Atomic layer coating plant (Q3297336)

From EU Knowledge Graph
Revision as of 05:11, 19 August 2022 by DG Regio (talk | contribs) (‎Changed label, description and/or aliases in el, da, fi, mt, lv, sk, ga, cs, pt, et, hu, bg, lt, hr, sv, ro, sl, pl, nl, fr, de, it, es, and other parts: Adding translations: el, da, fi, mt, lv, sk, ga, cs, pt, et, hu, bg, lt, hr, sv, ro, sl, pl,)
Jump to navigation Jump to search
Project Q3297336 in Germany
Language Label Description Also known as
English
Atomic layer coating plant
Project Q3297336 in Germany

    Statements

    0 references
    260,000.0 Euro
    0 references
    520,000.0 Euro
    0 references
    50.0 percent
    0 references
    14 November 2017
    0 references
    31 December 2019
    0 references
    Universität Stuttgart
    0 references
    0 references

    48°46'42.42"N, 9°10'48.04"E
    0 references
    Neue Anwendungsfelder in der Nanooptik und Plasmonik erfordern die konformale Beschichtung komplexer zwei- und dreidimensionaler Komponenten mit dichten und geschlossenen dielektrischen und metallischen Filmen mit präzise kontrollierbarer Dicke. Bei der Atomlagendeposition (ALD) werden einzelne Monolagen des Materials via gasförmiger Ausgangssubstanzen auf der Probe aufgewachsen. Diese Substanzen können die Probe vollständig durchdringen und tragen daher auch Material in abgeschatteten Bereichen auf. Aufgrund der atomlagenweisen Beschichtung ist eine höchstpräzise Schichtdickenkontrolle prozessimmanent gegeben. Neben Dielektrika lassen sich auch Metalle und Metallverbindungen aufbringen. Diese neuartigen Materialfilme erlauben die Strukturierung von komplexen zwei- und dreidimensionalen Mikro- und Nanostrukturen auf bisher unerreichter Ebene und ermöglichen völlig neue Abbildungssyteme und Optiken. Die ALD wird als Core Facility im Zentrum ZAQuant im Rahmen von IQST eingerichtet. (German)
    0 references
    New fields of application in nanooptics and plasmonics require the conformal coating of complex two- and three-dimensional components with dense and closed dielectric and metallic films with precise controllable thickness. In the case of the atomic deposition (ALD), individual monolayers of the material are raised on the sample via gaseous starting substances. These substances can penetrate the sample completely and therefore also apply material in shaded areas. Due to the atomic layer-like coating, a highly precise layer thickness control process immanent is given. In addition to dielectrics, metals and metal compounds can also be applied. These novel material films allow the structuring of complex two- and three-dimensional micro- and nanostructures on an unprecedented level and enable completely new imaging systems and optics. The ALD is set up as a core facility in the center of ZAQuant within the framework of IQST. (English)
    24 October 2021
    0 references
    De nouveaux champs d’application en nanooptique et en plasmonique nécessitent le revêtement conforme de composants complexes bidimensionnels et tridimensionnels avec des films diélectriques et métalliques denses et fermés avec une épaisseur contrôlable avec précision. Lors du dépôt de la couche atomique (ALD), on cultive des monolages individuels du matériau à l’aide de substances gazeuses initiales sur l’échantillon. Ces substances peuvent pénétrer complètement l’échantillon et donc appliquer du matériau dans des zones ombragées. En raison du revêtement par couche atomique, un contrôle de l’épaisseur de couche de haute précision est donné immanent au processus. Outre les diélectriques, il est également possible d’appliquer des métaux et des composés métalliques. Ces nouveaux films de matériaux permettent la structuration de micro et nanostructures complexes bidimensionnelles et tridimensionnelles à un niveau sans précédent et permettent de créer de nouveaux systèmes d’imagerie et d’optiques. L’ALD est mise en place en tant qu’installation de base dans le centre de ZAQuant dans le cadre d’IQST. (French)
    6 December 2021
    0 references
    Nieuwe toepassingsgebieden in nanooptica en plasmonica vereisen de conforme coating van complexe twee- en driedimensionale componenten met dichte en gesloten diëlektrische en metaalfolie met nauwkeurige regelbare dikte. Bij de atoomafzetting (ALD) worden afzonderlijke monolagen van het materiaal op het monster gebracht via gasvormige uitgangsstoffen. Deze stoffen kunnen het monster volledig doordringen en daarom ook materiaal in schaduwrijke gebieden toepassen. Door de atoomlaag-achtige coating wordt een zeer nauwkeurig laagdiktecontroleproces immanent gegeven. Naast diëlektrische, metalen en metaalverbindingen kunnen ook worden toegepast. Deze nieuwe materiaalfilms maken het mogelijk complexe twee- en driedimensionale micro- en nanostructuren op een ongekend niveau te structureren en volledig nieuwe beeldvormingssystemen en optica mogelijk te maken. De ALD is opgezet als kernfaciliteit in het centrum van ZAQuant in het kader van IQST. (Dutch)
    19 December 2021
    0 references
    I nuovi campi di applicazione in nanoottica e plasmonica richiedono il rivestimento formale di componenti bidimensionali e tridimensionali complessi con film dielettrici e metallici densi e chiusi con uno spessore preciso controllabile. Nel caso della deposizione atomica (ALD), i singoli monostrati del materiale sono sollevati sul campione mediante sostanze di partenza gassose. Queste sostanze possono penetrare completamente nel campione e quindi applicare anche materiale in zone ombreggiate. Grazie al rivestimento atomico simile allo strato, viene fornito un processo di controllo dello spessore altamente preciso. Oltre ai dielettrici, possono essere applicati anche metalli e composti metallici. Questi nuovi film di materiale consentono la strutturazione di complesse micro e nanostrutture bidimensionali e tridimensionali su un livello senza precedenti e consentono sistemi di imaging e ottiche completamente nuovi. L'ADL è istituito come una struttura centrale nel centro di ZAQuant nel quadro di IQST. (Italian)
    18 January 2022
    0 references
    Los nuevos campos de aplicación en nanoópticas y plasmáticas requieren el recubrimiento conforme de componentes complejos bidimensionales y tridimensionales con películas densas y cerradas dieléctricas y metálicas con un espesor preciso controlable. En el caso de la deposición atómica (ALD), las monocapas individuales del material se elevan en la muestra a través de sustancias de partida gaseosas. Estas sustancias pueden penetrar completamente en la muestra y, por lo tanto, también aplicar material en áreas sombreadas. Debido al recubrimiento atómico similar a la capa, se da un proceso de control de espesor de capa altamente preciso inmanente. Además de los dieléctricos, también se pueden aplicar metales y compuestos metálicos. Estas nuevas películas de material permiten la estructuración de complejas microestructuras bidimensionales y nanoestructuras a un nivel sin precedentes y permiten sistemas de imagen y óptica completamente nuevos. El ALD se configura como una instalación central en el centro de ZAQuant en el marco de IQST. (Spanish)
    22 January 2022
    0 references
    Νέα πεδία εφαρμογής στη νανοοπτική και τα πλασμικά απαιτούν τη σύμμορφη επικάλυψη σύνθετων δισδιάστατων και τρισδιάστατων συστατικών με πυκνές και κλειστές διηλεκτρικές και μεταλλικές μεμβράνες με ακριβές ελεγχόμενο πάχος. Στην περίπτωση ατομικής εναπόθεσης (ALD), οι μεμονωμένες μονοστρώσεις του υλικού ανυψώνονται στο δείγμα μέσω αέριων αρχικών ουσιών. Οι ουσίες αυτές μπορούν να διεισδύσουν πλήρως στο δείγμα και, ως εκ τούτου, να εφαρμόσουν επίσης υλικό σε σκιασμένους χώρους. Λόγω της ατομικής επίστρωσης, δίνεται μια πολύ ακριβής διαδικασία ελέγχου πάχους στρώματος. Εκτός από τα διηλεκτρικά, τα μέταλλα και οι μεταλλικές ενώσεις μπορούν επίσης να εφαρμοστούν. Αυτές οι νέες ταινίες υλικού επιτρέπουν τη διάρθρωση σύνθετων διδιάστατων και τρισδιάστατων μικροδομών και νανοδομών σε πρωτοφανές επίπεδο και επιτρέπουν εντελώς νέα συστήματα απεικόνισης και οπτικής. Η ALD έχει συσταθεί ως κεντρική εγκατάσταση στο κέντρο του ZAQuant στο πλαίσιο του IQST. (Greek)
    19 August 2022
    0 references
    Nye anvendelsesområder i nanooptik og plasmonik kræver konform belægning af komplekse to- og tredimensionelle komponenter med tætte og lukkede dielektriske og metalliske film med præcis styrbar tykkelse. I tilfælde af atomaflejring (ALD) hæves de enkelte monolag af materialet på prøven via gasformige udgangsstoffer. Disse stoffer kan gennemtrænge prøven fuldstændigt og derfor også anvende materiale i skyggefulde områder. På grund af den atomare laglignende belægning gives der en meget præcis lagtykkelseskontrolproces immanent. Ud over dielektriske, metaller og metalforbindelser kan også anvendes. Disse nye materialefilm gør det muligt at strukturere komplekse to- og tredimensionale mikro- og nanostrukturer på et hidtil uset niveau og muliggøre helt nye billeddannelsessystemer og -optik. ALD er oprettet som en central facilitet i centrum af ZAQuant inden for rammerne af IQST. (Danish)
    19 August 2022
    0 references
    Nanooptisten ja plasmonien uudet sovelluskentät edellyttävät monimutkaisia kaksi- ja kolmiulotteisia komponentteja, joissa on tiheät ja suljetut dielektriset ja metalliset kalvot, joiden paksuus on tarkasti hallittavissa. Kun kyseessä on atomilaskeuma (ALD), näytteeseen nostetaan yksittäisiä yksikerroksia kaasumaisten lähtöaineiden avulla. Nämä aineet voivat läpäistä näytteen kokonaan ja siten myös käyttää materiaalia varjostetuilla alueilla. Atomikerroksen kaltaisen pinnoitteen ansiosta annetaan erittäin tarkka kerrospaksuuden säätöprosessi immanentti. Dielektristen tuotteiden lisäksi voidaan käyttää myös metalleja ja metalliyhdisteitä. Nämä uudet materiaalielokuvat mahdollistavat monimutkaisten kaksi- ja kolmiulotteisten mikro- ja nanorakenteiden jäsentelyn ennennäkemättömällä tasolla ja mahdollistavat täysin uudet kuvantamisjärjestelmät ja optiikan. ALD on perustettu ydinlaitoksen keskustassa ZAQuant puitteissa IQST. (Finnish)
    19 August 2022
    0 references
    Oqsma ġodda ta’ applikazzjoni fin-nanoottika u l-plasmonika jeħtieġu l-kisi konformali ta’ komponenti kumplessi b’żewġ u tridimensjonali b’films dielettriċi u metalliċi densi u magħluqa bi ħxuna preċiża kontrollabbli. Fil-każ tad-depożizzjoni atomika (ALD), il-monosaffi individwali tal-materjal jittellgħu fuq il-kampjun permezz ta’ sustanzi ta’ bidu gassużi. Dawn is-sustanzi jistgħu jippenetraw il-kampjun kompletament u għalhekk japplikaw ukoll materjal f’żoni bil-griż. Minħabba l-kisi atomiku simili għas-saff, jingħata proċess preċiż ħafna ta ‘kontroll tal-ħxuna tas-saff immanent. Minbarra d-dielettriċi, il-metalli u l-komposti tal-metall jistgħu jiġu applikati wkoll. Dawn il-films ta’ materjal ġdid jippermettu l-istrutturar ta’ mikro u nanostrutturi kumplessi b’żewġ u tridimensjonali fuq livell mingħajr preċedent u jippermettu sistemi ta’ immaġni u ottiċi kompletament ġodda. L-ALD hija stabbilita bħala faċilità ewlenija fiċ-ċentru ta’ ZAQuant fi ħdan il-qafas tal-IQST. (Maltese)
    19 August 2022
    0 references
    Jaunas pielietojuma jomas nanooptikā un plasmonikā prasa sarežģītu divdimensiju un trīsdimensiju komponentu conformal pārklājumu ar blīvu un slēgtu dielektrisko un metāla plēvi ar precīzu kontrolējamu biezumu. Atomu nogulsnēšanās (ALD) gadījumā atsevišķus materiāla monoslāņus uz parauga paceļ ar gāzveida izejvielām. Šīs vielas var iekļūt paraugā pilnībā un tāpēc arī uzklāt materiālu iekrāsotās vietās. Sakarā ar atomu slānim līdzīgu pārklājumu, tiek dots ļoti precīzs slāņa biezuma kontroles process. Papildus dielektriskiem var izmantot arī metālus un metālu savienojumus. Šīs jaunās materiālu filmas ļauj strukturēt sarežģītas divdimensiju un trīsdimensiju mikrostruktūras un nanostruktūras vēl nepieredzētā līmenī un nodrošina pilnīgi jaunas attēlveidošanas sistēmas un optiku. ALD ir izveidota kā galvenais objekts centrā ZAQuant ietvaros IQST. (Latvian)
    19 August 2022
    0 references
    Nové oblasti použitia v nanoopike a plazme vyžadujú konformný povlak komplexných dvoj- a trojrozmerných komponentov s hustými a uzavretými dielektrickými a kovovými filmami s presnou regulovateľnou hrúbkou. V prípade atómovej depozície (ALD) sa jednotlivé monovrstvy materiálu zdvihnú na vzorku prostredníctvom plynných východiskových látok. Tieto látky môžu preniknúť do vzorky úplne, a preto tiež použiť materiál v tienistých oblastiach. Vďaka povlaku podobnému atómovej vrstve je daný veľmi presný proces riadenia hrúbky vrstvy, ktorý je immanentný. Okrem dielektriky sa môžu použiť aj kovy a zlúčeniny kovov. Tieto filmy z nových materiálov umožňujú štruktúrovanie komplexných dvoj- a trojrozmerných mikro- a nanoštruktúr na bezprecedentnej úrovni a umožňujú úplne nové zobrazovacie systémy a optiku. ALD je nastavený ako základné zariadenie v centre ZAQuant v rámci IQST. (Slovak)
    19 August 2022
    0 references
    Réimsí nua cur i bhfeidhm i nanaoptics agus plasmonics a cheangal ar an sciath conformal na comhpháirteanna casta dhá agus tríthoiseach le dlúth agus dúnta scannáin tréleictreach agus miotalach le tiús controllable beacht. I gcás an deascadh adamhach (ALD), ardaítear monashraitheanna aonair an ábhair ar an sampla trí shubstaintí tosaithe gásacha. Is féidir leis na substaintí seo an sampla a threá go hiomlán agus dá bhrí sin ábhar a chur i bhfeidhm i limistéir scáthaithe. Mar gheall ar an sciath adamhach cosúil le ciseal, tugtar próiseas rialaithe tiús ciseal an-beacht. Chomh maith le tréleictreacha, is féidir miotail agus comhdhúile miotail a chur i bhfeidhm freisin. Ceadaíonn na scannáin nua-ábhair seo struchtúrú micreastruchtúr agus nanastruchtúr casta déthoiseach agus tríthoiseach ar leibhéal nach bhfacthas a leithéid riamh roimhe seo agus cumasaíonn siad córais agus optaic íomháithe atá go hiomlán nua. Tá an ALD ar bun mar áis lárnach i lár ZAQuant laistigh de chreat IQST. (Irish)
    19 August 2022
    0 references
    Nové oblasti použití v nanooptice a plazmonice vyžadují konformní povlak složitých dvou a trojrozměrných součástí s hustými a uzavřenými dielektrickými a kovovými fóliemi s přesnou kontrolovatelnou tloušťkou. V případě atomové depozice (ALD) se jednotlivé monovrstvy materiálu získávají na vzorku prostřednictvím plynných výchozích látek. Tyto látky mohou proniknout do vzorku úplně, a proto také aplikovat materiál v zastíněných oblastech. Díky povlaku podobnému atomové vrstvě je uveden vysoce přesný proces řízení tloušťky vrstvy imanentní. Kromě dielektriky mohou být použity také kovy a sloučeniny kovů. Tyto nové materiálové fólie umožňují strukturování komplexních dvou- a trojrozměrných mikro- a nanostruktur na bezprecedentní úrovni a umožňují zcela nové zobrazovací systémy a optiku. ALD je zřízen jako základní zařízení v centru ZAQuant v rámci IQST. (Czech)
    19 August 2022
    0 references
    Novos campos de aplicação em nanoópticos e plasmônicos requerem o revestimento conformado de componentes complexos bidimensionais e tridimensionais com películas dielétricas e metálicas densas e fechadas com espessura controlável precisa. No caso da deposição atómica (ALD), as monocamadas individuais do material são levantadas na amostra através de substâncias iniciadoras gasosas. Estas substâncias podem penetrar completamente na amostra e, portanto, também aplicar material em áreas sombreadas. Devido ao revestimento de camada atômica, um processo de controle de espessura de camada altamente preciso é dado imanente. Além de dielétricos, metais e compostos metálicos também podem ser aplicados. Estes novos filmes materiais permitem a estruturação de complexas microestruturas e nanoestruturas bidimensionais e tridimensionais em um nível sem precedentes e permitem sistemas de imagem e ótica completamente novos. O ALD é criado como uma instalação central no centro de ZAQuant no âmbito do IQST. (Portuguese)
    19 August 2022
    0 references
    Nanooptika ja plasmioonide uued kasutusalad nõuavad komplekssete kahe- ja kolmemõõtmeliste komponentide konformaalset katmist tiheda ja suletud dielektriliste ja metallkiledega, millel on täpne reguleeritav paksus. Aatomsadestumise (ALD) puhul tõstetakse materjali üksikuid monokihte proovis gaasiliste lähteainetega. Need ained võivad proovi täielikult läbida ja seega kasutada materjali varjutatud aladel. Tänu aatomkihi-sarnasele kattele on antud väga täpne kihi paksuse kontrollimise protsess. Lisaks dielektrikutele võib kasutada ka metalle ja metalliühendeid. Need uudsed materjalifilmid võimaldavad struktureerida keerukaid kahe- ja kolmemõõtmelisi mikro- ja nanostruktuure enneolematul tasemel ning võimaldavad täiesti uusi pildistamissüsteeme ja optikat. ALD on IQST raames ZAQuant’i keskel asuv põhirajatis. (Estonian)
    19 August 2022
    0 references
    A nanooptikában és plazmonikában alkalmazott új alkalmazási területek komplex két- és háromdimenziós komponensek megfelelő bevonatát igénylik, sűrű és zárt dielektromos és fémfóliákkal, amelyek pontos szabályozható vastagságúak. Az atomi lerakódás (ALD) esetében az anyag egyes monorétegeit gáz-halmazállapotú kiindulási anyagokon keresztül emelik fel a mintára. Ezek az anyagok teljesen behatolhatnak a mintába, és ezért az anyagot árnyékos területeken is alkalmazhatják. Az atomréteg-szerű bevonatnak köszönhetően rendkívül precíz rétegvastagság-szabályozási folyamat áll rendelkezésre. A dielektromos termékek mellett fémek és fémvegyületek is alkalmazhatók. Ezek az új anyagfilmek lehetővé teszik az összetett két- és háromdimenziós mikro- és nanoszerkezetek soha nem látott szinten történő strukturálását, és teljesen új képalkotó rendszereket és optikákat tesznek lehetővé. Az ALD-t a ZAQuant központjában, az IQST keretében alaplétesítményként hozták létre. (Hungarian)
    19 August 2022
    0 references
    Новите области на приложение в нанооптиката и плазмониката изискват конформално покритие на сложни дву- и триизмерни компоненти с плътни и затворени диелектрични и метални фолиа с прецизна управляема дебелина. В случай на атомно отлагане (ALD) върху пробата се повдигат отделни еднослойни слоеве от материала чрез газообразни изходни вещества. Тези вещества могат да проникнат изцяло в пробата и следователно да нанасят материал в засенчени зони. Благодарение на покритието, подобно на атомен слой, се дава много прецизен процес за контрол на дебелината на слоя. В допълнение към диелектриците могат да се прилагат и метали и метални съединения. Тези нови материални филми позволяват структурирането на сложни дву- и триизмерни микро- и наноструктури на безпрецедентно ниво и дават възможност за напълно нови системи за изобразяване и оптика. ALD е създадена като основно съоръжение в центъра на ZAQuant в рамките на IQST. (Bulgarian)
    19 August 2022
    0 references
    Naujos nanooptikos ir plazmikos taikymo sritys reikalauja kompleksiškų dvimačių ir trimačių komponentų su tankiomis ir uždaromis dielektrinėmis ir metalinėmis plėvelėmis, turinčiomis tiksliai valdomą storį. Atominio nusodinimo (ALD) atveju atskiri medžiagos monosluoksniai pakeliami ant ėminio per pradines dujines medžiagas. Šios medžiagos gali prasiskverbti į mėginį visiškai ir todėl taip pat naudoti medžiagą tamsesnėse vietose. Dėl atominio sluoksnio dengimo suteikiamas labai tikslus sluoksnio storio kontrolės procesas. Be dielektrikų, taip pat gali būti naudojami metalai ir metalų junginiai. Šios naujos materialios plėvelės leidžia susisteminti sudėtingas dvimates ir trimačius mikro- ir nanostruktūras precedento neturinčiu lygiu ir įgalina visiškai naujas vaizdo gavimo sistemas ir optiką. ALD yra įkurta kaip pagrindinis įrenginys ZAQuant centre pagal IQST sistemą. (Lithuanian)
    19 August 2022
    0 references
    Nova područja primjene u nanooptici i plazmonici zahtijevaju konformni premaz složenih dvodimenzionalnih i trodimenzionalnih komponenti s gustim i zatvorenim dielektričnim i metalnim filmovima s precizno kontroliranom debljinom. U slučaju atomskog taloženja (ALD), pojedinačni monoslojevi materijala uzgajaju se na uzorku putem plinovitih početnih tvari. Ove tvari mogu u potpunosti prodrijeti u uzorak i stoga primijeniti materijal u osjenčanim područjima. Zbog premaza nalik atomskom sloju daje se vrlo precizan proces kontrole debljine sloja. Osim dielektrike, mogu se primijeniti i metali i metalni spojevi. Ovi novi materijalni filmovi omogućuju strukturiranje složenih dvodimenzionalnih i trodimenzionalnih mikrostruktura i nanostruktura na dosad nezabilježenoj razini te omogućuju potpuno nove slikovne sustave i optiku. ALD je postavljen kao osnovni objekt u središtu ZAQuanta u okviru IQST-a. (Croatian)
    19 August 2022
    0 references
    Nya användningsområden inom nanooptik och plasmaonics kräver konform beläggning av komplexa två- och tredimensionella komponenter med tät och sluten dielektrisk och metallisk film med exakt kontrollerbar tjocklek. När det gäller atomnedfallet (ALD) höjs enskilda monolager av materialet på provet via gasformiga utgångsämnen. Dessa ämnen kan tränga in i provet helt och kan därför även applicera material i skuggade områden. På grund av den atomskiktsliknande beläggningen ges en mycket exakt lagertjocklekskontrollprocess immanent. Förutom dielektriker kan metaller och metallföreningar också appliceras. Dessa nya materialfilmer gör det möjligt att strukturera komplexa två- och tredimensionella mikro- och nanostrukturer på en aldrig tidigare skådad nivå och möjliggöra helt nya bildsystem och optik. ALD är en kärnanläggning i centrum av ZAQuant inom ramen för IQST. (Swedish)
    19 August 2022
    0 references
    Noile domenii de aplicare în nanooptică și plasmonică necesită acoperirea conformă a componentelor complexe bidimensionale și tridimensionale cu filme dielectrice și metalice dense și închise cu grosime controlabilă precisă. În cazul depunerilor atomice (ALD), monostraturile individuale ale materialului sunt ridicate pe eșantion prin intermediul materiilor prime gazoase. Aceste substanțe pot penetra proba complet și, prin urmare, se aplică, de asemenea, materiale în zonele umbrite. Datorită stratului atomic de acoperire, se dă un proces de control al grosimii stratului foarte precis, imanent. În plus față de dielectrice, metale și compuși metalici pot fi, de asemenea, aplicate. Aceste filme materiale noi permit structurarea micro- și nanostructurilor complexe bidimensionale și tridimensionale la un nivel fără precedent și permit sisteme de imagistică și optică complet noi. ALD este înființat ca o facilitate de bază în centrul ZAQuant în cadrul IQST. (Romanian)
    19 August 2022
    0 references
    Nova področja uporabe nanooptike in plazmonike zahtevajo konformno prevleko kompleksnih dvo- in tridimenzionalnih komponent z gosto in zaprto dielektrično in kovinsko folijo z natančno nastavljivo debelino. V primeru atomskega usedanja (ALD) se posamezne enoslojne snovi na vzorcu dvignejo prek plinastih izhodnih snovi. Te snovi lahko v celoti prodrejo v vzorec in zato uporabijo tudi material v zasenčenih območjih. Zaradi atomskega sloja podobnega premaza je podan zelo natančen postopek nadzora debeline plasti. Poleg dielektrike se lahko uporabijo tudi kovine in kovinske spojine. Ti novi materialni filmi omogočajo strukturiranje kompleksnih dvo- in tridimenzionalnih mikro- in nanostruktur na ravni brez primere ter omogočajo popolnoma nove slikovne sisteme in optiko. ALD je ustanovljen kot osrednji objekt v centru ZAQuant v okviru IQST. (Slovenian)
    19 August 2022
    0 references
    Nowe obszary zastosowań w nanooptyce i plasmonice wymagają powłoki konfekcyjnej złożonych dwu- i trójwymiarowych komponentów z gęstymi i zamkniętymi foliami dielektrycznymi i metalowymi o precyzyjnej kontrolowanej grubości. W przypadku osadzania się atomowego (ALD) pojedyncze jednowarstwowe materiały są podnoszone na próbce za pomocą gazowych substancji wyjściowych. Substancje te mogą całkowicie przeniknąć do próbki, a zatem stosować materiał w zacienionych obszarach. Ze względu na powłokę przypominającą warstwę atomową podaje się bardzo precyzyjny proces kontroli grubości warstwy. Oprócz dielektryków można stosować również metale i związki metali. Te nowatorskie filmy pozwalają na strukturę złożonych dwu- i trójwymiarowych mikro- i nanostruktur na niespotykanym dotąd poziomie i umożliwiają zupełnie nowe systemy obrazowania i optyki. ALD jest utworzona jako podstawowy obiekt w centrum ZAQuant w ramach IQST. (Polish)
    19 August 2022
    0 references
    Stuttgart
    0 references

    Identifiers

    DE_TEMPORARY_115
    0 references