SCALING AND VARIABILITY OF NANOWIRE-BASED 3D FIELD-EFFECT TUNNEL TRANSISTORS USING SI, GE AND III-V MATERIALS (Q3177092): Difference between revisions
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SCALATURA E VARIABILITÀ DEI TRANSISTORI A TUNNEL 3D BASATI SU NANOFILI CHE UTILIZZANO MATERIALI SI, GE E III-V | |||||||||||||||
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IL PI DI QUESTO PROGETTO È ATTUALMENTE UN RICERCATORE MARIE CURIE IEF PRESSO SWANSEA UNIVERSITY (REGNO UNITO). QUESTO PROGETTO HA UN CARATTERE MULTIDISCIPLINARE, CHE INCORPORA LA NANOELETTRONICA, L'INFORMATICA E LE TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE NEI SUOI STATI PIÙ ATTUALI. Gli OBIETTIVI sono classificati in tre aree:_x000D_ 1. La modellazione 3D di TUNEL TRANSISTORS, utilizzando nano-filo attraverso l'arrastre-DIFUSIONE E METODI MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) vengono ricercati come possibili corsi per ri-occupare il MOSFET convenzionale dispositivi per ULTRA LOW potenza APPLICATIONS della vostra penitenza sobbombale e la vostra correzione di FUGA, che rende un sommato Agresive della TENSIONE alimentare POSSIBILE. TUTTAVIA, UNA SFIDA ASSOCIATA A QUESTI DISPOSITIVI È LE LORO PRESTAZIONI LIMITATE E BASSA CORRENTE NELLA ZONA ON. PER OTTENERE ALTE PROBABILITÀ DI TUNNEL, SAREBBE UTILE UTILIZZARE HETEROUNIONS E NUOVE ARCHITETTURE, COME I NANOFILI (NW). IN QUESTO PROGETTO ESAMINEREMO INIZIALMENTE UN DISPOSITIVO NW TFET LA CUI ARCHITETTURA SEGUIRÀ I PROGETTI FORNITI DA IBM ZURICH. SUCCESSIVAMENTE, SARANNO ESAMINATE DIVERSE COMBINAZIONI PER I MATERIALI CHE FORMANO IL CANALE, LO SCARICO E LA FONTE DEL DISPOSITIVO E L'ARCHITETTURA OPTIMA SARÀ SCALATA AD ALTRI NODI TECNOLOGICI PER VALUTARNE LE PRESTAZIONI E LA SCALABILITÀ. PER MODELLARE CORRETTAMENTE QUESTI DISPOSITIVI, L'USO DI SIMULATORI TRIDIMENSIONALI È OBBLIGATORIO. PER QUESTO MOTIVO NEL PROGETTO UTILIZZEREMO STRUMENTI DI SIMULAZIONE 3D DI DISPOSITIVI CON RISOLUZIONE ATOMISTICA COME SIMULATORI DRAG-DIFUSION E MONTE CARLO CON CORREZIONI QUANTISTICHE. Entrambi i SIMULATORS sono basati sul Metodo di ELEMENTS Finite._x000D_ _x000D_ 2. Studio dell'INFLUENZA DI differenti FLUCTUATIONS IN NW TFETS TFETS_x000D_ L'EFFETTO DI VARIABILITÀ PER LE CARATTERISTICHE DEI DISpositivi È Ognuno MAGGIO, diventando una delle difese primarie per ESCALATO E INTEGRAZIONE DELLA GENERAZIONE ATTUALE dei dispositivi e dei CIRCUITI come PROXIMA. PERTANTO, STUDIEREMO L'IMPATTO CHE LE DIVERSE FONTI DI FLUTTUAZIONE HANNO SUL COMPORTAMENTO DEI DISPOSITIVI AL FINE DI IDENTIFICARE I PROGETTI, I MATERIALI E LE ARCHITETTURE MENO SENSIBILI ALLA VARIABILITÀ. LE SEGUENTI FONTI DI VARIABILITÀ SONO LE PIÙ CRITICHE NELLO STUDIO TFET NW: Rugosità DI INTERFACE, RICHIESTA NELL'INTERFACE, Dopings ALLEATORY E rugosità di INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Ottimizzazione di algoritmi NUMERICAL, portabilità a nuove infrastRUtture e sviluppo di strumenti per la gestione dei dati _x000D_per analizzare l'impatto che le diverse fonti di variabilità hanno nel trasporto dei TFET NW è necessario per effettuare l'analisi. Chi richiede la SIMULAZIONE DI UN GRANDE NUMERO DI DISpositivi, aumentando il costo COMPUTATIVO. PERTANTO, L'USO DI ALGORITMI NUMERICI EFFICIENTI È ESSENZIALE. _x000D_ questa PARTE DEL PROGETTO è BASED IN DUE OBIETTIVI: I) LA RIDUZIONE DEI TEMPI DI ESECUZIONE ATTRAVERSO L'OTTIMIZZAZIONE DEGLI ALGORITMI NUMERICI UTILIZZATI NELLA SIMULAZIONE E LA LORO IMPLEMENTAZIONE IN DIVERSE INFRASTRUTTURE COMPUTAZIONALI E II) LA GESTIONE EFFICIENTE DEI DATI GENERATI ATTRAVERSO L'IMPLEMENTAZIONE DI UN MANAGER PER L'INVIO E LA RICEZIONE DI DATI DI VARIABILITÀ UTILIZZANDO SISTEMI COMPUTAZIONALI ETEROGENEI. (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: IL PI DI QUESTO PROGETTO È ATTUALMENTE UN RICERCATORE MARIE CURIE IEF PRESSO SWANSEA UNIVERSITY (REGNO UNITO). QUESTO PROGETTO HA UN CARATTERE MULTIDISCIPLINARE, CHE INCORPORA LA NANOELETTRONICA, L'INFORMATICA E LE TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE NEI SUOI STATI PIÙ ATTUALI. Gli OBIETTIVI sono classificati in tre aree:_x000D_ 1. La modellazione 3D di TUNEL TRANSISTORS, utilizzando nano-filo attraverso l'arrastre-DIFUSIONE E METODI MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) vengono ricercati come possibili corsi per ri-occupare il MOSFET convenzionale dispositivi per ULTRA LOW potenza APPLICATIONS della vostra penitenza sobbombale e la vostra correzione di FUGA, che rende un sommato Agresive della TENSIONE alimentare POSSIBILE. TUTTAVIA, UNA SFIDA ASSOCIATA A QUESTI DISPOSITIVI È LE LORO PRESTAZIONI LIMITATE E BASSA CORRENTE NELLA ZONA ON. PER OTTENERE ALTE PROBABILITÀ DI TUNNEL, SAREBBE UTILE UTILIZZARE HETEROUNIONS E NUOVE ARCHITETTURE, COME I NANOFILI (NW). IN QUESTO PROGETTO ESAMINEREMO INIZIALMENTE UN DISPOSITIVO NW TFET LA CUI ARCHITETTURA SEGUIRÀ I PROGETTI FORNITI DA IBM ZURICH. SUCCESSIVAMENTE, SARANNO ESAMINATE DIVERSE COMBINAZIONI PER I MATERIALI CHE FORMANO IL CANALE, LO SCARICO E LA FONTE DEL DISPOSITIVO E L'ARCHITETTURA OPTIMA SARÀ SCALATA AD ALTRI NODI TECNOLOGICI PER VALUTARNE LE PRESTAZIONI E LA SCALABILITÀ. PER MODELLARE CORRETTAMENTE QUESTI DISPOSITIVI, L'USO DI SIMULATORI TRIDIMENSIONALI È OBBLIGATORIO. PER QUESTO MOTIVO NEL PROGETTO UTILIZZEREMO STRUMENTI DI SIMULAZIONE 3D DI DISPOSITIVI CON RISOLUZIONE ATOMISTICA COME SIMULATORI DRAG-DIFUSION E MONTE CARLO CON CORREZIONI QUANTISTICHE. Entrambi i SIMULATORS sono basati sul Metodo di ELEMENTS Finite._x000D_ _x000D_ 2. Studio dell'INFLUENZA DI differenti FLUCTUATIONS IN NW TFETS TFETS_x000D_ L'EFFETTO DI VARIABILITÀ PER LE CARATTERISTICHE DEI DISpositivi È Ognuno MAGGIO, diventando una delle difese primarie per ESCALATO E INTEGRAZIONE DELLA GENERAZIONE ATTUALE dei dispositivi e dei CIRCUITI come PROXIMA. PERTANTO, STUDIEREMO L'IMPATTO CHE LE DIVERSE FONTI DI FLUTTUAZIONE HANNO SUL COMPORTAMENTO DEI DISPOSITIVI AL FINE DI IDENTIFICARE I PROGETTI, I MATERIALI E LE ARCHITETTURE MENO SENSIBILI ALLA VARIABILITÀ. LE SEGUENTI FONTI DI VARIABILITÀ SONO LE PIÙ CRITICHE NELLO STUDIO TFET NW: Rugosità DI INTERFACE, RICHIESTA NELL'INTERFACE, Dopings ALLEATORY E rugosità di INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Ottimizzazione di algoritmi NUMERICAL, portabilità a nuove infrastRUtture e sviluppo di strumenti per la gestione dei dati _x000D_per analizzare l'impatto che le diverse fonti di variabilità hanno nel trasporto dei TFET NW è necessario per effettuare l'analisi. Chi richiede la SIMULAZIONE DI UN GRANDE NUMERO DI DISpositivi, aumentando il costo COMPUTATIVO. PERTANTO, L'USO DI ALGORITMI NUMERICI EFFICIENTI È ESSENZIALE. _x000D_ questa PARTE DEL PROGETTO è BASED IN DUE OBIETTIVI: I) LA RIDUZIONE DEI TEMPI DI ESECUZIONE ATTRAVERSO L'OTTIMIZZAZIONE DEGLI ALGORITMI NUMERICI UTILIZZATI NELLA SIMULAZIONE E LA LORO IMPLEMENTAZIONE IN DIVERSE INFRASTRUTTURE COMPUTAZIONALI E II) LA GESTIONE EFFICIENTE DEI DATI GENERATI ATTRAVERSO L'IMPLEMENTAZIONE DI UN MANAGER PER L'INVIO E LA RICEZIONE DI DATI DI VARIABILITÀ UTILIZZANDO SISTEMI COMPUTAZIONALI ETEROGENEI. (Italian) / rank | |||||||||||||||
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| Property / summary: IL PI DI QUESTO PROGETTO È ATTUALMENTE UN RICERCATORE MARIE CURIE IEF PRESSO SWANSEA UNIVERSITY (REGNO UNITO). QUESTO PROGETTO HA UN CARATTERE MULTIDISCIPLINARE, CHE INCORPORA LA NANOELETTRONICA, L'INFORMATICA E LE TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE NEI SUOI STATI PIÙ ATTUALI. Gli OBIETTIVI sono classificati in tre aree:_x000D_ 1. La modellazione 3D di TUNEL TRANSISTORS, utilizzando nano-filo attraverso l'arrastre-DIFUSIONE E METODI MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) vengono ricercati come possibili corsi per ri-occupare il MOSFET convenzionale dispositivi per ULTRA LOW potenza APPLICATIONS della vostra penitenza sobbombale e la vostra correzione di FUGA, che rende un sommato Agresive della TENSIONE alimentare POSSIBILE. TUTTAVIA, UNA SFIDA ASSOCIATA A QUESTI DISPOSITIVI È LE LORO PRESTAZIONI LIMITATE E BASSA CORRENTE NELLA ZONA ON. PER OTTENERE ALTE PROBABILITÀ DI TUNNEL, SAREBBE UTILE UTILIZZARE HETEROUNIONS E NUOVE ARCHITETTURE, COME I NANOFILI (NW). IN QUESTO PROGETTO ESAMINEREMO INIZIALMENTE UN DISPOSITIVO NW TFET LA CUI ARCHITETTURA SEGUIRÀ I PROGETTI FORNITI DA IBM ZURICH. SUCCESSIVAMENTE, SARANNO ESAMINATE DIVERSE COMBINAZIONI PER I MATERIALI CHE FORMANO IL CANALE, LO SCARICO E LA FONTE DEL DISPOSITIVO E L'ARCHITETTURA OPTIMA SARÀ SCALATA AD ALTRI NODI TECNOLOGICI PER VALUTARNE LE PRESTAZIONI E LA SCALABILITÀ. PER MODELLARE CORRETTAMENTE QUESTI DISPOSITIVI, L'USO DI SIMULATORI TRIDIMENSIONALI È OBBLIGATORIO. PER QUESTO MOTIVO NEL PROGETTO UTILIZZEREMO STRUMENTI DI SIMULAZIONE 3D DI DISPOSITIVI CON RISOLUZIONE ATOMISTICA COME SIMULATORI DRAG-DIFUSION E MONTE CARLO CON CORREZIONI QUANTISTICHE. Entrambi i SIMULATORS sono basati sul Metodo di ELEMENTS Finite._x000D_ _x000D_ 2. Studio dell'INFLUENZA DI differenti FLUCTUATIONS IN NW TFETS TFETS_x000D_ L'EFFETTO DI VARIABILITÀ PER LE CARATTERISTICHE DEI DISpositivi È Ognuno MAGGIO, diventando una delle difese primarie per ESCALATO E INTEGRAZIONE DELLA GENERAZIONE ATTUALE dei dispositivi e dei CIRCUITI come PROXIMA. PERTANTO, STUDIEREMO L'IMPATTO CHE LE DIVERSE FONTI DI FLUTTUAZIONE HANNO SUL COMPORTAMENTO DEI DISPOSITIVI AL FINE DI IDENTIFICARE I PROGETTI, I MATERIALI E LE ARCHITETTURE MENO SENSIBILI ALLA VARIABILITÀ. LE SEGUENTI FONTI DI VARIABILITÀ SONO LE PIÙ CRITICHE NELLO STUDIO TFET NW: Rugosità DI INTERFACE, RICHIESTA NELL'INTERFACE, Dopings ALLEATORY E rugosità di INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Ottimizzazione di algoritmi NUMERICAL, portabilità a nuove infrastRUtture e sviluppo di strumenti per la gestione dei dati _x000D_per analizzare l'impatto che le diverse fonti di variabilità hanno nel trasporto dei TFET NW è necessario per effettuare l'analisi. Chi richiede la SIMULAZIONE DI UN GRANDE NUMERO DI DISpositivi, aumentando il costo COMPUTATIVO. PERTANTO, L'USO DI ALGORITMI NUMERICI EFFICIENTI È ESSENZIALE. _x000D_ questa PARTE DEL PROGETTO è BASED IN DUE OBIETTIVI: I) LA RIDUZIONE DEI TEMPI DI ESECUZIONE ATTRAVERSO L'OTTIMIZZAZIONE DEGLI ALGORITMI NUMERICI UTILIZZATI NELLA SIMULAZIONE E LA LORO IMPLEMENTAZIONE IN DIVERSE INFRASTRUTTURE COMPUTAZIONALI E II) LA GESTIONE EFFICIENTE DEI DATI GENERATI ATTRAVERSO L'IMPLEMENTAZIONE DI UN MANAGER PER L'INVIO E LA RICEZIONE DI DATI DI VARIABILITÀ UTILIZZANDO SISTEMI COMPUTAZIONALI ETEROGENEI. (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 January 2022
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Revision as of 14:39, 16 January 2022
Project Q3177092 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | SCALING AND VARIABILITY OF NANOWIRE-BASED 3D FIELD-EFFECT TUNNEL TRANSISTORS USING SI, GE AND III-V MATERIALS |
Project Q3177092 in Spain |
Statements
164,560.0 Euro
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205,700.0 Euro
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80.0 percent
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1 October 2015
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30 September 2018
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UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA
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42°52'49.51"N, 8°32'45.10"W
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15078
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LA IP DE ESTE PROJECTO ES EN LA ACTUALIDAD UNA INVESTIGADORA MARIE CURIE IEF EN LA UNIVERSIDAD DE SWANSEA (UK). ESTE PROYECTO POSEE UN CARACTER MULTIDISCIPLINAR, INCORPORANDO LA NANOELECTRONICA Y LA CIENCIA DE LA COMPUTACION Y TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION EN SUS ESTADOS MAS ACTUALES. LOS OBJETIVOS SE CLASIFICAN EN TRES AREAS:_x000D_ 1. MODELADO 3D DE TRANSISTORES TUNEL DE EFECTO CAMPO USANDO NANOHILOS A TRAVES DE LOS METODOS DE ARRASTRE-DIFUSION Y MONTE CARLO_x000D_ LOS DISPOSITIVOS TUNEL DE EFECTO CAMPO (TFETS) SE ESTAN INVESTIGANDO COMO POSIBLES CANDIDATOS PARA REEMPLAZAR A LOS DISPOSITIVOS MOSFET CONVENCIONALES PARA APLICACIONES A POTENCIA ULTRA BAJA A CAUSA DE SU PEQUEÑA PENDIENTE SUB-UMBRAL Y DE SU REDUCIDA CORRIENTE DE FUGA, LO QUE HACE POSIBLE UN ESCALADO AGRESIVO DE LA TENSION DE ALIMENTACION. SIN EMBARGO, UN DESAFIO ASOCIADO CON ESTOS DISPOSITIVOS ES SU LIMITADO RENDIMIENTO Y SU BAJA CORRIENTE EN LA ZONA ON. PARA ALCANZAR ALTAS PROBABILIDADES TUNEL, SERIA BENEFICIOSO UTILIZAR HETEROUNIONES Y NUEVAS ARQUITECTURAS, COMO PUEDEN SER LOS NANOHILOS (NW). EN ESTE PROYECTO INICIALMENTE INVESTIGAREMOS UN DISPOSITIVO NW TFET CUYA ARQUITECTURA SEGUIRA LOS DISEÑOS PROPORCIONADOS POR IBM ZURICH. A CONTINUACION, SE EXAMINARAN DIFERENTES COMBINACIONES PARA LOS MATERIALES QUE FORMAN EL CANAL, DRENADOR Y FUENTE DEL DISPOSITIVO Y LA ARQUITECTURA OPTIMA SERA ESCALADA A OTROS NODOS TECNOLOGICOS PARA EVALUAR SU RENDIMIENTO Y ESCALABILIDAD. PARA MODELAR CORRECTAMENTE ESTOS DISPOSITIVOS ES OBLIGATORIO EL USO DE SIMULADORES TRIDIMENSIONALES. POR ESTA RAZON EN EL PROYECTO UTILIZAREMOS HERRAMIENTAS 3D DE SIMULACION DE DISPOSITIVOS CON RESOLUCION ATOMISTICA COMO SIMULADORES DE ARRASTRE-DIFUSION Y MONTE CARLO CON CORRECCIONES CUANTICAS. AMBOS SIMULADORES ESTAN BASADOS EN EL METODO DE ELEMENTOS FINITOS._x000D_ _x000D_ 2. ESTUDIO DE LA INFLUENCIA DE DIFERENTES FUENTES DE FLUCTUACIONES EN EL RENDIMIENTO DE NW TFETS_x000D_ EL EFECTO DE LA VARIABILIDAD QUE AFECTA A LAS CARACTERISTICAS DE LOS DISPOSITIVOS ES CADA VEZ MAYOR, CONVIRTIENDOSE EN UNO DE LOS PRINCIPALES DESAFIOS PARA EL ESCALADO Y LA INTEGRACION DE TANTO LA GENERACION ACTUAL DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS COMO DE LA PROXIMA. POR LO TANTO, ESTUDIAREMOS EL IMPACTO QUE DIFERENTES FUENTES DE FLUCTUACIONES TIENEN EN EL COMPORTAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS CON EL OBJETIVO DE IDENTIFICAR LOS DISEÑOS, MATERIALES Y ARQUITECTURAS MENOS SENSIBLES A LA VARIABILIDAD. LAS SIGUIENTES FUENTES DE VARIABILIDAD SON LAS MAS CRITICAS EN EL ESTUDIO DE NW TFETS: RUGOSIDAD DE LA INTERFAZ, CARGA EN LA INTERFAZ, DOPANTES ALEATORIOS Y RUGOSIDAD DE LA INTERFAZ III-V/SI _x000D_ 3. OPTIMIZACION DE ALGORITMOS NUMERICOS, PORTABILIDAD A NUEVAS INFRAESTRUCTURAS Y DESARROLLO DE HERRAMIENTAS PARA EL MANEJO DE LOS DATOS _x000D_ PARA ANALIZAR EL IMPACTO QUE DIFERENTES FUENTES DE VARIABILIDAD TIENEN EN EL COMPORTAMIENTO DE LOS NW TFETS ES NECESARIO REALIZAR ANALISIS ESTADISTICOS QUE REQUIEREN LA SIMULACION DE UN GRAN NUMERO DE DISPOSITIVOS, AUMENTANDO EL COSTE COMPUTACIONAL. POR LO TANTO, ES ESENCIAL EL USO DE ALGORITMOS NUMERICOS EFICIENTES. _x000D_ ESTA PARTE DEL PROYECTO ESTA BASADA EN DOS OBJETIVOS: I) LA REDUCCION DEL TIEMPO DE EJECUCION A TRAVES DE LA OPTIMIZACION DE LOS ALGORITMOS NUMERICOS UTILIZADOS EN LA SIMULACION Y SU IMPLEMENTACION EN DIFERENTES INFRAESTRUCTURAS COMPUTACIONALES Y II) LA GESTION EFICIENTE DE LOS DATOS GENERADOS A TRAVES DE LA IMPLEMENTACION DE UN GESTOR PARA EL ENVIO Y LA RECEPCION DE LOS DATOS DE VARIABILIDAD USANDO SISTEMAS COMPUTACIONALES HETEROGENEOS. (Spanish)
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THE IP OF THIS PROJECT IS CURRENTLY A MARIE CURIE IEF RESEARCHER AT SWANSEA UNIVERSITY (UK). THIS PROJECT HAS A MULTIDISCIPLINARY CHARACTER, INCORPORATING NANOELECTRONICS AND COMPUTER SCIENCE AND INFORMATION TECHNOLOGIES IN ITS MOST CURRENT STATES. The OBJECTIVES are classified in three areas:_x000D_ 1. 3D modeling of TUNEL TRANSISTORS, using nano-threads through the ARRASTRE-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETS) are being searched as possible courses for re-employing the Conventional MOSFET DISPOSITIVES for ULTRA LOW POTENCE APPLICATIONS OF YOUR SUB-UMBRAL PENDENCE AND YOUR CORRIENT REDUCATION OF FUGA, which makes an AGRESIVE STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. HOWEVER, A CHALLENGE ASSOCIATED WITH THESE DEVICES IS THEIR LIMITED PERFORMANCE AND LOW CURRENT IN THE ON ZONE. TO ACHIEVE HIGH TUNNEL PROBABILITIES, IT WOULD BE BENEFICIAL TO USE HETEROUNIONS AND NEW ARCHITECTURES, SUCH AS NANOWIRES (NW). IN THIS PROJECT WE WILL INITIALLY INVESTIGATE A NW TFET DEVICE WHOSE ARCHITECTURE WILL FOLLOW THE DESIGNS PROVIDED BY IBM ZURICH. NEXT, DIFFERENT COMBINATIONS WILL BE EXAMINED FOR THE MATERIALS THAT FORM THE CHANNEL, DRAINER AND SOURCE OF THE DEVICE AND THE OPTIMA ARCHITECTURE WILL BE SCALED TO OTHER TECHNOLOGIC NODES TO EVALUATE THEIR PERFORMANCE AND SCALABILITY. TO MODEL THESE DEVICES CORRECTLY, THE USE OF THREE-DIMENSIONAL SIMULATORS IS MANDATORY. FOR THIS REASON IN THE PROJECT WE WILL USE 3D SIMULATION TOOLS OF DEVICES WITH ATOMISTICA RESOLUTION AS DRAG-DIFUSION SIMULATORS AND MONTE CARLO WITH QUANTUM CORRECTIONS. Both SIMULATORS are based on the Method of Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Study of the INFLUENCE OF DIFFERENTS OF FLUCTUATIONS IN NW TFETS TFETS_x000D_ THE EFFECT OF VARIABILITY FOR THE CHARACTERISTICS OF THE DISPOSITIVES IS EVERY MAYOR, becoming one of the primary defiances for ESCALATE AND INTEGRATION OF THE ACTUAL GENERATION OF DISPOSITIVES AND CIRCUITS AS THE PROXIMA. THEREFORE, WE WILL STUDY THE IMPACT THAT DIFFERENT SOURCES OF FLUCTUATIONS HAVE ON THE BEHAVIOR OF DEVICES IN ORDER TO IDENTIFY THE DESIGNS, MATERIALS AND ARCHITECTURES LESS SENSITIVE TO VARIABILITY. THE FOLLOWING SOURCES OF VARIABILITY ARE THE MOST CRITICAL IN THE NW TFETS STUDY: Roughness OF INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, ALLEATORY Dopings AND RUGOSITY OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimisation OF NUMERICAL ALGORITMS, PortABILITY TO NEW INFRASTRUCTURES AND DEVELOPMENT OF TOOLS FOR THE MANAGEMENT OF DATA _x000D_ to analyse the impact that different sources of variability have in the transport of the NW TFETS is necessary to carry out analysis. who REQUIRE THE SIMULATION OF A GREAT NUMBER OF DISPOSITIVES, Increasing COMPUTATIONAL COST. THEREFORE, THE USE OF EFFICIENT NUMERIC ALGORITHMS IS ESSENTIAL. _x000D_ this PART OF THE PROJECT IS BASED IN TWO OBJECTIVES: I) THE REDUCTION OF EXECUTION TIME THROUGH THE OPTIMISATION OF THE NUMERIC ALGORITHMS USED IN THE SIMULATION AND THEIR IMPLEMENTATION IN DIFFERENT COMPUTATIONAL INFRASTRUCTURES AND II) THE EFFICIENT MANAGEMENT OF THE DATA GENERATED THROUGH THE IMPLEMENTATION OF A MANAGER FOR SENDING AND RECEIVING VARIABILITY DATA USING HETEROGENEOUS COMPUTATIONAL SYSTEMS. (English)
12 October 2021
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L’IP DE CE PROJET EST ACTUELLEMENT CHERCHEUR DU FIE MARIE CURIE À L’UNIVERSITÉ DE SWANSEA (ROYAUME-UNI). CE PROJET A UN CARACTÈRE MULTIDISCIPLINAIRE, INTÉGRANT LA NANOÉLECTRONIQUE, L’INFORMATIQUE ET LES TECHNOLOGIES DE L’INFORMATION DANS SES ÉTATS LES PLUS ACTUELS. Les OBJECTIFS sont classés en trois domaines:_x000D_ 1. Modélisation 3D de TUNEL TRANSISTORS, à l’aide de nanofils à travers l’Arastre-DIFUSION ET MÉTHODES MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) sont recherchés comme des cours possibles pour ré-employer le MOSFET conventionnel dispositif pour ULTRA LOW potence APPLICATIONS DE VOTRE pendence SUB-Umbral ET VOTRE éducation Corriente du FUGA, ce qui rend un STALAT Agresive du POSSIBLE DE TENSION FOOD. CEPENDANT, UN DÉFI ASSOCIÉ À CES APPAREILS EST LEUR PERFORMANCE LIMITÉE ET LEUR FAIBLE COURANT DANS LA ZONE ON. POUR ATTEINDRE DES PROBABILITÉS ÉLEVÉES DANS LES TUNNELS, IL SERAIT AVANTAGEUX D’UTILISER DES HETEROUNIONS ET DE NOUVELLES ARCHITECTURES, TELLES QUE LES NANOFILS (NW). DANS LE CADRE DE CE PROJET, NOUS ÉTUDIERONS D’ABORD UN DISPOSITIF TFET NW DONT L’ARCHITECTURE SUIVRA LES CONCEPTIONS FOURNIES PAR IBM ZURICH. ENSUITE, DIFFÉRENTES COMBINAISONS SERONT EXAMINÉES POUR LES MATÉRIAUX QUI FORMENT LE CANAL, LE DRAINEUR ET LA SOURCE DE L’APPAREIL, ET L’ARCHITECTURE OPTIMA SERA MISE À L’ÉCHELLE D’AUTRES NŒUDS TECHNOLOGIQUES AFIN D’ÉVALUER LEUR PERFORMANCE ET LEUR ÉVOLUTIVITÉ. POUR MODÉLISER CORRECTEMENT CES APPAREILS, L’UTILISATION DE SIMULATEURS TRIDIMENSIONNELS EST OBLIGATOIRE. POUR CETTE RAISON, DANS LE PROJET, NOUS UTILISERONS DES OUTILS DE SIMULATION 3D D’APPAREILS AVEC RÉSOLUTION ATOMISTICA COMME SIMULATEURS DE DRAG-DIFUSION ET MONTE CARLO AVEC CORRECTIONS QUANTIQUES. Les deux SIMULATEURS sont basés sur la méthode des ELEMENTS finis._x000D_ _x000D_ 2. Étude de l’INFLUENCE DES Différents DES FLUCTUATIONS DANS LES TFETS NW TFETS_x000D_ L’EFFECT DE VARIABILITÉ POUR LES CHARACTERISTIQUES DES DISPOSITIFS EST TOUS MAYOR, devenant l’une des principales défiances pour l’ESCALAT ET L’INTÉGRATION DE LA GENÉRATION ACTUELLE DES DISPOSITIONS ET DES CIRCUITS AS THE PROXIMA. PAR CONSÉQUENT, NOUS ÉTUDIERONS L’IMPACT DES DIFFÉRENTES SOURCES DE FLUCTUATIONS SUR LE COMPORTEMENT DES APPAREILS AFIN D’IDENTIFIER LES CONCEPTIONS, LES MATÉRIAUX ET LES ARCHITECTURES MOINS SENSIBLES À LA VARIABILITÉ. LES SOURCES DE VARIABILITÉ SUIVANTES SONT LES PLUS CRITIQUES DANS L’ÉTUDE DES TFET NW: Rugosité DE L’INTERFACE, CONTRE L’INTERFACE, les dopages ALLEATOIRE et la rugosité de l’INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimisation des algoritmes NUMÉRIQUES, portabilité DES NOUVELLES INFRASTRUCTURES ET DÉVELOPPEMENT DES OUTILS POUR LA GESTION DES DONNÉES _x000D_ pour analyser l’impact des différentes sources de variabilité sur le transport des TFET NW est nécessaire pour effectuer l’analyse. PAR CONSÉQUENT, L’UTILISATION D’ALGORITHMES NUMÉRIQUES EFFICACES EST ESSENTIELLE. _x000D_ cette partie du projet est BASED DANS DEUX OBJECTIFS: I) LA RÉDUCTION DU TEMPS D’EXÉCUTION PAR L’OPTIMISATION DES ALGORITHMES NUMÉRIQUES UTILISÉS DANS LA SIMULATION ET LEUR IMPLÉMENTATION DANS DIFFÉRENTES INFRASTRUCTURES DE CALCUL ET II) LA GESTION EFFICACE DES DONNÉES GÉNÉRÉES PAR LA MISE EN ŒUVRE D’UN GESTIONNAIRE POUR L’ENVOI ET LA RÉCEPTION DE DONNÉES DE VARIABILITÉ À L’AIDE DE SYSTÈMES DE CALCUL HÉTÉROGÈNES. (French)
4 December 2021
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DAS IP DIESES PROJEKTS IST DERZEIT MARIE CURIE IEF-FORSCHERIN AN DER SWANSEA UNIVERSITY (UK). DIESES PROJEKT HAT EINEN MULTIDISZIPLINÄREN CHARAKTER, DER NANOELEKTRONIK SOWIE INFORMATIK UND INFORMATIONSTECHNOLOGIEN IN DEN AKTUELLSTEN STAATEN BERÜCKSICHTIGT. Die OBJECTIVES sind in drei Bereiche unterteilt:_x000D_ 1. 3D-Modellierung von TUNEL TRANSISTOREN, mit Hilfe von Nano-Threads durch die arrastre-DIFUSION UND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) werden als mögliche Kurse für die Wiedereinsetzung der Konventionellen MOSFET-Dispositiven für ULTRA LOW Potence APPLICATIONEN von IHRER SUB-Umbuße und Ihre Korrektorenerziehung von FUGA gesucht, was einen Agresive STALATE DER FOOD TENSION POSSIBLE macht. ALLERDINGS IST EINE HERAUSFORDERUNG, DIE MIT DIESEN GERÄTEN VERBUNDEN IST IHRE BEGRENZTE LEISTUNG UND NIEDRIGEN STROM IN DER ON-ZONE. UM HOHE TUNNELWAHRSCHEINLICHKEITEN ZU ERREICHEN, WÄRE ES VON VORTEIL, HETEROUNIONS UND NEUE ARCHITEKTUREN WIE NANODRÄHTE (NW) ZU NUTZEN. IN DIESEM PROJEKT WERDEN WIR ZUNÄCHST EIN NW TFET-GERÄT UNTERSUCHEN, DESSEN ARCHITEKTUR DEN ENTWÜRFEN VON IBM ZÜRICH FOLGT. ALS NÄCHSTES WERDEN VERSCHIEDENE KOMBINATIONEN AUF DIE MATERIALIEN UNTERSUCHT, DIE DEN KANAL, DEN ABLAUF UND DIE QUELLE DES GERÄTS BILDEN, UND DIE OPTIMA-ARCHITEKTUR WIRD AUF ANDERE TECHNOLOGISCHE KNOTEN SKALIERT, UM IHRE LEISTUNG UND SKALIERBARKEIT ZU BEWERTEN. UM DIESE GERÄTE KORREKT ZU MODELLIEREN, IST DIE VERWENDUNG VON DREIDIMENSIONALEN SIMULATOREN OBLIGATORISCH. AUS DIESEM GRUND WERDEN WIR IM PROJEKT 3D-SIMULATIONSWERKZEUGE VON GERÄTEN MIT ATOMISTICA-AUFLÖSUNG ALS DRAG-DIFUSIONSSIMULATOREN UND MONTE CARLO MIT QUANTENKORREKTUREN EINSETZEN. Beide SIMULATOREN basieren auf der Methode der Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie über die INFLUENCE VON FLUCTUATIONEN IN NW TFETs TFETS_x000D_ DER EFFECT DER VARIABILITÄT FÜR DIE VARIABILITÄT FÜR DIE KRACTERISTIK DER Dispositiven ist immer wieder eins der primären Mängel bei ESCALATE und INTEGRATION DER ACTUAL GENERATION von Dispositiven und KIRCUITS wie das PROXIMA. DAHER WERDEN WIR UNTERSUCHEN, WELCHE AUSWIRKUNGEN UNTERSCHIEDLICHE QUELLEN VON SCHWANKUNGEN AUF DAS VERHALTEN VON GERÄTEN HABEN, UM DIE DESIGNS, MATERIALIEN UND ARCHITEKTUREN ZU IDENTIFIZIEREN, DIE WENIGER EMPFINDLICH AUF VARIABILITÄT REAGIEREN. DIE FOLGENDEN QUELLEN DER VARIABILITÄT SIND DIE KRITISCHSTEN IN DER NW-TFET-STUDIE: Rauheit von INTERFACE, BACK IN DER INTERFACE, ALLEATORY Dopings und Rugosität von INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimierung von NUMERICAL-Algoritmen, Portabilität auf NEUEN INFRASTRUCTURES UND ENTWICKLUNG VON TOOLS FÜR DATA _x000D_ zur Analyse der Auswirkungen, die verschiedene Quellen der Variabilität beim Transport der NW-TFETs haben, um Analysen durchzuführen. DAHER IST DER EINSATZ EFFIZIENTER NUMERISCHER ALGORITHMEN UNERLÄSSLICH. _x000D_ dieser Teil des PROJEKT ist in den folgenden Punkten erfüllt: I) DIE REDUZIERUNG DER AUSFÜHRUNGSZEIT DURCH DIE OPTIMIERUNG DER NUMERISCHEN ALGORITHMEN, DIE IN DER SIMULATION UND DEREN IMPLEMENTIERUNG IN UNTERSCHIEDLICHEN RECHENINFRASTRUKTUREN VERWENDET WERDEN, UND II) DIE EFFIZIENTE VERWALTUNG DER DURCH DIE IMPLEMENTIERUNG EINES MANAGERS GENERIERTEN DATEN ZUM SENDEN UND EMPFANGEN VON VARIABILITÄTSDATEN MIT HETEROGENEN RECHENSYSTEMEN. (German)
9 December 2021
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HET IP VAN DIT PROJECT IS MOMENTEEL EEN MARIE CURIE IEF ONDERZOEKER AAN DE SWANSEA UNIVERSITY (UK). DIT PROJECT HEEFT EEN MULTIDISCIPLINAIR KARAKTER, MET INBEGRIP VAN NANO-ELEKTRONICA EN COMPUTERWETENSCHAPPEN EN INFORMATIETECHNOLOGIEËN IN DE MEEST HUIDIGE STATEN. De DOELSTELLINGEN zijn ingedeeld in drie gebieden:_x000D_ 1. 3D modellering van TUNEL TRANSISTORS, met behulp van nano-threads door middel van de arrastre-DIFUSION EN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET’s) worden gezocht als mogelijke cursussen voor het opnieuw inzetten van de Conventionele MOSFET dispositives voor ULTRA LOW potentence APPLICATIONS VAN UW SUB-Umbral pendence EN UR Corrient reducation OF FUGA, wat een Agresive STALATE van de FOOD TENSION POSSIBLE maakt. ECHTER, EEN UITDAGING IN VERBAND MET DEZE APPARATEN IS HUN BEPERKTE PRESTATIES EN LAGE STROOM IN DE ON ZONE. OM HOGE TUNNELWAARSCHIJNLIJKHEDEN TE BEREIKEN, ZOU HET NUTTIG ZIJN OM HETEROUNIONS EN NIEUWE ARCHITECTUREN, ZOALS NANOWIRES (NW), TE GEBRUIKEN. IN DIT PROJECT ZULLEN WE IN EERSTE INSTANTIE EEN NW TFET-APPARAAT ONDERZOEKEN WAARVAN DE ARCHITECTUUR DE ONTWERPEN VAN IBM ZURICH ZAL VOLGEN. VERVOLGENS ZULLEN VERSCHILLENDE COMBINATIES WORDEN ONDERZOCHT OP DE MATERIALEN DIE HET KANAAL, DE DRAINER EN DE BRON VAN HET APPARAAT VORMEN EN DE OPTIMA-ARCHITECTUUR ZAL WORDEN GESCHAALD NAAR ANDERE TECHNOLOGISCHE KNOOPPUNTEN OM HUN PRESTATIES EN SCHAALBAARHEID TE EVALUEREN. OM DEZE APPARATEN CORRECT TE MODELLEREN, IS HET GEBRUIK VAN DRIEDIMENSIONALE SIMULATOREN VERPLICHT. OM DEZE REDEN ZULLEN WE IN HET PROJECT 3D-SIMULATIETOOLS VAN APPARATEN MET ATOMISTICA-RESOLUTIE GEBRUIKEN ALS DRAG-DIFUSION SIMULATOREN EN MONTE CARLO MET KWANTUMCORRECTIES. Beide SIMULATORS zijn gebaseerd op de methode van finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie van de INFLUENCE VAN verschillende FLUCTUATIONS IN NW TFETS_x000D_ HET EFFECT VAN VARIABILITEIT VOOR DE CHARACTERISTISCHE VAN DE dispositieven IS ALLE MAYOR, een van de belangrijkste bezwaren voor ESCALATE EN INTEGRATIE VAN DE ACTUALE GENERATION VAN dispositieven EN CIRCUITS als het PROXIMA. DAAROM ZULLEN WE DE IMPACT BESTUDEREN DIE VERSCHILLENDE BRONNEN VAN FLUCTUATIES HEBBEN OP HET GEDRAG VAN APPARATEN OM DE ONTWERPEN, MATERIALEN EN ARCHITECTUREN DIE MINDER GEVOELIG ZIJN VOOR VARIABILITEIT TE IDENTIFICEREN. DE VOLGENDE BRONNEN VAN VARIABILITEIT ZIJN DE MEEST KRITISCHE IN DE NW TFETS STUDIE: Ruwheid van INTERFACE, terug in de INTERFACE, ALLEATORY Dopings en rugositeit van INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalisatie VAN NUMERISCHE algoritmen, draagbaarheid VOOR NIEUWE INFRASTRUCTURES EN ONTWIKKELING VAN TOOLS VOOR DE MANAGEMENT VAN GEGEVENS _x000D_ om de impact te analyseren die verschillende bronnen van variabiliteit hebben in het transport van de NW TFET’s is noodzakelijk om de analyse uit te voeren. wie VERZOEKT DE SIMULATIE VAN EEN GROTE NUMBER VAN dispositieven, Verhogende COMPUTATIONALE KOST. DAAROM IS HET GEBRUIK VAN EFFICIËNTE NUMERIEKE ALGORITMEN ESSENTIEEL. _x000D_ dit deel van het PROJECT is in twee gevallen vastgelegd: I) DE VERKORTING VAN DE UITVOERINGSTIJD DOOR DE OPTIMALISERING VAN DE NUMERIEKE ALGORITMEN DIE IN DE SIMULATIE WORDEN GEBRUIKT EN DE IMPLEMENTATIE ERVAN IN VERSCHILLENDE COMPUTATIONELE INFRASTRUCTUREN EN II) HET EFFICIËNTE BEHEER VAN DE GEGEVENS DIE WORDEN GEGENEREERD DOOR DE IMPLEMENTATIE VAN EEN BEHEERDER VOOR HET VERZENDEN EN ONTVANGEN VAN VARIABILITEITSGEGEVENS MET BEHULP VAN HETEROGENE COMPUTERSYSTEMEN. (Dutch)
17 December 2021
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IL PI DI QUESTO PROGETTO È ATTUALMENTE UN RICERCATORE MARIE CURIE IEF PRESSO SWANSEA UNIVERSITY (REGNO UNITO). QUESTO PROGETTO HA UN CARATTERE MULTIDISCIPLINARE, CHE INCORPORA LA NANOELETTRONICA, L'INFORMATICA E LE TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE NEI SUOI STATI PIÙ ATTUALI. Gli OBIETTIVI sono classificati in tre aree:_x000D_ 1. La modellazione 3D di TUNEL TRANSISTORS, utilizzando nano-filo attraverso l'arrastre-DIFUSIONE E METODI MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) vengono ricercati come possibili corsi per ri-occupare il MOSFET convenzionale dispositivi per ULTRA LOW potenza APPLICATIONS della vostra penitenza sobbombale e la vostra correzione di FUGA, che rende un sommato Agresive della TENSIONE alimentare POSSIBILE. TUTTAVIA, UNA SFIDA ASSOCIATA A QUESTI DISPOSITIVI È LE LORO PRESTAZIONI LIMITATE E BASSA CORRENTE NELLA ZONA ON. PER OTTENERE ALTE PROBABILITÀ DI TUNNEL, SAREBBE UTILE UTILIZZARE HETEROUNIONS E NUOVE ARCHITETTURE, COME I NANOFILI (NW). IN QUESTO PROGETTO ESAMINEREMO INIZIALMENTE UN DISPOSITIVO NW TFET LA CUI ARCHITETTURA SEGUIRÀ I PROGETTI FORNITI DA IBM ZURICH. SUCCESSIVAMENTE, SARANNO ESAMINATE DIVERSE COMBINAZIONI PER I MATERIALI CHE FORMANO IL CANALE, LO SCARICO E LA FONTE DEL DISPOSITIVO E L'ARCHITETTURA OPTIMA SARÀ SCALATA AD ALTRI NODI TECNOLOGICI PER VALUTARNE LE PRESTAZIONI E LA SCALABILITÀ. PER MODELLARE CORRETTAMENTE QUESTI DISPOSITIVI, L'USO DI SIMULATORI TRIDIMENSIONALI È OBBLIGATORIO. PER QUESTO MOTIVO NEL PROGETTO UTILIZZEREMO STRUMENTI DI SIMULAZIONE 3D DI DISPOSITIVI CON RISOLUZIONE ATOMISTICA COME SIMULATORI DRAG-DIFUSION E MONTE CARLO CON CORREZIONI QUANTISTICHE. Entrambi i SIMULATORS sono basati sul Metodo di ELEMENTS Finite._x000D_ _x000D_ 2. Studio dell'INFLUENZA DI differenti FLUCTUATIONS IN NW TFETS TFETS_x000D_ L'EFFETTO DI VARIABILITÀ PER LE CARATTERISTICHE DEI DISpositivi È Ognuno MAGGIO, diventando una delle difese primarie per ESCALATO E INTEGRAZIONE DELLA GENERAZIONE ATTUALE dei dispositivi e dei CIRCUITI come PROXIMA. PERTANTO, STUDIEREMO L'IMPATTO CHE LE DIVERSE FONTI DI FLUTTUAZIONE HANNO SUL COMPORTAMENTO DEI DISPOSITIVI AL FINE DI IDENTIFICARE I PROGETTI, I MATERIALI E LE ARCHITETTURE MENO SENSIBILI ALLA VARIABILITÀ. LE SEGUENTI FONTI DI VARIABILITÀ SONO LE PIÙ CRITICHE NELLO STUDIO TFET NW: Rugosità DI INTERFACE, RICHIESTA NELL'INTERFACE, Dopings ALLEATORY E rugosità di INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Ottimizzazione di algoritmi NUMERICAL, portabilità a nuove infrastRUtture e sviluppo di strumenti per la gestione dei dati _x000D_per analizzare l'impatto che le diverse fonti di variabilità hanno nel trasporto dei TFET NW è necessario per effettuare l'analisi. Chi richiede la SIMULAZIONE DI UN GRANDE NUMERO DI DISpositivi, aumentando il costo COMPUTATIVO. PERTANTO, L'USO DI ALGORITMI NUMERICI EFFICIENTI È ESSENZIALE. _x000D_ questa PARTE DEL PROGETTO è BASED IN DUE OBIETTIVI: I) LA RIDUZIONE DEI TEMPI DI ESECUZIONE ATTRAVERSO L'OTTIMIZZAZIONE DEGLI ALGORITMI NUMERICI UTILIZZATI NELLA SIMULAZIONE E LA LORO IMPLEMENTAZIONE IN DIVERSE INFRASTRUTTURE COMPUTAZIONALI E II) LA GESTIONE EFFICIENTE DEI DATI GENERATI ATTRAVERSO L'IMPLEMENTAZIONE DI UN MANAGER PER L'INVIO E LA RICEZIONE DI DATI DI VARIABILITÀ UTILIZZANDO SISTEMI COMPUTAZIONALI ETEROGENEI. (Italian)
16 January 2022
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Santiago de Compostela
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Identifiers
TEC2014-59402-JIN
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