Energy-electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power devices (Q78761): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Changed an Item: Import item from Poland) |
(Changed an Item: Import item from Poland) |
||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||
52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E
| |||||||||||
| Property / coordinate location: 52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E / rank | |||||||||||
Normal rank | |||||||||||
| Property / coordinate location: 52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E / qualifier | |||||||||||
Revision as of 13:58, 25 October 2022
Project Q78761 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Energy-electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power devices |
Project Q78761 in Poland |
Statements
2,102,287.62 zloty
0 references
2,849,316.73 zloty
0 references
73.78 percent
0 references
1 June 2016
0 references
30 April 2018
0 references
MARKEL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ
0 references
52°4'28.9"N, 21°1'37.6"E
0 references
Rozwijająca się w szybkim tempie technologia półprzewodnikowych przyrządów mocy z węglika krzemu (SiC) dostarcza elementów o coraz to wyższych napięciach i prądach znamionowych. Obecnie możliwe jest budowanie układów energoelektronicznych na moce rzędu kilkudziesięciu-kilkuset kW przy użyciu dostępnych na rynku tranzystorów i diod mocy o napięciach przebicia 1200V i 1700V. Elementy te wchodzą w skład modułów mocy, których technologia jest analogiczna z tą stosowaną w przypadku krzemowych tranzystorów IGBT i cechuje się znaczącymi indukcyjnościami pasożytniczymi. Dlatego obecnie nie jest możliwe pełne wykorzystanie doskonałych właściwości dynamicznych elementów SiC, konieczne jest pojawienie się na rynku niskoimpedancyjnych modułów mocy przeznaczonych dla elementów SiC. Ponadto niezbędne jest także opracowanie odpowiednich sterowników bramkowych, obwodów mocy, także o niskiej indukcyjności a także właściwych systemów chłodzenia. Dlatego celem projektu jest opracowanie i wdrożenie do produkcji uniwersalnego energoelektronicznego bloku funkcjonalnego/ funkcjonalnego bloku mocy (FBM), który jest podzespołem standardowych układów energoelektronicznych (falownik mostkowy, falownik trójfazowy, falownik wielopoziomowy) na bazie niskoimpedancyjnych modułów mocy. W ten sposób opracowany blok funkcjonalny będzie mógł być użyty to prostego rozwinięcia w pełny układ energoelektroniczny w zależności od potrzeb klienta w danej aplikacji. Art. 25 rozporządzenia KE nr 651/2014 z dnia 17 czerwca 2014 r. uznające niektóre rodzaje pomocy za zgodne z rynkiem wewnętrznym w stosowaniu art. 107 i 108 Traktatu (Dz. Urz. UE L 187/1 z 26.06.2014) (Polish)
0 references
The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English)
14 October 2020
0 references
La technologie à croissance rapide des instruments de puissance à semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) fournit des composants avec des tensions toujours plus élevées et des courants nominales. Actuellement, il est possible de construire des systèmes électroniques énergétiques avec une puissance de l’ordre de plusieurs dizaines-plusieurs kW avec l’utilisation de transistors et de diodes de puissance disponibles sur le marché avec des tensions de 1200V et 1700V. Ces éléments font partie de modules de puissance dont la technologie est analogue à celle utilisée pour les transistors IGBT de silicium et présente d’importantes inductances parasitaires. Par conséquent, à l’heure actuelle, il n’est pas possible de tirer pleinement parti des excellentes propriétés dynamiques des éléments SiC, il est nécessaire d’avoir des modules de puissance à faible impédance pour les composants SiC sur le marché. En outre, il est également nécessaire de développer des contrôleurs de porte appropriés, des circuits d’alimentation, également à faible inductance, ainsi que des systèmes de refroidissement appropriés. Par conséquent, l’objectif du projet est de développer et de mettre en œuvre pour la production d’un bloc fonctionnel énergétique-électronique universel/bloc de puissance fonctionnelle (FBM), qui est une composante de systèmes électroniques de puissance standard (onduleur de pont, onduleur triphasé, onduleur multi-niveaux) basé sur des modules de puissance à faible impédance. De cette manière, le bloc fonctionnel pourra être utilisé comme une simple extension dans un système électronique à pleine énergie en fonction des besoins du client dans une application donnée. Article 25 du règlement (CE) no 651/2014 du 17 juin 2014 déclarant certaines catégories d’aides compatibles avec le marché intérieur en application des articles 107 et 108 du traité URZ. UE L 187/1 du 26.6.2014) (French)
30 November 2021
0 references
Die schnell wachsende Technologie von Siliziumcarbid Halbleiter-Leistungsinstrumenten (SiC) liefert Komponenten mit immer höheren Spannungen und Nennströmen. Derzeit ist es möglich, energieelektronische Systeme mit einer Leistung von mehreren Dutzend kW mit dem Einsatz von Transistoren und Leistungsdioden auf dem Markt mit Spannungen von 1200V und 1700V zu bauen. Diese Elemente sind Teil von Leistungsmodulen, deren Technologie analog zur Silizium-IGBT-Transistoren ist und erhebliche parasitäre Induktivitäten aufweist. Daher ist es derzeit nicht möglich, die hervorragenden dynamischen Eigenschaften von SiC-Elementen voll auszuschöpfen, es ist notwendig, auf dem Markt Low-impedance-Leistungsmodule für SiC-Komponenten zu haben. Darüber hinaus ist es notwendig, geeignete Gate-Controller, Leistungskreise, auch mit geringer Induktivität, sowie geeignete Kühlsysteme zu entwickeln. Ziel des Projektes ist es daher, einen universellen energieelektronischen Funktionsblock/Funktional Power Block (FBM) zu entwickeln und umzusetzen, der Bestandteil von Standard-Power-Elektronik-Systemen (Brückenwechselrichter, Dreiphasen-Wechselrichter, Multi-Level-Wechselrichter) auf Basis von Leistungsmodulen mit niedriger Impedanz ist. Auf diese Weise kann der Funktionsblock je nach Bedarf des Kunden in einer bestimmten Anwendung als einfache Erweiterung in ein vollenergieelektronisches System eingesetzt werden. Artikel 25 der Verordnung (EG) Nr. 651/2014 vom 17. Juni 2014 zur Feststellung der Vereinbarkeit bestimmter Gruppen von Beihilfen mit dem Binnenmarkt in Anwendung der Artikel 107 und 108 AEUV URZ. EU L 187/1 vom 26.6.2014) (German)
7 December 2021
0 references
De snelgroeiende technologie van siliciumcarbide halfgeleider power instrumenten (SiC) levert componenten met steeds hogere spanningen en nominale stromen. Momenteel is het mogelijk om energieelektronische systemen met een vermogen van enkele tientallen verschillende kW te bouwen met het gebruik van transistors en vermogensdioden beschikbaar op de markt met spanningen van 1200V en 1700V. Deze elementen maken deel uit van vermogensmodules waarvan de technologie analoog is aan die welke wordt gebruikt voor silicium IGBT-transistors en een significante parasitaire inductie heeft. Daarom is het op dit moment niet mogelijk om ten volle te profiteren van de uitstekende dynamische eigenschappen van SiC-elementen, is het noodzakelijk om krachtmodules met lage impedantie voor SiC-componenten op de markt te hebben. Daarnaast is het ook noodzakelijk om geschikte poortcontrollers, stroomkringen, ook met een lage inductie, evenals geschikte koelsystemen te ontwikkelen. Het doel van het project is derhalve de ontwikkeling en uitvoering van een universeel energie-elektronisch functioneel blok/functioneel vermogensblok (FBM), dat een onderdeel is van standaardelektronische elektrische systemen (brugomvormer, driefasige omvormer, omvormer met meerdere niveaus) op basis van vermogensmodules met een lage impedantie. Op deze manier zal het functionele blok kunnen worden gebruikt als een eenvoudige uitbreiding naar een volledig energie-elektronisch systeem, afhankelijk van de behoeften van de klant in een bepaalde toepassing. Artikel 25 van Verordening (EG) nr. 651/2014 van 17 juni 2014 waarbij bepaalde categorieën steun op grond van de artikelen 107 en 108 van het Verdrag met de interne markt verenigbaar worden verklaard URZ. EU L 187/1 van 26.6.2014) (Dutch)
16 December 2021
0 references
La tecnologia in rapida crescita degli strumenti di potenza a semiconduttore in carburo di silicio (SiC) fornisce componenti con tensioni sempre più elevate e correnti nominali. Attualmente è possibile costruire sistemi elettronici energetici con potenza dell'ordine di diverse decine di kW con l'utilizzo di transistor e diodi di potenza disponibili sul mercato con tensioni di 1200V e 1700V. Questi elementi fanno parte di moduli di potenza la cui tecnologia è analoga a quella utilizzata per i transistori al silicio IGBT e presenta significative induttanze parassitarie. Pertanto, al momento non è possibile sfruttare appieno le eccellenti proprietà dinamiche degli elementi SiC, è necessario avere sul mercato moduli di potenza a bassa impedenza per componenti SiC. Inoltre, è anche necessario sviluppare adeguati regolatori di cancello, circuiti di alimentazione, anche a bassa induttanza, nonché adeguati sistemi di raffreddamento. Pertanto, l'obiettivo del progetto è quello di sviluppare e implementare per la produzione di un blocco funzionale/blocco funzionale universale di energia elettronica (FBM), che è un componente di sistemi elettronici di potenza standard (inverter ponte, inverter trifase, inverter multilivello) basato su moduli di potenza a bassa impedenza. In questo modo, il blocco funzionale sarà in grado di essere utilizzato come semplice espansione in un sistema elettronico a piena energia a seconda delle esigenze del cliente in una determinata applicazione. Articolo 25 del regolamento (CE) n. 651/2014 del 17 giugno 2014 che dichiara alcune categorie di aiuti compatibili con il mercato interno in applicazione degli articoli 107 e 108 del trattato URZ. UE L 187/1 del 26.6.2014) (Italian)
15 January 2022
0 references
La tecnología de rápido crecimiento de los instrumentos de potencia de semiconductores de carburo de silicio (SiC) ofrece componentes con tensiones cada vez más altas y corrientes nominales. Actualmente, es posible construir sistemas electrónicos de energía con una potencia del orden de varias docenas de kW con el uso de transistores y diodos de potencia disponibles en el mercado con tensiones de 1200V y 1700V. Estos elementos forman parte de módulos de potencia cuya tecnología es análoga a la utilizada para los transistores IGBT de silicio y tiene importantes inductancias parasitarias. Por lo tanto, en la actualidad no es posible aprovechar al máximo las excelentes propiedades dinámicas de los elementos de SiC, es necesario tener módulos de potencia de baja impedancia para los componentes de SiC en el mercado. Además, también es necesario desarrollar controladores de compuerta adecuados, circuitos de alimentación, también con baja inductancia, así como sistemas de refrigeración adecuados. Por lo tanto, el objetivo del proyecto es desarrollar e implementar para la producción de un bloque funcional electrónico de energía/bloque de potencia funcional (FBM), que es un componente de los sistemas electrónicos de potencia estándar (inversor puente, inversor trifásico, inversor multinivel) basado en módulos de potencia de baja impedancia. De esta manera, el bloque funcional podrá ser utilizado como una simple expansión en un sistema electrónico de energía completa dependiendo de las necesidades del cliente en una aplicación determinada. Artículo 25 del Reglamento (CE) n.º 651/2014, de 17 de junio de 2014, por el que se declaran determinadas categorías de ayudas compatibles con el mercado interior en aplicación de los artículos 107 y 108 del Tratado URZ. EU L 187/1 de 26.6.2014) (Spanish)
19 January 2022
0 references
Kiiresti kasvav pooljuht ränikarbiidi võimsus (SiC) tehnoloogia pakub üha kõrgepinge ja nimivoolud. Nüüd on võimalik ehitada energia-elektroonilisi süsteeme võimsus mitukümmend-sada kW kasutades transistorid ja võimsus dioodid 1200V ja 1700V liigpinge turul saadaval. Need elemendid on osa toitemoodulitest, mille tehnoloogia on analoogne sellega, mida kasutatakse ränitransistorite IGBT-s, ja millel on märkimisväärne parasiitide induktsioon. Seetõttu ei ole praegu võimalik täielikult ära kasutada ränikarbiidi elementide suurepäraseid dünaamilisi omadusi, mistõttu on vaja turule siseneda ränikarbiidi elementide jaoks ette nähtud madala takistusega energiamoodulitega. Lisaks on vaja välja töötada ka asjakohased väravakontrollerid, vooluahelad, ka madala induktsiooniga ja nõuetekohased jahutussüsteemid. Seetõttu on projekti eesmärk töötada välja ja rakendada universaalse energiaelektroonilise funktsionaalse/funktsionaalse jõuploki (FBM) tootmine, mis on standardsete energiasüsteemide (sildlaine, kolmefaasiline inverter, mitmetasandiline inverter) alakoost, mis põhineb vähese mõjuga energiamoodulitel. Sel viisil, funktsionaalne plokk on võimalik kasutada seda lihtsat arengut täielik energia-elektrooniline süsteem sõltuvalt kliendi vajadustele rakenduses. EÜ 17. juuni 2014. aasta määruse (EL) nr 651/2014 (ELi toimimise lepingu artiklite 107 ja 108 kohaldamise kohta, millega teatavat liiki abi tunnistatakse siseturuga kokkusobivaks) artikkel 25 (ELT L. EL L 187/1, 26.6.2014) (Estonian)
13 August 2022
0 references
Sparčiai auganti puslaidininkių silicio karbido galios (SiC) technologija užtikrina vis aukštesnę įtampą ir nominalias sroves. Dabar galima sukurti kelių dešimčių kelių šimtų kW galios energijos elektronines sistemas, naudojant tranzistorius ir galios diodus, turinčius 1200V ir 1700 V viršįtampių įtampą rinkoje. Šie elementai yra dalis elektros modulių, kurių technologija yra analogiška technologijai, naudojamai silicio tranzistoriams IGBT, ir pasižymi didelėmis parazitinėmis indukcijomis. Todėl šiuo metu neįmanoma visiškai išnaudoti puikių SiC elementų dinaminių savybių, būtina patekti į rinką su mažos varžos galios moduliais, skirtais SiC elementams. Be to, taip pat būtina sukurti tinkamus vartų valdiklius, elektros grandines, taip pat su maža indukcija ir tinkamomis aušinimo sistemomis. Todėl projekto tikslas – sukurti ir įgyvendinti universalų energijos elektroninį funkcinį/funkcinį galios bloką (FBM), kuris yra standartinių energijos sistemų (tiltų bangos, trifazio keitiklio, daugiapakopio keitiklio) mazgas, pagrįstas mažai varžančiais energijos moduliais. Tokiu būdu, funkcinis blokas galės naudoti šią paprastą plėtrą į visą energijos-elektroninės sistemos, priklausomai nuo kliento poreikius taikymo. 2014 m. birželio 17 d. EB reglamento Nr. 651/2014, skelbiančio tam tikrų rūšių pagalbą suderinama su vidaus rinka taikant Sutarties 107 ir 108 straipsnius, 25 straipsnis (OL L. 2014 m. birželio 26 d. ES L 187/1) (Lithuanian)
13 August 2022
0 references
Brzorastuća tehnologija snage silicijeva karbida (SiC) osigurava sve veće napone i nazivne struje. Sada je moguće izgraditi energetski-elektroničke sustave za snagu od nekoliko desetaka-nekoliko stotina kW pomoću tranzistora i strujnih dioda s 1200V i 1700V prenapona napona dostupnih na tržištu. Ovi elementi su dio modula snage čija je tehnologija analogna onoj koja se koristi za silicij tranzistora IGBT i ima značajne parazitske indukcije. Stoga trenutno nije moguće u potpunosti iskoristiti izvrsne dinamičke osobine SiC elemenata, potrebno je ući na tržište s modulima snage niske impedancije dizajniranima za SiC elemente. Osim toga, također je potrebno razviti odgovarajuće kontrolere vrata, strujne krugove, također s niskom indukcijom i pravim sustavima hlađenja. Stoga je cilj projekta razviti i provesti za proizvodnju univerzalnog energetskog-elektroničkog funkcionalnog/funkcionalnog energetskog bloka (FBM), koji je podsklop standardnih energetskih sustava (val mostova, trofazni pretvarač, multi-level inverter) koji se temelji na modulima snage s niskom impedancije. Na taj način, funkcionalni blok će moći koristiti ovaj jednostavan razvoj u puni energetski-elektronički sustav ovisno o potrebama klijenta u aplikaciji. Članak 25. Uredbe EZ-a br. 651/2014 od 17. lipnja 2014. o ocjenjivanju određenih vrsta potpora spojivima s unutarnjim tržištem u primjeni članaka 107. i 108. Ugovora (SL L. Žao mi je. EU L 187/1 od 26. lipnja 2014.) (Croatian)
13 August 2022
0 references
Η ταχέως αναπτυσσόμενη τεχνολογία ισχύος καρβιδίου του πυριτίου (SiC) ημιαγωγών παρέχει όλο και περισσότερες υψηλές τάσεις και εκτιμημένα ρεύματα. Είναι πλέον δυνατή η κατασκευή ενεργειακών-ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος αρκετών δωδεκάδων εκατοντάδων kW με τη χρήση τρανζίστορ και διόδων ισχύος με τάσεις κύματος 1200V και 1700V που διατίθενται στην αγορά. Αυτά τα στοιχεία αποτελούν μέρος των μονάδων ισχύος των οποίων η τεχνολογία είναι ανάλογη με εκείνη που χρησιμοποιείται για τα τρανζίστορ πυριτίου IGBT και έχει σημαντικές παρασιτικές επαγωγές. Ως εκ τούτου, επί του παρόντος δεν είναι δυνατόν να αξιοποιηθούν πλήρως οι εξαιρετικές δυναμικές ιδιότητες των στοιχείων SiC, είναι απαραίτητο να εισέλθουν στην αγορά με μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης σχεδιασμένες για στοιχεία SiC. Επιπλέον, είναι επίσης απαραίτητο να αναπτυχθούν κατάλληλοι ελεγκτές πύλης, κυκλώματα ισχύος, επίσης με συστήματα χαμηλής επαγωγής και κατάλληλα συστήματα ψύξης. Ως εκ τούτου, στόχος του έργου είναι η ανάπτυξη και εφαρμογή για την παραγωγή ενός καθολικού ενεργειακού-ηλεκτρονικού λειτουργικού/λειτουργικού συγκροτήματος ισχύος (FBM), το οποίο είναι ένα υποσύνολο τυποποιημένων ενεργειακών συστημάτων (κύμα γέφυρας, τριφασικός μετατροπέας, πολυεπίπεδος μετατροπέας) με βάση μονάδες χαμηλής αντοχής. Με αυτόν τον τρόπο, το λειτουργικό μπλοκ θα είναι σε θέση να χρησιμοποιήσει αυτή την απλή ανάπτυξη σε ένα πλήρες ενεργειακό-ηλεκτρονικό σύστημα ανάλογα με τις ανάγκες clientâ EURs στην εφαρμογή. Άρθρο 25 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 651/2014, της 17ης Ιουνίου 2014, για την κήρυξη ορισμένων ειδών ενισχύσεων ως συμβατών με την εσωτερική αγορά κατ’ εφαρμογή των άρθρων 107 και 108 της Συνθήκης (ΕΕ L. ΕΕ L 187/1 της 26.6.2014) (Greek)
13 August 2022
0 references
Rýchlo rastúca polovodičová technológia karbidu kremíka (SiC) poskytuje čoraz vyššie napätia a menovité prúdy. Teraz je možné vybudovať energeticky elektronické systémy pre výkon niekoľko desiatok-niekoľko sto kW pomocou tranzistory a napájacie diódy s 1200V a 1700V prepäťové napätie dostupné na trhu. Tieto prvky sú súčasťou výkonových modulov, ktorých technológia je analogická s technológiou používanou pre kremíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukcie. Preto v súčasnosti nie je možné plne využiť vynikajúce dynamické vlastnosti prvkov SiC, je potrebné vstúpiť na trh s nízko impedančnými výkonovými modulmi určenými pre SiC prvky. Okrem toho je tiež potrebné vyvinúť vhodné radiče brány, napájacie obvody, tiež s nízkou indukciou a správne chladiace systémy. Cieľom projektu je preto vyvinúť a realizovať výrobu univerzálneho energeticky-elektronického funkčného/funkčného bloku výkonu (FBM), ktorý je podzostavou štandardných energetických systémov (mostová vlna, trojfázový menič, viacúrovňový menič) založených na nízkonapäťových výkonových moduloch. Týmto spôsobom bude funkčný blok schopný využiť tento jednoduchý vývoj do plne energeticky-elektronického systému v závislosti od potrieb klienta v aplikácii. Článok 25 nariadenia ES č. 651/2014 zo 17. júna 2014 o vyhlásení určitých druhov pomoci za zlučiteľné s vnútorným trhom pri uplatňovaní článkov 107 a 108 zmluvy (Ú. v. EÚ L. EÚ L 187/1 z 26. júna 2014) (Slovak)
13 August 2022
0 references
Nopeasti kasvava puolijohdepiikarbiditeho (SiC) tarjoaa yhä suurempia jännitteitä ja nimellisvirtaa. Nyt on mahdollista rakentaa energiaelektronisia järjestelmiä useiden kymmenien satojen kW:n tehoa varten käyttäen transistoreita ja tehodiodeja, joissa on 1200V ja 1700V ylijännitettä markkinoilla. Nämä elementit ovat osa tehomoduuleja, joiden teknologia on samankaltainen kuin piitransistorien IGBT-teknologia ja joilla on merkittäviä loisinduktioita. Siksi tällä hetkellä ei ole mahdollista täysin hyödyntää piiC-elementtien erinomaisia dynaamisia ominaisuuksia, on tarpeen päästä markkinoille piiC-elementeille suunniteltujen matalan impedanssin tehomoduulien kanssa. Lisäksi on myös tarpeen kehittää sopivia porttiohjaimia, virtapiirejä, myös alhaisella induktiolla ja asianmukaisilla jäähdytysjärjestelmillä. Näin ollen hankkeen tavoitteena on kehittää ja toteuttaa yleisen energiaelektronisen toiminnallisen/toiminnallisen teholohkon (FBM) tuotantoa, joka on perusenergiajärjestelmien (silta-aalto, kolmivaiheinen invertteri, monitasoinvertteri) osakokoonpano, joka perustuu matalan impedanssin tehomoduuleihin. Tällä tavoin toiminnallinen lohko voi käyttää tätä yksinkertaista kehitystä täydelliseksi energiaelektroniseksi järjestelmäksi riippuen asiakkaan tarpeista sovelluksessa. Tietyntyyppisten tukien toteamisesta sisämarkkinoille soveltuviksi perussopimuksen 107 ja 108 artiklan mukaisesti 17. kesäkuuta 2014 annetun asetuksen (EU) N:o 651/2014 25 artikla (EUVL L., s. (EU L 187/1, 26.6.2014) (Finnish)
13 August 2022
0 references
A gyorsan növekvő félvezető szilícium-karbid (SiC) technológia egyre nagyobb feszültséget és névleges áramot biztosít. A piacon elérhető 1200V és 1700V feszültségű tranzisztorok és áramdiódák segítségével ma már több tucat száz kW teljesítményű energia-elektronikus rendszereket lehet építeni. Ezek az elemek olyan erőművek részét képezik, amelyek technológiája hasonló a szilícium tranzisztorokhoz használt IGBT technológiához, és jelentős parazita induktivitással rendelkeznek. Ezért jelenleg nem lehet teljes mértékben kihasználni a SiC elemek kiváló dinamikus tulajdonságait, a SiC elemekhez tervezett alacsony impedanciájú villamosenergia-modulokkal kell belépni a piacra. Ezenkívül megfelelő kapuvezérlőket, tápáramköröket is ki kell fejleszteni, alacsony indukciós és megfelelő hűtőrendszerekkel. Ezért a projekt célja egy univerzális energiaelektronikai funkcionális/funkcionális teljesítményblokk (FBM) kifejlesztése és megvalósítása, amely a szabványos energiarendszerek (hídhullám, háromfázisú inverter, többszintű inverter) alegysége, amely alacsony impedáns erőművekre épül. Ily módon, a funkcionális blokk képes lesz arra, hogy ezt az egyszerű fejlesztést egy teljes energia-elektronikus rendszer attól függően, hogy az ügyfél igényeit az alkalmazásban. A Szerződés 107. és 108. cikkének alkalmazásában bizonyos típusú támogatásoknak a belső piaccal összeegyeztethetőnek nyilvánításáról szóló, 2014. június 17-i 651/2014/EK rendelet (HL L., 2014. június 17.) 25. cikke. EU L 187/1, 2014.6.26.) (Hungarian)
13 August 2022
0 references
Rychle rostoucí polovodičová technologie karbidu křemíku (SiC) poskytuje stále vyšší napětí a jmenovité proudy. Nyní je možné vybudovat energeticky-elektronické systémy pro výkon několika desítek-několik kW pomocí tranzistorů a výkonových diod s přepěťovými napětími 1200V a 1700V dostupnými na trhu. Tyto prvky jsou součástí výkonových modulů, jejichž technologie je obdobná technologii používané pro křemíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukce. Proto není v současné době možné plně využít vynikající dynamické vlastnosti SiC prvků, je nutné vstoupit na trh s nízkoimpedančními silovými moduly určenými pro SiC prvky. Kromě toho je také nutné vyvinout vhodné závorové regulátory, výkonové obvody, také s nízkou indukcí a správnými chladicími systémy. Cílem projektu je proto vyvinout a realizovat pro výrobu univerzálního energeticky-elektronického funkčního/funkčního energetického bloku (FBM), který je podsestavou standardních energetických systémů (mostová vlna, třífázový invertor, víceúrovňový invertor) založený na nízkoimpedantních výkonových modulech. Tímto způsobem bude funkční blok moci využít tento jednoduchý vývoj do plného energeticky-elektronického systému v závislosti na potřebách klienta v aplikaci. Článek 25 nařízení ES č. 651/2014 ze dne 17. června 2014, kterým se v souladu s články 107 a 108 Smlouvy prohlašují určité druhy podpory za slučitelné s vnitřním trhem (Úř. věst. L. EU L 187/1 ze dne 26. června 2014) (Czech)
13 August 2022
0 references
Strauji augošā pusvadītāju silīcija karbīda jaudas (SiC) tehnoloģija nodrošina arvien augstāku spriegumu un nominālo strāvu. Tagad ir iespējams veidot energoelektroniskās sistēmas vairāku desmitu vairāku simtu kW jaudai, izmantojot tranzistorus un jaudas diodes ar 1200V un 1700V pārsprieguma spriegumu, kas pieejams tirgū. Šie elementi ir daļa no elektroenerģijas moduļiem, kuru tehnoloģija ir analoga tai, ko izmanto silīcija tranzistoriem IGBT, un tai ir ievērojamas parazitāras indukcijas. Tāpēc pašlaik nav iespējams pilnībā izmantot SiC elementu lieliskās dinamiskās īpašības, ir nepieciešams ienākt tirgū ar zemas pretestības elektroenerģijas moduļiem, kas paredzēti SiC elementiem. Turklāt ir nepieciešams arī izstrādāt atbilstošus vārtu kontrollerus, strāvas ķēdes, arī ar zemu indukcijas un pareizu dzesēšanas sistēmu. Tāpēc projekta mērķis ir izstrādāt un ieviest universālu energoelektronisku funkcionālu/funkcionālu jaudas bloku (FBM), kas ir standarta energosistēmu mezgls (tilta vilnis, trīsfāzu invertors, daudzlīmeņu invertors), kura pamatā ir zemas pretestības elektroenerģijas moduļi. Šādā veidā funkcionālais bloks varēs izmantot šo vienkāršo attīstību uz pilnu energoelektronisko sistēmu atkarībā no klienta vajadzībām pieteikumā. EK 2014. gada 17. jūnija Regulas Nr. 651/2014, ar ko noteiktus atbalsta veidus atzīst par saderīgiem ar iekšējo tirgu, piemērojot Līguma 107. un 108. pantu (OV L., 25. pants). ES L 187/1, 26.6.2014.) (Latvian)
13 August 2022
0 references
Soláthraíonn an teicneolaíocht chomhdhúile sileacain leathsheoltóra atá ag fás go tapa (SiC) voltais níos airde agus sruthanna rátáilte. Is féidir anois córais fuinnimh leictreonacha a thógáil le haghaidh cumhachta roinnt dosaen-roinnt céad kW ag baint úsáide as trasraitheoirí agus dé-óidí cumhachta le voltais borrtha 1200V agus 1700V ar fáil ar an margadh. Tá na heilimintí seo mar chuid de mhodúil chumhachta a bhfuil a dteicneolaíocht ar aon dul leis an gceann a úsáidtear le haghaidh trasraitheoirí sileacain IGBT agus tá ionduchtuithe suntasacha seadánacha acu. Dá bhrí sin, ní féidir airíonna dinimiciúla den scoth eilimintí SiC a shaothrú go hiomlán faoi láthair, is gá dul isteach sa mhargadh le modúil chumhachta íseal-impedance atá deartha le haghaidh eilimintí SiC. Ina theannta sin, tá sé riachtanach freisin a fhorbairt rialaitheoirí geata cuí, ciorcaid chumhacht, chomh maith le ionduchtú íseal agus córais fuaraithe cuí. Dá bhrí sin, is é is aidhm don tionscadal bloc cumhachta feidhmiúil/feidhmiúil uilíoch fuinnimh-leictreonach (FBM) a fhorbairt agus a chur chun feidhme, ar fochóimeáil é de chórais fuinnimh chaighdeánacha (tonnta droichid, inbhéartóir trí phas, inbhéartóir illeibhéil) bunaithe ar mhodúil chumhachta íseal-impedant. Ar an mbealach seo, beidh an bloc feidhme a bheith in ann úsáid a bhaint as an bhforbairt simplí i gcóras fuinnimh-leictreonach iomlán ag brath ar na riachtanais clientâ EURanna san iarratas. Airteagal 25 de Rialachán CE Uimh. 651/2014 an 17 Meitheamh 2014 ina ndearbhaítear go bhfuil cineálacha áirithe cabhrach comhoiriúnach leis an margadh inmheánach i gcur i bhfeidhm Airteagal 107 agus Airteagal 108 den Chonradh (IO L. Is oth liom. AE L 187/1 an 26.06.2014) (Irish)
13 August 2022
0 references
Tehnologija hitro rastočega polprevodniškega silicijevega karbida (SiC) zagotavlja vedno višje napetosti in nazivne tokove. Zdaj je mogoče zgraditi energetsko-elektronske sisteme za moč več deset sto kW z uporabo tranzistorjev in močnih diod z napetostmi 1200V in 1700V, ki so na voljo na trgu. Ti elementi so del napajalnih modulov, katerih tehnologija je podobna tisti, ki se uporablja za silicijeve tranzistorje IGBT in ima pomembne parazitske indukcije. Zato trenutno ni mogoče v celoti izkoristiti odličnih dinamičnih lastnosti SK elementov, zato je treba vstopiti na trg z moduli z nizko impedanco, ki so zasnovani za elemente SK. Poleg tega je treba razviti tudi ustrezne krmilnike vrat, električna vezja, tudi z nizko indukcijo in ustreznimi hladilnimi sistemi. Zato je cilj projekta razvoj in izvajanje za proizvodnjo univerzalnega energetsko-elektronskega funkcionalnega/funkcionalnega bloka moči (FBM), ki je podsklop standardnih energetskih sistemov (mostovni val, trifazni razsmernik, večstopenjski razsmernik), ki temelji na nizkoimpedantnih napajalnih modulih. Na ta način, bo funkcionalni blok lahko uporabite ta preprost razvoj v polno energijo-elektronski sistem, odvisno od potreb naročnika v aplikaciji. Člen 25 Uredbe ES št. 651/2014 z dne 17. junija 2014 o razglasitvi nekaterih vrst pomoči za združljive z notranjim trgom pri uporabi členov 107 in 108 Pogodbe (UL L. EU L 187/1 z dne 26. junija 2014) (Slovenian)
13 August 2022
0 references
Бързоразвиващата се полупроводникова технология на силициев карбид (SiC) осигурява все по-високи напрежения и номинални токове. Сега е възможно да се изгради енергийно-електронни системи за мощност от няколко десетки-няколко стотин kW с помощта на транзистори и силови диоди с 1200V и 1700V пренапрежения на пазара. Тези елементи са част от захранващи модули, чиято технология е аналогична на използваната за силициеви транзистори IGBT и има значителни паразитни индукции. Поради това понастоящем не е възможно да се използват напълно отличните динамични свойства на SiC елементи, необходимо е да се навлезе на пазара с модули с малък импеданс, предназначени за SiC елементи. В допълнение, също така е необходимо да се разработят подходящи порта контролери, електрически вериги, също така с ниска индукция и правилни охладителни системи. Следователно целта на проекта е да се разработи и внедри за производството на универсален енергийно-електронен функционален/функционален захранващ блок (FBM), който е подкомплект от стандартни енергийни системи (мостова вълна, трифазен инвертор, многостепенен инвертор), базиран на модули за захранване с ниско ниво. По този начин функционалният блок ще може да използва тази проста разработка в пълна енергийно-електронна система в зависимост от нуждите на клиента в приложението. Член 25 от Регламент (ЕС) № 651/2014 на Съвета от 17 юни 2014 г. за обявяване на някои видове помощи за съвместими с вътрешния пазар в приложение на членове 107 и 108 от Договора (ОВ L., стр. 1). ЕС L 187/1 от 26.6.2014 г.) (Bulgarian)
13 August 2022
0 references
It-teknoloġija tal-qawwa tal-karbur tas-silikon semikonduttur (SiC) li qed tikber b’rata mgħaġġla tipprovdi vultaġġi dejjem aktar għoljin u kurrenti kklassifikati. Issa huwa possibbli li jinbnew sistemi elettroniċi tal-enerġija għall-enerġija ta’ diversi mijiet ta’ mijiet ta’ kW bl-użu ta’ tranżisters u dijodi tal-enerġija b’vultaġġi ta’ żieda ta’ 1200V u 1700V disponibbli fis-suq. Dawn l-elementi huma parti mill-moduli tal-enerġija li t-teknoloġija tagħhom hija analoga għal dik użata għat-transisters tas-silikon IGBT u għandha induzzjonijiet parassitiċi sinifikanti. Għalhekk, bħalissa mhuwiex possibbli li jiġu sfruttati bis-sħiħ il-proprjetajiet dinamiċi eċċellenti tal-elementi SiC, huwa meħtieġ li wieħed jidħol fis-suq b’moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa ddisinjati għall-elementi SiC. Barra minn hekk, huwa wkoll meħtieġ li jiġu żviluppati kontrolluri gate xierqa, ċirkwiti enerġija, ukoll b’sistemi ta ‘induzzjoni baxxa u tkessiħ xierqa. Għalhekk, l-għan tal-proġett huwa li jiżviluppa u jimplimenta għall-produzzjoni ta’ blokka tal-enerġija funzjonali/funzjonali universali elettronika tal-enerġija (FBM), li hija subassemblaġġ ta’ sistemi standard tal-enerġija (bridge wave, inverter bi tliet fażijiet, inverter b’diversi livelli) ibbażati fuq moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa. B’dan il-mod, il-blokk funzjonali se jkunu jistgħu jużaw dan l-iżvilupp sempliċi f’sistema sħiħa ta ‘enerġija elettronika skont il-ħtiġijiet clientâ EUR fl-applikazzjoni. L-Artikolu 25 tar-Regolament tal-KE Nru 651/2014 tas-17 ta’ Ġunju 2014 li jiddikjara li ċerti tipi ta’ għajnuna huma kompatibbli mas-suq intern fl-applikazzjoni tal-Artikoli 107 u 108 tat-Trattat (ĠU L. I’m sorry. UE L 187/1 tas-26.06.2014) (Maltese)
13 August 2022
0 references
A tecnologia de energia de carboneto de silício semicondutor de crescimento rápido (SiC) fornece tensões cada vez mais altas e correntes nominais. Agora é possível construir sistemas de energia-eletrônicos para potência de várias dúzias — várias centenas de kW usando transistores e diodos de potência com tensões de onda 1200V e 1700V disponíveis no mercado. Estes elementos fazem parte de módulos de potência cuja tecnologia é análoga à utilizada para transistores de silício IGBT e tem induções parasitas significativas. Portanto, atualmente não é possível explorar plenamente as excelentes propriedades dinâmicas dos elementos SiC, é necessário entrar no mercado com módulos de potência de baixa impedância projetados para elementos SiC. Além disso, também é necessário desenvolver controladores de portão apropriados, circuitos de energia, também com baixa indução e sistemas de refrigeração adequados. Portanto, o objetivo do projeto é desenvolver e implementar para a produção de um bloco de potência funcional/funcional energia-eletrônico universal (FBM), que é um subconjunto de sistemas de energia padrão (onda ponte, inversor trifásico, inversor multinível) ganza em módulos de potência de baixa impedante. Desta forma, o bloco funcional será capaz de usar este simples desenvolvimento em um sistema de energia-eletrônico completo, dependendo das necessidades do cliente na aplicação. Artigo 25.º do Regulamento (UE) n.º 651/2014 do Conselho, de 17 de junho de 2014, que declara certos tipos de auxílios compatíveis com o mercado interno na aplicação dos artigos 107.º e 108.º do Tratado (JO L. UE L 187/1 de 26.6.2014) (Portuguese)
13 August 2022
0 references
Den hurtigt voksende halvleder siliciumcarbid effekt (SiC) teknologi giver stigende høje spændinger og nominelle strømme. Det er nu muligt at bygge energi-elektroniske systemer til effekt på flere dusin-flere hundrede kW ved hjælp af transistorer og effektdioder med 1200V og 1700V bølgespændinger til rådighed på markedet. Disse elementer er en del af kraftmoduler, hvis teknologi svarer til den, der anvendes til siliciumtransistorer IGBT og har betydelige parasitiske induktioner. Derfor er det på nuværende tidspunkt ikke muligt fuldt ud at udnytte de fremragende dynamiske egenskaber ved SiC-elementer, og det er nødvendigt at komme ind på markedet med lavimpedans-kraftværker, der er designet til SiC-elementer. Derudover er det også nødvendigt at udvikle passende gate controllere, strømkredse, også med lav induktion og ordentlige kølesystemer. Formålet med projektet er derfor at udvikle og implementere med henblik på produktion af en universel energielektronisk funktionel/funktionel effektblok (FBM), som er en underenhed af standardenergisystemer (brobølge, trefaset inverter, multiniveau inverter) baseret på lavimpederende kraftværker. På denne måde vil den funktionelle blok være i stand til at bruge denne enkle udvikling til et fuldt energi-elektronisk system afhængigt af kundens behov i applikationen. Artikel 25 i forordning (EF) nr. 651/2014 af 17. juni 2014 om visse former for støttes forenelighed med det indre marked i henhold til traktatens artikel 107 og 108 (EUT L. EU L 187/1 af 26.6.2014) (Danish)
13 August 2022
0 references
Tehnologia cu creștere rapidă a carburii de siliciu semiconductori (SiC) oferă din ce în ce mai multe tensiuni și curenți nominali. Acum este posibil să se construiască sisteme energetice-electronice pentru o putere de mai multe zeci de sute de kW folosind tranzistoare și diode de putere cu tensiuni de creștere 1200V și 1700V disponibile pe piață. Aceste elemente fac parte din module de putere a căror tehnologie este analogă celei utilizate pentru tranzistorii de siliciu IGBT și are inducții parazitare semnificative. Prin urmare, în prezent nu este posibil să se exploateze pe deplin proprietățile dinamice excelente ale elementelor SiC, este necesar să se intre pe piață cu module de putere cu impedanță redusă concepute pentru elemente SiC. În plus, este, de asemenea, necesar să se dezvolte controlere de poartă adecvate, circuite de alimentare, de asemenea, cu inducție scăzută și sisteme de răcire adecvate. Prin urmare, scopul proiectului este de a dezvolta și de a pune în aplicare pentru producerea unui bloc de putere universal funcțional/funcțional energetic-electronic (FBM), care este un subansamblu de sisteme energetice standard (val punte, invertor trifazat, invertor pe mai multe niveluri) bazat pe module de putere cu impact redus. În acest fel, blocul funcțional va fi capabil să utilizeze această dezvoltare simplă într-un sistem energetic-electronic complet în funcție de nevoile clientului în aplicație. Articolul 25 din Regulamentul (UE) nr. 651/2014 din 17 iunie 2014 de declarare a anumitor tipuri de ajutoare compatibile cu piața internă în aplicarea articolelor 107 și 108 din tratat (JO L. Îmi pare rău. UE L 187/1 din 26.6.2014) (Romanian)
13 August 2022
0 references
Den snabbväxande kiselkarbidtekniken (SiC) ger allt högre spänningar och märkströmmar. Det är nu möjligt att bygga energielektroniska system för effekt på flera dussintals hundra kW med hjälp av transistorer och kraftdioder med 1200V och 1700V överspänningsspänningar tillgängliga på marknaden. Dessa element är en del av kraftmoduler vars teknik är analog med den som används för kiseltransistorer IGBT och har betydande parasitinduktioner. Därför är det för närvarande inte möjligt att fullt ut utnyttja de utmärkta dynamiska egenskaperna hos SiC-element, det är nödvändigt att komma in på marknaden med lågimpedans kraftmoduler utformade för SiC-element. Dessutom är det också nödvändigt att utveckla lämpliga grindkontroller, strömkretsar, även med låg induktion och ordentliga kylsystem. Syftet med projektet är därför att utveckla och genomföra för produktion av ett universellt energielektroniskt funktionellt/funktionellt kraftblock (FBM), som är en delenhet av standardenergisystem (brovåg, trefas inverterare, multi-level inverter) baserade på lågimpedanta kraftmoduler. På så sätt kommer det funktionella blocket att kunna använda denna enkla utveckling till ett komplett energielektroniskt system beroende på kundens behov i applikationen. Artikel 25 i förordning (EU) nr 651/2014 av den 17 juni 2014 genom vilken vissa typer av stöd förklaras förenliga med den inre marknaden vid tillämpningen av artiklarna 107 och 108 i fördraget (EUT L. EU L 187/1 av den 26 juni 2014) (Swedish)
13 August 2022
0 references
WOJ.: MAZOWIECKIE, POW.: piaseczyński
0 references
Identifiers
POIR.01.01.01-00-1865/15
0 references