RESEARCH OF MODULAR MEDIUM AND HIGH FREQUENCY INVERTERS INCORPORATING NEW SEMICONDUCTOR DEVICES (SIC MOSFET) FOR THE DEVELOPMENT OF NEW RANGE OF STANDARD PARALLEL TYPE GENERATORS FOR APPLICATION IN INDUCTION HEATING INDUSTR (Q3163507): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Created a new Item) |
(Changed label, description and/or aliases in pt) |
||||||||||||||
| (17 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||||||||||||||
| label / en | label / en | ||||||||||||||
RESEARCH OF MODULAR MEDIUM AND HIGH FREQUENCY INVERTERS INCORPORATING NEW SEMICONDUCTOR DEVICES (SIC MOSFET) FOR THE DEVELOPMENT OF NEW RANGE OF STANDARD PARALLEL TYPE GENERATORS FOR APPLICATION IN INDUCTION HEATING INDUSTR | |||||||||||||||
| label / fr | label / fr | ||||||||||||||
RECHERCHE D’ONDULEURS MODULAIRES À MOYENNE ET HAUTE FRÉQUENCE INCORPORANT DE NOUVEAUX DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS (SIC MOSFET) POUR LE DÉVELOPPEMENT D’UNE NOUVELLE GAMME DE GÉNÉRATEURS DE TYPE PARALLÈLE STANDARD POUR L’APPLICATION DANS L’INDUSTR DE CHAUFFAGE PAR INDUCTION | |||||||||||||||
| label / de | label / de | ||||||||||||||
FORSCHUNG AN MODULAREN MITTEL- UND HOCHFREQUENZ-WECHSELRICHTERN MIT NEUEN HALBLEITERBAUELEMENTEN (SIC MOSFET) ZUR ENTWICKLUNG EINER NEUEN REIHE VON STANDARD-PARALLELGENERATOREN FÜR DIE ANWENDUNG IN DER INDUKTIONSWÄRMEINDUSTRIE | |||||||||||||||
| label / nl | label / nl | ||||||||||||||
ONDERZOEK VAN MODULAIRE MIDDEL- EN HOOGFREQUENTE OMVORMERS MET NIEUWE HALFGELEIDERELEMENTEN (SIC MOSFET) VOOR DE ONTWIKKELING VAN NIEUWE REEKS STANDAARD GENERATOREN VAN HET PARALLELLE TYPE VOOR TOEPASSING IN INDUCTIEVERWARMING INDUSTR | |||||||||||||||
| label / it | label / it | ||||||||||||||
RICERCA DI INVERTER MODULARI A MEDIA E ALTA FREQUENZA CHE INCORPORANO NUOVI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE (SIC MOSFET) PER LO SVILUPPO DI UNA NUOVA GAMMA DI GENERATORI STANDARD DI TIPO PARALLELO PER APPLICAZIONI IN INDUZIONE | |||||||||||||||
| label / et | label / et | ||||||||||||||
UUSI POOLJUHTSEADMEID (SIC MOSFET) SISALDAVATE MODULAARSETE KESKMISE JA KÕRGSAGEDUSLIKE INVERTERITE UURIMINE UUTE STANDARDSETE PARALLEELSETE GENERAATORITE VÄLJATÖÖTAMISEKS INDUKTSIOONKUUMUTUSES KASUTAMISEKS | |||||||||||||||
| label / lt | label / lt | ||||||||||||||
MODULINIŲ VIDUTINIO IR AUKŠTO DAŽNIO INVERTERIŲ SU NAUJAIS PUSLAIDININKINIAIS ĮTAISAIS (SIC MOSFET) TYRIMAI SIEKIANT SUKURTI NAUJĄ STANDARTINIŲ LYGIAGREČIŲ GENERATORIŲ DIAPAZONĄ, SKIRTĄ NAUDOTI INDUKCINIO ŠILDYMO PRAMONĖJE | |||||||||||||||
| label / hr | label / hr | ||||||||||||||
ISTRAŽIVANJE MODULARNIH SREDNJIH I VISOKOFREKVENTNIH PRETVARAČA S NOVIM POLUVODIČKIM ELEMENTIMA (SIC MOSFET) ZA RAZVOJ NOVOG RASPONA STANDARDNIH GENERATORA PARALELNOG TIPA ZA PRIMJENU U INDUKCIJSKOJ GRIJAČKOJ INDUSTR | |||||||||||||||
| label / el | label / el | ||||||||||||||
ΈΡΕΥΝΑ ΤΩΝ ΜΟΡΦΩΜΑΤΙΚΏΝ ΑΝΑΣΤΡΟΦΈΩΝ ΜΈΣΗΣ ΚΑΙ ΥΨΗΛΉΣ ΣΥΧΝΌΤΗΤΑΣ ΠΟΥ ΕΝΣΩΜΑΤΏΝΟΥΝ ΝΈΕΣ ΣΥΣΚΕΥΈΣ ΗΜΙΑΓΩΓΏΝ (SIC MOSFET) ΓΙΑ ΤΗΝ ΑΝΆΠΤΥΞΗ ΝΈΑΣ ΣΕΙΡΆΣ ΓΕΝΝΗΤΡΙΏΝ ΤΥΠΙΚΏΝ ΠΑΡΆΛΛΗΛΩΝ ΤΎΠΩΝ ΓΙΑ ΕΦΑΡΜΟΓΉ ΣΤΗΝ ΕΠΑΓΩΓΙΚΉ ΘΈΡΜΑΝΣΗ INDUSTR | |||||||||||||||
| label / sk | label / sk | ||||||||||||||
VÝSKUM MODULÁRNYCH STREDNÝCH A VYSOKOFREKVENČNÝCH MENIČOV OBSAHUJÚCICH NOVÉ POLOVODIČOVÉ ZARIADENIA (SIC MOSFET) PRE VÝVOJ NOVÉHO RADU ŠTANDARDNÝCH GENERÁTOROV PARALELNÉHO TYPU PRE APLIKÁCIU PRI INDUKČNOM VYKUROVANÍ INDUSTR | |||||||||||||||
| label / fi | label / fi | ||||||||||||||
UUSIA PUOLIJOHDELAITTEITA (SIC MOSFET) SISÄLTÄVIEN MODULAARISTEN KESKI- JA SUURTAAJUUSINVERTTERIEN TUTKIMUS UUDEN STANDARDIN RINNAKKAISGENERAATTOREIDEN KEHITTÄMISEKSI INDUKTIOLÄMMITYSINDUSTR-KÄYTTÖÖN | |||||||||||||||
| label / pl | label / pl | ||||||||||||||
BADANIA MODUŁOWE FALOWNIKÓW ŚREDNIEJ I WYSOKIEJ CZĘSTOTLIWOŚCI Z WYKORZYSTANIEM NOWYCH URZĄDZEŃ PÓŁPRZEWODNIKOWYCH (SIC MOSFET) W CELU OPRACOWANIA NOWEJ GAMY STANDARDOWYCH GENERATORÓW RÓWNOLEGŁYCH DO ZASTOSOWAŃ W INDUKCYJNYM INDUKCYJNYM INDUSTRU | |||||||||||||||
| label / hu | label / hu | ||||||||||||||
ÚJ FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖKET (SIC MOSFET) TARTALMAZÓ MODULÁRIS KÖZEPES ÉS NAGYFREKVENCIÁS INVERTEREK KUTATÁSA AZ INDUKCIÓS FŰTÉSI INDUSTRBAN VALÓ ALKALMAZÁSRA SZOLGÁLÓ SZABVÁNYOS PÁRHUZAMOS TÍPUSÚ GENERÁTOROK ÚJ SOROZATÁNAK KIFEJLESZTÉSÉHEZ | |||||||||||||||
| label / cs | label / cs | ||||||||||||||
VÝZKUM MODULÁRNÍCH STŘEDNÍCH A VYSOKOFREKVENČNÍCH MĚNIČŮ ZAHRNUJÍCÍCH NOVÁ POLOVODIČOVÁ ZAŘÍZENÍ (SIC MOSFET) PRO VÝVOJ NOVÉ ŘADY STANDARDNÍCH PARALELNÍCH TYPOVÝCH GENERÁTORŮ PRO POUŽITÍ V INDUKČNÍM TOPNÉM PRŮMYSLU | |||||||||||||||
| label / lv | label / lv | ||||||||||||||
PĒTĪJUMI PAR MODULĀRIEM VIDĒJAS UN AUGSTFREKVENCES INVERTORIEM, KUROS IEKĻAUTAS JAUNAS PUSVADĪTĀJU IERĪCES (SIC MOSFET), LAI IZSTRĀDĀTU JAUNU STANDARTA PARALĒLO TIPA ĢENERATORU KLĀSTU IZMANTOŠANAI INDUKCIJAS SILDĪŠANAS INDUSTRĀ | |||||||||||||||
| label / ga | label / ga | ||||||||||||||
TAIGHDE AR INBHÉARTÓIRÍ MEÁNACHA AGUS ARDMHINICÍOCHTA MODÚLACHA LENA N-IONCHORPRAÍTEAR FEISTÍ LEATHSHEOLTÓRA NUA (MOSFET AONAIR) CHUN RAON NUA GINEADÓIRÍ DE CHINEÁL COMHTHREOMHAR CAIGHDEÁNACH A FHORBAIRT LE HAGHAIDH CUR I BHFEIDHM I DTIONSCNÓIR TÉIMH IONDUCHTAITHE | |||||||||||||||
| label / sl | label / sl | ||||||||||||||
RAZISKAVE MODULARNIH SREDNJE- IN VISOKOFREKVENČNIH PRETVORNIKOV, KI VSEBUJEJO NOVE POLPREVODNIŠKE NAPRAVE (SIC MOSFET) ZA RAZVOJ NOVEGA OBSEGA STANDARDNIH PARALELNIH GENERATORJEV ZA UPORABO PRI INDUKCIJSKEM OGREVANJU INDUSTR | |||||||||||||||
| label / bg | label / bg | ||||||||||||||
ИЗСЛЕДВАНЕ НА МОДУЛНИ СРЕДНИ И ВИСОКОЧЕСТОТНИ ИНВЕРТОРИ, ВКЛЮЧВАЩИ НОВИ ПОЛУПРОВОДНИКОВИ УСТРОЙСТВА (SIC MOSFET) ЗА РАЗРАБОТВАНЕ НА НОВА ГАМА ОТ СТАНДАРТНИ ПАРАЛЕЛНИ ГЕНЕРАТОРИ ЗА ПРИЛОЖЕНИЕ В ИНДУКЦИОННО НАГРЯВАНЕ | |||||||||||||||
| label / mt | label / mt | ||||||||||||||
RIĊERKA TA’ INVERTITURI MODULARI MEDJI U TA’ FREKWENZA GĦOLJA LI JINKORPORAW TAGĦMIR SEMIKONDUTTUR ĠDID (MOSFET) GĦALL-IŻVILUPP TA’ FIRXA ĠDIDA TA’ ĠENERATURI TAT-TIP PARALLEL STANDARD GĦALL-APPLIKAZZJONI FL-INDUSTRIJA TAT-TISĦIN BL-INDUZZJONI | |||||||||||||||
| label / pt | label / pt | ||||||||||||||
INVESTIGAÇÃO DE INVERTERES DE MÉDIO MODULAR E DE ALTA FREQUÊNCIA QUE INCORPORAM NOVOS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES (MOSFET SIC) PARA O DESENVOLVIMENTO DE NOVOS GERADORES DE TIPO PARALELO NORMALIZADOS PARA APLICAÇÃO NAS INDUCÇÕES DE AQUECIMENTO | |||||||||||||||
| label / da | label / da | ||||||||||||||
FORSKNING I MODULOPBYGGEDE MEDIUM- OG HØJFREKVENTE INVERTERE MED NYE HALVLEDERKOMPONENTER (SIC MOSFET) MED HENBLIK PÅ UDVIKLING AF ET NYT UDVALG AF PARALLELLE STANDARDGENERATORER TIL ANVENDELSE I INDUKTIONSVARMEINDUSTR | |||||||||||||||
| label / ro | label / ro | ||||||||||||||
CERCETAREA INVERTOARELOR MODULARE DE MEDIE ȘI ÎNALTĂ FRECVENȚĂ CARE ÎNCORPOREAZĂ DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE NOI (SIC MOSFET) PENTRU DEZVOLTAREA UNEI NOI GAME DE GENERATOARE DE TIP PARALEL STANDARD PENTRU APLICAREA ÎN INDUCȚIE DE ÎNCĂLZIRE INDUSTR | |||||||||||||||
| label / sv | label / sv | ||||||||||||||
FORSKNING OM MODULÄRA MEDEL- OCH HÖGFREKVENSOMRIKTARE SOM INNEHÅLLER NYA HALVLEDARENHETER (SIC MOSFET) FÖR UTVECKLING AV ETT NYTT SORTIMENT AV STANDARDGENERATORER AV PARALLELLTYP FÖR ANVÄNDNING I INDUKTIONSVÄRMEINDUSTR | |||||||||||||||
| description / en | description / en | ||||||||||||||
Project | Project Q3163507 in Spain | ||||||||||||||
| description / bg | description / bg | ||||||||||||||
Проект Q3163507 в Испания | |||||||||||||||
| description / hr | description / hr | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 u Španjolskoj | |||||||||||||||
| description / hu | description / hu | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 Spanyolországban | |||||||||||||||
| description / cs | description / cs | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 ve Španělsku | |||||||||||||||
| description / da | description / da | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 i Spanien | |||||||||||||||
| description / nl | description / nl | ||||||||||||||
Project Q3163507 in Spanje | |||||||||||||||
| description / et | description / et | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 Hispaanias | |||||||||||||||
| description / fi | description / fi | ||||||||||||||
Projekti Q3163507 Espanjassa | |||||||||||||||
| description / fr | description / fr | ||||||||||||||
Projet Q3163507 en Espagne | |||||||||||||||
| description / de | description / de | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 in Spanien | |||||||||||||||
| description / el | description / el | ||||||||||||||
Έργο Q3163507 στην Ισπανία | |||||||||||||||
| description / ga | description / ga | ||||||||||||||
Tionscadal Q3163507 sa Spáinn | |||||||||||||||
| description / it | description / it | ||||||||||||||
Progetto Q3163507 in Spagna | |||||||||||||||
| description / lv | description / lv | ||||||||||||||
Projekts Q3163507 Spānijā | |||||||||||||||
| description / lt | description / lt | ||||||||||||||
Projektas Q3163507 Ispanijoje | |||||||||||||||
| description / mt | description / mt | ||||||||||||||
Proġett Q3163507 fi Spanja | |||||||||||||||
| description / pl | description / pl | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 w Hiszpanii | |||||||||||||||
| description / pt | description / pt | ||||||||||||||
Projeto Q3163507 na Espanha | |||||||||||||||
| description / ro | description / ro | ||||||||||||||
Proiectul Q3163507 în Spania | |||||||||||||||
| description / sk | description / sk | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 v Španielsku | |||||||||||||||
| description / sl | description / sl | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 v Španiji | |||||||||||||||
| description / es | description / es | ||||||||||||||
Proyecto Q3163507 en España | |||||||||||||||
| description / sv | description / sv | ||||||||||||||
Projekt Q3163507 i Spanien | |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / budget: 1,473,536.0 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 50.0 percent / rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 736,768.0 Euro / rank | |||||||||||||||
| Property / postal code | |||||||||||||||
| Property / postal code: 46903 / rank | |||||||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||||||
| Property / location (string): San Antonio de Benagéber / rank | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Thanks to the recent market introduction of SiC MOSFET (SiC MOSFET) in an encapsulation identical to the IGBT equivalents, it is now possible to unify induction heating converters for both low and high frequency, given that the encapsulation of both technologies has been unified, and until recently such standardisation was impossible due to the difference in encapsulations. This opportunity allows the research and development of new universal type generators using silicon IGBT components and Silicon Carbide MOSFET for the purpose of having standard modular basic inverters for the entire range of generators with consequent reduction of production costs based on an economy of scale._x000D_ _x000D_ The general objective of this project is to research and develop new universal generators of parallel, medium and high frequency type. In the case of medium frequency, the optimal technology is that of Si-IGBT, while the high frequency technology will be covered with SiC’s MOS technology, since at present, after two years of development of this type of components, these already present the functionalities to be integrated into industrial systems as explained above. (English) | |||||||||||||||
| Property / summary: Thanks to the recent market introduction of SiC MOSFET (SiC MOSFET) in an encapsulation identical to the IGBT equivalents, it is now possible to unify induction heating converters for both low and high frequency, given that the encapsulation of both technologies has been unified, and until recently such standardisation was impossible due to the difference in encapsulations. This opportunity allows the research and development of new universal type generators using silicon IGBT components and Silicon Carbide MOSFET for the purpose of having standard modular basic inverters for the entire range of generators with consequent reduction of production costs based on an economy of scale._x000D_ _x000D_ The general objective of this project is to research and develop new universal generators of parallel, medium and high frequency type. In the case of medium frequency, the optimal technology is that of Si-IGBT, while the high frequency technology will be covered with SiC’s MOS technology, since at present, after two years of development of this type of components, these already present the functionalities to be integrated into industrial systems as explained above. (English) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Thanks to the recent market introduction of SiC MOSFET (SiC MOSFET) in an encapsulation identical to the IGBT equivalents, it is now possible to unify induction heating converters for both low and high frequency, given that the encapsulation of both technologies has been unified, and until recently such standardisation was impossible due to the difference in encapsulations. This opportunity allows the research and development of new universal type generators using silicon IGBT components and Silicon Carbide MOSFET for the purpose of having standard modular basic inverters for the entire range of generators with consequent reduction of production costs based on an economy of scale._x000D_ _x000D_ The general objective of this project is to research and develop new universal generators of parallel, medium and high frequency type. In the case of medium frequency, the optimal technology is that of Si-IGBT, while the high frequency technology will be covered with SiC’s MOS technology, since at present, after two years of development of this type of components, these already present the functionalities to be integrated into industrial systems as explained above. (English) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 12 October 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary: Thanks to the recent market introduction of SiC MOSFET (SiC MOSFET) in an encapsulation identical to the IGBT equivalents, it is now possible to unify induction heating converters for both low and high frequency, given that the encapsulation of both technologies has been unified, and until recently such standardisation was impossible due to the difference in encapsulations. This opportunity allows the research and development of new universal type generators using silicon IGBT components and Silicon Carbide MOSFET for the purpose of having standard modular basic inverters for the entire range of generators with consequent reduction of production costs based on an economy of scale._x000D_ _x000D_ The general objective of this project is to research and develop new universal generators of parallel, medium and high frequency type. In the case of medium frequency, the optimal technology is that of Si-IGBT, while the high frequency technology will be covered with SiC’s MOS technology, since at present, after two years of development of this type of components, these already present the functionalities to be integrated into industrial systems as explained above. (English) / qualifier | |||||||||||||||
readability score: 0.2954623000445885
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Grâce à l’introduction récente sur le marché de SiC MOSFET (SiC MOSFET) dans une encapsulation identique aux équivalents IGBT, il est désormais possible d’unifier les convertisseurs de chauffage à induction pour basse et haute fréquence, étant donné que l’encapsulation des deux technologies a été unifiée, et jusqu’à récemment cette normalisation était impossible en raison de la différence dans les encapsulations. Cette opportunité permet la recherche et le développement de nouveaux générateurs de type universel utilisant des composants IGBT de silicium et MOSFET de carbure de silicium dans le but d’avoir des onduleurs de base modulaires standard pour toute la gamme de générateurs, ce qui entraîne une réduction des coûts de production basée sur une économie d’échelle._x000D_ _x000D_ L’objectif général de ce projet est de rechercher et de développer de nouveaux générateurs universels de type parallèle, moyenne et haute fréquence. Dans le cas de la fréquence moyenne, la technologie optimale est celle de Si-IGBT, tandis que la technologie haute fréquence sera couverte par la technologie MOS de SiC, car actuellement, après deux ans de développement de ce type de composants, celles-ci présentent déjà les fonctionnalités à intégrer dans les systèmes industriels comme expliqué ci-dessus. (French) | |||||||||||||||
| Property / summary: Grâce à l’introduction récente sur le marché de SiC MOSFET (SiC MOSFET) dans une encapsulation identique aux équivalents IGBT, il est désormais possible d’unifier les convertisseurs de chauffage à induction pour basse et haute fréquence, étant donné que l’encapsulation des deux technologies a été unifiée, et jusqu’à récemment cette normalisation était impossible en raison de la différence dans les encapsulations. Cette opportunité permet la recherche et le développement de nouveaux générateurs de type universel utilisant des composants IGBT de silicium et MOSFET de carbure de silicium dans le but d’avoir des onduleurs de base modulaires standard pour toute la gamme de générateurs, ce qui entraîne une réduction des coûts de production basée sur une économie d’échelle._x000D_ _x000D_ L’objectif général de ce projet est de rechercher et de développer de nouveaux générateurs universels de type parallèle, moyenne et haute fréquence. Dans le cas de la fréquence moyenne, la technologie optimale est celle de Si-IGBT, tandis que la technologie haute fréquence sera couverte par la technologie MOS de SiC, car actuellement, après deux ans de développement de ce type de composants, celles-ci présentent déjà les fonctionnalités à intégrer dans les systèmes industriels comme expliqué ci-dessus. (French) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Grâce à l’introduction récente sur le marché de SiC MOSFET (SiC MOSFET) dans une encapsulation identique aux équivalents IGBT, il est désormais possible d’unifier les convertisseurs de chauffage à induction pour basse et haute fréquence, étant donné que l’encapsulation des deux technologies a été unifiée, et jusqu’à récemment cette normalisation était impossible en raison de la différence dans les encapsulations. Cette opportunité permet la recherche et le développement de nouveaux générateurs de type universel utilisant des composants IGBT de silicium et MOSFET de carbure de silicium dans le but d’avoir des onduleurs de base modulaires standard pour toute la gamme de générateurs, ce qui entraîne une réduction des coûts de production basée sur une économie d’échelle._x000D_ _x000D_ L’objectif général de ce projet est de rechercher et de développer de nouveaux générateurs universels de type parallèle, moyenne et haute fréquence. Dans le cas de la fréquence moyenne, la technologie optimale est celle de Si-IGBT, tandis que la technologie haute fréquence sera couverte par la technologie MOS de SiC, car actuellement, après deux ans de développement de ce type de composants, celles-ci présentent déjà les fonctionnalités à intégrer dans les systèmes industriels comme expliqué ci-dessus. (French) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Dank der jüngsten Markteinführung von SiC MOSFET (SiC MOSFET) in einer mit den IGBT-Äquivalenten identischen Verkapselung ist es nun möglich, Induktionswärmekonverter sowohl für niedrige als auch für Hochfrequenzen zu vereinheitlichen, da die Verkapselung beider Technologien vereinheitlicht wurde und bis vor kurzem eine solche Standardisierung aufgrund der unterschiedlichen Verkapselungen unmöglich war. Diese Möglichkeit ermöglicht die Erforschung und Entwicklung neuer Universalgeneratoren mit Silizium-IGBT-Komponenten und Silicon Carbide MOSFET zum Zweck der Verwendung von standardisierten modularen Basis-Wechselrichtern für die gesamte Bandbreite von Generatoren mit konsequenter Reduzierung der Produktionskosten basierend auf einer Skalaökonomie._x000D_ _x000D_ Das allgemeine Ziel dieses Projekts ist es, neue universelle Generatoren von Parallel-, Mittel- und Hochfrequenztyp zu erforschen und zu entwickeln. Bei mittlerer Frequenz ist die optimale Technologie die von Si-IGBT, während die Hochfrequenztechnologie mit der MOS-Technologie von SiC abgedeckt wird, da diese derzeit nach zweijähriger Entwicklung dieser Art von Bauteilen bereits die Funktionalitäten darstellen, die wie oben erläutert in industrielle Systeme integriert werden sollen. (German) | |||||||||||||||
| Property / summary: Dank der jüngsten Markteinführung von SiC MOSFET (SiC MOSFET) in einer mit den IGBT-Äquivalenten identischen Verkapselung ist es nun möglich, Induktionswärmekonverter sowohl für niedrige als auch für Hochfrequenzen zu vereinheitlichen, da die Verkapselung beider Technologien vereinheitlicht wurde und bis vor kurzem eine solche Standardisierung aufgrund der unterschiedlichen Verkapselungen unmöglich war. Diese Möglichkeit ermöglicht die Erforschung und Entwicklung neuer Universalgeneratoren mit Silizium-IGBT-Komponenten und Silicon Carbide MOSFET zum Zweck der Verwendung von standardisierten modularen Basis-Wechselrichtern für die gesamte Bandbreite von Generatoren mit konsequenter Reduzierung der Produktionskosten basierend auf einer Skalaökonomie._x000D_ _x000D_ Das allgemeine Ziel dieses Projekts ist es, neue universelle Generatoren von Parallel-, Mittel- und Hochfrequenztyp zu erforschen und zu entwickeln. Bei mittlerer Frequenz ist die optimale Technologie die von Si-IGBT, während die Hochfrequenztechnologie mit der MOS-Technologie von SiC abgedeckt wird, da diese derzeit nach zweijähriger Entwicklung dieser Art von Bauteilen bereits die Funktionalitäten darstellen, die wie oben erläutert in industrielle Systeme integriert werden sollen. (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Dank der jüngsten Markteinführung von SiC MOSFET (SiC MOSFET) in einer mit den IGBT-Äquivalenten identischen Verkapselung ist es nun möglich, Induktionswärmekonverter sowohl für niedrige als auch für Hochfrequenzen zu vereinheitlichen, da die Verkapselung beider Technologien vereinheitlicht wurde und bis vor kurzem eine solche Standardisierung aufgrund der unterschiedlichen Verkapselungen unmöglich war. Diese Möglichkeit ermöglicht die Erforschung und Entwicklung neuer Universalgeneratoren mit Silizium-IGBT-Komponenten und Silicon Carbide MOSFET zum Zweck der Verwendung von standardisierten modularen Basis-Wechselrichtern für die gesamte Bandbreite von Generatoren mit konsequenter Reduzierung der Produktionskosten basierend auf einer Skalaökonomie._x000D_ _x000D_ Das allgemeine Ziel dieses Projekts ist es, neue universelle Generatoren von Parallel-, Mittel- und Hochfrequenztyp zu erforschen und zu entwickeln. Bei mittlerer Frequenz ist die optimale Technologie die von Si-IGBT, während die Hochfrequenztechnologie mit der MOS-Technologie von SiC abgedeckt wird, da diese derzeit nach zweijähriger Entwicklung dieser Art von Bauteilen bereits die Funktionalitäten darstellen, die wie oben erläutert in industrielle Systeme integriert werden sollen. (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 9 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Dankzij de recente marktintroductie van SiC MOSFET (SiC MOSFET) in een inkapseling die identiek is aan de IGBT-equivalenten, is het nu mogelijk om inductieverwarmingsomzetters voor zowel lage als hoge frequentie te verenigen, aangezien de inkapseling van beide technologieën is verenigd en tot voor kort een dergelijke standaardisatie onmogelijk was vanwege het verschil in inkapseling. Deze mogelijkheid biedt het onderzoek en de ontwikkeling van nieuwe universele type generatoren met behulp van silicium IGBT componenten en Silicon Carbide MOSFET met als doel het hebben van standaard modulaire basisomvormers voor het gehele gamma van generatoren met als gevolg verlaging van de productiekosten op basis van een schaalvoordelen._x000D_ _x000D_ Het algemene doel van dit project is het onderzoeken en ontwikkelen van nieuwe universele generatoren van parallel, medium en hoogfrequente type. In het geval van middelgrote frequenties is de optimale technologie die van Si-IGBT, terwijl de hoogfrequente technologie zal worden gedekt met de MOS-technologie van SiC, aangezien deze momenteel, na twee jaar ontwikkeling van dit type componenten, reeds de functionaliteiten bevatten die in industriële systemen moeten worden geïntegreerd, zoals hierboven uiteengezet. (Dutch) | |||||||||||||||
| Property / summary: Dankzij de recente marktintroductie van SiC MOSFET (SiC MOSFET) in een inkapseling die identiek is aan de IGBT-equivalenten, is het nu mogelijk om inductieverwarmingsomzetters voor zowel lage als hoge frequentie te verenigen, aangezien de inkapseling van beide technologieën is verenigd en tot voor kort een dergelijke standaardisatie onmogelijk was vanwege het verschil in inkapseling. Deze mogelijkheid biedt het onderzoek en de ontwikkeling van nieuwe universele type generatoren met behulp van silicium IGBT componenten en Silicon Carbide MOSFET met als doel het hebben van standaard modulaire basisomvormers voor het gehele gamma van generatoren met als gevolg verlaging van de productiekosten op basis van een schaalvoordelen._x000D_ _x000D_ Het algemene doel van dit project is het onderzoeken en ontwikkelen van nieuwe universele generatoren van parallel, medium en hoogfrequente type. In het geval van middelgrote frequenties is de optimale technologie die van Si-IGBT, terwijl de hoogfrequente technologie zal worden gedekt met de MOS-technologie van SiC, aangezien deze momenteel, na twee jaar ontwikkeling van dit type componenten, reeds de functionaliteiten bevatten die in industriële systemen moeten worden geïntegreerd, zoals hierboven uiteengezet. (Dutch) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Dankzij de recente marktintroductie van SiC MOSFET (SiC MOSFET) in een inkapseling die identiek is aan de IGBT-equivalenten, is het nu mogelijk om inductieverwarmingsomzetters voor zowel lage als hoge frequentie te verenigen, aangezien de inkapseling van beide technologieën is verenigd en tot voor kort een dergelijke standaardisatie onmogelijk was vanwege het verschil in inkapseling. Deze mogelijkheid biedt het onderzoek en de ontwikkeling van nieuwe universele type generatoren met behulp van silicium IGBT componenten en Silicon Carbide MOSFET met als doel het hebben van standaard modulaire basisomvormers voor het gehele gamma van generatoren met als gevolg verlaging van de productiekosten op basis van een schaalvoordelen._x000D_ _x000D_ Het algemene doel van dit project is het onderzoeken en ontwikkelen van nieuwe universele generatoren van parallel, medium en hoogfrequente type. In het geval van middelgrote frequenties is de optimale technologie die van Si-IGBT, terwijl de hoogfrequente technologie zal worden gedekt met de MOS-technologie van SiC, aangezien deze momenteel, na twee jaar ontwikkeling van dit type componenten, reeds de functionaliteiten bevatten die in industriële systemen moeten worden geïntegreerd, zoals hierboven uiteengezet. (Dutch) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 17 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Grazie alla recente introduzione sul mercato di SiC MOSFET (SiC MOSFET) in un'incapsulazione identica agli equivalenti IGBT, è ora possibile unificare i convertitori di riscaldamento ad induzione sia per bassa che per alta frequenza, dato che l'incapsulamento di entrambe le tecnologie è stato unificato, e fino a poco tempo fa tale standardizzazione era impossibile a causa della differenza nelle incapsulazioni. Questa opportunità consente la ricerca e lo sviluppo di nuovi generatori di tipo universale utilizzando componenti in silicio IGBT e MOSFET in carburo di silicio allo scopo di disporre di inverter base modulari standard per l'intera gamma di generatori con conseguente riduzione dei costi di produzione basati su un'economia di scala._x000D_ _x000D_ L'obiettivo generale di questo progetto è quello di ricercare e sviluppare nuovi generatori universali di tipo parallelo, medio e ad alta frequenza. Nel caso della media frequenza, la tecnologia ottimale è quella di Si-IGBT, mentre la tecnologia ad alta frequenza sarà coperta dalla tecnologia MOS di SiC, poiché attualmente, dopo due anni di sviluppo di questo tipo di componenti, questi presentano già le funzionalità da integrare nei sistemi industriali come spiegato sopra. (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Grazie alla recente introduzione sul mercato di SiC MOSFET (SiC MOSFET) in un'incapsulazione identica agli equivalenti IGBT, è ora possibile unificare i convertitori di riscaldamento ad induzione sia per bassa che per alta frequenza, dato che l'incapsulamento di entrambe le tecnologie è stato unificato, e fino a poco tempo fa tale standardizzazione era impossibile a causa della differenza nelle incapsulazioni. Questa opportunità consente la ricerca e lo sviluppo di nuovi generatori di tipo universale utilizzando componenti in silicio IGBT e MOSFET in carburo di silicio allo scopo di disporre di inverter base modulari standard per l'intera gamma di generatori con conseguente riduzione dei costi di produzione basati su un'economia di scala._x000D_ _x000D_ L'obiettivo generale di questo progetto è quello di ricercare e sviluppare nuovi generatori universali di tipo parallelo, medio e ad alta frequenza. Nel caso della media frequenza, la tecnologia ottimale è quella di Si-IGBT, mentre la tecnologia ad alta frequenza sarà coperta dalla tecnologia MOS di SiC, poiché attualmente, dopo due anni di sviluppo di questo tipo di componenti, questi presentano già le funzionalità da integrare nei sistemi industriali come spiegato sopra. (Italian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Grazie alla recente introduzione sul mercato di SiC MOSFET (SiC MOSFET) in un'incapsulazione identica agli equivalenti IGBT, è ora possibile unificare i convertitori di riscaldamento ad induzione sia per bassa che per alta frequenza, dato che l'incapsulamento di entrambe le tecnologie è stato unificato, e fino a poco tempo fa tale standardizzazione era impossibile a causa della differenza nelle incapsulazioni. Questa opportunità consente la ricerca e lo sviluppo di nuovi generatori di tipo universale utilizzando componenti in silicio IGBT e MOSFET in carburo di silicio allo scopo di disporre di inverter base modulari standard per l'intera gamma di generatori con conseguente riduzione dei costi di produzione basati su un'economia di scala._x000D_ _x000D_ L'obiettivo generale di questo progetto è quello di ricercare e sviluppare nuovi generatori universali di tipo parallelo, medio e ad alta frequenza. Nel caso della media frequenza, la tecnologia ottimale è quella di Si-IGBT, mentre la tecnologia ad alta frequenza sarà coperta dalla tecnologia MOS di SiC, poiché attualmente, dopo due anni di sviluppo di questo tipo di componenti, questi presentano già le funzionalità da integrare nei sistemi industriali come spiegato sopra. (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Tänu ränidioksiidi MOSFET (SiC MOSFET) hiljutisele turuletoomisele IGBT-ekvivalentidega identses kapseldamises on nüüd võimalik ühendada induktsioonkütte muundurid nii madala kui ka kõrgsageduse jaoks, arvestades, et mõlema tehnoloogia kapseldamine on ühtlustatud ja kuni viimase ajani ei olnud selline standardimine kapseldamise erinevuse tõttu võimalik. See võimalus võimaldab uurida ja arendada uusi universaalseid generaatoreid kasutades räni IGBT komponente ja Silicon Carbide MOSFET eesmärgiga omada standard modulaarsed põhilised inverterid kogu generaatorite valikule, mis omakorda vähendab tootmiskulusid, mis põhinevad mastaabisäästul._x000D_ _x000D_ Selle projekti üldeesmärk on uurida ja arendada uusi paralleelseid, keskmise ja kõrgsagedusega universaalseid generaatoreid. Keskmise sageduse puhul on optimaalseks tehnoloogiaks Si-IGBT, samas kui kõrgsagedustehnoloogia kaetakse ränidioksiidi MOS-tehnoloogiaga, kuna praegu, pärast seda, kui neid komponente on kaks aastat arendatud, on neil juba olemas tööstussüsteemidesse integreeritavad funktsioonid, nagu on selgitatud eespool. (Estonian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Tänu ränidioksiidi MOSFET (SiC MOSFET) hiljutisele turuletoomisele IGBT-ekvivalentidega identses kapseldamises on nüüd võimalik ühendada induktsioonkütte muundurid nii madala kui ka kõrgsageduse jaoks, arvestades, et mõlema tehnoloogia kapseldamine on ühtlustatud ja kuni viimase ajani ei olnud selline standardimine kapseldamise erinevuse tõttu võimalik. See võimalus võimaldab uurida ja arendada uusi universaalseid generaatoreid kasutades räni IGBT komponente ja Silicon Carbide MOSFET eesmärgiga omada standard modulaarsed põhilised inverterid kogu generaatorite valikule, mis omakorda vähendab tootmiskulusid, mis põhinevad mastaabisäästul._x000D_ _x000D_ Selle projekti üldeesmärk on uurida ja arendada uusi paralleelseid, keskmise ja kõrgsagedusega universaalseid generaatoreid. Keskmise sageduse puhul on optimaalseks tehnoloogiaks Si-IGBT, samas kui kõrgsagedustehnoloogia kaetakse ränidioksiidi MOS-tehnoloogiaga, kuna praegu, pärast seda, kui neid komponente on kaks aastat arendatud, on neil juba olemas tööstussüsteemidesse integreeritavad funktsioonid, nagu on selgitatud eespool. (Estonian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Tänu ränidioksiidi MOSFET (SiC MOSFET) hiljutisele turuletoomisele IGBT-ekvivalentidega identses kapseldamises on nüüd võimalik ühendada induktsioonkütte muundurid nii madala kui ka kõrgsageduse jaoks, arvestades, et mõlema tehnoloogia kapseldamine on ühtlustatud ja kuni viimase ajani ei olnud selline standardimine kapseldamise erinevuse tõttu võimalik. See võimalus võimaldab uurida ja arendada uusi universaalseid generaatoreid kasutades räni IGBT komponente ja Silicon Carbide MOSFET eesmärgiga omada standard modulaarsed põhilised inverterid kogu generaatorite valikule, mis omakorda vähendab tootmiskulusid, mis põhinevad mastaabisäästul._x000D_ _x000D_ Selle projekti üldeesmärk on uurida ja arendada uusi paralleelseid, keskmise ja kõrgsagedusega universaalseid generaatoreid. Keskmise sageduse puhul on optimaalseks tehnoloogiaks Si-IGBT, samas kui kõrgsagedustehnoloogia kaetakse ränidioksiidi MOS-tehnoloogiaga, kuna praegu, pärast seda, kui neid komponente on kaks aastat arendatud, on neil juba olemas tööstussüsteemidesse integreeritavad funktsioonid, nagu on selgitatud eespool. (Estonian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Dėl neseniai rinkoje įdiegto SiC MOSFET (SiC MOSFET) inkapsuliacijos, identiškos IGBT ekvivalentams, dabar galima suvienodinti indukcinius šildymo keitiklius tiek žemo, tiek aukšto dažnio, atsižvelgiant į tai, kad abiejų technologijų sandarinimas buvo suvienodintas, ir iki šiol toks standartizavimas buvo neįmanomas dėl skirtingų inkapsuliacijų. Ši galimybė leidžia naujų universalių generatorių, naudojančių silicio IGBT komponentus ir Silicon Carbide MOSFET, mokslinius tyrimus ir plėtrą siekiant turėti standartinius modulinius bazinius keitiklius visam generatorių diapazonui ir atitinkamai sumažinti gamybos sąnaudas remiantis masto ekonomija. _x000D_ _x000D_ Bendras šio projekto tikslas yra tirti ir kurti naujus universalius lygiagrečių, vidutinio ir aukšto dažnio generatorius. Vidutinio dažnio atveju optimali technologija yra Si-IGBT technologija, o aukšto dažnio technologija bus taikoma SiC MOS technologija, nes šiuo metu, praėjus dvejiems metams nuo tokio tipo komponentų kūrimo, jie jau yra funkcijos, kurios turi būti integruotos į pramonines sistemas, kaip paaiškinta pirmiau. (Lithuanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Dėl neseniai rinkoje įdiegto SiC MOSFET (SiC MOSFET) inkapsuliacijos, identiškos IGBT ekvivalentams, dabar galima suvienodinti indukcinius šildymo keitiklius tiek žemo, tiek aukšto dažnio, atsižvelgiant į tai, kad abiejų technologijų sandarinimas buvo suvienodintas, ir iki šiol toks standartizavimas buvo neįmanomas dėl skirtingų inkapsuliacijų. Ši galimybė leidžia naujų universalių generatorių, naudojančių silicio IGBT komponentus ir Silicon Carbide MOSFET, mokslinius tyrimus ir plėtrą siekiant turėti standartinius modulinius bazinius keitiklius visam generatorių diapazonui ir atitinkamai sumažinti gamybos sąnaudas remiantis masto ekonomija. _x000D_ _x000D_ Bendras šio projekto tikslas yra tirti ir kurti naujus universalius lygiagrečių, vidutinio ir aukšto dažnio generatorius. Vidutinio dažnio atveju optimali technologija yra Si-IGBT technologija, o aukšto dažnio technologija bus taikoma SiC MOS technologija, nes šiuo metu, praėjus dvejiems metams nuo tokio tipo komponentų kūrimo, jie jau yra funkcijos, kurios turi būti integruotos į pramonines sistemas, kaip paaiškinta pirmiau. (Lithuanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Dėl neseniai rinkoje įdiegto SiC MOSFET (SiC MOSFET) inkapsuliacijos, identiškos IGBT ekvivalentams, dabar galima suvienodinti indukcinius šildymo keitiklius tiek žemo, tiek aukšto dažnio, atsižvelgiant į tai, kad abiejų technologijų sandarinimas buvo suvienodintas, ir iki šiol toks standartizavimas buvo neįmanomas dėl skirtingų inkapsuliacijų. Ši galimybė leidžia naujų universalių generatorių, naudojančių silicio IGBT komponentus ir Silicon Carbide MOSFET, mokslinius tyrimus ir plėtrą siekiant turėti standartinius modulinius bazinius keitiklius visam generatorių diapazonui ir atitinkamai sumažinti gamybos sąnaudas remiantis masto ekonomija. _x000D_ _x000D_ Bendras šio projekto tikslas yra tirti ir kurti naujus universalius lygiagrečių, vidutinio ir aukšto dažnio generatorius. Vidutinio dažnio atveju optimali technologija yra Si-IGBT technologija, o aukšto dažnio technologija bus taikoma SiC MOS technologija, nes šiuo metu, praėjus dvejiems metams nuo tokio tipo komponentų kūrimo, jie jau yra funkcijos, kurios turi būti integruotos į pramonines sistemas, kaip paaiškinta pirmiau. (Lithuanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Zahvaljujući nedavnom uvođenju na tržište SiC MOSFET (SiC MOSFET) u enkapsulaciji identičnoj IGBT ekvivalentima, sada je moguće ujediniti indukcijske pretvarače grijanja za nisku i visoku frekvenciju, s obzirom na to da je zatvaranje obje tehnologije ujedinjeno, a donedavno je takva standardizacija bila nemoguća zbog razlike u encapsulations. Ova prilika omogućuje istraživanje i razvoj novih univerzalnih generatora tipa koji koriste silicij IGBT komponente i Silicon Carbide MOSFET u svrhu posjedovanja standardnih modularnih osnovnih pretvarača za cijeli niz generatora s posljedičnim smanjenjem troškova proizvodnje na temelju ekonomije razmjera._x000D_ _x000D_ Opći cilj ovog projekta je istraživanje i razvoj novih univerzalnih generatora paralelnog, srednjeg i visokofrekventnog tipa. U slučaju srednje frekvencije optimalna je tehnologija Si-IGBT-a, dok će visokofrekventna tehnologija biti pokrivena SiC-ovom MOS tehnologijom, jer u ovom trenutku, nakon dvije godine razvoja ove vrste komponenti, one već predstavljaju funkcionalnosti koje treba integrirati u industrijske sustave kako je prethodno objašnjeno. (Croatian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Zahvaljujući nedavnom uvođenju na tržište SiC MOSFET (SiC MOSFET) u enkapsulaciji identičnoj IGBT ekvivalentima, sada je moguće ujediniti indukcijske pretvarače grijanja za nisku i visoku frekvenciju, s obzirom na to da je zatvaranje obje tehnologije ujedinjeno, a donedavno je takva standardizacija bila nemoguća zbog razlike u encapsulations. Ova prilika omogućuje istraživanje i razvoj novih univerzalnih generatora tipa koji koriste silicij IGBT komponente i Silicon Carbide MOSFET u svrhu posjedovanja standardnih modularnih osnovnih pretvarača za cijeli niz generatora s posljedičnim smanjenjem troškova proizvodnje na temelju ekonomije razmjera._x000D_ _x000D_ Opći cilj ovog projekta je istraživanje i razvoj novih univerzalnih generatora paralelnog, srednjeg i visokofrekventnog tipa. U slučaju srednje frekvencije optimalna je tehnologija Si-IGBT-a, dok će visokofrekventna tehnologija biti pokrivena SiC-ovom MOS tehnologijom, jer u ovom trenutku, nakon dvije godine razvoja ove vrste komponenti, one već predstavljaju funkcionalnosti koje treba integrirati u industrijske sustave kako je prethodno objašnjeno. (Croatian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Zahvaljujući nedavnom uvođenju na tržište SiC MOSFET (SiC MOSFET) u enkapsulaciji identičnoj IGBT ekvivalentima, sada je moguće ujediniti indukcijske pretvarače grijanja za nisku i visoku frekvenciju, s obzirom na to da je zatvaranje obje tehnologije ujedinjeno, a donedavno je takva standardizacija bila nemoguća zbog razlike u encapsulations. Ova prilika omogućuje istraživanje i razvoj novih univerzalnih generatora tipa koji koriste silicij IGBT komponente i Silicon Carbide MOSFET u svrhu posjedovanja standardnih modularnih osnovnih pretvarača za cijeli niz generatora s posljedičnim smanjenjem troškova proizvodnje na temelju ekonomije razmjera._x000D_ _x000D_ Opći cilj ovog projekta je istraživanje i razvoj novih univerzalnih generatora paralelnog, srednjeg i visokofrekventnog tipa. U slučaju srednje frekvencije optimalna je tehnologija Si-IGBT-a, dok će visokofrekventna tehnologija biti pokrivena SiC-ovom MOS tehnologijom, jer u ovom trenutku, nakon dvije godine razvoja ove vrste komponenti, one već predstavljaju funkcionalnosti koje treba integrirati u industrijske sustave kako je prethodno objašnjeno. (Croatian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Χάρη στην πρόσφατη εισαγωγή στην αγορά του SiC MOSFET (SiC MOSFET) σε ενθυλάκωση πανομοιότυπη με τα ισοδύναμα IGBT, είναι πλέον δυνατή η ενοποίηση των μετατροπέων επαγωγικής θέρμανσης τόσο για χαμηλή όσο και για υψηλή συχνότητα, δεδομένου ότι η ενθυλάκωση και των δύο τεχνολογιών έχει ενοποιηθεί και μέχρι πρόσφατα η τυποποίηση αυτή ήταν αδύνατη λόγω της διαφοράς στις εγκιβωτίσεις. Αυτή η ευκαιρία επιτρέπει την έρευνα και την ανάπτυξη νέων γεννητριών καθολικού τύπου χρησιμοποιώντας εξαρτήματα IGBT πυριτίου και Silicon Carbide MOSFET με σκοπό την ύπαρξη τυποποιημένων αρθρωτών βασικών αναστροφέων για όλο το φάσμα των γεννητριών με επακόλουθη μείωση του κόστους παραγωγής με βάση μια οικονομία κλίμακας._x000D_ _x000D_ Ο γενικός στόχος αυτού του έργου είναι η έρευνα και η ανάπτυξη νέων καθολικών γεννητριών παράλληλου, μεσαίου και υψηλού τύπου συχνότητας. Στην περίπτωση της μεσαίας συχνότητας, η βέλτιστη τεχνολογία είναι αυτή του Si-IGBT, ενώ η τεχνολογία υψηλής συχνότητας θα καλυφθεί με την τεχνολογία MOS του SiC, δεδομένου ότι, επί του παρόντος, μετά από δύο χρόνια ανάπτυξης αυτού του τύπου εξαρτημάτων, αυτά παρουσιάζουν ήδη τις λειτουργικές δυνατότητες που πρέπει να ενσωματωθούν στα βιομηχανικά συστήματα, όπως εξηγείται παραπάνω. (Greek) | |||||||||||||||
| Property / summary: Χάρη στην πρόσφατη εισαγωγή στην αγορά του SiC MOSFET (SiC MOSFET) σε ενθυλάκωση πανομοιότυπη με τα ισοδύναμα IGBT, είναι πλέον δυνατή η ενοποίηση των μετατροπέων επαγωγικής θέρμανσης τόσο για χαμηλή όσο και για υψηλή συχνότητα, δεδομένου ότι η ενθυλάκωση και των δύο τεχνολογιών έχει ενοποιηθεί και μέχρι πρόσφατα η τυποποίηση αυτή ήταν αδύνατη λόγω της διαφοράς στις εγκιβωτίσεις. Αυτή η ευκαιρία επιτρέπει την έρευνα και την ανάπτυξη νέων γεννητριών καθολικού τύπου χρησιμοποιώντας εξαρτήματα IGBT πυριτίου και Silicon Carbide MOSFET με σκοπό την ύπαρξη τυποποιημένων αρθρωτών βασικών αναστροφέων για όλο το φάσμα των γεννητριών με επακόλουθη μείωση του κόστους παραγωγής με βάση μια οικονομία κλίμακας._x000D_ _x000D_ Ο γενικός στόχος αυτού του έργου είναι η έρευνα και η ανάπτυξη νέων καθολικών γεννητριών παράλληλου, μεσαίου και υψηλού τύπου συχνότητας. Στην περίπτωση της μεσαίας συχνότητας, η βέλτιστη τεχνολογία είναι αυτή του Si-IGBT, ενώ η τεχνολογία υψηλής συχνότητας θα καλυφθεί με την τεχνολογία MOS του SiC, δεδομένου ότι, επί του παρόντος, μετά από δύο χρόνια ανάπτυξης αυτού του τύπου εξαρτημάτων, αυτά παρουσιάζουν ήδη τις λειτουργικές δυνατότητες που πρέπει να ενσωματωθούν στα βιομηχανικά συστήματα, όπως εξηγείται παραπάνω. (Greek) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Χάρη στην πρόσφατη εισαγωγή στην αγορά του SiC MOSFET (SiC MOSFET) σε ενθυλάκωση πανομοιότυπη με τα ισοδύναμα IGBT, είναι πλέον δυνατή η ενοποίηση των μετατροπέων επαγωγικής θέρμανσης τόσο για χαμηλή όσο και για υψηλή συχνότητα, δεδομένου ότι η ενθυλάκωση και των δύο τεχνολογιών έχει ενοποιηθεί και μέχρι πρόσφατα η τυποποίηση αυτή ήταν αδύνατη λόγω της διαφοράς στις εγκιβωτίσεις. Αυτή η ευκαιρία επιτρέπει την έρευνα και την ανάπτυξη νέων γεννητριών καθολικού τύπου χρησιμοποιώντας εξαρτήματα IGBT πυριτίου και Silicon Carbide MOSFET με σκοπό την ύπαρξη τυποποιημένων αρθρωτών βασικών αναστροφέων για όλο το φάσμα των γεννητριών με επακόλουθη μείωση του κόστους παραγωγής με βάση μια οικονομία κλίμακας._x000D_ _x000D_ Ο γενικός στόχος αυτού του έργου είναι η έρευνα και η ανάπτυξη νέων καθολικών γεννητριών παράλληλου, μεσαίου και υψηλού τύπου συχνότητας. Στην περίπτωση της μεσαίας συχνότητας, η βέλτιστη τεχνολογία είναι αυτή του Si-IGBT, ενώ η τεχνολογία υψηλής συχνότητας θα καλυφθεί με την τεχνολογία MOS του SiC, δεδομένου ότι, επί του παρόντος, μετά από δύο χρόνια ανάπτυξης αυτού του τύπου εξαρτημάτων, αυτά παρουσιάζουν ήδη τις λειτουργικές δυνατότητες που πρέπει να ενσωματωθούν στα βιομηχανικά συστήματα, όπως εξηγείται παραπάνω. (Greek) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Vďaka nedávnemu uvedeniu SiC MOSFET (SiC MOSFET) na trh v zapuzdrení identických s ekvivalentmi IGBT je teraz možné zjednotiť indukčné vykurovacie meniče pre nízku aj vysokú frekvenciu vzhľadom na to, že zapuzdrenie oboch technológií bolo zjednotené a donedávna takáto štandardizácia nebola možná z dôvodu rozdielu v zapuzdrení. Táto príležitosť umožňuje výskum a vývoj nových univerzálnych generátorov využívajúcich kremíkové IGBT komponenty a karbid kremíka MOSFET za účelom použitia štandardných modulárnych základných meničov pre celú škálu generátorov s následným znížením výrobných nákladov na základe úspor z rozsahu._x000D_ _x000D_ Všeobecným cieľom tohto projektu je výskum a vývoj nových univerzálnych generátorov paralelného, stredného a vysokofrekvenčného typu. V prípade strednej frekvencie je optimálnou technológiou Si-IGBT, zatiaľ čo vysokofrekvenčná technológia bude pokrytá technológiou MOS SiC, pretože v súčasnosti, po dvoch rokoch vývoja tohto typu komponentov, tieto už predstavujú funkcie, ktoré sa majú integrovať do priemyselných systémov, ako je vysvetlené vyššie. (Slovak) | |||||||||||||||
| Property / summary: Vďaka nedávnemu uvedeniu SiC MOSFET (SiC MOSFET) na trh v zapuzdrení identických s ekvivalentmi IGBT je teraz možné zjednotiť indukčné vykurovacie meniče pre nízku aj vysokú frekvenciu vzhľadom na to, že zapuzdrenie oboch technológií bolo zjednotené a donedávna takáto štandardizácia nebola možná z dôvodu rozdielu v zapuzdrení. Táto príležitosť umožňuje výskum a vývoj nových univerzálnych generátorov využívajúcich kremíkové IGBT komponenty a karbid kremíka MOSFET za účelom použitia štandardných modulárnych základných meničov pre celú škálu generátorov s následným znížením výrobných nákladov na základe úspor z rozsahu._x000D_ _x000D_ Všeobecným cieľom tohto projektu je výskum a vývoj nových univerzálnych generátorov paralelného, stredného a vysokofrekvenčného typu. V prípade strednej frekvencie je optimálnou technológiou Si-IGBT, zatiaľ čo vysokofrekvenčná technológia bude pokrytá technológiou MOS SiC, pretože v súčasnosti, po dvoch rokoch vývoja tohto typu komponentov, tieto už predstavujú funkcie, ktoré sa majú integrovať do priemyselných systémov, ako je vysvetlené vyššie. (Slovak) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Vďaka nedávnemu uvedeniu SiC MOSFET (SiC MOSFET) na trh v zapuzdrení identických s ekvivalentmi IGBT je teraz možné zjednotiť indukčné vykurovacie meniče pre nízku aj vysokú frekvenciu vzhľadom na to, že zapuzdrenie oboch technológií bolo zjednotené a donedávna takáto štandardizácia nebola možná z dôvodu rozdielu v zapuzdrení. Táto príležitosť umožňuje výskum a vývoj nových univerzálnych generátorov využívajúcich kremíkové IGBT komponenty a karbid kremíka MOSFET za účelom použitia štandardných modulárnych základných meničov pre celú škálu generátorov s následným znížením výrobných nákladov na základe úspor z rozsahu._x000D_ _x000D_ Všeobecným cieľom tohto projektu je výskum a vývoj nových univerzálnych generátorov paralelného, stredného a vysokofrekvenčného typu. V prípade strednej frekvencie je optimálnou technológiou Si-IGBT, zatiaľ čo vysokofrekvenčná technológia bude pokrytá technológiou MOS SiC, pretože v súčasnosti, po dvoch rokoch vývoja tohto typu komponentov, tieto už predstavujú funkcie, ktoré sa majú integrovať do priemyselných systémov, ako je vysvetlené vyššie. (Slovak) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Koska SiC MOSFET (SiC MOSFET) on hiljattain otettu markkinoille IGBT-ekvivalenttien kanssa identtiseen kapselointiin, on nyt mahdollista yhdistää induktiolämmitysmuuntimet sekä alhaisen että korkean taajuuden osalta, koska molempien teknologioiden kapselointi on ollut yhtenäistä ja viime aikoihin asti tällainen standardointi oli mahdotonta kapselointierojen vuoksi. Tämä mahdollisuus mahdollistaa uusien universaalien generaattoreiden tutkimuksen ja kehittämisen käyttäen pii-IGBT-komponentteja ja piikarbidi MOSFETia, jotta vakiomodulaariset perusinvertterit koko generaattoreille laskisivat tuotantokustannuksia mittakaavaetujen perusteella._x000D_ _x000D_ Tämän hankkeen yleisenä tavoitteena on tutkia ja kehittää uusia rinnakkais-, keski- ja suurtaajuusgeneraattoreita. Keskitaajuuden osalta optimaalinen teknologia on Si-IGBT:n tekniikka, kun taas suurtaajuusteknologia katetaan SiC:n MOS-tekniikalla, koska tällä hetkellä kahden vuoden kuluttua tämäntyyppisten komponenttien kehittämisestä nämä komponentit sisältävät jo toiminnot, jotka on integroitava teollisuusjärjestelmiin, kuten edellä on selostettu. (Finnish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Koska SiC MOSFET (SiC MOSFET) on hiljattain otettu markkinoille IGBT-ekvivalenttien kanssa identtiseen kapselointiin, on nyt mahdollista yhdistää induktiolämmitysmuuntimet sekä alhaisen että korkean taajuuden osalta, koska molempien teknologioiden kapselointi on ollut yhtenäistä ja viime aikoihin asti tällainen standardointi oli mahdotonta kapselointierojen vuoksi. Tämä mahdollisuus mahdollistaa uusien universaalien generaattoreiden tutkimuksen ja kehittämisen käyttäen pii-IGBT-komponentteja ja piikarbidi MOSFETia, jotta vakiomodulaariset perusinvertterit koko generaattoreille laskisivat tuotantokustannuksia mittakaavaetujen perusteella._x000D_ _x000D_ Tämän hankkeen yleisenä tavoitteena on tutkia ja kehittää uusia rinnakkais-, keski- ja suurtaajuusgeneraattoreita. Keskitaajuuden osalta optimaalinen teknologia on Si-IGBT:n tekniikka, kun taas suurtaajuusteknologia katetaan SiC:n MOS-tekniikalla, koska tällä hetkellä kahden vuoden kuluttua tämäntyyppisten komponenttien kehittämisestä nämä komponentit sisältävät jo toiminnot, jotka on integroitava teollisuusjärjestelmiin, kuten edellä on selostettu. (Finnish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Koska SiC MOSFET (SiC MOSFET) on hiljattain otettu markkinoille IGBT-ekvivalenttien kanssa identtiseen kapselointiin, on nyt mahdollista yhdistää induktiolämmitysmuuntimet sekä alhaisen että korkean taajuuden osalta, koska molempien teknologioiden kapselointi on ollut yhtenäistä ja viime aikoihin asti tällainen standardointi oli mahdotonta kapselointierojen vuoksi. Tämä mahdollisuus mahdollistaa uusien universaalien generaattoreiden tutkimuksen ja kehittämisen käyttäen pii-IGBT-komponentteja ja piikarbidi MOSFETia, jotta vakiomodulaariset perusinvertterit koko generaattoreille laskisivat tuotantokustannuksia mittakaavaetujen perusteella._x000D_ _x000D_ Tämän hankkeen yleisenä tavoitteena on tutkia ja kehittää uusia rinnakkais-, keski- ja suurtaajuusgeneraattoreita. Keskitaajuuden osalta optimaalinen teknologia on Si-IGBT:n tekniikka, kun taas suurtaajuusteknologia katetaan SiC:n MOS-tekniikalla, koska tällä hetkellä kahden vuoden kuluttua tämäntyyppisten komponenttien kehittämisestä nämä komponentit sisältävät jo toiminnot, jotka on integroitava teollisuusjärjestelmiin, kuten edellä on selostettu. (Finnish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Dzięki niedawnemu wprowadzeniu na rynek SiC MOSFET (SiC MOSFET) w obudowach identycznych z odpowiednikami IGBT, obecnie możliwe jest ujednolicenie indukcyjnych przetwornic grzewczych zarówno dla niskiej, jak i wysokiej częstotliwości, biorąc pod uwagę zjednoczenie obu technologii, a do niedawna taka standaryzacja była niemożliwa ze względu na różnicę w enkapsulacji. Możliwość ta pozwala na badania i rozwój nowych generatorów typu uniwersalnego wykorzystujących komponenty krzemu IGBT i MOSFET z węglika krzemu w celu posiadania standardowych modułowych przetwornic podstawowych dla całej gamy generatorów, co wiąże się z redukcją kosztów produkcji w oparciu o ekonomię skali._x000D_ _x000D_ Ogólnym celem tego projektu jest badanie i opracowanie nowych uniwersalnych generatorów równoległych, średnich i wysokich częstotliwości. W przypadku średniej częstotliwości optymalną technologią jest technologia Si-IGBT, podczas gdy technologia wysokiej częstotliwości będzie objęta technologią MOS SiC, ponieważ obecnie, po dwóch latach rozwoju tego typu komponentów, prezentują one już funkcje, które mają być zintegrowane z systemami przemysłowymi, jak wyjaśniono powyżej. (Polish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Dzięki niedawnemu wprowadzeniu na rynek SiC MOSFET (SiC MOSFET) w obudowach identycznych z odpowiednikami IGBT, obecnie możliwe jest ujednolicenie indukcyjnych przetwornic grzewczych zarówno dla niskiej, jak i wysokiej częstotliwości, biorąc pod uwagę zjednoczenie obu technologii, a do niedawna taka standaryzacja była niemożliwa ze względu na różnicę w enkapsulacji. Możliwość ta pozwala na badania i rozwój nowych generatorów typu uniwersalnego wykorzystujących komponenty krzemu IGBT i MOSFET z węglika krzemu w celu posiadania standardowych modułowych przetwornic podstawowych dla całej gamy generatorów, co wiąże się z redukcją kosztów produkcji w oparciu o ekonomię skali._x000D_ _x000D_ Ogólnym celem tego projektu jest badanie i opracowanie nowych uniwersalnych generatorów równoległych, średnich i wysokich częstotliwości. W przypadku średniej częstotliwości optymalną technologią jest technologia Si-IGBT, podczas gdy technologia wysokiej częstotliwości będzie objęta technologią MOS SiC, ponieważ obecnie, po dwóch latach rozwoju tego typu komponentów, prezentują one już funkcje, które mają być zintegrowane z systemami przemysłowymi, jak wyjaśniono powyżej. (Polish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Dzięki niedawnemu wprowadzeniu na rynek SiC MOSFET (SiC MOSFET) w obudowach identycznych z odpowiednikami IGBT, obecnie możliwe jest ujednolicenie indukcyjnych przetwornic grzewczych zarówno dla niskiej, jak i wysokiej częstotliwości, biorąc pod uwagę zjednoczenie obu technologii, a do niedawna taka standaryzacja była niemożliwa ze względu na różnicę w enkapsulacji. Możliwość ta pozwala na badania i rozwój nowych generatorów typu uniwersalnego wykorzystujących komponenty krzemu IGBT i MOSFET z węglika krzemu w celu posiadania standardowych modułowych przetwornic podstawowych dla całej gamy generatorów, co wiąże się z redukcją kosztów produkcji w oparciu o ekonomię skali._x000D_ _x000D_ Ogólnym celem tego projektu jest badanie i opracowanie nowych uniwersalnych generatorów równoległych, średnich i wysokich częstotliwości. W przypadku średniej częstotliwości optymalną technologią jest technologia Si-IGBT, podczas gdy technologia wysokiej częstotliwości będzie objęta technologią MOS SiC, ponieważ obecnie, po dwóch latach rozwoju tego typu komponentów, prezentują one już funkcje, które mają być zintegrowane z systemami przemysłowymi, jak wyjaśniono powyżej. (Polish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A SiC MOSFET-nek (SiC MOSFET) az IGBT-egyenértékekkel azonos kapszulákban történő közelmúltbeli piaci bevezetésének köszönhetően ma már mind az alacsony, mind a nagyfrekvenciájú indukciós fűtőátalakítók egységesítése lehetséges, mivel mindkét technológia kapszulázása egységes volt, és az ilyen szabványosítás egészen a közelmúltig a kapszulák közötti különbség miatt lehetetlen volt. Ez a lehetőség lehetővé teszi az új univerzális típusú generátorok kutatását és fejlesztését a szilícium IGBT komponenseket és a szilícium-karbid MOSFET-et felhasználva azzal a céllal, hogy szabványos moduláris alapvető inverterek álljanak rendelkezésre a generátorok teljes skálájára, aminek következtében csökkennek a termelési költségek a méretgazdaságosság alapján._x000D_ _x000D_ A projekt általános célja a párhuzamos, közepes és nagyfrekvenciás típusú új univerzális generátorok kutatása és fejlesztése. A közepes frekvencia esetében az optimális technológia a Si-IGBT technológiája, míg a nagyfrekvenciás technológiát a SiC MOS technológiája fogja lefedni, mivel jelenleg az ilyen típusú alkatrészek két évig tartó fejlesztése után ezek már bemutatják a fent kifejtettek szerint az ipari rendszerekbe integrálandó funkciókat. (Hungarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: A SiC MOSFET-nek (SiC MOSFET) az IGBT-egyenértékekkel azonos kapszulákban történő közelmúltbeli piaci bevezetésének köszönhetően ma már mind az alacsony, mind a nagyfrekvenciájú indukciós fűtőátalakítók egységesítése lehetséges, mivel mindkét technológia kapszulázása egységes volt, és az ilyen szabványosítás egészen a közelmúltig a kapszulák közötti különbség miatt lehetetlen volt. Ez a lehetőség lehetővé teszi az új univerzális típusú generátorok kutatását és fejlesztését a szilícium IGBT komponenseket és a szilícium-karbid MOSFET-et felhasználva azzal a céllal, hogy szabványos moduláris alapvető inverterek álljanak rendelkezésre a generátorok teljes skálájára, aminek következtében csökkennek a termelési költségek a méretgazdaságosság alapján._x000D_ _x000D_ A projekt általános célja a párhuzamos, közepes és nagyfrekvenciás típusú új univerzális generátorok kutatása és fejlesztése. A közepes frekvencia esetében az optimális technológia a Si-IGBT technológiája, míg a nagyfrekvenciás technológiát a SiC MOS technológiája fogja lefedni, mivel jelenleg az ilyen típusú alkatrészek két évig tartó fejlesztése után ezek már bemutatják a fent kifejtettek szerint az ipari rendszerekbe integrálandó funkciókat. (Hungarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A SiC MOSFET-nek (SiC MOSFET) az IGBT-egyenértékekkel azonos kapszulákban történő közelmúltbeli piaci bevezetésének köszönhetően ma már mind az alacsony, mind a nagyfrekvenciájú indukciós fűtőátalakítók egységesítése lehetséges, mivel mindkét technológia kapszulázása egységes volt, és az ilyen szabványosítás egészen a közelmúltig a kapszulák közötti különbség miatt lehetetlen volt. Ez a lehetőség lehetővé teszi az új univerzális típusú generátorok kutatását és fejlesztését a szilícium IGBT komponenseket és a szilícium-karbid MOSFET-et felhasználva azzal a céllal, hogy szabványos moduláris alapvető inverterek álljanak rendelkezésre a generátorok teljes skálájára, aminek következtében csökkennek a termelési költségek a méretgazdaságosság alapján._x000D_ _x000D_ A projekt általános célja a párhuzamos, közepes és nagyfrekvenciás típusú új univerzális generátorok kutatása és fejlesztése. A közepes frekvencia esetében az optimális technológia a Si-IGBT technológiája, míg a nagyfrekvenciás technológiát a SiC MOS technológiája fogja lefedni, mivel jelenleg az ilyen típusú alkatrészek két évig tartó fejlesztése után ezek már bemutatják a fent kifejtettek szerint az ipari rendszerekbe integrálandó funkciókat. (Hungarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Díky nedávnému uvedení SiC MOSFET (SiC MOSFET) na trh v zapouzdření totožném s ekvivalenty IGBT je nyní možné sjednotit indukční topné měniče pro nízké i vysoké frekvence, vzhledem k tomu, že zapouzdření obou technologií bylo sjednoceno a až donedávna byla tato normalizace kvůli rozdílu v zapouzdření nemožná. Tato příležitost umožňuje výzkum a vývoj nových univerzálních typových generátorů využívajících křemíkové IGBT komponenty a Silicon Carbide MOSFET za účelem zavedení standardních modulárních základních invertorů pro celou řadu generátorů s následným snížením výrobních nákladů na základě úspor z rozsahu._x000D_ _x000D_ Hlavním cílem tohoto projektu je výzkum a vývoj nových univerzálních generátorů paralelního, středního a vysokofrekvenčního typu. V případě střední frekvence je optimální technologie technologie Si-IGBT, zatímco vysokofrekvenční technologie bude pokryta technologií MOS SiC, protože v současné době po dvou letech vývoje tohoto typu komponent již tyto technologie představují funkce, které mají být integrovány do průmyslových systémů, jak je vysvětleno výše. (Czech) | |||||||||||||||
| Property / summary: Díky nedávnému uvedení SiC MOSFET (SiC MOSFET) na trh v zapouzdření totožném s ekvivalenty IGBT je nyní možné sjednotit indukční topné měniče pro nízké i vysoké frekvence, vzhledem k tomu, že zapouzdření obou technologií bylo sjednoceno a až donedávna byla tato normalizace kvůli rozdílu v zapouzdření nemožná. Tato příležitost umožňuje výzkum a vývoj nových univerzálních typových generátorů využívajících křemíkové IGBT komponenty a Silicon Carbide MOSFET za účelem zavedení standardních modulárních základních invertorů pro celou řadu generátorů s následným snížením výrobních nákladů na základě úspor z rozsahu._x000D_ _x000D_ Hlavním cílem tohoto projektu je výzkum a vývoj nových univerzálních generátorů paralelního, středního a vysokofrekvenčního typu. V případě střední frekvence je optimální technologie technologie Si-IGBT, zatímco vysokofrekvenční technologie bude pokryta technologií MOS SiC, protože v současné době po dvou letech vývoje tohoto typu komponent již tyto technologie představují funkce, které mají být integrovány do průmyslových systémů, jak je vysvětleno výše. (Czech) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Díky nedávnému uvedení SiC MOSFET (SiC MOSFET) na trh v zapouzdření totožném s ekvivalenty IGBT je nyní možné sjednotit indukční topné měniče pro nízké i vysoké frekvence, vzhledem k tomu, že zapouzdření obou technologií bylo sjednoceno a až donedávna byla tato normalizace kvůli rozdílu v zapouzdření nemožná. Tato příležitost umožňuje výzkum a vývoj nových univerzálních typových generátorů využívajících křemíkové IGBT komponenty a Silicon Carbide MOSFET za účelem zavedení standardních modulárních základních invertorů pro celou řadu generátorů s následným snížením výrobních nákladů na základě úspor z rozsahu._x000D_ _x000D_ Hlavním cílem tohoto projektu je výzkum a vývoj nových univerzálních generátorů paralelního, středního a vysokofrekvenčního typu. V případě střední frekvence je optimální technologie technologie Si-IGBT, zatímco vysokofrekvenční technologie bude pokryta technologií MOS SiC, protože v současné době po dvou letech vývoje tohoto typu komponent již tyto technologie představují funkce, které mají být integrovány do průmyslových systémů, jak je vysvětleno výše. (Czech) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Pateicoties nesenai SiC MOSFET (SiC MOSFET) ieviešanai IGBT ekvivalentiem identiskā iekapsulācijā, tagad ir iespējams apvienot indukcijas sildīšanas pārveidotājus gan zemai, gan augstai frekvencei, ņemot vērā, ka abu tehnoloģiju iekapsulēšana ir bijusi vienota un vēl nesen šāda standartizācija nebija iespējama, jo iekapsulēšana bija atšķirīga. Šī iespēja ļauj izpētīt un attīstīt jaunus universālus ģeneratorus, kas izmanto silīcija IGBT komponentus un Silicon Carbide MOSFET, lai nodrošinātu standarta moduļu pamata invertorus visam ģeneratoru klāstam, tādējādi samazinot ražošanas izmaksas, pamatojoties uz mēroga ekonomiju._x000D_ _x000D_ Šā projekta vispārējais mērķis ir izpētīt un izstrādāt jaunus universālus paralēlo, vidējas un augstas frekvences ģeneratorus. Vidējas frekvences gadījumā optimālā tehnoloģija ir Si-IGBT tehnoloģija, savukārt augstfrekvences tehnoloģija tiks pārklāta ar SiC MOS tehnoloģiju, jo pašlaik, pēc divu gadu attīstības šāda veida komponentiem, tie jau sniedz funkcijas, kas jāintegrē rūpniecības sistēmās, kā paskaidrots iepriekš. (Latvian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Pateicoties nesenai SiC MOSFET (SiC MOSFET) ieviešanai IGBT ekvivalentiem identiskā iekapsulācijā, tagad ir iespējams apvienot indukcijas sildīšanas pārveidotājus gan zemai, gan augstai frekvencei, ņemot vērā, ka abu tehnoloģiju iekapsulēšana ir bijusi vienota un vēl nesen šāda standartizācija nebija iespējama, jo iekapsulēšana bija atšķirīga. Šī iespēja ļauj izpētīt un attīstīt jaunus universālus ģeneratorus, kas izmanto silīcija IGBT komponentus un Silicon Carbide MOSFET, lai nodrošinātu standarta moduļu pamata invertorus visam ģeneratoru klāstam, tādējādi samazinot ražošanas izmaksas, pamatojoties uz mēroga ekonomiju._x000D_ _x000D_ Šā projekta vispārējais mērķis ir izpētīt un izstrādāt jaunus universālus paralēlo, vidējas un augstas frekvences ģeneratorus. Vidējas frekvences gadījumā optimālā tehnoloģija ir Si-IGBT tehnoloģija, savukārt augstfrekvences tehnoloģija tiks pārklāta ar SiC MOS tehnoloģiju, jo pašlaik, pēc divu gadu attīstības šāda veida komponentiem, tie jau sniedz funkcijas, kas jāintegrē rūpniecības sistēmās, kā paskaidrots iepriekš. (Latvian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Pateicoties nesenai SiC MOSFET (SiC MOSFET) ieviešanai IGBT ekvivalentiem identiskā iekapsulācijā, tagad ir iespējams apvienot indukcijas sildīšanas pārveidotājus gan zemai, gan augstai frekvencei, ņemot vērā, ka abu tehnoloģiju iekapsulēšana ir bijusi vienota un vēl nesen šāda standartizācija nebija iespējama, jo iekapsulēšana bija atšķirīga. Šī iespēja ļauj izpētīt un attīstīt jaunus universālus ģeneratorus, kas izmanto silīcija IGBT komponentus un Silicon Carbide MOSFET, lai nodrošinātu standarta moduļu pamata invertorus visam ģeneratoru klāstam, tādējādi samazinot ražošanas izmaksas, pamatojoties uz mēroga ekonomiju._x000D_ _x000D_ Šā projekta vispārējais mērķis ir izpētīt un izstrādāt jaunus universālus paralēlo, vidējas un augstas frekvences ģeneratorus. Vidējas frekvences gadījumā optimālā tehnoloģija ir Si-IGBT tehnoloģija, savukārt augstfrekvences tehnoloģija tiks pārklāta ar SiC MOS tehnoloģiju, jo pašlaik, pēc divu gadu attīstības šāda veida komponentiem, tie jau sniedz funkcijas, kas jāintegrē rūpniecības sistēmās, kā paskaidrots iepriekš. (Latvian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A bhuíochas le tabhairt isteach margaidh SiC MOSFET (SiC MOSFET) le déanaí in imchochlú atá comhionann le coibhéisí IGBT, is féidir tiontairí téimh ionduchtúcháin a aontú anois le haghaidh minicíocht íseal agus ardmhinicíochta, ós rud é go bhfuil cuimsiú an dá theicneolaíochtaí aontaithe, agus go dtí le déanaí bhí sé dodhéanta caighdeánú den sórt sin a dhéanamh mar gheall ar an difríocht i gclúdaigh. Ceadaíonn an deis seo an taighde agus forbairt gineadóirí cineál uilíoch nua ag baint úsáide as comhpháirteanna IGBT sileacain agus Silicon Carbide MOSFET chun críche a bhfuil inverters bunúsacha modúlach caighdeánach do raon iomlán na gineadóirí le laghdú dá bharr ar chostais táirgthe atá bunaithe ar bharainneacht de scale._x000D_ _x000D_ Is é cuspóir ginearálta an tionscadail seo chun gineadóirí uilíocha nua de chineál comhthreomhar, meán agus minicíocht ard a fhorbairt. I gcás meánmhinicíochta, is é an teicneolaíocht is fearr is féidir Si-IGBT, agus clúdófar an teicneolaíocht ardmhinicíochta le teicneolaíocht MOS SiC, ós rud é faoi láthair, tar éis dhá bhliain d’fhorbairt an chineáil seo comhpháirteanna, go bhfuil na feidhmiúlachtaí atá le comhtháthú i gcórais thionsclaíocha ann cheana féin mar a mhínítear thuas. (Irish) | |||||||||||||||
| Property / summary: A bhuíochas le tabhairt isteach margaidh SiC MOSFET (SiC MOSFET) le déanaí in imchochlú atá comhionann le coibhéisí IGBT, is féidir tiontairí téimh ionduchtúcháin a aontú anois le haghaidh minicíocht íseal agus ardmhinicíochta, ós rud é go bhfuil cuimsiú an dá theicneolaíochtaí aontaithe, agus go dtí le déanaí bhí sé dodhéanta caighdeánú den sórt sin a dhéanamh mar gheall ar an difríocht i gclúdaigh. Ceadaíonn an deis seo an taighde agus forbairt gineadóirí cineál uilíoch nua ag baint úsáide as comhpháirteanna IGBT sileacain agus Silicon Carbide MOSFET chun críche a bhfuil inverters bunúsacha modúlach caighdeánach do raon iomlán na gineadóirí le laghdú dá bharr ar chostais táirgthe atá bunaithe ar bharainneacht de scale._x000D_ _x000D_ Is é cuspóir ginearálta an tionscadail seo chun gineadóirí uilíocha nua de chineál comhthreomhar, meán agus minicíocht ard a fhorbairt. I gcás meánmhinicíochta, is é an teicneolaíocht is fearr is féidir Si-IGBT, agus clúdófar an teicneolaíocht ardmhinicíochta le teicneolaíocht MOS SiC, ós rud é faoi láthair, tar éis dhá bhliain d’fhorbairt an chineáil seo comhpháirteanna, go bhfuil na feidhmiúlachtaí atá le comhtháthú i gcórais thionsclaíocha ann cheana féin mar a mhínítear thuas. (Irish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A bhuíochas le tabhairt isteach margaidh SiC MOSFET (SiC MOSFET) le déanaí in imchochlú atá comhionann le coibhéisí IGBT, is féidir tiontairí téimh ionduchtúcháin a aontú anois le haghaidh minicíocht íseal agus ardmhinicíochta, ós rud é go bhfuil cuimsiú an dá theicneolaíochtaí aontaithe, agus go dtí le déanaí bhí sé dodhéanta caighdeánú den sórt sin a dhéanamh mar gheall ar an difríocht i gclúdaigh. Ceadaíonn an deis seo an taighde agus forbairt gineadóirí cineál uilíoch nua ag baint úsáide as comhpháirteanna IGBT sileacain agus Silicon Carbide MOSFET chun críche a bhfuil inverters bunúsacha modúlach caighdeánach do raon iomlán na gineadóirí le laghdú dá bharr ar chostais táirgthe atá bunaithe ar bharainneacht de scale._x000D_ _x000D_ Is é cuspóir ginearálta an tionscadail seo chun gineadóirí uilíocha nua de chineál comhthreomhar, meán agus minicíocht ard a fhorbairt. I gcás meánmhinicíochta, is é an teicneolaíocht is fearr is féidir Si-IGBT, agus clúdófar an teicneolaíocht ardmhinicíochta le teicneolaíocht MOS SiC, ós rud é faoi láthair, tar éis dhá bhliain d’fhorbairt an chineáil seo comhpháirteanna, go bhfuil na feidhmiúlachtaí atá le comhtháthú i gcórais thionsclaíocha ann cheana féin mar a mhínítear thuas. (Irish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Zaradi nedavne tržne uvedbe SIC MOSFET (SiC MOSFET) v inkapsulacijo, ki je enaka ekvivalentom IGBT, je zdaj mogoče poenotiti indukcijske pretvornike ogrevanja za nizko in visoko frekvenco, saj je bila inkapsulacija obeh tehnologij poenotena in do nedavnega taka standardizacija ni bila mogoča zaradi razlik v inkapsulacijah. Ta priložnost omogoča raziskave in razvoj novih univerzalnih generatorjev, ki uporabljajo komponente silicija IGBT in Silicon Carbide MOSFET za standardne modularne osnovne pretvornike za celotno paleto generatorjev s posledičnim zmanjšanjem proizvodnih stroškov, ki temeljijo na ekonomiji obsega._x000D_ _x000D_ Splošni cilj tega projekta je raziskati in razviti nove univerzalne generatorje vzporednega, srednjega in visokofrekvenčnega tipa. V primeru srednje frekvence je optimalna tehnologija Si-IGBT, medtem ko bo visokofrekvenčna tehnologija pokrita s tehnologijo MOS SiC, saj ti po dveh letih razvoja te vrste komponent že predstavljajo funkcije, ki jih je treba vključiti v industrijske sisteme, kot je pojasnjeno zgoraj. (Slovenian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Zaradi nedavne tržne uvedbe SIC MOSFET (SiC MOSFET) v inkapsulacijo, ki je enaka ekvivalentom IGBT, je zdaj mogoče poenotiti indukcijske pretvornike ogrevanja za nizko in visoko frekvenco, saj je bila inkapsulacija obeh tehnologij poenotena in do nedavnega taka standardizacija ni bila mogoča zaradi razlik v inkapsulacijah. Ta priložnost omogoča raziskave in razvoj novih univerzalnih generatorjev, ki uporabljajo komponente silicija IGBT in Silicon Carbide MOSFET za standardne modularne osnovne pretvornike za celotno paleto generatorjev s posledičnim zmanjšanjem proizvodnih stroškov, ki temeljijo na ekonomiji obsega._x000D_ _x000D_ Splošni cilj tega projekta je raziskati in razviti nove univerzalne generatorje vzporednega, srednjega in visokofrekvenčnega tipa. V primeru srednje frekvence je optimalna tehnologija Si-IGBT, medtem ko bo visokofrekvenčna tehnologija pokrita s tehnologijo MOS SiC, saj ti po dveh letih razvoja te vrste komponent že predstavljajo funkcije, ki jih je treba vključiti v industrijske sisteme, kot je pojasnjeno zgoraj. (Slovenian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Zaradi nedavne tržne uvedbe SIC MOSFET (SiC MOSFET) v inkapsulacijo, ki je enaka ekvivalentom IGBT, je zdaj mogoče poenotiti indukcijske pretvornike ogrevanja za nizko in visoko frekvenco, saj je bila inkapsulacija obeh tehnologij poenotena in do nedavnega taka standardizacija ni bila mogoča zaradi razlik v inkapsulacijah. Ta priložnost omogoča raziskave in razvoj novih univerzalnih generatorjev, ki uporabljajo komponente silicija IGBT in Silicon Carbide MOSFET za standardne modularne osnovne pretvornike za celotno paleto generatorjev s posledičnim zmanjšanjem proizvodnih stroškov, ki temeljijo na ekonomiji obsega._x000D_ _x000D_ Splošni cilj tega projekta je raziskati in razviti nove univerzalne generatorje vzporednega, srednjega in visokofrekvenčnega tipa. V primeru srednje frekvence je optimalna tehnologija Si-IGBT, medtem ko bo visokofrekvenčna tehnologija pokrita s tehnologijo MOS SiC, saj ti po dveh letih razvoja te vrste komponent že predstavljajo funkcije, ki jih je treba vključiti v industrijske sisteme, kot je pojasnjeno zgoraj. (Slovenian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Благодарение на неотдавнашното въвеждане на пазара на SiC MOSFET (SiC MOSFET) в капсулиране, идентично с IGBT еквивалентите, сега е възможно да се обединят индукционните отоплителни преобразуватели както за ниска, така и за висока честота, като се има предвид, че капсулирането на двете технологии е уеднаквено и доскоро такава стандартизация беше невъзможна поради разликата в капсулирането. Тази възможност дава възможност за научноизследователска и развойна дейност на нови универсални генератори, използващи силициеви IGBT компоненти и силициев карбид MOSFET за целите на наличието на стандартни модулни основни инвертори за цялата гама от генератори с последващо намаляване на производствените разходи въз основа на икономии от мащаба._x000D_ _x000D_ Общата цел на този проект е да се проучат и разработят нови универсални генератори от паралелен, среден и високочестотен тип. В случай на средна честота оптималната технология е тази на Si-IGBT, докато високочестотната технология ще бъде покрита с MOS технологията на SiC, тъй като понастоящем, след две години на разработване на този тип компоненти, те вече представят функционалните възможности, които трябва да бъдат интегрирани в промишлените системи, както е обяснено по-горе. (Bulgarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Благодарение на неотдавнашното въвеждане на пазара на SiC MOSFET (SiC MOSFET) в капсулиране, идентично с IGBT еквивалентите, сега е възможно да се обединят индукционните отоплителни преобразуватели както за ниска, така и за висока честота, като се има предвид, че капсулирането на двете технологии е уеднаквено и доскоро такава стандартизация беше невъзможна поради разликата в капсулирането. Тази възможност дава възможност за научноизследователска и развойна дейност на нови универсални генератори, използващи силициеви IGBT компоненти и силициев карбид MOSFET за целите на наличието на стандартни модулни основни инвертори за цялата гама от генератори с последващо намаляване на производствените разходи въз основа на икономии от мащаба._x000D_ _x000D_ Общата цел на този проект е да се проучат и разработят нови универсални генератори от паралелен, среден и високочестотен тип. В случай на средна честота оптималната технология е тази на Si-IGBT, докато високочестотната технология ще бъде покрита с MOS технологията на SiC, тъй като понастоящем, след две години на разработване на този тип компоненти, те вече представят функционалните възможности, които трябва да бъдат интегрирани в промишлените системи, както е обяснено по-горе. (Bulgarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Благодарение на неотдавнашното въвеждане на пазара на SiC MOSFET (SiC MOSFET) в капсулиране, идентично с IGBT еквивалентите, сега е възможно да се обединят индукционните отоплителни преобразуватели както за ниска, така и за висока честота, като се има предвид, че капсулирането на двете технологии е уеднаквено и доскоро такава стандартизация беше невъзможна поради разликата в капсулирането. Тази възможност дава възможност за научноизследователска и развойна дейност на нови универсални генератори, използващи силициеви IGBT компоненти и силициев карбид MOSFET за целите на наличието на стандартни модулни основни инвертори за цялата гама от генератори с последващо намаляване на производствените разходи въз основа на икономии от мащаба._x000D_ _x000D_ Общата цел на този проект е да се проучат и разработят нови универсални генератори от паралелен, среден и високочестотен тип. В случай на средна честота оптималната технология е тази на Si-IGBT, докато високочестотната технология ще бъде покрита с MOS технологията на SiC, тъй като понастоящем, след две години на разработване на този тип компоненти, те вече представят функционалните възможности, които трябва да бъдат интегрирани в промишлените системи, както е обяснено по-горе. (Bulgarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Bis-saħħa tal-introduzzjoni riċenti fis-suq tas-SiC MOSFET (SiC MOSFET) f’inkapsulament identiku għall-ekwivalenti IGBT, issa huwa possibbli li l-konvertituri tat-tisħin bl-induzzjoni jiġu unifikati kemm għal frekwenza baxxa kif ukoll għal frekwenza għolja, peress li l-inkapsulament taż-żewġ teknoloġiji ġie unifikat, u sa dan l-aħħar din l-istandardizzazzjoni kienet impossibbli minħabba d-differenza fl-inkapsulamenti. Din l-opportunità tippermetti r-riċerka u l-iżvilupp ta’ ġeneraturi tat-tip universali ġodda li jużaw komponenti IGBT tas-silikon u Silicon Carbide MOSFET għall-iskop li jkun hemm invertituri bażiċi modulari standard għall-firxa sħiħa ta’ ġeneraturi bi tnaqqis konsegwenti tal-ispejjeż tal-produzzjoni bbażati fuq ekonomija ta’ skala._x000D_ _x000D_ L-għan ġenerali ta’ dan il-proġett huwa li ssir riċerka u jiġu żviluppati ġeneraturi universali ġodda ta’ tip parallel, medju u ta’ frekwenza għolja. Fil-każ ta’ frekwenza medja, l-aqwa teknoloġija hija dik ta’ Si-IGBT, filwaqt li t-teknoloġija ta’ frekwenza għolja se tkun koperta bit-teknoloġija MOS ta’ SiC, peress li fil-preżent, wara sentejn ta’ żvilupp ta’ dan it-tip ta’ komponenti, dawn diġà jippreżentaw il-funzjonalitajiet li għandhom jiġu integrati fis-sistemi industrijali kif spjegat hawn fuq. (Maltese) | |||||||||||||||
| Property / summary: Bis-saħħa tal-introduzzjoni riċenti fis-suq tas-SiC MOSFET (SiC MOSFET) f’inkapsulament identiku għall-ekwivalenti IGBT, issa huwa possibbli li l-konvertituri tat-tisħin bl-induzzjoni jiġu unifikati kemm għal frekwenza baxxa kif ukoll għal frekwenza għolja, peress li l-inkapsulament taż-żewġ teknoloġiji ġie unifikat, u sa dan l-aħħar din l-istandardizzazzjoni kienet impossibbli minħabba d-differenza fl-inkapsulamenti. Din l-opportunità tippermetti r-riċerka u l-iżvilupp ta’ ġeneraturi tat-tip universali ġodda li jużaw komponenti IGBT tas-silikon u Silicon Carbide MOSFET għall-iskop li jkun hemm invertituri bażiċi modulari standard għall-firxa sħiħa ta’ ġeneraturi bi tnaqqis konsegwenti tal-ispejjeż tal-produzzjoni bbażati fuq ekonomija ta’ skala._x000D_ _x000D_ L-għan ġenerali ta’ dan il-proġett huwa li ssir riċerka u jiġu żviluppati ġeneraturi universali ġodda ta’ tip parallel, medju u ta’ frekwenza għolja. Fil-każ ta’ frekwenza medja, l-aqwa teknoloġija hija dik ta’ Si-IGBT, filwaqt li t-teknoloġija ta’ frekwenza għolja se tkun koperta bit-teknoloġija MOS ta’ SiC, peress li fil-preżent, wara sentejn ta’ żvilupp ta’ dan it-tip ta’ komponenti, dawn diġà jippreżentaw il-funzjonalitajiet li għandhom jiġu integrati fis-sistemi industrijali kif spjegat hawn fuq. (Maltese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Bis-saħħa tal-introduzzjoni riċenti fis-suq tas-SiC MOSFET (SiC MOSFET) f’inkapsulament identiku għall-ekwivalenti IGBT, issa huwa possibbli li l-konvertituri tat-tisħin bl-induzzjoni jiġu unifikati kemm għal frekwenza baxxa kif ukoll għal frekwenza għolja, peress li l-inkapsulament taż-żewġ teknoloġiji ġie unifikat, u sa dan l-aħħar din l-istandardizzazzjoni kienet impossibbli minħabba d-differenza fl-inkapsulamenti. Din l-opportunità tippermetti r-riċerka u l-iżvilupp ta’ ġeneraturi tat-tip universali ġodda li jużaw komponenti IGBT tas-silikon u Silicon Carbide MOSFET għall-iskop li jkun hemm invertituri bażiċi modulari standard għall-firxa sħiħa ta’ ġeneraturi bi tnaqqis konsegwenti tal-ispejjeż tal-produzzjoni bbażati fuq ekonomija ta’ skala._x000D_ _x000D_ L-għan ġenerali ta’ dan il-proġett huwa li ssir riċerka u jiġu żviluppati ġeneraturi universali ġodda ta’ tip parallel, medju u ta’ frekwenza għolja. Fil-każ ta’ frekwenza medja, l-aqwa teknoloġija hija dik ta’ Si-IGBT, filwaqt li t-teknoloġija ta’ frekwenza għolja se tkun koperta bit-teknoloġija MOS ta’ SiC, peress li fil-preżent, wara sentejn ta’ żvilupp ta’ dan it-tip ta’ komponenti, dawn diġà jippreżentaw il-funzjonalitajiet li għandhom jiġu integrati fis-sistemi industrijali kif spjegat hawn fuq. (Maltese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Graças à recente introdução no mercado do SiC MOSFET (SiC MOSFET) num encapsulamento idêntico aos equivalentes IGBT, é agora possível unificar conversores de aquecimento por indução para baixa e alta frequência, uma vez que o encapsulamento de ambas as tecnologias foi unificado e, até recentemente, tal normalização era impossível devido à diferença nos encapsulamentos. Esta oportunidade permite a investigação e desenvolvimento de novos geradores de tipo universal utilizando componentes IGBT de silício e carboneto de silício MOSFET com o objectivo de dispor de inversores básicos modulares padrão para toda a gama de geradores com consequente redução dos custos de produção com base numa economia de escala._x000D_ _x000D_ O objectivo geral deste projecto é investigar e desenvolver novos geradores universais de tipo paralelo, médio e de alta frequência. No caso da média frequência, a tecnologia ótima é a do Si-IGBT, ao passo que a tecnologia de alta frequência será abrangida pela tecnologia MOS do SiC, uma vez que, atualmente, após dois anos de desenvolvimento deste tipo de componentes, estes já apresentam as funcionalidades a integrar nos sistemas industriais, tal como explicado acima. (Portuguese) | |||||||||||||||
| Property / summary: Graças à recente introdução no mercado do SiC MOSFET (SiC MOSFET) num encapsulamento idêntico aos equivalentes IGBT, é agora possível unificar conversores de aquecimento por indução para baixa e alta frequência, uma vez que o encapsulamento de ambas as tecnologias foi unificado e, até recentemente, tal normalização era impossível devido à diferença nos encapsulamentos. Esta oportunidade permite a investigação e desenvolvimento de novos geradores de tipo universal utilizando componentes IGBT de silício e carboneto de silício MOSFET com o objectivo de dispor de inversores básicos modulares padrão para toda a gama de geradores com consequente redução dos custos de produção com base numa economia de escala._x000D_ _x000D_ O objectivo geral deste projecto é investigar e desenvolver novos geradores universais de tipo paralelo, médio e de alta frequência. No caso da média frequência, a tecnologia ótima é a do Si-IGBT, ao passo que a tecnologia de alta frequência será abrangida pela tecnologia MOS do SiC, uma vez que, atualmente, após dois anos de desenvolvimento deste tipo de componentes, estes já apresentam as funcionalidades a integrar nos sistemas industriais, tal como explicado acima. (Portuguese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Graças à recente introdução no mercado do SiC MOSFET (SiC MOSFET) num encapsulamento idêntico aos equivalentes IGBT, é agora possível unificar conversores de aquecimento por indução para baixa e alta frequência, uma vez que o encapsulamento de ambas as tecnologias foi unificado e, até recentemente, tal normalização era impossível devido à diferença nos encapsulamentos. Esta oportunidade permite a investigação e desenvolvimento de novos geradores de tipo universal utilizando componentes IGBT de silício e carboneto de silício MOSFET com o objectivo de dispor de inversores básicos modulares padrão para toda a gama de geradores com consequente redução dos custos de produção com base numa economia de escala._x000D_ _x000D_ O objectivo geral deste projecto é investigar e desenvolver novos geradores universais de tipo paralelo, médio e de alta frequência. No caso da média frequência, a tecnologia ótima é a do Si-IGBT, ao passo que a tecnologia de alta frequência será abrangida pela tecnologia MOS do SiC, uma vez que, atualmente, após dois anos de desenvolvimento deste tipo de componentes, estes já apresentam as funcionalidades a integrar nos sistemas industriais, tal como explicado acima. (Portuguese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Takket være den nylige markedsintroduktion af SiC MOSFET (SiC MOSFET) i en indkapsling, der er identisk med IGBT-ækvivalenterne, er det nu muligt at forene induktionsvarmekonvertere for både lav og høj frekvens, da indkapslingen af begge teknologier er blevet forenet, og indtil for nylig var en sådan standardisering umulig på grund af forskellen i indkapslinger. Denne mulighed giver mulighed for forskning og udvikling af nye universal type generatorer ved hjælp af silicium IGBT komponenter og Silicon Carbide MOSFET med det formål at have standard modulopbyggede grundlæggende invertere til hele spektret af generatorer med deraf følgende reduktion af produktionsomkostninger baseret på en stordriftsfordele._x000D_ _x000D_ Det generelle mål med dette projekt er at forske og udvikle nye universelle generatorer af parallel, medium og høj frekvens type. I tilfælde af medium frekvens er den optimale teknologi Si-IGBT-teknologien, mens højfrekvensteknologien vil blive dækket af SiC's MOS-teknologi, da disse på nuværende tidspunkt efter to års udvikling af denne type komponenter allerede præsenterer de funktioner, der skal integreres i industrielle systemer som forklaret ovenfor. (Danish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Takket være den nylige markedsintroduktion af SiC MOSFET (SiC MOSFET) i en indkapsling, der er identisk med IGBT-ækvivalenterne, er det nu muligt at forene induktionsvarmekonvertere for både lav og høj frekvens, da indkapslingen af begge teknologier er blevet forenet, og indtil for nylig var en sådan standardisering umulig på grund af forskellen i indkapslinger. Denne mulighed giver mulighed for forskning og udvikling af nye universal type generatorer ved hjælp af silicium IGBT komponenter og Silicon Carbide MOSFET med det formål at have standard modulopbyggede grundlæggende invertere til hele spektret af generatorer med deraf følgende reduktion af produktionsomkostninger baseret på en stordriftsfordele._x000D_ _x000D_ Det generelle mål med dette projekt er at forske og udvikle nye universelle generatorer af parallel, medium og høj frekvens type. I tilfælde af medium frekvens er den optimale teknologi Si-IGBT-teknologien, mens højfrekvensteknologien vil blive dækket af SiC's MOS-teknologi, da disse på nuværende tidspunkt efter to års udvikling af denne type komponenter allerede præsenterer de funktioner, der skal integreres i industrielle systemer som forklaret ovenfor. (Danish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Takket være den nylige markedsintroduktion af SiC MOSFET (SiC MOSFET) i en indkapsling, der er identisk med IGBT-ækvivalenterne, er det nu muligt at forene induktionsvarmekonvertere for både lav og høj frekvens, da indkapslingen af begge teknologier er blevet forenet, og indtil for nylig var en sådan standardisering umulig på grund af forskellen i indkapslinger. Denne mulighed giver mulighed for forskning og udvikling af nye universal type generatorer ved hjælp af silicium IGBT komponenter og Silicon Carbide MOSFET med det formål at have standard modulopbyggede grundlæggende invertere til hele spektret af generatorer med deraf følgende reduktion af produktionsomkostninger baseret på en stordriftsfordele._x000D_ _x000D_ Det generelle mål med dette projekt er at forske og udvikle nye universelle generatorer af parallel, medium og høj frekvens type. I tilfælde af medium frekvens er den optimale teknologi Si-IGBT-teknologien, mens højfrekvensteknologien vil blive dækket af SiC's MOS-teknologi, da disse på nuværende tidspunkt efter to års udvikling af denne type komponenter allerede præsenterer de funktioner, der skal integreres i industrielle systemer som forklaret ovenfor. (Danish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Datorită introducerii recente pe piață a SiC MOSFET (SiC MOSFET) într-o încapsulare identică cu echivalentele IGBT, acum este posibil să se unifice convertoarele de încălzire cu inducție atât pentru frecvență joasă, cât și pentru înaltă frecvență, având în vedere că încapsularea ambelor tehnologii a fost unificată și, până de curând, o astfel de standardizare a fost imposibilă din cauza diferenței de încapsulare. Această oportunitate permite cercetarea și dezvoltarea de noi generatoare de tip universal folosind componente de siliciu IGBT și Silicon Carbide MOSFET în scopul de a avea invertoare de bază modulare standard pentru întreaga gamă de generatoare, cu reducerea în consecință a costurilor de producție pe baza unei economii de scară._x000D_ _x000D_ Obiectivul general al acestui proiect este de a cerceta și de a dezvolta noi generatoare universale de tip paralel, mediu și înalt. În cazul frecvenței medii, tehnologia optimă este cea a Si-IGBT, în timp ce tehnologia de înaltă frecvență va fi acoperită cu tehnologia MOS SiC, deoarece în prezent, după doi ani de dezvoltare a acestui tip de componente, acestea prezintă deja funcționalitățile care urmează să fie integrate în sistemele industriale, așa cum s-a explicat mai sus. (Romanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Datorită introducerii recente pe piață a SiC MOSFET (SiC MOSFET) într-o încapsulare identică cu echivalentele IGBT, acum este posibil să se unifice convertoarele de încălzire cu inducție atât pentru frecvență joasă, cât și pentru înaltă frecvență, având în vedere că încapsularea ambelor tehnologii a fost unificată și, până de curând, o astfel de standardizare a fost imposibilă din cauza diferenței de încapsulare. Această oportunitate permite cercetarea și dezvoltarea de noi generatoare de tip universal folosind componente de siliciu IGBT și Silicon Carbide MOSFET în scopul de a avea invertoare de bază modulare standard pentru întreaga gamă de generatoare, cu reducerea în consecință a costurilor de producție pe baza unei economii de scară._x000D_ _x000D_ Obiectivul general al acestui proiect este de a cerceta și de a dezvolta noi generatoare universale de tip paralel, mediu și înalt. În cazul frecvenței medii, tehnologia optimă este cea a Si-IGBT, în timp ce tehnologia de înaltă frecvență va fi acoperită cu tehnologia MOS SiC, deoarece în prezent, după doi ani de dezvoltare a acestui tip de componente, acestea prezintă deja funcționalitățile care urmează să fie integrate în sistemele industriale, așa cum s-a explicat mai sus. (Romanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Datorită introducerii recente pe piață a SiC MOSFET (SiC MOSFET) într-o încapsulare identică cu echivalentele IGBT, acum este posibil să se unifice convertoarele de încălzire cu inducție atât pentru frecvență joasă, cât și pentru înaltă frecvență, având în vedere că încapsularea ambelor tehnologii a fost unificată și, până de curând, o astfel de standardizare a fost imposibilă din cauza diferenței de încapsulare. Această oportunitate permite cercetarea și dezvoltarea de noi generatoare de tip universal folosind componente de siliciu IGBT și Silicon Carbide MOSFET în scopul de a avea invertoare de bază modulare standard pentru întreaga gamă de generatoare, cu reducerea în consecință a costurilor de producție pe baza unei economii de scară._x000D_ _x000D_ Obiectivul general al acestui proiect este de a cerceta și de a dezvolta noi generatoare universale de tip paralel, mediu și înalt. În cazul frecvenței medii, tehnologia optimă este cea a Si-IGBT, în timp ce tehnologia de înaltă frecvență va fi acoperită cu tehnologia MOS SiC, deoarece în prezent, după doi ani de dezvoltare a acestui tip de componente, acestea prezintă deja funcționalitățile care urmează să fie integrate în sistemele industriale, așa cum s-a explicat mai sus. (Romanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Tack vare den senaste tidens marknadsintroduktion av SiC MOSFET (SiC MOSFET) i en inkapsling som är identisk med IGBT-ekvivalenterna är det nu möjligt att förena induktionsvärmeomvandlare för både låg och hög frekvens, med tanke på att inkapslingen av båda teknikerna har varit enhetlig, och fram till nyligen var en sådan standardisering omöjlig på grund av skillnaden i inkapslingar. Denna möjlighet möjliggör forskning och utveckling av nya universella generatorer med kisel IGBT-komponenter och Silicon Carbide MOSFET i syfte att ha standardmodulära basomriktare för hela utbudet av generatorer med åtföljande minskning av produktionskostnaderna baserat på en skalekonomi._x000D_ _x000D_ Det allmänna målet med detta projekt är att forska och utveckla nya universella generatorer av parallella, medelhöga och högfrekventa typer. När det gäller medelhöga frekvenser är den optimala tekniken Si-IGBT, medan högfrekvenstekniken kommer att täckas med SiC:s MOS-teknik, eftersom dessa för närvarande, efter två års utveckling av denna typ av komponenter, redan har de funktioner som ska integreras i industrisystem såsom förklaras ovan. (Swedish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Tack vare den senaste tidens marknadsintroduktion av SiC MOSFET (SiC MOSFET) i en inkapsling som är identisk med IGBT-ekvivalenterna är det nu möjligt att förena induktionsvärmeomvandlare för både låg och hög frekvens, med tanke på att inkapslingen av båda teknikerna har varit enhetlig, och fram till nyligen var en sådan standardisering omöjlig på grund av skillnaden i inkapslingar. Denna möjlighet möjliggör forskning och utveckling av nya universella generatorer med kisel IGBT-komponenter och Silicon Carbide MOSFET i syfte att ha standardmodulära basomriktare för hela utbudet av generatorer med åtföljande minskning av produktionskostnaderna baserat på en skalekonomi._x000D_ _x000D_ Det allmänna målet med detta projekt är att forska och utveckla nya universella generatorer av parallella, medelhöga och högfrekventa typer. När det gäller medelhöga frekvenser är den optimala tekniken Si-IGBT, medan högfrekvenstekniken kommer att täckas med SiC:s MOS-teknik, eftersom dessa för närvarande, efter två års utveckling av denna typ av komponenter, redan har de funktioner som ska integreras i industrisystem såsom förklaras ovan. (Swedish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Tack vare den senaste tidens marknadsintroduktion av SiC MOSFET (SiC MOSFET) i en inkapsling som är identisk med IGBT-ekvivalenterna är det nu möjligt att förena induktionsvärmeomvandlare för både låg och hög frekvens, med tanke på att inkapslingen av båda teknikerna har varit enhetlig, och fram till nyligen var en sådan standardisering omöjlig på grund av skillnaden i inkapslingar. Denna möjlighet möjliggör forskning och utveckling av nya universella generatorer med kisel IGBT-komponenter och Silicon Carbide MOSFET i syfte att ha standardmodulära basomriktare för hela utbudet av generatorer med åtföljande minskning av produktionskostnaderna baserat på en skalekonomi._x000D_ _x000D_ Det allmänna målet med detta projekt är att forska och utveckla nya universella generatorer av parallella, medelhöga och högfrekventa typer. När det gäller medelhöga frekvenser är den optimala tekniken Si-IGBT, medan högfrekvenstekniken kommer att täckas med SiC:s MOS-teknik, eftersom dessa för närvarande, efter två års utveckling av denna typ av komponenter, redan har de funktioner som ska integreras i industrisystem såsom förklaras ovan. (Swedish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 4 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||||||
San Antonio de Benagéber | |||||||||||||||
| Property / location (string): San Antonio de Benagéber / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / postal code | |||||||||||||||
46184 | |||||||||||||||
| Property / postal code: 46184 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Province of Valencia / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Province of Valencia / qualifier | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: San Antonio de Benagéber / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: San Antonio de Benagéber / qualifier | |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
39°34'3.47"N, 0°30'31.72"W
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 39°34'3.47"N, 0°30'31.72"W / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 39°34'3.47"N, 0°30'31.72"W / qualifier | |||||||||||||||
| Property / budget | |||||||||||||||
1,473,536.0 Euro
| |||||||||||||||
| Property / budget: 1,473,536.0 Euro / rank | |||||||||||||||
Preferred rank | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | |||||||||||||||
802,340.3 Euro
| |||||||||||||||
| Property / EU contribution: 802,340.3 Euro / rank | |||||||||||||||
Preferred rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
54.45 percent
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 54.45 percent / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / date of last update | |||||||||||||||
20 December 2023
| |||||||||||||||
| Property / date of last update: 20 December 2023 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
Latest revision as of 09:31, 11 October 2024
Project Q3163507 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | RESEARCH OF MODULAR MEDIUM AND HIGH FREQUENCY INVERTERS INCORPORATING NEW SEMICONDUCTOR DEVICES (SIC MOSFET) FOR THE DEVELOPMENT OF NEW RANGE OF STANDARD PARALLEL TYPE GENERATORS FOR APPLICATION IN INDUCTION HEATING INDUSTR |
Project Q3163507 in Spain |
Statements
802,340.3 Euro
0 references
1,473,536.0 Euro
0 references
54.45 percent
0 references
1 January 2016
0 references
31 December 2017
0 references
GH ELECTROTERMIA, S.A.
0 references
46184
0 references
Gracias a la introducción recientemente en el mercado de los MOSFET de Carburo de Si (SiC MOSFET) en un encapsulado idéntico a los equivalentes IGBTs, es posible en la actualidad unificar los convertidores para calentamiento por inducción tanto para baja como para alta frecuencia, dado que el encapsulado de ambas tecnologías ha sido unificado, y que hasta fechas recientes era imposible dicha estandarización debido a la diferencia de encapsulados. Dicha oportunidad permite la investigación y desarrollo de nuevos generadores de tipo universal mediante componentes IGBT de Silicio y MOSFET de Carburo de Silicio a los efectos de disponer de inversores básicos modulares estándar para toda la gama de generadores con la consiguiente reducción de costes de producción basada en una economía de escala._x000D_ _x000D_ El objetivo general del presente proyecto es la investigación y desarrollo de nuevos generadores universales de tipo paralelo, de media y de alta frecuencia, a través de una plataforma HW estándar capaz de integrar las diferentes configuraciones de potencia y la correspondiente plataforma universal FW/SW para el control de este tipo de generadores._x000D_ _x000D_ Como se ha indicado, la plataforma HW universal a desarrollar deberá cubrir tanto el rango de media frecuencia, como el rango de alta frecuencia. Para el caso de media frecuencia la tecnología óptima es la de Si-IGBT mientras que la de alta frecuencia será cubierta con la tecnología MOS de SiC, dado que en la actualidad, tras dos años de desarrollo de este tipo de componentes, éstos ya presentan las funcionalidades para poder ser integrados en sistemas industriales como ha sido explicado anteriormente. (Spanish)
0 references
Thanks to the recent market introduction of SiC MOSFET (SiC MOSFET) in an encapsulation identical to the IGBT equivalents, it is now possible to unify induction heating converters for both low and high frequency, given that the encapsulation of both technologies has been unified, and until recently such standardisation was impossible due to the difference in encapsulations. This opportunity allows the research and development of new universal type generators using silicon IGBT components and Silicon Carbide MOSFET for the purpose of having standard modular basic inverters for the entire range of generators with consequent reduction of production costs based on an economy of scale._x000D_ _x000D_ The general objective of this project is to research and develop new universal generators of parallel, medium and high frequency type. In the case of medium frequency, the optimal technology is that of Si-IGBT, while the high frequency technology will be covered with SiC’s MOS technology, since at present, after two years of development of this type of components, these already present the functionalities to be integrated into industrial systems as explained above. (English)
12 October 2021
0.2954623000445885
0 references
Grâce à l’introduction récente sur le marché de SiC MOSFET (SiC MOSFET) dans une encapsulation identique aux équivalents IGBT, il est désormais possible d’unifier les convertisseurs de chauffage à induction pour basse et haute fréquence, étant donné que l’encapsulation des deux technologies a été unifiée, et jusqu’à récemment cette normalisation était impossible en raison de la différence dans les encapsulations. Cette opportunité permet la recherche et le développement de nouveaux générateurs de type universel utilisant des composants IGBT de silicium et MOSFET de carbure de silicium dans le but d’avoir des onduleurs de base modulaires standard pour toute la gamme de générateurs, ce qui entraîne une réduction des coûts de production basée sur une économie d’échelle._x000D_ _x000D_ L’objectif général de ce projet est de rechercher et de développer de nouveaux générateurs universels de type parallèle, moyenne et haute fréquence. Dans le cas de la fréquence moyenne, la technologie optimale est celle de Si-IGBT, tandis que la technologie haute fréquence sera couverte par la technologie MOS de SiC, car actuellement, après deux ans de développement de ce type de composants, celles-ci présentent déjà les fonctionnalités à intégrer dans les systèmes industriels comme expliqué ci-dessus. (French)
4 December 2021
0 references
Dank der jüngsten Markteinführung von SiC MOSFET (SiC MOSFET) in einer mit den IGBT-Äquivalenten identischen Verkapselung ist es nun möglich, Induktionswärmekonverter sowohl für niedrige als auch für Hochfrequenzen zu vereinheitlichen, da die Verkapselung beider Technologien vereinheitlicht wurde und bis vor kurzem eine solche Standardisierung aufgrund der unterschiedlichen Verkapselungen unmöglich war. Diese Möglichkeit ermöglicht die Erforschung und Entwicklung neuer Universalgeneratoren mit Silizium-IGBT-Komponenten und Silicon Carbide MOSFET zum Zweck der Verwendung von standardisierten modularen Basis-Wechselrichtern für die gesamte Bandbreite von Generatoren mit konsequenter Reduzierung der Produktionskosten basierend auf einer Skalaökonomie._x000D_ _x000D_ Das allgemeine Ziel dieses Projekts ist es, neue universelle Generatoren von Parallel-, Mittel- und Hochfrequenztyp zu erforschen und zu entwickeln. Bei mittlerer Frequenz ist die optimale Technologie die von Si-IGBT, während die Hochfrequenztechnologie mit der MOS-Technologie von SiC abgedeckt wird, da diese derzeit nach zweijähriger Entwicklung dieser Art von Bauteilen bereits die Funktionalitäten darstellen, die wie oben erläutert in industrielle Systeme integriert werden sollen. (German)
9 December 2021
0 references
Dankzij de recente marktintroductie van SiC MOSFET (SiC MOSFET) in een inkapseling die identiek is aan de IGBT-equivalenten, is het nu mogelijk om inductieverwarmingsomzetters voor zowel lage als hoge frequentie te verenigen, aangezien de inkapseling van beide technologieën is verenigd en tot voor kort een dergelijke standaardisatie onmogelijk was vanwege het verschil in inkapseling. Deze mogelijkheid biedt het onderzoek en de ontwikkeling van nieuwe universele type generatoren met behulp van silicium IGBT componenten en Silicon Carbide MOSFET met als doel het hebben van standaard modulaire basisomvormers voor het gehele gamma van generatoren met als gevolg verlaging van de productiekosten op basis van een schaalvoordelen._x000D_ _x000D_ Het algemene doel van dit project is het onderzoeken en ontwikkelen van nieuwe universele generatoren van parallel, medium en hoogfrequente type. In het geval van middelgrote frequenties is de optimale technologie die van Si-IGBT, terwijl de hoogfrequente technologie zal worden gedekt met de MOS-technologie van SiC, aangezien deze momenteel, na twee jaar ontwikkeling van dit type componenten, reeds de functionaliteiten bevatten die in industriële systemen moeten worden geïntegreerd, zoals hierboven uiteengezet. (Dutch)
17 December 2021
0 references
Grazie alla recente introduzione sul mercato di SiC MOSFET (SiC MOSFET) in un'incapsulazione identica agli equivalenti IGBT, è ora possibile unificare i convertitori di riscaldamento ad induzione sia per bassa che per alta frequenza, dato che l'incapsulamento di entrambe le tecnologie è stato unificato, e fino a poco tempo fa tale standardizzazione era impossibile a causa della differenza nelle incapsulazioni. Questa opportunità consente la ricerca e lo sviluppo di nuovi generatori di tipo universale utilizzando componenti in silicio IGBT e MOSFET in carburo di silicio allo scopo di disporre di inverter base modulari standard per l'intera gamma di generatori con conseguente riduzione dei costi di produzione basati su un'economia di scala._x000D_ _x000D_ L'obiettivo generale di questo progetto è quello di ricercare e sviluppare nuovi generatori universali di tipo parallelo, medio e ad alta frequenza. Nel caso della media frequenza, la tecnologia ottimale è quella di Si-IGBT, mentre la tecnologia ad alta frequenza sarà coperta dalla tecnologia MOS di SiC, poiché attualmente, dopo due anni di sviluppo di questo tipo di componenti, questi presentano già le funzionalità da integrare nei sistemi industriali come spiegato sopra. (Italian)
16 January 2022
0 references
Tänu ränidioksiidi MOSFET (SiC MOSFET) hiljutisele turuletoomisele IGBT-ekvivalentidega identses kapseldamises on nüüd võimalik ühendada induktsioonkütte muundurid nii madala kui ka kõrgsageduse jaoks, arvestades, et mõlema tehnoloogia kapseldamine on ühtlustatud ja kuni viimase ajani ei olnud selline standardimine kapseldamise erinevuse tõttu võimalik. See võimalus võimaldab uurida ja arendada uusi universaalseid generaatoreid kasutades räni IGBT komponente ja Silicon Carbide MOSFET eesmärgiga omada standard modulaarsed põhilised inverterid kogu generaatorite valikule, mis omakorda vähendab tootmiskulusid, mis põhinevad mastaabisäästul._x000D_ _x000D_ Selle projekti üldeesmärk on uurida ja arendada uusi paralleelseid, keskmise ja kõrgsagedusega universaalseid generaatoreid. Keskmise sageduse puhul on optimaalseks tehnoloogiaks Si-IGBT, samas kui kõrgsagedustehnoloogia kaetakse ränidioksiidi MOS-tehnoloogiaga, kuna praegu, pärast seda, kui neid komponente on kaks aastat arendatud, on neil juba olemas tööstussüsteemidesse integreeritavad funktsioonid, nagu on selgitatud eespool. (Estonian)
4 August 2022
0 references
Dėl neseniai rinkoje įdiegto SiC MOSFET (SiC MOSFET) inkapsuliacijos, identiškos IGBT ekvivalentams, dabar galima suvienodinti indukcinius šildymo keitiklius tiek žemo, tiek aukšto dažnio, atsižvelgiant į tai, kad abiejų technologijų sandarinimas buvo suvienodintas, ir iki šiol toks standartizavimas buvo neįmanomas dėl skirtingų inkapsuliacijų. Ši galimybė leidžia naujų universalių generatorių, naudojančių silicio IGBT komponentus ir Silicon Carbide MOSFET, mokslinius tyrimus ir plėtrą siekiant turėti standartinius modulinius bazinius keitiklius visam generatorių diapazonui ir atitinkamai sumažinti gamybos sąnaudas remiantis masto ekonomija. _x000D_ _x000D_ Bendras šio projekto tikslas yra tirti ir kurti naujus universalius lygiagrečių, vidutinio ir aukšto dažnio generatorius. Vidutinio dažnio atveju optimali technologija yra Si-IGBT technologija, o aukšto dažnio technologija bus taikoma SiC MOS technologija, nes šiuo metu, praėjus dvejiems metams nuo tokio tipo komponentų kūrimo, jie jau yra funkcijos, kurios turi būti integruotos į pramonines sistemas, kaip paaiškinta pirmiau. (Lithuanian)
4 August 2022
0 references
Zahvaljujući nedavnom uvođenju na tržište SiC MOSFET (SiC MOSFET) u enkapsulaciji identičnoj IGBT ekvivalentima, sada je moguće ujediniti indukcijske pretvarače grijanja za nisku i visoku frekvenciju, s obzirom na to da je zatvaranje obje tehnologije ujedinjeno, a donedavno je takva standardizacija bila nemoguća zbog razlike u encapsulations. Ova prilika omogućuje istraživanje i razvoj novih univerzalnih generatora tipa koji koriste silicij IGBT komponente i Silicon Carbide MOSFET u svrhu posjedovanja standardnih modularnih osnovnih pretvarača za cijeli niz generatora s posljedičnim smanjenjem troškova proizvodnje na temelju ekonomije razmjera._x000D_ _x000D_ Opći cilj ovog projekta je istraživanje i razvoj novih univerzalnih generatora paralelnog, srednjeg i visokofrekventnog tipa. U slučaju srednje frekvencije optimalna je tehnologija Si-IGBT-a, dok će visokofrekventna tehnologija biti pokrivena SiC-ovom MOS tehnologijom, jer u ovom trenutku, nakon dvije godine razvoja ove vrste komponenti, one već predstavljaju funkcionalnosti koje treba integrirati u industrijske sustave kako je prethodno objašnjeno. (Croatian)
4 August 2022
0 references
Χάρη στην πρόσφατη εισαγωγή στην αγορά του SiC MOSFET (SiC MOSFET) σε ενθυλάκωση πανομοιότυπη με τα ισοδύναμα IGBT, είναι πλέον δυνατή η ενοποίηση των μετατροπέων επαγωγικής θέρμανσης τόσο για χαμηλή όσο και για υψηλή συχνότητα, δεδομένου ότι η ενθυλάκωση και των δύο τεχνολογιών έχει ενοποιηθεί και μέχρι πρόσφατα η τυποποίηση αυτή ήταν αδύνατη λόγω της διαφοράς στις εγκιβωτίσεις. Αυτή η ευκαιρία επιτρέπει την έρευνα και την ανάπτυξη νέων γεννητριών καθολικού τύπου χρησιμοποιώντας εξαρτήματα IGBT πυριτίου και Silicon Carbide MOSFET με σκοπό την ύπαρξη τυποποιημένων αρθρωτών βασικών αναστροφέων για όλο το φάσμα των γεννητριών με επακόλουθη μείωση του κόστους παραγωγής με βάση μια οικονομία κλίμακας._x000D_ _x000D_ Ο γενικός στόχος αυτού του έργου είναι η έρευνα και η ανάπτυξη νέων καθολικών γεννητριών παράλληλου, μεσαίου και υψηλού τύπου συχνότητας. Στην περίπτωση της μεσαίας συχνότητας, η βέλτιστη τεχνολογία είναι αυτή του Si-IGBT, ενώ η τεχνολογία υψηλής συχνότητας θα καλυφθεί με την τεχνολογία MOS του SiC, δεδομένου ότι, επί του παρόντος, μετά από δύο χρόνια ανάπτυξης αυτού του τύπου εξαρτημάτων, αυτά παρουσιάζουν ήδη τις λειτουργικές δυνατότητες που πρέπει να ενσωματωθούν στα βιομηχανικά συστήματα, όπως εξηγείται παραπάνω. (Greek)
4 August 2022
0 references
Vďaka nedávnemu uvedeniu SiC MOSFET (SiC MOSFET) na trh v zapuzdrení identických s ekvivalentmi IGBT je teraz možné zjednotiť indukčné vykurovacie meniče pre nízku aj vysokú frekvenciu vzhľadom na to, že zapuzdrenie oboch technológií bolo zjednotené a donedávna takáto štandardizácia nebola možná z dôvodu rozdielu v zapuzdrení. Táto príležitosť umožňuje výskum a vývoj nových univerzálnych generátorov využívajúcich kremíkové IGBT komponenty a karbid kremíka MOSFET za účelom použitia štandardných modulárnych základných meničov pre celú škálu generátorov s následným znížením výrobných nákladov na základe úspor z rozsahu._x000D_ _x000D_ Všeobecným cieľom tohto projektu je výskum a vývoj nových univerzálnych generátorov paralelného, stredného a vysokofrekvenčného typu. V prípade strednej frekvencie je optimálnou technológiou Si-IGBT, zatiaľ čo vysokofrekvenčná technológia bude pokrytá technológiou MOS SiC, pretože v súčasnosti, po dvoch rokoch vývoja tohto typu komponentov, tieto už predstavujú funkcie, ktoré sa majú integrovať do priemyselných systémov, ako je vysvetlené vyššie. (Slovak)
4 August 2022
0 references
Koska SiC MOSFET (SiC MOSFET) on hiljattain otettu markkinoille IGBT-ekvivalenttien kanssa identtiseen kapselointiin, on nyt mahdollista yhdistää induktiolämmitysmuuntimet sekä alhaisen että korkean taajuuden osalta, koska molempien teknologioiden kapselointi on ollut yhtenäistä ja viime aikoihin asti tällainen standardointi oli mahdotonta kapselointierojen vuoksi. Tämä mahdollisuus mahdollistaa uusien universaalien generaattoreiden tutkimuksen ja kehittämisen käyttäen pii-IGBT-komponentteja ja piikarbidi MOSFETia, jotta vakiomodulaariset perusinvertterit koko generaattoreille laskisivat tuotantokustannuksia mittakaavaetujen perusteella._x000D_ _x000D_ Tämän hankkeen yleisenä tavoitteena on tutkia ja kehittää uusia rinnakkais-, keski- ja suurtaajuusgeneraattoreita. Keskitaajuuden osalta optimaalinen teknologia on Si-IGBT:n tekniikka, kun taas suurtaajuusteknologia katetaan SiC:n MOS-tekniikalla, koska tällä hetkellä kahden vuoden kuluttua tämäntyyppisten komponenttien kehittämisestä nämä komponentit sisältävät jo toiminnot, jotka on integroitava teollisuusjärjestelmiin, kuten edellä on selostettu. (Finnish)
4 August 2022
0 references
Dzięki niedawnemu wprowadzeniu na rynek SiC MOSFET (SiC MOSFET) w obudowach identycznych z odpowiednikami IGBT, obecnie możliwe jest ujednolicenie indukcyjnych przetwornic grzewczych zarówno dla niskiej, jak i wysokiej częstotliwości, biorąc pod uwagę zjednoczenie obu technologii, a do niedawna taka standaryzacja była niemożliwa ze względu na różnicę w enkapsulacji. Możliwość ta pozwala na badania i rozwój nowych generatorów typu uniwersalnego wykorzystujących komponenty krzemu IGBT i MOSFET z węglika krzemu w celu posiadania standardowych modułowych przetwornic podstawowych dla całej gamy generatorów, co wiąże się z redukcją kosztów produkcji w oparciu o ekonomię skali._x000D_ _x000D_ Ogólnym celem tego projektu jest badanie i opracowanie nowych uniwersalnych generatorów równoległych, średnich i wysokich częstotliwości. W przypadku średniej częstotliwości optymalną technologią jest technologia Si-IGBT, podczas gdy technologia wysokiej częstotliwości będzie objęta technologią MOS SiC, ponieważ obecnie, po dwóch latach rozwoju tego typu komponentów, prezentują one już funkcje, które mają być zintegrowane z systemami przemysłowymi, jak wyjaśniono powyżej. (Polish)
4 August 2022
0 references
A SiC MOSFET-nek (SiC MOSFET) az IGBT-egyenértékekkel azonos kapszulákban történő közelmúltbeli piaci bevezetésének köszönhetően ma már mind az alacsony, mind a nagyfrekvenciájú indukciós fűtőátalakítók egységesítése lehetséges, mivel mindkét technológia kapszulázása egységes volt, és az ilyen szabványosítás egészen a közelmúltig a kapszulák közötti különbség miatt lehetetlen volt. Ez a lehetőség lehetővé teszi az új univerzális típusú generátorok kutatását és fejlesztését a szilícium IGBT komponenseket és a szilícium-karbid MOSFET-et felhasználva azzal a céllal, hogy szabványos moduláris alapvető inverterek álljanak rendelkezésre a generátorok teljes skálájára, aminek következtében csökkennek a termelési költségek a méretgazdaságosság alapján._x000D_ _x000D_ A projekt általános célja a párhuzamos, közepes és nagyfrekvenciás típusú új univerzális generátorok kutatása és fejlesztése. A közepes frekvencia esetében az optimális technológia a Si-IGBT technológiája, míg a nagyfrekvenciás technológiát a SiC MOS technológiája fogja lefedni, mivel jelenleg az ilyen típusú alkatrészek két évig tartó fejlesztése után ezek már bemutatják a fent kifejtettek szerint az ipari rendszerekbe integrálandó funkciókat. (Hungarian)
4 August 2022
0 references
Díky nedávnému uvedení SiC MOSFET (SiC MOSFET) na trh v zapouzdření totožném s ekvivalenty IGBT je nyní možné sjednotit indukční topné měniče pro nízké i vysoké frekvence, vzhledem k tomu, že zapouzdření obou technologií bylo sjednoceno a až donedávna byla tato normalizace kvůli rozdílu v zapouzdření nemožná. Tato příležitost umožňuje výzkum a vývoj nových univerzálních typových generátorů využívajících křemíkové IGBT komponenty a Silicon Carbide MOSFET za účelem zavedení standardních modulárních základních invertorů pro celou řadu generátorů s následným snížením výrobních nákladů na základě úspor z rozsahu._x000D_ _x000D_ Hlavním cílem tohoto projektu je výzkum a vývoj nových univerzálních generátorů paralelního, středního a vysokofrekvenčního typu. V případě střední frekvence je optimální technologie technologie Si-IGBT, zatímco vysokofrekvenční technologie bude pokryta technologií MOS SiC, protože v současné době po dvou letech vývoje tohoto typu komponent již tyto technologie představují funkce, které mají být integrovány do průmyslových systémů, jak je vysvětleno výše. (Czech)
4 August 2022
0 references
Pateicoties nesenai SiC MOSFET (SiC MOSFET) ieviešanai IGBT ekvivalentiem identiskā iekapsulācijā, tagad ir iespējams apvienot indukcijas sildīšanas pārveidotājus gan zemai, gan augstai frekvencei, ņemot vērā, ka abu tehnoloģiju iekapsulēšana ir bijusi vienota un vēl nesen šāda standartizācija nebija iespējama, jo iekapsulēšana bija atšķirīga. Šī iespēja ļauj izpētīt un attīstīt jaunus universālus ģeneratorus, kas izmanto silīcija IGBT komponentus un Silicon Carbide MOSFET, lai nodrošinātu standarta moduļu pamata invertorus visam ģeneratoru klāstam, tādējādi samazinot ražošanas izmaksas, pamatojoties uz mēroga ekonomiju._x000D_ _x000D_ Šā projekta vispārējais mērķis ir izpētīt un izstrādāt jaunus universālus paralēlo, vidējas un augstas frekvences ģeneratorus. Vidējas frekvences gadījumā optimālā tehnoloģija ir Si-IGBT tehnoloģija, savukārt augstfrekvences tehnoloģija tiks pārklāta ar SiC MOS tehnoloģiju, jo pašlaik, pēc divu gadu attīstības šāda veida komponentiem, tie jau sniedz funkcijas, kas jāintegrē rūpniecības sistēmās, kā paskaidrots iepriekš. (Latvian)
4 August 2022
0 references
A bhuíochas le tabhairt isteach margaidh SiC MOSFET (SiC MOSFET) le déanaí in imchochlú atá comhionann le coibhéisí IGBT, is féidir tiontairí téimh ionduchtúcháin a aontú anois le haghaidh minicíocht íseal agus ardmhinicíochta, ós rud é go bhfuil cuimsiú an dá theicneolaíochtaí aontaithe, agus go dtí le déanaí bhí sé dodhéanta caighdeánú den sórt sin a dhéanamh mar gheall ar an difríocht i gclúdaigh. Ceadaíonn an deis seo an taighde agus forbairt gineadóirí cineál uilíoch nua ag baint úsáide as comhpháirteanna IGBT sileacain agus Silicon Carbide MOSFET chun críche a bhfuil inverters bunúsacha modúlach caighdeánach do raon iomlán na gineadóirí le laghdú dá bharr ar chostais táirgthe atá bunaithe ar bharainneacht de scale._x000D_ _x000D_ Is é cuspóir ginearálta an tionscadail seo chun gineadóirí uilíocha nua de chineál comhthreomhar, meán agus minicíocht ard a fhorbairt. I gcás meánmhinicíochta, is é an teicneolaíocht is fearr is féidir Si-IGBT, agus clúdófar an teicneolaíocht ardmhinicíochta le teicneolaíocht MOS SiC, ós rud é faoi láthair, tar éis dhá bhliain d’fhorbairt an chineáil seo comhpháirteanna, go bhfuil na feidhmiúlachtaí atá le comhtháthú i gcórais thionsclaíocha ann cheana féin mar a mhínítear thuas. (Irish)
4 August 2022
0 references
Zaradi nedavne tržne uvedbe SIC MOSFET (SiC MOSFET) v inkapsulacijo, ki je enaka ekvivalentom IGBT, je zdaj mogoče poenotiti indukcijske pretvornike ogrevanja za nizko in visoko frekvenco, saj je bila inkapsulacija obeh tehnologij poenotena in do nedavnega taka standardizacija ni bila mogoča zaradi razlik v inkapsulacijah. Ta priložnost omogoča raziskave in razvoj novih univerzalnih generatorjev, ki uporabljajo komponente silicija IGBT in Silicon Carbide MOSFET za standardne modularne osnovne pretvornike za celotno paleto generatorjev s posledičnim zmanjšanjem proizvodnih stroškov, ki temeljijo na ekonomiji obsega._x000D_ _x000D_ Splošni cilj tega projekta je raziskati in razviti nove univerzalne generatorje vzporednega, srednjega in visokofrekvenčnega tipa. V primeru srednje frekvence je optimalna tehnologija Si-IGBT, medtem ko bo visokofrekvenčna tehnologija pokrita s tehnologijo MOS SiC, saj ti po dveh letih razvoja te vrste komponent že predstavljajo funkcije, ki jih je treba vključiti v industrijske sisteme, kot je pojasnjeno zgoraj. (Slovenian)
4 August 2022
0 references
Благодарение на неотдавнашното въвеждане на пазара на SiC MOSFET (SiC MOSFET) в капсулиране, идентично с IGBT еквивалентите, сега е възможно да се обединят индукционните отоплителни преобразуватели както за ниска, така и за висока честота, като се има предвид, че капсулирането на двете технологии е уеднаквено и доскоро такава стандартизация беше невъзможна поради разликата в капсулирането. Тази възможност дава възможност за научноизследователска и развойна дейност на нови универсални генератори, използващи силициеви IGBT компоненти и силициев карбид MOSFET за целите на наличието на стандартни модулни основни инвертори за цялата гама от генератори с последващо намаляване на производствените разходи въз основа на икономии от мащаба._x000D_ _x000D_ Общата цел на този проект е да се проучат и разработят нови универсални генератори от паралелен, среден и високочестотен тип. В случай на средна честота оптималната технология е тази на Si-IGBT, докато високочестотната технология ще бъде покрита с MOS технологията на SiC, тъй като понастоящем, след две години на разработване на този тип компоненти, те вече представят функционалните възможности, които трябва да бъдат интегрирани в промишлените системи, както е обяснено по-горе. (Bulgarian)
4 August 2022
0 references
Bis-saħħa tal-introduzzjoni riċenti fis-suq tas-SiC MOSFET (SiC MOSFET) f’inkapsulament identiku għall-ekwivalenti IGBT, issa huwa possibbli li l-konvertituri tat-tisħin bl-induzzjoni jiġu unifikati kemm għal frekwenza baxxa kif ukoll għal frekwenza għolja, peress li l-inkapsulament taż-żewġ teknoloġiji ġie unifikat, u sa dan l-aħħar din l-istandardizzazzjoni kienet impossibbli minħabba d-differenza fl-inkapsulamenti. Din l-opportunità tippermetti r-riċerka u l-iżvilupp ta’ ġeneraturi tat-tip universali ġodda li jużaw komponenti IGBT tas-silikon u Silicon Carbide MOSFET għall-iskop li jkun hemm invertituri bażiċi modulari standard għall-firxa sħiħa ta’ ġeneraturi bi tnaqqis konsegwenti tal-ispejjeż tal-produzzjoni bbażati fuq ekonomija ta’ skala._x000D_ _x000D_ L-għan ġenerali ta’ dan il-proġett huwa li ssir riċerka u jiġu żviluppati ġeneraturi universali ġodda ta’ tip parallel, medju u ta’ frekwenza għolja. Fil-każ ta’ frekwenza medja, l-aqwa teknoloġija hija dik ta’ Si-IGBT, filwaqt li t-teknoloġija ta’ frekwenza għolja se tkun koperta bit-teknoloġija MOS ta’ SiC, peress li fil-preżent, wara sentejn ta’ żvilupp ta’ dan it-tip ta’ komponenti, dawn diġà jippreżentaw il-funzjonalitajiet li għandhom jiġu integrati fis-sistemi industrijali kif spjegat hawn fuq. (Maltese)
4 August 2022
0 references
Graças à recente introdução no mercado do SiC MOSFET (SiC MOSFET) num encapsulamento idêntico aos equivalentes IGBT, é agora possível unificar conversores de aquecimento por indução para baixa e alta frequência, uma vez que o encapsulamento de ambas as tecnologias foi unificado e, até recentemente, tal normalização era impossível devido à diferença nos encapsulamentos. Esta oportunidade permite a investigação e desenvolvimento de novos geradores de tipo universal utilizando componentes IGBT de silício e carboneto de silício MOSFET com o objectivo de dispor de inversores básicos modulares padrão para toda a gama de geradores com consequente redução dos custos de produção com base numa economia de escala._x000D_ _x000D_ O objectivo geral deste projecto é investigar e desenvolver novos geradores universais de tipo paralelo, médio e de alta frequência. No caso da média frequência, a tecnologia ótima é a do Si-IGBT, ao passo que a tecnologia de alta frequência será abrangida pela tecnologia MOS do SiC, uma vez que, atualmente, após dois anos de desenvolvimento deste tipo de componentes, estes já apresentam as funcionalidades a integrar nos sistemas industriais, tal como explicado acima. (Portuguese)
4 August 2022
0 references
Takket være den nylige markedsintroduktion af SiC MOSFET (SiC MOSFET) i en indkapsling, der er identisk med IGBT-ækvivalenterne, er det nu muligt at forene induktionsvarmekonvertere for både lav og høj frekvens, da indkapslingen af begge teknologier er blevet forenet, og indtil for nylig var en sådan standardisering umulig på grund af forskellen i indkapslinger. Denne mulighed giver mulighed for forskning og udvikling af nye universal type generatorer ved hjælp af silicium IGBT komponenter og Silicon Carbide MOSFET med det formål at have standard modulopbyggede grundlæggende invertere til hele spektret af generatorer med deraf følgende reduktion af produktionsomkostninger baseret på en stordriftsfordele._x000D_ _x000D_ Det generelle mål med dette projekt er at forske og udvikle nye universelle generatorer af parallel, medium og høj frekvens type. I tilfælde af medium frekvens er den optimale teknologi Si-IGBT-teknologien, mens højfrekvensteknologien vil blive dækket af SiC's MOS-teknologi, da disse på nuværende tidspunkt efter to års udvikling af denne type komponenter allerede præsenterer de funktioner, der skal integreres i industrielle systemer som forklaret ovenfor. (Danish)
4 August 2022
0 references
Datorită introducerii recente pe piață a SiC MOSFET (SiC MOSFET) într-o încapsulare identică cu echivalentele IGBT, acum este posibil să se unifice convertoarele de încălzire cu inducție atât pentru frecvență joasă, cât și pentru înaltă frecvență, având în vedere că încapsularea ambelor tehnologii a fost unificată și, până de curând, o astfel de standardizare a fost imposibilă din cauza diferenței de încapsulare. Această oportunitate permite cercetarea și dezvoltarea de noi generatoare de tip universal folosind componente de siliciu IGBT și Silicon Carbide MOSFET în scopul de a avea invertoare de bază modulare standard pentru întreaga gamă de generatoare, cu reducerea în consecință a costurilor de producție pe baza unei economii de scară._x000D_ _x000D_ Obiectivul general al acestui proiect este de a cerceta și de a dezvolta noi generatoare universale de tip paralel, mediu și înalt. În cazul frecvenței medii, tehnologia optimă este cea a Si-IGBT, în timp ce tehnologia de înaltă frecvență va fi acoperită cu tehnologia MOS SiC, deoarece în prezent, după doi ani de dezvoltare a acestui tip de componente, acestea prezintă deja funcționalitățile care urmează să fie integrate în sistemele industriale, așa cum s-a explicat mai sus. (Romanian)
4 August 2022
0 references
Tack vare den senaste tidens marknadsintroduktion av SiC MOSFET (SiC MOSFET) i en inkapsling som är identisk med IGBT-ekvivalenterna är det nu möjligt att förena induktionsvärmeomvandlare för både låg och hög frekvens, med tanke på att inkapslingen av båda teknikerna har varit enhetlig, och fram till nyligen var en sådan standardisering omöjlig på grund av skillnaden i inkapslingar. Denna möjlighet möjliggör forskning och utveckling av nya universella generatorer med kisel IGBT-komponenter och Silicon Carbide MOSFET i syfte att ha standardmodulära basomriktare för hela utbudet av generatorer med åtföljande minskning av produktionskostnaderna baserat på en skalekonomi._x000D_ _x000D_ Det allmänna målet med detta projekt är att forska och utveckla nya universella generatorer av parallella, medelhöga och högfrekventa typer. När det gäller medelhöga frekvenser är den optimala tekniken Si-IGBT, medan högfrekvenstekniken kommer att täckas med SiC:s MOS-teknik, eftersom dessa för närvarande, efter två års utveckling av denna typ av komponenter, redan har de funktioner som ska integreras i industrisystem såsom förklaras ovan. (Swedish)
4 August 2022
0 references
San Antonio de Benagéber
0 references
20 December 2023
0 references
Identifiers
IDI-20160125
0 references