Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs (Q84238)
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Project Q84238 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs |
Project Q84238 in Poland |
Statements
3,464,455.0 zloty
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3,464,455.0 zloty
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100.0 percent
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1 September 2017
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31 August 2020
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INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
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In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies ("green gap"). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (Polish)
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In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen Impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies (“green gap”). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (English)
14 October 2020
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Dans le cadre du projet, nous expliquerons le rôle des défauts ponctuels (principalement Ga vacants et impuretés d’hydrogène) dans la décomposition des puits quantiques InGaN. Cette décomposition se produit au cours de la croissance de GaN de type p au-dessus de ces puits dans les LED et les diodes laser (LD) émettant dans la gamme spectrale bleue/verte, et est l’une des principales raisons pour lesquelles l’efficacité des émetteurs verts a une faible efficacité («écart vert»). Dans nos recherches récentes, nous avons obtenu pour la première fois des indications que la décomposition d’InGaN est causée par la diffusion de défauts ponctuels entraîné par des déformations. Pour comprendre ce phénomène, nous prévoyons de faire un certain nombre d’expériences changeant les paramètres de croissance (dopage, flux de réactifs, pression, température, etc.) dans la croissance épitaxiale, ainsi que de modéliser théoriquement le défaut de point et la diffusion de l’indium. Les échantillons seront examinés à l’aide d’un certain nombre de techniques en collaboration avec d’autres laboratoires. En conséquence, nous devrions trouver le moyen d’éviter la décomposition InGaN dans les LED et les LDs. (French)
30 November 2021
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Identifiers
POIR.04.04.00-00-3C81/16
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