Power electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power (Q78761): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Changed an Item) |
(Changed an Item) |
||
| Property / contained in NUTS | |||
| Property / contained in NUTS: Warszawski zachodni / rank | |||
Normal rank | |||
Revision as of 18:47, 15 July 2020
Project in Poland financed by DG Regio
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Power electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power |
Project in Poland financed by DG Regio |
Statements
2,102,287.62 zloty
0 references
2,849,316.73 zloty
0 references
73.78 percent
0 references
1 June 2016
0 references
30 April 2018
0 references
MARKEL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ
0 references
52°4'28.9"N, 21°1'37.6"E
0 references
Rozwijająca się w szybkim tempie technologia półprzewodnikowych przyrządów mocy z węglika krzemu (SiC) dostarcza elementów o coraz to wyższych napięciach i prądach znamionowych. Obecnie możliwe jest budowanie układów energoelektronicznych na moce rzędu kilkudziesięciu-kilkuset kW przy użyciu dostępnych na rynku tranzystorów i diod mocy o napięciach przebicia 1200V i 1700V. Elementy te wchodzą w skład modułów mocy, których technologia jest analogiczna z tą stosowaną w przypadku krzemowych tranzystorów IGBT i cechuje się znaczącymi indukcyjnościami pasożytniczymi. Dlatego obecnie nie jest możliwe pełne wykorzystanie doskonałych właściwości dynamicznych elementów SiC, konieczne jest pojawienie się na rynku niskoimpedancyjnych modułów mocy przeznaczonych dla elementów SiC. Ponadto niezbędne jest także opracowanie odpowiednich sterowników bramkowych, obwodów mocy, także o niskiej indukcyjności a także właściwych systemów chłodzenia. Dlatego celem projektu jest opracowanie i wdrożenie do produkcji uniwersalnego energoelektronicznego bloku funkcjonalnego/ funkcjonalnego bloku mocy (FBM), który jest podzespołem standardowych układów energoelektronicznych (falownik mostkowy, falownik trójfazowy, falownik wielopoziomowy) na bazie niskoimpedancyjnych modułów mocy. W ten sposób opracowany blok funkcjonalny będzie mógł być użyty to prostego rozwinięcia w pełny układ energoelektroniczny w zależności od potrzeb klienta w danej aplikacji. Art. 25 rozporządzenia KE nr 651/2014 z dnia 17 czerwca 2014 r. uznające niektóre rodzaje pomocy za zgodne z rynkiem wewnętrznym w stosowaniu art. 107 i 108 Traktatu (Dz. Urz. UE L 187/1 z 26.06.2014) (Polish)
0 references
A rapidly developing semiconductor process of silicon carbide (SiC) technology provides elements with an increasing pressure of voltage and rating.At present it is possible to build power electronic systems in the order of several hundred kW in the order of several hundred kW with the use of 1200V and 1700V breakthrough power diodes on the market.These elements are part of the power modules whose technology is similar to that of IGBT and has significant parasitic effects.Therefore, it is not possible at present to fully exploit the excellent characteristics of the dynamic SiC elements, it is necessary to enter the low impedance market (s) for SiC elements in the market.In addition, appropriate gateways, power circuits, also low inductance and appropriate cooling systems are also needed.Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of universal power electronic unit functional/functional unit power block (MBM), a subset of standard power electronics (brisket, three-phase wave, multi-level wave) based on low-power modules.In this way, the functional unit will be used as a simple development of a full power electronic system depending on the needs of the customer in the application.Article 25 of Commission Regulation (EC) No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain categories of aid compatible with the internal market in the application of Article 107 and 108 of the Treaty (OJ(OJ LEU L 187/1, 26.06.2014) (English)
0 references
Identifiers
POIR.01.01.01-00-1865/15
0 references