Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs (Q84238): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Created claim: summary (P836): Dans le cadre du projet, nous expliquerons le rôle des défauts ponctuels (principalement Ga vacants et impuretés d’hydrogène) dans la décomposition des puits quantiques InGaN. Cette décomposition se produit au cours de la croissance de GaN de type p au-dessus de ces puits dans les LED et les diodes laser (LD) émettant dans la gamme spectrale bleue/verte, et est l’une des principales raisons pour lesquelles l’efficacité des émetteurs verts a une...) |
(Changed label, description and/or aliases in de, and other parts: Adding German translations) |
||||||||||||||
| label / de | label / de | ||||||||||||||
Einfluss von Punktdefekten auf die InGaN Quantenbohrung in der Technologie von blau/grünen Laserdioden und LEDs | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Im Projekt werden wir die Rolle von Punktfehlern (hauptsächlich Ga freie Stellen und Wasserstoffunreinheit) bei der Zersetzung von InGaN Quantenbrunnen erklären. Diese Zersetzung tritt während des Wachstums von p-Typ GaN über diesen Brunnen in LEDs und Laserdioden (LDs) auf, die im blau/grünen Spektralbereich emittieren, und ist einer der Hauptgründe, warum die Effizienz von grünen Emittern eine geringe Effizienz aufweist („grüne Lücke“). In unserer jüngsten Forschung erhielten wir erstmals Hinweise darauf, dass die InGaN Zersetzung durch die dehnungsgetriebene Diffusion von Punktfehlern verursacht wird. Um dieses Phänomen zu verstehen, planen wir, eine Reihe von Experimenten durchzuführen, die Wachstumsparameter (Doping, Ströme von Reaktionsmitteln, Druck, Temperatur usw.) im epitaxiellen Wachstum verändern und theoretische Modellierung von Punktdefekten und Indiumdiffusionen durchführen. Die Proben werden mit einer Reihe von Techniken in Zusammenarbeit mit anderen Laboren untersucht. Als Ergebnis sollten wir den Weg finden, die InGaN Zersetzung in LEDs und LDs zu vermeiden. (German) | |||||||||||||||
| Property / summary: Im Projekt werden wir die Rolle von Punktfehlern (hauptsächlich Ga freie Stellen und Wasserstoffunreinheit) bei der Zersetzung von InGaN Quantenbrunnen erklären. Diese Zersetzung tritt während des Wachstums von p-Typ GaN über diesen Brunnen in LEDs und Laserdioden (LDs) auf, die im blau/grünen Spektralbereich emittieren, und ist einer der Hauptgründe, warum die Effizienz von grünen Emittern eine geringe Effizienz aufweist („grüne Lücke“). In unserer jüngsten Forschung erhielten wir erstmals Hinweise darauf, dass die InGaN Zersetzung durch die dehnungsgetriebene Diffusion von Punktfehlern verursacht wird. Um dieses Phänomen zu verstehen, planen wir, eine Reihe von Experimenten durchzuführen, die Wachstumsparameter (Doping, Ströme von Reaktionsmitteln, Druck, Temperatur usw.) im epitaxiellen Wachstum verändern und theoretische Modellierung von Punktdefekten und Indiumdiffusionen durchführen. Die Proben werden mit einer Reihe von Techniken in Zusammenarbeit mit anderen Laboren untersucht. Als Ergebnis sollten wir den Weg finden, die InGaN Zersetzung in LEDs und LDs zu vermeiden. (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Im Projekt werden wir die Rolle von Punktfehlern (hauptsächlich Ga freie Stellen und Wasserstoffunreinheit) bei der Zersetzung von InGaN Quantenbrunnen erklären. Diese Zersetzung tritt während des Wachstums von p-Typ GaN über diesen Brunnen in LEDs und Laserdioden (LDs) auf, die im blau/grünen Spektralbereich emittieren, und ist einer der Hauptgründe, warum die Effizienz von grünen Emittern eine geringe Effizienz aufweist („grüne Lücke“). In unserer jüngsten Forschung erhielten wir erstmals Hinweise darauf, dass die InGaN Zersetzung durch die dehnungsgetriebene Diffusion von Punktfehlern verursacht wird. Um dieses Phänomen zu verstehen, planen wir, eine Reihe von Experimenten durchzuführen, die Wachstumsparameter (Doping, Ströme von Reaktionsmitteln, Druck, Temperatur usw.) im epitaxiellen Wachstum verändern und theoretische Modellierung von Punktdefekten und Indiumdiffusionen durchführen. Die Proben werden mit einer Reihe von Techniken in Zusammenarbeit mit anderen Laboren untersucht. Als Ergebnis sollten wir den Weg finden, die InGaN Zersetzung in LEDs und LDs zu vermeiden. (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 7 December 2021
| |||||||||||||||
Revision as of 09:13, 7 December 2021
Project Q84238 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs |
Project Q84238 in Poland |
Statements
3,464,455.0 zloty
0 references
3,464,455.0 zloty
0 references
100.0 percent
0 references
1 September 2017
0 references
31 August 2020
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies ("green gap"). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (Polish)
0 references
In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen Impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies (“green gap”). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (English)
14 October 2020
0 references
Dans le cadre du projet, nous expliquerons le rôle des défauts ponctuels (principalement Ga vacants et impuretés d’hydrogène) dans la décomposition des puits quantiques InGaN. Cette décomposition se produit au cours de la croissance de GaN de type p au-dessus de ces puits dans les LED et les diodes laser (LD) émettant dans la gamme spectrale bleue/verte, et est l’une des principales raisons pour lesquelles l’efficacité des émetteurs verts a une faible efficacité («écart vert»). Dans nos recherches récentes, nous avons obtenu pour la première fois des indications que la décomposition d’InGaN est causée par la diffusion de défauts ponctuels entraîné par des déformations. Pour comprendre ce phénomène, nous prévoyons de faire un certain nombre d’expériences changeant les paramètres de croissance (dopage, flux de réactifs, pression, température, etc.) dans la croissance épitaxiale, ainsi que de modéliser théoriquement le défaut de point et la diffusion de l’indium. Les échantillons seront examinés à l’aide d’un certain nombre de techniques en collaboration avec d’autres laboratoires. En conséquence, nous devrions trouver le moyen d’éviter la décomposition InGaN dans les LED et les LDs. (French)
30 November 2021
0 references
Im Projekt werden wir die Rolle von Punktfehlern (hauptsächlich Ga freie Stellen und Wasserstoffunreinheit) bei der Zersetzung von InGaN Quantenbrunnen erklären. Diese Zersetzung tritt während des Wachstums von p-Typ GaN über diesen Brunnen in LEDs und Laserdioden (LDs) auf, die im blau/grünen Spektralbereich emittieren, und ist einer der Hauptgründe, warum die Effizienz von grünen Emittern eine geringe Effizienz aufweist („grüne Lücke“). In unserer jüngsten Forschung erhielten wir erstmals Hinweise darauf, dass die InGaN Zersetzung durch die dehnungsgetriebene Diffusion von Punktfehlern verursacht wird. Um dieses Phänomen zu verstehen, planen wir, eine Reihe von Experimenten durchzuführen, die Wachstumsparameter (Doping, Ströme von Reaktionsmitteln, Druck, Temperatur usw.) im epitaxiellen Wachstum verändern und theoretische Modellierung von Punktdefekten und Indiumdiffusionen durchführen. Die Proben werden mit einer Reihe von Techniken in Zusammenarbeit mit anderen Laboren untersucht. Als Ergebnis sollten wir den Weg finden, die InGaN Zersetzung in LEDs und LDs zu vermeiden. (German)
7 December 2021
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-3C81/16
0 references