A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase (Q84341): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Changed label, description and/or aliases in de, and other parts: Adding German translations) |
(Changed label, description and/or aliases in nl, and other parts: Adding Dutch translations) |
||||||||||||||
| label / nl | label / nl | ||||||||||||||
Een universeel proces voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in kristalgroei vanuit de dampfase | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in gallium Nitride (GaN) kristalgroei vanuit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkele kristallijne GaN boules met een uniforme of uitdijende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vliegtuig van inheemse GaN zaad. Hiervoor is een nauwkeurige controle van de oververzadiging op het groeioppervlak van het kristal noodzakelijk. De oververzadiging moet worden verminderd op de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoort op de Sidewalls worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid voor een willekeurige periode. Dergelijke voorwaarden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te regelen. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermische veld en niet zijn evenwichtsgewoonte te nemen. (Dutch) | |||||||||||||||
| Property / summary: Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in gallium Nitride (GaN) kristalgroei vanuit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkele kristallijne GaN boules met een uniforme of uitdijende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vliegtuig van inheemse GaN zaad. Hiervoor is een nauwkeurige controle van de oververzadiging op het groeioppervlak van het kristal noodzakelijk. De oververzadiging moet worden verminderd op de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoort op de Sidewalls worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid voor een willekeurige periode. Dergelijke voorwaarden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te regelen. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermische veld en niet zijn evenwichtsgewoonte te nemen. (Dutch) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in gallium Nitride (GaN) kristalgroei vanuit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkele kristallijne GaN boules met een uniforme of uitdijende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vliegtuig van inheemse GaN zaad. Hiervoor is een nauwkeurige controle van de oververzadiging op het groeioppervlak van het kristal noodzakelijk. De oververzadiging moet worden verminderd op de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoort op de Sidewalls worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid voor een willekeurige periode. Dergelijke voorwaarden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te regelen. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermische veld en niet zijn evenwichtsgewoonte te nemen. (Dutch) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 December 2021
| |||||||||||||||
Revision as of 19:59, 16 December 2021
Project Q84341 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase |
Project Q84341 in Poland |
Statements
3,500,000.0 zloty
0 references
3,500,000.0 zloty
0 references
100.0 percent
0 references
1 October 2018
0 references
30 September 2021
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
The goal of this project is to develop a universal process for overcoming the equilibrium crystal shape in gallium nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of crystallized GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallization process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimized, while the growth facet (c-facet) will be stabilized and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (Polish)
0 references
The goal of this project is to develop a universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in gallium Nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of Crystallised GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallisation process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimised, while the growth guy (c-facet) will be stabilised and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (English)
14 October 2020
0 references
L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme cristalline d’équilibre dans la croissance cristalline du nitrure de gallium (GaN) à partir de la phase vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules de GaN cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur le plan c des graines de GaN indigènes. À cet effet, un contrôle précis de la supersaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La supersaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption de l’espèce de croissance sur les flancs sera réduite au minimum, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et développé pendant une période arbitraire. De telles conditions seront réalisées en contrôlant le champ thermique autour du cristal en croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French)
30 November 2021
0 references
Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boule mit einem gleichmäßigen oder ausdehnenden Durchmesser ermöglichen. Der Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene des einheimischen GaN-Samens durchgeführt. Dazu ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Kanten und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsart an den Sidewalls minimiert, während der Wachstumstyp (c-Facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Steuerung des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Die Boule wird ihre endgültige Form erreichen, indem sie sich an das thermische Feld anpasst und seine Gleichgewichtsgewohnheit nicht nimmt. (German)
7 December 2021
0 references
Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in gallium Nitride (GaN) kristalgroei vanuit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkele kristallijne GaN boules met een uniforme of uitdijende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vliegtuig van inheemse GaN zaad. Hiervoor is een nauwkeurige controle van de oververzadiging op het groeioppervlak van het kristal noodzakelijk. De oververzadiging moet worden verminderd op de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoort op de Sidewalls worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid voor een willekeurige periode. Dergelijke voorwaarden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te regelen. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermische veld en niet zijn evenwichtsgewoonte te nemen. (Dutch)
16 December 2021
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-5CEB/17
0 references