Power electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power (Q78761)

From EU Knowledge Graph
Revision as of 10:24, 14 October 2020 by DG Regio (talk | contribs) (‎Removed claim: summary (P836): A rapidly developing semiconductor process of silicon carbide (SiC) technology provides elements with an increasing pressure of voltage and rating.At present it is possible to build power electronic systems in the order of several hundred kW in the order of several hundred kW with the use of 1200V and 1700V breakthrough power diodes on the market.These elements are part of the power modules whose technology is similar to that of IGBT and has s...)
Jump to navigation Jump to search
Project in Poland financed by DG Regio
Language Label Description Also known as
English
Power electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power
Project in Poland financed by DG Regio

    Statements

    country
    Poland
    0 references
    EU contribution
    2,102,287.62 zloty
    0 references
    504,549.03 Euro
    exchange rate to Euro
    0.24 Euro
    point in time
    13 January 2020
    0 references
    budget
    2,849,316.73 zloty
    0 references
    683,836.02 Euro
    exchange rate to Euro
    0.24 Euro
    point in time
    13 January 2020
    0 references
    co-financing rate
    73.78 percent
    0 references
    start time
    1 June 2016
    0 references
    end time
    30 April 2018
    0 references
    beneficiary name (string)
    MARKEL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ
    0 references
    beneficiary
    Q2510648
    0 references
    coordinate location

    52°4'28.9"N, 21°1'37.6"E
    0 references
    summary
    Rozwijająca się w szybkim tempie technologia półprzewodnikowych przyrządów mocy z węglika krzemu (SiC) dostarcza elementów o coraz to wyższych napięciach i prądach znamionowych. Obecnie możliwe jest budowanie układów energoelektronicznych na moce rzędu kilkudziesięciu-kilkuset kW przy użyciu dostępnych na rynku tranzystorów i diod mocy o napięciach przebicia 1200V i 1700V. Elementy te wchodzą w skład modułów mocy, których technologia jest analogiczna z tą stosowaną w przypadku krzemowych tranzystorów IGBT i cechuje się znaczącymi indukcyjnościami pasożytniczymi. Dlatego obecnie nie jest możliwe pełne wykorzystanie doskonałych właściwości dynamicznych elementów SiC, konieczne jest pojawienie się na rynku niskoimpedancyjnych modułów mocy przeznaczonych dla elementów SiC. Ponadto niezbędne jest także opracowanie odpowiednich sterowników bramkowych, obwodów mocy, także o niskiej indukcyjności a także właściwych systemów chłodzenia. Dlatego celem projektu jest opracowanie i wdrożenie do produkcji uniwersalnego energoelektronicznego bloku funkcjonalnego/ funkcjonalnego bloku mocy (FBM), który jest podzespołem standardowych układów energoelektronicznych (falownik mostkowy, falownik trójfazowy, falownik wielopoziomowy) na bazie niskoimpedancyjnych modułów mocy. W ten sposób opracowany blok funkcjonalny będzie mógł być użyty to prostego rozwinięcia w pełny układ energoelektroniczny w zależności od potrzeb klienta w danej aplikacji. Art. 25 rozporządzenia KE nr 651/2014 z dnia 17 czerwca 2014 r. uznające niektóre rodzaje pomocy za zgodne z rynkiem wewnętrznym w stosowaniu art. 107 i 108 Traktatu (Dz. Urz. UE L 187/1 z 26.06.2014) (Polish)
    0 references

    Identifiers

    Polish Kohesio ID
    POIR.01.01.01-00-1865/15
    0 references
     
    Retrieved from "https://linkedopendata.eu/w/index.php?title=Item:Q78761&oldid=6325612"