Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs (Q84238)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q84238 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs |
Project Q84238 in Poland |
Statements
3,464,455.0 zloty
0 references
3,464,455.0 zloty
0 references
1 September 2017
0 references
31 August 2020
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies ("green gap"). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (Polish)
0 references
In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen Impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies (“green gap”). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (English)
14 October 2020
0 references
Dans le cadre du projet, nous expliquerons le rôle des défauts ponctuels (principalement Ga vacants et impuretés d’hydrogène) dans la décomposition des puits quantiques InGaN. Cette décomposition se produit au cours de la croissance de GaN de type p au-dessus de ces puits dans les LED et les diodes laser (LD) émettant dans la gamme spectrale bleue/verte, et est l’une des principales raisons pour lesquelles l’efficacité des émetteurs verts a une faible efficacité («écart vert»). Dans nos recherches récentes, nous avons obtenu pour la première fois des indications que la décomposition d’InGaN est causée par la diffusion de défauts ponctuels entraîné par des déformations. Pour comprendre ce phénomène, nous prévoyons de faire un certain nombre d’expériences changeant les paramètres de croissance (dopage, flux de réactifs, pression, température, etc.) dans la croissance épitaxiale, ainsi que de modéliser théoriquement le défaut de point et la diffusion de l’indium. Les échantillons seront examinés à l’aide d’un certain nombre de techniques en collaboration avec d’autres laboratoires. En conséquence, nous devrions trouver le moyen d’éviter la décomposition InGaN dans les LED et les LDs. (French)
30 November 2021
0 references
Im Projekt werden wir die Rolle von Punktfehlern (hauptsächlich Ga freie Stellen und Wasserstoffunreinheit) bei der Zersetzung von InGaN Quantenbrunnen erklären. Diese Zersetzung tritt während des Wachstums von p-Typ GaN über diesen Brunnen in LEDs und Laserdioden (LDs) auf, die im blau/grünen Spektralbereich emittieren, und ist einer der Hauptgründe, warum die Effizienz von grünen Emittern eine geringe Effizienz aufweist („grüne Lücke“). In unserer jüngsten Forschung erhielten wir erstmals Hinweise darauf, dass die InGaN Zersetzung durch die dehnungsgetriebene Diffusion von Punktfehlern verursacht wird. Um dieses Phänomen zu verstehen, planen wir, eine Reihe von Experimenten durchzuführen, die Wachstumsparameter (Doping, Ströme von Reaktionsmitteln, Druck, Temperatur usw.) im epitaxiellen Wachstum verändern und theoretische Modellierung von Punktdefekten und Indiumdiffusionen durchführen. Die Proben werden mit einer Reihe von Techniken in Zusammenarbeit mit anderen Laboren untersucht. Als Ergebnis sollten wir den Weg finden, die InGaN Zersetzung in LEDs und LDs zu vermeiden. (German)
7 December 2021
0 references
In het project zullen we de rol van puntfouten (voornamelijk Ga vacatures en waterstofonzuiverheid) in de ontbinding van InGaN kwantumputten uitleggen. Deze ontleding vindt plaats tijdens de groei van het p-type GaN boven deze putten in LED’s en laserdioden (LD’s) die in blauw/groen spectraal bereik uitzenden, en is een van de belangrijkste redenen waarom de efficiëntie van groene emittenten een lage efficiëntie heeft („groene kloof”). In ons recente onderzoek kregen we voor het eerst aanwijzingen dat de InGaN-decompositie wordt veroorzaakt door stamgestuurde diffusie van puntafwijkingen. Om dit fenomeen te begrijpen, zijn we van plan om een aantal experimenten te doen die de groeiparameters (doping, stromen van reactanten, druk, temperatuur, enz.) veranderen in epitaxiale groei, evenals om theoretische modellering van puntdefect en indium diffusie te doen. De monsters worden onderzocht met behulp van een aantal technieken in samenwerking met andere laboratoria. Als gevolg hiervan moeten we de manier vinden om de InGaN-decompositie in LED’s en LD’s te vermijden. (Dutch)
16 December 2021
0 references
Nel Progetto, spiegheremo il ruolo dei difetti dei punti (principalmente posti vacanti Ga e impurità dell'idrogeno) nella decomposizione dei pozzi quantistici InGaN. Questa decomposizione si verifica durante la crescita del GaN di tipo p al di sopra di questi pozzi nei LED e nei diodi laser (LD) che emettono nella gamma spettrale blu/verde, ed è uno dei motivi principali per cui l'efficienza degli emettitori verdi ha una bassa efficienza ("green gap"). Nella nostra recente ricerca, abbiamo avuto per la prima volta indicazioni che la decomposizione InGaN è causata dalla diffusione di difetti di punto indotta da sforzo. Per comprendere questo fenomeno, stiamo progettando di fare una serie di esperimenti che cambiano i parametri di crescita (doping, flussi di reagenti, pressione, temperatura, ecc.) nella crescita epitassiale, nonché di fare modelli teorici di difetto di punto e diffusione indio. I campioni saranno esaminati con una serie di tecniche in collaborazione con altri laboratori. Di conseguenza, dovremmo trovare il modo di evitare la decomposizione InGaN in LED e LD. (Italian)
16 January 2022
0 references
En el Proyecto, explicaremos el papel de los defectos puntuales (principalmente las vacantes de Ga y la impureza de hidrógeno) en la descomposición de los pozos cuánticos InGaN. Esta descomposición se produce durante el crecimiento del GaN tipo p por encima de estos pozos en ledes y diodos láser (LDs) que emiten en rango espectral azul/verde, y es una de las principales razones por las que las eficiencias de los emisores verdes tienen bajas eficiencias («la brecha verde»). En nuestra investigación reciente, obtuvimos por primera vez indicios de que la descomposición de InGaN es causada por la difusión de defectos puntuales impulsados por deformación. Para entender este fenómeno, estamos planeando hacer una serie de experimentos que cambian los parámetros de crecimiento (dopaje, flujos de reactivos, presión, temperatura, etc.) en el crecimiento epitaxial, así como para realizar modelos teóricos de defectos puntuales y difusión indio. Las muestras se examinarán utilizando una serie de técnicas en colaboración con otros laboratorios. Como resultado, debemos encontrar la manera de evitar la descomposición InGaN en ledes y LDs. (Spanish)
19 January 2022
0 references
Projektis selgitame, millist rolli on InGaN quantum wells lagunemisel punktidefektid (peamiselt Ga vabud ja vesinikulisandid). Selline lagunemine toimub p-tüüpi GaN kasvu ajal nende aukude kohal valgusdioodides ja laserdioodides, mis kiirgavad sinises/rohelises spektrivahemikus, ning see on üks peamisi põhjusi, miks roheliste heitetekitajate tõhusus on madal (âEURgreen gapâEUR). Meie hiljutised uuringud, saime esmakordselt märke, et InGaN lagunemine on põhjustatud tüve juhitud difusiooni punkt defektid. Selle nähtuse mõistmiseks plaanime epitaksiaalses kasvus teha mitmeid katseid, mis muudavad kasvuparameetreid (doping, reaktiivainete vood, rõhk, temperatuur jne), samuti teha punkti defekti ja indiumi difusiooni teoreetiline modelleerimine. Proove uuritakse koostöös teiste laboritega, kasutades mitmeid meetodeid. Selle tulemusena peaksime leidma viisi, kuidas vältida InGaNi lagunemist valgusdioodides ja LDdes. (Estonian)
13 August 2022
0 references
Projekte paaiškinsime taškų defektų (daugiausia Ga laisvų darbo vietų ir vandenilio priemaišų) vaidmenį suirus InGaN kvantinėms duobutėms. Šis skilimas įvyksta augimo p-tipo GaN virš šių šulinių LED ir lazerinių diodai (LDs) skleidžia mėlynos/žalios spektro diapazone, ir yra viena iš pagrindinių priežasčių, kodėl efektyvumo žaliųjų teršėjų turi mažą efektyvumą (â EURgreen gapâ EUR). Mūsų naujausiuose tyrimuose pirmą kartą gavome nuorodas, kad InGaN skilimą sukelia įtempių sukelta taškinių defektų difuzija. Norėdami suprasti šį reiškinį, planuojame atlikti keletą eksperimentų, keičiančių augimo parametrus (dopingą, reagentų srautus, slėgį, temperatūrą ir kt.) epitaksinio augimo metu, taip pat teorinį taško defekto ir indžio difuzijos modeliavimą. Mėginiai bus tiriami naudojant įvairius metodus, bendradarbiaujant su kitomis laboratorijomis. Todėl turėtume rasti būdą, kaip išvengti InGaN skilimo LED ir LD. (Lithuanian)
13 August 2022
0 references
U projektu ćemo objasniti ulogu nedostataka točaka (uglavnom Ga slobodnih radnih mjesta i nečistoće vodika) u razgradnji kvantnih bunara InGaN-a. Ovo raspadanje događa tijekom rasta p-tip GaN iznad tih bunara u LED i laserske diode (LDs) emitiraju u plavo/zeleni spektralni raspon, te je jedan od glavnih razloga zašto je učinkovitost zelenih onečišćivača imaju niske učinkovitosti (âEURgreen gapâEUR). U našem nedavnom istraživanju, dobili smo po prvi put indikacije da je InGaN raspadanje uzrokovano difuzijom točkastih grešaka. Da bismo razumjeli ovaj fenomen, planiramo napraviti niz eksperimenata koji mijenjaju parametre rasta (doping, protok reaktanata, tlak, temperatura itd.) u epitaksijalnom rastu, kao i napraviti teorijsko modeliranje točke defekta i indij difuzije. Uzorci će se ispitati primjenom niza tehnika u suradnji s drugim laboratorijima. Kao rezultat toga, trebali bismo pronaći način izbjegavanja InGaN raspadanja u LED diodama i LD-ovima. (Croatian)
13 August 2022
0 references
Στο έργο, θα εξηγήσουμε τον ρόλο των σημειακών ελαττωμάτων (κυρίως κενές θέσεις εργασίας και ακαθαρσία υδρογόνου) στην αποσύνθεση των κβαντικών φρεάτων InGaN. Αυτή η αποσύνθεση συμβαίνει κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης του τύπου p GaN πάνω από αυτές τις κοιλότητες σε LEDs και λέιζερ διόδους (LDs) που εκπέμπουν σε μπλε/πράσινη φασματική σειρά, και είναι ένας από τους κύριους λόγους για τους οποίους η αποτελεσματικότητα των πράσινων προξένων εκπομπών έχουν χαμηλή απόδοση (â EUR green gapâ EUR). Στην πρόσφατη έρευνά μας, πήραμε για πρώτη φορά ενδείξεις ότι η αποσύνθεση InGaN προκαλείται από τη διάχυση των σημειακών ελαττωμάτων με γνώμονα το στέλεχος. Για να κατανοήσουμε αυτό το φαινόμενο, σχεδιάζουμε να κάνουμε μια σειρά πειραμάτων που αλλάζουν τις παραμέτρους ανάπτυξης (ντόπινγκ, ροές αντιδρώντων παραγόντων, πίεση, θερμοκρασία κ.λπ.) στην επιταξιακή ανάπτυξη, καθώς και να κάνουμε θεωρητική μοντελοποίηση του σημειακού ελαττώματος και της διάχυσης ινδίου. Τα δείγματα θα εξεταστούν με τη χρήση διαφόρων τεχνικών σε συνεργασία με άλλα εργαστήρια. Ως αποτέλεσμα, θα πρέπει να βρούμε τον τρόπο αποφυγής της αποσύνθεσης InGaN σε LED και LD. (Greek)
13 August 2022
0 references
V projekte vysvetlíme úlohu bodových chýb (najmä voľných miest Ga a nečistoty vodíka) v rozklade kvantových vrtov InGaN. Tento rozklad sa vyskytuje počas rastu typu P GaN nad týmito jamkami v LED a laserových diódach (LD), ktoré emitujú modrú/zelenú spektrálnu škálu, a je jedným z hlavných dôvodov, prečo účinnosť zelených žiaričov má nízku účinnosť (â EURgreen gapâ EUR). V našom nedávnom výskume sme po prvýkrát objavili náznaky, že rozklad InGaN je spôsobený difúziou bodových chýb kmeňom. Aby sme pochopili tento jav, plánujeme vykonať niekoľko experimentov, ktoré menia rastové parametre (doping, toky reaktantov, tlak, teplota atď.) v epitaxiálnom raste, ako aj robiť teoretické modelovanie bodovej chyby a difúzie indium. Vzorky sa budú skúmať pomocou viacerých techník v spolupráci s inými laboratóriami. V dôsledku toho by sme mali nájsť spôsob, ako zabrániť rozkladu InGaN v LED diódach a LD. (Slovak)
13 August 2022
0 references
Hankkeessa selitämme pistevikojen (lähinnä Ga:n avoimet työpaikat ja vetypuhtaus) roolin InGaN-kvanttikaivojen hajoamisessa. Tämä hajoaminen tapahtuu kasvun p-tyypin GaN edellä nämä kaivot LEDit ja laserdiodit (LD) säteilevät sininen/vihreä spektrialue, ja on yksi tärkeimmistä syistä, miksi tehokkuus vihreitä säteilijöiden on alhainen tehokkuus (âEURgreen gapâ EUR). Tuoreessa tutkimuksessamme saimme ensimmäistä kertaa viitteitä siitä, että InGaN:n hajoaminen johtuu pistevikojen kantamaisesta diffuusiosta. Tämän ilmiön ymmärtämiseksi aiomme tehdä useita kokeiluja, jotka muuttavat kasvuparametreja (doping, reaktanttien virrat, paine, lämpötila jne.) epitaksisessa kasvussa sekä tehdä teoreettista mallintamista pistevikasta ja indium-diffuusiosta. Näytteet tutkitaan useilla tekniikoilla yhteistyössä muiden laboratorioiden kanssa. Tämän seurauksena meidän pitäisi löytää tapa välttää InGaN hajoaminen LED- ja LD-laitteissa. (Finnish)
13 August 2022
0 references
A projektben elmagyarázzuk a ponthibák (főként Ga üresedések és hidrogéntisztaság) szerepét az InGaN kvantum kutak bomlásában. Ez a bomlás a p-típusú GaN növekedése során következik be a LED-ekben és a kék/zöld színtartományban lévő lézerdiódákban (LD-k), és ez az egyik fő oka annak, hogy a zöld kibocsátók hatékonysága alacsony hatékonyságú (âEURgreen gapâEUR). A legutóbbi kutatásainkban először találtunk arra utaló jeleket, hogy az InGaN bomlását a ponthibák törzsvezérelt diffúziója okozza. Ennek a jelenségnek a megértéséhez számos kísérletet tervezünk a növekedési paraméterek (dopping, reaktánsok áramlása, nyomás, hőmérséklet stb.) megváltoztatására az epitaxiális növekedésben, valamint a ponthiány és az indium diffúzió elméleti modellezését. A mintákat más laboratóriumokkal együttműködésben, számos technika alkalmazásával vizsgálják meg. Ennek eredményeként meg kell találnunk a módját, hogy elkerüljük az InGaN lebomlását LED-ekben és LD-kben. (Hungarian)
13 August 2022
0 references
V projektu vysvětlíme roli bodových vad (především Ga volných pracovních míst a vodíkové nečistoty) při rozkladu kvantových vrtů InGaN. K tomuto rozkladu dochází během růstu P-typu GaN nad těmito studnami v LED diodách a laserových diodách (LDs) emitujících v modrém/zeleném spektrálním rozsahu a je jedním z hlavních důvodů, proč účinnost zelených emitorů má nízkou účinnost (â EUR Green gapâ EUR). V našem nedávném výzkumu jsme poprvé získali náznaky, že rozklad InGaN je způsoben kmenovou difuzí bodových vad. Abychom tento jev pochopili, plánujeme provést řadu experimentů měnících růstové parametry (doping, toky reaktantů, tlak, teplota atd.) v epitaxiálním růstu, stejně jako teoretické modelování bodové vady a difuze indium. Vzorky budou vyšetřeny pomocí řady technik ve spolupráci s ostatními laboratořemi. V důsledku toho bychom měli najít způsob, jak se vyhnout rozkladu InGaN v LED a LD. (Czech)
13 August 2022
0 references
Projektā mēs izskaidrosim punktu defektu (galvenokārt Ga vakanču un ūdeņraža piemaisījumu) lomu InGaN kvantu urbumu sadalīšanā. Šī sadalīšanās notiek izaugsmes laikā p-tipa GaN virs šiem akām LED un lāzera diodes (LDs) izstaro zilā/zaļā spektra diapazonā, un ir viens no galvenajiem iemesliem, kāpēc efektivitāte zaļo emitētāju ir zema efektivitāte (â EURgreen gapâ EUR). Mūsu nesenajos pētījumos mēs pirmo reizi saņēmām norādes, ka InGaN sadalīšanos izraisa punktveida defektu celma virzīta difūzija. Lai saprastu šo parādību, mēs plānojam veikt vairākus eksperimentus, mainot augšanas parametrus (dopingu, reaģentu plūsmas, spiedienu, temperatūru utt.) epitaksiālā augšanā, kā arī veikt teorētisku punktdefekta modelēšanu un indija difūziju. Paraugi tiks pārbaudīti, izmantojot vairākas metodes sadarbībā ar citām laboratorijām. Tā rezultātā mums vajadzētu atrast veidu, kā izvairīties no InGaN sadalīšanās LED un LD. (Latvian)
13 August 2022
0 references
Sa Tionscadal, míneoimid ról na lochtanna pointí (folúntais Ga agus Íonacht hidrigine den chuid is mó) i ndianscaoileadh toibreacha candamacha InGaN. Tarlaíonn an dianscaoileadh seo le linn fáis GaN de chineál p os cionn na toibreacha seo i soilse agus dé-óidí léasair (LDanna) a astaíonn i raon speictreach gorm/glas, agus tá sé ar cheann de na príomhchúiseanna go bhfuil éifeachtúlachtaí ísle ag éifeachtúlachtaí astaírí glasa (âEURgreen gapâEUREUR). Sa taighde a rinneamar le déanaí, fuaireamar an chéad léiriú go bhfuil dianscaoileadh InGaN mar thoradh ar scaipeadh brú-thiomáinte lochtanna pointe. Chun tuiscint a fháil ar an bhfeiniméan seo, tá sé beartaithe againn roinnt turgnaimh a dhéanamh a athraíonn paraiméadair fáis (dópáil, sreafaí imoibreoirí, brú, teocht, srl) i bhfás eipealuadrach, chomh maith le samhaltú teoiriciúil a dhéanamh ar locht pointe agus idirleathadh indiam. Déanfar na samplaí a scrúdú trí úsáid a bhaint as roinnt teicnící i gcomhar le saotharlanna eile. Mar thoradh air sin, ba cheart dúinn teacht ar an mbealach chun dianscaoileadh InGaN a sheachaint i soilse agus i LDanna. (Irish)
13 August 2022
0 references
V projektu bomo razložili vlogo točkovnih napak (predvsem prostih delovnih mest Ga in vodikove nečistoče) pri razgradnji kvantnih vrtin InGaN. Ta razgradnja se pojavi med rastjo p-tipa GaN nad temi jamicami v LED in laserskih diodah (LD), ki oddajajo v modrem/zelenem spektralnem območju, in je eden od glavnih razlogov, zakaj imajo učinkovitost zelenih onesnaževalcev nizko učinkovitost (â EUR green gapâ EUR). V naši nedavni raziskavi smo prvič ugotovili, da je razgradnja InGaN posledica razpršenosti točk zaradi seva. Da bi razumeli ta pojav, načrtujemo številne poskuse spreminjanja parametrov rasti (doping, tokovi reaktantov, pritisk, temperatura itd.) pri epitaksijski rasti, kot tudi teoretično modeliranje točkovne napake in difuzije indija. Vzorci se pregledajo s številnimi tehnikami v sodelovanju z drugimi laboratoriji. Zato bi morali najti način, da se izognemo razgradnji InGaN v LED in LD. (Slovenian)
13 August 2022
0 references
В проекта ще обясним ролята на точковите дефекти (основно свободните работни места и водородната чистота) в разлагането на квантовите кладенци на InGaN. Това разлагане се случва по време на растежа на p-тип GaN над тези кладенци в светодиоди и лазерни диоди (LDs), излъчващи в син/зелен спектрален диапазон, и е една от основните причини, поради които ефективността на зелени излъчватели имат ниска ефективност (â EURgreen gapâ EUR). В последните ни изследвания, за първи път получихме индикации, че разлагането на InGaN е причинено от щамова дифузия на точкови дефекти. За да разберем това явление, планираме да направим редица експерименти за промяна на параметрите на растежа (допинг, потоци от реагенти, налягане, температура и т.н.) в епитаксиалния растеж, както и да направим теоретично моделиране на точков дефект и дифузия на индий. Пробите ще бъдат изследвани, като се използват редица техники в сътрудничество с други лаборатории. В резултат на това трябва да намерим начин да избегнем разлагането на InGaN в светодиоди и LDs. (Bulgarian)
13 August 2022
0 references
Fil-Proġett, aħna se tispjega r-rwol ta ‘difetti punt (prinċipalment Ga postijiet vakanti u Impurità idroġenu) fid-dekompożizzjoni ta’ bjar quantum InGaN. Din id-dekompożizzjoni sseħħ matul it-tkabbir ta ‘p tat-tip GaN hawn fuq dawn il-bjar fl-LEDs u diodes laser (LDs) li jarmu fil-firxa spettrali blu/aħdar, u hija waħda mir-raġunijiet ewlenin għaliex l-effiċjenzi ta’ emittenti ħodor għandhom effiċjenzi baxxi (EUR EUR aħdar gapâ EUR). Fir-riċerka reċenti tagħna, sirna għall-ewwel darba indikazzjonijiet li l-dekompożizzjoni InGaN hija kkawżata minn tensjoni mmexxija diffużjoni ta ‘difetti punt. Biex nifhmu dan il-fenomenu, qed nippjanaw li nagħmlu numru ta ‘esperimenti li qed jinbidlu parametri ta’ tkabbir (doping, flussi ta ‘activeants, pressjoni, temperatura, eċċ) fit-tkabbir epitassjali, kif ukoll biex jagħmlu l-immudellar teoretiku ta ‘difett punt u diffużjoni indium. Il-kampjuni se jiġu eżaminati bl-użu ta’ għadd ta’ tekniki b’kollaborazzjoni ma’ laboratorji oħra. Bħala riżultat, għandna nsibu l-mod ta ‘evitar tal-dekompożizzjoni InGaN fl-LEDs u LDs. (Maltese)
13 August 2022
0 references
No Projeto, explicaremos o papel dos defeitos pontuais (principalmente vagas de Ga e Impureza de hidrogênio) na decomposição de poços quânticos InGaN. Esta decomposição ocorre durante o crescimento de P-tipo GaN acima destes poços em LEDs e diodos laser (LDs) que emitem na faixa espetral azul/verde, e é uma das principais razões pelas quais as eficiências dos emissores verdes têm baixas eficiências (âEURgreen gapâEUR). Em nossa pesquisa recente, obtivemos pela primeira vez indicações de que a decomposição do InGaN é causada pela difusão de defeitos pontuais. Para entender esse fenômeno, estamos planejando fazer uma série de experimentos alterando parâmetros de crescimento (doping, fluxos de reagentes, pressão, temperatura, etc) no crescimento epitaxial, bem como para fazer modelagem teórica de defeito de ponto e difusão de índio. As amostras serão examinadas usando uma série de técnicas em colaboração com outros laboratórios. Como resultado, devemos encontrar a maneira de evitar a decomposição InGaN em LEDs e LDs. (Portuguese)
13 August 2022
0 references
I projektet vil vi forklare betydningen af punktfejl (hovedsagelig Ga ledige stillinger og brint urenhed) i nedbrydningen af InGaN kvantebrønde. Denne nedbrydning sker under vækst af p-type GaN over disse brønde i LED'er og laserdioder (LD'er), der udsender i blåt/grønt spektralområde, og er en af hovedårsagerne til, at effektiviteten af grønne udledere har lav effektivitet (âEURgreen gap). I vores seneste forskning fik vi for første gang tegn på, at InGaN-nedbrydningen er forårsaget af stammedrevet diffusion af punktfejl. For at forstå dette fænomen planlægger vi at lave en række eksperimenter, der ændrer vækstparametre (doping, strømme af reaktanter, tryk, temperatur osv.) i epitaksial vækst, samt at lave teoretisk modellering af punktdefekt og indiumdiffusion. Prøverne vil blive undersøgt ved hjælp af en række teknikker i samarbejde med andre laboratorier. Som et resultat, vi bør finde den måde at undgå InGaN nedbrydning i lysdioder og LD'er. (Danish)
13 August 2022
0 references
În cadrul proiectului, vom explica rolul defectelor punctuale (în principal Ga vacante și Impuritatea hidrogenului) în descompunerea puțurilor cuantice InGaN. Această descompunere are loc în timpul creșterii de tip p GaN deasupra acestor puțuri în LED-uri și diode laser (LD-uri) care emit în gama spectrală albastru/verde, și este unul dintre principalele motive pentru care eficiența emițătorilor verzi au eficiență scăzută (â EUR gapâ EUR). În cercetările noastre recente, am primit pentru prima dată indicii că descompunerea InGaN este cauzată de răspândirea defectelor punctului. Pentru a înțelege acest fenomen, intenționăm să facem o serie de experimente de schimbare a parametrilor de creștere (doping, fluxuri de reactanți, presiune, temperatură etc.) în creșterea epitaxială, precum și să facem modelarea teoretică a defectului punct și difuziei indiu. Probele vor fi examinate folosind o serie de tehnici în colaborare cu alte laboratoare. Ca urmare, ar trebui să găsim calea de a evita descompunerea InGaN în LED-uri și LD-uri. (Romanian)
13 August 2022
0 references
I projektet kommer vi att förklara rollen av punktfel (främst Ga vakanser och väteförorening) i nedbrytningen av InGaN kvantbrunnar. Denna nedbrytning sker under tillväxt av p-typ GaN ovanför dessa brunnar i lysdioder och laserdioder (LD) som avger i blått/grönt spektralområde, och är en av de främsta orsakerna till att effektiviteten hos gröna utsläppare har låg effektivitet (â EUR green gapâ EUR). I vår senaste forskning fick vi för första gången indikationer på att InGaN-nedbrytningen orsakas av stamdriven diffusion av punktdefekter. För att förstå detta fenomen planerar vi att göra ett antal experiment som förändrar tillväxtparametrar (dopning, flöden av reaktanter, tryck, temperatur, etc) i epitaxiell tillväxt, samt att göra teoretisk modellering av punktdefekt och indium diffusion. Proverna kommer att undersökas med hjälp av ett antal tekniker i samarbete med andra laboratorier. Som ett resultat bör vi hitta sättet att undvika InGaN sönderdelning i lysdioder och LD. (Swedish)
13 August 2022
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-3C81/16
0 references