ERDF — CNRS — Alloc cofin — Nicolas CHERY (Q3673350): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Created claim: summary (P836): Development of ultra-high resolution transmission electron microscopy techniques applied to heterostructures III-N (In,Ga)N. CIMAP is equipped with a JEOL ARM 200 microscope with dual Cs correction (sound and objective) and aims to develop quantitative analyses on MET and STEM with EDS wide-angle detector and GIF combined with energy modelling to determine stable structures, local composition and properties of functional materials, in particular...) |
(Changed label, description and/or aliases in pt) |
||||||||||||||
| (15 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||||||||||||||
| label / en | label / en | ||||||||||||||
ERDF — CNRS — Alloc cofin — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / de | label / de | ||||||||||||||
EFRE – CNRS – Alloc kofin – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / nl | label / nl | ||||||||||||||
EFRO — CNRS — Alloc COFIN — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / it | label / it | ||||||||||||||
FESR — CNRS — Alloc COFIN — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / es | label / es | ||||||||||||||
FEDER — CNRS — Alloc COFIN — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / et | label / et | ||||||||||||||
ERF – CNRS – Alloc COFIN – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / lt | label / lt | ||||||||||||||
ERPF – CNRS – Alloc COFIN – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / hr | label / hr | ||||||||||||||
EFRR – CNRS – Alloc COFIN – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / el | label / el | ||||||||||||||
ΕΤΠΑ — CNRS — Alloc COFIN — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / sk | label / sk | ||||||||||||||
EFRR – CNRS – Alloc COFIN – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / fi | label / fi | ||||||||||||||
EAKR – CNRS – Alloc COFIN – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / pl | label / pl | ||||||||||||||
EFRR – CNRS – COFIN Alloc – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / hu | label / hu | ||||||||||||||
ERFA – CNRS – Alloc COFIN – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / cs | label / cs | ||||||||||||||
EFRR – CNRS – Alloc COFIN – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / lv | label / lv | ||||||||||||||
ERAF — CNRS — Alloc COFIN — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / ga | label / ga | ||||||||||||||
CFRE — CNRS — Alloc cofin — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / sl | label / sl | ||||||||||||||
ESRR – CNRS – Alloc COFIN – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / bg | label / bg | ||||||||||||||
ЕФРР — CNRS — Alloc COFIN — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / mt | label / mt | ||||||||||||||
ERDF — CNRS — Alloc COFIN — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / pt | label / pt | ||||||||||||||
FEDER — CNRS — Afetação cofin — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / da | label / da | ||||||||||||||
EFRU — CNRS — Alloc COFIN — Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| label / ro | label / ro | ||||||||||||||
FEDR – CNRS – Alloc COFIN – CHERY Nicolas | |||||||||||||||
| label / sv | label / sv | ||||||||||||||
Eruf – CNRS – Allok COFIN – Nicolas CHERY | |||||||||||||||
| description / bg | description / bg | ||||||||||||||
Проект Q3673350 във Франция | |||||||||||||||
| description / hr | description / hr | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 u Francuskoj | |||||||||||||||
| description / hu | description / hu | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 Franciaországban | |||||||||||||||
| description / cs | description / cs | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 ve Francii | |||||||||||||||
| description / da | description / da | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 i Frankrig | |||||||||||||||
| description / nl | description / nl | ||||||||||||||
Project Q3673350 in Frankrijk | |||||||||||||||
| description / et | description / et | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 Prantsusmaal | |||||||||||||||
| description / fi | description / fi | ||||||||||||||
Projekti Q3673350 Ranskassa | |||||||||||||||
| description / fr | description / fr | ||||||||||||||
Projet Q3673350 en France | |||||||||||||||
| description / de | description / de | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 in Frankreich | |||||||||||||||
| description / el | description / el | ||||||||||||||
Έργο Q3673350 στη Γαλλία | |||||||||||||||
| description / ga | description / ga | ||||||||||||||
Tionscadal Q3673350 sa Fhrainc | |||||||||||||||
| description / it | description / it | ||||||||||||||
Progetto Q3673350 in Francia | |||||||||||||||
| description / lv | description / lv | ||||||||||||||
Projekts Q3673350 Francijā | |||||||||||||||
| description / lt | description / lt | ||||||||||||||
Projektas Q3673350 Prancūzijoje | |||||||||||||||
| description / mt | description / mt | ||||||||||||||
Proġett Q3673350 fi Franza | |||||||||||||||
| description / pl | description / pl | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 we Francji | |||||||||||||||
| description / pt | description / pt | ||||||||||||||
Projeto Q3673350 na França | |||||||||||||||
| description / ro | description / ro | ||||||||||||||
Proiectul Q3673350 în Franța | |||||||||||||||
| description / sk | description / sk | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 vo Francúzsku | |||||||||||||||
| description / sl | description / sl | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 v Franciji | |||||||||||||||
| description / es | description / es | ||||||||||||||
Proyecto Q3673350 en Francia | |||||||||||||||
| description / sv | description / sv | ||||||||||||||
Projekt Q3673350 i Frankrike | |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / budget: 95,149.0 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 44,149.00 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 46.4 percent / rank | |||||||||||||||
| Property / beneficiary name (string) | |||||||||||||||
| Property / beneficiary name (string): CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE / rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Development of ultra-high resolution transmission electron microscopy techniques applied to heterostructures III-N (In,Ga)N. CIMAP is equipped with a JEOL ARM 200 microscope with dual Cs correction (sound and objective) and aims to develop quantitative analyses on MET and STEM with EDS wide-angle detector and GIF combined with energy modelling to determine stable structures, local composition and properties of functional materials, in particular their alloys based on III-V nitrides. High-resolution MET imaging will be used to determine local atomic-scale deformations in close collaboration with growth researchers (CRHEAB. Damilano_LEDs visible). The various HR image analysis methods will be evaluated and adapted to heterostructures (In,Ga)N. In parallel, local chemical analysis methods such as electron energy loss spectroscopy (EELS) and energy dispersion X-ray spectroscopy (EDS) will be used in conjunction with scanning MET imaging (STEM) to support quantitative approaches based on the determination of local deformations. The CIMAP microscope has a better spatial resolution than 0.8 Å and is equipped with a cold FEG gun for a better energy resolution than 300 meV, it will allow us to achieve unique results: Studies where the atomic position can be obtained with an accuracy of the order of 1 pm, essential for modeling the properties of heterostructures is discussed. We will also be able to count the atoms in an atomic column, especially foreign atoms (alloy composition: example distribution of d In atoms in InGaN). With the possibility of working at 80 keV and in STEM mode, artifacts due to microscope irradiation will be significantly reduced and with a reasonable resolution probe active sites to understand the possible location of the emission. These developments require a very narrow combination of experience and modeling in a rather long-term effort, so a thesis work is very appropriate. The methods developed will be integrated into existing tools in MET like Digital Micrograph to be available to user teams (English) / qualifier | |||||||||||||||
readability score: 0.5372395676751875
| |||||||||||||||
| Property / postal code | |||||||||||||||
| Property / postal code: 14052 / rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 49°12'0.97"N, 0°20'57.37"W / rank | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Entwicklung von hochauflösenden Elektronenmikroskopietechniken für III-N-Heterostrukturen (In,Ga)N. Das CIPAC ist mit einem JEOL ARM 200 Mikroskop mit doppelter Cs-Korrektur (Sonde und Objektiv) ausgestattet und will quantitative Analysen auf MET und STEM mit EDS Weitwinkel- und GIF-Detektor in Verbindung mit Energiemodellierung entwickeln, um stabile Strukturen, lokale Zusammensetzung und Eigenschaften funktionaler Materialien zu bestimmen, insbesondere ihre Legierungen basieren auf III-V-Nitriden. Die hochauflösende MET-Bildgebung wird verwendet, um lokale Atomverformungen in enger Zusammenarbeit mit Forschern zu bestimmen, die das Wachstum realisieren (HCR). Damilano_LEDs sichtbar). Die verschiedenen Methoden zur Analyse von HR-Bildern werden für Heterostrukturen (In,Ga)N ausgewertet und angepasst. Gleichzeitig werden lokale chemische Analysemethoden wie die Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS) und die Spektroskopie von Röntgenstrahlen in Energiedispersion (EDS) zusammen mit der MET-Scanning-Bildgebung (STEM) eingesetzt, um quantitative Verfahren auf der Grundlage der Bestimmung der lokalen Deformationen zu unterstützen. Das Mikroskop des CIMAP hat eine bessere räumliche Auflösung als 0,8 Å und ist mit einem FEG-Kaltkanon für eine bessere Energieauflösung als 300 meV ausgestattet und ermöglicht es uns, einzigartige Ergebnisse zu erzielen: Es werden Untersuchungen behandelt, bei denen die Atomposition mit einer Genauigkeit von 1 pm erreicht werden kann, die für die Modellierung der Eigenschaften von Heterostrukturen wesentlich sind. Man kann auch Atome in einer Atomsäule zählen, insbesondere Fremdatome (Legierungszusammensetzung: Beispiel Verteilung von In-Atomen in InGaN). Mit der Möglichkeit, bei 80 keV und im MINT-Modus zu arbeiten, werden die Artefakte aufgrund der Bestrahlung unter dem Mikroskop erheblich reduziert und mit einer angemessenen Auflösung die aktiven Standorte untersucht, um die mögliche Lokalisierung der Sendung zu verstehen. Diese Entwicklungen erfordern eine sehr enge Kombination von Erfahrung und Modellierung in einem ziemlich langen Atem, so dass eine Dissertationsarbeit sehr gut geeignet ist. Die entwickelten Methoden werden in bereits bestehende MET-Tools wie Digital Micrograph integriert, um den Anwenderteams zur Verfügung zu stehen. (German) | |||||||||||||||
| Property / summary: Entwicklung von hochauflösenden Elektronenmikroskopietechniken für III-N-Heterostrukturen (In,Ga)N. Das CIPAC ist mit einem JEOL ARM 200 Mikroskop mit doppelter Cs-Korrektur (Sonde und Objektiv) ausgestattet und will quantitative Analysen auf MET und STEM mit EDS Weitwinkel- und GIF-Detektor in Verbindung mit Energiemodellierung entwickeln, um stabile Strukturen, lokale Zusammensetzung und Eigenschaften funktionaler Materialien zu bestimmen, insbesondere ihre Legierungen basieren auf III-V-Nitriden. Die hochauflösende MET-Bildgebung wird verwendet, um lokale Atomverformungen in enger Zusammenarbeit mit Forschern zu bestimmen, die das Wachstum realisieren (HCR). Damilano_LEDs sichtbar). Die verschiedenen Methoden zur Analyse von HR-Bildern werden für Heterostrukturen (In,Ga)N ausgewertet und angepasst. Gleichzeitig werden lokale chemische Analysemethoden wie die Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS) und die Spektroskopie von Röntgenstrahlen in Energiedispersion (EDS) zusammen mit der MET-Scanning-Bildgebung (STEM) eingesetzt, um quantitative Verfahren auf der Grundlage der Bestimmung der lokalen Deformationen zu unterstützen. Das Mikroskop des CIMAP hat eine bessere räumliche Auflösung als 0,8 Å und ist mit einem FEG-Kaltkanon für eine bessere Energieauflösung als 300 meV ausgestattet und ermöglicht es uns, einzigartige Ergebnisse zu erzielen: Es werden Untersuchungen behandelt, bei denen die Atomposition mit einer Genauigkeit von 1 pm erreicht werden kann, die für die Modellierung der Eigenschaften von Heterostrukturen wesentlich sind. Man kann auch Atome in einer Atomsäule zählen, insbesondere Fremdatome (Legierungszusammensetzung: Beispiel Verteilung von In-Atomen in InGaN). Mit der Möglichkeit, bei 80 keV und im MINT-Modus zu arbeiten, werden die Artefakte aufgrund der Bestrahlung unter dem Mikroskop erheblich reduziert und mit einer angemessenen Auflösung die aktiven Standorte untersucht, um die mögliche Lokalisierung der Sendung zu verstehen. Diese Entwicklungen erfordern eine sehr enge Kombination von Erfahrung und Modellierung in einem ziemlich langen Atem, so dass eine Dissertationsarbeit sehr gut geeignet ist. Die entwickelten Methoden werden in bereits bestehende MET-Tools wie Digital Micrograph integriert, um den Anwenderteams zur Verfügung zu stehen. (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Entwicklung von hochauflösenden Elektronenmikroskopietechniken für III-N-Heterostrukturen (In,Ga)N. Das CIPAC ist mit einem JEOL ARM 200 Mikroskop mit doppelter Cs-Korrektur (Sonde und Objektiv) ausgestattet und will quantitative Analysen auf MET und STEM mit EDS Weitwinkel- und GIF-Detektor in Verbindung mit Energiemodellierung entwickeln, um stabile Strukturen, lokale Zusammensetzung und Eigenschaften funktionaler Materialien zu bestimmen, insbesondere ihre Legierungen basieren auf III-V-Nitriden. Die hochauflösende MET-Bildgebung wird verwendet, um lokale Atomverformungen in enger Zusammenarbeit mit Forschern zu bestimmen, die das Wachstum realisieren (HCR). Damilano_LEDs sichtbar). Die verschiedenen Methoden zur Analyse von HR-Bildern werden für Heterostrukturen (In,Ga)N ausgewertet und angepasst. Gleichzeitig werden lokale chemische Analysemethoden wie die Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS) und die Spektroskopie von Röntgenstrahlen in Energiedispersion (EDS) zusammen mit der MET-Scanning-Bildgebung (STEM) eingesetzt, um quantitative Verfahren auf der Grundlage der Bestimmung der lokalen Deformationen zu unterstützen. Das Mikroskop des CIMAP hat eine bessere räumliche Auflösung als 0,8 Å und ist mit einem FEG-Kaltkanon für eine bessere Energieauflösung als 300 meV ausgestattet und ermöglicht es uns, einzigartige Ergebnisse zu erzielen: Es werden Untersuchungen behandelt, bei denen die Atomposition mit einer Genauigkeit von 1 pm erreicht werden kann, die für die Modellierung der Eigenschaften von Heterostrukturen wesentlich sind. Man kann auch Atome in einer Atomsäule zählen, insbesondere Fremdatome (Legierungszusammensetzung: Beispiel Verteilung von In-Atomen in InGaN). Mit der Möglichkeit, bei 80 keV und im MINT-Modus zu arbeiten, werden die Artefakte aufgrund der Bestrahlung unter dem Mikroskop erheblich reduziert und mit einer angemessenen Auflösung die aktiven Standorte untersucht, um die mögliche Lokalisierung der Sendung zu verstehen. Diese Entwicklungen erfordern eine sehr enge Kombination von Erfahrung und Modellierung in einem ziemlich langen Atem, so dass eine Dissertationsarbeit sehr gut geeignet ist. Die entwickelten Methoden werden in bereits bestehende MET-Tools wie Digital Micrograph integriert, um den Anwenderteams zur Verfügung zu stehen. (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 1 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Ontwikkeling van ultrahoge resolutie transmissie elektronenmicroscopie technieken toegepast op heterostructuren III-N (In,Ga)N. CIMAP is uitgerust met een JEOL ARM 200 microscoop met dubbele Cs correctie (geluid en objectief) en is gericht op het ontwikkelen van kwantitatieve analyses op MET en STEM met EDS groothoek detector en GIF gecombineerd met energie modellering om stabiele structuren, lokale samenstelling en eigenschappen van functionele materialen te bepalen, in het bijzonder hun legeringen op basis van III-V nitrides. High-resolution MET imaging zal worden gebruikt om lokale atomaire-schaal deformaties te bepalen in nauwe samenwerking met groeionderzoekers (CRHEAB. Damilano_LED’s zichtbaar). De verschillende HR-beeldanalysemethoden worden geëvalueerd en aangepast aan heterostructuren (In,Ga)N. Tegelijkertijd worden lokale chemische analysemethoden zoals elektronenenergieverliesspectroscopie (EELS) en energiedispersiespectroscopie (EDS) gebruikt in combinatie met scanning MET imaging (STEM) ter ondersteuning van kwantitatieve benaderingen op basis van de bepaling van lokale vervormingen. De CIMAP microscoop heeft een betere ruimtelijke resolutie dan 0,8 Å en is uitgerust met een koud FEG-pistool voor een betere energieresolutie dan 300 meV, waardoor we unieke resultaten kunnen behalen: Studies waarbij de atomaire positie kan worden verkregen met een nauwkeurigheid van de orde van 1 pm, essentieel voor het modelleren van de eigenschappen van heterostructuren wordt besproken. We zullen ook in staat zijn om de atomen te tellen in een atoomkolom, vooral buitenlandse atomen (legering samenstelling: voorbeeld distributie van d In atomen in InGaN). Met de mogelijkheid om op 80 keV en in STEM-modus te werken, zullen artefacten als gevolg van microscoopstraling aanzienlijk worden verminderd en met een redelijke resolutiesonde actieve locaties om de mogelijke locatie van de emissie te begrijpen. Deze ontwikkelingen vereisen een zeer smalle combinatie van ervaring en modellering op een vrij lange termijn inspanning, dus een proefwerk is zeer geschikt. De ontwikkelde methoden zullen worden geïntegreerd in bestaande instrumenten in MET zoals Digital Micrograph om beschikbaar te zijn voor gebruikersteams (Dutch) | |||||||||||||||
| Property / summary: Ontwikkeling van ultrahoge resolutie transmissie elektronenmicroscopie technieken toegepast op heterostructuren III-N (In,Ga)N. CIMAP is uitgerust met een JEOL ARM 200 microscoop met dubbele Cs correctie (geluid en objectief) en is gericht op het ontwikkelen van kwantitatieve analyses op MET en STEM met EDS groothoek detector en GIF gecombineerd met energie modellering om stabiele structuren, lokale samenstelling en eigenschappen van functionele materialen te bepalen, in het bijzonder hun legeringen op basis van III-V nitrides. High-resolution MET imaging zal worden gebruikt om lokale atomaire-schaal deformaties te bepalen in nauwe samenwerking met groeionderzoekers (CRHEAB. Damilano_LED’s zichtbaar). De verschillende HR-beeldanalysemethoden worden geëvalueerd en aangepast aan heterostructuren (In,Ga)N. Tegelijkertijd worden lokale chemische analysemethoden zoals elektronenenergieverliesspectroscopie (EELS) en energiedispersiespectroscopie (EDS) gebruikt in combinatie met scanning MET imaging (STEM) ter ondersteuning van kwantitatieve benaderingen op basis van de bepaling van lokale vervormingen. De CIMAP microscoop heeft een betere ruimtelijke resolutie dan 0,8 Å en is uitgerust met een koud FEG-pistool voor een betere energieresolutie dan 300 meV, waardoor we unieke resultaten kunnen behalen: Studies waarbij de atomaire positie kan worden verkregen met een nauwkeurigheid van de orde van 1 pm, essentieel voor het modelleren van de eigenschappen van heterostructuren wordt besproken. We zullen ook in staat zijn om de atomen te tellen in een atoomkolom, vooral buitenlandse atomen (legering samenstelling: voorbeeld distributie van d In atomen in InGaN). Met de mogelijkheid om op 80 keV en in STEM-modus te werken, zullen artefacten als gevolg van microscoopstraling aanzienlijk worden verminderd en met een redelijke resolutiesonde actieve locaties om de mogelijke locatie van de emissie te begrijpen. Deze ontwikkelingen vereisen een zeer smalle combinatie van ervaring en modellering op een vrij lange termijn inspanning, dus een proefwerk is zeer geschikt. De ontwikkelde methoden zullen worden geïntegreerd in bestaande instrumenten in MET zoals Digital Micrograph om beschikbaar te zijn voor gebruikersteams (Dutch) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Ontwikkeling van ultrahoge resolutie transmissie elektronenmicroscopie technieken toegepast op heterostructuren III-N (In,Ga)N. CIMAP is uitgerust met een JEOL ARM 200 microscoop met dubbele Cs correctie (geluid en objectief) en is gericht op het ontwikkelen van kwantitatieve analyses op MET en STEM met EDS groothoek detector en GIF gecombineerd met energie modellering om stabiele structuren, lokale samenstelling en eigenschappen van functionele materialen te bepalen, in het bijzonder hun legeringen op basis van III-V nitrides. High-resolution MET imaging zal worden gebruikt om lokale atomaire-schaal deformaties te bepalen in nauwe samenwerking met groeionderzoekers (CRHEAB. Damilano_LED’s zichtbaar). De verschillende HR-beeldanalysemethoden worden geëvalueerd en aangepast aan heterostructuren (In,Ga)N. Tegelijkertijd worden lokale chemische analysemethoden zoals elektronenenergieverliesspectroscopie (EELS) en energiedispersiespectroscopie (EDS) gebruikt in combinatie met scanning MET imaging (STEM) ter ondersteuning van kwantitatieve benaderingen op basis van de bepaling van lokale vervormingen. De CIMAP microscoop heeft een betere ruimtelijke resolutie dan 0,8 Å en is uitgerust met een koud FEG-pistool voor een betere energieresolutie dan 300 meV, waardoor we unieke resultaten kunnen behalen: Studies waarbij de atomaire positie kan worden verkregen met een nauwkeurigheid van de orde van 1 pm, essentieel voor het modelleren van de eigenschappen van heterostructuren wordt besproken. We zullen ook in staat zijn om de atomen te tellen in een atoomkolom, vooral buitenlandse atomen (legering samenstelling: voorbeeld distributie van d In atomen in InGaN). Met de mogelijkheid om op 80 keV en in STEM-modus te werken, zullen artefacten als gevolg van microscoopstraling aanzienlijk worden verminderd en met een redelijke resolutiesonde actieve locaties om de mogelijke locatie van de emissie te begrijpen. Deze ontwikkelingen vereisen een zeer smalle combinatie van ervaring en modellering op een vrij lange termijn inspanning, dus een proefwerk is zeer geschikt. De ontwikkelde methoden zullen worden geïntegreerd in bestaande instrumenten in MET zoals Digital Micrograph om beschikbaar te zijn voor gebruikersteams (Dutch) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 6 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Sviluppo di tecniche di microscopia elettronica di trasmissione ad altissima risoluzione applicate alle eterostrutture III-N (In,Ga)N. Il CIMAP è dotato di un microscopio JEOL ARM 200 con correzione dual Cs (suono e obiettivo) e mira a sviluppare analisi quantitative su MET e STEM con rivelatore a grandangolo EDS e GIF abbinato alla modellazione energetica per determinare strutture stabili, composizione locale e proprietà dei materiali funzionali, in particolare le leghe basate su nitruri III-V. L'imaging MET ad alta risoluzione sarà utilizzato per determinare le deformazioni locali su scala atomica in stretta collaborazione con i ricercatori in crescita (CRHEAB. Damilano_LED visibili). I vari metodi di analisi delle immagini HR saranno valutati e adattati alle eterostrutture (In,Ga)N. In parallelo, i metodi di analisi chimica locale come la spettroscopia di perdita di energia elettronica (EELS) e la spettroscopia a raggi X a dispersione di energia (EDS) saranno utilizzati in combinazione con la scansione MET imaging (STEM) per supportare approcci quantitativi basati sulla determinazione delle deformazioni locali. Il microscopio CIMAP ha una risoluzione spaziale migliore di 0,8 Å ed è dotato di una pistola FEG fredda per una risoluzione energetica migliore di 300 meV, ci permetterà di ottenere risultati unici: Studi in cui la posizione atomica può essere ottenuta con una precisione dell'ordine di 1 pm, essenziale per modellare le proprietà delle eterostrutture è discusso. Saremo anche in grado di contare gli atomi in una colonna atomica, in particolare atomi estranei (composizione in lega: esempio di distribuzione di d In atomi in InGaN). Con la possibilità di lavorare a 80 keV e in modalità STEM, gli artefatti dovuti all'irradiazione del microscopio saranno significativamente ridotti e con una ragionevole risoluzione dei siti attivi della sonda per comprendere la possibile posizione dell'emissione. Questi sviluppi richiedono una combinazione molto ristretta di esperienza e modellazione in uno sforzo piuttosto a lungo termine, per cui un lavoro di tesi è molto appropriato. I metodi sviluppati saranno integrati in strumenti esistenti in MET come Digital Micrograph per essere disponibili ai team di utenti (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Sviluppo di tecniche di microscopia elettronica di trasmissione ad altissima risoluzione applicate alle eterostrutture III-N (In,Ga)N. Il CIMAP è dotato di un microscopio JEOL ARM 200 con correzione dual Cs (suono e obiettivo) e mira a sviluppare analisi quantitative su MET e STEM con rivelatore a grandangolo EDS e GIF abbinato alla modellazione energetica per determinare strutture stabili, composizione locale e proprietà dei materiali funzionali, in particolare le leghe basate su nitruri III-V. L'imaging MET ad alta risoluzione sarà utilizzato per determinare le deformazioni locali su scala atomica in stretta collaborazione con i ricercatori in crescita (CRHEAB. Damilano_LED visibili). I vari metodi di analisi delle immagini HR saranno valutati e adattati alle eterostrutture (In,Ga)N. In parallelo, i metodi di analisi chimica locale come la spettroscopia di perdita di energia elettronica (EELS) e la spettroscopia a raggi X a dispersione di energia (EDS) saranno utilizzati in combinazione con la scansione MET imaging (STEM) per supportare approcci quantitativi basati sulla determinazione delle deformazioni locali. Il microscopio CIMAP ha una risoluzione spaziale migliore di 0,8 Å ed è dotato di una pistola FEG fredda per una risoluzione energetica migliore di 300 meV, ci permetterà di ottenere risultati unici: Studi in cui la posizione atomica può essere ottenuta con una precisione dell'ordine di 1 pm, essenziale per modellare le proprietà delle eterostrutture è discusso. Saremo anche in grado di contare gli atomi in una colonna atomica, in particolare atomi estranei (composizione in lega: esempio di distribuzione di d In atomi in InGaN). Con la possibilità di lavorare a 80 keV e in modalità STEM, gli artefatti dovuti all'irradiazione del microscopio saranno significativamente ridotti e con una ragionevole risoluzione dei siti attivi della sonda per comprendere la possibile posizione dell'emissione. Questi sviluppi richiedono una combinazione molto ristretta di esperienza e modellazione in uno sforzo piuttosto a lungo termine, per cui un lavoro di tesi è molto appropriato. I metodi sviluppati saranno integrati in strumenti esistenti in MET come Digital Micrograph per essere disponibili ai team di utenti (Italian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Sviluppo di tecniche di microscopia elettronica di trasmissione ad altissima risoluzione applicate alle eterostrutture III-N (In,Ga)N. Il CIMAP è dotato di un microscopio JEOL ARM 200 con correzione dual Cs (suono e obiettivo) e mira a sviluppare analisi quantitative su MET e STEM con rivelatore a grandangolo EDS e GIF abbinato alla modellazione energetica per determinare strutture stabili, composizione locale e proprietà dei materiali funzionali, in particolare le leghe basate su nitruri III-V. L'imaging MET ad alta risoluzione sarà utilizzato per determinare le deformazioni locali su scala atomica in stretta collaborazione con i ricercatori in crescita (CRHEAB. Damilano_LED visibili). I vari metodi di analisi delle immagini HR saranno valutati e adattati alle eterostrutture (In,Ga)N. In parallelo, i metodi di analisi chimica locale come la spettroscopia di perdita di energia elettronica (EELS) e la spettroscopia a raggi X a dispersione di energia (EDS) saranno utilizzati in combinazione con la scansione MET imaging (STEM) per supportare approcci quantitativi basati sulla determinazione delle deformazioni locali. Il microscopio CIMAP ha una risoluzione spaziale migliore di 0,8 Å ed è dotato di una pistola FEG fredda per una risoluzione energetica migliore di 300 meV, ci permetterà di ottenere risultati unici: Studi in cui la posizione atomica può essere ottenuta con una precisione dell'ordine di 1 pm, essenziale per modellare le proprietà delle eterostrutture è discusso. Saremo anche in grado di contare gli atomi in una colonna atomica, in particolare atomi estranei (composizione in lega: esempio di distribuzione di d In atomi in InGaN). Con la possibilità di lavorare a 80 keV e in modalità STEM, gli artefatti dovuti all'irradiazione del microscopio saranno significativamente ridotti e con una ragionevole risoluzione dei siti attivi della sonda per comprendere la possibile posizione dell'emissione. Questi sviluppi richiedono una combinazione molto ristretta di esperienza e modellazione in uno sforzo piuttosto a lungo termine, per cui un lavoro di tesi è molto appropriato. I metodi sviluppati saranno integrati in strumenti esistenti in MET come Digital Micrograph per essere disponibili ai team di utenti (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
CIMAP está equipado con un microscopio JEOL ARM 200 con doble corrección de Cs (sonido y objetivo) y tiene como objetivo desarrollar análisis cuantitativos sobre MET y STEM con detector de ángulo amplio EDS y GIF combinado con modelado energético para determinar estructuras estables, composición local y propiedades de los materiales funcionales, en particular sus aleaciones basadas en nitruros III-V. Damilano_LEDs visibles). Los diversos métodos de análisis de imágenes de RR se evaluarán y adaptarán a las heteroestructuras (In,Ga)N. En paralelo, se utilizarán métodos de análisis químico local como la espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS) y la espectroscopia de rayos X de dispersión de energía (EDS) junto con la exploración de imágenes MET (STEM) para apoyar enfoques cuantitativos basados en la determinación de deformaciones locales. El microscopio CIMAP tiene una mejor resolución espacial que 0,8 Å y está equipado con una pistola FEG en frío para una mejor resolución energética que 300 meV, nos permitirá lograr resultados únicos: Se discuten los estudios en los que se puede obtener la posición atómica con una precisión del orden de 1 pm, esencial para modelar las propiedades de las heteroestructuras. También podremos contar los átomos en una columna atómica, especialmente los átomos extraños (composición de la aleación: ejemplo de distribución de d In átomos en InGaN). Con la posibilidad de trabajar a 80 keV y en modo STEM, los artefactos debidos a la irradiación del microscopio se reducirán significativamente y con una sonda de resolución razonable sitios activos para entender la posible ubicación de la emisión. Estos desarrollos requieren una combinación muy estrecha de experiencia y modelado en un esfuerzo bastante a largo plazo, por lo que un trabajo de tesis es muy apropiado. Los métodos desarrollados se integrarán en las herramientas existentes en MET, como el Micrografo Digital, para estar a disposición de los equipos de usuarios (Spanish) | |||||||||||||||
| Property / summary: CIMAP está equipado con un microscopio JEOL ARM 200 con doble corrección de Cs (sonido y objetivo) y tiene como objetivo desarrollar análisis cuantitativos sobre MET y STEM con detector de ángulo amplio EDS y GIF combinado con modelado energético para determinar estructuras estables, composición local y propiedades de los materiales funcionales, en particular sus aleaciones basadas en nitruros III-V. Damilano_LEDs visibles). Los diversos métodos de análisis de imágenes de RR se evaluarán y adaptarán a las heteroestructuras (In,Ga)N. En paralelo, se utilizarán métodos de análisis químico local como la espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS) y la espectroscopia de rayos X de dispersión de energía (EDS) junto con la exploración de imágenes MET (STEM) para apoyar enfoques cuantitativos basados en la determinación de deformaciones locales. El microscopio CIMAP tiene una mejor resolución espacial que 0,8 Å y está equipado con una pistola FEG en frío para una mejor resolución energética que 300 meV, nos permitirá lograr resultados únicos: Se discuten los estudios en los que se puede obtener la posición atómica con una precisión del orden de 1 pm, esencial para modelar las propiedades de las heteroestructuras. También podremos contar los átomos en una columna atómica, especialmente los átomos extraños (composición de la aleación: ejemplo de distribución de d In átomos en InGaN). Con la posibilidad de trabajar a 80 keV y en modo STEM, los artefactos debidos a la irradiación del microscopio se reducirán significativamente y con una sonda de resolución razonable sitios activos para entender la posible ubicación de la emisión. Estos desarrollos requieren una combinación muy estrecha de experiencia y modelado en un esfuerzo bastante a largo plazo, por lo que un trabajo de tesis es muy apropiado. Los métodos desarrollados se integrarán en las herramientas existentes en MET, como el Micrografo Digital, para estar a disposición de los equipos de usuarios (Spanish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: CIMAP está equipado con un microscopio JEOL ARM 200 con doble corrección de Cs (sonido y objetivo) y tiene como objetivo desarrollar análisis cuantitativos sobre MET y STEM con detector de ángulo amplio EDS y GIF combinado con modelado energético para determinar estructuras estables, composición local y propiedades de los materiales funcionales, en particular sus aleaciones basadas en nitruros III-V. Damilano_LEDs visibles). Los diversos métodos de análisis de imágenes de RR se evaluarán y adaptarán a las heteroestructuras (In,Ga)N. En paralelo, se utilizarán métodos de análisis químico local como la espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS) y la espectroscopia de rayos X de dispersión de energía (EDS) junto con la exploración de imágenes MET (STEM) para apoyar enfoques cuantitativos basados en la determinación de deformaciones locales. El microscopio CIMAP tiene una mejor resolución espacial que 0,8 Å y está equipado con una pistola FEG en frío para una mejor resolución energética que 300 meV, nos permitirá lograr resultados únicos: Se discuten los estudios en los que se puede obtener la posición atómica con una precisión del orden de 1 pm, esencial para modelar las propiedades de las heteroestructuras. También podremos contar los átomos en una columna atómica, especialmente los átomos extraños (composición de la aleación: ejemplo de distribución de d In átomos en InGaN). Con la posibilidad de trabajar a 80 keV y en modo STEM, los artefactos debidos a la irradiación del microscopio se reducirán significativamente y con una sonda de resolución razonable sitios activos para entender la posible ubicación de la emisión. Estos desarrollos requieren una combinación muy estrecha de experiencia y modelado en un esfuerzo bastante a largo plazo, por lo que un trabajo de tesis es muy apropiado. Los métodos desarrollados se integrarán en las herramientas existentes en MET, como el Micrografo Digital, para estar a disposición de los equipos de usuarios (Spanish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 14 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
CIMAP on varustatud JEOL ARM 200 mikroskoobiga kahe Cs korrektsiooniga (heli ja objektiivne) ning selle eesmärk on välja töötada MET ja STEM kvantitatiivsed analüüsid EDS-i lainurkdetektoriga ja GIF koos energiamodelleerimisega, et määrata kindlaks funktsionaalsete materjalide stabiilsed struktuurid, kohalik koostis ja omadused, eelkõige nende sulamid, mis põhinevad III-V nitriididel. Kõrgresolutsiooniga MET-fotosid kasutatakse kohalike aatomimõõtmeliste deformatsioonide kindlakstegemiseks tihedas koostöös kasvuteadlastega (CRHEAB. Damilano_LEDid on nähtavad). Erinevaid HR-kujutise analüüsi meetodeid hinnatakse ja kohandatakse vastavalt heterostruktuuridele (In, Ga)N. Samal ajal kasutatakse koos lokaalsete deformatsioonide tuvastamisel põhinevate kvantitatiivsete lähenemisviisidega kohalikke keemilisi analüüsimeetodeid, nagu elektronide energiakao spektroskoopia (EELS) ja energiadispersiooni röntgenspektroskoopia (EDS). CIMAPi mikroskoobil on parem ruumiline eraldusvõime kui 0,8 Å ja see on varustatud külma FEG-püstoliga, et saavutada parem energiaresolutsioon kui 300 meV, see võimaldab meil saavutada ainulaadseid tulemusi: Arutatakse uuringuid, kus aatomi asendit on võimalik saada järjekorras 1 pm, mis on oluline heterostruktuuride omaduste modelleerimiseks. Samuti on meil võimalik lugeda aatomeid aatomite kolonnis, eriti välismaistes aatomites (sulami koostis: näide d In aatomite jaotusest InGaNis). Võimalusega töötada 80 keV juures ja STEM-režiimis vähendatakse oluliselt mikroskoobi kiiritamisest tingitud artefakte ja mõistliku lahutusvõimega aktiivseid kohti, et mõista emissiooni võimalikku asukohta. Need arengud nõuavad väga kitsast kogemust ja modelleerimist üsna pikaajalises perspektiivis, seega on doktoritöö väga asjakohane. Väljatöötatud meetodid integreeritakse turumajandusliku kohtlemise olemasolevatesse vahenditesse, nagu digitaalne mikrograaf, et need oleksid kasutajarühmadele kättesaadavad. (Estonian) | |||||||||||||||
| Property / summary: CIMAP on varustatud JEOL ARM 200 mikroskoobiga kahe Cs korrektsiooniga (heli ja objektiivne) ning selle eesmärk on välja töötada MET ja STEM kvantitatiivsed analüüsid EDS-i lainurkdetektoriga ja GIF koos energiamodelleerimisega, et määrata kindlaks funktsionaalsete materjalide stabiilsed struktuurid, kohalik koostis ja omadused, eelkõige nende sulamid, mis põhinevad III-V nitriididel. Kõrgresolutsiooniga MET-fotosid kasutatakse kohalike aatomimõõtmeliste deformatsioonide kindlakstegemiseks tihedas koostöös kasvuteadlastega (CRHEAB. Damilano_LEDid on nähtavad). Erinevaid HR-kujutise analüüsi meetodeid hinnatakse ja kohandatakse vastavalt heterostruktuuridele (In, Ga)N. Samal ajal kasutatakse koos lokaalsete deformatsioonide tuvastamisel põhinevate kvantitatiivsete lähenemisviisidega kohalikke keemilisi analüüsimeetodeid, nagu elektronide energiakao spektroskoopia (EELS) ja energiadispersiooni röntgenspektroskoopia (EDS). CIMAPi mikroskoobil on parem ruumiline eraldusvõime kui 0,8 Å ja see on varustatud külma FEG-püstoliga, et saavutada parem energiaresolutsioon kui 300 meV, see võimaldab meil saavutada ainulaadseid tulemusi: Arutatakse uuringuid, kus aatomi asendit on võimalik saada järjekorras 1 pm, mis on oluline heterostruktuuride omaduste modelleerimiseks. Samuti on meil võimalik lugeda aatomeid aatomite kolonnis, eriti välismaistes aatomites (sulami koostis: näide d In aatomite jaotusest InGaNis). Võimalusega töötada 80 keV juures ja STEM-režiimis vähendatakse oluliselt mikroskoobi kiiritamisest tingitud artefakte ja mõistliku lahutusvõimega aktiivseid kohti, et mõista emissiooni võimalikku asukohta. Need arengud nõuavad väga kitsast kogemust ja modelleerimist üsna pikaajalises perspektiivis, seega on doktoritöö väga asjakohane. Väljatöötatud meetodid integreeritakse turumajandusliku kohtlemise olemasolevatesse vahenditesse, nagu digitaalne mikrograaf, et need oleksid kasutajarühmadele kättesaadavad. (Estonian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: CIMAP on varustatud JEOL ARM 200 mikroskoobiga kahe Cs korrektsiooniga (heli ja objektiivne) ning selle eesmärk on välja töötada MET ja STEM kvantitatiivsed analüüsid EDS-i lainurkdetektoriga ja GIF koos energiamodelleerimisega, et määrata kindlaks funktsionaalsete materjalide stabiilsed struktuurid, kohalik koostis ja omadused, eelkõige nende sulamid, mis põhinevad III-V nitriididel. Kõrgresolutsiooniga MET-fotosid kasutatakse kohalike aatomimõõtmeliste deformatsioonide kindlakstegemiseks tihedas koostöös kasvuteadlastega (CRHEAB. Damilano_LEDid on nähtavad). Erinevaid HR-kujutise analüüsi meetodeid hinnatakse ja kohandatakse vastavalt heterostruktuuridele (In, Ga)N. Samal ajal kasutatakse koos lokaalsete deformatsioonide tuvastamisel põhinevate kvantitatiivsete lähenemisviisidega kohalikke keemilisi analüüsimeetodeid, nagu elektronide energiakao spektroskoopia (EELS) ja energiadispersiooni röntgenspektroskoopia (EDS). CIMAPi mikroskoobil on parem ruumiline eraldusvõime kui 0,8 Å ja see on varustatud külma FEG-püstoliga, et saavutada parem energiaresolutsioon kui 300 meV, see võimaldab meil saavutada ainulaadseid tulemusi: Arutatakse uuringuid, kus aatomi asendit on võimalik saada järjekorras 1 pm, mis on oluline heterostruktuuride omaduste modelleerimiseks. Samuti on meil võimalik lugeda aatomeid aatomite kolonnis, eriti välismaistes aatomites (sulami koostis: näide d In aatomite jaotusest InGaNis). Võimalusega töötada 80 keV juures ja STEM-režiimis vähendatakse oluliselt mikroskoobi kiiritamisest tingitud artefakte ja mõistliku lahutusvõimega aktiivseid kohti, et mõista emissiooni võimalikku asukohta. Need arengud nõuavad väga kitsast kogemust ja modelleerimist üsna pikaajalises perspektiivis, seega on doktoritöö väga asjakohane. Väljatöötatud meetodid integreeritakse turumajandusliku kohtlemise olemasolevatesse vahenditesse, nagu digitaalne mikrograaf, et need oleksid kasutajarühmadele kättesaadavad. (Estonian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Itin didelės skiriamosios gebos perdavimo elektronų mikroskopijos metodų, taikomų heterostruktūroms III-N (In,Ga)N, kūrimas. CIMAP yra įrengtas JEOL ARM 200 mikroskopas su dviguba Cs korekcija (garsu ir objektyviu) ir siekiama parengti kiekybinę MET ir STEM analizę su EDS plataus kampo detektoriumi ir GIF kartu su energijos modeliavimu, kad būtų galima nustatyti stabilias struktūras, vietinę sudėtį ir funkcinių medžiagų savybes, ypač jų lydinius, pagrįstus III-V nitridais. Didelės skiriamosios gebos MET vaizdavimas bus naudojamas siekiant nustatyti vietines atominio masto deformacijas glaudžiai bendradarbiaujant su augimo tyrėjais (CRHEAB. Damilano_LED matomi). Įvairūs HR vaizdo analizės metodai bus įvertinti ir pritaikyti heterostruktūroms (In,Ga)N. Tuo pačiu metu bus naudojami vietiniai cheminės analizės metodai, tokie kaip elektronų energijos nuostolių spektroskopija (EELS) ir energijos dispersijos rentgeno spektroskopija (EDS), kartu su MET vaizdo skenavimu (STEM), siekiant paremti kiekybinius metodus, pagrįstus vietinių deformacijų nustatymu. CIMAP mikroskopas turi geresnę erdvinę skiriamąją gebą nei 0,8 Å, jame įrengtas šaltas FEG pistoletas, užtikrinantis geresnę energinę skiriamąją gebą nei 300 meV, tai leis mums pasiekti unikalių rezultatų: Tyrimai, kuriuose atominė padėtis gali būti gauta 1 pm tikslumu, yra aptariami heterostruktūrų savybių modeliavimui. Mes taip pat galėsime skaičiuoti atominius atomus, ypač užsienio atomus (lydinio sudėtis: d In atomų pasiskirstymas InGaN). Su galimybe dirbti 80 keV ir STEM režimu, artefaktai dėl mikroskopo švitinimo bus žymiai sumažinti ir su pagrįsta skiriamąja geba zondas aktyvias svetaines suprasti galimą vietą emisijos. Šie pokyčiai reikalauja labai siauro patirties ir modeliavimo derinio gana ilgu laikotarpiu, todėl darbas yra labai tinkamas. Sukurti metodai bus integruoti į esamas MET priemones, pvz., „Digital Micrograph“, kurios bus prieinamos naudotojų grupėms. (Lithuanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Itin didelės skiriamosios gebos perdavimo elektronų mikroskopijos metodų, taikomų heterostruktūroms III-N (In,Ga)N, kūrimas. CIMAP yra įrengtas JEOL ARM 200 mikroskopas su dviguba Cs korekcija (garsu ir objektyviu) ir siekiama parengti kiekybinę MET ir STEM analizę su EDS plataus kampo detektoriumi ir GIF kartu su energijos modeliavimu, kad būtų galima nustatyti stabilias struktūras, vietinę sudėtį ir funkcinių medžiagų savybes, ypač jų lydinius, pagrįstus III-V nitridais. Didelės skiriamosios gebos MET vaizdavimas bus naudojamas siekiant nustatyti vietines atominio masto deformacijas glaudžiai bendradarbiaujant su augimo tyrėjais (CRHEAB. Damilano_LED matomi). Įvairūs HR vaizdo analizės metodai bus įvertinti ir pritaikyti heterostruktūroms (In,Ga)N. Tuo pačiu metu bus naudojami vietiniai cheminės analizės metodai, tokie kaip elektronų energijos nuostolių spektroskopija (EELS) ir energijos dispersijos rentgeno spektroskopija (EDS), kartu su MET vaizdo skenavimu (STEM), siekiant paremti kiekybinius metodus, pagrįstus vietinių deformacijų nustatymu. CIMAP mikroskopas turi geresnę erdvinę skiriamąją gebą nei 0,8 Å, jame įrengtas šaltas FEG pistoletas, užtikrinantis geresnę energinę skiriamąją gebą nei 300 meV, tai leis mums pasiekti unikalių rezultatų: Tyrimai, kuriuose atominė padėtis gali būti gauta 1 pm tikslumu, yra aptariami heterostruktūrų savybių modeliavimui. Mes taip pat galėsime skaičiuoti atominius atomus, ypač užsienio atomus (lydinio sudėtis: d In atomų pasiskirstymas InGaN). Su galimybe dirbti 80 keV ir STEM režimu, artefaktai dėl mikroskopo švitinimo bus žymiai sumažinti ir su pagrįsta skiriamąja geba zondas aktyvias svetaines suprasti galimą vietą emisijos. Šie pokyčiai reikalauja labai siauro patirties ir modeliavimo derinio gana ilgu laikotarpiu, todėl darbas yra labai tinkamas. Sukurti metodai bus integruoti į esamas MET priemones, pvz., „Digital Micrograph“, kurios bus prieinamos naudotojų grupėms. (Lithuanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Itin didelės skiriamosios gebos perdavimo elektronų mikroskopijos metodų, taikomų heterostruktūroms III-N (In,Ga)N, kūrimas. CIMAP yra įrengtas JEOL ARM 200 mikroskopas su dviguba Cs korekcija (garsu ir objektyviu) ir siekiama parengti kiekybinę MET ir STEM analizę su EDS plataus kampo detektoriumi ir GIF kartu su energijos modeliavimu, kad būtų galima nustatyti stabilias struktūras, vietinę sudėtį ir funkcinių medžiagų savybes, ypač jų lydinius, pagrįstus III-V nitridais. Didelės skiriamosios gebos MET vaizdavimas bus naudojamas siekiant nustatyti vietines atominio masto deformacijas glaudžiai bendradarbiaujant su augimo tyrėjais (CRHEAB. Damilano_LED matomi). Įvairūs HR vaizdo analizės metodai bus įvertinti ir pritaikyti heterostruktūroms (In,Ga)N. Tuo pačiu metu bus naudojami vietiniai cheminės analizės metodai, tokie kaip elektronų energijos nuostolių spektroskopija (EELS) ir energijos dispersijos rentgeno spektroskopija (EDS), kartu su MET vaizdo skenavimu (STEM), siekiant paremti kiekybinius metodus, pagrįstus vietinių deformacijų nustatymu. CIMAP mikroskopas turi geresnę erdvinę skiriamąją gebą nei 0,8 Å, jame įrengtas šaltas FEG pistoletas, užtikrinantis geresnę energinę skiriamąją gebą nei 300 meV, tai leis mums pasiekti unikalių rezultatų: Tyrimai, kuriuose atominė padėtis gali būti gauta 1 pm tikslumu, yra aptariami heterostruktūrų savybių modeliavimui. Mes taip pat galėsime skaičiuoti atominius atomus, ypač užsienio atomus (lydinio sudėtis: d In atomų pasiskirstymas InGaN). Su galimybe dirbti 80 keV ir STEM režimu, artefaktai dėl mikroskopo švitinimo bus žymiai sumažinti ir su pagrįsta skiriamąja geba zondas aktyvias svetaines suprasti galimą vietą emisijos. Šie pokyčiai reikalauja labai siauro patirties ir modeliavimo derinio gana ilgu laikotarpiu, todėl darbas yra labai tinkamas. Sukurti metodai bus integruoti į esamas MET priemones, pvz., „Digital Micrograph“, kurios bus prieinamos naudotojų grupėms. (Lithuanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
CIMAP je opremljen mikroskopom JEOL ARM 200 s dvostrukim korekcijama Cs (zvuk i cilj) i ima za cilj razviti kvantitativne analize na MET i STEM s EDS širokokutnim detektorom i GIF-om u kombinaciji s energetskim modeliranjem kako bi se utvrdile stabilne strukture, lokalni sastav i svojstva funkcionalnih materijala, posebno njihovih legura na temelju III-V nitrida. Za određivanje lokalnih deformacija atomskih razmjera u bliskoj suradnji s istraživačima rasta (CRHEAB) koristit će se visokorezolucijska MET slika (CRHEAB. Damilano_LED vidljiva). Različite metode analize HR slike ocijenit će se i prilagoditi heterostrukturama (In,Ga)N. Paralelno će se koristiti lokalne metode kemijske analize kao što su spektroskopija gubitka energije elektrona (EELS) i rendgenska spektroskopija (EDS) u kombinaciji s skeniranjem MET snimanja (STEM) kako bi se poduprli kvantitativni pristupi utemeljeni na određivanju lokalnih deformacija. CIMAP mikroskop ima bolju prostornu rezoluciju od 0,8 Å i opremljen je hladnim FEG pištoljem za bolju energetsku rezoluciju od 300 meV, što će nam omogućiti postizanje jedinstvenih rezultata: Studije u kojima se atomski položaj može dobiti s točnošću redoslijeda od 13 sati, raspravlja se o bitnim za modeliranje svojstava heterostruktura. Također ćemo moći brojati atome u atomskom stupcu, osobito stranim atomima (sastav legura: primjer distribucije d U atomima u InGaN-u). Uz mogućnost rada na 80 keV i u STEM načinu rada, artefakti zbog mikroskopa ozračivanja bit će znatno smanjeni i s razumnom sondom za rješavanje aktivnih mjesta kako bi se razumjela moguća lokacija emisije. Ti razvoji zahtijevaju vrlo usku kombinaciju iskustva i modeliranja u prilično dugoročnom naporu, tako da je rad na tezi vrlo prikladan. Razvijene metode integrirat će se u postojeće alate u MET-u kao što je Digital Micrograph koji će biti dostupni timovima korisnika (Croatian) | |||||||||||||||
| Property / summary: CIMAP je opremljen mikroskopom JEOL ARM 200 s dvostrukim korekcijama Cs (zvuk i cilj) i ima za cilj razviti kvantitativne analize na MET i STEM s EDS širokokutnim detektorom i GIF-om u kombinaciji s energetskim modeliranjem kako bi se utvrdile stabilne strukture, lokalni sastav i svojstva funkcionalnih materijala, posebno njihovih legura na temelju III-V nitrida. Za određivanje lokalnih deformacija atomskih razmjera u bliskoj suradnji s istraživačima rasta (CRHEAB) koristit će se visokorezolucijska MET slika (CRHEAB. Damilano_LED vidljiva). Različite metode analize HR slike ocijenit će se i prilagoditi heterostrukturama (In,Ga)N. Paralelno će se koristiti lokalne metode kemijske analize kao što su spektroskopija gubitka energije elektrona (EELS) i rendgenska spektroskopija (EDS) u kombinaciji s skeniranjem MET snimanja (STEM) kako bi se poduprli kvantitativni pristupi utemeljeni na određivanju lokalnih deformacija. CIMAP mikroskop ima bolju prostornu rezoluciju od 0,8 Å i opremljen je hladnim FEG pištoljem za bolju energetsku rezoluciju od 300 meV, što će nam omogućiti postizanje jedinstvenih rezultata: Studije u kojima se atomski položaj može dobiti s točnošću redoslijeda od 13 sati, raspravlja se o bitnim za modeliranje svojstava heterostruktura. Također ćemo moći brojati atome u atomskom stupcu, osobito stranim atomima (sastav legura: primjer distribucije d U atomima u InGaN-u). Uz mogućnost rada na 80 keV i u STEM načinu rada, artefakti zbog mikroskopa ozračivanja bit će znatno smanjeni i s razumnom sondom za rješavanje aktivnih mjesta kako bi se razumjela moguća lokacija emisije. Ti razvoji zahtijevaju vrlo usku kombinaciju iskustva i modeliranja u prilično dugoročnom naporu, tako da je rad na tezi vrlo prikladan. Razvijene metode integrirat će se u postojeće alate u MET-u kao što je Digital Micrograph koji će biti dostupni timovima korisnika (Croatian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: CIMAP je opremljen mikroskopom JEOL ARM 200 s dvostrukim korekcijama Cs (zvuk i cilj) i ima za cilj razviti kvantitativne analize na MET i STEM s EDS širokokutnim detektorom i GIF-om u kombinaciji s energetskim modeliranjem kako bi se utvrdile stabilne strukture, lokalni sastav i svojstva funkcionalnih materijala, posebno njihovih legura na temelju III-V nitrida. Za određivanje lokalnih deformacija atomskih razmjera u bliskoj suradnji s istraživačima rasta (CRHEAB) koristit će se visokorezolucijska MET slika (CRHEAB. Damilano_LED vidljiva). Različite metode analize HR slike ocijenit će se i prilagoditi heterostrukturama (In,Ga)N. Paralelno će se koristiti lokalne metode kemijske analize kao što su spektroskopija gubitka energije elektrona (EELS) i rendgenska spektroskopija (EDS) u kombinaciji s skeniranjem MET snimanja (STEM) kako bi se poduprli kvantitativni pristupi utemeljeni na određivanju lokalnih deformacija. CIMAP mikroskop ima bolju prostornu rezoluciju od 0,8 Å i opremljen je hladnim FEG pištoljem za bolju energetsku rezoluciju od 300 meV, što će nam omogućiti postizanje jedinstvenih rezultata: Studije u kojima se atomski položaj može dobiti s točnošću redoslijeda od 13 sati, raspravlja se o bitnim za modeliranje svojstava heterostruktura. Također ćemo moći brojati atome u atomskom stupcu, osobito stranim atomima (sastav legura: primjer distribucije d U atomima u InGaN-u). Uz mogućnost rada na 80 keV i u STEM načinu rada, artefakti zbog mikroskopa ozračivanja bit će znatno smanjeni i s razumnom sondom za rješavanje aktivnih mjesta kako bi se razumjela moguća lokacija emisije. Ti razvoji zahtijevaju vrlo usku kombinaciju iskustva i modeliranja u prilično dugoročnom naporu, tako da je rad na tezi vrlo prikladan. Razvijene metode integrirat će se u postojeće alate u MET-u kao što je Digital Micrograph koji će biti dostupni timovima korisnika (Croatian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Ανάπτυξη τεχνικών μικροσκοπίας ηλεκτρονίων μετάδοσης υπερυψηλής ανάλυσης που εφαρμόζονται στις ετεροδομές III-N (In,Ga)N. Το CIMAP είναι εξοπλισμένο με μικροσκόπιο JEOL ARM 200 με διπλή διόρθωση Cs (ήχος και αντικειμενικός) και αποσκοπεί στην ανάπτυξη ποσοτικών αναλύσεων σε MET και STEM με ανιχνευτή ευρυγώνιας EDS και GIF σε συνδυασμό με ενεργειακή μοντελοποίηση για τον προσδιορισμό σταθερών δομών, τοπικής σύνθεσης και ιδιοτήτων λειτουργικών υλικών, ιδίως των κραμάτων τους που βασίζονται σε νιτρίδια III-V. Η απεικόνιση MET υψηλής ευκρίνειας θα χρησιμοποιηθεί για τον προσδιορισμό τοπικών παραμορφώσεων ατομικής κλίμακας σε στενή συνεργασία με ερευνητές ανάπτυξης (CRHEAB. Damilano_LEDs ορατό). Οι διάφορες μέθοδοι ανάλυσης εικόνας HR θα αξιολογηθούν και θα προσαρμοστούν στις ετεροδομές (In,Ga)N. Παράλληλα, θα χρησιμοποιηθούν τοπικές μέθοδοι χημικής ανάλυσης όπως η φασματοσκοπία απώλειας ενέργειας ηλεκτρονίων (EELS) και η φασματοσκοπία ακτίνων Χ (EDS) σε συνδυασμό με σάρωση MET απεικόνισης (STEM) για την υποστήριξη ποσοτικών προσεγγίσεων που βασίζονται στον προσδιορισμό των τοπικών παραμορφώσεων. Το μικροσκόπιο CIMAP έχει καλύτερη χωρική ανάλυση από 0,8 Å και είναι εξοπλισμένο με ένα κρύο πυροβόλο όπλο FEG για καλύτερη ενεργειακή ανάλυση από 300 meV, θα μας επιτρέψει να επιτύχουμε μοναδικά αποτελέσματα: Εξετάζονται μελέτες στις οποίες η ατομική θέση μπορεί να επιτευχθεί με ακρίβεια της τάξης του 1 μ.μ., απαραίτητη για τη μοντελοποίηση των ιδιοτήτων των ετεροδομών. Θα είμαστε επίσης σε θέση να μετρήσουμε τα άτομα σε μια ατομική στήλη, ειδικά τα ξένα άτομα (σύνθεση κραμάτων: παράδειγμα κατανομής d Σε άτομα στο InGaN). Με τη δυνατότητα εργασίας σε 80 keV και σε λειτουργία STEM, τα τεχνουργήματα που οφείλονται στην ακτινοβόληση μικροσκοπίων θα μειωθούν σημαντικά και με μια λογική ανάλυση ανιχνευτών ενεργών χώρων για την κατανόηση της πιθανής τοποθεσίας της εκπομπής. Αυτές οι εξελίξεις απαιτούν έναν πολύ στενό συνδυασμό εμπειρίας και μοντελοποίησης σε μια μάλλον μακροπρόθεσμη προσπάθεια, έτσι μια εργασία διατριβής είναι πολύ κατάλληλη. Οι μέθοδοι που θα αναπτυχθούν θα ενσωματωθούν στα υφιστάμενα εργαλεία του MET, όπως το Digital Micrograph, το οποίο θα είναι διαθέσιμο στις ομάδες χρηστών (Greek) | |||||||||||||||
| Property / summary: Ανάπτυξη τεχνικών μικροσκοπίας ηλεκτρονίων μετάδοσης υπερυψηλής ανάλυσης που εφαρμόζονται στις ετεροδομές III-N (In,Ga)N. Το CIMAP είναι εξοπλισμένο με μικροσκόπιο JEOL ARM 200 με διπλή διόρθωση Cs (ήχος και αντικειμενικός) και αποσκοπεί στην ανάπτυξη ποσοτικών αναλύσεων σε MET και STEM με ανιχνευτή ευρυγώνιας EDS και GIF σε συνδυασμό με ενεργειακή μοντελοποίηση για τον προσδιορισμό σταθερών δομών, τοπικής σύνθεσης και ιδιοτήτων λειτουργικών υλικών, ιδίως των κραμάτων τους που βασίζονται σε νιτρίδια III-V. Η απεικόνιση MET υψηλής ευκρίνειας θα χρησιμοποιηθεί για τον προσδιορισμό τοπικών παραμορφώσεων ατομικής κλίμακας σε στενή συνεργασία με ερευνητές ανάπτυξης (CRHEAB. Damilano_LEDs ορατό). Οι διάφορες μέθοδοι ανάλυσης εικόνας HR θα αξιολογηθούν και θα προσαρμοστούν στις ετεροδομές (In,Ga)N. Παράλληλα, θα χρησιμοποιηθούν τοπικές μέθοδοι χημικής ανάλυσης όπως η φασματοσκοπία απώλειας ενέργειας ηλεκτρονίων (EELS) και η φασματοσκοπία ακτίνων Χ (EDS) σε συνδυασμό με σάρωση MET απεικόνισης (STEM) για την υποστήριξη ποσοτικών προσεγγίσεων που βασίζονται στον προσδιορισμό των τοπικών παραμορφώσεων. Το μικροσκόπιο CIMAP έχει καλύτερη χωρική ανάλυση από 0,8 Å και είναι εξοπλισμένο με ένα κρύο πυροβόλο όπλο FEG για καλύτερη ενεργειακή ανάλυση από 300 meV, θα μας επιτρέψει να επιτύχουμε μοναδικά αποτελέσματα: Εξετάζονται μελέτες στις οποίες η ατομική θέση μπορεί να επιτευχθεί με ακρίβεια της τάξης του 1 μ.μ., απαραίτητη για τη μοντελοποίηση των ιδιοτήτων των ετεροδομών. Θα είμαστε επίσης σε θέση να μετρήσουμε τα άτομα σε μια ατομική στήλη, ειδικά τα ξένα άτομα (σύνθεση κραμάτων: παράδειγμα κατανομής d Σε άτομα στο InGaN). Με τη δυνατότητα εργασίας σε 80 keV και σε λειτουργία STEM, τα τεχνουργήματα που οφείλονται στην ακτινοβόληση μικροσκοπίων θα μειωθούν σημαντικά και με μια λογική ανάλυση ανιχνευτών ενεργών χώρων για την κατανόηση της πιθανής τοποθεσίας της εκπομπής. Αυτές οι εξελίξεις απαιτούν έναν πολύ στενό συνδυασμό εμπειρίας και μοντελοποίησης σε μια μάλλον μακροπρόθεσμη προσπάθεια, έτσι μια εργασία διατριβής είναι πολύ κατάλληλη. Οι μέθοδοι που θα αναπτυχθούν θα ενσωματωθούν στα υφιστάμενα εργαλεία του MET, όπως το Digital Micrograph, το οποίο θα είναι διαθέσιμο στις ομάδες χρηστών (Greek) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Ανάπτυξη τεχνικών μικροσκοπίας ηλεκτρονίων μετάδοσης υπερυψηλής ανάλυσης που εφαρμόζονται στις ετεροδομές III-N (In,Ga)N. Το CIMAP είναι εξοπλισμένο με μικροσκόπιο JEOL ARM 200 με διπλή διόρθωση Cs (ήχος και αντικειμενικός) και αποσκοπεί στην ανάπτυξη ποσοτικών αναλύσεων σε MET και STEM με ανιχνευτή ευρυγώνιας EDS και GIF σε συνδυασμό με ενεργειακή μοντελοποίηση για τον προσδιορισμό σταθερών δομών, τοπικής σύνθεσης και ιδιοτήτων λειτουργικών υλικών, ιδίως των κραμάτων τους που βασίζονται σε νιτρίδια III-V. Η απεικόνιση MET υψηλής ευκρίνειας θα χρησιμοποιηθεί για τον προσδιορισμό τοπικών παραμορφώσεων ατομικής κλίμακας σε στενή συνεργασία με ερευνητές ανάπτυξης (CRHEAB. Damilano_LEDs ορατό). Οι διάφορες μέθοδοι ανάλυσης εικόνας HR θα αξιολογηθούν και θα προσαρμοστούν στις ετεροδομές (In,Ga)N. Παράλληλα, θα χρησιμοποιηθούν τοπικές μέθοδοι χημικής ανάλυσης όπως η φασματοσκοπία απώλειας ενέργειας ηλεκτρονίων (EELS) και η φασματοσκοπία ακτίνων Χ (EDS) σε συνδυασμό με σάρωση MET απεικόνισης (STEM) για την υποστήριξη ποσοτικών προσεγγίσεων που βασίζονται στον προσδιορισμό των τοπικών παραμορφώσεων. Το μικροσκόπιο CIMAP έχει καλύτερη χωρική ανάλυση από 0,8 Å και είναι εξοπλισμένο με ένα κρύο πυροβόλο όπλο FEG για καλύτερη ενεργειακή ανάλυση από 300 meV, θα μας επιτρέψει να επιτύχουμε μοναδικά αποτελέσματα: Εξετάζονται μελέτες στις οποίες η ατομική θέση μπορεί να επιτευχθεί με ακρίβεια της τάξης του 1 μ.μ., απαραίτητη για τη μοντελοποίηση των ιδιοτήτων των ετεροδομών. Θα είμαστε επίσης σε θέση να μετρήσουμε τα άτομα σε μια ατομική στήλη, ειδικά τα ξένα άτομα (σύνθεση κραμάτων: παράδειγμα κατανομής d Σε άτομα στο InGaN). Με τη δυνατότητα εργασίας σε 80 keV και σε λειτουργία STEM, τα τεχνουργήματα που οφείλονται στην ακτινοβόληση μικροσκοπίων θα μειωθούν σημαντικά και με μια λογική ανάλυση ανιχνευτών ενεργών χώρων για την κατανόηση της πιθανής τοποθεσίας της εκπομπής. Αυτές οι εξελίξεις απαιτούν έναν πολύ στενό συνδυασμό εμπειρίας και μοντελοποίησης σε μια μάλλον μακροπρόθεσμη προσπάθεια, έτσι μια εργασία διατριβής είναι πολύ κατάλληλη. Οι μέθοδοι που θα αναπτυχθούν θα ενσωματωθούν στα υφιστάμενα εργαλεία του MET, όπως το Digital Micrograph, το οποίο θα είναι διαθέσιμο στις ομάδες χρηστών (Greek) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Vývoj elektrónových mikroskopických techník s ultra vysokým rozlíšením, ktoré sa používajú na heteroštruktúry III-N (In,Ga)N. CIMAP je vybavený mikroskopom JEOL ARM 200 s dvojitou korekciou Cs (zvuková a objektívna) a jeho cieľom je vyvinúť kvantitatívne analýzy MET a STEM so širokouhlým detektorom EDS a GIF v kombinácii s energetickým modelovaním na určenie stabilných štruktúr, miestneho zloženia a vlastností funkčných materiálov, najmä ich zliatin založených na III-V nitridoch. THZ zobrazovanie s vysokým rozlíšením sa použije na určenie lokálnych deformácií atómovej škály v úzkej spolupráci s výskumnými pracovníkmi zaoberajúcimi sa rastom (CRHEAB. Damilano_LED viditeľné). Rôzne metódy analýzy obrazu HR sa vyhodnotia a prispôsobia heteroštruktúram (In,Ga)N. Súčasne sa v spojení so skenovacím MET zobrazovaním (STEM) použijú miestne metódy chemickej analýzy, ako je spektroskopia straty elektrónovej energie (EELS) a röntgenová spektroskopia rozptylu energie (EDS) v spojení so snímaním MET zobrazovania (STEM) na podporu kvantitatívnych prístupov založených na stanovení lokálnych deformácií. CIMAP mikroskop má lepšie priestorové rozlíšenie ako 0,8 Å a je vybavený studenou pištoľou FEG pre lepšie energetické rozlíšenie ako 300 meV, umožní nám dosiahnuť jedinečné výsledky: Diskutuje sa o štúdiách, kde je možné dosiahnuť atómovú polohu s presnosťou rádovo 13:00, ktorá je nevyhnutná pre modelovanie vlastností heteroštruktúr. Budeme tiež môcť spočítať atómy v atómovom stĺpci, najmä zahraničné atómy (zliatinové zloženie: príklad distribúcie atómov d v InGaN). S možnosťou pracovať pri 80 keV a v režime STEM sa výrazne znížia artefakty spôsobené mikroskopom ožarovaním a s primeraným rozlíšením aktívnych miest na pochopenie možného umiestnenia emisie. Tento vývoj si vyžaduje veľmi úzku kombináciu skúseností a modelovania v pomerne dlhodobom úsilí, takže práca na práci je veľmi vhodná. Vyvinuté metódy sa začlenia do existujúcich nástrojov v oblasti MET, ako je digitálny mikrograf, ktoré budú k dispozícii používateľským tímom. (Slovak) | |||||||||||||||
| Property / summary: Vývoj elektrónových mikroskopických techník s ultra vysokým rozlíšením, ktoré sa používajú na heteroštruktúry III-N (In,Ga)N. CIMAP je vybavený mikroskopom JEOL ARM 200 s dvojitou korekciou Cs (zvuková a objektívna) a jeho cieľom je vyvinúť kvantitatívne analýzy MET a STEM so širokouhlým detektorom EDS a GIF v kombinácii s energetickým modelovaním na určenie stabilných štruktúr, miestneho zloženia a vlastností funkčných materiálov, najmä ich zliatin založených na III-V nitridoch. THZ zobrazovanie s vysokým rozlíšením sa použije na určenie lokálnych deformácií atómovej škály v úzkej spolupráci s výskumnými pracovníkmi zaoberajúcimi sa rastom (CRHEAB. Damilano_LED viditeľné). Rôzne metódy analýzy obrazu HR sa vyhodnotia a prispôsobia heteroštruktúram (In,Ga)N. Súčasne sa v spojení so skenovacím MET zobrazovaním (STEM) použijú miestne metódy chemickej analýzy, ako je spektroskopia straty elektrónovej energie (EELS) a röntgenová spektroskopia rozptylu energie (EDS) v spojení so snímaním MET zobrazovania (STEM) na podporu kvantitatívnych prístupov založených na stanovení lokálnych deformácií. CIMAP mikroskop má lepšie priestorové rozlíšenie ako 0,8 Å a je vybavený studenou pištoľou FEG pre lepšie energetické rozlíšenie ako 300 meV, umožní nám dosiahnuť jedinečné výsledky: Diskutuje sa o štúdiách, kde je možné dosiahnuť atómovú polohu s presnosťou rádovo 13:00, ktorá je nevyhnutná pre modelovanie vlastností heteroštruktúr. Budeme tiež môcť spočítať atómy v atómovom stĺpci, najmä zahraničné atómy (zliatinové zloženie: príklad distribúcie atómov d v InGaN). S možnosťou pracovať pri 80 keV a v režime STEM sa výrazne znížia artefakty spôsobené mikroskopom ožarovaním a s primeraným rozlíšením aktívnych miest na pochopenie možného umiestnenia emisie. Tento vývoj si vyžaduje veľmi úzku kombináciu skúseností a modelovania v pomerne dlhodobom úsilí, takže práca na práci je veľmi vhodná. Vyvinuté metódy sa začlenia do existujúcich nástrojov v oblasti MET, ako je digitálny mikrograf, ktoré budú k dispozícii používateľským tímom. (Slovak) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Vývoj elektrónových mikroskopických techník s ultra vysokým rozlíšením, ktoré sa používajú na heteroštruktúry III-N (In,Ga)N. CIMAP je vybavený mikroskopom JEOL ARM 200 s dvojitou korekciou Cs (zvuková a objektívna) a jeho cieľom je vyvinúť kvantitatívne analýzy MET a STEM so širokouhlým detektorom EDS a GIF v kombinácii s energetickým modelovaním na určenie stabilných štruktúr, miestneho zloženia a vlastností funkčných materiálov, najmä ich zliatin založených na III-V nitridoch. THZ zobrazovanie s vysokým rozlíšením sa použije na určenie lokálnych deformácií atómovej škály v úzkej spolupráci s výskumnými pracovníkmi zaoberajúcimi sa rastom (CRHEAB. Damilano_LED viditeľné). Rôzne metódy analýzy obrazu HR sa vyhodnotia a prispôsobia heteroštruktúram (In,Ga)N. Súčasne sa v spojení so skenovacím MET zobrazovaním (STEM) použijú miestne metódy chemickej analýzy, ako je spektroskopia straty elektrónovej energie (EELS) a röntgenová spektroskopia rozptylu energie (EDS) v spojení so snímaním MET zobrazovania (STEM) na podporu kvantitatívnych prístupov založených na stanovení lokálnych deformácií. CIMAP mikroskop má lepšie priestorové rozlíšenie ako 0,8 Å a je vybavený studenou pištoľou FEG pre lepšie energetické rozlíšenie ako 300 meV, umožní nám dosiahnuť jedinečné výsledky: Diskutuje sa o štúdiách, kde je možné dosiahnuť atómovú polohu s presnosťou rádovo 13:00, ktorá je nevyhnutná pre modelovanie vlastností heteroštruktúr. Budeme tiež môcť spočítať atómy v atómovom stĺpci, najmä zahraničné atómy (zliatinové zloženie: príklad distribúcie atómov d v InGaN). S možnosťou pracovať pri 80 keV a v režime STEM sa výrazne znížia artefakty spôsobené mikroskopom ožarovaním a s primeraným rozlíšením aktívnych miest na pochopenie možného umiestnenia emisie. Tento vývoj si vyžaduje veľmi úzku kombináciu skúseností a modelovania v pomerne dlhodobom úsilí, takže práca na práci je veľmi vhodná. Vyvinuté metódy sa začlenia do existujúcich nástrojov v oblasti MET, ako je digitálny mikrograf, ktoré budú k dispozícii používateľským tímom. (Slovak) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Erittäin korkean resoluution siirtoelektronimikroskopiatekniikoiden kehittäminen heterostruktuureihin III-N (In,Ga)N. CIMAP on varustettu JEOL ARM 200 -mikroskoopilla, jossa on kaksi Cs-korjausta (ääni ja objektiivi), ja sen tavoitteena on kehittää kvantitatiivisia analyysejä MET:stä ja STEM:stä EDS-laajakulmailmaisimella ja GIF: llä yhdessä energiamallinnuksen kanssa, jotta voidaan määrittää funktionaalisten materiaalien vakaat rakenteet, paikallinen koostumus ja ominaisuudet, erityisesti niiden seokset, jotka perustuvat III-V nitrideihin. Korkean resoluution MET-kuvausta käytetään paikallisten atomimittaisten muodonmuutosten määrittämiseen tiiviissä yhteistyössä kasvututkijoiden kanssa (CRHEAB. Damilano_LEDs näkyvissä). Erilaisia HR-kuvaanalyysimenetelmiä arvioidaan ja mukautetaan heterorakenteisiin (In,Ga)N. Samanaikaisesti paikallisia kemiallisia analyysimenetelmiä, kuten elektronienergiahäviöspektroskopiaa (EELS) ja energiadispersioröntgenspektroskopiaa (EDS), käytetään yhdessä MET-kuvantamisen (STEM) kanssa paikallisten muodonmuutosten määrittämiseen perustuvien kvantitatiivisten lähestymistapojen tukemiseksi. CIMAP-mikroskoopilla on parempi alueellinen resoluutio kuin 0,8 Å ja se on varustettu kylmällä FEG-pistoolilla paremman energiaresoluution kuin 300 mev: n saavuttamiseksi. Sen avulla voimme saavuttaa ainutlaatuisia tuloksia: Tutkimuksia, joissa atomiasento voidaan saavuttaa tarkkuudella, joka on 1 pm, käsitellään heterostruktuurien ominaisuuksien mallintamisessa. Voimme myös laskea atomeja atomikolonniin, erityisesti ulkomaisia atomeja (seoksen koostumus: esimerkki d in atomeissa InGaN). Kun on mahdollista työskennellä 80 keV:ssä ja STEM-tilassa, mikroskoopin säteilytyksen aiheuttamat esineet vähenevät merkittävästi ja riittävän resoluution anturin aktiiviset paikat ymmärtävät päästön mahdollisen sijainnin. Tämä kehitys edellyttää hyvin kapeaa kokemusten ja mallintamista melko pitkällä aikavälillä, joten opinnäytetyön tekeminen on erittäin asianmukaista. Kehitetyt menetelmät integroidaan olemassa oleviin MET-työkaluihin, kuten Digital Micrographiin, jotta käyttäjäryhmät voivat käyttää niitä. (Finnish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Erittäin korkean resoluution siirtoelektronimikroskopiatekniikoiden kehittäminen heterostruktuureihin III-N (In,Ga)N. CIMAP on varustettu JEOL ARM 200 -mikroskoopilla, jossa on kaksi Cs-korjausta (ääni ja objektiivi), ja sen tavoitteena on kehittää kvantitatiivisia analyysejä MET:stä ja STEM:stä EDS-laajakulmailmaisimella ja GIF: llä yhdessä energiamallinnuksen kanssa, jotta voidaan määrittää funktionaalisten materiaalien vakaat rakenteet, paikallinen koostumus ja ominaisuudet, erityisesti niiden seokset, jotka perustuvat III-V nitrideihin. Korkean resoluution MET-kuvausta käytetään paikallisten atomimittaisten muodonmuutosten määrittämiseen tiiviissä yhteistyössä kasvututkijoiden kanssa (CRHEAB. Damilano_LEDs näkyvissä). Erilaisia HR-kuvaanalyysimenetelmiä arvioidaan ja mukautetaan heterorakenteisiin (In,Ga)N. Samanaikaisesti paikallisia kemiallisia analyysimenetelmiä, kuten elektronienergiahäviöspektroskopiaa (EELS) ja energiadispersioröntgenspektroskopiaa (EDS), käytetään yhdessä MET-kuvantamisen (STEM) kanssa paikallisten muodonmuutosten määrittämiseen perustuvien kvantitatiivisten lähestymistapojen tukemiseksi. CIMAP-mikroskoopilla on parempi alueellinen resoluutio kuin 0,8 Å ja se on varustettu kylmällä FEG-pistoolilla paremman energiaresoluution kuin 300 mev: n saavuttamiseksi. Sen avulla voimme saavuttaa ainutlaatuisia tuloksia: Tutkimuksia, joissa atomiasento voidaan saavuttaa tarkkuudella, joka on 1 pm, käsitellään heterostruktuurien ominaisuuksien mallintamisessa. Voimme myös laskea atomeja atomikolonniin, erityisesti ulkomaisia atomeja (seoksen koostumus: esimerkki d in atomeissa InGaN). Kun on mahdollista työskennellä 80 keV:ssä ja STEM-tilassa, mikroskoopin säteilytyksen aiheuttamat esineet vähenevät merkittävästi ja riittävän resoluution anturin aktiiviset paikat ymmärtävät päästön mahdollisen sijainnin. Tämä kehitys edellyttää hyvin kapeaa kokemusten ja mallintamista melko pitkällä aikavälillä, joten opinnäytetyön tekeminen on erittäin asianmukaista. Kehitetyt menetelmät integroidaan olemassa oleviin MET-työkaluihin, kuten Digital Micrographiin, jotta käyttäjäryhmät voivat käyttää niitä. (Finnish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Erittäin korkean resoluution siirtoelektronimikroskopiatekniikoiden kehittäminen heterostruktuureihin III-N (In,Ga)N. CIMAP on varustettu JEOL ARM 200 -mikroskoopilla, jossa on kaksi Cs-korjausta (ääni ja objektiivi), ja sen tavoitteena on kehittää kvantitatiivisia analyysejä MET:stä ja STEM:stä EDS-laajakulmailmaisimella ja GIF: llä yhdessä energiamallinnuksen kanssa, jotta voidaan määrittää funktionaalisten materiaalien vakaat rakenteet, paikallinen koostumus ja ominaisuudet, erityisesti niiden seokset, jotka perustuvat III-V nitrideihin. Korkean resoluution MET-kuvausta käytetään paikallisten atomimittaisten muodonmuutosten määrittämiseen tiiviissä yhteistyössä kasvututkijoiden kanssa (CRHEAB. Damilano_LEDs näkyvissä). Erilaisia HR-kuvaanalyysimenetelmiä arvioidaan ja mukautetaan heterorakenteisiin (In,Ga)N. Samanaikaisesti paikallisia kemiallisia analyysimenetelmiä, kuten elektronienergiahäviöspektroskopiaa (EELS) ja energiadispersioröntgenspektroskopiaa (EDS), käytetään yhdessä MET-kuvantamisen (STEM) kanssa paikallisten muodonmuutosten määrittämiseen perustuvien kvantitatiivisten lähestymistapojen tukemiseksi. CIMAP-mikroskoopilla on parempi alueellinen resoluutio kuin 0,8 Å ja se on varustettu kylmällä FEG-pistoolilla paremman energiaresoluution kuin 300 mev: n saavuttamiseksi. Sen avulla voimme saavuttaa ainutlaatuisia tuloksia: Tutkimuksia, joissa atomiasento voidaan saavuttaa tarkkuudella, joka on 1 pm, käsitellään heterostruktuurien ominaisuuksien mallintamisessa. Voimme myös laskea atomeja atomikolonniin, erityisesti ulkomaisia atomeja (seoksen koostumus: esimerkki d in atomeissa InGaN). Kun on mahdollista työskennellä 80 keV:ssä ja STEM-tilassa, mikroskoopin säteilytyksen aiheuttamat esineet vähenevät merkittävästi ja riittävän resoluution anturin aktiiviset paikat ymmärtävät päästön mahdollisen sijainnin. Tämä kehitys edellyttää hyvin kapeaa kokemusten ja mallintamista melko pitkällä aikavälillä, joten opinnäytetyön tekeminen on erittäin asianmukaista. Kehitetyt menetelmät integroidaan olemassa oleviin MET-työkaluihin, kuten Digital Micrographiin, jotta käyttäjäryhmät voivat käyttää niitä. (Finnish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
CIMAP jest wyposażony w mikroskop JEOL ARM 200 z korekcją dual Cs (dźwięk i obiektyw) i ma na celu opracowanie analiz ilościowych MET i STEM z szerokokątnym detektorem EDS i GIF w połączeniu z modelowaniem energetycznym w celu określenia stabilnych struktur, lokalnego składu i właściwości materiałów funkcjonalnych, w szczególności ich stopów opartych na azotkach III-V. Obrazowanie MET o wysokiej rozdzielczości zostanie wykorzystane do określenia lokalnych odkształceń w skali atomowej w ścisłej współpracy z badaczami wzrostu (CRHEAB. Damilano_LED widoczne). Różne metody analizy obrazu HR zostaną ocenione i dostosowane do heterostruktur (In, Ga)N. Równolegle, lokalne metody analizy chemicznej, takie jak spektroskopia strat energii elektronów (EELS) i spektroskopia rentgenowska dyspersji energii (EDS), będą stosowane w połączeniu ze skanowaniem obrazowania MET (STEM) w celu wsparcia podejść ilościowych opartych na określaniu lokalnych odkształceń. Mikroskop CIMAP ma lepszą rozdzielczość przestrzenną niż 0,8 Å i jest wyposażony w zimny pistolet FEG o lepszej rozdzielczości energetycznej niż 300 meV, pozwoli nam osiągnąć unikalne rezultaty: Badania, w których można uzyskać położenie atomowe z dokładnością do 1 pm, istotne dla modelowania właściwości heterostruktur jest omawiane. Będziemy również mogli policzyć atomy w kolumnie atomowej, zwłaszcza w obcych atomach (skład stopu: przykładowa dystrybucja d W atomach w InGaN). Dzięki możliwości pracy przy 80 keV i w trybie STEM artefakty z powodu napromieniowania mikroskopu zostaną znacznie zmniejszone i z rozsądną rozdzielczością miejsc aktywnych sondy, aby zrozumieć ewentualną lokalizację emisji. Zmiany te wymagają bardzo wąskiego połączenia doświadczenia i modelowania w dość długoterminowym wysiłku, więc praca dyplomowa jest bardzo odpowiednia. Opracowane metody zostaną zintegrowane z istniejącymi narzędziami MET, takimi jak Digital Micrograph, które będą dostępne dla zespołów użytkowników. (Polish) | |||||||||||||||
| Property / summary: CIMAP jest wyposażony w mikroskop JEOL ARM 200 z korekcją dual Cs (dźwięk i obiektyw) i ma na celu opracowanie analiz ilościowych MET i STEM z szerokokątnym detektorem EDS i GIF w połączeniu z modelowaniem energetycznym w celu określenia stabilnych struktur, lokalnego składu i właściwości materiałów funkcjonalnych, w szczególności ich stopów opartych na azotkach III-V. Obrazowanie MET o wysokiej rozdzielczości zostanie wykorzystane do określenia lokalnych odkształceń w skali atomowej w ścisłej współpracy z badaczami wzrostu (CRHEAB. Damilano_LED widoczne). Różne metody analizy obrazu HR zostaną ocenione i dostosowane do heterostruktur (In, Ga)N. Równolegle, lokalne metody analizy chemicznej, takie jak spektroskopia strat energii elektronów (EELS) i spektroskopia rentgenowska dyspersji energii (EDS), będą stosowane w połączeniu ze skanowaniem obrazowania MET (STEM) w celu wsparcia podejść ilościowych opartych na określaniu lokalnych odkształceń. Mikroskop CIMAP ma lepszą rozdzielczość przestrzenną niż 0,8 Å i jest wyposażony w zimny pistolet FEG o lepszej rozdzielczości energetycznej niż 300 meV, pozwoli nam osiągnąć unikalne rezultaty: Badania, w których można uzyskać położenie atomowe z dokładnością do 1 pm, istotne dla modelowania właściwości heterostruktur jest omawiane. Będziemy również mogli policzyć atomy w kolumnie atomowej, zwłaszcza w obcych atomach (skład stopu: przykładowa dystrybucja d W atomach w InGaN). Dzięki możliwości pracy przy 80 keV i w trybie STEM artefakty z powodu napromieniowania mikroskopu zostaną znacznie zmniejszone i z rozsądną rozdzielczością miejsc aktywnych sondy, aby zrozumieć ewentualną lokalizację emisji. Zmiany te wymagają bardzo wąskiego połączenia doświadczenia i modelowania w dość długoterminowym wysiłku, więc praca dyplomowa jest bardzo odpowiednia. Opracowane metody zostaną zintegrowane z istniejącymi narzędziami MET, takimi jak Digital Micrograph, które będą dostępne dla zespołów użytkowników. (Polish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: CIMAP jest wyposażony w mikroskop JEOL ARM 200 z korekcją dual Cs (dźwięk i obiektyw) i ma na celu opracowanie analiz ilościowych MET i STEM z szerokokątnym detektorem EDS i GIF w połączeniu z modelowaniem energetycznym w celu określenia stabilnych struktur, lokalnego składu i właściwości materiałów funkcjonalnych, w szczególności ich stopów opartych na azotkach III-V. Obrazowanie MET o wysokiej rozdzielczości zostanie wykorzystane do określenia lokalnych odkształceń w skali atomowej w ścisłej współpracy z badaczami wzrostu (CRHEAB. Damilano_LED widoczne). Różne metody analizy obrazu HR zostaną ocenione i dostosowane do heterostruktur (In, Ga)N. Równolegle, lokalne metody analizy chemicznej, takie jak spektroskopia strat energii elektronów (EELS) i spektroskopia rentgenowska dyspersji energii (EDS), będą stosowane w połączeniu ze skanowaniem obrazowania MET (STEM) w celu wsparcia podejść ilościowych opartych na określaniu lokalnych odkształceń. Mikroskop CIMAP ma lepszą rozdzielczość przestrzenną niż 0,8 Å i jest wyposażony w zimny pistolet FEG o lepszej rozdzielczości energetycznej niż 300 meV, pozwoli nam osiągnąć unikalne rezultaty: Badania, w których można uzyskać położenie atomowe z dokładnością do 1 pm, istotne dla modelowania właściwości heterostruktur jest omawiane. Będziemy również mogli policzyć atomy w kolumnie atomowej, zwłaszcza w obcych atomach (skład stopu: przykładowa dystrybucja d W atomach w InGaN). Dzięki możliwości pracy przy 80 keV i w trybie STEM artefakty z powodu napromieniowania mikroskopu zostaną znacznie zmniejszone i z rozsądną rozdzielczością miejsc aktywnych sondy, aby zrozumieć ewentualną lokalizację emisji. Zmiany te wymagają bardzo wąskiego połączenia doświadczenia i modelowania w dość długoterminowym wysiłku, więc praca dyplomowa jest bardzo odpowiednia. Opracowane metody zostaną zintegrowane z istniejącymi narzędziami MET, takimi jak Digital Micrograph, które będą dostępne dla zespołów użytkowników. (Polish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A III-N (In, Ga) heterostruktúra heterostruktúráira alkalmazott ultranagyfelbontású elektronmikroszkópos technikák kifejlesztése. A CIMAP egy JEOL ARM 200 mikroszkóppal van felszerelve, kettős Cs korrekcióval (hang és objektív), és célja, hogy kvantitatív elemzéseket dolgozzon ki a MET-ről és a STEM-ről EDS széles látószögű detektorral és GIF-vel kombinálva energiamodellezéssel kombinálva a funkcionális anyagok stabil szerkezetének, helyi összetételének és tulajdonságainak meghatározása érdekében, különös tekintettel a III-V nitrideken alapuló ötvözeteikre. Nagy felbontású MET képalkotást használnak a helyi atomméretű deformációk meghatározására, szoros együttműködésben a növekedéssel foglalkozó kutatókkal (CRHEAB. Damilano_LED látható). A különböző HR képelemzési módszereket a heterostruktúra (In,Ga)N-hez igazítják. Ezzel párhuzamosan helyi kémiai elemzési módszereket, például elektronenergia-veszteség spektroszkópiát (EELS) és energiadiszperziós röntgenspektroszkópiát (EDS) használnak a szkennelési MET képalkotással (STEM) együtt a helyi deformációk meghatározásán alapuló mennyiségi megközelítések támogatására. A CIMAP mikroszkóp jobb térbeli felbontással rendelkezik, mint 0,8 Å, és hideg FEG fegyverrel van felszerelve, hogy jobb energiafelbontást biztosítson, mint 300 meV, lehetővé teszi számunkra, hogy egyedi eredményeket érjünk el: A heterostruktúra tulajdonságainak modellezéséhez nélkülözhetetlen vizsgálatok, ahol az atomhelyzet 1 óra pontossággal érhető el, megvitatásra kerülnek. Képesek leszünk megszámolni az atomokat egy atomoszlopban, különösen az idegen atomokat (ötvözet-összetétel: példa a d In atomok eloszlására az InGaN-ban). Azzal a lehetőséggel, hogy 80 keV-en és STEM üzemmódban működhetnek, a mikroszkópos besugárzás miatti leletek jelentősen csökkennek, és ésszerű felbontású szonda aktív helyszíneken, hogy megértsék a kibocsátás lehetséges helyét. Ezek a fejlemények a tapasztalatok és a modellezés nagyon szűk kombinációját igénylik egy meglehetősen hosszú távú erőfeszítés során, így a szakdolgozati munka nagyon helyénvaló. A kifejlesztett módszereket integrálni fogják a MET meglévő eszközeibe, például a digitális mikrográfba, amely a felhasználói csoportok rendelkezésére áll. (Hungarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: A III-N (In, Ga) heterostruktúra heterostruktúráira alkalmazott ultranagyfelbontású elektronmikroszkópos technikák kifejlesztése. A CIMAP egy JEOL ARM 200 mikroszkóppal van felszerelve, kettős Cs korrekcióval (hang és objektív), és célja, hogy kvantitatív elemzéseket dolgozzon ki a MET-ről és a STEM-ről EDS széles látószögű detektorral és GIF-vel kombinálva energiamodellezéssel kombinálva a funkcionális anyagok stabil szerkezetének, helyi összetételének és tulajdonságainak meghatározása érdekében, különös tekintettel a III-V nitrideken alapuló ötvözeteikre. Nagy felbontású MET képalkotást használnak a helyi atomméretű deformációk meghatározására, szoros együttműködésben a növekedéssel foglalkozó kutatókkal (CRHEAB. Damilano_LED látható). A különböző HR képelemzési módszereket a heterostruktúra (In,Ga)N-hez igazítják. Ezzel párhuzamosan helyi kémiai elemzési módszereket, például elektronenergia-veszteség spektroszkópiát (EELS) és energiadiszperziós röntgenspektroszkópiát (EDS) használnak a szkennelési MET képalkotással (STEM) együtt a helyi deformációk meghatározásán alapuló mennyiségi megközelítések támogatására. A CIMAP mikroszkóp jobb térbeli felbontással rendelkezik, mint 0,8 Å, és hideg FEG fegyverrel van felszerelve, hogy jobb energiafelbontást biztosítson, mint 300 meV, lehetővé teszi számunkra, hogy egyedi eredményeket érjünk el: A heterostruktúra tulajdonságainak modellezéséhez nélkülözhetetlen vizsgálatok, ahol az atomhelyzet 1 óra pontossággal érhető el, megvitatásra kerülnek. Képesek leszünk megszámolni az atomokat egy atomoszlopban, különösen az idegen atomokat (ötvözet-összetétel: példa a d In atomok eloszlására az InGaN-ban). Azzal a lehetőséggel, hogy 80 keV-en és STEM üzemmódban működhetnek, a mikroszkópos besugárzás miatti leletek jelentősen csökkennek, és ésszerű felbontású szonda aktív helyszíneken, hogy megértsék a kibocsátás lehetséges helyét. Ezek a fejlemények a tapasztalatok és a modellezés nagyon szűk kombinációját igénylik egy meglehetősen hosszú távú erőfeszítés során, így a szakdolgozati munka nagyon helyénvaló. A kifejlesztett módszereket integrálni fogják a MET meglévő eszközeibe, például a digitális mikrográfba, amely a felhasználói csoportok rendelkezésére áll. (Hungarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A III-N (In, Ga) heterostruktúra heterostruktúráira alkalmazott ultranagyfelbontású elektronmikroszkópos technikák kifejlesztése. A CIMAP egy JEOL ARM 200 mikroszkóppal van felszerelve, kettős Cs korrekcióval (hang és objektív), és célja, hogy kvantitatív elemzéseket dolgozzon ki a MET-ről és a STEM-ről EDS széles látószögű detektorral és GIF-vel kombinálva energiamodellezéssel kombinálva a funkcionális anyagok stabil szerkezetének, helyi összetételének és tulajdonságainak meghatározása érdekében, különös tekintettel a III-V nitrideken alapuló ötvözeteikre. Nagy felbontású MET képalkotást használnak a helyi atomméretű deformációk meghatározására, szoros együttműködésben a növekedéssel foglalkozó kutatókkal (CRHEAB. Damilano_LED látható). A különböző HR képelemzési módszereket a heterostruktúra (In,Ga)N-hez igazítják. Ezzel párhuzamosan helyi kémiai elemzési módszereket, például elektronenergia-veszteség spektroszkópiát (EELS) és energiadiszperziós röntgenspektroszkópiát (EDS) használnak a szkennelési MET képalkotással (STEM) együtt a helyi deformációk meghatározásán alapuló mennyiségi megközelítések támogatására. A CIMAP mikroszkóp jobb térbeli felbontással rendelkezik, mint 0,8 Å, és hideg FEG fegyverrel van felszerelve, hogy jobb energiafelbontást biztosítson, mint 300 meV, lehetővé teszi számunkra, hogy egyedi eredményeket érjünk el: A heterostruktúra tulajdonságainak modellezéséhez nélkülözhetetlen vizsgálatok, ahol az atomhelyzet 1 óra pontossággal érhető el, megvitatásra kerülnek. Képesek leszünk megszámolni az atomokat egy atomoszlopban, különösen az idegen atomokat (ötvözet-összetétel: példa a d In atomok eloszlására az InGaN-ban). Azzal a lehetőséggel, hogy 80 keV-en és STEM üzemmódban működhetnek, a mikroszkópos besugárzás miatti leletek jelentősen csökkennek, és ésszerű felbontású szonda aktív helyszíneken, hogy megértsék a kibocsátás lehetséges helyét. Ezek a fejlemények a tapasztalatok és a modellezés nagyon szűk kombinációját igénylik egy meglehetősen hosszú távú erőfeszítés során, így a szakdolgozati munka nagyon helyénvaló. A kifejlesztett módszereket integrálni fogják a MET meglévő eszközeibe, például a digitális mikrográfba, amely a felhasználói csoportok rendelkezésére áll. (Hungarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Vývoj elektronových mikroskopických technik s ultra vysokým rozlišením aplikovaných na heterostruktury III-N (In,Ga)N. CIMAP je vybaven mikroskopem JEOL ARM 200 s dvojí korekcí Cs (zvuk a cíl) a jeho cílem je vyvinout kvantitativní analýzy MET a STEM s širokoúhlým detektorem EDS a GIF v kombinaci s energetickým modelováním pro určení stabilních struktur, lokálního složení a vlastností funkčních materiálů, zejména jejich slitin na bázi III-V nitridů. Zobrazovací metody s vysokým rozlišením budou použity k určení lokálních deformací v atomovém měřítku v úzké spolupráci s výzkumníky růstu (CRHEAB. Damilano_LED viditelné). Různé metody analýzy HR obrazů budou vyhodnoceny a přizpůsobeny heterostrukturám (In,Ga)N. Souběžně se ve spojení se skenováním MET zobrazování (STEM) použijí metody lokální chemické analýzy, jako je spektroskopie ztráty elektronové energie (EELS) a rentgenová rozptyl energie (EDS). Mikroskop CIMAP má lepší prostorové rozlišení než 0,8 Å a je vybaven studenou FEG pistolí pro lepší rozlišení energie než 300 meV, umožní nám dosáhnout jedinečných výsledků: Studie, kde lze získat atomovou pozici s přesností pořadí 1 pm, je diskutován pro modelování vlastností heterostruktur. Budeme také schopni počítat atomy v atomové koloně, zejména cizích atomů (slitina složení: příklad distribuce d V atomech v InGaN). S možností pracovat v 80 keV a v režimu STEM, artefakty způsobené ozářením mikroskopem budou výrazně sníženy a s rozumným rozlišením aktivních míst sondy, aby pochopily možné umístění emisí. Tento vývoj vyžaduje velmi úzkou kombinaci zkušeností a modelování v poměrně dlouhodobém úsilí, takže práce na diplomové práci je velmi vhodná. Vyvinuté metody budou začleněny do stávajících nástrojů v oblasti MET, jako je digitální mikrograf, které budou k dispozici uživatelským týmům. (Czech) | |||||||||||||||
| Property / summary: Vývoj elektronových mikroskopických technik s ultra vysokým rozlišením aplikovaných na heterostruktury III-N (In,Ga)N. CIMAP je vybaven mikroskopem JEOL ARM 200 s dvojí korekcí Cs (zvuk a cíl) a jeho cílem je vyvinout kvantitativní analýzy MET a STEM s širokoúhlým detektorem EDS a GIF v kombinaci s energetickým modelováním pro určení stabilních struktur, lokálního složení a vlastností funkčních materiálů, zejména jejich slitin na bázi III-V nitridů. Zobrazovací metody s vysokým rozlišením budou použity k určení lokálních deformací v atomovém měřítku v úzké spolupráci s výzkumníky růstu (CRHEAB. Damilano_LED viditelné). Různé metody analýzy HR obrazů budou vyhodnoceny a přizpůsobeny heterostrukturám (In,Ga)N. Souběžně se ve spojení se skenováním MET zobrazování (STEM) použijí metody lokální chemické analýzy, jako je spektroskopie ztráty elektronové energie (EELS) a rentgenová rozptyl energie (EDS). Mikroskop CIMAP má lepší prostorové rozlišení než 0,8 Å a je vybaven studenou FEG pistolí pro lepší rozlišení energie než 300 meV, umožní nám dosáhnout jedinečných výsledků: Studie, kde lze získat atomovou pozici s přesností pořadí 1 pm, je diskutován pro modelování vlastností heterostruktur. Budeme také schopni počítat atomy v atomové koloně, zejména cizích atomů (slitina složení: příklad distribuce d V atomech v InGaN). S možností pracovat v 80 keV a v režimu STEM, artefakty způsobené ozářením mikroskopem budou výrazně sníženy a s rozumným rozlišením aktivních míst sondy, aby pochopily možné umístění emisí. Tento vývoj vyžaduje velmi úzkou kombinaci zkušeností a modelování v poměrně dlouhodobém úsilí, takže práce na diplomové práci je velmi vhodná. Vyvinuté metody budou začleněny do stávajících nástrojů v oblasti MET, jako je digitální mikrograf, které budou k dispozici uživatelským týmům. (Czech) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Vývoj elektronových mikroskopických technik s ultra vysokým rozlišením aplikovaných na heterostruktury III-N (In,Ga)N. CIMAP je vybaven mikroskopem JEOL ARM 200 s dvojí korekcí Cs (zvuk a cíl) a jeho cílem je vyvinout kvantitativní analýzy MET a STEM s širokoúhlým detektorem EDS a GIF v kombinaci s energetickým modelováním pro určení stabilních struktur, lokálního složení a vlastností funkčních materiálů, zejména jejich slitin na bázi III-V nitridů. Zobrazovací metody s vysokým rozlišením budou použity k určení lokálních deformací v atomovém měřítku v úzké spolupráci s výzkumníky růstu (CRHEAB. Damilano_LED viditelné). Různé metody analýzy HR obrazů budou vyhodnoceny a přizpůsobeny heterostrukturám (In,Ga)N. Souběžně se ve spojení se skenováním MET zobrazování (STEM) použijí metody lokální chemické analýzy, jako je spektroskopie ztráty elektronové energie (EELS) a rentgenová rozptyl energie (EDS). Mikroskop CIMAP má lepší prostorové rozlišení než 0,8 Å a je vybaven studenou FEG pistolí pro lepší rozlišení energie než 300 meV, umožní nám dosáhnout jedinečných výsledků: Studie, kde lze získat atomovou pozici s přesností pořadí 1 pm, je diskutován pro modelování vlastností heterostruktur. Budeme také schopni počítat atomy v atomové koloně, zejména cizích atomů (slitina složení: příklad distribuce d V atomech v InGaN). S možností pracovat v 80 keV a v režimu STEM, artefakty způsobené ozářením mikroskopem budou výrazně sníženy a s rozumným rozlišením aktivních míst sondy, aby pochopily možné umístění emisí. Tento vývoj vyžaduje velmi úzkou kombinaci zkušeností a modelování v poměrně dlouhodobém úsilí, takže práce na diplomové práci je velmi vhodná. Vyvinuté metody budou začleněny do stávajících nástrojů v oblasti MET, jako je digitální mikrograf, které budou k dispozici uživatelským týmům. (Czech) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Īpaši augstas izšķirtspējas transmisijas elektronu mikroskopijas metožu izstrāde heterostruktūrām III-N (In,Ga)N. CIMAP ir aprīkots ar JEOL ARM 200 mikroskopu ar divkāršu Cs korekciju (skaņu un objektīvu), un tā mērķis ir izstrādāt MET un STEM kvantitatīvās analīzes ar EDS platleņķa detektoru un GIF apvienojumā ar enerģijas modelēšanu, lai noteiktu stabilas struktūras, vietējo sastāvu un funkcionālo materiālu īpašības, jo īpaši to sakausējumus, kuru pamatā ir III-V nitrīdi. Augstas izšķirtspējas MET attēlveidošana tiks izmantota, lai ciešā sadarbībā ar izaugsmes pētniekiem noteiktu vietējās atomu mēroga deformācijas (CRHEAB. Damilano_LEDs redzami). Dažādas HR attēlu analīzes metodes tiks izvērtētas un pielāgotas heterostruktūrām (In,Ga)N. Paralēli vietējās ķīmiskās analīzes metodes, piemēram, elektronu enerģijas zudumu spektroskopija (EELS) un enerģijas dispersijas rentgena spektroskopija (EDS), tiks izmantotas kopā ar MET attēlveidošanas (STEM) skenēšanu, lai atbalstītu kvantitatīvas pieejas, kuru pamatā ir vietējo deformāciju noteikšana. CIMAP mikroskopam ir labāka telpiskā izšķirtspēja nekā 0,8 Å, un tas ir aprīkots ar aukstu FEG pistoli, kas nodrošina labāku enerģijas izšķirtspēju nekā 300 meV, tas ļaus mums sasniegt unikālus rezultātus: Tiek apspriesti pētījumi, kuros atomu stāvokli var iegūt ar precizitāti 1 pm, kas ir būtiski heterostruktūru īpašību modelēšanai. Mēs arī spēsim skaitīt atomus atomu kolonnā, jo īpaši ārzemju atomos (sakausējuma sastāvs: piemērs d In atomu sadalījums InGaN). Ar iespēju strādāt pie 80 keV un STEM režīmā artefakti mikroskopa apstarošanas dēļ tiks ievērojami samazināti un ar saprātīgu izšķirtspēju aktīvās vietas, lai izprastu iespējamo atrašanās vietu emisijas. Šīs norises prasa ļoti šauru pieredzes un modelēšanas apvienojumu diezgan ilgā laika posmā, tāpēc darbs ir ļoti piemērots. Izstrādātās metodes tiks integrētas esošajos MET instrumentos, piemēram, Digital Micrograph, lai tie būtu pieejami lietotāju komandām. (Latvian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Īpaši augstas izšķirtspējas transmisijas elektronu mikroskopijas metožu izstrāde heterostruktūrām III-N (In,Ga)N. CIMAP ir aprīkots ar JEOL ARM 200 mikroskopu ar divkāršu Cs korekciju (skaņu un objektīvu), un tā mērķis ir izstrādāt MET un STEM kvantitatīvās analīzes ar EDS platleņķa detektoru un GIF apvienojumā ar enerģijas modelēšanu, lai noteiktu stabilas struktūras, vietējo sastāvu un funkcionālo materiālu īpašības, jo īpaši to sakausējumus, kuru pamatā ir III-V nitrīdi. Augstas izšķirtspējas MET attēlveidošana tiks izmantota, lai ciešā sadarbībā ar izaugsmes pētniekiem noteiktu vietējās atomu mēroga deformācijas (CRHEAB. Damilano_LEDs redzami). Dažādas HR attēlu analīzes metodes tiks izvērtētas un pielāgotas heterostruktūrām (In,Ga)N. Paralēli vietējās ķīmiskās analīzes metodes, piemēram, elektronu enerģijas zudumu spektroskopija (EELS) un enerģijas dispersijas rentgena spektroskopija (EDS), tiks izmantotas kopā ar MET attēlveidošanas (STEM) skenēšanu, lai atbalstītu kvantitatīvas pieejas, kuru pamatā ir vietējo deformāciju noteikšana. CIMAP mikroskopam ir labāka telpiskā izšķirtspēja nekā 0,8 Å, un tas ir aprīkots ar aukstu FEG pistoli, kas nodrošina labāku enerģijas izšķirtspēju nekā 300 meV, tas ļaus mums sasniegt unikālus rezultātus: Tiek apspriesti pētījumi, kuros atomu stāvokli var iegūt ar precizitāti 1 pm, kas ir būtiski heterostruktūru īpašību modelēšanai. Mēs arī spēsim skaitīt atomus atomu kolonnā, jo īpaši ārzemju atomos (sakausējuma sastāvs: piemērs d In atomu sadalījums InGaN). Ar iespēju strādāt pie 80 keV un STEM režīmā artefakti mikroskopa apstarošanas dēļ tiks ievērojami samazināti un ar saprātīgu izšķirtspēju aktīvās vietas, lai izprastu iespējamo atrašanās vietu emisijas. Šīs norises prasa ļoti šauru pieredzes un modelēšanas apvienojumu diezgan ilgā laika posmā, tāpēc darbs ir ļoti piemērots. Izstrādātās metodes tiks integrētas esošajos MET instrumentos, piemēram, Digital Micrograph, lai tie būtu pieejami lietotāju komandām. (Latvian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Īpaši augstas izšķirtspējas transmisijas elektronu mikroskopijas metožu izstrāde heterostruktūrām III-N (In,Ga)N. CIMAP ir aprīkots ar JEOL ARM 200 mikroskopu ar divkāršu Cs korekciju (skaņu un objektīvu), un tā mērķis ir izstrādāt MET un STEM kvantitatīvās analīzes ar EDS platleņķa detektoru un GIF apvienojumā ar enerģijas modelēšanu, lai noteiktu stabilas struktūras, vietējo sastāvu un funkcionālo materiālu īpašības, jo īpaši to sakausējumus, kuru pamatā ir III-V nitrīdi. Augstas izšķirtspējas MET attēlveidošana tiks izmantota, lai ciešā sadarbībā ar izaugsmes pētniekiem noteiktu vietējās atomu mēroga deformācijas (CRHEAB. Damilano_LEDs redzami). Dažādas HR attēlu analīzes metodes tiks izvērtētas un pielāgotas heterostruktūrām (In,Ga)N. Paralēli vietējās ķīmiskās analīzes metodes, piemēram, elektronu enerģijas zudumu spektroskopija (EELS) un enerģijas dispersijas rentgena spektroskopija (EDS), tiks izmantotas kopā ar MET attēlveidošanas (STEM) skenēšanu, lai atbalstītu kvantitatīvas pieejas, kuru pamatā ir vietējo deformāciju noteikšana. CIMAP mikroskopam ir labāka telpiskā izšķirtspēja nekā 0,8 Å, un tas ir aprīkots ar aukstu FEG pistoli, kas nodrošina labāku enerģijas izšķirtspēju nekā 300 meV, tas ļaus mums sasniegt unikālus rezultātus: Tiek apspriesti pētījumi, kuros atomu stāvokli var iegūt ar precizitāti 1 pm, kas ir būtiski heterostruktūru īpašību modelēšanai. Mēs arī spēsim skaitīt atomus atomu kolonnā, jo īpaši ārzemju atomos (sakausējuma sastāvs: piemērs d In atomu sadalījums InGaN). Ar iespēju strādāt pie 80 keV un STEM režīmā artefakti mikroskopa apstarošanas dēļ tiks ievērojami samazināti un ar saprātīgu izšķirtspēju aktīvās vietas, lai izprastu iespējamo atrašanās vietu emisijas. Šīs norises prasa ļoti šauru pieredzes un modelēšanas apvienojumu diezgan ilgā laika posmā, tāpēc darbs ir ļoti piemērots. Izstrādātās metodes tiks integrētas esošajos MET instrumentos, piemēram, Digital Micrograph, lai tie būtu pieejami lietotāju komandām. (Latvian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Forbairt a dhéanamh ar theicnící micreascópachta leictreon tarchurtha taifigh ultra-ard a chuirtear i bhfeidhm ar heitreastruchtúir III-N (In,Ga)N. Tá micreascóp JEOL ARM 200 feistithe ar mhicreascóp JEOL ARM 200 ag a bhfuil ceartú dé-Cs (fuaim agus cuspóir) agus tá sé mar aidhm aige anailísí cainníochtúla a fhorbairt ar MET agus STEM le brathadóir uillinne leathan EDS agus GIF in éineacht le samhaltú fuinnimh chun struchtúir chobhsaí, comhdhéanamh áitiúil agus airíonna ábhar feidhmiúil a chinneadh, go háirithe a gcóimhiotail bunaithe ar nítrídí III-V. Úsáidfear íomháithe ardtaifigh MET chun dífhoirmiúchán ar scála adamhach áitiúil a chinneadh i ndlúthchomhar le taighdeoirí fáis (CRHEAB. Damilano_LED le feiceáil). Déanfar na modhanna anailíse íomhá AD éagsúla a mheas agus a chur in oiriúint do heitreastruchtúir (In,Ga)N. I gcomhthráth, úsáidfear modhanna anailíse ceimicí áitiúla amhail speictreascópacht caillteanais fuinnimh leictreoin (EELS) agus speictreascópacht X-ghathaithe (EDS) i gcomhar le híomháú scanta MET (STEM) chun tacú le cuir chuige chainníochtúla bunaithe ar dhífhoirmiú áitiúil a chinneadh. Tá réiteach spásúil níos fearr ag micreascóp CIMAP ná 0.8 Å agus tá gunna fuar FEG feistithe air le haghaidh réiteach fuinnimh níos fearr ná 300 meV, ligfidh sé dúinn torthaí uathúla a bhaint amach: Pléitear staidéir inar féidir an suíomh adamhach a fháil le cruinneas an ordaithe 1 pm, atá riachtanach chun airíonna heterostructures a shamhaltú. Beimid in ann na hadaimh a chomhaireamh i gcolún adamhach, go háirithe adaimh eachtracha (comhdhéanamh cóimhiotail: dáileadh samplach d In adaimh in InGaN). Leis an bhféidearthacht a bheith ag obair ag 80 keV agus i mód STEM, beidh artifacts mar gheall ar ionradaíocht micreascóp a laghdú go suntasach agus le láithreáin probe réiteach réasúnta gníomhach chun tuiscint a fháil ar an suíomh féideartha na hastaíochta. Éilíonn na forbairtí seo meascán an-chúng de thaithí agus de shamhaltú in iarracht sách fadtéarmach, mar sin tá obair tráchtais an-oiriúnach. Déanfar na modhanna a fhorbrófar a chomhtháthú le huirlisí atá ann cheana in MET, amhail an Micreagraf Digiteach, a bheidh ar fáil d’fhoirne úsáideoirí (Irish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Forbairt a dhéanamh ar theicnící micreascópachta leictreon tarchurtha taifigh ultra-ard a chuirtear i bhfeidhm ar heitreastruchtúir III-N (In,Ga)N. Tá micreascóp JEOL ARM 200 feistithe ar mhicreascóp JEOL ARM 200 ag a bhfuil ceartú dé-Cs (fuaim agus cuspóir) agus tá sé mar aidhm aige anailísí cainníochtúla a fhorbairt ar MET agus STEM le brathadóir uillinne leathan EDS agus GIF in éineacht le samhaltú fuinnimh chun struchtúir chobhsaí, comhdhéanamh áitiúil agus airíonna ábhar feidhmiúil a chinneadh, go háirithe a gcóimhiotail bunaithe ar nítrídí III-V. Úsáidfear íomháithe ardtaifigh MET chun dífhoirmiúchán ar scála adamhach áitiúil a chinneadh i ndlúthchomhar le taighdeoirí fáis (CRHEAB. Damilano_LED le feiceáil). Déanfar na modhanna anailíse íomhá AD éagsúla a mheas agus a chur in oiriúint do heitreastruchtúir (In,Ga)N. I gcomhthráth, úsáidfear modhanna anailíse ceimicí áitiúla amhail speictreascópacht caillteanais fuinnimh leictreoin (EELS) agus speictreascópacht X-ghathaithe (EDS) i gcomhar le híomháú scanta MET (STEM) chun tacú le cuir chuige chainníochtúla bunaithe ar dhífhoirmiú áitiúil a chinneadh. Tá réiteach spásúil níos fearr ag micreascóp CIMAP ná 0.8 Å agus tá gunna fuar FEG feistithe air le haghaidh réiteach fuinnimh níos fearr ná 300 meV, ligfidh sé dúinn torthaí uathúla a bhaint amach: Pléitear staidéir inar féidir an suíomh adamhach a fháil le cruinneas an ordaithe 1 pm, atá riachtanach chun airíonna heterostructures a shamhaltú. Beimid in ann na hadaimh a chomhaireamh i gcolún adamhach, go háirithe adaimh eachtracha (comhdhéanamh cóimhiotail: dáileadh samplach d In adaimh in InGaN). Leis an bhféidearthacht a bheith ag obair ag 80 keV agus i mód STEM, beidh artifacts mar gheall ar ionradaíocht micreascóp a laghdú go suntasach agus le láithreáin probe réiteach réasúnta gníomhach chun tuiscint a fháil ar an suíomh féideartha na hastaíochta. Éilíonn na forbairtí seo meascán an-chúng de thaithí agus de shamhaltú in iarracht sách fadtéarmach, mar sin tá obair tráchtais an-oiriúnach. Déanfar na modhanna a fhorbrófar a chomhtháthú le huirlisí atá ann cheana in MET, amhail an Micreagraf Digiteach, a bheidh ar fáil d’fhoirne úsáideoirí (Irish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Forbairt a dhéanamh ar theicnící micreascópachta leictreon tarchurtha taifigh ultra-ard a chuirtear i bhfeidhm ar heitreastruchtúir III-N (In,Ga)N. Tá micreascóp JEOL ARM 200 feistithe ar mhicreascóp JEOL ARM 200 ag a bhfuil ceartú dé-Cs (fuaim agus cuspóir) agus tá sé mar aidhm aige anailísí cainníochtúla a fhorbairt ar MET agus STEM le brathadóir uillinne leathan EDS agus GIF in éineacht le samhaltú fuinnimh chun struchtúir chobhsaí, comhdhéanamh áitiúil agus airíonna ábhar feidhmiúil a chinneadh, go háirithe a gcóimhiotail bunaithe ar nítrídí III-V. Úsáidfear íomháithe ardtaifigh MET chun dífhoirmiúchán ar scála adamhach áitiúil a chinneadh i ndlúthchomhar le taighdeoirí fáis (CRHEAB. Damilano_LED le feiceáil). Déanfar na modhanna anailíse íomhá AD éagsúla a mheas agus a chur in oiriúint do heitreastruchtúir (In,Ga)N. I gcomhthráth, úsáidfear modhanna anailíse ceimicí áitiúla amhail speictreascópacht caillteanais fuinnimh leictreoin (EELS) agus speictreascópacht X-ghathaithe (EDS) i gcomhar le híomháú scanta MET (STEM) chun tacú le cuir chuige chainníochtúla bunaithe ar dhífhoirmiú áitiúil a chinneadh. Tá réiteach spásúil níos fearr ag micreascóp CIMAP ná 0.8 Å agus tá gunna fuar FEG feistithe air le haghaidh réiteach fuinnimh níos fearr ná 300 meV, ligfidh sé dúinn torthaí uathúla a bhaint amach: Pléitear staidéir inar féidir an suíomh adamhach a fháil le cruinneas an ordaithe 1 pm, atá riachtanach chun airíonna heterostructures a shamhaltú. Beimid in ann na hadaimh a chomhaireamh i gcolún adamhach, go háirithe adaimh eachtracha (comhdhéanamh cóimhiotail: dáileadh samplach d In adaimh in InGaN). Leis an bhféidearthacht a bheith ag obair ag 80 keV agus i mód STEM, beidh artifacts mar gheall ar ionradaíocht micreascóp a laghdú go suntasach agus le láithreáin probe réiteach réasúnta gníomhach chun tuiscint a fháil ar an suíomh féideartha na hastaíochta. Éilíonn na forbairtí seo meascán an-chúng de thaithí agus de shamhaltú in iarracht sách fadtéarmach, mar sin tá obair tráchtais an-oiriúnach. Déanfar na modhanna a fhorbrófar a chomhtháthú le huirlisí atá ann cheana in MET, amhail an Micreagraf Digiteach, a bheidh ar fáil d’fhoirne úsáideoirí (Irish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Razvoj elektronskih mikroskopskih tehnik ultra visoke ločljivosti, ki se uporabljajo za heterostrukture III-N (In,Ga)N. CIMAP je opremljen z mikroskopom JEOL ARM 200 z dvojnim korekcijo Cs (zvok in cilj) in je namenjen razvoju kvantitativnih analiz MET in STEM s širokokotnim detektorjem EDS in GIF v kombinaciji z energetskim modeliranjem za določitev stabilnih struktur, lokalne sestave in lastnosti funkcionalnih materialov, zlasti njihovih zlitin na osnovi nitridov III-V. Za določanje lokalnih deformacij v atomskem merilu se bo v tesnem sodelovanju z raziskovalci za rast (CRHEAB) uporabljalo slikanje visoke ločljivosti MET (CRHEAB. Damilano_LED je viden). Različne metode analize človeških virov bodo ocenjene in prilagojene heterostrukturam (In,Ga)N. Vzporedno se bodo v povezavi s skeniranjem MET slikanja (STEM) uporabljale lokalne metode kemijske analize, kot sta spektroskopija izgube energije elektronov (EELS) in spektroskopija z rentgenskimi žarki z energijsko disperzijo (EDS), da bi podprli kvantitativne pristope, ki temeljijo na določanju lokalnih deformacij. Mikroskop CIMAP ima boljšo prostorsko ločljivost kot 0,8 Å in je opremljen s hladno FEG pištolo za boljšo energijsko ločljivost kot 300 meV, kar nam bo omogočilo doseganje edinstvenih rezultatov: Obravnavajo se študije, pri katerih je mogoče doseči atomski položaj s točnostjo reda ob 13. uri, ki je bistvenega pomena za modeliranje lastnosti heterostruktur. Prav tako bomo lahko prešteli atome v atomski koloni, še posebej tuji atomi (sestava zlitin: primer porazdelitve d V atomih v InGaN). Z možnostjo dela pri 80 keV in v načinu STEM se bodo artefakti zaradi obsevanja mikroskopa znatno zmanjšali in z razumno ločljivostjo aktivnih lokacij za razumevanje možne lokacije emisije. Ta razvoj zahteva zelo ozko kombinacijo izkušenj in modeliranja v precej dolgoročnem prizadevanju, zato je delo v disertaciji zelo primerno. Razvite metode bodo vključene v obstoječa orodja v MET, kot je digitalni mikrograf, ki bo na voljo skupinam uporabnikov. (Slovenian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Razvoj elektronskih mikroskopskih tehnik ultra visoke ločljivosti, ki se uporabljajo za heterostrukture III-N (In,Ga)N. CIMAP je opremljen z mikroskopom JEOL ARM 200 z dvojnim korekcijo Cs (zvok in cilj) in je namenjen razvoju kvantitativnih analiz MET in STEM s širokokotnim detektorjem EDS in GIF v kombinaciji z energetskim modeliranjem za določitev stabilnih struktur, lokalne sestave in lastnosti funkcionalnih materialov, zlasti njihovih zlitin na osnovi nitridov III-V. Za določanje lokalnih deformacij v atomskem merilu se bo v tesnem sodelovanju z raziskovalci za rast (CRHEAB) uporabljalo slikanje visoke ločljivosti MET (CRHEAB. Damilano_LED je viden). Različne metode analize človeških virov bodo ocenjene in prilagojene heterostrukturam (In,Ga)N. Vzporedno se bodo v povezavi s skeniranjem MET slikanja (STEM) uporabljale lokalne metode kemijske analize, kot sta spektroskopija izgube energije elektronov (EELS) in spektroskopija z rentgenskimi žarki z energijsko disperzijo (EDS), da bi podprli kvantitativne pristope, ki temeljijo na določanju lokalnih deformacij. Mikroskop CIMAP ima boljšo prostorsko ločljivost kot 0,8 Å in je opremljen s hladno FEG pištolo za boljšo energijsko ločljivost kot 300 meV, kar nam bo omogočilo doseganje edinstvenih rezultatov: Obravnavajo se študije, pri katerih je mogoče doseči atomski položaj s točnostjo reda ob 13. uri, ki je bistvenega pomena za modeliranje lastnosti heterostruktur. Prav tako bomo lahko prešteli atome v atomski koloni, še posebej tuji atomi (sestava zlitin: primer porazdelitve d V atomih v InGaN). Z možnostjo dela pri 80 keV in v načinu STEM se bodo artefakti zaradi obsevanja mikroskopa znatno zmanjšali in z razumno ločljivostjo aktivnih lokacij za razumevanje možne lokacije emisije. Ta razvoj zahteva zelo ozko kombinacijo izkušenj in modeliranja v precej dolgoročnem prizadevanju, zato je delo v disertaciji zelo primerno. Razvite metode bodo vključene v obstoječa orodja v MET, kot je digitalni mikrograf, ki bo na voljo skupinam uporabnikov. (Slovenian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Razvoj elektronskih mikroskopskih tehnik ultra visoke ločljivosti, ki se uporabljajo za heterostrukture III-N (In,Ga)N. CIMAP je opremljen z mikroskopom JEOL ARM 200 z dvojnim korekcijo Cs (zvok in cilj) in je namenjen razvoju kvantitativnih analiz MET in STEM s širokokotnim detektorjem EDS in GIF v kombinaciji z energetskim modeliranjem za določitev stabilnih struktur, lokalne sestave in lastnosti funkcionalnih materialov, zlasti njihovih zlitin na osnovi nitridov III-V. Za določanje lokalnih deformacij v atomskem merilu se bo v tesnem sodelovanju z raziskovalci za rast (CRHEAB) uporabljalo slikanje visoke ločljivosti MET (CRHEAB. Damilano_LED je viden). Različne metode analize človeških virov bodo ocenjene in prilagojene heterostrukturam (In,Ga)N. Vzporedno se bodo v povezavi s skeniranjem MET slikanja (STEM) uporabljale lokalne metode kemijske analize, kot sta spektroskopija izgube energije elektronov (EELS) in spektroskopija z rentgenskimi žarki z energijsko disperzijo (EDS), da bi podprli kvantitativne pristope, ki temeljijo na določanju lokalnih deformacij. Mikroskop CIMAP ima boljšo prostorsko ločljivost kot 0,8 Å in je opremljen s hladno FEG pištolo za boljšo energijsko ločljivost kot 300 meV, kar nam bo omogočilo doseganje edinstvenih rezultatov: Obravnavajo se študije, pri katerih je mogoče doseči atomski položaj s točnostjo reda ob 13. uri, ki je bistvenega pomena za modeliranje lastnosti heterostruktur. Prav tako bomo lahko prešteli atome v atomski koloni, še posebej tuji atomi (sestava zlitin: primer porazdelitve d V atomih v InGaN). Z možnostjo dela pri 80 keV in v načinu STEM se bodo artefakti zaradi obsevanja mikroskopa znatno zmanjšali in z razumno ločljivostjo aktivnih lokacij za razumevanje možne lokacije emisije. Ta razvoj zahteva zelo ozko kombinacijo izkušenj in modeliranja v precej dolgoročnem prizadevanju, zato je delo v disertaciji zelo primerno. Razvite metode bodo vključene v obstoječa orodja v MET, kot je digitalni mikrograf, ki bo na voljo skupinam uporabnikov. (Slovenian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Разработване на техники за електронна микроскопия с ултрависока разделителна способност, прилагани към хетероструктурите III-N (In,Ga)N. CIMAP е оборудван с микроскоп JEOL ARM 200 с двойна корекция Cs (звукова и обективна) и има за цел да разработи количествени анализи на MET и STEM с широкоъгълен детектор за EDS и GIF в съчетание с енергийно моделиране за определяне на стабилни структури, местен състав и свойства на функционалните материали, по-специално техните сплави на базата на нитриди от III-V. За определяне на локални деформации с атомен мащаб в тясно сътрудничество с изследователите на растежа (CRHEAB) ще се използва МЕТ с висока разделителна способност. Damilano_LEDs видими). Различните методи за анализ на изображенията в HR ще бъдат оценени и адаптирани към хетероструктурите (In,Ga)N. Успоредно с това ще се използват местни методи за химичен анализ като спектроскопия за загуба на енергия (EELS) и рентгенова спектроскопия (EDS) за разсейване на енергията (EDS) заедно със сканиране на МЕТ изображения (STEM) в подкрепа на количествени подходи, основани на определянето на локални деформации. Микроскопът CIMAP има по-добра пространствена разделителна способност от 0,8 Å и е оборудван със студено FEG пистолет за по-добра енергийна разделителна способност от 300 meV, което ще ни позволи да постигнем уникални резултати: Обсъждат се изследвания, при които атомното положение може да се получи с точност от порядъка на 1 pm, което е от съществено значение за моделирането на свойствата на хетероструктурите. Също така ще можем да броим атомите в атомна колона, особено чужди атоми (сплав състав: примерно разпределение на d В атомите в InGaN). С възможност за работа при 80 keV и в режим STEM артефакти, дължащи се на облъчване с микроскоп, ще бъдат значително намалени и с разумна разделителна сонда активни места, за да се разбере възможното местоположение на емисията. Тези разработки изискват много тясна комбинация от опит и моделиране в доста дългосрочни усилия, така че работата с дисертация е много подходяща. Разработените методи ще бъдат интегрирани в съществуващите инструменти в областта на ТДПИ, като например Digital Micrograph, за да бъдат на разположение на потребителските екипи (Bulgarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Разработване на техники за електронна микроскопия с ултрависока разделителна способност, прилагани към хетероструктурите III-N (In,Ga)N. CIMAP е оборудван с микроскоп JEOL ARM 200 с двойна корекция Cs (звукова и обективна) и има за цел да разработи количествени анализи на MET и STEM с широкоъгълен детектор за EDS и GIF в съчетание с енергийно моделиране за определяне на стабилни структури, местен състав и свойства на функционалните материали, по-специално техните сплави на базата на нитриди от III-V. За определяне на локални деформации с атомен мащаб в тясно сътрудничество с изследователите на растежа (CRHEAB) ще се използва МЕТ с висока разделителна способност. Damilano_LEDs видими). Различните методи за анализ на изображенията в HR ще бъдат оценени и адаптирани към хетероструктурите (In,Ga)N. Успоредно с това ще се използват местни методи за химичен анализ като спектроскопия за загуба на енергия (EELS) и рентгенова спектроскопия (EDS) за разсейване на енергията (EDS) заедно със сканиране на МЕТ изображения (STEM) в подкрепа на количествени подходи, основани на определянето на локални деформации. Микроскопът CIMAP има по-добра пространствена разделителна способност от 0,8 Å и е оборудван със студено FEG пистолет за по-добра енергийна разделителна способност от 300 meV, което ще ни позволи да постигнем уникални резултати: Обсъждат се изследвания, при които атомното положение може да се получи с точност от порядъка на 1 pm, което е от съществено значение за моделирането на свойствата на хетероструктурите. Също така ще можем да броим атомите в атомна колона, особено чужди атоми (сплав състав: примерно разпределение на d В атомите в InGaN). С възможност за работа при 80 keV и в режим STEM артефакти, дължащи се на облъчване с микроскоп, ще бъдат значително намалени и с разумна разделителна сонда активни места, за да се разбере възможното местоположение на емисията. Тези разработки изискват много тясна комбинация от опит и моделиране в доста дългосрочни усилия, така че работата с дисертация е много подходяща. Разработените методи ще бъдат интегрирани в съществуващите инструменти в областта на ТДПИ, като например Digital Micrograph, за да бъдат на разположение на потребителските екипи (Bulgarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Разработване на техники за електронна микроскопия с ултрависока разделителна способност, прилагани към хетероструктурите III-N (In,Ga)N. CIMAP е оборудван с микроскоп JEOL ARM 200 с двойна корекция Cs (звукова и обективна) и има за цел да разработи количествени анализи на MET и STEM с широкоъгълен детектор за EDS и GIF в съчетание с енергийно моделиране за определяне на стабилни структури, местен състав и свойства на функционалните материали, по-специално техните сплави на базата на нитриди от III-V. За определяне на локални деформации с атомен мащаб в тясно сътрудничество с изследователите на растежа (CRHEAB) ще се използва МЕТ с висока разделителна способност. Damilano_LEDs видими). Различните методи за анализ на изображенията в HR ще бъдат оценени и адаптирани към хетероструктурите (In,Ga)N. Успоредно с това ще се използват местни методи за химичен анализ като спектроскопия за загуба на енергия (EELS) и рентгенова спектроскопия (EDS) за разсейване на енергията (EDS) заедно със сканиране на МЕТ изображения (STEM) в подкрепа на количествени подходи, основани на определянето на локални деформации. Микроскопът CIMAP има по-добра пространствена разделителна способност от 0,8 Å и е оборудван със студено FEG пистолет за по-добра енергийна разделителна способност от 300 meV, което ще ни позволи да постигнем уникални резултати: Обсъждат се изследвания, при които атомното положение може да се получи с точност от порядъка на 1 pm, което е от съществено значение за моделирането на свойствата на хетероструктурите. Също така ще можем да броим атомите в атомна колона, особено чужди атоми (сплав състав: примерно разпределение на d В атомите в InGaN). С възможност за работа при 80 keV и в режим STEM артефакти, дължащи се на облъчване с микроскоп, ще бъдат значително намалени и с разумна разделителна сонда активни места, за да се разбере възможното местоположение на емисията. Тези разработки изискват много тясна комбинация от опит и моделиране в доста дългосрочни усилия, така че работата с дисертация е много подходяща. Разработените методи ще бъдат интегрирани в съществуващите инструменти в областта на ТДПИ, като например Digital Micrograph, за да бъдат на разположение на потребителските екипи (Bulgarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
L-iżvilupp ta’ tekniki ta’ mikroskopija elettron b’riżoluzzjoni ultra-għolja applikati għall-eterostrutturi III-N (F,Ga)N. CIMAP huwa mgħammar b’mikroskopju JEOL ARM 200 b’korrezzjoni Cs doppja (ħoss u oġġettiv) u għandu l-għan li jiżviluppa analiżi kwantitattiva dwar MET u STEM b’ditekter ta’ angolu wiesa’ EDS u GIF flimkien ma’ mmudellar tal-enerġija biex jiġu ddeterminati strutturi stabbli, kompożizzjoni lokali u proprjetajiet ta’ materjali funzjonali, b’mod partikolari l-ligi tagħhom ibbażati fuq nitruri III-V. Se jintuża immaġini MET b’riżoluzzjoni għolja biex jiġu ddeterminati deformazzjonijiet lokali fuq skala atomika b’kollaborazzjoni mill-qrib ma’ riċerkaturi tat-tkabbir (CRHEAB. Damilano_LEDs viżibbli). Id-diversi metodi ta’ analiżi tal-immaġni tal-HR se jiġu evalwati u adattati għall-eterostrutturi (F,Ga)N. Fl-istess ħin, se jintużaw metodi ta’ analiżi kimika lokali bħall-ispettroskopija tat-telf tal-enerġija tal-elettroni (EELS) u l-ispettroskopija tar-raġġi X (EDS) b’rabta mal-iskennjar tal-immaġnijiet MET (STEM) biex jiġu appoġġati approċċi kwantitattivi bbażati fuq id-determinazzjoni tad-deformazzjonijiet lokali. Il-mikroskopju CIMAP għandu riżoluzzjoni spazjali aħjar minn 0.8 Å u huwa mgħammar b’pistola kiesħa tal-FEG għal riżoluzzjoni aħjar tal-enerġija minn 300 meV, dan se jippermettilna niksbu riżultati uniċi: Jiġu diskussi studji fejn il-pożizzjoni atomika tista’ tinkiseb bi preċiżjoni tal-ordni ta’ 1 pm, essenzjali għall-immudellar tal-proprjetajiet ta’ eterostrutturi. Se nkunu kapaċi wkoll li jgħoddu l-atomi f’kolonna atomika, speċjalment atomi barranin (kompożizzjoni tal-liga: eżempju ta’ distribuzzjoni ta’ d Fl-atomi f’InGaN). Bil-possibbiltà ta’ ħidma fuq 80 keV u fil-modalità STEM, l-artifacts minħabba l-irradjazzjoni tal-mikroskopju se jitnaqqsu b’mod sinifikanti u b’sonda ta’ riżoluzzjoni raġonevoli, siti attivi biex wieħed jifhem il-post possibbli tal-emissjoni. Dawn l-iżviluppi jeħtieġu taħlita dejqa ħafna ta’ esperjenza u mmudellar fi sforz pjuttost fit-tul, u għalhekk ix-xogħol ta’ teżi huwa xieraq ħafna. Il-metodi żviluppati se jiġu integrati f’għodod eżistenti fit-TES bħall-Mikrografu Diġitali biex ikunu disponibbli għat-timijiet tal-utenti (Maltese) | |||||||||||||||
| Property / summary: L-iżvilupp ta’ tekniki ta’ mikroskopija elettron b’riżoluzzjoni ultra-għolja applikati għall-eterostrutturi III-N (F,Ga)N. CIMAP huwa mgħammar b’mikroskopju JEOL ARM 200 b’korrezzjoni Cs doppja (ħoss u oġġettiv) u għandu l-għan li jiżviluppa analiżi kwantitattiva dwar MET u STEM b’ditekter ta’ angolu wiesa’ EDS u GIF flimkien ma’ mmudellar tal-enerġija biex jiġu ddeterminati strutturi stabbli, kompożizzjoni lokali u proprjetajiet ta’ materjali funzjonali, b’mod partikolari l-ligi tagħhom ibbażati fuq nitruri III-V. Se jintuża immaġini MET b’riżoluzzjoni għolja biex jiġu ddeterminati deformazzjonijiet lokali fuq skala atomika b’kollaborazzjoni mill-qrib ma’ riċerkaturi tat-tkabbir (CRHEAB. Damilano_LEDs viżibbli). Id-diversi metodi ta’ analiżi tal-immaġni tal-HR se jiġu evalwati u adattati għall-eterostrutturi (F,Ga)N. Fl-istess ħin, se jintużaw metodi ta’ analiżi kimika lokali bħall-ispettroskopija tat-telf tal-enerġija tal-elettroni (EELS) u l-ispettroskopija tar-raġġi X (EDS) b’rabta mal-iskennjar tal-immaġnijiet MET (STEM) biex jiġu appoġġati approċċi kwantitattivi bbażati fuq id-determinazzjoni tad-deformazzjonijiet lokali. Il-mikroskopju CIMAP għandu riżoluzzjoni spazjali aħjar minn 0.8 Å u huwa mgħammar b’pistola kiesħa tal-FEG għal riżoluzzjoni aħjar tal-enerġija minn 300 meV, dan se jippermettilna niksbu riżultati uniċi: Jiġu diskussi studji fejn il-pożizzjoni atomika tista’ tinkiseb bi preċiżjoni tal-ordni ta’ 1 pm, essenzjali għall-immudellar tal-proprjetajiet ta’ eterostrutturi. Se nkunu kapaċi wkoll li jgħoddu l-atomi f’kolonna atomika, speċjalment atomi barranin (kompożizzjoni tal-liga: eżempju ta’ distribuzzjoni ta’ d Fl-atomi f’InGaN). Bil-possibbiltà ta’ ħidma fuq 80 keV u fil-modalità STEM, l-artifacts minħabba l-irradjazzjoni tal-mikroskopju se jitnaqqsu b’mod sinifikanti u b’sonda ta’ riżoluzzjoni raġonevoli, siti attivi biex wieħed jifhem il-post possibbli tal-emissjoni. Dawn l-iżviluppi jeħtieġu taħlita dejqa ħafna ta’ esperjenza u mmudellar fi sforz pjuttost fit-tul, u għalhekk ix-xogħol ta’ teżi huwa xieraq ħafna. Il-metodi żviluppati se jiġu integrati f’għodod eżistenti fit-TES bħall-Mikrografu Diġitali biex ikunu disponibbli għat-timijiet tal-utenti (Maltese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: L-iżvilupp ta’ tekniki ta’ mikroskopija elettron b’riżoluzzjoni ultra-għolja applikati għall-eterostrutturi III-N (F,Ga)N. CIMAP huwa mgħammar b’mikroskopju JEOL ARM 200 b’korrezzjoni Cs doppja (ħoss u oġġettiv) u għandu l-għan li jiżviluppa analiżi kwantitattiva dwar MET u STEM b’ditekter ta’ angolu wiesa’ EDS u GIF flimkien ma’ mmudellar tal-enerġija biex jiġu ddeterminati strutturi stabbli, kompożizzjoni lokali u proprjetajiet ta’ materjali funzjonali, b’mod partikolari l-ligi tagħhom ibbażati fuq nitruri III-V. Se jintuża immaġini MET b’riżoluzzjoni għolja biex jiġu ddeterminati deformazzjonijiet lokali fuq skala atomika b’kollaborazzjoni mill-qrib ma’ riċerkaturi tat-tkabbir (CRHEAB. Damilano_LEDs viżibbli). Id-diversi metodi ta’ analiżi tal-immaġni tal-HR se jiġu evalwati u adattati għall-eterostrutturi (F,Ga)N. Fl-istess ħin, se jintużaw metodi ta’ analiżi kimika lokali bħall-ispettroskopija tat-telf tal-enerġija tal-elettroni (EELS) u l-ispettroskopija tar-raġġi X (EDS) b’rabta mal-iskennjar tal-immaġnijiet MET (STEM) biex jiġu appoġġati approċċi kwantitattivi bbażati fuq id-determinazzjoni tad-deformazzjonijiet lokali. Il-mikroskopju CIMAP għandu riżoluzzjoni spazjali aħjar minn 0.8 Å u huwa mgħammar b’pistola kiesħa tal-FEG għal riżoluzzjoni aħjar tal-enerġija minn 300 meV, dan se jippermettilna niksbu riżultati uniċi: Jiġu diskussi studji fejn il-pożizzjoni atomika tista’ tinkiseb bi preċiżjoni tal-ordni ta’ 1 pm, essenzjali għall-immudellar tal-proprjetajiet ta’ eterostrutturi. Se nkunu kapaċi wkoll li jgħoddu l-atomi f’kolonna atomika, speċjalment atomi barranin (kompożizzjoni tal-liga: eżempju ta’ distribuzzjoni ta’ d Fl-atomi f’InGaN). Bil-possibbiltà ta’ ħidma fuq 80 keV u fil-modalità STEM, l-artifacts minħabba l-irradjazzjoni tal-mikroskopju se jitnaqqsu b’mod sinifikanti u b’sonda ta’ riżoluzzjoni raġonevoli, siti attivi biex wieħed jifhem il-post possibbli tal-emissjoni. Dawn l-iżviluppi jeħtieġu taħlita dejqa ħafna ta’ esperjenza u mmudellar fi sforz pjuttost fit-tul, u għalhekk ix-xogħol ta’ teżi huwa xieraq ħafna. Il-metodi żviluppati se jiġu integrati f’għodod eżistenti fit-TES bħall-Mikrografu Diġitali biex ikunu disponibbli għat-timijiet tal-utenti (Maltese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Desenvolvimento de técnicas de microscopia eletrónica de transmissão de ultra-alta resolução aplicadas às heteroestruturas III-N (In,Ga)N. O CIMAP está equipado com um microscópio JEOL ARM 200 com correção dupla de Cs (som e objetivo) e visa desenvolver análises quantitativas em MET e STEM com detector de grande ângulo EDS e GIF combinados com modelagem energética para determinar estruturas estáveis, composição local e propriedades de materiais funcionais, em particular suas ligas à base de nitretos III-V. A imagem lactente de alta resolução do MET será usada para determinar deformações atómicas-escala locais em colaboração estreita com pesquisadores do crescimento (CRHEAB. Damilano_LEDs visible) (em inglês). Os vários métodos da análise da imagem de HR serão avaliados e adaptados às heterostructures (In,Ga)N. Paralelamente, os métodos químicos locais da análise tais como a espectroscopia da perda de energia do elétron (EELS) e a espectroscopia do raio X da dispersão de energia (EDS) serão usados conjuntamente com a imagem lactente da exploração MET (STEM) para apoiar aproximações quantitativas baseadas na determinação de deformações locais. O microscópio CIMAP tem uma melhor resolução espacial do que 0,8 Å e está equipado com uma pistola FEG fria para uma melhor resolução de energia do que 300 meV, permitir-nos-á alcançar resultados únicos: São discutidos estudos onde a posição atómica pode ser obtida com uma precisão da ordem das 13 horas, essencial para modelar as propriedades das heteroestruturas. Também poderemos contar os átomos numa coluna atómica, especialmente átomos estranhos (composição da liga: exemplo de distribuição de d em átomos em InGaN). Com a possibilidade de trabalhar a 80 keV e no modo STEM, os artefatos devido à irradiação por microscópio serão significativamente reduzidos e com uma sonda de resolução razoável os locais ativos para compreender a possível localização da emissão. Estes desenvolvimentos requerem uma combinação muito estreita de experiência e modelagem em um esforço de longo prazo, portanto, um trabalho de tese é muito apropriado. Os métodos desenvolvidos serão integrados nas ferramentas existentes no MET, como a Micrografia Digital, para serem disponibilizados às equipas de utilizadores. (Portuguese) | |||||||||||||||
| Property / summary: Desenvolvimento de técnicas de microscopia eletrónica de transmissão de ultra-alta resolução aplicadas às heteroestruturas III-N (In,Ga)N. O CIMAP está equipado com um microscópio JEOL ARM 200 com correção dupla de Cs (som e objetivo) e visa desenvolver análises quantitativas em MET e STEM com detector de grande ângulo EDS e GIF combinados com modelagem energética para determinar estruturas estáveis, composição local e propriedades de materiais funcionais, em particular suas ligas à base de nitretos III-V. A imagem lactente de alta resolução do MET será usada para determinar deformações atómicas-escala locais em colaboração estreita com pesquisadores do crescimento (CRHEAB. Damilano_LEDs visible) (em inglês). Os vários métodos da análise da imagem de HR serão avaliados e adaptados às heterostructures (In,Ga)N. Paralelamente, os métodos químicos locais da análise tais como a espectroscopia da perda de energia do elétron (EELS) e a espectroscopia do raio X da dispersão de energia (EDS) serão usados conjuntamente com a imagem lactente da exploração MET (STEM) para apoiar aproximações quantitativas baseadas na determinação de deformações locais. O microscópio CIMAP tem uma melhor resolução espacial do que 0,8 Å e está equipado com uma pistola FEG fria para uma melhor resolução de energia do que 300 meV, permitir-nos-á alcançar resultados únicos: São discutidos estudos onde a posição atómica pode ser obtida com uma precisão da ordem das 13 horas, essencial para modelar as propriedades das heteroestruturas. Também poderemos contar os átomos numa coluna atómica, especialmente átomos estranhos (composição da liga: exemplo de distribuição de d em átomos em InGaN). Com a possibilidade de trabalhar a 80 keV e no modo STEM, os artefatos devido à irradiação por microscópio serão significativamente reduzidos e com uma sonda de resolução razoável os locais ativos para compreender a possível localização da emissão. Estes desenvolvimentos requerem uma combinação muito estreita de experiência e modelagem em um esforço de longo prazo, portanto, um trabalho de tese é muito apropriado. Os métodos desenvolvidos serão integrados nas ferramentas existentes no MET, como a Micrografia Digital, para serem disponibilizados às equipas de utilizadores. (Portuguese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Desenvolvimento de técnicas de microscopia eletrónica de transmissão de ultra-alta resolução aplicadas às heteroestruturas III-N (In,Ga)N. O CIMAP está equipado com um microscópio JEOL ARM 200 com correção dupla de Cs (som e objetivo) e visa desenvolver análises quantitativas em MET e STEM com detector de grande ângulo EDS e GIF combinados com modelagem energética para determinar estruturas estáveis, composição local e propriedades de materiais funcionais, em particular suas ligas à base de nitretos III-V. A imagem lactente de alta resolução do MET será usada para determinar deformações atómicas-escala locais em colaboração estreita com pesquisadores do crescimento (CRHEAB. Damilano_LEDs visible) (em inglês). Os vários métodos da análise da imagem de HR serão avaliados e adaptados às heterostructures (In,Ga)N. Paralelamente, os métodos químicos locais da análise tais como a espectroscopia da perda de energia do elétron (EELS) e a espectroscopia do raio X da dispersão de energia (EDS) serão usados conjuntamente com a imagem lactente da exploração MET (STEM) para apoiar aproximações quantitativas baseadas na determinação de deformações locais. O microscópio CIMAP tem uma melhor resolução espacial do que 0,8 Å e está equipado com uma pistola FEG fria para uma melhor resolução de energia do que 300 meV, permitir-nos-á alcançar resultados únicos: São discutidos estudos onde a posição atómica pode ser obtida com uma precisão da ordem das 13 horas, essencial para modelar as propriedades das heteroestruturas. Também poderemos contar os átomos numa coluna atómica, especialmente átomos estranhos (composição da liga: exemplo de distribuição de d em átomos em InGaN). Com a possibilidade de trabalhar a 80 keV e no modo STEM, os artefatos devido à irradiação por microscópio serão significativamente reduzidos e com uma sonda de resolução razoável os locais ativos para compreender a possível localização da emissão. Estes desenvolvimentos requerem uma combinação muito estreita de experiência e modelagem em um esforço de longo prazo, portanto, um trabalho de tese é muito apropriado. Os métodos desenvolvidos serão integrados nas ferramentas existentes no MET, como a Micrografia Digital, para serem disponibilizados às equipas de utilizadores. (Portuguese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Udvikling af ultra-høj opløsning transmission elektronmikroskopi teknikker, der anvendes på heterostrukturer III-N (In,Ga)N. CIMAP er udstyret med et JEOL ARM 200 mikroskop med dual Cs korrektion (lyd og objektiv) og har til formål at udvikle kvantitative analyser af MET og STEM med EDS vidvinkeldetektor og GIF kombineret med energi modellering for at bestemme stabile strukturer, lokale sammensætning og egenskaber af funktionelle materialer, især deres legeringer baseret på III-V nitrider. MET-billeddannelse med høj opløsning vil blive brugt til at bestemme lokale atomskaladeformationer i tæt samarbejde med vækstforskere (CRHEAB. Damilano_LED'er synlige). De forskellige HR-billedanalysemetoder vil blive evalueret og tilpasset til heterostrukturer (In,Ga)N. Samtidig vil lokale kemiske analysemetoder såsom elektronenergitabsspektroskopi (EELS) og energispredning røntgenspektroskopi (EDS) blive anvendt i forbindelse med scanning af MET-billeddannelse (STEM) til støtte for kvantitative tilgange baseret på bestemmelse af lokale deformationer. CIMAP mikroskopet har en bedre rumlig opløsning end 0,8 Å og er udstyret med en kold FEG pistol for en bedre energiopløsning end 300 meV, det vil give os mulighed for at opnå unikke resultater: Undersøgelser, hvor atompositionen kan opnås med en nøjagtighed i størrelsesordenen 1 pm, afgørende for modellering egenskaberne af heterostrukturer diskuteres. Vi vil også kunne tælle atomerne i en atomkolonne, især udenlandske atomer (legeringssammensætning: eksempel fordeling af d I atomer i InGaN). Med muligheden for at arbejde ved 80 keV og i STEM-tilstand vil artefakter, der skyldes mikroskopbestråling, blive reduceret betydeligt og med en rimelig opløsningssonde aktive steder for at forstå den mulige placering af emissionen. Denne udvikling kræver en meget snæver kombination af erfaring og modellering i en temmelig langsigtet indsats, så et specialearbejde er meget hensigtsmæssigt. De udviklede metoder vil blive integreret i eksisterende værktøjer inden for MET som Digital Micrograph, så de er tilgængelige for brugerteams. (Danish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Udvikling af ultra-høj opløsning transmission elektronmikroskopi teknikker, der anvendes på heterostrukturer III-N (In,Ga)N. CIMAP er udstyret med et JEOL ARM 200 mikroskop med dual Cs korrektion (lyd og objektiv) og har til formål at udvikle kvantitative analyser af MET og STEM med EDS vidvinkeldetektor og GIF kombineret med energi modellering for at bestemme stabile strukturer, lokale sammensætning og egenskaber af funktionelle materialer, især deres legeringer baseret på III-V nitrider. MET-billeddannelse med høj opløsning vil blive brugt til at bestemme lokale atomskaladeformationer i tæt samarbejde med vækstforskere (CRHEAB. Damilano_LED'er synlige). De forskellige HR-billedanalysemetoder vil blive evalueret og tilpasset til heterostrukturer (In,Ga)N. Samtidig vil lokale kemiske analysemetoder såsom elektronenergitabsspektroskopi (EELS) og energispredning røntgenspektroskopi (EDS) blive anvendt i forbindelse med scanning af MET-billeddannelse (STEM) til støtte for kvantitative tilgange baseret på bestemmelse af lokale deformationer. CIMAP mikroskopet har en bedre rumlig opløsning end 0,8 Å og er udstyret med en kold FEG pistol for en bedre energiopløsning end 300 meV, det vil give os mulighed for at opnå unikke resultater: Undersøgelser, hvor atompositionen kan opnås med en nøjagtighed i størrelsesordenen 1 pm, afgørende for modellering egenskaberne af heterostrukturer diskuteres. Vi vil også kunne tælle atomerne i en atomkolonne, især udenlandske atomer (legeringssammensætning: eksempel fordeling af d I atomer i InGaN). Med muligheden for at arbejde ved 80 keV og i STEM-tilstand vil artefakter, der skyldes mikroskopbestråling, blive reduceret betydeligt og med en rimelig opløsningssonde aktive steder for at forstå den mulige placering af emissionen. Denne udvikling kræver en meget snæver kombination af erfaring og modellering i en temmelig langsigtet indsats, så et specialearbejde er meget hensigtsmæssigt. De udviklede metoder vil blive integreret i eksisterende værktøjer inden for MET som Digital Micrograph, så de er tilgængelige for brugerteams. (Danish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Udvikling af ultra-høj opløsning transmission elektronmikroskopi teknikker, der anvendes på heterostrukturer III-N (In,Ga)N. CIMAP er udstyret med et JEOL ARM 200 mikroskop med dual Cs korrektion (lyd og objektiv) og har til formål at udvikle kvantitative analyser af MET og STEM med EDS vidvinkeldetektor og GIF kombineret med energi modellering for at bestemme stabile strukturer, lokale sammensætning og egenskaber af funktionelle materialer, især deres legeringer baseret på III-V nitrider. MET-billeddannelse med høj opløsning vil blive brugt til at bestemme lokale atomskaladeformationer i tæt samarbejde med vækstforskere (CRHEAB. Damilano_LED'er synlige). De forskellige HR-billedanalysemetoder vil blive evalueret og tilpasset til heterostrukturer (In,Ga)N. Samtidig vil lokale kemiske analysemetoder såsom elektronenergitabsspektroskopi (EELS) og energispredning røntgenspektroskopi (EDS) blive anvendt i forbindelse med scanning af MET-billeddannelse (STEM) til støtte for kvantitative tilgange baseret på bestemmelse af lokale deformationer. CIMAP mikroskopet har en bedre rumlig opløsning end 0,8 Å og er udstyret med en kold FEG pistol for en bedre energiopløsning end 300 meV, det vil give os mulighed for at opnå unikke resultater: Undersøgelser, hvor atompositionen kan opnås med en nøjagtighed i størrelsesordenen 1 pm, afgørende for modellering egenskaberne af heterostrukturer diskuteres. Vi vil også kunne tælle atomerne i en atomkolonne, især udenlandske atomer (legeringssammensætning: eksempel fordeling af d I atomer i InGaN). Med muligheden for at arbejde ved 80 keV og i STEM-tilstand vil artefakter, der skyldes mikroskopbestråling, blive reduceret betydeligt og med en rimelig opløsningssonde aktive steder for at forstå den mulige placering af emissionen. Denne udvikling kræver en meget snæver kombination af erfaring og modellering i en temmelig langsigtet indsats, så et specialearbejde er meget hensigtsmæssigt. De udviklede metoder vil blive integreret i eksisterende værktøjer inden for MET som Digital Micrograph, så de er tilgængelige for brugerteams. (Danish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Dezvoltarea tehnicilor de microscopie electronică de transmisie cu rezoluție ultra-înaltă aplicată heterostructurilor III-N (In,Ga)N. CIMAP este echipat cu un microscop JEOL ARM 200 cu corecție dublă Cs (sunet și obiectiv) și își propune să dezvolte analize cantitative pe MET și STEM cu detector cu unghi larg EDS și GIF combinate cu modelarea energetică pentru a determina structurile stabile, compoziția locală și proprietățile materialelor funcționale, în special aliajele lor pe bază de nitruri III-V. Imagistica MET de înaltă rezoluție va fi utilizată pentru a determina deformările la scară atomică locală în strânsă colaborare cu cercetătorii în creștere (CRHEAB. Damilano_LED-uri vizibile). Diferitele metode de analiză a imaginii HR vor fi evaluate și adaptate la heterostructuri (In,Ga)N. În paralel, metodele locale de analiză chimică, cum ar fi spectroscopia pierderilor de energie electronică (EELS) și spectroscopia de dispersie de energie cu raze X (EDS) vor fi utilizate în combinație cu scanarea imaginilor MET (STEM) pentru a sprijini abordări cantitative bazate pe determinarea deformărilor locale. Microscopul CIMAP are o rezoluție spațială mai bună decât 0,8 Å și este echipat cu un pistol FEG rece pentru o rezoluție energetică mai bună decât 300 meV, ne va permite să obținem rezultate unice: Se discută studii în care poziția atomică poate fi obținută cu o precizie de ordinul 1 pm, esențială pentru modelarea proprietăților heterostructurilor. De asemenea, vom putea număra atomii într-o coloană atomică, în special atomii străini (compoziția aliajului: exemplu de distribuție a d În atomi în InGaN). Cu posibilitatea de a lucra la 80 keV și în modul STEM, artefactele datorate iradierii microscopice vor fi reduse în mod semnificativ și cu o sondă de rezoluție rezonabilă site-uri active pentru a înțelege locația posibilă a emisiei. Aceste evoluții necesită o combinație foarte restrânsă de experiență și modelare într-un efort destul de lung, astfel încât o lucrare de teză este foarte adecvată. Metodele dezvoltate vor fi integrate în instrumentele existente în MET, cum ar fi Micrograful digital, care vor fi puse la dispoziția echipelor de utilizatori (Romanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Dezvoltarea tehnicilor de microscopie electronică de transmisie cu rezoluție ultra-înaltă aplicată heterostructurilor III-N (In,Ga)N. CIMAP este echipat cu un microscop JEOL ARM 200 cu corecție dublă Cs (sunet și obiectiv) și își propune să dezvolte analize cantitative pe MET și STEM cu detector cu unghi larg EDS și GIF combinate cu modelarea energetică pentru a determina structurile stabile, compoziția locală și proprietățile materialelor funcționale, în special aliajele lor pe bază de nitruri III-V. Imagistica MET de înaltă rezoluție va fi utilizată pentru a determina deformările la scară atomică locală în strânsă colaborare cu cercetătorii în creștere (CRHEAB. Damilano_LED-uri vizibile). Diferitele metode de analiză a imaginii HR vor fi evaluate și adaptate la heterostructuri (In,Ga)N. În paralel, metodele locale de analiză chimică, cum ar fi spectroscopia pierderilor de energie electronică (EELS) și spectroscopia de dispersie de energie cu raze X (EDS) vor fi utilizate în combinație cu scanarea imaginilor MET (STEM) pentru a sprijini abordări cantitative bazate pe determinarea deformărilor locale. Microscopul CIMAP are o rezoluție spațială mai bună decât 0,8 Å și este echipat cu un pistol FEG rece pentru o rezoluție energetică mai bună decât 300 meV, ne va permite să obținem rezultate unice: Se discută studii în care poziția atomică poate fi obținută cu o precizie de ordinul 1 pm, esențială pentru modelarea proprietăților heterostructurilor. De asemenea, vom putea număra atomii într-o coloană atomică, în special atomii străini (compoziția aliajului: exemplu de distribuție a d În atomi în InGaN). Cu posibilitatea de a lucra la 80 keV și în modul STEM, artefactele datorate iradierii microscopice vor fi reduse în mod semnificativ și cu o sondă de rezoluție rezonabilă site-uri active pentru a înțelege locația posibilă a emisiei. Aceste evoluții necesită o combinație foarte restrânsă de experiență și modelare într-un efort destul de lung, astfel încât o lucrare de teză este foarte adecvată. Metodele dezvoltate vor fi integrate în instrumentele existente în MET, cum ar fi Micrograful digital, care vor fi puse la dispoziția echipelor de utilizatori (Romanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Dezvoltarea tehnicilor de microscopie electronică de transmisie cu rezoluție ultra-înaltă aplicată heterostructurilor III-N (In,Ga)N. CIMAP este echipat cu un microscop JEOL ARM 200 cu corecție dublă Cs (sunet și obiectiv) și își propune să dezvolte analize cantitative pe MET și STEM cu detector cu unghi larg EDS și GIF combinate cu modelarea energetică pentru a determina structurile stabile, compoziția locală și proprietățile materialelor funcționale, în special aliajele lor pe bază de nitruri III-V. Imagistica MET de înaltă rezoluție va fi utilizată pentru a determina deformările la scară atomică locală în strânsă colaborare cu cercetătorii în creștere (CRHEAB. Damilano_LED-uri vizibile). Diferitele metode de analiză a imaginii HR vor fi evaluate și adaptate la heterostructuri (In,Ga)N. În paralel, metodele locale de analiză chimică, cum ar fi spectroscopia pierderilor de energie electronică (EELS) și spectroscopia de dispersie de energie cu raze X (EDS) vor fi utilizate în combinație cu scanarea imaginilor MET (STEM) pentru a sprijini abordări cantitative bazate pe determinarea deformărilor locale. Microscopul CIMAP are o rezoluție spațială mai bună decât 0,8 Å și este echipat cu un pistol FEG rece pentru o rezoluție energetică mai bună decât 300 meV, ne va permite să obținem rezultate unice: Se discută studii în care poziția atomică poate fi obținută cu o precizie de ordinul 1 pm, esențială pentru modelarea proprietăților heterostructurilor. De asemenea, vom putea număra atomii într-o coloană atomică, în special atomii străini (compoziția aliajului: exemplu de distribuție a d În atomi în InGaN). Cu posibilitatea de a lucra la 80 keV și în modul STEM, artefactele datorate iradierii microscopice vor fi reduse în mod semnificativ și cu o sondă de rezoluție rezonabilă site-uri active pentru a înțelege locația posibilă a emisiei. Aceste evoluții necesită o combinație foarte restrânsă de experiență și modelare într-un efort destul de lung, astfel încât o lucrare de teză este foarte adecvată. Metodele dezvoltate vor fi integrate în instrumentele existente în MET, cum ar fi Micrograful digital, care vor fi puse la dispoziția echipelor de utilizatori (Romanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Utveckling av ultrahögupplösande överföringselektronmikroskopitekniker som tillämpas på heterostrukturer III-N (In,Ga)N. CIMAP är utrustad med ett JEOL ARM 200-mikroskop med dubbel Cs-korrigering (ljud och mål) och syftar till att utveckla kvantitativa analyser på MET och STEM med EDS vidvinkeldetektor och GIF kombinerat med energimodellering för att bestämma stabila strukturer, lokal sammansättning och egenskaper hos funktionella material, särskilt deras legeringar baserade på III-V nitrider. Högupplöst MET-avbildning kommer att användas för att bestämma lokala atomskala deformationer i nära samarbete med tillväxtforskare (CRHEAB. Damilano_LED syns). De olika HR-bildanalysmetoderna kommer att utvärderas och anpassas till heterostrukturer (In,Ga)N. Parallellt kommer lokala kemiska analysmetoder som elektronenergiförlustspektroskopi (EELS) och energidispersionsröntgenspektroskopi (EDS) att användas i samband med scanning MET imaging (STEM) för att stödja kvantitativa metoder baserade på bestämning av lokala deformationer. CIMAP-mikroskopet har en bättre rumslig upplösning än 0,8 Å och är utrustat med en kall FEG-pistol för en bättre energiupplösning än 300 meV, det gör det möjligt för oss att uppnå unika resultat: Studier där atompositionen kan erhållas med en noggrannhet i storleksordningen 1 pm, avgörande för modellering av heterostrukturernas egenskaper diskuteras. Vi kommer också att kunna räkna atomerna i en atomkolonn, särskilt främmande atomer (legeringssammansättning: exempel på distribution av d I atomer i InGaN). Med möjlighet att arbeta vid 80 keV och i STEM-läge, kommer artefakter på grund av mikroskop bestrålning att minskas avsevärt och med en rimlig upplösning sond aktiva platser för att förstå den möjliga platsen för utsläppet. Denna utveckling kräver en mycket snäv kombination av erfarenhet och modellering i en ganska långsiktig ansträngning, så ett examensarbete är mycket lämpligt. De metoder som utvecklats kommer att integreras i befintliga verktyg i MET som Digital Micrograph för att vara tillgängliga för användarteam (Swedish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Utveckling av ultrahögupplösande överföringselektronmikroskopitekniker som tillämpas på heterostrukturer III-N (In,Ga)N. CIMAP är utrustad med ett JEOL ARM 200-mikroskop med dubbel Cs-korrigering (ljud och mål) och syftar till att utveckla kvantitativa analyser på MET och STEM med EDS vidvinkeldetektor och GIF kombinerat med energimodellering för att bestämma stabila strukturer, lokal sammansättning och egenskaper hos funktionella material, särskilt deras legeringar baserade på III-V nitrider. Högupplöst MET-avbildning kommer att användas för att bestämma lokala atomskala deformationer i nära samarbete med tillväxtforskare (CRHEAB. Damilano_LED syns). De olika HR-bildanalysmetoderna kommer att utvärderas och anpassas till heterostrukturer (In,Ga)N. Parallellt kommer lokala kemiska analysmetoder som elektronenergiförlustspektroskopi (EELS) och energidispersionsröntgenspektroskopi (EDS) att användas i samband med scanning MET imaging (STEM) för att stödja kvantitativa metoder baserade på bestämning av lokala deformationer. CIMAP-mikroskopet har en bättre rumslig upplösning än 0,8 Å och är utrustat med en kall FEG-pistol för en bättre energiupplösning än 300 meV, det gör det möjligt för oss att uppnå unika resultat: Studier där atompositionen kan erhållas med en noggrannhet i storleksordningen 1 pm, avgörande för modellering av heterostrukturernas egenskaper diskuteras. Vi kommer också att kunna räkna atomerna i en atomkolonn, särskilt främmande atomer (legeringssammansättning: exempel på distribution av d I atomer i InGaN). Med möjlighet att arbeta vid 80 keV och i STEM-läge, kommer artefakter på grund av mikroskop bestrålning att minskas avsevärt och med en rimlig upplösning sond aktiva platser för att förstå den möjliga platsen för utsläppet. Denna utveckling kräver en mycket snäv kombination av erfarenhet och modellering i en ganska långsiktig ansträngning, så ett examensarbete är mycket lämpligt. De metoder som utvecklats kommer att integreras i befintliga verktyg i MET som Digital Micrograph för att vara tillgängliga för användarteam (Swedish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Utveckling av ultrahögupplösande överföringselektronmikroskopitekniker som tillämpas på heterostrukturer III-N (In,Ga)N. CIMAP är utrustad med ett JEOL ARM 200-mikroskop med dubbel Cs-korrigering (ljud och mål) och syftar till att utveckla kvantitativa analyser på MET och STEM med EDS vidvinkeldetektor och GIF kombinerat med energimodellering för att bestämma stabila strukturer, lokal sammansättning och egenskaper hos funktionella material, särskilt deras legeringar baserade på III-V nitrider. Högupplöst MET-avbildning kommer att användas för att bestämma lokala atomskala deformationer i nära samarbete med tillväxtforskare (CRHEAB. Damilano_LED syns). De olika HR-bildanalysmetoderna kommer att utvärderas och anpassas till heterostrukturer (In,Ga)N. Parallellt kommer lokala kemiska analysmetoder som elektronenergiförlustspektroskopi (EELS) och energidispersionsröntgenspektroskopi (EDS) att användas i samband med scanning MET imaging (STEM) för att stödja kvantitativa metoder baserade på bestämning av lokala deformationer. CIMAP-mikroskopet har en bättre rumslig upplösning än 0,8 Å och är utrustat med en kall FEG-pistol för en bättre energiupplösning än 300 meV, det gör det möjligt för oss att uppnå unika resultat: Studier där atompositionen kan erhållas med en noggrannhet i storleksordningen 1 pm, avgörande för modellering av heterostrukturernas egenskaper diskuteras. Vi kommer också att kunna räkna atomerna i en atomkolonn, särskilt främmande atomer (legeringssammansättning: exempel på distribution av d I atomer i InGaN). Med möjlighet att arbeta vid 80 keV och i STEM-läge, kommer artefakter på grund av mikroskop bestrålning att minskas avsevärt och med en rimlig upplösning sond aktiva platser för att förstå den möjliga platsen för utsläppet. Denna utveckling kräver en mycket snäv kombination av erfarenhet och modellering i en ganska långsiktig ansträngning, så ett examensarbete är mycket lämpligt. De metoder som utvecklats kommer att integreras i befintliga verktyg i MET som Digital Micrograph för att vara tillgängliga för användarteam (Swedish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / beneficiary | |||||||||||||||
| Property / beneficiary: CTRE NAT DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / beneficiary name (string) | |||||||||||||||
CTRE NAT DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE | |||||||||||||||
| Property / beneficiary name (string): CTRE NAT DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / postal code | |||||||||||||||
14052 | |||||||||||||||
| Property / postal code: 14052 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Calvados / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Calvados / qualifier | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Caen / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Caen / qualifier | |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
49°12'0.97"N, 0°20'57.37"W
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 49°12'0.97"N, 0°20'57.37"W / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 49°12'0.97"N, 0°20'57.37"W / qualifier | |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
95,149.0 Euro
| |||||||||||||||
| Property / budget: 95,149.0 Euro / rank | |||||||||||||||
Preferred rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
42,261.22 Euro
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 42,261.22 Euro / rank | |||||||||||||||
Preferred rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
44.42 percent
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 44.42 percent / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / date of last update | |||||||||||||||
7 December 2023
| |||||||||||||||
| Property / date of last update: 7 December 2023 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
Latest revision as of 23:51, 10 October 2024
Project Q3673350 in France
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | ERDF — CNRS — Alloc cofin — Nicolas CHERY |
Project Q3673350 in France |
Statements
42,261.22 Euro
0 references
95,149.0 Euro
0 references
44.42 percent
0 references
1 December 2015
0 references
31 May 2019
0 references
CTRE NAT DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
0 references
14052
0 references
Développement des techniques de microscopie électronique en transmission ultra haute résolution appliquées aux hétérostructures III-N (In,Ga)N. Le CIMAP est équipé d un microscope JEOL ARM 200 avec double correction Cs (sonde et objectif) et veut développer des analyses quantitatives sur MET et STEM avec EDS détecteur grand angle et GIF conjugués à la modélisation énergétique pour déterminer les structures stables, la composition locale et les propriétés des matériaux fonctionnels, en particulier leurs alliages a base de nitrures III-V. L imagerie MET haute résolution sera utilisée pour déterminer les déformations locales à l échelle atomique en étroite collaboration avec les chercheurs réalisant la croissance (CRHEA_B. Damilano_LEDs visible). Les différentes méthodes d analyse des images HR seront évaluées et adaptées aux héterostructures (In,Ga)N. En parallèle, les méthodes d analyse chimique locales telles que la spectroscopie de perte d énergie des électrons (EELS) et la spectroscopie de Rayons X en dispersion d énergie (EDS) seront utilisées conjointement avec l imagerie MET à balayage (STEM) pour conforter les démarches quantitatives basées sur la détermination des déformations locales. Le microscope du CIMAP a une résolution spatiale meilleure que 0.8Å et est équipé d un canon FEG à froid pour une résolution en énergie meilleure que 300 meV, il nous permettra d obtenir des résultats uniques: On aborder des études où la position atomique peut être obtenue avec une précision de l ordre de 1 pm, essentielles pour modéliser les propriétés des héterostructures. On va aussi pouvoir compter les atomes dans une colonne atomique, particulièrement des atomes étrangers (composition d alliage: exemple distribution des atomes d In dans InGaN ). Avec la possibilité de travailler à 80 keV et en mode STEM, on va diminuer considérablement les artefacts dus à l irradiation au microscope et avec une résolution raisonnable sonder les sites actifs pour comprendre la possible localisation de l émission. Ces développements exigent une conjugaison expérience et modélisation très étroite dans un effort d assez longue haleine, donc un travail de thèse est de très bonne adéquation. Les méthodes développées seront intégrées dans les outils déjà existants en MET comme Digital Micrograph pour être à la disposition des équipes utilisatrices (French)
0 references
Development of ultra-high resolution transmission electron microscopy techniques applied to heterostructures III-N (In,Ga)N. CIMAP is equipped with a JEOL ARM 200 microscope with dual Cs correction (sound and objective) and aims to develop quantitative analyses on MET and STEM with EDS wide-angle detector and GIF combined with energy modelling to determine stable structures, local composition and properties of functional materials, in particular their alloys based on III-V nitrides. High-resolution MET imaging will be used to determine local atomic-scale deformations in close collaboration with growth researchers (CRHEAB. Damilano_LEDs visible). The various HR image analysis methods will be evaluated and adapted to heterostructures (In,Ga)N. In parallel, local chemical analysis methods such as electron energy loss spectroscopy (EELS) and energy dispersion X-ray spectroscopy (EDS) will be used in conjunction with scanning MET imaging (STEM) to support quantitative approaches based on the determination of local deformations. The CIMAP microscope has a better spatial resolution than 0.8 Å and is equipped with a cold FEG gun for a better energy resolution than 300 meV, it will allow us to achieve unique results: Studies where the atomic position can be obtained with an accuracy of the order of 1 pm, essential for modeling the properties of heterostructures is discussed. We will also be able to count the atoms in an atomic column, especially foreign atoms (alloy composition: example distribution of d In atoms in InGaN). With the possibility of working at 80 keV and in STEM mode, artifacts due to microscope irradiation will be significantly reduced and with a reasonable resolution probe active sites to understand the possible location of the emission. These developments require a very narrow combination of experience and modeling in a rather long-term effort, so a thesis work is very appropriate. The methods developed will be integrated into existing tools in MET like Digital Micrograph to be available to user teams (English)
18 November 2021
0.5372395676751875
0 references
Entwicklung von hochauflösenden Elektronenmikroskopietechniken für III-N-Heterostrukturen (In,Ga)N. Das CIPAC ist mit einem JEOL ARM 200 Mikroskop mit doppelter Cs-Korrektur (Sonde und Objektiv) ausgestattet und will quantitative Analysen auf MET und STEM mit EDS Weitwinkel- und GIF-Detektor in Verbindung mit Energiemodellierung entwickeln, um stabile Strukturen, lokale Zusammensetzung und Eigenschaften funktionaler Materialien zu bestimmen, insbesondere ihre Legierungen basieren auf III-V-Nitriden. Die hochauflösende MET-Bildgebung wird verwendet, um lokale Atomverformungen in enger Zusammenarbeit mit Forschern zu bestimmen, die das Wachstum realisieren (HCR). Damilano_LEDs sichtbar). Die verschiedenen Methoden zur Analyse von HR-Bildern werden für Heterostrukturen (In,Ga)N ausgewertet und angepasst. Gleichzeitig werden lokale chemische Analysemethoden wie die Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS) und die Spektroskopie von Röntgenstrahlen in Energiedispersion (EDS) zusammen mit der MET-Scanning-Bildgebung (STEM) eingesetzt, um quantitative Verfahren auf der Grundlage der Bestimmung der lokalen Deformationen zu unterstützen. Das Mikroskop des CIMAP hat eine bessere räumliche Auflösung als 0,8 Å und ist mit einem FEG-Kaltkanon für eine bessere Energieauflösung als 300 meV ausgestattet und ermöglicht es uns, einzigartige Ergebnisse zu erzielen: Es werden Untersuchungen behandelt, bei denen die Atomposition mit einer Genauigkeit von 1 pm erreicht werden kann, die für die Modellierung der Eigenschaften von Heterostrukturen wesentlich sind. Man kann auch Atome in einer Atomsäule zählen, insbesondere Fremdatome (Legierungszusammensetzung: Beispiel Verteilung von In-Atomen in InGaN). Mit der Möglichkeit, bei 80 keV und im MINT-Modus zu arbeiten, werden die Artefakte aufgrund der Bestrahlung unter dem Mikroskop erheblich reduziert und mit einer angemessenen Auflösung die aktiven Standorte untersucht, um die mögliche Lokalisierung der Sendung zu verstehen. Diese Entwicklungen erfordern eine sehr enge Kombination von Erfahrung und Modellierung in einem ziemlich langen Atem, so dass eine Dissertationsarbeit sehr gut geeignet ist. Die entwickelten Methoden werden in bereits bestehende MET-Tools wie Digital Micrograph integriert, um den Anwenderteams zur Verfügung zu stehen. (German)
1 December 2021
0 references
Ontwikkeling van ultrahoge resolutie transmissie elektronenmicroscopie technieken toegepast op heterostructuren III-N (In,Ga)N. CIMAP is uitgerust met een JEOL ARM 200 microscoop met dubbele Cs correctie (geluid en objectief) en is gericht op het ontwikkelen van kwantitatieve analyses op MET en STEM met EDS groothoek detector en GIF gecombineerd met energie modellering om stabiele structuren, lokale samenstelling en eigenschappen van functionele materialen te bepalen, in het bijzonder hun legeringen op basis van III-V nitrides. High-resolution MET imaging zal worden gebruikt om lokale atomaire-schaal deformaties te bepalen in nauwe samenwerking met groeionderzoekers (CRHEAB. Damilano_LED’s zichtbaar). De verschillende HR-beeldanalysemethoden worden geëvalueerd en aangepast aan heterostructuren (In,Ga)N. Tegelijkertijd worden lokale chemische analysemethoden zoals elektronenenergieverliesspectroscopie (EELS) en energiedispersiespectroscopie (EDS) gebruikt in combinatie met scanning MET imaging (STEM) ter ondersteuning van kwantitatieve benaderingen op basis van de bepaling van lokale vervormingen. De CIMAP microscoop heeft een betere ruimtelijke resolutie dan 0,8 Å en is uitgerust met een koud FEG-pistool voor een betere energieresolutie dan 300 meV, waardoor we unieke resultaten kunnen behalen: Studies waarbij de atomaire positie kan worden verkregen met een nauwkeurigheid van de orde van 1 pm, essentieel voor het modelleren van de eigenschappen van heterostructuren wordt besproken. We zullen ook in staat zijn om de atomen te tellen in een atoomkolom, vooral buitenlandse atomen (legering samenstelling: voorbeeld distributie van d In atomen in InGaN). Met de mogelijkheid om op 80 keV en in STEM-modus te werken, zullen artefacten als gevolg van microscoopstraling aanzienlijk worden verminderd en met een redelijke resolutiesonde actieve locaties om de mogelijke locatie van de emissie te begrijpen. Deze ontwikkelingen vereisen een zeer smalle combinatie van ervaring en modellering op een vrij lange termijn inspanning, dus een proefwerk is zeer geschikt. De ontwikkelde methoden zullen worden geïntegreerd in bestaande instrumenten in MET zoals Digital Micrograph om beschikbaar te zijn voor gebruikersteams (Dutch)
6 December 2021
0 references
Sviluppo di tecniche di microscopia elettronica di trasmissione ad altissima risoluzione applicate alle eterostrutture III-N (In,Ga)N. Il CIMAP è dotato di un microscopio JEOL ARM 200 con correzione dual Cs (suono e obiettivo) e mira a sviluppare analisi quantitative su MET e STEM con rivelatore a grandangolo EDS e GIF abbinato alla modellazione energetica per determinare strutture stabili, composizione locale e proprietà dei materiali funzionali, in particolare le leghe basate su nitruri III-V. L'imaging MET ad alta risoluzione sarà utilizzato per determinare le deformazioni locali su scala atomica in stretta collaborazione con i ricercatori in crescita (CRHEAB. Damilano_LED visibili). I vari metodi di analisi delle immagini HR saranno valutati e adattati alle eterostrutture (In,Ga)N. In parallelo, i metodi di analisi chimica locale come la spettroscopia di perdita di energia elettronica (EELS) e la spettroscopia a raggi X a dispersione di energia (EDS) saranno utilizzati in combinazione con la scansione MET imaging (STEM) per supportare approcci quantitativi basati sulla determinazione delle deformazioni locali. Il microscopio CIMAP ha una risoluzione spaziale migliore di 0,8 Å ed è dotato di una pistola FEG fredda per una risoluzione energetica migliore di 300 meV, ci permetterà di ottenere risultati unici: Studi in cui la posizione atomica può essere ottenuta con una precisione dell'ordine di 1 pm, essenziale per modellare le proprietà delle eterostrutture è discusso. Saremo anche in grado di contare gli atomi in una colonna atomica, in particolare atomi estranei (composizione in lega: esempio di distribuzione di d In atomi in InGaN). Con la possibilità di lavorare a 80 keV e in modalità STEM, gli artefatti dovuti all'irradiazione del microscopio saranno significativamente ridotti e con una ragionevole risoluzione dei siti attivi della sonda per comprendere la possibile posizione dell'emissione. Questi sviluppi richiedono una combinazione molto ristretta di esperienza e modellazione in uno sforzo piuttosto a lungo termine, per cui un lavoro di tesi è molto appropriato. I metodi sviluppati saranno integrati in strumenti esistenti in MET come Digital Micrograph per essere disponibili ai team di utenti (Italian)
13 January 2022
0 references
CIMAP está equipado con un microscopio JEOL ARM 200 con doble corrección de Cs (sonido y objetivo) y tiene como objetivo desarrollar análisis cuantitativos sobre MET y STEM con detector de ángulo amplio EDS y GIF combinado con modelado energético para determinar estructuras estables, composición local y propiedades de los materiales funcionales, en particular sus aleaciones basadas en nitruros III-V. Damilano_LEDs visibles). Los diversos métodos de análisis de imágenes de RR se evaluarán y adaptarán a las heteroestructuras (In,Ga)N. En paralelo, se utilizarán métodos de análisis químico local como la espectroscopia de pérdida de energía de electrones (EELS) y la espectroscopia de rayos X de dispersión de energía (EDS) junto con la exploración de imágenes MET (STEM) para apoyar enfoques cuantitativos basados en la determinación de deformaciones locales. El microscopio CIMAP tiene una mejor resolución espacial que 0,8 Å y está equipado con una pistola FEG en frío para una mejor resolución energética que 300 meV, nos permitirá lograr resultados únicos: Se discuten los estudios en los que se puede obtener la posición atómica con una precisión del orden de 1 pm, esencial para modelar las propiedades de las heteroestructuras. También podremos contar los átomos en una columna atómica, especialmente los átomos extraños (composición de la aleación: ejemplo de distribución de d In átomos en InGaN). Con la posibilidad de trabajar a 80 keV y en modo STEM, los artefactos debidos a la irradiación del microscopio se reducirán significativamente y con una sonda de resolución razonable sitios activos para entender la posible ubicación de la emisión. Estos desarrollos requieren una combinación muy estrecha de experiencia y modelado en un esfuerzo bastante a largo plazo, por lo que un trabajo de tesis es muy apropiado. Los métodos desarrollados se integrarán en las herramientas existentes en MET, como el Micrografo Digital, para estar a disposición de los equipos de usuarios (Spanish)
14 January 2022
0 references
CIMAP on varustatud JEOL ARM 200 mikroskoobiga kahe Cs korrektsiooniga (heli ja objektiivne) ning selle eesmärk on välja töötada MET ja STEM kvantitatiivsed analüüsid EDS-i lainurkdetektoriga ja GIF koos energiamodelleerimisega, et määrata kindlaks funktsionaalsete materjalide stabiilsed struktuurid, kohalik koostis ja omadused, eelkõige nende sulamid, mis põhinevad III-V nitriididel. Kõrgresolutsiooniga MET-fotosid kasutatakse kohalike aatomimõõtmeliste deformatsioonide kindlakstegemiseks tihedas koostöös kasvuteadlastega (CRHEAB. Damilano_LEDid on nähtavad). Erinevaid HR-kujutise analüüsi meetodeid hinnatakse ja kohandatakse vastavalt heterostruktuuridele (In, Ga)N. Samal ajal kasutatakse koos lokaalsete deformatsioonide tuvastamisel põhinevate kvantitatiivsete lähenemisviisidega kohalikke keemilisi analüüsimeetodeid, nagu elektronide energiakao spektroskoopia (EELS) ja energiadispersiooni röntgenspektroskoopia (EDS). CIMAPi mikroskoobil on parem ruumiline eraldusvõime kui 0,8 Å ja see on varustatud külma FEG-püstoliga, et saavutada parem energiaresolutsioon kui 300 meV, see võimaldab meil saavutada ainulaadseid tulemusi: Arutatakse uuringuid, kus aatomi asendit on võimalik saada järjekorras 1 pm, mis on oluline heterostruktuuride omaduste modelleerimiseks. Samuti on meil võimalik lugeda aatomeid aatomite kolonnis, eriti välismaistes aatomites (sulami koostis: näide d In aatomite jaotusest InGaNis). Võimalusega töötada 80 keV juures ja STEM-režiimis vähendatakse oluliselt mikroskoobi kiiritamisest tingitud artefakte ja mõistliku lahutusvõimega aktiivseid kohti, et mõista emissiooni võimalikku asukohta. Need arengud nõuavad väga kitsast kogemust ja modelleerimist üsna pikaajalises perspektiivis, seega on doktoritöö väga asjakohane. Väljatöötatud meetodid integreeritakse turumajandusliku kohtlemise olemasolevatesse vahenditesse, nagu digitaalne mikrograaf, et need oleksid kasutajarühmadele kättesaadavad. (Estonian)
11 August 2022
0 references
Itin didelės skiriamosios gebos perdavimo elektronų mikroskopijos metodų, taikomų heterostruktūroms III-N (In,Ga)N, kūrimas. CIMAP yra įrengtas JEOL ARM 200 mikroskopas su dviguba Cs korekcija (garsu ir objektyviu) ir siekiama parengti kiekybinę MET ir STEM analizę su EDS plataus kampo detektoriumi ir GIF kartu su energijos modeliavimu, kad būtų galima nustatyti stabilias struktūras, vietinę sudėtį ir funkcinių medžiagų savybes, ypač jų lydinius, pagrįstus III-V nitridais. Didelės skiriamosios gebos MET vaizdavimas bus naudojamas siekiant nustatyti vietines atominio masto deformacijas glaudžiai bendradarbiaujant su augimo tyrėjais (CRHEAB. Damilano_LED matomi). Įvairūs HR vaizdo analizės metodai bus įvertinti ir pritaikyti heterostruktūroms (In,Ga)N. Tuo pačiu metu bus naudojami vietiniai cheminės analizės metodai, tokie kaip elektronų energijos nuostolių spektroskopija (EELS) ir energijos dispersijos rentgeno spektroskopija (EDS), kartu su MET vaizdo skenavimu (STEM), siekiant paremti kiekybinius metodus, pagrįstus vietinių deformacijų nustatymu. CIMAP mikroskopas turi geresnę erdvinę skiriamąją gebą nei 0,8 Å, jame įrengtas šaltas FEG pistoletas, užtikrinantis geresnę energinę skiriamąją gebą nei 300 meV, tai leis mums pasiekti unikalių rezultatų: Tyrimai, kuriuose atominė padėtis gali būti gauta 1 pm tikslumu, yra aptariami heterostruktūrų savybių modeliavimui. Mes taip pat galėsime skaičiuoti atominius atomus, ypač užsienio atomus (lydinio sudėtis: d In atomų pasiskirstymas InGaN). Su galimybe dirbti 80 keV ir STEM režimu, artefaktai dėl mikroskopo švitinimo bus žymiai sumažinti ir su pagrįsta skiriamąja geba zondas aktyvias svetaines suprasti galimą vietą emisijos. Šie pokyčiai reikalauja labai siauro patirties ir modeliavimo derinio gana ilgu laikotarpiu, todėl darbas yra labai tinkamas. Sukurti metodai bus integruoti į esamas MET priemones, pvz., „Digital Micrograph“, kurios bus prieinamos naudotojų grupėms. (Lithuanian)
11 August 2022
0 references
CIMAP je opremljen mikroskopom JEOL ARM 200 s dvostrukim korekcijama Cs (zvuk i cilj) i ima za cilj razviti kvantitativne analize na MET i STEM s EDS širokokutnim detektorom i GIF-om u kombinaciji s energetskim modeliranjem kako bi se utvrdile stabilne strukture, lokalni sastav i svojstva funkcionalnih materijala, posebno njihovih legura na temelju III-V nitrida. Za određivanje lokalnih deformacija atomskih razmjera u bliskoj suradnji s istraživačima rasta (CRHEAB) koristit će se visokorezolucijska MET slika (CRHEAB. Damilano_LED vidljiva). Različite metode analize HR slike ocijenit će se i prilagoditi heterostrukturama (In,Ga)N. Paralelno će se koristiti lokalne metode kemijske analize kao što su spektroskopija gubitka energije elektrona (EELS) i rendgenska spektroskopija (EDS) u kombinaciji s skeniranjem MET snimanja (STEM) kako bi se poduprli kvantitativni pristupi utemeljeni na određivanju lokalnih deformacija. CIMAP mikroskop ima bolju prostornu rezoluciju od 0,8 Å i opremljen je hladnim FEG pištoljem za bolju energetsku rezoluciju od 300 meV, što će nam omogućiti postizanje jedinstvenih rezultata: Studije u kojima se atomski položaj može dobiti s točnošću redoslijeda od 13 sati, raspravlja se o bitnim za modeliranje svojstava heterostruktura. Također ćemo moći brojati atome u atomskom stupcu, osobito stranim atomima (sastav legura: primjer distribucije d U atomima u InGaN-u). Uz mogućnost rada na 80 keV i u STEM načinu rada, artefakti zbog mikroskopa ozračivanja bit će znatno smanjeni i s razumnom sondom za rješavanje aktivnih mjesta kako bi se razumjela moguća lokacija emisije. Ti razvoji zahtijevaju vrlo usku kombinaciju iskustva i modeliranja u prilično dugoročnom naporu, tako da je rad na tezi vrlo prikladan. Razvijene metode integrirat će se u postojeće alate u MET-u kao što je Digital Micrograph koji će biti dostupni timovima korisnika (Croatian)
11 August 2022
0 references
Ανάπτυξη τεχνικών μικροσκοπίας ηλεκτρονίων μετάδοσης υπερυψηλής ανάλυσης που εφαρμόζονται στις ετεροδομές III-N (In,Ga)N. Το CIMAP είναι εξοπλισμένο με μικροσκόπιο JEOL ARM 200 με διπλή διόρθωση Cs (ήχος και αντικειμενικός) και αποσκοπεί στην ανάπτυξη ποσοτικών αναλύσεων σε MET και STEM με ανιχνευτή ευρυγώνιας EDS και GIF σε συνδυασμό με ενεργειακή μοντελοποίηση για τον προσδιορισμό σταθερών δομών, τοπικής σύνθεσης και ιδιοτήτων λειτουργικών υλικών, ιδίως των κραμάτων τους που βασίζονται σε νιτρίδια III-V. Η απεικόνιση MET υψηλής ευκρίνειας θα χρησιμοποιηθεί για τον προσδιορισμό τοπικών παραμορφώσεων ατομικής κλίμακας σε στενή συνεργασία με ερευνητές ανάπτυξης (CRHEAB. Damilano_LEDs ορατό). Οι διάφορες μέθοδοι ανάλυσης εικόνας HR θα αξιολογηθούν και θα προσαρμοστούν στις ετεροδομές (In,Ga)N. Παράλληλα, θα χρησιμοποιηθούν τοπικές μέθοδοι χημικής ανάλυσης όπως η φασματοσκοπία απώλειας ενέργειας ηλεκτρονίων (EELS) και η φασματοσκοπία ακτίνων Χ (EDS) σε συνδυασμό με σάρωση MET απεικόνισης (STEM) για την υποστήριξη ποσοτικών προσεγγίσεων που βασίζονται στον προσδιορισμό των τοπικών παραμορφώσεων. Το μικροσκόπιο CIMAP έχει καλύτερη χωρική ανάλυση από 0,8 Å και είναι εξοπλισμένο με ένα κρύο πυροβόλο όπλο FEG για καλύτερη ενεργειακή ανάλυση από 300 meV, θα μας επιτρέψει να επιτύχουμε μοναδικά αποτελέσματα: Εξετάζονται μελέτες στις οποίες η ατομική θέση μπορεί να επιτευχθεί με ακρίβεια της τάξης του 1 μ.μ., απαραίτητη για τη μοντελοποίηση των ιδιοτήτων των ετεροδομών. Θα είμαστε επίσης σε θέση να μετρήσουμε τα άτομα σε μια ατομική στήλη, ειδικά τα ξένα άτομα (σύνθεση κραμάτων: παράδειγμα κατανομής d Σε άτομα στο InGaN). Με τη δυνατότητα εργασίας σε 80 keV και σε λειτουργία STEM, τα τεχνουργήματα που οφείλονται στην ακτινοβόληση μικροσκοπίων θα μειωθούν σημαντικά και με μια λογική ανάλυση ανιχνευτών ενεργών χώρων για την κατανόηση της πιθανής τοποθεσίας της εκπομπής. Αυτές οι εξελίξεις απαιτούν έναν πολύ στενό συνδυασμό εμπειρίας και μοντελοποίησης σε μια μάλλον μακροπρόθεσμη προσπάθεια, έτσι μια εργασία διατριβής είναι πολύ κατάλληλη. Οι μέθοδοι που θα αναπτυχθούν θα ενσωματωθούν στα υφιστάμενα εργαλεία του MET, όπως το Digital Micrograph, το οποίο θα είναι διαθέσιμο στις ομάδες χρηστών (Greek)
11 August 2022
0 references
Vývoj elektrónových mikroskopických techník s ultra vysokým rozlíšením, ktoré sa používajú na heteroštruktúry III-N (In,Ga)N. CIMAP je vybavený mikroskopom JEOL ARM 200 s dvojitou korekciou Cs (zvuková a objektívna) a jeho cieľom je vyvinúť kvantitatívne analýzy MET a STEM so širokouhlým detektorom EDS a GIF v kombinácii s energetickým modelovaním na určenie stabilných štruktúr, miestneho zloženia a vlastností funkčných materiálov, najmä ich zliatin založených na III-V nitridoch. THZ zobrazovanie s vysokým rozlíšením sa použije na určenie lokálnych deformácií atómovej škály v úzkej spolupráci s výskumnými pracovníkmi zaoberajúcimi sa rastom (CRHEAB. Damilano_LED viditeľné). Rôzne metódy analýzy obrazu HR sa vyhodnotia a prispôsobia heteroštruktúram (In,Ga)N. Súčasne sa v spojení so skenovacím MET zobrazovaním (STEM) použijú miestne metódy chemickej analýzy, ako je spektroskopia straty elektrónovej energie (EELS) a röntgenová spektroskopia rozptylu energie (EDS) v spojení so snímaním MET zobrazovania (STEM) na podporu kvantitatívnych prístupov založených na stanovení lokálnych deformácií. CIMAP mikroskop má lepšie priestorové rozlíšenie ako 0,8 Å a je vybavený studenou pištoľou FEG pre lepšie energetické rozlíšenie ako 300 meV, umožní nám dosiahnuť jedinečné výsledky: Diskutuje sa o štúdiách, kde je možné dosiahnuť atómovú polohu s presnosťou rádovo 13:00, ktorá je nevyhnutná pre modelovanie vlastností heteroštruktúr. Budeme tiež môcť spočítať atómy v atómovom stĺpci, najmä zahraničné atómy (zliatinové zloženie: príklad distribúcie atómov d v InGaN). S možnosťou pracovať pri 80 keV a v režime STEM sa výrazne znížia artefakty spôsobené mikroskopom ožarovaním a s primeraným rozlíšením aktívnych miest na pochopenie možného umiestnenia emisie. Tento vývoj si vyžaduje veľmi úzku kombináciu skúseností a modelovania v pomerne dlhodobom úsilí, takže práca na práci je veľmi vhodná. Vyvinuté metódy sa začlenia do existujúcich nástrojov v oblasti MET, ako je digitálny mikrograf, ktoré budú k dispozícii používateľským tímom. (Slovak)
11 August 2022
0 references
Erittäin korkean resoluution siirtoelektronimikroskopiatekniikoiden kehittäminen heterostruktuureihin III-N (In,Ga)N. CIMAP on varustettu JEOL ARM 200 -mikroskoopilla, jossa on kaksi Cs-korjausta (ääni ja objektiivi), ja sen tavoitteena on kehittää kvantitatiivisia analyysejä MET:stä ja STEM:stä EDS-laajakulmailmaisimella ja GIF: llä yhdessä energiamallinnuksen kanssa, jotta voidaan määrittää funktionaalisten materiaalien vakaat rakenteet, paikallinen koostumus ja ominaisuudet, erityisesti niiden seokset, jotka perustuvat III-V nitrideihin. Korkean resoluution MET-kuvausta käytetään paikallisten atomimittaisten muodonmuutosten määrittämiseen tiiviissä yhteistyössä kasvututkijoiden kanssa (CRHEAB. Damilano_LEDs näkyvissä). Erilaisia HR-kuvaanalyysimenetelmiä arvioidaan ja mukautetaan heterorakenteisiin (In,Ga)N. Samanaikaisesti paikallisia kemiallisia analyysimenetelmiä, kuten elektronienergiahäviöspektroskopiaa (EELS) ja energiadispersioröntgenspektroskopiaa (EDS), käytetään yhdessä MET-kuvantamisen (STEM) kanssa paikallisten muodonmuutosten määrittämiseen perustuvien kvantitatiivisten lähestymistapojen tukemiseksi. CIMAP-mikroskoopilla on parempi alueellinen resoluutio kuin 0,8 Å ja se on varustettu kylmällä FEG-pistoolilla paremman energiaresoluution kuin 300 mev: n saavuttamiseksi. Sen avulla voimme saavuttaa ainutlaatuisia tuloksia: Tutkimuksia, joissa atomiasento voidaan saavuttaa tarkkuudella, joka on 1 pm, käsitellään heterostruktuurien ominaisuuksien mallintamisessa. Voimme myös laskea atomeja atomikolonniin, erityisesti ulkomaisia atomeja (seoksen koostumus: esimerkki d in atomeissa InGaN). Kun on mahdollista työskennellä 80 keV:ssä ja STEM-tilassa, mikroskoopin säteilytyksen aiheuttamat esineet vähenevät merkittävästi ja riittävän resoluution anturin aktiiviset paikat ymmärtävät päästön mahdollisen sijainnin. Tämä kehitys edellyttää hyvin kapeaa kokemusten ja mallintamista melko pitkällä aikavälillä, joten opinnäytetyön tekeminen on erittäin asianmukaista. Kehitetyt menetelmät integroidaan olemassa oleviin MET-työkaluihin, kuten Digital Micrographiin, jotta käyttäjäryhmät voivat käyttää niitä. (Finnish)
11 August 2022
0 references
CIMAP jest wyposażony w mikroskop JEOL ARM 200 z korekcją dual Cs (dźwięk i obiektyw) i ma na celu opracowanie analiz ilościowych MET i STEM z szerokokątnym detektorem EDS i GIF w połączeniu z modelowaniem energetycznym w celu określenia stabilnych struktur, lokalnego składu i właściwości materiałów funkcjonalnych, w szczególności ich stopów opartych na azotkach III-V. Obrazowanie MET o wysokiej rozdzielczości zostanie wykorzystane do określenia lokalnych odkształceń w skali atomowej w ścisłej współpracy z badaczami wzrostu (CRHEAB. Damilano_LED widoczne). Różne metody analizy obrazu HR zostaną ocenione i dostosowane do heterostruktur (In, Ga)N. Równolegle, lokalne metody analizy chemicznej, takie jak spektroskopia strat energii elektronów (EELS) i spektroskopia rentgenowska dyspersji energii (EDS), będą stosowane w połączeniu ze skanowaniem obrazowania MET (STEM) w celu wsparcia podejść ilościowych opartych na określaniu lokalnych odkształceń. Mikroskop CIMAP ma lepszą rozdzielczość przestrzenną niż 0,8 Å i jest wyposażony w zimny pistolet FEG o lepszej rozdzielczości energetycznej niż 300 meV, pozwoli nam osiągnąć unikalne rezultaty: Badania, w których można uzyskać położenie atomowe z dokładnością do 1 pm, istotne dla modelowania właściwości heterostruktur jest omawiane. Będziemy również mogli policzyć atomy w kolumnie atomowej, zwłaszcza w obcych atomach (skład stopu: przykładowa dystrybucja d W atomach w InGaN). Dzięki możliwości pracy przy 80 keV i w trybie STEM artefakty z powodu napromieniowania mikroskopu zostaną znacznie zmniejszone i z rozsądną rozdzielczością miejsc aktywnych sondy, aby zrozumieć ewentualną lokalizację emisji. Zmiany te wymagają bardzo wąskiego połączenia doświadczenia i modelowania w dość długoterminowym wysiłku, więc praca dyplomowa jest bardzo odpowiednia. Opracowane metody zostaną zintegrowane z istniejącymi narzędziami MET, takimi jak Digital Micrograph, które będą dostępne dla zespołów użytkowników. (Polish)
11 August 2022
0 references
A III-N (In, Ga) heterostruktúra heterostruktúráira alkalmazott ultranagyfelbontású elektronmikroszkópos technikák kifejlesztése. A CIMAP egy JEOL ARM 200 mikroszkóppal van felszerelve, kettős Cs korrekcióval (hang és objektív), és célja, hogy kvantitatív elemzéseket dolgozzon ki a MET-ről és a STEM-ről EDS széles látószögű detektorral és GIF-vel kombinálva energiamodellezéssel kombinálva a funkcionális anyagok stabil szerkezetének, helyi összetételének és tulajdonságainak meghatározása érdekében, különös tekintettel a III-V nitrideken alapuló ötvözeteikre. Nagy felbontású MET képalkotást használnak a helyi atomméretű deformációk meghatározására, szoros együttműködésben a növekedéssel foglalkozó kutatókkal (CRHEAB. Damilano_LED látható). A különböző HR képelemzési módszereket a heterostruktúra (In,Ga)N-hez igazítják. Ezzel párhuzamosan helyi kémiai elemzési módszereket, például elektronenergia-veszteség spektroszkópiát (EELS) és energiadiszperziós röntgenspektroszkópiát (EDS) használnak a szkennelési MET képalkotással (STEM) együtt a helyi deformációk meghatározásán alapuló mennyiségi megközelítések támogatására. A CIMAP mikroszkóp jobb térbeli felbontással rendelkezik, mint 0,8 Å, és hideg FEG fegyverrel van felszerelve, hogy jobb energiafelbontást biztosítson, mint 300 meV, lehetővé teszi számunkra, hogy egyedi eredményeket érjünk el: A heterostruktúra tulajdonságainak modellezéséhez nélkülözhetetlen vizsgálatok, ahol az atomhelyzet 1 óra pontossággal érhető el, megvitatásra kerülnek. Képesek leszünk megszámolni az atomokat egy atomoszlopban, különösen az idegen atomokat (ötvözet-összetétel: példa a d In atomok eloszlására az InGaN-ban). Azzal a lehetőséggel, hogy 80 keV-en és STEM üzemmódban működhetnek, a mikroszkópos besugárzás miatti leletek jelentősen csökkennek, és ésszerű felbontású szonda aktív helyszíneken, hogy megértsék a kibocsátás lehetséges helyét. Ezek a fejlemények a tapasztalatok és a modellezés nagyon szűk kombinációját igénylik egy meglehetősen hosszú távú erőfeszítés során, így a szakdolgozati munka nagyon helyénvaló. A kifejlesztett módszereket integrálni fogják a MET meglévő eszközeibe, például a digitális mikrográfba, amely a felhasználói csoportok rendelkezésére áll. (Hungarian)
11 August 2022
0 references
Vývoj elektronových mikroskopických technik s ultra vysokým rozlišením aplikovaných na heterostruktury III-N (In,Ga)N. CIMAP je vybaven mikroskopem JEOL ARM 200 s dvojí korekcí Cs (zvuk a cíl) a jeho cílem je vyvinout kvantitativní analýzy MET a STEM s širokoúhlým detektorem EDS a GIF v kombinaci s energetickým modelováním pro určení stabilních struktur, lokálního složení a vlastností funkčních materiálů, zejména jejich slitin na bázi III-V nitridů. Zobrazovací metody s vysokým rozlišením budou použity k určení lokálních deformací v atomovém měřítku v úzké spolupráci s výzkumníky růstu (CRHEAB. Damilano_LED viditelné). Různé metody analýzy HR obrazů budou vyhodnoceny a přizpůsobeny heterostrukturám (In,Ga)N. Souběžně se ve spojení se skenováním MET zobrazování (STEM) použijí metody lokální chemické analýzy, jako je spektroskopie ztráty elektronové energie (EELS) a rentgenová rozptyl energie (EDS). Mikroskop CIMAP má lepší prostorové rozlišení než 0,8 Å a je vybaven studenou FEG pistolí pro lepší rozlišení energie než 300 meV, umožní nám dosáhnout jedinečných výsledků: Studie, kde lze získat atomovou pozici s přesností pořadí 1 pm, je diskutován pro modelování vlastností heterostruktur. Budeme také schopni počítat atomy v atomové koloně, zejména cizích atomů (slitina složení: příklad distribuce d V atomech v InGaN). S možností pracovat v 80 keV a v režimu STEM, artefakty způsobené ozářením mikroskopem budou výrazně sníženy a s rozumným rozlišením aktivních míst sondy, aby pochopily možné umístění emisí. Tento vývoj vyžaduje velmi úzkou kombinaci zkušeností a modelování v poměrně dlouhodobém úsilí, takže práce na diplomové práci je velmi vhodná. Vyvinuté metody budou začleněny do stávajících nástrojů v oblasti MET, jako je digitální mikrograf, které budou k dispozici uživatelským týmům. (Czech)
11 August 2022
0 references
Īpaši augstas izšķirtspējas transmisijas elektronu mikroskopijas metožu izstrāde heterostruktūrām III-N (In,Ga)N. CIMAP ir aprīkots ar JEOL ARM 200 mikroskopu ar divkāršu Cs korekciju (skaņu un objektīvu), un tā mērķis ir izstrādāt MET un STEM kvantitatīvās analīzes ar EDS platleņķa detektoru un GIF apvienojumā ar enerģijas modelēšanu, lai noteiktu stabilas struktūras, vietējo sastāvu un funkcionālo materiālu īpašības, jo īpaši to sakausējumus, kuru pamatā ir III-V nitrīdi. Augstas izšķirtspējas MET attēlveidošana tiks izmantota, lai ciešā sadarbībā ar izaugsmes pētniekiem noteiktu vietējās atomu mēroga deformācijas (CRHEAB. Damilano_LEDs redzami). Dažādas HR attēlu analīzes metodes tiks izvērtētas un pielāgotas heterostruktūrām (In,Ga)N. Paralēli vietējās ķīmiskās analīzes metodes, piemēram, elektronu enerģijas zudumu spektroskopija (EELS) un enerģijas dispersijas rentgena spektroskopija (EDS), tiks izmantotas kopā ar MET attēlveidošanas (STEM) skenēšanu, lai atbalstītu kvantitatīvas pieejas, kuru pamatā ir vietējo deformāciju noteikšana. CIMAP mikroskopam ir labāka telpiskā izšķirtspēja nekā 0,8 Å, un tas ir aprīkots ar aukstu FEG pistoli, kas nodrošina labāku enerģijas izšķirtspēju nekā 300 meV, tas ļaus mums sasniegt unikālus rezultātus: Tiek apspriesti pētījumi, kuros atomu stāvokli var iegūt ar precizitāti 1 pm, kas ir būtiski heterostruktūru īpašību modelēšanai. Mēs arī spēsim skaitīt atomus atomu kolonnā, jo īpaši ārzemju atomos (sakausējuma sastāvs: piemērs d In atomu sadalījums InGaN). Ar iespēju strādāt pie 80 keV un STEM režīmā artefakti mikroskopa apstarošanas dēļ tiks ievērojami samazināti un ar saprātīgu izšķirtspēju aktīvās vietas, lai izprastu iespējamo atrašanās vietu emisijas. Šīs norises prasa ļoti šauru pieredzes un modelēšanas apvienojumu diezgan ilgā laika posmā, tāpēc darbs ir ļoti piemērots. Izstrādātās metodes tiks integrētas esošajos MET instrumentos, piemēram, Digital Micrograph, lai tie būtu pieejami lietotāju komandām. (Latvian)
11 August 2022
0 references
Forbairt a dhéanamh ar theicnící micreascópachta leictreon tarchurtha taifigh ultra-ard a chuirtear i bhfeidhm ar heitreastruchtúir III-N (In,Ga)N. Tá micreascóp JEOL ARM 200 feistithe ar mhicreascóp JEOL ARM 200 ag a bhfuil ceartú dé-Cs (fuaim agus cuspóir) agus tá sé mar aidhm aige anailísí cainníochtúla a fhorbairt ar MET agus STEM le brathadóir uillinne leathan EDS agus GIF in éineacht le samhaltú fuinnimh chun struchtúir chobhsaí, comhdhéanamh áitiúil agus airíonna ábhar feidhmiúil a chinneadh, go háirithe a gcóimhiotail bunaithe ar nítrídí III-V. Úsáidfear íomháithe ardtaifigh MET chun dífhoirmiúchán ar scála adamhach áitiúil a chinneadh i ndlúthchomhar le taighdeoirí fáis (CRHEAB. Damilano_LED le feiceáil). Déanfar na modhanna anailíse íomhá AD éagsúla a mheas agus a chur in oiriúint do heitreastruchtúir (In,Ga)N. I gcomhthráth, úsáidfear modhanna anailíse ceimicí áitiúla amhail speictreascópacht caillteanais fuinnimh leictreoin (EELS) agus speictreascópacht X-ghathaithe (EDS) i gcomhar le híomháú scanta MET (STEM) chun tacú le cuir chuige chainníochtúla bunaithe ar dhífhoirmiú áitiúil a chinneadh. Tá réiteach spásúil níos fearr ag micreascóp CIMAP ná 0.8 Å agus tá gunna fuar FEG feistithe air le haghaidh réiteach fuinnimh níos fearr ná 300 meV, ligfidh sé dúinn torthaí uathúla a bhaint amach: Pléitear staidéir inar féidir an suíomh adamhach a fháil le cruinneas an ordaithe 1 pm, atá riachtanach chun airíonna heterostructures a shamhaltú. Beimid in ann na hadaimh a chomhaireamh i gcolún adamhach, go háirithe adaimh eachtracha (comhdhéanamh cóimhiotail: dáileadh samplach d In adaimh in InGaN). Leis an bhféidearthacht a bheith ag obair ag 80 keV agus i mód STEM, beidh artifacts mar gheall ar ionradaíocht micreascóp a laghdú go suntasach agus le láithreáin probe réiteach réasúnta gníomhach chun tuiscint a fháil ar an suíomh féideartha na hastaíochta. Éilíonn na forbairtí seo meascán an-chúng de thaithí agus de shamhaltú in iarracht sách fadtéarmach, mar sin tá obair tráchtais an-oiriúnach. Déanfar na modhanna a fhorbrófar a chomhtháthú le huirlisí atá ann cheana in MET, amhail an Micreagraf Digiteach, a bheidh ar fáil d’fhoirne úsáideoirí (Irish)
11 August 2022
0 references
Razvoj elektronskih mikroskopskih tehnik ultra visoke ločljivosti, ki se uporabljajo za heterostrukture III-N (In,Ga)N. CIMAP je opremljen z mikroskopom JEOL ARM 200 z dvojnim korekcijo Cs (zvok in cilj) in je namenjen razvoju kvantitativnih analiz MET in STEM s širokokotnim detektorjem EDS in GIF v kombinaciji z energetskim modeliranjem za določitev stabilnih struktur, lokalne sestave in lastnosti funkcionalnih materialov, zlasti njihovih zlitin na osnovi nitridov III-V. Za določanje lokalnih deformacij v atomskem merilu se bo v tesnem sodelovanju z raziskovalci za rast (CRHEAB) uporabljalo slikanje visoke ločljivosti MET (CRHEAB. Damilano_LED je viden). Različne metode analize človeških virov bodo ocenjene in prilagojene heterostrukturam (In,Ga)N. Vzporedno se bodo v povezavi s skeniranjem MET slikanja (STEM) uporabljale lokalne metode kemijske analize, kot sta spektroskopija izgube energije elektronov (EELS) in spektroskopija z rentgenskimi žarki z energijsko disperzijo (EDS), da bi podprli kvantitativne pristope, ki temeljijo na določanju lokalnih deformacij. Mikroskop CIMAP ima boljšo prostorsko ločljivost kot 0,8 Å in je opremljen s hladno FEG pištolo za boljšo energijsko ločljivost kot 300 meV, kar nam bo omogočilo doseganje edinstvenih rezultatov: Obravnavajo se študije, pri katerih je mogoče doseči atomski položaj s točnostjo reda ob 13. uri, ki je bistvenega pomena za modeliranje lastnosti heterostruktur. Prav tako bomo lahko prešteli atome v atomski koloni, še posebej tuji atomi (sestava zlitin: primer porazdelitve d V atomih v InGaN). Z možnostjo dela pri 80 keV in v načinu STEM se bodo artefakti zaradi obsevanja mikroskopa znatno zmanjšali in z razumno ločljivostjo aktivnih lokacij za razumevanje možne lokacije emisije. Ta razvoj zahteva zelo ozko kombinacijo izkušenj in modeliranja v precej dolgoročnem prizadevanju, zato je delo v disertaciji zelo primerno. Razvite metode bodo vključene v obstoječa orodja v MET, kot je digitalni mikrograf, ki bo na voljo skupinam uporabnikov. (Slovenian)
11 August 2022
0 references
Разработване на техники за електронна микроскопия с ултрависока разделителна способност, прилагани към хетероструктурите III-N (In,Ga)N. CIMAP е оборудван с микроскоп JEOL ARM 200 с двойна корекция Cs (звукова и обективна) и има за цел да разработи количествени анализи на MET и STEM с широкоъгълен детектор за EDS и GIF в съчетание с енергийно моделиране за определяне на стабилни структури, местен състав и свойства на функционалните материали, по-специално техните сплави на базата на нитриди от III-V. За определяне на локални деформации с атомен мащаб в тясно сътрудничество с изследователите на растежа (CRHEAB) ще се използва МЕТ с висока разделителна способност. Damilano_LEDs видими). Различните методи за анализ на изображенията в HR ще бъдат оценени и адаптирани към хетероструктурите (In,Ga)N. Успоредно с това ще се използват местни методи за химичен анализ като спектроскопия за загуба на енергия (EELS) и рентгенова спектроскопия (EDS) за разсейване на енергията (EDS) заедно със сканиране на МЕТ изображения (STEM) в подкрепа на количествени подходи, основани на определянето на локални деформации. Микроскопът CIMAP има по-добра пространствена разделителна способност от 0,8 Å и е оборудван със студено FEG пистолет за по-добра енергийна разделителна способност от 300 meV, което ще ни позволи да постигнем уникални резултати: Обсъждат се изследвания, при които атомното положение може да се получи с точност от порядъка на 1 pm, което е от съществено значение за моделирането на свойствата на хетероструктурите. Също така ще можем да броим атомите в атомна колона, особено чужди атоми (сплав състав: примерно разпределение на d В атомите в InGaN). С възможност за работа при 80 keV и в режим STEM артефакти, дължащи се на облъчване с микроскоп, ще бъдат значително намалени и с разумна разделителна сонда активни места, за да се разбере възможното местоположение на емисията. Тези разработки изискват много тясна комбинация от опит и моделиране в доста дългосрочни усилия, така че работата с дисертация е много подходяща. Разработените методи ще бъдат интегрирани в съществуващите инструменти в областта на ТДПИ, като например Digital Micrograph, за да бъдат на разположение на потребителските екипи (Bulgarian)
11 August 2022
0 references
L-iżvilupp ta’ tekniki ta’ mikroskopija elettron b’riżoluzzjoni ultra-għolja applikati għall-eterostrutturi III-N (F,Ga)N. CIMAP huwa mgħammar b’mikroskopju JEOL ARM 200 b’korrezzjoni Cs doppja (ħoss u oġġettiv) u għandu l-għan li jiżviluppa analiżi kwantitattiva dwar MET u STEM b’ditekter ta’ angolu wiesa’ EDS u GIF flimkien ma’ mmudellar tal-enerġija biex jiġu ddeterminati strutturi stabbli, kompożizzjoni lokali u proprjetajiet ta’ materjali funzjonali, b’mod partikolari l-ligi tagħhom ibbażati fuq nitruri III-V. Se jintuża immaġini MET b’riżoluzzjoni għolja biex jiġu ddeterminati deformazzjonijiet lokali fuq skala atomika b’kollaborazzjoni mill-qrib ma’ riċerkaturi tat-tkabbir (CRHEAB. Damilano_LEDs viżibbli). Id-diversi metodi ta’ analiżi tal-immaġni tal-HR se jiġu evalwati u adattati għall-eterostrutturi (F,Ga)N. Fl-istess ħin, se jintużaw metodi ta’ analiżi kimika lokali bħall-ispettroskopija tat-telf tal-enerġija tal-elettroni (EELS) u l-ispettroskopija tar-raġġi X (EDS) b’rabta mal-iskennjar tal-immaġnijiet MET (STEM) biex jiġu appoġġati approċċi kwantitattivi bbażati fuq id-determinazzjoni tad-deformazzjonijiet lokali. Il-mikroskopju CIMAP għandu riżoluzzjoni spazjali aħjar minn 0.8 Å u huwa mgħammar b’pistola kiesħa tal-FEG għal riżoluzzjoni aħjar tal-enerġija minn 300 meV, dan se jippermettilna niksbu riżultati uniċi: Jiġu diskussi studji fejn il-pożizzjoni atomika tista’ tinkiseb bi preċiżjoni tal-ordni ta’ 1 pm, essenzjali għall-immudellar tal-proprjetajiet ta’ eterostrutturi. Se nkunu kapaċi wkoll li jgħoddu l-atomi f’kolonna atomika, speċjalment atomi barranin (kompożizzjoni tal-liga: eżempju ta’ distribuzzjoni ta’ d Fl-atomi f’InGaN). Bil-possibbiltà ta’ ħidma fuq 80 keV u fil-modalità STEM, l-artifacts minħabba l-irradjazzjoni tal-mikroskopju se jitnaqqsu b’mod sinifikanti u b’sonda ta’ riżoluzzjoni raġonevoli, siti attivi biex wieħed jifhem il-post possibbli tal-emissjoni. Dawn l-iżviluppi jeħtieġu taħlita dejqa ħafna ta’ esperjenza u mmudellar fi sforz pjuttost fit-tul, u għalhekk ix-xogħol ta’ teżi huwa xieraq ħafna. Il-metodi żviluppati se jiġu integrati f’għodod eżistenti fit-TES bħall-Mikrografu Diġitali biex ikunu disponibbli għat-timijiet tal-utenti (Maltese)
11 August 2022
0 references
Desenvolvimento de técnicas de microscopia eletrónica de transmissão de ultra-alta resolução aplicadas às heteroestruturas III-N (In,Ga)N. O CIMAP está equipado com um microscópio JEOL ARM 200 com correção dupla de Cs (som e objetivo) e visa desenvolver análises quantitativas em MET e STEM com detector de grande ângulo EDS e GIF combinados com modelagem energética para determinar estruturas estáveis, composição local e propriedades de materiais funcionais, em particular suas ligas à base de nitretos III-V. A imagem lactente de alta resolução do MET será usada para determinar deformações atómicas-escala locais em colaboração estreita com pesquisadores do crescimento (CRHEAB. Damilano_LEDs visible) (em inglês). Os vários métodos da análise da imagem de HR serão avaliados e adaptados às heterostructures (In,Ga)N. Paralelamente, os métodos químicos locais da análise tais como a espectroscopia da perda de energia do elétron (EELS) e a espectroscopia do raio X da dispersão de energia (EDS) serão usados conjuntamente com a imagem lactente da exploração MET (STEM) para apoiar aproximações quantitativas baseadas na determinação de deformações locais. O microscópio CIMAP tem uma melhor resolução espacial do que 0,8 Å e está equipado com uma pistola FEG fria para uma melhor resolução de energia do que 300 meV, permitir-nos-á alcançar resultados únicos: São discutidos estudos onde a posição atómica pode ser obtida com uma precisão da ordem das 13 horas, essencial para modelar as propriedades das heteroestruturas. Também poderemos contar os átomos numa coluna atómica, especialmente átomos estranhos (composição da liga: exemplo de distribuição de d em átomos em InGaN). Com a possibilidade de trabalhar a 80 keV e no modo STEM, os artefatos devido à irradiação por microscópio serão significativamente reduzidos e com uma sonda de resolução razoável os locais ativos para compreender a possível localização da emissão. Estes desenvolvimentos requerem uma combinação muito estreita de experiência e modelagem em um esforço de longo prazo, portanto, um trabalho de tese é muito apropriado. Os métodos desenvolvidos serão integrados nas ferramentas existentes no MET, como a Micrografia Digital, para serem disponibilizados às equipas de utilizadores. (Portuguese)
11 August 2022
0 references
Udvikling af ultra-høj opløsning transmission elektronmikroskopi teknikker, der anvendes på heterostrukturer III-N (In,Ga)N. CIMAP er udstyret med et JEOL ARM 200 mikroskop med dual Cs korrektion (lyd og objektiv) og har til formål at udvikle kvantitative analyser af MET og STEM med EDS vidvinkeldetektor og GIF kombineret med energi modellering for at bestemme stabile strukturer, lokale sammensætning og egenskaber af funktionelle materialer, især deres legeringer baseret på III-V nitrider. MET-billeddannelse med høj opløsning vil blive brugt til at bestemme lokale atomskaladeformationer i tæt samarbejde med vækstforskere (CRHEAB. Damilano_LED'er synlige). De forskellige HR-billedanalysemetoder vil blive evalueret og tilpasset til heterostrukturer (In,Ga)N. Samtidig vil lokale kemiske analysemetoder såsom elektronenergitabsspektroskopi (EELS) og energispredning røntgenspektroskopi (EDS) blive anvendt i forbindelse med scanning af MET-billeddannelse (STEM) til støtte for kvantitative tilgange baseret på bestemmelse af lokale deformationer. CIMAP mikroskopet har en bedre rumlig opløsning end 0,8 Å og er udstyret med en kold FEG pistol for en bedre energiopløsning end 300 meV, det vil give os mulighed for at opnå unikke resultater: Undersøgelser, hvor atompositionen kan opnås med en nøjagtighed i størrelsesordenen 1 pm, afgørende for modellering egenskaberne af heterostrukturer diskuteres. Vi vil også kunne tælle atomerne i en atomkolonne, især udenlandske atomer (legeringssammensætning: eksempel fordeling af d I atomer i InGaN). Med muligheden for at arbejde ved 80 keV og i STEM-tilstand vil artefakter, der skyldes mikroskopbestråling, blive reduceret betydeligt og med en rimelig opløsningssonde aktive steder for at forstå den mulige placering af emissionen. Denne udvikling kræver en meget snæver kombination af erfaring og modellering i en temmelig langsigtet indsats, så et specialearbejde er meget hensigtsmæssigt. De udviklede metoder vil blive integreret i eksisterende værktøjer inden for MET som Digital Micrograph, så de er tilgængelige for brugerteams. (Danish)
11 August 2022
0 references
Dezvoltarea tehnicilor de microscopie electronică de transmisie cu rezoluție ultra-înaltă aplicată heterostructurilor III-N (In,Ga)N. CIMAP este echipat cu un microscop JEOL ARM 200 cu corecție dublă Cs (sunet și obiectiv) și își propune să dezvolte analize cantitative pe MET și STEM cu detector cu unghi larg EDS și GIF combinate cu modelarea energetică pentru a determina structurile stabile, compoziția locală și proprietățile materialelor funcționale, în special aliajele lor pe bază de nitruri III-V. Imagistica MET de înaltă rezoluție va fi utilizată pentru a determina deformările la scară atomică locală în strânsă colaborare cu cercetătorii în creștere (CRHEAB. Damilano_LED-uri vizibile). Diferitele metode de analiză a imaginii HR vor fi evaluate și adaptate la heterostructuri (In,Ga)N. În paralel, metodele locale de analiză chimică, cum ar fi spectroscopia pierderilor de energie electronică (EELS) și spectroscopia de dispersie de energie cu raze X (EDS) vor fi utilizate în combinație cu scanarea imaginilor MET (STEM) pentru a sprijini abordări cantitative bazate pe determinarea deformărilor locale. Microscopul CIMAP are o rezoluție spațială mai bună decât 0,8 Å și este echipat cu un pistol FEG rece pentru o rezoluție energetică mai bună decât 300 meV, ne va permite să obținem rezultate unice: Se discută studii în care poziția atomică poate fi obținută cu o precizie de ordinul 1 pm, esențială pentru modelarea proprietăților heterostructurilor. De asemenea, vom putea număra atomii într-o coloană atomică, în special atomii străini (compoziția aliajului: exemplu de distribuție a d În atomi în InGaN). Cu posibilitatea de a lucra la 80 keV și în modul STEM, artefactele datorate iradierii microscopice vor fi reduse în mod semnificativ și cu o sondă de rezoluție rezonabilă site-uri active pentru a înțelege locația posibilă a emisiei. Aceste evoluții necesită o combinație foarte restrânsă de experiență și modelare într-un efort destul de lung, astfel încât o lucrare de teză este foarte adecvată. Metodele dezvoltate vor fi integrate în instrumentele existente în MET, cum ar fi Micrograful digital, care vor fi puse la dispoziția echipelor de utilizatori (Romanian)
11 August 2022
0 references
Utveckling av ultrahögupplösande överföringselektronmikroskopitekniker som tillämpas på heterostrukturer III-N (In,Ga)N. CIMAP är utrustad med ett JEOL ARM 200-mikroskop med dubbel Cs-korrigering (ljud och mål) och syftar till att utveckla kvantitativa analyser på MET och STEM med EDS vidvinkeldetektor och GIF kombinerat med energimodellering för att bestämma stabila strukturer, lokal sammansättning och egenskaper hos funktionella material, särskilt deras legeringar baserade på III-V nitrider. Högupplöst MET-avbildning kommer att användas för att bestämma lokala atomskala deformationer i nära samarbete med tillväxtforskare (CRHEAB. Damilano_LED syns). De olika HR-bildanalysmetoderna kommer att utvärderas och anpassas till heterostrukturer (In,Ga)N. Parallellt kommer lokala kemiska analysmetoder som elektronenergiförlustspektroskopi (EELS) och energidispersionsröntgenspektroskopi (EDS) att användas i samband med scanning MET imaging (STEM) för att stödja kvantitativa metoder baserade på bestämning av lokala deformationer. CIMAP-mikroskopet har en bättre rumslig upplösning än 0,8 Å och är utrustat med en kall FEG-pistol för en bättre energiupplösning än 300 meV, det gör det möjligt för oss att uppnå unika resultat: Studier där atompositionen kan erhållas med en noggrannhet i storleksordningen 1 pm, avgörande för modellering av heterostrukturernas egenskaper diskuteras. Vi kommer också att kunna räkna atomerna i en atomkolonn, särskilt främmande atomer (legeringssammansättning: exempel på distribution av d I atomer i InGaN). Med möjlighet att arbeta vid 80 keV och i STEM-läge, kommer artefakter på grund av mikroskop bestrålning att minskas avsevärt och med en rimlig upplösning sond aktiva platser för att förstå den möjliga platsen för utsläppet. Denna utveckling kräver en mycket snäv kombination av erfarenhet och modellering i en ganska långsiktig ansträngning, så ett examensarbete är mycket lämpligt. De metoder som utvecklats kommer att integreras i befintliga verktyg i MET som Digital Micrograph för att vara tillgängliga för användarteam (Swedish)
11 August 2022
0 references
7 December 2023
0 references
Identifiers
15P03533
0 references