Q3673350 (Q3673350): Difference between revisions
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49°12'0.97"N, 0°20'57.37"W
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Revision as of 09:25, 18 November 2021
Project Q3673350 in France
Language | Label | Description | Also known as |
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English | No label defined |
Project Q3673350 in France |
Statements
44,149.00 Euro
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95,149.0 Euro
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46.4 percent
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1 December 2015
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31 May 2019
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CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
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14052
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Développement des techniques de microscopie électronique en transmission ultra haute résolution appliquées aux hétérostructures III-N (In,Ga)N. Le CIMAP est équipé d un microscope JEOL ARM 200 avec double correction Cs (sonde et objectif) et veut développer des analyses quantitatives sur MET et STEM avec EDS détecteur grand angle et GIF conjugués à la modélisation énergétique pour déterminer les structures stables, la composition locale et les propriétés des matériaux fonctionnels, en particulier leurs alliages a base de nitrures III-V. L imagerie MET haute résolution sera utilisée pour déterminer les déformations locales à l échelle atomique en étroite collaboration avec les chercheurs réalisant la croissance (CRHEA_B. Damilano_LEDs visible). Les différentes méthodes d analyse des images HR seront évaluées et adaptées aux héterostructures (In,Ga)N. En parallèle, les méthodes d analyse chimique locales telles que la spectroscopie de perte d énergie des électrons (EELS) et la spectroscopie de Rayons X en dispersion d énergie (EDS) seront utilisées conjointement avec l imagerie MET à balayage (STEM) pour conforter les démarches quantitatives basées sur la détermination des déformations locales. Le microscope du CIMAP a une résolution spatiale meilleure que 0.8Å et est équipé d un canon FEG à froid pour une résolution en énergie meilleure que 300 meV, il nous permettra d obtenir des résultats uniques: On aborder des études où la position atomique peut être obtenue avec une précision de l ordre de 1 pm, essentielles pour modéliser les propriétés des héterostructures. On va aussi pouvoir compter les atomes dans une colonne atomique, particulièrement des atomes étrangers (composition d alliage: exemple distribution des atomes d In dans InGaN ). Avec la possibilité de travailler à 80 keV et en mode STEM, on va diminuer considérablement les artefacts dus à l irradiation au microscope et avec une résolution raisonnable sonder les sites actifs pour comprendre la possible localisation de l émission. Ces développements exigent une conjugaison expérience et modélisation très étroite dans un effort d assez longue haleine, donc un travail de thèse est de très bonne adéquation. Les méthodes développées seront intégrées dans les outils déjà existants en MET comme Digital Micrograph pour être à la disposition des équipes utilisatrices (French)
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Identifiers
15P03533
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