LNSM – Laboratory of spintronics (Q19853): Difference between revisions

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LNSM – Labor für Spintronik

Revision as of 09:46, 2 December 2021

Project Q19853 in Czech Republic
Language Label Description Also known as
English
LNSM – Laboratory of spintronics
Project Q19853 in Czech Republic

    Statements

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    31,009,099.57 Czech koruna
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    1,240,363.98 Euro
    10 January 2020
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    43,460,546.0 Czech koruna
    0 references
    1,738,421.84 Euro
    10 January 2020
    0 references
    71.35 percent
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    1 April 2017
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    31 March 2021
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    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
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    50°8'4.56"N, 14°28'0.44"E
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    18200
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    Projekt usiluje o rozvinutí antiferomagnetické (AFM) spintroniky jakožto nového oboru elektroniky založeného na spinu v AFM materiálech. Je zaměřen na vytvoření materiálové základny tohoto oboru a na vývoj příslušné teorie. Experimentálním cílem je identifikace a demonstrace principů umožňujících efektivní detekci a manipulaci AFM spinů a využití AFM struktur např. jako nevolatilních ultrarychlých pamětí odolných vůči ionizujícímu záření a magnetickým polím, vhodných pro vysokou integraci. a. (Czech)
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    The project aims to develop antiferromagnetic (AFM) spintronics as a new field of spin-based electronics in AFM materials. It is aimed at creating a material base of this field and on the development of the relevant theory. The experimental goal is to identify and demonstrate principles enabling effective detection and manipulation of AFM spins and the use of AFM structures such as non-volatile ultra-fast memories resistant to ionising radiation and magnetic fields, suitable for high integration. a. (English)
    22 October 2020
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    Le projet vise à développer la spintronique antiferromagnétique (AFM) comme un nouveau champ d’électronique basé sur la rotation dans les matériaux AFM. Il est axé sur la création de la base matérielle de ce domaine et sur le développement de la théorie pertinente. L’objectif expérimental est l’identification et la démonstration de principes permettant une détection et une manipulation efficaces des spins AFM et l’utilisation de structures AFM, par exemple comme mémoire ultra-rapide non volatile résistante aux rayonnements ionisants et aux champs magnétiques, adaptée à une intégration élevée. (French)
    28 November 2021
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    Identifiers

    CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_013/0001405
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