Tunnel junction and its applications for GaN based Optoelectronics (Q84211): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Set a claim value: summary (P836): O trabalho realizado no âmbito do projeto explorará o novo conceito de projeto de junção de túneis (TJ) e desenvolverá as suas aplicações para dispositivos optoeletrónicos baseados em nitreto. O projeto divide-se em três tarefas: 1) desenvolvimento de TJ e determinação das suas propriedades, 2) aplicação de TJ a díodos laser cultivados por epitaxia de feixe molecular assistido por plasma (PAMBE) e crescimento híbrido por epitaxia de fase de vapor me...) |
(Changed label, description and/or aliases in pt) |
||
| label / pt | label / pt | ||
Núcleo do túnel e suas aplicações para a optoelectrónica baseada em GaN | |||
Latest revision as of 22:03, 12 October 2024
Project Q84211 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Tunnel junction and its applications for GaN based Optoelectronics |
Project Q84211 in Poland |
Statements
4,464,910.0 zloty
0 references
4,464,910.0 zloty
0 references
100.0 percent
0 references
1 January 2017
0 references
31 March 2023
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
The work done within the framework of the Project will exploit the new design concept of tunnel junction (TJ) and develop its applications to nitride based optoelectronic devices. The Project is divided to three tasks: 1) development of TJs and determination of their properties, 2) application of TJs to laser diodes grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) and hybrid growth by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) and PAMBE technology, 3) realization of stacks of light emitting diodes and laser diodes interconnected by TJs. The outcome of the Project will be the implementation of the newly developed devices to the industry. Furthermore, the young students engaged in the project will acquire skills required in design and manufacturing of devices based on the nitride material system. We believe that this Project will lead to improvement in the Polish semiconductor industry through both new nitride devices and development of the human resources. (Polish)
0 references
The work done within the framework of the Project will exploit the new design concept of tunnel junction (TJ) and develop its applications to Nitride based Optoelectronic devices. The Project is divided to three tasks: 1) development of TJs and determination of their properties, 2) application of TJs to laser diodes grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) and hybrid growth by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) and PAMBE technology, 3) realisation of stacks of light emitting diodes and laser diodes interconnected by TJs. The outcome of the Project will be the implementation of the newly developed devices to the industry. Furthermore, the young students engaged in the project will acquire skills required in design and manufacturing of devices based on the Nitride material system. We believe that this Project will lead to improvement in the Polish semiconductor industry through both new Nitride devices and development of the human resources. (English)
14 October 2020
0.7837220979969473
0 references
Les travaux réalisés dans le cadre du projet exploiteront le nouveau concept de jonction de tunnel (TJ) et développeront ses applications aux dispositifs optoélectroniques à base de nitrure. Le projet est divisé en trois tâches: 1) le développement des TJs et la détermination de leurs propriétés, 2) l’application de TJs aux diodes laser cultivées par la technologie Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) et la croissance hybride par l’épitaxie de phase de vapeur métalorganique (MOVPE) et la technologie PAMBE, 3) la réalisation de piles de diodes émettrices de lumière et de diodes laser interconnectées par les TJs. Le résultat du projet sera la mise en œuvre des dispositifs nouvellement développés dans l’industrie. En outre, les jeunes étudiants engagés dans le projet acquerront les compétences requises dans la conception et la fabrication d’appareils basés sur le système de matériaux en nitrure. Nous pensons que ce projet permettra d’améliorer l’industrie polonaise des semi-conducteurs grâce à de nouveaux dispositifs de nitrure et au développement des ressources humaines. (French)
30 November 2021
0 references
Die im Rahmen des Projekts durchgeführten Arbeiten werden das neue Designkonzept der Tunnelkreuzung (TJ) nutzen und seine Anwendungen für nitridbasierte optoelektronische Geräte entwickeln. Das Projekt ist auf drei Aufgaben aufgeteilt: 1) Entwicklung von TJs und Bestimmung ihrer Eigenschaften, 2) Anwendung von TJs auf Laserdioden durch Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) und Hybridwachstum durch Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) und PAMBE Technologie, 3) Realisierung von Stapeln von Licht emittierenden Dioden und Laserdioden, die durch TJs miteinander verbunden sind. Das Ergebnis des Projekts wird die Implementierung der neu entwickelten Geräte in die Industrie sein. Darüber hinaus werden die an dem Projekt beteiligten jungen Studenten Fähigkeiten erwerben, die in der Konstruktion und Herstellung von Geräten auf Basis des Nitridmaterialsystems erforderlich sind. Wir glauben, dass dieses Projekt zu Verbesserungen in der polnischen Halbleiterindustrie sowohl durch neue Nitridgeräte als auch durch die Entwicklung der Humanressourcen führen wird. (German)
7 December 2021
0 references
De werkzaamheden in het kader van het project zullen het nieuwe ontwerpconcept van tunnel junction (TJ) benutten en de toepassingen ervan ontwikkelen voor nitride-gebaseerde opto-elektronische apparaten. Het project is onderverdeeld in drie taken: 1) ontwikkeling van TJ’s en bepaling van hun eigenschappen, 2) toepassing van TJ’s op laserdioden gekweekt door Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) en hybride groei door Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) en PAMBE-technologie, 3) realisatie van stapels lichtgevende dioden en laserdioden met elkaar verbonden door TJ’s. Het resultaat van het project is de implementatie van de nieuw ontwikkelde apparaten aan de industrie. Bovendien zullen de jonge studenten die betrokken zijn bij het project vaardigheden verwerven die nodig zijn in het ontwerp en de productie van apparaten op basis van het nitridemateriaalsysteem. Wij zijn van mening dat dit project zal leiden tot verbetering in de Poolse halfgeleiderindustrie door zowel nieuwe nitride-apparaten als de ontwikkeling van de menselijke hulpbronnen. (Dutch)
16 December 2021
0 references
Il lavoro svolto nell'ambito del Progetto sfrutterà il nuovo concetto di progettazione della giunzione del tunnel (TJ) e svilupperà le sue applicazioni ai dispositivi optoelettronici basati sul nitruro. Il progetto è suddiviso in tre compiti: 1) sviluppo di TJ e determinazione delle loro proprietà, 2) applicazione di TJs ai diodi laser coltivati dalla tecnologia Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) e crescita ibrida da parte di Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) e tecnologia PAMBE, 3) realizzazione di pile di diodi emettitori di luce e diodi laser interconnessi da TJs. Il risultato del progetto sarà l'implementazione dei dispositivi di nuova concezione per l'industria. Inoltre, i giovani studenti impegnati nel progetto acquisiranno le competenze richieste nella progettazione e produzione di dispositivi basati sul sistema materiale del nitruro. Crediamo che questo progetto porterà a miglioramenti nell'industria polacca dei semiconduttori attraverso sia i nuovi dispositivi a nitruro che lo sviluppo delle risorse umane. (Italian)
16 January 2022
0 references
El trabajo realizado en el marco del Proyecto explotará el nuevo concepto de diseño de unión de túneles (TJ) y desarrollará sus aplicaciones para dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros. El proyecto se divide en tres tareas: 1) desarrollo de TJs y determinación de sus propiedades, 2) aplicación de TJs a diodos láser cultivados por Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) y crecimiento híbrido por Epitaxía de fase de vapor metalorgánico (MOVPE) y tecnología PAMBE, 3) realización de pilas de diodos emisores de luz y diodos láser interconectados por TJs. El resultado del proyecto será la implementación de los dispositivos recientemente desarrollados a la industria. Además, los jóvenes estudiantes que participan en el proyecto adquirirán las habilidades necesarias en el diseño y fabricación de dispositivos basados en el sistema de material de nitruro. Creemos que este proyecto conducirá a la mejora de la industria polaca de semiconductores a través de nuevos dispositivos de nitruro y el desarrollo de los recursos humanos. (Spanish)
19 January 2022
0 references
Det arbejde, der udføres inden for rammerne af projektet, vil udnytte det nye designkoncept for tunnelkryds (TJ) og udvikle dets applikationer til nitridebaserede optoelektroniske enheder. Projektet er opdelt i tre opgaver: 1) udvikling af TJ'er og bestemmelse af deres egenskaber, 2) anvendelse af TJ'er på laserdioder dyrket ved Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) og hybrid vækst ved Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) og PAMBE-teknologi, 3) realisering af stakke af lysemitterende dioder og laserdioder forbundet med TJ'er. Resultatet af projektet vil være implementeringen af de nyudviklede enheder til industrien. Desuden vil de unge studerende, der er involveret i projektet, erhverve færdigheder, der kræves i design og fremstilling af enheder baseret på nitridmaterialesystemet. Vi mener, at dette projekt vil føre til forbedringer i den polske halvlederindustri gennem både nye nitrid-enheder og udvikling af de menneskelige ressourcer. (Danish)
26 July 2022
0 references
Οι εργασίες που πραγματοποιούνται στο πλαίσιο του Έργου θα αξιοποιήσουν τη νέα σχεδιαστική έννοια της διασταύρωσης σηράγγων (TJ) και θα αναπτύξουν τις εφαρμογές της σε οπτοηλεκτρονικές συσκευές με βάση νιτρίδια. Το έργο χωρίζεται σε τρία καθήκοντα: 1) ανάπτυξη των TJs και προσδιορισμός των ιδιοτήτων τους, 2) εφαρμογή των TJs σε διόδους λέιζερ που καλλιεργούνται με Plasma υποβοηθούμενη μοριακή ακτίνα Epitaxy (PAMBE) και υβριδική ανάπτυξη από την επιταξία φάσης ατμού (MOVPE) και την τεχνολογία PAMBE, 3) πραγματοποίηση στοίβων των διόδων εκπομπής φωτός και των διόδων λέιζερ που διασυνδέονται με TJs. Το αποτέλεσμα του Έργου θα είναι η υλοποίηση των νέων συσκευών στη βιομηχανία. Επιπλέον, οι νέοι φοιτητές που συμμετέχουν στο έργο θα αποκτήσουν τις δεξιότητες που απαιτούνται για το σχεδιασμό και την κατασκευή συσκευών με βάση το σύστημα υλικών νιτριδίων. Πιστεύουμε ότι αυτό το έργο θα οδηγήσει στη βελτίωση της πολωνικής βιομηχανίας ημιαγωγών μέσω τόσο νέων συσκευών νιτριδίων όσο και της ανάπτυξης του ανθρώπινου δυναμικού. (Greek)
26 July 2022
0 references
U radu obavljenom u okviru Projekta iskoristit će se novi projektni koncept tunelskog spoja (TJ) i razviti njegove primjene na optoelektroničke uređaje temeljene na nitridu. Projekt je podijeljen na tri zadaće: 1) razvoj TJ-a i određivanje njihovih svojstava, 2) primjena TJ-a na laserske diode uzgojene od strane plazma potpomognute molekularne zrake Epitaksi (PAMBE) i hibridni rast Metalorganskih para Epitaksi (MOVPE) i PAMBE tehnologije, 3) realizacija snopova svjetlećih dioda i laserskih dioda međusobno povezanih TJ-ima. Ishod projekta bit će implementacija novorazvijenih uređaja u industriju. Nadalje, mladi studenti uključeni u projekt steći će vještine potrebne u projektiranju i proizvodnji uređaja temeljenih na sustavu materijala nitrida. Vjerujemo da će ovaj projekt dovesti do poboljšanja u poljskoj industriji poluvodiča kroz nove nitridne uređaje i razvoj ljudskih resursa. (Croatian)
26 July 2022
0 references
Activitatea desfășurată în cadrul proiectului va exploata noul concept de proiectare a joncțiunii tunelului (TJ) și va dezvolta aplicațiile sale la dispozitivele optoelectronice bazate pe nitrură. Proiectul este împărțit în trei sarcini: 1) dezvoltarea TJ-urilor și determinarea proprietăților acestora, 2) aplicarea TJ-urilor la diodele laser cultivate prin epitaxia cu fascicul molecular asistată cu plasmă (PAMBE) și creșterea hibridă prin epitaxia de fază a vaporilor metalici (MOVPE) și tehnologia PAMBE, 3) realizarea de stive de diode emițătoare de lumină și diode laser interconectate de TJs. Rezultatul proiectului va fi implementarea dispozitivelor nou dezvoltate pentru industrie. În plus, tinerii studenți implicați în proiect vor dobândi abilitățile necesare în proiectarea și fabricarea dispozitivelor bazate pe sistemul de materiale de nitrură. Credem că acest proiect va duce la îmbunătățirea industriei semiconductorilor polonezi atât prin noile dispozitive cu nitrură, cât și prin dezvoltarea resurselor umane. (Romanian)
26 July 2022
0 references
Práca vykonaná v rámci projektu bude využívať novú koncepciu tunelovej križovatky (TJ) a rozvíjať jej aplikácie pre optoelektronické zariadenia založené na nitridoch. Projekt je rozdelený na tri úlohy: 1) vývoj TJ a stanovenie ich vlastností, 2) aplikácia TJ na laserové diódy pestované epitaxiou plazmatického molekulárneho lúča (PAMBE) a hybridným rastom prostredníctvom metalorganickej fázy fázy (MOVPE) a technológie PAMBE, 3) realizácia komínov svetelných emisných diód a laserových diód prepojených TJs. Výsledkom projektu bude implementácia novovyvinutých zariadení do priemyslu. Okrem toho mladí študenti zapojení do projektu získajú zručnosti potrebné pri navrhovaní a výrobe zariadení založených na systéme nitridových materiálov. Veríme, že tento projekt povedie k zlepšeniu poľského polovodičového priemyslu prostredníctvom nových nitridových zariadení a rozvoja ľudských zdrojov. (Slovak)
26 July 2022
0 references
Ix-xogħol li sar fil-qafas tal-Proġett se jisfrutta l-kunċett il-ġdid tad-disinn tal-ġunzjoni tal-mina (TJ) u jiżviluppa l-applikazzjonijiet tiegħu għall-apparat optoelettroniku bbażat fuq in-nitrur. Il-Proġett huwa maqsum fi tliet kompiti: 1) l-iżvilupp tat-TJs u d-determinazzjoni tal-proprjetajiet tagħhom, 2) l-applikazzjoni tat-TJs għad-dijodi tal-lejżer imkabbra bl-Epitaxy tar-Raġġ Molekulari Molekulari tal-Plażma (PAMBE) u t-tkabbir ibridu permezz tal-Epitaxy tal-Fażi tal-Fwar Metalorganiku (MOVPE) u t-teknoloġija PAMBE, 3) ir-realizzazzjoni ta’ stacks ta’ dijodi li jemettu d-dawl u dijodi tal-lejżer interkonnessi minn TJs. Ir-riżultat tal-Proġett se jkun l-implimentazzjoni tat-tagħmir li għadu kif ġie żviluppat għall-industrija. Barra minn hekk, l-istudenti żgħażagħ involuti fil-proġett se jiksbu l-ħiliet meħtieġa fid-disinn u l-manifattura ta’ apparat ibbażat fuq is-sistema tal-materjal tan-nitride. Aħna nemmnu li dan il-Proġett se jwassal għal titjib fl-industrija Pollakka tas-semikondutturi kemm permezz ta’ apparat ġdid ta’ nitride kif ukoll permezz tal-iżvilupp tar-riżorsi umani. (Maltese)
26 July 2022
0 references
O trabalho realizado no âmbito do projeto explorará o novo conceito de projeto de junção de túneis (TJ) e desenvolverá as suas aplicações para dispositivos optoeletrónicos baseados em nitreto. O projeto divide-se em três tarefas: 1) desenvolvimento de TJ e determinação das suas propriedades, 2) aplicação de TJ a díodos laser cultivados por epitaxia de feixe molecular assistido por plasma (PAMBE) e crescimento híbrido por epitaxia de fase de vapor metálico (MOVPE) e tecnologia PAMBE, 3) realização de pilhas de díodos emissores de luz e díodos laser interligados por TJ. O resultado do projeto será a implementação dos dispositivos recém-desenvolvidos para a indústria. Além disso, os jovens estudantes envolvidos no projeto adquirirão as competências necessárias na conceção e fabrico de dispositivos baseados no sistema de materiais Nitride. Acreditamos que este projeto levará a melhorias na indústria de semicondutores polonesa através de novos dispositivos Nitride e do desenvolvimento dos recursos humanos. (Portuguese)
26 July 2022
0 references
Hankkeen puitteissa tehtävässä työssä hyödynnetään tunneliliitoksen (TJ) uutta suunnittelukonseptia ja kehitetään sen sovelluksia nitridipohjaisiin optoelektronisiin laitteisiin. Hanke jakautuu kolmeen tehtävään: 1) TJ: n kehittäminen ja niiden ominaisuuksien määrittäminen, 2) TJ: n soveltaminen laserdiodeihin, joita kasvatetaan plasmaavusteisella molekyylipalkin Epitaxylla (PAMBE) ja hybridikasvulla Metalorgic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) ja PAMBE-teknologialla, 3) TJ: n yhteenliitettyjen valodiodien ja laserdiodiodien toteuttaminen. Hankkeen tuloksena on vasta kehitettyjen laitteiden käyttöönotto teollisuudelle. Lisäksi nuoret opiskelijat hankkivat tarvittavat taidot nitridimateriaalijärjestelmään perustuvien laitteiden suunnittelussa ja valmistuksessa. Uskomme, että tämä hanke johtaa Puolan puolijohdeteollisuuden parantamiseen sekä uusien nitridilaitteiden että henkilöresurssien kehittämisen kautta. (Finnish)
26 July 2022
0 references
Delo, opravljeno v okviru projekta, bo izkoristilo nov koncept zasnove predora (TJ) in razvilo njegovo uporabo za optoelektronske naprave, ki temeljijo na nitridu. Projekt je razdeljen na tri naloge: 1) razvoj TJ-jev in določanje njihovih lastnosti, 2) uporaba TJ-jev na laserske diode, ki jih goji Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) in hibridna rast z epitaksijo Metalorganske faze Vapour (MOVPE) in tehnologijo PAMBE, 3) realizacija nizov svetlečih diod in laserskih diod, ki jih povezujejo TJ-ji. Rezultat projekta bo uvedba novo razvitih naprav za industrijo. Poleg tega bodo mladi študenti, ki sodelujejo v projektu, pridobili spretnosti, potrebne za oblikovanje in izdelavo naprav, ki temeljijo na nitridnem materialnem sistemu. Verjamemo, da bo ta projekt privedel do izboljšanja poljske industrije polprevodnikov z novimi nitridnimi napravami in razvojem človeških virov. (Slovenian)
26 July 2022
0 references
Práce vykonaná v rámci projektu bude využívat novou koncepci tunelového spojení (TJ) a rozvíjet své aplikace pro optoelektronická zařízení založená na nitridech. Projekt je rozdělen na tři úkoly: 1) vývoj TJ a stanovení jejich vlastností, 2) aplikace TJ na laserové diody pěstované plazmovou asistovanou molekulární epitaxí (PAMBE) a hybridní růst pomocí technologie Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) a PAMBE, 3) realizace stohů světelných diod a laserových diod propojených TJs. Výsledkem projektu bude implementace nově vyvinutých zařízení do průmyslu. Kromě toho mladí studenti zapojeni do projektu získají dovednosti potřebné při navrhování a výrobě zařízení založených na materiálovém systému nitridu. Věříme, že tento projekt povede ke zlepšení polského polovodičového průmyslu prostřednictvím nových zařízení nitridu a rozvoje lidských zdrojů. (Czech)
26 July 2022
0 references
Projekto kontekste atliktas darbas išnaudos naują tunelio jungties (TJ) projektavimo koncepciją ir plėtos jos taikymą nitridu pagrįstiems optoelektroniniams prietaisams. Projektas suskirstytas į tris užduotis: 1) TJ kūrimas ir jų savybių nustatymas, 2) TJ taikymas lazerio diodams, auginamiems plazminės molekulinės šviesos epitaksijos (PAMBE) ir hibridinio augimo naudojant metalorganinės garų fazės epitaksiją (MOVPE) ir PAMBE technologiją, 3) šviesos diodų ir lazerių diodų, sujungtų TJ, įgyvendinimas. Projekto rezultatas bus naujai sukurtų prietaisų diegimas pramonei. Be to, projekte dalyvaujantys jauni studentai įgis įgūdžių, reikalingų projektuojant ir gaminant prietaisus, pagrįstus nitrido medžiagų sistema. Tikime, kad šis projektas padės pagerinti Lenkijos puslaidininkių pramonę tiek naujais nitrido prietaisais, tiek vystant žmogiškuosius išteklius. (Lithuanian)
26 July 2022
0 references
Projekta ietvaros veiktais darbs izmantos jauno tuneļa savienojuma (TJ) koncepciju un attīstīs tās pielietojumu optoelektroniskajām ierīcēm, kuru pamatā ir nitrīdi. Projekts ir sadalīts trīs uzdevumos: 1) TJ izstrāde un to īpašību noteikšana, 2) TJ pielietošana lāzera diodēm, ko audzē ar plazmas atbalstīto molekulāro staru epitaksiju (PAMBE) un hibrīdaugšana ar Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) un PAMBE tehnoloģiju; 3) TJ savstarpēji savienotu gaismas diožu un lāzera diožu skursteņi. Projekta rezultāts būs jaunizveidoto ierīču ieviešana nozarē. Turklāt projektā iesaistītie jaunie studenti apgūs prasmes, kas nepieciešamas, projektējot un ražojot ierīces, kuru pamatā ir nitrīdu materiālu sistēma. Mēs uzskatām, ka šis projekts veicinās uzlabojumus Polijas pusvadītāju nozarē, izmantojot gan jaunas nitrīda ierīces, gan cilvēkresursu attīstību. (Latvian)
26 July 2022
0 references
Работата, извършена в рамките на проекта, ще използва новата проектна концепция за тунелен възел (TJ) и ще разработи приложения за нитридни оптоелектронни устройства. Проектът е разделен на три задачи: 1) разработване на TJs и определяне на техните свойства, 2) прилагане на TJs към лазерни диоди, отглеждани чрез плазмена асистирана молекулярна епитаксия (PAMBE) и хибриден растеж чрез металорганична парна фаза Epitaxy (MOVPE) и PAMBE технология, 3) реализация на стекове от светодиоди, излъчващи светлина и лазерни диоди, свързани с TJs. Резултатът от проекта ще бъде внедряването на новоразработените устройства в индустрията. Освен това, младите студенти, ангажирани в проекта, ще придобият умения, необходими за проектиране и производство на устройства, базирани на нитридната материална система. Вярваме, че този проект ще доведе до подобрение в полската полупроводникова индустрия чрез нови нитридни устройства и развитие на човешките ресурси. (Bulgarian)
26 July 2022
0 references
A projekt keretében végzett munka kihasználja az alagútelágazás (TJ) új tervezési koncepcióját, és nitrid alapú optoelektronikai eszközökre fejleszti alkalmazásait. A projekt három feladatra oszlik: 1) TJ-k fejlesztése és tulajdonságaik meghatározása, 2) TJ-k alkalmazása a Plazmaasszisztens Molekuláris Beam Epitaxy (PAMBE) által termelt lézerdiódákra, és hibrid növekedés a Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) és a PAMBE technológia segítségével, 3) a TJ-k által összekapcsolt fénykibocsátó diódák és lézerdiódák megvalósítása. A projekt eredménye az újonnan kifejlesztett eszközök bevezetése lesz az iparág számára. Továbbá a projektben részt vevő fiatal diákok elsajátítják a nitrid anyagrendszeren alapuló eszközök tervezéséhez és gyártásához szükséges készségeket. Úgy véljük, hogy ez a projekt a lengyel félvezető ipar fejlődéséhez vezet mind az új nitrid eszközök, mind az emberi erőforrások fejlesztése révén. (Hungarian)
26 July 2022
0 references
Bainfidh an obair a dhéantar laistigh de chreat an Tionscadail leas as coincheap dearaidh nua acomhal an tolláin (TJ) agus forbróidh sé a iarratais ar ghléasanna optoelectronic atá bunaithe ar nítríd. Tá an Tionscadal roinnte ina thrí thasc: 1) TJs a fhorbairt agus a n-airíonna a chinneadh, 2) TJs a chur i bhfeidhm ar dhé-óidí léasair a d’fhás Plasma Epitaxy Beam Móilíneach Cuidithe (PAMBE) agus fás hibrideach ag teicneolaíocht Epitaxy (MOVPE) agus PAMBE Céim Miotalorgánach Vapour, 3) cruacha dé-óidí astaithe solais agus dé-óidí léasair idirnasctha ag TJs a bhaint amach. Is é toradh an Tionscadail ná na feistí nua-fhorbartha a chur chun feidhme don tionscal. Ina theannta sin, gheobhaidh na daltaí óga atá ag gabháil don tionscadal na scileanna is gá chun gléasanna a dhearadh agus a mhonarú bunaithe ar an gcóras ábhair nítríde. Creidimid go dtiocfaidh feabhas ar thionscal leathsheoltóra na Polainne trí ghléasanna nua nítríde agus trí fhorbairt na n-acmhainní daonna mar thoradh ar an Tionscadal seo. (Irish)
26 July 2022
0 references
Det arbete som utförs inom ramen för projektet kommer att utnyttja det nya designkonceptet för tunnelkorsning (TJ) och utveckla dess tillämpningar för nitridbaserade optoelektroniska enheter. Projektet är uppdelat på tre uppgifter: 1) utveckling av TJs och bestämning av deras egenskaper, 2) tillämpning av TJs på laserdioder som odlas av Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) och hybridtillväxt genom Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) och PAMBE-teknik, 3) förverkligande av staplar av lysdioder och laserdioder som är sammankopplade av TJs. Resultatet av projektet kommer att vara genomförandet av de nyutvecklade enheterna till industrin. Dessutom kommer de unga studenter som deltar i projektet att förvärva färdigheter som krävs i konstruktion och tillverkning av enheter baserade på nitridmaterialsystemet. Vi tror att detta projekt kommer att leda till förbättringar i den polska halvledarindustrin genom både nya nitridenheter och utveckling av mänskliga resurser. (Swedish)
26 July 2022
0 references
Projekti raames tehtava töö käigus kasutatakse ära tunnelite ristmiku (TJ) uut projekteerimiskontseptsiooni ja arendatakse selle rakendusi nitriidil põhinevatele optoelektroonilistele seadmetele. Projekt on jagatud kolmeks ülesandeks: 1) TJ-de arendamine ja nende omaduste kindlaksmääramine, 2) TJ-de rakendamine laserdioodidele, mida kasvatavad Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) ja hübriidkasv metallorgaanilise Vapour Phase Epitaksy (MOVPE) ja PAMBE tehnoloogia abil, 3) TJ-dega ühendatud valgusdioodide ja laserdioodide korstnate realiseerimine. Projekti tulemuseks on uute seadmete rakendamine tööstuses. Lisaks omandavad projektis osalevad noored õpilased vajalikud oskused nitriidmaterjalide süsteemil põhinevate seadmete projekteerimiseks ja tootmiseks. Usume, et see projekt parandab Poola pooljuhtide tööstust nii uute nitriidseadmete kui ka inimressursside arendamise kaudu. (Estonian)
26 July 2022
0 references
Cały Kraj
0 references
6 July 2023
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-210C/16
0 references