A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase (Q84341)
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Project Q84341 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase |
Project Q84341 in Poland |
Statements
3,500,000.0 zloty
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3,500,000.0 zloty
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100.0 percent
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1 October 2018
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30 September 2021
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INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
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The goal of this project is to develop a universal process for overcoming the equilibrium crystal shape in gallium nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of crystallized GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallization process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimized, while the growth facet (c-facet) will be stabilized and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (Polish)
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The goal of this project is to develop a universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in gallium Nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of Crystallised GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallisation process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimised, while the growth guy (c-facet) will be stabilised and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (English)
14 October 2020
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L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme cristalline d’équilibre dans la croissance cristalline du nitrure de gallium (GaN) à partir de la phase vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules de GaN cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur le plan c des graines de GaN indigènes. À cet effet, un contrôle précis de la supersaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La supersaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption de l’espèce de croissance sur les flancs sera réduite au minimum, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et développé pendant une période arbitraire. De telles conditions seront réalisées en contrôlant le champ thermique autour du cristal en croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French)
30 November 2021
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Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boule mit einem gleichmäßigen oder ausdehnenden Durchmesser ermöglichen. Der Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene des einheimischen GaN-Samens durchgeführt. Dazu ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Kanten und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsart an den Sidewalls minimiert, während der Wachstumstyp (c-Facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Steuerung des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Die Boule wird ihre endgültige Form erreichen, indem sie sich an das thermische Feld anpasst und seine Gleichgewichtsgewohnheit nicht nimmt. (German)
7 December 2021
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Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in gallium Nitride (GaN) kristalgroei vanuit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkele kristallijne GaN boules met een uniforme of uitdijende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vliegtuig van inheemse GaN zaad. Hiervoor is een nauwkeurige controle van de oververzadiging op het groeioppervlak van het kristal noodzakelijk. De oververzadiging moet worden verminderd op de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoort op de Sidewalls worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid voor een willekeurige periode. Dergelijke voorwaarden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te regelen. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermische veld en niet zijn evenwichtsgewoonte te nemen. (Dutch)
16 December 2021
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L'obiettivo di questo progetto è quello di sviluppare un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita dei cristalli di nitruro di gallio (GaN) dalla fase del vapore. Attualmente, il diametro del GaN cristallizzato diminuisce nel tempo. I risultati del progetto dovrebbero consentire la deposizione di spessi boule monocristallina GaN con un diametro uniforme o in espansione. Il processo di cristallizzazione sarà effettuato sul piano c del seme autoctono di GaN. A tal fine è necessario un controllo preciso della supersaturazione sulla superficie crescente del cristallo. La supersaturazione dovrebbe essere ridotta sui bordi e sui fianchi del cristallo in crescita. In questo modo l'adsorbimento delle specie di crescita sui Sidewall sarà minimizzato, mentre il tipo di crescita (c-facet) sarà stabilizzato e cresciuto per un periodo di tempo arbitrario. Tali condizioni saranno raggiunte controllando il campo termico attorno al cristallo in crescita. Il boule raggiungerà la sua forma finale adattandosi al campo termico e non assumerà la sua abitudine di equilibrio. (Italian)
16 January 2022
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El objetivo de este proyecto es desarrollar un proceso universal para superar la forma del cristal de equilibrio en el crecimiento cristalino de nitruro de galio (GaN) desde la fase de vapor. Actualmente, el diámetro de GaN cristalizado disminuye en el tiempo. Los resultados del proyecto deben permitir la deposición de bloques de GaN cristalinos gruesos con un diámetro uniforme o en expansión. El proceso de cristalización se llevará a cabo en el plano c de semillas nativas de GaN. Para ello, es necesario un control preciso de la supersaturación en la superficie de crecimiento del cristal. La supersaturación debe reducirse en los bordes y paredes laterales del cristal en crecimiento. De esta manera se minimizará la adsorción de las especies de crecimiento en los Paredes laterales, mientras que el tipo de crecimiento (c-facet) se estabilizará y crecerá durante un período de tiempo arbitrario. Tales condiciones se lograrán mediante el control del campo térmico alrededor del cristal en crecimiento. El boule alcanzará su forma final adaptándose al campo termal y no tomar su hábito de equilibrio. (Spanish)
19 January 2022
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Identifiers
POIR.04.04.00-00-5CEB/17
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