MOSFET 3D ARCHITECTURE MADE IN-SITU BY MPCVD FOR POWER ELECTRONICS (Q3138864)
Jump to navigation
Jump to search
Project Q3138864 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | MOSFET 3D ARCHITECTURE MADE IN-SITU BY MPCVD FOR POWER ELECTRONICS |
Project Q3138864 in Spain |
Statements
125,746.1 Euro
0 references
156,090.0 Euro
0 references
80.56 percent
0 references
1 January 2018
0 references
30 September 2021
0 references
UNIVERSIDAD DE CADIZ
0 references
11510
0 references
EL GRUPO DE LA UNIVERSIDAD DE CADIZ TENDRA SU ACTIVIDAD ORIENTADA EN TRES DIRECCIONES: (I) CRECIMIENTO MPCVD, (II) CARACTERIZACION MEDIANTE TEM, CL, TECNICAS OPTICAS (RAMAN, FTIR, ATR, ELIPSOMETRIA) Y MEDIDAS ELECTRICAS (I/V, C/V, HALL) Y FINALMENTE (III) UNA PEQUEÑA ACTIVIDAD RELACIONADA CON LOS TRATAMIENTO DE TERMINACION DEL DIAMANTE (HIDROGENACION, OXIGENACION, ETC¿)._x000D_ LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO MEDIANTE MPCVD PARA ALCANZAR UN CRECIMIENTO SELECTIVO, ES DECIR EL CRECIMIENTO TANTO EN LA DIRECCION [001] COMO EN LAS DIRECCIONES [010] Y [100], REQUIEREN LA DETERMINACION PRECISA TANTO DE LA PROPORCION DE METANO/HIDROGENO EN EL GAS COMO DE LAS CONDICIONES QUE PERMITEN ALCANZAR UN OPTIMO NIVEL DE DOPADO. EN EL MARCO DE UNA TESIS REALIZADA EN LA UNIVERSIDAD DE CADIZ (UCA) Y FINALIZADA EN 2017, SE HA DESARROLLADO UN METODO (DEPOSICION EN CURSO DE UNA PATENTE) QUE PERMITE CONTROLAR LA DIRECCION CRECIMIENTO HOMOEPITAXIAL: VERTICAL (001) O LATERAL (010) Y (100). PARTIENDO DE ESTOS RESULTADOS, SE DESARROLLA LA IDEA DE UNA NUEVA ARQUITECTURA MOSFET QUE UTLIZA EL CRECIMIENTO LATERAL DE DIAMANTE PARA OBTENER, IN-SITU DE LA MPCVD, UNA ESTRUCTURA 3D. LA PRINCIPAL VENTAJA DE ESTA ARQUITECTURA ES TENER UN CANAL DE PUERTA HORIZONTAL DONDE LA INTERCARA CON EL OXIDO DE PUERTA ESTE BIEN CONTROLADO Y REQUIERA UNICAMENTE EL ATAQUE VERTICAL. ESTO ULTIMO REDUCE Y SIMPLIFICA LAS ETAPAS LITOGRAFICAS QUE ES UNO DE LOS PRINCIPALES CUELLO DE BOTELLA PARA LA FABRICACION DE MOSFETS DE POTENCIA BASADOS EN DIAMANTE._x000D_ EN LA UCA SE CRECERAN LAS ESTRUCTURAS HOMOEPITAXIALES TANTO EN MODO PLANAR QUE LATERAL. SE CARACTERIZARAN MEDIANTE CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPADO, TRANSPORTE DE MINORITARIO, DEFECTOS PUNTUALES,¿), TEM (ESTRUCTURA, EXTENSION/ESPESOR DE CAPA, DEFECTOS, ¿), HALL (MOVILIDAD), ATR Y AFM PARA LUEGO TENER UNA RETROALIMENTACION SOBRE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO Y SOBRE LAS SIMULACIONES DE ELEMENTO FINITO QUE PREDICEN LOS CAMPOS ELECTRICOS EN LA ESTRUCTURA DEL MOSFET (CALCULOS REALOIZADOS EN EL SUBPROYECTO 2, CNM-BELLATERRA). LA UCA EJERCERA DE SUMINISTRADOR DE ESTRUCTURAS HOMOEPITAXIADAS PARA EL CNM-BELLATERRA QUE REALIZARA, CON UN CONTROL ADECUADO DE LOS PASOS TECNOLOGICOS, LAS ESTRUCTURAS TEST Y EL DISPOSITIVO MOSFET. UNA RETROALIMENTACION PERMITIRA REAJUSTAR EL DISEÑO (NIVELES DE DOPADO, ESPESORES/EXTENSION DE CAPAS, ETC¿.). (Spanish)
0 references
THE GROUP OF THE UNIVERSITY OF CADIZ WILL HAVE ITS ACTIVITY ORIENTED IN THREE DIRECTIONS: (I) MPCVD GROWTH, (II) CHARACTERIZATION USING TEM, CL, OPTICAL TECHNIQUES AND ELECTRICAL MEASUREMENTS AND FINALLY (III) A SMALL ACTIVITY RELATED TO THE DIAMOND-TERMINATION TREATMENTS (HYDROGENATION, OXYGENATION, ETC ...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS BY MPCVD TO ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, I.E. EITHER GROWTH IN DIRECTION [001] OR IN DIRECTIONS [010] AND [100], REQUIRE THE PRECISE DETERMINATION OF THE METHANE / HYDROGEN RATIO IN THE GAS, AS WELL AS THE CONDITIONS THAT ALLOW AN OPTIMAL LEVEL OF DOPING. IN THE FRAMEWORK OF A THESIS CARRIED OUT AT THE UNIVERSITY OF CADIZ (UCA), A METHOD HAS BEEN DEVELOPED (WITH PATENT DEPOSITION) THAT ALLOWS TO CONTROL THE HOMOEPITAXIAL GROWTH DIRECTION: VERTICAL (001) OR LATERAL (010) AND (100). THESE RESULTS BOOST THE IDEA OF A NEW MOSFET ARCHITECTURE BASED ON THE NEWLY DEVELOPED DIAMOND LATERAL/SELECTIVE GROWTH (PATENTED DEPOSITION IN PROGRESS). THE MAIN ADVANTAGE OF THIS ARCHITECTURE IS TO HAVE A HORIZONTAL ORIENTED CHANNEL WHERE THE INTERFACE WITH THE OXIDE IS WELL CONTROLLED AND REQUIRES ONLY VERTICAL ETCHINGS. THE LATTER REDUCES AND SIMPLIFIES THE LITHOGRAPHIC STAGES WHICH IS THE MAIN BOTTLENECK FOR THE MANUFACTURE OF DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ IN THE UCA WILL GROW THE HOMOEPITAXIAL STRUCTURES IN BOTH PLANAR AND LATERAL MODE. THEY WILL BE CHARACTERIZED BY CATHODOLUMINISCENCE / EBIC (DOPING, MINORITY TRANSPORT, POINT DEFECTS, ...), TEM (STRUCTURE, EXTENSION / LAYER THICKNESS, DEFECTS, ...), HALL (MOBILITY), ATR Y AFM TO LATER HAVE A FEEDBACK ON THE CONDITIONS OF GROWTH AND ON THE FINITE ELEMENT SIMULATIONS THAT PREDICT THE ELECTRIC FIELDS IN THE MOSFET STRUCTURE (CALCULATIONS ACHIEVED IN SUBPROJECT 2, CNM-BELLATERRA). THE UCA WILL BE THE SUPPLIER OF THE HOMOEPITAXIAL STRUCTURES FOR THE CNM-BELLATERRA THAT WILL FURTHER CARRY OUT, WITH ADEQUATE CONTROL OF THE TECHNOLOGICAL STEPS, THE TEST STRUCTURES AND THE MOSFET DEVICE. A FEEDBACK WILL ALLOW TO READJUST THE DESIGN (DOPING LEVELS, THICKNESSES / LAYERS EXTENSION, ETC ...). (English)
0.2666431016641874
0 references
LE GROUPE DE L’UNIVERSITÉ DE CADIZ AURA SES ACTIVITÉS DANS TROIS DIRECTIONS: (I) DÉVELOPPEMENT DES MEVAUX, (II) MATIÈRE DE CHARACTERISATION MATIÈRE, CL, Technique OPTICALE (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) ET MESURES Électriques (I/V, C/V, HALL) ET FINALENT (III) Une petite ACTIVITÉ RELÉE AVEC LA TERMINATION DE DIAMINATION (HIDROGENACION, oxygénation, ETC)._x000D_ Medient GROWTH CONDITIONS MPCVD pour réaliser une GRANDE SELECTIVE, est de DÉCÉCTION LES QUESTIONS EN DISCTION [001] DANS LES DIRECCIONS [010] ET [100], elles exigent la DÉTERMINATION PRIX DE METANO/HYDROGEN disposition DANS LE GAS AS CONDITIONS permettant un NIVEAU POTIMO DE Dopage. DANS LE CADRE D’UNE THÈSE RÉALISÉE À L’UNIVERSITÉ DE CADIX (UCA) ET ACHEVÉE EN 2017, UNE MÉTHODE (DÉPÔT EN COURS D’UN BREVET) A ÉTÉ DÉVELOPPÉE POUR CONTRÔLER LA DIRECTION DE LA CROISSANCE HOMOEPITAXIE: VERTICALE (001) OU LATÉRALE (010) ET (100). SUR LA BASE DE CES RÉSULTATS, NOUS DÉVELOPPONS L’IDÉE D’UNE NOUVELLE ARCHITECTURE MOSFET QUI UTILISE LA CROISSANCE LATÉRALE DU DIAMANT POUR OBTENIR, IN SITU À PARTIR DU MPCVD, UNE STRUCTURE 3D. LE PRINCIPAL AVANTAGE DE CETTE ARCHITECTURE EST D’AVOIR UN CANAL DE PORTE HORIZONTAL OÙ IL S’INTERFACE AVEC L’OXYDE DE PORTE EST BIEN CONTRÔLÉ ET NE NÉCESSITE QUE DES ATTAQUES VERTICALES. Ce REDUCE ULTIME et simplificatif LYTOGRAPHIQUE ETAPAS EST UN DES PRINCIPES DE BOTELLA COMPLET POUR LA FABRICATION DES MOSFETS POTENTS BASED EN DIAMANTE._x000D_ dans l’UCA développera des STRUCTURES HOMOÉPITAXELLES dès que possible. ILS SERONT CARACTÉRISÉS PAR CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPAGE, TRANSPORT MINORITAIRE, DÉFAUTS DE POINTS), TEM (STRUCTURE, EXTENSION/ÉPAISSEUR DE COUCHE, DÉFAUTS), HALL (MOBILITÉ), ATR ET AFM POUR ENSUITE AVOIR UNE RÉTROACTION SUR LES CONDITIONS DE CROISSANCE ET SUR LES SIMULATIONS D’ÉLÉMENTS FINIS QUI PRÉDISENT LES CHAMPS ÉLECTRIQUES DANS LA STRUCTURE MOSFET (CALCULS REALOISÉS DANS LE SOUS-PROJET 2, CNM-BELLATERRA). L’UCA AGIRA EN TANT QUE FOURNISSEUR DE STRUCTURES HOMOEPITAXIADAS POUR QUE LE CNM-BELLATERRA EXÉCUTE, AVEC UN CONTRÔLE ADÉQUAT DES ÉTAPES TECHNOLOGIQUES, LES STRUCTURES D’ESSAI ET LE DISPOSITIF MOSFET. UN RETOUR D’INFORMATION PERMETTRA DE RÉAJUSTER LA CONCEPTION (NIVEAUX DE DOPAGE, ÉPAISSEURS/EXTENSION DE COUCHE, ETC.). (French)
2 December 2021
0 references
DIE GRUPPE DER CADIZ UNIVERSITY WIRD IHRE TÄTIGKEIT IN DREI RICHTUNGEN RICHTEN: (I) GROWING MPCVD, (II) Mediant CHARACTERISATION TEM, CL, OPTICAL Technicals (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) UND Electrial MEASURES (I/V, C/V, HALL) UND FINALENT (III) Eine kleine AKTIVITÄT, die mit der DIAMINATION TERMINATION (HIDROGENACION), Oxidation, ETC)._x000D_ Medient GROWTH CONDITIONS MPCVD zur Erreichung eines SELECTIVE GROWTH, ist es, die QUESTIONEN IN DIRECCIONS [001] AS IN DIRECCIONS [010] UND [100] zu entschärfen. IM RAHMEN EINER DISSERTATION, DIE AN DER UNIVERSITÄT CADIZ (UCA) DURCHGEFÜHRT UND IM JAHR 2017 ABGESCHLOSSEN WURDE, WURDE EINE METHODE (LAUFENDE HINTERLEGUNG EINES PATENTS) ENTWICKELT, UM DIE RICHTUNG DES HOMOEPITAXIAL-WACHSTUMS ZU STEUERN: VERTIKAL (001) ODER SEITLICH (010) UND (100). BASIEREND AUF DIESEN ERGEBNISSEN ENTWICKELN WIR DIE IDEE EINER NEUEN MOSFET-ARCHITEKTUR, DIE DAS SEITLICHE WACHSTUM VON DIAMANTEN NUTZT, UM IN-SITU AUS DEM MPCVD EINE 3D-STRUKTUR ZU ERHALTEN. DER HAUPTVORTEIL DIESER ARCHITEKTUR BESTEHT DARIN, EINEN HORIZONTALEN TÜRKANAL ZU HABEN, WO ER MIT DEM TÜROXID GUT GESTEUERT IST UND NUR VERTIKALE ANGRIFFE ERFORDERT. Diese ULTIME REDUCE und vereinfachte die LYTOGRAPHIC etapas, dass es eine der PRINCIPLES DER BOTELLA FULL für die FABRICATION der POTENT MOSFETS BASED IN DIAMANTE ist._x000D_ in der UCA wird HOMOEPITAXIAL STRUCTURES so schnell wie möglich wachsen. SIE ZEICHNEN SICH DURCH CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPING, MINOR TRANSPORT, PUNKTDEFEKTE), TEM (STRUKTUR, ERWEITERUNG/LAYERDICKE, DEFEKTE), HALLE (MOBILITÄT), ATR UND AFM AUS, UM DANN EIN FEEDBACK ZU DEN WACHSTUMSBEDINGUNGEN UND ZU DEN ENDLICHEN ELEMENTSSIMULATIONEN ZU ERHALTEN, DIE DIE ELEKTRISCHEN FELDER IN DER MOSFET-STRUKTUR VORHERSAGEN (BERECHNUNGEN REALOISED IM TEILPROJEKT 2, CNM-BELLATERRA). DIE UCA WIRD ALS LIEFERANT VON HOMOEPITAXIADAS-STRUKTUREN FÜR DIE CNM-BELLATERRA TÄTIG SEIN, UM MIT ANGEMESSENER KONTROLLE DER TECHNOLOGISCHEN SCHRITTE, DER TESTSTRUKTUREN UND DES MOSFET-GERÄTS ZU ARBEITEN. EIN FEEDBACK ERMÖGLICHT DIE ANPASSUNG DES DESIGNS (DOPINGPEGEL, DICKEN/LAYERVERLÄNGERUNG USW.). (German)
9 December 2021
0 references
DE CADIZ UNIVERSITY GROEP ZAL HAAR ACTIVITEIT GERICHT HEBBEN IN DRIE RICHTINGEN: (I) GROWING MPCVD, (II) mediant CHARACTERISATIE TEM, CL, OPTICAL technicals (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) EN ELECTIËLE MEASURES (I/V, C/V, HALL) EN FINALENT (III) Een kleine ACTIVITEIT MET DIAMINATION TERMINATION (HIDROGENACION, Oxygenation, ETC)._x000D_ Medient GROWTH CONDITIONS MPCVD om een SELECTIVE GROWTH te bereiken, is om de Vragen in direcction [001] AS IN DIRECCIONS [010] EN [100] te VERWIJZEN DE PRIJSDE DETERMINATION VAN Metano/HYDROGEN-bepaling in de GAS AS CONDITIONS die een POTIMO LEVEL van Doping toestaan. IN HET KADER VAN EEN PROEFSCHRIFT UITGEVOERD AAN DE UNIVERSITEIT VAN CADIZ (UCA) EN VOLTOOID IN 2017, IS EEN METHODE (LOPENDE STORTING VAN EEN OCTROOI) ONTWIKKELD OM DE RICHTING VAN HOMOEPITAXIAL GROEI TE CONTROLEREN: VERTICAAL (001) OF LATERAAL (010) EN (100). OP BASIS VAN DEZE RESULTATEN ONTWIKKELEN WE HET IDEE VAN EEN NIEUWE MOSFET-ARCHITECTUUR DIE DE LATERALE GROEI VAN DIAMANT GEBRUIKT OM IN-SITU VAN DE MPCVD EEN 3D-STRUCTUUR TE VERKRIJGEN. HET BELANGRIJKSTE VOORDEEL VAN DEZE ARCHITECTUUR IS OM EEN HORIZONTAAL DEURKANAAL WAAR HET INTERFACES MET DE DEUR OXIDE IS GOED GECONTROLEERD EN VEREIST ALLEEN VERTICALE AANVAL. Deze ULTIME REDUCE EN simplifical de LYTOGRAPHIC etapas DAT IS ONE VAN DE PRINCIPLES VAN BOTELLA FULL VOOR DE FABRICATIE VAN POTENTIE MOSFETS BASED IN DIAMANTE._x000D_ in de UCA zal zo spoedig mogelijk HOMOEPITAXIAL STRUCTURES groeien. ZE ZULLEN WORDEN GEKENMERKT DOOR CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPING, MINDERHEIDSVERVOER, PUNTAFWIJKINGEN), TEM (STRUCTUUR, UITBREIDING/LAAGDIKTE, DEFECTEN), HAL (MOBILITEIT), ATR EN AFM OM VERVOLGENS FEEDBACK TE KRIJGEN OVER DE GROEIOMSTANDIGHEDEN EN OVER DE EINDIGE ELEMENTSIMULATIES DIE DE ELEKTRISCHE VELDEN IN DE MOSFET-STRUCTUUR VOORSPELLEN (BEREKENINGEN DIE IN SUBPROJECT 2, CNM-BELLATERRA, WORDEN UITGEVOERD). DE UCA ZAL OPTREDEN ALS LEVERANCIER VAN HOMOEPITAXIADAS STRUCTUREN VOOR DE CNM-BELLATERRA OM, MET ADEQUATE CONTROLE VAN DE TECHNOLOGISCHE STAPPEN, DE TESTSTRUCTUREN EN HET MOSFET-APPARAAT UIT TE VOEREN. EEN FEEDBACK ZAL HET MOGELIJK MAKEN OM HET ONTWERP (DOPING NIVEAUS, DIKTES/LAAGVERLENGING, ENZ.) BIJ TE STELLEN. (Dutch)
17 December 2021
0 references
IL GRUPPO DELL'UNIVERSITÀ DI CADICE AVRÀ LA SUA ATTIVITÀ ORIENTATA IN TRE DIREZIONI: (I) GROWING MPCVD, (II) CARATTERISATION TEM, CL, OPTICAL technicals (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) and Electrial MEASURES (I/V, C/V, HALL) E FINALENT (III) Una piccola attività RELATED CON TERMINAZIONE DIAMINAZIONE (HIDROGENACION, L'ossigenazione, ETC)._x000D_ CONDIZIONI Medient GROWTH MPCVD per raggiungere una GROWTH SELECTIVE, è a DECECTIONE LE QUESTIONI IN DIRETTAZIONE [001] COME DIRECCONI [010] E [100], richiedono il PREZZO DETERMINAZIONE DEL Metano/HYDROGEN disposizione NEL GAS come CONDIZIONI che permettono un POTIMO LEVEL DI Doping. NELL'AMBITO DI UNA TESI CONDOTTA PRESSO L'UNIVERSITÀ DI CADICE (UCA) E COMPLETATA NEL 2017, È STATO SVILUPPATO UN METODO (DEPOSITO IN CORSO DI BREVETTO) PER CONTROLLARE LA DIREZIONE DELLA CRESCITA DI HOMOEPITAXIAL: VERTICALE (001) O LATERALE (010) E (100). SULLA BASE DI QUESTI RISULTATI, SVILUPPIAMO L'IDEA DI UNA NUOVA ARCHITETTURA MOSFET CHE UTILIZZA LA CRESCITA LATERALE DEL DIAMANTE PER OTTENERE, IN SITU DALL'MPCVD, UNA STRUTTURA 3D. IL VANTAGGIO PRINCIPALE DI QUESTA ARCHITETTURA È QUELLO DI AVERE UN CANALE PORTA ORIZZONTALE DOVE SI INTERFACCIA CON L'OSSIDO DELLA PORTA È BEN CONTROLLATO E RICHIEDE SOLO ATTACCO VERTICALE. Questo REDUCE ULTIME E Semplifical LYTOGRAPHIC etapas che è uno dei principi di BOTELLA FULL PER LA FABRICAZIONE DI MOSFETTI POTENTI BASED IN DIAMANTE._x000D_ nell'UCA crescerà le STRUTTURE HOMOEPITAXIAL il più presto possibile. SARANNO CARATTERIZZATI DA CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPING, TRASPORTO MINORITARIO, DIFETTI PUNTI), TEM (STRUTTURA, SPESSORE DI ESTENSIONE/STRATO, DIFETTI), HALL (MOBILITÀ), ATR E AFM PER POI AVERE UN FEEDBACK SULLE CONDIZIONI DI CRESCITA E SULLE SIMULAZIONI AD ELEMENTI FINITI CHE PREDICONO I CAMPI ELETTRICI NELLA STRUTTURA MOSFET (CALCOLI REALOISED NEL SOTTOPROGETTO 2, CNM-BELLATERRA). L'UCA FUNGERÀ DA FORNITORE DI STRUTTURE HOMOEPITAXIADAS PER IL CNM-BELLATERRA PER ESEGUIRE, CON ADEGUATO CONTROLLO DELLE FASI TECNOLOGICHE, LE STRUTTURE DI PROVA E IL DISPOSITIVO MOSFET. UN FEEDBACK PERMETTERÀ DI REGOLARE IL DESIGN (LIVELLI DI DOPING, SPESSORI/ESTENSIONE STRATO, ECC.). (Italian)
16 January 2022
0 references
Η ΟΜΆΔΑ ΤΟΥ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΊΟΥ ΤΟΥ CADIZ ΘΑ ΈΧΕΙ ΤΗ ΔΡΑΣΤΗΡΙΌΤΗΤΆ ΤΗΣ ΠΡΟΣΑΝΑΤΟΛΙΣΜΈΝΗ ΣΕ ΤΡΕΙΣ ΚΑΤΕΥΘΎΝΣΕΙΣ: (I) MPCVD ΑΝΑΠΤΥΞΗ, (II) ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΗΣΗ, CL, ΟΧΙΛΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ και ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ και ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΑ ΜΕΤΡΗΜΑΤΑ και ΟΙΚΟΝΟΜΙΚΑ (III) ΜΙΚΡΗ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΑ που ΑΝΑΦΕΡΕΤΑΙ ΣΤΙΣ ΠΕΡΙΠΤΩΣΕΙΣ ΔΙΑΜΟΡΦΩΣΗΣ (ΥΔΡΟΓΕΝΕΙΑ, οξυγόνωση, ETC...)._x000D_ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΩΝ ΟΡΓΑΝΙΣΜΩΝ ΑΠΟ ΤΡΟΠΟΠΟΙΗΣΕΙΣ ΣΕ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΕΠΙΛΕΞΙΜΗΣ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ, I.E. ΕΙΤΑΛΕΙ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΣΤΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ [001] Ή ΣΕ ΟΔΗΓΙΕΣ [010] ΚΑΙ [100], ΑΠΑΙΤΟΥΝ ΤΗΝ ΠΡΟΗΓΟΥΜΕΝΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ ΤΟΥ ΜΗΘΑΝΟΥ/ΥΔΡΟΓΕΝΟΥ ΡΑΤΙΟ ΣΤΟΝ ΑΕΡΙΟ, ΩΣ ΩΣ ΤΙΣ ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΟΠΟΙΑ ΛΑΜΒΑΝΕΙ ΝΑ ΠΡΟΑΙΡΕΤΑΙ ΤΟ ΜΕΘΟΧΗΝΑ/HYDROGEN RATIO στο ΑΕΡΙΟ, όπως και οι συνθέσεις που αναφέρονται σε ένα προαιρετικό επίπεδο διάθεσης. ΣΤΟ ΠΛΑΊΣΙΟ ΜΙΑΣ ΔΙΑΤΡΙΒΉΣ ΠΟΥ ΠΡΑΓΜΑΤΟΠΟΙΉΘΗΚΕ ΣΤΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΉΜΙΟ ΤΟΥ CADIZ (UCA), ΈΧΕΙ ΑΝΑΠΤΥΧΘΕΊ ΜΙΑ ΜΈΘΟΔΟΣ (ΜΕ ΕΝΑΠΌΘΕΣΗ ΔΙΠΛΩΜΆΤΩΝ ΕΥΡΕΣΙΤΕΧΝΊΑΣ) ΠΟΥ ΕΠΙΤΡΈΠΕΙ ΤΟΝ ΈΛΕΓΧΟ ΤΗΣ ΚΑΤΕΎΘΥΝΣΗΣ ΑΝΆΠΤΥΞΗΣ HOMOEPITAXIAL: ΚΑΤΑΚΌΡΥΦΟ (001) Ή ΠΛΕΥΡΙΚΌ (010) ΚΑΙ (100). ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΈΣΜΑΤΑ ΑΥΤΆ ΕΝΙΣΧΎΟΥΝ ΤΗΝ ΙΔΈΑ ΜΙΑΣ ΝΈΑΣ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉΣ MOSFET ΜΕ ΒΆΣΗ ΤΗ ΝΕΟΑΝΕΠΤΥΓΜΈΝΗ ΠΛΕΥΡΙΚΉ/ΕΠΙΛΕΚΤΙΚΉ ΑΝΆΠΤΥΞΗ ΔΙΑΜΑΝΤΙΏΝ (ΕΝΑΠΟΘΈΣΕΙΣ ΜΕ ΔΊΠΛΩΜΑ ΕΥΡΕΣΙΤΕΧΝΊΑΣ ΣΕ ΕΞΈΛΙΞΗ). ΤΟ ΚΎΡΙΟ ΠΛΕΟΝΈΚΤΗΜΑ ΑΥΤΉΣ ΤΗΣ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉΣ ΕΊΝΑΙ ΝΑ ΥΠΆΡΧΕΙ ΈΝΑΣ ΟΡΙΖΌΝΤΙΟΣ ΠΡΟΣΑΝΑΤΟΛΙΣΜΈΝΟΣ ΔΊΑΥΛΟΣ ΌΠΟΥ Η ΔΙΕΠΑΦΉ ΜΕ ΤΟ ΟΞΕΊΔΙΟ ΕΊΝΑΙ ΚΑΛΆ ΕΛΕΓΧΌΜΕΝΗ ΚΑΙ ΑΠΑΙΤΕΊ ΜΌΝΟ ΚΆΘΕΤΕΣ ΧΑΡΑΚΤΙΚΈΣ. Οι ΚΑΝΟΝΕΣ ΛΙΘΟΓΡΑΦΙΑΣ και οι ΛΙΘΟΓΡΑΦΙΚΕΣ ΣΤΟΙΧΕΙΩΣΕΙΣ που ΕΙΝΑΙ η Κύρια BOTTLENECK για την κατασκευή των DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ ΣΤΗΝ UCA θα ΛΑΜΒΑΝΟΥΝ ΤΙΣ ΟΙΚΟΠΟΙΗΤΙΚΕΣ ΔΡΟΜΕΣ ΜΕ ΤΟ ΒΙΟΤΕΧΝΙΚΟ ΠΛΑΝΔΙΟ ΚΑΙ ΤΟ ΛΑΤΕΡΟ. ΘΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΊΖΟΝΤΑΙ ΑΠΌ CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (ΝΤΌΠΙΝΓΚ, ΜΕΙΟΨΗΦΙΚΉ ΜΕΤΑΦΟΡΆ, ΣΗΜΕΙΑΚΈΣ ΑΤΈΛΕΙΕΣ,...), TEM (ΔΟΜΉ, ΕΠΈΚΤΑΣΗ/ΕΠΊΠΕΔΟ ΠΆΧΟΥΣ, ΕΛΑΤΤΏΜΑΤΑ,...), ΑΊΘΟΥΣΑ (ΚΙΝΗΤΙΚΌΤΗΤΑ), ATR Y AFM ΓΙΑ ΝΑ ΈΧΟΥΝ ΑΡΓΌΤΕΡΑ ΜΙΑ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΌΤΗΣΗ ΣΧΕΤΙΚΆ ΜΕ ΤΙΣ ΣΥΝΘΉΚΕΣ ΑΝΆΠΤΥΞΗΣ ΚΑΙ ΣΧΕΤΙΚΆ ΜΕ ΤΙΣ ΠΡΟΣΟΜΟΙΏΣΕΙΣ ΠΕΠΕΡΑΣΜΈΝΩΝ ΣΤΟΙΧΕΊΩΝ ΠΟΥ ΠΡΟΒΛΈΠΟΥΝ ΤΑ ΗΛΕΚΤΡΙΚΆ ΠΕΔΊΑ ΣΤΗ ΔΟΜΉ MOSFET (ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΊ ΠΟΥ ΕΠΙΤΥΓΧΆΝΟΝΤΑΙ ΣΤΟ ΥΠΟΈΡΓΟ 2, CNM-BELLATERRA). Η UCA ΘΑ ΕΊΝΑΙ Ο ΠΡΟΜΗΘΕΥΤΉΣ ΤΩΝ ΔΟΜΏΝ HOMOEPITAXIAL ΓΙΑ ΤΟ CNM-BELLATERRA ΠΟΥ ΘΑ ΠΡΑΓΜΑΤΟΠΟΙΉΣΕΙ ΠΕΡΑΙΤΈΡΩ, ΜΕ ΕΠΑΡΚΉ ΈΛΕΓΧΟ ΤΩΝ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΏΝ ΒΗΜΆΤΩΝ, ΤΩΝ ΔΟΜΏΝ ΔΟΚΙΜΉΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΣΥΣΚΕΥΉΣ MOSFET. ΜΙΑ ΑΝΑΤΡΟΦΟΔΌΤΗΣΗ ΘΑ ΕΠΙΤΡΈΨΕΙ ΤΗΝ ΑΝΑΠΡΟΣΑΡΜΟΓΉ ΤΟΥ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΎ (ΕΠΊΠΕΔΑ ΝΤΌΠΙΝΓΚ, ΠΆΧΗ/ΕΠΊΠΕΔΑ ΕΠΈΚΤΑΣΗΣ Κ.ΛΠ.). (Greek)
17 August 2022
0 references
GRUPPEN AF UNIVERSITY OF CADIZ VIL HAVE SIN AKTIVITET ORIENTERET I TRE RETNINGER: (I) MPCVD GROWTH, (II) KARAKERISATION US TEM, CL, OPTICAL TEKHNIQUEr og ELEKTRIKAL MEASUREMENTER OG FINALLY (III) Et meget højt niveau, der kan imødekommes i DIAMOND-TERMINATIONSBESKYTTELSER (HYDROGENATION, iltning, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONER BY MPCVD FOR at AKIEVE SELECTIVE GROWTH, DIREKTIONER [001] eller i DIREKTIONER [010] og [100], Kvalificerer den PRECISE DETERMINATION AF METHANE/HYDROGEN RATIO i GAS, da det alt sammen er muligt. INDEN FOR RAMMERNE AF EN SPECIALE UDFØRT PÅ UNIVERSITY OF CADIZ (UCA), ER DER UDVIKLET EN METODE (MED PATENTAFLEJRING), DER GØR DET MULIGT AT STYRE HOMOEPITAXIAL VÆKSTRETNINGEN: LODRET (001) ELLER LATERAL (010) OG (100). DISSE RESULTATER STYRKER IDÉEN OM EN NY MOSFET-ARKITEKTUR BASERET PÅ DEN NYUDVIKLEDE DIAMANT LATERAL/SELEKTIVE VÆKST (PATENTERET AFLEJRING I GANG). DEN STØRSTE FORDEL VED DENNE ARKITEKTUR ER AT HAVE EN VANDRET ORIENTERET KANAL, HVOR GRÆNSEFLADEN MED OXID ER GODT KONTROLLERET OG KUN KRÆVER LODRETTE ÆTSNINGER. De LATTER REDUCES og SIMPLIFIERER de LITHOGRAPHIC STAGES, der er den MAIN BOTTLENECK for MANUFACTURE af DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ I UCA vil VÆRER de HOMOEPITAXIAL STRUCRES I både PLANAR og LATERAL MODE. DE VIL BLIVE KARAKTERISERET VED CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, MINORITETSTRANSPORT, PUNKTFEJL,...), TEM (STRUKTUR, UDVIDELSE/LAGTYKKELSE, DEFEKTER,...), HAL (MOBILITET), ATR Y AFM FOR SENERE AT FÅ FEEDBACK OM VÆKSTBETINGELSERNE OG OM DE FINITE ELEMENTSIMULERINGER, DER FORUDSIGER DE ELEKTRISKE FELTER I MOSFET-STRUKTUREN (BEREGNINGER OPNÅET I DELPROJEKT 2, CNM-BELLATERRA). UCA VIL VÆRE LEVERANDØR AF HOMOEPITAXIAL STRUKTURER TIL CNM-BELLATERRA, DER VIL UDFØRE YDERLIGERE, MED TILSTRÆKKELIG KONTROL AF DE TEKNOLOGISKE TRIN, TESTSTRUKTURERNE OG MOSFET-UDSTYRET. EN TILBAGEMELDING VIL GØRE DET MULIGT AT JUSTERE DESIGNET (DOPINGNIVEAUER, TYKKELSER/LAGSUDVIDELSER OSV.). (Danish)
17 August 2022
0 references
RYHMÄ YLIOPISTON CADIZ ON SEN TOIMINTA SUUNTAUTUNUT KOLMEEN SUUNTAAN: I) MPCVD GROWTH, (II) TEM-, CL-, OPTICAL TECHNIQUES- JA ELECTRICAL MEASUMENTS- JA LOPIMUKSEN HYVÄKSYTTÄVÄT KOSKEVAT TIEDOT (HYDROGENATION), hapetus, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS BY MPCVD to ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, I.E. EITHER GROWTH in DIRECTIONS [001] OR IN DIRECTIONS [010] JA [100], VAHVISTAA METHANE/HYDROGEN RATIO IN the GAS, niin kuin ne ovat kaikki OIKEUTTAVA LEVELIN KÄYTTÖJÄRJESTELMÄ. CADIZIN YLIOPISTOSSA (UCA) TEHDYN OPINNÄYTETYÖN YHTEYDESSÄ ON KEHITETTY MENETELMÄ (PATENTTILASKEUMA), JONKA AVULLA VOIDAAN HALLITA HOMOEPITAXIAL-KASVUSUUNTAA: PYSTYSUORA (001) TAI SIVUSUUNNASSA (010) JA (100). NÄMÄ TULOKSET VAHVISTAVAT AJATUSTA UUDESTA MOSFET-ARKKITEHTUURISTA, JOKA PERUSTUU ÄSKETTÄIN KEHITETTYYN TIMANTTIEN SIVUTTAISEEN/SELEKTIIVISEEN KASVUUN (PATENTOITU LASKEUMA KESKEN). TÄRKEIN ETU TÄMÄN ARKKITEHTUURIN ON OLLA VAAKASUUNTAUTUNUT KANAVA, JOSSA RAJAPINTA OKSIDI ON HYVIN HALLINNASSA JA VAATII VAIN PYSTYSUORA ETSAUS. LATTER REDUCES ja SIMPLIFIES the LITHOGRAPHIC STAGES WHIC ON MAIN BOTTLENECK for the MANUFACTURE of DIAMOND-BASED POWER MOSFETS. NIILLE ON OMINAISTA CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, VÄHEMMISTÖLIIKENNE, PISTEVIKOJA,...), TEM (RAKENNE, LAAJENNUS/KERROSPAKSUUS, VIAT,...), HALL (LIIKKUVUUS), ATR Y AFM MYÖHEMMIN SAADA PALAUTETTA KASVUOLOSUHTEISTA JA RAJALLISISTA ELEMENTTISIMULAATIOISTA, JOTKA ENNUSTAVAT MOSFET-RAKENTEEN SÄHKÖKENTÄT (ALAHANKKEESSA 2 SAAVUTETUT LASKELMAT, CNM-BELLATERRA). UCA ON CNM-BELLATERRAN HOMOEPITAXIAL-RAKENTEIDEN TOIMITTAJA, JOKA JATKAA TEKNISTEN VAIHEIDEN, TESTIRAKENTEIDEN JA MOSFET-LAITTEEN ASIANMUKAISTA VALVONTAA. PALAUTTEEN AVULLA VOIDAAN MUKAUTTAA SUUNNITTELUA (DOPINGTASOT, PAKSUUDET/KERROSTEN LAAJENNUKSET JNE.). (Finnish)
17 August 2022
0 references
IL-GRUPP TAL-UNIVERSITÀ TA ‘CADIZ SE JKOLLHOM L-ATTIVITÀ TAGĦHA ORJENTATI FI TLIET DIREZZJONIJIET: (I) GROWTH MPCVD, (II) KARRACTERIZZAZZJONI TUŻA TEM, CL, TEKNIĊI OPTIĊJALI U MEASUREMENTI ELETTRIĊI U FINALLY (III) RELATAT TA’ ATTIVITÀ MILL-ATTIVITÀ TAR-TRATTIMENTI DIAMOND-TERMINAZZJONI (HYDROGENATION, ossiġinazzjoni, ETC...)._x000D_ GROWTH KONDIZZJONIJIET BY MPCVD GĦALL-GROWTH SELETTIVA AĊĊJETTIVA, I.E. Twettaq GROWTH F’DIREZZJONIJIET [001] JEW F’DIREZZJONIJIET [010] U [100], JIRRIKONOXXI d-DEterminazzjoni tal-PRECISE TAL-METANE/HYDROGEN RATIO FIL-GAS, KIF GĦANDHOM IL-KONDIZZJONIJIET LI KOLLHA LEVEL OPTIMAL TA’ DOP. FIL-QAFAS TA ‘TEŻI MWETTQA FL-UNIVERSITÀ TA’ CADIZ (UCA), METODU ĠIE ŻVILUPPAT (B’DEPOŻIZZJONI PRIVATTIVA) LI JIPPERMETTI LI JIKKONTROLLAW ID-DIREZZJONI TAT-TKABBIR HOMOEPITAXIAL: VERTIKALI (001) JEW LATERALI (010) U (100). DAWN IR-RIŻULTATI JAGĦTU SPINTA LILL-IDEA TA’ ARKITETTURA MOSFET ĠDIDA BBAŻATA FUQ IT-TKABBIR LATERALI/SELETTIV TAD-DJAMANTI LI GĦADU KIF ĠIE ŻVILUPPAT (DEPOŻIZZJONI BI PRIVATTIVA LI GĦADDEJJA). IL-VANTAĠĠ EWLIENI TA ‘DIN L-ARKITETTURA HUWA LI JKOLLHA KANAL ORJENTAT ORIZZONTALI FEJN L-INTERFACE MA’ L-OSSIDU HIJA KKONTROLLATA SEW U TEĦTIEĠ BISS INĊIŻJONIJIET VERTIKALI. Il-LATTER REUCES U SIMPLIFIKA LITHOGRAPHIC STAGES WHICH IL-BOTTLENECK MAIN GĦALL-MANUFATTURA TA’ POWER DIAMOND-BASED MOSFETS._x000D_ fil-UCA se GROW L-ISTRUCTI HOMOEPITAXIAL FIL-PLANAR U LATERAL PLANAR U LATERAL. DAWN SE JKUNU KKARATTERIZZATI MINN CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, TRASPORT MINORITARJU, DIFETTI FIL-PUNTI,...), TEM (STRUTTURA, ESTENSJONI/ĦXUNA TAS-SAFF, DIFETTI,...), SALA (MOBBILTÀ), ATR Y AFM BIEX AKTAR TARD IKOLLHOM RISPONS DWAR IL-KUNDIZZJONIJIET TAT-TKABBIR U DWAR IS-SIMULAZZJONIJIET TAL-ELEMENTI FINITI LI JBASSRU L-KAMPIJIET ELETTRIĊI FL-ISTRUTTURA MOSFET (KALKOLI MIKSUBA FIS-SOTTOPROĠETT 2, CNM-BELLATERRA). L-UCA SE TKUN IL-FORNITUR TAL-ISTRUTTURI HOMOEPITAXIAL GĦAS-CNM-BELLATERRA LI SE TKOMPLI TWETTAQ, B’KONTROLL ADEGWAT TAL-PASSI TEKNOLOĠIĊI, L-ISTRUTTURI TAL-ITTESTJAR U L-APPARAT MOSFET. FEEDBACK SE JIPPERMETTI L-AĠĠUSTAMENT MILL-ĠDID TAD-DISINN (LIVELLI TAD-DOPING, ĦXUNA/ESTENSJONI TAS-SAFF, EĊĊ...). (Maltese)
17 August 2022
0 references
NO UNIVERSITĀTES KADISAS GRUPA BŪS SAVU DARBĪBU ORIENTĒTA TRĪS VIRZIENOS: (I) MPCVD GROWTH, (II) CHARACTERISATION LIETOŠANAS TEM, CL, OPTICAL TECHNIQUES UN ELEKTRICĀLĀS MEASURES UN FINĀLĀM (III) Mazs ACTIVITY RELATED DIAMOND-TERMINATION TREATMENTS (HYDROGENATION, skābekļa padeve, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS BY MPCVD TO ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, I.E. EITHER GROWTH IN DIRECTION [001] VAI DIRECTIONS [010] UN [100], pieprasiet METHANE/HYDROGEN RATIO PRECISE DETERMINATION GAS, AS WELL AS CONDITIONS, kas ALLOW AN OPTIMAL LEVEL DOPING. SASKAŅĀ AR DISERTĀCIJU, KAS VEIKTA KADISAS UNIVERSITĀTĒ (UCA), IR IZSTRĀDĀTA METODE (AR PATENTU DEPONĒŠANU), KAS ĻAUJ KONTROLĒT HOMOEPITAXIAL IZAUGSMES VIRZIENU: VERTIKĀLS (001) VAI SĀNU (010) UN (100). ŠIE REZULTĀTI VEICINA IDEJU PAR JAUNU MOSFET ARHITEKTŪRU, KURAS PAMATĀ IR JAUNIZVEIDOTĀ DIMANTA SĀNU/SELEKTĪVĀ IZAUGSME (PATENTĒTA NOGULSNĒŠANĀS TURPINĀS). GALVENĀ ŠĪS ARHITEKTŪRAS PRIEKŠROCĪBA IR HORIZONTĀLS ORIENTĒTS KANĀLS, KUR SASKARNE AR OKSĪDU IR LABI KONTROLĒTA UN PRASA TIKAI VERTIKĀLUS KODINĀJUMUS. LATTER REDUCES UN SIMPLIFIKĀCIJAS LITHOGRAPHIC STAGES, kas ir galvenais bototekārs DIAMOND-BASED POWER MOSFETS MANUFACTURE._x000D_ UCA, kas ieplāno HOMOEPITAXIAL STRUCTURES BOTH PLANAR un LATERAL MODE. TOS RAKSTUROS CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPINGS, MAZĀKUMA TRANSPORTS, PUNKTU DEFEKTI,...), TEM (STRUKTŪRA, PAGARINĀJUMA/SLĀŅA BIEZUMS, DEFEKTI,...), ZĀLE (MOBILITĀTE), ATR Y AFM, LAI VĒLĀK SAŅEMTU ATGRIEZENISKO SAITI PAR IZAUGSMES APSTĀKĻIEM UN PAR GALĪGO ELEMENTU SIMULĀCIJĀM, KAS PAREDZ ELEKTRISKOS LAUKUS MOSFET STRUKTŪRĀ (APRĒĶINI, KAS SASNIEGTI APAKŠPROJEKTĀ NR. 2, CNM-BELLATERRA). UCA BŪS HOMOEPITAXIAL STRUKTŪRU PIEGĀDĀTĀJS CNM-BELLATERRA, KAS VEIKS TĀLĀK, PIENĀCĪGI KONTROLĒJOT TEHNOLOĢISKOS POSMUS, TESTA STRUKTŪRAS UN MOSFET IERĪCI. ATGRIEZENISKĀ SAITE ĻAUS PIELĀGOT DIZAINU (DOPINGA LĪMEŅI, BIEZUMS/SLĀŅU PAGARINĀJUMS UTT.). (Latvian)
17 August 2022
0 references
SKUPINA UNIVERSITY OF CADIZ BUDE MAŤ SVOJU ČINNOSŤ ORIENTOVANÚ V TROCH SMEROCH: I) MPCVD GROWTH, (II) CHARACTERISATION US TEM, CL, OPTICAL TECHNIQUES A ELECTRICAL MEASUREMENTS A FINALLY (III) ALL ACTIVITY RELÁCIA NA ROZHODNUTIE TERMÍN (HYDROGENÁCIA, okysličovanie, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS BY MPCVD ALEBO UCHIEŤ SELECTIVE GROWTH, I.E. EITHER ROWTH IN DIRECTION [001] ALEBO SMERNOSTI [010] A [100], ŽIADAJÚ OTVORENIE DETERMINATION OF METHANE/HYDROGEN RATIO in the GAS, AS WELLA AS THE CONDITIONS, ktoré sú vôbec OPTIMÁLNYM LEVELOM DOPINGU. V RÁMCI PRÁCE VYKONANEJ NA CÁDIZSKEJ UNIVERZITE (UCA) BOLA VYVINUTÁ METÓDA (S DEPOZÍCIOU PATENTU), KTORÁ UMOŽŇUJE KONTROLOVAŤ SMER RASTU HOMOEPITAXIAL: VERTIKÁLNE (001) ALEBO BOČNÉ (010) A (100). TIETO VÝSLEDKY PODPORUJÚ MYŠLIENKU NOVEJ ARCHITEKTÚRY MOSFET ZALOŽENEJ NA NOVOVYVINUTOM LATERÁLNOM/SELEKTÍVNOM RASTE DIAMANTOV (POKRAČUJÚCA PATENTOVANÁ DEPOZÍCIA). HLAVNOU VÝHODOU TEJTO ARCHITEKTÚRY JE MAŤ HORIZONTÁLNE ORIENTOVANÝ KANÁL, KDE JE ROZHRANIE S OXIDOM DOBRE KONTROLOVANÉ A VYŽADUJE LEN VERTIKÁLNE LEPTANIE. LATTER REDUCES A SIMPLIFIES LITHOGRAFICKÉ STAGES, Ktoré sú veľké BOTTLENECK pre MANUFACTURE ZARIADENÝ MOSFETS._x000D_ in the UCA bude GROW HOMOEPITAXIAL STRUCTURES v BOTH PLANAR a LATERAL MODE. BUDÚ CHARAKTERIZOVANÉ CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, MINORITNÁ PREPRAVA, BODOVÉ CHYBY,...), TEM (KONŠTRUKCIA, ŠÍRKA/HRÚBKA VRSTVY, VADY,...), HALA (MOBILITA), ATR Y AFM NESKÔR ZÍSKA SPÄTNÚ VÄZBU O PODMIENKACH RASTU A O SIMULÁCIÁCH KONEČNÝCH PRVKOV, KTORÉ PREDPOVEDAJÚ ELEKTRICKÉ POLIA V ŠTRUKTÚRE MOSFET (VÝPOČTY DOSIAHNUTÉ V PODPROJEKTE 2, CNM-BELLATERRA). UCA BUDE DODÁVATEĽOM HOMOEPITAXIAL ŠTRUKTÚR PRE CNM-BELLATERRA, KTORÝ BUDE ĎALEJ VYKONÁVAŤ S PRIMERANOU KONTROLOU TECHNOLOGICKÝCH KROKOV, TESTOVACÍCH ŠTRUKTÚR A MOSFET ZARIADENIA. SPÄTNÁ VÄZBA UMOŽNÍ UPRAVIŤ DIZAJN (DOPINGOVÉ ÚROVNE, HRÚBKY/VRSTVY ROZŠÍRENIE ATĎ.). (Slovak)
17 August 2022
0 references
BEIDH A GHNÍOMHAÍOCHT DÍRITHE AR GHRÚPA OLLSCOIL CADIZ I DTRÍ THREO: (I) FÁS MPCVD, (II) CAIBIDIL lena n-úsáidtear TEM, CL, TEICNIÚIL OPTICIÚLA agus MEASÚNUITHE STIÚRTHÓIREACHT agus críoch (III) Acht íseal a bhaineann leis na Limistéir um Théarnamh Leasa Shóisialaigh (HYDROGATION, OXYY), ETC...)._x000D_ COINNÍOLLACHA A DHÉANAMH A DHÉANAMH AR AN RIALACHÁN SEO A GHLACADH [001] NÓ I RÉIGIÚNACH [010] AGUS [100], I.E. RATIO SEO/HYDROG IN STIÚRTHÓIREACHT A DHÉANAMH, chomh maith leis na coinníollacha go léir a bhaineann le díothú. FAOI CHUIMSIÚ TRÁCHTAS A RINNEADH IN OLLSCOIL CADIZ (UCA), FORBRAÍODH MODH (LE TEISTÍOCHT PHAITINNE) A CHEADAÍONN AN TREO FÁIS HOMOEPITAXIAL A RIALÚ: INGEARACH (001) NÓ CLIATHÁNACH (010) AGUS (100). CUIREANN NA TORTHAÍ SIN LEIS AN SMAOINEAMH GO MBEADH AILTIREACHT NUA MOSFET ANN BUNAITHE AR FHÁS CLIATHÁNACH/ROGHNACH DIAMANT NUAFHORBARTHA (LEAGAN PAITINNITHE IDIR LÁMHA). IS É AN BUNTÁISTE IS MÓ A BHAINEANN LEIS AN AILTIREACHT SEO NÁ CAINÉAL COTHROMÁNACH ATÁ DÍRITHE AR A BHEITH ACU INA BHFUIL AN COMHÉADAN LEIS AN OCSAÍD RIALAITHE GO MAITH AGUS NACH N-ÉILÍONN ACH EITSEÁIL INGEARACH. Is é an LATTER REDUCES AGUS SIMPLIÚ NA STÁIT Leatagrafacha an scrogall buidéalaithe d’fheidhmiú na MOSFETS POWER DIAMOND-BAS._x000D_ sa UCA WOW NA STRUCTURE homaepitaxial in BOTH PLANAR AGUS LATERAL MODE. BEIDH CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DÓPÁIL, IOMPAR MIONLAIGH, LOCHTANNA POINTE,...), TEM (STRUCHTÚR, SÍNEADH/TIÚS CISEAL, LOCHTANNA,...), HALLA (SOGHLUAISTEACHT), ATR Y AFM A BHEITH ACU INA DHIAIDH SIN AISEOLAS AR NA COINNÍOLLACHA FÁIS AGUS AR NA INSAMHALTAÍ EILIMINT CRÍOCHTA A THUAR NA RÉIMSÍ LEICTREACHA SA STRUCHTÚR MOSFET (RÍOMHANNA A BAINEADH AMACH I BHFOTHIONSCADAL 2, CNM-BELLATERRA). IS É AN UCA SOLÁTHRAÍ NA STRUCHTÚR HOMAEPITAXIAL DON CNM-BELLATERRA A DHÉANFAIDH TUILLEADH, LE RIALÚ LEORDHÓTHANACH AR NA CÉIMEANNA TEICNEOLAÍOCHTA, AR NA STRUCHTÚIR TÁSTÁLA AGUS AR AN BHFEISTE MOSFET. CUIRFIDH AISEOLAS AR CHUMAS AN DEARADH A ATHCHOIGEARTÚ (LEIBHÉIL DÓPÁLA, SÍNEADH TIÚS/SRAITHEANNA, ETC...). (Irish)
17 August 2022
0 references
SKUPINA CÁDIZSKÉ UNIVERZITY BUDE MÍT SVOU ČINNOST ORIENTOVANOU VE TŘECH SMĚRECH: I) MPCVD GROWTH, (II) CHARACTERISATION POUŽITÍ TEM, CL, OPTICKÁ TECHNIKY A ELEKTRICKÉ ZAŘÍZENÍ A VĚDOMÍ (III) VŠECHNY ACTIVITY související s DIAMOND-TERMINATION TREATMENTS (HYDROGENATION, okysličování, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONs byY MPCVD to ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, I.E. EITHER GROWTH in DIRECTION [001] NEBO V ROZHODNUTÍ [010] A [100], Žádejte Okysličující DETERMINACE METHANE/HYDROGEN RATIO v GASu, tak jak to vypadá tak, jak to vypadá, že všeobecná leva odbourávání. V RÁMCI PRÁCE PROVÁDĚNÉ NA UNIVERZITĚ V CÁDIZU (UCA) BYLA VYVINUTA METODA (S PATENTOVOU DEPOZICÍ), KTERÁ UMOŽŇUJE KONTROLOVAT SMĚR RŮSTU HOMOEPITAXIAL: VERTIKÁLNÍ (001) NEBO BOČNÍ (010) A (100). TYTO VÝSLEDKY PODPORUJÍ MYŠLENKU NOVÉ ARCHITEKTURY MOSFET ZALOŽENÉ NA NOVĚ VYVINUTÉM BOČNÍM/SELEKTIVNÍM RŮSTU DIAMANTŮ (PROBÍHÁ PATENTOVANÁ DEPOZICE). HLAVNÍ VÝHODOU TÉTO ARCHITEKTURY JE MÍT HORIZONTÁLNĚ ORIENTOVANÝ KANÁL, KDE JE ROZHRANÍ S OXIDEM DOBŘE ŘÍZENO A VYŽADUJE POUZE VERTIKÁLNÍ LEPTÁNÍ. LATTER REDUCES A SIMPLIFI LITHOGRAPICKÉ STAGY, Které jsou hlavní BOTTLENECK pro MANUFACTURE DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ V UCA bude rozrůstat HOMOEPITAXIAL STRUCTURES v BOTH PLANAR A LATERAL MODE. BUDOU CHARAKTERIZOVÁNY CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, MINORITNÍ TRANSPORT, BODOVÉ VADY,...), TEM (STRUKTURA, NÁSTAVBA/TLOUŠŤKA VRSTVY, VADY,...), HALA (MOBILITA), ATR Y AFM POZDĚJI MÍT ZPĚTNOU VAZBU O PODMÍNKÁCH RŮSTU A O SIMULACÍCH KONEČNÝCH PRVKŮ, KTERÉ PŘEDPOVÍDAJÍ ELEKTRICKÁ POLE VE STRUKTUŘE MOSFET (VÝPOČTY DOSAŽENÉ V PODPROJEKTU 2, CNM-BELLATERRA). UCA BUDE DODAVATELEM STAVEB HOMOEPITAXIAL PRO CNM-BELLATERRA, KTERÉ BUDOU DÁLE PROVÁDĚT S ODPOVÍDAJÍCÍ KONTROLOU TECHNOLOGICKÝCH KROKŮ, ZKUŠEBNÍCH KONSTRUKCÍ A ZAŘÍZENÍ MOSFET. ZPĚTNÁ VAZBA UMOŽNÍ UPRAVIT DESIGN (DOPING ÚROVNĚ, TLOUŠŤKY/VRSTVY ROZŠÍŘENÍ, ATD.). (Czech)
17 August 2022
0 references
O GRUPO DA UNIVERSIDADE DE CÁDIZ TERÁ SUA ATIVIDADE ORIENTADA EM TRÊS DIREÇÕES: (I) CRESCIMENTO MPCV, (II) CARACTERIZAÇÃO Utilizando TEM, CL, TÉCNICAS OPTICAS E MEDIDAS ELÉTRICAS E FINALMENTOS (III) Uma pequena ação relacionada com os TRATAMENTOS DE TERMINAÇÕES DIAMONDOS (HIDROGENAÇÃO, oxigenação, ETC...)._x000D_ CONDIÇÕES DE CRESCIMENTO POR MPCVD PARA ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, ou seja, o CRESCIMENTO EM DIREÇÃO [001] OU EM DIRETIVAS [010] E [100], Exigir a DETERMINAÇÃO PRECISE DO METHANE/HYDROGEN RATIO NO GAS, COMO CONDIÇÕES QUE TODEM UM NÍVEL OPTIMAL DE DOPING. NO ÂMBITO DE UMA TESE REALIZADA NA UNIVERSIDADE DE CÁDIZ (UCA), FOI DESENVOLVIDO UM MÉTODO (COM DEPÓSITO DE PATENTES) QUE PERMITE CONTROLAR A DIREÇÃO DE CRESCIMENTO HOMOEPITAXIAL: VERTICAL (001) OU LATERAL (010) E (100). ESTES RESULTADOS REFORÇAM A IDEIA DE UMA NOVA ARQUITETURA MOSFET BASEADA NO RECÉM-DESENVOLVIDO CRESCIMENTO LATERAL/SELETIVO DE DIAMANTES (DEPOSIÇÃO PATENTEADA EM ANDAMENTO). A PRINCIPAL VANTAGEM DESTA ARQUITETURA É TER UM CANAL ORIENTADO HORIZONTAL ONDE A INTERFACE COM O ÓXIDO É BEM CONTROLADA E REQUER APENAS GRAVURAS VERTICAIS. As LATTER REDUÇAS E SIMPLIFICAS AS ESTAGES LITOGRÁFICAS QUE É O MAIN BOTTLENECK PARA O MANUFATURE DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ No UCA irá crescer os estRUTURAS HOMOEPITAXIAIS EM MÓTODOS PLANAR E LATERAL. ELES SERÃO CARACTERIZADOS POR CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, TRANSPORTE MINORITÁRIO, DEFEITOS DE PONTO,...), TEM (ESTRUTURA, EXTENSÃO/ESPESSURA DA CAMADA, DEFEITOS,...), HALL (MOBILIDADE), ATR Y AFM PARA POSTERIORMENTE TER UM FEEDBACK SOBRE AS CONDIÇÕES DE CRESCIMENTO E SOBRE AS SIMULAÇÕES DE ELEMENTOS FINITOS QUE PREVEEM OS CAMPOS ELÉTRICOS NA ESTRUTURA MOSFET (CÁLCULOS ALCANÇADOS NO SUBPROJETO 2, CNM-BELLATERRA). A UCA SERÁ O FORNECEDOR DAS ESTRUTURAS HOMOEPITAXIAL PARA A CNM-BELLATERRA QUE REALIZARÃO, COM CONTROLE ADEQUADO DAS ETAPAS TECNOLÓGICAS, AS ESTRUTURAS DE TESTE E O DISPOSITIVO MOSFET. UM FEEDBACK PERMITIRÁ REAJUSTAR O PROJETO (NÍVEIS DE DOPING, ESPESSURAS/EXTENSÃO DE CAMADAS, ETC...). (Portuguese)
17 August 2022
0 references
RÜHM UNIVERSITY OF CADIZ ON OMA TEGEVUSE ORIENTEERITUD KOLMES SUUNAS: I) MPCVD GROWTH, II) KÄSITLEVA TEM, CL, OPTICALITAL TECHNIQUES JA ELECTRICAL HALDUSED JA FINALLIKA (III) KÕIGUSAKTID DIAMOND-TERMINATION TREATMENTIDELE (HÜDROGENATION, hapnikuga varustamine, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS BY MPCVD ACHIEVE SELECTIVE GROWTIVE GROWTH, I.E. LIIKMESRIIKE DIREKTSIOON [001] VÕI DIREKTSIOON [010] JA [100], VÕI VÕI KASUTADA VÕI KASUTADA VÕI KÕRGE VÕI KASUTADA VÕI VÕI VASTU VÕTNES VÄLJA VÕI DIREKTIIVE JA [100], VÕIDU VÕTUD VÕE VÕTNUD VÕI KÄESOLEVADE VÕI VÕI VÕI KASUMISE VÕTMISE VÄRELE KASUTAMISE VÕI VÕI KUUTAMISE VÕI KUUMISE KASUTAMISE VÕI KÕIMUVÕIME VÕI KÕIGU VÕI KINNITSE VÕI KONITSE VÕI KINNITSE VÕTA KINNITSE KINNITSE KASUTA. CADIZI ÜLIKOOLIS (UCA) LÄBI VIIDUD VÄITEKIRJA RAAMES ON VÄLJA TÖÖTATUD MEETOD (PATENDISADESTUMISEGA), MIS VÕIMALDAB KONTROLLIDA HOMOEPITAXIAL KASVUSUUNDA: VERTIKAALNE (001) VÕI KÜLGSUUNALINE (010) JA (100). NEED TULEMUSED TOETAVAD IDEED UUEST MOSFET-ARHITEKTUURIST, MIS PÕHINEB ÄSJA VÄLJA TÖÖTATUD TEEMANTIDE KÜLG-/SELEKTIIVSEL KASVUL (PATENDITUD SADESTUMINE ON KÄIMAS). SELLE ARHITEKTUURI PEAMINE EELIS ON HORISONTAALSE SUUNITLUSEGA KANALI OLEMASOLU, KUS LIIDES OKSIIDIGA ON HÄSTI JUHITUD JA NÕUAB AINULT VERTIKAALSEID SÖÖVITUSI. LATTER REDUCES JA SIMPLIFIES LITHOGRAPHIC STAGID, kes on kõige olulisem DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ in the UCA WILL GROWEST HOMOEPITAXIAL STRUCTUres in BOTHPLANAR ja LATERAL MODE. NEID ISELOOMUSTAVAD CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, VÄHEMUSTRANSPORT, PUNKTDEFEKTID JNE), TEM (STRUKTUUR, PIKENDUS/KIHI PAKSUS, DEFEKTID JNE), HALL (LIIKUVUS), ATR Y AFM, ET SAADA HILJEM TAGASISIDET KASVUTINGIMUSTE JA PIIRATUD ELEMENTIDE SIMULATSIOONIDE KOHTA, MIS ENNUSTAVAD MOSFET-STRUKTUURI ELEKTRIVÄLJASID (ARVUTUSED SAAVUTATI ALLPROJEKTIS 2, CNM-BELLATERRA). UCA HAKKAB TARNIMA CNM-BELLATERRA JAOKS HOMOEPITAXIAL STRUKTUURE, MIS TEOSTAB EDASPIDI TEHNOLOOGILISI ETAPPE, KATSESTRUKTUURE JA MOSFET-SEADET NÕUETEKOHASELT KONTROLLI ALL. TAGASISIDE VÕIMALDAB DISAINI ÜMBER REGULEERIDA (DOPINGUTASEMED, PAKSUSED/KIHTIDE LAIENDUSED JNE). (Estonian)
17 August 2022
0 references
A CSOPORT A UNIVERSITY OF CADIZ LESZ A TEVÉKENYSÉGE ORIENTÁLT HÁROM IRÁNYBA: I) MPCVD GROWTH, (II) KARACTERISATION USING TEM, CL, OPTICAL TECHNIQUES ÉS ELECTRICAL MEASUREMENTS ÉS FINALLY (III) A DIAMOND-TERMINATION TREATMENTEK (HYDROGENATION, oxigenizáció, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS AZ MPCVD-nek megfelelően, azaz a [001] DIRECTION [001] VAGY [010] ÉS [100] DIRECTIONEKBEN ELŐZETES NEMZETKÖZI FELTÜNTETENDŐ KÖVETELMÉNYEK A GAS-ban a METHANE/HYDROGEN RATIO MEGJEGYZÉSÉNEK KÖVETELMÉNYESÍTÉSE, mivel a megállapodás szerint a KÖTELEZETTETÉSI LEVELÉSE van. A CADIZ EGYETEMEN (UCA) VÉGZETT SZAKDOLGOZAT KERETÉBEN KIFEJLESZTETTEK EGY MÓDSZERT (SZABADALMI LERAKÓDÁSSAL), AMELY LEHETŐVÉ TESZI A HOMOEPITAXIAL NÖVEKEDÉSI IRÁNYÁNAK ELLENŐRZÉSÉT: FÜGGŐLEGES (001) VAGY OLDALIRÁNYÚ (010) ÉS (100). EZEK AZ EREDMÉNYEK ÚJ MOSFET ARCHITEKTÚRÁRA ÉPÜLNEK, AMELY AZ ÚJONNAN KIFEJLESZTETT, OLDALIRÁNYÚ/SZELEKTÍV GYÉMÁNTNÖVEKEDÉSEN ALAPUL (SZABADALMAZTATOTT LERAKÓDÁS FOLYAMATBAN). ENNEK AZ ARCHITEKTÚRÁNAK A FŐ ELŐNYE, HOGY VAN EGY VÍZSZINTES ORIENTÁLT CSATORNA, AHOL AZ OXIDTAL VALÓ INTERFÉSZ JÓL SZABÁLYOZOTT, ÉS CSAK FÜGGŐLEGES MARÁSOKAT IGÉNYEL. A LATTER REDUCES ÉS SIMPLIFIES A LITHOGRAPHIC STAGES WHICH A MAIN BOTTLENECK A DIAMOND-BASED POWER MOSFETS MANUFACTURE-ját._x000D_ Az UCA-ban felveszi a HOMOEPITAXIAL STRUCTURES-t a PLANAR és a LATERAL MODE-ben. EZEK JELLEMZŐJE A CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPPING, KISEBBSÉGI SZÁLLÍTÁS, PONTHIBÁK,...), TEM (SZERKEZET, HOSSZABBÍTÁS/RÉTEGVASTAGSÁG, HIBÁK,...), CSARNOK (MOBILITÁS), ATR Y AFM, HOGY KÉSŐBB VISSZAJELZÉST KAPJON A NÖVEKEDÉS FELTÉTELEIRŐL ÉS A VÉGES ELEM SZIMULÁCIÓKRÓL, AMELYEK MEGJÓSOLJÁK AZ ELEKTROMOS MEZŐKET A MOSFET SZERKEZETÉBEN (A 2. ALPROJEKT, CNM-BELLATERRA SZÁMÍTÁSAI). AZ UCA LESZ A CNM-BELLATERRA HOMOEPITAXIAL STRUKTÚRÁINAK SZÁLLÍTÓJA, AMELY A TECHNOLÓGIAI LÉPÉSEK, A TESZTSZERKEZETEK ÉS A MOSFET ESZKÖZ MEGFELELŐ ELLENŐRZÉSE MELLETT TOVÁBB FOLYTATJA MŰKÖDÉSÉT. A VISSZAJELZÉS LEHETŐVÉ TESZI A TERVEZÉS ÚJRABEÁLLÍTÁSÁT (DOPPING SZINTEK, VASTAGSÁGOK/RÉTEGEK KITERJESZTÉSE STB.). (Hungarian)
17 August 2022
0 references
ГРУПАТА НА УНИВЕРСИТЕТА В КАДИС ЩЕ ИМА СВОЯТА ДЕЙНОСТ ОРИЕНТИРАНА В ТРИ НАПРАВЛЕНИЯ: I) MPCVD GROWTH, (II) CHARACTERISATION USING TEM, CL, OPTICAL TECHNIQUES И ELECTRICAL MEASUREMENTS И FINALLY (III) Малко действие, свързано с диамонд-терминационните процедури (HYDROGENATION, оксигенация, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS BY MPCVD to ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, I.E. EITHER GROWTH В ДИРЕКЦИЯ [001] ИЛИ В ДИРЕКЦИИ [010] И [100], ИЗИСКВАНЕ НА ПРЕКТИЗАТА ДЕЙНОСТ НА МЕТАНА/Хидроген ратио в Газа, както и като уговорки, че всеки ОПТИМАЛНА ЛЕВА НА ДОЗИ. В РАМКИТЕ НА ТЕЗАТА, ПРОВЕДЕНА В УНИВЕРСИТЕТА В КАДИС (UCA), Е РАЗРАБОТЕН МЕТОД (С ПАТЕНТНО ОТЛАГАНЕ), КОЙТО ПОЗВОЛЯВА ДА СЕ КОНТРОЛИРА ПОСОКАТА НА РАСТЕЖ HOMOEPITAXIAL: ВЕРТИКАЛНО (001) ИЛИ СТРАНИЧНО (010) И (100). ТЕЗИ РЕЗУЛТАТИ ДАВАТ ТЛАСЪК НА ИДЕЯТА ЗА НОВА АРХИТЕКТУРА НА MOSFET, ОСНОВАВАЩА СЕ НА НОВОРАЗРАБОТЕНИЯ СТРАНИЧЕН/СЕЛЕКТИВЕН РАСТЕЖ НА ДИАМАНТИТЕ (ПАТЕНТИРАНИ ОТЛАГАНИЯ В ПРОЦЕС НА ИЗПЪЛНЕНИЕ). ОСНОВНОТО ПРЕДИМСТВО НА ТАЗИ АРХИТЕКТУРА Е ДА ИМА ХОРИЗОНТАЛЕН ОРИЕНТИРАН КАНАЛ, КЪДЕТО ИНТЕРФЕЙСЪТ С ОКСИДА Е ДОБРЕ КОНТРОЛИРАН И ИЗИСКВА САМО ВЕРТИКАЛНИ ОФОРТОВЕ. Най-дълбоките редици и части на LITHOGRAPHIC STAGES, които са основната база за управление на ДИАМОНДУЦИОНЕН ПАЗАР._x000D_ В УКА ще тържествуват хомопоптитаксиалните Структури в Ботен ПЛАНАР и Латералния Мод. ТЕ ЩЕ СЕ ХАРАКТЕРИЗИРАТ С CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (ДОПИНГ, МАЛЦИНСТВЕН ТРАНСПОРТ, ТОЧКОВИ ДЕФЕКТИ,...), TEM (СТРУКТУРА, ДЕБЕЛИНА НА РАЗШИРЕНИЕТО/СЛОЙ, ДЕФЕКТИ,...), ЗАЛА (МОБИЛНОСТ), ATR Y AFM ПО-КЪСНО ДА ПОЛУЧАТ ОБРАТНА ВРЪЗКА ОТНОСНО УСЛОВИЯТА НА РАСТЕЖ И ОТНОСНО СИМУЛАЦИИТЕ НА КРАЙНИ ЕЛЕМЕНТИ, КОИТО ПРОГНОЗИРАТ ЕЛЕКТРИЧЕСКИТЕ ПОЛЕТА В СТРУКТУРАТА НА MOSFET (ИЗЧИСЛЕНИЯ, ПОСТИГНАТИ В ПОДПРОЕКТ 2, CNM-BELLATERRA). UCA ЩЕ БЪДЕ ДОСТАВЧИКЪТ НА HOMOEPITAXIAL СТРУКТУРИ ЗА CNM-BELLATERRA, КОЙТО ЩЕ ПРОДЪЛЖИ ДА ИЗВЪРШВА, С АДЕКВАТЕН КОНТРОЛ НА ТЕХНОЛОГИЧНИТЕ СТЪПКИ, СТРУКТУРИТЕ ЗА ИЗПИТВАНЕ И УСТРОЙСТВОТО MOSFET. ОБРАТНАТА ВРЪЗКА ЩЕ ПОЗВОЛИ ДА СЕ КОРИГИРА ДИЗАЙНА (НИВА НА ДОПИНГ, ДЕБЕЛИНИ/СЛОЕВЕ УДЪЛЖАВАНЕ И Т.Н.). (Bulgarian)
17 August 2022
0 references
IŠ KADISO UNIVERSITETO GRUPĖ TURĖS SAVO VEIKLĄ ORIENTUOTA Į TRIS KRYPTIS: I) VALSTYBĖS VALSTYBĖS VYRIAUSYBĖS, II) PRIEMONĖS, KL, OPTICINIAI TECHNIKUMO IR ELEKTRINIAI POSĖDŽIAI (III) DIAMONIŲ-TERMINACIJOS TEISIŲ VEIKLA (HIDROGENACIJA, deguonimi, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS SUSIJUNGTI SELECTIVE GROWTH, I.E. ĮSIPAREIGOJIMAS DIREKTYVA [001] ARBA DIREKTYVA [010] IR [100] REIKALAVIMUI METHANE/HYDROGEN RATIO GYVENDINIMO GYVŪNOJE GAMYBA, KAD KAD KARTĄ KURIAMA DUOMENŲ GYVENDINIMAS. ATSIŽVELGIANT Į DISERTACIJĄ, ATLIKTĄ KADISO UNIVERSITETE (UCA), BUVO SUKURTAS METODAS (SU PATENTO NUSĖDIMU), KURIS LEIDŽIA KONTROLIUOTI HOMOEPITAXIAL AUGIMO KRYPTĮ: VERTIKALIOS (001) ARBA ŠONINĖS (010) IR (100). ŠIE REZULTATAI SKATINA NAUJOS MOSFET ARCHITEKTŪROS, PAGRĮSTOS NAUJAI SUKURTU DEIMANTŲ ŠONINIU/SELEKTYVIU AUGIMU (PATENTUOTAS NUSĖDIMAS VYKSTA), IDĖJĄ. PAGRINDINIS ŠIOS ARCHITEKTŪROS PRIVALUMAS YRA TURĖTI HORIZONTALŲ ORIENTUOTĄ KANALĄ, KURIAME SĄSAJA SU OKSIDU YRA GERAI KONTROLIUOJAMA IR REIKALAUJA TIK VERTIKALIŲ ĖSDINIMO. LATTER REDUCES IR SIMPLIFIES LITHOGRAFINĖS ŽYMĖS, kurios yra pagrindinės DIAMOND-BASED MOWER MOSFETS MANUFACTURE._x000D_ Į UCA, kurios bus įtrauktos į HOMOEPITAXIAL STRUCTURES BOTH PLANAR IR LATERAL MODE. JIEMS BUS BŪDINGA CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPINGAS, MAŽUMOS TRANSPORTAS, TAŠKŲ DEFEKTAI,...), TEM (STRUKTŪRA, PRAILGINIMO/SLUOKSNIO STORIS, DEFEKTAI,...), SALĖ (MOBILUMAS), ATR Y AFM VĖLIAU TURĖS GRĮŽTAMĄJĮ RYŠĮ APIE AUGIMO SĄLYGAS IR BAIGTINIŲ ELEMENTŲ MODELIAVIMĄ, PAGAL KURĮ PROGNOZUOJAMI ELEKTRINIAI LAUKAI MOSFET STRUKTŪROJE (APSKAIČIAVIMAI, GAUTI PAGAL 2 PROJEKTO DALĮ, CNM-BELLATERRA). UCA BUS HOMOEPITAXIAL STRUKTŪRŲ, SKIRTŲ CNM-BELLATERRA, TIEKĖJA, KURI TOLIAU VYKDYS, TINKAMAI KONTROLIUODAMA TECHNOLOGINIUS ETAPUS, BANDYMŲ STRUKTŪRAS IR MOSFET ĮRENGINĮ. GRĮŽTAMASIS RYŠYS LEIS REGULIUOTI DIZAINĄ (DOPINGO LYGĮ, STORĮ/SLUOKSNIŲ IŠPLĖTIMĄ IR T. T.). (Lithuanian)
17 August 2022
0 references
GRUPA SVEUČILIŠTA U CADIZ ĆE IMATI SVOJU AKTIVNOST ORIJENTIRANA U TRI SMJERA: (I) MPCVD GROWTH, (II) KARAKTERISCIJA KARAKTERISCIJA KOJE TEM, KL, OPTIČKE TEHNICE I ELEKTRIČKE MJERE I FINALIJA (III) SMJEŠTAJ POSLOVNIH TRETA TREATMANA (HYDROGENATION, oksigenacija, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS BY MPCVD TO SELECTIVE GROWTH, I.E. EITHER GROWTH U DIREKCIJE [001] ILI U DIREKCIJAma [010] I [100], PREPORUČUJE PRECISE DETERMINATION THE METHANE/HYDROGEN RATIO u GAS-u, kao što je to bilo moguće, kao što je to slučaj s opcijom DOPING. U OKVIRU RADA PROVEDENOG NA SVEUČILIŠTU U CADIZU (UCA), RAZVIJENA JE METODA (S TALOŽENJEM PATENATA) KOJA OMOGUĆUJE KONTROLU SMJERA RASTA HOMOEPITAXIAL: OKOMITO (001) ILI BOČNO (010) I (100). TI REZULTATI POTIČU IDEJU O NOVOJ ARHITEKTURI MOSFET-A KOJA SE TEMELJI NA NOVORAZVIJENOM BOČNOM/SELEKTIVNOM RASTU DIJAMANATA (PATENTIRANO TALOŽENJE U TIJEKU). GLAVNA PREDNOST OVE ARHITEKTURE JE IMATI HORIZONTALNI ORIJENTIRANI KANAL GDJE JE SUČELJE S OKSIDOM DOBRO KONTROLIRANO I ZAHTIJEVA SAMO VERTIKALNE JETKANJE. LATTER REDUCES I SIMPLIFIES LITHOGRAPHIC STAGES KOJE JE SVIJET BOTTLENECK ZA MANUFACTURE DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ U UCA će rasti HOMOEPITAXIAL STRUCTURE u BOTH PLANAR i LATERAL MODE. KARAKTERIZIRAT ĆE IH CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, MANJINSKI TRANSPORT, TOČKA OŠTEĆENJA,...), TEM (STRUKTURA, DEBLJINA/SLOJ, NEDOSTACI,...), DVORANA (MOBILNOST), ATR Y AFM DA KASNIJE IMAJU POVRATNE INFORMACIJE O UVJETIMA RASTA I O SIMULACIJAMA KONAČNIH ELEMENATA KOJE PREDVIĐAJU ELEKTRIČNA POLJA U STRUKTURI MOSFET (IZRAČUNI POSTIGNUTI U POTPROJEKTU 2, CNM-BELLATERRA). UCA ĆE BITI DOBAVLJAČ HOMOEPITAXIAL STRUKTURA ZA CNM-BELLATERRA KOJI ĆE DALJE PROVODITI, UZ ODGOVARAJUĆU KONTROLU TEHNOLOŠKIH KORAKA, ISPITNE STRUKTURE I MOSFET UREĐAJ. POVRATNE INFORMACIJE OMOGUĆIT ĆE PRILAGODBU DIZAJNA (RAZINE DOPINGA, DEBLJINE/PROŠIRENJE SLOJEVA ITD.). (Croatian)
17 August 2022
0 references
GRUPPEN VID UNIVERSITETET I CÁDIZ KOMMER ATT HA SIN VERKSAMHET ORIENTERAD I TRE RIKTNINGAR: (I) MPCVD GROWTH, (II) CHARACTERISATION ANVÄNDNING AV TEM, CL, OPTICAL TECHNIQUES OCH ELEKRIKTISKA MÅLNINGAR OCH FINALL (III) En liten AKTIVITET RELATED TILL DIAMOND-TERMINATIONSTÄLLNINGAR (HYDROGENATION, syresättning, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONER BY MPCVD TILL ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, D.E. EITHER GROWTH I DIREKTION [001] ELLER I DIREKTIONER [010] och [100], KRAVEN PRECISE DETERMINATION AV METHANE/HYDROGEN RATIO i GAS, SOM VÄLKOMNAR SOM KONDITIONER SOM KONDITIONER ATT ALLA OPTIMAL LEVEL AV DOPING. INOM RAMEN FÖR EN AVHANDLING UTFÖRD VID UNIVERSITY OF CADIZ (UCA) HAR EN METOD UTVECKLATS (MED PATENTDEPOSITION) SOM GÖR DET MÖJLIGT ATT STYRA HOMOEPITAXIAL TILLVÄXTRIKTNING: VERTIKAL (001) ELLER LATERAL (010) OCH (100). DESSA RESULTAT STÄRKER IDÉN OM EN NY MOSFET-ARKITEKTUR BASERAD PÅ DEN NYLIGEN UTVECKLADE DIAMANTENS LATERALA/SELEKTIVA TILLVÄXT (PATENTERAT NEDFALL PÅGÅR). DEN STÖRSTA FÖRDELEN MED DENNA ARKITEKTUR ÄR ATT HA EN HORISONTELL ORIENTERAD KANAL DÄR GRÄNSSNITTET MED OXIDEN ÄR VÄL KONTROLLERAT OCH KRÄVER ENDAST VERTIKALA ETSNINGAR. De LATTER REDUCER OCH STORBRITANNIER DE LITHOGRAPHIC STAGES SOM ÄR MAIN BOTTLENECK FÖR DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ I UCA kommer att skapa de HOMOEPITAXIAL STRUCTURES I BOTH PLANAR OCH LATERAL MODE. DE KOMMER ATT KÄNNETECKNAS AV CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPNING, MINORITETSTRANSPORT, PUNKTDEFEKTER,...), TEM (STRUKTUR, FÖRLÄNGNING/LAGERTJOCKLEK, DEFEKTER,...), HALL (MOBILITET), ATR Y AFM FÖR ATT SENARE FÅ ÅTERKOPPLING OM TILLVÄXTFÖRHÅLLANDENA OCH OM DE ÄNDLIGA ELEMENTSIMULERINGAR SOM FÖRUTSPÅR DE ELEKTRISKA FÄLTEN I MOSFET-STRUKTUREN (BERÄKNINGAR SOM GJORTS I DELPROJEKT 2, CNM-BELLATERRA). UCA KOMMER ATT VARA LEVERANTÖR AV HOMOEPITAXIAL-STRUKTURERNA FÖR CNM-BELLATERRA, SOM MED TILLRÄCKLIG KONTROLL AV DE TEKNISKA STEGEN KOMMER ATT UTFÖRA TESTSTRUKTURERNA OCH MOSFET-ANORDNINGEN. EN ÅTERKOPPLING KOMMER ATT GÖRA DET MÖJLIGT ATT JUSTERA KONSTRUKTIONEN (DOPNING NIVÅER, TJOCKLEKAR/LAGER FÖRLÄNGNING, ETC...). (Swedish)
17 August 2022
0 references
GRUPUL UNIVERSITĂȚII DIN CADIZ ÎȘI VA DESFĂȘURA ACTIVITATEA ÎN TREI DIRECȚII: (I) MPCVD GROWTH, (II) utilizare CHARACTERIZARE TEM, CL, Tehnologii OPTICE ȘI MASUREMENTE ELECTRICALE ȘI FINALITATE (III) O ACTIVITATE Mică RELATE LA TREATURILE DIAMOND-TERMINARE (HYDROGENATION, oxigenare, ETC...)._x000D_ CONDIȚII GROWTH BY MPCVD TO ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, I.E. EITHER GROWTH IN DIRECTION [001] SAU IN DIRECTIONS [010] ȘI [100], CREBUIE DETERMINARE PRECISĂ a METANULUI/RATIO-HYDROGEN în GAS, la fel ca și în cazul în care sunt stabilite în cadrul unor condiții care pot fi considerate ca fiind o LEVĂ OPTIMALĂ a DOPĂRII. ÎN CADRUL UNEI TEZE EFECTUATE LA UNIVERSITATEA DIN CADIZ (UCA), A FOST DEZVOLTATĂ O METODĂ (CU DEPUNERE DE BREVETE) CARE PERMITE CONTROLUL DIRECȚIEI DE CREȘTERE HOMOEPITAXIAL: VERTICALĂ (001) SAU LATERALĂ (010) ȘI (100). ACESTE REZULTATE STIMULEAZĂ IDEEA UNEI NOI ARHITECTURI MOSFET BAZATE PE CREȘTEREA LATERALĂ/SELECTIVĂ A DIAMANTULUI NOU DEZVOLTATĂ (DEPUNERE BREVETATĂ ÎN CURS DE DESFĂȘURARE). PRINCIPALUL AVANTAJ AL ACESTEI ARHITECTURI ESTE DE A AVEA UN CANAL ORIENTAT ORIZONTAL, UNDE INTERFAȚA CU OXIDUL ESTE BINE CONTROLATĂ ȘI NECESITĂ DOAR GRAVURI VERTICALE. Rezultatele LATTER și SIMPLIFICE STAGES LITHOGRAPHIC CARE este cel mai bun BOTTLENECK pentru MANUFACTURA MOMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ În UCA va GROW STRUCTURES HOMOEPITAXIAL ÎN PLANAR ȘI MODE LATERAL. ACESTEA VOR FI CARACTERIZATE PRIN CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, TRANSPORT MINORITAR, DEFECTE PUNCT,...), TEM (STRUCTURA, GROSIMEA STRATULUI, DEFECTE,...), HALA (MOBILITATE), ATR Y AFM PENTRU A AVEA ULTERIOR UN FEEDBACK CU PRIVIRE LA CONDIȚIILE DE CREȘTERE ȘI LA SIMULĂRILE CU ELEMENTE FINITE CARE PREZICE CÂMPURILE ELECTRICE ÎN STRUCTURA MOSFET (CALCULE REALIZATE ÎN SUBPROIECTUL 2, CNM-BELLATERRA). UCA VA FI FURNIZORUL STRUCTURILOR HOMOEPITAXIAL PENTRU CNM-BELLATERRA CARE VA EFECTUA ÎN CONTINUARE, CU CONTROLUL ADECVAT AL ETAPELOR TEHNOLOGICE, STRUCTURILE DE TESTARE ȘI DISPOZITIVUL MOSFET. UN FEEDBACK VA PERMITE REAJUSTAREA DESIGNULUI (NIVELURI DE DOPAJ, EXTENSII DE GROSIMI/STRATURI ETC...). (Romanian)
17 August 2022
0 references
SKUPINA UNIVERZE V CADIZU BO IMELA SVOJO DEJAVNOST USMERJENA V TRI SMERI: (I) MPCVD GROWTH, (II) CHARACTERISATION UPORABA TEM, CL, OPTIKALNE TEHNIKOV IN ELEKTRICALNE MEJA IN FINALNO (III) SMAL AKTIVNO PODROČJE DIMOND-TERMINACIJE (HYDROGENATION, oksigenacija, ETC...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS BY MPCVD TO ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, I.E. ETIHER ROWTH V DIRECTION [001] ALI V DIRECTION [010] IN [100], ZAHTEVAJO PRECISE DETERMINATION METHANE/HYDROGEN RATIO V GAS, KI JE VELIKO POGLAVJE PODROČij, da se VSE OPTIMALNI LEVEL DOPING. V OKVIRU TEZE, IZVEDENE NA UNIVERZI V CADIZU (UCA), JE BILA RAZVITA METODA (S PATENTNIM ODLAGANJEM), KI OMOGOČA NADZOR SMERI RASTI HOMOEPITAXIAL: NAVPIČNA (001) ALI BOČNA (010) IN (100). TI REZULTATI SPODBUJAJO ZAMISEL O NOVI ARHITEKTURI MOSFET, KI TEMELJI NA NOVO RAZVITI DIAMANTNI STRANSKI/SELEKTIVNI RASTI (PATENTIRANO ODLAGANJE V TEKU). GLAVNA PREDNOST TE ARHITEKTURE JE, DA IMA VODORAVNO USMERJEN KANAL, KJER JE VMESNIK Z OKSIDOM DOBRO NADZOROVAN IN ZAHTEVA LE VERTIKALNE JEDKE. LATTER REDUCES IN SIMPLIFIKE LITHOGRAPHIC STAGES KI JE MAIN BOTTLENECK FOR THE MANUFACTURE OF DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ V UCA VELIKO ODLOČILNE STRUKTURE V BOTH PLANARJIH IN LATERALNI MODE. ZANJE BODO ZNAČILNI CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, PREVOZ MANJŠIN, TOČKOVNE NAPAKE...), TEM (STRUKTURA, PODALJŠEK/DEBELINA SLOJA, NAPAKE...), DVORANA (MOBILNOST), ATR Y AFM, DA BI KASNEJE DOBILI POVRATNE INFORMACIJE O POGOJIH RASTI IN SIMULACIJAH KONČNIH ELEMENTOV, KI NAPOVEDUJEJO ELEKTRIČNA POLJA V STRUKTURI MOSFET (IZRAČUNI, DOSEŽENI V PODPROJEKTU 2, CNM-BELLATERRA). UCA BO DOBAVITELJ STRUKTUR HOMOEPITAXIAL ZA CNM-BELLATERRA, KI BODO Z USTREZNIM NADZOROM NAD TEHNOLOŠKIMI KORAKI, PRESKUSNIMI STRUKTURAMI IN NAPRAVO MOSFET NADALJE IZVAJALI. POVRATNE INFORMACIJE BODO OMOGOČILE PRILAGODITEV ZASNOVE (STOPNJE DOPINGA, DEBELINE/RAZŠIRITEV PLASTI ITD.). (Slovenian)
17 August 2022
0 references
GRUPA UNIWERSYTETU KADYKSU BĘDZIE MIAŁA SWOJĄ DZIAŁALNOŚĆ ZORIENTOWANĄ W TRZECH KIERUNKACH: (I) MPCVD GROWTH, (II) CHARACTERISATION USING TEM, CL, OPTICAL TECHNIQUES AND ELECTRICAL MEASUREMENTS AND FINALLY (III) Mładka kompetencja wynikająca z DIAMOND-TERMINATION TREATMENTS (HYDROGENATION, natlenienie, ETC...)._x000D_ WYKONAWCZE WYPOSAŻENIE W DYREKCJI [001] LUB W DYREKCJI [010] I [100], WYMAGAJĄ WYDARZENIA PRECYZJI METANII/HYDROGEN RATIO w gazie, tak jak to się dzieje, że WYMAGA SIĘ OCHRONA PODMIENIA. W RAMACH PRACY DYPLOMOWEJ NA UNIWERSYTECIE W KADYZIE (UCA) OPRACOWANO METODĘ (ZE ZŁOŻENIEM PATENTU), KTÓRA POZWALA KONTROLOWAĆ KIERUNEK WZROSTU HOMOEPITAXIAL: PIONOWE (001) LUB BOCZNE (010) I (100). WYNIKI TE WZMACNIAJĄ IDEĘ NOWEJ ARCHITEKTURY MOSFET OPARTEJ NA NOWO OPRACOWANYM WZROŚCIE BOCZNYM/SELEKTYWNYM DIAMENTÓW (OPATENTOWANE DEPOZYCJI W TOKU). GŁÓWNĄ ZALETĄ TEJ ARCHITEKTURY JEST POSIADANIE KANAŁU POZIOMEGO, W KTÓRYM INTERFEJS Z TLENKIEM JEST DOBRZE KONTROLOWANY I WYMAGA TYLKO WYTRAWIANIA PIONOWEGO. LATTER REDUCES AND SIMPLIFIES THE LITHOGRAPHIC STAGES HICH JEST GŁOSOWANYM BOTTLENECKĄ DIAMOFAKTYCZNYCH MOSFETÓW POWER._x000D_ W UCA wzbogaci HOMOEPITAXIAL STRUCTURES W BOTH PLANAR I LATERAL MODE. BĘDĄ ONE CHARAKTERYZOWAĆ SIĘ CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPING, TRANSPORT MNIEJSZOŚCIOWY, WADY PUNKTOWE,...), TEM (STRUKTURA, PRZEDŁUŻENIE/GRUBOŚĆ WARSTWY, WADY,...), HALA (MOBILNOŚĆ), ATR Y AFM, ABY PÓŹNIEJ UZYSKAĆ INFORMACJE ZWROTNE NA TEMAT WARUNKÓW WZROSTU ORAZ NA SYMULACJE ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH, KTÓRE PRZEWIDUJĄ POLA ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE MOSFET (OBLICZENIA OSIĄGNIĘTE W PODPROJEKTIE 2, CNM-BELLATERRA). UCA BĘDZIE DOSTAWCĄ STRUKTUR HOMOEPITAXIAL DLA CNM-BELLATERRA, KTÓRE BĘDĄ DALEJ PRZEPROWADZAĆ, Z ODPOWIEDNIĄ KONTROLĄ ETAPÓW TECHNOLOGICZNYCH, KONSTRUKCJE TESTOWE I URZĄDZENIE MOSFET. INFORMACJE ZWROTNE POZWOLĄ NA PONOWNE DOSTOSOWANIE PROJEKTU (POZIOMY DOPINGU, WYDŁUŻENIE GRUBOŚCI/WARSTWY ITP.). (Polish)
17 August 2022
0 references
Puerto Real
0 references
20 December 2023
0 references
Identifiers
TEC2017-86347-C2-1-R
0 references