Q3163507 (Q3163507): Difference between revisions
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39°33'43.02"N, 0°30'0.47"W
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Revision as of 13:18, 9 October 2021
Project Q3163507 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | No label defined |
Project Q3163507 in Spain |
Statements
736,768.0 Euro
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1,473,536.0 Euro
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50.0 percent
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1 January 2016
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31 December 2017
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GH ELECTROTERMIA, S.A.
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39°33'43.02"N, 0°30'0.47"W
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46903
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Gracias a la introducción recientemente en el mercado de los MOSFET de Carburo de Si (SiC MOSFET) en un encapsulado idéntico a los equivalentes IGBTs, es posible en la actualidad unificar los convertidores para calentamiento por inducción tanto para baja como para alta frecuencia, dado que el encapsulado de ambas tecnologías ha sido unificado, y que hasta fechas recientes era imposible dicha estandarización debido a la diferencia de encapsulados. Dicha oportunidad permite la investigación y desarrollo de nuevos generadores de tipo universal mediante componentes IGBT de Silicio y MOSFET de Carburo de Silicio a los efectos de disponer de inversores básicos modulares estándar para toda la gama de generadores con la consiguiente reducción de costes de producción basada en una economía de escala._x000D_ _x000D_ El objetivo general del presente proyecto es la investigación y desarrollo de nuevos generadores universales de tipo paralelo, de media y de alta frecuencia, a través de una plataforma HW estándar capaz de integrar las diferentes configuraciones de potencia y la correspondiente plataforma universal FW/SW para el control de este tipo de generadores._x000D_ _x000D_ Como se ha indicado, la plataforma HW universal a desarrollar deberá cubrir tanto el rango de media frecuencia, como el rango de alta frecuencia. Para el caso de media frecuencia la tecnología óptima es la de Si-IGBT mientras que la de alta frecuencia será cubierta con la tecnología MOS de SiC, dado que en la actualidad, tras dos años de desarrollo de este tipo de componentes, éstos ya presentan las funcionalidades para poder ser integrados en sistemas industriales como ha sido explicado anteriormente. (Spanish)
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San Antonio de Benagéber
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Identifiers
IDI-20160125
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