SCALING AND VARIABILITY OF NANOWIRE-BASED 3D FIELD-EFFECT TUNNEL TRANSISTORS USING SI, GE AND III-V MATERIALS (Q3177092): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Changed label, description and/or aliases in it, and other parts: Adding Italian translations) |
(Changed label, description and/or aliases in pt) |
||||||||||||||
| (6 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||||||||||||||
| label / el | label / el | ||||||||||||||
ΚΛΙΜΆΚΩΣΗ ΚΑΙ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑ ΤΩΝ ΤΡΙΣΔΙΆΣΤΑΤΩΝ ΤΡΑΝΖΊΣΤΟΡ ΣΗΡΆΓΓΩΝ ΕΠΊΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΊΟΥ ΜΕ ΒΆΣΗ ΤΑ ΝΑΝΟΣΎΡΜΑΤΑ ΜΕ ΥΛΙΚΆ SI, GE ΚΑΙ III-V | |||||||||||||||
| label / da | label / da | ||||||||||||||
SKALERING OG VARIABILITET AF NANOWIRE-BASEREDE 3D-FELTEFFEKTTUNNELTRANSISTORER VED HJÆLP AF SI-, GE- OG III-V-MATERIALER | |||||||||||||||
| label / fi | label / fi | ||||||||||||||
NANOJOHTOPOHJAISTEN 3D-KENTTÄVAIKUTUSTUNNELIN TRANSISTORIEN SKAALAUS JA VAIHTELU KÄYTTÄEN SI-, GE- JA III-V-MATERIAALEJA | |||||||||||||||
| label / mt | label / mt | ||||||||||||||
SKALAR U VARJABILITÀ TA’ TRANSISTERS TAL-MINA 3D B’EFFETT FUQ IL-KAMP IBBAŻATI FUQ IN-NANOWAJER BL-UŻU TA’ MATERJALI SI, GE U III-V | |||||||||||||||
| label / lv | label / lv | ||||||||||||||
3D 3D TUNEĻA TRANZISTORU, KUROS IZMANTO SI, GE UN III-V, TRANZISTORU MĒROGOŠANA UN MAINĪGUMS | |||||||||||||||
| label / sk | label / sk | ||||||||||||||
ŠKÁLOVANIE A VARIABILITA 3D TUNELOVÝCH TRANZISTOROV S EFEKTOM POĽA NANOWIRE S POUŽITÍM MATERIÁLOV SI, GE A III-V | |||||||||||||||
| label / ga | label / ga | ||||||||||||||
SCÁLÚ AGUS INATHRAITHEACHT TRASRAITHEOIRÍ TOLLÁN 3D ATÁ BUNAITHE AR NANOWIRE AG BAINT ÚSÁIDE AS ÁBHAIR SI, GE AGUS III-V | |||||||||||||||
| label / cs | label / cs | ||||||||||||||
ŠKÁLOVÁNÍ A VARIABILITA 3D TUNELOVÝCH TRANZISTORŮ ZALOŽENÝCH NA NANOVODIČÍCH VYUŽÍVAJÍCÍCH MATERIÁLY SI, GE A III-V | |||||||||||||||
| label / pt | label / pt | ||||||||||||||
ESCALA E VARIABILIDADE DOS TRANSITADORES DE TUNEL DE EFEITO DE CAMPO 3D BASEADOS EM NANOWIRE QUE UTILIZAM MATERIAIS SI, GE E III-V | |||||||||||||||
| label / et | label / et | ||||||||||||||
NANOTRAADIL PÕHINEVATE 3D-VÄLJAEFEKTIGA TUNNELTRANSISTORITE SKALEERIMINE JA VARIEERUVUS SI-, GE JA III-V MATERJALIDE ABIL | |||||||||||||||
| label / hu | label / hu | ||||||||||||||
A NANOVEZETÉKES 3D-S TÉRHATÁSÚ ALAGÚT TRANZISZTORAINAK MÉRETEZÉSE ÉS VARIABILITÁSA SI, GE ÉS III-V ANYAGOK FELHASZNÁLÁSÁVAL | |||||||||||||||
| label / bg | label / bg | ||||||||||||||
МАЩАБИРАНЕ И ПРОМЕНЛИВОСТ НА ТРИИЗМЕРНИТЕ ТУНЕЛНИ ТРАНЗИСТОРИ С НАНОПРОВОДНИКОВИ ЕФЕКТИ С ИЗПОЛЗВАНЕ НА МАТЕРИАЛИ SI, GE И III-V | |||||||||||||||
| label / lt | label / lt | ||||||||||||||
NANOVIELOS 3D LAUKO POVEIKIO TUNELIŲ TRANZISTORIŲ MASTELIO IR KINTAMUMAS NAUDOJANT SI, GE IR III-V MEDŽIAGAS | |||||||||||||||
| label / hr | label / hr | ||||||||||||||
SKALIRANJE I VARIJABILNOST NANOWIRE-BASED 3D POLJE EFEKT TUNEL TRANZISTORA POMOĆU SI, GE I III-V MATERIJALA | |||||||||||||||
| label / sv | label / sv | ||||||||||||||
SKALNING OCH VARIATION I NANOTRÅDSBASERADE 3D-FÄLTEFFEKTTUNNELTRANSISTORER MED SI-, GE- OCH III-V-MATERIAL | |||||||||||||||
| label / ro | label / ro | ||||||||||||||
SCALAREA ȘI VARIABILITATEA TRANZISTOARELOR TUNEL 3D CU EFECT DE CÂMP PE BAZĂ DE NANOFIRE CARE UTILIZEAZĂ MATERIALE SI, GE ȘI III-V | |||||||||||||||
| label / sl | label / sl | ||||||||||||||
SKALIRANJE IN VARIABILNOST 3D TRANZISTORJEV PREDOROV, KI TEMELJIJO NA NANOWIRE, Z UPORABO MATERIALOV SI, GE IN III-V | |||||||||||||||
| label / pl | label / pl | ||||||||||||||
SKALOWANIE I ZMIENNOŚĆ NANOWIRE TRANZYSTORÓW TUNELOWYCH Z EFEKTEM POLOWYM Z WYKORZYSTANIEM MATERIAŁÓW SI, GE I III-V | |||||||||||||||
| description / bg | description / bg | ||||||||||||||
Проект Q3177092 в Испания | |||||||||||||||
| description / hr | description / hr | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 u Španjolskoj | |||||||||||||||
| description / hu | description / hu | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 Spanyolországban | |||||||||||||||
| description / cs | description / cs | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 ve Španělsku | |||||||||||||||
| description / da | description / da | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 i Spanien | |||||||||||||||
| description / nl | description / nl | ||||||||||||||
Project Q3177092 in Spanje | |||||||||||||||
| description / et | description / et | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 Hispaanias | |||||||||||||||
| description / fi | description / fi | ||||||||||||||
Projekti Q3177092 Espanjassa | |||||||||||||||
| description / fr | description / fr | ||||||||||||||
Projet Q3177092 en Espagne | |||||||||||||||
| description / de | description / de | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 in Spanien | |||||||||||||||
| description / el | description / el | ||||||||||||||
Έργο Q3177092 στην Ισπανία | |||||||||||||||
| description / ga | description / ga | ||||||||||||||
Tionscadal Q3177092 sa Spáinn | |||||||||||||||
| description / it | description / it | ||||||||||||||
Progetto Q3177092 in Spagna | |||||||||||||||
| description / lv | description / lv | ||||||||||||||
Projekts Q3177092 Spānijā | |||||||||||||||
| description / lt | description / lt | ||||||||||||||
Projektas Q3177092 Ispanijoje | |||||||||||||||
| description / mt | description / mt | ||||||||||||||
Proġett Q3177092 fi Spanja | |||||||||||||||
| description / pl | description / pl | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 w Hiszpanii | |||||||||||||||
| description / pt | description / pt | ||||||||||||||
Projeto Q3177092 na Espanha | |||||||||||||||
| description / ro | description / ro | ||||||||||||||
Proiectul Q3177092 în Spania | |||||||||||||||
| description / sk | description / sk | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 v Španielsku | |||||||||||||||
| description / sl | description / sl | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 v Španiji | |||||||||||||||
| description / es | description / es | ||||||||||||||
Proyecto Q3177092 en España | |||||||||||||||
| description / sv | description / sv | ||||||||||||||
Projekt Q3177092 i Spanien | |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / budget: 205,700.0 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 80.0 percent / rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 164,560.0 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / summary: THE IP OF THIS PROJECT IS CURRENTLY A MARIE CURIE IEF RESEARCHER AT SWANSEA UNIVERSITY (UK). THIS PROJECT HAS A MULTIDISCIPLINARY CHARACTER, INCORPORATING NANOELECTRONICS AND COMPUTER SCIENCE AND INFORMATION TECHNOLOGIES IN ITS MOST CURRENT STATES. The OBJECTIVES are classified in three areas:_x000D_ 1. 3D modeling of TUNEL TRANSISTORS, using nano-threads through the ARRASTRE-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETS) are being searched as possible courses for re-employing the Conventional MOSFET DISPOSITIVES for ULTRA LOW POTENCE APPLICATIONS OF YOUR SUB-UMBRAL PENDENCE AND YOUR CORRIENT REDUCATION OF FUGA, which makes an AGRESIVE STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. HOWEVER, A CHALLENGE ASSOCIATED WITH THESE DEVICES IS THEIR LIMITED PERFORMANCE AND LOW CURRENT IN THE ON ZONE. TO ACHIEVE HIGH TUNNEL PROBABILITIES, IT WOULD BE BENEFICIAL TO USE HETEROUNIONS AND NEW ARCHITECTURES, SUCH AS NANOWIRES (NW). IN THIS PROJECT WE WILL INITIALLY INVESTIGATE A NW TFET DEVICE WHOSE ARCHITECTURE WILL FOLLOW THE DESIGNS PROVIDED BY IBM ZURICH. NEXT, DIFFERENT COMBINATIONS WILL BE EXAMINED FOR THE MATERIALS THAT FORM THE CHANNEL, DRAINER AND SOURCE OF THE DEVICE AND THE OPTIMA ARCHITECTURE WILL BE SCALED TO OTHER TECHNOLOGIC NODES TO EVALUATE THEIR PERFORMANCE AND SCALABILITY. TO MODEL THESE DEVICES CORRECTLY, THE USE OF THREE-DIMENSIONAL SIMULATORS IS MANDATORY. FOR THIS REASON IN THE PROJECT WE WILL USE 3D SIMULATION TOOLS OF DEVICES WITH ATOMISTICA RESOLUTION AS DRAG-DIFUSION SIMULATORS AND MONTE CARLO WITH QUANTUM CORRECTIONS. Both SIMULATORS are based on the Method of Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Study of the INFLUENCE OF DIFFERENTS OF FLUCTUATIONS IN NW TFETS TFETS_x000D_ THE EFFECT OF VARIABILITY FOR THE CHARACTERISTICS OF THE DISPOSITIVES IS EVERY MAYOR, becoming one of the primary defiances for ESCALATE AND INTEGRATION OF THE ACTUAL GENERATION OF DISPOSITIVES AND CIRCUITS AS THE PROXIMA. THEREFORE, WE WILL STUDY THE IMPACT THAT DIFFERENT SOURCES OF FLUCTUATIONS HAVE ON THE BEHAVIOR OF DEVICES IN ORDER TO IDENTIFY THE DESIGNS, MATERIALS AND ARCHITECTURES LESS SENSITIVE TO VARIABILITY. THE FOLLOWING SOURCES OF VARIABILITY ARE THE MOST CRITICAL IN THE NW TFETS STUDY: Roughness OF INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, ALLEATORY Dopings AND RUGOSITY OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimisation OF NUMERICAL ALGORITMS, PortABILITY TO NEW INFRASTRUCTURES AND DEVELOPMENT OF TOOLS FOR THE MANAGEMENT OF DATA _x000D_ to analyse the impact that different sources of variability have in the transport of the NW TFETS is necessary to carry out analysis. who REQUIRE THE SIMULATION OF A GREAT NUMBER OF DISPOSITIVES, Increasing COMPUTATIONAL COST. THEREFORE, THE USE OF EFFICIENT NUMERIC ALGORITHMS IS ESSENTIAL. _x000D_ this PART OF THE PROJECT IS BASED IN TWO OBJECTIVES: I) THE REDUCTION OF EXECUTION TIME THROUGH THE OPTIMISATION OF THE NUMERIC ALGORITHMS USED IN THE SIMULATION AND THEIR IMPLEMENTATION IN DIFFERENT COMPUTATIONAL INFRASTRUCTURES AND II) THE EFFICIENT MANAGEMENT OF THE DATA GENERATED THROUGH THE IMPLEMENTATION OF A MANAGER FOR SENDING AND RECEIVING VARIABILITY DATA USING HETEROGENEOUS COMPUTATIONAL SYSTEMS. (English) / qualifier | |||||||||||||||
readability score: 0.3561637476969177
| |||||||||||||||
| Property / postal code | |||||||||||||||
| Property / postal code: 15078 / rank | |||||||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||||||
| Property / location (string): Santiago de Compostela / rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 42°52'49.51"N, 8°32'45.10"W / rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: A Coruña Province / rank | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Η IP ΑΥΤΟΎ ΤΟΥ ΈΡΓΟΥ ΕΊΝΑΙ ΕΠΊ ΤΟΥ ΠΑΡΌΝΤΟΣ ΕΡΕΥΝΗΤΉΣ ΤΟΥ IEF MARIE CURIE ΣΤΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΉΜΙΟ SWANSEA (ΗΝΩΜΈΝΟ ΒΑΣΊΛΕΙΟ). ΤΟ ΈΡΓΟ ΑΥΤΌ ΈΧΕΙ ΔΙΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΌ ΧΑΡΑΚΤΉΡΑ, ΕΝΣΩΜΑΤΏΝΟΝΤΑΣ ΤΗ ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΉ ΚΑΙ ΤΗΝ ΕΠΙΣΤΉΜΗ ΤΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΏΝ ΚΑΙ ΤΙΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΕΣ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΊΑΣ ΣΤΑ ΠΛΈΟΝ ΣΗΜΕΡΙΝΆ ΚΡΆΤΗ. Οι ΣΤΟΧΟΙ κατατάσσονται σε τρεις τομείς:_x000D_ 1. Τρισδιάστατη μοντελοποίηση των TUNEL TRANSISTORS, με χρήση νανονημάτων μέσω των μεθόδων arrastre-DIFUSION ΚΑΙ MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) αναζητούνται ως πιθανά μαθήματα για την επαναπροσαρμογή των συμβατικών απορριμάτων MOSFET για ULTRA LOW δυνάμεις ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΗΣ ΥΠΟΒΟΛΗΣ ΥΠΟΒΟΛΗΣ ΣΑΣ και της Διόρθωσής σας της FUGA, η οποία κάνει ένα συμφωνητικό STALATE ΤΗΣ FOOD TENSION POSSIBLE. ΩΣΤΌΣΟ, ΜΙΑ ΠΡΌΚΛΗΣΗ ΠΟΥ ΣΧΕΤΊΖΕΤΑΙ ΜΕ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ ΕΊΝΑΙ Η ΠΕΡΙΟΡΙΣΜΈΝΗ ΑΠΌΔΟΣΉ ΤΟΥΣ ΚΑΙ ΤΟ ΧΑΜΗΛΌ ΡΕΎΜΑ ΣΤΗ ΖΏΝΗ. ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΊΤΕΥΞΗ ΥΨΗΛΏΝ ΠΙΘΑΝΟΤΉΤΩΝ ΣΉΡΑΓΓΑΣ, ΘΑ ΉΤΑΝ ΕΠΩΦΕΛΉΣ Η ΧΡΉΣΗ HETEROUNIONS ΚΑΙ ΝΈΩΝ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΏΝ, ΌΠΩΣ ΤΑ NANOWIRES (NW). ΣΕ ΑΥΤΌ ΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΕΡΕΥΝΉΣΟΥΜΕ ΑΡΧΙΚΆ ΜΙΑ ΣΥΣΚΕΥΉ NW TFET ΤΗΣ ΟΠΟΊΑΣ Η ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉ ΘΑ ΑΚΟΛΟΥΘΉΣΕΙ ΤΑ ΣΧΈΔΙΑ ΠΟΥ ΠΑΡΈΧΕΙ Η IBM ZURICH. ΣΤΗ ΣΥΝΈΧΕΙΑ, ΘΑ ΕΞΕΤΑΣΤΟΎΝ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΟΊ ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΊ ΓΙΑ ΤΑ ΥΛΙΚΆ ΠΟΥ ΣΧΗΜΑΤΊΖΟΥΝ ΤΟ ΚΑΝΆΛΙ, ΤΟ ΑΠΟΧΕΤΕΥΤΙΚΌ ΣΎΣΤΗΜΑ ΚΑΙ ΤΗΝ ΠΗΓΉ ΤΗΣ ΣΥΣΚΕΥΉΣ ΚΑΙ Η ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉ OPTIMA ΘΑ ΚΛΙΜΑΚΩΘΕΊ ΣΕ ΆΛΛΟΥΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟΎΣ ΚΌΜΒΟΥΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΞΙΟΛΌΓΗΣΗ ΤΗΣ ΑΠΌΔΟΣΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΕΠΕΚΤΑΣΙΜΌΤΗΤΑΣ ΤΟΥΣ. ΓΙΑ ΝΑ ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΉΣΕΙ ΣΩΣΤΆ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ, Η ΧΡΉΣΗ ΤΡΙΣΔΙΆΣΤΑΤΩΝ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΤΏΝ ΕΊΝΑΙ ΥΠΟΧΡΕΩΤΙΚΉ. ΓΙΑ ΤΟ ΛΌΓΟ ΑΥΤΌ ΣΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΉΣΟΥΜΕ ΤΡΙΣΔΙΆΣΤΑΤΑ ΕΡΓΑΛΕΊΑ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗΣ ΣΥΣΚΕΥΏΝ ΜΕ ΑΝΆΛΥΣΗ ATOMISTICA ΩΣ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΤΈΣ DRAG-DIFUSION ΚΑΙ MONTE CARLO ΜΕ ΚΒΑΝΤΙΚΈΣ ΔΙΟΡΘΏΣΕΙΣ. Και οι δύο SIMULATORS βασίζονται στη μέθοδο των πεπερασμένων ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ ΤΩΝ ΔΙΑΦΟΡΩΝ ΤΩΝ ΚΑΤΑΛΥΜΑΤΩΝ ΣΕ ΝΔ TFETs_x000D_ ΤΟ ΕΚΤΕΛΕΣΜΑ ΤΗΣ ΔΙΑΒΙΒΑΣΗΣ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟΥΣ ΤΟΥΣ ΑΠΟΘΕΤΕΣ ΕΙΝΑΙ ΚΑΘΟΡΙΖΟΝΤΑΙ, να γίνει ένας από τους κύριους αιφνιδιασμούς για την ESCALATE και την ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΤΗΣ ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΗΣ ΑΠΟΘΕΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΝ ΩΣ ΤΟ PROXIMA. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, ΘΑ ΜΕΛΕΤΉΣΟΥΜΕ ΤΟΝ ΑΝΤΊΚΤΥΠΟ ΠΟΥ ΈΧΟΥΝ ΟΙ ΔΙΆΦΟΡΕΣ ΠΗΓΈΣ ΔΙΑΚΥΜΆΝΣΕΩΝ ΣΤΗ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΆ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ, ΠΡΟΚΕΙΜΈΝΟΥ ΝΑ ΕΝΤΟΠΊΣΟΥΜΕ ΤΑ ΣΧΈΔΙΑ, ΤΑ ΥΛΙΚΆ ΚΑΙ ΤΙΣ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΈΣ ΛΙΓΌΤΕΡΟ ΕΥΑΊΣΘΗΤΑ ΣΤΗ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑ. ΟΙ ΑΚΌΛΟΥΘΕΣ ΠΗΓΈΣ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑΣ ΕΊΝΑΙ ΟΙ ΠΛΈΟΝ ΚΡΊΣΙΜΕΣ ΣΤΗ ΜΕΛΈΤΗ NW TFET: Τραχύτητα της INTERFACE, BACK στη διαδραση, αλλεργια ντόπινγκ και ρουγκοσιότητα της INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Η βελτιστοποίηση των εθνικών αλγορίθμων, η φορητότητα σε νέες πληροφορίες και η ανάπτυξη εργαλείων για τη διαχείριση των ΔΕΔΟΜΕΝΩΝ _x000D_ για την ανάλυση των επιπτώσεων που έχουν οι διάφορες πηγές μεταβλητότητας στη μεταφορά των TFETs ΒΔ είναι απαραίτητη για τη διενέργεια ανάλυσης. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, Η ΧΡΉΣΗ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΏΝ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΏΝ ΑΛΓΟΡΊΘΜΩΝ ΕΊΝΑΙ ΑΠΑΡΑΊΤΗΤΗ. _x000D_ αυτό το μέρος του έργου βασίζεται σε ΔΙΚΤΥΟΥΣ ΣΤΟΧΟΥΣ: I) Η ΜΕΊΩΣΗ ΤΟΥ ΧΡΌΝΟΥ ΕΚΤΈΛΕΣΗΣ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΊΗΣΗΣ ΤΩΝ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΏΝ ΑΛΓΟΡΊΘΜΩΝ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΎΝΤΑΙ ΣΤΗΝ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗ ΚΑΙ Η ΕΦΑΡΜΟΓΉ ΤΟΥΣ ΣΕ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΈΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΈΣ ΥΠΟΔΟΜΈΣ ΚΑΙ II) Η ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΉ ΔΙΑΧΕΊΡΙΣΗ ΤΩΝ ΔΕΔΟΜΈΝΩΝ ΠΟΥ ΠΑΡΆΓΟΝΤΑΙ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΕΦΑΡΜΟΓΉΣ ΕΝΌΣ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΤΉ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΠΟΣΤΟΛΉ ΚΑΙ ΛΉΨΗ ΔΕΔΟΜΈΝΩΝ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑΣ ΜΕ ΤΗ ΧΡΉΣΗ ΕΤΕΡΟΓΕΝΏΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΏΝ ΣΥΣΤΗΜΆΤΩΝ. (Greek) | |||||||||||||||
| Property / summary: Η IP ΑΥΤΟΎ ΤΟΥ ΈΡΓΟΥ ΕΊΝΑΙ ΕΠΊ ΤΟΥ ΠΑΡΌΝΤΟΣ ΕΡΕΥΝΗΤΉΣ ΤΟΥ IEF MARIE CURIE ΣΤΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΉΜΙΟ SWANSEA (ΗΝΩΜΈΝΟ ΒΑΣΊΛΕΙΟ). ΤΟ ΈΡΓΟ ΑΥΤΌ ΈΧΕΙ ΔΙΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΌ ΧΑΡΑΚΤΉΡΑ, ΕΝΣΩΜΑΤΏΝΟΝΤΑΣ ΤΗ ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΉ ΚΑΙ ΤΗΝ ΕΠΙΣΤΉΜΗ ΤΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΏΝ ΚΑΙ ΤΙΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΕΣ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΊΑΣ ΣΤΑ ΠΛΈΟΝ ΣΗΜΕΡΙΝΆ ΚΡΆΤΗ. Οι ΣΤΟΧΟΙ κατατάσσονται σε τρεις τομείς:_x000D_ 1. Τρισδιάστατη μοντελοποίηση των TUNEL TRANSISTORS, με χρήση νανονημάτων μέσω των μεθόδων arrastre-DIFUSION ΚΑΙ MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) αναζητούνται ως πιθανά μαθήματα για την επαναπροσαρμογή των συμβατικών απορριμάτων MOSFET για ULTRA LOW δυνάμεις ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΗΣ ΥΠΟΒΟΛΗΣ ΥΠΟΒΟΛΗΣ ΣΑΣ και της Διόρθωσής σας της FUGA, η οποία κάνει ένα συμφωνητικό STALATE ΤΗΣ FOOD TENSION POSSIBLE. ΩΣΤΌΣΟ, ΜΙΑ ΠΡΌΚΛΗΣΗ ΠΟΥ ΣΧΕΤΊΖΕΤΑΙ ΜΕ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ ΕΊΝΑΙ Η ΠΕΡΙΟΡΙΣΜΈΝΗ ΑΠΌΔΟΣΉ ΤΟΥΣ ΚΑΙ ΤΟ ΧΑΜΗΛΌ ΡΕΎΜΑ ΣΤΗ ΖΏΝΗ. ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΊΤΕΥΞΗ ΥΨΗΛΏΝ ΠΙΘΑΝΟΤΉΤΩΝ ΣΉΡΑΓΓΑΣ, ΘΑ ΉΤΑΝ ΕΠΩΦΕΛΉΣ Η ΧΡΉΣΗ HETEROUNIONS ΚΑΙ ΝΈΩΝ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΏΝ, ΌΠΩΣ ΤΑ NANOWIRES (NW). ΣΕ ΑΥΤΌ ΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΕΡΕΥΝΉΣΟΥΜΕ ΑΡΧΙΚΆ ΜΙΑ ΣΥΣΚΕΥΉ NW TFET ΤΗΣ ΟΠΟΊΑΣ Η ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉ ΘΑ ΑΚΟΛΟΥΘΉΣΕΙ ΤΑ ΣΧΈΔΙΑ ΠΟΥ ΠΑΡΈΧΕΙ Η IBM ZURICH. ΣΤΗ ΣΥΝΈΧΕΙΑ, ΘΑ ΕΞΕΤΑΣΤΟΎΝ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΟΊ ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΊ ΓΙΑ ΤΑ ΥΛΙΚΆ ΠΟΥ ΣΧΗΜΑΤΊΖΟΥΝ ΤΟ ΚΑΝΆΛΙ, ΤΟ ΑΠΟΧΕΤΕΥΤΙΚΌ ΣΎΣΤΗΜΑ ΚΑΙ ΤΗΝ ΠΗΓΉ ΤΗΣ ΣΥΣΚΕΥΉΣ ΚΑΙ Η ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉ OPTIMA ΘΑ ΚΛΙΜΑΚΩΘΕΊ ΣΕ ΆΛΛΟΥΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟΎΣ ΚΌΜΒΟΥΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΞΙΟΛΌΓΗΣΗ ΤΗΣ ΑΠΌΔΟΣΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΕΠΕΚΤΑΣΙΜΌΤΗΤΑΣ ΤΟΥΣ. ΓΙΑ ΝΑ ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΉΣΕΙ ΣΩΣΤΆ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ, Η ΧΡΉΣΗ ΤΡΙΣΔΙΆΣΤΑΤΩΝ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΤΏΝ ΕΊΝΑΙ ΥΠΟΧΡΕΩΤΙΚΉ. ΓΙΑ ΤΟ ΛΌΓΟ ΑΥΤΌ ΣΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΉΣΟΥΜΕ ΤΡΙΣΔΙΆΣΤΑΤΑ ΕΡΓΑΛΕΊΑ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗΣ ΣΥΣΚΕΥΏΝ ΜΕ ΑΝΆΛΥΣΗ ATOMISTICA ΩΣ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΤΈΣ DRAG-DIFUSION ΚΑΙ MONTE CARLO ΜΕ ΚΒΑΝΤΙΚΈΣ ΔΙΟΡΘΏΣΕΙΣ. Και οι δύο SIMULATORS βασίζονται στη μέθοδο των πεπερασμένων ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ ΤΩΝ ΔΙΑΦΟΡΩΝ ΤΩΝ ΚΑΤΑΛΥΜΑΤΩΝ ΣΕ ΝΔ TFETs_x000D_ ΤΟ ΕΚΤΕΛΕΣΜΑ ΤΗΣ ΔΙΑΒΙΒΑΣΗΣ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟΥΣ ΤΟΥΣ ΑΠΟΘΕΤΕΣ ΕΙΝΑΙ ΚΑΘΟΡΙΖΟΝΤΑΙ, να γίνει ένας από τους κύριους αιφνιδιασμούς για την ESCALATE και την ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΤΗΣ ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΗΣ ΑΠΟΘΕΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΝ ΩΣ ΤΟ PROXIMA. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, ΘΑ ΜΕΛΕΤΉΣΟΥΜΕ ΤΟΝ ΑΝΤΊΚΤΥΠΟ ΠΟΥ ΈΧΟΥΝ ΟΙ ΔΙΆΦΟΡΕΣ ΠΗΓΈΣ ΔΙΑΚΥΜΆΝΣΕΩΝ ΣΤΗ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΆ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ, ΠΡΟΚΕΙΜΈΝΟΥ ΝΑ ΕΝΤΟΠΊΣΟΥΜΕ ΤΑ ΣΧΈΔΙΑ, ΤΑ ΥΛΙΚΆ ΚΑΙ ΤΙΣ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΈΣ ΛΙΓΌΤΕΡΟ ΕΥΑΊΣΘΗΤΑ ΣΤΗ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑ. ΟΙ ΑΚΌΛΟΥΘΕΣ ΠΗΓΈΣ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑΣ ΕΊΝΑΙ ΟΙ ΠΛΈΟΝ ΚΡΊΣΙΜΕΣ ΣΤΗ ΜΕΛΈΤΗ NW TFET: Τραχύτητα της INTERFACE, BACK στη διαδραση, αλλεργια ντόπινγκ και ρουγκοσιότητα της INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Η βελτιστοποίηση των εθνικών αλγορίθμων, η φορητότητα σε νέες πληροφορίες και η ανάπτυξη εργαλείων για τη διαχείριση των ΔΕΔΟΜΕΝΩΝ _x000D_ για την ανάλυση των επιπτώσεων που έχουν οι διάφορες πηγές μεταβλητότητας στη μεταφορά των TFETs ΒΔ είναι απαραίτητη για τη διενέργεια ανάλυσης. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, Η ΧΡΉΣΗ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΏΝ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΏΝ ΑΛΓΟΡΊΘΜΩΝ ΕΊΝΑΙ ΑΠΑΡΑΊΤΗΤΗ. _x000D_ αυτό το μέρος του έργου βασίζεται σε ΔΙΚΤΥΟΥΣ ΣΤΟΧΟΥΣ: I) Η ΜΕΊΩΣΗ ΤΟΥ ΧΡΌΝΟΥ ΕΚΤΈΛΕΣΗΣ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΊΗΣΗΣ ΤΩΝ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΏΝ ΑΛΓΟΡΊΘΜΩΝ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΎΝΤΑΙ ΣΤΗΝ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗ ΚΑΙ Η ΕΦΑΡΜΟΓΉ ΤΟΥΣ ΣΕ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΈΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΈΣ ΥΠΟΔΟΜΈΣ ΚΑΙ II) Η ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΉ ΔΙΑΧΕΊΡΙΣΗ ΤΩΝ ΔΕΔΟΜΈΝΩΝ ΠΟΥ ΠΑΡΆΓΟΝΤΑΙ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΕΦΑΡΜΟΓΉΣ ΕΝΌΣ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΤΉ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΠΟΣΤΟΛΉ ΚΑΙ ΛΉΨΗ ΔΕΔΟΜΈΝΩΝ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑΣ ΜΕ ΤΗ ΧΡΉΣΗ ΕΤΕΡΟΓΕΝΏΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΏΝ ΣΥΣΤΗΜΆΤΩΝ. (Greek) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Η IP ΑΥΤΟΎ ΤΟΥ ΈΡΓΟΥ ΕΊΝΑΙ ΕΠΊ ΤΟΥ ΠΑΡΌΝΤΟΣ ΕΡΕΥΝΗΤΉΣ ΤΟΥ IEF MARIE CURIE ΣΤΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΉΜΙΟ SWANSEA (ΗΝΩΜΈΝΟ ΒΑΣΊΛΕΙΟ). ΤΟ ΈΡΓΟ ΑΥΤΌ ΈΧΕΙ ΔΙΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΌ ΧΑΡΑΚΤΉΡΑ, ΕΝΣΩΜΑΤΏΝΟΝΤΑΣ ΤΗ ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΉ ΚΑΙ ΤΗΝ ΕΠΙΣΤΉΜΗ ΤΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΏΝ ΚΑΙ ΤΙΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΕΣ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΊΑΣ ΣΤΑ ΠΛΈΟΝ ΣΗΜΕΡΙΝΆ ΚΡΆΤΗ. Οι ΣΤΟΧΟΙ κατατάσσονται σε τρεις τομείς:_x000D_ 1. Τρισδιάστατη μοντελοποίηση των TUNEL TRANSISTORS, με χρήση νανονημάτων μέσω των μεθόδων arrastre-DIFUSION ΚΑΙ MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) αναζητούνται ως πιθανά μαθήματα για την επαναπροσαρμογή των συμβατικών απορριμάτων MOSFET για ULTRA LOW δυνάμεις ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΗΣ ΥΠΟΒΟΛΗΣ ΥΠΟΒΟΛΗΣ ΣΑΣ και της Διόρθωσής σας της FUGA, η οποία κάνει ένα συμφωνητικό STALATE ΤΗΣ FOOD TENSION POSSIBLE. ΩΣΤΌΣΟ, ΜΙΑ ΠΡΌΚΛΗΣΗ ΠΟΥ ΣΧΕΤΊΖΕΤΑΙ ΜΕ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ ΕΊΝΑΙ Η ΠΕΡΙΟΡΙΣΜΈΝΗ ΑΠΌΔΟΣΉ ΤΟΥΣ ΚΑΙ ΤΟ ΧΑΜΗΛΌ ΡΕΎΜΑ ΣΤΗ ΖΏΝΗ. ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΊΤΕΥΞΗ ΥΨΗΛΏΝ ΠΙΘΑΝΟΤΉΤΩΝ ΣΉΡΑΓΓΑΣ, ΘΑ ΉΤΑΝ ΕΠΩΦΕΛΉΣ Η ΧΡΉΣΗ HETEROUNIONS ΚΑΙ ΝΈΩΝ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΏΝ, ΌΠΩΣ ΤΑ NANOWIRES (NW). ΣΕ ΑΥΤΌ ΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΕΡΕΥΝΉΣΟΥΜΕ ΑΡΧΙΚΆ ΜΙΑ ΣΥΣΚΕΥΉ NW TFET ΤΗΣ ΟΠΟΊΑΣ Η ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉ ΘΑ ΑΚΟΛΟΥΘΉΣΕΙ ΤΑ ΣΧΈΔΙΑ ΠΟΥ ΠΑΡΈΧΕΙ Η IBM ZURICH. ΣΤΗ ΣΥΝΈΧΕΙΑ, ΘΑ ΕΞΕΤΑΣΤΟΎΝ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΟΊ ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΊ ΓΙΑ ΤΑ ΥΛΙΚΆ ΠΟΥ ΣΧΗΜΑΤΊΖΟΥΝ ΤΟ ΚΑΝΆΛΙ, ΤΟ ΑΠΟΧΕΤΕΥΤΙΚΌ ΣΎΣΤΗΜΑ ΚΑΙ ΤΗΝ ΠΗΓΉ ΤΗΣ ΣΥΣΚΕΥΉΣ ΚΑΙ Η ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉ OPTIMA ΘΑ ΚΛΙΜΑΚΩΘΕΊ ΣΕ ΆΛΛΟΥΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟΎΣ ΚΌΜΒΟΥΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΞΙΟΛΌΓΗΣΗ ΤΗΣ ΑΠΌΔΟΣΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΕΠΕΚΤΑΣΙΜΌΤΗΤΑΣ ΤΟΥΣ. ΓΙΑ ΝΑ ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΉΣΕΙ ΣΩΣΤΆ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ, Η ΧΡΉΣΗ ΤΡΙΣΔΙΆΣΤΑΤΩΝ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΤΏΝ ΕΊΝΑΙ ΥΠΟΧΡΕΩΤΙΚΉ. ΓΙΑ ΤΟ ΛΌΓΟ ΑΥΤΌ ΣΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΉΣΟΥΜΕ ΤΡΙΣΔΙΆΣΤΑΤΑ ΕΡΓΑΛΕΊΑ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗΣ ΣΥΣΚΕΥΏΝ ΜΕ ΑΝΆΛΥΣΗ ATOMISTICA ΩΣ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΤΈΣ DRAG-DIFUSION ΚΑΙ MONTE CARLO ΜΕ ΚΒΑΝΤΙΚΈΣ ΔΙΟΡΘΏΣΕΙΣ. Και οι δύο SIMULATORS βασίζονται στη μέθοδο των πεπερασμένων ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ ΤΩΝ ΔΙΑΦΟΡΩΝ ΤΩΝ ΚΑΤΑΛΥΜΑΤΩΝ ΣΕ ΝΔ TFETs_x000D_ ΤΟ ΕΚΤΕΛΕΣΜΑ ΤΗΣ ΔΙΑΒΙΒΑΣΗΣ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟΥΣ ΤΟΥΣ ΑΠΟΘΕΤΕΣ ΕΙΝΑΙ ΚΑΘΟΡΙΖΟΝΤΑΙ, να γίνει ένας από τους κύριους αιφνιδιασμούς για την ESCALATE και την ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΤΗΣ ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΗΣ ΑΠΟΘΕΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΝ ΩΣ ΤΟ PROXIMA. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, ΘΑ ΜΕΛΕΤΉΣΟΥΜΕ ΤΟΝ ΑΝΤΊΚΤΥΠΟ ΠΟΥ ΈΧΟΥΝ ΟΙ ΔΙΆΦΟΡΕΣ ΠΗΓΈΣ ΔΙΑΚΥΜΆΝΣΕΩΝ ΣΤΗ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΆ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ, ΠΡΟΚΕΙΜΈΝΟΥ ΝΑ ΕΝΤΟΠΊΣΟΥΜΕ ΤΑ ΣΧΈΔΙΑ, ΤΑ ΥΛΙΚΆ ΚΑΙ ΤΙΣ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΈΣ ΛΙΓΌΤΕΡΟ ΕΥΑΊΣΘΗΤΑ ΣΤΗ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑ. ΟΙ ΑΚΌΛΟΥΘΕΣ ΠΗΓΈΣ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑΣ ΕΊΝΑΙ ΟΙ ΠΛΈΟΝ ΚΡΊΣΙΜΕΣ ΣΤΗ ΜΕΛΈΤΗ NW TFET: Τραχύτητα της INTERFACE, BACK στη διαδραση, αλλεργια ντόπινγκ και ρουγκοσιότητα της INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Η βελτιστοποίηση των εθνικών αλγορίθμων, η φορητότητα σε νέες πληροφορίες και η ανάπτυξη εργαλείων για τη διαχείριση των ΔΕΔΟΜΕΝΩΝ _x000D_ για την ανάλυση των επιπτώσεων που έχουν οι διάφορες πηγές μεταβλητότητας στη μεταφορά των TFETs ΒΔ είναι απαραίτητη για τη διενέργεια ανάλυσης. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, Η ΧΡΉΣΗ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΏΝ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΏΝ ΑΛΓΟΡΊΘΜΩΝ ΕΊΝΑΙ ΑΠΑΡΑΊΤΗΤΗ. _x000D_ αυτό το μέρος του έργου βασίζεται σε ΔΙΚΤΥΟΥΣ ΣΤΟΧΟΥΣ: I) Η ΜΕΊΩΣΗ ΤΟΥ ΧΡΌΝΟΥ ΕΚΤΈΛΕΣΗΣ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΊΗΣΗΣ ΤΩΝ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΏΝ ΑΛΓΟΡΊΘΜΩΝ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΎΝΤΑΙ ΣΤΗΝ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗ ΚΑΙ Η ΕΦΑΡΜΟΓΉ ΤΟΥΣ ΣΕ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΈΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΈΣ ΥΠΟΔΟΜΈΣ ΚΑΙ II) Η ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΉ ΔΙΑΧΕΊΡΙΣΗ ΤΩΝ ΔΕΔΟΜΈΝΩΝ ΠΟΥ ΠΑΡΆΓΟΝΤΑΙ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΕΦΑΡΜΟΓΉΣ ΕΝΌΣ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΤΉ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΠΟΣΤΟΛΉ ΚΑΙ ΛΉΨΗ ΔΕΔΟΜΈΝΩΝ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑΣ ΜΕ ΤΗ ΧΡΉΣΗ ΕΤΕΡΟΓΕΝΏΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΏΝ ΣΥΣΤΗΜΆΤΩΝ. (Greek) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IP I DETTE PROJEKT ER I ØJEBLIKKET MARIE CURIE IEF-FORSKER VED SWANSEA UNIVERSITY (UK). DETTE PROJEKT HAR EN TVÆRFAGLIG KARAKTER OG OMFATTER NANOELEKTRONIK SAMT DATALOGI OG INFORMATIONSTEKNOLOGI I DE MEST NUVÆRENDE STATER. EF-Domstolen er inddelt i tre områder:_x000D_ 1. 3D modellering af TUNEL TRANSISTORS, ved hjælp af nano-tråde gennem arrastre-DIFUSION OG MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONER (TFETs) søges som mulige kurser til genansættelse af de konventionelle MOSFET dispositives for ULTRA LOW potens APPLICATIONER AF DIN SUB-Umbral pendence OG DIN Korrient reducation AF FUGA, hvilket gør en Agresive STALATE AF FOOD TENSION POSSIBLE. MEN, EN UDFORDRING FORBUNDET MED DISSE ENHEDER ER DERES BEGRÆNSEDE YDEEVNE OG LAV STRØM I ON ZONE. FOR AT OPNÅ HØJE TUNNELSANDSYNLIGHEDER VILLE DET VÆRE GAVNLIGT AT BRUGE HETEROUNIONS OG NYE ARKITEKTURER SOM F.EKS. NANOLEDNINGER (NW). I DETTE PROJEKT VIL VI I FØRSTE OMGANG UNDERSØGE EN NW TFET ENHED, HVIS ARKITEKTUR VIL FØLGE DE DESIGN, DER LEVERES AF IBM ZÜRICH. DERNÆST VIL FORSKELLIGE KOMBINATIONER BLIVE UNDERSØGT FOR DE MATERIALER, DER DANNER KANALEN, DRÆNEREN OG KILDEN TIL ENHEDEN OG OPTIMA ARKITEKTUR VIL BLIVE SKALERET TIL ANDRE TEKNOLOGISKE KNUDEPUNKTER FOR AT EVALUERE DERES YDEEVNE OG SKALERBARHED. FOR AT MODELLERE DISSE ENHEDER KORREKT, ER BRUGEN AF TREDIMENSIONALE SIMULATORER OBLIGATORISK. AF DENNE GRUND I PROJEKTET VIL VI BRUGE 3D SIMULERINGSVÆRKTØJER AF ENHEDER MED ATOMISTICA OPLØSNING SOM TRÆK-DIFUSION SIMULATORER OG MONTE CARLO MED KVANTEKORREKTIONER. Begge SIMULATORER er baseret på metoden for finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Undersøgelse af INFLUENCE af forskellige FLUCTUATIONER I NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY FOR KARAKERISTIK AF dispositiver er HVER MAYOR, bliver en af de primære trods for ESCALATE OG INTEGRATION AF AKTUALGENERATION AF dispositiver OG CIRCUITS som PROXIMA. DERFOR VIL VI UNDERSØGE DEN INDVIRKNING, SOM FORSKELLIGE KILDER TIL UDSVING HAR PÅ ENHEDERNES ADFÆRD FOR AT IDENTIFICERE DESIGN, MATERIALER OG ARKITEKTURER, DER ER MINDRE FØLSOMME OVER FOR VARIABILITET. FØLGENDE KILDER TIL VARIABILITET ER DE MEST KRITISKE I NW TFET-UNDERSØGELSEN: INTERFACE's ruhed, bagside, ALLEATORY dopings og rugositet af INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimering AF NUMERICAL algoritmer, portabilitet TIL NYE INFRASTRUKTURES OG UDVIKLING AF TOOLS TIL MANAGEMENT AF DATA _x000D_ for at analysere den indvirkning, som forskellige kilder til variabilitet har i transporten af NW TFETs er nødvendig for at udføre analyser. Hvem KONKURRE SIMULATION AF en stor mængde dispositiver, Øget COMPUTATIONAL COST. DERFOR ER BRUGEN AF EFFEKTIVE NUMERISKE ALGORITMER AFGØRENDE. _x000D_ denne del af PROJEKTET er BASERET I TWO MÅL: I) REDUKTION AF UDFØRELSESTID GENNEM OPTIMERING AF DE NUMERISKE ALGORITMER, DER ANVENDES I SIMULERINGEN OG DERES IMPLEMENTERING I FORSKELLIGE COMPUTERINFRASTRUKTURER OG II) EFFEKTIV FORVALTNING AF DE DATA, DER GENERERES GENNEM IMPLEMENTERING AF EN MANAGER TIL AFSENDELSE OG MODTAGELSE AF VARIABILITETSDATA VED HJÆLP AF HETEROGENE COMPUTERSYSTEMER. (Danish) | |||||||||||||||
| Property / summary: IP I DETTE PROJEKT ER I ØJEBLIKKET MARIE CURIE IEF-FORSKER VED SWANSEA UNIVERSITY (UK). DETTE PROJEKT HAR EN TVÆRFAGLIG KARAKTER OG OMFATTER NANOELEKTRONIK SAMT DATALOGI OG INFORMATIONSTEKNOLOGI I DE MEST NUVÆRENDE STATER. EF-Domstolen er inddelt i tre områder:_x000D_ 1. 3D modellering af TUNEL TRANSISTORS, ved hjælp af nano-tråde gennem arrastre-DIFUSION OG MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONER (TFETs) søges som mulige kurser til genansættelse af de konventionelle MOSFET dispositives for ULTRA LOW potens APPLICATIONER AF DIN SUB-Umbral pendence OG DIN Korrient reducation AF FUGA, hvilket gør en Agresive STALATE AF FOOD TENSION POSSIBLE. MEN, EN UDFORDRING FORBUNDET MED DISSE ENHEDER ER DERES BEGRÆNSEDE YDEEVNE OG LAV STRØM I ON ZONE. FOR AT OPNÅ HØJE TUNNELSANDSYNLIGHEDER VILLE DET VÆRE GAVNLIGT AT BRUGE HETEROUNIONS OG NYE ARKITEKTURER SOM F.EKS. NANOLEDNINGER (NW). I DETTE PROJEKT VIL VI I FØRSTE OMGANG UNDERSØGE EN NW TFET ENHED, HVIS ARKITEKTUR VIL FØLGE DE DESIGN, DER LEVERES AF IBM ZÜRICH. DERNÆST VIL FORSKELLIGE KOMBINATIONER BLIVE UNDERSØGT FOR DE MATERIALER, DER DANNER KANALEN, DRÆNEREN OG KILDEN TIL ENHEDEN OG OPTIMA ARKITEKTUR VIL BLIVE SKALERET TIL ANDRE TEKNOLOGISKE KNUDEPUNKTER FOR AT EVALUERE DERES YDEEVNE OG SKALERBARHED. FOR AT MODELLERE DISSE ENHEDER KORREKT, ER BRUGEN AF TREDIMENSIONALE SIMULATORER OBLIGATORISK. AF DENNE GRUND I PROJEKTET VIL VI BRUGE 3D SIMULERINGSVÆRKTØJER AF ENHEDER MED ATOMISTICA OPLØSNING SOM TRÆK-DIFUSION SIMULATORER OG MONTE CARLO MED KVANTEKORREKTIONER. Begge SIMULATORER er baseret på metoden for finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Undersøgelse af INFLUENCE af forskellige FLUCTUATIONER I NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY FOR KARAKERISTIK AF dispositiver er HVER MAYOR, bliver en af de primære trods for ESCALATE OG INTEGRATION AF AKTUALGENERATION AF dispositiver OG CIRCUITS som PROXIMA. DERFOR VIL VI UNDERSØGE DEN INDVIRKNING, SOM FORSKELLIGE KILDER TIL UDSVING HAR PÅ ENHEDERNES ADFÆRD FOR AT IDENTIFICERE DESIGN, MATERIALER OG ARKITEKTURER, DER ER MINDRE FØLSOMME OVER FOR VARIABILITET. FØLGENDE KILDER TIL VARIABILITET ER DE MEST KRITISKE I NW TFET-UNDERSØGELSEN: INTERFACE's ruhed, bagside, ALLEATORY dopings og rugositet af INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimering AF NUMERICAL algoritmer, portabilitet TIL NYE INFRASTRUKTURES OG UDVIKLING AF TOOLS TIL MANAGEMENT AF DATA _x000D_ for at analysere den indvirkning, som forskellige kilder til variabilitet har i transporten af NW TFETs er nødvendig for at udføre analyser. Hvem KONKURRE SIMULATION AF en stor mængde dispositiver, Øget COMPUTATIONAL COST. DERFOR ER BRUGEN AF EFFEKTIVE NUMERISKE ALGORITMER AFGØRENDE. _x000D_ denne del af PROJEKTET er BASERET I TWO MÅL: I) REDUKTION AF UDFØRELSESTID GENNEM OPTIMERING AF DE NUMERISKE ALGORITMER, DER ANVENDES I SIMULERINGEN OG DERES IMPLEMENTERING I FORSKELLIGE COMPUTERINFRASTRUKTURER OG II) EFFEKTIV FORVALTNING AF DE DATA, DER GENERERES GENNEM IMPLEMENTERING AF EN MANAGER TIL AFSENDELSE OG MODTAGELSE AF VARIABILITETSDATA VED HJÆLP AF HETEROGENE COMPUTERSYSTEMER. (Danish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: IP I DETTE PROJEKT ER I ØJEBLIKKET MARIE CURIE IEF-FORSKER VED SWANSEA UNIVERSITY (UK). DETTE PROJEKT HAR EN TVÆRFAGLIG KARAKTER OG OMFATTER NANOELEKTRONIK SAMT DATALOGI OG INFORMATIONSTEKNOLOGI I DE MEST NUVÆRENDE STATER. EF-Domstolen er inddelt i tre områder:_x000D_ 1. 3D modellering af TUNEL TRANSISTORS, ved hjælp af nano-tråde gennem arrastre-DIFUSION OG MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONER (TFETs) søges som mulige kurser til genansættelse af de konventionelle MOSFET dispositives for ULTRA LOW potens APPLICATIONER AF DIN SUB-Umbral pendence OG DIN Korrient reducation AF FUGA, hvilket gør en Agresive STALATE AF FOOD TENSION POSSIBLE. MEN, EN UDFORDRING FORBUNDET MED DISSE ENHEDER ER DERES BEGRÆNSEDE YDEEVNE OG LAV STRØM I ON ZONE. FOR AT OPNÅ HØJE TUNNELSANDSYNLIGHEDER VILLE DET VÆRE GAVNLIGT AT BRUGE HETEROUNIONS OG NYE ARKITEKTURER SOM F.EKS. NANOLEDNINGER (NW). I DETTE PROJEKT VIL VI I FØRSTE OMGANG UNDERSØGE EN NW TFET ENHED, HVIS ARKITEKTUR VIL FØLGE DE DESIGN, DER LEVERES AF IBM ZÜRICH. DERNÆST VIL FORSKELLIGE KOMBINATIONER BLIVE UNDERSØGT FOR DE MATERIALER, DER DANNER KANALEN, DRÆNEREN OG KILDEN TIL ENHEDEN OG OPTIMA ARKITEKTUR VIL BLIVE SKALERET TIL ANDRE TEKNOLOGISKE KNUDEPUNKTER FOR AT EVALUERE DERES YDEEVNE OG SKALERBARHED. FOR AT MODELLERE DISSE ENHEDER KORREKT, ER BRUGEN AF TREDIMENSIONALE SIMULATORER OBLIGATORISK. AF DENNE GRUND I PROJEKTET VIL VI BRUGE 3D SIMULERINGSVÆRKTØJER AF ENHEDER MED ATOMISTICA OPLØSNING SOM TRÆK-DIFUSION SIMULATORER OG MONTE CARLO MED KVANTEKORREKTIONER. Begge SIMULATORER er baseret på metoden for finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Undersøgelse af INFLUENCE af forskellige FLUCTUATIONER I NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY FOR KARAKERISTIK AF dispositiver er HVER MAYOR, bliver en af de primære trods for ESCALATE OG INTEGRATION AF AKTUALGENERATION AF dispositiver OG CIRCUITS som PROXIMA. DERFOR VIL VI UNDERSØGE DEN INDVIRKNING, SOM FORSKELLIGE KILDER TIL UDSVING HAR PÅ ENHEDERNES ADFÆRD FOR AT IDENTIFICERE DESIGN, MATERIALER OG ARKITEKTURER, DER ER MINDRE FØLSOMME OVER FOR VARIABILITET. FØLGENDE KILDER TIL VARIABILITET ER DE MEST KRITISKE I NW TFET-UNDERSØGELSEN: INTERFACE's ruhed, bagside, ALLEATORY dopings og rugositet af INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimering AF NUMERICAL algoritmer, portabilitet TIL NYE INFRASTRUKTURES OG UDVIKLING AF TOOLS TIL MANAGEMENT AF DATA _x000D_ for at analysere den indvirkning, som forskellige kilder til variabilitet har i transporten af NW TFETs er nødvendig for at udføre analyser. Hvem KONKURRE SIMULATION AF en stor mængde dispositiver, Øget COMPUTATIONAL COST. DERFOR ER BRUGEN AF EFFEKTIVE NUMERISKE ALGORITMER AFGØRENDE. _x000D_ denne del af PROJEKTET er BASERET I TWO MÅL: I) REDUKTION AF UDFØRELSESTID GENNEM OPTIMERING AF DE NUMERISKE ALGORITMER, DER ANVENDES I SIMULERINGEN OG DERES IMPLEMENTERING I FORSKELLIGE COMPUTERINFRASTRUKTURER OG II) EFFEKTIV FORVALTNING AF DE DATA, DER GENERERES GENNEM IMPLEMENTERING AF EN MANAGER TIL AFSENDELSE OG MODTAGELSE AF VARIABILITETSDATA VED HJÆLP AF HETEROGENE COMPUTERSYSTEMER. (Danish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
HANKKEEN IP ON TÄLLÄ HETKELLÄ MARIE CURIE IEF -TUTKIJA SWANSEAN YLIOPISTOSSA (YHDISTYNYT KUNINGASKUNTA). TÄMÄ HANKE ON LUONTEELTAAN MONITIETEINEN, JA SE SISÄLTÄÄ NANOELEKTRONIIKKAA SEKÄ TIETOJENKÄSITTELYTIEDETTÄ JA TIETOTEKNIIKKAA SEN NYKYISISSÄ VALTIOISSA. OBJECTIVES on luokiteltu kolmeen alueeseen:_x000D_ 1. 3D-mallinnus TUNEL TRANSISTORS (TFET), jossa käytetään nanokierteitä kautta arrastre-DIFUSION JA MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) etsitään mahdollisimman kursseja tavanomaisten MOSFET hävittäjien ULTRA LOW potenssi APPLICATIONS OF SUB-Umbral riipus JA YOUR Corrient reducation of FUGA, joka tekee FOOD TENSION POSSIB. NÄIHIN LAITTEISIIN LIITTYVÄ HAASTE ON KUITENKIN NIIDEN RAJALLINEN SUORITUSKYKY JA ALHAINEN VIRTA VYÖHYKKEELLÄ. SUURTEN TUNNELIEN TODENNÄKÖISYYKSIEN SAAVUTTAMISEKSI OLISI HYÖDYLLISTÄ KÄYTTÄÄ HETEROUNIONS-JÄRJESTELMIÄ JA UUSIA ARKKITEHTUUREJA, KUTEN NANOJOHTOJA (NW). TÄSSÄ HANKKEESSA TUTKIMME ALUKSI NW TFET -LAITETTA, JONKA ARKKITEHTUURI SEURAA IBM ZÜRICHIN TARJOAMIA MALLEJA. SEURAAVAKSI TUTKITAAN ERILAISIA YHDISTELMIÄ MATERIAALEISTA, JOTKA MUODOSTAVAT KANAVAN, TYHJENNYSLAITTEEN JA LÄHTEEN LAITTEEN JA OPTIMA-ARKKITEHTUURIN SKAALAUTUMISEKSI MUIHIN TEKNOLOGISIIN SOLMUIHIN NIIDEN SUORITUSKYVYN JA SKAALATTAVUUDEN ARVIOIMISEKSI. JOTTA NÄMÄ LAITTEET VOIDAAN MALLINTAA OIKEIN, KOLMIULOTTEISTEN SIMULAATTOREIDEN KÄYTTÖ ON PAKOLLISTA. TÄSTÄ SYYSTÄ KÄYTÄMME HANKKEESSA ATOMISTICA-RESOLUUTIOLLA VARUSTETTUJEN LAITTEIDEN 3D-SIMULAATTOREITA DRAG-DIFUSION -SIMULAATTOREINA JA MONTE CARLOA KVANTTIKORJAUKSILLA. Molemmat SIMULATORS perustuvat Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2 -menetelmään. Tutkimus UUSI TFET- TFETS_x000D: n erillisten FLUCTUATIONS: n erilaisuudesta TFETS_x000D_ ARIABILITYISTEN VARIABILITYISTEN VARIATIIVISTA KOSKEVAT KÄYTTÖJÄRJESTELMÄN TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN TOIMITUKSEN JA KIRJALLISTEN TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN JA KIRJALLISTEN TUOTTEIDEN TUOTTAJA KÄYTTÖJÄRJESTELMÄÄN. SIKSI TUTKIMME ERI VAIHTELUJEN LÄHTEIDEN VAIKUTUSTA LAITTEIDEN KÄYTTÄYTYMISEEN, JOTTA VOIDAAN TUNNISTAA MALLIT, MATERIAALIT JA ARKKITEHTUURIT, JOTKA OVAT VÄHEMMÄN HERKKIÄ VAIHTELULLE. SEURAAVAT VAIHTELEVUUDEN LÄHTEET OVAT KRIITTISIMPIÄ NW TFETS -TUTKIMUKSESSA: INTERFACE: n karheus, INTERFACE, KALLEATORY Dopings & rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimointi NUMERICAL algoritmien, siirrettävyys NEW INFRASTRUCTURES JA KEHITTÄMINEN TOOLSIN HALLITUKSEN DATA _x000D_ analysoida vaikutusta, joka eri lähteiden vaihtelevuus on UUSI TFET on tarpeen suorittaa analyysi. kuka REQUIRE SIMULATION OF DREAT NUMBER OF Dispositives, Increasing COMPUTATIONAL COST. SIKSI TEHOKKAIDEN NUMEERISTEN ALGORITMIEN KÄYTTÖ ON VÄLTTÄMÄTÖNTÄ. _x000D_ tämä osa PROJECT on kirjattu TWO OBJECTIVES: I) TOTEUTUSAJAN LYHENTÄMINEN OPTIMOIMALLA SIMULAATIOSSA KÄYTETTÄVIÄ NUMEERISIA ALGORITMEJA JA NIIDEN TOTEUTUSTA ERI LASKENTAINFRASTRUKTUUREISSA JA II) HALLINNOIMALLA TEHOKKAASTI VAIHTELEVUUSTIETOJEN LÄHETTÄMISEEN JA VASTAANOTTAMISEEN KÄYTETTÄVÄÄ VAIHTELEVUUSTIETOA KÄYTTÄEN HETEROGEENISIÄ LASKENTAJÄRJESTELMIÄ. (Finnish) | |||||||||||||||
| Property / summary: HANKKEEN IP ON TÄLLÄ HETKELLÄ MARIE CURIE IEF -TUTKIJA SWANSEAN YLIOPISTOSSA (YHDISTYNYT KUNINGASKUNTA). TÄMÄ HANKE ON LUONTEELTAAN MONITIETEINEN, JA SE SISÄLTÄÄ NANOELEKTRONIIKKAA SEKÄ TIETOJENKÄSITTELYTIEDETTÄ JA TIETOTEKNIIKKAA SEN NYKYISISSÄ VALTIOISSA. OBJECTIVES on luokiteltu kolmeen alueeseen:_x000D_ 1. 3D-mallinnus TUNEL TRANSISTORS (TFET), jossa käytetään nanokierteitä kautta arrastre-DIFUSION JA MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) etsitään mahdollisimman kursseja tavanomaisten MOSFET hävittäjien ULTRA LOW potenssi APPLICATIONS OF SUB-Umbral riipus JA YOUR Corrient reducation of FUGA, joka tekee FOOD TENSION POSSIB. NÄIHIN LAITTEISIIN LIITTYVÄ HAASTE ON KUITENKIN NIIDEN RAJALLINEN SUORITUSKYKY JA ALHAINEN VIRTA VYÖHYKKEELLÄ. SUURTEN TUNNELIEN TODENNÄKÖISYYKSIEN SAAVUTTAMISEKSI OLISI HYÖDYLLISTÄ KÄYTTÄÄ HETEROUNIONS-JÄRJESTELMIÄ JA UUSIA ARKKITEHTUUREJA, KUTEN NANOJOHTOJA (NW). TÄSSÄ HANKKEESSA TUTKIMME ALUKSI NW TFET -LAITETTA, JONKA ARKKITEHTUURI SEURAA IBM ZÜRICHIN TARJOAMIA MALLEJA. SEURAAVAKSI TUTKITAAN ERILAISIA YHDISTELMIÄ MATERIAALEISTA, JOTKA MUODOSTAVAT KANAVAN, TYHJENNYSLAITTEEN JA LÄHTEEN LAITTEEN JA OPTIMA-ARKKITEHTUURIN SKAALAUTUMISEKSI MUIHIN TEKNOLOGISIIN SOLMUIHIN NIIDEN SUORITUSKYVYN JA SKAALATTAVUUDEN ARVIOIMISEKSI. JOTTA NÄMÄ LAITTEET VOIDAAN MALLINTAA OIKEIN, KOLMIULOTTEISTEN SIMULAATTOREIDEN KÄYTTÖ ON PAKOLLISTA. TÄSTÄ SYYSTÄ KÄYTÄMME HANKKEESSA ATOMISTICA-RESOLUUTIOLLA VARUSTETTUJEN LAITTEIDEN 3D-SIMULAATTOREITA DRAG-DIFUSION -SIMULAATTOREINA JA MONTE CARLOA KVANTTIKORJAUKSILLA. Molemmat SIMULATORS perustuvat Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2 -menetelmään. Tutkimus UUSI TFET- TFETS_x000D: n erillisten FLUCTUATIONS: n erilaisuudesta TFETS_x000D_ ARIABILITYISTEN VARIABILITYISTEN VARIATIIVISTA KOSKEVAT KÄYTTÖJÄRJESTELMÄN TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN TOIMITUKSEN JA KIRJALLISTEN TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN JA KIRJALLISTEN TUOTTEIDEN TUOTTAJA KÄYTTÖJÄRJESTELMÄÄN. SIKSI TUTKIMME ERI VAIHTELUJEN LÄHTEIDEN VAIKUTUSTA LAITTEIDEN KÄYTTÄYTYMISEEN, JOTTA VOIDAAN TUNNISTAA MALLIT, MATERIAALIT JA ARKKITEHTUURIT, JOTKA OVAT VÄHEMMÄN HERKKIÄ VAIHTELULLE. SEURAAVAT VAIHTELEVUUDEN LÄHTEET OVAT KRIITTISIMPIÄ NW TFETS -TUTKIMUKSESSA: INTERFACE: n karheus, INTERFACE, KALLEATORY Dopings & rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimointi NUMERICAL algoritmien, siirrettävyys NEW INFRASTRUCTURES JA KEHITTÄMINEN TOOLSIN HALLITUKSEN DATA _x000D_ analysoida vaikutusta, joka eri lähteiden vaihtelevuus on UUSI TFET on tarpeen suorittaa analyysi. kuka REQUIRE SIMULATION OF DREAT NUMBER OF Dispositives, Increasing COMPUTATIONAL COST. SIKSI TEHOKKAIDEN NUMEERISTEN ALGORITMIEN KÄYTTÖ ON VÄLTTÄMÄTÖNTÄ. _x000D_ tämä osa PROJECT on kirjattu TWO OBJECTIVES: I) TOTEUTUSAJAN LYHENTÄMINEN OPTIMOIMALLA SIMULAATIOSSA KÄYTETTÄVIÄ NUMEERISIA ALGORITMEJA JA NIIDEN TOTEUTUSTA ERI LASKENTAINFRASTRUKTUUREISSA JA II) HALLINNOIMALLA TEHOKKAASTI VAIHTELEVUUSTIETOJEN LÄHETTÄMISEEN JA VASTAANOTTAMISEEN KÄYTETTÄVÄÄ VAIHTELEVUUSTIETOA KÄYTTÄEN HETEROGEENISIÄ LASKENTAJÄRJESTELMIÄ. (Finnish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: HANKKEEN IP ON TÄLLÄ HETKELLÄ MARIE CURIE IEF -TUTKIJA SWANSEAN YLIOPISTOSSA (YHDISTYNYT KUNINGASKUNTA). TÄMÄ HANKE ON LUONTEELTAAN MONITIETEINEN, JA SE SISÄLTÄÄ NANOELEKTRONIIKKAA SEKÄ TIETOJENKÄSITTELYTIEDETTÄ JA TIETOTEKNIIKKAA SEN NYKYISISSÄ VALTIOISSA. OBJECTIVES on luokiteltu kolmeen alueeseen:_x000D_ 1. 3D-mallinnus TUNEL TRANSISTORS (TFET), jossa käytetään nanokierteitä kautta arrastre-DIFUSION JA MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) etsitään mahdollisimman kursseja tavanomaisten MOSFET hävittäjien ULTRA LOW potenssi APPLICATIONS OF SUB-Umbral riipus JA YOUR Corrient reducation of FUGA, joka tekee FOOD TENSION POSSIB. NÄIHIN LAITTEISIIN LIITTYVÄ HAASTE ON KUITENKIN NIIDEN RAJALLINEN SUORITUSKYKY JA ALHAINEN VIRTA VYÖHYKKEELLÄ. SUURTEN TUNNELIEN TODENNÄKÖISYYKSIEN SAAVUTTAMISEKSI OLISI HYÖDYLLISTÄ KÄYTTÄÄ HETEROUNIONS-JÄRJESTELMIÄ JA UUSIA ARKKITEHTUUREJA, KUTEN NANOJOHTOJA (NW). TÄSSÄ HANKKEESSA TUTKIMME ALUKSI NW TFET -LAITETTA, JONKA ARKKITEHTUURI SEURAA IBM ZÜRICHIN TARJOAMIA MALLEJA. SEURAAVAKSI TUTKITAAN ERILAISIA YHDISTELMIÄ MATERIAALEISTA, JOTKA MUODOSTAVAT KANAVAN, TYHJENNYSLAITTEEN JA LÄHTEEN LAITTEEN JA OPTIMA-ARKKITEHTUURIN SKAALAUTUMISEKSI MUIHIN TEKNOLOGISIIN SOLMUIHIN NIIDEN SUORITUSKYVYN JA SKAALATTAVUUDEN ARVIOIMISEKSI. JOTTA NÄMÄ LAITTEET VOIDAAN MALLINTAA OIKEIN, KOLMIULOTTEISTEN SIMULAATTOREIDEN KÄYTTÖ ON PAKOLLISTA. TÄSTÄ SYYSTÄ KÄYTÄMME HANKKEESSA ATOMISTICA-RESOLUUTIOLLA VARUSTETTUJEN LAITTEIDEN 3D-SIMULAATTOREITA DRAG-DIFUSION -SIMULAATTOREINA JA MONTE CARLOA KVANTTIKORJAUKSILLA. Molemmat SIMULATORS perustuvat Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2 -menetelmään. Tutkimus UUSI TFET- TFETS_x000D: n erillisten FLUCTUATIONS: n erilaisuudesta TFETS_x000D_ ARIABILITYISTEN VARIABILITYISTEN VARIATIIVISTA KOSKEVAT KÄYTTÖJÄRJESTELMÄN TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN TOIMITUKSEN JA KIRJALLISTEN TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN JA KIRJALLISTEN TUOTTEIDEN TUOTTAJA KÄYTTÖJÄRJESTELMÄÄN. SIKSI TUTKIMME ERI VAIHTELUJEN LÄHTEIDEN VAIKUTUSTA LAITTEIDEN KÄYTTÄYTYMISEEN, JOTTA VOIDAAN TUNNISTAA MALLIT, MATERIAALIT JA ARKKITEHTUURIT, JOTKA OVAT VÄHEMMÄN HERKKIÄ VAIHTELULLE. SEURAAVAT VAIHTELEVUUDEN LÄHTEET OVAT KRIITTISIMPIÄ NW TFETS -TUTKIMUKSESSA: INTERFACE: n karheus, INTERFACE, KALLEATORY Dopings & rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimointi NUMERICAL algoritmien, siirrettävyys NEW INFRASTRUCTURES JA KEHITTÄMINEN TOOLSIN HALLITUKSEN DATA _x000D_ analysoida vaikutusta, joka eri lähteiden vaihtelevuus on UUSI TFET on tarpeen suorittaa analyysi. kuka REQUIRE SIMULATION OF DREAT NUMBER OF Dispositives, Increasing COMPUTATIONAL COST. SIKSI TEHOKKAIDEN NUMEERISTEN ALGORITMIEN KÄYTTÖ ON VÄLTTÄMÄTÖNTÄ. _x000D_ tämä osa PROJECT on kirjattu TWO OBJECTIVES: I) TOTEUTUSAJAN LYHENTÄMINEN OPTIMOIMALLA SIMULAATIOSSA KÄYTETTÄVIÄ NUMEERISIA ALGORITMEJA JA NIIDEN TOTEUTUSTA ERI LASKENTAINFRASTRUKTUUREISSA JA II) HALLINNOIMALLA TEHOKKAASTI VAIHTELEVUUSTIETOJEN LÄHETTÄMISEEN JA VASTAANOTTAMISEEN KÄYTETTÄVÄÄ VAIHTELEVUUSTIETOA KÄYTTÄEN HETEROGEENISIÄ LASKENTAJÄRJESTELMIÄ. (Finnish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IL-PI TA’ DAN IL-PROĠETT BĦALISSA HUWA RIĊERKATUR TAL-IEF MARIE CURIE FL-UNIVERSITÀ TA’ SWANSEA (IR-RENJU UNIT). DAN IL-PROĠETT GĦANDU KARATTRU MULTIDIXXIPLINARI, LI JINKORPORA N-NANOELETTRONIKA U X-XJENZA TAL-KOMPJUTER U T-TEKNOLOĠIJI TAL-INFORMAZZJONI FL-AKTAR STATI ATTWALI TIEGĦU. L-OBJETTIVES huma kklassifikati fi tliet oqsma:_x000D_ 1. L-immudellar 3D ta’ TUNEL TRANSISTORS, bl-użu tan-nanoħjut permezz tal-arrastre-DIFUSION U l-MONTE METHODS CARLO_x000D_ PROVIŻJONIJIET TUNEL (TFETs) qed jiġu mfittxija bħala korsijiet possibbli għall-impjieg mill-ġdid tad-dispożittivi MOSFET Konvenzjonali għal APPLIKAZZJONI ULTRA LOW TAL-Pendence SUB-Umbral TIEGĦEK U ŻGĦAŻAGĦ Korrijent TA’ FUGA, li jagħmel STAL Aħħari tal-Pendenza tat-TENODJI. MADANKOLLU, SFIDA ASSOĊJATA MA’ DAWN L-APPARATI HIJA L-PRESTAZZJONI LIMITATA TAGĦHOM U L-KURRENT BAXX TAGĦHOM FIŻ-ŻONA FIŻ-ŻONA. BIEX JINKISBU PROBABBILTAJIET GĦOLJIN TA’ MINA, IKUN TA’ BENEFIĊĊJU LI JINTUŻAW HETEROUNIONS U ARKITETTURI ĠODDA, BĦAN-NANOWIRES (NW). F’DAN IL-PROĠETT INIZJALMENT SE NINVESTIGAW APPARAT NW TFET LI L-ARKITETTURA TIEGĦU SE SSEGWI D-DISINJI PPROVDUTI MINN IBM ZURICH. IMBAGĦAD, IL-KOMBINAZZJONIJIET DIFFERENTI SE JIĠU EŻAMINATI GĦALL-MATERJALI LI JIFFURMAW IL-KANAL, ID-DREJNER U S-SORS TAL-APPARAT U L-ARKITETTURA OPTIMA SE TIĠI SKALATA GĦAL NODI TEKNOLOĠIĊI OĦRA BIEX TEVALWA L-PRESTAZZJONI U L-ISKALABBILTÀ TAGĦHOM. BIEX DAWN L-APPARATI JIĠU MMUDELLATI B’MOD KORRETT, L-UŻU TA’ SIMULATURI TRIDIMENSJONALI HUWA OBBLIGATORJU. GĦAL DIN IR-RAĠUNI FIL-PROĠETT SE NUŻAW GĦODOD TA’ SIMULAZZJONI 3D TA’ APPARAT B’RIŻOLUZZJONI ATOMISTICA BĦALA SIMULATURI TA’ DRAG-DIFUŻJONI U MONTE CARLO B’KORREZZJONIJIET KWANTISTIĊI. Iż-żewġ SIMULATORS huma bbażati fuq il-Metodu ta’ ELEMENTS Finite._x000D_ _x000D_ 2. Studju tal-INFLUENZA TAL-FLUSJONIJIET FIL-ĠDID TFETS_x000D_ L-EFFECT tal-VARJABILITÀ GĦALL-KARTRATATI TAL-KARATTIVA TAL-MAYOR VEERY, li ssir waħda mid-diffiances primarji għall-ESCALATE U l-INTEGRAZZJONI TAL-ĠENERAZZJONI ATTWALI TA’ dispożizzji u ċ-Ċirkustanzi KIF Il-PROXIMA. GĦALHEKK, AĦNA SE TISTUDJA L-IMPATT LI SORSI DIFFERENTI TA ‘VARJAZZJONIJIET JKOLLHOM FUQ L-IMĠIBA TA’ APPARAT SABIEX JIĠU IDENTIFIKATI L-DISINJI, MATERJALI U ARKITETTURI INQAS SENSITTIVI GĦALL-VARJABBILTÀ. IS-SORSI TA’ VARJABBILTÀ LI ĠEJJIN HUMA L-AKTAR KRITIĊI FL-ISTUDJU TAL-NW TFET: Ħruxija ta’ INTERFACE, BACK FIL-INTERFACE, ALLEATORY Dopings U rugosità ta’ INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Ottimizzazzjoni TA’ Algoritmi NUMERICALI, portabbiltà LILL-INFRASTRUCTUŻI U ŻVILUPP TA’ TOOLS GĦALL-MAĠĠJU TA’ DATA _x000D_ biex tanalizza l-impatt li sorsi differenti ta’ varjabilità għandhom fit-trasport tal-NW TFETs hija meħtieġa biex titwettaq analiżi. GĦALHEKK, L-UŻU TA’ ALGORITMI NUMERIĊI EFFIĊJENTI HUWA ESSENZJALI. _x000D_ din il-PARTI TAL-PROJECT TIEGĦU FIL-GĦANJETTIJIET: I) IT-TNAQQIS TAL-ĦIN TAL-EŻEKUZZJONI PERMEZZ TAL-OTTIMIZZAZZJONI TAL-ALGORITMI NUMERIĊI UŻATI FIS-SIMULAZZJONI U L-IMPLIMENTAZZJONI TAGĦHOM F’INFRASTRUTTURI KOMPUTAZZJONALI DIFFERENTI U II) IL-ĠESTJONI EFFIĊJENTI TAD-DATA ĠĠENERATA PERMEZZ TAL-IMPLIMENTAZZJONI TA’ MANIĠER BIEX JIBGĦAT U JIRĊIEVI DATA DWAR IL-VARJABBILTÀ BL-UŻU TA’ SISTEMI KOMPUTAZZJONALI ETEROĠENJI. (Maltese) | |||||||||||||||
| Property / summary: IL-PI TA’ DAN IL-PROĠETT BĦALISSA HUWA RIĊERKATUR TAL-IEF MARIE CURIE FL-UNIVERSITÀ TA’ SWANSEA (IR-RENJU UNIT). DAN IL-PROĠETT GĦANDU KARATTRU MULTIDIXXIPLINARI, LI JINKORPORA N-NANOELETTRONIKA U X-XJENZA TAL-KOMPJUTER U T-TEKNOLOĠIJI TAL-INFORMAZZJONI FL-AKTAR STATI ATTWALI TIEGĦU. L-OBJETTIVES huma kklassifikati fi tliet oqsma:_x000D_ 1. L-immudellar 3D ta’ TUNEL TRANSISTORS, bl-użu tan-nanoħjut permezz tal-arrastre-DIFUSION U l-MONTE METHODS CARLO_x000D_ PROVIŻJONIJIET TUNEL (TFETs) qed jiġu mfittxija bħala korsijiet possibbli għall-impjieg mill-ġdid tad-dispożittivi MOSFET Konvenzjonali għal APPLIKAZZJONI ULTRA LOW TAL-Pendence SUB-Umbral TIEGĦEK U ŻGĦAŻAGĦ Korrijent TA’ FUGA, li jagħmel STAL Aħħari tal-Pendenza tat-TENODJI. MADANKOLLU, SFIDA ASSOĊJATA MA’ DAWN L-APPARATI HIJA L-PRESTAZZJONI LIMITATA TAGĦHOM U L-KURRENT BAXX TAGĦHOM FIŻ-ŻONA FIŻ-ŻONA. BIEX JINKISBU PROBABBILTAJIET GĦOLJIN TA’ MINA, IKUN TA’ BENEFIĊĊJU LI JINTUŻAW HETEROUNIONS U ARKITETTURI ĠODDA, BĦAN-NANOWIRES (NW). F’DAN IL-PROĠETT INIZJALMENT SE NINVESTIGAW APPARAT NW TFET LI L-ARKITETTURA TIEGĦU SE SSEGWI D-DISINJI PPROVDUTI MINN IBM ZURICH. IMBAGĦAD, IL-KOMBINAZZJONIJIET DIFFERENTI SE JIĠU EŻAMINATI GĦALL-MATERJALI LI JIFFURMAW IL-KANAL, ID-DREJNER U S-SORS TAL-APPARAT U L-ARKITETTURA OPTIMA SE TIĠI SKALATA GĦAL NODI TEKNOLOĠIĊI OĦRA BIEX TEVALWA L-PRESTAZZJONI U L-ISKALABBILTÀ TAGĦHOM. BIEX DAWN L-APPARATI JIĠU MMUDELLATI B’MOD KORRETT, L-UŻU TA’ SIMULATURI TRIDIMENSJONALI HUWA OBBLIGATORJU. GĦAL DIN IR-RAĠUNI FIL-PROĠETT SE NUŻAW GĦODOD TA’ SIMULAZZJONI 3D TA’ APPARAT B’RIŻOLUZZJONI ATOMISTICA BĦALA SIMULATURI TA’ DRAG-DIFUŻJONI U MONTE CARLO B’KORREZZJONIJIET KWANTISTIĊI. Iż-żewġ SIMULATORS huma bbażati fuq il-Metodu ta’ ELEMENTS Finite._x000D_ _x000D_ 2. Studju tal-INFLUENZA TAL-FLUSJONIJIET FIL-ĠDID TFETS_x000D_ L-EFFECT tal-VARJABILITÀ GĦALL-KARTRATATI TAL-KARATTIVA TAL-MAYOR VEERY, li ssir waħda mid-diffiances primarji għall-ESCALATE U l-INTEGRAZZJONI TAL-ĠENERAZZJONI ATTWALI TA’ dispożizzji u ċ-Ċirkustanzi KIF Il-PROXIMA. GĦALHEKK, AĦNA SE TISTUDJA L-IMPATT LI SORSI DIFFERENTI TA ‘VARJAZZJONIJIET JKOLLHOM FUQ L-IMĠIBA TA’ APPARAT SABIEX JIĠU IDENTIFIKATI L-DISINJI, MATERJALI U ARKITETTURI INQAS SENSITTIVI GĦALL-VARJABBILTÀ. IS-SORSI TA’ VARJABBILTÀ LI ĠEJJIN HUMA L-AKTAR KRITIĊI FL-ISTUDJU TAL-NW TFET: Ħruxija ta’ INTERFACE, BACK FIL-INTERFACE, ALLEATORY Dopings U rugosità ta’ INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Ottimizzazzjoni TA’ Algoritmi NUMERICALI, portabbiltà LILL-INFRASTRUCTUŻI U ŻVILUPP TA’ TOOLS GĦALL-MAĠĠJU TA’ DATA _x000D_ biex tanalizza l-impatt li sorsi differenti ta’ varjabilità għandhom fit-trasport tal-NW TFETs hija meħtieġa biex titwettaq analiżi. GĦALHEKK, L-UŻU TA’ ALGORITMI NUMERIĊI EFFIĊJENTI HUWA ESSENZJALI. _x000D_ din il-PARTI TAL-PROJECT TIEGĦU FIL-GĦANJETTIJIET: I) IT-TNAQQIS TAL-ĦIN TAL-EŻEKUZZJONI PERMEZZ TAL-OTTIMIZZAZZJONI TAL-ALGORITMI NUMERIĊI UŻATI FIS-SIMULAZZJONI U L-IMPLIMENTAZZJONI TAGĦHOM F’INFRASTRUTTURI KOMPUTAZZJONALI DIFFERENTI U II) IL-ĠESTJONI EFFIĊJENTI TAD-DATA ĠĠENERATA PERMEZZ TAL-IMPLIMENTAZZJONI TA’ MANIĠER BIEX JIBGĦAT U JIRĊIEVI DATA DWAR IL-VARJABBILTÀ BL-UŻU TA’ SISTEMI KOMPUTAZZJONALI ETEROĠENJI. (Maltese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: IL-PI TA’ DAN IL-PROĠETT BĦALISSA HUWA RIĊERKATUR TAL-IEF MARIE CURIE FL-UNIVERSITÀ TA’ SWANSEA (IR-RENJU UNIT). DAN IL-PROĠETT GĦANDU KARATTRU MULTIDIXXIPLINARI, LI JINKORPORA N-NANOELETTRONIKA U X-XJENZA TAL-KOMPJUTER U T-TEKNOLOĠIJI TAL-INFORMAZZJONI FL-AKTAR STATI ATTWALI TIEGĦU. L-OBJETTIVES huma kklassifikati fi tliet oqsma:_x000D_ 1. L-immudellar 3D ta’ TUNEL TRANSISTORS, bl-użu tan-nanoħjut permezz tal-arrastre-DIFUSION U l-MONTE METHODS CARLO_x000D_ PROVIŻJONIJIET TUNEL (TFETs) qed jiġu mfittxija bħala korsijiet possibbli għall-impjieg mill-ġdid tad-dispożittivi MOSFET Konvenzjonali għal APPLIKAZZJONI ULTRA LOW TAL-Pendence SUB-Umbral TIEGĦEK U ŻGĦAŻAGĦ Korrijent TA’ FUGA, li jagħmel STAL Aħħari tal-Pendenza tat-TENODJI. MADANKOLLU, SFIDA ASSOĊJATA MA’ DAWN L-APPARATI HIJA L-PRESTAZZJONI LIMITATA TAGĦHOM U L-KURRENT BAXX TAGĦHOM FIŻ-ŻONA FIŻ-ŻONA. BIEX JINKISBU PROBABBILTAJIET GĦOLJIN TA’ MINA, IKUN TA’ BENEFIĊĊJU LI JINTUŻAW HETEROUNIONS U ARKITETTURI ĠODDA, BĦAN-NANOWIRES (NW). F’DAN IL-PROĠETT INIZJALMENT SE NINVESTIGAW APPARAT NW TFET LI L-ARKITETTURA TIEGĦU SE SSEGWI D-DISINJI PPROVDUTI MINN IBM ZURICH. IMBAGĦAD, IL-KOMBINAZZJONIJIET DIFFERENTI SE JIĠU EŻAMINATI GĦALL-MATERJALI LI JIFFURMAW IL-KANAL, ID-DREJNER U S-SORS TAL-APPARAT U L-ARKITETTURA OPTIMA SE TIĠI SKALATA GĦAL NODI TEKNOLOĠIĊI OĦRA BIEX TEVALWA L-PRESTAZZJONI U L-ISKALABBILTÀ TAGĦHOM. BIEX DAWN L-APPARATI JIĠU MMUDELLATI B’MOD KORRETT, L-UŻU TA’ SIMULATURI TRIDIMENSJONALI HUWA OBBLIGATORJU. GĦAL DIN IR-RAĠUNI FIL-PROĠETT SE NUŻAW GĦODOD TA’ SIMULAZZJONI 3D TA’ APPARAT B’RIŻOLUZZJONI ATOMISTICA BĦALA SIMULATURI TA’ DRAG-DIFUŻJONI U MONTE CARLO B’KORREZZJONIJIET KWANTISTIĊI. Iż-żewġ SIMULATORS huma bbażati fuq il-Metodu ta’ ELEMENTS Finite._x000D_ _x000D_ 2. Studju tal-INFLUENZA TAL-FLUSJONIJIET FIL-ĠDID TFETS_x000D_ L-EFFECT tal-VARJABILITÀ GĦALL-KARTRATATI TAL-KARATTIVA TAL-MAYOR VEERY, li ssir waħda mid-diffiances primarji għall-ESCALATE U l-INTEGRAZZJONI TAL-ĠENERAZZJONI ATTWALI TA’ dispożizzji u ċ-Ċirkustanzi KIF Il-PROXIMA. GĦALHEKK, AĦNA SE TISTUDJA L-IMPATT LI SORSI DIFFERENTI TA ‘VARJAZZJONIJIET JKOLLHOM FUQ L-IMĠIBA TA’ APPARAT SABIEX JIĠU IDENTIFIKATI L-DISINJI, MATERJALI U ARKITETTURI INQAS SENSITTIVI GĦALL-VARJABBILTÀ. IS-SORSI TA’ VARJABBILTÀ LI ĠEJJIN HUMA L-AKTAR KRITIĊI FL-ISTUDJU TAL-NW TFET: Ħruxija ta’ INTERFACE, BACK FIL-INTERFACE, ALLEATORY Dopings U rugosità ta’ INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Ottimizzazzjoni TA’ Algoritmi NUMERICALI, portabbiltà LILL-INFRASTRUCTUŻI U ŻVILUPP TA’ TOOLS GĦALL-MAĠĠJU TA’ DATA _x000D_ biex tanalizza l-impatt li sorsi differenti ta’ varjabilità għandhom fit-trasport tal-NW TFETs hija meħtieġa biex titwettaq analiżi. GĦALHEKK, L-UŻU TA’ ALGORITMI NUMERIĊI EFFIĊJENTI HUWA ESSENZJALI. _x000D_ din il-PARTI TAL-PROJECT TIEGĦU FIL-GĦANJETTIJIET: I) IT-TNAQQIS TAL-ĦIN TAL-EŻEKUZZJONI PERMEZZ TAL-OTTIMIZZAZZJONI TAL-ALGORITMI NUMERIĊI UŻATI FIS-SIMULAZZJONI U L-IMPLIMENTAZZJONI TAGĦHOM F’INFRASTRUTTURI KOMPUTAZZJONALI DIFFERENTI U II) IL-ĠESTJONI EFFIĊJENTI TAD-DATA ĠĠENERATA PERMEZZ TAL-IMPLIMENTAZZJONI TA’ MANIĠER BIEX JIBGĦAT U JIRĊIEVI DATA DWAR IL-VARJABBILTÀ BL-UŻU TA’ SISTEMI KOMPUTAZZJONALI ETEROĠENJI. (Maltese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
ŠĀ PROJEKTA IP PAŠLAIK IR MARIJAS KIRĪ IEF PĒTNIECE SWANSEA UNIVERSITĀTĒ (APVIENOTĀ KARALISTE). ŠIM PROJEKTAM IR DAUDZNOZARU RAKSTURS, KAS IETVER NANOELEKTRONIKU UN DATORZINĀTNES UN INFORMĀCIJAS TEHNOLOĢIJAS TĀ PAŠREIZĒJĀS VALSTĪS. MĒRĶIS ir klasificēts trīs jomās:_x000D_ 1. TUNEL TRANSISTORS 3D modelēšana, izmantojot nano pavedienus, izmantojot arrastre-DIFUSION UN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs), tiek meklēti kā iespējamie kursi, lai atkārtoti ieviestu parasto MOSFET dispozitīvus ULTRA LOW potence PIETEIKUMI JŪSU SUB-Umbral pendence AND YOUR Corrient reducation of FUGA, kas padara Agresive STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. TOMĒR PROBLĒMA, KAS SAISTĪTA AR ŠĪM IERĪCĒM, IR TO IEROBEŽOTĀ VEIKTSPĒJA UN ZEMA STRĀVA ZONĀ. LAI SASNIEGTU AUGSTU TUNEĻA VARBŪTĪBU, BŪTU LIETDERĪGI IZMANTOT HETEROUNIONS UN JAUNAS ARHITEKTŪRAS, PIEMĒRAM, NANOVADUS (NW). ŠAJĀ PROJEKTĀ MĒS SĀKOTNĒJI IZMEKLĒSIM NW TFET IERĪCI, KURAS ARHITEKTŪRA SEKOS IBM CĪRIHES SNIEGTAJIEM DIZAINPARAUGIEM. TĀLĀK, DAŽĀDAS KOMBINĀCIJAS TIKS PĀRBAUDĪTI MATERIĀLIEM, KAS VEIDO KANĀLU, DRENĀŽAS UN AVOTA IERĪCES UN OPTIMA ARHITEKTŪRA TIKS MĒROGOTS UZ CITIEM TEHNOLOĢIJU MEZGLIEM, LAI NOVĒRTĒTU TO VEIKTSPĒJU UN MĒROGOJAMĪBU. LAI MODELĒTU ŠĪS IERĪCES PAREIZI, TRĪSDIMENSIJU SIMULATORU IZMANTOŠANA IR OBLIGĀTA. ŠĪ IEMESLA DĒĻ PROJEKTĀ MĒS IZMANTOSIM 3D SIMULĀCIJAS RĪKUS IERĪCĒM AR ATOMISTICA IZŠĶIRTSPĒJU KĀ VILKŠANAS-DIFŪZIJAS SIMULATORUS UN MONTE CARLO AR KVANTU LABOJUMIEM. Abi SIMULATORS ir balstīti uz metodi galīgo ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Pētījums par dažādu FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D Informācija par VARIABILITY EFEKTU DZĪVNIECĪBAS DZĪVNIECĪBAS KOPĒJĀM IR VIENOŠIEM, kļūstot par vienu no galvenajiem trūkumiem ESCALATE UN INTEGRATION OF ACTUAL GENERATION OF dispozitīviem un CIRCUITS AS PROXIMA. TĀPĒC MĒS PĒTĪSIM DAŽĀDU SVĀRSTĪBU AVOTU IETEKMI UZ IERĪČU UZVEDĪBU, LAI IDENTIFICĒTU DIZAINU, MATERIĀLUS UN ARHITEKTŪRU, KAS IR MAZĀK JUTĪGI PRET MAINĪGUMU. NW TFET PĒTĪJUMĀ VISKRITISKĀKIE IR ŠĀDI MAINĪGUMA AVOTI: Nelīdzenums INTERFACE, BACK IN INTERFACE, ALLEATORY Dopings and Rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. NUMERICAL algoritmu optimizācija, pārnesamība JAUNS INSTRUCTURES UN DEVELOPMENT OF TOOLS FOR THE MANAGEMENT OF DATA _x000D_, lai analizētu ietekmi, kāda dažādiem mainīguma avotiem ir NW TFET pārvadāšanā, ir nepieciešama, lai veiktu analīzi. kurš pieprasa simulāciju par GREAT NUMBER no dispozitīviem, palielinot komputāciju. TĀPĒC IR BŪTISKI IZMANTOT EFEKTĪVUS CIPARU ALGORITMUS. _x000D_ šī PROJEKTA DAĻA ir spēkā divos OBJECTIVES: I) IZPILDES LAIKA SAMAZINĀŠANA, OPTIMIZĒJOT SIMULĀCIJĀ IZMANTOTOS SKAITLISKOS ALGORITMUS UN TO ĪSTENOŠANU DAŽĀDĀS SKAITĻOŠANAS INFRASTRUKTŪRĀS, UN II) EFEKTĪVA TO DATU PĀRVALDĪBA, KAS IEGŪTI, IEVIEŠOT PĀRVALDĪTĀJU MAINĪGUMA DATU NOSŪTĪŠANAI UN SAŅEMŠANAI, IZMANTOJOT NEVIENDABĪGAS SKAITĻOŠANAS SISTĒMAS. (Latvian) | |||||||||||||||
| Property / summary: ŠĀ PROJEKTA IP PAŠLAIK IR MARIJAS KIRĪ IEF PĒTNIECE SWANSEA UNIVERSITĀTĒ (APVIENOTĀ KARALISTE). ŠIM PROJEKTAM IR DAUDZNOZARU RAKSTURS, KAS IETVER NANOELEKTRONIKU UN DATORZINĀTNES UN INFORMĀCIJAS TEHNOLOĢIJAS TĀ PAŠREIZĒJĀS VALSTĪS. MĒRĶIS ir klasificēts trīs jomās:_x000D_ 1. TUNEL TRANSISTORS 3D modelēšana, izmantojot nano pavedienus, izmantojot arrastre-DIFUSION UN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs), tiek meklēti kā iespējamie kursi, lai atkārtoti ieviestu parasto MOSFET dispozitīvus ULTRA LOW potence PIETEIKUMI JŪSU SUB-Umbral pendence AND YOUR Corrient reducation of FUGA, kas padara Agresive STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. TOMĒR PROBLĒMA, KAS SAISTĪTA AR ŠĪM IERĪCĒM, IR TO IEROBEŽOTĀ VEIKTSPĒJA UN ZEMA STRĀVA ZONĀ. LAI SASNIEGTU AUGSTU TUNEĻA VARBŪTĪBU, BŪTU LIETDERĪGI IZMANTOT HETEROUNIONS UN JAUNAS ARHITEKTŪRAS, PIEMĒRAM, NANOVADUS (NW). ŠAJĀ PROJEKTĀ MĒS SĀKOTNĒJI IZMEKLĒSIM NW TFET IERĪCI, KURAS ARHITEKTŪRA SEKOS IBM CĪRIHES SNIEGTAJIEM DIZAINPARAUGIEM. TĀLĀK, DAŽĀDAS KOMBINĀCIJAS TIKS PĀRBAUDĪTI MATERIĀLIEM, KAS VEIDO KANĀLU, DRENĀŽAS UN AVOTA IERĪCES UN OPTIMA ARHITEKTŪRA TIKS MĒROGOTS UZ CITIEM TEHNOLOĢIJU MEZGLIEM, LAI NOVĒRTĒTU TO VEIKTSPĒJU UN MĒROGOJAMĪBU. LAI MODELĒTU ŠĪS IERĪCES PAREIZI, TRĪSDIMENSIJU SIMULATORU IZMANTOŠANA IR OBLIGĀTA. ŠĪ IEMESLA DĒĻ PROJEKTĀ MĒS IZMANTOSIM 3D SIMULĀCIJAS RĪKUS IERĪCĒM AR ATOMISTICA IZŠĶIRTSPĒJU KĀ VILKŠANAS-DIFŪZIJAS SIMULATORUS UN MONTE CARLO AR KVANTU LABOJUMIEM. Abi SIMULATORS ir balstīti uz metodi galīgo ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Pētījums par dažādu FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D Informācija par VARIABILITY EFEKTU DZĪVNIECĪBAS DZĪVNIECĪBAS KOPĒJĀM IR VIENOŠIEM, kļūstot par vienu no galvenajiem trūkumiem ESCALATE UN INTEGRATION OF ACTUAL GENERATION OF dispozitīviem un CIRCUITS AS PROXIMA. TĀPĒC MĒS PĒTĪSIM DAŽĀDU SVĀRSTĪBU AVOTU IETEKMI UZ IERĪČU UZVEDĪBU, LAI IDENTIFICĒTU DIZAINU, MATERIĀLUS UN ARHITEKTŪRU, KAS IR MAZĀK JUTĪGI PRET MAINĪGUMU. NW TFET PĒTĪJUMĀ VISKRITISKĀKIE IR ŠĀDI MAINĪGUMA AVOTI: Nelīdzenums INTERFACE, BACK IN INTERFACE, ALLEATORY Dopings and Rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. NUMERICAL algoritmu optimizācija, pārnesamība JAUNS INSTRUCTURES UN DEVELOPMENT OF TOOLS FOR THE MANAGEMENT OF DATA _x000D_, lai analizētu ietekmi, kāda dažādiem mainīguma avotiem ir NW TFET pārvadāšanā, ir nepieciešama, lai veiktu analīzi. kurš pieprasa simulāciju par GREAT NUMBER no dispozitīviem, palielinot komputāciju. TĀPĒC IR BŪTISKI IZMANTOT EFEKTĪVUS CIPARU ALGORITMUS. _x000D_ šī PROJEKTA DAĻA ir spēkā divos OBJECTIVES: I) IZPILDES LAIKA SAMAZINĀŠANA, OPTIMIZĒJOT SIMULĀCIJĀ IZMANTOTOS SKAITLISKOS ALGORITMUS UN TO ĪSTENOŠANU DAŽĀDĀS SKAITĻOŠANAS INFRASTRUKTŪRĀS, UN II) EFEKTĪVA TO DATU PĀRVALDĪBA, KAS IEGŪTI, IEVIEŠOT PĀRVALDĪTĀJU MAINĪGUMA DATU NOSŪTĪŠANAI UN SAŅEMŠANAI, IZMANTOJOT NEVIENDABĪGAS SKAITĻOŠANAS SISTĒMAS. (Latvian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: ŠĀ PROJEKTA IP PAŠLAIK IR MARIJAS KIRĪ IEF PĒTNIECE SWANSEA UNIVERSITĀTĒ (APVIENOTĀ KARALISTE). ŠIM PROJEKTAM IR DAUDZNOZARU RAKSTURS, KAS IETVER NANOELEKTRONIKU UN DATORZINĀTNES UN INFORMĀCIJAS TEHNOLOĢIJAS TĀ PAŠREIZĒJĀS VALSTĪS. MĒRĶIS ir klasificēts trīs jomās:_x000D_ 1. TUNEL TRANSISTORS 3D modelēšana, izmantojot nano pavedienus, izmantojot arrastre-DIFUSION UN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs), tiek meklēti kā iespējamie kursi, lai atkārtoti ieviestu parasto MOSFET dispozitīvus ULTRA LOW potence PIETEIKUMI JŪSU SUB-Umbral pendence AND YOUR Corrient reducation of FUGA, kas padara Agresive STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. TOMĒR PROBLĒMA, KAS SAISTĪTA AR ŠĪM IERĪCĒM, IR TO IEROBEŽOTĀ VEIKTSPĒJA UN ZEMA STRĀVA ZONĀ. LAI SASNIEGTU AUGSTU TUNEĻA VARBŪTĪBU, BŪTU LIETDERĪGI IZMANTOT HETEROUNIONS UN JAUNAS ARHITEKTŪRAS, PIEMĒRAM, NANOVADUS (NW). ŠAJĀ PROJEKTĀ MĒS SĀKOTNĒJI IZMEKLĒSIM NW TFET IERĪCI, KURAS ARHITEKTŪRA SEKOS IBM CĪRIHES SNIEGTAJIEM DIZAINPARAUGIEM. TĀLĀK, DAŽĀDAS KOMBINĀCIJAS TIKS PĀRBAUDĪTI MATERIĀLIEM, KAS VEIDO KANĀLU, DRENĀŽAS UN AVOTA IERĪCES UN OPTIMA ARHITEKTŪRA TIKS MĒROGOTS UZ CITIEM TEHNOLOĢIJU MEZGLIEM, LAI NOVĒRTĒTU TO VEIKTSPĒJU UN MĒROGOJAMĪBU. LAI MODELĒTU ŠĪS IERĪCES PAREIZI, TRĪSDIMENSIJU SIMULATORU IZMANTOŠANA IR OBLIGĀTA. ŠĪ IEMESLA DĒĻ PROJEKTĀ MĒS IZMANTOSIM 3D SIMULĀCIJAS RĪKUS IERĪCĒM AR ATOMISTICA IZŠĶIRTSPĒJU KĀ VILKŠANAS-DIFŪZIJAS SIMULATORUS UN MONTE CARLO AR KVANTU LABOJUMIEM. Abi SIMULATORS ir balstīti uz metodi galīgo ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Pētījums par dažādu FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D Informācija par VARIABILITY EFEKTU DZĪVNIECĪBAS DZĪVNIECĪBAS KOPĒJĀM IR VIENOŠIEM, kļūstot par vienu no galvenajiem trūkumiem ESCALATE UN INTEGRATION OF ACTUAL GENERATION OF dispozitīviem un CIRCUITS AS PROXIMA. TĀPĒC MĒS PĒTĪSIM DAŽĀDU SVĀRSTĪBU AVOTU IETEKMI UZ IERĪČU UZVEDĪBU, LAI IDENTIFICĒTU DIZAINU, MATERIĀLUS UN ARHITEKTŪRU, KAS IR MAZĀK JUTĪGI PRET MAINĪGUMU. NW TFET PĒTĪJUMĀ VISKRITISKĀKIE IR ŠĀDI MAINĪGUMA AVOTI: Nelīdzenums INTERFACE, BACK IN INTERFACE, ALLEATORY Dopings and Rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. NUMERICAL algoritmu optimizācija, pārnesamība JAUNS INSTRUCTURES UN DEVELOPMENT OF TOOLS FOR THE MANAGEMENT OF DATA _x000D_, lai analizētu ietekmi, kāda dažādiem mainīguma avotiem ir NW TFET pārvadāšanā, ir nepieciešama, lai veiktu analīzi. kurš pieprasa simulāciju par GREAT NUMBER no dispozitīviem, palielinot komputāciju. TĀPĒC IR BŪTISKI IZMANTOT EFEKTĪVUS CIPARU ALGORITMUS. _x000D_ šī PROJEKTA DAĻA ir spēkā divos OBJECTIVES: I) IZPILDES LAIKA SAMAZINĀŠANA, OPTIMIZĒJOT SIMULĀCIJĀ IZMANTOTOS SKAITLISKOS ALGORITMUS UN TO ĪSTENOŠANU DAŽĀDĀS SKAITĻOŠANAS INFRASTRUKTŪRĀS, UN II) EFEKTĪVA TO DATU PĀRVALDĪBA, KAS IEGŪTI, IEVIEŠOT PĀRVALDĪTĀJU MAINĪGUMA DATU NOSŪTĪŠANAI UN SAŅEMŠANAI, IZMANTOJOT NEVIENDABĪGAS SKAITĻOŠANAS SISTĒMAS. (Latvian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IP TOHTO PROJEKTU JE V SÚČASNOSTI VÝSKUMNOU PRACOVNÍČKOU MARIE CURIE IEF NA UNIVERZITE V SWANSEA (SPOJENÉ KRÁĽOVSTVO). TENTO PROJEKT MÁ MULTIDISCIPLINÁRNY CHARAKTER, KTORÝ ZAHŔŇA NANOELEKTRONIKU, POČÍTAČOVÚ VEDU A INFORMAČNÉ TECHNOLÓGIE VO SVOJICH NAJAKTUÁLNEJŠÍCH ŠTÁTOCH. OBJECTIVES sú rozdelené do troch oblastí:_x000D_ 1. 3D modelovanie TUNEL TRANSISTORS pomocou nano- nití prostredníctvom arrastre-DIFUSION A MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) sa hľadajú ako možné kurzy na opätovné zamestnanie konvenčných disponibilných MOSFETov pre ULTRA LOW potence APPLIKÁCIE VAŠEJ Umbrovej pendencie a vaše Corrient reducation of FUGA, čo robí agresívny ŠTALOVANIE FOOD TENSION POSSIBLE. AVŠAK, VÝZVA SPOJENÁ S TÝMITO ZARIADENIAMI JE ICH OBMEDZENÝ VÝKON A NÍZKY PRÚD V ZÓNE. NA DOSIAHNUTIE VYSOKEJ PRAVDEPODOBNOSTI TUNELA BY BOLO PROSPEŠNÉ POUŽÍVAŤ HETEROUNIONS A NOVÉ ARCHITEKTÚRY, AKO SÚ NANODRÔTY (NW). V TOMTO PROJEKTE BUDEME NAJPRV SKÚMAŤ NW TFET ZARIADENIE, KTORÉHO ARCHITEKTÚRA BUDE NASLEDOVAŤ NÁVRHY POSKYTNUTÉ IBM ZURICH. ĎALEJ SA PRESKÚMAJÚ RÔZNE KOMBINÁCIE MATERIÁLOV, KTORÉ TVORIA KANÁL, DRENÁŽ A ZDROJ ZARIADENIA, A ARCHITEKTÚRA OPTIMA BUDE ŠIRŠIA NA INÉ TECHNOLOGICKÉ UZLY NA VYHODNOTENIE ICH VÝKONU A ŠKÁLOVATEĽNOSTI. AK CHCETE SPRÁVNE MODELOVAŤ TIETO ZARIADENIA, JE POVINNÉ POUŽITIE TROJROZMERNÝCH SIMULÁTOROV. Z TOHTO DÔVODU V PROJEKTE POUŽIJEME 3D SIMULAČNÉ NÁSTROJE ZARIADENÍ S ROZLÍŠENÍM ATOMISTICA AKO DRAG-DIFUSION SIMULÁTORY A MONTE CARLO S KVANTOVÝMI KOREKCIAMI. Oba SIMULATORS sú založené na metóde finitných úprav._x000D_ _x000D_ 2. Štúdia INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY FOR CHARACTERISTICS of the dispositives is EVERY MAYOR, stáva sa jedným z primárnych defiances pre ESCALATE a INTEGRÁCIE ACTUÁLNEJ GENERÁCIE disponibilných a obvodov ako PROXIMA. PRETO BUDEME ŠTUDOVAŤ VPLYV RÔZNYCH ZDROJOV FLUKTUÁCIE NA SPRÁVANIE ZARIADENÍ S CIEĽOM IDENTIFIKOVAŤ NÁVRHY, MATERIÁLY A ARCHITEKTÚRY, KTORÉ SÚ MENEJ CITLIVÉ NA VARIABILITU. V ŠTÚDII NW TFET SÚ NAJKRITICKEJŠIE TIETO ZDROJE VARIABILITY: Drsnosť INTERFACE, BACK IN INTERFACE, AllEATORY Dopings A rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizácia NUMERICKÝCH algoritmov, prenositeľnosť NOVÝCH INFRASTRUCTUROV A VÝVOJ TOOLOV NA ROZHODNUTIE DATA _x000D_ na analýzu vplyvu, ktorý majú rôzne zdroje variability na prepravu NW TFET, je potrebné vykonať analýzu. KTORÉ POŽIADAJÚ SIMULÁCIE VEĽKÉHO ČÍSLA, Zvýšenie COMPUTATIONAL COST. PRETO JE NEVYHNUTNÉ POUŽÍVAŤ EFEKTÍVNE ČÍSELNÉ ALGORITMY. _x000D_ táto ČASŤ PROJEKTU je zložená z dvoch častí: I) SKRÁTENIE ČASU REALIZÁCIE PROSTREDNÍCTVOM OPTIMALIZÁCIE NUMERICKÝCH ALGORITMOV POUŽÍVANÝCH PRI SIMULÁCII A ICH IMPLEMENTÁCII V RÔZNYCH VÝPOČTOVÝCH INFRAŠTRUKTÚRACH A II) EFEKTÍVNE RIADENIE ÚDAJOV GENEROVANÝCH IMPLEMENTÁCIOU MANAŽÉRA NA ODOSIELANIE A PRIJÍMANIE ÚDAJOV VARIABILITY POMOCOU HETEROGÉNNYCH VÝPOČTOVÝCH SYSTÉMOV. (Slovak) | |||||||||||||||
| Property / summary: IP TOHTO PROJEKTU JE V SÚČASNOSTI VÝSKUMNOU PRACOVNÍČKOU MARIE CURIE IEF NA UNIVERZITE V SWANSEA (SPOJENÉ KRÁĽOVSTVO). TENTO PROJEKT MÁ MULTIDISCIPLINÁRNY CHARAKTER, KTORÝ ZAHŔŇA NANOELEKTRONIKU, POČÍTAČOVÚ VEDU A INFORMAČNÉ TECHNOLÓGIE VO SVOJICH NAJAKTUÁLNEJŠÍCH ŠTÁTOCH. OBJECTIVES sú rozdelené do troch oblastí:_x000D_ 1. 3D modelovanie TUNEL TRANSISTORS pomocou nano- nití prostredníctvom arrastre-DIFUSION A MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) sa hľadajú ako možné kurzy na opätovné zamestnanie konvenčných disponibilných MOSFETov pre ULTRA LOW potence APPLIKÁCIE VAŠEJ Umbrovej pendencie a vaše Corrient reducation of FUGA, čo robí agresívny ŠTALOVANIE FOOD TENSION POSSIBLE. AVŠAK, VÝZVA SPOJENÁ S TÝMITO ZARIADENIAMI JE ICH OBMEDZENÝ VÝKON A NÍZKY PRÚD V ZÓNE. NA DOSIAHNUTIE VYSOKEJ PRAVDEPODOBNOSTI TUNELA BY BOLO PROSPEŠNÉ POUŽÍVAŤ HETEROUNIONS A NOVÉ ARCHITEKTÚRY, AKO SÚ NANODRÔTY (NW). V TOMTO PROJEKTE BUDEME NAJPRV SKÚMAŤ NW TFET ZARIADENIE, KTORÉHO ARCHITEKTÚRA BUDE NASLEDOVAŤ NÁVRHY POSKYTNUTÉ IBM ZURICH. ĎALEJ SA PRESKÚMAJÚ RÔZNE KOMBINÁCIE MATERIÁLOV, KTORÉ TVORIA KANÁL, DRENÁŽ A ZDROJ ZARIADENIA, A ARCHITEKTÚRA OPTIMA BUDE ŠIRŠIA NA INÉ TECHNOLOGICKÉ UZLY NA VYHODNOTENIE ICH VÝKONU A ŠKÁLOVATEĽNOSTI. AK CHCETE SPRÁVNE MODELOVAŤ TIETO ZARIADENIA, JE POVINNÉ POUŽITIE TROJROZMERNÝCH SIMULÁTOROV. Z TOHTO DÔVODU V PROJEKTE POUŽIJEME 3D SIMULAČNÉ NÁSTROJE ZARIADENÍ S ROZLÍŠENÍM ATOMISTICA AKO DRAG-DIFUSION SIMULÁTORY A MONTE CARLO S KVANTOVÝMI KOREKCIAMI. Oba SIMULATORS sú založené na metóde finitných úprav._x000D_ _x000D_ 2. Štúdia INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY FOR CHARACTERISTICS of the dispositives is EVERY MAYOR, stáva sa jedným z primárnych defiances pre ESCALATE a INTEGRÁCIE ACTUÁLNEJ GENERÁCIE disponibilných a obvodov ako PROXIMA. PRETO BUDEME ŠTUDOVAŤ VPLYV RÔZNYCH ZDROJOV FLUKTUÁCIE NA SPRÁVANIE ZARIADENÍ S CIEĽOM IDENTIFIKOVAŤ NÁVRHY, MATERIÁLY A ARCHITEKTÚRY, KTORÉ SÚ MENEJ CITLIVÉ NA VARIABILITU. V ŠTÚDII NW TFET SÚ NAJKRITICKEJŠIE TIETO ZDROJE VARIABILITY: Drsnosť INTERFACE, BACK IN INTERFACE, AllEATORY Dopings A rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizácia NUMERICKÝCH algoritmov, prenositeľnosť NOVÝCH INFRASTRUCTUROV A VÝVOJ TOOLOV NA ROZHODNUTIE DATA _x000D_ na analýzu vplyvu, ktorý majú rôzne zdroje variability na prepravu NW TFET, je potrebné vykonať analýzu. KTORÉ POŽIADAJÚ SIMULÁCIE VEĽKÉHO ČÍSLA, Zvýšenie COMPUTATIONAL COST. PRETO JE NEVYHNUTNÉ POUŽÍVAŤ EFEKTÍVNE ČÍSELNÉ ALGORITMY. _x000D_ táto ČASŤ PROJEKTU je zložená z dvoch častí: I) SKRÁTENIE ČASU REALIZÁCIE PROSTREDNÍCTVOM OPTIMALIZÁCIE NUMERICKÝCH ALGORITMOV POUŽÍVANÝCH PRI SIMULÁCII A ICH IMPLEMENTÁCII V RÔZNYCH VÝPOČTOVÝCH INFRAŠTRUKTÚRACH A II) EFEKTÍVNE RIADENIE ÚDAJOV GENEROVANÝCH IMPLEMENTÁCIOU MANAŽÉRA NA ODOSIELANIE A PRIJÍMANIE ÚDAJOV VARIABILITY POMOCOU HETEROGÉNNYCH VÝPOČTOVÝCH SYSTÉMOV. (Slovak) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: IP TOHTO PROJEKTU JE V SÚČASNOSTI VÝSKUMNOU PRACOVNÍČKOU MARIE CURIE IEF NA UNIVERZITE V SWANSEA (SPOJENÉ KRÁĽOVSTVO). TENTO PROJEKT MÁ MULTIDISCIPLINÁRNY CHARAKTER, KTORÝ ZAHŔŇA NANOELEKTRONIKU, POČÍTAČOVÚ VEDU A INFORMAČNÉ TECHNOLÓGIE VO SVOJICH NAJAKTUÁLNEJŠÍCH ŠTÁTOCH. OBJECTIVES sú rozdelené do troch oblastí:_x000D_ 1. 3D modelovanie TUNEL TRANSISTORS pomocou nano- nití prostredníctvom arrastre-DIFUSION A MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) sa hľadajú ako možné kurzy na opätovné zamestnanie konvenčných disponibilných MOSFETov pre ULTRA LOW potence APPLIKÁCIE VAŠEJ Umbrovej pendencie a vaše Corrient reducation of FUGA, čo robí agresívny ŠTALOVANIE FOOD TENSION POSSIBLE. AVŠAK, VÝZVA SPOJENÁ S TÝMITO ZARIADENIAMI JE ICH OBMEDZENÝ VÝKON A NÍZKY PRÚD V ZÓNE. NA DOSIAHNUTIE VYSOKEJ PRAVDEPODOBNOSTI TUNELA BY BOLO PROSPEŠNÉ POUŽÍVAŤ HETEROUNIONS A NOVÉ ARCHITEKTÚRY, AKO SÚ NANODRÔTY (NW). V TOMTO PROJEKTE BUDEME NAJPRV SKÚMAŤ NW TFET ZARIADENIE, KTORÉHO ARCHITEKTÚRA BUDE NASLEDOVAŤ NÁVRHY POSKYTNUTÉ IBM ZURICH. ĎALEJ SA PRESKÚMAJÚ RÔZNE KOMBINÁCIE MATERIÁLOV, KTORÉ TVORIA KANÁL, DRENÁŽ A ZDROJ ZARIADENIA, A ARCHITEKTÚRA OPTIMA BUDE ŠIRŠIA NA INÉ TECHNOLOGICKÉ UZLY NA VYHODNOTENIE ICH VÝKONU A ŠKÁLOVATEĽNOSTI. AK CHCETE SPRÁVNE MODELOVAŤ TIETO ZARIADENIA, JE POVINNÉ POUŽITIE TROJROZMERNÝCH SIMULÁTOROV. Z TOHTO DÔVODU V PROJEKTE POUŽIJEME 3D SIMULAČNÉ NÁSTROJE ZARIADENÍ S ROZLÍŠENÍM ATOMISTICA AKO DRAG-DIFUSION SIMULÁTORY A MONTE CARLO S KVANTOVÝMI KOREKCIAMI. Oba SIMULATORS sú založené na metóde finitných úprav._x000D_ _x000D_ 2. Štúdia INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY FOR CHARACTERISTICS of the dispositives is EVERY MAYOR, stáva sa jedným z primárnych defiances pre ESCALATE a INTEGRÁCIE ACTUÁLNEJ GENERÁCIE disponibilných a obvodov ako PROXIMA. PRETO BUDEME ŠTUDOVAŤ VPLYV RÔZNYCH ZDROJOV FLUKTUÁCIE NA SPRÁVANIE ZARIADENÍ S CIEĽOM IDENTIFIKOVAŤ NÁVRHY, MATERIÁLY A ARCHITEKTÚRY, KTORÉ SÚ MENEJ CITLIVÉ NA VARIABILITU. V ŠTÚDII NW TFET SÚ NAJKRITICKEJŠIE TIETO ZDROJE VARIABILITY: Drsnosť INTERFACE, BACK IN INTERFACE, AllEATORY Dopings A rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizácia NUMERICKÝCH algoritmov, prenositeľnosť NOVÝCH INFRASTRUCTUROV A VÝVOJ TOOLOV NA ROZHODNUTIE DATA _x000D_ na analýzu vplyvu, ktorý majú rôzne zdroje variability na prepravu NW TFET, je potrebné vykonať analýzu. KTORÉ POŽIADAJÚ SIMULÁCIE VEĽKÉHO ČÍSLA, Zvýšenie COMPUTATIONAL COST. PRETO JE NEVYHNUTNÉ POUŽÍVAŤ EFEKTÍVNE ČÍSELNÉ ALGORITMY. _x000D_ táto ČASŤ PROJEKTU je zložená z dvoch častí: I) SKRÁTENIE ČASU REALIZÁCIE PROSTREDNÍCTVOM OPTIMALIZÁCIE NUMERICKÝCH ALGORITMOV POUŽÍVANÝCH PRI SIMULÁCII A ICH IMPLEMENTÁCII V RÔZNYCH VÝPOČTOVÝCH INFRAŠTRUKTÚRACH A II) EFEKTÍVNE RIADENIE ÚDAJOV GENEROVANÝCH IMPLEMENTÁCIOU MANAŽÉRA NA ODOSIELANIE A PRIJÍMANIE ÚDAJOV VARIABILITY POMOCOU HETEROGÉNNYCH VÝPOČTOVÝCH SYSTÉMOV. (Slovak) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IS TAIGHDEOIR MARIE CURIE IEF IN OLLSCOIL SWANSEA (RA) É IP AN TIONSCADAIL SEO FAOI LÁTHAIR. TÁ CARACHTAR ILDISCIPLÍNEACH AG AN TIONSCADAL SEO, A CHUIMSÍONN NANAILEICTREONAIC AGUS EOLAÍOCHT RÍOMHAIREACHTA AGUS TEICNEOLAÍOCHTAÍ FAISNÉISE SNA STÁIT IS MÓ ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR. Aicmítear na OBJECTIVES i dtrí réimse: _x000D_ 1. Samhaltú 3D ar TRANSISTORS TUNEL, ag baint úsáide as nana-snáitheanna tríd an ARRASTRE-Difusion agus MONTE CARLO_x000D_ PROVISIONS TUNEL (TFETS) á gcuardach mar chúrsaí is féidir le haghaidh ath-fhostú na Dispositives traidisiúnta MOSFET le haghaidh ULTRA LOW potence APPLICATIONS AR do pendence SUB-umbral agus DO Reducation CORRIENT OF FUGA, rud a dhéanann STÁSÁD STIÚRTHÓIRÍ AN TENSION BIA. MAR SIN FÉIN, IS DÚSHLÁN A BHAINEANN LEIS NA FEISTÍ A BHFEIDHMÍOCHT THEORANTA AGUS ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR ÍSEAL SA CHRIOS. CHUN DÓCHÚLACHTAÍ TOLLÁIN ARD A BHAINT AMACH, BHEADH SÉ TAIRBHEACH ÚSÁID A BHAINT AS STRUCHTÚIR AGUS AILTIREACHTAÍ NUA, AMHAIL NANOWIRES (NW). SA TIONSCADAL SEO DÉANFAIMID IMSCRÚDÚ AR DTÚS AR FHEISTE TFET NW A LEANFAIDH A AILTIREACHT NA DEARAÍ A SHOLÁTHRAÍONN IBM ZURICH. ANSIN, DÉANFAR COMHCHEANGAIL ÉAGSÚLA A SCRÚDÚ LE HAGHAIDH NA N-ÁBHAR ATÁ MAR AN CAINÉAL, DRAINER AGUS FOINSE AN GLÉAS AGUS BEIDH AN AILTIREACHT OPTIMA A SCÁLA LE NÓID TECHNOLOGIC EILE CHUN MEASTÓIREACHT A DHÉANAMH AR A BHFEIDHMÍOCHT AGUS SCALABILITY. CHUN NA FEISTÍ SEO A MHÚNLÚ I GCEART, TÁ ÚSÁID INSAMHLÓIRÍ TRÍTHOISEACH ÉIGEANTACH. AR AN GCÚIS SEO SA TIONSCADAL BEIMID AG ÚSÁID UIRLISÍ INSAMHALTA 3D FEISTÍ LE RÉITEACH ATOMISTICA MAR INSAMHLÓIRÍ TARRAING-DIFUSION AGUS MONTE CARLO LE CEARTÚCHÁIN CHANDAMACH. Tá an dá SIMULATORS bunaithe ar an Modh ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Staidéar ar INFLUENCE OF differents OF FLUCTUATIONS IN NW TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY for theCHARACTERICICICICS of the Dispositives IS EVERY MAYOR, a bheith ar cheann de na príomh-dheiseanna do shlánú agus do chomhtháthú GINEARÁLTA GINEARÁLTA GNÍOMHAÍOCHTA Deighiltí agus CIRCUITÍ mar an ProxIMA. DÁ BHRÍ SIN, DÉANFAIMID STAIDÉAR AR AN TIONCHAR A BHÍONN AG FOINSÍ ÉAGSÚLA LUAINEACHTAÍ AR IOMPAR FEISTÍ D’FHONN NA DEARAÍ, NA HÁBHAIR AGUS NA HAILTIREACHTAÍ NACH BHFUIL CHOMH ÍOGAIR D’ATHRAITHEACHT A AITHINT. IS IAD NA FOINSÍ ATHRAITHEACHTA SEO A LEANAS NA FOINSÍ IS TÁBHACHTAÍ SA STAIDÉAR TFETS NW: Gairbhe INTERFACE, BACK IN INTERFACE, Dopings ALLEATORY and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Leas iomlán a bhaint algoritms NUMERICAL, inaistritheacht DO INFRRUCTURES NUA AGUS FORBAIRT TOOLS DATA _x000D_ bainisteoireacht DATA _x000D_ chun anailís a dhéanamh ar an tionchar go bhfuil foinsí éagsúla de athraitheacht in iompar an TFETS NW is gá chun anailís a dhéanamh. DÁ BHRÍ SIN, TÁ SÉ RIACHTANACH ÚSÁID A BHAINT AS ALGARTAIM UIMHRIÚLA ÉIFEACHTÚLA. _x000D_ an CUID seo den Chlár Oibre a Bhaineann le DHÉANAMH: I) AN T-AGA FORGHNÍOMHAITHE A LAGHDÚ TRÍ OPTAMÚ A DHÉANAMH AR NA HALGARTAIM UIMHRIÚLA A ÚSÁIDTEAR SAN IONSAMHLÚCHÁN AGUS A GCUR CHUN FEIDHME I MBONNEAGAIR RÍOMHAIREACHTA ÉAGSÚLA AGUS II) BAINISTIÚ ÉIFEACHTÚIL A DHÉANAMH AR NA SONRAÍ ARNA NGINIÚINT TRÍ CHUR CHUN FEIDHME BAINISTEORA CHUN SONRAÍ INATHRAITHEACHTA A SHEOLADH AGUS A FHÁIL TRÍ CHÓRAIS RÍOMHAIREACHTA ILCHINEÁLACHA A ÚSÁID. (Irish) | |||||||||||||||
| Property / summary: IS TAIGHDEOIR MARIE CURIE IEF IN OLLSCOIL SWANSEA (RA) É IP AN TIONSCADAIL SEO FAOI LÁTHAIR. TÁ CARACHTAR ILDISCIPLÍNEACH AG AN TIONSCADAL SEO, A CHUIMSÍONN NANAILEICTREONAIC AGUS EOLAÍOCHT RÍOMHAIREACHTA AGUS TEICNEOLAÍOCHTAÍ FAISNÉISE SNA STÁIT IS MÓ ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR. Aicmítear na OBJECTIVES i dtrí réimse: _x000D_ 1. Samhaltú 3D ar TRANSISTORS TUNEL, ag baint úsáide as nana-snáitheanna tríd an ARRASTRE-Difusion agus MONTE CARLO_x000D_ PROVISIONS TUNEL (TFETS) á gcuardach mar chúrsaí is féidir le haghaidh ath-fhostú na Dispositives traidisiúnta MOSFET le haghaidh ULTRA LOW potence APPLICATIONS AR do pendence SUB-umbral agus DO Reducation CORRIENT OF FUGA, rud a dhéanann STÁSÁD STIÚRTHÓIRÍ AN TENSION BIA. MAR SIN FÉIN, IS DÚSHLÁN A BHAINEANN LEIS NA FEISTÍ A BHFEIDHMÍOCHT THEORANTA AGUS ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR ÍSEAL SA CHRIOS. CHUN DÓCHÚLACHTAÍ TOLLÁIN ARD A BHAINT AMACH, BHEADH SÉ TAIRBHEACH ÚSÁID A BHAINT AS STRUCHTÚIR AGUS AILTIREACHTAÍ NUA, AMHAIL NANOWIRES (NW). SA TIONSCADAL SEO DÉANFAIMID IMSCRÚDÚ AR DTÚS AR FHEISTE TFET NW A LEANFAIDH A AILTIREACHT NA DEARAÍ A SHOLÁTHRAÍONN IBM ZURICH. ANSIN, DÉANFAR COMHCHEANGAIL ÉAGSÚLA A SCRÚDÚ LE HAGHAIDH NA N-ÁBHAR ATÁ MAR AN CAINÉAL, DRAINER AGUS FOINSE AN GLÉAS AGUS BEIDH AN AILTIREACHT OPTIMA A SCÁLA LE NÓID TECHNOLOGIC EILE CHUN MEASTÓIREACHT A DHÉANAMH AR A BHFEIDHMÍOCHT AGUS SCALABILITY. CHUN NA FEISTÍ SEO A MHÚNLÚ I GCEART, TÁ ÚSÁID INSAMHLÓIRÍ TRÍTHOISEACH ÉIGEANTACH. AR AN GCÚIS SEO SA TIONSCADAL BEIMID AG ÚSÁID UIRLISÍ INSAMHALTA 3D FEISTÍ LE RÉITEACH ATOMISTICA MAR INSAMHLÓIRÍ TARRAING-DIFUSION AGUS MONTE CARLO LE CEARTÚCHÁIN CHANDAMACH. Tá an dá SIMULATORS bunaithe ar an Modh ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Staidéar ar INFLUENCE OF differents OF FLUCTUATIONS IN NW TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY for theCHARACTERICICICICS of the Dispositives IS EVERY MAYOR, a bheith ar cheann de na príomh-dheiseanna do shlánú agus do chomhtháthú GINEARÁLTA GINEARÁLTA GNÍOMHAÍOCHTA Deighiltí agus CIRCUITÍ mar an ProxIMA. DÁ BHRÍ SIN, DÉANFAIMID STAIDÉAR AR AN TIONCHAR A BHÍONN AG FOINSÍ ÉAGSÚLA LUAINEACHTAÍ AR IOMPAR FEISTÍ D’FHONN NA DEARAÍ, NA HÁBHAIR AGUS NA HAILTIREACHTAÍ NACH BHFUIL CHOMH ÍOGAIR D’ATHRAITHEACHT A AITHINT. IS IAD NA FOINSÍ ATHRAITHEACHTA SEO A LEANAS NA FOINSÍ IS TÁBHACHTAÍ SA STAIDÉAR TFETS NW: Gairbhe INTERFACE, BACK IN INTERFACE, Dopings ALLEATORY and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Leas iomlán a bhaint algoritms NUMERICAL, inaistritheacht DO INFRRUCTURES NUA AGUS FORBAIRT TOOLS DATA _x000D_ bainisteoireacht DATA _x000D_ chun anailís a dhéanamh ar an tionchar go bhfuil foinsí éagsúla de athraitheacht in iompar an TFETS NW is gá chun anailís a dhéanamh. DÁ BHRÍ SIN, TÁ SÉ RIACHTANACH ÚSÁID A BHAINT AS ALGARTAIM UIMHRIÚLA ÉIFEACHTÚLA. _x000D_ an CUID seo den Chlár Oibre a Bhaineann le DHÉANAMH: I) AN T-AGA FORGHNÍOMHAITHE A LAGHDÚ TRÍ OPTAMÚ A DHÉANAMH AR NA HALGARTAIM UIMHRIÚLA A ÚSÁIDTEAR SAN IONSAMHLÚCHÁN AGUS A GCUR CHUN FEIDHME I MBONNEAGAIR RÍOMHAIREACHTA ÉAGSÚLA AGUS II) BAINISTIÚ ÉIFEACHTÚIL A DHÉANAMH AR NA SONRAÍ ARNA NGINIÚINT TRÍ CHUR CHUN FEIDHME BAINISTEORA CHUN SONRAÍ INATHRAITHEACHTA A SHEOLADH AGUS A FHÁIL TRÍ CHÓRAIS RÍOMHAIREACHTA ILCHINEÁLACHA A ÚSÁID. (Irish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: IS TAIGHDEOIR MARIE CURIE IEF IN OLLSCOIL SWANSEA (RA) É IP AN TIONSCADAIL SEO FAOI LÁTHAIR. TÁ CARACHTAR ILDISCIPLÍNEACH AG AN TIONSCADAL SEO, A CHUIMSÍONN NANAILEICTREONAIC AGUS EOLAÍOCHT RÍOMHAIREACHTA AGUS TEICNEOLAÍOCHTAÍ FAISNÉISE SNA STÁIT IS MÓ ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR. Aicmítear na OBJECTIVES i dtrí réimse: _x000D_ 1. Samhaltú 3D ar TRANSISTORS TUNEL, ag baint úsáide as nana-snáitheanna tríd an ARRASTRE-Difusion agus MONTE CARLO_x000D_ PROVISIONS TUNEL (TFETS) á gcuardach mar chúrsaí is féidir le haghaidh ath-fhostú na Dispositives traidisiúnta MOSFET le haghaidh ULTRA LOW potence APPLICATIONS AR do pendence SUB-umbral agus DO Reducation CORRIENT OF FUGA, rud a dhéanann STÁSÁD STIÚRTHÓIRÍ AN TENSION BIA. MAR SIN FÉIN, IS DÚSHLÁN A BHAINEANN LEIS NA FEISTÍ A BHFEIDHMÍOCHT THEORANTA AGUS ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR ÍSEAL SA CHRIOS. CHUN DÓCHÚLACHTAÍ TOLLÁIN ARD A BHAINT AMACH, BHEADH SÉ TAIRBHEACH ÚSÁID A BHAINT AS STRUCHTÚIR AGUS AILTIREACHTAÍ NUA, AMHAIL NANOWIRES (NW). SA TIONSCADAL SEO DÉANFAIMID IMSCRÚDÚ AR DTÚS AR FHEISTE TFET NW A LEANFAIDH A AILTIREACHT NA DEARAÍ A SHOLÁTHRAÍONN IBM ZURICH. ANSIN, DÉANFAR COMHCHEANGAIL ÉAGSÚLA A SCRÚDÚ LE HAGHAIDH NA N-ÁBHAR ATÁ MAR AN CAINÉAL, DRAINER AGUS FOINSE AN GLÉAS AGUS BEIDH AN AILTIREACHT OPTIMA A SCÁLA LE NÓID TECHNOLOGIC EILE CHUN MEASTÓIREACHT A DHÉANAMH AR A BHFEIDHMÍOCHT AGUS SCALABILITY. CHUN NA FEISTÍ SEO A MHÚNLÚ I GCEART, TÁ ÚSÁID INSAMHLÓIRÍ TRÍTHOISEACH ÉIGEANTACH. AR AN GCÚIS SEO SA TIONSCADAL BEIMID AG ÚSÁID UIRLISÍ INSAMHALTA 3D FEISTÍ LE RÉITEACH ATOMISTICA MAR INSAMHLÓIRÍ TARRAING-DIFUSION AGUS MONTE CARLO LE CEARTÚCHÁIN CHANDAMACH. Tá an dá SIMULATORS bunaithe ar an Modh ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Staidéar ar INFLUENCE OF differents OF FLUCTUATIONS IN NW TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY for theCHARACTERICICICICS of the Dispositives IS EVERY MAYOR, a bheith ar cheann de na príomh-dheiseanna do shlánú agus do chomhtháthú GINEARÁLTA GINEARÁLTA GNÍOMHAÍOCHTA Deighiltí agus CIRCUITÍ mar an ProxIMA. DÁ BHRÍ SIN, DÉANFAIMID STAIDÉAR AR AN TIONCHAR A BHÍONN AG FOINSÍ ÉAGSÚLA LUAINEACHTAÍ AR IOMPAR FEISTÍ D’FHONN NA DEARAÍ, NA HÁBHAIR AGUS NA HAILTIREACHTAÍ NACH BHFUIL CHOMH ÍOGAIR D’ATHRAITHEACHT A AITHINT. IS IAD NA FOINSÍ ATHRAITHEACHTA SEO A LEANAS NA FOINSÍ IS TÁBHACHTAÍ SA STAIDÉAR TFETS NW: Gairbhe INTERFACE, BACK IN INTERFACE, Dopings ALLEATORY and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Leas iomlán a bhaint algoritms NUMERICAL, inaistritheacht DO INFRRUCTURES NUA AGUS FORBAIRT TOOLS DATA _x000D_ bainisteoireacht DATA _x000D_ chun anailís a dhéanamh ar an tionchar go bhfuil foinsí éagsúla de athraitheacht in iompar an TFETS NW is gá chun anailís a dhéanamh. DÁ BHRÍ SIN, TÁ SÉ RIACHTANACH ÚSÁID A BHAINT AS ALGARTAIM UIMHRIÚLA ÉIFEACHTÚLA. _x000D_ an CUID seo den Chlár Oibre a Bhaineann le DHÉANAMH: I) AN T-AGA FORGHNÍOMHAITHE A LAGHDÚ TRÍ OPTAMÚ A DHÉANAMH AR NA HALGARTAIM UIMHRIÚLA A ÚSÁIDTEAR SAN IONSAMHLÚCHÁN AGUS A GCUR CHUN FEIDHME I MBONNEAGAIR RÍOMHAIREACHTA ÉAGSÚLA AGUS II) BAINISTIÚ ÉIFEACHTÚIL A DHÉANAMH AR NA SONRAÍ ARNA NGINIÚINT TRÍ CHUR CHUN FEIDHME BAINISTEORA CHUN SONRAÍ INATHRAITHEACHTA A SHEOLADH AGUS A FHÁIL TRÍ CHÓRAIS RÍOMHAIREACHTA ILCHINEÁLACHA A ÚSÁID. (Irish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IP TOHOTO PROJEKTU JE V SOUČASNÉ DOBĚ VÝZKUMNÁ PRACOVNICE MARIE CURIE IEF NA UNIVERZITĚ SWANSEA (SPOJENÉ KRÁLOVSTVÍ). TENTO PROJEKT MÁ MULTIDISCIPLINÁRNÍ CHARAKTER, KTERÝ ZAHRNUJE NANOELEKTRONIKU A VÝPOČETNÍ VĚDU A INFORMAČNÍ TECHNOLOGIE VE SVÝCH NEJAKTUÁLNĚJŠÍCH STÁTECH. OBJECTIVES jsou rozděleny do tří oblastí:_x000D_ 1. 3D modelování TUNEL TRANSISTORS, pomocí nanovláken přes arrastre-DIFUSION A MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) jsou vyhledávány jako možné kurzy pro re-zaměstnání konvenční MOSFET dispositives for ULTRA LOW potence APPLICATIONs of YOU RUB-Umbral pendence and YOUR Corrient reducation of FUGA, který dělá Agresivní STALATE of the FOOD TENSION POSSIBLE. PROBLÉMEM SPOJENÝM S TĚMITO ZAŘÍZENÍMI JE VŠAK JEJICH OMEZENÁ VÝKONNOST A NÍZKÝ PROUD V ZÓNĚ. PRO DOSAŽENÍ VYSOKÉ PRAVDĚPODOBNOSTI TUNELU BY BYLO PROSPĚŠNÉ POUŽÍVAT HETEROUNIONS A NOVÉ ARCHITEKTURY, JAKO JSOU NANOVODIČE (NW). V TOMTO PROJEKTU BUDEME NEJPRVE ZKOUMAT ZAŘÍZENÍ NW TFET, JEHOŽ ARCHITEKTURA BUDE SLEDOVAT NÁVRHY SPOLEČNOSTI IBM ZURICH. DÁLE BUDOU ZKOUMÁNY RŮZNÉ KOMBINACE MATERIÁLŮ, KTERÉ TVOŘÍ KANÁL, ODVODNĚNÍ A ZDROJ ZAŘÍZENÍ A ARCHITEKTURY OPTIMA BUDOU ŠKÁLENY NA JINÉ TECHNOLOGICKÉ UZLY, ABY BYLO MOŽNÉ VYHODNOTIT JEJICH VÝKONNOST A ŠKÁLOVATELNOST. PRO SPRÁVNÉ MODELOVÁNÍ TĚCHTO ZAŘÍZENÍ JE POVINNÉ POUŽITÍ TROJROZMĚRNÝCH SIMULÁTORŮ. Z TOHOTO DŮVODU V PROJEKTU BUDEME POUŽÍVAT 3D SIMULAČNÍ NÁSTROJE ZAŘÍZENÍ S ROZLIŠENÍM ATOMISTICA JAKO DRAG-DIFUSION SIMULÁTORY A MONTE CARLO S KVANTOVÝMI OPRAVAMI. Oba SIMULATORY jsou založeny na metodě konečných ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie INFLUENCE různých FLUKTUACE V NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT VARIABILITY PRO CHARACTERISTICKÉ dispozitivní látky JE VŠECHNY MAYOR, stává se jedním z primárních vzdorů pro ESKALÁT A INTEGRACE ACTUÁLNÍ GENERACE dispozitivních a CIRKUITS jako PROXIMA. PROTO BUDEME ZKOUMAT DOPAD, KTERÝ MAJÍ RŮZNÉ ZDROJE VÝKYVŮ NA CHOVÁNÍ ZAŘÍZENÍ, ABYCHOM IDENTIFIKOVALI NÁVRHY, MATERIÁLY A ARCHITEKTURY MÉNĚ CITLIVÉ NA VARIABILITU. NEJKRITIČTĚJŠÍ JSOU VE STUDII NW TFET TYTO ZDROJE VARIABILITY: Drsnost INTERFACE, zpět v INTERFACE, ALLEATORY Doping a rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizace NUMERICKÝCH algoritmů, přenositelnost do NOVÉ INFRASTRUCTURY A DEVELOPMENT TOOLS PRO ZPRÁVY DATA _x000D_ analyzovat dopad, který různé zdroje variability mají na přepravu NW TFET je nezbytné pro provedení analýzy. kteří požadují SIMULACE VELKÉHO ČÍSLO dispozitivních, Zvýšení konkurenceschopné COST. PROTO JE NEZBYTNÉ POUŽÍVAT EFEKTIVNÍ NUMERICKÉ ALGORITMY. _x000D_ tato část PROJECTu je v TWO OBJECTIVES: I) ZKRÁCENÍ DOBY REALIZACE OPTIMALIZACÍ NUMERICKÝCH ALGORITMŮ POUŽÍVANÝCH PŘI SIMULACI A JEJICH IMPLEMENTACÍ V RŮZNÝCH VÝPOČETNÍCH INFRASTRUKTURÁCH A II) EFEKTIVNÍ SPRÁVOU DAT GENEROVANÝCH PROSTŘEDNICTVÍM IMPLEMENTACE MANAŽERA PRO ODESÍLÁNÍ A PŘIJÍMÁNÍ VARIABILNÍCH DAT POMOCÍ HETEROGENNÍCH VÝPOČETNÍCH SYSTÉMŮ. (Czech) | |||||||||||||||
| Property / summary: IP TOHOTO PROJEKTU JE V SOUČASNÉ DOBĚ VÝZKUMNÁ PRACOVNICE MARIE CURIE IEF NA UNIVERZITĚ SWANSEA (SPOJENÉ KRÁLOVSTVÍ). TENTO PROJEKT MÁ MULTIDISCIPLINÁRNÍ CHARAKTER, KTERÝ ZAHRNUJE NANOELEKTRONIKU A VÝPOČETNÍ VĚDU A INFORMAČNÍ TECHNOLOGIE VE SVÝCH NEJAKTUÁLNĚJŠÍCH STÁTECH. OBJECTIVES jsou rozděleny do tří oblastí:_x000D_ 1. 3D modelování TUNEL TRANSISTORS, pomocí nanovláken přes arrastre-DIFUSION A MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) jsou vyhledávány jako možné kurzy pro re-zaměstnání konvenční MOSFET dispositives for ULTRA LOW potence APPLICATIONs of YOU RUB-Umbral pendence and YOUR Corrient reducation of FUGA, který dělá Agresivní STALATE of the FOOD TENSION POSSIBLE. PROBLÉMEM SPOJENÝM S TĚMITO ZAŘÍZENÍMI JE VŠAK JEJICH OMEZENÁ VÝKONNOST A NÍZKÝ PROUD V ZÓNĚ. PRO DOSAŽENÍ VYSOKÉ PRAVDĚPODOBNOSTI TUNELU BY BYLO PROSPĚŠNÉ POUŽÍVAT HETEROUNIONS A NOVÉ ARCHITEKTURY, JAKO JSOU NANOVODIČE (NW). V TOMTO PROJEKTU BUDEME NEJPRVE ZKOUMAT ZAŘÍZENÍ NW TFET, JEHOŽ ARCHITEKTURA BUDE SLEDOVAT NÁVRHY SPOLEČNOSTI IBM ZURICH. DÁLE BUDOU ZKOUMÁNY RŮZNÉ KOMBINACE MATERIÁLŮ, KTERÉ TVOŘÍ KANÁL, ODVODNĚNÍ A ZDROJ ZAŘÍZENÍ A ARCHITEKTURY OPTIMA BUDOU ŠKÁLENY NA JINÉ TECHNOLOGICKÉ UZLY, ABY BYLO MOŽNÉ VYHODNOTIT JEJICH VÝKONNOST A ŠKÁLOVATELNOST. PRO SPRÁVNÉ MODELOVÁNÍ TĚCHTO ZAŘÍZENÍ JE POVINNÉ POUŽITÍ TROJROZMĚRNÝCH SIMULÁTORŮ. Z TOHOTO DŮVODU V PROJEKTU BUDEME POUŽÍVAT 3D SIMULAČNÍ NÁSTROJE ZAŘÍZENÍ S ROZLIŠENÍM ATOMISTICA JAKO DRAG-DIFUSION SIMULÁTORY A MONTE CARLO S KVANTOVÝMI OPRAVAMI. Oba SIMULATORY jsou založeny na metodě konečných ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie INFLUENCE různých FLUKTUACE V NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT VARIABILITY PRO CHARACTERISTICKÉ dispozitivní látky JE VŠECHNY MAYOR, stává se jedním z primárních vzdorů pro ESKALÁT A INTEGRACE ACTUÁLNÍ GENERACE dispozitivních a CIRKUITS jako PROXIMA. PROTO BUDEME ZKOUMAT DOPAD, KTERÝ MAJÍ RŮZNÉ ZDROJE VÝKYVŮ NA CHOVÁNÍ ZAŘÍZENÍ, ABYCHOM IDENTIFIKOVALI NÁVRHY, MATERIÁLY A ARCHITEKTURY MÉNĚ CITLIVÉ NA VARIABILITU. NEJKRITIČTĚJŠÍ JSOU VE STUDII NW TFET TYTO ZDROJE VARIABILITY: Drsnost INTERFACE, zpět v INTERFACE, ALLEATORY Doping a rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizace NUMERICKÝCH algoritmů, přenositelnost do NOVÉ INFRASTRUCTURY A DEVELOPMENT TOOLS PRO ZPRÁVY DATA _x000D_ analyzovat dopad, který různé zdroje variability mají na přepravu NW TFET je nezbytné pro provedení analýzy. kteří požadují SIMULACE VELKÉHO ČÍSLO dispozitivních, Zvýšení konkurenceschopné COST. PROTO JE NEZBYTNÉ POUŽÍVAT EFEKTIVNÍ NUMERICKÉ ALGORITMY. _x000D_ tato část PROJECTu je v TWO OBJECTIVES: I) ZKRÁCENÍ DOBY REALIZACE OPTIMALIZACÍ NUMERICKÝCH ALGORITMŮ POUŽÍVANÝCH PŘI SIMULACI A JEJICH IMPLEMENTACÍ V RŮZNÝCH VÝPOČETNÍCH INFRASTRUKTURÁCH A II) EFEKTIVNÍ SPRÁVOU DAT GENEROVANÝCH PROSTŘEDNICTVÍM IMPLEMENTACE MANAŽERA PRO ODESÍLÁNÍ A PŘIJÍMÁNÍ VARIABILNÍCH DAT POMOCÍ HETEROGENNÍCH VÝPOČETNÍCH SYSTÉMŮ. (Czech) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: IP TOHOTO PROJEKTU JE V SOUČASNÉ DOBĚ VÝZKUMNÁ PRACOVNICE MARIE CURIE IEF NA UNIVERZITĚ SWANSEA (SPOJENÉ KRÁLOVSTVÍ). TENTO PROJEKT MÁ MULTIDISCIPLINÁRNÍ CHARAKTER, KTERÝ ZAHRNUJE NANOELEKTRONIKU A VÝPOČETNÍ VĚDU A INFORMAČNÍ TECHNOLOGIE VE SVÝCH NEJAKTUÁLNĚJŠÍCH STÁTECH. OBJECTIVES jsou rozděleny do tří oblastí:_x000D_ 1. 3D modelování TUNEL TRANSISTORS, pomocí nanovláken přes arrastre-DIFUSION A MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) jsou vyhledávány jako možné kurzy pro re-zaměstnání konvenční MOSFET dispositives for ULTRA LOW potence APPLICATIONs of YOU RUB-Umbral pendence and YOUR Corrient reducation of FUGA, který dělá Agresivní STALATE of the FOOD TENSION POSSIBLE. PROBLÉMEM SPOJENÝM S TĚMITO ZAŘÍZENÍMI JE VŠAK JEJICH OMEZENÁ VÝKONNOST A NÍZKÝ PROUD V ZÓNĚ. PRO DOSAŽENÍ VYSOKÉ PRAVDĚPODOBNOSTI TUNELU BY BYLO PROSPĚŠNÉ POUŽÍVAT HETEROUNIONS A NOVÉ ARCHITEKTURY, JAKO JSOU NANOVODIČE (NW). V TOMTO PROJEKTU BUDEME NEJPRVE ZKOUMAT ZAŘÍZENÍ NW TFET, JEHOŽ ARCHITEKTURA BUDE SLEDOVAT NÁVRHY SPOLEČNOSTI IBM ZURICH. DÁLE BUDOU ZKOUMÁNY RŮZNÉ KOMBINACE MATERIÁLŮ, KTERÉ TVOŘÍ KANÁL, ODVODNĚNÍ A ZDROJ ZAŘÍZENÍ A ARCHITEKTURY OPTIMA BUDOU ŠKÁLENY NA JINÉ TECHNOLOGICKÉ UZLY, ABY BYLO MOŽNÉ VYHODNOTIT JEJICH VÝKONNOST A ŠKÁLOVATELNOST. PRO SPRÁVNÉ MODELOVÁNÍ TĚCHTO ZAŘÍZENÍ JE POVINNÉ POUŽITÍ TROJROZMĚRNÝCH SIMULÁTORŮ. Z TOHOTO DŮVODU V PROJEKTU BUDEME POUŽÍVAT 3D SIMULAČNÍ NÁSTROJE ZAŘÍZENÍ S ROZLIŠENÍM ATOMISTICA JAKO DRAG-DIFUSION SIMULÁTORY A MONTE CARLO S KVANTOVÝMI OPRAVAMI. Oba SIMULATORY jsou založeny na metodě konečných ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie INFLUENCE různých FLUKTUACE V NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT VARIABILITY PRO CHARACTERISTICKÉ dispozitivní látky JE VŠECHNY MAYOR, stává se jedním z primárních vzdorů pro ESKALÁT A INTEGRACE ACTUÁLNÍ GENERACE dispozitivních a CIRKUITS jako PROXIMA. PROTO BUDEME ZKOUMAT DOPAD, KTERÝ MAJÍ RŮZNÉ ZDROJE VÝKYVŮ NA CHOVÁNÍ ZAŘÍZENÍ, ABYCHOM IDENTIFIKOVALI NÁVRHY, MATERIÁLY A ARCHITEKTURY MÉNĚ CITLIVÉ NA VARIABILITU. NEJKRITIČTĚJŠÍ JSOU VE STUDII NW TFET TYTO ZDROJE VARIABILITY: Drsnost INTERFACE, zpět v INTERFACE, ALLEATORY Doping a rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizace NUMERICKÝCH algoritmů, přenositelnost do NOVÉ INFRASTRUCTURY A DEVELOPMENT TOOLS PRO ZPRÁVY DATA _x000D_ analyzovat dopad, který různé zdroje variability mají na přepravu NW TFET je nezbytné pro provedení analýzy. kteří požadují SIMULACE VELKÉHO ČÍSLO dispozitivních, Zvýšení konkurenceschopné COST. PROTO JE NEZBYTNÉ POUŽÍVAT EFEKTIVNÍ NUMERICKÉ ALGORITMY. _x000D_ tato část PROJECTu je v TWO OBJECTIVES: I) ZKRÁCENÍ DOBY REALIZACE OPTIMALIZACÍ NUMERICKÝCH ALGORITMŮ POUŽÍVANÝCH PŘI SIMULACI A JEJICH IMPLEMENTACÍ V RŮZNÝCH VÝPOČETNÍCH INFRASTRUKTURÁCH A II) EFEKTIVNÍ SPRÁVOU DAT GENEROVANÝCH PROSTŘEDNICTVÍM IMPLEMENTACE MANAŽERA PRO ODESÍLÁNÍ A PŘIJÍMÁNÍ VARIABILNÍCH DAT POMOCÍ HETEROGENNÍCH VÝPOČETNÍCH SYSTÉMŮ. (Czech) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
O IP deste projeto é atualmente um investigador de IEF MARIE CURIE na Universidade de SWANSEA (Reino Unido). O PRESENTE PROJECTO TEM CARACTERÍSTICAS MULTIDISCIPLINARES, INCORPORANDO A NANOELECTRÓNICA E A CIÊNCIA COMPUTADORA E AS TECNOLOGIAS DA INFORMAÇÃO NOS SEUS ESTADOS MAIS ACTUAIS. Os OBJETIVOS são classificados em três áreas:_x000D_ 1. A modelagem 3D de TUNEL TRANSISTORS, utilizando nano-threads através dos MÉTODOS ARRASTRE-DIFUSÃO E MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETS) estão a ser pesquisados como possíveis cursos para reempregar os MOSFET DISPOSITIVOS Convencionais para APLICAÇÕES ULTRA BAIXA POTENCIÊNCIA DA SUA PENDÊNCIA SUBUMBRAL E A SUA CORRIENTE REDUÇÃO DE FUGA, o que torna POSSÍVEL UM ESTALADO AGRÍCOLA DA TENSÃO ALIMENTAR. No entanto, um desafio associado a estes dispositivos é o seu desempenho limitado e baixa corrente na zona. Para alcançar grandes probabilidades de tunel, seria benéfico usar hetero-uniões e novas arquiteturas, como Nanowires (NW). Neste projeto, vamos investigar inicialmente um dispositivo NW TFET cuja arquitetura seguirá os desejos fornecidos pela IBM ZURICH. Em seguida, serão examinadas diferentes combinações para os materiais que formam o canal, o dreno e a fonte do dispositivo, e a arquitetura da OPTIMA será repartida por outros nódulos tecnológicos para avaliar o seu desempenho e a sua capacidade de cálculo. Para modelar corretamente estes dispositivos, a utilização de simuladores tridimensionais é obrigatória. Por esta razão, no projeto vamos utilizar ferramentas de simulação 3D de dispositivos com resolução atómica como simuladores de DRAG-DIFUSÃO e MONTE CARLO com correções quânticas. Ambos os SIMULADORES são baseados no Método de ELEMENTOS Finitos._x000D_ _x000D_ 2. Estudo da Influência de Diferentes Flutuações em TFETS NW TFETS_x000D_ O Efeito da Variabilidade para as Características dos Disponibilizadores é MUITO MAIOR, tornando-se um dos principais desafios para a ESCALA E INTEGRAÇÃO DA GERAÇÃO REAL DE DISPOSITIVOS E CIRCUITOS COMO PROXIMA. Portanto, estudaremos o impacto que diferentes fontes de flutuações têm no comportamento dos dispositivos, a fim de identificar os desenhos, materiais e arquiteturas menos sensíveis à variedade. AS SEGUINTES FONTES DE VARIABILIDADE SÃO AS MAIS CRÍTICAS NO ESTUDO NW TFETS: Rugosidade da interface, volta na interface, dopagens aleatoriais e rugosidade da interface III-V/SI _x000D_ 3. Optimização de ALGÓRIOS NUMÉRICOS, Portabilidade a Novas INFRA-ESTRUTURAS E DESENVOLVIMENTO DE FERRAMENTAS PARA A GESTÃO DE DADOS _x000D_ para analisar o impacto que diferentes fontes de variabilidade têm no transporte dos TFETS NW é necessária para realizar a análise. que exigem a SIMULAÇÃO DE UM GRANDE NÚMERO DE DISPOSITIVES, aumentando o CUSTO COMPUTACIONAL. Portanto, a utilização de algoritmos numéricos eficazes é essencial. _x000D_ esta parte do projecto baseia-se em dois objectivos: I) A REDUÇÃO DO TEMPO DE EXECUÇÃO ATRAVÉS DA OPTIMIZAÇÃO DOS ALGORITOS NUMÉRICOS UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO E DA SUA APLICAÇÃO EM DIFERENTES INFRAESTRUTURAS COMPUTACIONAIS E II) A GESTÃO EFICIENTE DOS DADOS GERIDOS ATRAVÉS DA APLICAÇÃO DE UM GESTÃO DE DADOS DE ENVIO E DE RECEÇÃO DE VARIABILIDADE QUE UTILIZAM SISTEMAS COMPUTACIONAIS HETEROGENOS. (Portuguese) | |||||||||||||||
| Property / summary: O IP deste projeto é atualmente um investigador de IEF MARIE CURIE na Universidade de SWANSEA (Reino Unido). O PRESENTE PROJECTO TEM CARACTERÍSTICAS MULTIDISCIPLINARES, INCORPORANDO A NANOELECTRÓNICA E A CIÊNCIA COMPUTADORA E AS TECNOLOGIAS DA INFORMAÇÃO NOS SEUS ESTADOS MAIS ACTUAIS. Os OBJETIVOS são classificados em três áreas:_x000D_ 1. A modelagem 3D de TUNEL TRANSISTORS, utilizando nano-threads através dos MÉTODOS ARRASTRE-DIFUSÃO E MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETS) estão a ser pesquisados como possíveis cursos para reempregar os MOSFET DISPOSITIVOS Convencionais para APLICAÇÕES ULTRA BAIXA POTENCIÊNCIA DA SUA PENDÊNCIA SUBUMBRAL E A SUA CORRIENTE REDUÇÃO DE FUGA, o que torna POSSÍVEL UM ESTALADO AGRÍCOLA DA TENSÃO ALIMENTAR. No entanto, um desafio associado a estes dispositivos é o seu desempenho limitado e baixa corrente na zona. Para alcançar grandes probabilidades de tunel, seria benéfico usar hetero-uniões e novas arquiteturas, como Nanowires (NW). Neste projeto, vamos investigar inicialmente um dispositivo NW TFET cuja arquitetura seguirá os desejos fornecidos pela IBM ZURICH. Em seguida, serão examinadas diferentes combinações para os materiais que formam o canal, o dreno e a fonte do dispositivo, e a arquitetura da OPTIMA será repartida por outros nódulos tecnológicos para avaliar o seu desempenho e a sua capacidade de cálculo. Para modelar corretamente estes dispositivos, a utilização de simuladores tridimensionais é obrigatória. Por esta razão, no projeto vamos utilizar ferramentas de simulação 3D de dispositivos com resolução atómica como simuladores de DRAG-DIFUSÃO e MONTE CARLO com correções quânticas. Ambos os SIMULADORES são baseados no Método de ELEMENTOS Finitos._x000D_ _x000D_ 2. Estudo da Influência de Diferentes Flutuações em TFETS NW TFETS_x000D_ O Efeito da Variabilidade para as Características dos Disponibilizadores é MUITO MAIOR, tornando-se um dos principais desafios para a ESCALA E INTEGRAÇÃO DA GERAÇÃO REAL DE DISPOSITIVOS E CIRCUITOS COMO PROXIMA. Portanto, estudaremos o impacto que diferentes fontes de flutuações têm no comportamento dos dispositivos, a fim de identificar os desenhos, materiais e arquiteturas menos sensíveis à variedade. AS SEGUINTES FONTES DE VARIABILIDADE SÃO AS MAIS CRÍTICAS NO ESTUDO NW TFETS: Rugosidade da interface, volta na interface, dopagens aleatoriais e rugosidade da interface III-V/SI _x000D_ 3. Optimização de ALGÓRIOS NUMÉRICOS, Portabilidade a Novas INFRA-ESTRUTURAS E DESENVOLVIMENTO DE FERRAMENTAS PARA A GESTÃO DE DADOS _x000D_ para analisar o impacto que diferentes fontes de variabilidade têm no transporte dos TFETS NW é necessária para realizar a análise. que exigem a SIMULAÇÃO DE UM GRANDE NÚMERO DE DISPOSITIVES, aumentando o CUSTO COMPUTACIONAL. Portanto, a utilização de algoritmos numéricos eficazes é essencial. _x000D_ esta parte do projecto baseia-se em dois objectivos: I) A REDUÇÃO DO TEMPO DE EXECUÇÃO ATRAVÉS DA OPTIMIZAÇÃO DOS ALGORITOS NUMÉRICOS UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO E DA SUA APLICAÇÃO EM DIFERENTES INFRAESTRUTURAS COMPUTACIONAIS E II) A GESTÃO EFICIENTE DOS DADOS GERIDOS ATRAVÉS DA APLICAÇÃO DE UM GESTÃO DE DADOS DE ENVIO E DE RECEÇÃO DE VARIABILIDADE QUE UTILIZAM SISTEMAS COMPUTACIONAIS HETEROGENOS. (Portuguese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: O IP deste projeto é atualmente um investigador de IEF MARIE CURIE na Universidade de SWANSEA (Reino Unido). O PRESENTE PROJECTO TEM CARACTERÍSTICAS MULTIDISCIPLINARES, INCORPORANDO A NANOELECTRÓNICA E A CIÊNCIA COMPUTADORA E AS TECNOLOGIAS DA INFORMAÇÃO NOS SEUS ESTADOS MAIS ACTUAIS. Os OBJETIVOS são classificados em três áreas:_x000D_ 1. A modelagem 3D de TUNEL TRANSISTORS, utilizando nano-threads através dos MÉTODOS ARRASTRE-DIFUSÃO E MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETS) estão a ser pesquisados como possíveis cursos para reempregar os MOSFET DISPOSITIVOS Convencionais para APLICAÇÕES ULTRA BAIXA POTENCIÊNCIA DA SUA PENDÊNCIA SUBUMBRAL E A SUA CORRIENTE REDUÇÃO DE FUGA, o que torna POSSÍVEL UM ESTALADO AGRÍCOLA DA TENSÃO ALIMENTAR. No entanto, um desafio associado a estes dispositivos é o seu desempenho limitado e baixa corrente na zona. Para alcançar grandes probabilidades de tunel, seria benéfico usar hetero-uniões e novas arquiteturas, como Nanowires (NW). Neste projeto, vamos investigar inicialmente um dispositivo NW TFET cuja arquitetura seguirá os desejos fornecidos pela IBM ZURICH. Em seguida, serão examinadas diferentes combinações para os materiais que formam o canal, o dreno e a fonte do dispositivo, e a arquitetura da OPTIMA será repartida por outros nódulos tecnológicos para avaliar o seu desempenho e a sua capacidade de cálculo. Para modelar corretamente estes dispositivos, a utilização de simuladores tridimensionais é obrigatória. Por esta razão, no projeto vamos utilizar ferramentas de simulação 3D de dispositivos com resolução atómica como simuladores de DRAG-DIFUSÃO e MONTE CARLO com correções quânticas. Ambos os SIMULADORES são baseados no Método de ELEMENTOS Finitos._x000D_ _x000D_ 2. Estudo da Influência de Diferentes Flutuações em TFETS NW TFETS_x000D_ O Efeito da Variabilidade para as Características dos Disponibilizadores é MUITO MAIOR, tornando-se um dos principais desafios para a ESCALA E INTEGRAÇÃO DA GERAÇÃO REAL DE DISPOSITIVOS E CIRCUITOS COMO PROXIMA. Portanto, estudaremos o impacto que diferentes fontes de flutuações têm no comportamento dos dispositivos, a fim de identificar os desenhos, materiais e arquiteturas menos sensíveis à variedade. AS SEGUINTES FONTES DE VARIABILIDADE SÃO AS MAIS CRÍTICAS NO ESTUDO NW TFETS: Rugosidade da interface, volta na interface, dopagens aleatoriais e rugosidade da interface III-V/SI _x000D_ 3. Optimização de ALGÓRIOS NUMÉRICOS, Portabilidade a Novas INFRA-ESTRUTURAS E DESENVOLVIMENTO DE FERRAMENTAS PARA A GESTÃO DE DADOS _x000D_ para analisar o impacto que diferentes fontes de variabilidade têm no transporte dos TFETS NW é necessária para realizar a análise. que exigem a SIMULAÇÃO DE UM GRANDE NÚMERO DE DISPOSITIVES, aumentando o CUSTO COMPUTACIONAL. Portanto, a utilização de algoritmos numéricos eficazes é essencial. _x000D_ esta parte do projecto baseia-se em dois objectivos: I) A REDUÇÃO DO TEMPO DE EXECUÇÃO ATRAVÉS DA OPTIMIZAÇÃO DOS ALGORITOS NUMÉRICOS UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO E DA SUA APLICAÇÃO EM DIFERENTES INFRAESTRUTURAS COMPUTACIONAIS E II) A GESTÃO EFICIENTE DOS DADOS GERIDOS ATRAVÉS DA APLICAÇÃO DE UM GESTÃO DE DADOS DE ENVIO E DE RECEÇÃO DE VARIABILIDADE QUE UTILIZAM SISTEMAS COMPUTACIONAIS HETEROGENOS. (Portuguese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
SELLE PROJEKTI INTELLEKTUAALOMAND ON PRAEGU MARIE CURIE IEF TEADUR SWANSEA ÜLIKOOLIS (ÜHENDKUNINGRIIK). SELLEL PROJEKTIL ON MULTIDISTSIPLINAARNE ISELOOM, MIS HÕLMAB NANOELEKTROONIKAT NING INFOTEHNOLOOGIAT JA INFOTEHNOLOOGIAT SELLE KÕIGE PRAEGUSTES RIIKIDES. OBJEKTIVES on liigitatud kolme valdkonda:_x000D_ 1. 3D modelleerimine TUNEL TRANSISTORS, kasutades nano-keermed läbi arrastre-DIFUSION JA MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) otsitakse kui võimalik kursused, et uuesti kasutada tavalisi MOSFET dispositiivseid ULTRA LOW potence APPLICATIONS teie SUB-Umbral pendence JA YOUR Corrient reducation of FUGA, mis teeb kokkuleppeline STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. SIISKI ON NENDE SEADMETEGA SEOTUD VÄLJAKUTSEKS NENDE PIIRATUD JÕUDLUS JA MADAL VOOL TSOONIS. SUURE TUNNELI TÕENÄOSUSE SAAVUTAMISEKS OLEKS KASULIK KASUTADA HETEROUNIONSE JA UUSI ARHITEKTUURE, NAGU NANOJUHTMED (NW). SELLES PROJEKTIS UURIME ESIALGU NW TFET-SEADET, MILLE ARHITEKTUUR JÄRGIB IBM ZÜRICHI DISAINILAHENDUSI. SEEJÄREL UURITAKSE ERINEVAID KOMBINATSIOONE MATERJALIDE JAOKS, MIS MOODUSTAVAD KANALI, DRENAAŽI JA SEADME ALLIKA, NING OPTIMA ARHITEKTUUR ON SKALEERITUD TEISTELE TEHNOLOOGILISTELE SÕLMEDELE, ET HINNATA NENDE JÕUDLUST JA MASTAAPSUST. NENDE SEADMETE ÕIGEKS MODELLEERIMISEKS ON KOLMEMÕÕTMELISTE SIMULAATORITE KASUTAMINE KOHUSTUSLIK. SEL PÕHJUSEL KASUTAME PROJEKTIS ATOMISTICA ERALDUSVÕIMEGA SEADMETE 3D SIMULATSIOONIVAHENDEID LOHISTAMISE SIMULAATORITENA JA MONTE CARLO KVANTPARANDUSTEGA. Mõlemad SIMULATORID põhinevad piiratud ELEMENTS meetodil._x000D_ _x000D_ 2. Uuring erinevate FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT of VARIABILITY FOR the CHARACTERISTICs of the disposiss on igaveseks, muutub üheks peamiseks trotsib ESCALATE ja INTEGRATION of ACTUAL GENERATION of dispositiivsed ja KIRKUITSID AS PROXIMA. SEETÕTTU UURIME ERINEVATE KÕIKUMISTE ALLIKATE MÕJU SEADMETE KÄITUMISELE, ET TEHA KINDLAKS DISAINILAHENDUSED, MATERJALID JA ARHITEKTUURID, MIS ON VÄHEM TUNDLIKUD VARIEERUVUSE SUHTES. JÄRGMISED VARIEERUVUSE ALLIKAD ON KÕIGE OLULISEMAD NW TFET-UURINGUS: INTERFACE’i karedus, INTERFACE’is, ALLEATORY Dopingud JA INTERFACE III-V/SI rugosity _x000D_ 3. Optimeerimine NUMERICAL algoritmid, ülekantavus UUS INFRASTRUCTURES JA DEVELOPMENT TOOLID FOR MANAGEMENT OF DATA _x000D_ et analüüsida mõju, mida erinevad allikad on transpordi NW TFETs on vaja läbi viia analüüs. kes REQUIREATIONATION OF SIMULATION of the GREAT NUMBER of dispositiivsed, Suurendades COMPUTATIONAL COST. SEETÕTTU ON TÕHUSATE NUMBRILISTE ALGORITMIDE KASUTAMINE VÄGA OLULINE. _x000D_ see osa PROJECT on VASTU OBJEKTIVES: I) TÄITMISAJA LÜHENDAMINE TÄNU SIMULATSIOONIS KASUTATAVATE NUMBRILISTE ALGORITMIDE OPTIMEERIMISELE JA NENDE RAKENDAMISELE ERINEVATES ARVUTUSTARISTUTES NING II) ANDMETE TÕHUS HALDAMINE, MIS ON LOODUD HALDAJA RAKENDAMISE KAUDU VARIEERUVUSANDMETE SAATMISEKS JA VASTUVÕTMISEKS HETEROGEENSETE ARVUTUSSÜSTEEMIDE ABIL. (Estonian) | |||||||||||||||
| Property / summary: SELLE PROJEKTI INTELLEKTUAALOMAND ON PRAEGU MARIE CURIE IEF TEADUR SWANSEA ÜLIKOOLIS (ÜHENDKUNINGRIIK). SELLEL PROJEKTIL ON MULTIDISTSIPLINAARNE ISELOOM, MIS HÕLMAB NANOELEKTROONIKAT NING INFOTEHNOLOOGIAT JA INFOTEHNOLOOGIAT SELLE KÕIGE PRAEGUSTES RIIKIDES. OBJEKTIVES on liigitatud kolme valdkonda:_x000D_ 1. 3D modelleerimine TUNEL TRANSISTORS, kasutades nano-keermed läbi arrastre-DIFUSION JA MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) otsitakse kui võimalik kursused, et uuesti kasutada tavalisi MOSFET dispositiivseid ULTRA LOW potence APPLICATIONS teie SUB-Umbral pendence JA YOUR Corrient reducation of FUGA, mis teeb kokkuleppeline STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. SIISKI ON NENDE SEADMETEGA SEOTUD VÄLJAKUTSEKS NENDE PIIRATUD JÕUDLUS JA MADAL VOOL TSOONIS. SUURE TUNNELI TÕENÄOSUSE SAAVUTAMISEKS OLEKS KASULIK KASUTADA HETEROUNIONSE JA UUSI ARHITEKTUURE, NAGU NANOJUHTMED (NW). SELLES PROJEKTIS UURIME ESIALGU NW TFET-SEADET, MILLE ARHITEKTUUR JÄRGIB IBM ZÜRICHI DISAINILAHENDUSI. SEEJÄREL UURITAKSE ERINEVAID KOMBINATSIOONE MATERJALIDE JAOKS, MIS MOODUSTAVAD KANALI, DRENAAŽI JA SEADME ALLIKA, NING OPTIMA ARHITEKTUUR ON SKALEERITUD TEISTELE TEHNOLOOGILISTELE SÕLMEDELE, ET HINNATA NENDE JÕUDLUST JA MASTAAPSUST. NENDE SEADMETE ÕIGEKS MODELLEERIMISEKS ON KOLMEMÕÕTMELISTE SIMULAATORITE KASUTAMINE KOHUSTUSLIK. SEL PÕHJUSEL KASUTAME PROJEKTIS ATOMISTICA ERALDUSVÕIMEGA SEADMETE 3D SIMULATSIOONIVAHENDEID LOHISTAMISE SIMULAATORITENA JA MONTE CARLO KVANTPARANDUSTEGA. Mõlemad SIMULATORID põhinevad piiratud ELEMENTS meetodil._x000D_ _x000D_ 2. Uuring erinevate FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT of VARIABILITY FOR the CHARACTERISTICs of the disposiss on igaveseks, muutub üheks peamiseks trotsib ESCALATE ja INTEGRATION of ACTUAL GENERATION of dispositiivsed ja KIRKUITSID AS PROXIMA. SEETÕTTU UURIME ERINEVATE KÕIKUMISTE ALLIKATE MÕJU SEADMETE KÄITUMISELE, ET TEHA KINDLAKS DISAINILAHENDUSED, MATERJALID JA ARHITEKTUURID, MIS ON VÄHEM TUNDLIKUD VARIEERUVUSE SUHTES. JÄRGMISED VARIEERUVUSE ALLIKAD ON KÕIGE OLULISEMAD NW TFET-UURINGUS: INTERFACE’i karedus, INTERFACE’is, ALLEATORY Dopingud JA INTERFACE III-V/SI rugosity _x000D_ 3. Optimeerimine NUMERICAL algoritmid, ülekantavus UUS INFRASTRUCTURES JA DEVELOPMENT TOOLID FOR MANAGEMENT OF DATA _x000D_ et analüüsida mõju, mida erinevad allikad on transpordi NW TFETs on vaja läbi viia analüüs. kes REQUIREATIONATION OF SIMULATION of the GREAT NUMBER of dispositiivsed, Suurendades COMPUTATIONAL COST. SEETÕTTU ON TÕHUSATE NUMBRILISTE ALGORITMIDE KASUTAMINE VÄGA OLULINE. _x000D_ see osa PROJECT on VASTU OBJEKTIVES: I) TÄITMISAJA LÜHENDAMINE TÄNU SIMULATSIOONIS KASUTATAVATE NUMBRILISTE ALGORITMIDE OPTIMEERIMISELE JA NENDE RAKENDAMISELE ERINEVATES ARVUTUSTARISTUTES NING II) ANDMETE TÕHUS HALDAMINE, MIS ON LOODUD HALDAJA RAKENDAMISE KAUDU VARIEERUVUSANDMETE SAATMISEKS JA VASTUVÕTMISEKS HETEROGEENSETE ARVUTUSSÜSTEEMIDE ABIL. (Estonian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: SELLE PROJEKTI INTELLEKTUAALOMAND ON PRAEGU MARIE CURIE IEF TEADUR SWANSEA ÜLIKOOLIS (ÜHENDKUNINGRIIK). SELLEL PROJEKTIL ON MULTIDISTSIPLINAARNE ISELOOM, MIS HÕLMAB NANOELEKTROONIKAT NING INFOTEHNOLOOGIAT JA INFOTEHNOLOOGIAT SELLE KÕIGE PRAEGUSTES RIIKIDES. OBJEKTIVES on liigitatud kolme valdkonda:_x000D_ 1. 3D modelleerimine TUNEL TRANSISTORS, kasutades nano-keermed läbi arrastre-DIFUSION JA MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) otsitakse kui võimalik kursused, et uuesti kasutada tavalisi MOSFET dispositiivseid ULTRA LOW potence APPLICATIONS teie SUB-Umbral pendence JA YOUR Corrient reducation of FUGA, mis teeb kokkuleppeline STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. SIISKI ON NENDE SEADMETEGA SEOTUD VÄLJAKUTSEKS NENDE PIIRATUD JÕUDLUS JA MADAL VOOL TSOONIS. SUURE TUNNELI TÕENÄOSUSE SAAVUTAMISEKS OLEKS KASULIK KASUTADA HETEROUNIONSE JA UUSI ARHITEKTUURE, NAGU NANOJUHTMED (NW). SELLES PROJEKTIS UURIME ESIALGU NW TFET-SEADET, MILLE ARHITEKTUUR JÄRGIB IBM ZÜRICHI DISAINILAHENDUSI. SEEJÄREL UURITAKSE ERINEVAID KOMBINATSIOONE MATERJALIDE JAOKS, MIS MOODUSTAVAD KANALI, DRENAAŽI JA SEADME ALLIKA, NING OPTIMA ARHITEKTUUR ON SKALEERITUD TEISTELE TEHNOLOOGILISTELE SÕLMEDELE, ET HINNATA NENDE JÕUDLUST JA MASTAAPSUST. NENDE SEADMETE ÕIGEKS MODELLEERIMISEKS ON KOLMEMÕÕTMELISTE SIMULAATORITE KASUTAMINE KOHUSTUSLIK. SEL PÕHJUSEL KASUTAME PROJEKTIS ATOMISTICA ERALDUSVÕIMEGA SEADMETE 3D SIMULATSIOONIVAHENDEID LOHISTAMISE SIMULAATORITENA JA MONTE CARLO KVANTPARANDUSTEGA. Mõlemad SIMULATORID põhinevad piiratud ELEMENTS meetodil._x000D_ _x000D_ 2. Uuring erinevate FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT of VARIABILITY FOR the CHARACTERISTICs of the disposiss on igaveseks, muutub üheks peamiseks trotsib ESCALATE ja INTEGRATION of ACTUAL GENERATION of dispositiivsed ja KIRKUITSID AS PROXIMA. SEETÕTTU UURIME ERINEVATE KÕIKUMISTE ALLIKATE MÕJU SEADMETE KÄITUMISELE, ET TEHA KINDLAKS DISAINILAHENDUSED, MATERJALID JA ARHITEKTUURID, MIS ON VÄHEM TUNDLIKUD VARIEERUVUSE SUHTES. JÄRGMISED VARIEERUVUSE ALLIKAD ON KÕIGE OLULISEMAD NW TFET-UURINGUS: INTERFACE’i karedus, INTERFACE’is, ALLEATORY Dopingud JA INTERFACE III-V/SI rugosity _x000D_ 3. Optimeerimine NUMERICAL algoritmid, ülekantavus UUS INFRASTRUCTURES JA DEVELOPMENT TOOLID FOR MANAGEMENT OF DATA _x000D_ et analüüsida mõju, mida erinevad allikad on transpordi NW TFETs on vaja läbi viia analüüs. kes REQUIREATIONATION OF SIMULATION of the GREAT NUMBER of dispositiivsed, Suurendades COMPUTATIONAL COST. SEETÕTTU ON TÕHUSATE NUMBRILISTE ALGORITMIDE KASUTAMINE VÄGA OLULINE. _x000D_ see osa PROJECT on VASTU OBJEKTIVES: I) TÄITMISAJA LÜHENDAMINE TÄNU SIMULATSIOONIS KASUTATAVATE NUMBRILISTE ALGORITMIDE OPTIMEERIMISELE JA NENDE RAKENDAMISELE ERINEVATES ARVUTUSTARISTUTES NING II) ANDMETE TÕHUS HALDAMINE, MIS ON LOODUD HALDAJA RAKENDAMISE KAUDU VARIEERUVUSANDMETE SAATMISEKS JA VASTUVÕTMISEKS HETEROGEENSETE ARVUTUSSÜSTEEMIDE ABIL. (Estonian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A PROJEKT SZELLEMI TULAJDONA JELENLEG MARIE CURIE IEF KUTATÓ A SWANSEA EGYETEMEN (EGYESÜLT KIRÁLYSÁG). EZ A PROJEKT MULTIDISZCIPLINÁRIS JELLEGŰ, AMELY A NANOELEKTRONIKÁT, A SZÁMÍTÁSTECHNIKÁT ÉS AZ INFORMÁCIÓS TECHNOLÓGIÁKAT FOGLALJA MAGÁBAN A JELENLEGI ÁLLAMOKBAN. A CÉLKITŰZÉSEK három területre sorolhatók:_x000D_ 1. A TUNEL TRANSISTORS 3D-s modellezését, amely nanoszálakat használ az ULTRA LOW potenciájú ULTRA LOW potencia A FUGA SUB-Umbral pendenciájának és korrelens redukálásának és a FUGA Corrient reducation redukálásának ULTRA LOW potencia APPLICATIONS APPLICATIONS of Your SUB-Umbral pendence and YY Corrient reducation of FUGA, amely a hagyományos MOSFET diszpozitívok újratelepítésére szolgál. AZONBAN AZ EZEKHEZ AZ ESZKÖZÖKHÖZ KAPCSOLÓDÓ KIHÍVÁS AZ, HOGY KORLÁTOZOTT TELJESÍTMÉNYÜK ÉS ALACSONY ÁRAMERŐSSÉGÜK VAN A ZÓNÁBAN. A MAGAS ALAGUTAK VALÓSZÍNŰSÉGÉNEK ELÉRÉSE ÉRDEKÉBEN HASZNOS LENNE A HETEROUNIONS ÉS AZ OLYAN ÚJ ARCHITEKTÚRÁK HASZNÁLATA, MINT A NANOVEZETÉKEK (NW). EBBEN A PROJEKTBEN ELŐSZÖR EGY NW TFET ESZKÖZT VIZSGÁLUNK, AMELYNEK ARCHITEKTÚRÁJA AZ IBM ZURICH TERVEIT KÖVETI. EZUTÁN KÜLÖNBÖZŐ KOMBINÁCIÓKAT VIZSGÁLNAK MEG AZ ESZKÖZ CSATORNÁJÁT, LEERESZTŐJÉT ÉS FORRÁSÁT ALKOTÓ ANYAGOK TEKINTETÉBEN, ÉS AZ OPTIMA ARCHITEKTÚRA MÁS TECHNOLÓGIAI CSOMÓPONTOKRA LESZ MÉRETEZVE, HOGY ÉRTÉKELJE TELJESÍTMÉNYÜKET ÉS SKÁLÁZHATÓSÁGUKAT. EZEKNEK AZ ESZKÖZÖKNEK A HELYES MODELLEZÉSÉHEZ A HÁROMDIMENZIÓS SZIMULÁTOROK HASZNÁLATA KÖTELEZŐ. EZÉRT A PROJEKTBEN AZ ATOMISTICA FELBONTÁSÚ ESZKÖZÖK 3D SZIMULÁCIÓS ESZKÖZEIT HASZNÁLJUK DRAG-DIFUSION SZIMULÁTORKÉNT ÉS MONTE CARLO KVANTUMKORREKCIÓVAL. Mindkét SIMULATORS a Finite ELEMENTS módszerén alapul._x000D_ _x000D_ 2. Tanulmányozza a különböző FLUCTUATIONS INFORMÁCIÓK NW TFETS_x000D_ A VARIABILITÁS EFFECT-jét a diszpozitív anyagok KARACTERISTICSEK MINDEN MAYOR, és válik az egyik elsődleges ellenszegülések ESCALATE and INTEGRATION of the ACTUALÁLIS GENERATION of Dispositives AND CIRCUITS as the PROXIMA. EZÉRT TANULMÁNYOZNI FOGJUK A KÜLÖNBÖZŐ INGADOZÁSFORRÁSOKNAK AZ ESZKÖZÖK VISELKEDÉSÉRE GYAKOROLT HATÁSÁT ANNAK ÉRDEKÉBEN, HOGY AZONOSÍTSÁK A VARIABILITÁSRA KEVÉSBÉ ÉRZÉKENY TERVEKET, ANYAGOKAT ÉS ARCHITEKTÚRÁKAT. AZ NW TFET-VIZSGÁLATBAN A KÖVETKEZŐ VARIABILITÁSI FORRÁSOK A LEGKRITIKUSABBAK: Érdessége INTERFACE, BACK az INTERFACE, ALLEATORY Dopings and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizálása NUMERICAL algoritmák, hordozhatóság új INFRASTRUCTURES ÉS FEJLESZTÉS AZ ADATOK _x000D_ MANAGEMENT A hatás, hogy a különböző forrásokból származó variabilitás van a szállítás az NW TFET-ek szükséges az elemzés elvégzéséhez. aki ELLENŐRZÉSét egy nagy mennyiségű diszpozitívok, Increasing COMPUTATIONAL COST. EZÉRT ELENGEDHETETLEN A HATÉKONY NUMERIKUS ALGORITMUSOK HASZNÁLATA. _x000D_ A PROJEKT ezen része a KÖVETKEZTETÉSI IRÁNYELVekben megalapozott: I) A VÉGREHAJTÁSI IDŐ CSÖKKENTÉSE A SZIMULÁCIÓBAN HASZNÁLT NUMERIKUS ALGORITMUSOK OPTIMALIZÁLÁSÁVAL ÉS A KÜLÖNBÖZŐ SZÁMÍTÁSI INFRASTRUKTÚRÁKBAN VALÓ MEGVALÓSÍTÁSUKKAL, VALAMINT II. A VÁLTOZÓ ADATOK HETEROGÉN SZÁMÍTÁSI RENDSZEREK FELHASZNÁLÁSÁVAL TÖRTÉNŐ KÜLDÉSÉRE ÉS FOGADÁSÁRA SZOLGÁLÓ MENEDZSER ÁLTAL GENERÁLT ADATOK HATÉKONY KEZELÉSE. (Hungarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: A PROJEKT SZELLEMI TULAJDONA JELENLEG MARIE CURIE IEF KUTATÓ A SWANSEA EGYETEMEN (EGYESÜLT KIRÁLYSÁG). EZ A PROJEKT MULTIDISZCIPLINÁRIS JELLEGŰ, AMELY A NANOELEKTRONIKÁT, A SZÁMÍTÁSTECHNIKÁT ÉS AZ INFORMÁCIÓS TECHNOLÓGIÁKAT FOGLALJA MAGÁBAN A JELENLEGI ÁLLAMOKBAN. A CÉLKITŰZÉSEK három területre sorolhatók:_x000D_ 1. A TUNEL TRANSISTORS 3D-s modellezését, amely nanoszálakat használ az ULTRA LOW potenciájú ULTRA LOW potencia A FUGA SUB-Umbral pendenciájának és korrelens redukálásának és a FUGA Corrient reducation redukálásának ULTRA LOW potencia APPLICATIONS APPLICATIONS of Your SUB-Umbral pendence and YY Corrient reducation of FUGA, amely a hagyományos MOSFET diszpozitívok újratelepítésére szolgál. AZONBAN AZ EZEKHEZ AZ ESZKÖZÖKHÖZ KAPCSOLÓDÓ KIHÍVÁS AZ, HOGY KORLÁTOZOTT TELJESÍTMÉNYÜK ÉS ALACSONY ÁRAMERŐSSÉGÜK VAN A ZÓNÁBAN. A MAGAS ALAGUTAK VALÓSZÍNŰSÉGÉNEK ELÉRÉSE ÉRDEKÉBEN HASZNOS LENNE A HETEROUNIONS ÉS AZ OLYAN ÚJ ARCHITEKTÚRÁK HASZNÁLATA, MINT A NANOVEZETÉKEK (NW). EBBEN A PROJEKTBEN ELŐSZÖR EGY NW TFET ESZKÖZT VIZSGÁLUNK, AMELYNEK ARCHITEKTÚRÁJA AZ IBM ZURICH TERVEIT KÖVETI. EZUTÁN KÜLÖNBÖZŐ KOMBINÁCIÓKAT VIZSGÁLNAK MEG AZ ESZKÖZ CSATORNÁJÁT, LEERESZTŐJÉT ÉS FORRÁSÁT ALKOTÓ ANYAGOK TEKINTETÉBEN, ÉS AZ OPTIMA ARCHITEKTÚRA MÁS TECHNOLÓGIAI CSOMÓPONTOKRA LESZ MÉRETEZVE, HOGY ÉRTÉKELJE TELJESÍTMÉNYÜKET ÉS SKÁLÁZHATÓSÁGUKAT. EZEKNEK AZ ESZKÖZÖKNEK A HELYES MODELLEZÉSÉHEZ A HÁROMDIMENZIÓS SZIMULÁTOROK HASZNÁLATA KÖTELEZŐ. EZÉRT A PROJEKTBEN AZ ATOMISTICA FELBONTÁSÚ ESZKÖZÖK 3D SZIMULÁCIÓS ESZKÖZEIT HASZNÁLJUK DRAG-DIFUSION SZIMULÁTORKÉNT ÉS MONTE CARLO KVANTUMKORREKCIÓVAL. Mindkét SIMULATORS a Finite ELEMENTS módszerén alapul._x000D_ _x000D_ 2. Tanulmányozza a különböző FLUCTUATIONS INFORMÁCIÓK NW TFETS_x000D_ A VARIABILITÁS EFFECT-jét a diszpozitív anyagok KARACTERISTICSEK MINDEN MAYOR, és válik az egyik elsődleges ellenszegülések ESCALATE and INTEGRATION of the ACTUALÁLIS GENERATION of Dispositives AND CIRCUITS as the PROXIMA. EZÉRT TANULMÁNYOZNI FOGJUK A KÜLÖNBÖZŐ INGADOZÁSFORRÁSOKNAK AZ ESZKÖZÖK VISELKEDÉSÉRE GYAKOROLT HATÁSÁT ANNAK ÉRDEKÉBEN, HOGY AZONOSÍTSÁK A VARIABILITÁSRA KEVÉSBÉ ÉRZÉKENY TERVEKET, ANYAGOKAT ÉS ARCHITEKTÚRÁKAT. AZ NW TFET-VIZSGÁLATBAN A KÖVETKEZŐ VARIABILITÁSI FORRÁSOK A LEGKRITIKUSABBAK: Érdessége INTERFACE, BACK az INTERFACE, ALLEATORY Dopings and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizálása NUMERICAL algoritmák, hordozhatóság új INFRASTRUCTURES ÉS FEJLESZTÉS AZ ADATOK _x000D_ MANAGEMENT A hatás, hogy a különböző forrásokból származó variabilitás van a szállítás az NW TFET-ek szükséges az elemzés elvégzéséhez. aki ELLENŐRZÉSét egy nagy mennyiségű diszpozitívok, Increasing COMPUTATIONAL COST. EZÉRT ELENGEDHETETLEN A HATÉKONY NUMERIKUS ALGORITMUSOK HASZNÁLATA. _x000D_ A PROJEKT ezen része a KÖVETKEZTETÉSI IRÁNYELVekben megalapozott: I) A VÉGREHAJTÁSI IDŐ CSÖKKENTÉSE A SZIMULÁCIÓBAN HASZNÁLT NUMERIKUS ALGORITMUSOK OPTIMALIZÁLÁSÁVAL ÉS A KÜLÖNBÖZŐ SZÁMÍTÁSI INFRASTRUKTÚRÁKBAN VALÓ MEGVALÓSÍTÁSUKKAL, VALAMINT II. A VÁLTOZÓ ADATOK HETEROGÉN SZÁMÍTÁSI RENDSZEREK FELHASZNÁLÁSÁVAL TÖRTÉNŐ KÜLDÉSÉRE ÉS FOGADÁSÁRA SZOLGÁLÓ MENEDZSER ÁLTAL GENERÁLT ADATOK HATÉKONY KEZELÉSE. (Hungarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A PROJEKT SZELLEMI TULAJDONA JELENLEG MARIE CURIE IEF KUTATÓ A SWANSEA EGYETEMEN (EGYESÜLT KIRÁLYSÁG). EZ A PROJEKT MULTIDISZCIPLINÁRIS JELLEGŰ, AMELY A NANOELEKTRONIKÁT, A SZÁMÍTÁSTECHNIKÁT ÉS AZ INFORMÁCIÓS TECHNOLÓGIÁKAT FOGLALJA MAGÁBAN A JELENLEGI ÁLLAMOKBAN. A CÉLKITŰZÉSEK három területre sorolhatók:_x000D_ 1. A TUNEL TRANSISTORS 3D-s modellezését, amely nanoszálakat használ az ULTRA LOW potenciájú ULTRA LOW potencia A FUGA SUB-Umbral pendenciájának és korrelens redukálásának és a FUGA Corrient reducation redukálásának ULTRA LOW potencia APPLICATIONS APPLICATIONS of Your SUB-Umbral pendence and YY Corrient reducation of FUGA, amely a hagyományos MOSFET diszpozitívok újratelepítésére szolgál. AZONBAN AZ EZEKHEZ AZ ESZKÖZÖKHÖZ KAPCSOLÓDÓ KIHÍVÁS AZ, HOGY KORLÁTOZOTT TELJESÍTMÉNYÜK ÉS ALACSONY ÁRAMERŐSSÉGÜK VAN A ZÓNÁBAN. A MAGAS ALAGUTAK VALÓSZÍNŰSÉGÉNEK ELÉRÉSE ÉRDEKÉBEN HASZNOS LENNE A HETEROUNIONS ÉS AZ OLYAN ÚJ ARCHITEKTÚRÁK HASZNÁLATA, MINT A NANOVEZETÉKEK (NW). EBBEN A PROJEKTBEN ELŐSZÖR EGY NW TFET ESZKÖZT VIZSGÁLUNK, AMELYNEK ARCHITEKTÚRÁJA AZ IBM ZURICH TERVEIT KÖVETI. EZUTÁN KÜLÖNBÖZŐ KOMBINÁCIÓKAT VIZSGÁLNAK MEG AZ ESZKÖZ CSATORNÁJÁT, LEERESZTŐJÉT ÉS FORRÁSÁT ALKOTÓ ANYAGOK TEKINTETÉBEN, ÉS AZ OPTIMA ARCHITEKTÚRA MÁS TECHNOLÓGIAI CSOMÓPONTOKRA LESZ MÉRETEZVE, HOGY ÉRTÉKELJE TELJESÍTMÉNYÜKET ÉS SKÁLÁZHATÓSÁGUKAT. EZEKNEK AZ ESZKÖZÖKNEK A HELYES MODELLEZÉSÉHEZ A HÁROMDIMENZIÓS SZIMULÁTOROK HASZNÁLATA KÖTELEZŐ. EZÉRT A PROJEKTBEN AZ ATOMISTICA FELBONTÁSÚ ESZKÖZÖK 3D SZIMULÁCIÓS ESZKÖZEIT HASZNÁLJUK DRAG-DIFUSION SZIMULÁTORKÉNT ÉS MONTE CARLO KVANTUMKORREKCIÓVAL. Mindkét SIMULATORS a Finite ELEMENTS módszerén alapul._x000D_ _x000D_ 2. Tanulmányozza a különböző FLUCTUATIONS INFORMÁCIÓK NW TFETS_x000D_ A VARIABILITÁS EFFECT-jét a diszpozitív anyagok KARACTERISTICSEK MINDEN MAYOR, és válik az egyik elsődleges ellenszegülések ESCALATE and INTEGRATION of the ACTUALÁLIS GENERATION of Dispositives AND CIRCUITS as the PROXIMA. EZÉRT TANULMÁNYOZNI FOGJUK A KÜLÖNBÖZŐ INGADOZÁSFORRÁSOKNAK AZ ESZKÖZÖK VISELKEDÉSÉRE GYAKOROLT HATÁSÁT ANNAK ÉRDEKÉBEN, HOGY AZONOSÍTSÁK A VARIABILITÁSRA KEVÉSBÉ ÉRZÉKENY TERVEKET, ANYAGOKAT ÉS ARCHITEKTÚRÁKAT. AZ NW TFET-VIZSGÁLATBAN A KÖVETKEZŐ VARIABILITÁSI FORRÁSOK A LEGKRITIKUSABBAK: Érdessége INTERFACE, BACK az INTERFACE, ALLEATORY Dopings and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizálása NUMERICAL algoritmák, hordozhatóság új INFRASTRUCTURES ÉS FEJLESZTÉS AZ ADATOK _x000D_ MANAGEMENT A hatás, hogy a különböző forrásokból származó variabilitás van a szállítás az NW TFET-ek szükséges az elemzés elvégzéséhez. aki ELLENŐRZÉSét egy nagy mennyiségű diszpozitívok, Increasing COMPUTATIONAL COST. EZÉRT ELENGEDHETETLEN A HATÉKONY NUMERIKUS ALGORITMUSOK HASZNÁLATA. _x000D_ A PROJEKT ezen része a KÖVETKEZTETÉSI IRÁNYELVekben megalapozott: I) A VÉGREHAJTÁSI IDŐ CSÖKKENTÉSE A SZIMULÁCIÓBAN HASZNÁLT NUMERIKUS ALGORITMUSOK OPTIMALIZÁLÁSÁVAL ÉS A KÜLÖNBÖZŐ SZÁMÍTÁSI INFRASTRUKTÚRÁKBAN VALÓ MEGVALÓSÍTÁSUKKAL, VALAMINT II. A VÁLTOZÓ ADATOK HETEROGÉN SZÁMÍTÁSI RENDSZEREK FELHASZNÁLÁSÁVAL TÖRTÉNŐ KÜLDÉSÉRE ÉS FOGADÁSÁRA SZOLGÁLÓ MENEDZSER ÁLTAL GENERÁLT ADATOK HATÉKONY KEZELÉSE. (Hungarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
ИП НА ТОЗИ ПРОЕКТ ПОНАСТОЯЩЕМ Е ИЗСЛЕДОВАТЕЛ ПО ПРОГРАМАТА „МАРИЯ КЮРИ“ В УНИВЕРСИТЕТА СУОНЗИ (ОБЕДИНЕНОТО КРАЛСТВО). ТОЗИ ПРОЕКТ ИМА МУЛТИДИСЦИПЛИНАРЕН ХАРАКТЕР, КАТО ВКЛЮЧВА НАНОЕЛЕКТРОНИКА И КОМПЮТЪРНИ НАУКИ И ИНФОРМАЦИОННИ ТЕХНОЛОГИИ В НАЙ-АКТУАЛНИТЕ ДЪРЖАВИ. OBJECTIVES са класифицирани в три области:_x000D_ 1. 3D моделиране на TUNEL TRANSISTORS, използвайки нано-нишки чрез arrastre-DIFUSION И MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) са в процес на търсене като възможни курсове за повторно наемане на конвенционалните MOSFET диспозитиви за ULTRA LOW потентност Апликации на вашия SUB-Umbral висулка и вашата по-добра редукция на FUGA, което прави съгласуван STALATE НА FOOD TENSION POSSIBLE. ВЪПРЕКИ ТОВА, ПРЕДИЗВИКАТЕЛСТВО, СВЪРЗАНО С ТЕЗИ УСТРОЙСТВА Е ТЯХНАТА ОГРАНИЧЕНА РАБОТА И НИСЪК ТОК В ЗОНАТА. ЗА ДА СЕ ПОСТИГНЕ ВИСОКА ВЕРОЯТНОСТ ОТ ТУНЕЛИ, БИ БИЛО ПОЛЕЗНО ДА СЕ ИЗПОЛЗВАТ HETEROUNIONS И НОВИ АРХИТЕКТУРИ, КАТО НАПРИМЕР НАНОЖИЦИ (NW). В ТОЗИ ПРОЕКТ ПЪРВОНАЧАЛНО ЩЕ ПРОУЧИМ NW TFET УСТРОЙСТВО, ЧИЯТО АРХИТЕКТУРА ЩЕ СЛЕДВА ПРОЕКТИТЕ, ПРЕДОСТАВЕНИ ОТ IBM ЦЮРИХ. СЛЕД ТОВА ЩЕ БЪДАТ РАЗГЛЕДАНИ РАЗЛИЧНИ КОМБИНАЦИИ ЗА МАТЕРИАЛИТЕ, КОИТО ОБРАЗУВАТ КАНАЛА, ДРЕНАЖА И ИЗТОЧНИКА НА УСТРОЙСТВОТО, А АРХИТЕКТУРАТА НА OPTIMA ЩЕ БЪДЕ МАЩАБИРАНА ДО ДРУГИ ТЕХНОЛОГИЧНИ ВЪЗЛИ, ЗА ДА СЕ ОЦЕНИ ТЯХНАТА ПРОИЗВОДИТЕЛНОСТ И МАЩАБИРУЕМОСТ. ЗА ДА СЕ МОДЕЛИРАТ ПРАВИЛНО ТЕЗИ УСТРОЙСТВА, ИЗПОЛЗВАНЕТО НА ТРИИЗМЕРНИ СИМУЛАТОРИ Е ЗАДЪЛЖИТЕЛНО. ПОРАДИ ТАЗИ ПРИЧИНА В ПРОЕКТА ЩЕ ИЗПОЛЗВАМЕ 3D СИМУЛАЦИОННИ ИНСТРУМЕНТИ НА УСТРОЙСТВА С РАЗДЕЛИТЕЛНА СПОСОБНОСТ ATOMISTICA КАТО СИМУЛАТОРИ ЗА ПЛЪЗГАНЕ-ДИФУЗИЯ И МОНТЕ КАРЛО С КВАНТОВИ КОРЕКЦИИ. И двете СИМУЛАТОРИ се основават на метода на крайните ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Проучване на ИНФУЕНЦИЯТА НА различните ФЛУКТУАЦИИ В НОВИ ДЕЙСТВИЕ TFETS_x000D_ЕФЕКТА НА ВАРИАБИЛНОСТТА ЗА ХАРАКТЕРИСТИКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ Е ВСИЧКИ МОЙОР, превръщайки се в едно от основните неприязъни към ЕСКАЛАТА И ИНТЕГРАЦИЯТА НА АКТУАЛИТЕ ОБЩИ ОБЩИ И ТЪРГОВСКИ ПРОКСИМА. ЕТО ЗАЩО ЩЕ ПРОУЧИМ ВЪЗДЕЙСТВИЕТО, КОЕТО РАЗЛИЧНИТЕ ИЗТОЧНИЦИ НА КОЛЕБАНИЯ ОКАЗВАТ ВЪРХУ ПОВЕДЕНИЕТО НА УСТРОЙСТВАТА, ЗА ДА ИДЕНТИФИЦИРАМЕ ДИЗАЙНИТЕ, МАТЕРИАЛИТЕ И АРХИТЕКТУРИТЕ, КОИТО СА ПО-МАЛКО ЧУВСТВИТЕЛНИ КЪМ ПРОМЕНЛИВОСТТА. СЛЕДНИТЕ ИЗТОЧНИЦИ НА ПРОМЕНЛИВОСТ СА НАЙ-КРИТИЧНИТЕ В ПРОУЧВАНЕТО НА НТО: Грапавост НА INTERFACE, ВЪЗЛОЖЕНИЕ В ИНТЕРФЕЙС, ALLEATORY Dopings И rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Оптимизация НА НУМЕРИЧНИ алгоритми, преносимост ДА НОВИ ИНФРАСТРУКТУРИ И РАЗВИТИЕ НА ТОЛА ЗА УПРАВЛЕНИЕ НА ДАТА _x000D_ за анализ на въздействието, което различните източници на вариабилност оказват при транспортирането на НТО ДФЕТ, е необходимо да се извърши анализ. Кой ИЗИСКВА СИМУЛАЦИЯ НА Големия брой на диспозитивите, увеличаване на КОНТУТАЦИОННИЯ КОСТ. ПОРАДИ ТОВА ИЗПОЛЗВАНЕТО НА ЕФЕКТИВНИ ЦИФРОВИ АЛГОРИТМИ Е ОТ СЪЩЕСТВЕНО ЗНАЧЕНИЕ. _x000D_ тази част на проекта е съставена от два пъти: I) НАМАЛЯВАНЕ НА ВРЕМЕТО ЗА ИЗПЪЛНЕНИЕ ЧРЕЗ ОПТИМИЗИРАНЕ НА ЦИФРОВИТЕ АЛГОРИТМИ, ИЗПОЛЗВАНИ ПРИ СИМУЛАЦИЯТА И ТЯХНОТО ВНЕДРЯВАНЕ В РАЗЛИЧНИ ИЗЧИСЛИТЕЛНИ ИНФРАСТРУКТУРИ И II) ЕФЕКТИВНО УПРАВЛЕНИЕ НА ДАННИТЕ, ГЕНЕРИРАНИ ЧРЕЗ ВНЕДРЯВАНЕ НА МЕНИДЖЪР ЗА ИЗПРАЩАНЕ И ПОЛУЧАВАНЕ НА ДАННИ ЗА ПРОМЕНЛИВОСТ С ИЗПОЛЗВАНЕ НА ХЕТЕРОГЕННИ ИЗЧИСЛИТЕЛНИ СИСТЕМИ. (Bulgarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: ИП НА ТОЗИ ПРОЕКТ ПОНАСТОЯЩЕМ Е ИЗСЛЕДОВАТЕЛ ПО ПРОГРАМАТА „МАРИЯ КЮРИ“ В УНИВЕРСИТЕТА СУОНЗИ (ОБЕДИНЕНОТО КРАЛСТВО). ТОЗИ ПРОЕКТ ИМА МУЛТИДИСЦИПЛИНАРЕН ХАРАКТЕР, КАТО ВКЛЮЧВА НАНОЕЛЕКТРОНИКА И КОМПЮТЪРНИ НАУКИ И ИНФОРМАЦИОННИ ТЕХНОЛОГИИ В НАЙ-АКТУАЛНИТЕ ДЪРЖАВИ. OBJECTIVES са класифицирани в три области:_x000D_ 1. 3D моделиране на TUNEL TRANSISTORS, използвайки нано-нишки чрез arrastre-DIFUSION И MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) са в процес на търсене като възможни курсове за повторно наемане на конвенционалните MOSFET диспозитиви за ULTRA LOW потентност Апликации на вашия SUB-Umbral висулка и вашата по-добра редукция на FUGA, което прави съгласуван STALATE НА FOOD TENSION POSSIBLE. ВЪПРЕКИ ТОВА, ПРЕДИЗВИКАТЕЛСТВО, СВЪРЗАНО С ТЕЗИ УСТРОЙСТВА Е ТЯХНАТА ОГРАНИЧЕНА РАБОТА И НИСЪК ТОК В ЗОНАТА. ЗА ДА СЕ ПОСТИГНЕ ВИСОКА ВЕРОЯТНОСТ ОТ ТУНЕЛИ, БИ БИЛО ПОЛЕЗНО ДА СЕ ИЗПОЛЗВАТ HETEROUNIONS И НОВИ АРХИТЕКТУРИ, КАТО НАПРИМЕР НАНОЖИЦИ (NW). В ТОЗИ ПРОЕКТ ПЪРВОНАЧАЛНО ЩЕ ПРОУЧИМ NW TFET УСТРОЙСТВО, ЧИЯТО АРХИТЕКТУРА ЩЕ СЛЕДВА ПРОЕКТИТЕ, ПРЕДОСТАВЕНИ ОТ IBM ЦЮРИХ. СЛЕД ТОВА ЩЕ БЪДАТ РАЗГЛЕДАНИ РАЗЛИЧНИ КОМБИНАЦИИ ЗА МАТЕРИАЛИТЕ, КОИТО ОБРАЗУВАТ КАНАЛА, ДРЕНАЖА И ИЗТОЧНИКА НА УСТРОЙСТВОТО, А АРХИТЕКТУРАТА НА OPTIMA ЩЕ БЪДЕ МАЩАБИРАНА ДО ДРУГИ ТЕХНОЛОГИЧНИ ВЪЗЛИ, ЗА ДА СЕ ОЦЕНИ ТЯХНАТА ПРОИЗВОДИТЕЛНОСТ И МАЩАБИРУЕМОСТ. ЗА ДА СЕ МОДЕЛИРАТ ПРАВИЛНО ТЕЗИ УСТРОЙСТВА, ИЗПОЛЗВАНЕТО НА ТРИИЗМЕРНИ СИМУЛАТОРИ Е ЗАДЪЛЖИТЕЛНО. ПОРАДИ ТАЗИ ПРИЧИНА В ПРОЕКТА ЩЕ ИЗПОЛЗВАМЕ 3D СИМУЛАЦИОННИ ИНСТРУМЕНТИ НА УСТРОЙСТВА С РАЗДЕЛИТЕЛНА СПОСОБНОСТ ATOMISTICA КАТО СИМУЛАТОРИ ЗА ПЛЪЗГАНЕ-ДИФУЗИЯ И МОНТЕ КАРЛО С КВАНТОВИ КОРЕКЦИИ. И двете СИМУЛАТОРИ се основават на метода на крайните ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Проучване на ИНФУЕНЦИЯТА НА различните ФЛУКТУАЦИИ В НОВИ ДЕЙСТВИЕ TFETS_x000D_ЕФЕКТА НА ВАРИАБИЛНОСТТА ЗА ХАРАКТЕРИСТИКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ Е ВСИЧКИ МОЙОР, превръщайки се в едно от основните неприязъни към ЕСКАЛАТА И ИНТЕГРАЦИЯТА НА АКТУАЛИТЕ ОБЩИ ОБЩИ И ТЪРГОВСКИ ПРОКСИМА. ЕТО ЗАЩО ЩЕ ПРОУЧИМ ВЪЗДЕЙСТВИЕТО, КОЕТО РАЗЛИЧНИТЕ ИЗТОЧНИЦИ НА КОЛЕБАНИЯ ОКАЗВАТ ВЪРХУ ПОВЕДЕНИЕТО НА УСТРОЙСТВАТА, ЗА ДА ИДЕНТИФИЦИРАМЕ ДИЗАЙНИТЕ, МАТЕРИАЛИТЕ И АРХИТЕКТУРИТЕ, КОИТО СА ПО-МАЛКО ЧУВСТВИТЕЛНИ КЪМ ПРОМЕНЛИВОСТТА. СЛЕДНИТЕ ИЗТОЧНИЦИ НА ПРОМЕНЛИВОСТ СА НАЙ-КРИТИЧНИТЕ В ПРОУЧВАНЕТО НА НТО: Грапавост НА INTERFACE, ВЪЗЛОЖЕНИЕ В ИНТЕРФЕЙС, ALLEATORY Dopings И rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Оптимизация НА НУМЕРИЧНИ алгоритми, преносимост ДА НОВИ ИНФРАСТРУКТУРИ И РАЗВИТИЕ НА ТОЛА ЗА УПРАВЛЕНИЕ НА ДАТА _x000D_ за анализ на въздействието, което различните източници на вариабилност оказват при транспортирането на НТО ДФЕТ, е необходимо да се извърши анализ. Кой ИЗИСКВА СИМУЛАЦИЯ НА Големия брой на диспозитивите, увеличаване на КОНТУТАЦИОННИЯ КОСТ. ПОРАДИ ТОВА ИЗПОЛЗВАНЕТО НА ЕФЕКТИВНИ ЦИФРОВИ АЛГОРИТМИ Е ОТ СЪЩЕСТВЕНО ЗНАЧЕНИЕ. _x000D_ тази част на проекта е съставена от два пъти: I) НАМАЛЯВАНЕ НА ВРЕМЕТО ЗА ИЗПЪЛНЕНИЕ ЧРЕЗ ОПТИМИЗИРАНЕ НА ЦИФРОВИТЕ АЛГОРИТМИ, ИЗПОЛЗВАНИ ПРИ СИМУЛАЦИЯТА И ТЯХНОТО ВНЕДРЯВАНЕ В РАЗЛИЧНИ ИЗЧИСЛИТЕЛНИ ИНФРАСТРУКТУРИ И II) ЕФЕКТИВНО УПРАВЛЕНИЕ НА ДАННИТЕ, ГЕНЕРИРАНИ ЧРЕЗ ВНЕДРЯВАНЕ НА МЕНИДЖЪР ЗА ИЗПРАЩАНЕ И ПОЛУЧАВАНЕ НА ДАННИ ЗА ПРОМЕНЛИВОСТ С ИЗПОЛЗВАНЕ НА ХЕТЕРОГЕННИ ИЗЧИСЛИТЕЛНИ СИСТЕМИ. (Bulgarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: ИП НА ТОЗИ ПРОЕКТ ПОНАСТОЯЩЕМ Е ИЗСЛЕДОВАТЕЛ ПО ПРОГРАМАТА „МАРИЯ КЮРИ“ В УНИВЕРСИТЕТА СУОНЗИ (ОБЕДИНЕНОТО КРАЛСТВО). ТОЗИ ПРОЕКТ ИМА МУЛТИДИСЦИПЛИНАРЕН ХАРАКТЕР, КАТО ВКЛЮЧВА НАНОЕЛЕКТРОНИКА И КОМПЮТЪРНИ НАУКИ И ИНФОРМАЦИОННИ ТЕХНОЛОГИИ В НАЙ-АКТУАЛНИТЕ ДЪРЖАВИ. OBJECTIVES са класифицирани в три области:_x000D_ 1. 3D моделиране на TUNEL TRANSISTORS, използвайки нано-нишки чрез arrastre-DIFUSION И MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) са в процес на търсене като възможни курсове за повторно наемане на конвенционалните MOSFET диспозитиви за ULTRA LOW потентност Апликации на вашия SUB-Umbral висулка и вашата по-добра редукция на FUGA, което прави съгласуван STALATE НА FOOD TENSION POSSIBLE. ВЪПРЕКИ ТОВА, ПРЕДИЗВИКАТЕЛСТВО, СВЪРЗАНО С ТЕЗИ УСТРОЙСТВА Е ТЯХНАТА ОГРАНИЧЕНА РАБОТА И НИСЪК ТОК В ЗОНАТА. ЗА ДА СЕ ПОСТИГНЕ ВИСОКА ВЕРОЯТНОСТ ОТ ТУНЕЛИ, БИ БИЛО ПОЛЕЗНО ДА СЕ ИЗПОЛЗВАТ HETEROUNIONS И НОВИ АРХИТЕКТУРИ, КАТО НАПРИМЕР НАНОЖИЦИ (NW). В ТОЗИ ПРОЕКТ ПЪРВОНАЧАЛНО ЩЕ ПРОУЧИМ NW TFET УСТРОЙСТВО, ЧИЯТО АРХИТЕКТУРА ЩЕ СЛЕДВА ПРОЕКТИТЕ, ПРЕДОСТАВЕНИ ОТ IBM ЦЮРИХ. СЛЕД ТОВА ЩЕ БЪДАТ РАЗГЛЕДАНИ РАЗЛИЧНИ КОМБИНАЦИИ ЗА МАТЕРИАЛИТЕ, КОИТО ОБРАЗУВАТ КАНАЛА, ДРЕНАЖА И ИЗТОЧНИКА НА УСТРОЙСТВОТО, А АРХИТЕКТУРАТА НА OPTIMA ЩЕ БЪДЕ МАЩАБИРАНА ДО ДРУГИ ТЕХНОЛОГИЧНИ ВЪЗЛИ, ЗА ДА СЕ ОЦЕНИ ТЯХНАТА ПРОИЗВОДИТЕЛНОСТ И МАЩАБИРУЕМОСТ. ЗА ДА СЕ МОДЕЛИРАТ ПРАВИЛНО ТЕЗИ УСТРОЙСТВА, ИЗПОЛЗВАНЕТО НА ТРИИЗМЕРНИ СИМУЛАТОРИ Е ЗАДЪЛЖИТЕЛНО. ПОРАДИ ТАЗИ ПРИЧИНА В ПРОЕКТА ЩЕ ИЗПОЛЗВАМЕ 3D СИМУЛАЦИОННИ ИНСТРУМЕНТИ НА УСТРОЙСТВА С РАЗДЕЛИТЕЛНА СПОСОБНОСТ ATOMISTICA КАТО СИМУЛАТОРИ ЗА ПЛЪЗГАНЕ-ДИФУЗИЯ И МОНТЕ КАРЛО С КВАНТОВИ КОРЕКЦИИ. И двете СИМУЛАТОРИ се основават на метода на крайните ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Проучване на ИНФУЕНЦИЯТА НА различните ФЛУКТУАЦИИ В НОВИ ДЕЙСТВИЕ TFETS_x000D_ЕФЕКТА НА ВАРИАБИЛНОСТТА ЗА ХАРАКТЕРИСТИКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ Е ВСИЧКИ МОЙОР, превръщайки се в едно от основните неприязъни към ЕСКАЛАТА И ИНТЕГРАЦИЯТА НА АКТУАЛИТЕ ОБЩИ ОБЩИ И ТЪРГОВСКИ ПРОКСИМА. ЕТО ЗАЩО ЩЕ ПРОУЧИМ ВЪЗДЕЙСТВИЕТО, КОЕТО РАЗЛИЧНИТЕ ИЗТОЧНИЦИ НА КОЛЕБАНИЯ ОКАЗВАТ ВЪРХУ ПОВЕДЕНИЕТО НА УСТРОЙСТВАТА, ЗА ДА ИДЕНТИФИЦИРАМЕ ДИЗАЙНИТЕ, МАТЕРИАЛИТЕ И АРХИТЕКТУРИТЕ, КОИТО СА ПО-МАЛКО ЧУВСТВИТЕЛНИ КЪМ ПРОМЕНЛИВОСТТА. СЛЕДНИТЕ ИЗТОЧНИЦИ НА ПРОМЕНЛИВОСТ СА НАЙ-КРИТИЧНИТЕ В ПРОУЧВАНЕТО НА НТО: Грапавост НА INTERFACE, ВЪЗЛОЖЕНИЕ В ИНТЕРФЕЙС, ALLEATORY Dopings И rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Оптимизация НА НУМЕРИЧНИ алгоритми, преносимост ДА НОВИ ИНФРАСТРУКТУРИ И РАЗВИТИЕ НА ТОЛА ЗА УПРАВЛЕНИЕ НА ДАТА _x000D_ за анализ на въздействието, което различните източници на вариабилност оказват при транспортирането на НТО ДФЕТ, е необходимо да се извърши анализ. Кой ИЗИСКВА СИМУЛАЦИЯ НА Големия брой на диспозитивите, увеличаване на КОНТУТАЦИОННИЯ КОСТ. ПОРАДИ ТОВА ИЗПОЛЗВАНЕТО НА ЕФЕКТИВНИ ЦИФРОВИ АЛГОРИТМИ Е ОТ СЪЩЕСТВЕНО ЗНАЧЕНИЕ. _x000D_ тази част на проекта е съставена от два пъти: I) НАМАЛЯВАНЕ НА ВРЕМЕТО ЗА ИЗПЪЛНЕНИЕ ЧРЕЗ ОПТИМИЗИРАНЕ НА ЦИФРОВИТЕ АЛГОРИТМИ, ИЗПОЛЗВАНИ ПРИ СИМУЛАЦИЯТА И ТЯХНОТО ВНЕДРЯВАНЕ В РАЗЛИЧНИ ИЗЧИСЛИТЕЛНИ ИНФРАСТРУКТУРИ И II) ЕФЕКТИВНО УПРАВЛЕНИЕ НА ДАННИТЕ, ГЕНЕРИРАНИ ЧРЕЗ ВНЕДРЯВАНЕ НА МЕНИДЖЪР ЗА ИЗПРАЩАНЕ И ПОЛУЧАВАНЕ НА ДАННИ ЗА ПРОМЕНЛИВОСТ С ИЗПОЛЗВАНЕ НА ХЕТЕРОГЕННИ ИЗЧИСЛИТЕЛНИ СИСТЕМИ. (Bulgarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
ŠIO PROJEKTO IP ŠIUO METU YRA MARIE CURIE IEF TYRĖJA SWANSEA UNIVERSITETE (JK). ŠIS PROJEKTAS YRA DAUGIADISCIPLININIO POBŪDŽIO, APIMANTIS NANOELEKTRONIKĄ IR KOMPIUTERIŲ MOKSLĄ BEI INFORMACINES TECHNOLOGIJAS DABARTINĖSE JO VALSTYBĖSE. OBJECTIVES skirstomos į tris sritis:_x000D_ 1. 3D modeliavimas TUNEL TRANSISTORS, naudojant nano-sriegius per arrastre-DIFUSION IR MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) yra ieškoma kaip įmanoma kursus, siekiant iš naujo įdarbinti įprastinius MOSFET dispozityvus ULTRA LOW Potence APPLICATIONS OF SUB-Umbral Pendence and YOUR Corrient reducation of FUGA, kuri daro agresyvų STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. TAČIAU IŠŠŪKIS, SUSIJĘS SU ŠIAIS PRIETAISAIS, YRA RIBOTAS JŲ NAŠUMAS IR MAŽA SROVĖ ZONOJE. NORINT PASIEKTI DIDELES TUNELIO TIKIMYBES, BŪTŲ NAUDINGA NAUDOTI HETEROUNIONS IR NAUJAS ARCHITEKTŪRAS, TOKIAS KAIP NANOLAIDAI (NW). ŠIAME PROJEKTE MES IŠ PRADŽIŲ TIRSIME NW TFET ĮRENGINĮ, KURIO ARCHITEKTŪRA ATITIKS IBM CIURICHO PATEIKTUS DIZAINUS. BE TO, BUS TIRIAMI ĮVAIRŪS MEDŽIAGŲ, SUDARANČIŲ KANALĄ, DRENAŽĄ IR PRIETAISO ŠALTINĮ, DERINIAI, O OPTIMA ARCHITEKTŪRA BUS SUSKIRSTYTA Į KITUS TECHNOLOGINIUS MAZGUS, KAD BŪTŲ GALIMA ĮVERTINTI JŲ NAŠUMĄ IR MASTELĮ. NORINT TINKAMAI MODELIUOTI ŠIUOS ĮTAISUS, PRIVALOMA NAUDOTI TRIMAČIUS TRENIRUOKLIUS. DĖL ŠIOS PRIEŽASTIES PROJEKTE MES NAUDOSIME 3D MODELIAVIMO ĮRANKIUS SU ATOMISTICA REZOLIUCIJA KAIP DRAG DIFUZIJOS SIMULIATORIUS IR MONTE CARLO SU KVANTINĖMIS PATAISOMIS. Abu SIMULATORAI yra pagrįsti baigtinių ELEMENTS metodu._x000D_ _x000D_ 2. NW TFETS_x000D _ NW TFETS_x000D_VARIABILITY VARAKTERISTIKŲ KARIKYBIŲ KARIKYBIŲ PASIŪLYMŲ INFLUENCIJA tampa vienu iš pagrindinių ESCALATE ir INTEGRATŲ ignoravimų ir KIRCUITŲ, kaip PROXIMA, nepaisymų. TODĖL MES IŠNAGRINĖSIME POVEIKĮ, KURĮ SKIRTINGI SVYRAVIMŲ ŠALTINIAI TURI PRIETAISŲ ELGSENAI, KAD BŪTŲ GALIMA NUSTATYTI, KOKIE PROJEKTAI, MEDŽIAGOS IR ARCHITEKTŪRA YRA MAŽIAU JAUTRŪS KINTAMUMUI. NW TFET TYRIME SVARBIAUSI YRA ŠIE KINTAMUMO ŠALTINIAI: INTERFACE šiurkštumas, atgal INTERFACE, ALLEATORY Dopings and Rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. NUMERINIŲ algoritmų optimizavimas, perkeliamumas į naujas INFRASTRUCTURES IR ĮRANGOS DUOMENŲ DUOMENŲ _x000D_ analizuoti poveikį, kurį skirtingi kintamumo šaltiniai daro NW TFET transportavimui, kad būtų galima atlikti analizę. Kas PRIPAŽĮSTA GREATŲ skaičių dispozityvumo, didinant komplikacinį COST. TODĖL LABAI SVARBU NAUDOTI EFEKTYVIUS SKAITMENINIUS ALGORITMUS. _x000D_ ši PROJEKTO DALIS, skirta dvišalėms paslaugoms: I) VYKDYMO LAIKO SUTRUMPINIMĄ OPTIMIZUOJANT MODELIAVIMUI NAUDOJAMUS SKAITMENINIUS ALGORITMUS IR JŲ ĮGYVENDINIMĄ SKIRTINGOSE SKAIČIAVIMO INFRASTRUKTŪROSE IR II) VEIKSMINGĄ DUOMENŲ, GAUTŲ ĮDIEGUS VALDYTOJĄ KINTAMUMO DUOMENIMS SIŲSTI IR GAUTI NAUDOJANT HETEROGENINES SKAIČIAVIMO SISTEMAS, VALDYMĄ. (Lithuanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: ŠIO PROJEKTO IP ŠIUO METU YRA MARIE CURIE IEF TYRĖJA SWANSEA UNIVERSITETE (JK). ŠIS PROJEKTAS YRA DAUGIADISCIPLININIO POBŪDŽIO, APIMANTIS NANOELEKTRONIKĄ IR KOMPIUTERIŲ MOKSLĄ BEI INFORMACINES TECHNOLOGIJAS DABARTINĖSE JO VALSTYBĖSE. OBJECTIVES skirstomos į tris sritis:_x000D_ 1. 3D modeliavimas TUNEL TRANSISTORS, naudojant nano-sriegius per arrastre-DIFUSION IR MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) yra ieškoma kaip įmanoma kursus, siekiant iš naujo įdarbinti įprastinius MOSFET dispozityvus ULTRA LOW Potence APPLICATIONS OF SUB-Umbral Pendence and YOUR Corrient reducation of FUGA, kuri daro agresyvų STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. TAČIAU IŠŠŪKIS, SUSIJĘS SU ŠIAIS PRIETAISAIS, YRA RIBOTAS JŲ NAŠUMAS IR MAŽA SROVĖ ZONOJE. NORINT PASIEKTI DIDELES TUNELIO TIKIMYBES, BŪTŲ NAUDINGA NAUDOTI HETEROUNIONS IR NAUJAS ARCHITEKTŪRAS, TOKIAS KAIP NANOLAIDAI (NW). ŠIAME PROJEKTE MES IŠ PRADŽIŲ TIRSIME NW TFET ĮRENGINĮ, KURIO ARCHITEKTŪRA ATITIKS IBM CIURICHO PATEIKTUS DIZAINUS. BE TO, BUS TIRIAMI ĮVAIRŪS MEDŽIAGŲ, SUDARANČIŲ KANALĄ, DRENAŽĄ IR PRIETAISO ŠALTINĮ, DERINIAI, O OPTIMA ARCHITEKTŪRA BUS SUSKIRSTYTA Į KITUS TECHNOLOGINIUS MAZGUS, KAD BŪTŲ GALIMA ĮVERTINTI JŲ NAŠUMĄ IR MASTELĮ. NORINT TINKAMAI MODELIUOTI ŠIUOS ĮTAISUS, PRIVALOMA NAUDOTI TRIMAČIUS TRENIRUOKLIUS. DĖL ŠIOS PRIEŽASTIES PROJEKTE MES NAUDOSIME 3D MODELIAVIMO ĮRANKIUS SU ATOMISTICA REZOLIUCIJA KAIP DRAG DIFUZIJOS SIMULIATORIUS IR MONTE CARLO SU KVANTINĖMIS PATAISOMIS. Abu SIMULATORAI yra pagrįsti baigtinių ELEMENTS metodu._x000D_ _x000D_ 2. NW TFETS_x000D _ NW TFETS_x000D_VARIABILITY VARAKTERISTIKŲ KARIKYBIŲ KARIKYBIŲ PASIŪLYMŲ INFLUENCIJA tampa vienu iš pagrindinių ESCALATE ir INTEGRATŲ ignoravimų ir KIRCUITŲ, kaip PROXIMA, nepaisymų. TODĖL MES IŠNAGRINĖSIME POVEIKĮ, KURĮ SKIRTINGI SVYRAVIMŲ ŠALTINIAI TURI PRIETAISŲ ELGSENAI, KAD BŪTŲ GALIMA NUSTATYTI, KOKIE PROJEKTAI, MEDŽIAGOS IR ARCHITEKTŪRA YRA MAŽIAU JAUTRŪS KINTAMUMUI. NW TFET TYRIME SVARBIAUSI YRA ŠIE KINTAMUMO ŠALTINIAI: INTERFACE šiurkštumas, atgal INTERFACE, ALLEATORY Dopings and Rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. NUMERINIŲ algoritmų optimizavimas, perkeliamumas į naujas INFRASTRUCTURES IR ĮRANGOS DUOMENŲ DUOMENŲ _x000D_ analizuoti poveikį, kurį skirtingi kintamumo šaltiniai daro NW TFET transportavimui, kad būtų galima atlikti analizę. Kas PRIPAŽĮSTA GREATŲ skaičių dispozityvumo, didinant komplikacinį COST. TODĖL LABAI SVARBU NAUDOTI EFEKTYVIUS SKAITMENINIUS ALGORITMUS. _x000D_ ši PROJEKTO DALIS, skirta dvišalėms paslaugoms: I) VYKDYMO LAIKO SUTRUMPINIMĄ OPTIMIZUOJANT MODELIAVIMUI NAUDOJAMUS SKAITMENINIUS ALGORITMUS IR JŲ ĮGYVENDINIMĄ SKIRTINGOSE SKAIČIAVIMO INFRASTRUKTŪROSE IR II) VEIKSMINGĄ DUOMENŲ, GAUTŲ ĮDIEGUS VALDYTOJĄ KINTAMUMO DUOMENIMS SIŲSTI IR GAUTI NAUDOJANT HETEROGENINES SKAIČIAVIMO SISTEMAS, VALDYMĄ. (Lithuanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: ŠIO PROJEKTO IP ŠIUO METU YRA MARIE CURIE IEF TYRĖJA SWANSEA UNIVERSITETE (JK). ŠIS PROJEKTAS YRA DAUGIADISCIPLININIO POBŪDŽIO, APIMANTIS NANOELEKTRONIKĄ IR KOMPIUTERIŲ MOKSLĄ BEI INFORMACINES TECHNOLOGIJAS DABARTINĖSE JO VALSTYBĖSE. OBJECTIVES skirstomos į tris sritis:_x000D_ 1. 3D modeliavimas TUNEL TRANSISTORS, naudojant nano-sriegius per arrastre-DIFUSION IR MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) yra ieškoma kaip įmanoma kursus, siekiant iš naujo įdarbinti įprastinius MOSFET dispozityvus ULTRA LOW Potence APPLICATIONS OF SUB-Umbral Pendence and YOUR Corrient reducation of FUGA, kuri daro agresyvų STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. TAČIAU IŠŠŪKIS, SUSIJĘS SU ŠIAIS PRIETAISAIS, YRA RIBOTAS JŲ NAŠUMAS IR MAŽA SROVĖ ZONOJE. NORINT PASIEKTI DIDELES TUNELIO TIKIMYBES, BŪTŲ NAUDINGA NAUDOTI HETEROUNIONS IR NAUJAS ARCHITEKTŪRAS, TOKIAS KAIP NANOLAIDAI (NW). ŠIAME PROJEKTE MES IŠ PRADŽIŲ TIRSIME NW TFET ĮRENGINĮ, KURIO ARCHITEKTŪRA ATITIKS IBM CIURICHO PATEIKTUS DIZAINUS. BE TO, BUS TIRIAMI ĮVAIRŪS MEDŽIAGŲ, SUDARANČIŲ KANALĄ, DRENAŽĄ IR PRIETAISO ŠALTINĮ, DERINIAI, O OPTIMA ARCHITEKTŪRA BUS SUSKIRSTYTA Į KITUS TECHNOLOGINIUS MAZGUS, KAD BŪTŲ GALIMA ĮVERTINTI JŲ NAŠUMĄ IR MASTELĮ. NORINT TINKAMAI MODELIUOTI ŠIUOS ĮTAISUS, PRIVALOMA NAUDOTI TRIMAČIUS TRENIRUOKLIUS. DĖL ŠIOS PRIEŽASTIES PROJEKTE MES NAUDOSIME 3D MODELIAVIMO ĮRANKIUS SU ATOMISTICA REZOLIUCIJA KAIP DRAG DIFUZIJOS SIMULIATORIUS IR MONTE CARLO SU KVANTINĖMIS PATAISOMIS. Abu SIMULATORAI yra pagrįsti baigtinių ELEMENTS metodu._x000D_ _x000D_ 2. NW TFETS_x000D _ NW TFETS_x000D_VARIABILITY VARAKTERISTIKŲ KARIKYBIŲ KARIKYBIŲ PASIŪLYMŲ INFLUENCIJA tampa vienu iš pagrindinių ESCALATE ir INTEGRATŲ ignoravimų ir KIRCUITŲ, kaip PROXIMA, nepaisymų. TODĖL MES IŠNAGRINĖSIME POVEIKĮ, KURĮ SKIRTINGI SVYRAVIMŲ ŠALTINIAI TURI PRIETAISŲ ELGSENAI, KAD BŪTŲ GALIMA NUSTATYTI, KOKIE PROJEKTAI, MEDŽIAGOS IR ARCHITEKTŪRA YRA MAŽIAU JAUTRŪS KINTAMUMUI. NW TFET TYRIME SVARBIAUSI YRA ŠIE KINTAMUMO ŠALTINIAI: INTERFACE šiurkštumas, atgal INTERFACE, ALLEATORY Dopings and Rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. NUMERINIŲ algoritmų optimizavimas, perkeliamumas į naujas INFRASTRUCTURES IR ĮRANGOS DUOMENŲ DUOMENŲ _x000D_ analizuoti poveikį, kurį skirtingi kintamumo šaltiniai daro NW TFET transportavimui, kad būtų galima atlikti analizę. Kas PRIPAŽĮSTA GREATŲ skaičių dispozityvumo, didinant komplikacinį COST. TODĖL LABAI SVARBU NAUDOTI EFEKTYVIUS SKAITMENINIUS ALGORITMUS. _x000D_ ši PROJEKTO DALIS, skirta dvišalėms paslaugoms: I) VYKDYMO LAIKO SUTRUMPINIMĄ OPTIMIZUOJANT MODELIAVIMUI NAUDOJAMUS SKAITMENINIUS ALGORITMUS IR JŲ ĮGYVENDINIMĄ SKIRTINGOSE SKAIČIAVIMO INFRASTRUKTŪROSE IR II) VEIKSMINGĄ DUOMENŲ, GAUTŲ ĮDIEGUS VALDYTOJĄ KINTAMUMO DUOMENIMS SIŲSTI IR GAUTI NAUDOJANT HETEROGENINES SKAIČIAVIMO SISTEMAS, VALDYMĄ. (Lithuanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IP OVOG PROJEKTA TRENUTAČNO JE ISTRAŽIVAČICA MARIE CURIE IEF NA SVEUČILIŠTU SWANSEA U UJEDINJENOJ KRALJEVINI. OVAJ PROJEKT IMA MULTIDISCIPLINARNI KARAKTER TE UKLJUČUJE NANOELEKTRONIKU I INFORMACIJSKU ZNANOST I INFORMACIJSKE TEHNOLOGIJE U SVOJIM NAJSUVREMENIJIM DRŽAVAMA. CILOVI su razvrstani u tri područja:_x000D_ 1. 3D modeliranje TUNEL TRANSISTORS, koristeći nano-threads kroz arrastre-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROIZVODI (TFETs) se pretražuju kao mogući tečajevi za ponovno zapošljavanje konvencionalnih MOSFET dispozitiva za ULTRA LOW potence APPLIKACIJE VAŠE SUB-Umbral pendence i vaše Corrient reducation of FUGA, što čini agresivan STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. MEĐUTIM, IZAZOV POVEZAN S TIM UREĐAJIMA JE NJIHOVA OGRANIČENA UČINKOVITOST I NISKA STRUJA U ON ZONI. KAKO BI SE POSTIGLA VISOKA VJEROJATNOST TUNELA, BILO BI KORISNO KORISTITI HETEROUNIONS I NOVE ARHITEKTURE, KAO ŠTO SU NANOWIRES (NW). U OVOM ĆEMO PROJEKTU U POČETKU ISTRAŽITI NW TFET UREĐAJ ČIJA ĆE ARHITEKTURA SLIJEDITI DIZAJNE IBM ZURICHA. ZATIM ĆE SE ISPITATI RAZLIČITE KOMBINACIJE MATERIJALA KOJI ČINE KANAL, ODVODNIK I IZVOR UREĐAJA I OPTIMA ARHITEKTURA BIT ĆE SKALIRANA NA DRUGE TEHNOLOŠKE ČVOROVE KAKO BI SE PROCIJENILA NJIHOVA IZVEDBA I SKALABILNOST. ZA PRAVILNO MODELIRANJE TIH UREĐAJA OBVEZNO JE KORIŠTENJE TRODIMENZIONALNIH SIMULATORA. ZBOG TOGA ĆEMO U PROJEKTU KORISTITI 3D SIMULACIJSKE ALATE UREĐAJA S REZOLUCIJOM ATOMISTICA KAO SIMULATORE OTPORA I MONTE CARLO S KVANTNIM ISPRAVCIMA. Oba SIMULATORS temelje se na metodi konačnih ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studija INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS in NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY ZA KARAKTERISTIVU OBAVIJESTI U NW TFETS TFETS_x000D_ OBRAZOVANJE VARIABILNOSTI ZA KARAKTERISTIVNOSTI UMJETNOSTI POSLOVANJA I KORIŠTAJA KOJI PROXIMA. STOGA ĆEMO PROUČITI UTJECAJ KOJI RAZLIČITI IZVORI FLUKTUACIJA IMAJU NA PONAŠANJE UREĐAJA KAKO BISMO IDENTIFICIRALI DIZAJNE, MATERIJALE I ARHITEKTURE MANJE OSJETLJIVE NA VARIJABILNOST. SLJEDEĆI IZVORI VARIJABILNOSTI NAJKRITIČNIJI SU U STUDIJI NW TFET-A: Hrapavost INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, SALEATORY Dopings I rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizacija NUMERICALnih algoritama, prenosivost na nove INFRASTRUCTURE I DEVELOPMENT TOOLA ZA UPRAVLJANJE DATA _x000D_ za analizu utjecaja koji različiti izvori varijabilnosti imaju na transport NW TFET-a je potrebno za provođenje analize. Tko PREPORUČUJE SIMULACIJA VELIKIH BROJA dispozitivnosti, Povećanje komputacijskog COST-a. STOGA JE KLJUČNO KORIŠTENJE UČINKOVITIH NUMERIČKIH ALGORITAMA. _x000D_ ovaj DIO PROJEKTA je zapečaćen u dva dijela: I) SMANJENJE VREMENA IZVRŠENJA KROZ OPTIMIZACIJU NUMERIČKIH ALGORITAMA KORIŠTENIH U SIMULACIJI I NJIHOVU IMPLEMENTACIJU U RAZLIČITE RAČUNALNE INFRASTRUKTURE I II) UČINKOVITO UPRAVLJANJE PODACIMA GENERIRANIM IMPLEMENTACIJOM MENADŽERA ZA SLANJE I PRIMANJE PODATAKA O VARIJABILNOSTI POMOĆU HETEROGENIH RAČUNALNIH SUSTAVA. (Croatian) | |||||||||||||||
| Property / summary: IP OVOG PROJEKTA TRENUTAČNO JE ISTRAŽIVAČICA MARIE CURIE IEF NA SVEUČILIŠTU SWANSEA U UJEDINJENOJ KRALJEVINI. OVAJ PROJEKT IMA MULTIDISCIPLINARNI KARAKTER TE UKLJUČUJE NANOELEKTRONIKU I INFORMACIJSKU ZNANOST I INFORMACIJSKE TEHNOLOGIJE U SVOJIM NAJSUVREMENIJIM DRŽAVAMA. CILOVI su razvrstani u tri područja:_x000D_ 1. 3D modeliranje TUNEL TRANSISTORS, koristeći nano-threads kroz arrastre-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROIZVODI (TFETs) se pretražuju kao mogući tečajevi za ponovno zapošljavanje konvencionalnih MOSFET dispozitiva za ULTRA LOW potence APPLIKACIJE VAŠE SUB-Umbral pendence i vaše Corrient reducation of FUGA, što čini agresivan STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. MEĐUTIM, IZAZOV POVEZAN S TIM UREĐAJIMA JE NJIHOVA OGRANIČENA UČINKOVITOST I NISKA STRUJA U ON ZONI. KAKO BI SE POSTIGLA VISOKA VJEROJATNOST TUNELA, BILO BI KORISNO KORISTITI HETEROUNIONS I NOVE ARHITEKTURE, KAO ŠTO SU NANOWIRES (NW). U OVOM ĆEMO PROJEKTU U POČETKU ISTRAŽITI NW TFET UREĐAJ ČIJA ĆE ARHITEKTURA SLIJEDITI DIZAJNE IBM ZURICHA. ZATIM ĆE SE ISPITATI RAZLIČITE KOMBINACIJE MATERIJALA KOJI ČINE KANAL, ODVODNIK I IZVOR UREĐAJA I OPTIMA ARHITEKTURA BIT ĆE SKALIRANA NA DRUGE TEHNOLOŠKE ČVOROVE KAKO BI SE PROCIJENILA NJIHOVA IZVEDBA I SKALABILNOST. ZA PRAVILNO MODELIRANJE TIH UREĐAJA OBVEZNO JE KORIŠTENJE TRODIMENZIONALNIH SIMULATORA. ZBOG TOGA ĆEMO U PROJEKTU KORISTITI 3D SIMULACIJSKE ALATE UREĐAJA S REZOLUCIJOM ATOMISTICA KAO SIMULATORE OTPORA I MONTE CARLO S KVANTNIM ISPRAVCIMA. Oba SIMULATORS temelje se na metodi konačnih ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studija INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS in NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY ZA KARAKTERISTIVU OBAVIJESTI U NW TFETS TFETS_x000D_ OBRAZOVANJE VARIABILNOSTI ZA KARAKTERISTIVNOSTI UMJETNOSTI POSLOVANJA I KORIŠTAJA KOJI PROXIMA. STOGA ĆEMO PROUČITI UTJECAJ KOJI RAZLIČITI IZVORI FLUKTUACIJA IMAJU NA PONAŠANJE UREĐAJA KAKO BISMO IDENTIFICIRALI DIZAJNE, MATERIJALE I ARHITEKTURE MANJE OSJETLJIVE NA VARIJABILNOST. SLJEDEĆI IZVORI VARIJABILNOSTI NAJKRITIČNIJI SU U STUDIJI NW TFET-A: Hrapavost INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, SALEATORY Dopings I rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizacija NUMERICALnih algoritama, prenosivost na nove INFRASTRUCTURE I DEVELOPMENT TOOLA ZA UPRAVLJANJE DATA _x000D_ za analizu utjecaja koji različiti izvori varijabilnosti imaju na transport NW TFET-a je potrebno za provođenje analize. Tko PREPORUČUJE SIMULACIJA VELIKIH BROJA dispozitivnosti, Povećanje komputacijskog COST-a. STOGA JE KLJUČNO KORIŠTENJE UČINKOVITIH NUMERIČKIH ALGORITAMA. _x000D_ ovaj DIO PROJEKTA je zapečaćen u dva dijela: I) SMANJENJE VREMENA IZVRŠENJA KROZ OPTIMIZACIJU NUMERIČKIH ALGORITAMA KORIŠTENIH U SIMULACIJI I NJIHOVU IMPLEMENTACIJU U RAZLIČITE RAČUNALNE INFRASTRUKTURE I II) UČINKOVITO UPRAVLJANJE PODACIMA GENERIRANIM IMPLEMENTACIJOM MENADŽERA ZA SLANJE I PRIMANJE PODATAKA O VARIJABILNOSTI POMOĆU HETEROGENIH RAČUNALNIH SUSTAVA. (Croatian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: IP OVOG PROJEKTA TRENUTAČNO JE ISTRAŽIVAČICA MARIE CURIE IEF NA SVEUČILIŠTU SWANSEA U UJEDINJENOJ KRALJEVINI. OVAJ PROJEKT IMA MULTIDISCIPLINARNI KARAKTER TE UKLJUČUJE NANOELEKTRONIKU I INFORMACIJSKU ZNANOST I INFORMACIJSKE TEHNOLOGIJE U SVOJIM NAJSUVREMENIJIM DRŽAVAMA. CILOVI su razvrstani u tri područja:_x000D_ 1. 3D modeliranje TUNEL TRANSISTORS, koristeći nano-threads kroz arrastre-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROIZVODI (TFETs) se pretražuju kao mogući tečajevi za ponovno zapošljavanje konvencionalnih MOSFET dispozitiva za ULTRA LOW potence APPLIKACIJE VAŠE SUB-Umbral pendence i vaše Corrient reducation of FUGA, što čini agresivan STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. MEĐUTIM, IZAZOV POVEZAN S TIM UREĐAJIMA JE NJIHOVA OGRANIČENA UČINKOVITOST I NISKA STRUJA U ON ZONI. KAKO BI SE POSTIGLA VISOKA VJEROJATNOST TUNELA, BILO BI KORISNO KORISTITI HETEROUNIONS I NOVE ARHITEKTURE, KAO ŠTO SU NANOWIRES (NW). U OVOM ĆEMO PROJEKTU U POČETKU ISTRAŽITI NW TFET UREĐAJ ČIJA ĆE ARHITEKTURA SLIJEDITI DIZAJNE IBM ZURICHA. ZATIM ĆE SE ISPITATI RAZLIČITE KOMBINACIJE MATERIJALA KOJI ČINE KANAL, ODVODNIK I IZVOR UREĐAJA I OPTIMA ARHITEKTURA BIT ĆE SKALIRANA NA DRUGE TEHNOLOŠKE ČVOROVE KAKO BI SE PROCIJENILA NJIHOVA IZVEDBA I SKALABILNOST. ZA PRAVILNO MODELIRANJE TIH UREĐAJA OBVEZNO JE KORIŠTENJE TRODIMENZIONALNIH SIMULATORA. ZBOG TOGA ĆEMO U PROJEKTU KORISTITI 3D SIMULACIJSKE ALATE UREĐAJA S REZOLUCIJOM ATOMISTICA KAO SIMULATORE OTPORA I MONTE CARLO S KVANTNIM ISPRAVCIMA. Oba SIMULATORS temelje se na metodi konačnih ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studija INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS in NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY ZA KARAKTERISTIVU OBAVIJESTI U NW TFETS TFETS_x000D_ OBRAZOVANJE VARIABILNOSTI ZA KARAKTERISTIVNOSTI UMJETNOSTI POSLOVANJA I KORIŠTAJA KOJI PROXIMA. STOGA ĆEMO PROUČITI UTJECAJ KOJI RAZLIČITI IZVORI FLUKTUACIJA IMAJU NA PONAŠANJE UREĐAJA KAKO BISMO IDENTIFICIRALI DIZAJNE, MATERIJALE I ARHITEKTURE MANJE OSJETLJIVE NA VARIJABILNOST. SLJEDEĆI IZVORI VARIJABILNOSTI NAJKRITIČNIJI SU U STUDIJI NW TFET-A: Hrapavost INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, SALEATORY Dopings I rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizacija NUMERICALnih algoritama, prenosivost na nove INFRASTRUCTURE I DEVELOPMENT TOOLA ZA UPRAVLJANJE DATA _x000D_ za analizu utjecaja koji različiti izvori varijabilnosti imaju na transport NW TFET-a je potrebno za provođenje analize. Tko PREPORUČUJE SIMULACIJA VELIKIH BROJA dispozitivnosti, Povećanje komputacijskog COST-a. STOGA JE KLJUČNO KORIŠTENJE UČINKOVITIH NUMERIČKIH ALGORITAMA. _x000D_ ovaj DIO PROJEKTA je zapečaćen u dva dijela: I) SMANJENJE VREMENA IZVRŠENJA KROZ OPTIMIZACIJU NUMERIČKIH ALGORITAMA KORIŠTENIH U SIMULACIJI I NJIHOVU IMPLEMENTACIJU U RAZLIČITE RAČUNALNE INFRASTRUKTURE I II) UČINKOVITO UPRAVLJANJE PODACIMA GENERIRANIM IMPLEMENTACIJOM MENADŽERA ZA SLANJE I PRIMANJE PODATAKA O VARIJABILNOSTI POMOĆU HETEROGENIH RAČUNALNIH SUSTAVA. (Croatian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
PROJEKTET ÄR FÖR NÄRVARANDE EN MARIE CURIE IEF-FORSKARE VID SWANSEA UNIVERSITY (STORBRITANNIEN). DETTA PROJEKT HAR EN TVÄRVETENSKAPLIG KARAKTÄR OCH OMFATTAR NANOELEKTRONIK, DATAVETENSKAP OCH INFORMATIONSTEKNIK I DE MEST AKTUELLA LÄNDERNA. OBJEKTIVerna är indelade i tre områden:_x000D_ 1. 3D-modellering av TUNEL TRANSISTORER, med hjälp av nanotrådar genom arrastre-DIFUSION OCH MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) söks som möjliga kurser för att återanställa de konventionella MOSFET-dispositiva för ULTRA LOW potence APPLICATIONER av din SUB-Umbral pendence och din Corrient-ombildning av FUGA, vilket gör en Agresive STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. EN UTMANING I SAMBAND MED DESSA ENHETER ÄR DOCK DERAS BEGRÄNSADE PRESTANDA OCH LÅGA STRÖM I DEN PÅ ZONEN. FÖR ATT UPPNÅ HÖGA TUNNELSANNOLIKHETER SKULLE DET VARA FÖRDELAKTIGT ATT ANVÄNDA HETEROUNIONS OCH NYA ARKITEKTURER, SÅSOM NANOTRÅDAR (NW). I DETTA PROJEKT KOMMER VI INLEDNINGSVIS ATT UNDERSÖKA EN NW TFET-ENHET VARS ARKITEKTUR KOMMER ATT FÖLJA DEN DESIGN SOM TILLHANDAHÅLLS AV IBM ZÜRICH. DÄREFTER KOMMER OLIKA KOMBINATIONER ATT UNDERSÖKAS FÖR DE MATERIAL SOM BILDAR KANALEN, DRÄNERAREN OCH KÄLLAN TILL ENHETEN OCH OPTIMA-ARKITEKTUREN KOMMER ATT SKALAS TILL ANDRA TEKNISKA NODER FÖR ATT UTVÄRDERA DERAS PRESTANDA OCH SKALBARHET. FÖR ATT MODELLERA DESSA ANORDNINGAR KORREKT ÄR DET OBLIGATORISKT ATT ANVÄNDA TREDIMENSIONELLA SIMULATORER. AV DENNA ANLEDNING I PROJEKTET KOMMER VI ATT ANVÄNDA 3D SIMULERINGSVERKTYG AV ENHETER MED ATOMISTICA UPPLÖSNING SOM DRAG-DIFUSION SIMULATORER OCH MONTE CARLO MED KVANTKORRIGERINGAR. Båda SIMULATORerna är baserade på metoden för finita ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie av INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS I NW TFETs TFETS_x000D_ EFFEKT AV VARIABILITET FÖR KARACTERISTICER AV dispositiva är ALLA MAYOR, och blir en av de primära trotserna för ESCALATE och INTEGRATION AV DEN ACTUAL GENERATION AV dispositiva OCH CIRCUITS som PROXIMA. DÄRFÖR KOMMER VI ATT STUDERA DEN INVERKAN SOM OLIKA KÄLLOR TILL FLUKTUATIONER HAR PÅ ENHETERNAS BETEENDE FÖR ATT IDENTIFIERA KONSTRUKTIONER, MATERIAL OCH ARKITEKTURER SOM ÄR MINDRE KÄNSLIGA FÖR VARIABILITET. FÖLJANDE VARIABILITETSKÄLLOR ÄR DE MEST KRITISKA I NW TFETS-STUDIEN: Grovhet AV INTERFACE, BACK I INTERFACE, ALLEATORY Dopningar OCH rugositet I INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimering av NUMERICAL algoritmer, portabilitet till nya INFRASTRUCTURES och utveckling av verktyg för godkännande av DATA _x000D_ för att analysera den inverkan som olika variabilitetskällor har på transporten av NW TFETs är nödvändigt för att utföra analys. som KÄNNER SIMULATION AV en stor mängd dispositiva, Ökad COMPUTATIONAL KOST. DÄRFÖR ÄR ANVÄNDNINGEN AV EFFEKTIVA NUMERISKA ALGORITMER AVGÖRANDE. _x000D_ denna del av PROJEKT ÄR BASED I TWO OBJEKTIV: I) MINSKNING AV GENOMFÖRANDETIDEN GENOM OPTIMERING AV DE NUMERISKA ALGORITMER SOM ANVÄNDS I SIMULERINGEN OCH DERAS IMPLEMENTERING I OLIKA BERÄKNINGSINFRASTRUKTURER OCH II) EFFEKTIV HANTERING AV DE DATA SOM GENERERAS GENOM INFÖRANDE AV EN FÖRVALTARE FÖR ATT SKICKA OCH TA EMOT VARIABILITETSDATA MED HJÄLP AV HETEROGENA DATORSYSTEM. (Swedish) | |||||||||||||||
| Property / summary: PROJEKTET ÄR FÖR NÄRVARANDE EN MARIE CURIE IEF-FORSKARE VID SWANSEA UNIVERSITY (STORBRITANNIEN). DETTA PROJEKT HAR EN TVÄRVETENSKAPLIG KARAKTÄR OCH OMFATTAR NANOELEKTRONIK, DATAVETENSKAP OCH INFORMATIONSTEKNIK I DE MEST AKTUELLA LÄNDERNA. OBJEKTIVerna är indelade i tre områden:_x000D_ 1. 3D-modellering av TUNEL TRANSISTORER, med hjälp av nanotrådar genom arrastre-DIFUSION OCH MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) söks som möjliga kurser för att återanställa de konventionella MOSFET-dispositiva för ULTRA LOW potence APPLICATIONER av din SUB-Umbral pendence och din Corrient-ombildning av FUGA, vilket gör en Agresive STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. EN UTMANING I SAMBAND MED DESSA ENHETER ÄR DOCK DERAS BEGRÄNSADE PRESTANDA OCH LÅGA STRÖM I DEN PÅ ZONEN. FÖR ATT UPPNÅ HÖGA TUNNELSANNOLIKHETER SKULLE DET VARA FÖRDELAKTIGT ATT ANVÄNDA HETEROUNIONS OCH NYA ARKITEKTURER, SÅSOM NANOTRÅDAR (NW). I DETTA PROJEKT KOMMER VI INLEDNINGSVIS ATT UNDERSÖKA EN NW TFET-ENHET VARS ARKITEKTUR KOMMER ATT FÖLJA DEN DESIGN SOM TILLHANDAHÅLLS AV IBM ZÜRICH. DÄREFTER KOMMER OLIKA KOMBINATIONER ATT UNDERSÖKAS FÖR DE MATERIAL SOM BILDAR KANALEN, DRÄNERAREN OCH KÄLLAN TILL ENHETEN OCH OPTIMA-ARKITEKTUREN KOMMER ATT SKALAS TILL ANDRA TEKNISKA NODER FÖR ATT UTVÄRDERA DERAS PRESTANDA OCH SKALBARHET. FÖR ATT MODELLERA DESSA ANORDNINGAR KORREKT ÄR DET OBLIGATORISKT ATT ANVÄNDA TREDIMENSIONELLA SIMULATORER. AV DENNA ANLEDNING I PROJEKTET KOMMER VI ATT ANVÄNDA 3D SIMULERINGSVERKTYG AV ENHETER MED ATOMISTICA UPPLÖSNING SOM DRAG-DIFUSION SIMULATORER OCH MONTE CARLO MED KVANTKORRIGERINGAR. Båda SIMULATORerna är baserade på metoden för finita ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie av INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS I NW TFETs TFETS_x000D_ EFFEKT AV VARIABILITET FÖR KARACTERISTICER AV dispositiva är ALLA MAYOR, och blir en av de primära trotserna för ESCALATE och INTEGRATION AV DEN ACTUAL GENERATION AV dispositiva OCH CIRCUITS som PROXIMA. DÄRFÖR KOMMER VI ATT STUDERA DEN INVERKAN SOM OLIKA KÄLLOR TILL FLUKTUATIONER HAR PÅ ENHETERNAS BETEENDE FÖR ATT IDENTIFIERA KONSTRUKTIONER, MATERIAL OCH ARKITEKTURER SOM ÄR MINDRE KÄNSLIGA FÖR VARIABILITET. FÖLJANDE VARIABILITETSKÄLLOR ÄR DE MEST KRITISKA I NW TFETS-STUDIEN: Grovhet AV INTERFACE, BACK I INTERFACE, ALLEATORY Dopningar OCH rugositet I INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimering av NUMERICAL algoritmer, portabilitet till nya INFRASTRUCTURES och utveckling av verktyg för godkännande av DATA _x000D_ för att analysera den inverkan som olika variabilitetskällor har på transporten av NW TFETs är nödvändigt för att utföra analys. som KÄNNER SIMULATION AV en stor mängd dispositiva, Ökad COMPUTATIONAL KOST. DÄRFÖR ÄR ANVÄNDNINGEN AV EFFEKTIVA NUMERISKA ALGORITMER AVGÖRANDE. _x000D_ denna del av PROJEKT ÄR BASED I TWO OBJEKTIV: I) MINSKNING AV GENOMFÖRANDETIDEN GENOM OPTIMERING AV DE NUMERISKA ALGORITMER SOM ANVÄNDS I SIMULERINGEN OCH DERAS IMPLEMENTERING I OLIKA BERÄKNINGSINFRASTRUKTURER OCH II) EFFEKTIV HANTERING AV DE DATA SOM GENERERAS GENOM INFÖRANDE AV EN FÖRVALTARE FÖR ATT SKICKA OCH TA EMOT VARIABILITETSDATA MED HJÄLP AV HETEROGENA DATORSYSTEM. (Swedish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: PROJEKTET ÄR FÖR NÄRVARANDE EN MARIE CURIE IEF-FORSKARE VID SWANSEA UNIVERSITY (STORBRITANNIEN). DETTA PROJEKT HAR EN TVÄRVETENSKAPLIG KARAKTÄR OCH OMFATTAR NANOELEKTRONIK, DATAVETENSKAP OCH INFORMATIONSTEKNIK I DE MEST AKTUELLA LÄNDERNA. OBJEKTIVerna är indelade i tre områden:_x000D_ 1. 3D-modellering av TUNEL TRANSISTORER, med hjälp av nanotrådar genom arrastre-DIFUSION OCH MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) söks som möjliga kurser för att återanställa de konventionella MOSFET-dispositiva för ULTRA LOW potence APPLICATIONER av din SUB-Umbral pendence och din Corrient-ombildning av FUGA, vilket gör en Agresive STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. EN UTMANING I SAMBAND MED DESSA ENHETER ÄR DOCK DERAS BEGRÄNSADE PRESTANDA OCH LÅGA STRÖM I DEN PÅ ZONEN. FÖR ATT UPPNÅ HÖGA TUNNELSANNOLIKHETER SKULLE DET VARA FÖRDELAKTIGT ATT ANVÄNDA HETEROUNIONS OCH NYA ARKITEKTURER, SÅSOM NANOTRÅDAR (NW). I DETTA PROJEKT KOMMER VI INLEDNINGSVIS ATT UNDERSÖKA EN NW TFET-ENHET VARS ARKITEKTUR KOMMER ATT FÖLJA DEN DESIGN SOM TILLHANDAHÅLLS AV IBM ZÜRICH. DÄREFTER KOMMER OLIKA KOMBINATIONER ATT UNDERSÖKAS FÖR DE MATERIAL SOM BILDAR KANALEN, DRÄNERAREN OCH KÄLLAN TILL ENHETEN OCH OPTIMA-ARKITEKTUREN KOMMER ATT SKALAS TILL ANDRA TEKNISKA NODER FÖR ATT UTVÄRDERA DERAS PRESTANDA OCH SKALBARHET. FÖR ATT MODELLERA DESSA ANORDNINGAR KORREKT ÄR DET OBLIGATORISKT ATT ANVÄNDA TREDIMENSIONELLA SIMULATORER. AV DENNA ANLEDNING I PROJEKTET KOMMER VI ATT ANVÄNDA 3D SIMULERINGSVERKTYG AV ENHETER MED ATOMISTICA UPPLÖSNING SOM DRAG-DIFUSION SIMULATORER OCH MONTE CARLO MED KVANTKORRIGERINGAR. Båda SIMULATORerna är baserade på metoden för finita ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie av INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS I NW TFETs TFETS_x000D_ EFFEKT AV VARIABILITET FÖR KARACTERISTICER AV dispositiva är ALLA MAYOR, och blir en av de primära trotserna för ESCALATE och INTEGRATION AV DEN ACTUAL GENERATION AV dispositiva OCH CIRCUITS som PROXIMA. DÄRFÖR KOMMER VI ATT STUDERA DEN INVERKAN SOM OLIKA KÄLLOR TILL FLUKTUATIONER HAR PÅ ENHETERNAS BETEENDE FÖR ATT IDENTIFIERA KONSTRUKTIONER, MATERIAL OCH ARKITEKTURER SOM ÄR MINDRE KÄNSLIGA FÖR VARIABILITET. FÖLJANDE VARIABILITETSKÄLLOR ÄR DE MEST KRITISKA I NW TFETS-STUDIEN: Grovhet AV INTERFACE, BACK I INTERFACE, ALLEATORY Dopningar OCH rugositet I INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimering av NUMERICAL algoritmer, portabilitet till nya INFRASTRUCTURES och utveckling av verktyg för godkännande av DATA _x000D_ för att analysera den inverkan som olika variabilitetskällor har på transporten av NW TFETs är nödvändigt för att utföra analys. som KÄNNER SIMULATION AV en stor mängd dispositiva, Ökad COMPUTATIONAL KOST. DÄRFÖR ÄR ANVÄNDNINGEN AV EFFEKTIVA NUMERISKA ALGORITMER AVGÖRANDE. _x000D_ denna del av PROJEKT ÄR BASED I TWO OBJEKTIV: I) MINSKNING AV GENOMFÖRANDETIDEN GENOM OPTIMERING AV DE NUMERISKA ALGORITMER SOM ANVÄNDS I SIMULERINGEN OCH DERAS IMPLEMENTERING I OLIKA BERÄKNINGSINFRASTRUKTURER OCH II) EFFEKTIV HANTERING AV DE DATA SOM GENERERAS GENOM INFÖRANDE AV EN FÖRVALTARE FÖR ATT SKICKA OCH TA EMOT VARIABILITETSDATA MED HJÄLP AV HETEROGENA DATORSYSTEM. (Swedish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IP-UL ACESTUI PROIECT ESTE ÎN PREZENT UN CERCETĂTOR MARIE CURIE IEF LA UNIVERSITATEA SWANSEA (REGATUL UNIT). ACEST PROIECT ARE UN CARACTER MULTIDISCIPLINAR, ÎNCORPORÂND NANOELECTRONICA ȘI INFORMATICA ȘI TEHNOLOGIILE INFORMAȚIEI ÎN CELE MAI ACTUALE STATE ALE SALE. Obiectivele sunt clasificate în trei domenii:_x000D_ 1. Modelarea 3D a TUNEL TRANSISTORS, folosind nano-threads prin arrastre-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) sunt căutate ca posibile cursuri de re-angajare a dispozitiilor MOSFET convenționale pentru ULTRA LOW potență APPLICATIONS OF YOUR SUB-Umbral pendence and youR Corrient reduction of FUGA, ceea ce face un STALAT Agresiv al POSSIBLE FOOD TENSION. CU TOATE ACESTEA, O PROVOCARE ASOCIATĂ CU ACESTE DISPOZITIVE ESTE PERFORMANȚA LOR LIMITATĂ ȘI CURENTUL SCĂZUT ÎN ZONA DE PE. PENTRU A OBȚINE PROBABILITĂȚI RIDICATE DE TUNEL, AR FI BENEFIC SĂ SE UTILIZEZE HETEROUNIONS ȘI NOI ARHITECTURI, CUM AR FI NANOFIRELE (NW). ÎN ACEST PROIECT VOM INVESTIGA INIȚIAL UN DISPOZITIV TFET NW A CĂRUI ARHITECTURĂ VA URMA DESIGNURILE OFERITE DE IBM ZURICH. APOI, DIFERITE COMBINAȚII VOR FI EXAMINATE PENTRU MATERIALELE CARE FORMEAZĂ CANALUL, DRENATORUL ȘI SURSA DISPOZITIVULUI, IAR ARHITECTURA OPTIMA VA FI SCALATĂ LA ALTE NODURI TEHNOLOGICE PENTRU A EVALUA PERFORMANȚA ȘI SCALABILITATEA ACESTORA. PENTRU A MODELA CORECT ACESTE DISPOZITIVE, UTILIZAREA SIMULATOARELOR TRIDIMENSIONALE ESTE OBLIGATORIE. DIN ACEST MOTIV, ÎN CADRUL PROIECTULUI VOM FOLOSI INSTRUMENTE DE SIMULARE 3D A DISPOZITIVELOR CU REZOLUȚIE ATOMISTICA CA SIMULATOARE DE DRAG-DIFUZIE ȘI MONTE CARLO CU CORECȚII CUANTICE. Ambele SIMULATORI se bazează pe metoda ELEMENTELOR finite._x000D_ _x000D_ 2. Studiul INFLUENȚEI Diferențelor de FLUCTUAȚII ÎN TFET-urile NW TFETS_x000D_ EFFECTUL VARIABILITATEI PENTRU CHARACTERISTICILE Dispozitivelor Este FIECARE MAI MULT, devenind una dintre sfidările primare ale ESCALATULUI ȘI INTEGRAREA GENERALII ACTUALE a Dispozitivelor ȘI CIRCUITELOR DE PROXIMA. PRIN URMARE, VOM STUDIA IMPACTUL PE CARE DIFERITE SURSE DE FLUCTUAȚII ÎL AU ASUPRA COMPORTAMENTULUI DISPOZITIVELOR PENTRU A IDENTIFICA PROIECTELE, MATERIALELE ȘI ARHITECTURILE MAI PUȚIN SENSIBILE LA VARIABILITATE. URMĂTOARELE SURSE DE VARIABILITATE SUNT CELE MAI CRITICE ÎN STUDIUL TFET NW: Rugozitatea INTERFACE, BACK in INTERFACE, toate dopurile și rugozitatea INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizarea algoritmilor NUMERICI, portabilitatea la NOU INFRASTRUCTURES ȘI DEZVOLTAREA TOOLURILOR PENTRU MANAGEMENTUL DATElor _x000D_ pentru a analiza impactul pe care îl au diferite surse de variabilitate în transportul TFET-urilor NW este necesar pentru a efectua analiza. Cine CREBUIE SIMULAREA UNEI NUMĂRI de dispozitivi, Creșterea COST COMPUTATIONAL. PRIN URMARE, UTILIZAREA ALGORITMILOR NUMERICI EFICIENȚI ESTE ESENȚIALĂ. _x000D_ această parte a proiectului este în curs de desfășurare în două cazuri: I) REDUCEREA TIMPULUI DE EXECUȚIE PRIN OPTIMIZAREA ALGORITMILOR NUMERICI UTILIZAȚI ÎN SIMULARE ȘI IMPLEMENTAREA ACESTORA ÎN DIFERITE INFRASTRUCTURI DE CALCUL ȘI II) GESTIONAREA EFICIENTĂ A DATELOR GENERATE PRIN IMPLEMENTAREA UNUI MANAGER PENTRU TRIMITEREA ȘI PRIMIREA DATELOR DE VARIABILITATE UTILIZÂND SISTEME DE CALCUL ETEROGENE. (Romanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: IP-UL ACESTUI PROIECT ESTE ÎN PREZENT UN CERCETĂTOR MARIE CURIE IEF LA UNIVERSITATEA SWANSEA (REGATUL UNIT). ACEST PROIECT ARE UN CARACTER MULTIDISCIPLINAR, ÎNCORPORÂND NANOELECTRONICA ȘI INFORMATICA ȘI TEHNOLOGIILE INFORMAȚIEI ÎN CELE MAI ACTUALE STATE ALE SALE. Obiectivele sunt clasificate în trei domenii:_x000D_ 1. Modelarea 3D a TUNEL TRANSISTORS, folosind nano-threads prin arrastre-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) sunt căutate ca posibile cursuri de re-angajare a dispozitiilor MOSFET convenționale pentru ULTRA LOW potență APPLICATIONS OF YOUR SUB-Umbral pendence and youR Corrient reduction of FUGA, ceea ce face un STALAT Agresiv al POSSIBLE FOOD TENSION. CU TOATE ACESTEA, O PROVOCARE ASOCIATĂ CU ACESTE DISPOZITIVE ESTE PERFORMANȚA LOR LIMITATĂ ȘI CURENTUL SCĂZUT ÎN ZONA DE PE. PENTRU A OBȚINE PROBABILITĂȚI RIDICATE DE TUNEL, AR FI BENEFIC SĂ SE UTILIZEZE HETEROUNIONS ȘI NOI ARHITECTURI, CUM AR FI NANOFIRELE (NW). ÎN ACEST PROIECT VOM INVESTIGA INIȚIAL UN DISPOZITIV TFET NW A CĂRUI ARHITECTURĂ VA URMA DESIGNURILE OFERITE DE IBM ZURICH. APOI, DIFERITE COMBINAȚII VOR FI EXAMINATE PENTRU MATERIALELE CARE FORMEAZĂ CANALUL, DRENATORUL ȘI SURSA DISPOZITIVULUI, IAR ARHITECTURA OPTIMA VA FI SCALATĂ LA ALTE NODURI TEHNOLOGICE PENTRU A EVALUA PERFORMANȚA ȘI SCALABILITATEA ACESTORA. PENTRU A MODELA CORECT ACESTE DISPOZITIVE, UTILIZAREA SIMULATOARELOR TRIDIMENSIONALE ESTE OBLIGATORIE. DIN ACEST MOTIV, ÎN CADRUL PROIECTULUI VOM FOLOSI INSTRUMENTE DE SIMULARE 3D A DISPOZITIVELOR CU REZOLUȚIE ATOMISTICA CA SIMULATOARE DE DRAG-DIFUZIE ȘI MONTE CARLO CU CORECȚII CUANTICE. Ambele SIMULATORI se bazează pe metoda ELEMENTELOR finite._x000D_ _x000D_ 2. Studiul INFLUENȚEI Diferențelor de FLUCTUAȚII ÎN TFET-urile NW TFETS_x000D_ EFFECTUL VARIABILITATEI PENTRU CHARACTERISTICILE Dispozitivelor Este FIECARE MAI MULT, devenind una dintre sfidările primare ale ESCALATULUI ȘI INTEGRAREA GENERALII ACTUALE a Dispozitivelor ȘI CIRCUITELOR DE PROXIMA. PRIN URMARE, VOM STUDIA IMPACTUL PE CARE DIFERITE SURSE DE FLUCTUAȚII ÎL AU ASUPRA COMPORTAMENTULUI DISPOZITIVELOR PENTRU A IDENTIFICA PROIECTELE, MATERIALELE ȘI ARHITECTURILE MAI PUȚIN SENSIBILE LA VARIABILITATE. URMĂTOARELE SURSE DE VARIABILITATE SUNT CELE MAI CRITICE ÎN STUDIUL TFET NW: Rugozitatea INTERFACE, BACK in INTERFACE, toate dopurile și rugozitatea INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizarea algoritmilor NUMERICI, portabilitatea la NOU INFRASTRUCTURES ȘI DEZVOLTAREA TOOLURILOR PENTRU MANAGEMENTUL DATElor _x000D_ pentru a analiza impactul pe care îl au diferite surse de variabilitate în transportul TFET-urilor NW este necesar pentru a efectua analiza. Cine CREBUIE SIMULAREA UNEI NUMĂRI de dispozitivi, Creșterea COST COMPUTATIONAL. PRIN URMARE, UTILIZAREA ALGORITMILOR NUMERICI EFICIENȚI ESTE ESENȚIALĂ. _x000D_ această parte a proiectului este în curs de desfășurare în două cazuri: I) REDUCEREA TIMPULUI DE EXECUȚIE PRIN OPTIMIZAREA ALGORITMILOR NUMERICI UTILIZAȚI ÎN SIMULARE ȘI IMPLEMENTAREA ACESTORA ÎN DIFERITE INFRASTRUCTURI DE CALCUL ȘI II) GESTIONAREA EFICIENTĂ A DATELOR GENERATE PRIN IMPLEMENTAREA UNUI MANAGER PENTRU TRIMITEREA ȘI PRIMIREA DATELOR DE VARIABILITATE UTILIZÂND SISTEME DE CALCUL ETEROGENE. (Romanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: IP-UL ACESTUI PROIECT ESTE ÎN PREZENT UN CERCETĂTOR MARIE CURIE IEF LA UNIVERSITATEA SWANSEA (REGATUL UNIT). ACEST PROIECT ARE UN CARACTER MULTIDISCIPLINAR, ÎNCORPORÂND NANOELECTRONICA ȘI INFORMATICA ȘI TEHNOLOGIILE INFORMAȚIEI ÎN CELE MAI ACTUALE STATE ALE SALE. Obiectivele sunt clasificate în trei domenii:_x000D_ 1. Modelarea 3D a TUNEL TRANSISTORS, folosind nano-threads prin arrastre-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) sunt căutate ca posibile cursuri de re-angajare a dispozitiilor MOSFET convenționale pentru ULTRA LOW potență APPLICATIONS OF YOUR SUB-Umbral pendence and youR Corrient reduction of FUGA, ceea ce face un STALAT Agresiv al POSSIBLE FOOD TENSION. CU TOATE ACESTEA, O PROVOCARE ASOCIATĂ CU ACESTE DISPOZITIVE ESTE PERFORMANȚA LOR LIMITATĂ ȘI CURENTUL SCĂZUT ÎN ZONA DE PE. PENTRU A OBȚINE PROBABILITĂȚI RIDICATE DE TUNEL, AR FI BENEFIC SĂ SE UTILIZEZE HETEROUNIONS ȘI NOI ARHITECTURI, CUM AR FI NANOFIRELE (NW). ÎN ACEST PROIECT VOM INVESTIGA INIȚIAL UN DISPOZITIV TFET NW A CĂRUI ARHITECTURĂ VA URMA DESIGNURILE OFERITE DE IBM ZURICH. APOI, DIFERITE COMBINAȚII VOR FI EXAMINATE PENTRU MATERIALELE CARE FORMEAZĂ CANALUL, DRENATORUL ȘI SURSA DISPOZITIVULUI, IAR ARHITECTURA OPTIMA VA FI SCALATĂ LA ALTE NODURI TEHNOLOGICE PENTRU A EVALUA PERFORMANȚA ȘI SCALABILITATEA ACESTORA. PENTRU A MODELA CORECT ACESTE DISPOZITIVE, UTILIZAREA SIMULATOARELOR TRIDIMENSIONALE ESTE OBLIGATORIE. DIN ACEST MOTIV, ÎN CADRUL PROIECTULUI VOM FOLOSI INSTRUMENTE DE SIMULARE 3D A DISPOZITIVELOR CU REZOLUȚIE ATOMISTICA CA SIMULATOARE DE DRAG-DIFUZIE ȘI MONTE CARLO CU CORECȚII CUANTICE. Ambele SIMULATORI se bazează pe metoda ELEMENTELOR finite._x000D_ _x000D_ 2. Studiul INFLUENȚEI Diferențelor de FLUCTUAȚII ÎN TFET-urile NW TFETS_x000D_ EFFECTUL VARIABILITATEI PENTRU CHARACTERISTICILE Dispozitivelor Este FIECARE MAI MULT, devenind una dintre sfidările primare ale ESCALATULUI ȘI INTEGRAREA GENERALII ACTUALE a Dispozitivelor ȘI CIRCUITELOR DE PROXIMA. PRIN URMARE, VOM STUDIA IMPACTUL PE CARE DIFERITE SURSE DE FLUCTUAȚII ÎL AU ASUPRA COMPORTAMENTULUI DISPOZITIVELOR PENTRU A IDENTIFICA PROIECTELE, MATERIALELE ȘI ARHITECTURILE MAI PUȚIN SENSIBILE LA VARIABILITATE. URMĂTOARELE SURSE DE VARIABILITATE SUNT CELE MAI CRITICE ÎN STUDIUL TFET NW: Rugozitatea INTERFACE, BACK in INTERFACE, toate dopurile și rugozitatea INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizarea algoritmilor NUMERICI, portabilitatea la NOU INFRASTRUCTURES ȘI DEZVOLTAREA TOOLURILOR PENTRU MANAGEMENTUL DATElor _x000D_ pentru a analiza impactul pe care îl au diferite surse de variabilitate în transportul TFET-urilor NW este necesar pentru a efectua analiza. Cine CREBUIE SIMULAREA UNEI NUMĂRI de dispozitivi, Creșterea COST COMPUTATIONAL. PRIN URMARE, UTILIZAREA ALGORITMILOR NUMERICI EFICIENȚI ESTE ESENȚIALĂ. _x000D_ această parte a proiectului este în curs de desfășurare în două cazuri: I) REDUCEREA TIMPULUI DE EXECUȚIE PRIN OPTIMIZAREA ALGORITMILOR NUMERICI UTILIZAȚI ÎN SIMULARE ȘI IMPLEMENTAREA ACESTORA ÎN DIFERITE INFRASTRUCTURI DE CALCUL ȘI II) GESTIONAREA EFICIENTĂ A DATELOR GENERATE PRIN IMPLEMENTAREA UNUI MANAGER PENTRU TRIMITEREA ȘI PRIMIREA DATELOR DE VARIABILITATE UTILIZÂND SISTEME DE CALCUL ETEROGENE. (Romanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IP TEGA PROJEKTA JE TRENUTNO RAZISKOVALKA MARIE CURIE IEF NA UNIVERZI SWANSEA (ZDRUŽENO KRALJESTVO). TA PROJEKT IMA MULTIDISCIPLINARNI ZNAČAJ, KI VKLJUČUJE NANOELEKTRONIKO TER RAČUNALNIŠKO IN INFORMACIJSKO TEHNOLOGIJO V SVOJIH NAJNOVEJŠIH DRŽAVAH. OBJEKTI so razvrščeni v tri področja:_x000D_ 1. 3D modeliranje TUNEL TRANSISTORS, z uporabo nanonit skozi arrastre-DIFUSION IN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) se iščejo kot možne tečaje za ponovno uporabo konvencionalnih MOSFET dispozitivnih dispozitivnih za ULTRA LOW potence APPLICATIONS Vaše SUB-Umbral pendence IN Vaše Corrient reducation of FUGA, ki naredi agresiven STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. VENDAR PA JE IZZIV, POVEZAN S TEMI NAPRAVAMI, NJIHOVA OMEJENA ZMOGLJIVOST IN NIZEK TOK V OBMOČJU. DA BI DOSEGLI VISOKO VERJETNOST PREDORA, BI BILO KORISTNO UPORABITI HETEROUNIONS IN NOVE ARHITEKTURE, KOT SO NANOWIRES (NW). V TEM PROJEKTU BOMO NAJPREJ RAZISKALI NAPRAVO NW TFET, KATERE ARHITEKTURA BO SLEDILA DIZAJNOM, KI JIH ZAGOTAVLJA IBM ZURICH. NATO BODO PREGLEDANE RAZLIČNE KOMBINACIJE MATERIALOV, KI TVORIJO KANAL, DRENAŽO IN VIR NAPRAVE, OPTIMSKA ARHITEKTURA PA BO PRILAGOJENA DRUGIM TEHNOLOŠKIM VOZLIŠČEM, DA SE OCENI NJIHOVA ZMOGLJIVOST IN RAZŠIRLJIVOST. ZA PRAVILNO MODELIRANJE TEH NAPRAV JE OBVEZNA UPORABA TRIDIMENZIONALNIH SIMULATORJEV. ZATO BOMO V PROJEKTU UPORABILI 3D SIMULACIJSKA ORODJA NAPRAV Z LOČLJIVOSTJO ATOMISTICA KOT SIMULATORJI DRAG-DIFUSION IN MONTE CARLO S KVANTNIMI POPRAVKI. Obe SIMULATORJI temeljita na metodi končnih ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Študija INFLUENCE različnih FLUCTUATIONS V NW TFETs TFETS_x000D_ UČINKOVOST VARIABILITIJE ZA DOVOLJENJE dispozitivov, ki so postali eden od primarnih kljubovanja za ESCALATE IN INTEGRATION OF ACTUALALNE GENERATION of Dispositives IN CIRCUITS AS THE PROXIMA. ZATO BOMO PREUČILI VPLIV, KI GA IMAJO RAZLIČNI VIRI NIHANJA NA OBNAŠANJE NAPRAV, DA BI PREPOZNALI MODELE, MATERIALE IN ARHITEKTURE, KI SO MANJ OBČUTLJIVI NA VARIABILNOST. NASLEDNJI VIRI VARIABILNOSTI SO NAJBOLJ KRITIČNI V ŠTUDIJI NW TFETS: Hrapavost INTERFACE, BACK V INTERFACE, ALLEATORY Dopings and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizacija NUMERICALnih algoritmov, prenosljivost NEW INFRASTRUCTURES IN RAZVOJ TOOLOV ZA UPRAVLJANJE PODATKOV _x000D_ za analizo vpliva, ki ga imajo različni viri variabilnosti na prevoz NW TFET-ov, je potrebno za izvedbo analize. ki ZAHTEVA SIMULACIJE GREAT ŠTEVILKA dispozitivnih snovi, Povečanje COMPUTATIONAL COST. ZATO JE UPORABA UČINKOVITIH NUMERIČNIH ALGORITMOV BISTVENEGA POMENA. _x000D_ ta del PROJEKTA, ki se nahaja v dveh državah članicah: I) SKRAJŠANJE ČASA IZVEDBE Z OPTIMIZACIJO NUMERIČNIH ALGORITMOV, KI SE UPORABLJAJO V SIMULACIJI, IN NJIHOVO IMPLEMENTACIJO V RAZLIČNIH RAČUNSKIH INFRASTRUKTURAH TER II) UČINKOVITO UPRAVLJANJE PODATKOV, USTVARJENIH Z IZVAJANJEM UPRAVITELJA ZA POŠILJANJE IN PREJEMANJE PODATKOV O VARIABILNOSTI Z UPORABO HETEROGENIH RAČUNALNIŠKIH SISTEMOV. (Slovenian) | |||||||||||||||
| Property / summary: IP TEGA PROJEKTA JE TRENUTNO RAZISKOVALKA MARIE CURIE IEF NA UNIVERZI SWANSEA (ZDRUŽENO KRALJESTVO). TA PROJEKT IMA MULTIDISCIPLINARNI ZNAČAJ, KI VKLJUČUJE NANOELEKTRONIKO TER RAČUNALNIŠKO IN INFORMACIJSKO TEHNOLOGIJO V SVOJIH NAJNOVEJŠIH DRŽAVAH. OBJEKTI so razvrščeni v tri področja:_x000D_ 1. 3D modeliranje TUNEL TRANSISTORS, z uporabo nanonit skozi arrastre-DIFUSION IN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) se iščejo kot možne tečaje za ponovno uporabo konvencionalnih MOSFET dispozitivnih dispozitivnih za ULTRA LOW potence APPLICATIONS Vaše SUB-Umbral pendence IN Vaše Corrient reducation of FUGA, ki naredi agresiven STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. VENDAR PA JE IZZIV, POVEZAN S TEMI NAPRAVAMI, NJIHOVA OMEJENA ZMOGLJIVOST IN NIZEK TOK V OBMOČJU. DA BI DOSEGLI VISOKO VERJETNOST PREDORA, BI BILO KORISTNO UPORABITI HETEROUNIONS IN NOVE ARHITEKTURE, KOT SO NANOWIRES (NW). V TEM PROJEKTU BOMO NAJPREJ RAZISKALI NAPRAVO NW TFET, KATERE ARHITEKTURA BO SLEDILA DIZAJNOM, KI JIH ZAGOTAVLJA IBM ZURICH. NATO BODO PREGLEDANE RAZLIČNE KOMBINACIJE MATERIALOV, KI TVORIJO KANAL, DRENAŽO IN VIR NAPRAVE, OPTIMSKA ARHITEKTURA PA BO PRILAGOJENA DRUGIM TEHNOLOŠKIM VOZLIŠČEM, DA SE OCENI NJIHOVA ZMOGLJIVOST IN RAZŠIRLJIVOST. ZA PRAVILNO MODELIRANJE TEH NAPRAV JE OBVEZNA UPORABA TRIDIMENZIONALNIH SIMULATORJEV. ZATO BOMO V PROJEKTU UPORABILI 3D SIMULACIJSKA ORODJA NAPRAV Z LOČLJIVOSTJO ATOMISTICA KOT SIMULATORJI DRAG-DIFUSION IN MONTE CARLO S KVANTNIMI POPRAVKI. Obe SIMULATORJI temeljita na metodi končnih ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Študija INFLUENCE različnih FLUCTUATIONS V NW TFETs TFETS_x000D_ UČINKOVOST VARIABILITIJE ZA DOVOLJENJE dispozitivov, ki so postali eden od primarnih kljubovanja za ESCALATE IN INTEGRATION OF ACTUALALNE GENERATION of Dispositives IN CIRCUITS AS THE PROXIMA. ZATO BOMO PREUČILI VPLIV, KI GA IMAJO RAZLIČNI VIRI NIHANJA NA OBNAŠANJE NAPRAV, DA BI PREPOZNALI MODELE, MATERIALE IN ARHITEKTURE, KI SO MANJ OBČUTLJIVI NA VARIABILNOST. NASLEDNJI VIRI VARIABILNOSTI SO NAJBOLJ KRITIČNI V ŠTUDIJI NW TFETS: Hrapavost INTERFACE, BACK V INTERFACE, ALLEATORY Dopings and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizacija NUMERICALnih algoritmov, prenosljivost NEW INFRASTRUCTURES IN RAZVOJ TOOLOV ZA UPRAVLJANJE PODATKOV _x000D_ za analizo vpliva, ki ga imajo različni viri variabilnosti na prevoz NW TFET-ov, je potrebno za izvedbo analize. ki ZAHTEVA SIMULACIJE GREAT ŠTEVILKA dispozitivnih snovi, Povečanje COMPUTATIONAL COST. ZATO JE UPORABA UČINKOVITIH NUMERIČNIH ALGORITMOV BISTVENEGA POMENA. _x000D_ ta del PROJEKTA, ki se nahaja v dveh državah članicah: I) SKRAJŠANJE ČASA IZVEDBE Z OPTIMIZACIJO NUMERIČNIH ALGORITMOV, KI SE UPORABLJAJO V SIMULACIJI, IN NJIHOVO IMPLEMENTACIJO V RAZLIČNIH RAČUNSKIH INFRASTRUKTURAH TER II) UČINKOVITO UPRAVLJANJE PODATKOV, USTVARJENIH Z IZVAJANJEM UPRAVITELJA ZA POŠILJANJE IN PREJEMANJE PODATKOV O VARIABILNOSTI Z UPORABO HETEROGENIH RAČUNALNIŠKIH SISTEMOV. (Slovenian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: IP TEGA PROJEKTA JE TRENUTNO RAZISKOVALKA MARIE CURIE IEF NA UNIVERZI SWANSEA (ZDRUŽENO KRALJESTVO). TA PROJEKT IMA MULTIDISCIPLINARNI ZNAČAJ, KI VKLJUČUJE NANOELEKTRONIKO TER RAČUNALNIŠKO IN INFORMACIJSKO TEHNOLOGIJO V SVOJIH NAJNOVEJŠIH DRŽAVAH. OBJEKTI so razvrščeni v tri področja:_x000D_ 1. 3D modeliranje TUNEL TRANSISTORS, z uporabo nanonit skozi arrastre-DIFUSION IN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) se iščejo kot možne tečaje za ponovno uporabo konvencionalnih MOSFET dispozitivnih dispozitivnih za ULTRA LOW potence APPLICATIONS Vaše SUB-Umbral pendence IN Vaše Corrient reducation of FUGA, ki naredi agresiven STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. VENDAR PA JE IZZIV, POVEZAN S TEMI NAPRAVAMI, NJIHOVA OMEJENA ZMOGLJIVOST IN NIZEK TOK V OBMOČJU. DA BI DOSEGLI VISOKO VERJETNOST PREDORA, BI BILO KORISTNO UPORABITI HETEROUNIONS IN NOVE ARHITEKTURE, KOT SO NANOWIRES (NW). V TEM PROJEKTU BOMO NAJPREJ RAZISKALI NAPRAVO NW TFET, KATERE ARHITEKTURA BO SLEDILA DIZAJNOM, KI JIH ZAGOTAVLJA IBM ZURICH. NATO BODO PREGLEDANE RAZLIČNE KOMBINACIJE MATERIALOV, KI TVORIJO KANAL, DRENAŽO IN VIR NAPRAVE, OPTIMSKA ARHITEKTURA PA BO PRILAGOJENA DRUGIM TEHNOLOŠKIM VOZLIŠČEM, DA SE OCENI NJIHOVA ZMOGLJIVOST IN RAZŠIRLJIVOST. ZA PRAVILNO MODELIRANJE TEH NAPRAV JE OBVEZNA UPORABA TRIDIMENZIONALNIH SIMULATORJEV. ZATO BOMO V PROJEKTU UPORABILI 3D SIMULACIJSKA ORODJA NAPRAV Z LOČLJIVOSTJO ATOMISTICA KOT SIMULATORJI DRAG-DIFUSION IN MONTE CARLO S KVANTNIMI POPRAVKI. Obe SIMULATORJI temeljita na metodi končnih ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Študija INFLUENCE različnih FLUCTUATIONS V NW TFETs TFETS_x000D_ UČINKOVOST VARIABILITIJE ZA DOVOLJENJE dispozitivov, ki so postali eden od primarnih kljubovanja za ESCALATE IN INTEGRATION OF ACTUALALNE GENERATION of Dispositives IN CIRCUITS AS THE PROXIMA. ZATO BOMO PREUČILI VPLIV, KI GA IMAJO RAZLIČNI VIRI NIHANJA NA OBNAŠANJE NAPRAV, DA BI PREPOZNALI MODELE, MATERIALE IN ARHITEKTURE, KI SO MANJ OBČUTLJIVI NA VARIABILNOST. NASLEDNJI VIRI VARIABILNOSTI SO NAJBOLJ KRITIČNI V ŠTUDIJI NW TFETS: Hrapavost INTERFACE, BACK V INTERFACE, ALLEATORY Dopings and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizacija NUMERICALnih algoritmov, prenosljivost NEW INFRASTRUCTURES IN RAZVOJ TOOLOV ZA UPRAVLJANJE PODATKOV _x000D_ za analizo vpliva, ki ga imajo različni viri variabilnosti na prevoz NW TFET-ov, je potrebno za izvedbo analize. ki ZAHTEVA SIMULACIJE GREAT ŠTEVILKA dispozitivnih snovi, Povečanje COMPUTATIONAL COST. ZATO JE UPORABA UČINKOVITIH NUMERIČNIH ALGORITMOV BISTVENEGA POMENA. _x000D_ ta del PROJEKTA, ki se nahaja v dveh državah članicah: I) SKRAJŠANJE ČASA IZVEDBE Z OPTIMIZACIJO NUMERIČNIH ALGORITMOV, KI SE UPORABLJAJO V SIMULACIJI, IN NJIHOVO IMPLEMENTACIJO V RAZLIČNIH RAČUNSKIH INFRASTRUKTURAH TER II) UČINKOVITO UPRAVLJANJE PODATKOV, USTVARJENIH Z IZVAJANJEM UPRAVITELJA ZA POŠILJANJE IN PREJEMANJE PODATKOV O VARIABILNOSTI Z UPORABO HETEROGENIH RAČUNALNIŠKIH SISTEMOV. (Slovenian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IP TEGO PROJEKTU JEST OBECNIE BADACZEM MARIE CURIE IEF NA UNIWERSYTECIE SWANSEA (WIELKA BRYTANIA). PROJEKT TEN MA CHARAKTER MULTIDYSCYPLINARNY I OBEJMUJE NANOELEKTRONIKA ORAZ INFORMATYKĘ I TECHNOLOGIE INFORMACYJNE W NAJBARDZIEJ AKTUALNYCH STANACH. Cele OBJETY są klasyfikowane w trzech obszarach:_x000D_ 1. Modelowanie 3D TRANSISTORS TUNEL, za pomocą nanowątków poprzez arrastre-DIFUSION I MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) są przeszukiwane jako możliwe kursy w celu ponownego zastosowania Konwencjonalnych dyspozytorów MOSFET dla ULTRA LOW potence APPLICATIONS TWOJ SUB-Umbral pendence I YOUR Corrient reducation OF FUGA, co sprawia, że uzgodniony STALATE POSSIBLE FOOD TENSION. JEDNAK WYZWANIEM ZWIĄZANYM Z TYMI URZĄDZENIAMI JEST ICH OGRANICZONA WYDAJNOŚĆ I NISKI PRĄD W STREFIE. ABY OSIĄGNĄĆ WYSOKIE PRAWDOPODOBIEŃSTWO TUNELU, KORZYSTNE BYŁOBY UŻYCIE HETEROUNIONS I NOWYCH ARCHITEKTUR, TAKICH JAK NANOWIRES (NW). W TYM PROJEKCIE POCZĄTKOWO ZBADAMY URZĄDZENIE NW TFET, KTÓREGO ARCHITEKTURA BĘDZIE ZGODNA Z PROJEKTAMI DOSTARCZONYMI PRZEZ IBM ZURICH. NASTĘPNIE ZBADANE ZOSTANĄ RÓŻNE KOMBINACJE MATERIAŁÓW TWORZĄCYCH KANAŁ, ODWADNIACZ I ŹRÓDŁO URZĄDZENIA, A ARCHITEKTURA OPTIMA ZOSTANIE PRZESKALOWANA DO INNYCH WĘZŁÓW TECHNOLOGICZNYCH, ABY OCENIĆ ICH WYDAJNOŚĆ I SKALOWALNOŚĆ. DO PRAWIDŁOWEGO MODELOWANIA TYCH URZĄDZEŃ OBOWIĄZKOWE JEST STOSOWANIE TRÓJWYMIAROWYCH SYMULATORÓW. Z TEGO POWODU W PROJEKCIE WYKORZYSTAMY NARZĘDZIA SYMULACYJNE 3D URZĄDZEŃ Z ROZDZIELCZOŚCIĄ ATOMISTICA JAKO SYMULATORY DRAG-DIFUSION I MONTE CARLO Z KOREKTAMI KWANTOWYMI. Oba SIMULATORS są oparte na metodzie Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Badanie INFLUENCJI Różnych FLUKTUACJI W NW TFETs TFETS_x000D_ EFFEEKT WARIABILITYCZNOŚCI CHARACTERISTYCZNYCH ZASTOSOWANIA DOSTĘPÓW JEST KAŻDYM MAJĄCYM, stając się jednym z głównych przeciwieństw dla ESCALATE I INTEGRACJI AKTUALNEGO GENERACJI dysponentów I CIRCUITS AS THE PROXIMA. W ZWIĄZKU Z TYM ZBADAMY WPŁYW RÓŻNYCH ŹRÓDEŁ WAHAŃ NA ZACHOWANIE URZĄDZEŃ W CELU ZIDENTYFIKOWANIA PROJEKTÓW, MATERIAŁÓW I ARCHITEKTURY MNIEJ WRAŻLIWYCH NA ZMIENNOŚĆ. W BADANIU NW TFET NAJISTOTNIEJSZE SĄ NASTĘPUJĄCE ŹRÓDŁA ZMIENNOŚCI: Chropowatość INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, ALLEATORY Dopings AND rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optymalizacja algorytmów NUMERICALNYCH, przenośność DO NOWYCH INFRASTRUKTURY I ROZPORZĄDZENIA TFETÓW NUMERYCZNYCH do przeprowadzenia analizy jest niezbędna do przeprowadzenia analizy. Kto WYMAGA SIĘ ZGÓLNĄ NUMERĄ dysponentów, Zwiększenie KONKURENCJI. W ZWIĄZKU Z TYM ZASADNICZE ZNACZENIE MA STOSOWANIE EFEKTYWNYCH ALGORYTMÓW NUMERYCZNYCH. _x000D_ to CZĘŚĆ PROJEKTU została pokryta w Dwóch Celach: I) SKRÓCENIE CZASU REALIZACJI POPRZEZ OPTYMALIZACJĘ ALGORYTMÓW NUMERYCZNYCH STOSOWANYCH W SYMULACJI I ICH IMPLEMENTACJĘ W RÓŻNYCH INFRASTRUKTURACH OBLICZENIOWYCH ORAZ II) EFEKTYWNE ZARZĄDZANIE DANYMI GENEROWANYMI POPRZEZ WDROŻENIE MENEDŻERA DO WYSYŁANIA I OTRZYMYWANIA DANYCH O ZMIENNOŚCI Z WYKORZYSTANIEM NIEJEDNORODNYCH SYSTEMÓW OBLICZENIOWYCH. (Polish) | |||||||||||||||
| Property / summary: IP TEGO PROJEKTU JEST OBECNIE BADACZEM MARIE CURIE IEF NA UNIWERSYTECIE SWANSEA (WIELKA BRYTANIA). PROJEKT TEN MA CHARAKTER MULTIDYSCYPLINARNY I OBEJMUJE NANOELEKTRONIKA ORAZ INFORMATYKĘ I TECHNOLOGIE INFORMACYJNE W NAJBARDZIEJ AKTUALNYCH STANACH. Cele OBJETY są klasyfikowane w trzech obszarach:_x000D_ 1. Modelowanie 3D TRANSISTORS TUNEL, za pomocą nanowątków poprzez arrastre-DIFUSION I MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) są przeszukiwane jako możliwe kursy w celu ponownego zastosowania Konwencjonalnych dyspozytorów MOSFET dla ULTRA LOW potence APPLICATIONS TWOJ SUB-Umbral pendence I YOUR Corrient reducation OF FUGA, co sprawia, że uzgodniony STALATE POSSIBLE FOOD TENSION. JEDNAK WYZWANIEM ZWIĄZANYM Z TYMI URZĄDZENIAMI JEST ICH OGRANICZONA WYDAJNOŚĆ I NISKI PRĄD W STREFIE. ABY OSIĄGNĄĆ WYSOKIE PRAWDOPODOBIEŃSTWO TUNELU, KORZYSTNE BYŁOBY UŻYCIE HETEROUNIONS I NOWYCH ARCHITEKTUR, TAKICH JAK NANOWIRES (NW). W TYM PROJEKCIE POCZĄTKOWO ZBADAMY URZĄDZENIE NW TFET, KTÓREGO ARCHITEKTURA BĘDZIE ZGODNA Z PROJEKTAMI DOSTARCZONYMI PRZEZ IBM ZURICH. NASTĘPNIE ZBADANE ZOSTANĄ RÓŻNE KOMBINACJE MATERIAŁÓW TWORZĄCYCH KANAŁ, ODWADNIACZ I ŹRÓDŁO URZĄDZENIA, A ARCHITEKTURA OPTIMA ZOSTANIE PRZESKALOWANA DO INNYCH WĘZŁÓW TECHNOLOGICZNYCH, ABY OCENIĆ ICH WYDAJNOŚĆ I SKALOWALNOŚĆ. DO PRAWIDŁOWEGO MODELOWANIA TYCH URZĄDZEŃ OBOWIĄZKOWE JEST STOSOWANIE TRÓJWYMIAROWYCH SYMULATORÓW. Z TEGO POWODU W PROJEKCIE WYKORZYSTAMY NARZĘDZIA SYMULACYJNE 3D URZĄDZEŃ Z ROZDZIELCZOŚCIĄ ATOMISTICA JAKO SYMULATORY DRAG-DIFUSION I MONTE CARLO Z KOREKTAMI KWANTOWYMI. Oba SIMULATORS są oparte na metodzie Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Badanie INFLUENCJI Różnych FLUKTUACJI W NW TFETs TFETS_x000D_ EFFEEKT WARIABILITYCZNOŚCI CHARACTERISTYCZNYCH ZASTOSOWANIA DOSTĘPÓW JEST KAŻDYM MAJĄCYM, stając się jednym z głównych przeciwieństw dla ESCALATE I INTEGRACJI AKTUALNEGO GENERACJI dysponentów I CIRCUITS AS THE PROXIMA. W ZWIĄZKU Z TYM ZBADAMY WPŁYW RÓŻNYCH ŹRÓDEŁ WAHAŃ NA ZACHOWANIE URZĄDZEŃ W CELU ZIDENTYFIKOWANIA PROJEKTÓW, MATERIAŁÓW I ARCHITEKTURY MNIEJ WRAŻLIWYCH NA ZMIENNOŚĆ. W BADANIU NW TFET NAJISTOTNIEJSZE SĄ NASTĘPUJĄCE ŹRÓDŁA ZMIENNOŚCI: Chropowatość INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, ALLEATORY Dopings AND rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optymalizacja algorytmów NUMERICALNYCH, przenośność DO NOWYCH INFRASTRUKTURY I ROZPORZĄDZENIA TFETÓW NUMERYCZNYCH do przeprowadzenia analizy jest niezbędna do przeprowadzenia analizy. Kto WYMAGA SIĘ ZGÓLNĄ NUMERĄ dysponentów, Zwiększenie KONKURENCJI. W ZWIĄZKU Z TYM ZASADNICZE ZNACZENIE MA STOSOWANIE EFEKTYWNYCH ALGORYTMÓW NUMERYCZNYCH. _x000D_ to CZĘŚĆ PROJEKTU została pokryta w Dwóch Celach: I) SKRÓCENIE CZASU REALIZACJI POPRZEZ OPTYMALIZACJĘ ALGORYTMÓW NUMERYCZNYCH STOSOWANYCH W SYMULACJI I ICH IMPLEMENTACJĘ W RÓŻNYCH INFRASTRUKTURACH OBLICZENIOWYCH ORAZ II) EFEKTYWNE ZARZĄDZANIE DANYMI GENEROWANYMI POPRZEZ WDROŻENIE MENEDŻERA DO WYSYŁANIA I OTRZYMYWANIA DANYCH O ZMIENNOŚCI Z WYKORZYSTANIEM NIEJEDNORODNYCH SYSTEMÓW OBLICZENIOWYCH. (Polish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: IP TEGO PROJEKTU JEST OBECNIE BADACZEM MARIE CURIE IEF NA UNIWERSYTECIE SWANSEA (WIELKA BRYTANIA). PROJEKT TEN MA CHARAKTER MULTIDYSCYPLINARNY I OBEJMUJE NANOELEKTRONIKA ORAZ INFORMATYKĘ I TECHNOLOGIE INFORMACYJNE W NAJBARDZIEJ AKTUALNYCH STANACH. Cele OBJETY są klasyfikowane w trzech obszarach:_x000D_ 1. Modelowanie 3D TRANSISTORS TUNEL, za pomocą nanowątków poprzez arrastre-DIFUSION I MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) są przeszukiwane jako możliwe kursy w celu ponownego zastosowania Konwencjonalnych dyspozytorów MOSFET dla ULTRA LOW potence APPLICATIONS TWOJ SUB-Umbral pendence I YOUR Corrient reducation OF FUGA, co sprawia, że uzgodniony STALATE POSSIBLE FOOD TENSION. JEDNAK WYZWANIEM ZWIĄZANYM Z TYMI URZĄDZENIAMI JEST ICH OGRANICZONA WYDAJNOŚĆ I NISKI PRĄD W STREFIE. ABY OSIĄGNĄĆ WYSOKIE PRAWDOPODOBIEŃSTWO TUNELU, KORZYSTNE BYŁOBY UŻYCIE HETEROUNIONS I NOWYCH ARCHITEKTUR, TAKICH JAK NANOWIRES (NW). W TYM PROJEKCIE POCZĄTKOWO ZBADAMY URZĄDZENIE NW TFET, KTÓREGO ARCHITEKTURA BĘDZIE ZGODNA Z PROJEKTAMI DOSTARCZONYMI PRZEZ IBM ZURICH. NASTĘPNIE ZBADANE ZOSTANĄ RÓŻNE KOMBINACJE MATERIAŁÓW TWORZĄCYCH KANAŁ, ODWADNIACZ I ŹRÓDŁO URZĄDZENIA, A ARCHITEKTURA OPTIMA ZOSTANIE PRZESKALOWANA DO INNYCH WĘZŁÓW TECHNOLOGICZNYCH, ABY OCENIĆ ICH WYDAJNOŚĆ I SKALOWALNOŚĆ. DO PRAWIDŁOWEGO MODELOWANIA TYCH URZĄDZEŃ OBOWIĄZKOWE JEST STOSOWANIE TRÓJWYMIAROWYCH SYMULATORÓW. Z TEGO POWODU W PROJEKCIE WYKORZYSTAMY NARZĘDZIA SYMULACYJNE 3D URZĄDZEŃ Z ROZDZIELCZOŚCIĄ ATOMISTICA JAKO SYMULATORY DRAG-DIFUSION I MONTE CARLO Z KOREKTAMI KWANTOWYMI. Oba SIMULATORS są oparte na metodzie Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Badanie INFLUENCJI Różnych FLUKTUACJI W NW TFETs TFETS_x000D_ EFFEEKT WARIABILITYCZNOŚCI CHARACTERISTYCZNYCH ZASTOSOWANIA DOSTĘPÓW JEST KAŻDYM MAJĄCYM, stając się jednym z głównych przeciwieństw dla ESCALATE I INTEGRACJI AKTUALNEGO GENERACJI dysponentów I CIRCUITS AS THE PROXIMA. W ZWIĄZKU Z TYM ZBADAMY WPŁYW RÓŻNYCH ŹRÓDEŁ WAHAŃ NA ZACHOWANIE URZĄDZEŃ W CELU ZIDENTYFIKOWANIA PROJEKTÓW, MATERIAŁÓW I ARCHITEKTURY MNIEJ WRAŻLIWYCH NA ZMIENNOŚĆ. W BADANIU NW TFET NAJISTOTNIEJSZE SĄ NASTĘPUJĄCE ŹRÓDŁA ZMIENNOŚCI: Chropowatość INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, ALLEATORY Dopings AND rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optymalizacja algorytmów NUMERICALNYCH, przenośność DO NOWYCH INFRASTRUKTURY I ROZPORZĄDZENIA TFETÓW NUMERYCZNYCH do przeprowadzenia analizy jest niezbędna do przeprowadzenia analizy. Kto WYMAGA SIĘ ZGÓLNĄ NUMERĄ dysponentów, Zwiększenie KONKURENCJI. W ZWIĄZKU Z TYM ZASADNICZE ZNACZENIE MA STOSOWANIE EFEKTYWNYCH ALGORYTMÓW NUMERYCZNYCH. _x000D_ to CZĘŚĆ PROJEKTU została pokryta w Dwóch Celach: I) SKRÓCENIE CZASU REALIZACJI POPRZEZ OPTYMALIZACJĘ ALGORYTMÓW NUMERYCZNYCH STOSOWANYCH W SYMULACJI I ICH IMPLEMENTACJĘ W RÓŻNYCH INFRASTRUKTURACH OBLICZENIOWYCH ORAZ II) EFEKTYWNE ZARZĄDZANIE DANYMI GENEROWANYMI POPRZEZ WDROŻENIE MENEDŻERA DO WYSYŁANIA I OTRZYMYWANIA DANYCH O ZMIENNOŚCI Z WYKORZYSTANIEM NIEJEDNORODNYCH SYSTEMÓW OBLICZENIOWYCH. (Polish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 18 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||||||
Santiago de Compostela | |||||||||||||||
| Property / location (string): Santiago de Compostela / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / postal code | |||||||||||||||
15872 | |||||||||||||||
| Property / postal code: 15872 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: A Coruña Province / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: A Coruña Province / qualifier | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Val do Dubra / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Val do Dubra / qualifier | |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
42°58'14.38"N, 8°40'1.56"W
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 42°58'14.38"N, 8°40'1.56"W / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 42°58'14.38"N, 8°40'1.56"W / qualifier | |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
205,700.0 Euro
| |||||||||||||||
| Property / budget: 205,700.0 Euro / rank | |||||||||||||||
Preferred rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
112,003.65 Euro
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 112,003.65 Euro / rank | |||||||||||||||
Preferred rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
54.45 percent
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 54.45 percent / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / date of last update | |||||||||||||||
20 December 2023
| |||||||||||||||
| Property / date of last update: 20 December 2023 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
Latest revision as of 09:53, 10 October 2024
Project Q3177092 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | SCALING AND VARIABILITY OF NANOWIRE-BASED 3D FIELD-EFFECT TUNNEL TRANSISTORS USING SI, GE AND III-V MATERIALS |
Project Q3177092 in Spain |
Statements
112,003.65 Euro
0 references
205,700.0 Euro
0 references
54.45 percent
0 references
1 October 2015
0 references
30 September 2018
0 references
UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA
0 references
15872
0 references
LA IP DE ESTE PROJECTO ES EN LA ACTUALIDAD UNA INVESTIGADORA MARIE CURIE IEF EN LA UNIVERSIDAD DE SWANSEA (UK). ESTE PROYECTO POSEE UN CARACTER MULTIDISCIPLINAR, INCORPORANDO LA NANOELECTRONICA Y LA CIENCIA DE LA COMPUTACION Y TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION EN SUS ESTADOS MAS ACTUALES. LOS OBJETIVOS SE CLASIFICAN EN TRES AREAS:_x000D_ 1. MODELADO 3D DE TRANSISTORES TUNEL DE EFECTO CAMPO USANDO NANOHILOS A TRAVES DE LOS METODOS DE ARRASTRE-DIFUSION Y MONTE CARLO_x000D_ LOS DISPOSITIVOS TUNEL DE EFECTO CAMPO (TFETS) SE ESTAN INVESTIGANDO COMO POSIBLES CANDIDATOS PARA REEMPLAZAR A LOS DISPOSITIVOS MOSFET CONVENCIONALES PARA APLICACIONES A POTENCIA ULTRA BAJA A CAUSA DE SU PEQUEÑA PENDIENTE SUB-UMBRAL Y DE SU REDUCIDA CORRIENTE DE FUGA, LO QUE HACE POSIBLE UN ESCALADO AGRESIVO DE LA TENSION DE ALIMENTACION. SIN EMBARGO, UN DESAFIO ASOCIADO CON ESTOS DISPOSITIVOS ES SU LIMITADO RENDIMIENTO Y SU BAJA CORRIENTE EN LA ZONA ON. PARA ALCANZAR ALTAS PROBABILIDADES TUNEL, SERIA BENEFICIOSO UTILIZAR HETEROUNIONES Y NUEVAS ARQUITECTURAS, COMO PUEDEN SER LOS NANOHILOS (NW). EN ESTE PROYECTO INICIALMENTE INVESTIGAREMOS UN DISPOSITIVO NW TFET CUYA ARQUITECTURA SEGUIRA LOS DISEÑOS PROPORCIONADOS POR IBM ZURICH. A CONTINUACION, SE EXAMINARAN DIFERENTES COMBINACIONES PARA LOS MATERIALES QUE FORMAN EL CANAL, DRENADOR Y FUENTE DEL DISPOSITIVO Y LA ARQUITECTURA OPTIMA SERA ESCALADA A OTROS NODOS TECNOLOGICOS PARA EVALUAR SU RENDIMIENTO Y ESCALABILIDAD. PARA MODELAR CORRECTAMENTE ESTOS DISPOSITIVOS ES OBLIGATORIO EL USO DE SIMULADORES TRIDIMENSIONALES. POR ESTA RAZON EN EL PROYECTO UTILIZAREMOS HERRAMIENTAS 3D DE SIMULACION DE DISPOSITIVOS CON RESOLUCION ATOMISTICA COMO SIMULADORES DE ARRASTRE-DIFUSION Y MONTE CARLO CON CORRECCIONES CUANTICAS. AMBOS SIMULADORES ESTAN BASADOS EN EL METODO DE ELEMENTOS FINITOS._x000D_ _x000D_ 2. ESTUDIO DE LA INFLUENCIA DE DIFERENTES FUENTES DE FLUCTUACIONES EN EL RENDIMIENTO DE NW TFETS_x000D_ EL EFECTO DE LA VARIABILIDAD QUE AFECTA A LAS CARACTERISTICAS DE LOS DISPOSITIVOS ES CADA VEZ MAYOR, CONVIRTIENDOSE EN UNO DE LOS PRINCIPALES DESAFIOS PARA EL ESCALADO Y LA INTEGRACION DE TANTO LA GENERACION ACTUAL DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS COMO DE LA PROXIMA. POR LO TANTO, ESTUDIAREMOS EL IMPACTO QUE DIFERENTES FUENTES DE FLUCTUACIONES TIENEN EN EL COMPORTAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS CON EL OBJETIVO DE IDENTIFICAR LOS DISEÑOS, MATERIALES Y ARQUITECTURAS MENOS SENSIBLES A LA VARIABILIDAD. LAS SIGUIENTES FUENTES DE VARIABILIDAD SON LAS MAS CRITICAS EN EL ESTUDIO DE NW TFETS: RUGOSIDAD DE LA INTERFAZ, CARGA EN LA INTERFAZ, DOPANTES ALEATORIOS Y RUGOSIDAD DE LA INTERFAZ III-V/SI _x000D_ 3. OPTIMIZACION DE ALGORITMOS NUMERICOS, PORTABILIDAD A NUEVAS INFRAESTRUCTURAS Y DESARROLLO DE HERRAMIENTAS PARA EL MANEJO DE LOS DATOS _x000D_ PARA ANALIZAR EL IMPACTO QUE DIFERENTES FUENTES DE VARIABILIDAD TIENEN EN EL COMPORTAMIENTO DE LOS NW TFETS ES NECESARIO REALIZAR ANALISIS ESTADISTICOS QUE REQUIEREN LA SIMULACION DE UN GRAN NUMERO DE DISPOSITIVOS, AUMENTANDO EL COSTE COMPUTACIONAL. POR LO TANTO, ES ESENCIAL EL USO DE ALGORITMOS NUMERICOS EFICIENTES. _x000D_ ESTA PARTE DEL PROYECTO ESTA BASADA EN DOS OBJETIVOS: I) LA REDUCCION DEL TIEMPO DE EJECUCION A TRAVES DE LA OPTIMIZACION DE LOS ALGORITMOS NUMERICOS UTILIZADOS EN LA SIMULACION Y SU IMPLEMENTACION EN DIFERENTES INFRAESTRUCTURAS COMPUTACIONALES Y II) LA GESTION EFICIENTE DE LOS DATOS GENERADOS A TRAVES DE LA IMPLEMENTACION DE UN GESTOR PARA EL ENVIO Y LA RECEPCION DE LOS DATOS DE VARIABILIDAD USANDO SISTEMAS COMPUTACIONALES HETEROGENEOS. (Spanish)
0 references
THE IP OF THIS PROJECT IS CURRENTLY A MARIE CURIE IEF RESEARCHER AT SWANSEA UNIVERSITY (UK). THIS PROJECT HAS A MULTIDISCIPLINARY CHARACTER, INCORPORATING NANOELECTRONICS AND COMPUTER SCIENCE AND INFORMATION TECHNOLOGIES IN ITS MOST CURRENT STATES. The OBJECTIVES are classified in three areas:_x000D_ 1. 3D modeling of TUNEL TRANSISTORS, using nano-threads through the ARRASTRE-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETS) are being searched as possible courses for re-employing the Conventional MOSFET DISPOSITIVES for ULTRA LOW POTENCE APPLICATIONS OF YOUR SUB-UMBRAL PENDENCE AND YOUR CORRIENT REDUCATION OF FUGA, which makes an AGRESIVE STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. HOWEVER, A CHALLENGE ASSOCIATED WITH THESE DEVICES IS THEIR LIMITED PERFORMANCE AND LOW CURRENT IN THE ON ZONE. TO ACHIEVE HIGH TUNNEL PROBABILITIES, IT WOULD BE BENEFICIAL TO USE HETEROUNIONS AND NEW ARCHITECTURES, SUCH AS NANOWIRES (NW). IN THIS PROJECT WE WILL INITIALLY INVESTIGATE A NW TFET DEVICE WHOSE ARCHITECTURE WILL FOLLOW THE DESIGNS PROVIDED BY IBM ZURICH. NEXT, DIFFERENT COMBINATIONS WILL BE EXAMINED FOR THE MATERIALS THAT FORM THE CHANNEL, DRAINER AND SOURCE OF THE DEVICE AND THE OPTIMA ARCHITECTURE WILL BE SCALED TO OTHER TECHNOLOGIC NODES TO EVALUATE THEIR PERFORMANCE AND SCALABILITY. TO MODEL THESE DEVICES CORRECTLY, THE USE OF THREE-DIMENSIONAL SIMULATORS IS MANDATORY. FOR THIS REASON IN THE PROJECT WE WILL USE 3D SIMULATION TOOLS OF DEVICES WITH ATOMISTICA RESOLUTION AS DRAG-DIFUSION SIMULATORS AND MONTE CARLO WITH QUANTUM CORRECTIONS. Both SIMULATORS are based on the Method of Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Study of the INFLUENCE OF DIFFERENTS OF FLUCTUATIONS IN NW TFETS TFETS_x000D_ THE EFFECT OF VARIABILITY FOR THE CHARACTERISTICS OF THE DISPOSITIVES IS EVERY MAYOR, becoming one of the primary defiances for ESCALATE AND INTEGRATION OF THE ACTUAL GENERATION OF DISPOSITIVES AND CIRCUITS AS THE PROXIMA. THEREFORE, WE WILL STUDY THE IMPACT THAT DIFFERENT SOURCES OF FLUCTUATIONS HAVE ON THE BEHAVIOR OF DEVICES IN ORDER TO IDENTIFY THE DESIGNS, MATERIALS AND ARCHITECTURES LESS SENSITIVE TO VARIABILITY. THE FOLLOWING SOURCES OF VARIABILITY ARE THE MOST CRITICAL IN THE NW TFETS STUDY: Roughness OF INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, ALLEATORY Dopings AND RUGOSITY OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimisation OF NUMERICAL ALGORITMS, PortABILITY TO NEW INFRASTRUCTURES AND DEVELOPMENT OF TOOLS FOR THE MANAGEMENT OF DATA _x000D_ to analyse the impact that different sources of variability have in the transport of the NW TFETS is necessary to carry out analysis. who REQUIRE THE SIMULATION OF A GREAT NUMBER OF DISPOSITIVES, Increasing COMPUTATIONAL COST. THEREFORE, THE USE OF EFFICIENT NUMERIC ALGORITHMS IS ESSENTIAL. _x000D_ this PART OF THE PROJECT IS BASED IN TWO OBJECTIVES: I) THE REDUCTION OF EXECUTION TIME THROUGH THE OPTIMISATION OF THE NUMERIC ALGORITHMS USED IN THE SIMULATION AND THEIR IMPLEMENTATION IN DIFFERENT COMPUTATIONAL INFRASTRUCTURES AND II) THE EFFICIENT MANAGEMENT OF THE DATA GENERATED THROUGH THE IMPLEMENTATION OF A MANAGER FOR SENDING AND RECEIVING VARIABILITY DATA USING HETEROGENEOUS COMPUTATIONAL SYSTEMS. (English)
12 October 2021
0.3561637476969177
0 references
L’IP DE CE PROJET EST ACTUELLEMENT CHERCHEUR DU FIE MARIE CURIE À L’UNIVERSITÉ DE SWANSEA (ROYAUME-UNI). CE PROJET A UN CARACTÈRE MULTIDISCIPLINAIRE, INTÉGRANT LA NANOÉLECTRONIQUE, L’INFORMATIQUE ET LES TECHNOLOGIES DE L’INFORMATION DANS SES ÉTATS LES PLUS ACTUELS. Les OBJECTIFS sont classés en trois domaines:_x000D_ 1. Modélisation 3D de TUNEL TRANSISTORS, à l’aide de nanofils à travers l’Arastre-DIFUSION ET MÉTHODES MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) sont recherchés comme des cours possibles pour ré-employer le MOSFET conventionnel dispositif pour ULTRA LOW potence APPLICATIONS DE VOTRE pendence SUB-Umbral ET VOTRE éducation Corriente du FUGA, ce qui rend un STALAT Agresive du POSSIBLE DE TENSION FOOD. CEPENDANT, UN DÉFI ASSOCIÉ À CES APPAREILS EST LEUR PERFORMANCE LIMITÉE ET LEUR FAIBLE COURANT DANS LA ZONE ON. POUR ATTEINDRE DES PROBABILITÉS ÉLEVÉES DANS LES TUNNELS, IL SERAIT AVANTAGEUX D’UTILISER DES HETEROUNIONS ET DE NOUVELLES ARCHITECTURES, TELLES QUE LES NANOFILS (NW). DANS LE CADRE DE CE PROJET, NOUS ÉTUDIERONS D’ABORD UN DISPOSITIF TFET NW DONT L’ARCHITECTURE SUIVRA LES CONCEPTIONS FOURNIES PAR IBM ZURICH. ENSUITE, DIFFÉRENTES COMBINAISONS SERONT EXAMINÉES POUR LES MATÉRIAUX QUI FORMENT LE CANAL, LE DRAINEUR ET LA SOURCE DE L’APPAREIL, ET L’ARCHITECTURE OPTIMA SERA MISE À L’ÉCHELLE D’AUTRES NŒUDS TECHNOLOGIQUES AFIN D’ÉVALUER LEUR PERFORMANCE ET LEUR ÉVOLUTIVITÉ. POUR MODÉLISER CORRECTEMENT CES APPAREILS, L’UTILISATION DE SIMULATEURS TRIDIMENSIONNELS EST OBLIGATOIRE. POUR CETTE RAISON, DANS LE PROJET, NOUS UTILISERONS DES OUTILS DE SIMULATION 3D D’APPAREILS AVEC RÉSOLUTION ATOMISTICA COMME SIMULATEURS DE DRAG-DIFUSION ET MONTE CARLO AVEC CORRECTIONS QUANTIQUES. Les deux SIMULATEURS sont basés sur la méthode des ELEMENTS finis._x000D_ _x000D_ 2. Étude de l’INFLUENCE DES Différents DES FLUCTUATIONS DANS LES TFETS NW TFETS_x000D_ L’EFFECT DE VARIABILITÉ POUR LES CHARACTERISTIQUES DES DISPOSITIFS EST TOUS MAYOR, devenant l’une des principales défiances pour l’ESCALAT ET L’INTÉGRATION DE LA GENÉRATION ACTUELLE DES DISPOSITIONS ET DES CIRCUITS AS THE PROXIMA. PAR CONSÉQUENT, NOUS ÉTUDIERONS L’IMPACT DES DIFFÉRENTES SOURCES DE FLUCTUATIONS SUR LE COMPORTEMENT DES APPAREILS AFIN D’IDENTIFIER LES CONCEPTIONS, LES MATÉRIAUX ET LES ARCHITECTURES MOINS SENSIBLES À LA VARIABILITÉ. LES SOURCES DE VARIABILITÉ SUIVANTES SONT LES PLUS CRITIQUES DANS L’ÉTUDE DES TFET NW: Rugosité DE L’INTERFACE, CONTRE L’INTERFACE, les dopages ALLEATOIRE et la rugosité de l’INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimisation des algoritmes NUMÉRIQUES, portabilité DES NOUVELLES INFRASTRUCTURES ET DÉVELOPPEMENT DES OUTILS POUR LA GESTION DES DONNÉES _x000D_ pour analyser l’impact des différentes sources de variabilité sur le transport des TFET NW est nécessaire pour effectuer l’analyse. PAR CONSÉQUENT, L’UTILISATION D’ALGORITHMES NUMÉRIQUES EFFICACES EST ESSENTIELLE. _x000D_ cette partie du projet est BASED DANS DEUX OBJECTIFS: I) LA RÉDUCTION DU TEMPS D’EXÉCUTION PAR L’OPTIMISATION DES ALGORITHMES NUMÉRIQUES UTILISÉS DANS LA SIMULATION ET LEUR IMPLÉMENTATION DANS DIFFÉRENTES INFRASTRUCTURES DE CALCUL ET II) LA GESTION EFFICACE DES DONNÉES GÉNÉRÉES PAR LA MISE EN ŒUVRE D’UN GESTIONNAIRE POUR L’ENVOI ET LA RÉCEPTION DE DONNÉES DE VARIABILITÉ À L’AIDE DE SYSTÈMES DE CALCUL HÉTÉROGÈNES. (French)
4 December 2021
0 references
DAS IP DIESES PROJEKTS IST DERZEIT MARIE CURIE IEF-FORSCHERIN AN DER SWANSEA UNIVERSITY (UK). DIESES PROJEKT HAT EINEN MULTIDISZIPLINÄREN CHARAKTER, DER NANOELEKTRONIK SOWIE INFORMATIK UND INFORMATIONSTECHNOLOGIEN IN DEN AKTUELLSTEN STAATEN BERÜCKSICHTIGT. Die OBJECTIVES sind in drei Bereiche unterteilt:_x000D_ 1. 3D-Modellierung von TUNEL TRANSISTOREN, mit Hilfe von Nano-Threads durch die arrastre-DIFUSION UND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) werden als mögliche Kurse für die Wiedereinsetzung der Konventionellen MOSFET-Dispositiven für ULTRA LOW Potence APPLICATIONEN von IHRER SUB-Umbuße und Ihre Korrektorenerziehung von FUGA gesucht, was einen Agresive STALATE DER FOOD TENSION POSSIBLE macht. ALLERDINGS IST EINE HERAUSFORDERUNG, DIE MIT DIESEN GERÄTEN VERBUNDEN IST IHRE BEGRENZTE LEISTUNG UND NIEDRIGEN STROM IN DER ON-ZONE. UM HOHE TUNNELWAHRSCHEINLICHKEITEN ZU ERREICHEN, WÄRE ES VON VORTEIL, HETEROUNIONS UND NEUE ARCHITEKTUREN WIE NANODRÄHTE (NW) ZU NUTZEN. IN DIESEM PROJEKT WERDEN WIR ZUNÄCHST EIN NW TFET-GERÄT UNTERSUCHEN, DESSEN ARCHITEKTUR DEN ENTWÜRFEN VON IBM ZÜRICH FOLGT. ALS NÄCHSTES WERDEN VERSCHIEDENE KOMBINATIONEN AUF DIE MATERIALIEN UNTERSUCHT, DIE DEN KANAL, DEN ABLAUF UND DIE QUELLE DES GERÄTS BILDEN, UND DIE OPTIMA-ARCHITEKTUR WIRD AUF ANDERE TECHNOLOGISCHE KNOTEN SKALIERT, UM IHRE LEISTUNG UND SKALIERBARKEIT ZU BEWERTEN. UM DIESE GERÄTE KORREKT ZU MODELLIEREN, IST DIE VERWENDUNG VON DREIDIMENSIONALEN SIMULATOREN OBLIGATORISCH. AUS DIESEM GRUND WERDEN WIR IM PROJEKT 3D-SIMULATIONSWERKZEUGE VON GERÄTEN MIT ATOMISTICA-AUFLÖSUNG ALS DRAG-DIFUSIONSSIMULATOREN UND MONTE CARLO MIT QUANTENKORREKTUREN EINSETZEN. Beide SIMULATOREN basieren auf der Methode der Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie über die INFLUENCE VON FLUCTUATIONEN IN NW TFETs TFETS_x000D_ DER EFFECT DER VARIABILITÄT FÜR DIE VARIABILITÄT FÜR DIE KRACTERISTIK DER Dispositiven ist immer wieder eins der primären Mängel bei ESCALATE und INTEGRATION DER ACTUAL GENERATION von Dispositiven und KIRCUITS wie das PROXIMA. DAHER WERDEN WIR UNTERSUCHEN, WELCHE AUSWIRKUNGEN UNTERSCHIEDLICHE QUELLEN VON SCHWANKUNGEN AUF DAS VERHALTEN VON GERÄTEN HABEN, UM DIE DESIGNS, MATERIALIEN UND ARCHITEKTUREN ZU IDENTIFIZIEREN, DIE WENIGER EMPFINDLICH AUF VARIABILITÄT REAGIEREN. DIE FOLGENDEN QUELLEN DER VARIABILITÄT SIND DIE KRITISCHSTEN IN DER NW-TFET-STUDIE: Rauheit von INTERFACE, BACK IN DER INTERFACE, ALLEATORY Dopings und Rugosität von INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimierung von NUMERICAL-Algoritmen, Portabilität auf NEUEN INFRASTRUCTURES UND ENTWICKLUNG VON TOOLS FÜR DATA _x000D_ zur Analyse der Auswirkungen, die verschiedene Quellen der Variabilität beim Transport der NW-TFETs haben, um Analysen durchzuführen. DAHER IST DER EINSATZ EFFIZIENTER NUMERISCHER ALGORITHMEN UNERLÄSSLICH. _x000D_ dieser Teil des PROJEKT ist in den folgenden Punkten erfüllt: I) DIE REDUZIERUNG DER AUSFÜHRUNGSZEIT DURCH DIE OPTIMIERUNG DER NUMERISCHEN ALGORITHMEN, DIE IN DER SIMULATION UND DEREN IMPLEMENTIERUNG IN UNTERSCHIEDLICHEN RECHENINFRASTRUKTUREN VERWENDET WERDEN, UND II) DIE EFFIZIENTE VERWALTUNG DER DURCH DIE IMPLEMENTIERUNG EINES MANAGERS GENERIERTEN DATEN ZUM SENDEN UND EMPFANGEN VON VARIABILITÄTSDATEN MIT HETEROGENEN RECHENSYSTEMEN. (German)
9 December 2021
0 references
HET IP VAN DIT PROJECT IS MOMENTEEL EEN MARIE CURIE IEF ONDERZOEKER AAN DE SWANSEA UNIVERSITY (UK). DIT PROJECT HEEFT EEN MULTIDISCIPLINAIR KARAKTER, MET INBEGRIP VAN NANO-ELEKTRONICA EN COMPUTERWETENSCHAPPEN EN INFORMATIETECHNOLOGIEËN IN DE MEEST HUIDIGE STATEN. De DOELSTELLINGEN zijn ingedeeld in drie gebieden:_x000D_ 1. 3D modellering van TUNEL TRANSISTORS, met behulp van nano-threads door middel van de arrastre-DIFUSION EN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET’s) worden gezocht als mogelijke cursussen voor het opnieuw inzetten van de Conventionele MOSFET dispositives voor ULTRA LOW potentence APPLICATIONS VAN UW SUB-Umbral pendence EN UR Corrient reducation OF FUGA, wat een Agresive STALATE van de FOOD TENSION POSSIBLE maakt. ECHTER, EEN UITDAGING IN VERBAND MET DEZE APPARATEN IS HUN BEPERKTE PRESTATIES EN LAGE STROOM IN DE ON ZONE. OM HOGE TUNNELWAARSCHIJNLIJKHEDEN TE BEREIKEN, ZOU HET NUTTIG ZIJN OM HETEROUNIONS EN NIEUWE ARCHITECTUREN, ZOALS NANOWIRES (NW), TE GEBRUIKEN. IN DIT PROJECT ZULLEN WE IN EERSTE INSTANTIE EEN NW TFET-APPARAAT ONDERZOEKEN WAARVAN DE ARCHITECTUUR DE ONTWERPEN VAN IBM ZURICH ZAL VOLGEN. VERVOLGENS ZULLEN VERSCHILLENDE COMBINATIES WORDEN ONDERZOCHT OP DE MATERIALEN DIE HET KANAAL, DE DRAINER EN DE BRON VAN HET APPARAAT VORMEN EN DE OPTIMA-ARCHITECTUUR ZAL WORDEN GESCHAALD NAAR ANDERE TECHNOLOGISCHE KNOOPPUNTEN OM HUN PRESTATIES EN SCHAALBAARHEID TE EVALUEREN. OM DEZE APPARATEN CORRECT TE MODELLEREN, IS HET GEBRUIK VAN DRIEDIMENSIONALE SIMULATOREN VERPLICHT. OM DEZE REDEN ZULLEN WE IN HET PROJECT 3D-SIMULATIETOOLS VAN APPARATEN MET ATOMISTICA-RESOLUTIE GEBRUIKEN ALS DRAG-DIFUSION SIMULATOREN EN MONTE CARLO MET KWANTUMCORRECTIES. Beide SIMULATORS zijn gebaseerd op de methode van finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie van de INFLUENCE VAN verschillende FLUCTUATIONS IN NW TFETS_x000D_ HET EFFECT VAN VARIABILITEIT VOOR DE CHARACTERISTISCHE VAN DE dispositieven IS ALLE MAYOR, een van de belangrijkste bezwaren voor ESCALATE EN INTEGRATIE VAN DE ACTUALE GENERATION VAN dispositieven EN CIRCUITS als het PROXIMA. DAAROM ZULLEN WE DE IMPACT BESTUDEREN DIE VERSCHILLENDE BRONNEN VAN FLUCTUATIES HEBBEN OP HET GEDRAG VAN APPARATEN OM DE ONTWERPEN, MATERIALEN EN ARCHITECTUREN DIE MINDER GEVOELIG ZIJN VOOR VARIABILITEIT TE IDENTIFICEREN. DE VOLGENDE BRONNEN VAN VARIABILITEIT ZIJN DE MEEST KRITISCHE IN DE NW TFETS STUDIE: Ruwheid van INTERFACE, terug in de INTERFACE, ALLEATORY Dopings en rugositeit van INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalisatie VAN NUMERISCHE algoritmen, draagbaarheid VOOR NIEUWE INFRASTRUCTURES EN ONTWIKKELING VAN TOOLS VOOR DE MANAGEMENT VAN GEGEVENS _x000D_ om de impact te analyseren die verschillende bronnen van variabiliteit hebben in het transport van de NW TFET’s is noodzakelijk om de analyse uit te voeren. wie VERZOEKT DE SIMULATIE VAN EEN GROTE NUMBER VAN dispositieven, Verhogende COMPUTATIONALE KOST. DAAROM IS HET GEBRUIK VAN EFFICIËNTE NUMERIEKE ALGORITMEN ESSENTIEEL. _x000D_ dit deel van het PROJECT is in twee gevallen vastgelegd: I) DE VERKORTING VAN DE UITVOERINGSTIJD DOOR DE OPTIMALISERING VAN DE NUMERIEKE ALGORITMEN DIE IN DE SIMULATIE WORDEN GEBRUIKT EN DE IMPLEMENTATIE ERVAN IN VERSCHILLENDE COMPUTATIONELE INFRASTRUCTUREN EN II) HET EFFICIËNTE BEHEER VAN DE GEGEVENS DIE WORDEN GEGENEREERD DOOR DE IMPLEMENTATIE VAN EEN BEHEERDER VOOR HET VERZENDEN EN ONTVANGEN VAN VARIABILITEITSGEGEVENS MET BEHULP VAN HETEROGENE COMPUTERSYSTEMEN. (Dutch)
17 December 2021
0 references
IL PI DI QUESTO PROGETTO È ATTUALMENTE UN RICERCATORE MARIE CURIE IEF PRESSO SWANSEA UNIVERSITY (REGNO UNITO). QUESTO PROGETTO HA UN CARATTERE MULTIDISCIPLINARE, CHE INCORPORA LA NANOELETTRONICA, L'INFORMATICA E LE TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE NEI SUOI STATI PIÙ ATTUALI. Gli OBIETTIVI sono classificati in tre aree:_x000D_ 1. La modellazione 3D di TUNEL TRANSISTORS, utilizzando nano-filo attraverso l'arrastre-DIFUSIONE E METODI MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) vengono ricercati come possibili corsi per ri-occupare il MOSFET convenzionale dispositivi per ULTRA LOW potenza APPLICATIONS della vostra penitenza sobbombale e la vostra correzione di FUGA, che rende un sommato Agresive della TENSIONE alimentare POSSIBILE. TUTTAVIA, UNA SFIDA ASSOCIATA A QUESTI DISPOSITIVI È LE LORO PRESTAZIONI LIMITATE E BASSA CORRENTE NELLA ZONA ON. PER OTTENERE ALTE PROBABILITÀ DI TUNNEL, SAREBBE UTILE UTILIZZARE HETEROUNIONS E NUOVE ARCHITETTURE, COME I NANOFILI (NW). IN QUESTO PROGETTO ESAMINEREMO INIZIALMENTE UN DISPOSITIVO NW TFET LA CUI ARCHITETTURA SEGUIRÀ I PROGETTI FORNITI DA IBM ZURICH. SUCCESSIVAMENTE, SARANNO ESAMINATE DIVERSE COMBINAZIONI PER I MATERIALI CHE FORMANO IL CANALE, LO SCARICO E LA FONTE DEL DISPOSITIVO E L'ARCHITETTURA OPTIMA SARÀ SCALATA AD ALTRI NODI TECNOLOGICI PER VALUTARNE LE PRESTAZIONI E LA SCALABILITÀ. PER MODELLARE CORRETTAMENTE QUESTI DISPOSITIVI, L'USO DI SIMULATORI TRIDIMENSIONALI È OBBLIGATORIO. PER QUESTO MOTIVO NEL PROGETTO UTILIZZEREMO STRUMENTI DI SIMULAZIONE 3D DI DISPOSITIVI CON RISOLUZIONE ATOMISTICA COME SIMULATORI DRAG-DIFUSION E MONTE CARLO CON CORREZIONI QUANTISTICHE. Entrambi i SIMULATORS sono basati sul Metodo di ELEMENTS Finite._x000D_ _x000D_ 2. Studio dell'INFLUENZA DI differenti FLUCTUATIONS IN NW TFETS TFETS_x000D_ L'EFFETTO DI VARIABILITÀ PER LE CARATTERISTICHE DEI DISpositivi È Ognuno MAGGIO, diventando una delle difese primarie per ESCALATO E INTEGRAZIONE DELLA GENERAZIONE ATTUALE dei dispositivi e dei CIRCUITI come PROXIMA. PERTANTO, STUDIEREMO L'IMPATTO CHE LE DIVERSE FONTI DI FLUTTUAZIONE HANNO SUL COMPORTAMENTO DEI DISPOSITIVI AL FINE DI IDENTIFICARE I PROGETTI, I MATERIALI E LE ARCHITETTURE MENO SENSIBILI ALLA VARIABILITÀ. LE SEGUENTI FONTI DI VARIABILITÀ SONO LE PIÙ CRITICHE NELLO STUDIO TFET NW: Rugosità DI INTERFACE, RICHIESTA NELL'INTERFACE, Dopings ALLEATORY E rugosità di INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Ottimizzazione di algoritmi NUMERICAL, portabilità a nuove infrastRUtture e sviluppo di strumenti per la gestione dei dati _x000D_per analizzare l'impatto che le diverse fonti di variabilità hanno nel trasporto dei TFET NW è necessario per effettuare l'analisi. Chi richiede la SIMULAZIONE DI UN GRANDE NUMERO DI DISpositivi, aumentando il costo COMPUTATIVO. PERTANTO, L'USO DI ALGORITMI NUMERICI EFFICIENTI È ESSENZIALE. _x000D_ questa PARTE DEL PROGETTO è BASED IN DUE OBIETTIVI: I) LA RIDUZIONE DEI TEMPI DI ESECUZIONE ATTRAVERSO L'OTTIMIZZAZIONE DEGLI ALGORITMI NUMERICI UTILIZZATI NELLA SIMULAZIONE E LA LORO IMPLEMENTAZIONE IN DIVERSE INFRASTRUTTURE COMPUTAZIONALI E II) LA GESTIONE EFFICIENTE DEI DATI GENERATI ATTRAVERSO L'IMPLEMENTAZIONE DI UN MANAGER PER L'INVIO E LA RICEZIONE DI DATI DI VARIABILITÀ UTILIZZANDO SISTEMI COMPUTAZIONALI ETEROGENEI. (Italian)
16 January 2022
0 references
Η IP ΑΥΤΟΎ ΤΟΥ ΈΡΓΟΥ ΕΊΝΑΙ ΕΠΊ ΤΟΥ ΠΑΡΌΝΤΟΣ ΕΡΕΥΝΗΤΉΣ ΤΟΥ IEF MARIE CURIE ΣΤΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΉΜΙΟ SWANSEA (ΗΝΩΜΈΝΟ ΒΑΣΊΛΕΙΟ). ΤΟ ΈΡΓΟ ΑΥΤΌ ΈΧΕΙ ΔΙΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΌ ΧΑΡΑΚΤΉΡΑ, ΕΝΣΩΜΑΤΏΝΟΝΤΑΣ ΤΗ ΝΑΝΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΉ ΚΑΙ ΤΗΝ ΕΠΙΣΤΉΜΗ ΤΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΏΝ ΚΑΙ ΤΙΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΕΣ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΊΑΣ ΣΤΑ ΠΛΈΟΝ ΣΗΜΕΡΙΝΆ ΚΡΆΤΗ. Οι ΣΤΟΧΟΙ κατατάσσονται σε τρεις τομείς:_x000D_ 1. Τρισδιάστατη μοντελοποίηση των TUNEL TRANSISTORS, με χρήση νανονημάτων μέσω των μεθόδων arrastre-DIFUSION ΚΑΙ MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) αναζητούνται ως πιθανά μαθήματα για την επαναπροσαρμογή των συμβατικών απορριμάτων MOSFET για ULTRA LOW δυνάμεις ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΤΗΣ ΥΠΟΒΟΛΗΣ ΥΠΟΒΟΛΗΣ ΣΑΣ και της Διόρθωσής σας της FUGA, η οποία κάνει ένα συμφωνητικό STALATE ΤΗΣ FOOD TENSION POSSIBLE. ΩΣΤΌΣΟ, ΜΙΑ ΠΡΌΚΛΗΣΗ ΠΟΥ ΣΧΕΤΊΖΕΤΑΙ ΜΕ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ ΕΊΝΑΙ Η ΠΕΡΙΟΡΙΣΜΈΝΗ ΑΠΌΔΟΣΉ ΤΟΥΣ ΚΑΙ ΤΟ ΧΑΜΗΛΌ ΡΕΎΜΑ ΣΤΗ ΖΏΝΗ. ΓΙΑ ΤΗΝ ΕΠΊΤΕΥΞΗ ΥΨΗΛΏΝ ΠΙΘΑΝΟΤΉΤΩΝ ΣΉΡΑΓΓΑΣ, ΘΑ ΉΤΑΝ ΕΠΩΦΕΛΉΣ Η ΧΡΉΣΗ HETEROUNIONS ΚΑΙ ΝΈΩΝ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΏΝ, ΌΠΩΣ ΤΑ NANOWIRES (NW). ΣΕ ΑΥΤΌ ΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΕΡΕΥΝΉΣΟΥΜΕ ΑΡΧΙΚΆ ΜΙΑ ΣΥΣΚΕΥΉ NW TFET ΤΗΣ ΟΠΟΊΑΣ Η ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉ ΘΑ ΑΚΟΛΟΥΘΉΣΕΙ ΤΑ ΣΧΈΔΙΑ ΠΟΥ ΠΑΡΈΧΕΙ Η IBM ZURICH. ΣΤΗ ΣΥΝΈΧΕΙΑ, ΘΑ ΕΞΕΤΑΣΤΟΎΝ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΟΊ ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΊ ΓΙΑ ΤΑ ΥΛΙΚΆ ΠΟΥ ΣΧΗΜΑΤΊΖΟΥΝ ΤΟ ΚΑΝΆΛΙ, ΤΟ ΑΠΟΧΕΤΕΥΤΙΚΌ ΣΎΣΤΗΜΑ ΚΑΙ ΤΗΝ ΠΗΓΉ ΤΗΣ ΣΥΣΚΕΥΉΣ ΚΑΙ Η ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΉ OPTIMA ΘΑ ΚΛΙΜΑΚΩΘΕΊ ΣΕ ΆΛΛΟΥΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΚΟΎΣ ΚΌΜΒΟΥΣ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΞΙΟΛΌΓΗΣΗ ΤΗΣ ΑΠΌΔΟΣΗΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΕΠΕΚΤΑΣΙΜΌΤΗΤΑΣ ΤΟΥΣ. ΓΙΑ ΝΑ ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΉΣΕΙ ΣΩΣΤΆ ΑΥΤΈΣ ΤΙΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ, Η ΧΡΉΣΗ ΤΡΙΣΔΙΆΣΤΑΤΩΝ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΤΏΝ ΕΊΝΑΙ ΥΠΟΧΡΕΩΤΙΚΉ. ΓΙΑ ΤΟ ΛΌΓΟ ΑΥΤΌ ΣΤΟ ΈΡΓΟ ΘΑ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΉΣΟΥΜΕ ΤΡΙΣΔΙΆΣΤΑΤΑ ΕΡΓΑΛΕΊΑ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗΣ ΣΥΣΚΕΥΏΝ ΜΕ ΑΝΆΛΥΣΗ ATOMISTICA ΩΣ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΤΈΣ DRAG-DIFUSION ΚΑΙ MONTE CARLO ΜΕ ΚΒΑΝΤΙΚΈΣ ΔΙΟΡΘΏΣΕΙΣ. Και οι δύο SIMULATORS βασίζονται στη μέθοδο των πεπερασμένων ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΑΣ ΤΩΝ ΔΙΑΦΟΡΩΝ ΤΩΝ ΚΑΤΑΛΥΜΑΤΩΝ ΣΕ ΝΔ TFETs_x000D_ ΤΟ ΕΚΤΕΛΕΣΜΑ ΤΗΣ ΔΙΑΒΙΒΑΣΗΣ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟΥΣ ΤΟΥΣ ΑΠΟΘΕΤΕΣ ΕΙΝΑΙ ΚΑΘΟΡΙΖΟΝΤΑΙ, να γίνει ένας από τους κύριους αιφνιδιασμούς για την ESCALATE και την ΕΙΣΑΓΩΓΗ ΤΗΣ ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΗΣ ΑΠΟΘΕΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΚΥΒΕΡΝΗΣΕΩΝ ΩΣ ΤΟ PROXIMA. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, ΘΑ ΜΕΛΕΤΉΣΟΥΜΕ ΤΟΝ ΑΝΤΊΚΤΥΠΟ ΠΟΥ ΈΧΟΥΝ ΟΙ ΔΙΆΦΟΡΕΣ ΠΗΓΈΣ ΔΙΑΚΥΜΆΝΣΕΩΝ ΣΤΗ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΆ ΤΩΝ ΣΥΣΚΕΥΏΝ, ΠΡΟΚΕΙΜΈΝΟΥ ΝΑ ΕΝΤΟΠΊΣΟΥΜΕ ΤΑ ΣΧΈΔΙΑ, ΤΑ ΥΛΙΚΆ ΚΑΙ ΤΙΣ ΑΡΧΙΤΕΚΤΟΝΙΚΈΣ ΛΙΓΌΤΕΡΟ ΕΥΑΊΣΘΗΤΑ ΣΤΗ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑ. ΟΙ ΑΚΌΛΟΥΘΕΣ ΠΗΓΈΣ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑΣ ΕΊΝΑΙ ΟΙ ΠΛΈΟΝ ΚΡΊΣΙΜΕΣ ΣΤΗ ΜΕΛΈΤΗ NW TFET: Τραχύτητα της INTERFACE, BACK στη διαδραση, αλλεργια ντόπινγκ και ρουγκοσιότητα της INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Η βελτιστοποίηση των εθνικών αλγορίθμων, η φορητότητα σε νέες πληροφορίες και η ανάπτυξη εργαλείων για τη διαχείριση των ΔΕΔΟΜΕΝΩΝ _x000D_ για την ανάλυση των επιπτώσεων που έχουν οι διάφορες πηγές μεταβλητότητας στη μεταφορά των TFETs ΒΔ είναι απαραίτητη για τη διενέργεια ανάλυσης. ΩΣ ΕΚ ΤΟΎΤΟΥ, Η ΧΡΉΣΗ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΏΝ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΏΝ ΑΛΓΟΡΊΘΜΩΝ ΕΊΝΑΙ ΑΠΑΡΑΊΤΗΤΗ. _x000D_ αυτό το μέρος του έργου βασίζεται σε ΔΙΚΤΥΟΥΣ ΣΤΟΧΟΥΣ: I) Η ΜΕΊΩΣΗ ΤΟΥ ΧΡΌΝΟΥ ΕΚΤΈΛΕΣΗΣ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΊΗΣΗΣ ΤΩΝ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΏΝ ΑΛΓΟΡΊΘΜΩΝ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΎΝΤΑΙ ΣΤΗΝ ΠΡΟΣΟΜΟΊΩΣΗ ΚΑΙ Η ΕΦΑΡΜΟΓΉ ΤΟΥΣ ΣΕ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΈΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΈΣ ΥΠΟΔΟΜΈΣ ΚΑΙ II) Η ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΙΚΉ ΔΙΑΧΕΊΡΙΣΗ ΤΩΝ ΔΕΔΟΜΈΝΩΝ ΠΟΥ ΠΑΡΆΓΟΝΤΑΙ ΜΈΣΩ ΤΗΣ ΕΦΑΡΜΟΓΉΣ ΕΝΌΣ ΔΙΑΧΕΙΡΙΣΤΉ ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΠΟΣΤΟΛΉ ΚΑΙ ΛΉΨΗ ΔΕΔΟΜΈΝΩΝ ΜΕΤΑΒΛΗΤΌΤΗΤΑΣ ΜΕ ΤΗ ΧΡΉΣΗ ΕΤΕΡΟΓΕΝΏΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΙΚΏΝ ΣΥΣΤΗΜΆΤΩΝ. (Greek)
18 August 2022
0 references
IP I DETTE PROJEKT ER I ØJEBLIKKET MARIE CURIE IEF-FORSKER VED SWANSEA UNIVERSITY (UK). DETTE PROJEKT HAR EN TVÆRFAGLIG KARAKTER OG OMFATTER NANOELEKTRONIK SAMT DATALOGI OG INFORMATIONSTEKNOLOGI I DE MEST NUVÆRENDE STATER. EF-Domstolen er inddelt i tre områder:_x000D_ 1. 3D modellering af TUNEL TRANSISTORS, ved hjælp af nano-tråde gennem arrastre-DIFUSION OG MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONER (TFETs) søges som mulige kurser til genansættelse af de konventionelle MOSFET dispositives for ULTRA LOW potens APPLICATIONER AF DIN SUB-Umbral pendence OG DIN Korrient reducation AF FUGA, hvilket gør en Agresive STALATE AF FOOD TENSION POSSIBLE. MEN, EN UDFORDRING FORBUNDET MED DISSE ENHEDER ER DERES BEGRÆNSEDE YDEEVNE OG LAV STRØM I ON ZONE. FOR AT OPNÅ HØJE TUNNELSANDSYNLIGHEDER VILLE DET VÆRE GAVNLIGT AT BRUGE HETEROUNIONS OG NYE ARKITEKTURER SOM F.EKS. NANOLEDNINGER (NW). I DETTE PROJEKT VIL VI I FØRSTE OMGANG UNDERSØGE EN NW TFET ENHED, HVIS ARKITEKTUR VIL FØLGE DE DESIGN, DER LEVERES AF IBM ZÜRICH. DERNÆST VIL FORSKELLIGE KOMBINATIONER BLIVE UNDERSØGT FOR DE MATERIALER, DER DANNER KANALEN, DRÆNEREN OG KILDEN TIL ENHEDEN OG OPTIMA ARKITEKTUR VIL BLIVE SKALERET TIL ANDRE TEKNOLOGISKE KNUDEPUNKTER FOR AT EVALUERE DERES YDEEVNE OG SKALERBARHED. FOR AT MODELLERE DISSE ENHEDER KORREKT, ER BRUGEN AF TREDIMENSIONALE SIMULATORER OBLIGATORISK. AF DENNE GRUND I PROJEKTET VIL VI BRUGE 3D SIMULERINGSVÆRKTØJER AF ENHEDER MED ATOMISTICA OPLØSNING SOM TRÆK-DIFUSION SIMULATORER OG MONTE CARLO MED KVANTEKORREKTIONER. Begge SIMULATORER er baseret på metoden for finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Undersøgelse af INFLUENCE af forskellige FLUCTUATIONER I NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY FOR KARAKERISTIK AF dispositiver er HVER MAYOR, bliver en af de primære trods for ESCALATE OG INTEGRATION AF AKTUALGENERATION AF dispositiver OG CIRCUITS som PROXIMA. DERFOR VIL VI UNDERSØGE DEN INDVIRKNING, SOM FORSKELLIGE KILDER TIL UDSVING HAR PÅ ENHEDERNES ADFÆRD FOR AT IDENTIFICERE DESIGN, MATERIALER OG ARKITEKTURER, DER ER MINDRE FØLSOMME OVER FOR VARIABILITET. FØLGENDE KILDER TIL VARIABILITET ER DE MEST KRITISKE I NW TFET-UNDERSØGELSEN: INTERFACE's ruhed, bagside, ALLEATORY dopings og rugositet af INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimering AF NUMERICAL algoritmer, portabilitet TIL NYE INFRASTRUKTURES OG UDVIKLING AF TOOLS TIL MANAGEMENT AF DATA _x000D_ for at analysere den indvirkning, som forskellige kilder til variabilitet har i transporten af NW TFETs er nødvendig for at udføre analyser. Hvem KONKURRE SIMULATION AF en stor mængde dispositiver, Øget COMPUTATIONAL COST. DERFOR ER BRUGEN AF EFFEKTIVE NUMERISKE ALGORITMER AFGØRENDE. _x000D_ denne del af PROJEKTET er BASERET I TWO MÅL: I) REDUKTION AF UDFØRELSESTID GENNEM OPTIMERING AF DE NUMERISKE ALGORITMER, DER ANVENDES I SIMULERINGEN OG DERES IMPLEMENTERING I FORSKELLIGE COMPUTERINFRASTRUKTURER OG II) EFFEKTIV FORVALTNING AF DE DATA, DER GENERERES GENNEM IMPLEMENTERING AF EN MANAGER TIL AFSENDELSE OG MODTAGELSE AF VARIABILITETSDATA VED HJÆLP AF HETEROGENE COMPUTERSYSTEMER. (Danish)
18 August 2022
0 references
HANKKEEN IP ON TÄLLÄ HETKELLÄ MARIE CURIE IEF -TUTKIJA SWANSEAN YLIOPISTOSSA (YHDISTYNYT KUNINGASKUNTA). TÄMÄ HANKE ON LUONTEELTAAN MONITIETEINEN, JA SE SISÄLTÄÄ NANOELEKTRONIIKKAA SEKÄ TIETOJENKÄSITTELYTIEDETTÄ JA TIETOTEKNIIKKAA SEN NYKYISISSÄ VALTIOISSA. OBJECTIVES on luokiteltu kolmeen alueeseen:_x000D_ 1. 3D-mallinnus TUNEL TRANSISTORS (TFET), jossa käytetään nanokierteitä kautta arrastre-DIFUSION JA MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) etsitään mahdollisimman kursseja tavanomaisten MOSFET hävittäjien ULTRA LOW potenssi APPLICATIONS OF SUB-Umbral riipus JA YOUR Corrient reducation of FUGA, joka tekee FOOD TENSION POSSIB. NÄIHIN LAITTEISIIN LIITTYVÄ HAASTE ON KUITENKIN NIIDEN RAJALLINEN SUORITUSKYKY JA ALHAINEN VIRTA VYÖHYKKEELLÄ. SUURTEN TUNNELIEN TODENNÄKÖISYYKSIEN SAAVUTTAMISEKSI OLISI HYÖDYLLISTÄ KÄYTTÄÄ HETEROUNIONS-JÄRJESTELMIÄ JA UUSIA ARKKITEHTUUREJA, KUTEN NANOJOHTOJA (NW). TÄSSÄ HANKKEESSA TUTKIMME ALUKSI NW TFET -LAITETTA, JONKA ARKKITEHTUURI SEURAA IBM ZÜRICHIN TARJOAMIA MALLEJA. SEURAAVAKSI TUTKITAAN ERILAISIA YHDISTELMIÄ MATERIAALEISTA, JOTKA MUODOSTAVAT KANAVAN, TYHJENNYSLAITTEEN JA LÄHTEEN LAITTEEN JA OPTIMA-ARKKITEHTUURIN SKAALAUTUMISEKSI MUIHIN TEKNOLOGISIIN SOLMUIHIN NIIDEN SUORITUSKYVYN JA SKAALATTAVUUDEN ARVIOIMISEKSI. JOTTA NÄMÄ LAITTEET VOIDAAN MALLINTAA OIKEIN, KOLMIULOTTEISTEN SIMULAATTOREIDEN KÄYTTÖ ON PAKOLLISTA. TÄSTÄ SYYSTÄ KÄYTÄMME HANKKEESSA ATOMISTICA-RESOLUUTIOLLA VARUSTETTUJEN LAITTEIDEN 3D-SIMULAATTOREITA DRAG-DIFUSION -SIMULAATTOREINA JA MONTE CARLOA KVANTTIKORJAUKSILLA. Molemmat SIMULATORS perustuvat Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2 -menetelmään. Tutkimus UUSI TFET- TFETS_x000D: n erillisten FLUCTUATIONS: n erilaisuudesta TFETS_x000D_ ARIABILITYISTEN VARIABILITYISTEN VARIATIIVISTA KOSKEVAT KÄYTTÖJÄRJESTELMÄN TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN TOIMITUKSEN JA KIRJALLISTEN TUOTTEIDEN TUOTTEIDEN JA KIRJALLISTEN TUOTTEIDEN TUOTTAJA KÄYTTÖJÄRJESTELMÄÄN. SIKSI TUTKIMME ERI VAIHTELUJEN LÄHTEIDEN VAIKUTUSTA LAITTEIDEN KÄYTTÄYTYMISEEN, JOTTA VOIDAAN TUNNISTAA MALLIT, MATERIAALIT JA ARKKITEHTUURIT, JOTKA OVAT VÄHEMMÄN HERKKIÄ VAIHTELULLE. SEURAAVAT VAIHTELEVUUDEN LÄHTEET OVAT KRIITTISIMPIÄ NW TFETS -TUTKIMUKSESSA: INTERFACE: n karheus, INTERFACE, KALLEATORY Dopings & rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimointi NUMERICAL algoritmien, siirrettävyys NEW INFRASTRUCTURES JA KEHITTÄMINEN TOOLSIN HALLITUKSEN DATA _x000D_ analysoida vaikutusta, joka eri lähteiden vaihtelevuus on UUSI TFET on tarpeen suorittaa analyysi. kuka REQUIRE SIMULATION OF DREAT NUMBER OF Dispositives, Increasing COMPUTATIONAL COST. SIKSI TEHOKKAIDEN NUMEERISTEN ALGORITMIEN KÄYTTÖ ON VÄLTTÄMÄTÖNTÄ. _x000D_ tämä osa PROJECT on kirjattu TWO OBJECTIVES: I) TOTEUTUSAJAN LYHENTÄMINEN OPTIMOIMALLA SIMULAATIOSSA KÄYTETTÄVIÄ NUMEERISIA ALGORITMEJA JA NIIDEN TOTEUTUSTA ERI LASKENTAINFRASTRUKTUUREISSA JA II) HALLINNOIMALLA TEHOKKAASTI VAIHTELEVUUSTIETOJEN LÄHETTÄMISEEN JA VASTAANOTTAMISEEN KÄYTETTÄVÄÄ VAIHTELEVUUSTIETOA KÄYTTÄEN HETEROGEENISIÄ LASKENTAJÄRJESTELMIÄ. (Finnish)
18 August 2022
0 references
IL-PI TA’ DAN IL-PROĠETT BĦALISSA HUWA RIĊERKATUR TAL-IEF MARIE CURIE FL-UNIVERSITÀ TA’ SWANSEA (IR-RENJU UNIT). DAN IL-PROĠETT GĦANDU KARATTRU MULTIDIXXIPLINARI, LI JINKORPORA N-NANOELETTRONIKA U X-XJENZA TAL-KOMPJUTER U T-TEKNOLOĠIJI TAL-INFORMAZZJONI FL-AKTAR STATI ATTWALI TIEGĦU. L-OBJETTIVES huma kklassifikati fi tliet oqsma:_x000D_ 1. L-immudellar 3D ta’ TUNEL TRANSISTORS, bl-użu tan-nanoħjut permezz tal-arrastre-DIFUSION U l-MONTE METHODS CARLO_x000D_ PROVIŻJONIJIET TUNEL (TFETs) qed jiġu mfittxija bħala korsijiet possibbli għall-impjieg mill-ġdid tad-dispożittivi MOSFET Konvenzjonali għal APPLIKAZZJONI ULTRA LOW TAL-Pendence SUB-Umbral TIEGĦEK U ŻGĦAŻAGĦ Korrijent TA’ FUGA, li jagħmel STAL Aħħari tal-Pendenza tat-TENODJI. MADANKOLLU, SFIDA ASSOĊJATA MA’ DAWN L-APPARATI HIJA L-PRESTAZZJONI LIMITATA TAGĦHOM U L-KURRENT BAXX TAGĦHOM FIŻ-ŻONA FIŻ-ŻONA. BIEX JINKISBU PROBABBILTAJIET GĦOLJIN TA’ MINA, IKUN TA’ BENEFIĊĊJU LI JINTUŻAW HETEROUNIONS U ARKITETTURI ĠODDA, BĦAN-NANOWIRES (NW). F’DAN IL-PROĠETT INIZJALMENT SE NINVESTIGAW APPARAT NW TFET LI L-ARKITETTURA TIEGĦU SE SSEGWI D-DISINJI PPROVDUTI MINN IBM ZURICH. IMBAGĦAD, IL-KOMBINAZZJONIJIET DIFFERENTI SE JIĠU EŻAMINATI GĦALL-MATERJALI LI JIFFURMAW IL-KANAL, ID-DREJNER U S-SORS TAL-APPARAT U L-ARKITETTURA OPTIMA SE TIĠI SKALATA GĦAL NODI TEKNOLOĠIĊI OĦRA BIEX TEVALWA L-PRESTAZZJONI U L-ISKALABBILTÀ TAGĦHOM. BIEX DAWN L-APPARATI JIĠU MMUDELLATI B’MOD KORRETT, L-UŻU TA’ SIMULATURI TRIDIMENSJONALI HUWA OBBLIGATORJU. GĦAL DIN IR-RAĠUNI FIL-PROĠETT SE NUŻAW GĦODOD TA’ SIMULAZZJONI 3D TA’ APPARAT B’RIŻOLUZZJONI ATOMISTICA BĦALA SIMULATURI TA’ DRAG-DIFUŻJONI U MONTE CARLO B’KORREZZJONIJIET KWANTISTIĊI. Iż-żewġ SIMULATORS huma bbażati fuq il-Metodu ta’ ELEMENTS Finite._x000D_ _x000D_ 2. Studju tal-INFLUENZA TAL-FLUSJONIJIET FIL-ĠDID TFETS_x000D_ L-EFFECT tal-VARJABILITÀ GĦALL-KARTRATATI TAL-KARATTIVA TAL-MAYOR VEERY, li ssir waħda mid-diffiances primarji għall-ESCALATE U l-INTEGRAZZJONI TAL-ĠENERAZZJONI ATTWALI TA’ dispożizzji u ċ-Ċirkustanzi KIF Il-PROXIMA. GĦALHEKK, AĦNA SE TISTUDJA L-IMPATT LI SORSI DIFFERENTI TA ‘VARJAZZJONIJIET JKOLLHOM FUQ L-IMĠIBA TA’ APPARAT SABIEX JIĠU IDENTIFIKATI L-DISINJI, MATERJALI U ARKITETTURI INQAS SENSITTIVI GĦALL-VARJABBILTÀ. IS-SORSI TA’ VARJABBILTÀ LI ĠEJJIN HUMA L-AKTAR KRITIĊI FL-ISTUDJU TAL-NW TFET: Ħruxija ta’ INTERFACE, BACK FIL-INTERFACE, ALLEATORY Dopings U rugosità ta’ INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Ottimizzazzjoni TA’ Algoritmi NUMERICALI, portabbiltà LILL-INFRASTRUCTUŻI U ŻVILUPP TA’ TOOLS GĦALL-MAĠĠJU TA’ DATA _x000D_ biex tanalizza l-impatt li sorsi differenti ta’ varjabilità għandhom fit-trasport tal-NW TFETs hija meħtieġa biex titwettaq analiżi. GĦALHEKK, L-UŻU TA’ ALGORITMI NUMERIĊI EFFIĊJENTI HUWA ESSENZJALI. _x000D_ din il-PARTI TAL-PROJECT TIEGĦU FIL-GĦANJETTIJIET: I) IT-TNAQQIS TAL-ĦIN TAL-EŻEKUZZJONI PERMEZZ TAL-OTTIMIZZAZZJONI TAL-ALGORITMI NUMERIĊI UŻATI FIS-SIMULAZZJONI U L-IMPLIMENTAZZJONI TAGĦHOM F’INFRASTRUTTURI KOMPUTAZZJONALI DIFFERENTI U II) IL-ĠESTJONI EFFIĊJENTI TAD-DATA ĠĠENERATA PERMEZZ TAL-IMPLIMENTAZZJONI TA’ MANIĠER BIEX JIBGĦAT U JIRĊIEVI DATA DWAR IL-VARJABBILTÀ BL-UŻU TA’ SISTEMI KOMPUTAZZJONALI ETEROĠENJI. (Maltese)
18 August 2022
0 references
ŠĀ PROJEKTA IP PAŠLAIK IR MARIJAS KIRĪ IEF PĒTNIECE SWANSEA UNIVERSITĀTĒ (APVIENOTĀ KARALISTE). ŠIM PROJEKTAM IR DAUDZNOZARU RAKSTURS, KAS IETVER NANOELEKTRONIKU UN DATORZINĀTNES UN INFORMĀCIJAS TEHNOLOĢIJAS TĀ PAŠREIZĒJĀS VALSTĪS. MĒRĶIS ir klasificēts trīs jomās:_x000D_ 1. TUNEL TRANSISTORS 3D modelēšana, izmantojot nano pavedienus, izmantojot arrastre-DIFUSION UN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs), tiek meklēti kā iespējamie kursi, lai atkārtoti ieviestu parasto MOSFET dispozitīvus ULTRA LOW potence PIETEIKUMI JŪSU SUB-Umbral pendence AND YOUR Corrient reducation of FUGA, kas padara Agresive STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. TOMĒR PROBLĒMA, KAS SAISTĪTA AR ŠĪM IERĪCĒM, IR TO IEROBEŽOTĀ VEIKTSPĒJA UN ZEMA STRĀVA ZONĀ. LAI SASNIEGTU AUGSTU TUNEĻA VARBŪTĪBU, BŪTU LIETDERĪGI IZMANTOT HETEROUNIONS UN JAUNAS ARHITEKTŪRAS, PIEMĒRAM, NANOVADUS (NW). ŠAJĀ PROJEKTĀ MĒS SĀKOTNĒJI IZMEKLĒSIM NW TFET IERĪCI, KURAS ARHITEKTŪRA SEKOS IBM CĪRIHES SNIEGTAJIEM DIZAINPARAUGIEM. TĀLĀK, DAŽĀDAS KOMBINĀCIJAS TIKS PĀRBAUDĪTI MATERIĀLIEM, KAS VEIDO KANĀLU, DRENĀŽAS UN AVOTA IERĪCES UN OPTIMA ARHITEKTŪRA TIKS MĒROGOTS UZ CITIEM TEHNOLOĢIJU MEZGLIEM, LAI NOVĒRTĒTU TO VEIKTSPĒJU UN MĒROGOJAMĪBU. LAI MODELĒTU ŠĪS IERĪCES PAREIZI, TRĪSDIMENSIJU SIMULATORU IZMANTOŠANA IR OBLIGĀTA. ŠĪ IEMESLA DĒĻ PROJEKTĀ MĒS IZMANTOSIM 3D SIMULĀCIJAS RĪKUS IERĪCĒM AR ATOMISTICA IZŠĶIRTSPĒJU KĀ VILKŠANAS-DIFŪZIJAS SIMULATORUS UN MONTE CARLO AR KVANTU LABOJUMIEM. Abi SIMULATORS ir balstīti uz metodi galīgo ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Pētījums par dažādu FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D Informācija par VARIABILITY EFEKTU DZĪVNIECĪBAS DZĪVNIECĪBAS KOPĒJĀM IR VIENOŠIEM, kļūstot par vienu no galvenajiem trūkumiem ESCALATE UN INTEGRATION OF ACTUAL GENERATION OF dispozitīviem un CIRCUITS AS PROXIMA. TĀPĒC MĒS PĒTĪSIM DAŽĀDU SVĀRSTĪBU AVOTU IETEKMI UZ IERĪČU UZVEDĪBU, LAI IDENTIFICĒTU DIZAINU, MATERIĀLUS UN ARHITEKTŪRU, KAS IR MAZĀK JUTĪGI PRET MAINĪGUMU. NW TFET PĒTĪJUMĀ VISKRITISKĀKIE IR ŠĀDI MAINĪGUMA AVOTI: Nelīdzenums INTERFACE, BACK IN INTERFACE, ALLEATORY Dopings and Rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. NUMERICAL algoritmu optimizācija, pārnesamība JAUNS INSTRUCTURES UN DEVELOPMENT OF TOOLS FOR THE MANAGEMENT OF DATA _x000D_, lai analizētu ietekmi, kāda dažādiem mainīguma avotiem ir NW TFET pārvadāšanā, ir nepieciešama, lai veiktu analīzi. kurš pieprasa simulāciju par GREAT NUMBER no dispozitīviem, palielinot komputāciju. TĀPĒC IR BŪTISKI IZMANTOT EFEKTĪVUS CIPARU ALGORITMUS. _x000D_ šī PROJEKTA DAĻA ir spēkā divos OBJECTIVES: I) IZPILDES LAIKA SAMAZINĀŠANA, OPTIMIZĒJOT SIMULĀCIJĀ IZMANTOTOS SKAITLISKOS ALGORITMUS UN TO ĪSTENOŠANU DAŽĀDĀS SKAITĻOŠANAS INFRASTRUKTŪRĀS, UN II) EFEKTĪVA TO DATU PĀRVALDĪBA, KAS IEGŪTI, IEVIEŠOT PĀRVALDĪTĀJU MAINĪGUMA DATU NOSŪTĪŠANAI UN SAŅEMŠANAI, IZMANTOJOT NEVIENDABĪGAS SKAITĻOŠANAS SISTĒMAS. (Latvian)
18 August 2022
0 references
IP TOHTO PROJEKTU JE V SÚČASNOSTI VÝSKUMNOU PRACOVNÍČKOU MARIE CURIE IEF NA UNIVERZITE V SWANSEA (SPOJENÉ KRÁĽOVSTVO). TENTO PROJEKT MÁ MULTIDISCIPLINÁRNY CHARAKTER, KTORÝ ZAHŔŇA NANOELEKTRONIKU, POČÍTAČOVÚ VEDU A INFORMAČNÉ TECHNOLÓGIE VO SVOJICH NAJAKTUÁLNEJŠÍCH ŠTÁTOCH. OBJECTIVES sú rozdelené do troch oblastí:_x000D_ 1. 3D modelovanie TUNEL TRANSISTORS pomocou nano- nití prostredníctvom arrastre-DIFUSION A MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) sa hľadajú ako možné kurzy na opätovné zamestnanie konvenčných disponibilných MOSFETov pre ULTRA LOW potence APPLIKÁCIE VAŠEJ Umbrovej pendencie a vaše Corrient reducation of FUGA, čo robí agresívny ŠTALOVANIE FOOD TENSION POSSIBLE. AVŠAK, VÝZVA SPOJENÁ S TÝMITO ZARIADENIAMI JE ICH OBMEDZENÝ VÝKON A NÍZKY PRÚD V ZÓNE. NA DOSIAHNUTIE VYSOKEJ PRAVDEPODOBNOSTI TUNELA BY BOLO PROSPEŠNÉ POUŽÍVAŤ HETEROUNIONS A NOVÉ ARCHITEKTÚRY, AKO SÚ NANODRÔTY (NW). V TOMTO PROJEKTE BUDEME NAJPRV SKÚMAŤ NW TFET ZARIADENIE, KTORÉHO ARCHITEKTÚRA BUDE NASLEDOVAŤ NÁVRHY POSKYTNUTÉ IBM ZURICH. ĎALEJ SA PRESKÚMAJÚ RÔZNE KOMBINÁCIE MATERIÁLOV, KTORÉ TVORIA KANÁL, DRENÁŽ A ZDROJ ZARIADENIA, A ARCHITEKTÚRA OPTIMA BUDE ŠIRŠIA NA INÉ TECHNOLOGICKÉ UZLY NA VYHODNOTENIE ICH VÝKONU A ŠKÁLOVATEĽNOSTI. AK CHCETE SPRÁVNE MODELOVAŤ TIETO ZARIADENIA, JE POVINNÉ POUŽITIE TROJROZMERNÝCH SIMULÁTOROV. Z TOHTO DÔVODU V PROJEKTE POUŽIJEME 3D SIMULAČNÉ NÁSTROJE ZARIADENÍ S ROZLÍŠENÍM ATOMISTICA AKO DRAG-DIFUSION SIMULÁTORY A MONTE CARLO S KVANTOVÝMI KOREKCIAMI. Oba SIMULATORS sú založené na metóde finitných úprav._x000D_ _x000D_ 2. Štúdia INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY FOR CHARACTERISTICS of the dispositives is EVERY MAYOR, stáva sa jedným z primárnych defiances pre ESCALATE a INTEGRÁCIE ACTUÁLNEJ GENERÁCIE disponibilných a obvodov ako PROXIMA. PRETO BUDEME ŠTUDOVAŤ VPLYV RÔZNYCH ZDROJOV FLUKTUÁCIE NA SPRÁVANIE ZARIADENÍ S CIEĽOM IDENTIFIKOVAŤ NÁVRHY, MATERIÁLY A ARCHITEKTÚRY, KTORÉ SÚ MENEJ CITLIVÉ NA VARIABILITU. V ŠTÚDII NW TFET SÚ NAJKRITICKEJŠIE TIETO ZDROJE VARIABILITY: Drsnosť INTERFACE, BACK IN INTERFACE, AllEATORY Dopings A rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizácia NUMERICKÝCH algoritmov, prenositeľnosť NOVÝCH INFRASTRUCTUROV A VÝVOJ TOOLOV NA ROZHODNUTIE DATA _x000D_ na analýzu vplyvu, ktorý majú rôzne zdroje variability na prepravu NW TFET, je potrebné vykonať analýzu. KTORÉ POŽIADAJÚ SIMULÁCIE VEĽKÉHO ČÍSLA, Zvýšenie COMPUTATIONAL COST. PRETO JE NEVYHNUTNÉ POUŽÍVAŤ EFEKTÍVNE ČÍSELNÉ ALGORITMY. _x000D_ táto ČASŤ PROJEKTU je zložená z dvoch častí: I) SKRÁTENIE ČASU REALIZÁCIE PROSTREDNÍCTVOM OPTIMALIZÁCIE NUMERICKÝCH ALGORITMOV POUŽÍVANÝCH PRI SIMULÁCII A ICH IMPLEMENTÁCII V RÔZNYCH VÝPOČTOVÝCH INFRAŠTRUKTÚRACH A II) EFEKTÍVNE RIADENIE ÚDAJOV GENEROVANÝCH IMPLEMENTÁCIOU MANAŽÉRA NA ODOSIELANIE A PRIJÍMANIE ÚDAJOV VARIABILITY POMOCOU HETEROGÉNNYCH VÝPOČTOVÝCH SYSTÉMOV. (Slovak)
18 August 2022
0 references
IS TAIGHDEOIR MARIE CURIE IEF IN OLLSCOIL SWANSEA (RA) É IP AN TIONSCADAIL SEO FAOI LÁTHAIR. TÁ CARACHTAR ILDISCIPLÍNEACH AG AN TIONSCADAL SEO, A CHUIMSÍONN NANAILEICTREONAIC AGUS EOLAÍOCHT RÍOMHAIREACHTA AGUS TEICNEOLAÍOCHTAÍ FAISNÉISE SNA STÁIT IS MÓ ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR. Aicmítear na OBJECTIVES i dtrí réimse: _x000D_ 1. Samhaltú 3D ar TRANSISTORS TUNEL, ag baint úsáide as nana-snáitheanna tríd an ARRASTRE-Difusion agus MONTE CARLO_x000D_ PROVISIONS TUNEL (TFETS) á gcuardach mar chúrsaí is féidir le haghaidh ath-fhostú na Dispositives traidisiúnta MOSFET le haghaidh ULTRA LOW potence APPLICATIONS AR do pendence SUB-umbral agus DO Reducation CORRIENT OF FUGA, rud a dhéanann STÁSÁD STIÚRTHÓIRÍ AN TENSION BIA. MAR SIN FÉIN, IS DÚSHLÁN A BHAINEANN LEIS NA FEISTÍ A BHFEIDHMÍOCHT THEORANTA AGUS ATÁ ANN FAOI LÁTHAIR ÍSEAL SA CHRIOS. CHUN DÓCHÚLACHTAÍ TOLLÁIN ARD A BHAINT AMACH, BHEADH SÉ TAIRBHEACH ÚSÁID A BHAINT AS STRUCHTÚIR AGUS AILTIREACHTAÍ NUA, AMHAIL NANOWIRES (NW). SA TIONSCADAL SEO DÉANFAIMID IMSCRÚDÚ AR DTÚS AR FHEISTE TFET NW A LEANFAIDH A AILTIREACHT NA DEARAÍ A SHOLÁTHRAÍONN IBM ZURICH. ANSIN, DÉANFAR COMHCHEANGAIL ÉAGSÚLA A SCRÚDÚ LE HAGHAIDH NA N-ÁBHAR ATÁ MAR AN CAINÉAL, DRAINER AGUS FOINSE AN GLÉAS AGUS BEIDH AN AILTIREACHT OPTIMA A SCÁLA LE NÓID TECHNOLOGIC EILE CHUN MEASTÓIREACHT A DHÉANAMH AR A BHFEIDHMÍOCHT AGUS SCALABILITY. CHUN NA FEISTÍ SEO A MHÚNLÚ I GCEART, TÁ ÚSÁID INSAMHLÓIRÍ TRÍTHOISEACH ÉIGEANTACH. AR AN GCÚIS SEO SA TIONSCADAL BEIMID AG ÚSÁID UIRLISÍ INSAMHALTA 3D FEISTÍ LE RÉITEACH ATOMISTICA MAR INSAMHLÓIRÍ TARRAING-DIFUSION AGUS MONTE CARLO LE CEARTÚCHÁIN CHANDAMACH. Tá an dá SIMULATORS bunaithe ar an Modh ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Staidéar ar INFLUENCE OF differents OF FLUCTUATIONS IN NW TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY for theCHARACTERICICICICS of the Dispositives IS EVERY MAYOR, a bheith ar cheann de na príomh-dheiseanna do shlánú agus do chomhtháthú GINEARÁLTA GINEARÁLTA GNÍOMHAÍOCHTA Deighiltí agus CIRCUITÍ mar an ProxIMA. DÁ BHRÍ SIN, DÉANFAIMID STAIDÉAR AR AN TIONCHAR A BHÍONN AG FOINSÍ ÉAGSÚLA LUAINEACHTAÍ AR IOMPAR FEISTÍ D’FHONN NA DEARAÍ, NA HÁBHAIR AGUS NA HAILTIREACHTAÍ NACH BHFUIL CHOMH ÍOGAIR D’ATHRAITHEACHT A AITHINT. IS IAD NA FOINSÍ ATHRAITHEACHTA SEO A LEANAS NA FOINSÍ IS TÁBHACHTAÍ SA STAIDÉAR TFETS NW: Gairbhe INTERFACE, BACK IN INTERFACE, Dopings ALLEATORY and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Leas iomlán a bhaint algoritms NUMERICAL, inaistritheacht DO INFRRUCTURES NUA AGUS FORBAIRT TOOLS DATA _x000D_ bainisteoireacht DATA _x000D_ chun anailís a dhéanamh ar an tionchar go bhfuil foinsí éagsúla de athraitheacht in iompar an TFETS NW is gá chun anailís a dhéanamh. DÁ BHRÍ SIN, TÁ SÉ RIACHTANACH ÚSÁID A BHAINT AS ALGARTAIM UIMHRIÚLA ÉIFEACHTÚLA. _x000D_ an CUID seo den Chlár Oibre a Bhaineann le DHÉANAMH: I) AN T-AGA FORGHNÍOMHAITHE A LAGHDÚ TRÍ OPTAMÚ A DHÉANAMH AR NA HALGARTAIM UIMHRIÚLA A ÚSÁIDTEAR SAN IONSAMHLÚCHÁN AGUS A GCUR CHUN FEIDHME I MBONNEAGAIR RÍOMHAIREACHTA ÉAGSÚLA AGUS II) BAINISTIÚ ÉIFEACHTÚIL A DHÉANAMH AR NA SONRAÍ ARNA NGINIÚINT TRÍ CHUR CHUN FEIDHME BAINISTEORA CHUN SONRAÍ INATHRAITHEACHTA A SHEOLADH AGUS A FHÁIL TRÍ CHÓRAIS RÍOMHAIREACHTA ILCHINEÁLACHA A ÚSÁID. (Irish)
18 August 2022
0 references
IP TOHOTO PROJEKTU JE V SOUČASNÉ DOBĚ VÝZKUMNÁ PRACOVNICE MARIE CURIE IEF NA UNIVERZITĚ SWANSEA (SPOJENÉ KRÁLOVSTVÍ). TENTO PROJEKT MÁ MULTIDISCIPLINÁRNÍ CHARAKTER, KTERÝ ZAHRNUJE NANOELEKTRONIKU A VÝPOČETNÍ VĚDU A INFORMAČNÍ TECHNOLOGIE VE SVÝCH NEJAKTUÁLNĚJŠÍCH STÁTECH. OBJECTIVES jsou rozděleny do tří oblastí:_x000D_ 1. 3D modelování TUNEL TRANSISTORS, pomocí nanovláken přes arrastre-DIFUSION A MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) jsou vyhledávány jako možné kurzy pro re-zaměstnání konvenční MOSFET dispositives for ULTRA LOW potence APPLICATIONs of YOU RUB-Umbral pendence and YOUR Corrient reducation of FUGA, který dělá Agresivní STALATE of the FOOD TENSION POSSIBLE. PROBLÉMEM SPOJENÝM S TĚMITO ZAŘÍZENÍMI JE VŠAK JEJICH OMEZENÁ VÝKONNOST A NÍZKÝ PROUD V ZÓNĚ. PRO DOSAŽENÍ VYSOKÉ PRAVDĚPODOBNOSTI TUNELU BY BYLO PROSPĚŠNÉ POUŽÍVAT HETEROUNIONS A NOVÉ ARCHITEKTURY, JAKO JSOU NANOVODIČE (NW). V TOMTO PROJEKTU BUDEME NEJPRVE ZKOUMAT ZAŘÍZENÍ NW TFET, JEHOŽ ARCHITEKTURA BUDE SLEDOVAT NÁVRHY SPOLEČNOSTI IBM ZURICH. DÁLE BUDOU ZKOUMÁNY RŮZNÉ KOMBINACE MATERIÁLŮ, KTERÉ TVOŘÍ KANÁL, ODVODNĚNÍ A ZDROJ ZAŘÍZENÍ A ARCHITEKTURY OPTIMA BUDOU ŠKÁLENY NA JINÉ TECHNOLOGICKÉ UZLY, ABY BYLO MOŽNÉ VYHODNOTIT JEJICH VÝKONNOST A ŠKÁLOVATELNOST. PRO SPRÁVNÉ MODELOVÁNÍ TĚCHTO ZAŘÍZENÍ JE POVINNÉ POUŽITÍ TROJROZMĚRNÝCH SIMULÁTORŮ. Z TOHOTO DŮVODU V PROJEKTU BUDEME POUŽÍVAT 3D SIMULAČNÍ NÁSTROJE ZAŘÍZENÍ S ROZLIŠENÍM ATOMISTICA JAKO DRAG-DIFUSION SIMULÁTORY A MONTE CARLO S KVANTOVÝMI OPRAVAMI. Oba SIMULATORY jsou založeny na metodě konečných ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie INFLUENCE různých FLUKTUACE V NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT VARIABILITY PRO CHARACTERISTICKÉ dispozitivní látky JE VŠECHNY MAYOR, stává se jedním z primárních vzdorů pro ESKALÁT A INTEGRACE ACTUÁLNÍ GENERACE dispozitivních a CIRKUITS jako PROXIMA. PROTO BUDEME ZKOUMAT DOPAD, KTERÝ MAJÍ RŮZNÉ ZDROJE VÝKYVŮ NA CHOVÁNÍ ZAŘÍZENÍ, ABYCHOM IDENTIFIKOVALI NÁVRHY, MATERIÁLY A ARCHITEKTURY MÉNĚ CITLIVÉ NA VARIABILITU. NEJKRITIČTĚJŠÍ JSOU VE STUDII NW TFET TYTO ZDROJE VARIABILITY: Drsnost INTERFACE, zpět v INTERFACE, ALLEATORY Doping a rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizace NUMERICKÝCH algoritmů, přenositelnost do NOVÉ INFRASTRUCTURY A DEVELOPMENT TOOLS PRO ZPRÁVY DATA _x000D_ analyzovat dopad, který různé zdroje variability mají na přepravu NW TFET je nezbytné pro provedení analýzy. kteří požadují SIMULACE VELKÉHO ČÍSLO dispozitivních, Zvýšení konkurenceschopné COST. PROTO JE NEZBYTNÉ POUŽÍVAT EFEKTIVNÍ NUMERICKÉ ALGORITMY. _x000D_ tato část PROJECTu je v TWO OBJECTIVES: I) ZKRÁCENÍ DOBY REALIZACE OPTIMALIZACÍ NUMERICKÝCH ALGORITMŮ POUŽÍVANÝCH PŘI SIMULACI A JEJICH IMPLEMENTACÍ V RŮZNÝCH VÝPOČETNÍCH INFRASTRUKTURÁCH A II) EFEKTIVNÍ SPRÁVOU DAT GENEROVANÝCH PROSTŘEDNICTVÍM IMPLEMENTACE MANAŽERA PRO ODESÍLÁNÍ A PŘIJÍMÁNÍ VARIABILNÍCH DAT POMOCÍ HETEROGENNÍCH VÝPOČETNÍCH SYSTÉMŮ. (Czech)
18 August 2022
0 references
O IP deste projeto é atualmente um investigador de IEF MARIE CURIE na Universidade de SWANSEA (Reino Unido). O PRESENTE PROJECTO TEM CARACTERÍSTICAS MULTIDISCIPLINARES, INCORPORANDO A NANOELECTRÓNICA E A CIÊNCIA COMPUTADORA E AS TECNOLOGIAS DA INFORMAÇÃO NOS SEUS ESTADOS MAIS ACTUAIS. Os OBJETIVOS são classificados em três áreas:_x000D_ 1. A modelagem 3D de TUNEL TRANSISTORS, utilizando nano-threads através dos MÉTODOS ARRASTRE-DIFUSÃO E MONTE CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETS) estão a ser pesquisados como possíveis cursos para reempregar os MOSFET DISPOSITIVOS Convencionais para APLICAÇÕES ULTRA BAIXA POTENCIÊNCIA DA SUA PENDÊNCIA SUBUMBRAL E A SUA CORRIENTE REDUÇÃO DE FUGA, o que torna POSSÍVEL UM ESTALADO AGRÍCOLA DA TENSÃO ALIMENTAR. No entanto, um desafio associado a estes dispositivos é o seu desempenho limitado e baixa corrente na zona. Para alcançar grandes probabilidades de tunel, seria benéfico usar hetero-uniões e novas arquiteturas, como Nanowires (NW). Neste projeto, vamos investigar inicialmente um dispositivo NW TFET cuja arquitetura seguirá os desejos fornecidos pela IBM ZURICH. Em seguida, serão examinadas diferentes combinações para os materiais que formam o canal, o dreno e a fonte do dispositivo, e a arquitetura da OPTIMA será repartida por outros nódulos tecnológicos para avaliar o seu desempenho e a sua capacidade de cálculo. Para modelar corretamente estes dispositivos, a utilização de simuladores tridimensionais é obrigatória. Por esta razão, no projeto vamos utilizar ferramentas de simulação 3D de dispositivos com resolução atómica como simuladores de DRAG-DIFUSÃO e MONTE CARLO com correções quânticas. Ambos os SIMULADORES são baseados no Método de ELEMENTOS Finitos._x000D_ _x000D_ 2. Estudo da Influência de Diferentes Flutuações em TFETS NW TFETS_x000D_ O Efeito da Variabilidade para as Características dos Disponibilizadores é MUITO MAIOR, tornando-se um dos principais desafios para a ESCALA E INTEGRAÇÃO DA GERAÇÃO REAL DE DISPOSITIVOS E CIRCUITOS COMO PROXIMA. Portanto, estudaremos o impacto que diferentes fontes de flutuações têm no comportamento dos dispositivos, a fim de identificar os desenhos, materiais e arquiteturas menos sensíveis à variedade. AS SEGUINTES FONTES DE VARIABILIDADE SÃO AS MAIS CRÍTICAS NO ESTUDO NW TFETS: Rugosidade da interface, volta na interface, dopagens aleatoriais e rugosidade da interface III-V/SI _x000D_ 3. Optimização de ALGÓRIOS NUMÉRICOS, Portabilidade a Novas INFRA-ESTRUTURAS E DESENVOLVIMENTO DE FERRAMENTAS PARA A GESTÃO DE DADOS _x000D_ para analisar o impacto que diferentes fontes de variabilidade têm no transporte dos TFETS NW é necessária para realizar a análise. que exigem a SIMULAÇÃO DE UM GRANDE NÚMERO DE DISPOSITIVES, aumentando o CUSTO COMPUTACIONAL. Portanto, a utilização de algoritmos numéricos eficazes é essencial. _x000D_ esta parte do projecto baseia-se em dois objectivos: I) A REDUÇÃO DO TEMPO DE EXECUÇÃO ATRAVÉS DA OPTIMIZAÇÃO DOS ALGORITOS NUMÉRICOS UTILIZADOS NA SIMULAÇÃO E DA SUA APLICAÇÃO EM DIFERENTES INFRAESTRUTURAS COMPUTACIONAIS E II) A GESTÃO EFICIENTE DOS DADOS GERIDOS ATRAVÉS DA APLICAÇÃO DE UM GESTÃO DE DADOS DE ENVIO E DE RECEÇÃO DE VARIABILIDADE QUE UTILIZAM SISTEMAS COMPUTACIONAIS HETEROGENOS. (Portuguese)
18 August 2022
0 references
SELLE PROJEKTI INTELLEKTUAALOMAND ON PRAEGU MARIE CURIE IEF TEADUR SWANSEA ÜLIKOOLIS (ÜHENDKUNINGRIIK). SELLEL PROJEKTIL ON MULTIDISTSIPLINAARNE ISELOOM, MIS HÕLMAB NANOELEKTROONIKAT NING INFOTEHNOLOOGIAT JA INFOTEHNOLOOGIAT SELLE KÕIGE PRAEGUSTES RIIKIDES. OBJEKTIVES on liigitatud kolme valdkonda:_x000D_ 1. 3D modelleerimine TUNEL TRANSISTORS, kasutades nano-keermed läbi arrastre-DIFUSION JA MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) otsitakse kui võimalik kursused, et uuesti kasutada tavalisi MOSFET dispositiivseid ULTRA LOW potence APPLICATIONS teie SUB-Umbral pendence JA YOUR Corrient reducation of FUGA, mis teeb kokkuleppeline STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. SIISKI ON NENDE SEADMETEGA SEOTUD VÄLJAKUTSEKS NENDE PIIRATUD JÕUDLUS JA MADAL VOOL TSOONIS. SUURE TUNNELI TÕENÄOSUSE SAAVUTAMISEKS OLEKS KASULIK KASUTADA HETEROUNIONSE JA UUSI ARHITEKTUURE, NAGU NANOJUHTMED (NW). SELLES PROJEKTIS UURIME ESIALGU NW TFET-SEADET, MILLE ARHITEKTUUR JÄRGIB IBM ZÜRICHI DISAINILAHENDUSI. SEEJÄREL UURITAKSE ERINEVAID KOMBINATSIOONE MATERJALIDE JAOKS, MIS MOODUSTAVAD KANALI, DRENAAŽI JA SEADME ALLIKA, NING OPTIMA ARHITEKTUUR ON SKALEERITUD TEISTELE TEHNOLOOGILISTELE SÕLMEDELE, ET HINNATA NENDE JÕUDLUST JA MASTAAPSUST. NENDE SEADMETE ÕIGEKS MODELLEERIMISEKS ON KOLMEMÕÕTMELISTE SIMULAATORITE KASUTAMINE KOHUSTUSLIK. SEL PÕHJUSEL KASUTAME PROJEKTIS ATOMISTICA ERALDUSVÕIMEGA SEADMETE 3D SIMULATSIOONIVAHENDEID LOHISTAMISE SIMULAATORITENA JA MONTE CARLO KVANTPARANDUSTEGA. Mõlemad SIMULATORID põhinevad piiratud ELEMENTS meetodil._x000D_ _x000D_ 2. Uuring erinevate FLUCTUATIONS IN NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT of VARIABILITY FOR the CHARACTERISTICs of the disposiss on igaveseks, muutub üheks peamiseks trotsib ESCALATE ja INTEGRATION of ACTUAL GENERATION of dispositiivsed ja KIRKUITSID AS PROXIMA. SEETÕTTU UURIME ERINEVATE KÕIKUMISTE ALLIKATE MÕJU SEADMETE KÄITUMISELE, ET TEHA KINDLAKS DISAINILAHENDUSED, MATERJALID JA ARHITEKTUURID, MIS ON VÄHEM TUNDLIKUD VARIEERUVUSE SUHTES. JÄRGMISED VARIEERUVUSE ALLIKAD ON KÕIGE OLULISEMAD NW TFET-UURINGUS: INTERFACE’i karedus, INTERFACE’is, ALLEATORY Dopingud JA INTERFACE III-V/SI rugosity _x000D_ 3. Optimeerimine NUMERICAL algoritmid, ülekantavus UUS INFRASTRUCTURES JA DEVELOPMENT TOOLID FOR MANAGEMENT OF DATA _x000D_ et analüüsida mõju, mida erinevad allikad on transpordi NW TFETs on vaja läbi viia analüüs. kes REQUIREATIONATION OF SIMULATION of the GREAT NUMBER of dispositiivsed, Suurendades COMPUTATIONAL COST. SEETÕTTU ON TÕHUSATE NUMBRILISTE ALGORITMIDE KASUTAMINE VÄGA OLULINE. _x000D_ see osa PROJECT on VASTU OBJEKTIVES: I) TÄITMISAJA LÜHENDAMINE TÄNU SIMULATSIOONIS KASUTATAVATE NUMBRILISTE ALGORITMIDE OPTIMEERIMISELE JA NENDE RAKENDAMISELE ERINEVATES ARVUTUSTARISTUTES NING II) ANDMETE TÕHUS HALDAMINE, MIS ON LOODUD HALDAJA RAKENDAMISE KAUDU VARIEERUVUSANDMETE SAATMISEKS JA VASTUVÕTMISEKS HETEROGEENSETE ARVUTUSSÜSTEEMIDE ABIL. (Estonian)
18 August 2022
0 references
A PROJEKT SZELLEMI TULAJDONA JELENLEG MARIE CURIE IEF KUTATÓ A SWANSEA EGYETEMEN (EGYESÜLT KIRÁLYSÁG). EZ A PROJEKT MULTIDISZCIPLINÁRIS JELLEGŰ, AMELY A NANOELEKTRONIKÁT, A SZÁMÍTÁSTECHNIKÁT ÉS AZ INFORMÁCIÓS TECHNOLÓGIÁKAT FOGLALJA MAGÁBAN A JELENLEGI ÁLLAMOKBAN. A CÉLKITŰZÉSEK három területre sorolhatók:_x000D_ 1. A TUNEL TRANSISTORS 3D-s modellezését, amely nanoszálakat használ az ULTRA LOW potenciájú ULTRA LOW potencia A FUGA SUB-Umbral pendenciájának és korrelens redukálásának és a FUGA Corrient reducation redukálásának ULTRA LOW potencia APPLICATIONS APPLICATIONS of Your SUB-Umbral pendence and YY Corrient reducation of FUGA, amely a hagyományos MOSFET diszpozitívok újratelepítésére szolgál. AZONBAN AZ EZEKHEZ AZ ESZKÖZÖKHÖZ KAPCSOLÓDÓ KIHÍVÁS AZ, HOGY KORLÁTOZOTT TELJESÍTMÉNYÜK ÉS ALACSONY ÁRAMERŐSSÉGÜK VAN A ZÓNÁBAN. A MAGAS ALAGUTAK VALÓSZÍNŰSÉGÉNEK ELÉRÉSE ÉRDEKÉBEN HASZNOS LENNE A HETEROUNIONS ÉS AZ OLYAN ÚJ ARCHITEKTÚRÁK HASZNÁLATA, MINT A NANOVEZETÉKEK (NW). EBBEN A PROJEKTBEN ELŐSZÖR EGY NW TFET ESZKÖZT VIZSGÁLUNK, AMELYNEK ARCHITEKTÚRÁJA AZ IBM ZURICH TERVEIT KÖVETI. EZUTÁN KÜLÖNBÖZŐ KOMBINÁCIÓKAT VIZSGÁLNAK MEG AZ ESZKÖZ CSATORNÁJÁT, LEERESZTŐJÉT ÉS FORRÁSÁT ALKOTÓ ANYAGOK TEKINTETÉBEN, ÉS AZ OPTIMA ARCHITEKTÚRA MÁS TECHNOLÓGIAI CSOMÓPONTOKRA LESZ MÉRETEZVE, HOGY ÉRTÉKELJE TELJESÍTMÉNYÜKET ÉS SKÁLÁZHATÓSÁGUKAT. EZEKNEK AZ ESZKÖZÖKNEK A HELYES MODELLEZÉSÉHEZ A HÁROMDIMENZIÓS SZIMULÁTOROK HASZNÁLATA KÖTELEZŐ. EZÉRT A PROJEKTBEN AZ ATOMISTICA FELBONTÁSÚ ESZKÖZÖK 3D SZIMULÁCIÓS ESZKÖZEIT HASZNÁLJUK DRAG-DIFUSION SZIMULÁTORKÉNT ÉS MONTE CARLO KVANTUMKORREKCIÓVAL. Mindkét SIMULATORS a Finite ELEMENTS módszerén alapul._x000D_ _x000D_ 2. Tanulmányozza a különböző FLUCTUATIONS INFORMÁCIÓK NW TFETS_x000D_ A VARIABILITÁS EFFECT-jét a diszpozitív anyagok KARACTERISTICSEK MINDEN MAYOR, és válik az egyik elsődleges ellenszegülések ESCALATE and INTEGRATION of the ACTUALÁLIS GENERATION of Dispositives AND CIRCUITS as the PROXIMA. EZÉRT TANULMÁNYOZNI FOGJUK A KÜLÖNBÖZŐ INGADOZÁSFORRÁSOKNAK AZ ESZKÖZÖK VISELKEDÉSÉRE GYAKOROLT HATÁSÁT ANNAK ÉRDEKÉBEN, HOGY AZONOSÍTSÁK A VARIABILITÁSRA KEVÉSBÉ ÉRZÉKENY TERVEKET, ANYAGOKAT ÉS ARCHITEKTÚRÁKAT. AZ NW TFET-VIZSGÁLATBAN A KÖVETKEZŐ VARIABILITÁSI FORRÁSOK A LEGKRITIKUSABBAK: Érdessége INTERFACE, BACK az INTERFACE, ALLEATORY Dopings and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimalizálása NUMERICAL algoritmák, hordozhatóság új INFRASTRUCTURES ÉS FEJLESZTÉS AZ ADATOK _x000D_ MANAGEMENT A hatás, hogy a különböző forrásokból származó variabilitás van a szállítás az NW TFET-ek szükséges az elemzés elvégzéséhez. aki ELLENŐRZÉSét egy nagy mennyiségű diszpozitívok, Increasing COMPUTATIONAL COST. EZÉRT ELENGEDHETETLEN A HATÉKONY NUMERIKUS ALGORITMUSOK HASZNÁLATA. _x000D_ A PROJEKT ezen része a KÖVETKEZTETÉSI IRÁNYELVekben megalapozott: I) A VÉGREHAJTÁSI IDŐ CSÖKKENTÉSE A SZIMULÁCIÓBAN HASZNÁLT NUMERIKUS ALGORITMUSOK OPTIMALIZÁLÁSÁVAL ÉS A KÜLÖNBÖZŐ SZÁMÍTÁSI INFRASTRUKTÚRÁKBAN VALÓ MEGVALÓSÍTÁSUKKAL, VALAMINT II. A VÁLTOZÓ ADATOK HETEROGÉN SZÁMÍTÁSI RENDSZEREK FELHASZNÁLÁSÁVAL TÖRTÉNŐ KÜLDÉSÉRE ÉS FOGADÁSÁRA SZOLGÁLÓ MENEDZSER ÁLTAL GENERÁLT ADATOK HATÉKONY KEZELÉSE. (Hungarian)
18 August 2022
0 references
ИП НА ТОЗИ ПРОЕКТ ПОНАСТОЯЩЕМ Е ИЗСЛЕДОВАТЕЛ ПО ПРОГРАМАТА „МАРИЯ КЮРИ“ В УНИВЕРСИТЕТА СУОНЗИ (ОБЕДИНЕНОТО КРАЛСТВО). ТОЗИ ПРОЕКТ ИМА МУЛТИДИСЦИПЛИНАРЕН ХАРАКТЕР, КАТО ВКЛЮЧВА НАНОЕЛЕКТРОНИКА И КОМПЮТЪРНИ НАУКИ И ИНФОРМАЦИОННИ ТЕХНОЛОГИИ В НАЙ-АКТУАЛНИТЕ ДЪРЖАВИ. OBJECTIVES са класифицирани в три области:_x000D_ 1. 3D моделиране на TUNEL TRANSISTORS, използвайки нано-нишки чрез arrastre-DIFUSION И MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) са в процес на търсене като възможни курсове за повторно наемане на конвенционалните MOSFET диспозитиви за ULTRA LOW потентност Апликации на вашия SUB-Umbral висулка и вашата по-добра редукция на FUGA, което прави съгласуван STALATE НА FOOD TENSION POSSIBLE. ВЪПРЕКИ ТОВА, ПРЕДИЗВИКАТЕЛСТВО, СВЪРЗАНО С ТЕЗИ УСТРОЙСТВА Е ТЯХНАТА ОГРАНИЧЕНА РАБОТА И НИСЪК ТОК В ЗОНАТА. ЗА ДА СЕ ПОСТИГНЕ ВИСОКА ВЕРОЯТНОСТ ОТ ТУНЕЛИ, БИ БИЛО ПОЛЕЗНО ДА СЕ ИЗПОЛЗВАТ HETEROUNIONS И НОВИ АРХИТЕКТУРИ, КАТО НАПРИМЕР НАНОЖИЦИ (NW). В ТОЗИ ПРОЕКТ ПЪРВОНАЧАЛНО ЩЕ ПРОУЧИМ NW TFET УСТРОЙСТВО, ЧИЯТО АРХИТЕКТУРА ЩЕ СЛЕДВА ПРОЕКТИТЕ, ПРЕДОСТАВЕНИ ОТ IBM ЦЮРИХ. СЛЕД ТОВА ЩЕ БЪДАТ РАЗГЛЕДАНИ РАЗЛИЧНИ КОМБИНАЦИИ ЗА МАТЕРИАЛИТЕ, КОИТО ОБРАЗУВАТ КАНАЛА, ДРЕНАЖА И ИЗТОЧНИКА НА УСТРОЙСТВОТО, А АРХИТЕКТУРАТА НА OPTIMA ЩЕ БЪДЕ МАЩАБИРАНА ДО ДРУГИ ТЕХНОЛОГИЧНИ ВЪЗЛИ, ЗА ДА СЕ ОЦЕНИ ТЯХНАТА ПРОИЗВОДИТЕЛНОСТ И МАЩАБИРУЕМОСТ. ЗА ДА СЕ МОДЕЛИРАТ ПРАВИЛНО ТЕЗИ УСТРОЙСТВА, ИЗПОЛЗВАНЕТО НА ТРИИЗМЕРНИ СИМУЛАТОРИ Е ЗАДЪЛЖИТЕЛНО. ПОРАДИ ТАЗИ ПРИЧИНА В ПРОЕКТА ЩЕ ИЗПОЛЗВАМЕ 3D СИМУЛАЦИОННИ ИНСТРУМЕНТИ НА УСТРОЙСТВА С РАЗДЕЛИТЕЛНА СПОСОБНОСТ ATOMISTICA КАТО СИМУЛАТОРИ ЗА ПЛЪЗГАНЕ-ДИФУЗИЯ И МОНТЕ КАРЛО С КВАНТОВИ КОРЕКЦИИ. И двете СИМУЛАТОРИ се основават на метода на крайните ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Проучване на ИНФУЕНЦИЯТА НА различните ФЛУКТУАЦИИ В НОВИ ДЕЙСТВИЕ TFETS_x000D_ЕФЕКТА НА ВАРИАБИЛНОСТТА ЗА ХАРАКТЕРИСТИКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ Е ВСИЧКИ МОЙОР, превръщайки се в едно от основните неприязъни към ЕСКАЛАТА И ИНТЕГРАЦИЯТА НА АКТУАЛИТЕ ОБЩИ ОБЩИ И ТЪРГОВСКИ ПРОКСИМА. ЕТО ЗАЩО ЩЕ ПРОУЧИМ ВЪЗДЕЙСТВИЕТО, КОЕТО РАЗЛИЧНИТЕ ИЗТОЧНИЦИ НА КОЛЕБАНИЯ ОКАЗВАТ ВЪРХУ ПОВЕДЕНИЕТО НА УСТРОЙСТВАТА, ЗА ДА ИДЕНТИФИЦИРАМЕ ДИЗАЙНИТЕ, МАТЕРИАЛИТЕ И АРХИТЕКТУРИТЕ, КОИТО СА ПО-МАЛКО ЧУВСТВИТЕЛНИ КЪМ ПРОМЕНЛИВОСТТА. СЛЕДНИТЕ ИЗТОЧНИЦИ НА ПРОМЕНЛИВОСТ СА НАЙ-КРИТИЧНИТЕ В ПРОУЧВАНЕТО НА НТО: Грапавост НА INTERFACE, ВЪЗЛОЖЕНИЕ В ИНТЕРФЕЙС, ALLEATORY Dopings И rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Оптимизация НА НУМЕРИЧНИ алгоритми, преносимост ДА НОВИ ИНФРАСТРУКТУРИ И РАЗВИТИЕ НА ТОЛА ЗА УПРАВЛЕНИЕ НА ДАТА _x000D_ за анализ на въздействието, което различните източници на вариабилност оказват при транспортирането на НТО ДФЕТ, е необходимо да се извърши анализ. Кой ИЗИСКВА СИМУЛАЦИЯ НА Големия брой на диспозитивите, увеличаване на КОНТУТАЦИОННИЯ КОСТ. ПОРАДИ ТОВА ИЗПОЛЗВАНЕТО НА ЕФЕКТИВНИ ЦИФРОВИ АЛГОРИТМИ Е ОТ СЪЩЕСТВЕНО ЗНАЧЕНИЕ. _x000D_ тази част на проекта е съставена от два пъти: I) НАМАЛЯВАНЕ НА ВРЕМЕТО ЗА ИЗПЪЛНЕНИЕ ЧРЕЗ ОПТИМИЗИРАНЕ НА ЦИФРОВИТЕ АЛГОРИТМИ, ИЗПОЛЗВАНИ ПРИ СИМУЛАЦИЯТА И ТЯХНОТО ВНЕДРЯВАНЕ В РАЗЛИЧНИ ИЗЧИСЛИТЕЛНИ ИНФРАСТРУКТУРИ И II) ЕФЕКТИВНО УПРАВЛЕНИЕ НА ДАННИТЕ, ГЕНЕРИРАНИ ЧРЕЗ ВНЕДРЯВАНЕ НА МЕНИДЖЪР ЗА ИЗПРАЩАНЕ И ПОЛУЧАВАНЕ НА ДАННИ ЗА ПРОМЕНЛИВОСТ С ИЗПОЛЗВАНЕ НА ХЕТЕРОГЕННИ ИЗЧИСЛИТЕЛНИ СИСТЕМИ. (Bulgarian)
18 August 2022
0 references
ŠIO PROJEKTO IP ŠIUO METU YRA MARIE CURIE IEF TYRĖJA SWANSEA UNIVERSITETE (JK). ŠIS PROJEKTAS YRA DAUGIADISCIPLININIO POBŪDŽIO, APIMANTIS NANOELEKTRONIKĄ IR KOMPIUTERIŲ MOKSLĄ BEI INFORMACINES TECHNOLOGIJAS DABARTINĖSE JO VALSTYBĖSE. OBJECTIVES skirstomos į tris sritis:_x000D_ 1. 3D modeliavimas TUNEL TRANSISTORS, naudojant nano-sriegius per arrastre-DIFUSION IR MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) yra ieškoma kaip įmanoma kursus, siekiant iš naujo įdarbinti įprastinius MOSFET dispozityvus ULTRA LOW Potence APPLICATIONS OF SUB-Umbral Pendence and YOUR Corrient reducation of FUGA, kuri daro agresyvų STALATE FOOD TENSION POSSIBLE. TAČIAU IŠŠŪKIS, SUSIJĘS SU ŠIAIS PRIETAISAIS, YRA RIBOTAS JŲ NAŠUMAS IR MAŽA SROVĖ ZONOJE. NORINT PASIEKTI DIDELES TUNELIO TIKIMYBES, BŪTŲ NAUDINGA NAUDOTI HETEROUNIONS IR NAUJAS ARCHITEKTŪRAS, TOKIAS KAIP NANOLAIDAI (NW). ŠIAME PROJEKTE MES IŠ PRADŽIŲ TIRSIME NW TFET ĮRENGINĮ, KURIO ARCHITEKTŪRA ATITIKS IBM CIURICHO PATEIKTUS DIZAINUS. BE TO, BUS TIRIAMI ĮVAIRŪS MEDŽIAGŲ, SUDARANČIŲ KANALĄ, DRENAŽĄ IR PRIETAISO ŠALTINĮ, DERINIAI, O OPTIMA ARCHITEKTŪRA BUS SUSKIRSTYTA Į KITUS TECHNOLOGINIUS MAZGUS, KAD BŪTŲ GALIMA ĮVERTINTI JŲ NAŠUMĄ IR MASTELĮ. NORINT TINKAMAI MODELIUOTI ŠIUOS ĮTAISUS, PRIVALOMA NAUDOTI TRIMAČIUS TRENIRUOKLIUS. DĖL ŠIOS PRIEŽASTIES PROJEKTE MES NAUDOSIME 3D MODELIAVIMO ĮRANKIUS SU ATOMISTICA REZOLIUCIJA KAIP DRAG DIFUZIJOS SIMULIATORIUS IR MONTE CARLO SU KVANTINĖMIS PATAISOMIS. Abu SIMULATORAI yra pagrįsti baigtinių ELEMENTS metodu._x000D_ _x000D_ 2. NW TFETS_x000D _ NW TFETS_x000D_VARIABILITY VARAKTERISTIKŲ KARIKYBIŲ KARIKYBIŲ PASIŪLYMŲ INFLUENCIJA tampa vienu iš pagrindinių ESCALATE ir INTEGRATŲ ignoravimų ir KIRCUITŲ, kaip PROXIMA, nepaisymų. TODĖL MES IŠNAGRINĖSIME POVEIKĮ, KURĮ SKIRTINGI SVYRAVIMŲ ŠALTINIAI TURI PRIETAISŲ ELGSENAI, KAD BŪTŲ GALIMA NUSTATYTI, KOKIE PROJEKTAI, MEDŽIAGOS IR ARCHITEKTŪRA YRA MAŽIAU JAUTRŪS KINTAMUMUI. NW TFET TYRIME SVARBIAUSI YRA ŠIE KINTAMUMO ŠALTINIAI: INTERFACE šiurkštumas, atgal INTERFACE, ALLEATORY Dopings and Rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. NUMERINIŲ algoritmų optimizavimas, perkeliamumas į naujas INFRASTRUCTURES IR ĮRANGOS DUOMENŲ DUOMENŲ _x000D_ analizuoti poveikį, kurį skirtingi kintamumo šaltiniai daro NW TFET transportavimui, kad būtų galima atlikti analizę. Kas PRIPAŽĮSTA GREATŲ skaičių dispozityvumo, didinant komplikacinį COST. TODĖL LABAI SVARBU NAUDOTI EFEKTYVIUS SKAITMENINIUS ALGORITMUS. _x000D_ ši PROJEKTO DALIS, skirta dvišalėms paslaugoms: I) VYKDYMO LAIKO SUTRUMPINIMĄ OPTIMIZUOJANT MODELIAVIMUI NAUDOJAMUS SKAITMENINIUS ALGORITMUS IR JŲ ĮGYVENDINIMĄ SKIRTINGOSE SKAIČIAVIMO INFRASTRUKTŪROSE IR II) VEIKSMINGĄ DUOMENŲ, GAUTŲ ĮDIEGUS VALDYTOJĄ KINTAMUMO DUOMENIMS SIŲSTI IR GAUTI NAUDOJANT HETEROGENINES SKAIČIAVIMO SISTEMAS, VALDYMĄ. (Lithuanian)
18 August 2022
0 references
IP OVOG PROJEKTA TRENUTAČNO JE ISTRAŽIVAČICA MARIE CURIE IEF NA SVEUČILIŠTU SWANSEA U UJEDINJENOJ KRALJEVINI. OVAJ PROJEKT IMA MULTIDISCIPLINARNI KARAKTER TE UKLJUČUJE NANOELEKTRONIKU I INFORMACIJSKU ZNANOST I INFORMACIJSKE TEHNOLOGIJE U SVOJIM NAJSUVREMENIJIM DRŽAVAMA. CILOVI su razvrstani u tri područja:_x000D_ 1. 3D modeliranje TUNEL TRANSISTORS, koristeći nano-threads kroz arrastre-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROIZVODI (TFETs) se pretražuju kao mogući tečajevi za ponovno zapošljavanje konvencionalnih MOSFET dispozitiva za ULTRA LOW potence APPLIKACIJE VAŠE SUB-Umbral pendence i vaše Corrient reducation of FUGA, što čini agresivan STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. MEĐUTIM, IZAZOV POVEZAN S TIM UREĐAJIMA JE NJIHOVA OGRANIČENA UČINKOVITOST I NISKA STRUJA U ON ZONI. KAKO BI SE POSTIGLA VISOKA VJEROJATNOST TUNELA, BILO BI KORISNO KORISTITI HETEROUNIONS I NOVE ARHITEKTURE, KAO ŠTO SU NANOWIRES (NW). U OVOM ĆEMO PROJEKTU U POČETKU ISTRAŽITI NW TFET UREĐAJ ČIJA ĆE ARHITEKTURA SLIJEDITI DIZAJNE IBM ZURICHA. ZATIM ĆE SE ISPITATI RAZLIČITE KOMBINACIJE MATERIJALA KOJI ČINE KANAL, ODVODNIK I IZVOR UREĐAJA I OPTIMA ARHITEKTURA BIT ĆE SKALIRANA NA DRUGE TEHNOLOŠKE ČVOROVE KAKO BI SE PROCIJENILA NJIHOVA IZVEDBA I SKALABILNOST. ZA PRAVILNO MODELIRANJE TIH UREĐAJA OBVEZNO JE KORIŠTENJE TRODIMENZIONALNIH SIMULATORA. ZBOG TOGA ĆEMO U PROJEKTU KORISTITI 3D SIMULACIJSKE ALATE UREĐAJA S REZOLUCIJOM ATOMISTICA KAO SIMULATORE OTPORA I MONTE CARLO S KVANTNIM ISPRAVCIMA. Oba SIMULATORS temelje se na metodi konačnih ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studija INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS in NW TFETs TFETS_x000D_ EFFECT OF VARIABILITY ZA KARAKTERISTIVU OBAVIJESTI U NW TFETS TFETS_x000D_ OBRAZOVANJE VARIABILNOSTI ZA KARAKTERISTIVNOSTI UMJETNOSTI POSLOVANJA I KORIŠTAJA KOJI PROXIMA. STOGA ĆEMO PROUČITI UTJECAJ KOJI RAZLIČITI IZVORI FLUKTUACIJA IMAJU NA PONAŠANJE UREĐAJA KAKO BISMO IDENTIFICIRALI DIZAJNE, MATERIJALE I ARHITEKTURE MANJE OSJETLJIVE NA VARIJABILNOST. SLJEDEĆI IZVORI VARIJABILNOSTI NAJKRITIČNIJI SU U STUDIJI NW TFET-A: Hrapavost INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, SALEATORY Dopings I rugosity INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizacija NUMERICALnih algoritama, prenosivost na nove INFRASTRUCTURE I DEVELOPMENT TOOLA ZA UPRAVLJANJE DATA _x000D_ za analizu utjecaja koji različiti izvori varijabilnosti imaju na transport NW TFET-a je potrebno za provođenje analize. Tko PREPORUČUJE SIMULACIJA VELIKIH BROJA dispozitivnosti, Povećanje komputacijskog COST-a. STOGA JE KLJUČNO KORIŠTENJE UČINKOVITIH NUMERIČKIH ALGORITAMA. _x000D_ ovaj DIO PROJEKTA je zapečaćen u dva dijela: I) SMANJENJE VREMENA IZVRŠENJA KROZ OPTIMIZACIJU NUMERIČKIH ALGORITAMA KORIŠTENIH U SIMULACIJI I NJIHOVU IMPLEMENTACIJU U RAZLIČITE RAČUNALNE INFRASTRUKTURE I II) UČINKOVITO UPRAVLJANJE PODACIMA GENERIRANIM IMPLEMENTACIJOM MENADŽERA ZA SLANJE I PRIMANJE PODATAKA O VARIJABILNOSTI POMOĆU HETEROGENIH RAČUNALNIH SUSTAVA. (Croatian)
18 August 2022
0 references
PROJEKTET ÄR FÖR NÄRVARANDE EN MARIE CURIE IEF-FORSKARE VID SWANSEA UNIVERSITY (STORBRITANNIEN). DETTA PROJEKT HAR EN TVÄRVETENSKAPLIG KARAKTÄR OCH OMFATTAR NANOELEKTRONIK, DATAVETENSKAP OCH INFORMATIONSTEKNIK I DE MEST AKTUELLA LÄNDERNA. OBJEKTIVerna är indelade i tre områden:_x000D_ 1. 3D-modellering av TUNEL TRANSISTORER, med hjälp av nanotrådar genom arrastre-DIFUSION OCH MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) söks som möjliga kurser för att återanställa de konventionella MOSFET-dispositiva för ULTRA LOW potence APPLICATIONER av din SUB-Umbral pendence och din Corrient-ombildning av FUGA, vilket gör en Agresive STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. EN UTMANING I SAMBAND MED DESSA ENHETER ÄR DOCK DERAS BEGRÄNSADE PRESTANDA OCH LÅGA STRÖM I DEN PÅ ZONEN. FÖR ATT UPPNÅ HÖGA TUNNELSANNOLIKHETER SKULLE DET VARA FÖRDELAKTIGT ATT ANVÄNDA HETEROUNIONS OCH NYA ARKITEKTURER, SÅSOM NANOTRÅDAR (NW). I DETTA PROJEKT KOMMER VI INLEDNINGSVIS ATT UNDERSÖKA EN NW TFET-ENHET VARS ARKITEKTUR KOMMER ATT FÖLJA DEN DESIGN SOM TILLHANDAHÅLLS AV IBM ZÜRICH. DÄREFTER KOMMER OLIKA KOMBINATIONER ATT UNDERSÖKAS FÖR DE MATERIAL SOM BILDAR KANALEN, DRÄNERAREN OCH KÄLLAN TILL ENHETEN OCH OPTIMA-ARKITEKTUREN KOMMER ATT SKALAS TILL ANDRA TEKNISKA NODER FÖR ATT UTVÄRDERA DERAS PRESTANDA OCH SKALBARHET. FÖR ATT MODELLERA DESSA ANORDNINGAR KORREKT ÄR DET OBLIGATORISKT ATT ANVÄNDA TREDIMENSIONELLA SIMULATORER. AV DENNA ANLEDNING I PROJEKTET KOMMER VI ATT ANVÄNDA 3D SIMULERINGSVERKTYG AV ENHETER MED ATOMISTICA UPPLÖSNING SOM DRAG-DIFUSION SIMULATORER OCH MONTE CARLO MED KVANTKORRIGERINGAR. Båda SIMULATORerna är baserade på metoden för finita ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Studie av INFLUENCE of differents of FLUCTUATIONS I NW TFETs TFETS_x000D_ EFFEKT AV VARIABILITET FÖR KARACTERISTICER AV dispositiva är ALLA MAYOR, och blir en av de primära trotserna för ESCALATE och INTEGRATION AV DEN ACTUAL GENERATION AV dispositiva OCH CIRCUITS som PROXIMA. DÄRFÖR KOMMER VI ATT STUDERA DEN INVERKAN SOM OLIKA KÄLLOR TILL FLUKTUATIONER HAR PÅ ENHETERNAS BETEENDE FÖR ATT IDENTIFIERA KONSTRUKTIONER, MATERIAL OCH ARKITEKTURER SOM ÄR MINDRE KÄNSLIGA FÖR VARIABILITET. FÖLJANDE VARIABILITETSKÄLLOR ÄR DE MEST KRITISKA I NW TFETS-STUDIEN: Grovhet AV INTERFACE, BACK I INTERFACE, ALLEATORY Dopningar OCH rugositet I INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimering av NUMERICAL algoritmer, portabilitet till nya INFRASTRUCTURES och utveckling av verktyg för godkännande av DATA _x000D_ för att analysera den inverkan som olika variabilitetskällor har på transporten av NW TFETs är nödvändigt för att utföra analys. som KÄNNER SIMULATION AV en stor mängd dispositiva, Ökad COMPUTATIONAL KOST. DÄRFÖR ÄR ANVÄNDNINGEN AV EFFEKTIVA NUMERISKA ALGORITMER AVGÖRANDE. _x000D_ denna del av PROJEKT ÄR BASED I TWO OBJEKTIV: I) MINSKNING AV GENOMFÖRANDETIDEN GENOM OPTIMERING AV DE NUMERISKA ALGORITMER SOM ANVÄNDS I SIMULERINGEN OCH DERAS IMPLEMENTERING I OLIKA BERÄKNINGSINFRASTRUKTURER OCH II) EFFEKTIV HANTERING AV DE DATA SOM GENERERAS GENOM INFÖRANDE AV EN FÖRVALTARE FÖR ATT SKICKA OCH TA EMOT VARIABILITETSDATA MED HJÄLP AV HETEROGENA DATORSYSTEM. (Swedish)
18 August 2022
0 references
IP-UL ACESTUI PROIECT ESTE ÎN PREZENT UN CERCETĂTOR MARIE CURIE IEF LA UNIVERSITATEA SWANSEA (REGATUL UNIT). ACEST PROIECT ARE UN CARACTER MULTIDISCIPLINAR, ÎNCORPORÂND NANOELECTRONICA ȘI INFORMATICA ȘI TEHNOLOGIILE INFORMAȚIEI ÎN CELE MAI ACTUALE STATE ALE SALE. Obiectivele sunt clasificate în trei domenii:_x000D_ 1. Modelarea 3D a TUNEL TRANSISTORS, folosind nano-threads prin arrastre-DIFUSION AND MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) sunt căutate ca posibile cursuri de re-angajare a dispozitiilor MOSFET convenționale pentru ULTRA LOW potență APPLICATIONS OF YOUR SUB-Umbral pendence and youR Corrient reduction of FUGA, ceea ce face un STALAT Agresiv al POSSIBLE FOOD TENSION. CU TOATE ACESTEA, O PROVOCARE ASOCIATĂ CU ACESTE DISPOZITIVE ESTE PERFORMANȚA LOR LIMITATĂ ȘI CURENTUL SCĂZUT ÎN ZONA DE PE. PENTRU A OBȚINE PROBABILITĂȚI RIDICATE DE TUNEL, AR FI BENEFIC SĂ SE UTILIZEZE HETEROUNIONS ȘI NOI ARHITECTURI, CUM AR FI NANOFIRELE (NW). ÎN ACEST PROIECT VOM INVESTIGA INIȚIAL UN DISPOZITIV TFET NW A CĂRUI ARHITECTURĂ VA URMA DESIGNURILE OFERITE DE IBM ZURICH. APOI, DIFERITE COMBINAȚII VOR FI EXAMINATE PENTRU MATERIALELE CARE FORMEAZĂ CANALUL, DRENATORUL ȘI SURSA DISPOZITIVULUI, IAR ARHITECTURA OPTIMA VA FI SCALATĂ LA ALTE NODURI TEHNOLOGICE PENTRU A EVALUA PERFORMANȚA ȘI SCALABILITATEA ACESTORA. PENTRU A MODELA CORECT ACESTE DISPOZITIVE, UTILIZAREA SIMULATOARELOR TRIDIMENSIONALE ESTE OBLIGATORIE. DIN ACEST MOTIV, ÎN CADRUL PROIECTULUI VOM FOLOSI INSTRUMENTE DE SIMULARE 3D A DISPOZITIVELOR CU REZOLUȚIE ATOMISTICA CA SIMULATOARE DE DRAG-DIFUZIE ȘI MONTE CARLO CU CORECȚII CUANTICE. Ambele SIMULATORI se bazează pe metoda ELEMENTELOR finite._x000D_ _x000D_ 2. Studiul INFLUENȚEI Diferențelor de FLUCTUAȚII ÎN TFET-urile NW TFETS_x000D_ EFFECTUL VARIABILITATEI PENTRU CHARACTERISTICILE Dispozitivelor Este FIECARE MAI MULT, devenind una dintre sfidările primare ale ESCALATULUI ȘI INTEGRAREA GENERALII ACTUALE a Dispozitivelor ȘI CIRCUITELOR DE PROXIMA. PRIN URMARE, VOM STUDIA IMPACTUL PE CARE DIFERITE SURSE DE FLUCTUAȚII ÎL AU ASUPRA COMPORTAMENTULUI DISPOZITIVELOR PENTRU A IDENTIFICA PROIECTELE, MATERIALELE ȘI ARHITECTURILE MAI PUȚIN SENSIBILE LA VARIABILITATE. URMĂTOARELE SURSE DE VARIABILITATE SUNT CELE MAI CRITICE ÎN STUDIUL TFET NW: Rugozitatea INTERFACE, BACK in INTERFACE, toate dopurile și rugozitatea INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizarea algoritmilor NUMERICI, portabilitatea la NOU INFRASTRUCTURES ȘI DEZVOLTAREA TOOLURILOR PENTRU MANAGEMENTUL DATElor _x000D_ pentru a analiza impactul pe care îl au diferite surse de variabilitate în transportul TFET-urilor NW este necesar pentru a efectua analiza. Cine CREBUIE SIMULAREA UNEI NUMĂRI de dispozitivi, Creșterea COST COMPUTATIONAL. PRIN URMARE, UTILIZAREA ALGORITMILOR NUMERICI EFICIENȚI ESTE ESENȚIALĂ. _x000D_ această parte a proiectului este în curs de desfășurare în două cazuri: I) REDUCEREA TIMPULUI DE EXECUȚIE PRIN OPTIMIZAREA ALGORITMILOR NUMERICI UTILIZAȚI ÎN SIMULARE ȘI IMPLEMENTAREA ACESTORA ÎN DIFERITE INFRASTRUCTURI DE CALCUL ȘI II) GESTIONAREA EFICIENTĂ A DATELOR GENERATE PRIN IMPLEMENTAREA UNUI MANAGER PENTRU TRIMITEREA ȘI PRIMIREA DATELOR DE VARIABILITATE UTILIZÂND SISTEME DE CALCUL ETEROGENE. (Romanian)
18 August 2022
0 references
IP TEGA PROJEKTA JE TRENUTNO RAZISKOVALKA MARIE CURIE IEF NA UNIVERZI SWANSEA (ZDRUŽENO KRALJESTVO). TA PROJEKT IMA MULTIDISCIPLINARNI ZNAČAJ, KI VKLJUČUJE NANOELEKTRONIKO TER RAČUNALNIŠKO IN INFORMACIJSKO TEHNOLOGIJO V SVOJIH NAJNOVEJŠIH DRŽAVAH. OBJEKTI so razvrščeni v tri področja:_x000D_ 1. 3D modeliranje TUNEL TRANSISTORS, z uporabo nanonit skozi arrastre-DIFUSION IN MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFETs) se iščejo kot možne tečaje za ponovno uporabo konvencionalnih MOSFET dispozitivnih dispozitivnih za ULTRA LOW potence APPLICATIONS Vaše SUB-Umbral pendence IN Vaše Corrient reducation of FUGA, ki naredi agresiven STALATE OF THE FOOD TENSION POSSIBLE. VENDAR PA JE IZZIV, POVEZAN S TEMI NAPRAVAMI, NJIHOVA OMEJENA ZMOGLJIVOST IN NIZEK TOK V OBMOČJU. DA BI DOSEGLI VISOKO VERJETNOST PREDORA, BI BILO KORISTNO UPORABITI HETEROUNIONS IN NOVE ARHITEKTURE, KOT SO NANOWIRES (NW). V TEM PROJEKTU BOMO NAJPREJ RAZISKALI NAPRAVO NW TFET, KATERE ARHITEKTURA BO SLEDILA DIZAJNOM, KI JIH ZAGOTAVLJA IBM ZURICH. NATO BODO PREGLEDANE RAZLIČNE KOMBINACIJE MATERIALOV, KI TVORIJO KANAL, DRENAŽO IN VIR NAPRAVE, OPTIMSKA ARHITEKTURA PA BO PRILAGOJENA DRUGIM TEHNOLOŠKIM VOZLIŠČEM, DA SE OCENI NJIHOVA ZMOGLJIVOST IN RAZŠIRLJIVOST. ZA PRAVILNO MODELIRANJE TEH NAPRAV JE OBVEZNA UPORABA TRIDIMENZIONALNIH SIMULATORJEV. ZATO BOMO V PROJEKTU UPORABILI 3D SIMULACIJSKA ORODJA NAPRAV Z LOČLJIVOSTJO ATOMISTICA KOT SIMULATORJI DRAG-DIFUSION IN MONTE CARLO S KVANTNIMI POPRAVKI. Obe SIMULATORJI temeljita na metodi končnih ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Študija INFLUENCE različnih FLUCTUATIONS V NW TFETs TFETS_x000D_ UČINKOVOST VARIABILITIJE ZA DOVOLJENJE dispozitivov, ki so postali eden od primarnih kljubovanja za ESCALATE IN INTEGRATION OF ACTUALALNE GENERATION of Dispositives IN CIRCUITS AS THE PROXIMA. ZATO BOMO PREUČILI VPLIV, KI GA IMAJO RAZLIČNI VIRI NIHANJA NA OBNAŠANJE NAPRAV, DA BI PREPOZNALI MODELE, MATERIALE IN ARHITEKTURE, KI SO MANJ OBČUTLJIVI NA VARIABILNOST. NASLEDNJI VIRI VARIABILNOSTI SO NAJBOLJ KRITIČNI V ŠTUDIJI NW TFETS: Hrapavost INTERFACE, BACK V INTERFACE, ALLEATORY Dopings and rugosity of INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optimizacija NUMERICALnih algoritmov, prenosljivost NEW INFRASTRUCTURES IN RAZVOJ TOOLOV ZA UPRAVLJANJE PODATKOV _x000D_ za analizo vpliva, ki ga imajo različni viri variabilnosti na prevoz NW TFET-ov, je potrebno za izvedbo analize. ki ZAHTEVA SIMULACIJE GREAT ŠTEVILKA dispozitivnih snovi, Povečanje COMPUTATIONAL COST. ZATO JE UPORABA UČINKOVITIH NUMERIČNIH ALGORITMOV BISTVENEGA POMENA. _x000D_ ta del PROJEKTA, ki se nahaja v dveh državah članicah: I) SKRAJŠANJE ČASA IZVEDBE Z OPTIMIZACIJO NUMERIČNIH ALGORITMOV, KI SE UPORABLJAJO V SIMULACIJI, IN NJIHOVO IMPLEMENTACIJO V RAZLIČNIH RAČUNSKIH INFRASTRUKTURAH TER II) UČINKOVITO UPRAVLJANJE PODATKOV, USTVARJENIH Z IZVAJANJEM UPRAVITELJA ZA POŠILJANJE IN PREJEMANJE PODATKOV O VARIABILNOSTI Z UPORABO HETEROGENIH RAČUNALNIŠKIH SISTEMOV. (Slovenian)
18 August 2022
0 references
IP TEGO PROJEKTU JEST OBECNIE BADACZEM MARIE CURIE IEF NA UNIWERSYTECIE SWANSEA (WIELKA BRYTANIA). PROJEKT TEN MA CHARAKTER MULTIDYSCYPLINARNY I OBEJMUJE NANOELEKTRONIKA ORAZ INFORMATYKĘ I TECHNOLOGIE INFORMACYJNE W NAJBARDZIEJ AKTUALNYCH STANACH. Cele OBJETY są klasyfikowane w trzech obszarach:_x000D_ 1. Modelowanie 3D TRANSISTORS TUNEL, za pomocą nanowątków poprzez arrastre-DIFUSION I MONTE METHODS CARLO_x000D_ TUNEL PROVISIONS (TFET) są przeszukiwane jako możliwe kursy w celu ponownego zastosowania Konwencjonalnych dyspozytorów MOSFET dla ULTRA LOW potence APPLICATIONS TWOJ SUB-Umbral pendence I YOUR Corrient reducation OF FUGA, co sprawia, że uzgodniony STALATE POSSIBLE FOOD TENSION. JEDNAK WYZWANIEM ZWIĄZANYM Z TYMI URZĄDZENIAMI JEST ICH OGRANICZONA WYDAJNOŚĆ I NISKI PRĄD W STREFIE. ABY OSIĄGNĄĆ WYSOKIE PRAWDOPODOBIEŃSTWO TUNELU, KORZYSTNE BYŁOBY UŻYCIE HETEROUNIONS I NOWYCH ARCHITEKTUR, TAKICH JAK NANOWIRES (NW). W TYM PROJEKCIE POCZĄTKOWO ZBADAMY URZĄDZENIE NW TFET, KTÓREGO ARCHITEKTURA BĘDZIE ZGODNA Z PROJEKTAMI DOSTARCZONYMI PRZEZ IBM ZURICH. NASTĘPNIE ZBADANE ZOSTANĄ RÓŻNE KOMBINACJE MATERIAŁÓW TWORZĄCYCH KANAŁ, ODWADNIACZ I ŹRÓDŁO URZĄDZENIA, A ARCHITEKTURA OPTIMA ZOSTANIE PRZESKALOWANA DO INNYCH WĘZŁÓW TECHNOLOGICZNYCH, ABY OCENIĆ ICH WYDAJNOŚĆ I SKALOWALNOŚĆ. DO PRAWIDŁOWEGO MODELOWANIA TYCH URZĄDZEŃ OBOWIĄZKOWE JEST STOSOWANIE TRÓJWYMIAROWYCH SYMULATORÓW. Z TEGO POWODU W PROJEKCIE WYKORZYSTAMY NARZĘDZIA SYMULACYJNE 3D URZĄDZEŃ Z ROZDZIELCZOŚCIĄ ATOMISTICA JAKO SYMULATORY DRAG-DIFUSION I MONTE CARLO Z KOREKTAMI KWANTOWYMI. Oba SIMULATORS są oparte na metodzie Finite ELEMENTS._x000D_ _x000D_ 2. Badanie INFLUENCJI Różnych FLUKTUACJI W NW TFETs TFETS_x000D_ EFFEEKT WARIABILITYCZNOŚCI CHARACTERISTYCZNYCH ZASTOSOWANIA DOSTĘPÓW JEST KAŻDYM MAJĄCYM, stając się jednym z głównych przeciwieństw dla ESCALATE I INTEGRACJI AKTUALNEGO GENERACJI dysponentów I CIRCUITS AS THE PROXIMA. W ZWIĄZKU Z TYM ZBADAMY WPŁYW RÓŻNYCH ŹRÓDEŁ WAHAŃ NA ZACHOWANIE URZĄDZEŃ W CELU ZIDENTYFIKOWANIA PROJEKTÓW, MATERIAŁÓW I ARCHITEKTURY MNIEJ WRAŻLIWYCH NA ZMIENNOŚĆ. W BADANIU NW TFET NAJISTOTNIEJSZE SĄ NASTĘPUJĄCE ŹRÓDŁA ZMIENNOŚCI: Chropowatość INTERFACE, BACK IN THE INTERFACE, ALLEATORY Dopings AND rugosity OF INTERFACE III-V/SI _x000D_ 3. Optymalizacja algorytmów NUMERICALNYCH, przenośność DO NOWYCH INFRASTRUKTURY I ROZPORZĄDZENIA TFETÓW NUMERYCZNYCH do przeprowadzenia analizy jest niezbędna do przeprowadzenia analizy. Kto WYMAGA SIĘ ZGÓLNĄ NUMERĄ dysponentów, Zwiększenie KONKURENCJI. W ZWIĄZKU Z TYM ZASADNICZE ZNACZENIE MA STOSOWANIE EFEKTYWNYCH ALGORYTMÓW NUMERYCZNYCH. _x000D_ to CZĘŚĆ PROJEKTU została pokryta w Dwóch Celach: I) SKRÓCENIE CZASU REALIZACJI POPRZEZ OPTYMALIZACJĘ ALGORYTMÓW NUMERYCZNYCH STOSOWANYCH W SYMULACJI I ICH IMPLEMENTACJĘ W RÓŻNYCH INFRASTRUKTURACH OBLICZENIOWYCH ORAZ II) EFEKTYWNE ZARZĄDZANIE DANYMI GENEROWANYMI POPRZEZ WDROŻENIE MENEDŻERA DO WYSYŁANIA I OTRZYMYWANIA DANYCH O ZMIENNOŚCI Z WYKORZYSTANIEM NIEJEDNORODNYCH SYSTEMÓW OBLICZENIOWYCH. (Polish)
18 August 2022
0 references
Santiago de Compostela
0 references
20 December 2023
0 references
Identifiers
TEC2014-59402-JIN
0 references