Q3696866 (Q3696866): Difference between revisions
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Project in France | Project Q3696866 in France | ||
Revision as of 16:40, 17 November 2021
Project Q3696866 in France
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | No label defined |
Project Q3696866 in France |
Statements
190,466.76 Euro
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476,166.9 Euro
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40.0 percent
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1 September 2015
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31 December 2017
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GEORGIA TECH LORRAINE
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Ce projet a pour objectif la création d'un nouveau type de nez électronique et de langue électronique, basée sur des capteurs nanométriques à grande surface d’interaction, nano-HEMT (transistor à électrons à haute mobilité), qui est basé à son tour sur la croissance à l’échelle nanométrique des matériaux nitrures, réalisée par l’équipe de Georgia Tech Lorraine (dans le cadre de l’UMI) et sur la fonctionnalisation de la surface du capteur effectuée par l’équipe de LIST. (French)
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Identifiers
LO0007545
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