Immermargin high temperature infrared detector (Q84036)
Jump to navigation
Jump to search
Project in Poland financed by DG Regio
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Immermargin high temperature infrared detector |
Project in Poland financed by DG Regio |
Statements
1,693,929.38 zloty
0 references
2,079,318.75 zloty
0 references
81.47 percent
0 references
2 January 2017
0 references
31 December 2018
0 references
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA
0 references
Proponowany projekt badawczy jest kontynuacją badań prowadzonych w Zakładzie Fizyki Ciała Stałego WAT we współpracy z firmą VIGO System w zakresie konstrukcji detektorów podczerwieni pracujących w temperaturach bliskich temperaturze pokojowej o znacznie lepszych parametrach detekcyjnych, podwyższonej niezawodności i odporności na narażenia środowiskowe, i co najważniejsze niższych kosztach produkcji. Ciągle dominującym materiałem stosowanym do konstrukcji wysokotemperaturowych detektorów podczerwieni jest HgCdTe. Niemniej jednak, obecnie obowiązująca dyrektywa Unii Europejskiej wymusza wyeliminowanie związków rtęci w produkcji przemysłowej. Nie jest ona jednak w pełni egzekwowana ze względu na dominującą pozycję HgCdTe jako materiału strategicznego do produkcji detektorów podczerwieni, jak również ze względu na brak materiału alternatywnego. Ostatnie badania pokazują, że InAsSb jest materiałem o parametrach porównywalnych do HgCdTe, jednocześnie bardziej stabilnym technologicznie. Detektory z InAsSb będzie można stosować tam, gdzie konieczne jest zapewnienie m.in. wyższej odporności na trudne warunki eksploatacyjne i wysokiej jednorodności parametrów detektorów wieloelementowych. Biorąc powyższe pod uwagę, głównym celem projektu jest poznanie zjawisk fotoelektrycznych towarzyszących detekcji promieniowania w strukturach z InAsSb otrzymywanych metodą MBE oraz przeprowadzenie prac badawczych w zakresie określenia konstrukcji i opracowania technologii wytwarzania na ich bazie immersyjnych detektorów średniofalowego promieniowania podczerwonego osiągających wykrywalność bliską fundamentalnych granic oraz charakteryzujących niezawodnością i odpornością na narażenia środowiskowe. Wierzymy, że podjęte prace badawcze przyczynią się do utrzymania rozpoznawalnej na świecie pozycji naszej grupy w d (Polish)
0 references
The proposed research project is a continuation of research carried out at the Department of Permanent Body Physics WAT in cooperation with VIGO System in the field of construction of infrared detectors operating at temperatures close to room temperature with much better detection parameters, increased reliability and resistance to environmental exposure, and, most importantly, lower production costs. HgCdTe is still the dominant material used for the construction of high-temperature infrared detectors. However, the current European Union Directive requires the elimination of mercury compounds in industrial production. However, it is not fully enforced due to HgCdTe’s dominant position as a strategic material for the production of infrared detectors, as well as the lack of alternative material. Recent studies have shown that InAsSb is a material with parameters comparable to HgCdTe, at the same time more technologically stable. InAsSb detectors can be used where it is necessary to ensure, inter alia, higher resistance to difficult operating conditions and high homogeneity of multi-element detector parameters. Taking this into account, the main objective of the project is to explore the photoelectric phenomena associated with the detection of radiation in the structures of InAsSb obtained by the MBE method, and to carry out research on the design and development of technologies based on their immersive infrared medium-wave detectors achieving detection close to fundamental limits and characterised by reliability and resistance to environmental exposures. We believe that the research undertaken will contribute to maintaining the world’s recognizable position of our group in d (English)
14 October 2020
0 references
Identifiers
POIR.04.01.04-00-0027/16
0 references