Towards the OBTENTION OF MULTIPLE monocrystalline SILICY CELLS WITH 20 % EFICIENCE AND LESS OF 20 µM GROSOR TO PART OF A UNIQUE OBLEA. (Q3168009): Difference between revisions
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Verso l'ottenimento di VILLE MULTIPLE monocristallina di Silizia CON 20 % EFICIENZA E LESSA DI 20 µM GROSOR A PARTE DI UN OBLEA UNICO. | |||||||||||||||
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PRATICAMENTE TUTTI (90 %) DEI PANNELLI FOTOVOLTAICI PRODOTTI E INSTALLATI A LIVELLO GLOBALE SONO BASATI SULLA TECNOLOGIA DEL SILICIO CRISTALLINO (C-SI) E LE PREVISIONI INDICANO CHE CIÒ CONTINUERÀ A LUNGO. LE STRATEGIE CHE SONO STATE STORICAMENTE SEGUITE PER RIDURRE I COSTI DELLA GENERAZIONE FOTOVOLTAICA SONO STATE DUE: MIGLIORARE L'EFFICIENZA E RIDURRE I COSTI DEI MATERIALI UTILIZZATI. NEGLI ULTIMI DUE DECENNI L'EFFICIENZA DELLE CELLE FOTOVOLTAICHE SI È AVVICINATA GRADUALMENTE AL LIMITE TEORICO. OGGI, LE CELLE PIÙ EFFICIENTI HANNO SPOSTATO LE CONNESSIONI E I CONTATTI VERSO LA PARTE POSTERIORE (STRUTTURE IBC, INTERDIGITATO BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) LASCIANDO LA SUPERFICIE ANTERIORE TOTALMENTE PRIVA DI OMBRE E RAGGIUNGENDO UN'EFFICIENZA RECORD DEL 25,6 %. PER QUANTO RIGUARDA IL PREZZO DEI PANNELLI, GRAN PARTE DEL SUO COSTO DI PRODUZIONE, CIRCA IL 32 %, CONTINUA A CONCENTRARE IL SILICIO UTILIZZATO E LA SUA TRASFORMAZIONE IN WAFER. PERTANTO, UNA DELLE CHIAVI DELLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA È L'INTRODUZIONE DI CONCETTI INNOVATIVI CHE CONSENTONO DI RIDURRE SIGNIFICATIVAMENTE LA QUANTITÀ DI SE UTILIZZATA SENZA PENALIZZARE LE ATTUALI ELEVATE EFFICIENZE DI CONVERSIONE. _x000D_ _x000D_ questo PROGETTO PRESENTE PER SVILUPERE UN NUOVO CONCEPTO DI CELULA SOLAR ULTRAFINA UTILIZZARE UNO SVILUPPO REENTALE, CLEVATO A CABO CON PARTICIPAZIONE IP, E permesso di esfoliare un OBL DI SI IN MULTIPLE ULTRAFINE ULTRAFINE monocristallino (Groser 1¿20 µM). COSÌ, SE DIVISO TRA IL NUMERO DI STRATI ESFOLIATI, LA QUANTITÀ DI SILICIO E DI ENERGIA NECESSARIA PER CELLA FABBRICATA È NOTEVOLMENTE RIDOTTA. UN VANTAGGIO FONDAMENTALE DI QUESTA TECNOLOGIA È CHE, A DIFFERENZA DI ALTRE ALTERNATIVE CHE PRODUCONO SUCCESSIVAMENTE GLI STRATI RIUTILIZZANDO IL SUBSTRATO, QUI GLI STRATI VENGONO PRODOTTI SIMULTANEAMENTE IN UN UNICO PROCESSO. SI PROPONE PERTANTO DI SVILUPPARE LA TECNOLOGIA DI FABBRICAZIONE DI QUESTO MATERIALE E DI APPLICARLA ALLA FABBRICAZIONE DI CELLE SOTTILI CON CONTATTI INTERDIGITATI POSTERIORI (STRUTTURA IBC) UTILIZZANDO PROCESSI A BASSA TEMPERATURA. QUESTA STRUTTURA CELLULARE, OLTRE A RAPPRESENTARE LO STATO DELL'ARTE IN ALTA EFFICIENZA, PERMETTERÀ DI SEMPLIFICARE LA MANIPOLAZIONE E LA LAVORAZIONE DELLE CELLULE FINI. IN BREVE, QUESTO PROGETTO MIRA A CONIUGARE IN MODO INNOVATIVO LO STATO DELL'ARTE NELLE CELLE SOLARI C-SI CON UN NUOVO SUBSTRATO CRISTALLINO ULTRAFINE AL FINE DI APRIRE NUOVE PROSPETTIVE ALLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA. (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: PRATICAMENTE TUTTI (90 %) DEI PANNELLI FOTOVOLTAICI PRODOTTI E INSTALLATI A LIVELLO GLOBALE SONO BASATI SULLA TECNOLOGIA DEL SILICIO CRISTALLINO (C-SI) E LE PREVISIONI INDICANO CHE CIÒ CONTINUERÀ A LUNGO. LE STRATEGIE CHE SONO STATE STORICAMENTE SEGUITE PER RIDURRE I COSTI DELLA GENERAZIONE FOTOVOLTAICA SONO STATE DUE: MIGLIORARE L'EFFICIENZA E RIDURRE I COSTI DEI MATERIALI UTILIZZATI. NEGLI ULTIMI DUE DECENNI L'EFFICIENZA DELLE CELLE FOTOVOLTAICHE SI È AVVICINATA GRADUALMENTE AL LIMITE TEORICO. OGGI, LE CELLE PIÙ EFFICIENTI HANNO SPOSTATO LE CONNESSIONI E I CONTATTI VERSO LA PARTE POSTERIORE (STRUTTURE IBC, INTERDIGITATO BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) LASCIANDO LA SUPERFICIE ANTERIORE TOTALMENTE PRIVA DI OMBRE E RAGGIUNGENDO UN'EFFICIENZA RECORD DEL 25,6 %. PER QUANTO RIGUARDA IL PREZZO DEI PANNELLI, GRAN PARTE DEL SUO COSTO DI PRODUZIONE, CIRCA IL 32 %, CONTINUA A CONCENTRARE IL SILICIO UTILIZZATO E LA SUA TRASFORMAZIONE IN WAFER. PERTANTO, UNA DELLE CHIAVI DELLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA È L'INTRODUZIONE DI CONCETTI INNOVATIVI CHE CONSENTONO DI RIDURRE SIGNIFICATIVAMENTE LA QUANTITÀ DI SE UTILIZZATA SENZA PENALIZZARE LE ATTUALI ELEVATE EFFICIENZE DI CONVERSIONE. _x000D_ _x000D_ questo PROGETTO PRESENTE PER SVILUPERE UN NUOVO CONCEPTO DI CELULA SOLAR ULTRAFINA UTILIZZARE UNO SVILUPPO REENTALE, CLEVATO A CABO CON PARTICIPAZIONE IP, E permesso di esfoliare un OBL DI SI IN MULTIPLE ULTRAFINE ULTRAFINE monocristallino (Groser 1¿20 µM). COSÌ, SE DIVISO TRA IL NUMERO DI STRATI ESFOLIATI, LA QUANTITÀ DI SILICIO E DI ENERGIA NECESSARIA PER CELLA FABBRICATA È NOTEVOLMENTE RIDOTTA. UN VANTAGGIO FONDAMENTALE DI QUESTA TECNOLOGIA È CHE, A DIFFERENZA DI ALTRE ALTERNATIVE CHE PRODUCONO SUCCESSIVAMENTE GLI STRATI RIUTILIZZANDO IL SUBSTRATO, QUI GLI STRATI VENGONO PRODOTTI SIMULTANEAMENTE IN UN UNICO PROCESSO. SI PROPONE PERTANTO DI SVILUPPARE LA TECNOLOGIA DI FABBRICAZIONE DI QUESTO MATERIALE E DI APPLICARLA ALLA FABBRICAZIONE DI CELLE SOTTILI CON CONTATTI INTERDIGITATI POSTERIORI (STRUTTURA IBC) UTILIZZANDO PROCESSI A BASSA TEMPERATURA. QUESTA STRUTTURA CELLULARE, OLTRE A RAPPRESENTARE LO STATO DELL'ARTE IN ALTA EFFICIENZA, PERMETTERÀ DI SEMPLIFICARE LA MANIPOLAZIONE E LA LAVORAZIONE DELLE CELLULE FINI. IN BREVE, QUESTO PROGETTO MIRA A CONIUGARE IN MODO INNOVATIVO LO STATO DELL'ARTE NELLE CELLE SOLARI C-SI CON UN NUOVO SUBSTRATO CRISTALLINO ULTRAFINE AL FINE DI APRIRE NUOVE PROSPETTIVE ALLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA. (Italian) / rank | |||||||||||||||
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| Property / summary: PRATICAMENTE TUTTI (90 %) DEI PANNELLI FOTOVOLTAICI PRODOTTI E INSTALLATI A LIVELLO GLOBALE SONO BASATI SULLA TECNOLOGIA DEL SILICIO CRISTALLINO (C-SI) E LE PREVISIONI INDICANO CHE CIÒ CONTINUERÀ A LUNGO. LE STRATEGIE CHE SONO STATE STORICAMENTE SEGUITE PER RIDURRE I COSTI DELLA GENERAZIONE FOTOVOLTAICA SONO STATE DUE: MIGLIORARE L'EFFICIENZA E RIDURRE I COSTI DEI MATERIALI UTILIZZATI. NEGLI ULTIMI DUE DECENNI L'EFFICIENZA DELLE CELLE FOTOVOLTAICHE SI È AVVICINATA GRADUALMENTE AL LIMITE TEORICO. OGGI, LE CELLE PIÙ EFFICIENTI HANNO SPOSTATO LE CONNESSIONI E I CONTATTI VERSO LA PARTE POSTERIORE (STRUTTURE IBC, INTERDIGITATO BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) LASCIANDO LA SUPERFICIE ANTERIORE TOTALMENTE PRIVA DI OMBRE E RAGGIUNGENDO UN'EFFICIENZA RECORD DEL 25,6 %. PER QUANTO RIGUARDA IL PREZZO DEI PANNELLI, GRAN PARTE DEL SUO COSTO DI PRODUZIONE, CIRCA IL 32 %, CONTINUA A CONCENTRARE IL SILICIO UTILIZZATO E LA SUA TRASFORMAZIONE IN WAFER. PERTANTO, UNA DELLE CHIAVI DELLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA È L'INTRODUZIONE DI CONCETTI INNOVATIVI CHE CONSENTONO DI RIDURRE SIGNIFICATIVAMENTE LA QUANTITÀ DI SE UTILIZZATA SENZA PENALIZZARE LE ATTUALI ELEVATE EFFICIENZE DI CONVERSIONE. _x000D_ _x000D_ questo PROGETTO PRESENTE PER SVILUPERE UN NUOVO CONCEPTO DI CELULA SOLAR ULTRAFINA UTILIZZARE UNO SVILUPPO REENTALE, CLEVATO A CABO CON PARTICIPAZIONE IP, E permesso di esfoliare un OBL DI SI IN MULTIPLE ULTRAFINE ULTRAFINE monocristallino (Groser 1¿20 µM). COSÌ, SE DIVISO TRA IL NUMERO DI STRATI ESFOLIATI, LA QUANTITÀ DI SILICIO E DI ENERGIA NECESSARIA PER CELLA FABBRICATA È NOTEVOLMENTE RIDOTTA. UN VANTAGGIO FONDAMENTALE DI QUESTA TECNOLOGIA È CHE, A DIFFERENZA DI ALTRE ALTERNATIVE CHE PRODUCONO SUCCESSIVAMENTE GLI STRATI RIUTILIZZANDO IL SUBSTRATO, QUI GLI STRATI VENGONO PRODOTTI SIMULTANEAMENTE IN UN UNICO PROCESSO. SI PROPONE PERTANTO DI SVILUPPARE LA TECNOLOGIA DI FABBRICAZIONE DI QUESTO MATERIALE E DI APPLICARLA ALLA FABBRICAZIONE DI CELLE SOTTILI CON CONTATTI INTERDIGITATI POSTERIORI (STRUTTURA IBC) UTILIZZANDO PROCESSI A BASSA TEMPERATURA. QUESTA STRUTTURA CELLULARE, OLTRE A RAPPRESENTARE LO STATO DELL'ARTE IN ALTA EFFICIENZA, PERMETTERÀ DI SEMPLIFICARE LA MANIPOLAZIONE E LA LAVORAZIONE DELLE CELLULE FINI. IN BREVE, QUESTO PROGETTO MIRA A CONIUGARE IN MODO INNOVATIVO LO STATO DELL'ARTE NELLE CELLE SOLARI C-SI CON UN NUOVO SUBSTRATO CRISTALLINO ULTRAFINE AL FINE DI APRIRE NUOVE PROSPETTIVE ALLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA. (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 January 2022
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Revision as of 13:47, 16 January 2022
Project Q3168009 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Towards the OBTENTION OF MULTIPLE monocrystalline SILICY CELLS WITH 20 % EFICIENCE AND LESS OF 20 µM GROSOR TO PART OF A UNIQUE OBLEA. |
Project Q3168009 in Spain |
Statements
102,245.0 Euro
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204,490.0 Euro
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50.0 percent
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1 January 2017
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31 January 2019
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UNIVERSIDAD POLITECNICA DE CATALUÑA
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41°22'58.40"N, 2°10'38.75"E
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08019
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LA PRACTICA TOTALIDAD (90%) DE LOS PANELES FOTOVOLTAICOS QUE SE PRODUCEN E INSTALAN GLOBALMENTE SE BASAN EN LA TECNOLOGIA DE SILICIO CRISTALINO (C-SI) Y LAS PREVISIONES INDICAN QUE ASI SEGUIRA POR UN LARGO TIEMPO. LAS ESTRATEGIAS QUE HISTORICAMENTE SE HAN PERSEGUIDO PARA REDUCIR LOS COSTES DE GENERACION FOTOVOLTAICA HAN SIDO DOS: LA MEJORA DE LA EFICIENCIA Y LA REDUCCION DE COSTES DERIVADOS DE LOS MATERIALES EMPLEADOS. EN LA DOS ULTIMAS DECADAS LA EFICIENCIA DE LAS CELULAS FOTOVOLTAICAS SE HAN IDO APROXIMANDO PAULATINAMENTE AL LIMITE TEORICO. A DIA DE HOY, LAS CELULAS MAS EFICIENTES HAN TRASLADADO LAS UNIONES Y LOS CONTACTOS A LA CARA TRASERA (ESTRUCTURAS IBC, INTERDIGITATED BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) DEJANDO LA SUPERFICIE FRONTAL TOTALMENTE LIBRE DE SOMBRAS Y ALCANZANDO UNA EFICIENCIA RECORD DE UN 25.6%. EN CUANTO AL PRECIO DE LOS PANELES, UNA GRAN PROPORCION DE SU COSTE DE PRODUCCION, EN TORNO AL 32%, LO SIGUE CONCENTRANDO EL SILICIO EMPLEADO Y SU TRANSFORMACION EN OBLEAS. POR LO TANTO, UNA DE LAS CLAVES EN LA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA ES LA INTRODUCCION DE CONCEPTOS INNOVADORES QUE PERMITAN REDUCIR SENSIBLEMENTE LA CANTIDAD DE SI UTILIZADO SIN PENALIZAR LAS ALTAS EFICIENCIAS DE CONVERSION ACTUALES. _x000D_ _x000D_ ESTE PROYECTO PRETENDE DESARROLLAR UN NUEVO CONCEPTO DE CELULA SOLAR ULTRAFINA UTILIZANDO UN DESARROLLO RECIENTE, LLEVADO A CABO CON PARTICIPACION DEL IP, Y QUE PERMITE EXFOLIAR UNA OBLEA DE SI EN MULTIPLES CAPAS MONOCRISTALINAS ULTRAFINAS (GROSOR 1¿20 µM). DE ESTE MODO, AL REPARTIRSE ENTRE EL NUMERO DE CAPAS EXFOLIADAS, LA CANTIDAD DE SILICIO Y LA ENERGIA NECESARIAS POR CELULA FABRICADA SE REDUCEN ENORMEMENTE. UNA VENTAJA FUNDAMENTAL DE ESTA TECNOLOGIA ES QUE, AL CONTRARIO QUE OTRAS ALTERNATIVAS QUE PRODUCEN LAS CAPAS DE FORMA SUCESIVA REUTILIZANDO EL SUBSTRATO, AQUI LAS CAPAS SE PRODUCEN TODAS ELLAS SIMULTANEAMENTE EN UN UNICO PROCESO. POR LO TANTO, SE PROPONE DESARROLLAR LA TECNOLOGIA DE FABRICACION DE ESTE MATERIAL Y APLICARLO A LA FABRICACION DE CELULAS FINAS CON CONTACTOS INTERDIGITADOS TRASEROS (ESTRUCTURA IBC) UTILIZANDO PROCESOS A BAJA TEMPERATURA. ESTA ESTRUCTURA DE CELULA, ADEMAS DE REPRESENTAR EL ESTADO DEL ARTE EN ALTA EFICIENCIA, PERMITIRA SIMPLIFICAR LA MANIPULACION Y PROCESAMIENTO DE LAS CELULAS FINAS. EN RESUMEN, ESTE PROYECTO PRETENDE COMBINAR DE FORMA INNOVADORA EL ESTADO DEL ARTE EN CELULAS SOLARES DE C-SI CON UN NUEVO SUBSTRATO CRISTALINO ULTRAFINO CON EL FIN DE ABRIR NUEVAS PERSPECTIVAS A LA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA. (Spanish)
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VIRTUALLY ALL (90 %) OF THE PHOTOVOLTAIC PANELS THAT ARE PRODUCED AND INSTALLED GLOBALLY ARE BASED ON CRYSTALLINE SILICON (C-SI) TECHNOLOGY AND FORECASTS INDICATE THAT THIS WILL CONTINUE FOR A LONG TIME. THE STRATEGIES THAT HAVE HISTORICALLY BEEN PURSUED TO REDUCE THE COSTS OF PHOTOVOLTAIC GENERATION HAVE BEEN TWO: IMPROVING EFFICIENCY AND REDUCING THE COSTS OF MATERIALS USED. IN THE LAST TWO DECADES THE EFFICIENCY OF PHOTOVOLTAIC CELLS HAS GRADUALLY BEEN APPROACHING THE THEORETICAL LIMIT. TODAY, THE MOST EFFICIENT CELLS HAVE MOVED THE CONNECTIONS AND CONTACTS TO THE REAR FACE (IBC STRUCTURES, INTERDIGITATED BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) LEAVING THE FRONT SURFACE TOTALLY SHADOW-FREE AND REACHING A RECORD EFFICIENCY OF 25.6 %. AS FOR THE PRICE OF THE PANELS, A LARGE PROPORTION OF ITS PRODUCTION COST, AROUND 32 %, IS STILL CONCENTRATED THE SILICON USED AND ITS TRANSFORMATION INTO WAFERS. THEREFORE, ONE OF THE KEYS TO PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY IS THE INTRODUCTION OF INNOVATIVE CONCEPTS THAT ALLOW TO SIGNIFICANTLY REDUCE THE AMOUNT OF IF USED WITHOUT PENALISING THE CURRENT HIGH CONVERSION EFFICIENCIES. _x000D_ _x000D_ this PROJECT PRESENT TO DEVELOP A NEW CONCEPT OF ULTRAFINE SOLAR CELULA UTILISHING A RECIENT DEVELOPMENT, CLEVATED TO CABO WITH IP PARTICIPATION, AND PERMITED to exfoliate an OBL OF SI IN MULTIPLES ULTRAFINE monocrystalline caps (GROSER 1¿20 µM). THUS, WHEN DIVIDED BETWEEN THE NUMBER OF EXFOLIATED LAYERS, THE AMOUNT OF SILICON AND ENERGY NEEDED PER MANUFACTURED CELL IS GREATLY REDUCED. A FUNDAMENTAL ADVANTAGE OF THIS TECHNOLOGY IS THAT, UNLIKE OTHER ALTERNATIVES THAT PRODUCE THE LAYERS SUCCESSIVELY BY REUSING THE SUBSTRATE, HERE THE LAYERS ARE PRODUCED SIMULTANEOUSLY IN A SINGLE PROCESS. THEREFORE, IT IS PROPOSED TO DEVELOP THE MANUFACTURING TECHNOLOGY OF THIS MATERIAL AND APPLY IT TO THE MANUFACTURE OF THIN CELLS WITH REAR INTERDIGITATED CONTACTS (IBC STRUCTURE) USING PROCESSES AT LOW TEMPERATURE. THIS CELL STRUCTURE, IN ADDITION TO REPRESENTING THE STATE OF ART IN HIGH EFFICIENCY, WILL MAKE IT POSSIBLE TO SIMPLIFY THE MANIPULATION AND PROCESSING OF FINE CELLS. IN SHORT, THIS PROJECT AIMS TO INNOVATIVELY COMBINE THE STATE OF ART IN C-SI SOLAR CELLS WITH A NEW ULTRAFINE CRYSTALLINE SUBSTRATE IN ORDER TO OPEN UP NEW PERSPECTIVES TO PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY. (English)
12 October 2021
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LA QUASI-TOTALITÉ (90 %) DES PANNEAUX PHOTOVOLTAÏQUES PRODUITS ET INSTALLÉS À L’ÉCHELLE MONDIALE SONT BASÉS SUR LA TECHNOLOGIE DU SILICIUM CRISTALLIN (C-SI) ET LES PRÉVISIONS INDIQUENT QUE CELA SE POURSUIVRA LONGTEMPS. LES STRATÉGIES QUI ONT TOUJOURS ÉTÉ MISES EN ŒUVRE POUR RÉDUIRE LES COÛTS DE PRODUCTION PHOTOVOLTAÏQUE ONT ÉTÉ DEUX: AMÉLIORER L’EFFICACITÉ ET RÉDUIRE LES COÛTS DES MATÉRIAUX UTILISÉS. AU COURS DES DEUX DERNIÈRES DÉCENNIES, L’EFFICACITÉ DES CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES S’EST PROGRESSIVEMENT RAPPROCHÉE DE LA LIMITE THÉORIQUE. AUJOURD’HUI, LES CELLULES LES PLUS EFFICACES ONT DÉPLACÉ LES CONNEXIONS ET LES CONTACTS VERS LA FACE ARRIÈRE (STRUCTURES IBC, JONCTION ARRIÈRE INTERNUMÉRÉE EN CONTACT ARRIÈRE) LAISSANT LA SURFACE AVANT TOTALEMENT SANS OMBRE ET ATTEIGNANT UN RENDEMENT RECORD DE 25,6 %. QUANT AU PRIX DES PANNEAUX, UNE GRANDE PARTIE DE SON COÛT DE PRODUCTION, ENVIRON 32 %, EST ENCORE CONCENTRÉE SUR LE SILICIUM UTILISÉ ET SA TRANSFORMATION EN WAFERS. PAR CONSÉQUENT, L’UNE DES CLÉS DE LA TECHNOLOGIE PHOTOVOLTAÏQUE EST L’INTRODUCTION DE CONCEPTS NOVATEURS QUI PERMETTENT DE RÉDUIRE CONSIDÉRABLEMENT LA QUANTITÉ DE SI ELLE EST UTILISÉE SANS PÉNALISER LES RENDEMENTS DE CONVERSION ÉLEVÉS ACTUELS. _x000D_ _x000D_ ce PROJET PRESENT À DÉVELOPPER UN NOUVEAU CONCEPT D’ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING UN DÉVELOPPEMENT Récent, CLÉ À LA CABO AVEC LA PARTICIPATION DE LA PI ET Permis d’exfolier un OBL DE SI IN MULTIPLES ULTRAFINE capuchons monocristallins (Groser 1’20 µM). AINSI, LORSQU’ELLE EST DIVISÉE ENTRE LE NOMBRE DE COUCHES EXFOLIÉES, LA QUANTITÉ DE SILICIUM ET D’ÉNERGIE NÉCESSAIRE PAR CELLULE FABRIQUÉE EST CONSIDÉRABLEMENT RÉDUITE. UN AVANTAGE FONDAMENTAL DE CETTE TECHNOLOGIE EST QUE, CONTRAIREMENT À D’AUTRES ALTERNATIVES QUI PRODUISENT LES COUCHES SUCCESSIVEMENT EN RÉUTILISANT LE SUBSTRAT, ICI LES COUCHES SONT PRODUITES SIMULTANÉMENT EN UN SEUL PROCÉDÉ. IL EST DONC PROPOSÉ DE DÉVELOPPER LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DE CE MATÉRIAU ET DE L’APPLIQUER À LA FABRICATION DE CELLULES MINCES À CONTACTS INTERNUMÉRÉS ARRIÈRE (STRUCTURE IBC) UTILISANT DES PROCÉDÉS À BASSE TEMPÉRATURE. CETTE STRUCTURE CELLULAIRE, EN PLUS DE REPRÉSENTER L’ÉTAT DE L’ART EN HAUTE EFFICACITÉ, PERMETTRA DE SIMPLIFIER LA MANIPULATION ET LE TRAITEMENT DES CELLULES FINES. BREF, CE PROJET VISE À COMBINER DE MANIÈRE INNOVANTE L’ÉTAT DE L’ART DES CELLULES SOLAIRES C-SI AVEC UN NOUVEAU SUBSTRAT CRISTALLIN ULTRAFIN AFIN D’OUVRIR DE NOUVELLES PERSPECTIVES À LA TECHNOLOGIE PHOTOVOLTAÏQUE. (French)
4 December 2021
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NAHEZU ALLE (90 %) DER WELTWEIT PRODUZIERTEN UND INSTALLIERTEN PHOTOVOLTAIK-PANELS BASIEREN AUF DER KRISTALLINEN SILIZIUM-TECHNOLOGIE (C-SI) UND PROGNOSEN DEUTEN DARAUF HIN, DASS DIES FÜR EINE LANGE ZEIT ANHALTEN WIRD. DIE STRATEGIEN, DIE HISTORISCH VERFOLGT WURDEN, UM DIE KOSTEN DER PHOTOVOLTAIK-GENERATION ZU SENKEN, SIND ZWEI: VERBESSERUNG DER EFFIZIENZ UND SENKUNG DER KOSTEN DER VERWENDETEN MATERIALIEN. IN DEN LETZTEN ZWEI JAHRZEHNTEN NÄHERTE SICH DIE EFFIZIENZ DER PHOTOVOLTAIKZELLEN ALLMÄHLICH AN DIE THEORETISCHE GRENZE. HEUTE HABEN DIE EFFIZIENTESTEN ZELLEN DIE VERBINDUNGEN UND KONTAKTE IN DIE RÜCKSEITE BEWEGT (IBC-STRUKTUREN, INTERDIGITIERTE RÜCKENJUNKTION ZURÜCKBERÜHRT), SO DASS DIE FRONTFLÄCHE VÖLLIG SCHATTENFREI UND EINE REKORDEFFIZIENZ VON 25,6 % ERREICHT WURDE. WAS DEN PREIS DER PLATTEN BETRIFFT, SO KONZENTRIERT SICH EIN GROSSER TEIL SEINER PRODUKTIONSKOSTEN, ETWA 32 %, IMMER NOCH AUF DAS VERWENDETE SILIZIUM UND SEINE UMWANDLUNG IN WAFER. DAHER IST EINER DER SCHLÜSSEL ZUR PHOTOVOLTAIK-TECHNOLOGIE DIE EINFÜHRUNG INNOVATIVER KONZEPTE, DIE ES ERMÖGLICHEN, DIE MENGE DER BEI VERWENDUNG DEUTLICH ZU REDUZIEREN, OHNE DIE AKTUELLEN HOHEN UMWANDLUNGSEFFIZIENZEN ZU BENACHTEILIGEN. _x000D_ _x000D_ dieser PROJEKTPRESENT ZUR ENTWICKLUNG eines neuen CONCEPT OF ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING eine recient DEVELOPMENT, KURZIERT ZU CABO mit IP-PARTIKATION, und ermöglichte es, ein OBL SI IN MULTIPLES ULTRAFINE monokristalline Kappen (Groser 1¿20 µM) zu exfoliieren. SO WIRD DIE MENGE AN SILIZIUM UND ENERGIE, DIE PRO HERGESTELLTE ZELLE BENÖTIGT WIRD, STARK REDUZIERT, WENN ZWISCHEN DER ANZAHL DER PEELINGSCHICHTEN AUFGETEILT WIRD. EIN WESENTLICHER VORTEIL DIESER TECHNOLOGIE IST, DASS IM GEGENSATZ ZU ANDEREN ALTERNATIVEN, DIE DIE SCHICHTEN NACHEINANDER DURCH DIE WIEDERVERWENDUNG DES SUBSTRATS PRODUZIEREN, HIER DIE SCHICHTEN GLEICHZEITIG IN EINEM EINZIGEN PROZESS HERGESTELLT WERDEN. DAHER WIRD VORGESCHLAGEN, DIE FERTIGUNGSTECHNOLOGIE DIESES MATERIALS ZU ENTWICKELN UND AUF DIE HERSTELLUNG VON DÜNNEN ZELLEN MIT HINTEREN INTERDIGITIERTEN KONTAKTEN (IBC-STRUKTUR) UNTER VERWENDUNG VON VERFAHREN BEI NIEDRIGER TEMPERATUR ANZUWENDEN. DIESE ZELLSTRUKTUR, NEBEN DER DARSTELLUNG DES STANDS DER TECHNIK IN HOHER EFFIZIENZ, WIRD ES ERMÖGLICHEN, DIE MANIPULATION UND VERARBEITUNG VON FEINEN ZELLEN ZU VEREINFACHEN. KURZ GESAGT, ZIEL DIESES PROJEKTS IST ES, DEN STAND DER TECHNIK IN C-SI-SOLARZELLEN MIT EINEM NEUEN ULTRAFEINEN KRISTALLINEN SUBSTRAT INNOVATIV ZU KOMBINIEREN, UM DER PHOTOVOLTAIK-TECHNOLOGIE NEUE PERSPEKTIVEN ZU ERÖFFNEN. (German)
9 December 2021
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VRIJWEL ALLE (90 %) VAN DE WERELDWIJD GEPRODUCEERDE EN GEÏNSTALLEERDE FOTOVOLTAÏSCHE PANELEN ZIJN GEBASEERD OP KRISTALLIJN SILICIUM (C-SI) TECHNOLOGIE EN PROGNOSES GEVEN AAN DAT DIT NOG LANG ZAL DUREN. DE STRATEGIEËN DIE VAN OUDSHER WERDEN NAGESTREEFD OM DE KOSTEN VAN FOTOVOLTAÏSCHE GENERATIE TE VERMINDEREN, WAREN TWEE: VERBETERING VAN DE EFFICIËNTIE EN VERMINDERING VAN DE KOSTEN VAN DE GEBRUIKTE MATERIALEN. IN DE LAATSTE TWEE DECENNIA IS DE EFFICIËNTIE VAN FOTOVOLTAÏSCHE CELLEN GELEIDELIJK NADERBIJ DE THEORETISCHE GRENS. VANDAAG DE DAG HEBBEN DE MEEST EFFICIËNTE CELLEN DE VERBINDINGEN EN CONTACTEN VERPLAATST NAAR HET ACHTERGEZICHT (IBC-STRUCTUREN, INTERDIGITATED BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) WAARDOOR HET VOOROPPERVLAK VOLLEDIG SCHADUWVRIJ IS EN EEN RECORDRENDEMENT VAN 25,6 % BEREIKT. WAT DE PRIJS VAN DE PANELEN BETREFT, IS EEN GROOT DEEL VAN DE PRODUCTIEKOSTEN, ONGEVEER 32 %, NOG STEEDS GECONCENTREERD HET GEBRUIKTE SILICIUM EN DE OMZETTING ERVAN IN WAFERS. DAAROM IS EEN VAN DE SLEUTELS VOOR FOTOVOLTAÏSCHE TECHNOLOGIE DE INVOERING VAN INNOVATIEVE CONCEPTEN DIE HET MOGELIJK MAKEN OM DE HOEVEELHEID INDIEN GEBRUIKT AANZIENLIJK TE VERMINDEREN ZONDER DE HUIDIGE HOGE CONVERSIE-EFFICIËNTIES TE BENADELEN. _x000D_ _x000D_ dit PROJECT PRESENT VOOR DE VOLGENDE VERZOEKING VAN ULTRAFINE SOLAR celula UTILISHING A recient ONTWIKKELING, GLEVATED TO CABO MET IP PARTICIPATION, EN toegestaan om een OBL VAN SI in MULTIPLES ULTRAFINE monokristallijne caps (Groser 1"20 µM) te exfoliëren. DUS, WANNEER VERDEELD OVER HET AANTAL GEËXFOLIEERDE LAGEN, WORDT DE HOEVEELHEID SILICIUM EN ENERGIE DIE NODIG ZIJN PER VERVAARDIGDE CEL STERK VERMINDERD. EEN FUNDAMENTEEL VOORDEEL VAN DEZE TECHNOLOGIE IS DAT, IN TEGENSTELLING TOT ANDERE ALTERNATIEVEN DIE DE LAGEN ACHTEREENVOLGENS PRODUCEREN DOOR HET SUBSTRAAT TE HERGEBRUIKEN, DE LAGEN HIER GELIJKTIJDIG IN ÉÉN PROCES WORDEN GEPRODUCEERD. DAAROM WORDT VOORGESTELD OM DE FABRICAGETECHNOLOGIE VAN DIT MATERIAAL TE ONTWIKKELEN EN TOE TE PASSEN OP DE VERVAARDIGING VAN DUNNE CELLEN MET ACHTERGEKOPPELDE CONTACTEN (IBC-STRUCTUUR) MET BEHULP VAN PROCESSEN BIJ LAGE TEMPERATUUR. DEZE CELSTRUCTUUR, NAAST HET VERTEGENWOORDIGEN VAN DE STATE OF ART IN HOGE EFFICIËNTIE, ZAL HET MOGELIJK MAKEN OM DE MANIPULATIE EN VERWERKING VAN FIJNE CELLEN TE VEREENVOUDIGEN. KORTOM, DIT PROJECT HEEFT TOT DOEL DE STATE OF ART IN C-SI ZONNECELLEN INNOVATIEF TE COMBINEREN MET EEN NIEUW ULTRAFIJN KRISTALLIJN SUBSTRAAT OM NIEUWE PERSPECTIEVEN TE OPENEN VOOR FOTOVOLTAÏSCHE TECHNOLOGIE. (Dutch)
17 December 2021
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PRATICAMENTE TUTTI (90 %) DEI PANNELLI FOTOVOLTAICI PRODOTTI E INSTALLATI A LIVELLO GLOBALE SONO BASATI SULLA TECNOLOGIA DEL SILICIO CRISTALLINO (C-SI) E LE PREVISIONI INDICANO CHE CIÒ CONTINUERÀ A LUNGO. LE STRATEGIE CHE SONO STATE STORICAMENTE SEGUITE PER RIDURRE I COSTI DELLA GENERAZIONE FOTOVOLTAICA SONO STATE DUE: MIGLIORARE L'EFFICIENZA E RIDURRE I COSTI DEI MATERIALI UTILIZZATI. NEGLI ULTIMI DUE DECENNI L'EFFICIENZA DELLE CELLE FOTOVOLTAICHE SI È AVVICINATA GRADUALMENTE AL LIMITE TEORICO. OGGI, LE CELLE PIÙ EFFICIENTI HANNO SPOSTATO LE CONNESSIONI E I CONTATTI VERSO LA PARTE POSTERIORE (STRUTTURE IBC, INTERDIGITATO BACK-JUNCTION BACK-CONTACTED) LASCIANDO LA SUPERFICIE ANTERIORE TOTALMENTE PRIVA DI OMBRE E RAGGIUNGENDO UN'EFFICIENZA RECORD DEL 25,6 %. PER QUANTO RIGUARDA IL PREZZO DEI PANNELLI, GRAN PARTE DEL SUO COSTO DI PRODUZIONE, CIRCA IL 32 %, CONTINUA A CONCENTRARE IL SILICIO UTILIZZATO E LA SUA TRASFORMAZIONE IN WAFER. PERTANTO, UNA DELLE CHIAVI DELLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA È L'INTRODUZIONE DI CONCETTI INNOVATIVI CHE CONSENTONO DI RIDURRE SIGNIFICATIVAMENTE LA QUANTITÀ DI SE UTILIZZATA SENZA PENALIZZARE LE ATTUALI ELEVATE EFFICIENZE DI CONVERSIONE. _x000D_ _x000D_ questo PROGETTO PRESENTE PER SVILUPERE UN NUOVO CONCEPTO DI CELULA SOLAR ULTRAFINA UTILIZZARE UNO SVILUPPO REENTALE, CLEVATO A CABO CON PARTICIPAZIONE IP, E permesso di esfoliare un OBL DI SI IN MULTIPLE ULTRAFINE ULTRAFINE monocristallino (Groser 1¿20 µM). COSÌ, SE DIVISO TRA IL NUMERO DI STRATI ESFOLIATI, LA QUANTITÀ DI SILICIO E DI ENERGIA NECESSARIA PER CELLA FABBRICATA È NOTEVOLMENTE RIDOTTA. UN VANTAGGIO FONDAMENTALE DI QUESTA TECNOLOGIA È CHE, A DIFFERENZA DI ALTRE ALTERNATIVE CHE PRODUCONO SUCCESSIVAMENTE GLI STRATI RIUTILIZZANDO IL SUBSTRATO, QUI GLI STRATI VENGONO PRODOTTI SIMULTANEAMENTE IN UN UNICO PROCESSO. SI PROPONE PERTANTO DI SVILUPPARE LA TECNOLOGIA DI FABBRICAZIONE DI QUESTO MATERIALE E DI APPLICARLA ALLA FABBRICAZIONE DI CELLE SOTTILI CON CONTATTI INTERDIGITATI POSTERIORI (STRUTTURA IBC) UTILIZZANDO PROCESSI A BASSA TEMPERATURA. QUESTA STRUTTURA CELLULARE, OLTRE A RAPPRESENTARE LO STATO DELL'ARTE IN ALTA EFFICIENZA, PERMETTERÀ DI SEMPLIFICARE LA MANIPOLAZIONE E LA LAVORAZIONE DELLE CELLULE FINI. IN BREVE, QUESTO PROGETTO MIRA A CONIUGARE IN MODO INNOVATIVO LO STATO DELL'ARTE NELLE CELLE SOLARI C-SI CON UN NUOVO SUBSTRATO CRISTALLINO ULTRAFINE AL FINE DI APRIRE NUOVE PROSPETTIVE ALLA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA. (Italian)
16 January 2022
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Barcelona
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Identifiers
ENE2015-74009-JIN
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