Innovative materials for advanced e-nose sensors (electronic nose) and e-language (electronic language) applied to the environment (Q3696866)
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Project Q3696866 in France
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Innovative materials for advanced e-nose sensors (electronic nose) and e-language (electronic language) applied to the environment |
Project Q3696866 in France |
Statements
190,466.76 Euro
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476,166.9 Euro
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40.0 percent
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1 September 2015
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31 December 2017
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GEORGIA TECH LORRAINE
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Ce projet a pour objectif la création d'un nouveau type de nez électronique et de langue électronique, basée sur des capteurs nanométriques à grande surface d’interaction, nano-HEMT (transistor à électrons à haute mobilité), qui est basé à son tour sur la croissance à l’échelle nanométrique des matériaux nitrures, réalisée par l’équipe de Georgia Tech Lorraine (dans le cadre de l’UMI) et sur la fonctionnalisation de la surface du capteur effectuée par l’équipe de LIST. (French)
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This project aims to create a new type of electronic nose and electronic language, based on large-area nano-interaction sensors, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), which in turn is based on nanoscale growth of nitrides materials, carried out by the team of Georgia Tech Lorraine (as part of the UMI) and on the functionalisation of the sensor surface carried out by the LIST team. (English)
22 November 2021
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Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines neuen Typs elektronischer Nase und elektronischer Sprache, der auf Nanometer-Sensoren mit großer Interaktionsfläche, Nano-HEMT (hochbeweglicher Elektronentransistor) basiert, der wiederum auf dem nanometrischen Wachstum von Nitridmaterialien basiert, das vom Team von Georgia Tech Lorraine (im Rahmen der UMI) durchgeführt wurde, und auf der Funktionalisierung der Sensoroberfläche durch das LIST-Team. (German)
1 December 2021
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Dit project heeft tot doel een nieuw type elektronische neus en elektronische taal te creëren, gebaseerd op nano-interactiesensoren op grote schaal, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), die op zijn beurt gebaseerd is op nanoschaalgroei van nitridesmaterialen, uitgevoerd door het team van Georgia Tech Lorraine (als onderdeel van de UMI) en op de functionalisatie van het sensoroppervlak door het LIST-team. (Dutch)
6 December 2021
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Identifiers
LO0007545
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