Energy-electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power devices (Q78761)
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Project Q78761 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Energy-electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power devices |
Project Q78761 in Poland |
Statements
2,102,287.62 zloty
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2,849,316.73 zloty
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73.78 percent
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1 June 2016
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30 April 2018
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MARKEL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ
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52°4'28.9"N, 21°1'37.6"E
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Rozwijająca się w szybkim tempie technologia półprzewodnikowych przyrządów mocy z węglika krzemu (SiC) dostarcza elementów o coraz to wyższych napięciach i prądach znamionowych. Obecnie możliwe jest budowanie układów energoelektronicznych na moce rzędu kilkudziesięciu-kilkuset kW przy użyciu dostępnych na rynku tranzystorów i diod mocy o napięciach przebicia 1200V i 1700V. Elementy te wchodzą w skład modułów mocy, których technologia jest analogiczna z tą stosowaną w przypadku krzemowych tranzystorów IGBT i cechuje się znaczącymi indukcyjnościami pasożytniczymi. Dlatego obecnie nie jest możliwe pełne wykorzystanie doskonałych właściwości dynamicznych elementów SiC, konieczne jest pojawienie się na rynku niskoimpedancyjnych modułów mocy przeznaczonych dla elementów SiC. Ponadto niezbędne jest także opracowanie odpowiednich sterowników bramkowych, obwodów mocy, także o niskiej indukcyjności a także właściwych systemów chłodzenia. Dlatego celem projektu jest opracowanie i wdrożenie do produkcji uniwersalnego energoelektronicznego bloku funkcjonalnego/ funkcjonalnego bloku mocy (FBM), który jest podzespołem standardowych układów energoelektronicznych (falownik mostkowy, falownik trójfazowy, falownik wielopoziomowy) na bazie niskoimpedancyjnych modułów mocy. W ten sposób opracowany blok funkcjonalny będzie mógł być użyty to prostego rozwinięcia w pełny układ energoelektroniczny w zależności od potrzeb klienta w danej aplikacji. Art. 25 rozporządzenia KE nr 651/2014 z dnia 17 czerwca 2014 r. uznające niektóre rodzaje pomocy za zgodne z rynkiem wewnętrznym w stosowaniu art. 107 i 108 Traktatu (Dz. Urz. UE L 187/1 z 26.06.2014) (Polish)
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The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English)
14 October 2020
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La technologie à croissance rapide des instruments de puissance à semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) fournit des composants avec des tensions toujours plus élevées et des courants nominales. Actuellement, il est possible de construire des systèmes électroniques énergétiques avec une puissance de l’ordre de plusieurs dizaines-plusieurs kW avec l’utilisation de transistors et de diodes de puissance disponibles sur le marché avec des tensions de 1200V et 1700V. Ces éléments font partie de modules de puissance dont la technologie est analogue à celle utilisée pour les transistors IGBT de silicium et présente d’importantes inductances parasitaires. Par conséquent, à l’heure actuelle, il n’est pas possible de tirer pleinement parti des excellentes propriétés dynamiques des éléments SiC, il est nécessaire d’avoir des modules de puissance à faible impédance pour les composants SiC sur le marché. En outre, il est également nécessaire de développer des contrôleurs de porte appropriés, des circuits d’alimentation, également à faible inductance, ainsi que des systèmes de refroidissement appropriés. Par conséquent, l’objectif du projet est de développer et de mettre en œuvre pour la production d’un bloc fonctionnel énergétique-électronique universel/bloc de puissance fonctionnelle (FBM), qui est une composante de systèmes électroniques de puissance standard (onduleur de pont, onduleur triphasé, onduleur multi-niveaux) basé sur des modules de puissance à faible impédance. De cette manière, le bloc fonctionnel pourra être utilisé comme une simple extension dans un système électronique à pleine énergie en fonction des besoins du client dans une application donnée. Article 25 du règlement (CE) no 651/2014 du 17 juin 2014 déclarant certaines catégories d’aides compatibles avec le marché intérieur en application des articles 107 et 108 du traité URZ. UE L 187/1 du 26.6.2014) (French)
30 November 2021
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Die schnell wachsende Technologie von Siliziumcarbid Halbleiter-Leistungsinstrumenten (SiC) liefert Komponenten mit immer höheren Spannungen und Nennströmen. Derzeit ist es möglich, energieelektronische Systeme mit einer Leistung von mehreren Dutzend kW mit dem Einsatz von Transistoren und Leistungsdioden auf dem Markt mit Spannungen von 1200V und 1700V zu bauen. Diese Elemente sind Teil von Leistungsmodulen, deren Technologie analog zur Silizium-IGBT-Transistoren ist und erhebliche parasitäre Induktivitäten aufweist. Daher ist es derzeit nicht möglich, die hervorragenden dynamischen Eigenschaften von SiC-Elementen voll auszuschöpfen, es ist notwendig, auf dem Markt Low-impedance-Leistungsmodule für SiC-Komponenten zu haben. Darüber hinaus ist es notwendig, geeignete Gate-Controller, Leistungskreise, auch mit geringer Induktivität, sowie geeignete Kühlsysteme zu entwickeln. Ziel des Projektes ist es daher, einen universellen energieelektronischen Funktionsblock/Funktional Power Block (FBM) zu entwickeln und umzusetzen, der Bestandteil von Standard-Power-Elektronik-Systemen (Brückenwechselrichter, Dreiphasen-Wechselrichter, Multi-Level-Wechselrichter) auf Basis von Leistungsmodulen mit niedriger Impedanz ist. Auf diese Weise kann der Funktionsblock je nach Bedarf des Kunden in einer bestimmten Anwendung als einfache Erweiterung in ein vollenergieelektronisches System eingesetzt werden. Artikel 25 der Verordnung (EG) Nr. 651/2014 vom 17. Juni 2014 zur Feststellung der Vereinbarkeit bestimmter Gruppen von Beihilfen mit dem Binnenmarkt in Anwendung der Artikel 107 und 108 AEUV URZ. EU L 187/1 vom 26.6.2014) (German)
7 December 2021
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Identifiers
POIR.01.01.01-00-1865/15
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