Q78761 (Q78761): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Created claim: summary (P836): The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has sig...) |
(Changed label, description and/or aliases in 1 language: remove_english_label) |
||
| label / en | label / en | ||
Revision as of 10:24, 14 October 2020
Project in Poland financed by DG Regio
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | No label defined |
Project in Poland financed by DG Regio |
Statements
2,102,287.62 zloty
0 references
2,849,316.73 zloty
0 references
73.78 percent
0 references
1 June 2016
0 references
30 April 2018
0 references
MARKEL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ
0 references
52°4'28.9"N, 21°1'37.6"E
0 references
Rozwijająca się w szybkim tempie technologia półprzewodnikowych przyrządów mocy z węglika krzemu (SiC) dostarcza elementów o coraz to wyższych napięciach i prądach znamionowych. Obecnie możliwe jest budowanie układów energoelektronicznych na moce rzędu kilkudziesięciu-kilkuset kW przy użyciu dostępnych na rynku tranzystorów i diod mocy o napięciach przebicia 1200V i 1700V. Elementy te wchodzą w skład modułów mocy, których technologia jest analogiczna z tą stosowaną w przypadku krzemowych tranzystorów IGBT i cechuje się znaczącymi indukcyjnościami pasożytniczymi. Dlatego obecnie nie jest możliwe pełne wykorzystanie doskonałych właściwości dynamicznych elementów SiC, konieczne jest pojawienie się na rynku niskoimpedancyjnych modułów mocy przeznaczonych dla elementów SiC. Ponadto niezbędne jest także opracowanie odpowiednich sterowników bramkowych, obwodów mocy, także o niskiej indukcyjności a także właściwych systemów chłodzenia. Dlatego celem projektu jest opracowanie i wdrożenie do produkcji uniwersalnego energoelektronicznego bloku funkcjonalnego/ funkcjonalnego bloku mocy (FBM), który jest podzespołem standardowych układów energoelektronicznych (falownik mostkowy, falownik trójfazowy, falownik wielopoziomowy) na bazie niskoimpedancyjnych modułów mocy. W ten sposób opracowany blok funkcjonalny będzie mógł być użyty to prostego rozwinięcia w pełny układ energoelektroniczny w zależności od potrzeb klienta w danej aplikacji. Art. 25 rozporządzenia KE nr 651/2014 z dnia 17 czerwca 2014 r. uznające niektóre rodzaje pomocy za zgodne z rynkiem wewnętrznym w stosowaniu art. 107 i 108 Traktatu (Dz. Urz. UE L 187/1 z 26.06.2014) (Polish)
0 references
The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English)
14 October 2020
0 references
Identifiers
POIR.01.01.01-00-1865/15
0 references