiais (2.5). Instituições científicas, cientistas, estudantes, jovens cientistas, comerciantes que trabalham no campo da fabrico de componentes eletrônicos. Duração do projeto: As atividades foram lançadas antes do acordo sobre a execução do projeto para conclusão entre 1.02.2021 e 30.11.2023. Duração do projeto: 33 meses. Os custos totais elegíveis do projeto ascendem a 540 539,16 EUR, incluindo 444 809,67 EUR de financiamento do FEDER e 55 189,04 EUR ao orçamento do Estado. Microtriode, tecnologia da microeletrônica, tecnologia planar do semicondutor (Portuguese)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Succes inden for mikro- og nanoteknologi inspirerer til genoplivning af vakuumelektronik. Feltemissionsanordninger skal anvendes i vakuummikro- og nanoelektroniske kredsløb med fordele i forhold til halvlederanaloger: Højfrekvent drift egnet til højspændingskredsløb og kræver derfor ikke høj signalforstærkning, lav følsomhed over for ekstern støj. Dette tillader brug af feltemission komponenter i høj temperatur og barske miljøer, såsom militære og rum applikationer.Field emission enheder kan findes til brug i lydelektronik forstærkere. Moderne lydsystemer har tendens til at skabe "live lyd" karakteriseret ved ikke-lineære forvridninger af harmoniske signaler. Derfor forventes lydkredsløb såsom audio-elektroniske forstærkere at generere ikke-lineære, fordrejede harmoniske signaler, der vil blive transmitteret til lydsystemer. Til dette amplifikation formål er der passende vakuum mikrotrioder.Et felt emitter evne til at udsende elektroner er meget afhængig af sin strålende ende skarphed. Krumningsradius for stråleoverfladen skal reduceres til flere nanometer. Typisk produceres feltudledere i mikroelektronik som vertikalt stående strukturer (stenkegler, ender, nanorør osv.). For at kunne fremstille sådanne strukturer suppleres plane halvlederteknologier normalt med nanoteknologi. Dette komplicerer udformningen af udstødningsanordninger i marken og øger deres produktionsomkostninger. For at reducere produktionsomkostningerne foreslås det i det nuværende projekt at udvikle en teknologi til produktion af mikrotrioder i feltemissioner og den udstrålende del, der kun anvender plane halvlederteknologier. En anden vigtig fordel ved planær halvlederteknologi er muligheden for at integrere feltemissionsanordninger med aktive halvlederstrukturer i en chip. Projektet har til formål at udvikle en planær struktur for emission af mikrotriode i felten, der er fremstillet ved hjælp af traditionelle planære halvlederteknologier. Den planetariske mikrotriode struktur vil være teknologisk kompatibel med planære audio-elektroniske forstærkere. Markedet for produktion af feltemissionsenheder er i hastig udvikling, men der er endnu ingen specifikke ledere. Den lettiske elektronikindustri har stor erfaring og traditioner inden for fremstilling af mikroelektronisk udstyr, herunder komponenter til audielektronik. Produktion af lydelektronikfeltemissionsenheder vil gøre det muligt for den lettiske industri at komme ind på markedet på det rigtige tidspunkt og blive en vigtig aktør i det. Som følge heraf vil den lettiske økonomis innovationskapacitet og konkurrenceevne blive fremmet. Projektet er ikke relateret til økonomisk aktivitet og vil være et samarbejde mellem projektansøgeren Riga Technical University og partnere fra Letlands Universitet og halvlederenhedens fabrik AS "ALFA PRAR". Der vil blive gennemført en industriel undersøgelse med nøgleaktioner: Udformning af en mikrotriodestruktur (1), (2) produktion, 3) karakterisering af egenskaber og 4) prototyper i et laboratoriemiljø. Resultater: 1) udbredelse af resultater i form af videnskabelige publikationer, konferencer 2) prototype mikrotriode struktur skabt i et laboratoriemiljø; 3) en patentansøgning på opførelsen af en mikrotriode struktur. Projektet vil udvikle områderne NACE2 26.1 "Fremstilling af elektroniske komponenter og plader" og RIS3 "Intelligent specialisering" inden for områderne "intelligente materialer, teknologier og ingeniørsystemer", "Informations- og kommunikationsteknologi". Projektet er i overensstemmelse med områderne fysisk videnskab (1.3), elektroteknik, elektronik, informations- og kommunikationsteknologi (2.2) samt materialevidenskab (2.5). Videnskabelige institutioner, videnskabsfolk, studerende, unge forskere, købmænd, der arbejder inden for fremstilling af elektroniske komponenter. Projektets varighed: Aktiviteterne er blevet iværksat inden aftalen om projektgennemførelse med henblik på indgåelse fra den 1.2.2021 til den 30.11.2023. Projektets varighed: 33 måneder. De samlede støtteberettigede omkostninger til projektet beløber sig til 540 539,16 EUR, heraf 444 809,67 EUR fra EFRU og 55 189,04 EUR til statsbudgettet. Mikrotriode, mikroelektronik teknologi, planær halvlederteknologi (Danish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Succesul în micro- și nanotehnologie inspiră revigorarea electronicii vidului. Dispozitivele de emisie în câmp electromagnetic se utilizează în circuitele micro și nanoelectronice în vid care prezintă avantaje față de analogii semiconductorilor: Funcționarea de înaltă frecvență adecvată pentru circuitele de înaltă tensiune și, prin urmare, nu necesită amplificare a semnalului ridicat, sensibilitate scăzută la zgomotul extern. Acest lucru permite utilizarea componentelor de emisii de câmp în temperaturi ridicate și medii dure, cum ar fi aplicații militare și spațiale. Dispozitivele de emisii de câmp pot fi găsite pentru a fi utilizate în amplificatoarele electronice audio. Sistemele audio moderne tind să creeze „sunet viu” caracterizat prin distorsiuni neliniare ale semnalelor armonioase. În consecință, circuitele audio, cum ar fi amplificatoarele audio-electronice, sunt de așteptat să genereze semnale armonice neliniare, distorsionate, care vor fi transmise sistemelor audio. Pentru acest scop de amplificare există microtriode vid adecvate. Capacitatea unui emițător de câmp de a emite electroni este foarte dependentă de claritatea sa radiantă a capătului. Raza de curbură a suprafeței radiante trebuie redusă la mai mulți nanometri. De obicei, emițătorii de câmp sunt produși în microelectronică ca structuri verticale în picioare (conuri de cărămidă, capete, nanotuburi etc.). Pentru a produce astfel de structuri, tehnologiile semiconductoare planare sunt de obicei completate de nanotehnologii. Acest lucru complică proiectarea dispozitivelor de emisie în câmp și mărește costurile de fabricație ale acestora. Pentru a reduce costurile de producție, proiectul actual propune dezvoltarea unei tehnologii pentru producerea microtriodelor cu emisii de câmp și a părții radiante care utilizează numai tehnologii semiconductoare plane. Un alt avantaj important al tehnologiilor semiconductoare planare este posibilitatea integrării dispozitivelor de emisie de câmp cu structuri semiconductoare active într-un singur cip.Proiectul își propune să dezvolte o structură plană de microtriode de emisie de câmp, realizată folosind tehnologii tradiționale planare semiconductoare. Structura microtriodelor planetare va fi compatibilă din punct de vedere tehnologic cu amplificatoarele audio-electronice planare. Piața pentru producția de dispozitive de emisie de câmp se dezvoltă rapid, dar nu există încă lideri specifici. Industria electronică letonă are o vastă experiență și tradiții în fabricarea dispozitivelor microelectronice, inclusiv a componentelor audielectronice. Producția de dispozitive de emisie în câmp electronic audio va permite industriei letone să intre pe piață la momentul potrivit și să devină un jucător important în cadrul acesteia. Ca urmare, vor fi promovate capacitatea de inovare și competitivitatea economiei letone. Proiectul nu este legat de activitatea economică și va fi cooperarea între solicitantul proiectului Universitatea Tehnică Riga și partenerii Universității din Letonia și fabrica de dispozitive semiconductoare AS „ALFA PRAR”. Se va realiza un studiu industrial cu acțiuni-cheie: Proiectarea unei structuri microtriodice (1), (2) producție, (3) caracterizarea proprietăților și (4) crearea de prototipuri într-un mediu de laborator. Rezultate: 1. diseminarea rezultatelor sub formă de publicații științifice, conferințe; 2) prototip de structură microtriodă creată într-un mediu de laborator; 3) o cerere de brevet privind construirea unei structuri microtriodice. Proiectul va dezvolta domeniile NACE2 26.1 „Fabricarea componentelor și plăcilor electronice” și domeniile de specializare inteligentă RIS3 „Materiale inteligente, tehnologii și sisteme de inginerie”, „Tehnologiile informației și comunicațiilor”. Proiectul respectă domeniile științelor fizice (1.3), Inginerie Electrică, Electronică, Tehnologii ale Informației și Comunicațiilor (2.2), precum și Științe ale Materialelor (2.5). Instituții științifice, oameni de știință, studenți, tineri oameni de știință, comercianți care lucrează în domeniul fabricării de componente electronice. Durata proiectului: Activitățile au fost lansate înainte de acordul privind punerea în aplicare a proiectului în vederea încheierii în perioada 1.02.2021-30.11.2023. Durata proiectului: 33 de luni. Costurile eligibile totale ale proiectului sunt de 540 539,16 EUR, din care 444 809,67 EUR finanțare FEDR și 55 189,04 EUR finanțare de la bugetul de stat. Microtriode, tehnologie microelectronică, tehnologie semiconductoare plană (Romanian)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    Framgång inom mikro- och nanoteknik inspirerar återupplivandet av vakuumelektronik. Anordningar för fältutsläpp ska användas i mikro- och nanoelektroniska vakuumkretsar som har fördelar jämfört med halvledaranaloger: Högfrekvent drift lämplig för högspänningskretsar och kräver därför inte hög signalförstärkning, låg känslighet för externt brus. Detta gör det möjligt att använda fältutsläppskomponenter i hög temperatur och hårda miljöer, såsom militära och rymdtillämpningar.Fältutsläppsenheter kan hittas för användning i ljudelektronikförstärkare. Moderna ljudsystem tenderar att skapa ”levande ljud” som kännetecknas av icke-linjära förvrängningar av harmoniska signaler. Följaktligen förväntas ljudkretsar som ljudelektroniska förstärkare generera icke-linjära, förvrängda harmoniska signaler som kommer att överföras till ljudsystem. För detta förstärkningssyfte finns det lämpliga vakuummikrotriodes.Möjligheten hos en fältstrålare att avge elektroner är mycket beroende av dess strålande ändskärpa. Radien på strålytans krökningsradie måste reduceras till flera nanometer. Vanligtvis produceras fältstrålare i mikroelektronik som vertikalt stående strukturer (tegelkoner, ändar, nanorör etc.). För att producera sådana strukturer kompletteras plana halvledartekniker vanligtvis med nanoteknik. Detta försvårar utformningen av utrustning för fältutsläpp och ökar deras tillverkningskostnader. För att minska produktionskostnaderna föreslås i det aktuella projektet att man utvecklar en teknik för produktion av mikrotrioder för fältutsläpp och den strålande delen som endast använder plana halvledartekniker. En annan viktig fördel med plana halvledartekniker är möjligheten att integrera fältutsläppsenheter med aktiva halvledarstrukturer i ett chip.Projektet syftar till att utveckla en planar fältemissionsmikrotriodstruktur, tillverkad med traditionella plana halvledartekniker. Planetens mikrotriodstruktur kommer att vara tekniskt kompatibel med plana ljudelektroniska förstärkare. Marknaden för produktion av utrustning för fältutsläpp utvecklas snabbt, men det finns ännu inga specifika ledare. Den lettiska elektronikindustrin har stor erfarenhet och traditioner inom tillverkning av mikroelektroniska enheter, inklusive audioelektronikkomponenter. Produktion av ljudelektronik fältutsläpp enheter kommer att göra det möjligt för den lettiska industrin att komma in på marknaden vid rätt tidpunkt och bli en viktig aktör i det. Som ett resultat av detta kommer innovationskapaciteten och konkurrenskraften i den lettiska ekonomin att främjas.Projektet är inte relaterat till ekonomisk verksamhet och kommer att vara samarbete mellan den projektsökande Riga Technical University och partner vid Lettlands universitet och halvledarenhetsfabriken AS ”ALFA PRAR”. En industriell studie kommer att genomföras med nyckelåtgärder: Utformning av en mikrotriodstruktur (1), (2) produktion, (3) karakterisering av egenskaper och (4) prototypframställning i laboratoriemiljö. Resultat: 1. spridning av resultat i form av vetenskapliga publikationer, konferenser. 2) prototyp mikrotriod struktur skapas i en laboratoriemiljö; 3) en patentansökan om byggandet av en mikrotriodstruktur. Projektet kommer att utveckla områdena för NACE2 26.1 ”Tillverkning av elektroniska komponenter och plattor” och RIS3 Smart specialisering ”Smart Materials, Technologies and Engineering Systems”, ”Informations- och kommunikationsteknik”. Projektet överensstämmer med områdena fysik (1.3), elektroteknik, elektronik, informations- och kommunikationsteknik (2.2), samt materialvetenskap (2.5). Vetenskapliga institutioner, forskare, studenter, unga forskare, handlare som arbetar med tillverkning av elektroniska komponenter. Projektets varaktighet: Verksamheten inleddes före överenskommelsen om projektgenomförande som skulle slutföras från den 1 februari 2021 till den 30 november 2023. Projektets varaktighet: 33 månader. De totala stödberättigande kostnaderna för projektet uppgår till 540 539,16 EUR, varav 444 809,67 EUR i Eruf-medel och 55 189,04 EUR i statlig budget. Microtriode, mikroelektronikteknik, plana halvledarteknik (Swedish)
    point in time
    3 August 2022
    0 references
    location (string)
    Paula Valdena iela 1, Rīga, LV-1048
    0 references
    Ropažu iela 140, Rīga, LV-1006
    0 references
    Jelgavas iela 1, Rīga, LV-1004
    0 references

    Identifiers

    Latvian Kohesio ID
    1.1.1.1/20/A/109
    0 references
     
    Retrieved from "https://linkedopendata.eu/w/index.php?title=Item:Q3056487&oldid=40421016"