Development of high quality InAlN – the road to strain-free Nitride lasers (Q84318)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q84318 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Development of high quality InAlN – the road to strain-free Nitride lasers |
Project Q84318 in Poland |
Statements
798,600.0 zloty
0 references
798,600.0 zloty
0 references
1 May 2018
0 references
30 April 2020
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
The project proposes new routes to overcome substantial difficulties in fabrication of InAlN. Finding a method to grow high quality InAlN lattice-matched to GaN (17% In) is fundamental for laser diodes (LDs) and vertical surface emitting lasers (VCSELs). InAlN could replace AlGaN and eliminate problems of lattice mismatch and improve refractive index contrast. We will grow by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and perform Monte-Carlo simulations to get an insight to kinetic processes during the growth and understand the influence of the diffusion barriers. We will (1) address the problem of low Al diffusion at low temperatures using high miscut GaN substrates (Ga-polar, N-polar and semipolar), (2) apply extremely high nitrogen flux to improve structural properties and (3) verify the impact of dislocation density on the mechanism of “honeycomb” structure formation. The InAlN layers will be implemented in device structures processed and tested in collaboration with TopGaN. (Polish)
0 references
The project Proposes new routes to overcome substantial difficulties in fabrication of InAlN. Finding a method to grow high quality InAlN lattice-matched to GaN (17 % In) is fundamental for laser diodes (LDs) and vertical surface emitting lasers (VCSELs). InAlN could replace AlGaN and eliminate problems of lattice mismatch and improve refractive index contrast. We will grow by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and perform Monte-Carlo simulations to get an insight to kinetic processes during the growth and understand the influence of the diffusion barriers. We will (1) address the problem of low Al diffusion at low temperatures using high miscut GaN substrates (Ga-polar, N-polar and semipolar), (2) apply extremely high nitrogen flux to improve structural properties and (3) verify the impact of dislocation density on the mechanism of “honeycomb” structure formation. The InAlN layers will be implemented in device structures processed and tested in collaboration with TopGaN. (English)
14 October 2020
0 references
Le projet propose de nouvelles voies pour surmonter des difficultés importantes dans la fabrication d’InAlN. Trouver une méthode pour développer un réseau InAlN de haute qualité, assorti à GaN (17 % In), est fondamental pour les diodes lasers (LD) et les lasers émettant des surfaces verticales (VCSEL). InAlN pourrait remplacer AlGaN et éliminer les problèmes d’inadéquation des réseaux et améliorer le contraste de l’indice de réfraction. Nous allons croître par l’épitaxie du faisceau moléculaire assisté par plasma (PAMBE) et effectuer des simulations Monte-Carlo pour obtenir un aperçu des processus cinétiques pendant la croissance et comprendre l’influence des barrières de diffusion. Nous (1) aborderons le problème de la faible diffusion d’Al à basse température à l’aide de sous-strates GaN (Ga-polaire, N-polaire et semipolaire), (2) appliquer un flux d’azote extrêmement élevé pour améliorer les propriétés structurales et (3) vérifier l’impact de la densité de dislocation sur le mécanisme de formation de la structure «mielcomb». Les couches InAlN seront mises en œuvre dans des structures d’appareils traitées et testées en collaboration avec TopGaN. (French)
30 November 2021
0 references
Das Projekt schlägt neue Wege vor, um erhebliche Schwierigkeiten bei der Herstellung von InAlN zu überwinden. Die Suche nach einer Methode, um qualitativ hochwertige InAlN-Gittermatten zu GaN (17 % In) zu entwickeln, ist von grundlegender Bedeutung für Laserdioden (LDs) und vertikale Oberflächenemissionslaser (VCSELs). InAlN könnte AlGaN ersetzen und Probleme der Gitterungleichheit beseitigen und den Brechungsindexkontrast verbessern. Wir werden durch Plasma-gestützte Molekularstrahlen Epitaxy (PAMBE) wachsen und Monte-Carlo Simulationen durchführen, um einen Einblick in kinetische Prozesse während des Wachstums zu erhalten und den Einfluss der Diffusionsbarrieren zu verstehen. Wir werden (1) das Problem der niedrigen Al-Diffusion bei niedrigen Temperaturen unter Verwendung von hochfehlgeschlagenen GaN-Substraten (Ga-polar, N-polar und semipolar), (2) extrem hohen Stickstofffluss anwenden, um die strukturellen Eigenschaften zu verbessern und (3) die Auswirkungen der Dislokationsdichte auf den Mechanismus der „Honeycomb“-Strukturbildung überprüfen. Die InAlN-Ebenen werden in Gerätestrukturen implementiert, die in Zusammenarbeit mit TopGaN verarbeitet und getestet werden. (German)
7 December 2021
0 references
In het project worden nieuwe routes voorgesteld om belangrijke problemen bij de vervaardiging van InAlN te overwinnen. Het vinden van een methode om hoogwaardige InAlN-roosters te laten groeien die overeenkomen met GaN (17 % In) is van fundamenteel belang voor laserdioden (LD’s) en verticale oppervlakte-uitstralende lasers (VCSELs). InAlN kon AlGaN vervangen en problemen van roostermismatch elimineren en brekingsindexcontrast verbeteren. We zullen groeien door plasma-ondersteunde moleculaire bundel Epitaxy (PAMBE) en Monte-Carlo simulaties uitvoeren om inzicht te krijgen in kinetische processen tijdens de groei en de invloed van de diffusiebarrières te begrijpen. We zullen (1) het probleem van lage Al-verspreiding bij lage temperaturen aanpakken met behulp van hoge miscut GaN Substrates (Ga-polaire, N-polaire en semipolaire), (2) extreem hoge stikstofflux toepassen om de structurele eigenschappen te verbeteren en (3) de impact van dislocatiedichtheid op het mechanisme van „honingraat” structuurvorming te verifiëren. De InAlN lagen worden geïmplementeerd in apparaatstructuren verwerkt en getest in samenwerking met TopGaN. (Dutch)
16 December 2021
0 references
Il progetto propone nuovi percorsi per superare notevoli difficoltà nella fabbricazione di InAlN. Trovare un metodo per coltivare un reticolo InAlN di alta qualità abbinato a GaN (17 % In) è fondamentale per i diodi laser (LD) e i laser a emissione di superfici verticali (VCSEL). InAlN potrebbe sostituire AlGaN ed eliminare i problemi di disallineamento tra reticolo e migliorare il contrasto dell'indice di rifrazione. Cresceremo con il fascio molecolare assistito al plasma Epitaxy (PAMBE) ed eseguiremo simulazioni Monte-Carlo per ottenere una visione dei processi cinetici durante la crescita e capire l'influenza delle barriere di diffusione. (1) affronteremo il problema della bassa diffusione di Al a basse temperature utilizzando sottostrati GaN ad alta maltatura (Gapolari, N-polari e semipolari), (2) applicare un flusso di azoto estremamente elevato per migliorare le proprietà strutturali e (3) verificare l'impatto della densità di dislocazione sul meccanismo di formazione della struttura a nido d'ape. Gli strati InAlN saranno implementati in strutture di device processate e testate in collaborazione con TopGaN. (Italian)
16 January 2022
0 references
El proyecto propone nuevas rutas para superar importantes dificultades en la fabricación de InAlN. Encontrar un método para cultivar una rejilla InAlN de alta calidad compatible con GaN (17 % In) es fundamental para los diodos láser (LD) y los láseres emisores de superficie vertical (VCSEL). InAlN podría reemplazar a AlGaN y eliminar problemas de inadecuación de la rejilla y mejorar el contraste del índice de refracción. Creceremos mediante la Epitaxía del haz molecular asistido por plasma (PAMBE) y realizaremos simulaciones de Montecarlo para obtener una visión de los procesos cinéticos durante el crecimiento y entender la influencia de las barreras de difusión. (1) abordaremos el problema de la baja difusión de Al a bajas temperaturas utilizando substratos de GaN de corte incorrecto (Ga-polar, N-polar y semipolar), (2) aplicar un flujo de nitrógeno extremadamente alto para mejorar las propiedades estructurales y (3) verificar el impacto de la densidad de dislocación en el mecanismo de formación de la estructura del panal. Las capas InAlN se implementarán en estructuras de dispositivos procesadas y probadas en colaboración con TopGaN. (Spanish)
19 January 2022
0 references
Projektet foreslår nye veje til at overvinde betydelige vanskeligheder i forbindelse med fremstillingen af InAlN. At finde en metode til at vokse høj kvalitet InAlN gitter-matched til GaN (17 % In) er grundlæggende for laserdioder (LD'er) og lodret overflade udsender lasere (VCSELs). InAlN kunne erstatte AlGaN og eliminere problemer med gittermatch og forbedre kontrasten mellem brydningsindekset. Vi vil vokse med plasmaassisteret molekylær stråle epitaxy (PAMBE) og udføre Monte-Carlo simuleringer for at få indsigt i kinetiske processer under væksten og forstå indflydelsen af diffusionsbarriererne. Vi vil (1) løse problemet med lav Al-diffusion ved lave temperaturer ved hjælp af høje miscut GaN-substrater (Ga-polar, N-polar og semipolar), (2) anvende ekstremt høj nitrogenflux for at forbedre strukturelle egenskaber og (3) kontrollere virkningen af dislokationstæthed på mekanismen for âEURhoneycombâ EUR struktur dannelse. InAlN-lagene vil blive implementeret i enhedsstrukturer, der behandles og testes i samarbejde med TopGaN. (Danish)
26 July 2022
0 references
Το έργο προτείνει νέες διαδρομές για την αντιμετώπιση σημαντικών δυσκολιών στην κατασκευή του InAlN. Η εύρεση μιας μεθόδου για την ανάπτυξη υψηλής ποιότητας πλέγματος InAlN αντιστοιχισμένη με GaN (17 % In) είναι θεμελιώδους σημασίας για τις διόδους λέιζερ (LDs) και την κάθετη επιφάνεια που εκπέμπουν λέιζερ (VCSEL). Το InAlN θα μπορούσε να αντικαταστήσει το AlGaN και να εξαλείψει τα προβλήματα της αναντιστοιχίας πλέγματος και να βελτιώσει την αντίθεση του δείκτη διάθλασης. Θα αναπτύξουμε με την επιταξία της μοριακής δέσμης υποβοηθούμενη από το πλάσμα (PAMBE) και θα εκτελέσουμε προσομοιώσεις Monte-Carlo για να αποκτήσουμε μια εικόνα των κινητικών διεργασιών κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης και να κατανοήσουμε την επίδραση των φραγμών διάχυσης. Θα αντιμετωπίσουμε (1) το πρόβλημα της χαμηλής διάχυσης Al σε χαμηλές θερμοκρασίες χρησιμοποιώντας υποστρώματα GaN υψηλής αστοχίας (Ga-polar, N-πολικό και ημιπολικό), (2) εφαρμόστε εξαιρετικά υψηλή ροή αζώτου για τη βελτίωση των δομικών ιδιοτήτων και (3) επαληθεύστε την επίδραση της πυκνότητας εξάρθρωσης στο μηχανισμό του σχηματισμού âEURneycombâEUR. Τα επίπεδα InAlN θα εφαρμοστούν σε δομές συσκευών επεξεργασμένες και δοκιμασμένες σε συνεργασία με την TopGaN. (Greek)
26 July 2022
0 references
Projektom se predlažu nove rute za prevladavanje znatnih poteškoća u proizvodnji InAlN-a. Pronalaženje metode za rast visoke kvalitete InAlN rešetke podudara s GaN (17 % In) je temelj za laserske diode (LD) i vertikalne površine emitira lasere (VCSELs). InAlN može zamijeniti AlGaN i eliminirati probleme rešetke neusklađenosti i poboljšati kontrast indeksa loma. Rasti ćemo uz pomoć plazme epitaksi molekularne zrake (PAMBE) i izvoditi Monte-Carlo simulacije kako bismo dobili uvid u kinetičke procese tijekom rasta i razumjeli utjecaj difuzijskih barijera. Mi ćemo (1) riješiti problem niske Al difuzije na niskim temperaturama pomoću visoke miscut GaN supstrata (Ga-polarni, N-polarni i polupolarni), (2) primijeniti izuzetno visok dušik tok za poboljšanje strukturnih svojstava i (3) provjeriti utjecaj dislokacije gustoće na mehanizam âEURhoneycombâ EUR struktura formiranja. InAlN slojevi će se implementirati u strukture uređaja obrađene i testirane u suradnji s TopGaN-om. (Croatian)
26 July 2022
0 references
Proiectul propune noi rute pentru depășirea dificultăților substanțiale în fabricarea InAlN. Găsirea unei metode de creștere de înaltă calitate a rețelei InAlN, corelată cu GaN (17 % In) este fundamentală pentru diodele laser (LD) și laserele cu emisie verticală de suprafață (VCSEL). InAlN ar putea înlocui AlGaN și ar putea elimina problemele de nepotrivire a zăbrelei și ar putea îmbunătăți contrastul indicelui de refracție. Vom crește prin epitaxia fasciculului molecular asistat de plasmă (PAMBE) și vom efectua simulări Monte-Carlo pentru a obține o perspectivă asupra proceselor cinetice în timpul creșterii și pentru a înțelege influența barierelor de difuzie. Vom (1) aborda problema difuziei Al scăzute la temperaturi scăzute folosind substraturi GaN de tăiere greșită (Ga-polar, N-polar și semipolar), (2) se aplică flux de azot extrem de ridicat pentru a îmbunătăți proprietățile structurale și (3) verifica impactul densității dislocării asupra mecanismului de formare a structurii â EURhoneycombâ EUR. Straturile InAlN vor fi implementate în structuri de dispozitive prelucrate și testate în colaborare cu TopGaN. (Romanian)
26 July 2022
0 references
Projekt Navrhuje nové cesty na prekonanie značných ťažkostí pri výrobe InAlN. Nájdenie metódy rastu vysokej kvality InAlN mriežky zodpovedajúcej GaN (17 % In) je základom pre laserové diódy (LD) a vertikálne povrchové emitujúce lasery (VCSEL). InAlN by mohol nahradiť AlGaN a odstrániť problémy nesúladu mriežky a zlepšiť kontrast indexu lomu. Porastieme epitaxou molekulárneho lúča asistovanej plazmou (PAMBE) a vykonáme Monte-Carlo simulácie, aby sme získali prehľad o kinetických procesoch počas rastu a pochopili vplyv difúznych bariér. Budeme (1) riešiť problém nízkej difúzie Al pri nízkych teplotách pomocou vysoko miscut GaN substrátov (Ga-polárne, N-polárne a semipolárne), (2) aplikovať extrémne vysoký tok dusíka na zlepšenie štrukturálnych vlastností a (3) overiť vplyv dislokačnej hustoty na mechanizmus tvorby štruktúry â EUR medombâ EUR. Vrstvy InAlN budú implementované v štruktúrach zariadení spracovaných a testovaných v spolupráci s TopGaN. (Slovak)
26 July 2022
0 references
Il-proġett Jipproponi rotot ġodda biex jingħelbu diffikultajiet sostanzjali fil-fabbrikazzjoni tal-InAlN. Is-sejba ta ‘metodu biex tikber kwalità għolja InAlN kannizzata mqabbla ma’ GaN (17 % In) hija fundamentali għad-dijodi tal-lejżer (LDs) u l-lejżers vertikali li jarmu l-wiċċ (VCSELs). InAlN jista’ jissostitwixxi l-AlGaN u jelimina problemi ta’ nuqqas ta’ qbil fil-kannizzata u jtejjeb il-kuntrast tal-indiċi rifrattiv. Aħna se jikbru permezz ta ‘epitaxy raġġ molekulari assistit mill-plażma (PAMBE) u jwettaq simulazzjonijiet Monte-Carlo biex tikseb għarfien għall-proċessi kinetiċi matul it-tkabbir u jifhmu l-influwenza ta’ l-ostakli ta ‘diffużjoni. Aħna se (1) tindirizza l-problema ta ' diffużjoni Al baxx f’temperaturi baxxi bl-użu ta ' substrati GaN maqtugħa għolja (Ga-polari, N-polari u semipolari), (2) japplikaw fluss ta ' nitroġenu estremament għoli biex itejbu l-proprjetajiet strutturali u (3) jivverifika l-impatt tad-densità ta ' dislokazzjoni fuq il-mekkaniżmu ta ' formazzjoni istruttura â EUR EURhoneycombâ. Is-saffi ta’ InAlN se jiġu implimentati fi strutturi ta’ apparat ipproċessati u ttestjati b’kollaborazzjoni ma’ TopGaN. (Maltese)
26 July 2022
0 references
O projeto Propõe novas rotas para superar dificuldades substanciais na fabrico do InAlN. Encontrar um método para crescer uma treliça InAlN de alta qualidade correspondente a GaN (17 % In) é fundamental para diodos laser (LDs) e lasers emissores de superfície vertical (VCSELs). O InAlN poderia substituir o AlGaN e eliminar problemas de incompatibilidade entre treliças e melhorar o contraste do índice de refração. Cresceremos pela epitaxia de feixe molecular assistido por plasma (PAMBE) e realizaremos simulações de Monte-Carlo para obter uma visão dos processos cinéticos durante o crescimento e entender a influência das barreiras de difusão. Nós (1) abordaremos o problema da baixa difusão de Al a baixas temperaturas usando substratos GaN descortados (Ga-polar, N-polar e semipolar), (2) aplicar fluxo de nitrogênio extremamente alto para melhorar as propriedades estruturais e (3) verificar o impacto da densidade de luxação no mecanismo de formação de estrutura de combustão. As camadas InAlN serão implementadas em estruturas de dispositivos processadas e testadas em colaboração com a TopGaN. (Portuguese)
26 July 2022
0 references
Hankkeessa ehdotetaan uusia reittejä InAlN:n valmistukseen liittyvien huomattavien vaikeuksien voittamiseksi. Menetelmän löytäminen korkealaatuista InAlN ristikko vastaa GaN (17 % In) on olennaista laserdiodit (LD) ja pystysuora pinta emittoi laserit (VCSEL). InAlN voisi korvata AlGaN:n ja poistaa ristikkoongelmat ja parantaa taiteindeksikontrastia. Kasvamme plasma-avusteisen molekyylisäteen epitaksilla (PAMBE) ja suoritamme Monte-Carlo-simulaatioita, jotta saamme käsityksen kineettisistä prosesseista kasvun aikana ja ymmärrämme diffuusioesteiden vaikutuksen. Aiomme (1) käsitellä ongelmaa alhainen Al diffuusio alhaisissa lämpötiloissa käyttäen korkea miscut GaN substraatteja (Ga-polaari, N-polaari ja semipolaarinen), (2) soveltaa erittäin korkea typpivirta parantaa rakenteellisia ominaisuuksia ja (3) tarkistaa vaikutus sijoiltaan tiheys mekanismi âEURhoneycombâEUR rakenne muodostumista. InAlN-kerrokset toteutetaan laiterakenteissa, joita käsitellään ja testataan yhteistyössä TopGaNin kanssa. (Finnish)
26 July 2022
0 references
Projekt predlaga nove poti za premagovanje znatnih težav pri izdelavi InAlN. Iskanje metode za rast visoke kakovosti InAlN rešetke ujema z GaN (17 % In) je bistvenega pomena za laserske diode (LD) in vertikalne površinske oddaja laserjev (VCSEL). Zdravilo InAlN bi lahko nadomestilo AlGaN in odpravilo težave zaradi neskladja rešetk ter izboljšalo kontrast lomnih indeksov. Rasli bomo s plazmo podprto epitaksijo molekularnega žarka (PAMBE) in izvedli simulacije Monte-Carlo, da bi dobili vpogled v kinetične procese med rastjo in razumeli vpliv difuzijskih ovir. Bomo (1) reševanje problema nizke Al difuzije pri nizkih temperaturah z uporabo visoko miscut GaN substrati (Ga-polar, N-polar in polpolarna), (2) uporabljajo zelo visok pretok dušika za izboljšanje strukturnih lastnosti in (3) preveriti vpliv dislokacijske gostote na mehanizem oblikovanja strukture â EURhoneycombâ EUR. Plasti InAlN se bodo izvajale v strukturah naprav, obdelanih in testiranih v sodelovanju s TopGaN. (Slovenian)
26 July 2022
0 references
Projekt Navrhuje nové trasy k překonání zásadních obtíží při výrobě InAlN. Pro laserové diody (LDs) a vertikální povrch emitující lasery (VCSEL) je zásadní najít metodu růstu vysoce kvalitní sítě InAlN, která odpovídá GaN (17 % In). InAlN by mohl nahradit AlGaN a odstranit problémy s nesouladem mřížek a zlepšit kontrast indexu lomu. Budeme růst plazmou asistovanou molekulární paprskem epitaxie (PAMBE) a provedeme simulace Monte-Carlo, abychom získali přehled o kinetických procesech během růstu a pochopili vliv difúzních bariér. Budeme (1) řešit problém nízké difúze Al při nízkých teplotách pomocí vysoce chybné GaN substráty (Ga-polární, N-polární a polopolární), (2) aplikovat extrémně vysoký tok dusíku ke zlepšení strukturálních vlastností a (3) ověřit dopad dislokační hustoty na mechanismus â EURhoneycombâ EUR struktura tvorby. Vrstvy InAlN budou implementovány do struktur zařízení zpracovaných a testovaných ve spolupráci s TopGaN. (Czech)
26 July 2022
0 references
Projektas siūlo naujus maršrutus, kad įveiktų didelius „InAlN“ gamybos sunkumus. Rasti būdą, kaip auginti aukštos kokybės InAlN groteles, suderintas su GaN (17 % In) yra labai svarbus lazeriniams diodams (LD) ir vertikaliems paviršių spinduliuojantiems lazeriams (VCSEL). InAlN galėtų pakeisti AlGaN ir pašalinti grotelių neatitikimo problemas ir pagerinti lūžio indekso kontrastą. Mes augsime plazmos pagalba molekulinio pluošto epitaksija (PAMBE) ir atliksime Monte-Carlo modeliavimą, kad gautume įžvalgų apie kinetinius procesus augimo metu ir suprastume difuzijos barjerų įtaką. Mes (1) spręsti žemo Al difuzijos esant žemai temperatūrai problemą, naudojant aukštos miscut GaN substratai (Ga-polinis, N-poliarinis ir semipolinis), (2) taikyti labai didelis azoto srautas pagerinti struktūrinių savybių ir (3) patikrinti dislokacijos tankio poveikį âhoneycombâ EUR struktūros formavimo mechanizmą. „InAlN“ sluoksniai bus įdiegti įrenginių struktūrose, apdorotose ir išbandytose bendradarbiaujant su „TopGaN“. (Lithuanian)
26 July 2022
0 references
Projekts piedāvā jaunus ceļus, lai pārvarētu būtiskas grūtības InAlN ražošanā. Augstas kvalitātes InAlN režģa, kas atbilst GaN (17 % In), atrašana ir būtiska lāzera diodēm (LD) un vertikāliem virsmas izstarojošiem lāzeriem (VCSEL). InAlN varētu aizstāt AlGaN un novērst režģu neatbilstības problēmas un uzlabot refrakcijas indeksa kontrastu. Mēs augsim ar plazmas palīdzību molekulārā staru kūļa epitaksija (PAMBE) un veiksim Montekarlo simulācijas, lai iegūtu ieskatu kinētiskajos procesos augšanas laikā un izprastu difūzijas barjeru ietekmi. Mēs (1) risināt problēmu zema Al difūzijas zemā temperatūrā, izmantojot augstu miscut GaN substrāti (Ga-polāri, N-polāri un semipolāri), (2) piemērot ļoti augstu slāpekļa plūsmu, lai uzlabotu strukturālās īpašības un (3) pārbaudīt dislokācijas blīvuma ietekmi uz mehānismu â EURhoneycombâ EUR struktūras veidošanās. InAlN slāņi tiks ieviesti ierīču konstrukcijās, kas tiek apstrādātas un pārbaudītas sadarbībā ar TopGaN. (Latvian)
26 July 2022
0 references
Проектът предлага нови маршрути за преодоляване на значителни трудности при производството на InAlN. Намирането на метод за отглеждане на висококачествена решетка InAlN, съответстваща на GaN (17 % In), е от основно значение за лазерните диоди (LDs) и вертикалните повърхностни излъчващи лазери (VCSEL). InAlN може да замени AlGaN и да премахне проблемите с несъответствието на решетката и да подобри контраста на рефракционния индекс. Ние ще растем чрез плазмено подпомагана молекулярна лъчева епитаксия (PAMBE) и ще извършим симулации на Монте Карло, за да получим представа за кинетичните процеси по време на растежа и да разберем влиянието на дифузионните бариери. Ние ще (1) решаване на проблема с ниска Al дифузия при ниски температури с помощта на високо погрешно отрязани GaN субстрати (Га-полярни, N-полярни и полуполюсни), (2) прилагат изключително висок азот поток за подобряване на структурните свойства и (3) проверка на въздействието на дислокация плътност върху механизма на â EURhoneycombâ EUR структура формиране. Слоевете InAlN ще бъдат внедрени в структури на устройствата, обработвани и тествани в сътрудничество с TopGaN. (Bulgarian)
26 July 2022
0 references
A projekt új útvonalakat javasol az InAlN gyártása során felmerülő jelentős nehézségek leküzdésére. A lézerdiódák (LD-k) és a függőleges felületet kibocsátó lézerek (VCSEL-ek) esetében alapvető, hogy megtalálják a kiváló minőségű InAlN rácsot a GaN-nel (17% In) egyező módszerrel. Az InAlN helyettesítheti az AlGaN-t és megszüntetheti a rácsos eltérés problémáit, és javíthatja a törésmutató kontrasztját. A plazma által támogatott molekuláris gerenda epitaxiával (PAMBE) növekedünk, és Monte-Carlo szimulációkat végzünk, hogy betekintést nyerjünk a kinetikus folyamatokba a növekedés során, és megértsük a diffúziós akadályok hatását. Mi (1) foglalkozik a probléma az alacsony Al diffúzió alacsony hőmérsékleten nagy hibás vágású GaN szubsztrátok (Ga-poláris, N-poláris és félpólusú), (2) alkalmazni rendkívül magas nitrogén fluxus javítása szerkezeti tulajdonságok és (3) ellenőrzi a hatását diszlokációs sűrűség mechanizmusa â EURneycombâ EUR szerkezetképződés. Az InAlN rétegeket a TopGaN-nal együttműködésben feldolgozott és tesztelt eszközszerkezetekben valósítják meg. (Hungarian)
26 July 2022
0 references
Molann an tionscadal bealaí nua chun deacrachtaí suntasacha i monarú InAlN a shárú. Tá sé ríthábhachtach modh a aimsiú chun ardchaighdeán a fhás InAlN lattice-matched go GaN (17 % In) le haghaidh dé-óidí léasair (LDanna) agus léasair astaithe dromchla ingearach (VCSELs). D’fhéadfadh InAlN ionad AlGaN agus deireadh a chur le fadhbanna neamhréir laitíse agus codarsnacht innéacs athraonta a fheabhsú. Fásfaimid le epitaxy bhíoma mhóilíneach le cúnamh plasma (PAMBE) agus déanfaimid insamhaltaí Monte-Carlo chun léargas a fháil ar phróisis chinéiteacha le linn an fháis agus tuiscint a fháil ar thionchar na mbacainní idirleata. Déanfaimid (1) aghaidh a thabhairt ar an bhfadhb Al idirleathadh íseal ag teochtaí íseal ag baint úsáide as foshraitheanna GaN miscut ard (Ga-polar, N-polar agus semipolar), (2) iarratas a dhéanamh flosc nítrigine an-ard chun feabhas a chur ar airíonna struchtúracha agus (3) a fhíorú an tionchar dlús dislocation ar mheicníocht na foirmiú struchtúr â EUR â EURhoneycombâ EUR. Cuirfear na sraitheanna InAlN i bhfeidhm i struchtúir feistí a phróiseáil agus a thástáil i gcomhar le TopGaN. (Irish)
26 July 2022
0 references
Projektet föreslår nya vägar för att övervinna betydande svårigheter vid tillverkningen av InAlN. Att hitta en metod för att odla högkvalitativt InAlN gitter-matchat till GaN (17 % In) är grundläggande för laserdioder (LD) och vertikala ytavgivande lasrar (VCSEL). InAlN kunde ersätta AlGaN och eliminera problem med gittermatchning och förbättra brytningsindexkontrast. Vi kommer att växa med plasmaassisterad molekylär stråle epitaxy (PAMBE) och utföra Monte-Carlo simuleringar för att få en inblick i kinetiska processer under tillväxten och förstå påverkan av diffusionsbarriärerna. Vi kommer (1) att ta itu med problemet med låg Al-diffusion vid låga temperaturer med hjälp av höga felskurna GaN-substrat (ga-polära, N-polära och halvpolära), (2) tillämpa extremt högt kväveflöde för att förbättra strukturella egenskaper och (3) verifiera effekten av dislokationsdensitet på mekanismen för âEURhoneycombâ EUR strukturbildning. InAlN-lagren kommer att implementeras i enhetsstrukturer som bearbetas och testas i samarbete med TopGaN. (Swedish)
26 July 2022
0 references
Projektis pakutakse välja uusi marsruute, et ületada olulised raskused InAlN’i valmistamisel. Meetodi leidmine kõrge kvaliteediga InAlN võre sobitatud GaN (17 % In) on oluline laserdioodid (LD) ja vertikaalne pind kiirgavad laserid (VCSELs). InAlN võiks asendada AlGaN ja kõrvaldada probleeme võre ebakõla ja parandada murdumisnäitaja kontrasti. Me kasvab plasma abil molekulaarkiire epitaksiaga (PAMBE) ja teostame Monte-Carlo simulatsioone, et saada ülevaade kineetilistest protsessidest kasvu ajal ja mõista difusioonibarjääride mõju. Me (1) lahendada probleemi madal Al difusioon madalatel temperatuuridel kasutades kõrge valesti lõigatud GaN substraadid (Ga-polar, N-polaarne ja semipolaarne), (2) rakendada väga kõrge lämmastikuvoo parandada struktuuriomadusi ja (3) kontrollida mõju nihestustihedus mehhanismi âEURhoneycombâ EUR struktuuri moodustumist. InAlN kihid rakendatakse seadme struktuurid töödeldud ja testitud koostöös TopGaN. (Estonian)
26 July 2022
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-4463/17
0 references