Energy-electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power devices (Q78761): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Changed an Item) |
(Changed label, description and/or aliases in pt) |
||||||||||||||
| (33 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||||||||||||||
| label / en | label / en | ||||||||||||||
Energy-electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power devices | |||||||||||||||
| label / fr | label / fr | ||||||||||||||
Blocs fonctionnels électroniques de puissance basés sur des modules à faible induction avec des instruments de puissance en carbure de silicium | |||||||||||||||
| label / de | label / de | ||||||||||||||
Leistungselektronische Funktionsblöcke auf Basis von Low-Induktionsmodulen mit Siliziumkarbid-Leistungsinstrumenten | |||||||||||||||
| label / nl | label / nl | ||||||||||||||
Macht elektronische functionele blokken op basis van lage-inductie modules met siliciumcarbide macht instrumenten | |||||||||||||||
| label / it | label / it | ||||||||||||||
Blocchi funzionali elettronici di potenza basati su moduli a bassa induzione con strumenti di potenza in carburo di silicio | |||||||||||||||
| label / es | label / es | ||||||||||||||
Bloques funcionales electrónicos de potencia basados en módulos de baja inducción con instrumentos de potencia de carburo de silicio | |||||||||||||||
| label / et | label / et | ||||||||||||||
Ränikarbiidi jõuseadmetega väikese induktsiooniga moodulitel põhinevad elektrilised funktsionaalsed plokid | |||||||||||||||
| label / lt | label / lt | ||||||||||||||
Maitinimo elektroniniai funkciniai blokai, pagrįsti mažos indukcijos moduliais su silicio karbido galios prietaisais | |||||||||||||||
| label / hr | label / hr | ||||||||||||||
Električni elektronički funkcionalni blokovi temeljeni na niskoindukcijskim modulima s instrumentima snage silikonskog karbida | |||||||||||||||
| label / el | label / el | ||||||||||||||
Ηλεκτρονικοί λειτουργικοί φραγμοί ισχύος που βασίζονται σε μονάδες χαμηλής επαγωγής με όργανα ισχύος καρβιδίου του πυριτίου | |||||||||||||||
| label / sk | label / sk | ||||||||||||||
Výkonové elektronické funkčné bloky založené na nízkoindukčných moduloch s elektrickými prístrojmi z karbidu kremíka | |||||||||||||||
| label / fi | label / fi | ||||||||||||||
Tehoelektroniset toiminnalliset lohkot, jotka perustuvat matalan induktion moduuleihin, joissa on piikarbiditehoinstrumentit | |||||||||||||||
| label / hu | label / hu | ||||||||||||||
Teljesítmény elektronikus funkcionális blokkok alacsony indukciós modulok alapján szilícium-karbid elektromos műszerekkel | |||||||||||||||
| label / cs | label / cs | ||||||||||||||
Výkonové elektronické funkční bloky založené na nízkoindukčních modulech s napájecími přístroji z karbidu křemíku | |||||||||||||||
| label / lv | label / lv | ||||||||||||||
Jaudas elektroniskie funkcionālie bloki, kuru pamatā ir zemas indukcijas moduļi ar silīcija karbīda jaudas instrumentiem | |||||||||||||||
| label / ga | label / ga | ||||||||||||||
Bloic chumhachta feidhmiúla leictreonach atá bunaithe ar mhodúil íseal-innéacs le hionstraimí cumhachta chomhdhúile sileacain | |||||||||||||||
| label / sl | label / sl | ||||||||||||||
Močnostni elektronski funkcionalni bloki, ki temeljijo na nizkoindukcijskih modulih z napajalnimi instrumenti iz silicijevega karbida | |||||||||||||||
| label / bg | label / bg | ||||||||||||||
Силови електронни функционални блокове на базата на модули с ниска индукция със силициев карбид | |||||||||||||||
| label / mt | label / mt | ||||||||||||||
Blokok funzjonali elettroniċi tal-enerġija bbażati fuq moduli b’induzzjoni baxxa bi strumenti tal-enerġija tal-karbur tas-siliċju | |||||||||||||||
| label / pt | label / pt | ||||||||||||||
Blocos funcionais energia-eletrónicos baseados em módulos de baixa indução com dispositivos elétricos de carboneto de silício | |||||||||||||||
| label / da | label / da | ||||||||||||||
Power elektroniske funktionelle blokke baseret på lav-induktionsmoduler med siliciumcarbid effektinstrumenter | |||||||||||||||
| label / ro | label / ro | ||||||||||||||
Blocuri funcționale electronice de putere bazate pe module cu inducție redusă cu instrumente de putere din carbură de siliciu | |||||||||||||||
| label / sv | label / sv | ||||||||||||||
Effekt elektroniska funktionella block baserade på låg induktionsmoduler med kiselkarbid effektinstrument | |||||||||||||||
| description / en | description / en | ||||||||||||||
Project in Poland | Project Q78761 in Poland | ||||||||||||||
| description / pl | description / pl | ||||||||||||||
Projekt w Polsce | Projekt Q78761 w Polsce | ||||||||||||||
| description / bg | description / bg | ||||||||||||||
Проект Q78761 в Полша | |||||||||||||||
| description / hr | description / hr | ||||||||||||||
Projekt Q78761 u Poljskoj | |||||||||||||||
| description / hu | description / hu | ||||||||||||||
Projekt Q78761 Lengyelországban | |||||||||||||||
| description / cs | description / cs | ||||||||||||||
Projekt Q78761 v Polsku | |||||||||||||||
| description / da | description / da | ||||||||||||||
Projekt Q78761 i Polen | |||||||||||||||
| description / nl | description / nl | ||||||||||||||
Project Q78761 in Polen | |||||||||||||||
| description / et | description / et | ||||||||||||||
Projekt Q78761 Poolas | |||||||||||||||
| description / fi | description / fi | ||||||||||||||
Projekti Q78761 Puolassa | |||||||||||||||
| description / fr | description / fr | ||||||||||||||
Projet Q78761 en Pologne | |||||||||||||||
| description / de | description / de | ||||||||||||||
Projekt Q78761 in Polen | |||||||||||||||
| description / el | description / el | ||||||||||||||
Έργο Q78761 στην Πολωνία | |||||||||||||||
| description / ga | description / ga | ||||||||||||||
Tionscadal Q78761 sa Pholainn | |||||||||||||||
| description / it | description / it | ||||||||||||||
Progetto Q78761 in Polonia | |||||||||||||||
| description / lv | description / lv | ||||||||||||||
Projekts Q78761 Polijā | |||||||||||||||
| description / lt | description / lt | ||||||||||||||
Projektas Q78761 Lenkijoje | |||||||||||||||
| description / mt | description / mt | ||||||||||||||
Proġett Q78761 fil-Polonja | |||||||||||||||
| description / pt | description / pt | ||||||||||||||
Projeto Q78761 na Polônia | |||||||||||||||
| description / ro | description / ro | ||||||||||||||
Proiectul Q78761 în Polonia | |||||||||||||||
| description / sk | description / sk | ||||||||||||||
Projekt Q78761 v Poľsku | |||||||||||||||
| description / sl | description / sl | ||||||||||||||
Projekt Q78761 na Poljskem | |||||||||||||||
| description / es | description / es | ||||||||||||||
Proyecto Q78761 en Polonia | |||||||||||||||
| description / sv | description / sv | ||||||||||||||
Projekt Q78761 i Polen | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 504,549.02880000003 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 504,549.02880000003 Euro / qualifier | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 504,549.02880000003 Euro / qualifier | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / budget: 683,836.0152 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / budget: 683,836.0152 Euro / qualifier | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / budget: 683,836.0152 Euro / qualifier | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 73.78 percent / rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 52°4'28.9"N, 21°1'37.6"E / qualifier | |||||||||||||||
| Property / financed by | |||||||||||||||
| Property / financed by: Directorate-General for Regional and Urban Policy / rank | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Piaseczno / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Piaseczno / qualifier | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
467,338.54 Euro
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 467,338.54 Euro / rank | |||||||||||||||
Preferred rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 467,338.54 Euro / qualifier | |||||||||||||||
exchange rate to Euro: 0.24 Euro
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 467,338.54 Euro / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 January 2020
| |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
633,403.11 Euro
| |||||||||||||||
| Property / budget: 633,403.11 Euro / rank | |||||||||||||||
Preferred rank | |||||||||||||||
| Property / budget: 633,403.11 Euro / qualifier | |||||||||||||||
exchange rate to Euro: 0.24 Euro
| |||||||||||||||
| Property / budget: 633,403.11 Euro / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 January 2020
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English) | |||||||||||||||
| Property / summary: The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 14 October 2020
| |||||||||||||||
| Property / summary: The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English) / qualifier | |||||||||||||||
readability score: 0.3865577364368664
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
La technologie à croissance rapide des instruments de puissance semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) fournit des éléments avec des tensions toujours plus élevées et des courants nominales. Actuellement, il est possible de construire des systèmes électroniques de puissance pour la puissance de plusieurs dizaines de centaines de kW en utilisant des transistors et des diodes de puissance avec des tensions de sortie de 1200V et 1700V disponibles sur le marché. Ces éléments font partie de modules de puissance dont la technologie est analogue à celle utilisée pour les transistors de silicium IGBT et présente d’importantes inductances parasitaires. Par conséquent, il n’est actuellement pas possible d’exploiter pleinement les excellentes propriétés dynamiques des composants SiC, il est nécessaire d’introduire des modules de puissance à faible impédance pour les composants SiC sur le marché. En outre, il est également nécessaire de développer des contrôleurs de porte appropriés, des circuits de puissance, également avec une faible inductance ainsi que des systèmes de refroidissement appropriés. Par conséquent, l’objectif du projet est de développer et de mettre en œuvre un bloc de puissance fonctionnel électronique universel (FBM), qui est un composant des systèmes électroniques de puissance standard (onduleur de pont, onduleur triphasé, onduleur multiniveau) basé sur des modules de puissance à faible impédance. De cette façon, le bloc fonctionnel développé sera en mesure d’utiliser ce développement simple dans un système électronique à pleine puissance en fonction des besoins du client dans une application donnée. Article 25 du règlement (CE) no 651/2014 du 17 juin 2014 déclarant certaines catégories d’aides compatibles avec le marché intérieur dans l’application des articles 107 et 108 du traité C’est tout. UE L 187/1 du 26.6.2014) (French) | |||||||||||||||
| Property / summary: La technologie à croissance rapide des instruments de puissance semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) fournit des éléments avec des tensions toujours plus élevées et des courants nominales. Actuellement, il est possible de construire des systèmes électroniques de puissance pour la puissance de plusieurs dizaines de centaines de kW en utilisant des transistors et des diodes de puissance avec des tensions de sortie de 1200V et 1700V disponibles sur le marché. Ces éléments font partie de modules de puissance dont la technologie est analogue à celle utilisée pour les transistors de silicium IGBT et présente d’importantes inductances parasitaires. Par conséquent, il n’est actuellement pas possible d’exploiter pleinement les excellentes propriétés dynamiques des composants SiC, il est nécessaire d’introduire des modules de puissance à faible impédance pour les composants SiC sur le marché. En outre, il est également nécessaire de développer des contrôleurs de porte appropriés, des circuits de puissance, également avec une faible inductance ainsi que des systèmes de refroidissement appropriés. Par conséquent, l’objectif du projet est de développer et de mettre en œuvre un bloc de puissance fonctionnel électronique universel (FBM), qui est un composant des systèmes électroniques de puissance standard (onduleur de pont, onduleur triphasé, onduleur multiniveau) basé sur des modules de puissance à faible impédance. De cette façon, le bloc fonctionnel développé sera en mesure d’utiliser ce développement simple dans un système électronique à pleine puissance en fonction des besoins du client dans une application donnée. Article 25 du règlement (CE) no 651/2014 du 17 juin 2014 déclarant certaines catégories d’aides compatibles avec le marché intérieur dans l’application des articles 107 et 108 du traité C’est tout. UE L 187/1 du 26.6.2014) (French) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: La technologie à croissance rapide des instruments de puissance semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) fournit des éléments avec des tensions toujours plus élevées et des courants nominales. Actuellement, il est possible de construire des systèmes électroniques de puissance pour la puissance de plusieurs dizaines de centaines de kW en utilisant des transistors et des diodes de puissance avec des tensions de sortie de 1200V et 1700V disponibles sur le marché. Ces éléments font partie de modules de puissance dont la technologie est analogue à celle utilisée pour les transistors de silicium IGBT et présente d’importantes inductances parasitaires. Par conséquent, il n’est actuellement pas possible d’exploiter pleinement les excellentes propriétés dynamiques des composants SiC, il est nécessaire d’introduire des modules de puissance à faible impédance pour les composants SiC sur le marché. En outre, il est également nécessaire de développer des contrôleurs de porte appropriés, des circuits de puissance, également avec une faible inductance ainsi que des systèmes de refroidissement appropriés. Par conséquent, l’objectif du projet est de développer et de mettre en œuvre un bloc de puissance fonctionnel électronique universel (FBM), qui est un composant des systèmes électroniques de puissance standard (onduleur de pont, onduleur triphasé, onduleur multiniveau) basé sur des modules de puissance à faible impédance. De cette façon, le bloc fonctionnel développé sera en mesure d’utiliser ce développement simple dans un système électronique à pleine puissance en fonction des besoins du client dans une application donnée. Article 25 du règlement (CE) no 651/2014 du 17 juin 2014 déclarant certaines catégories d’aides compatibles avec le marché intérieur dans l’application des articles 107 et 108 du traité C’est tout. UE L 187/1 du 26.6.2014) (French) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 30 November 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Die schnell wachsende Technologie von Siliziumcarbid (SiC) Halbleiter-Leistungsinstrumenten bietet Elemente mit immer höheren Spannungen und Nennströmen. Derzeit ist es möglich, leistungselektronische Systeme für die Leistung von mehreren Dutzend-mehrere hundert kW mit Transistoren und Leistungsdioden mit Ausgangsspannungen von 1200V und 1700V auf dem Markt verfügbar zu bauen. Diese Elemente sind Teil von Leistungsmodulen, deren Technologie analog zu IGBT-Siliziumtransistoren ist und signifikante parasitäre Induktivitäten aufweist. Daher ist es derzeit nicht möglich, die hervorragenden dynamischen Eigenschaften von SiC-Komponenten voll auszuschöpfen, es ist notwendig, Leistungsmodule mit niedriger Impedanz für SiC-Komponenten auf dem Markt einzuführen. Darüber hinaus ist es notwendig, geeignete Gate-Controller, Stromkreise, auch mit geringer Induktivität sowie geeignete Kühlsysteme zu entwickeln. Ziel des Projekts ist es daher, einen universellen Leistungselektronik-Funktionsblock (FBM) zu entwickeln und zu implementieren, der eine Komponente von Standardleistungselektroniksystemen (Brückenwechselrichter, Dreiphasen-Wechselrichter, Mehrebenen-Wechselrichter) auf Basis von Leistungsmodulen mit geringer Impedanz ist. Auf diese Weise wird der entwickelte Funktionsblock in der Lage sein, diese einfache Entwicklung zu einem vollleistungselektronischen System zu nutzen, abhängig von den Bedürfnissen des Kunden in einer bestimmten Anwendung. Artikel 25 der Verordnung (EG) Nr. 651/2014 vom 17. Juni 2014 zur Feststellung der Vereinbarkeit bestimmter Gruppen von Beihilfen mit dem Binnenmarkt in Anwendung der Artikel 107 und 108 AEUV Das war’s. EU L 187/1 vom 26.6.2014) (German) | |||||||||||||||
| Property / summary: Die schnell wachsende Technologie von Siliziumcarbid (SiC) Halbleiter-Leistungsinstrumenten bietet Elemente mit immer höheren Spannungen und Nennströmen. Derzeit ist es möglich, leistungselektronische Systeme für die Leistung von mehreren Dutzend-mehrere hundert kW mit Transistoren und Leistungsdioden mit Ausgangsspannungen von 1200V und 1700V auf dem Markt verfügbar zu bauen. Diese Elemente sind Teil von Leistungsmodulen, deren Technologie analog zu IGBT-Siliziumtransistoren ist und signifikante parasitäre Induktivitäten aufweist. Daher ist es derzeit nicht möglich, die hervorragenden dynamischen Eigenschaften von SiC-Komponenten voll auszuschöpfen, es ist notwendig, Leistungsmodule mit niedriger Impedanz für SiC-Komponenten auf dem Markt einzuführen. Darüber hinaus ist es notwendig, geeignete Gate-Controller, Stromkreise, auch mit geringer Induktivität sowie geeignete Kühlsysteme zu entwickeln. Ziel des Projekts ist es daher, einen universellen Leistungselektronik-Funktionsblock (FBM) zu entwickeln und zu implementieren, der eine Komponente von Standardleistungselektroniksystemen (Brückenwechselrichter, Dreiphasen-Wechselrichter, Mehrebenen-Wechselrichter) auf Basis von Leistungsmodulen mit geringer Impedanz ist. Auf diese Weise wird der entwickelte Funktionsblock in der Lage sein, diese einfache Entwicklung zu einem vollleistungselektronischen System zu nutzen, abhängig von den Bedürfnissen des Kunden in einer bestimmten Anwendung. Artikel 25 der Verordnung (EG) Nr. 651/2014 vom 17. Juni 2014 zur Feststellung der Vereinbarkeit bestimmter Gruppen von Beihilfen mit dem Binnenmarkt in Anwendung der Artikel 107 und 108 AEUV Das war’s. EU L 187/1 vom 26.6.2014) (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Die schnell wachsende Technologie von Siliziumcarbid (SiC) Halbleiter-Leistungsinstrumenten bietet Elemente mit immer höheren Spannungen und Nennströmen. Derzeit ist es möglich, leistungselektronische Systeme für die Leistung von mehreren Dutzend-mehrere hundert kW mit Transistoren und Leistungsdioden mit Ausgangsspannungen von 1200V und 1700V auf dem Markt verfügbar zu bauen. Diese Elemente sind Teil von Leistungsmodulen, deren Technologie analog zu IGBT-Siliziumtransistoren ist und signifikante parasitäre Induktivitäten aufweist. Daher ist es derzeit nicht möglich, die hervorragenden dynamischen Eigenschaften von SiC-Komponenten voll auszuschöpfen, es ist notwendig, Leistungsmodule mit niedriger Impedanz für SiC-Komponenten auf dem Markt einzuführen. Darüber hinaus ist es notwendig, geeignete Gate-Controller, Stromkreise, auch mit geringer Induktivität sowie geeignete Kühlsysteme zu entwickeln. Ziel des Projekts ist es daher, einen universellen Leistungselektronik-Funktionsblock (FBM) zu entwickeln und zu implementieren, der eine Komponente von Standardleistungselektroniksystemen (Brückenwechselrichter, Dreiphasen-Wechselrichter, Mehrebenen-Wechselrichter) auf Basis von Leistungsmodulen mit geringer Impedanz ist. Auf diese Weise wird der entwickelte Funktionsblock in der Lage sein, diese einfache Entwicklung zu einem vollleistungselektronischen System zu nutzen, abhängig von den Bedürfnissen des Kunden in einer bestimmten Anwendung. Artikel 25 der Verordnung (EG) Nr. 651/2014 vom 17. Juni 2014 zur Feststellung der Vereinbarkeit bestimmter Gruppen von Beihilfen mit dem Binnenmarkt in Anwendung der Artikel 107 und 108 AEUV Das war’s. EU L 187/1 vom 26.6.2014) (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 7 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
De snelgroeiende technologie van siliciumcarbide (SiC) halfgeleidervermogensinstrumenten biedt elementen met steeds hogere spanningen en nominale stromen. Momenteel is het mogelijk om stroomelektronische systemen te bouwen voor het vermogen van enkele tientallen-verschillende honderden kW met behulp van transistors en vermogensdioden met uitgangsspanningen van 1200V en 1700V beschikbaar op de markt. Deze elementen maken deel uit van power modules waarvan de technologie analoog is aan die gebruikt voor IGBT silicium transistors en heeft significante parasitaire inducties. Daarom is het momenteel niet mogelijk om de uitstekende dynamische eigenschappen van SiC-componenten volledig te benutten, het is noodzakelijk om vermogensmodules met lage impedantie voor SiC-componenten op de markt te introduceren. Daarnaast is het ook noodzakelijk om geschikte poortcontrollers, stroomcircuits, ook met lage inductie en geschikte koelsystemen te ontwikkelen. Daarom is het doel van het project het ontwikkelen en implementeren van een universele power electronic functional block/functional power block (FBM), dat een onderdeel is van standaard vermogenselektronische systemen (brugomvormer, driefasige omvormer, multi-level omvormer) op basis van vermogensmodules met lage impedantie. Op deze manier zal het ontwikkelde functionele blok deze eenvoudige ontwikkeling kunnen gebruiken tot een vol vermogen elektronisch systeem, afhankelijk van de behoeften van de klant in een bepaalde toepassing. Artikel 25 van Verordening (EG) nr. 651/2014 van 17 juni 2014 waarbij bepaalde categorieën steun op grond van de artikelen 107 en 108 van het Verdrag met de interne markt verenigbaar worden verklaard Dat is het. EU L 187/1 van 26.6.2014) (Dutch) | |||||||||||||||
| Property / summary: De snelgroeiende technologie van siliciumcarbide (SiC) halfgeleidervermogensinstrumenten biedt elementen met steeds hogere spanningen en nominale stromen. Momenteel is het mogelijk om stroomelektronische systemen te bouwen voor het vermogen van enkele tientallen-verschillende honderden kW met behulp van transistors en vermogensdioden met uitgangsspanningen van 1200V en 1700V beschikbaar op de markt. Deze elementen maken deel uit van power modules waarvan de technologie analoog is aan die gebruikt voor IGBT silicium transistors en heeft significante parasitaire inducties. Daarom is het momenteel niet mogelijk om de uitstekende dynamische eigenschappen van SiC-componenten volledig te benutten, het is noodzakelijk om vermogensmodules met lage impedantie voor SiC-componenten op de markt te introduceren. Daarnaast is het ook noodzakelijk om geschikte poortcontrollers, stroomcircuits, ook met lage inductie en geschikte koelsystemen te ontwikkelen. Daarom is het doel van het project het ontwikkelen en implementeren van een universele power electronic functional block/functional power block (FBM), dat een onderdeel is van standaard vermogenselektronische systemen (brugomvormer, driefasige omvormer, multi-level omvormer) op basis van vermogensmodules met lage impedantie. Op deze manier zal het ontwikkelde functionele blok deze eenvoudige ontwikkeling kunnen gebruiken tot een vol vermogen elektronisch systeem, afhankelijk van de behoeften van de klant in een bepaalde toepassing. Artikel 25 van Verordening (EG) nr. 651/2014 van 17 juni 2014 waarbij bepaalde categorieën steun op grond van de artikelen 107 en 108 van het Verdrag met de interne markt verenigbaar worden verklaard Dat is het. EU L 187/1 van 26.6.2014) (Dutch) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: De snelgroeiende technologie van siliciumcarbide (SiC) halfgeleidervermogensinstrumenten biedt elementen met steeds hogere spanningen en nominale stromen. Momenteel is het mogelijk om stroomelektronische systemen te bouwen voor het vermogen van enkele tientallen-verschillende honderden kW met behulp van transistors en vermogensdioden met uitgangsspanningen van 1200V en 1700V beschikbaar op de markt. Deze elementen maken deel uit van power modules waarvan de technologie analoog is aan die gebruikt voor IGBT silicium transistors en heeft significante parasitaire inducties. Daarom is het momenteel niet mogelijk om de uitstekende dynamische eigenschappen van SiC-componenten volledig te benutten, het is noodzakelijk om vermogensmodules met lage impedantie voor SiC-componenten op de markt te introduceren. Daarnaast is het ook noodzakelijk om geschikte poortcontrollers, stroomcircuits, ook met lage inductie en geschikte koelsystemen te ontwikkelen. Daarom is het doel van het project het ontwikkelen en implementeren van een universele power electronic functional block/functional power block (FBM), dat een onderdeel is van standaard vermogenselektronische systemen (brugomvormer, driefasige omvormer, multi-level omvormer) op basis van vermogensmodules met lage impedantie. Op deze manier zal het ontwikkelde functionele blok deze eenvoudige ontwikkeling kunnen gebruiken tot een vol vermogen elektronisch systeem, afhankelijk van de behoeften van de klant in een bepaalde toepassing. Artikel 25 van Verordening (EG) nr. 651/2014 van 17 juni 2014 waarbij bepaalde categorieën steun op grond van de artikelen 107 en 108 van het Verdrag met de interne markt verenigbaar worden verklaard Dat is het. EU L 187/1 van 26.6.2014) (Dutch) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
La tecnologia in rapida crescita degli strumenti di potenza a semiconduttore in carburo di silicio (SiC) fornisce elementi con tensioni e correnti nominali sempre più elevate. Attualmente, è possibile costruire sistemi elettronici di potenza per la potenza di diverse decine di centinaia di kW utilizzando transistor e diodi di potenza con tensioni di uscita di 1200V e 1700V disponibili sul mercato. Questi elementi fanno parte di moduli di potenza la cui tecnologia è analoga a quella utilizzata per i transistor al silicio IGBT e presenta significative induttanze parassitarie. Pertanto, attualmente non è possibile sfruttare appieno le eccellenti proprietà dinamiche dei componenti SiC, è necessario introdurre sul mercato moduli di potenza a bassa impedenza per componenti SiC. Inoltre, è anche necessario sviluppare appositi controller gate, circuiti di potenza, anche con bassa induttanza e sistemi di raffreddamento appropriati. Pertanto, l'obiettivo del progetto è quello di sviluppare e implementare un blocco funzionale elettronico di potenza universale/blocco funzionale (FBM), che è un componente di sistemi elettronici di potenza standard (invertitore a ponte, inverter trifase, inverter multilivello) basato su moduli di potenza a bassa impedenza. In questo modo, il blocco funzionale sviluppato sarà in grado di utilizzare questo semplice sviluppo in un sistema elettronico a piena potenza a seconda delle esigenze del cliente in una determinata applicazione. Articolo 25 del regolamento (CE) n. 651/2014, del 17 giugno 2014, che dichiara talune categorie di aiuti compatibili con il mercato interno nell'applicazione degli articoli 107 e 108 del trattato È tutto qui. UE L 187/1 del 26.6.2014) (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: La tecnologia in rapida crescita degli strumenti di potenza a semiconduttore in carburo di silicio (SiC) fornisce elementi con tensioni e correnti nominali sempre più elevate. Attualmente, è possibile costruire sistemi elettronici di potenza per la potenza di diverse decine di centinaia di kW utilizzando transistor e diodi di potenza con tensioni di uscita di 1200V e 1700V disponibili sul mercato. Questi elementi fanno parte di moduli di potenza la cui tecnologia è analoga a quella utilizzata per i transistor al silicio IGBT e presenta significative induttanze parassitarie. Pertanto, attualmente non è possibile sfruttare appieno le eccellenti proprietà dinamiche dei componenti SiC, è necessario introdurre sul mercato moduli di potenza a bassa impedenza per componenti SiC. Inoltre, è anche necessario sviluppare appositi controller gate, circuiti di potenza, anche con bassa induttanza e sistemi di raffreddamento appropriati. Pertanto, l'obiettivo del progetto è quello di sviluppare e implementare un blocco funzionale elettronico di potenza universale/blocco funzionale (FBM), che è un componente di sistemi elettronici di potenza standard (invertitore a ponte, inverter trifase, inverter multilivello) basato su moduli di potenza a bassa impedenza. In questo modo, il blocco funzionale sviluppato sarà in grado di utilizzare questo semplice sviluppo in un sistema elettronico a piena potenza a seconda delle esigenze del cliente in una determinata applicazione. Articolo 25 del regolamento (CE) n. 651/2014, del 17 giugno 2014, che dichiara talune categorie di aiuti compatibili con il mercato interno nell'applicazione degli articoli 107 e 108 del trattato È tutto qui. UE L 187/1 del 26.6.2014) (Italian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: La tecnologia in rapida crescita degli strumenti di potenza a semiconduttore in carburo di silicio (SiC) fornisce elementi con tensioni e correnti nominali sempre più elevate. Attualmente, è possibile costruire sistemi elettronici di potenza per la potenza di diverse decine di centinaia di kW utilizzando transistor e diodi di potenza con tensioni di uscita di 1200V e 1700V disponibili sul mercato. Questi elementi fanno parte di moduli di potenza la cui tecnologia è analoga a quella utilizzata per i transistor al silicio IGBT e presenta significative induttanze parassitarie. Pertanto, attualmente non è possibile sfruttare appieno le eccellenti proprietà dinamiche dei componenti SiC, è necessario introdurre sul mercato moduli di potenza a bassa impedenza per componenti SiC. Inoltre, è anche necessario sviluppare appositi controller gate, circuiti di potenza, anche con bassa induttanza e sistemi di raffreddamento appropriati. Pertanto, l'obiettivo del progetto è quello di sviluppare e implementare un blocco funzionale elettronico di potenza universale/blocco funzionale (FBM), che è un componente di sistemi elettronici di potenza standard (invertitore a ponte, inverter trifase, inverter multilivello) basato su moduli di potenza a bassa impedenza. In questo modo, il blocco funzionale sviluppato sarà in grado di utilizzare questo semplice sviluppo in un sistema elettronico a piena potenza a seconda delle esigenze del cliente in una determinata applicazione. Articolo 25 del regolamento (CE) n. 651/2014, del 17 giugno 2014, che dichiara talune categorie di aiuti compatibili con il mercato interno nell'applicazione degli articoli 107 e 108 del trattato È tutto qui. UE L 187/1 del 26.6.2014) (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 15 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
La tecnología de rápido crecimiento de los instrumentos de potencia de semiconductores de carburo de silicio (SiC) proporciona elementos con voltajes cada vez más altos y corrientes nominales. Actualmente, es posible construir sistemas electrónicos de potencia para la potencia de varias docenas de cientos de kW utilizando transistores y diodos de potencia con voltajes de salida de 1200V y 1700V disponibles en el mercado. Estos elementos forman parte de módulos de potencia cuya tecnología es análoga a la utilizada para los transistores de silicio IGBT y tiene importantes inductancias parasitarias. Por lo tanto, actualmente no es posible explotar plenamente las excelentes propiedades dinámicas de los componentes SiC, es necesario introducir módulos de potencia de baja impedancia para componentes SiC en el mercado. Además, también es necesario desarrollar controladores de compuerta adecuados, circuitos de potencia, también con baja inductancia, así como sistemas de refrigeración apropiados. Por lo tanto, el objetivo del proyecto es desarrollar e implementar un bloque funcional electrónico de potencia universal/bloque de potencia funcional (FBM), que es un componente de los sistemas electrónicos de potencia estándar (inversor de puente, inversor trifásico, inversor multinivel) basado en módulos de potencia de baja impedancia. De esta manera, el bloque funcional desarrollado podrá utilizar este simple desarrollo en un sistema electrónico de potencia completa dependiendo de las necesidades del cliente en una aplicación determinada. Artículo 25 del Reglamento (CE) n.º 651/2014, de 17 de junio de 2014, por el que se declaran determinadas categorías de ayudas compatibles con el mercado interior en la aplicación de los artículos 107 y 108 del Tratado Eso es todo. UE L 187/1 de 26.6.2014) (Spanish) | |||||||||||||||
| Property / summary: La tecnología de rápido crecimiento de los instrumentos de potencia de semiconductores de carburo de silicio (SiC) proporciona elementos con voltajes cada vez más altos y corrientes nominales. Actualmente, es posible construir sistemas electrónicos de potencia para la potencia de varias docenas de cientos de kW utilizando transistores y diodos de potencia con voltajes de salida de 1200V y 1700V disponibles en el mercado. Estos elementos forman parte de módulos de potencia cuya tecnología es análoga a la utilizada para los transistores de silicio IGBT y tiene importantes inductancias parasitarias. Por lo tanto, actualmente no es posible explotar plenamente las excelentes propiedades dinámicas de los componentes SiC, es necesario introducir módulos de potencia de baja impedancia para componentes SiC en el mercado. Además, también es necesario desarrollar controladores de compuerta adecuados, circuitos de potencia, también con baja inductancia, así como sistemas de refrigeración apropiados. Por lo tanto, el objetivo del proyecto es desarrollar e implementar un bloque funcional electrónico de potencia universal/bloque de potencia funcional (FBM), que es un componente de los sistemas electrónicos de potencia estándar (inversor de puente, inversor trifásico, inversor multinivel) basado en módulos de potencia de baja impedancia. De esta manera, el bloque funcional desarrollado podrá utilizar este simple desarrollo en un sistema electrónico de potencia completa dependiendo de las necesidades del cliente en una aplicación determinada. Artículo 25 del Reglamento (CE) n.º 651/2014, de 17 de junio de 2014, por el que se declaran determinadas categorías de ayudas compatibles con el mercado interior en la aplicación de los artículos 107 y 108 del Tratado Eso es todo. UE L 187/1 de 26.6.2014) (Spanish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: La tecnología de rápido crecimiento de los instrumentos de potencia de semiconductores de carburo de silicio (SiC) proporciona elementos con voltajes cada vez más altos y corrientes nominales. Actualmente, es posible construir sistemas electrónicos de potencia para la potencia de varias docenas de cientos de kW utilizando transistores y diodos de potencia con voltajes de salida de 1200V y 1700V disponibles en el mercado. Estos elementos forman parte de módulos de potencia cuya tecnología es análoga a la utilizada para los transistores de silicio IGBT y tiene importantes inductancias parasitarias. Por lo tanto, actualmente no es posible explotar plenamente las excelentes propiedades dinámicas de los componentes SiC, es necesario introducir módulos de potencia de baja impedancia para componentes SiC en el mercado. Además, también es necesario desarrollar controladores de compuerta adecuados, circuitos de potencia, también con baja inductancia, así como sistemas de refrigeración apropiados. Por lo tanto, el objetivo del proyecto es desarrollar e implementar un bloque funcional electrónico de potencia universal/bloque de potencia funcional (FBM), que es un componente de los sistemas electrónicos de potencia estándar (inversor de puente, inversor trifásico, inversor multinivel) basado en módulos de potencia de baja impedancia. De esta manera, el bloque funcional desarrollado podrá utilizar este simple desarrollo en un sistema electrónico de potencia completa dependiendo de las necesidades del cliente en una aplicación determinada. Artículo 25 del Reglamento (CE) n.º 651/2014, de 17 de junio de 2014, por el que se declaran determinadas categorías de ayudas compatibles con el mercado interior en la aplicación de los artículos 107 y 108 del Tratado Eso es todo. UE L 187/1 de 26.6.2014) (Spanish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 19 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Ränikarbiidi (SiC) pooljuhtseadmete kiiresti kasvav tehnoloogia pakub elemente, millel on üha kõrgem pinge ja nimivool. Praegu on võimalik ehitada jõuelektroonilisi süsteeme mitme tosinada kW võimsusega transistoride ja võimsusdioodidega, mille väljundpinge on 1200V ja 1700V. Need elemendid on osa jõumoodulitest, mille tehnoloogia on analoogne IGBT ränitransistorite tehnoloogiaga ja millel on märkimisväärsed parasiitsed induktiivsused. Seetõttu ei ole praegu võimalik täielikult ära kasutada ränikarbiidi komponentide suurepäraseid dünaamilisi omadusi, on vaja turule tuua vähese takistusega jõumoodulid ränikarbiidi komponentide jaoks. Lisaks on vaja välja töötada ka sobivad lüüsikontrollerid, toiteahelad, samuti madala induktiivsusega ja sobivad jahutussüsteemid. Seetõttu on projekti eesmärk arendada ja rakendada universaalset elektroonilist funktsionaalset blokki/funktsionaalset toiteplokki (FBM), mis on standardsete elektrooniliste jõusüsteemide (silla inverter, kolmefaasiline inverter, mitmetasandiline inverter) komponent, mis põhineb väikese takistusega toitemoodulitel. Sel viisil saab välja töötatud funktsionaalne plokk kasutada seda lihtsat arendust täisvõimsusega elektrooniliseks süsteemiks, sõltuvalt kliendi vajadustest antud rakenduses. Euroopa Liidu toimimise lepingu artiklite 107 ja 108 kohaldamise kohta 17. juuni 2014. aasta määruse (EL) nr 651/2014 (millega teatavat liiki abi tunnistatakse siseturuga kokkusobivaks) artikkel 25 See on kõik. EL L 187/1, 26.6.2014) (Estonian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Ränikarbiidi (SiC) pooljuhtseadmete kiiresti kasvav tehnoloogia pakub elemente, millel on üha kõrgem pinge ja nimivool. Praegu on võimalik ehitada jõuelektroonilisi süsteeme mitme tosinada kW võimsusega transistoride ja võimsusdioodidega, mille väljundpinge on 1200V ja 1700V. Need elemendid on osa jõumoodulitest, mille tehnoloogia on analoogne IGBT ränitransistorite tehnoloogiaga ja millel on märkimisväärsed parasiitsed induktiivsused. Seetõttu ei ole praegu võimalik täielikult ära kasutada ränikarbiidi komponentide suurepäraseid dünaamilisi omadusi, on vaja turule tuua vähese takistusega jõumoodulid ränikarbiidi komponentide jaoks. Lisaks on vaja välja töötada ka sobivad lüüsikontrollerid, toiteahelad, samuti madala induktiivsusega ja sobivad jahutussüsteemid. Seetõttu on projekti eesmärk arendada ja rakendada universaalset elektroonilist funktsionaalset blokki/funktsionaalset toiteplokki (FBM), mis on standardsete elektrooniliste jõusüsteemide (silla inverter, kolmefaasiline inverter, mitmetasandiline inverter) komponent, mis põhineb väikese takistusega toitemoodulitel. Sel viisil saab välja töötatud funktsionaalne plokk kasutada seda lihtsat arendust täisvõimsusega elektrooniliseks süsteemiks, sõltuvalt kliendi vajadustest antud rakenduses. Euroopa Liidu toimimise lepingu artiklite 107 ja 108 kohaldamise kohta 17. juuni 2014. aasta määruse (EL) nr 651/2014 (millega teatavat liiki abi tunnistatakse siseturuga kokkusobivaks) artikkel 25 See on kõik. EL L 187/1, 26.6.2014) (Estonian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Ränikarbiidi (SiC) pooljuhtseadmete kiiresti kasvav tehnoloogia pakub elemente, millel on üha kõrgem pinge ja nimivool. Praegu on võimalik ehitada jõuelektroonilisi süsteeme mitme tosinada kW võimsusega transistoride ja võimsusdioodidega, mille väljundpinge on 1200V ja 1700V. Need elemendid on osa jõumoodulitest, mille tehnoloogia on analoogne IGBT ränitransistorite tehnoloogiaga ja millel on märkimisväärsed parasiitsed induktiivsused. Seetõttu ei ole praegu võimalik täielikult ära kasutada ränikarbiidi komponentide suurepäraseid dünaamilisi omadusi, on vaja turule tuua vähese takistusega jõumoodulid ränikarbiidi komponentide jaoks. Lisaks on vaja välja töötada ka sobivad lüüsikontrollerid, toiteahelad, samuti madala induktiivsusega ja sobivad jahutussüsteemid. Seetõttu on projekti eesmärk arendada ja rakendada universaalset elektroonilist funktsionaalset blokki/funktsionaalset toiteplokki (FBM), mis on standardsete elektrooniliste jõusüsteemide (silla inverter, kolmefaasiline inverter, mitmetasandiline inverter) komponent, mis põhineb väikese takistusega toitemoodulitel. Sel viisil saab välja töötatud funktsionaalne plokk kasutada seda lihtsat arendust täisvõimsusega elektrooniliseks süsteemiks, sõltuvalt kliendi vajadustest antud rakenduses. Euroopa Liidu toimimise lepingu artiklite 107 ja 108 kohaldamise kohta 17. juuni 2014. aasta määruse (EL) nr 651/2014 (millega teatavat liiki abi tunnistatakse siseturuga kokkusobivaks) artikkel 25 See on kõik. EL L 187/1, 26.6.2014) (Estonian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Sparčiai auganti silicio karbido (SiC) puslaidininkių galios instrumentų technologija suteikia elementams vis aukštesnę įtampą ir vardines sroves. Šiuo metu galima sukurti galios elektronines sistemas, skirtas kelių dešimčių kelių šimtų kW galiai, naudojant tranzistorius ir galios diodus, kurių išėjimo įtampa yra 1200V ir 1700V. Šie elementai yra dalis galios modulių, kurių technologija yra analogiška IGBT silicio tranzistoriams ir turi didelį parazitinį induktyvumą. Todėl šiuo metu neįmanoma visiškai išnaudoti puikių dinamiškų SiC komponentų savybių, todėl rinkoje būtina įdiegti mažos varžos galios modulius SiC komponentams. Be to, taip pat būtina sukurti tinkamus vartų valdiklius, galios grandines, taip pat mažo induktyvumo ir atitinkamas aušinimo sistemas. Todėl projekto tikslas – sukurti ir įgyvendinti universalų galios elektroninį funkcinį bloką/funkcinį galios bloką (FBM), kuris yra standartinių galios elektroninių sistemų (tiltų keitiklio, trifazio inverterio, daugiapakopio inverterio) komponentas, pagrįstas mažos varžos galios moduliais. Tokiu būdu sukurtas funkcinis blokas galės naudoti šią paprastą plėtrą į pilnos galios elektroninę sistemą, priklausomai nuo kliento poreikių konkrečioje programoje. 2014 m. birželio 17 d. Reglamento (EB) Nr. 651/2014, kuriuo tam tikrų kategorijų pagalba skelbiama suderinama su vidaus rinka taikant Sutarties 107 ir 108 straipsnius, 25 straipsnis Štai ir viskas. EU L 187/1, 2014 6 26) (Lithuanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Sparčiai auganti silicio karbido (SiC) puslaidininkių galios instrumentų technologija suteikia elementams vis aukštesnę įtampą ir vardines sroves. Šiuo metu galima sukurti galios elektronines sistemas, skirtas kelių dešimčių kelių šimtų kW galiai, naudojant tranzistorius ir galios diodus, kurių išėjimo įtampa yra 1200V ir 1700V. Šie elementai yra dalis galios modulių, kurių technologija yra analogiška IGBT silicio tranzistoriams ir turi didelį parazitinį induktyvumą. Todėl šiuo metu neįmanoma visiškai išnaudoti puikių dinamiškų SiC komponentų savybių, todėl rinkoje būtina įdiegti mažos varžos galios modulius SiC komponentams. Be to, taip pat būtina sukurti tinkamus vartų valdiklius, galios grandines, taip pat mažo induktyvumo ir atitinkamas aušinimo sistemas. Todėl projekto tikslas – sukurti ir įgyvendinti universalų galios elektroninį funkcinį bloką/funkcinį galios bloką (FBM), kuris yra standartinių galios elektroninių sistemų (tiltų keitiklio, trifazio inverterio, daugiapakopio inverterio) komponentas, pagrįstas mažos varžos galios moduliais. Tokiu būdu sukurtas funkcinis blokas galės naudoti šią paprastą plėtrą į pilnos galios elektroninę sistemą, priklausomai nuo kliento poreikių konkrečioje programoje. 2014 m. birželio 17 d. Reglamento (EB) Nr. 651/2014, kuriuo tam tikrų kategorijų pagalba skelbiama suderinama su vidaus rinka taikant Sutarties 107 ir 108 straipsnius, 25 straipsnis Štai ir viskas. EU L 187/1, 2014 6 26) (Lithuanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Sparčiai auganti silicio karbido (SiC) puslaidininkių galios instrumentų technologija suteikia elementams vis aukštesnę įtampą ir vardines sroves. Šiuo metu galima sukurti galios elektronines sistemas, skirtas kelių dešimčių kelių šimtų kW galiai, naudojant tranzistorius ir galios diodus, kurių išėjimo įtampa yra 1200V ir 1700V. Šie elementai yra dalis galios modulių, kurių technologija yra analogiška IGBT silicio tranzistoriams ir turi didelį parazitinį induktyvumą. Todėl šiuo metu neįmanoma visiškai išnaudoti puikių dinamiškų SiC komponentų savybių, todėl rinkoje būtina įdiegti mažos varžos galios modulius SiC komponentams. Be to, taip pat būtina sukurti tinkamus vartų valdiklius, galios grandines, taip pat mažo induktyvumo ir atitinkamas aušinimo sistemas. Todėl projekto tikslas – sukurti ir įgyvendinti universalų galios elektroninį funkcinį bloką/funkcinį galios bloką (FBM), kuris yra standartinių galios elektroninių sistemų (tiltų keitiklio, trifazio inverterio, daugiapakopio inverterio) komponentas, pagrįstas mažos varžos galios moduliais. Tokiu būdu sukurtas funkcinis blokas galės naudoti šią paprastą plėtrą į pilnos galios elektroninę sistemą, priklausomai nuo kliento poreikių konkrečioje programoje. 2014 m. birželio 17 d. Reglamento (EB) Nr. 651/2014, kuriuo tam tikrų kategorijų pagalba skelbiama suderinama su vidaus rinka taikant Sutarties 107 ir 108 straipsnius, 25 straipsnis Štai ir viskas. EU L 187/1, 2014 6 26) (Lithuanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Brzorastuća tehnologija poluvodičkih instrumenata silicijeva karbida (SiC) pruža elemente sa sve većim naponima i nazivnim strujama. Trenutno je moguće izgraditi električne elektroničke sustave za snagu nekoliko desetaka-nekoliko stotina kW pomoću tranzistora i dioda snage s izlaznim naponima od 1200V i 1700V dostupnih na tržištu. Ovi elementi su dio električnih modula čija je tehnologija analogna onoj koja se koristi za IGBT silicijske tranzistora i ima značajne parazitske induktivnosti. Stoga trenutno nije moguće u potpunosti iskoristiti izvrsna dinamička svojstva SiC komponenti, potrebno je uvesti module snage niske impedancije za SiC komponente na tržištu. Osim toga, također je potrebno razviti odgovarajuće kontrolere, strujne krugove, također s niskom induktivnošću, kao i odgovarajuće sustave hlađenja. Stoga je cilj projekta razviti i implementirati univerzalni elektronički funkcionalni blok/funkcionalni blok napajanja (FBM), koji je sastavni dio standardnih energetskih elektroničkih sustava (inverter mostova, trofazni pretvarač, višerazinski pretvarač) na temelju modula snage niske impedancije. Na taj će način razvijeni funkcionalni blok moći koristiti ovaj jednostavan razvoj u elektronički sustav pune snage ovisno o potrebama kupca u određenoj aplikaciji. Članak 25. Uredbe (EZ) br. 651/2014 od 17. lipnja 2014. o ocjenjivanju određenih kategorija potpora spojivima s unutarnjim tržištem u primjeni članaka 107. i 108. Ugovora To je sve. EU L 187/1 od 26.6.2014.) (Croatian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Brzorastuća tehnologija poluvodičkih instrumenata silicijeva karbida (SiC) pruža elemente sa sve većim naponima i nazivnim strujama. Trenutno je moguće izgraditi električne elektroničke sustave za snagu nekoliko desetaka-nekoliko stotina kW pomoću tranzistora i dioda snage s izlaznim naponima od 1200V i 1700V dostupnih na tržištu. Ovi elementi su dio električnih modula čija je tehnologija analogna onoj koja se koristi za IGBT silicijske tranzistora i ima značajne parazitske induktivnosti. Stoga trenutno nije moguće u potpunosti iskoristiti izvrsna dinamička svojstva SiC komponenti, potrebno je uvesti module snage niske impedancije za SiC komponente na tržištu. Osim toga, također je potrebno razviti odgovarajuće kontrolere, strujne krugove, također s niskom induktivnošću, kao i odgovarajuće sustave hlađenja. Stoga je cilj projekta razviti i implementirati univerzalni elektronički funkcionalni blok/funkcionalni blok napajanja (FBM), koji je sastavni dio standardnih energetskih elektroničkih sustava (inverter mostova, trofazni pretvarač, višerazinski pretvarač) na temelju modula snage niske impedancije. Na taj će način razvijeni funkcionalni blok moći koristiti ovaj jednostavan razvoj u elektronički sustav pune snage ovisno o potrebama kupca u određenoj aplikaciji. Članak 25. Uredbe (EZ) br. 651/2014 od 17. lipnja 2014. o ocjenjivanju određenih kategorija potpora spojivima s unutarnjim tržištem u primjeni članaka 107. i 108. Ugovora To je sve. EU L 187/1 od 26.6.2014.) (Croatian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Brzorastuća tehnologija poluvodičkih instrumenata silicijeva karbida (SiC) pruža elemente sa sve većim naponima i nazivnim strujama. Trenutno je moguće izgraditi električne elektroničke sustave za snagu nekoliko desetaka-nekoliko stotina kW pomoću tranzistora i dioda snage s izlaznim naponima od 1200V i 1700V dostupnih na tržištu. Ovi elementi su dio električnih modula čija je tehnologija analogna onoj koja se koristi za IGBT silicijske tranzistora i ima značajne parazitske induktivnosti. Stoga trenutno nije moguće u potpunosti iskoristiti izvrsna dinamička svojstva SiC komponenti, potrebno je uvesti module snage niske impedancije za SiC komponente na tržištu. Osim toga, također je potrebno razviti odgovarajuće kontrolere, strujne krugove, također s niskom induktivnošću, kao i odgovarajuće sustave hlađenja. Stoga je cilj projekta razviti i implementirati univerzalni elektronički funkcionalni blok/funkcionalni blok napajanja (FBM), koji je sastavni dio standardnih energetskih elektroničkih sustava (inverter mostova, trofazni pretvarač, višerazinski pretvarač) na temelju modula snage niske impedancije. Na taj će način razvijeni funkcionalni blok moći koristiti ovaj jednostavan razvoj u elektronički sustav pune snage ovisno o potrebama kupca u određenoj aplikaciji. Članak 25. Uredbe (EZ) br. 651/2014 od 17. lipnja 2014. o ocjenjivanju određenih kategorija potpora spojivima s unutarnjim tržištem u primjeni članaka 107. i 108. Ugovora To je sve. EU L 187/1 od 26.6.2014.) (Croatian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Η ταχέως αναπτυσσόμενη τεχνολογία των οργάνων ισχύος ημιαγωγών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) παρέχει στοιχεία με όλο και υψηλότερες τάσεις και εκτιμημένα ρεύματα. Επί του παρόντος, είναι δυνατή η κατασκευή ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος για την ισχύ αρκετών δεκάδων εκατοντάδων kW χρησιμοποιώντας τρανζίστορ και δίοδο ισχύος με τάσεις εξόδου 1200V και 1700V διαθέσιμες στην αγορά. Αυτά τα στοιχεία αποτελούν μέρος μονάδων ισχύος των οποίων η τεχνολογία είναι ανάλογη με εκείνη που χρησιμοποιείται για τα τρανζίστορ πυριτίου IGBT και έχει σημαντικές παρασιτικές επαγωγές. Ως εκ τούτου, επί του παρόντος δεν είναι δυνατόν να αξιοποιηθούν πλήρως οι εξαιρετικές δυναμικές ιδιότητες των εξαρτημάτων SiC, είναι απαραίτητο να εισαχθούν στην αγορά μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης για τα εξαρτήματα SiC. Επιπλέον, είναι επίσης απαραίτητο να αναπτυχθούν κατάλληλοι ελεγκτές πύλης, κυκλώματα ισχύος, επίσης με χαμηλή επαγωγή, καθώς και κατάλληλα συστήματα ψύξης. Ως εκ τούτου, ο στόχος του έργου είναι η ανάπτυξη και εφαρμογή ενός ηλεκτρονικού λειτουργικού μπλοκ/λειτουργικού μπλοκ (FBM), το οποίο είναι ένα συστατικό των τυποποιημένων ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος (inverter γέφυρας, τριφασικός inverter, πολυεπίπεδος inverter) που βασίζεται σε μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης. Με αυτόν τον τρόπο, το αναπτυγμένο λειτουργικό μπλοκ θα είναι σε θέση να χρησιμοποιήσει αυτή την απλή εξέλιξη σε ένα ηλεκτρονικό σύστημα πλήρους ισχύος ανάλογα με τις ανάγκες του πελάτη σε μια δεδομένη εφαρμογή. Άρθρο 25 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 651/2014, της 17ης Ιουνίου 2014, για την κήρυξη ορισμένων κατηγοριών ενισχύσεων ως συμβατών με την εσωτερική αγορά κατ’ εφαρμογή των άρθρων 107 και 108 της Συνθήκης Αυτό είναι όλο. ΕΕ L 187/1 της 26.6.2014) (Greek) | |||||||||||||||
| Property / summary: Η ταχέως αναπτυσσόμενη τεχνολογία των οργάνων ισχύος ημιαγωγών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) παρέχει στοιχεία με όλο και υψηλότερες τάσεις και εκτιμημένα ρεύματα. Επί του παρόντος, είναι δυνατή η κατασκευή ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος για την ισχύ αρκετών δεκάδων εκατοντάδων kW χρησιμοποιώντας τρανζίστορ και δίοδο ισχύος με τάσεις εξόδου 1200V και 1700V διαθέσιμες στην αγορά. Αυτά τα στοιχεία αποτελούν μέρος μονάδων ισχύος των οποίων η τεχνολογία είναι ανάλογη με εκείνη που χρησιμοποιείται για τα τρανζίστορ πυριτίου IGBT και έχει σημαντικές παρασιτικές επαγωγές. Ως εκ τούτου, επί του παρόντος δεν είναι δυνατόν να αξιοποιηθούν πλήρως οι εξαιρετικές δυναμικές ιδιότητες των εξαρτημάτων SiC, είναι απαραίτητο να εισαχθούν στην αγορά μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης για τα εξαρτήματα SiC. Επιπλέον, είναι επίσης απαραίτητο να αναπτυχθούν κατάλληλοι ελεγκτές πύλης, κυκλώματα ισχύος, επίσης με χαμηλή επαγωγή, καθώς και κατάλληλα συστήματα ψύξης. Ως εκ τούτου, ο στόχος του έργου είναι η ανάπτυξη και εφαρμογή ενός ηλεκτρονικού λειτουργικού μπλοκ/λειτουργικού μπλοκ (FBM), το οποίο είναι ένα συστατικό των τυποποιημένων ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος (inverter γέφυρας, τριφασικός inverter, πολυεπίπεδος inverter) που βασίζεται σε μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης. Με αυτόν τον τρόπο, το αναπτυγμένο λειτουργικό μπλοκ θα είναι σε θέση να χρησιμοποιήσει αυτή την απλή εξέλιξη σε ένα ηλεκτρονικό σύστημα πλήρους ισχύος ανάλογα με τις ανάγκες του πελάτη σε μια δεδομένη εφαρμογή. Άρθρο 25 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 651/2014, της 17ης Ιουνίου 2014, για την κήρυξη ορισμένων κατηγοριών ενισχύσεων ως συμβατών με την εσωτερική αγορά κατ’ εφαρμογή των άρθρων 107 και 108 της Συνθήκης Αυτό είναι όλο. ΕΕ L 187/1 της 26.6.2014) (Greek) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Η ταχέως αναπτυσσόμενη τεχνολογία των οργάνων ισχύος ημιαγωγών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) παρέχει στοιχεία με όλο και υψηλότερες τάσεις και εκτιμημένα ρεύματα. Επί του παρόντος, είναι δυνατή η κατασκευή ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος για την ισχύ αρκετών δεκάδων εκατοντάδων kW χρησιμοποιώντας τρανζίστορ και δίοδο ισχύος με τάσεις εξόδου 1200V και 1700V διαθέσιμες στην αγορά. Αυτά τα στοιχεία αποτελούν μέρος μονάδων ισχύος των οποίων η τεχνολογία είναι ανάλογη με εκείνη που χρησιμοποιείται για τα τρανζίστορ πυριτίου IGBT και έχει σημαντικές παρασιτικές επαγωγές. Ως εκ τούτου, επί του παρόντος δεν είναι δυνατόν να αξιοποιηθούν πλήρως οι εξαιρετικές δυναμικές ιδιότητες των εξαρτημάτων SiC, είναι απαραίτητο να εισαχθούν στην αγορά μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης για τα εξαρτήματα SiC. Επιπλέον, είναι επίσης απαραίτητο να αναπτυχθούν κατάλληλοι ελεγκτές πύλης, κυκλώματα ισχύος, επίσης με χαμηλή επαγωγή, καθώς και κατάλληλα συστήματα ψύξης. Ως εκ τούτου, ο στόχος του έργου είναι η ανάπτυξη και εφαρμογή ενός ηλεκτρονικού λειτουργικού μπλοκ/λειτουργικού μπλοκ (FBM), το οποίο είναι ένα συστατικό των τυποποιημένων ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος (inverter γέφυρας, τριφασικός inverter, πολυεπίπεδος inverter) που βασίζεται σε μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης. Με αυτόν τον τρόπο, το αναπτυγμένο λειτουργικό μπλοκ θα είναι σε θέση να χρησιμοποιήσει αυτή την απλή εξέλιξη σε ένα ηλεκτρονικό σύστημα πλήρους ισχύος ανάλογα με τις ανάγκες του πελάτη σε μια δεδομένη εφαρμογή. Άρθρο 25 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 651/2014, της 17ης Ιουνίου 2014, για την κήρυξη ορισμένων κατηγοριών ενισχύσεων ως συμβατών με την εσωτερική αγορά κατ’ εφαρμογή των άρθρων 107 και 108 της Συνθήκης Αυτό είναι όλο. ΕΕ L 187/1 της 26.6.2014) (Greek) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Rýchlo rastúca technológia polovodičových nástrojov karbidu kremíka (SiC) poskytuje prvky s čoraz vyšším napätím a menovitým prúdom. V súčasnosti je možné vybudovať elektrické elektronické systémy pre výkon niekoľkých desiatok stoviek kW pomocou tranzistorov a výkonových diód s výstupným napätím 1200V a 1700V dostupnými na trhu. Tieto prvky sú súčasťou výkonových modulov, ktorých technológia je podobná technológii používanej pre kremíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukcie. Preto v súčasnosti nie je možné plne využiť vynikajúce dynamické vlastnosti komponentov SiC, je potrebné zaviesť nízko impedančné napájacie moduly pre komponenty SiC na trhu. Okrem toho je tiež potrebné vyvinúť vhodné regulátory brány, výkonové obvody, a to aj s nízkou indukčnosťou, ako aj vhodné chladiace systémy. Cieľom projektu je preto vyvinúť a implementovať univerzálny výkonový elektronický funkčný blok/funkčný napájací blok (FBM), ktorý je súčasťou štandardných výkonových elektronických systémov (mostový menič, trojfázový menič, viacúrovňový invertor) na báze nízko impedančných energetických jednotiek. Takto vyvinutý funkčný blok bude môcť využiť tento jednoduchý vývoj do plne napájacieho elektronického systému v závislosti od potrieb zákazníka v danej aplikácii. Článok 25 nariadenia (ES) č. 651/2014 zo 17. júna 2014 o vyhlásení určitých kategórií pomoci za zlučiteľné s vnútorným trhom pri uplatňovaní článkov 107 a 108 zmluvy To je všetko. EÚ L 187/1 z 26.6.2014) (Slovak) | |||||||||||||||
| Property / summary: Rýchlo rastúca technológia polovodičových nástrojov karbidu kremíka (SiC) poskytuje prvky s čoraz vyšším napätím a menovitým prúdom. V súčasnosti je možné vybudovať elektrické elektronické systémy pre výkon niekoľkých desiatok stoviek kW pomocou tranzistorov a výkonových diód s výstupným napätím 1200V a 1700V dostupnými na trhu. Tieto prvky sú súčasťou výkonových modulov, ktorých technológia je podobná technológii používanej pre kremíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukcie. Preto v súčasnosti nie je možné plne využiť vynikajúce dynamické vlastnosti komponentov SiC, je potrebné zaviesť nízko impedančné napájacie moduly pre komponenty SiC na trhu. Okrem toho je tiež potrebné vyvinúť vhodné regulátory brány, výkonové obvody, a to aj s nízkou indukčnosťou, ako aj vhodné chladiace systémy. Cieľom projektu je preto vyvinúť a implementovať univerzálny výkonový elektronický funkčný blok/funkčný napájací blok (FBM), ktorý je súčasťou štandardných výkonových elektronických systémov (mostový menič, trojfázový menič, viacúrovňový invertor) na báze nízko impedančných energetických jednotiek. Takto vyvinutý funkčný blok bude môcť využiť tento jednoduchý vývoj do plne napájacieho elektronického systému v závislosti od potrieb zákazníka v danej aplikácii. Článok 25 nariadenia (ES) č. 651/2014 zo 17. júna 2014 o vyhlásení určitých kategórií pomoci za zlučiteľné s vnútorným trhom pri uplatňovaní článkov 107 a 108 zmluvy To je všetko. EÚ L 187/1 z 26.6.2014) (Slovak) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Rýchlo rastúca technológia polovodičových nástrojov karbidu kremíka (SiC) poskytuje prvky s čoraz vyšším napätím a menovitým prúdom. V súčasnosti je možné vybudovať elektrické elektronické systémy pre výkon niekoľkých desiatok stoviek kW pomocou tranzistorov a výkonových diód s výstupným napätím 1200V a 1700V dostupnými na trhu. Tieto prvky sú súčasťou výkonových modulov, ktorých technológia je podobná technológii používanej pre kremíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukcie. Preto v súčasnosti nie je možné plne využiť vynikajúce dynamické vlastnosti komponentov SiC, je potrebné zaviesť nízko impedančné napájacie moduly pre komponenty SiC na trhu. Okrem toho je tiež potrebné vyvinúť vhodné regulátory brány, výkonové obvody, a to aj s nízkou indukčnosťou, ako aj vhodné chladiace systémy. Cieľom projektu je preto vyvinúť a implementovať univerzálny výkonový elektronický funkčný blok/funkčný napájací blok (FBM), ktorý je súčasťou štandardných výkonových elektronických systémov (mostový menič, trojfázový menič, viacúrovňový invertor) na báze nízko impedančných energetických jednotiek. Takto vyvinutý funkčný blok bude môcť využiť tento jednoduchý vývoj do plne napájacieho elektronického systému v závislosti od potrieb zákazníka v danej aplikácii. Článok 25 nariadenia (ES) č. 651/2014 zo 17. júna 2014 o vyhlásení určitých kategórií pomoci za zlučiteľné s vnútorným trhom pri uplatňovaní článkov 107 a 108 zmluvy To je všetko. EÚ L 187/1 z 26.6.2014) (Slovak) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Piikarbidin (SiC) puolijohdelaitteiden nopeasti kasvava teknologia tarjoaa elementtejä, joilla on yhä suurempia jännitteitä ja nimellisvirtoja. Tällä hetkellä on mahdollista rakentaa tehoelektronisia järjestelmiä useiden kymmenien satojen kW: n teholle käyttäen transistoreja ja tehodiodeja, joiden lähtöjännitteet ovat 1200 V ja 1700V. Nämä elementit ovat osa tehomoduuleja, joiden tekniikka vastaa IGBT-piitransistoreissa käytettyä tekniikkaa ja jolla on merkittävät loisinduktanssit. Siksi tällä hetkellä ei ole mahdollista täysin hyödyntää SiC-komponenttien erinomaisia dynaamisia ominaisuuksia, on tarpeen tuoda markkinoille pieniimpedanssivoimamoduuleja SiC-komponenteille. Lisäksi on tarpeen kehittää asianmukaisia portinsäätimiä, virtapiirejä, myös alhaisen induktanssin sekä asianmukaisia jäähdytysjärjestelmiä. Siksi hankkeen tavoitteena on kehittää ja toteuttaa yleiskäyttöinen elektroninen toiminnallinen lohko/toiminnallinen teholohko (FBM), joka on osa vakiotehoelektronisia järjestelmiä (silta-invertteri, kolmivaiheinen invertteri, monitasoinen invertteri), joka perustuu matalaimpedanssitehomoduuleihin. Tällä tavoin kehitetty toiminnallinen lohko pystyy käyttämään tätä yksinkertaista kehitystä täysitehoiseksi sähköiseksi järjestelmäksi riippuen asiakkaan tarpeista tietyssä sovelluksessa. Tiettyjen tukimuotojen toteamisesta sisämarkkinoille soveltuviksi perussopimuksen 107 ja 108 artiklan mukaisesti 17 päivänä kesäkuuta 2014 annetun asetuksen (EY) N:o 651/2014 25 artikla Se on siinä. EU L 187/1, 26.6.2014) (Finnish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Piikarbidin (SiC) puolijohdelaitteiden nopeasti kasvava teknologia tarjoaa elementtejä, joilla on yhä suurempia jännitteitä ja nimellisvirtoja. Tällä hetkellä on mahdollista rakentaa tehoelektronisia järjestelmiä useiden kymmenien satojen kW: n teholle käyttäen transistoreja ja tehodiodeja, joiden lähtöjännitteet ovat 1200 V ja 1700V. Nämä elementit ovat osa tehomoduuleja, joiden tekniikka vastaa IGBT-piitransistoreissa käytettyä tekniikkaa ja jolla on merkittävät loisinduktanssit. Siksi tällä hetkellä ei ole mahdollista täysin hyödyntää SiC-komponenttien erinomaisia dynaamisia ominaisuuksia, on tarpeen tuoda markkinoille pieniimpedanssivoimamoduuleja SiC-komponenteille. Lisäksi on tarpeen kehittää asianmukaisia portinsäätimiä, virtapiirejä, myös alhaisen induktanssin sekä asianmukaisia jäähdytysjärjestelmiä. Siksi hankkeen tavoitteena on kehittää ja toteuttaa yleiskäyttöinen elektroninen toiminnallinen lohko/toiminnallinen teholohko (FBM), joka on osa vakiotehoelektronisia järjestelmiä (silta-invertteri, kolmivaiheinen invertteri, monitasoinen invertteri), joka perustuu matalaimpedanssitehomoduuleihin. Tällä tavoin kehitetty toiminnallinen lohko pystyy käyttämään tätä yksinkertaista kehitystä täysitehoiseksi sähköiseksi järjestelmäksi riippuen asiakkaan tarpeista tietyssä sovelluksessa. Tiettyjen tukimuotojen toteamisesta sisämarkkinoille soveltuviksi perussopimuksen 107 ja 108 artiklan mukaisesti 17 päivänä kesäkuuta 2014 annetun asetuksen (EY) N:o 651/2014 25 artikla Se on siinä. EU L 187/1, 26.6.2014) (Finnish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Piikarbidin (SiC) puolijohdelaitteiden nopeasti kasvava teknologia tarjoaa elementtejä, joilla on yhä suurempia jännitteitä ja nimellisvirtoja. Tällä hetkellä on mahdollista rakentaa tehoelektronisia järjestelmiä useiden kymmenien satojen kW: n teholle käyttäen transistoreja ja tehodiodeja, joiden lähtöjännitteet ovat 1200 V ja 1700V. Nämä elementit ovat osa tehomoduuleja, joiden tekniikka vastaa IGBT-piitransistoreissa käytettyä tekniikkaa ja jolla on merkittävät loisinduktanssit. Siksi tällä hetkellä ei ole mahdollista täysin hyödyntää SiC-komponenttien erinomaisia dynaamisia ominaisuuksia, on tarpeen tuoda markkinoille pieniimpedanssivoimamoduuleja SiC-komponenteille. Lisäksi on tarpeen kehittää asianmukaisia portinsäätimiä, virtapiirejä, myös alhaisen induktanssin sekä asianmukaisia jäähdytysjärjestelmiä. Siksi hankkeen tavoitteena on kehittää ja toteuttaa yleiskäyttöinen elektroninen toiminnallinen lohko/toiminnallinen teholohko (FBM), joka on osa vakiotehoelektronisia järjestelmiä (silta-invertteri, kolmivaiheinen invertteri, monitasoinen invertteri), joka perustuu matalaimpedanssitehomoduuleihin. Tällä tavoin kehitetty toiminnallinen lohko pystyy käyttämään tätä yksinkertaista kehitystä täysitehoiseksi sähköiseksi järjestelmäksi riippuen asiakkaan tarpeista tietyssä sovelluksessa. Tiettyjen tukimuotojen toteamisesta sisämarkkinoille soveltuviksi perussopimuksen 107 ja 108 artiklan mukaisesti 17 päivänä kesäkuuta 2014 annetun asetuksen (EY) N:o 651/2014 25 artikla Se on siinä. EU L 187/1, 26.6.2014) (Finnish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A szilícium-karbid (SiC) félvezető elektromos műszerek gyorsan növekvő technológiája egyre nagyobb feszültséggel és névleges árammal rendelkezik. Jelenleg a piacon elérhető tranzisztorokkal és teljesítménydiódákkal, 1200 V és 1700V kimeneti feszültséggel rendelkező, több tucat-több száz kW teljesítményű elektronikus rendszereket lehet építeni. Ezek az elemek olyan energiamodulok részét képezik, amelyek technológiája hasonló az IGBT szilícium tranzisztorokhoz használt technológiához, és jelentős parazita induktivitással rendelkeznek. Ezért jelenleg nem lehet teljes mértékben kihasználni a SiC-alkatrészek kiváló dinamikus tulajdonságait, ezért kis impedanciájú erőműveket kell bevezetni a piacon. Ezenkívül megfelelő kapuvezérlőket, tápáramköröket, alacsony induktivitású és megfelelő hűtőrendszereket is ki kell fejleszteni. Ezért a projekt célja egy univerzális elektronikus funkcionális blokk/funkcionális teljesítményblokk (FBM) kifejlesztése és megvalósítása, amely a szabványos teljesítményelektronikus rendszerek (hídinverter, háromfázisú inverter, többszintű inverter) komponense, amely alacsony impedanciás teljesítménymodulokon alapul. Ily módon a kifejlesztett funkcionális blokk képes lesz ezt az egyszerű fejlesztést egy teljes teljesítményű elektronikus rendszerré használni, az adott alkalmazásban az ügyfél igényeitől függően. A Szerződés 107. és 108. cikkének alkalmazásában bizonyos támogatási kategóriáknak a belső piaccal összeegyeztethetőnek nyilvánításáról szóló, 2014. június 17-i 651/2014/EK rendelet 25. cikke Ez az. – Ez az. EU L 187/1, 2014.6.26.) (Hungarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: A szilícium-karbid (SiC) félvezető elektromos műszerek gyorsan növekvő technológiája egyre nagyobb feszültséggel és névleges árammal rendelkezik. Jelenleg a piacon elérhető tranzisztorokkal és teljesítménydiódákkal, 1200 V és 1700V kimeneti feszültséggel rendelkező, több tucat-több száz kW teljesítményű elektronikus rendszereket lehet építeni. Ezek az elemek olyan energiamodulok részét képezik, amelyek technológiája hasonló az IGBT szilícium tranzisztorokhoz használt technológiához, és jelentős parazita induktivitással rendelkeznek. Ezért jelenleg nem lehet teljes mértékben kihasználni a SiC-alkatrészek kiváló dinamikus tulajdonságait, ezért kis impedanciájú erőműveket kell bevezetni a piacon. Ezenkívül megfelelő kapuvezérlőket, tápáramköröket, alacsony induktivitású és megfelelő hűtőrendszereket is ki kell fejleszteni. Ezért a projekt célja egy univerzális elektronikus funkcionális blokk/funkcionális teljesítményblokk (FBM) kifejlesztése és megvalósítása, amely a szabványos teljesítményelektronikus rendszerek (hídinverter, háromfázisú inverter, többszintű inverter) komponense, amely alacsony impedanciás teljesítménymodulokon alapul. Ily módon a kifejlesztett funkcionális blokk képes lesz ezt az egyszerű fejlesztést egy teljes teljesítményű elektronikus rendszerré használni, az adott alkalmazásban az ügyfél igényeitől függően. A Szerződés 107. és 108. cikkének alkalmazásában bizonyos támogatási kategóriáknak a belső piaccal összeegyeztethetőnek nyilvánításáról szóló, 2014. június 17-i 651/2014/EK rendelet 25. cikke Ez az. – Ez az. EU L 187/1, 2014.6.26.) (Hungarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A szilícium-karbid (SiC) félvezető elektromos műszerek gyorsan növekvő technológiája egyre nagyobb feszültséggel és névleges árammal rendelkezik. Jelenleg a piacon elérhető tranzisztorokkal és teljesítménydiódákkal, 1200 V és 1700V kimeneti feszültséggel rendelkező, több tucat-több száz kW teljesítményű elektronikus rendszereket lehet építeni. Ezek az elemek olyan energiamodulok részét képezik, amelyek technológiája hasonló az IGBT szilícium tranzisztorokhoz használt technológiához, és jelentős parazita induktivitással rendelkeznek. Ezért jelenleg nem lehet teljes mértékben kihasználni a SiC-alkatrészek kiváló dinamikus tulajdonságait, ezért kis impedanciájú erőműveket kell bevezetni a piacon. Ezenkívül megfelelő kapuvezérlőket, tápáramköröket, alacsony induktivitású és megfelelő hűtőrendszereket is ki kell fejleszteni. Ezért a projekt célja egy univerzális elektronikus funkcionális blokk/funkcionális teljesítményblokk (FBM) kifejlesztése és megvalósítása, amely a szabványos teljesítményelektronikus rendszerek (hídinverter, háromfázisú inverter, többszintű inverter) komponense, amely alacsony impedanciás teljesítménymodulokon alapul. Ily módon a kifejlesztett funkcionális blokk képes lesz ezt az egyszerű fejlesztést egy teljes teljesítményű elektronikus rendszerré használni, az adott alkalmazásban az ügyfél igényeitől függően. A Szerződés 107. és 108. cikkének alkalmazásában bizonyos támogatási kategóriáknak a belső piaccal összeegyeztethetőnek nyilvánításáról szóló, 2014. június 17-i 651/2014/EK rendelet 25. cikke Ez az. – Ez az. EU L 187/1, 2014.6.26.) (Hungarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Rychle rostoucí technologie polovodičových nástrojů z karbidu křemíku (SiC) poskytuje prvky se stále vyšším napětím a jmenovitými proudy. V současné době je možné vybudovat výkonové elektronické systémy pro výkon několika desítek set kW pomocí tranzistorů a výkonových diod s výstupním napětím 1200V a 1700V, které jsou k dispozici na trhu. Tyto prvky jsou součástí energetických modulů, jejichž technologie je podobná technologii používané pro IGBT křemíkové tranzistory a má významnou parazitní indukčnost. Proto v současné době není možné plně využít vynikající dynamické vlastnosti komponentů SiC, je nutné zavést nízkoimpedanční výkonové moduly pro komponenty SiC na trhu. Kromě toho je také nutné vyvinout vhodné regulátory brány, napájecí obvody, také s nízkou indukčností, jakož i vhodné chladicí systémy. Cílem projektu je proto vyvinout a implementovat univerzální výkonový elektronický funkční blok/funkční blok (FBM), který je součástí standardních výkonových elektronických systémů (mostový měnič, třífázový měnič, víceúrovňový měnič) založený na nízkoimpedančních výkonových modulech. Tímto způsobem bude vyvinutý funkční blok schopen tento jednoduchý vývoj využít do plně výkonného elektronického systému v závislosti na potřebách zákazníka v dané aplikaci. Článek 25 nařízení (ES) č. 651/2014 ze dne 17. června 2014, kterým se v souladu s články 107 a 108 Smlouvy prohlašují určité kategorie podpory za slučitelné s vnitřním trhem To je všechno. EU L 187/1 ze dne 26.6.2014) (Czech) | |||||||||||||||
| Property / summary: Rychle rostoucí technologie polovodičových nástrojů z karbidu křemíku (SiC) poskytuje prvky se stále vyšším napětím a jmenovitými proudy. V současné době je možné vybudovat výkonové elektronické systémy pro výkon několika desítek set kW pomocí tranzistorů a výkonových diod s výstupním napětím 1200V a 1700V, které jsou k dispozici na trhu. Tyto prvky jsou součástí energetických modulů, jejichž technologie je podobná technologii používané pro IGBT křemíkové tranzistory a má významnou parazitní indukčnost. Proto v současné době není možné plně využít vynikající dynamické vlastnosti komponentů SiC, je nutné zavést nízkoimpedanční výkonové moduly pro komponenty SiC na trhu. Kromě toho je také nutné vyvinout vhodné regulátory brány, napájecí obvody, také s nízkou indukčností, jakož i vhodné chladicí systémy. Cílem projektu je proto vyvinout a implementovat univerzální výkonový elektronický funkční blok/funkční blok (FBM), který je součástí standardních výkonových elektronických systémů (mostový měnič, třífázový měnič, víceúrovňový měnič) založený na nízkoimpedančních výkonových modulech. Tímto způsobem bude vyvinutý funkční blok schopen tento jednoduchý vývoj využít do plně výkonného elektronického systému v závislosti na potřebách zákazníka v dané aplikaci. Článek 25 nařízení (ES) č. 651/2014 ze dne 17. června 2014, kterým se v souladu s články 107 a 108 Smlouvy prohlašují určité kategorie podpory za slučitelné s vnitřním trhem To je všechno. EU L 187/1 ze dne 26.6.2014) (Czech) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Rychle rostoucí technologie polovodičových nástrojů z karbidu křemíku (SiC) poskytuje prvky se stále vyšším napětím a jmenovitými proudy. V současné době je možné vybudovat výkonové elektronické systémy pro výkon několika desítek set kW pomocí tranzistorů a výkonových diod s výstupním napětím 1200V a 1700V, které jsou k dispozici na trhu. Tyto prvky jsou součástí energetických modulů, jejichž technologie je podobná technologii používané pro IGBT křemíkové tranzistory a má významnou parazitní indukčnost. Proto v současné době není možné plně využít vynikající dynamické vlastnosti komponentů SiC, je nutné zavést nízkoimpedanční výkonové moduly pro komponenty SiC na trhu. Kromě toho je také nutné vyvinout vhodné regulátory brány, napájecí obvody, také s nízkou indukčností, jakož i vhodné chladicí systémy. Cílem projektu je proto vyvinout a implementovat univerzální výkonový elektronický funkční blok/funkční blok (FBM), který je součástí standardních výkonových elektronických systémů (mostový měnič, třífázový měnič, víceúrovňový měnič) založený na nízkoimpedančních výkonových modulech. Tímto způsobem bude vyvinutý funkční blok schopen tento jednoduchý vývoj využít do plně výkonného elektronického systému v závislosti na potřebách zákazníka v dané aplikaci. Článek 25 nařízení (ES) č. 651/2014 ze dne 17. června 2014, kterým se v souladu s články 107 a 108 Smlouvy prohlašují určité kategorie podpory za slučitelné s vnitřním trhem To je všechno. EU L 187/1 ze dne 26.6.2014) (Czech) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Strauji augošā silīcija karbīda (SiC) pusvadītāju spēka instrumentu tehnoloģija nodrošina elementus ar arvien lielāku spriegumu un nominālo strāvu. Pašlaik ir iespējams būvēt elektroniskās sistēmas vairāku desmitu simtu kW jaudai, izmantojot tranzistorus un jaudas diodes ar izejas spriegumu 1200V un 1700V, kas pieejami tirgū. Šie elementi ir daļa no elektroenerģijas moduļiem, kuru tehnoloģija ir analoga tai, ko izmanto IGBT silīcija tranzistoriem, un tiem ir ievērojamas parazītu indukcijas. Tāpēc pašlaik nav iespējams pilnībā izmantot SiC komponentu lieliskās dinamiskās īpašības, tirgū ir jāievieš zemas pretestības jaudas moduļi SiC komponentiem. Turklāt ir nepieciešams arī izstrādāt atbilstošus vārtu kontrollerus, strāvas ķēdes, arī ar zemu induktivitāti, kā arī atbilstošas dzesēšanas sistēmas. Tāpēc projekta mērķis ir izstrādāt un ieviest universālu jaudas elektronisko bloku/funkcionālo barošanas bloku (FBM), kas ir standarta jaudas elektronisko sistēmu (tilts pārveidotājs, trīsfāžu invertors, daudzlīmeņu invertors) sastāvdaļa, pamatojoties uz zemas pretestības jaudas moduļiem. Šādā veidā izstrādātais funkcionālais bloks varēs izmantot šo vienkāršo izstrādi par pilnas jaudas elektronisko sistēmu atkarībā no klienta vajadzībām konkrētajā lietojumprogrammā. 25. pants 2014. gada 17. jūnija Regulā (EK) Nr. 651/2014, ar ko noteiktas atbalsta kategorijas atzīst par saderīgām ar iekšējo tirgu, piemērojot Līguma 107. un 108. pantu Tas ir viss. EU L 187/1, 26.6.2014.) (Latvian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Strauji augošā silīcija karbīda (SiC) pusvadītāju spēka instrumentu tehnoloģija nodrošina elementus ar arvien lielāku spriegumu un nominālo strāvu. Pašlaik ir iespējams būvēt elektroniskās sistēmas vairāku desmitu simtu kW jaudai, izmantojot tranzistorus un jaudas diodes ar izejas spriegumu 1200V un 1700V, kas pieejami tirgū. Šie elementi ir daļa no elektroenerģijas moduļiem, kuru tehnoloģija ir analoga tai, ko izmanto IGBT silīcija tranzistoriem, un tiem ir ievērojamas parazītu indukcijas. Tāpēc pašlaik nav iespējams pilnībā izmantot SiC komponentu lieliskās dinamiskās īpašības, tirgū ir jāievieš zemas pretestības jaudas moduļi SiC komponentiem. Turklāt ir nepieciešams arī izstrādāt atbilstošus vārtu kontrollerus, strāvas ķēdes, arī ar zemu induktivitāti, kā arī atbilstošas dzesēšanas sistēmas. Tāpēc projekta mērķis ir izstrādāt un ieviest universālu jaudas elektronisko bloku/funkcionālo barošanas bloku (FBM), kas ir standarta jaudas elektronisko sistēmu (tilts pārveidotājs, trīsfāžu invertors, daudzlīmeņu invertors) sastāvdaļa, pamatojoties uz zemas pretestības jaudas moduļiem. Šādā veidā izstrādātais funkcionālais bloks varēs izmantot šo vienkāršo izstrādi par pilnas jaudas elektronisko sistēmu atkarībā no klienta vajadzībām konkrētajā lietojumprogrammā. 25. pants 2014. gada 17. jūnija Regulā (EK) Nr. 651/2014, ar ko noteiktas atbalsta kategorijas atzīst par saderīgām ar iekšējo tirgu, piemērojot Līguma 107. un 108. pantu Tas ir viss. EU L 187/1, 26.6.2014.) (Latvian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Strauji augošā silīcija karbīda (SiC) pusvadītāju spēka instrumentu tehnoloģija nodrošina elementus ar arvien lielāku spriegumu un nominālo strāvu. Pašlaik ir iespējams būvēt elektroniskās sistēmas vairāku desmitu simtu kW jaudai, izmantojot tranzistorus un jaudas diodes ar izejas spriegumu 1200V un 1700V, kas pieejami tirgū. Šie elementi ir daļa no elektroenerģijas moduļiem, kuru tehnoloģija ir analoga tai, ko izmanto IGBT silīcija tranzistoriem, un tiem ir ievērojamas parazītu indukcijas. Tāpēc pašlaik nav iespējams pilnībā izmantot SiC komponentu lieliskās dinamiskās īpašības, tirgū ir jāievieš zemas pretestības jaudas moduļi SiC komponentiem. Turklāt ir nepieciešams arī izstrādāt atbilstošus vārtu kontrollerus, strāvas ķēdes, arī ar zemu induktivitāti, kā arī atbilstošas dzesēšanas sistēmas. Tāpēc projekta mērķis ir izstrādāt un ieviest universālu jaudas elektronisko bloku/funkcionālo barošanas bloku (FBM), kas ir standarta jaudas elektronisko sistēmu (tilts pārveidotājs, trīsfāžu invertors, daudzlīmeņu invertors) sastāvdaļa, pamatojoties uz zemas pretestības jaudas moduļiem. Šādā veidā izstrādātais funkcionālais bloks varēs izmantot šo vienkāršo izstrādi par pilnas jaudas elektronisko sistēmu atkarībā no klienta vajadzībām konkrētajā lietojumprogrammā. 25. pants 2014. gada 17. jūnija Regulā (EK) Nr. 651/2014, ar ko noteiktas atbalsta kategorijas atzīst par saderīgām ar iekšējo tirgu, piemērojot Līguma 107. un 108. pantu Tas ir viss. EU L 187/1, 26.6.2014.) (Latvian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Soláthraíonn an teicneolaíocht atá ag fás go tapa ar ionstraimí leathsheoltóra chomhdhúile sileacain (SiC) eilimintí le voltais níos airde agus sruthanna rátáilte. Faoi láthair, is féidir córais leictreonacha cumhachta a thógáil le haghaidh cumhacht roinnt dosaen-roinnt céad kW ag baint úsáide as trasraitheoirí agus dé-óidí cumhachta le voltais aschuir 1200V agus 1700V ar fáil ar an margadh. Tá na heilimintí seo mar chuid de mhodúil chumhachta a bhfuil a dteicneolaíocht ar aon dul leis an teicneolaíocht a úsáidtear le haghaidh trasraitheoirí sileacain IGBT agus tá ionduchtais shuntasacha seadánacha acu. Dá bhrí sin, ní féidir airíonna dinimiciúla den scoth na gcomhpháirteanna SiC a shaothrú go hiomlán faoi láthair, is gá modúil chumhachta íseal-impedance a thabhairt isteach le haghaidh comhpháirteanna SiC ar an margadh. Ina theannta sin, is gá freisin rialaitheoirí geata cuí, ciorcaid chumhachta a fhorbairt, chomh maith le hionduchtú íseal chomh maith le córais fuaraithe iomchuí. Dá bhrí sin, is é aidhm an tionscadail bloc uilíoch feidhme leictreonach cumhachta/bloc cumhachta feidhmiúil (FBM) a fhorbairt agus a chur chun feidhme, ar cuid de chórais leictreonacha chumhachta chaighdeánacha (inverter droichead, inverter trí phas, inverter il-leibhéil) é bunaithe ar mhodúil chumhachta íseal-impedance. Ar an mbealach seo, beidh an bloc feidhme forbartha in ann an fhorbairt shimplí seo a úsáid i gcóras leictreonach lánchumhachta ag brath ar riachtanais an chustaiméara in iarratas ar leith. Airteagal 25 de Rialachán (CE) Uimh. 651/2014 an 17 Meitheamh 2014 ina ndearbhaítear go bhfuil catagóirí áirithe cabhrach comhoiriúnach leis an margadh inmheánach i gcur i bhfeidhm Airteagail 107 agus 108 den Chonradh Sin é. AE L 187/1 an 26.6.2014) (Irish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Soláthraíonn an teicneolaíocht atá ag fás go tapa ar ionstraimí leathsheoltóra chomhdhúile sileacain (SiC) eilimintí le voltais níos airde agus sruthanna rátáilte. Faoi láthair, is féidir córais leictreonacha cumhachta a thógáil le haghaidh cumhacht roinnt dosaen-roinnt céad kW ag baint úsáide as trasraitheoirí agus dé-óidí cumhachta le voltais aschuir 1200V agus 1700V ar fáil ar an margadh. Tá na heilimintí seo mar chuid de mhodúil chumhachta a bhfuil a dteicneolaíocht ar aon dul leis an teicneolaíocht a úsáidtear le haghaidh trasraitheoirí sileacain IGBT agus tá ionduchtais shuntasacha seadánacha acu. Dá bhrí sin, ní féidir airíonna dinimiciúla den scoth na gcomhpháirteanna SiC a shaothrú go hiomlán faoi láthair, is gá modúil chumhachta íseal-impedance a thabhairt isteach le haghaidh comhpháirteanna SiC ar an margadh. Ina theannta sin, is gá freisin rialaitheoirí geata cuí, ciorcaid chumhachta a fhorbairt, chomh maith le hionduchtú íseal chomh maith le córais fuaraithe iomchuí. Dá bhrí sin, is é aidhm an tionscadail bloc uilíoch feidhme leictreonach cumhachta/bloc cumhachta feidhmiúil (FBM) a fhorbairt agus a chur chun feidhme, ar cuid de chórais leictreonacha chumhachta chaighdeánacha (inverter droichead, inverter trí phas, inverter il-leibhéil) é bunaithe ar mhodúil chumhachta íseal-impedance. Ar an mbealach seo, beidh an bloc feidhme forbartha in ann an fhorbairt shimplí seo a úsáid i gcóras leictreonach lánchumhachta ag brath ar riachtanais an chustaiméara in iarratas ar leith. Airteagal 25 de Rialachán (CE) Uimh. 651/2014 an 17 Meitheamh 2014 ina ndearbhaítear go bhfuil catagóirí áirithe cabhrach comhoiriúnach leis an margadh inmheánach i gcur i bhfeidhm Airteagail 107 agus 108 den Chonradh Sin é. AE L 187/1 an 26.6.2014) (Irish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Soláthraíonn an teicneolaíocht atá ag fás go tapa ar ionstraimí leathsheoltóra chomhdhúile sileacain (SiC) eilimintí le voltais níos airde agus sruthanna rátáilte. Faoi láthair, is féidir córais leictreonacha cumhachta a thógáil le haghaidh cumhacht roinnt dosaen-roinnt céad kW ag baint úsáide as trasraitheoirí agus dé-óidí cumhachta le voltais aschuir 1200V agus 1700V ar fáil ar an margadh. Tá na heilimintí seo mar chuid de mhodúil chumhachta a bhfuil a dteicneolaíocht ar aon dul leis an teicneolaíocht a úsáidtear le haghaidh trasraitheoirí sileacain IGBT agus tá ionduchtais shuntasacha seadánacha acu. Dá bhrí sin, ní féidir airíonna dinimiciúla den scoth na gcomhpháirteanna SiC a shaothrú go hiomlán faoi láthair, is gá modúil chumhachta íseal-impedance a thabhairt isteach le haghaidh comhpháirteanna SiC ar an margadh. Ina theannta sin, is gá freisin rialaitheoirí geata cuí, ciorcaid chumhachta a fhorbairt, chomh maith le hionduchtú íseal chomh maith le córais fuaraithe iomchuí. Dá bhrí sin, is é aidhm an tionscadail bloc uilíoch feidhme leictreonach cumhachta/bloc cumhachta feidhmiúil (FBM) a fhorbairt agus a chur chun feidhme, ar cuid de chórais leictreonacha chumhachta chaighdeánacha (inverter droichead, inverter trí phas, inverter il-leibhéil) é bunaithe ar mhodúil chumhachta íseal-impedance. Ar an mbealach seo, beidh an bloc feidhme forbartha in ann an fhorbairt shimplí seo a úsáid i gcóras leictreonach lánchumhachta ag brath ar riachtanais an chustaiméara in iarratas ar leith. Airteagal 25 de Rialachán (CE) Uimh. 651/2014 an 17 Meitheamh 2014 ina ndearbhaítear go bhfuil catagóirí áirithe cabhrach comhoiriúnach leis an margadh inmheánach i gcur i bhfeidhm Airteagail 107 agus 108 den Chonradh Sin é. AE L 187/1 an 26.6.2014) (Irish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Hitro rastoča tehnologija polprevodniških instrumentov silicijevega karbida (SiC) zagotavlja elemente z vedno višjimi napetostmi in nazivnimi tokovi. Trenutno je mogoče zgraditi močne elektronske sisteme za moč več ducat-več sto kW z uporabo tranzistorjev in močnih diod z izhodnimi napetostmi 1200V in 1700V, ki so na voljo na trgu. Ti elementi so del elektroenergijskih modulov, katerih tehnologija je podobna tisti, ki se uporablja za silikonske tranzistorje IGBT, in ima pomembne parazitske induktivnosti. Zato trenutno ni mogoče v celoti izkoristiti odličnih dinamičnih lastnosti komponent SiC, na trgu je treba uvesti nizko impedance za komponente SiC. Poleg tega je treba razviti tudi ustrezne krmilnike vrat, napajalne tokokroge, tudi z nizko induktivnostjo in ustreznimi hladilnimi sistemi. Zato je cilj projekta razvoj in izvajanje univerzalnega elektronskega funkcionalnega bloka/funkcionalnega bloka (FBM), ki je sestavni del standardnih močnostnih elektronskih sistemov (mostovni inverter, trifazni pretvornik, večstopenjski inverter), ki temelji na modulih z nizko impedanco. Na ta način bo razvit funkcionalni blok lahko uporabil ta preprost razvoj v elektronski sistem polne moči, odvisno od potreb stranke v dani aplikaciji. Člen 25 Uredbe (ES) št. 651/2014 z dne 17. junija 2014 o razglasitvi nekaterih vrst pomoči za združljive z notranjim trgom pri uporabi členov 107 in 108 Pogodbe To je vse. EU L 187/1, 26.6.2014) (Slovenian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Hitro rastoča tehnologija polprevodniških instrumentov silicijevega karbida (SiC) zagotavlja elemente z vedno višjimi napetostmi in nazivnimi tokovi. Trenutno je mogoče zgraditi močne elektronske sisteme za moč več ducat-več sto kW z uporabo tranzistorjev in močnih diod z izhodnimi napetostmi 1200V in 1700V, ki so na voljo na trgu. Ti elementi so del elektroenergijskih modulov, katerih tehnologija je podobna tisti, ki se uporablja za silikonske tranzistorje IGBT, in ima pomembne parazitske induktivnosti. Zato trenutno ni mogoče v celoti izkoristiti odličnih dinamičnih lastnosti komponent SiC, na trgu je treba uvesti nizko impedance za komponente SiC. Poleg tega je treba razviti tudi ustrezne krmilnike vrat, napajalne tokokroge, tudi z nizko induktivnostjo in ustreznimi hladilnimi sistemi. Zato je cilj projekta razvoj in izvajanje univerzalnega elektronskega funkcionalnega bloka/funkcionalnega bloka (FBM), ki je sestavni del standardnih močnostnih elektronskih sistemov (mostovni inverter, trifazni pretvornik, večstopenjski inverter), ki temelji na modulih z nizko impedanco. Na ta način bo razvit funkcionalni blok lahko uporabil ta preprost razvoj v elektronski sistem polne moči, odvisno od potreb stranke v dani aplikaciji. Člen 25 Uredbe (ES) št. 651/2014 z dne 17. junija 2014 o razglasitvi nekaterih vrst pomoči za združljive z notranjim trgom pri uporabi členov 107 in 108 Pogodbe To je vse. EU L 187/1, 26.6.2014) (Slovenian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Hitro rastoča tehnologija polprevodniških instrumentov silicijevega karbida (SiC) zagotavlja elemente z vedno višjimi napetostmi in nazivnimi tokovi. Trenutno je mogoče zgraditi močne elektronske sisteme za moč več ducat-več sto kW z uporabo tranzistorjev in močnih diod z izhodnimi napetostmi 1200V in 1700V, ki so na voljo na trgu. Ti elementi so del elektroenergijskih modulov, katerih tehnologija je podobna tisti, ki se uporablja za silikonske tranzistorje IGBT, in ima pomembne parazitske induktivnosti. Zato trenutno ni mogoče v celoti izkoristiti odličnih dinamičnih lastnosti komponent SiC, na trgu je treba uvesti nizko impedance za komponente SiC. Poleg tega je treba razviti tudi ustrezne krmilnike vrat, napajalne tokokroge, tudi z nizko induktivnostjo in ustreznimi hladilnimi sistemi. Zato je cilj projekta razvoj in izvajanje univerzalnega elektronskega funkcionalnega bloka/funkcionalnega bloka (FBM), ki je sestavni del standardnih močnostnih elektronskih sistemov (mostovni inverter, trifazni pretvornik, večstopenjski inverter), ki temelji na modulih z nizko impedanco. Na ta način bo razvit funkcionalni blok lahko uporabil ta preprost razvoj v elektronski sistem polne moči, odvisno od potreb stranke v dani aplikaciji. Člen 25 Uredbe (ES) št. 651/2014 z dne 17. junija 2014 o razglasitvi nekaterih vrst pomoči za združljive z notranjim trgom pri uporabi členov 107 in 108 Pogodbe To je vse. EU L 187/1, 26.6.2014) (Slovenian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Бързоразвиващата се технология на силициев карбид (SiC) полупроводникови инструменти осигурява елементи с все по-високо напрежение и номинален ток. В момента е възможно да се изградят силови електронни системи за мощност от няколко десетки няколкостотин kW с помощта на транзистори и силови диоди с изходни напрежения от 1200V и 1700V, налични на пазара. Тези елементи са част от силови модули, чиято технология е аналогична на тази, използвана за IGBT силициеви транзистори и има значителни паразитни индуктивност. Ето защо понастоящем не е възможно да се използват напълно отличните динамични свойства на компонентите на SiC, е необходимо на пазара да се въведат модули с нисък импеданс за компонентите на SiC. В допълнение, също така е необходимо да се разработят подходящи контролери на изхода, силови вериги, също с ниска индуктивност, както и подходящи системи за охлаждане. Ето защо, целта на проекта е да се разработи и внедри универсален силов електронен функционален блок/функционален силов блок (FBM), който е компонент на стандартните силови електронни системи (мостов инвертор, трифазен инвертор, многостепенен инвертор), базиран на енергийни модули с нисък импеданс. По този начин разработеният функционален блок ще може да използва тази проста разработка в електронна система с пълна мощност в зависимост от нуждите на клиента в дадено приложение. Член 25 от Регламент (ЕО) № 651/2014 от 17 юни 2014 г. за обявяване на някои категории помощи за съвместими с вътрешния пазар в приложение на членове 107 и 108 от Договора Това е всичко. EU L 187/1 от 26.6.2014 г.) (Bulgarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Бързоразвиващата се технология на силициев карбид (SiC) полупроводникови инструменти осигурява елементи с все по-високо напрежение и номинален ток. В момента е възможно да се изградят силови електронни системи за мощност от няколко десетки няколкостотин kW с помощта на транзистори и силови диоди с изходни напрежения от 1200V и 1700V, налични на пазара. Тези елементи са част от силови модули, чиято технология е аналогична на тази, използвана за IGBT силициеви транзистори и има значителни паразитни индуктивност. Ето защо понастоящем не е възможно да се използват напълно отличните динамични свойства на компонентите на SiC, е необходимо на пазара да се въведат модули с нисък импеданс за компонентите на SiC. В допълнение, също така е необходимо да се разработят подходящи контролери на изхода, силови вериги, също с ниска индуктивност, както и подходящи системи за охлаждане. Ето защо, целта на проекта е да се разработи и внедри универсален силов електронен функционален блок/функционален силов блок (FBM), който е компонент на стандартните силови електронни системи (мостов инвертор, трифазен инвертор, многостепенен инвертор), базиран на енергийни модули с нисък импеданс. По този начин разработеният функционален блок ще може да използва тази проста разработка в електронна система с пълна мощност в зависимост от нуждите на клиента в дадено приложение. Член 25 от Регламент (ЕО) № 651/2014 от 17 юни 2014 г. за обявяване на някои категории помощи за съвместими с вътрешния пазар в приложение на членове 107 и 108 от Договора Това е всичко. EU L 187/1 от 26.6.2014 г.) (Bulgarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Бързоразвиващата се технология на силициев карбид (SiC) полупроводникови инструменти осигурява елементи с все по-високо напрежение и номинален ток. В момента е възможно да се изградят силови електронни системи за мощност от няколко десетки няколкостотин kW с помощта на транзистори и силови диоди с изходни напрежения от 1200V и 1700V, налични на пазара. Тези елементи са част от силови модули, чиято технология е аналогична на тази, използвана за IGBT силициеви транзистори и има значителни паразитни индуктивност. Ето защо понастоящем не е възможно да се използват напълно отличните динамични свойства на компонентите на SiC, е необходимо на пазара да се въведат модули с нисък импеданс за компонентите на SiC. В допълнение, също така е необходимо да се разработят подходящи контролери на изхода, силови вериги, също с ниска индуктивност, както и подходящи системи за охлаждане. Ето защо, целта на проекта е да се разработи и внедри универсален силов електронен функционален блок/функционален силов блок (FBM), който е компонент на стандартните силови електронни системи (мостов инвертор, трифазен инвертор, многостепенен инвертор), базиран на енергийни модули с нисък импеданс. По този начин разработеният функционален блок ще може да използва тази проста разработка в електронна система с пълна мощност в зависимост от нуждите на клиента в дадено приложение. Член 25 от Регламент (ЕО) № 651/2014 от 17 юни 2014 г. за обявяване на някои категории помощи за съвместими с вътрешния пазар в приложение на членове 107 и 108 от Договора Това е всичко. EU L 187/1 от 26.6.2014 г.) (Bulgarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
It-teknoloġija li qed tikber malajr ta ‘strumenti ta’ enerġija semikondutturi tal-karbur tas-silikon (SiC) tipprovdi elementi b’vultaġġi dejjem ogħla u kurrenti nominali. Bħalissa, huwa possibbli li jinbnew sistemi elettroniċi tal-enerġija għall-enerġija ta’ diversi tużżana mitt kW li jużaw transisters u dijodi tal-enerġija b’vultaġġi tal-output ta’ 1200V u 1700V disponibbli fis-suq. Dawn l-elementi huma parti minn moduli tal-enerġija li t-teknoloġija tagħhom hija analoga għal dik użata għat-transisters tas-siliċju IGBT u għandha inductances parasitiċi sinifikanti. Għalhekk, bħalissa mhuwiex possibbli li jiġu sfruttati bis-sħiħ il-proprjetajiet dinamiċi eċċellenti tal-komponenti tas-SiC, huwa meħtieġ li jiġu introdotti moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa għall-komponenti tas-SiC fis-suq. Barra minn hekk, huwa meħtieġ ukoll li jiġu żviluppati kontrolluri tal-gate xierqa, ċirkwiti tal-enerġija, anke b’induttanza baxxa kif ukoll sistemi ta’ tkessiħ xierqa. Għalhekk, l-għan tal-proġett huwa li jiżviluppa u jimplimenta blokk funzjonali funzjonali tal-potenza universali/blokk funzjonali tal-potenza (FBM), li huwa komponent tas-sistemi elettroniċi tal-enerġija standard (bridge inverter, inverter bi tliet fażijiet, invertitur b’diversi livelli) ibbażat fuq moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa. B’dan il-mod, il-blokk funzjonali żviluppat se jkun jista’ juża dan l-iżvilupp sempliċi f’sistema elettronika tal-enerġija sħiħa skont il-ħtiġijiet tal-klijent f’applikazzjoni partikolari. L-Artikolu 25 tar-Regolament (KE) Nru 651/2014 tas-17 ta’ Ġunju 2014 li jiddikjara ċerti kategoriji ta’ għajnuna bħala kompatibbli mas-suq intern skont l-Artikoli 107 u 108 tat-Trattat Li huwa. UE L 187/1 tas-26.6.2014) (Maltese) | |||||||||||||||
| Property / summary: It-teknoloġija li qed tikber malajr ta ‘strumenti ta’ enerġija semikondutturi tal-karbur tas-silikon (SiC) tipprovdi elementi b’vultaġġi dejjem ogħla u kurrenti nominali. Bħalissa, huwa possibbli li jinbnew sistemi elettroniċi tal-enerġija għall-enerġija ta’ diversi tużżana mitt kW li jużaw transisters u dijodi tal-enerġija b’vultaġġi tal-output ta’ 1200V u 1700V disponibbli fis-suq. Dawn l-elementi huma parti minn moduli tal-enerġija li t-teknoloġija tagħhom hija analoga għal dik użata għat-transisters tas-siliċju IGBT u għandha inductances parasitiċi sinifikanti. Għalhekk, bħalissa mhuwiex possibbli li jiġu sfruttati bis-sħiħ il-proprjetajiet dinamiċi eċċellenti tal-komponenti tas-SiC, huwa meħtieġ li jiġu introdotti moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa għall-komponenti tas-SiC fis-suq. Barra minn hekk, huwa meħtieġ ukoll li jiġu żviluppati kontrolluri tal-gate xierqa, ċirkwiti tal-enerġija, anke b’induttanza baxxa kif ukoll sistemi ta’ tkessiħ xierqa. Għalhekk, l-għan tal-proġett huwa li jiżviluppa u jimplimenta blokk funzjonali funzjonali tal-potenza universali/blokk funzjonali tal-potenza (FBM), li huwa komponent tas-sistemi elettroniċi tal-enerġija standard (bridge inverter, inverter bi tliet fażijiet, invertitur b’diversi livelli) ibbażat fuq moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa. B’dan il-mod, il-blokk funzjonali żviluppat se jkun jista’ juża dan l-iżvilupp sempliċi f’sistema elettronika tal-enerġija sħiħa skont il-ħtiġijiet tal-klijent f’applikazzjoni partikolari. L-Artikolu 25 tar-Regolament (KE) Nru 651/2014 tas-17 ta’ Ġunju 2014 li jiddikjara ċerti kategoriji ta’ għajnuna bħala kompatibbli mas-suq intern skont l-Artikoli 107 u 108 tat-Trattat Li huwa. UE L 187/1 tas-26.6.2014) (Maltese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: It-teknoloġija li qed tikber malajr ta ‘strumenti ta’ enerġija semikondutturi tal-karbur tas-silikon (SiC) tipprovdi elementi b’vultaġġi dejjem ogħla u kurrenti nominali. Bħalissa, huwa possibbli li jinbnew sistemi elettroniċi tal-enerġija għall-enerġija ta’ diversi tużżana mitt kW li jużaw transisters u dijodi tal-enerġija b’vultaġġi tal-output ta’ 1200V u 1700V disponibbli fis-suq. Dawn l-elementi huma parti minn moduli tal-enerġija li t-teknoloġija tagħhom hija analoga għal dik użata għat-transisters tas-siliċju IGBT u għandha inductances parasitiċi sinifikanti. Għalhekk, bħalissa mhuwiex possibbli li jiġu sfruttati bis-sħiħ il-proprjetajiet dinamiċi eċċellenti tal-komponenti tas-SiC, huwa meħtieġ li jiġu introdotti moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa għall-komponenti tas-SiC fis-suq. Barra minn hekk, huwa meħtieġ ukoll li jiġu żviluppati kontrolluri tal-gate xierqa, ċirkwiti tal-enerġija, anke b’induttanza baxxa kif ukoll sistemi ta’ tkessiħ xierqa. Għalhekk, l-għan tal-proġett huwa li jiżviluppa u jimplimenta blokk funzjonali funzjonali tal-potenza universali/blokk funzjonali tal-potenza (FBM), li huwa komponent tas-sistemi elettroniċi tal-enerġija standard (bridge inverter, inverter bi tliet fażijiet, invertitur b’diversi livelli) ibbażat fuq moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa. B’dan il-mod, il-blokk funzjonali żviluppat se jkun jista’ juża dan l-iżvilupp sempliċi f’sistema elettronika tal-enerġija sħiħa skont il-ħtiġijiet tal-klijent f’applikazzjoni partikolari. L-Artikolu 25 tar-Regolament (KE) Nru 651/2014 tas-17 ta’ Ġunju 2014 li jiddikjara ċerti kategoriji ta’ għajnuna bħala kompatibbli mas-suq intern skont l-Artikoli 107 u 108 tat-Trattat Li huwa. UE L 187/1 tas-26.6.2014) (Maltese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A tecnologia de potência de carboneto de silício (SiC) semicondutor de rápido crescimento fornece tensões cada vez mais altas e correntes nominais. Agora é possível construir sistemas eletrônicos de energia para potência de várias dezenas de centenas de kW usando transístores e díodos de potência com tensões de sobretensão de 1200V e 1700V disponíveis no mercado. Estes elementos fazem parte de módulos de potência cuja tecnologia é análoga à utilizada para os transístores de silício IGBT e tem induções parasitárias significativas. Portanto, atualmente não é possível explorar plenamente as excelentes propriedades dinâmicas dos elementos SiC, é necessário entrar no mercado com módulos de potência de baixa impedância projetados para elementos SiC. Além disso, também é necessário desenvolver controladores de porta apropriados, circuitos de potência, também com baixa indução e sistemas de arrefecimento adequados. Por conseguinte, o objetivo do projeto é desenvolver e implementar para a produção de um bloco de energia universal eletrónico funcional/funcional (FBM), que é um subconjunto de sistemas energéticos normalizados (onda de ponte, inversor trifásico, inversor multinível) com base em módulos de potência de baixo impacto. Desta forma, o bloco funcional poderá utilizar esta simples evolução para um sistema totalmente eletrónico do ponto de vista energético, em função das necessidades do cliente na aplicação. Artigo 25.o do Regulamento (CE) n.o 651/2014, de 17 de junho de 2014, que declara certos tipos de auxílio compatíveis com o mercado interno, em aplicação dos artigos 107.o e 108.o do Tratado (JO L UE L 187/1 de 26.6.2014) (Portuguese) | |||||||||||||||
| Property / summary: A tecnologia de potência de carboneto de silício (SiC) semicondutor de rápido crescimento fornece tensões cada vez mais altas e correntes nominais. Agora é possível construir sistemas eletrônicos de energia para potência de várias dezenas de centenas de kW usando transístores e díodos de potência com tensões de sobretensão de 1200V e 1700V disponíveis no mercado. Estes elementos fazem parte de módulos de potência cuja tecnologia é análoga à utilizada para os transístores de silício IGBT e tem induções parasitárias significativas. Portanto, atualmente não é possível explorar plenamente as excelentes propriedades dinâmicas dos elementos SiC, é necessário entrar no mercado com módulos de potência de baixa impedância projetados para elementos SiC. Além disso, também é necessário desenvolver controladores de porta apropriados, circuitos de potência, também com baixa indução e sistemas de arrefecimento adequados. Por conseguinte, o objetivo do projeto é desenvolver e implementar para a produção de um bloco de energia universal eletrónico funcional/funcional (FBM), que é um subconjunto de sistemas energéticos normalizados (onda de ponte, inversor trifásico, inversor multinível) com base em módulos de potência de baixo impacto. Desta forma, o bloco funcional poderá utilizar esta simples evolução para um sistema totalmente eletrónico do ponto de vista energético, em função das necessidades do cliente na aplicação. Artigo 25.o do Regulamento (CE) n.o 651/2014, de 17 de junho de 2014, que declara certos tipos de auxílio compatíveis com o mercado interno, em aplicação dos artigos 107.o e 108.o do Tratado (JO L UE L 187/1 de 26.6.2014) (Portuguese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A tecnologia de potência de carboneto de silício (SiC) semicondutor de rápido crescimento fornece tensões cada vez mais altas e correntes nominais. Agora é possível construir sistemas eletrônicos de energia para potência de várias dezenas de centenas de kW usando transístores e díodos de potência com tensões de sobretensão de 1200V e 1700V disponíveis no mercado. Estes elementos fazem parte de módulos de potência cuja tecnologia é análoga à utilizada para os transístores de silício IGBT e tem induções parasitárias significativas. Portanto, atualmente não é possível explorar plenamente as excelentes propriedades dinâmicas dos elementos SiC, é necessário entrar no mercado com módulos de potência de baixa impedância projetados para elementos SiC. Além disso, também é necessário desenvolver controladores de porta apropriados, circuitos de potência, também com baixa indução e sistemas de arrefecimento adequados. Por conseguinte, o objetivo do projeto é desenvolver e implementar para a produção de um bloco de energia universal eletrónico funcional/funcional (FBM), que é um subconjunto de sistemas energéticos normalizados (onda de ponte, inversor trifásico, inversor multinível) com base em módulos de potência de baixo impacto. Desta forma, o bloco funcional poderá utilizar esta simples evolução para um sistema totalmente eletrónico do ponto de vista energético, em função das necessidades do cliente na aplicação. Artigo 25.o do Regulamento (CE) n.o 651/2014, de 17 de junho de 2014, que declara certos tipos de auxílio compatíveis com o mercado interno, em aplicação dos artigos 107.o e 108.o do Tratado (JO L UE L 187/1 de 26.6.2014) (Portuguese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Den hurtigt voksende teknologi af siliciumcarbid (SiC) halvledereffektinstrumenter giver elementer med stadig højere spændinger og nominelle strømme. I øjeblikket er det muligt at opbygge elektriske elektroniske systemer til effekt på flere dusin-flere hundrede kW ved hjælp af transistorer og power dioder med udgangsspændinger på 1200V og 1700V tilgængelige på markedet. Disse elementer er en del af el-moduler, hvis teknologi er analog med den, der anvendes til IGBT silicium transistorer og har betydelige parasitære induktans. Derfor er det i øjeblikket ikke muligt fuldt ud at udnytte de fremragende dynamiske egenskaber ved SiC-komponenter, det er nødvendigt at indføre lavimpedans-effektmoduler til SiC-komponenter på markedet. Derudover er det også nødvendigt at udvikle passende gate controllere, strømkredse, også med lav induktans samt passende kølesystemer. Formålet med projektet er derfor at udvikle og gennemføre en universel elektronisk funktionsblok/funktionel blok (FBM), som er en del af standardelektroniksystemer (broomformer, trefaset inverter, multi-level inverter) baseret på lavimpedans-effektmoduler. På denne måde vil den udviklede funktionelle blok kunne bruge denne enkle udvikling til et fuldt el-elektronisk system afhængigt af kundens behov i en given applikation. Artikel 25 i forordning (EF) nr. 651/2014 af 17. juni 2014 om visse former for støttes forenelighed med det indre marked i henhold til traktatens artikel 107 og 108 Det er det. EU L 187/1 af 26.6.2014) (Danish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Den hurtigt voksende teknologi af siliciumcarbid (SiC) halvledereffektinstrumenter giver elementer med stadig højere spændinger og nominelle strømme. I øjeblikket er det muligt at opbygge elektriske elektroniske systemer til effekt på flere dusin-flere hundrede kW ved hjælp af transistorer og power dioder med udgangsspændinger på 1200V og 1700V tilgængelige på markedet. Disse elementer er en del af el-moduler, hvis teknologi er analog med den, der anvendes til IGBT silicium transistorer og har betydelige parasitære induktans. Derfor er det i øjeblikket ikke muligt fuldt ud at udnytte de fremragende dynamiske egenskaber ved SiC-komponenter, det er nødvendigt at indføre lavimpedans-effektmoduler til SiC-komponenter på markedet. Derudover er det også nødvendigt at udvikle passende gate controllere, strømkredse, også med lav induktans samt passende kølesystemer. Formålet med projektet er derfor at udvikle og gennemføre en universel elektronisk funktionsblok/funktionel blok (FBM), som er en del af standardelektroniksystemer (broomformer, trefaset inverter, multi-level inverter) baseret på lavimpedans-effektmoduler. På denne måde vil den udviklede funktionelle blok kunne bruge denne enkle udvikling til et fuldt el-elektronisk system afhængigt af kundens behov i en given applikation. Artikel 25 i forordning (EF) nr. 651/2014 af 17. juni 2014 om visse former for støttes forenelighed med det indre marked i henhold til traktatens artikel 107 og 108 Det er det. EU L 187/1 af 26.6.2014) (Danish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Den hurtigt voksende teknologi af siliciumcarbid (SiC) halvledereffektinstrumenter giver elementer med stadig højere spændinger og nominelle strømme. I øjeblikket er det muligt at opbygge elektriske elektroniske systemer til effekt på flere dusin-flere hundrede kW ved hjælp af transistorer og power dioder med udgangsspændinger på 1200V og 1700V tilgængelige på markedet. Disse elementer er en del af el-moduler, hvis teknologi er analog med den, der anvendes til IGBT silicium transistorer og har betydelige parasitære induktans. Derfor er det i øjeblikket ikke muligt fuldt ud at udnytte de fremragende dynamiske egenskaber ved SiC-komponenter, det er nødvendigt at indføre lavimpedans-effektmoduler til SiC-komponenter på markedet. Derudover er det også nødvendigt at udvikle passende gate controllere, strømkredse, også med lav induktans samt passende kølesystemer. Formålet med projektet er derfor at udvikle og gennemføre en universel elektronisk funktionsblok/funktionel blok (FBM), som er en del af standardelektroniksystemer (broomformer, trefaset inverter, multi-level inverter) baseret på lavimpedans-effektmoduler. På denne måde vil den udviklede funktionelle blok kunne bruge denne enkle udvikling til et fuldt el-elektronisk system afhængigt af kundens behov i en given applikation. Artikel 25 i forordning (EF) nr. 651/2014 af 17. juni 2014 om visse former for støttes forenelighed med det indre marked i henhold til traktatens artikel 107 og 108 Det er det. EU L 187/1 af 26.6.2014) (Danish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Tehnologia cu creștere rapidă a instrumentelor de putere semiconductoare din carbură de siliciu (SiC) oferă elemente cu tensiuni tot mai mari și curenți nominali. În prezent, este posibil să se construiască sisteme electronice de putere pentru puterea de câteva zeci-mai multe sute kW folosind tranzistoare și diode de putere cu tensiuni de ieșire de 1200V și 1700V disponibile pe piață. Aceste elemente fac parte din modulele de putere a căror tehnologie este similară cu cea utilizată pentru tranzistoarele de siliciu IGBT și are inductanțe parazitare semnificative. Prin urmare, în prezent nu este posibil să se exploateze pe deplin proprietățile dinamice excelente ale componentelor SiC, este necesar să se introducă pe piață module electrice cu impedanță redusă pentru componentele SiC. În plus, este, de asemenea, necesar să se dezvolte controlere de poartă adecvate, circuite de putere, de asemenea, cu inductanță scăzută, precum și sisteme de răcire adecvate. Prin urmare, scopul proiectului este de a dezvolta și implementa un bloc funcțional electronic de putere universală (FBM), care este o componentă a sistemelor electronice standard de putere (invertor de punte, invertor trifazat, invertor multi-nivel) bazat pe module de putere cu impedanță redusă. În acest fel, blocul funcțional dezvoltat va putea utiliza această simplă dezvoltare într-un sistem electronic de putere maximă, în funcție de nevoile clientului într-o anumită aplicație. Articolul 25 din Regulamentul (CE) nr. 651/2014 din 17 iunie 2014 de declarare a anumitor categorii de ajutoare compatibile cu piața internă în aplicarea articolelor 107 și 108 din tratat Asta e tot. UE L 187/1 din 26.6.2014) (Romanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Tehnologia cu creștere rapidă a instrumentelor de putere semiconductoare din carbură de siliciu (SiC) oferă elemente cu tensiuni tot mai mari și curenți nominali. În prezent, este posibil să se construiască sisteme electronice de putere pentru puterea de câteva zeci-mai multe sute kW folosind tranzistoare și diode de putere cu tensiuni de ieșire de 1200V și 1700V disponibile pe piață. Aceste elemente fac parte din modulele de putere a căror tehnologie este similară cu cea utilizată pentru tranzistoarele de siliciu IGBT și are inductanțe parazitare semnificative. Prin urmare, în prezent nu este posibil să se exploateze pe deplin proprietățile dinamice excelente ale componentelor SiC, este necesar să se introducă pe piață module electrice cu impedanță redusă pentru componentele SiC. În plus, este, de asemenea, necesar să se dezvolte controlere de poartă adecvate, circuite de putere, de asemenea, cu inductanță scăzută, precum și sisteme de răcire adecvate. Prin urmare, scopul proiectului este de a dezvolta și implementa un bloc funcțional electronic de putere universală (FBM), care este o componentă a sistemelor electronice standard de putere (invertor de punte, invertor trifazat, invertor multi-nivel) bazat pe module de putere cu impedanță redusă. În acest fel, blocul funcțional dezvoltat va putea utiliza această simplă dezvoltare într-un sistem electronic de putere maximă, în funcție de nevoile clientului într-o anumită aplicație. Articolul 25 din Regulamentul (CE) nr. 651/2014 din 17 iunie 2014 de declarare a anumitor categorii de ajutoare compatibile cu piața internă în aplicarea articolelor 107 și 108 din tratat Asta e tot. UE L 187/1 din 26.6.2014) (Romanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Tehnologia cu creștere rapidă a instrumentelor de putere semiconductoare din carbură de siliciu (SiC) oferă elemente cu tensiuni tot mai mari și curenți nominali. În prezent, este posibil să se construiască sisteme electronice de putere pentru puterea de câteva zeci-mai multe sute kW folosind tranzistoare și diode de putere cu tensiuni de ieșire de 1200V și 1700V disponibile pe piață. Aceste elemente fac parte din modulele de putere a căror tehnologie este similară cu cea utilizată pentru tranzistoarele de siliciu IGBT și are inductanțe parazitare semnificative. Prin urmare, în prezent nu este posibil să se exploateze pe deplin proprietățile dinamice excelente ale componentelor SiC, este necesar să se introducă pe piață module electrice cu impedanță redusă pentru componentele SiC. În plus, este, de asemenea, necesar să se dezvolte controlere de poartă adecvate, circuite de putere, de asemenea, cu inductanță scăzută, precum și sisteme de răcire adecvate. Prin urmare, scopul proiectului este de a dezvolta și implementa un bloc funcțional electronic de putere universală (FBM), care este o componentă a sistemelor electronice standard de putere (invertor de punte, invertor trifazat, invertor multi-nivel) bazat pe module de putere cu impedanță redusă. În acest fel, blocul funcțional dezvoltat va putea utiliza această simplă dezvoltare într-un sistem electronic de putere maximă, în funcție de nevoile clientului într-o anumită aplicație. Articolul 25 din Regulamentul (CE) nr. 651/2014 din 17 iunie 2014 de declarare a anumitor categorii de ajutoare compatibile cu piața internă în aplicarea articolelor 107 și 108 din tratat Asta e tot. UE L 187/1 din 26.6.2014) (Romanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Den snabbväxande tekniken för kiselkarbid (SiC) halvledareffektinstrument ger element med allt högre spänningar och märkströmmar. För närvarande är det möjligt att bygga kraftelektroniska system för kraften i flera dussintals hundra kW med transistorer och effektdioder med utgångsspänningar på 1200V och 1700V som finns på marknaden. Dessa element är en del av kraftmoduler vars teknik är analog med den som används för IGBT kiseltransistorer och har betydande parasitiska induktanser. Därför är det för närvarande inte möjligt att fullt ut utnyttja de utmärkta dynamiska egenskaperna hos SiC-komponenter, det är nödvändigt att införa lågimpedans kraftmoduler för SiC-komponenter på marknaden. Dessutom är det också nödvändigt att utveckla lämpliga grindregulatorer, strömkretsar, även med låg induktans samt lämpliga kylsystem. Därför är syftet med projektet att utveckla och genomföra ett universellt kraftelektroniskt funktionellt block/funktionellt kraftblock (FBM), som är en komponent i standardeffektelektroniska system (broomriktare, trefasomriktare, multi-level inverter) baserad på lågimpedans kraftmoduler. På så sätt kommer det utvecklade funktionsblocket att kunna använda denna enkla utveckling till ett komplett elektroniskt system beroende på kundens behov i en viss applikation. Artikel 25 i förordning (EG) nr 651/2014 av den 17 juni 2014 genom vilken vissa kategorier av stöd förklaras förenliga med den inre marknaden vid tillämpningen av artiklarna 107 och 108 i fördraget Det är allt. EU L 187/1 av den 26 juni 26.6.2014) (Swedish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Den snabbväxande tekniken för kiselkarbid (SiC) halvledareffektinstrument ger element med allt högre spänningar och märkströmmar. För närvarande är det möjligt att bygga kraftelektroniska system för kraften i flera dussintals hundra kW med transistorer och effektdioder med utgångsspänningar på 1200V och 1700V som finns på marknaden. Dessa element är en del av kraftmoduler vars teknik är analog med den som används för IGBT kiseltransistorer och har betydande parasitiska induktanser. Därför är det för närvarande inte möjligt att fullt ut utnyttja de utmärkta dynamiska egenskaperna hos SiC-komponenter, det är nödvändigt att införa lågimpedans kraftmoduler för SiC-komponenter på marknaden. Dessutom är det också nödvändigt att utveckla lämpliga grindregulatorer, strömkretsar, även med låg induktans samt lämpliga kylsystem. Därför är syftet med projektet att utveckla och genomföra ett universellt kraftelektroniskt funktionellt block/funktionellt kraftblock (FBM), som är en komponent i standardeffektelektroniska system (broomriktare, trefasomriktare, multi-level inverter) baserad på lågimpedans kraftmoduler. På så sätt kommer det utvecklade funktionsblocket att kunna använda denna enkla utveckling till ett komplett elektroniskt system beroende på kundens behov i en viss applikation. Artikel 25 i förordning (EG) nr 651/2014 av den 17 juni 2014 genom vilken vissa kategorier av stöd förklaras förenliga med den inre marknaden vid tillämpningen av artiklarna 107 och 108 i fördraget Det är allt. EU L 187/1 av den 26 juni 26.6.2014) (Swedish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Den snabbväxande tekniken för kiselkarbid (SiC) halvledareffektinstrument ger element med allt högre spänningar och märkströmmar. För närvarande är det möjligt att bygga kraftelektroniska system för kraften i flera dussintals hundra kW med transistorer och effektdioder med utgångsspänningar på 1200V och 1700V som finns på marknaden. Dessa element är en del av kraftmoduler vars teknik är analog med den som används för IGBT kiseltransistorer och har betydande parasitiska induktanser. Därför är det för närvarande inte möjligt att fullt ut utnyttja de utmärkta dynamiska egenskaperna hos SiC-komponenter, det är nödvändigt att införa lågimpedans kraftmoduler för SiC-komponenter på marknaden. Dessutom är det också nödvändigt att utveckla lämpliga grindregulatorer, strömkretsar, även med låg induktans samt lämpliga kylsystem. Därför är syftet med projektet att utveckla och genomföra ett universellt kraftelektroniskt funktionellt block/funktionellt kraftblock (FBM), som är en komponent i standardeffektelektroniska system (broomriktare, trefasomriktare, multi-level inverter) baserad på lågimpedans kraftmoduler. På så sätt kommer det utvecklade funktionsblocket att kunna använda denna enkla utveckling till ett komplett elektroniskt system beroende på kundens behov i en viss applikation. Artikel 25 i förordning (EG) nr 651/2014 av den 17 juni 2014 genom vilken vissa kategorier av stöd förklaras förenliga med den inre marknaden vid tillämpningen av artiklarna 107 och 108 i fördraget Det är allt. EU L 187/1 av den 26 juni 26.6.2014) (Swedish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E / qualifier | |||||||||||||||
| Property / programme | |||||||||||||||
| Property / programme: Smart growth - PL - ERDF / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / fund | |||||||||||||||
| Property / fund: European Regional Development Fund / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / beneficiary | |||||||||||||||
| Property / beneficiary: Q2510648 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Warszawski zachodni / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Warszawski zachodni / qualifier | |||||||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||||||
WOJ.: MAZOWIECKIE, POW.: piaseczyński | |||||||||||||||
| Property / location (string): WOJ.: MAZOWIECKIE, POW.: piaseczyński / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / priority axis | |||||||||||||||
| Property / priority axis: SUPPORT FOR R & D WORK BY ENTERPRISES / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
73.78 percent
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 73.78 percent / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / thematic objective | |||||||||||||||
| Property / thematic objective: Research and innovation / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / date of last update | |||||||||||||||
24 May 2023
| |||||||||||||||
| Property / date of last update: 24 May 2023 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
Latest revision as of 21:43, 12 October 2024
Project Q78761 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Energy-electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power devices |
Project Q78761 in Poland |
Statements
2,102,287.62 zloty
0 references
2,849,316.73 zloty
0 references
73.78 percent
0 references
1 June 2016
0 references
30 April 2018
0 references
MARKEL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ
0 references
Rozwijająca się w szybkim tempie technologia półprzewodnikowych przyrządów mocy z węglika krzemu (SiC) dostarcza elementów o coraz to wyższych napięciach i prądach znamionowych. Obecnie możliwe jest budowanie układów energoelektronicznych na moce rzędu kilkudziesięciu-kilkuset kW przy użyciu dostępnych na rynku tranzystorów i diod mocy o napięciach przebicia 1200V i 1700V. Elementy te wchodzą w skład modułów mocy, których technologia jest analogiczna z tą stosowaną w przypadku krzemowych tranzystorów IGBT i cechuje się znaczącymi indukcyjnościami pasożytniczymi. Dlatego obecnie nie jest możliwe pełne wykorzystanie doskonałych właściwości dynamicznych elementów SiC, konieczne jest pojawienie się na rynku niskoimpedancyjnych modułów mocy przeznaczonych dla elementów SiC. Ponadto niezbędne jest także opracowanie odpowiednich sterowników bramkowych, obwodów mocy, także o niskiej indukcyjności a także właściwych systemów chłodzenia. Dlatego celem projektu jest opracowanie i wdrożenie do produkcji uniwersalnego energoelektronicznego bloku funkcjonalnego/ funkcjonalnego bloku mocy (FBM), który jest podzespołem standardowych układów energoelektronicznych (falownik mostkowy, falownik trójfazowy, falownik wielopoziomowy) na bazie niskoimpedancyjnych modułów mocy. W ten sposób opracowany blok funkcjonalny będzie mógł być użyty to prostego rozwinięcia w pełny układ energoelektroniczny w zależności od potrzeb klienta w danej aplikacji. Art. 25 rozporządzenia KE nr 651/2014 z dnia 17 czerwca 2014 r. uznające niektóre rodzaje pomocy za zgodne z rynkiem wewnętrznym w stosowaniu art. 107 i 108 Traktatu (Dz. Urz. UE L 187/1 z 26.06.2014) (Polish)
0 references
The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English)
14 October 2020
0.3865577364368664
0 references
La technologie à croissance rapide des instruments de puissance semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) fournit des éléments avec des tensions toujours plus élevées et des courants nominales. Actuellement, il est possible de construire des systèmes électroniques de puissance pour la puissance de plusieurs dizaines de centaines de kW en utilisant des transistors et des diodes de puissance avec des tensions de sortie de 1200V et 1700V disponibles sur le marché. Ces éléments font partie de modules de puissance dont la technologie est analogue à celle utilisée pour les transistors de silicium IGBT et présente d’importantes inductances parasitaires. Par conséquent, il n’est actuellement pas possible d’exploiter pleinement les excellentes propriétés dynamiques des composants SiC, il est nécessaire d’introduire des modules de puissance à faible impédance pour les composants SiC sur le marché. En outre, il est également nécessaire de développer des contrôleurs de porte appropriés, des circuits de puissance, également avec une faible inductance ainsi que des systèmes de refroidissement appropriés. Par conséquent, l’objectif du projet est de développer et de mettre en œuvre un bloc de puissance fonctionnel électronique universel (FBM), qui est un composant des systèmes électroniques de puissance standard (onduleur de pont, onduleur triphasé, onduleur multiniveau) basé sur des modules de puissance à faible impédance. De cette façon, le bloc fonctionnel développé sera en mesure d’utiliser ce développement simple dans un système électronique à pleine puissance en fonction des besoins du client dans une application donnée. Article 25 du règlement (CE) no 651/2014 du 17 juin 2014 déclarant certaines catégories d’aides compatibles avec le marché intérieur dans l’application des articles 107 et 108 du traité C’est tout. UE L 187/1 du 26.6.2014) (French)
30 November 2021
0 references
Die schnell wachsende Technologie von Siliziumcarbid (SiC) Halbleiter-Leistungsinstrumenten bietet Elemente mit immer höheren Spannungen und Nennströmen. Derzeit ist es möglich, leistungselektronische Systeme für die Leistung von mehreren Dutzend-mehrere hundert kW mit Transistoren und Leistungsdioden mit Ausgangsspannungen von 1200V und 1700V auf dem Markt verfügbar zu bauen. Diese Elemente sind Teil von Leistungsmodulen, deren Technologie analog zu IGBT-Siliziumtransistoren ist und signifikante parasitäre Induktivitäten aufweist. Daher ist es derzeit nicht möglich, die hervorragenden dynamischen Eigenschaften von SiC-Komponenten voll auszuschöpfen, es ist notwendig, Leistungsmodule mit niedriger Impedanz für SiC-Komponenten auf dem Markt einzuführen. Darüber hinaus ist es notwendig, geeignete Gate-Controller, Stromkreise, auch mit geringer Induktivität sowie geeignete Kühlsysteme zu entwickeln. Ziel des Projekts ist es daher, einen universellen Leistungselektronik-Funktionsblock (FBM) zu entwickeln und zu implementieren, der eine Komponente von Standardleistungselektroniksystemen (Brückenwechselrichter, Dreiphasen-Wechselrichter, Mehrebenen-Wechselrichter) auf Basis von Leistungsmodulen mit geringer Impedanz ist. Auf diese Weise wird der entwickelte Funktionsblock in der Lage sein, diese einfache Entwicklung zu einem vollleistungselektronischen System zu nutzen, abhängig von den Bedürfnissen des Kunden in einer bestimmten Anwendung. Artikel 25 der Verordnung (EG) Nr. 651/2014 vom 17. Juni 2014 zur Feststellung der Vereinbarkeit bestimmter Gruppen von Beihilfen mit dem Binnenmarkt in Anwendung der Artikel 107 und 108 AEUV Das war’s. EU L 187/1 vom 26.6.2014) (German)
7 December 2021
0 references
De snelgroeiende technologie van siliciumcarbide (SiC) halfgeleidervermogensinstrumenten biedt elementen met steeds hogere spanningen en nominale stromen. Momenteel is het mogelijk om stroomelektronische systemen te bouwen voor het vermogen van enkele tientallen-verschillende honderden kW met behulp van transistors en vermogensdioden met uitgangsspanningen van 1200V en 1700V beschikbaar op de markt. Deze elementen maken deel uit van power modules waarvan de technologie analoog is aan die gebruikt voor IGBT silicium transistors en heeft significante parasitaire inducties. Daarom is het momenteel niet mogelijk om de uitstekende dynamische eigenschappen van SiC-componenten volledig te benutten, het is noodzakelijk om vermogensmodules met lage impedantie voor SiC-componenten op de markt te introduceren. Daarnaast is het ook noodzakelijk om geschikte poortcontrollers, stroomcircuits, ook met lage inductie en geschikte koelsystemen te ontwikkelen. Daarom is het doel van het project het ontwikkelen en implementeren van een universele power electronic functional block/functional power block (FBM), dat een onderdeel is van standaard vermogenselektronische systemen (brugomvormer, driefasige omvormer, multi-level omvormer) op basis van vermogensmodules met lage impedantie. Op deze manier zal het ontwikkelde functionele blok deze eenvoudige ontwikkeling kunnen gebruiken tot een vol vermogen elektronisch systeem, afhankelijk van de behoeften van de klant in een bepaalde toepassing. Artikel 25 van Verordening (EG) nr. 651/2014 van 17 juni 2014 waarbij bepaalde categorieën steun op grond van de artikelen 107 en 108 van het Verdrag met de interne markt verenigbaar worden verklaard Dat is het. EU L 187/1 van 26.6.2014) (Dutch)
16 December 2021
0 references
La tecnologia in rapida crescita degli strumenti di potenza a semiconduttore in carburo di silicio (SiC) fornisce elementi con tensioni e correnti nominali sempre più elevate. Attualmente, è possibile costruire sistemi elettronici di potenza per la potenza di diverse decine di centinaia di kW utilizzando transistor e diodi di potenza con tensioni di uscita di 1200V e 1700V disponibili sul mercato. Questi elementi fanno parte di moduli di potenza la cui tecnologia è analoga a quella utilizzata per i transistor al silicio IGBT e presenta significative induttanze parassitarie. Pertanto, attualmente non è possibile sfruttare appieno le eccellenti proprietà dinamiche dei componenti SiC, è necessario introdurre sul mercato moduli di potenza a bassa impedenza per componenti SiC. Inoltre, è anche necessario sviluppare appositi controller gate, circuiti di potenza, anche con bassa induttanza e sistemi di raffreddamento appropriati. Pertanto, l'obiettivo del progetto è quello di sviluppare e implementare un blocco funzionale elettronico di potenza universale/blocco funzionale (FBM), che è un componente di sistemi elettronici di potenza standard (invertitore a ponte, inverter trifase, inverter multilivello) basato su moduli di potenza a bassa impedenza. In questo modo, il blocco funzionale sviluppato sarà in grado di utilizzare questo semplice sviluppo in un sistema elettronico a piena potenza a seconda delle esigenze del cliente in una determinata applicazione. Articolo 25 del regolamento (CE) n. 651/2014, del 17 giugno 2014, che dichiara talune categorie di aiuti compatibili con il mercato interno nell'applicazione degli articoli 107 e 108 del trattato È tutto qui. UE L 187/1 del 26.6.2014) (Italian)
15 January 2022
0 references
La tecnología de rápido crecimiento de los instrumentos de potencia de semiconductores de carburo de silicio (SiC) proporciona elementos con voltajes cada vez más altos y corrientes nominales. Actualmente, es posible construir sistemas electrónicos de potencia para la potencia de varias docenas de cientos de kW utilizando transistores y diodos de potencia con voltajes de salida de 1200V y 1700V disponibles en el mercado. Estos elementos forman parte de módulos de potencia cuya tecnología es análoga a la utilizada para los transistores de silicio IGBT y tiene importantes inductancias parasitarias. Por lo tanto, actualmente no es posible explotar plenamente las excelentes propiedades dinámicas de los componentes SiC, es necesario introducir módulos de potencia de baja impedancia para componentes SiC en el mercado. Además, también es necesario desarrollar controladores de compuerta adecuados, circuitos de potencia, también con baja inductancia, así como sistemas de refrigeración apropiados. Por lo tanto, el objetivo del proyecto es desarrollar e implementar un bloque funcional electrónico de potencia universal/bloque de potencia funcional (FBM), que es un componente de los sistemas electrónicos de potencia estándar (inversor de puente, inversor trifásico, inversor multinivel) basado en módulos de potencia de baja impedancia. De esta manera, el bloque funcional desarrollado podrá utilizar este simple desarrollo en un sistema electrónico de potencia completa dependiendo de las necesidades del cliente en una aplicación determinada. Artículo 25 del Reglamento (CE) n.º 651/2014, de 17 de junio de 2014, por el que se declaran determinadas categorías de ayudas compatibles con el mercado interior en la aplicación de los artículos 107 y 108 del Tratado Eso es todo. UE L 187/1 de 26.6.2014) (Spanish)
19 January 2022
0 references
Ränikarbiidi (SiC) pooljuhtseadmete kiiresti kasvav tehnoloogia pakub elemente, millel on üha kõrgem pinge ja nimivool. Praegu on võimalik ehitada jõuelektroonilisi süsteeme mitme tosinada kW võimsusega transistoride ja võimsusdioodidega, mille väljundpinge on 1200V ja 1700V. Need elemendid on osa jõumoodulitest, mille tehnoloogia on analoogne IGBT ränitransistorite tehnoloogiaga ja millel on märkimisväärsed parasiitsed induktiivsused. Seetõttu ei ole praegu võimalik täielikult ära kasutada ränikarbiidi komponentide suurepäraseid dünaamilisi omadusi, on vaja turule tuua vähese takistusega jõumoodulid ränikarbiidi komponentide jaoks. Lisaks on vaja välja töötada ka sobivad lüüsikontrollerid, toiteahelad, samuti madala induktiivsusega ja sobivad jahutussüsteemid. Seetõttu on projekti eesmärk arendada ja rakendada universaalset elektroonilist funktsionaalset blokki/funktsionaalset toiteplokki (FBM), mis on standardsete elektrooniliste jõusüsteemide (silla inverter, kolmefaasiline inverter, mitmetasandiline inverter) komponent, mis põhineb väikese takistusega toitemoodulitel. Sel viisil saab välja töötatud funktsionaalne plokk kasutada seda lihtsat arendust täisvõimsusega elektrooniliseks süsteemiks, sõltuvalt kliendi vajadustest antud rakenduses. Euroopa Liidu toimimise lepingu artiklite 107 ja 108 kohaldamise kohta 17. juuni 2014. aasta määruse (EL) nr 651/2014 (millega teatavat liiki abi tunnistatakse siseturuga kokkusobivaks) artikkel 25 See on kõik. EL L 187/1, 26.6.2014) (Estonian)
13 August 2022
0 references
Sparčiai auganti silicio karbido (SiC) puslaidininkių galios instrumentų technologija suteikia elementams vis aukštesnę įtampą ir vardines sroves. Šiuo metu galima sukurti galios elektronines sistemas, skirtas kelių dešimčių kelių šimtų kW galiai, naudojant tranzistorius ir galios diodus, kurių išėjimo įtampa yra 1200V ir 1700V. Šie elementai yra dalis galios modulių, kurių technologija yra analogiška IGBT silicio tranzistoriams ir turi didelį parazitinį induktyvumą. Todėl šiuo metu neįmanoma visiškai išnaudoti puikių dinamiškų SiC komponentų savybių, todėl rinkoje būtina įdiegti mažos varžos galios modulius SiC komponentams. Be to, taip pat būtina sukurti tinkamus vartų valdiklius, galios grandines, taip pat mažo induktyvumo ir atitinkamas aušinimo sistemas. Todėl projekto tikslas – sukurti ir įgyvendinti universalų galios elektroninį funkcinį bloką/funkcinį galios bloką (FBM), kuris yra standartinių galios elektroninių sistemų (tiltų keitiklio, trifazio inverterio, daugiapakopio inverterio) komponentas, pagrįstas mažos varžos galios moduliais. Tokiu būdu sukurtas funkcinis blokas galės naudoti šią paprastą plėtrą į pilnos galios elektroninę sistemą, priklausomai nuo kliento poreikių konkrečioje programoje. 2014 m. birželio 17 d. Reglamento (EB) Nr. 651/2014, kuriuo tam tikrų kategorijų pagalba skelbiama suderinama su vidaus rinka taikant Sutarties 107 ir 108 straipsnius, 25 straipsnis Štai ir viskas. EU L 187/1, 2014 6 26) (Lithuanian)
13 August 2022
0 references
Brzorastuća tehnologija poluvodičkih instrumenata silicijeva karbida (SiC) pruža elemente sa sve većim naponima i nazivnim strujama. Trenutno je moguće izgraditi električne elektroničke sustave za snagu nekoliko desetaka-nekoliko stotina kW pomoću tranzistora i dioda snage s izlaznim naponima od 1200V i 1700V dostupnih na tržištu. Ovi elementi su dio električnih modula čija je tehnologija analogna onoj koja se koristi za IGBT silicijske tranzistora i ima značajne parazitske induktivnosti. Stoga trenutno nije moguće u potpunosti iskoristiti izvrsna dinamička svojstva SiC komponenti, potrebno je uvesti module snage niske impedancije za SiC komponente na tržištu. Osim toga, također je potrebno razviti odgovarajuće kontrolere, strujne krugove, također s niskom induktivnošću, kao i odgovarajuće sustave hlađenja. Stoga je cilj projekta razviti i implementirati univerzalni elektronički funkcionalni blok/funkcionalni blok napajanja (FBM), koji je sastavni dio standardnih energetskih elektroničkih sustava (inverter mostova, trofazni pretvarač, višerazinski pretvarač) na temelju modula snage niske impedancije. Na taj će način razvijeni funkcionalni blok moći koristiti ovaj jednostavan razvoj u elektronički sustav pune snage ovisno o potrebama kupca u određenoj aplikaciji. Članak 25. Uredbe (EZ) br. 651/2014 od 17. lipnja 2014. o ocjenjivanju određenih kategorija potpora spojivima s unutarnjim tržištem u primjeni članaka 107. i 108. Ugovora To je sve. EU L 187/1 od 26.6.2014.) (Croatian)
13 August 2022
0 references
Η ταχέως αναπτυσσόμενη τεχνολογία των οργάνων ισχύος ημιαγωγών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) παρέχει στοιχεία με όλο και υψηλότερες τάσεις και εκτιμημένα ρεύματα. Επί του παρόντος, είναι δυνατή η κατασκευή ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος για την ισχύ αρκετών δεκάδων εκατοντάδων kW χρησιμοποιώντας τρανζίστορ και δίοδο ισχύος με τάσεις εξόδου 1200V και 1700V διαθέσιμες στην αγορά. Αυτά τα στοιχεία αποτελούν μέρος μονάδων ισχύος των οποίων η τεχνολογία είναι ανάλογη με εκείνη που χρησιμοποιείται για τα τρανζίστορ πυριτίου IGBT και έχει σημαντικές παρασιτικές επαγωγές. Ως εκ τούτου, επί του παρόντος δεν είναι δυνατόν να αξιοποιηθούν πλήρως οι εξαιρετικές δυναμικές ιδιότητες των εξαρτημάτων SiC, είναι απαραίτητο να εισαχθούν στην αγορά μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης για τα εξαρτήματα SiC. Επιπλέον, είναι επίσης απαραίτητο να αναπτυχθούν κατάλληλοι ελεγκτές πύλης, κυκλώματα ισχύος, επίσης με χαμηλή επαγωγή, καθώς και κατάλληλα συστήματα ψύξης. Ως εκ τούτου, ο στόχος του έργου είναι η ανάπτυξη και εφαρμογή ενός ηλεκτρονικού λειτουργικού μπλοκ/λειτουργικού μπλοκ (FBM), το οποίο είναι ένα συστατικό των τυποποιημένων ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος (inverter γέφυρας, τριφασικός inverter, πολυεπίπεδος inverter) που βασίζεται σε μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης. Με αυτόν τον τρόπο, το αναπτυγμένο λειτουργικό μπλοκ θα είναι σε θέση να χρησιμοποιήσει αυτή την απλή εξέλιξη σε ένα ηλεκτρονικό σύστημα πλήρους ισχύος ανάλογα με τις ανάγκες του πελάτη σε μια δεδομένη εφαρμογή. Άρθρο 25 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 651/2014, της 17ης Ιουνίου 2014, για την κήρυξη ορισμένων κατηγοριών ενισχύσεων ως συμβατών με την εσωτερική αγορά κατ’ εφαρμογή των άρθρων 107 και 108 της Συνθήκης Αυτό είναι όλο. ΕΕ L 187/1 της 26.6.2014) (Greek)
13 August 2022
0 references
Rýchlo rastúca technológia polovodičových nástrojov karbidu kremíka (SiC) poskytuje prvky s čoraz vyšším napätím a menovitým prúdom. V súčasnosti je možné vybudovať elektrické elektronické systémy pre výkon niekoľkých desiatok stoviek kW pomocou tranzistorov a výkonových diód s výstupným napätím 1200V a 1700V dostupnými na trhu. Tieto prvky sú súčasťou výkonových modulov, ktorých technológia je podobná technológii používanej pre kremíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukcie. Preto v súčasnosti nie je možné plne využiť vynikajúce dynamické vlastnosti komponentov SiC, je potrebné zaviesť nízko impedančné napájacie moduly pre komponenty SiC na trhu. Okrem toho je tiež potrebné vyvinúť vhodné regulátory brány, výkonové obvody, a to aj s nízkou indukčnosťou, ako aj vhodné chladiace systémy. Cieľom projektu je preto vyvinúť a implementovať univerzálny výkonový elektronický funkčný blok/funkčný napájací blok (FBM), ktorý je súčasťou štandardných výkonových elektronických systémov (mostový menič, trojfázový menič, viacúrovňový invertor) na báze nízko impedančných energetických jednotiek. Takto vyvinutý funkčný blok bude môcť využiť tento jednoduchý vývoj do plne napájacieho elektronického systému v závislosti od potrieb zákazníka v danej aplikácii. Článok 25 nariadenia (ES) č. 651/2014 zo 17. júna 2014 o vyhlásení určitých kategórií pomoci za zlučiteľné s vnútorným trhom pri uplatňovaní článkov 107 a 108 zmluvy To je všetko. EÚ L 187/1 z 26.6.2014) (Slovak)
13 August 2022
0 references
Piikarbidin (SiC) puolijohdelaitteiden nopeasti kasvava teknologia tarjoaa elementtejä, joilla on yhä suurempia jännitteitä ja nimellisvirtoja. Tällä hetkellä on mahdollista rakentaa tehoelektronisia järjestelmiä useiden kymmenien satojen kW: n teholle käyttäen transistoreja ja tehodiodeja, joiden lähtöjännitteet ovat 1200 V ja 1700V. Nämä elementit ovat osa tehomoduuleja, joiden tekniikka vastaa IGBT-piitransistoreissa käytettyä tekniikkaa ja jolla on merkittävät loisinduktanssit. Siksi tällä hetkellä ei ole mahdollista täysin hyödyntää SiC-komponenttien erinomaisia dynaamisia ominaisuuksia, on tarpeen tuoda markkinoille pieniimpedanssivoimamoduuleja SiC-komponenteille. Lisäksi on tarpeen kehittää asianmukaisia portinsäätimiä, virtapiirejä, myös alhaisen induktanssin sekä asianmukaisia jäähdytysjärjestelmiä. Siksi hankkeen tavoitteena on kehittää ja toteuttaa yleiskäyttöinen elektroninen toiminnallinen lohko/toiminnallinen teholohko (FBM), joka on osa vakiotehoelektronisia järjestelmiä (silta-invertteri, kolmivaiheinen invertteri, monitasoinen invertteri), joka perustuu matalaimpedanssitehomoduuleihin. Tällä tavoin kehitetty toiminnallinen lohko pystyy käyttämään tätä yksinkertaista kehitystä täysitehoiseksi sähköiseksi järjestelmäksi riippuen asiakkaan tarpeista tietyssä sovelluksessa. Tiettyjen tukimuotojen toteamisesta sisämarkkinoille soveltuviksi perussopimuksen 107 ja 108 artiklan mukaisesti 17 päivänä kesäkuuta 2014 annetun asetuksen (EY) N:o 651/2014 25 artikla Se on siinä. EU L 187/1, 26.6.2014) (Finnish)
13 August 2022
0 references
A szilícium-karbid (SiC) félvezető elektromos műszerek gyorsan növekvő technológiája egyre nagyobb feszültséggel és névleges árammal rendelkezik. Jelenleg a piacon elérhető tranzisztorokkal és teljesítménydiódákkal, 1200 V és 1700V kimeneti feszültséggel rendelkező, több tucat-több száz kW teljesítményű elektronikus rendszereket lehet építeni. Ezek az elemek olyan energiamodulok részét képezik, amelyek technológiája hasonló az IGBT szilícium tranzisztorokhoz használt technológiához, és jelentős parazita induktivitással rendelkeznek. Ezért jelenleg nem lehet teljes mértékben kihasználni a SiC-alkatrészek kiváló dinamikus tulajdonságait, ezért kis impedanciájú erőműveket kell bevezetni a piacon. Ezenkívül megfelelő kapuvezérlőket, tápáramköröket, alacsony induktivitású és megfelelő hűtőrendszereket is ki kell fejleszteni. Ezért a projekt célja egy univerzális elektronikus funkcionális blokk/funkcionális teljesítményblokk (FBM) kifejlesztése és megvalósítása, amely a szabványos teljesítményelektronikus rendszerek (hídinverter, háromfázisú inverter, többszintű inverter) komponense, amely alacsony impedanciás teljesítménymodulokon alapul. Ily módon a kifejlesztett funkcionális blokk képes lesz ezt az egyszerű fejlesztést egy teljes teljesítményű elektronikus rendszerré használni, az adott alkalmazásban az ügyfél igényeitől függően. A Szerződés 107. és 108. cikkének alkalmazásában bizonyos támogatási kategóriáknak a belső piaccal összeegyeztethetőnek nyilvánításáról szóló, 2014. június 17-i 651/2014/EK rendelet 25. cikke Ez az. – Ez az. EU L 187/1, 2014.6.26.) (Hungarian)
13 August 2022
0 references
Rychle rostoucí technologie polovodičových nástrojů z karbidu křemíku (SiC) poskytuje prvky se stále vyšším napětím a jmenovitými proudy. V současné době je možné vybudovat výkonové elektronické systémy pro výkon několika desítek set kW pomocí tranzistorů a výkonových diod s výstupním napětím 1200V a 1700V, které jsou k dispozici na trhu. Tyto prvky jsou součástí energetických modulů, jejichž technologie je podobná technologii používané pro IGBT křemíkové tranzistory a má významnou parazitní indukčnost. Proto v současné době není možné plně využít vynikající dynamické vlastnosti komponentů SiC, je nutné zavést nízkoimpedanční výkonové moduly pro komponenty SiC na trhu. Kromě toho je také nutné vyvinout vhodné regulátory brány, napájecí obvody, také s nízkou indukčností, jakož i vhodné chladicí systémy. Cílem projektu je proto vyvinout a implementovat univerzální výkonový elektronický funkční blok/funkční blok (FBM), který je součástí standardních výkonových elektronických systémů (mostový měnič, třífázový měnič, víceúrovňový měnič) založený na nízkoimpedančních výkonových modulech. Tímto způsobem bude vyvinutý funkční blok schopen tento jednoduchý vývoj využít do plně výkonného elektronického systému v závislosti na potřebách zákazníka v dané aplikaci. Článek 25 nařízení (ES) č. 651/2014 ze dne 17. června 2014, kterým se v souladu s články 107 a 108 Smlouvy prohlašují určité kategorie podpory za slučitelné s vnitřním trhem To je všechno. EU L 187/1 ze dne 26.6.2014) (Czech)
13 August 2022
0 references
Strauji augošā silīcija karbīda (SiC) pusvadītāju spēka instrumentu tehnoloģija nodrošina elementus ar arvien lielāku spriegumu un nominālo strāvu. Pašlaik ir iespējams būvēt elektroniskās sistēmas vairāku desmitu simtu kW jaudai, izmantojot tranzistorus un jaudas diodes ar izejas spriegumu 1200V un 1700V, kas pieejami tirgū. Šie elementi ir daļa no elektroenerģijas moduļiem, kuru tehnoloģija ir analoga tai, ko izmanto IGBT silīcija tranzistoriem, un tiem ir ievērojamas parazītu indukcijas. Tāpēc pašlaik nav iespējams pilnībā izmantot SiC komponentu lieliskās dinamiskās īpašības, tirgū ir jāievieš zemas pretestības jaudas moduļi SiC komponentiem. Turklāt ir nepieciešams arī izstrādāt atbilstošus vārtu kontrollerus, strāvas ķēdes, arī ar zemu induktivitāti, kā arī atbilstošas dzesēšanas sistēmas. Tāpēc projekta mērķis ir izstrādāt un ieviest universālu jaudas elektronisko bloku/funkcionālo barošanas bloku (FBM), kas ir standarta jaudas elektronisko sistēmu (tilts pārveidotājs, trīsfāžu invertors, daudzlīmeņu invertors) sastāvdaļa, pamatojoties uz zemas pretestības jaudas moduļiem. Šādā veidā izstrādātais funkcionālais bloks varēs izmantot šo vienkāršo izstrādi par pilnas jaudas elektronisko sistēmu atkarībā no klienta vajadzībām konkrētajā lietojumprogrammā. 25. pants 2014. gada 17. jūnija Regulā (EK) Nr. 651/2014, ar ko noteiktas atbalsta kategorijas atzīst par saderīgām ar iekšējo tirgu, piemērojot Līguma 107. un 108. pantu Tas ir viss. EU L 187/1, 26.6.2014.) (Latvian)
13 August 2022
0 references
Soláthraíonn an teicneolaíocht atá ag fás go tapa ar ionstraimí leathsheoltóra chomhdhúile sileacain (SiC) eilimintí le voltais níos airde agus sruthanna rátáilte. Faoi láthair, is féidir córais leictreonacha cumhachta a thógáil le haghaidh cumhacht roinnt dosaen-roinnt céad kW ag baint úsáide as trasraitheoirí agus dé-óidí cumhachta le voltais aschuir 1200V agus 1700V ar fáil ar an margadh. Tá na heilimintí seo mar chuid de mhodúil chumhachta a bhfuil a dteicneolaíocht ar aon dul leis an teicneolaíocht a úsáidtear le haghaidh trasraitheoirí sileacain IGBT agus tá ionduchtais shuntasacha seadánacha acu. Dá bhrí sin, ní féidir airíonna dinimiciúla den scoth na gcomhpháirteanna SiC a shaothrú go hiomlán faoi láthair, is gá modúil chumhachta íseal-impedance a thabhairt isteach le haghaidh comhpháirteanna SiC ar an margadh. Ina theannta sin, is gá freisin rialaitheoirí geata cuí, ciorcaid chumhachta a fhorbairt, chomh maith le hionduchtú íseal chomh maith le córais fuaraithe iomchuí. Dá bhrí sin, is é aidhm an tionscadail bloc uilíoch feidhme leictreonach cumhachta/bloc cumhachta feidhmiúil (FBM) a fhorbairt agus a chur chun feidhme, ar cuid de chórais leictreonacha chumhachta chaighdeánacha (inverter droichead, inverter trí phas, inverter il-leibhéil) é bunaithe ar mhodúil chumhachta íseal-impedance. Ar an mbealach seo, beidh an bloc feidhme forbartha in ann an fhorbairt shimplí seo a úsáid i gcóras leictreonach lánchumhachta ag brath ar riachtanais an chustaiméara in iarratas ar leith. Airteagal 25 de Rialachán (CE) Uimh. 651/2014 an 17 Meitheamh 2014 ina ndearbhaítear go bhfuil catagóirí áirithe cabhrach comhoiriúnach leis an margadh inmheánach i gcur i bhfeidhm Airteagail 107 agus 108 den Chonradh Sin é. AE L 187/1 an 26.6.2014) (Irish)
13 August 2022
0 references
Hitro rastoča tehnologija polprevodniških instrumentov silicijevega karbida (SiC) zagotavlja elemente z vedno višjimi napetostmi in nazivnimi tokovi. Trenutno je mogoče zgraditi močne elektronske sisteme za moč več ducat-več sto kW z uporabo tranzistorjev in močnih diod z izhodnimi napetostmi 1200V in 1700V, ki so na voljo na trgu. Ti elementi so del elektroenergijskih modulov, katerih tehnologija je podobna tisti, ki se uporablja za silikonske tranzistorje IGBT, in ima pomembne parazitske induktivnosti. Zato trenutno ni mogoče v celoti izkoristiti odličnih dinamičnih lastnosti komponent SiC, na trgu je treba uvesti nizko impedance za komponente SiC. Poleg tega je treba razviti tudi ustrezne krmilnike vrat, napajalne tokokroge, tudi z nizko induktivnostjo in ustreznimi hladilnimi sistemi. Zato je cilj projekta razvoj in izvajanje univerzalnega elektronskega funkcionalnega bloka/funkcionalnega bloka (FBM), ki je sestavni del standardnih močnostnih elektronskih sistemov (mostovni inverter, trifazni pretvornik, večstopenjski inverter), ki temelji na modulih z nizko impedanco. Na ta način bo razvit funkcionalni blok lahko uporabil ta preprost razvoj v elektronski sistem polne moči, odvisno od potreb stranke v dani aplikaciji. Člen 25 Uredbe (ES) št. 651/2014 z dne 17. junija 2014 o razglasitvi nekaterih vrst pomoči za združljive z notranjim trgom pri uporabi členov 107 in 108 Pogodbe To je vse. EU L 187/1, 26.6.2014) (Slovenian)
13 August 2022
0 references
Бързоразвиващата се технология на силициев карбид (SiC) полупроводникови инструменти осигурява елементи с все по-високо напрежение и номинален ток. В момента е възможно да се изградят силови електронни системи за мощност от няколко десетки няколкостотин kW с помощта на транзистори и силови диоди с изходни напрежения от 1200V и 1700V, налични на пазара. Тези елементи са част от силови модули, чиято технология е аналогична на тази, използвана за IGBT силициеви транзистори и има значителни паразитни индуктивност. Ето защо понастоящем не е възможно да се използват напълно отличните динамични свойства на компонентите на SiC, е необходимо на пазара да се въведат модули с нисък импеданс за компонентите на SiC. В допълнение, също така е необходимо да се разработят подходящи контролери на изхода, силови вериги, също с ниска индуктивност, както и подходящи системи за охлаждане. Ето защо, целта на проекта е да се разработи и внедри универсален силов електронен функционален блок/функционален силов блок (FBM), който е компонент на стандартните силови електронни системи (мостов инвертор, трифазен инвертор, многостепенен инвертор), базиран на енергийни модули с нисък импеданс. По този начин разработеният функционален блок ще може да използва тази проста разработка в електронна система с пълна мощност в зависимост от нуждите на клиента в дадено приложение. Член 25 от Регламент (ЕО) № 651/2014 от 17 юни 2014 г. за обявяване на някои категории помощи за съвместими с вътрешния пазар в приложение на членове 107 и 108 от Договора Това е всичко. EU L 187/1 от 26.6.2014 г.) (Bulgarian)
13 August 2022
0 references
It-teknoloġija li qed tikber malajr ta ‘strumenti ta’ enerġija semikondutturi tal-karbur tas-silikon (SiC) tipprovdi elementi b’vultaġġi dejjem ogħla u kurrenti nominali. Bħalissa, huwa possibbli li jinbnew sistemi elettroniċi tal-enerġija għall-enerġija ta’ diversi tużżana mitt kW li jużaw transisters u dijodi tal-enerġija b’vultaġġi tal-output ta’ 1200V u 1700V disponibbli fis-suq. Dawn l-elementi huma parti minn moduli tal-enerġija li t-teknoloġija tagħhom hija analoga għal dik użata għat-transisters tas-siliċju IGBT u għandha inductances parasitiċi sinifikanti. Għalhekk, bħalissa mhuwiex possibbli li jiġu sfruttati bis-sħiħ il-proprjetajiet dinamiċi eċċellenti tal-komponenti tas-SiC, huwa meħtieġ li jiġu introdotti moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa għall-komponenti tas-SiC fis-suq. Barra minn hekk, huwa meħtieġ ukoll li jiġu żviluppati kontrolluri tal-gate xierqa, ċirkwiti tal-enerġija, anke b’induttanza baxxa kif ukoll sistemi ta’ tkessiħ xierqa. Għalhekk, l-għan tal-proġett huwa li jiżviluppa u jimplimenta blokk funzjonali funzjonali tal-potenza universali/blokk funzjonali tal-potenza (FBM), li huwa komponent tas-sistemi elettroniċi tal-enerġija standard (bridge inverter, inverter bi tliet fażijiet, invertitur b’diversi livelli) ibbażat fuq moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa. B’dan il-mod, il-blokk funzjonali żviluppat se jkun jista’ juża dan l-iżvilupp sempliċi f’sistema elettronika tal-enerġija sħiħa skont il-ħtiġijiet tal-klijent f’applikazzjoni partikolari. L-Artikolu 25 tar-Regolament (KE) Nru 651/2014 tas-17 ta’ Ġunju 2014 li jiddikjara ċerti kategoriji ta’ għajnuna bħala kompatibbli mas-suq intern skont l-Artikoli 107 u 108 tat-Trattat Li huwa. UE L 187/1 tas-26.6.2014) (Maltese)
13 August 2022
0 references
A tecnologia de potência de carboneto de silício (SiC) semicondutor de rápido crescimento fornece tensões cada vez mais altas e correntes nominais. Agora é possível construir sistemas eletrônicos de energia para potência de várias dezenas de centenas de kW usando transístores e díodos de potência com tensões de sobretensão de 1200V e 1700V disponíveis no mercado. Estes elementos fazem parte de módulos de potência cuja tecnologia é análoga à utilizada para os transístores de silício IGBT e tem induções parasitárias significativas. Portanto, atualmente não é possível explorar plenamente as excelentes propriedades dinâmicas dos elementos SiC, é necessário entrar no mercado com módulos de potência de baixa impedância projetados para elementos SiC. Além disso, também é necessário desenvolver controladores de porta apropriados, circuitos de potência, também com baixa indução e sistemas de arrefecimento adequados. Por conseguinte, o objetivo do projeto é desenvolver e implementar para a produção de um bloco de energia universal eletrónico funcional/funcional (FBM), que é um subconjunto de sistemas energéticos normalizados (onda de ponte, inversor trifásico, inversor multinível) com base em módulos de potência de baixo impacto. Desta forma, o bloco funcional poderá utilizar esta simples evolução para um sistema totalmente eletrónico do ponto de vista energético, em função das necessidades do cliente na aplicação. Artigo 25.o do Regulamento (CE) n.o 651/2014, de 17 de junho de 2014, que declara certos tipos de auxílio compatíveis com o mercado interno, em aplicação dos artigos 107.o e 108.o do Tratado (JO L UE L 187/1 de 26.6.2014) (Portuguese)
13 August 2022
0 references
Den hurtigt voksende teknologi af siliciumcarbid (SiC) halvledereffektinstrumenter giver elementer med stadig højere spændinger og nominelle strømme. I øjeblikket er det muligt at opbygge elektriske elektroniske systemer til effekt på flere dusin-flere hundrede kW ved hjælp af transistorer og power dioder med udgangsspændinger på 1200V og 1700V tilgængelige på markedet. Disse elementer er en del af el-moduler, hvis teknologi er analog med den, der anvendes til IGBT silicium transistorer og har betydelige parasitære induktans. Derfor er det i øjeblikket ikke muligt fuldt ud at udnytte de fremragende dynamiske egenskaber ved SiC-komponenter, det er nødvendigt at indføre lavimpedans-effektmoduler til SiC-komponenter på markedet. Derudover er det også nødvendigt at udvikle passende gate controllere, strømkredse, også med lav induktans samt passende kølesystemer. Formålet med projektet er derfor at udvikle og gennemføre en universel elektronisk funktionsblok/funktionel blok (FBM), som er en del af standardelektroniksystemer (broomformer, trefaset inverter, multi-level inverter) baseret på lavimpedans-effektmoduler. På denne måde vil den udviklede funktionelle blok kunne bruge denne enkle udvikling til et fuldt el-elektronisk system afhængigt af kundens behov i en given applikation. Artikel 25 i forordning (EF) nr. 651/2014 af 17. juni 2014 om visse former for støttes forenelighed med det indre marked i henhold til traktatens artikel 107 og 108 Det er det. EU L 187/1 af 26.6.2014) (Danish)
13 August 2022
0 references
Tehnologia cu creștere rapidă a instrumentelor de putere semiconductoare din carbură de siliciu (SiC) oferă elemente cu tensiuni tot mai mari și curenți nominali. În prezent, este posibil să se construiască sisteme electronice de putere pentru puterea de câteva zeci-mai multe sute kW folosind tranzistoare și diode de putere cu tensiuni de ieșire de 1200V și 1700V disponibile pe piață. Aceste elemente fac parte din modulele de putere a căror tehnologie este similară cu cea utilizată pentru tranzistoarele de siliciu IGBT și are inductanțe parazitare semnificative. Prin urmare, în prezent nu este posibil să se exploateze pe deplin proprietățile dinamice excelente ale componentelor SiC, este necesar să se introducă pe piață module electrice cu impedanță redusă pentru componentele SiC. În plus, este, de asemenea, necesar să se dezvolte controlere de poartă adecvate, circuite de putere, de asemenea, cu inductanță scăzută, precum și sisteme de răcire adecvate. Prin urmare, scopul proiectului este de a dezvolta și implementa un bloc funcțional electronic de putere universală (FBM), care este o componentă a sistemelor electronice standard de putere (invertor de punte, invertor trifazat, invertor multi-nivel) bazat pe module de putere cu impedanță redusă. În acest fel, blocul funcțional dezvoltat va putea utiliza această simplă dezvoltare într-un sistem electronic de putere maximă, în funcție de nevoile clientului într-o anumită aplicație. Articolul 25 din Regulamentul (CE) nr. 651/2014 din 17 iunie 2014 de declarare a anumitor categorii de ajutoare compatibile cu piața internă în aplicarea articolelor 107 și 108 din tratat Asta e tot. UE L 187/1 din 26.6.2014) (Romanian)
13 August 2022
0 references
Den snabbväxande tekniken för kiselkarbid (SiC) halvledareffektinstrument ger element med allt högre spänningar och märkströmmar. För närvarande är det möjligt att bygga kraftelektroniska system för kraften i flera dussintals hundra kW med transistorer och effektdioder med utgångsspänningar på 1200V och 1700V som finns på marknaden. Dessa element är en del av kraftmoduler vars teknik är analog med den som används för IGBT kiseltransistorer och har betydande parasitiska induktanser. Därför är det för närvarande inte möjligt att fullt ut utnyttja de utmärkta dynamiska egenskaperna hos SiC-komponenter, det är nödvändigt att införa lågimpedans kraftmoduler för SiC-komponenter på marknaden. Dessutom är det också nödvändigt att utveckla lämpliga grindregulatorer, strömkretsar, även med låg induktans samt lämpliga kylsystem. Därför är syftet med projektet att utveckla och genomföra ett universellt kraftelektroniskt funktionellt block/funktionellt kraftblock (FBM), som är en komponent i standardeffektelektroniska system (broomriktare, trefasomriktare, multi-level inverter) baserad på lågimpedans kraftmoduler. På så sätt kommer det utvecklade funktionsblocket att kunna använda denna enkla utveckling till ett komplett elektroniskt system beroende på kundens behov i en viss applikation. Artikel 25 i förordning (EG) nr 651/2014 av den 17 juni 2014 genom vilken vissa kategorier av stöd förklaras förenliga med den inre marknaden vid tillämpningen av artiklarna 107 och 108 i fördraget Det är allt. EU L 187/1 av den 26 juni 26.6.2014) (Swedish)
13 August 2022
0 references
WOJ.: MAZOWIECKIE, POW.: piaseczyński
0 references
24 May 2023
0 references
Identifiers
POIR.01.01.01-00-1865/15
0 references