LNSM – Laboratory of spintronics (Q19853): Difference between revisions
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| label / it | label / it | ||||||||||||||
LNSM — Laboratorio di Spintronics | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Il progetto mira a sviluppare la spintronica antiferromagnetica (AFM) come nuovo campo di elettronica basata sullo spin nei materiali AFM. Si concentra sulla creazione della base materiale di questo campo e sullo sviluppo della teoria pertinente. L'obiettivo sperimentale è l'individuazione e la dimostrazione di principi che consentano un'efficace rilevazione e manipolazione dei giri di AFM e l'uso di strutture AFM, ad esempio come memoria ultraveloce non volatile resistente alle radiazioni ionizzanti e ai campi magnetici, adatta ad alta integrazione. (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Il progetto mira a sviluppare la spintronica antiferromagnetica (AFM) come nuovo campo di elettronica basata sullo spin nei materiali AFM. Si concentra sulla creazione della base materiale di questo campo e sullo sviluppo della teoria pertinente. L'obiettivo sperimentale è l'individuazione e la dimostrazione di principi che consentano un'efficace rilevazione e manipolazione dei giri di AFM e l'uso di strutture AFM, ad esempio come memoria ultraveloce non volatile resistente alle radiazioni ionizzanti e ai campi magnetici, adatta ad alta integrazione. (Italian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Il progetto mira a sviluppare la spintronica antiferromagnetica (AFM) come nuovo campo di elettronica basata sullo spin nei materiali AFM. Si concentra sulla creazione della base materiale di questo campo e sullo sviluppo della teoria pertinente. L'obiettivo sperimentale è l'individuazione e la dimostrazione di principi che consentano un'efficace rilevazione e manipolazione dei giri di AFM e l'uso di strutture AFM, ad esempio come memoria ultraveloce non volatile resistente alle radiazioni ionizzanti e ai campi magnetici, adatta ad alta integrazione. (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 14 January 2022
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Revision as of 03:07, 14 January 2022
Project Q19853 in Czech Republic
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | LNSM – Laboratory of spintronics |
Project Q19853 in Czech Republic |
Statements
31,009,099.57 Czech koruna
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43,460,546.0 Czech koruna
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71.35 percent
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1 April 2017
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31 March 2021
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Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
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50°8'4.56"N, 14°28'0.44"E
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18200
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Projekt usiluje o rozvinutí antiferomagnetické (AFM) spintroniky jakožto nového oboru elektroniky založeného na spinu v AFM materiálech. Je zaměřen na vytvoření materiálové základny tohoto oboru a na vývoj příslušné teorie. Experimentálním cílem je identifikace a demonstrace principů umožňujících efektivní detekci a manipulaci AFM spinů a využití AFM struktur např. jako nevolatilních ultrarychlých pamětí odolných vůči ionizujícímu záření a magnetickým polím, vhodných pro vysokou integraci. a. (Czech)
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The project aims to develop antiferromagnetic (AFM) spintronics as a new field of spin-based electronics in AFM materials. It is aimed at creating a material base of this field and on the development of the relevant theory. The experimental goal is to identify and demonstrate principles enabling effective detection and manipulation of AFM spins and the use of AFM structures such as non-volatile ultra-fast memories resistant to ionising radiation and magnetic fields, suitable for high integration. a. (English)
22 October 2020
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Le projet vise à développer la spintronique antiferromagnétique (AFM) comme un nouveau champ d’électronique basé sur la rotation dans les matériaux AFM. Il est axé sur la création de la base matérielle de ce domaine et sur le développement de la théorie pertinente. L’objectif expérimental est l’identification et la démonstration de principes permettant une détection et une manipulation efficaces des spins AFM et l’utilisation de structures AFM, par exemple comme mémoire ultra-rapide non volatile résistante aux rayonnements ionisants et aux champs magnétiques, adaptée à une intégration élevée. (French)
28 November 2021
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Das Projekt zielt darauf ab, antiferromagnetische Spintronik (AFM) als neues Feld der Elektronik auf Basis von Spin in AFM-Materialien zu entwickeln. Es konzentriert sich auf die Schaffung der materiellen Basis dieses Feldes und auf die Entwicklung der relevanten Theorie. Das experimentelle Ziel ist die Ermittlung und Demonstration von Prinzipien, die eine effektive Erkennung und Manipulation von AFM-Spins ermöglichen, sowie die Nutzung von AFM-Strukturen, z. B. als nichtflüchtiges ultraschnelles Gedächtnis, das gegen ionisierende Strahlung und Magnetfelder resistent ist und sich für eine hohe Integration eignet. (German)
2 December 2021
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Het project is gericht op de ontwikkeling van antiferromagnetische (AFM) spintronics als een nieuw gebied van elektronica gebaseerd op spin in AFM materialen. Het is gericht op het creëren van de materiële basis van dit veld en op de ontwikkeling van de relevante theorie. Het experimentele doel is het identificeren en demonstreren van principes die een effectieve detectie en manipulatie van AFM-spins en het gebruik van AFM-structuren mogelijk maken, bijvoorbeeld als niet-vluchtig ultrasnelle geheugen dat bestand is tegen ioniserende straling en magnetische velden, geschikt voor hoge integratie. (Dutch)
13 December 2021
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Il progetto mira a sviluppare la spintronica antiferromagnetica (AFM) come nuovo campo di elettronica basata sullo spin nei materiali AFM. Si concentra sulla creazione della base materiale di questo campo e sullo sviluppo della teoria pertinente. L'obiettivo sperimentale è l'individuazione e la dimostrazione di principi che consentano un'efficace rilevazione e manipolazione dei giri di AFM e l'uso di strutture AFM, ad esempio come memoria ultraveloce non volatile resistente alle radiazioni ionizzanti e ai campi magnetici, adatta ad alta integrazione. (Italian)
14 January 2022
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Identifiers
CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_013/0001405
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