Atomic layer coating plant (Q3297336): Difference between revisions

From EU Knowledge Graph
Jump to navigation Jump to search
(‎Changed label, description and/or aliases in fr, and other parts: Adding French translations)
(‎Changed label, description and/or aliases in nl, and other parts: Adding Dutch translations)
label / nllabel / nl
 
Fabriek voor atoomlaagcoating
Property / summary
 
Nieuwe toepassingsgebieden in nanooptica en plasmonica vereisen de conforme coating van complexe twee- en driedimensionale componenten met dichte en gesloten diëlektrische en metaalfolie met nauwkeurige regelbare dikte. Bij de atoomafzetting (ALD) worden afzonderlijke monolagen van het materiaal op het monster gebracht via gasvormige uitgangsstoffen. Deze stoffen kunnen het monster volledig doordringen en daarom ook materiaal in schaduwrijke gebieden toepassen. Door de atoomlaag-achtige coating wordt een zeer nauwkeurig laagdiktecontroleproces immanent gegeven. Naast diëlektrische, metalen en metaalverbindingen kunnen ook worden toegepast. Deze nieuwe materiaalfilms maken het mogelijk complexe twee- en driedimensionale micro- en nanostructuren op een ongekend niveau te structureren en volledig nieuwe beeldvormingssystemen en optica mogelijk te maken. De ALD is opgezet als kernfaciliteit in het centrum van ZAQuant in het kader van IQST. (Dutch)
Property / summary: Nieuwe toepassingsgebieden in nanooptica en plasmonica vereisen de conforme coating van complexe twee- en driedimensionale componenten met dichte en gesloten diëlektrische en metaalfolie met nauwkeurige regelbare dikte. Bij de atoomafzetting (ALD) worden afzonderlijke monolagen van het materiaal op het monster gebracht via gasvormige uitgangsstoffen. Deze stoffen kunnen het monster volledig doordringen en daarom ook materiaal in schaduwrijke gebieden toepassen. Door de atoomlaag-achtige coating wordt een zeer nauwkeurig laagdiktecontroleproces immanent gegeven. Naast diëlektrische, metalen en metaalverbindingen kunnen ook worden toegepast. Deze nieuwe materiaalfilms maken het mogelijk complexe twee- en driedimensionale micro- en nanostructuren op een ongekend niveau te structureren en volledig nieuwe beeldvormingssystemen en optica mogelijk te maken. De ALD is opgezet als kernfaciliteit in het centrum van ZAQuant in het kader van IQST. (Dutch) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Nieuwe toepassingsgebieden in nanooptica en plasmonica vereisen de conforme coating van complexe twee- en driedimensionale componenten met dichte en gesloten diëlektrische en metaalfolie met nauwkeurige regelbare dikte. Bij de atoomafzetting (ALD) worden afzonderlijke monolagen van het materiaal op het monster gebracht via gasvormige uitgangsstoffen. Deze stoffen kunnen het monster volledig doordringen en daarom ook materiaal in schaduwrijke gebieden toepassen. Door de atoomlaag-achtige coating wordt een zeer nauwkeurig laagdiktecontroleproces immanent gegeven. Naast diëlektrische, metalen en metaalverbindingen kunnen ook worden toegepast. Deze nieuwe materiaalfilms maken het mogelijk complexe twee- en driedimensionale micro- en nanostructuren op een ongekend niveau te structureren en volledig nieuwe beeldvormingssystemen en optica mogelijk te maken. De ALD is opgezet als kernfaciliteit in het centrum van ZAQuant in het kader van IQST. (Dutch) / qualifier
 
point in time: 19 December 2021
Timestamp+2021-12-19T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0

Revision as of 10:10, 19 December 2021

Project Q3297336 in Germany
Language Label Description Also known as
English
Atomic layer coating plant
Project Q3297336 in Germany

    Statements

    0 references
    260,000.0 Euro
    0 references
    520,000.0 Euro
    0 references
    50.0 percent
    0 references
    14 November 2017
    0 references
    31 December 2019
    0 references
    Universität Stuttgart
    0 references
    0 references

    48°46'42.42"N, 9°10'48.04"E
    0 references
    Neue Anwendungsfelder in der Nanooptik und Plasmonik erfordern die konformale Beschichtung komplexer zwei- und dreidimensionaler Komponenten mit dichten und geschlossenen dielektrischen und metallischen Filmen mit präzise kontrollierbarer Dicke. Bei der Atomlagendeposition (ALD) werden einzelne Monolagen des Materials via gasförmiger Ausgangssubstanzen auf der Probe aufgewachsen. Diese Substanzen können die Probe vollständig durchdringen und tragen daher auch Material in abgeschatteten Bereichen auf. Aufgrund der atomlagenweisen Beschichtung ist eine höchstpräzise Schichtdickenkontrolle prozessimmanent gegeben. Neben Dielektrika lassen sich auch Metalle und Metallverbindungen aufbringen. Diese neuartigen Materialfilme erlauben die Strukturierung von komplexen zwei- und dreidimensionalen Mikro- und Nanostrukturen auf bisher unerreichter Ebene und ermöglichen völlig neue Abbildungssyteme und Optiken. Die ALD wird als Core Facility im Zentrum ZAQuant im Rahmen von IQST eingerichtet. (German)
    0 references
    New fields of application in nanooptics and plasmonics require the conformal coating of complex two- and three-dimensional components with dense and closed dielectric and metallic films with precise controllable thickness. In the case of the atomic deposition (ALD), individual monolayers of the material are raised on the sample via gaseous starting substances. These substances can penetrate the sample completely and therefore also apply material in shaded areas. Due to the atomic layer-like coating, a highly precise layer thickness control process immanent is given. In addition to dielectrics, metals and metal compounds can also be applied. These novel material films allow the structuring of complex two- and three-dimensional micro- and nanostructures on an unprecedented level and enable completely new imaging systems and optics. The ALD is set up as a core facility in the center of ZAQuant within the framework of IQST. (English)
    24 October 2021
    0 references
    De nouveaux champs d’application en nanooptique et en plasmonique nécessitent le revêtement conforme de composants complexes bidimensionnels et tridimensionnels avec des films diélectriques et métalliques denses et fermés avec une épaisseur contrôlable avec précision. Lors du dépôt de la couche atomique (ALD), on cultive des monolages individuels du matériau à l’aide de substances gazeuses initiales sur l’échantillon. Ces substances peuvent pénétrer complètement l’échantillon et donc appliquer du matériau dans des zones ombragées. En raison du revêtement par couche atomique, un contrôle de l’épaisseur de couche de haute précision est donné immanent au processus. Outre les diélectriques, il est également possible d’appliquer des métaux et des composés métalliques. Ces nouveaux films de matériaux permettent la structuration de micro et nanostructures complexes bidimensionnelles et tridimensionnelles à un niveau sans précédent et permettent de créer de nouveaux systèmes d’imagerie et d’optiques. L’ALD est mise en place en tant qu’installation de base dans le centre de ZAQuant dans le cadre d’IQST. (French)
    6 December 2021
    0 references
    Nieuwe toepassingsgebieden in nanooptica en plasmonica vereisen de conforme coating van complexe twee- en driedimensionale componenten met dichte en gesloten diëlektrische en metaalfolie met nauwkeurige regelbare dikte. Bij de atoomafzetting (ALD) worden afzonderlijke monolagen van het materiaal op het monster gebracht via gasvormige uitgangsstoffen. Deze stoffen kunnen het monster volledig doordringen en daarom ook materiaal in schaduwrijke gebieden toepassen. Door de atoomlaag-achtige coating wordt een zeer nauwkeurig laagdiktecontroleproces immanent gegeven. Naast diëlektrische, metalen en metaalverbindingen kunnen ook worden toegepast. Deze nieuwe materiaalfilms maken het mogelijk complexe twee- en driedimensionale micro- en nanostructuren op een ongekend niveau te structureren en volledig nieuwe beeldvormingssystemen en optica mogelijk te maken. De ALD is opgezet als kernfaciliteit in het centrum van ZAQuant in het kader van IQST. (Dutch)
    19 December 2021
    0 references
    Stuttgart
    0 references

    Identifiers

    DE_TEMPORARY_115
    0 references