Electrical contact technology for semiconductor epitaxial layers A(III)B(V) used in infrared detectors (Q2687198)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q2687198 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Electrical contact technology for semiconductor epitaxial layers A(III)B(V) used in infrared detectors |
Project Q2687198 in Poland |
Statements
327,250.0 zloty
0 references
385,000.0 zloty
0 references
85.0 percent
0 references
2 December 2019
0 references
15 July 2021
0 references
VIGO SYSTEM S.A.
0 references
SA 42799(2015/X) Przedmiotem projektu jest opracowania znacząco ulepszonej, innowacyjnej technologii wytwarzania kontaktów elektrycznych i wdrożenia jej jako etapu produkcji detektorów podczerwieni (IR) bazujących na diodowych strukturach półprzewodnikowych z pierwiastków grupy A(III)B(V) z absorberem InAsSb. Aktualne zapotrzebowania rynku w obszarze detekcji IR (medycyna, ochrona środowiska, transport, obronność i bezpieczeństwo, nauka) skupiają się wokół przyrządów opartych na półprzewodnikach z pierwiastków grupy III i V. Jednym z tego powodów jest ograniczenie stosowania kadmu i rtęci, pierwiastków obecnych w tellurku kadmowo-rtęciowym (HgCdTe) – materiale najczęściej stosowanym w detekcji IR. Sprostanie potrzebom rynku wymusza konieczność rozszerzenia oferty o nowe produkty oparte na półprzewodnikowych warstwach epitaksjalnych z pierwiastków grupy III i V, jak np.: InAs, InAsSb. Prace wdrożeniowe nad tego typu detektorami IR wymagają opanowania szeregu aspektów technologicznych, jak wzrost warstw epitaksjalnych o pożądanej architekturze (diody) i ich wieloetapowy processing. Kluczowym jego etapem jest wytworzenie kontaktowych warstw metalicznych charakteryzujących się znikomą opornością, co jest konieczne dla uzyskania optymalnych parametrów nowych przyrządów detekcyjnych. Niezbędna jest zatem modyfikacja technologii nanoszenia kontaktów dla nowych detektorów IR bazujących na warstwach z absorberem InAsSb, w szczególności charakteryzujących się wysoką szybkością odpowiedzi. W projekcie przewiduje się: a) opracowanie innowacyjnej architektury warstw kontaktowych zawierających takie metale, jak: złoto, platyna, pallad, tytan lub chrom; b) badania stosowane nad opracowaniem sekwencji wygrzewania uzyskanych kontaktów w celu ich stabilizacji; c) wdrożenie tej technologii w processingu nowych detektorów w tym opracowanie procedur procesowych. Będzie to więc innowacja procesowa. (Polish)
0 references
SA 42799(2015/X) The object of the project is to develop a significantly improved, innovative technology for the production of electrical contacts and to implement it as a stage of production of infrared detectors (IR) based on diode semiconductor structures from elements A(III)B(V) with InAsSb absorber. Current market demand in the area of IR detection (medicine, environmental protection, transport, defence and security, science) focuses on semiconductor devices from elements III and V. One of these reasons is to limit the use of cadmium and mercury, elements present in cadmium-mercury telluride (HgCdTe) – the material most commonly used in IR detection. Meeting market needs requires new products based on semiconductor epitaxial layers from Group III and V elements, such as: INAS, InAsSb. Implementation work on this type of IR detectors requires the control of a number of technological aspects, such as the growth of epitaxial layers with the desired architecture (diodes) and their multi-stage processing. The key stage is the creation of contact metallic layers characterised by low resistance, which is necessary to obtain optimal parameters of new detection devices. It is therefore necessary to modify contacting technology for new IR detectors based on layers with InAsSb absorber, in particular those characterised by a high response rate. The project foresees: a) the development of an innovative architecture of contact layers containing metals such as: gold, platinum, palladium, titanium or chromium; applied research on the development of a sequence of soaking the contacts obtained to stabilise them; C) the implementation of this technology in the processing of new detectors, including the development of process procedures. So it will be a process innovation. (English)
7 July 2021
0.3898304971597034
0 references
SA 42799(2015/X) Le projet a pour objet de développer une technologie innovante et considérablement améliorée pour la production de contacts électriques et sa mise en œuvre en tant que stade de production de détecteurs infrarouges (IR) basés sur des structures semi-conductrices de diodes à partir d’éléments du groupe A(III)B(V) avec absorbeur InAsSb. La demande actuelle du marché dans le domaine de la détection IR (médecine, protection de l’environnement, transport, défense et sécurité, science) se concentre sur les dispositifs semi-conducteurs des groupes III et V. L’une de ces raisons est de limiter l’utilisation du cadmium et du mercure, éléments présents dans le tellurure de cadmium-mercure (HgCdTe) — le matériau le plus couramment utilisé dans la détection IR. Pour répondre aux besoins du marché, il est nécessaire d’élargir l’offre avec de nouveaux produits à base de couches épitaxiales semi-conductrices des groupes III et V, tels que: InAs, InAsSb. Les travaux de mise en œuvre de ce type de détecteurs IR nécessitent de maîtriser un certain nombre d’aspects technologiques, tels que la croissance des couches épitaxiales avec l’architecture souhaitée (diodes) et leur traitement en plusieurs étapes. Son étape clé est la production de couches métalliques de contact caractérisées par une résistance négligeable, ce qui est nécessaire pour atteindre les paramètres optimaux des nouveaux instruments de détection. Par conséquent, il est nécessaire de modifier la technologie de contact pour les nouveaux détecteurs IR basés sur des couches avec l’absorbeur InAsSb, caractérisé notamment par des vitesses de réponse élevées. Le projet prévoit: a) développer une architecture innovante de couches de contact contenant des métaux tels que: or, platine, palladium, titane ou chrome; essais appliqués pour développer la séquence de trempe des contacts obtenus afin de les stabiliser; C) la mise en œuvre de cette technologie dans le traitement de nouveaux détecteurs, y compris le développement de procédures de processus. Il s’agira d’une innovation de processus. (French)
3 December 2021
0 references
SA 42799(2015/X) Gegenstand des Projekts ist die Entwicklung einer deutlich verbesserten, innovativen Technologie zur Herstellung von elektrischen Kontakten und deren Implementierung als Produktionsstadium von Infrarot-(IR)-Detektoren auf Basis von Diodenhalbleiterstrukturen aus Elementen der Gruppe A(III)B(V) mit InAsSb-Absorbern. Die aktuelle Marktnachfrage im Bereich der IR-Detektion (Medizin, Umweltschutz, Transport, Verteidigung und Sicherheit, Wissenschaft) konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente der Gruppe III und V. Einer dieser Gründe ist die Begrenzung der Verwendung von Cadmium und Quecksilber, Elemente in Cadmium-Quecksilber-Tellurid (HgCdTe) – dem Material, das am häufigsten in der IR-Erkennung verwendet wird. Um den Bedürfnissen des Marktes gerecht zu werden, muss das Angebot um neue Produkte erweitert werden, die auf epitaxialen Halbleiterschichten der Gruppe III und V basieren, wie z. B.: InAs, InAsSb. Die Implementierungsarbeit an dieser Art von IR-Detektoren erfordert die Beherrschung einer Reihe technologischer Aspekte, wie das Wachstum von Epitaxialschichten mit der gewünschten Architektur (Dioden) und deren mehrstufige Verarbeitung. Seine Schlüsselstufe ist die Herstellung von Kontaktmetallschichten, die durch eine vernachlässigbare Beständigkeit gekennzeichnet sind, die notwendig ist, um optimale Parameter neuer Detektionsinstrumente zu erreichen. Daher ist es notwendig, die Kontakttechnologie für neue IR-Detektoren auf Basis von Schichten mit dem InAsSb-Absorber zu modifizieren, insbesondere durch hohe Reaktionsgeschwindigkeiten. Das Projekt sieht vor: A) Entwicklung einer innovativen Architektur von Kontaktschichten mit Metallen wie: Gold, Platin, Palladium, Titan oder Chrom; Tests, die durchgeführt wurden, um die Abweichfolge der Kontakte zu entwickeln, um sie zu stabilisieren; C) Implementierung dieser Technologie bei der Verarbeitung neuer Detektoren, einschließlich der Entwicklung von Prozessverfahren. Dies wird eine Prozessinnovation sein. (German)
13 December 2021
0 references
SA 42799(2015/X) Het onderwerp van het project is de ontwikkeling van een aanzienlijk verbeterde, innovatieve technologie voor de productie van elektrische contacten en de uitvoering ervan als een fase van de productie van infrarooddetectoren op basis van diode halfgeleiderstructuren van elementen van groep A(III)B(V) met InAsSb-absorb-absorptiemiddel. De huidige marktvraag op het gebied van IR-detectie (geneeskunde, milieubescherming, vervoer, defensie en veiligheid, wetenschap) richt zich op halfgeleiderapparatuur van groep III en V. Een van deze redenen is het beperken van het gebruik van cadmium en kwik, elementen in cadmium-kwik telluride (HgCdTe) — het materiaal dat het meest wordt gebruikt bij IR-detectie. Het voldoen aan de behoeften van de markt vereist de noodzaak om het aanbod uit te breiden met nieuwe producten op basis van halfgeleider epitaxiale lagen van groep III en V-elementen, zoals: Inas, InAsSb. Implementatiewerkzaamheden aan dit type IR-detectoren vereisen het beheersen van een aantal technologische aspecten, zoals de groei van epitaxiale lagen met de gewenste architectuur (diodes) en hun meerfasenverwerking. De belangrijkste fase is de productie van contactmetaallagen die worden gekenmerkt door verwaarloosbare weerstand, die nodig is om optimale parameters van nieuwe detectie-instrumenten te bereiken. Daarom is het noodzakelijk de contacttechnologie voor nieuwe IR-detectoren te wijzigen op basis van lagen met de InAsSb-absorb-demper, met name gekenmerkt door hoge responssnelheden. Het project voorziet in: A) het ontwikkelen van een innovatieve architectuur van contactlagen met metalen zoals: goud, platina, palladium, titaan of chroom; tests die zijn toegepast om de soaksequentie van de verkregen contacten te ontwikkelen om ze te stabiliseren; C) implementatie van deze technologie bij de verwerking van nieuwe detectoren, met inbegrip van de ontwikkeling van procesprocedures. Dit wordt een procesinnovatie. (Dutch)
17 December 2021
0 references
Sa 42799(2015/X) L'oggetto del progetto è quello di sviluppare una tecnologia significativamente migliorata e innovativa per la produzione di contatti elettrici e la sua implementazione come fase di produzione di rivelatori a infrarossi (IR) basati su strutture a semiconduttore a diodi da elementi del gruppo A(III)B(V) con assorbitore InAsSb. L'attuale domanda di mercato nel settore del rilevamento IR (medicina, protezione ambientale, trasporti, difesa e sicurezza, scienza) si concentra sui dispositivi a semiconduttore del III e del gruppo V. Uno di questi motivi è quello di limitare l'uso di cadmio e mercurio, elementi presenti nel telluride cadmio-mercurio (HgCdTe) — il materiale più comunemente utilizzato nel rilevamento IR. Soddisfare le esigenze del mercato richiede la necessità di ampliare l'offerta con nuovi prodotti basati su strati epitassiali a semiconduttore degli elementi del Gruppo III e V, quali: InAs, InAssb. Il lavoro di implementazione su questo tipo di rivelatori IR richiede la padronanza di una serie di aspetti tecnologici, come la crescita degli strati epitassiali con l'architettura desiderata (diodi) e la loro elaborazione multistadio. La sua fase chiave è la produzione di strati metallici a contatto caratterizzati da una resistenza trascurabile, necessaria per raggiungere parametri ottimali di nuovi strumenti di rilevamento. Pertanto, è necessario modificare la tecnologia di contatto per i nuovi rivelatori IR basati su strati con l'assorbitore InAsSb, in particolare caratterizzato da elevate velocità di risposta. Il progetto prevede: a) sviluppare un'architettura innovativa di strati di contatto contenenti metalli quali: oro, platino, palladio, titanio o cromo; prove applicate per sviluppare la sequenza di ammollo dei contatti ottenuti al fine di stabilizzarli; C) l'implementazione di questa tecnologia nell'elaborazione di nuovi rivelatori, compreso lo sviluppo di procedure di processo. Si tratterà di un'innovazione di processo. (Italian)
15 January 2022
0 references
SA 42799(2015/X) El objeto del proyecto es desarrollar una tecnología innovadora y significativamente mejorada para la producción de contactos eléctricos y su implementación como etapa de producción de detectores infrarrojos (IR) basados en estructuras semiconductoras de diodos a partir de elementos del grupo A(III)B(V) con InAsSb absorbente. La demanda actual del mercado en el área de detección de IR (medicina, protección del medio ambiente, transporte, defensa y seguridad, ciencia) se centra en los dispositivos semiconductores de los Grupos III y V. Una de estas razones es limitar el uso de cadmio y mercurio, elementos presentes en el telururo de cadmio-mercurio (HgCdTe), el material más utilizado en la detección de IR. Satisfacer las necesidades del mercado requiere la necesidad de ampliar la oferta con nuevos productos basados en capas epitaxiales semiconductoras de elementos del Grupo III y V, tales como: InAs, InAsSb. El trabajo de implementación en este tipo de detectores de IR requiere dominar una serie de aspectos tecnológicos, como el crecimiento de capas epitaxiales con la arquitectura deseada (diodos) y su procesamiento multietapa. Su etapa clave es la producción de capas metálicas de contacto caracterizadas por una resistencia insignificante, que es necesaria para lograr parámetros óptimos de nuevos instrumentos de detección. Por lo tanto, es necesario modificar la tecnología de contacto para nuevos detectores IR basados en capas con el amortiguador InAsSb, en particular caracterizado por altas velocidades de respuesta. El proyecto prevé: a) Desarrollar una arquitectura innovadora de capas de contacto que contengan metales como: oro, platino, paladio, titanio o cromo; pruebas aplicadas para desarrollar la secuencia de remojo de los contactos obtenidos con el fin de estabilizarlos; C) implementación de esta tecnología en el procesamiento de nuevos detectores, incluyendo el desarrollo de procedimientos de proceso. Esto será una innovación de procesos. (Spanish)
19 January 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Projektets emne er at udvikle en væsentligt forbedret, innovativ teknologi til produktion af elektriske kontakter og dens implementering som et trin i produktionen af infrarøde (IR) detektorer baseret på diode halvlederstrukturer fra elementer i gruppe A(III)B(V) med InAsSb absorber. Den nuværende efterspørgsel på markedet inden for IR-detektion (medicin, miljøbeskyttelse, transport, forsvar og sikkerhed, videnskab) fokuserer på halvlederkomponenter fra gruppe III og V. En af disse grunde er at begrænse anvendelsen af cadmium og kviksølv, elementer i cadmium-kviksølv tellurid (HgCdTe) — det materiale, der er mest almindeligt anvendt til påvisning af IR. For at opfylde markedets behov er det nødvendigt at udvide udbuddet med nye produkter baseret på halvleder epitaksielle lag fra gruppe III og V-elementer, såsom: InAs, InAsSb. Implementering af denne type IR-detektorer kræver at mestre en række teknologiske aspekter, såsom væksten af epitaksielle lag med den ønskede arkitektur (dioder) og deres flertrinsbehandling. Dens vigtigste fase er produktionen af kontaktmetalliske lag karakteriseret ved ubetydelig modstand, hvilket er nødvendigt for at opnå optimale parametre for nye detektionsinstrumenter. Derfor er det nødvendigt at ændre kontaktteknologien til nye IR-detektorer baseret på lag med InAsSb-absorberen, især kendetegnet ved høje responshastigheder. Projektet forudser: a) udvikling af en innovativ arkitektur af kontaktlag, der indeholder metaller som: guld, platin, palladium, titan eller krom; prøvninger, der anvendes til at udvikle soak-sekvensen af de opnåede kontakter med henblik på at stabilisere dem C) implementering af denne teknologi i behandlingen af nye detektorer, herunder udvikling af procesprocedurer. Det vil være en procesinnovation. (Danish)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Το αντικείμενο του έργου είναι η ανάπτυξη μιας σημαντικά βελτιωμένης, καινοτόμου τεχνολογίας για την παραγωγή ηλεκτρικών επαφών και την εφαρμογή της ως στάδιο παραγωγής ανιχνευτών υπερύθρων (IR) με βάση δομές ημιαγωγών διόδων από στοιχεία της ομάδας A(III)B(V) με απορροφητή InAsSb. Η τρέχουσα ζήτηση της αγοράς στον τομέα της ανίχνευσης IR (ιατρική, προστασία του περιβάλλοντος, μεταφορές, άμυνα και ασφάλεια, επιστήμη) επικεντρώνεται στις συσκευές ημιαγωγών από τις ομάδες III και V. Ένας από αυτούς τους λόγους είναι ο περιορισμός της χρήσης καδμίου και υδραργύρου, στοιχεία που υπάρχουν στο τελλουριούχο κάδμιο-υδράργυρο (HgCdTe) — το υλικό που χρησιμοποιείται συχνότερα στην ανίχνευση IR. Η ικανοποίηση των αναγκών της αγοράς απαιτεί την ανάγκη επέκτασης της προσφοράς με νέα προϊόντα που βασίζονται σε επιταξιακά στρώματα ημιαγωγών από στοιχεία της Ομάδας ΙΙΙ και V, όπως: InAs, InAsSb. Οι εργασίες υλοποίησης αυτού του τύπου ανιχνευτών IR απαιτούν τον έλεγχο μιας σειράς τεχνολογικών πτυχών, όπως η ανάπτυξη επιταξιακών στρωμάτων με την επιθυμητή αρχιτεκτονική (δίοδοι) και η επεξεργασία τους σε πολλαπλά στάδια. Το βασικό του στάδιο είναι η παραγωγή μεταλλικών στρωμάτων επαφής που χαρακτηρίζονται από αμελητέα αντίσταση, η οποία είναι απαραίτητη για την επίτευξη βέλτιστων παραμέτρων νέων οργάνων ανίχνευσης. Ως εκ τούτου, είναι απαραίτητο να τροποποιηθεί η τεχνολογία επαφής για νέους ανιχνευτές IR που βασίζονται σε στρώματα με τον απορροφητή InAsSb, που χαρακτηρίζονται ιδίως από υψηλές ταχύτητες απόκρισης. Το σχέδιο προβλέπει: α) ανάπτυξη μιας καινοτόμου αρχιτεκτονικής στρωμάτων επαφής που περιέχουν μέταλλα όπως: χρυσός, πλατίνα, παλλάδιο, τιτάνιο ή χρώμιο· δοκιμές που εφαρμόζονται για την ανάπτυξη της αλληλουχίας εμποτισμού των επαφών που λαμβάνονται προκειμένου να σταθεροποιηθούν· Γ) εφαρμογή αυτής της τεχνολογίας στην επεξεργασία νέων ανιχνευτών, συμπεριλαμβανομένης της ανάπτυξης διαδικασιών διεργασίας. Αυτό θα είναι μια καινοτομία της διαδικασίας. (Greek)
10 July 2022
0 references
Predmet projekta je razviti značajno poboljšanu, inovativnu tehnologiju za proizvodnju električnih kontakata i njezinu implementaciju kao fazu proizvodnje infracrvenih (IR) detektora temeljenih na diodnim poluvodičkim strukturama iz elemenata skupine A(III)B(V) s InAsSb apsorberom. Trenutačna potražnja na tržištu u području detekcije IR-a (lijek, zaštita okoliša, prijevoz, obrana i sigurnost, znanost) usmjerena je na poluvodičke uređaje iz skupine III. i V. Jedan od tih razloga je ograničavanje uporabe kadmija i žive, elemenata prisutnih u kadmijsko-živućem teluridu (HgCdTe) – materijala koji se najčešće koristi u otkrivanju IR-a. Za zadovoljavanje potreba tržišta potrebno je proširiti ponudu novim proizvodima koji se temelje na poluvodičkim epitaksijalnim slojevima iz elemenata skupine III i V, kao što su: InAs, InAsSb. Implementacijski rad na ovoj vrsti IR detektora zahtijeva savladavanje niza tehnoloških aspekata, kao što su rast epitaksijalnih slojeva s željenom arhitekturom (diode) i njihova višestupanjska obrada. Njegova ključna faza je proizvodnja kontaktnih metalnih slojeva karakteriziranih zanemarivom otpornošću, što je potrebno za postizanje optimalnih parametara novih instrumenata za otkrivanje. Stoga je potrebno izmijeniti tehnologiju kontakta za nove IR detektore koji se temelje na slojevima s InAsSb apsorberom, a posebno ga karakteriziraju velike brzine odziva. Projekt predviđa: a) razvoj inovativne arhitekture kontaktnih slojeva koji sadrže metale kao što su: zlato, platina, paladij, titan ili krom; ispitivanja primijenjena za razvoj slijeda kondicioniranja dobivenih kontakata kako bi ih se stabiliziralo; C) implementacija ove tehnologije u obradu novih detektora, uključujući razvoj procesnih postupaka. To će biti inovacija procesa. (Croatian)
10 July 2022
0 references
Sa 42799(2015/X) Obiectul proiectului este de a dezvolta o tehnologie semnificativ îmbunătățită, inovatoare pentru producerea contactelor electrice și implementarea acesteia ca etapă de producție a detectoarelor cu infraroșu (IR) bazate pe structuri semiconductoare diode din elemente din grupa A(III)B(V) cu absorbant InAsSb. Cererea actuală de pe piață în domeniul detectării IR (medicament, protecția mediului, transport, apărare și siguranță, știință) se concentrează asupra dispozitivelor semiconductoare din grupele III și V. Unul dintre aceste motive este limitarea utilizării cadmiului și mercurului, elemente prezente în telurida de cadmiu-mercur (HgCdTe) – materialul cel mai frecvent utilizat în detectarea IR. Satisfacerea nevoilor pieței necesită necesitatea de a extinde oferta cu noi produse bazate pe straturi epitaxiale semiconductoare din elementele grupelor III și V, cum ar fi: InAs, InAsb. Lucrările de implementare a acestui tip de detectoare de IR necesită stăpânirea unei serii de aspecte tehnologice, cum ar fi creșterea straturilor epitaxiale cu arhitectura dorită (diode) și prelucrarea lor în mai multe etape. Etapa sa cheie este producerea de straturi metalice de contact caracterizate printr-o rezistență neglijabilă, care este necesară pentru atingerea parametrilor optimi ai noilor instrumente de detectare. Prin urmare, este necesar să se modifice tehnologia de contact pentru noi detectoare IR pe baza straturilor cu absorbantul InAsSb, caracterizat în special prin viteze mari de răspuns. Proiectul prevede: a) dezvoltarea unei arhitecturi inovatoare a straturilor de contact care conțin metale precum: aur, platină, paladiu, titan sau crom; teste aplicate pentru dezvoltarea secvenței de impregnare a contactelor obținute în vederea stabilizării acestora; C) implementarea acestei tehnologii în prelucrarea noilor detectoare, inclusiv dezvoltarea procedurilor de proces. Aceasta va fi o inovație de proces. (Romanian)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Predmetom projektu je vyvinúť výrazne vylepšenú, inovatívnu technológiu na výrobu elektrických kontaktov a jej realizáciu ako štádium výroby infračervených detektorov (IR) založených na diódových polovodičových štruktúrach z prvkov skupiny A(III)B(V) s pohlcovačom InAsSb. Súčasný dopyt na trhu v oblasti detekcie IR (medicína, ochrana životného prostredia, doprava, obrana a bezpečnosť, veda) sa zameriava na polovodičové zariadenia zo skupiny III a V. Jedným z týchto dôvodov je obmedziť používanie kadmia a ortuti, prvkov prítomných v teluride kadmia-ortuti (HgCdTe) – materiálu najčastejšie používaného pri detekcii IR. Uspokojovanie potrieb trhu si vyžaduje potrebu rozšíriť ponuku o nové produkty založené na polovodičových epitaxiálnych vrstvách z prvkov skupiny III a V, ako napríklad: InAs, InAsSb. Implementácia tohto typu IR detektorov si vyžaduje zvládnutie mnohých technologických aspektov, ako je rast epitaxiálnych vrstiev s požadovanou architektúrou (diódy) a ich viacstupňové spracovanie. Jeho kľúčovou etapou je výroba kontaktných kovových vrstiev charakterizovaných zanedbateľnou odolnosťou, ktorá je potrebná na dosiahnutie optimálnych parametrov nových detekčných prístrojov. Preto je potrebné upraviť technológiu kontaktu pre nové IR detektory založené na vrstvách s absorbérom InAsSb, ktoré sa vyznačujú najmä vysokou rýchlosťou odozvy. Projekt predpokladá: a) vývoj inovatívnej architektúry kontaktných vrstiev obsahujúcich také kovy, ako sú: zlato, platina, paládium, titán alebo chróm; testy použité na vytvorenie postupnosti odstavenia získaných kontaktov s cieľom stabilizovať ich; C) implementácia tejto technológie pri spracovaní nových detektorov vrátane vývoja procesných postupov. Bude to procesná inovácia. (Slovak)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Is-suġġett tal-proġett huwa li tiġi żviluppata teknoloġija innovattiva mtejba b’mod sinifikanti għall-produzzjoni ta ‘kuntatti elettriċi u l-implimentazzjoni tagħha bħala stadju ta’ produzzjoni ta ‘ditekters infra-aħmar (IR) ibbażati fuq strutturi semikondutturi diode minn elementi tal-grupp A(III)B(V) b’asSb assorb. Id-domanda attwali tas-suq fil-qasam tad-detezzjoni tal-IR (mediċina, protezzjoni ambjentali, trasport, difiża u sikurezza, xjenza) tiffoka fuq apparat semikonduttur mill-Grupp III u V. Waħda minn dawn ir-raġunijiet hija li jiġi limitat l-użu tal-kadmju u l-merkurju, elementi preżenti fit-tellurur tal-kadmju-merkurju (HgCdTe) — il-materjal l-aktar użat fid-detezzjoni IR. L-issodisfar tal-ħtiġijiet tas-suq jeħtieġ il-ħtieġa li l-offerta tiġi estiża bi prodotti ġodda bbażati fuq saffi epitassjali semikondutturi minn elementi ta’ Grupp III u V, bħal: InAs, InAsb. Ix-xogħol ta ‘implimentazzjoni fuq dan it-tip ta’ ditekters IR jeħtieġ ħakma ta ‘numru ta’ aspetti teknoloġiċi, bħat-tkabbir ta ‘saffi epitassjali bl-arkitettura mixtieqa (diodes) u l-ipproċessar f’diversi stadji tagħhom. L-istadju ewlieni tagħha huwa l-produzzjoni ta’ saffi metalliċi ta’ kuntatt ikkaratterizzati minn reżistenza negliġibbli, li hija meħtieġa biex jinkisbu parametri ottimali ta’ strumenti ġodda ta’ detezzjoni. Għalhekk, huwa meħtieġ li tiġi mmodifikata t-teknoloġija ta’ kuntatt għal ditekters IR ġodda abbażi ta’ saffi bl-assorbitur InAsSb, b’mod partikolari kkaratterizzati minn veloċitajiet ta’ rispons għoljin. Il-proġett jipprevedi: a) l-iżvilupp ta’ arkitettura innovattiva ta’ saffi ta’ kuntatt li jkun fihom metalli bħal: deheb, platinu, palladju, titanju jew kromju; it-testijiet applikati biex tiġi żviluppata s-sekwenza tat-tgħaddis tal-kuntatti miksuba sabiex dawn jiġu stabbilizzati; C) l-implimentazzjoni ta’ din it-teknoloġija fl-ipproċessar ta’ ditekters ġodda, inkluż l-iżvilupp ta’ proċeduri ta’ proċess. Dan se jkun innovazzjoni fil-proċess. (Maltese)
10 July 2022
0 references
SA 42799 (2015/X) O objetivo do projeto é desenvolver uma tecnologia significativamente melhorada e inovadora para a produção de contactos elétricos e implementá-la como uma fase de produção de detectores de infravermelhos (IR) com base em estruturas de semicondutores de díodos dos elementos A(III)B(V) com absorvedor InAsSb. A atual procura do mercado no domínio da deteção de RI (medicina, proteção do ambiente, transportes, defesa e segurança, ciência) centra-se nos dispositivos semicondutores dos elementos III e V. Uma destas razões é limitar a utilização de cádmio e mercúrio, elementos presentes no telureto de cádmio-mercúrio (HgCdTe) – o material mais comummente utilizado na deteção de RI. Para satisfazer as necessidades do mercado, são necessários novos produtos baseados em camadas epitaxiais de semicondutores dos elementos dos grupos III e V, tais como: INAS, InAsSb (em inglês). O trabalho de implementação deste tipo de detectores de infravermelhos requer o controlo de uma série de aspectos tecnológicos, tais como o crescimento de camadas epitaxiais com a arquitectura desejada (díodos) e o seu processamento em várias fases. A etapa chave é a criação de camadas metálicas de contacto caracterizadas por baixa resistência, o que é necessário para obter parâmetros ótimos de novos dispositivos de detecção. Por conseguinte, é necessário alterar a tecnologia de contacto para os novos detetores de infravermelhos baseados em camadas com absorvedor InAsSb, em especial os que se caracterizam por uma elevada taxa de resposta. O projeto prevê: a) O desenvolvimento de uma arquitectura inovadora de camadas de contacto que contenham metais, tais como: ouro, platina, paládio, titânio ou crómio; Investigação aplicada sobre o desenvolvimento de uma sequência de imersão dos contactos obtidos para os estabilizar; C) a implementação desta tecnologia no processamento de novos detectores, incluindo o desenvolvimento de procedimentos de processo. Portanto, será uma inovação de processo. (Portuguese)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Hankkeen tavoitteena on kehittää merkittävästi parannettu ja innovatiivinen teknologia sähkökontaktien tuottamiseksi ja sen toteuttamiseksi infrapunailmaisimien (IR)-ilmaisimien tuotantovaiheena, jotka perustuvat diodipuolijohderakenteisiin A(III)B(V)-ryhmän elementeistä InAsSb-absorberilla. Markkinoiden kysyntä infrapuna-aineiden havaitsemisen alalla (lääketiede, ympäristönsuojelu, liikenne, puolustus ja turvallisuus, tiede) keskittyy ryhmien III ja V puolijohdelaitteisiin. Yksi näistä syistä on kadmiumin ja elohopean, kadmium-mercury telluridissa (HgCdTe) olevien alkuaineiden käytön rajoittaminen. Markkinoiden tarpeiden tyydyttäminen edellyttää, että tarjousta laajennetaan uusilla tuotteilla, jotka perustuvat ryhmän III ja V elementtien puolijohteisiin epitaksiaalisiin kerroksiin, kuten: InAs, InAsSb. Tämäntyyppisten infrapuna-ilmaisimien toteutustyö edellyttää useiden teknisten näkökohtien hallintaa, kuten epitaksiaalisten kerrosten kasvua halutulla arkkitehtuurilla (diodit) ja niiden monivaiheista käsittelyä. Sen keskeinen vaihe on kosketusmetallikerrosten tuotanto, jolle on ominaista vähäinen vastus, joka on tarpeen uusien havaitsemislaitteiden optimaalisten parametrien saavuttamiseksi. Sen vuoksi on tarpeen muuttaa uusien infrapuna-ilmaisimien kosketustekniikkaa, joka perustuu InAsSb-absorberin kerroksiin, joille on ominaista suuret vastenopeudet. Hankkeessa ennakoidaan seuraavaa: a) sellaisten kontaktikerrosten innovatiivisen arkkitehtuurin kehittäminen, jotka sisältävät seuraavia metalleja: kulta, platina, palladium, titaani tai kromi; testit, joita sovelletaan niiden vakauttamiseksi saatujen kontaktien liotusjärjestyksen kehittämiseksi; C) tämän teknologian käyttöönotto uusien ilmaisimien käsittelyssä, mukaan lukien prosessimenettelyjen kehittäminen. Tämä on prosessi-innovaatio. (Finnish)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Predmet projekta je razviti bistveno izboljšano, inovativno tehnologijo za proizvodnjo električnih kontaktov in njeno implementacijo kot fazo proizvodnje infrardečih (IR) detektorjev, ki temeljijo na diodnih polprevodniških strukturah iz elementov skupine A(III)B(V) z InAsSb absorberjem. Sedanje povpraševanje na trgu na področju odkrivanja IR (zdravilo, varstvo okolja, promet, obramba in varnost, znanost) se osredotoča na polprevodniške naprave iz skupin III in V. Eden od teh razlogov je omejiti uporabo kadmija in živega srebra, elementov, ki so prisotni v kadmij-živem teluridu (HgCdTe) – materialu, ki se najpogosteje uporablja pri odkrivanju IR. Za izpolnjevanje potreb trga je treba ponudbo razširiti z novimi izdelki, ki temeljijo na polprevodniških epitaksijskih plasteh iz elementov III. in V. skupine, kot so: Inas, inassb. Izvajanje te vrste detektorjev IR zahteva obvladovanje številnih tehnoloških vidikov, kot so rast epitaksialnih plasti z želeno arhitekturo (diode) in njihova večstopenjska obdelava. Njegova ključna faza je proizvodnja kontaktnih kovinskih plasti, za katere je značilna zanemarljiva odpornost, ki je potrebna za doseganje optimalnih parametrov novih instrumentov za odkrivanje. Zato je treba spremeniti tehnologijo stika za nove detektorje IR, ki temeljijo na plasteh z absorberjem InAsSb, za katerega so značilne zlasti visoke odzivne hitrosti. Projekt predvideva: a) razvoj inovativne arhitekture kontaktnih plasti, ki vsebujejo kovine, kot so: zlato, platina, paladij, titan ali krom; preskuse, ki se uporabljajo za razvoj zaporedja odstavitve pridobljenih kontaktov, da bi jih stabilizirali; C) izvajanje te tehnologije pri obdelavi novih detektorjev, vključno z razvojem postopkovnih postopkov. To bo procesna inovacija. (Slovenian)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Předmětem projektu je vyvinout výrazně vylepšenou, inovativní technologii pro výrobu elektrických kontaktů a její implementaci jako fázi výroby infračervených (IR) detektorů založených na diodových polovodičových strukturách z prvků skupiny A(III)B(V) s absorbérem InAsSb. Současná poptávka na trhu v oblasti detekce IR (lékařství, ochrana životního prostředí, doprava, obrana a bezpečnost, věda) se zaměřuje na polovodičová zařízení ze skupin III a V. Jedním z těchto důvodů je omezit používání kadmia a rtuti, prvků přítomných v teluuridu kadmium-rtuť (HgCdTe) – materiálu, který se nejčastěji používá při detekci IR. Uspokojení potřeb trhu vyžaduje potřebu rozšířit nabídku o nové produkty založené na polovodičových epitaxiálních vrstvách z prvků skupiny III a V, jako jsou: InAs, InAsSb. Implementační práce na tomto typu IR detektorů vyžaduje zvládnutí řady technologických aspektů, jako je růst epitaxiálních vrstev s požadovanou architekturou (diody) a jejich vícestupňové zpracování. Jeho klíčovou fází je výroba kontaktních kovových vrstev vyznačujících se zanedbatelnou odolností, která je nezbytná pro dosažení optimálních parametrů nových detekčních přístrojů. Proto je nutné upravit technologii kontaktu pro nové IR detektory založené na vrstvách s absorbérem InAsSb, který se vyznačuje zejména vysokou rychlostí odezvy. Projekt předpokládá: a) vývoj inovativní architektury kontaktních vrstev obsahujících takové kovy, jako jsou: zlato, platina, palladium, titan nebo chrom; zkoušky použité k vytvoření posloupnosti kontaktů získaných za účelem jejich stabilizace; C) implementace této technologie při zpracování nových detektorů, včetně vývoje procesních postupů. Bude to inovace procesu. (Czech)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Projekto objektas – sukurti gerokai patobulintą, novatorišką technologiją elektros kontaktų gamybai ir jos įdiegimui kaip infraraudonųjų spindulių (IR) detektorių, paremtų diodinėmis puslaidininkinėmis struktūromis iš A(III)B(V) grupės elementų su InAsSb absorberiu, gamybos etapą. Dabartinė rinkos paklausa IR aptikimo srityje (medicinos, aplinkos apsaugos, transporto, gynybos ir saugos, mokslo) daugiausia dėmesio skiriama III ir V grupių puslaidininkiniams įtaisams. Viena iš šių priežasčių yra apriboti kadmio ir gyvsidabrio – elementų, esančių kadmio-gyvsidabrio telūrido (HgCdTe) – medžiagos, dažniausiai naudojamos IR aptikimui, naudojimą. Siekiant patenkinti rinkos poreikius, reikia išplėsti pasiūlą naujais gaminiais, pagamintais iš III ir V grupės elementų puslaidininkių epitaksinių sluoksnių, pvz.: InAs, InAsSb. Šio tipo IR detektorių įgyvendinimui reikia įsisavinti keletą technologinių aspektų, pavyzdžiui, epitaksinių sluoksnių augimą su norima architektūra (diodais) ir jų daugiapakopį apdorojimą. Jo pagrindinis etapas yra kontaktinių metalinių sluoksnių, kuriems būdingas nedidelis atsparumas, gamyba, kuri yra būtina norint pasiekti optimalius naujų aptikimo prietaisų parametrus. Todėl būtina pakeisti sąlyčio su naujais IR detektoriais technologiją, paremtą sluoksniais su InAsSb absorberiu, ypač pasižyminčiu dideliu atsako greičiu. Projekte numatyta: a) kurti novatorišką kontaktinių sluoksnių, kuriuose yra tokių metalų kaip: auksas, platina, paladis, titanas arba chromas; bandymai, atlikti siekiant sukurti gautų kontaktų stabilizavimo seką, siekiant juos stabilizuoti; C) šios technologijos diegimas apdorojant naujus detektorius, įskaitant proceso procedūrų kūrimą. Tai bus proceso naujovė. (Lithuanian)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Projekta mērķis ir izstrādāt būtiski uzlabotu, inovatīvu tehnoloģiju elektrisko kontaktu ražošanai un tās īstenošanai kā infrasarkano (IR) detektoru ražošanas posmu, kuru pamatā ir diodes pusvadītāju struktūras no A(III)B(V) grupas elementiem ar InAsSb absorbētāju. Pašreizējais tirgus pieprasījums IR noteikšanas jomā (zāles, vides aizsardzība, transports, aizsardzība un drošība, zinātne) ir vērsts uz III un V grupas pusvadītāju ierīcēm. Viens no šiem iemesliem ir kadmija un dzīvsudraba — kadmija-dzīvsudraba telurīda (HgCdTe) — materiāla, ko visbiežāk izmanto IR noteikšanai, izmantošanas ierobežošana. Lai apmierinātu tirgus vajadzības, ir nepieciešams paplašināt piedāvājumu ar jauniem produktiem, kuru pamatā ir III un V grupas pusvadītāju epitaksiālie slāņi, piemēram: InAs, InAsSb. Lai īstenotu šāda veida IR detektorus, ir jāapgūst vairāki tehnoloģiskie aspekti, piemēram, epitaksiālo slāņu augšana ar vēlamo arhitektūru (diodes) un to daudzpakāpju apstrāde. Tās galvenais posms ir kontakta metāla slāņu ražošana, kam raksturīga neliela pretestība, kas ir nepieciešama, lai sasniegtu optimālus jauno noteikšanas instrumentu parametrus. Tāpēc ir nepieciešams mainīt tehnoloģiju saziņai ar jauniem IR detektoriem, kuru pamatā ir slāņi ar InAsSb absorbētāju, kam jo īpaši raksturīgs liels reakcijas ātrums. Projektā paredzēts: a) izstrādāt inovatīvu arhitektūru kontaktslāņiem, kas satur šādus metālus: zelts, platīns, palādijs, titāns vai hroms; testi, ko piemēro, lai izstrādātu iegūto kontaktu uzsūkšanās secību, lai tos stabilizētu; C) šīs tehnoloģijas ieviešana jaunu detektoru apstrādē, tai skaitā procesa procedūru izstrāde. Tas būs procesa inovācija. (Latvian)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Целта на проекта е да разработи значително подобрена, иновативна технология за производство на електрически контакти и нейното внедряване като етап на производство на инфрачервени (IR) детектори, базирани на диодни полупроводникови структури от елементи от група A(III)B(V) с абсорбер InAsSb. Настоящото пазарно търсене в областта на IR откриване (медицина, опазване на околната среда, транспорт, отбрана и безопасност, наука) е съсредоточено върху полупроводникови устройства от групи III и V. Една от тези причини е да се ограничи използването на кадмий и живак, елементи, присъстващи в кадмий-живашки телурид (HgCdTe) — материалът, който най-често се използва при откриването на IR. Задоволяването на нуждите на пазара налага необходимостта от разширяване на предлагането с нови продукти, базирани на полупроводникови епитаксиални слоеве от елементи от III и V група, като например: InAs, InAsSb. Работата по внедряването на този тип IR детектори изисква овладяване на редица технологични аспекти, като например растежа на епитаксиалните слоеве с желаната архитектура (диоди) и тяхната многоетапна обработка. Неговият ключов етап е производството на контактни метални слоеве, характеризиращи се с незначителна устойчивост, която е необходима за постигане на оптимални параметри на нови детекторни инструменти. Поради това е необходимо да се промени технологията за контакт за нови IR детектори на базата на слоеве с абсорбера InAsSb, по-специално характеризиращ се с високи скорости на реагиране. Проектът предвижда: а) разработване на иновативна архитектура на контактни слоеве, съдържащи такива метали като: злато, платина, паладий, титан или хром; изпитвания, прилагани за разработване на последователността на накисване на контактите, получени с цел тяхното стабилизиране; В) внедряването на тази технология при обработката на нови детектори, включително разработването на процесни процедури. Това ще бъде иновация на процеса. (Bulgarian)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) A projekt tárgya egy jelentősen továbbfejlesztett, innovatív technológia kifejlesztése az elektromos érintkezők gyártására és annak megvalósítására, mint az infravörös (IR) detektorok gyártásának szakasza, amely az A(III)B(V) csoport elemeiből származó dióda félvezető szerkezeteken alapul InAsSb abszorberrel. Az IR detektálás (gyógyszer, környezetvédelem, közlekedés, védelem és biztonság, tudomány) területén a jelenlegi piaci kereslet a III. és V. csoport félvezető eszközeire összpontosít. A piaci igények kielégítése szükségessé teszi, hogy a kínálatot a III. és V. csoport elemeiből származó félvezető epitaxiális rétegeken alapuló új termékekkel bővítsék, mint például: InAs, InAsSb. Az ilyen típusú IR detektorok kivitelezéséhez számos technológiai szempontot kell elsajátítani, például az epitaxiális rétegek növekedését a kívánt architektúrával (diódákkal) és azok többlépcsős feldolgozásával. Fő lépése a kontakt fémrétegek előállítása, amelyeket elhanyagolható ellenállás jellemez, ami az új detektáló eszközök optimális paramétereinek eléréséhez szükséges. Ezért módosítani kell az InAsSb abszorberrel ellátott rétegeken alapuló új infravörös érzékelők érintkezési technológiáját, különösen nagy válaszsebességgel. A projekt előirányozza: a) a következő fémeket tartalmazó érintkezési rétegek innovatív architektúrájának kifejlesztése: arany, platina, palládium, titán vagy króm; a stabilizálásuk érdekében kapott érintkezők áztatási szekvenciájának fejlesztésére alkalmazott vizsgálatok; C) ennek a technológiának a megvalósítása az új detektorok feldolgozása során, beleértve a folyamateljárások fejlesztését is. Ez egy folyamatinnováció lesz. (Hungarian)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Is é ábhar an tionscadail teicneolaíocht nuálach atá feabhsaithe go mór a fhorbairt chun teagmhálacha leictreacha a tháirgeadh agus a chur chun feidhme mar chéim de tháirgeadh brathadóirí infridhearg (IR) bunaithe ar struchtúir leathsheoltóra dé-óide ó eilimintí de ghrúpa A(III)B(V) le ionsúire InAsSb. An t-éileamh margaidh atá ann faoi láthair i réimse bhrath IR (leigheas, cosaint an chomhshaoil, iompar, cosaint agus sábháilteacht, eolaíocht) díríonn sé ar fheistí leathsheoltóra ó Ghrúpa III agus V. Is é ceann de na cúiseanna seo ná teorainn a chur le húsáid caidmiam agus mearcair, eilimintí atá i dtreasúiríd mhorcaird chaidmiam (HgCdTe) — an t-ábhar is coitianta a úsáidtear i mbrath IR. Chun freastal ar riachtanais an mhargaidh, is gá an tairiscint a leathnú le táirgí nua bunaithe ar chisil eipealuadracha leathsheoltóra ó eilimintí Ghrúpa III agus V, amhail: Inis dúinn, le do thoil... Éilíonn obair cur chun feidhme ar an gcineál seo brathadóirí IR máistreacht ar roinnt gnéithe teicneolaíochta, mar shampla fás sraitheanna epitaxial leis an ailtireacht atá ag teastáil (diodes) agus a bpróiseáil ilchéime. Is é a phríomhchéim ná sraitheanna miotalacha teagmhála a tháirgeadh arb iad is sainairíonna friotaíocht diomaibhseach, rud atá riachtanach chun paraiméadair is fearr is féidir a bhaint amach d’ionstraimí braite nua. Dá bhrí sin, is gá an teicneolaíocht teagmhála do bhrathadóirí IR nua bunaithe ar shraitheanna leis an ionsúire InAsSb a mhodhnú, go háirithe arb iad is sainairíonna luasanna freagartha ard. Déantar foráil sa tionscadal maidir leis an méid seo a leanas: a) ailtireacht nuálach a fhorbairt de chisil theagmhála ina bhfuil miotail amhail: ór, platanam, pallaidiam, tíotáiniam nó cróimiam; tástálacha a chuirtear i bhfeidhm chun seicheamh sáithithe na dteagmhálacha a fhaightear a fhorbairt chun iad a chobhsú; C) cur chun feidhme na teicneolaíochta seo i bpróiseáil brathadóirí nua, lena n-áirítear forbairt nósanna imeachta próisis. Nuálaíocht próisis a bheidh i gceist leis sin. (Irish)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Ämnet för projektet är att utveckla en väsentligt förbättrad, innovativ teknik för produktion av elektriska kontakter och dess implementering som ett steg i produktionen av infraröda (IR) detektorer baserade på diodhalvledarstrukturer från element i grupp A(III)B(V) med InAsSb absorber. Den nuvarande efterfrågan på marknaden inom området IR-detektion (medicin, miljöskydd, transport, försvar och säkerhet, vetenskap) fokuserar på halvledarkomponenter från grupp III och V. Ett av dessa skäl är att begränsa användningen av kadmium och kvicksilver, element som finns i kadmium-kvicksilver tellurid (HgCdTe) – det material som oftast används vid IR-detektion. För att tillgodose marknadens behov krävs behovet av att utöka utbudet med nya produkter baserade på halvledar epitaxiella skikt från grupp III och V-element, t.ex. InAs, InAssb. Implementeringsarbetet på denna typ av IR-detektorer kräver att man behärskar ett antal tekniska aspekter, såsom tillväxten av epitaxiella skikt med önskad arkitektur (dioder) och deras flerstegsbehandling. Dess viktigaste steg är produktionen av kontaktmetalliska skikt som kännetecknas av försumbart motstånd, vilket är nödvändigt för att uppnå optimala parametrar för nya detektionsinstrument. Därför är det nödvändigt att ändra tekniken för att kontakta nya IR-detektorer baserade på lager med InAsSb-absorbatorn, i synnerhet kännetecknas av höga svarshastigheter. I projektet förutses följande: a) utveckla en innovativ arkitektur av kontaktskikt som innehåller sådana metaller som guld, platina, palladium, titan eller krom tester som används för att utveckla kontakternas blötläggningssekvens för att stabilisera dem. C) Genomförande av denna teknik vid bearbetning av nya detektorer, inklusive utveckling av processförfaranden. Detta kommer att bli en processinnovation. (Swedish)
10 July 2022
0 references
SA 42799(2015/X) Projekti eesmärk on töötada välja märkimisväärselt täiustatud ja uuenduslik tehnoloogia elektrikontaktide tootmiseks ja selle rakendamiseks InAsSb absorberiga A(III)B(V) rühma elementidest valmistatud infrapunadetektorite (IR) detektorite tootmise etapina. Praegune turunõudlus infrapunakiirguse avastamise valdkonnas (meditsiin, keskkonnakaitse, transport, kaitse ja ohutus, teadus) keskendub III ja V rühma pooljuhtseadmetele. Üks neist põhjustest on piirata kaadmiumi ja elavhõbeda, kaadmiumi-elavhõbedatelluriidis (HgCdTe) sisalduvate elementide kasutamist, mis on infrapunakiirguse avastamisel kõige sagedamini kasutatav materjal. Turu vajaduste rahuldamiseks on vaja laiendada pakkumist uute toodetega, mis põhinevad III ja V rühma elementide pooljuhtide epitaksiaalsetel kihtidel, näiteks: Inas, InAsSb. Seda tüüpi IR-detektorite rakendamiseks on vaja omandada mitmeid tehnoloogilisi aspekte, nagu epitaksiaalsete kihtide kasv soovitud arhitektuuriga (dioodid) ja nende mitmeastmeline töötlemine. Selle peamine etapp on kontaktsete metallikihtide tootmine, mida iseloomustab ebaoluline vastupidavus, mis on vajalik uute avastamisvahendite optimaalsete parameetrite saavutamiseks. Seetõttu on vaja muuta InAsSb absorberiga kihtidel põhinevate uute IR-detektoritega kokkupuute tehnoloogiat, mida iseloomustavad eelkõige suured reageerimiskiirused. Projektiga nähakse ette: a) arendada välja innovaatiline struktuur, mis hõlmab selliseid metalle sisaldavaid kontaktkihte nagu: kuld, plaatina, pallaadium, titaan või kroom; katsed, mida rakendatakse saadud kontaktide seisujärjestuse väljatöötamiseks, et neid stabiliseerida; C) selle tehnoloogia rakendamine uute detektorite töötlemisel, sealhulgas protsessiprotseduuride väljatöötamine. See on protsessi uuendus. (Estonian)
10 July 2022
0 references
WOJ.: MAZOWIECKIE, POW.: warszawski zachodni
0 references
6 July 2023
0 references
Identifiers
POIR.02.03.02-14-0085/19
0 references