BriVi Violet-emitting laser diodes high brilliance and high performance (Q3298563)
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Project Q3298563 in Germany
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | BriVi Violet-emitting laser diodes high brilliance and high performance |
Project Q3298563 in Germany |
Statements
261,818.39 Euro
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523,636.79 Euro
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50.0 percent
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1 October 2014
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30 September 2017
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Eagleyard Photonics GmbH
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52°26'15.04"N, 13°32'41.10"E
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12489 - Berlin
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Es soll ein spezieller Halbleiterlaser entwickelt werden, der insbesondere eine stabile Emissionswellenlänge (ggf. auch einstellbar) mit einer schmalen Linienbreite, hoher Strahlgüte und hoher optischer Leistung erreichen soll. Damit wird der Einsatz in Anwendungsgebieten möglich, die derzeit größere Lasersysteme erfordern. (German)
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A special semiconductor laser is to be developed, in particular to achieve a stable emission wavelength (possibly also adjustable) with a narrow line width, high beam quality and high optical power. This makes it possible to be used in applications that currently require larger laser systems. (English)
24 October 2021
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Un laser spécial à semi-conducteurs sera mis au point afin d’obtenir notamment une longueur d’onde d’émission stable (ajustable le cas échéant) avec une largeur de ligne étroite, une qualité de faisceau élevée et des performances optiques élevées. Cela permettra d’être utilisé dans des domaines d’application qui nécessitent actuellement des systèmes laser plus importants. (French)
6 December 2021
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Een speciale halfgeleiderlaser moet worden ontwikkeld, met name om een stabiele emissiegolflengte (eventueel ook instelbaar) te bereiken met een smalle lijnbreedte, een hoge stralingskwaliteit en een hoog optisch vermogen. Dit maakt het mogelijk om te worden gebruikt in toepassingen die momenteel grotere lasersystemen vereisen. (Dutch)
19 December 2021
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Deve essere sviluppato uno speciale laser a semiconduttori, in particolare per ottenere una lunghezza d'onda di emissione stabile (eventualmente regolabile) con una larghezza della linea stretta, un'elevata qualità del fascio e un'elevata potenza ottica. Ciò consente di essere utilizzato in applicazioni che attualmente richiedono sistemi laser più grandi. (Italian)
18 January 2022
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Se desarrollará un láser semiconductor especial, en particular para lograr una longitud de onda de emisión estable (posiblemente también ajustable) con una anchura de línea estrecha, una alta calidad del haz y una alta potencia óptica. Esto hace posible su uso en aplicaciones que actualmente requieren sistemas láser más grandes. (Spanish)
22 January 2022
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Identifiers
DE_TEMPORARY_1366
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