LNSM – Laboratory of spintronics (Q19853)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q19853 in Czech Republic
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | LNSM – Laboratory of spintronics |
Project Q19853 in Czech Republic |
Statements
31,009,099.57 Czech koruna
0 references
43,460,546.0 Czech koruna
0 references
71.35 percent
0 references
1 April 2017
0 references
31 March 2021
0 references
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
0 references
50°8'4.56"N, 14°28'0.44"E
0 references
18200
0 references
Projekt usiluje o rozvinutí antiferomagnetické (AFM) spintroniky jakožto nového oboru elektroniky založeného na spinu v AFM materiálech. Je zaměřen na vytvoření materiálové základny tohoto oboru a na vývoj příslušné teorie. Experimentálním cílem je identifikace a demonstrace principů umožňujících efektivní detekci a manipulaci AFM spinů a využití AFM struktur např. jako nevolatilních ultrarychlých pamětí odolných vůči ionizujícímu záření a magnetickým polím, vhodných pro vysokou integraci. a. (Czech)
0 references
The project aims to develop antiferromagnetic (AFM) spintronics as a new field of spin-based electronics in AFM materials. It is aimed at creating a material base of this field and on the development of the relevant theory. The experimental goal is to identify and demonstrate principles enabling effective detection and manipulation of AFM spins and the use of AFM structures such as non-volatile ultra-fast memories resistant to ionising radiation and magnetic fields, suitable for high integration. a. (English)
22 October 2020
0 references
Le projet vise à développer la spintronique antiferromagnétique (AFM) comme un nouveau champ d’électronique basé sur la rotation dans les matériaux AFM. Il est axé sur la création de la base matérielle de ce domaine et sur le développement de la théorie pertinente. L’objectif expérimental est l’identification et la démonstration de principes permettant une détection et une manipulation efficaces des spins AFM et l’utilisation de structures AFM, par exemple comme mémoire ultra-rapide non volatile résistante aux rayonnements ionisants et aux champs magnétiques, adaptée à une intégration élevée. (French)
28 November 2021
0 references
Identifiers
CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_013/0001405
0 references