Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs (Q84238): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Created claim: summary (P836): In the Project, in the role of failure of Incorporation of InGaN quantum wells.‘green garn’.In our update research, in good for the first time agreements that the InGaN decomposition is subject to a strain-driven diffusion of points defects.It is the understand of this phenomenon, in are planning to do a number of Experics changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc.) in epitoxial growth, as well as to the...) |
(Changed label, description and/or aliases in pt) |
||||||||||||||
| (26 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||||||||||||||
| label / en | label / en | ||||||||||||||
Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs | |||||||||||||||
| label / fr | label / fr | ||||||||||||||
Influence des défauts ponctuels sur la décomposition quantique du puits InGaN dans la technologie des diodes laser bleu/vert et des LED | |||||||||||||||
| label / de | label / de | ||||||||||||||
Einfluss von Punktdefekten auf die InGaN-Quantenlochzersetzung in der Technologie von blau/grünen Laserdioden und LEDs | |||||||||||||||
| label / nl | label / nl | ||||||||||||||
Invloed van puntdefecten op InGaN kwantumputdecompositie in technologie van blauw/groene laserdioden en LED’s | |||||||||||||||
| label / it | label / it | ||||||||||||||
Influenza dei difetti di punto sulla decomposizione del pozzo quantistico InGaN nella tecnologia di diodi laser blu/verdi e LED | |||||||||||||||
| label / es | label / es | ||||||||||||||
Influencia de los defectos puntuales en la descomposición cuántica del pozo InGaN en la tecnología de diodos láser azul/verde y LEDs | |||||||||||||||
| label / et | label / et | ||||||||||||||
Punktdefektide mõju InGaN kvantkaevu lagunemisele sinise/rohelise laserdioodi ja LED-i tehnoloogias | |||||||||||||||
| label / lt | label / lt | ||||||||||||||
Taškų defektų įtaka InGaN kvantinio gręžinio skilimui mėlynų/žalių lazerinių diodų ir LED technologijose | |||||||||||||||
| label / hr | label / hr | ||||||||||||||
Utjecaj točkastih defekta na InGaN kvantno dobro raspadanje u tehnologiji plave/zelene laserske diode i LED diode | |||||||||||||||
| label / el | label / el | ||||||||||||||
Επίδραση των σημειακών ελαττωμάτων στην κβαντική αποσύνθεση φρεατίων InGaN στην τεχνολογία μπλε/πράσινων διόδων λέιζερ και LEDs | |||||||||||||||
| label / sk | label / sk | ||||||||||||||
Vplyv bodových defektov na InGaN kvantový rozklad v technológii modrých/zelených laserových diód a LED diód | |||||||||||||||
| label / fi | label / fi | ||||||||||||||
Pistevikojen vaikutus InGaN-kvanttikaivojen hajoamiseen sinisten/vihreiden laserdiodien ja LEDien tekniikassa | |||||||||||||||
| label / hu | label / hu | ||||||||||||||
A ponthibák hatása az InGaN kvantumkút bomlására a kék/zöld lézerdiódák és LED-ek technológiájában | |||||||||||||||
| label / cs | label / cs | ||||||||||||||
Vliv bodových defektů na InGaN kvantové vrty rozkladu v technologii modrých/zelených laserových diod a LED diod | |||||||||||||||
| label / lv | label / lv | ||||||||||||||
Punktu defektu ietekme uz InGaN kvantu labi sadalīšanos zilo/zaļo lāzera diožu un LED tehnoloģijās | |||||||||||||||
| label / ga | label / ga | ||||||||||||||
Tionchar lochtanna pointí ar dhianscaoileadh maith candamach InGaN i dteicneolaíocht dé-óidí agus soilse léasair ghorm/ghlasa | |||||||||||||||
| label / sl | label / sl | ||||||||||||||
Vpliv točkovnih napak na InGaN kvantno razgradnjo v tehnologiji modrih/zelenih laserskih diod in LED | |||||||||||||||
| label / bg | label / bg | ||||||||||||||
Влияние на точковите дефекти върху квантовото разлагане на InGaN в технологията на сини/зелени лазерни диоди и светодиоди | |||||||||||||||
| label / mt | label / mt | ||||||||||||||
Influwenza ta ‘difetti tal-punt fuq InGaN quantum ukoll dekompożizzjoni fit-teknoloġija ta’ dijodi tal-laser blu/aħdar u LEDs | |||||||||||||||
| label / pt | label / pt | ||||||||||||||
Influência de defeitos pontuais na decomposição do poço quântico InGaN na tecnologia de díodos laser azuis/verdes e LEDs | |||||||||||||||
| label / da | label / da | ||||||||||||||
Indflydelse af punktfejl på InGaN kvantebrønd nedbrydning i teknologi af blå/grønne laser dioder og lysdioder | |||||||||||||||
| label / ro | label / ro | ||||||||||||||
Influența defectelor punctuale asupra descompunerii sondelor cuantice InGaN în tehnologia diodelor laser albastre/verzi și a LED-urilor | |||||||||||||||
| label / sv | label / sv | ||||||||||||||
Påverkan av punktdefekter på InGaN kvant väl sönderdelning i teknik av blå/grön laserdioder och lysdioder | |||||||||||||||
| description / en | description / en | ||||||||||||||
Project in Poland | Project Q84238 in Poland | ||||||||||||||
| description / pl | description / pl | ||||||||||||||
Projekt w Polsce | Projekt Q84238 w Polsce | ||||||||||||||
| description / bg | description / bg | ||||||||||||||
Проект Q84238 в Полша | |||||||||||||||
| description / hr | description / hr | ||||||||||||||
Projekt Q84238 u Poljskoj | |||||||||||||||
| description / hu | description / hu | ||||||||||||||
Projekt Q84238 Lengyelországban | |||||||||||||||
| description / cs | description / cs | ||||||||||||||
Projekt Q84238 v Polsku | |||||||||||||||
| description / da | description / da | ||||||||||||||
Projekt Q84238 i Polen | |||||||||||||||
| description / nl | description / nl | ||||||||||||||
Project Q84238 in Polen | |||||||||||||||
| description / et | description / et | ||||||||||||||
Projekt Q84238 Poolas | |||||||||||||||
| description / fi | description / fi | ||||||||||||||
Projekti Q84238 Puolassa | |||||||||||||||
| description / fr | description / fr | ||||||||||||||
Projet Q84238 en Pologne | |||||||||||||||
| description / de | description / de | ||||||||||||||
Projekt Q84238 in Polen | |||||||||||||||
| description / el | description / el | ||||||||||||||
Έργο Q84238 στην Πολωνία | |||||||||||||||
| description / ga | description / ga | ||||||||||||||
Tionscadal Q84238 sa Pholainn | |||||||||||||||
| description / it | description / it | ||||||||||||||
Progetto Q84238 in Polonia | |||||||||||||||
| description / lv | description / lv | ||||||||||||||
Projekts Q84238 Polijā | |||||||||||||||
| description / lt | description / lt | ||||||||||||||
Projektas Q84238 Lenkijoje | |||||||||||||||
| description / mt | description / mt | ||||||||||||||
Proġett Q84238 fil-Polonja | |||||||||||||||
| description / pt | description / pt | ||||||||||||||
Projeto Q84238 na Polônia | |||||||||||||||
| description / ro | description / ro | ||||||||||||||
Proiectul Q84238 în Polonia | |||||||||||||||
| description / sk | description / sk | ||||||||||||||
Projekt Q84238 v Poľsku | |||||||||||||||
| description / sl | description / sl | ||||||||||||||
Projekt Q84238 na Poljskem | |||||||||||||||
| description / es | description / es | ||||||||||||||
Proyecto Q84238 en Polonia | |||||||||||||||
| description / sv | description / sv | ||||||||||||||
Projekt Q84238 i Polen | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | Property / EU contribution | ||||||||||||||
| 770,148.35 Euro
| ||||||||||||||
| Property / budget | Property / budget | ||||||||||||||
| 770,148.35 Euro
| ||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 100.0 percent / rank | |||||||||||||||
| Property / end time | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / end time: 31 August 2020 / rank | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
| Property / summary: In the Project, in the role of failure of Incorporation of InGaN quantum wells.‘green garn’.In our update research, in good for the first time agreements that the InGaN decomposition is subject to a strain-driven diffusion of points defects.It is the understand of this phenomenon, in are planning to do a number of Experics changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc.) in epitoxial growth, as well as to the orientation of point defect and input diffusion.The samples will be waived using a number of techniques in collaboration with other lagoons.As a result, should finalise the way of Avoiding the InGaN division in LEDS and LDS. (English) / rank | |||||||||||||||
| Property / financed by | |||||||||||||||
| Property / financed by: Directorate-General for Regional and Urban Policy / rank | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Gdańsk / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen Impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies (“green gap”). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (English) | |||||||||||||||
| Property / summary: In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen Impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies (“green gap”). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (English) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen Impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies (“green gap”). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (English) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 14 October 2020
| |||||||||||||||
| Property / summary: In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen Impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies (“green gap”). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (English) / qualifier | |||||||||||||||
readability score: 0.1131135157562804
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Dans le projet, nous expliquerons le rôle des défauts ponctuels (principalement les postes vacants en Ga et l’impureté d’hydrogène) dans la décomposition des puits quantiques InGaN. Cette décomposition se produit au cours de la croissance du GaN de type p au-dessus de ces puits dans les LED et les diodes laser émettant dans la gamme spectrale bleue/verte, et est l’une des principales raisons pour lesquelles les gains d’efficacité des émetteurs verts ont de faibles rendements («écart vert»). Dans nos recherches récentes, nous avons obtenu pour la première fois des indications que la décomposition InGaN est causée par la diffusion par contrainte de défauts de points. Pour comprendre ce phénomène, nous prévoyons de faire un certain nombre d’expériences changeant les paramètres de croissance (dopage, flux de réactifs, pression, température, etc.) dans la croissance épitaxiale, ainsi que de faire une modélisation théorique des défauts ponctuels et de la diffusion de l’indium. Les échantillons seront examinés à l’aide d’un certain nombre de techniques en collaboration avec d’autres laboratoires. En conséquence, nous devrions trouver le moyen d’éviter la décomposition InGaN dans les LED et les LDs. (French) | |||||||||||||||
| Property / summary: Dans le projet, nous expliquerons le rôle des défauts ponctuels (principalement les postes vacants en Ga et l’impureté d’hydrogène) dans la décomposition des puits quantiques InGaN. Cette décomposition se produit au cours de la croissance du GaN de type p au-dessus de ces puits dans les LED et les diodes laser émettant dans la gamme spectrale bleue/verte, et est l’une des principales raisons pour lesquelles les gains d’efficacité des émetteurs verts ont de faibles rendements («écart vert»). Dans nos recherches récentes, nous avons obtenu pour la première fois des indications que la décomposition InGaN est causée par la diffusion par contrainte de défauts de points. Pour comprendre ce phénomène, nous prévoyons de faire un certain nombre d’expériences changeant les paramètres de croissance (dopage, flux de réactifs, pression, température, etc.) dans la croissance épitaxiale, ainsi que de faire une modélisation théorique des défauts ponctuels et de la diffusion de l’indium. Les échantillons seront examinés à l’aide d’un certain nombre de techniques en collaboration avec d’autres laboratoires. En conséquence, nous devrions trouver le moyen d’éviter la décomposition InGaN dans les LED et les LDs. (French) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Dans le projet, nous expliquerons le rôle des défauts ponctuels (principalement les postes vacants en Ga et l’impureté d’hydrogène) dans la décomposition des puits quantiques InGaN. Cette décomposition se produit au cours de la croissance du GaN de type p au-dessus de ces puits dans les LED et les diodes laser émettant dans la gamme spectrale bleue/verte, et est l’une des principales raisons pour lesquelles les gains d’efficacité des émetteurs verts ont de faibles rendements («écart vert»). Dans nos recherches récentes, nous avons obtenu pour la première fois des indications que la décomposition InGaN est causée par la diffusion par contrainte de défauts de points. Pour comprendre ce phénomène, nous prévoyons de faire un certain nombre d’expériences changeant les paramètres de croissance (dopage, flux de réactifs, pression, température, etc.) dans la croissance épitaxiale, ainsi que de faire une modélisation théorique des défauts ponctuels et de la diffusion de l’indium. Les échantillons seront examinés à l’aide d’un certain nombre de techniques en collaboration avec d’autres laboratoires. En conséquence, nous devrions trouver le moyen d’éviter la décomposition InGaN dans les LED et les LDs. (French) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 30 November 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Im Projekt werden wir die Rolle von Punktdefekten (hauptsächlich Ga-Vakanzen und Wasserstoffunreinheit) bei der Zersetzung von InGaN-Quantenbohrungen erklären. Diese Zersetzung tritt während des Wachstums von p-Typ GaN über diesen Brunnen in LEDs und Laserdioden (LDs) auf, die im blauen/grünen Spektralbereich emittieren, und ist einer der Hauptgründe, warum die Wirkungsgrade von grünen Strahlern eine geringe Effizienz aufweisen („grüne Lücke“). In unserer aktuellen Forschung erhielten wir zum ersten Mal Hinweise darauf, dass die InGaN-Zersetzung durch die Diffusion von Punktdefekten verursacht wird. Um dieses Phänomen zu verstehen, planen wir eine Reihe von Experimenten, die Wachstumsparameter (Doping, Reaktantenströme, Druck, Temperatur usw.) im epitaxialen Wachstum ändern, sowie die theoretische Modellierung von Punktdefekten und Indiumdiffusion durchzuführen. Die Proben werden mit einer Reihe von Techniken in Zusammenarbeit mit anderen Laboren untersucht. Als Ergebnis sollten wir den Weg finden, die InGaN-Zersetzung in LEDs und LDs zu vermeiden. (German) | |||||||||||||||
| Property / summary: Im Projekt werden wir die Rolle von Punktdefekten (hauptsächlich Ga-Vakanzen und Wasserstoffunreinheit) bei der Zersetzung von InGaN-Quantenbohrungen erklären. Diese Zersetzung tritt während des Wachstums von p-Typ GaN über diesen Brunnen in LEDs und Laserdioden (LDs) auf, die im blauen/grünen Spektralbereich emittieren, und ist einer der Hauptgründe, warum die Wirkungsgrade von grünen Strahlern eine geringe Effizienz aufweisen („grüne Lücke“). In unserer aktuellen Forschung erhielten wir zum ersten Mal Hinweise darauf, dass die InGaN-Zersetzung durch die Diffusion von Punktdefekten verursacht wird. Um dieses Phänomen zu verstehen, planen wir eine Reihe von Experimenten, die Wachstumsparameter (Doping, Reaktantenströme, Druck, Temperatur usw.) im epitaxialen Wachstum ändern, sowie die theoretische Modellierung von Punktdefekten und Indiumdiffusion durchzuführen. Die Proben werden mit einer Reihe von Techniken in Zusammenarbeit mit anderen Laboren untersucht. Als Ergebnis sollten wir den Weg finden, die InGaN-Zersetzung in LEDs und LDs zu vermeiden. (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Im Projekt werden wir die Rolle von Punktdefekten (hauptsächlich Ga-Vakanzen und Wasserstoffunreinheit) bei der Zersetzung von InGaN-Quantenbohrungen erklären. Diese Zersetzung tritt während des Wachstums von p-Typ GaN über diesen Brunnen in LEDs und Laserdioden (LDs) auf, die im blauen/grünen Spektralbereich emittieren, und ist einer der Hauptgründe, warum die Wirkungsgrade von grünen Strahlern eine geringe Effizienz aufweisen („grüne Lücke“). In unserer aktuellen Forschung erhielten wir zum ersten Mal Hinweise darauf, dass die InGaN-Zersetzung durch die Diffusion von Punktdefekten verursacht wird. Um dieses Phänomen zu verstehen, planen wir eine Reihe von Experimenten, die Wachstumsparameter (Doping, Reaktantenströme, Druck, Temperatur usw.) im epitaxialen Wachstum ändern, sowie die theoretische Modellierung von Punktdefekten und Indiumdiffusion durchzuführen. Die Proben werden mit einer Reihe von Techniken in Zusammenarbeit mit anderen Laboren untersucht. Als Ergebnis sollten wir den Weg finden, die InGaN-Zersetzung in LEDs und LDs zu vermeiden. (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 7 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
In het project zullen we de rol van puntdefecten (voornamelijk Ga-vacatures en waterstofonzuiverheid) bij de ontbinding van InGaN kwantumputten uitleggen. Deze ontleding vindt plaats tijdens de groei van p-type GaN boven deze putten in LED’s en laserdioden (LD’s) die uitstoten in blauw/groen spectraal bereik, en is een van de belangrijkste redenen waarom de efficiëntie van groene emitters lage efficiëntieverbeteringen hebben („groene kloof”). In ons recente onderzoek kregen we voor het eerst aanwijzingen dat de InGaN-decompositie wordt veroorzaakt door stamgestuurde diffusie van puntdefecten. Om dit fenomeen te begrijpen, zijn we van plan om een aantal experimenten te doen die groeiparameters veranderen (doping, stromen van reactanten, druk, temperatuur, enz.) in epitaxiale groei, evenals theoretische modellering van puntdefect en indiumdiffusie. De monsters worden onderzocht met behulp van een aantal technieken in samenwerking met andere laboratoria. Als gevolg hiervan moeten we de manier vinden om de InGaN-decompositie in LED’s en LD’s te vermijden. (Dutch) | |||||||||||||||
| Property / summary: In het project zullen we de rol van puntdefecten (voornamelijk Ga-vacatures en waterstofonzuiverheid) bij de ontbinding van InGaN kwantumputten uitleggen. Deze ontleding vindt plaats tijdens de groei van p-type GaN boven deze putten in LED’s en laserdioden (LD’s) die uitstoten in blauw/groen spectraal bereik, en is een van de belangrijkste redenen waarom de efficiëntie van groene emitters lage efficiëntieverbeteringen hebben („groene kloof”). In ons recente onderzoek kregen we voor het eerst aanwijzingen dat de InGaN-decompositie wordt veroorzaakt door stamgestuurde diffusie van puntdefecten. Om dit fenomeen te begrijpen, zijn we van plan om een aantal experimenten te doen die groeiparameters veranderen (doping, stromen van reactanten, druk, temperatuur, enz.) in epitaxiale groei, evenals theoretische modellering van puntdefect en indiumdiffusie. De monsters worden onderzocht met behulp van een aantal technieken in samenwerking met andere laboratoria. Als gevolg hiervan moeten we de manier vinden om de InGaN-decompositie in LED’s en LD’s te vermijden. (Dutch) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: In het project zullen we de rol van puntdefecten (voornamelijk Ga-vacatures en waterstofonzuiverheid) bij de ontbinding van InGaN kwantumputten uitleggen. Deze ontleding vindt plaats tijdens de groei van p-type GaN boven deze putten in LED’s en laserdioden (LD’s) die uitstoten in blauw/groen spectraal bereik, en is een van de belangrijkste redenen waarom de efficiëntie van groene emitters lage efficiëntieverbeteringen hebben („groene kloof”). In ons recente onderzoek kregen we voor het eerst aanwijzingen dat de InGaN-decompositie wordt veroorzaakt door stamgestuurde diffusie van puntdefecten. Om dit fenomeen te begrijpen, zijn we van plan om een aantal experimenten te doen die groeiparameters veranderen (doping, stromen van reactanten, druk, temperatuur, enz.) in epitaxiale groei, evenals theoretische modellering van puntdefect en indiumdiffusie. De monsters worden onderzocht met behulp van een aantal technieken in samenwerking met andere laboratoria. Als gevolg hiervan moeten we de manier vinden om de InGaN-decompositie in LED’s en LD’s te vermijden. (Dutch) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Nel Progetto, spiegheremo il ruolo dei difetti di punto (principalmente posti vacanti di Ga e impurità all'idrogeno) nella decomposizione dei pozzi quantistici InGaN. Questa decomposizione si verifica durante la crescita del GaN di tipo p al di sopra di questi pozzi in LED e diodi laser (LD) che emettono nella gamma spettrale blu/verde, ed è uno dei motivi principali per cui l'efficienza degli emettitori verdi ha basse efficienze ("green gap"). Nella nostra recente ricerca, abbiamo ottenuto per la prima volta indicazioni che la decomposizione InGaN è causata dalla diffusione guidata da ceppo di difetti puntiformi. Per comprendere questo fenomeno, stiamo progettando di fare una serie di esperimenti modificando i parametri di crescita (doping, flussi di reagenti, pressione, temperatura, ecc.) nella crescita epitassiale, oltre a fare una modellazione teorica del difetto del punto e della diffusione dell'indio. I campioni saranno esaminati utilizzando una serie di tecniche in collaborazione con altri laboratori. Di conseguenza, dovremmo trovare il modo di evitare la decomposizione InGaN in LED e LD. (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Nel Progetto, spiegheremo il ruolo dei difetti di punto (principalmente posti vacanti di Ga e impurità all'idrogeno) nella decomposizione dei pozzi quantistici InGaN. Questa decomposizione si verifica durante la crescita del GaN di tipo p al di sopra di questi pozzi in LED e diodi laser (LD) che emettono nella gamma spettrale blu/verde, ed è uno dei motivi principali per cui l'efficienza degli emettitori verdi ha basse efficienze ("green gap"). Nella nostra recente ricerca, abbiamo ottenuto per la prima volta indicazioni che la decomposizione InGaN è causata dalla diffusione guidata da ceppo di difetti puntiformi. Per comprendere questo fenomeno, stiamo progettando di fare una serie di esperimenti modificando i parametri di crescita (doping, flussi di reagenti, pressione, temperatura, ecc.) nella crescita epitassiale, oltre a fare una modellazione teorica del difetto del punto e della diffusione dell'indio. I campioni saranno esaminati utilizzando una serie di tecniche in collaborazione con altri laboratori. Di conseguenza, dovremmo trovare il modo di evitare la decomposizione InGaN in LED e LD. (Italian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Nel Progetto, spiegheremo il ruolo dei difetti di punto (principalmente posti vacanti di Ga e impurità all'idrogeno) nella decomposizione dei pozzi quantistici InGaN. Questa decomposizione si verifica durante la crescita del GaN di tipo p al di sopra di questi pozzi in LED e diodi laser (LD) che emettono nella gamma spettrale blu/verde, ed è uno dei motivi principali per cui l'efficienza degli emettitori verdi ha basse efficienze ("green gap"). Nella nostra recente ricerca, abbiamo ottenuto per la prima volta indicazioni che la decomposizione InGaN è causata dalla diffusione guidata da ceppo di difetti puntiformi. Per comprendere questo fenomeno, stiamo progettando di fare una serie di esperimenti modificando i parametri di crescita (doping, flussi di reagenti, pressione, temperatura, ecc.) nella crescita epitassiale, oltre a fare una modellazione teorica del difetto del punto e della diffusione dell'indio. I campioni saranno esaminati utilizzando una serie di tecniche in collaborazione con altri laboratori. Di conseguenza, dovremmo trovare il modo di evitare la decomposizione InGaN in LED e LD. (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
En el Proyecto, explicaremos el papel de los defectos puntuales (principalmente vacantes Ga e impureza de hidrógeno) en la descomposición de los pozos cuánticos InGaN. Esta descomposición ocurre durante el crecimiento de GaN tipo p por encima de estos pozos en LEDs y diodos láser (LD) que emiten en rango espectral azul/verde, y es una de las principales razones por las que las eficiencias de los emisores verdes tienen eficiencias bajas («brecha verde»). En nuestra investigación reciente, obtuvimos por primera vez indicios de que la descomposición de InGaN es causada por la difusión de defectos de punto impulsados por la tensión. Para entender este fenómeno, estamos planeando realizar una serie de experimentos que cambien los parámetros de crecimiento (dopaje, flujos de reactivos, presión, temperatura, etc.) en el crecimiento epitaxial, así como realizar modelos teóricos de defectos puntuales y difusión indio. Las muestras se examinarán utilizando una serie de técnicas en colaboración con otros laboratorios. Como resultado, debemos encontrar la manera de evitar la descomposición de InGaN en LEDs y LDs. (Spanish) | |||||||||||||||
| Property / summary: En el Proyecto, explicaremos el papel de los defectos puntuales (principalmente vacantes Ga e impureza de hidrógeno) en la descomposición de los pozos cuánticos InGaN. Esta descomposición ocurre durante el crecimiento de GaN tipo p por encima de estos pozos en LEDs y diodos láser (LD) que emiten en rango espectral azul/verde, y es una de las principales razones por las que las eficiencias de los emisores verdes tienen eficiencias bajas («brecha verde»). En nuestra investigación reciente, obtuvimos por primera vez indicios de que la descomposición de InGaN es causada por la difusión de defectos de punto impulsados por la tensión. Para entender este fenómeno, estamos planeando realizar una serie de experimentos que cambien los parámetros de crecimiento (dopaje, flujos de reactivos, presión, temperatura, etc.) en el crecimiento epitaxial, así como realizar modelos teóricos de defectos puntuales y difusión indio. Las muestras se examinarán utilizando una serie de técnicas en colaboración con otros laboratorios. Como resultado, debemos encontrar la manera de evitar la descomposición de InGaN en LEDs y LDs. (Spanish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: En el Proyecto, explicaremos el papel de los defectos puntuales (principalmente vacantes Ga e impureza de hidrógeno) en la descomposición de los pozos cuánticos InGaN. Esta descomposición ocurre durante el crecimiento de GaN tipo p por encima de estos pozos en LEDs y diodos láser (LD) que emiten en rango espectral azul/verde, y es una de las principales razones por las que las eficiencias de los emisores verdes tienen eficiencias bajas («brecha verde»). En nuestra investigación reciente, obtuvimos por primera vez indicios de que la descomposición de InGaN es causada por la difusión de defectos de punto impulsados por la tensión. Para entender este fenómeno, estamos planeando realizar una serie de experimentos que cambien los parámetros de crecimiento (dopaje, flujos de reactivos, presión, temperatura, etc.) en el crecimiento epitaxial, así como realizar modelos teóricos de defectos puntuales y difusión indio. Las muestras se examinarán utilizando una serie de técnicas en colaboración con otros laboratorios. Como resultado, debemos encontrar la manera de evitar la descomposición de InGaN en LEDs y LDs. (Spanish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 19 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projektis selgitame punktdefektide (peamiselt vabu töökohti ja vesiniku lisandeid) rolli InGaN kvantkaevude lagunemisel. See lagunemine toimub p-tüüpi GaN kasvu ajal nende süvendite kohal LEDides ja laserdioodides, mis kiirgavad sinist/rohelist spektrivahemikku, ning see on üks peamisi põhjusi, miks roheliste saastajate efektiivsus on madal (roheline lõhe). Meie hiljutises uuringus saime esimest korda märke, et InGaN lagunemine on põhjustatud punkti defektide tüvepõhisest difusioonist. Selle nähtuse mõistmiseks plaanime teha mitmeid eksperimente, mis muudavad kasvuparameetreid (doping, reaktiivide vood, rõhk, temperatuur jne) epitaksiaalses kasvus, samuti punkti defekti ja indiumi difusiooni teoreetilist modelleerimist. Proove uuritakse mitmete meetodite abil koostöös teiste laboritega. Selle tulemusena peaksime leidma viisi, kuidas vältida InGaN lagunemist LED-ides ja LD-des. (Estonian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektis selgitame punktdefektide (peamiselt vabu töökohti ja vesiniku lisandeid) rolli InGaN kvantkaevude lagunemisel. See lagunemine toimub p-tüüpi GaN kasvu ajal nende süvendite kohal LEDides ja laserdioodides, mis kiirgavad sinist/rohelist spektrivahemikku, ning see on üks peamisi põhjusi, miks roheliste saastajate efektiivsus on madal (roheline lõhe). Meie hiljutises uuringus saime esimest korda märke, et InGaN lagunemine on põhjustatud punkti defektide tüvepõhisest difusioonist. Selle nähtuse mõistmiseks plaanime teha mitmeid eksperimente, mis muudavad kasvuparameetreid (doping, reaktiivide vood, rõhk, temperatuur jne) epitaksiaalses kasvus, samuti punkti defekti ja indiumi difusiooni teoreetilist modelleerimist. Proove uuritakse mitmete meetodite abil koostöös teiste laboritega. Selle tulemusena peaksime leidma viisi, kuidas vältida InGaN lagunemist LED-ides ja LD-des. (Estonian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektis selgitame punktdefektide (peamiselt vabu töökohti ja vesiniku lisandeid) rolli InGaN kvantkaevude lagunemisel. See lagunemine toimub p-tüüpi GaN kasvu ajal nende süvendite kohal LEDides ja laserdioodides, mis kiirgavad sinist/rohelist spektrivahemikku, ning see on üks peamisi põhjusi, miks roheliste saastajate efektiivsus on madal (roheline lõhe). Meie hiljutises uuringus saime esimest korda märke, et InGaN lagunemine on põhjustatud punkti defektide tüvepõhisest difusioonist. Selle nähtuse mõistmiseks plaanime teha mitmeid eksperimente, mis muudavad kasvuparameetreid (doping, reaktiivide vood, rõhk, temperatuur jne) epitaksiaalses kasvus, samuti punkti defekti ja indiumi difusiooni teoreetilist modelleerimist. Proove uuritakse mitmete meetodite abil koostöös teiste laboritega. Selle tulemusena peaksime leidma viisi, kuidas vältida InGaN lagunemist LED-ides ja LD-des. (Estonian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekte mes paaiškinsime taškų defektų (daugiausia Ga laisvų darbo vietų ir vandenilio priemaišų) vaidmenį „InGaN“ kvantinių gręžinių skilimo metu. Šis skilimas vyksta augant p-tipo GaN virš šių šulinių šviesos diodų ir lazerinių diodų (LD), skleidžiamų mėlynos/žalios spektro diapazone, ir yra viena iš pagrindinių priežasčių, kodėl žaliųjų teršėjų efektyvumas yra mažas (žalioji spraga). Savo neseniai atliktame tyrime pirmą kartą gavome požymių, kad InGaN skilimą sukelia padermės varoma taškinių defektų difuzija. Norėdami suprasti šį reiškinį, planuojame atlikti keletą eksperimentų, keičiančių augimo parametrus (dopingą, reagentų srautus, slėgį, temperatūrą ir kt.) epitaksiniame augime, taip pat teorinį taško defekto ir indžio difuzijos modeliavimą. Mėginiai bus tiriami naudojant keletą metodų bendradarbiaujant su kitomis laboratorijomis. Todėl turėtume rasti būdą, kaip išvengti InGaN skilimo šviesos dioduose ir LD. (Lithuanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekte mes paaiškinsime taškų defektų (daugiausia Ga laisvų darbo vietų ir vandenilio priemaišų) vaidmenį „InGaN“ kvantinių gręžinių skilimo metu. Šis skilimas vyksta augant p-tipo GaN virš šių šulinių šviesos diodų ir lazerinių diodų (LD), skleidžiamų mėlynos/žalios spektro diapazone, ir yra viena iš pagrindinių priežasčių, kodėl žaliųjų teršėjų efektyvumas yra mažas (žalioji spraga). Savo neseniai atliktame tyrime pirmą kartą gavome požymių, kad InGaN skilimą sukelia padermės varoma taškinių defektų difuzija. Norėdami suprasti šį reiškinį, planuojame atlikti keletą eksperimentų, keičiančių augimo parametrus (dopingą, reagentų srautus, slėgį, temperatūrą ir kt.) epitaksiniame augime, taip pat teorinį taško defekto ir indžio difuzijos modeliavimą. Mėginiai bus tiriami naudojant keletą metodų bendradarbiaujant su kitomis laboratorijomis. Todėl turėtume rasti būdą, kaip išvengti InGaN skilimo šviesos dioduose ir LD. (Lithuanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekte mes paaiškinsime taškų defektų (daugiausia Ga laisvų darbo vietų ir vandenilio priemaišų) vaidmenį „InGaN“ kvantinių gręžinių skilimo metu. Šis skilimas vyksta augant p-tipo GaN virš šių šulinių šviesos diodų ir lazerinių diodų (LD), skleidžiamų mėlynos/žalios spektro diapazone, ir yra viena iš pagrindinių priežasčių, kodėl žaliųjų teršėjų efektyvumas yra mažas (žalioji spraga). Savo neseniai atliktame tyrime pirmą kartą gavome požymių, kad InGaN skilimą sukelia padermės varoma taškinių defektų difuzija. Norėdami suprasti šį reiškinį, planuojame atlikti keletą eksperimentų, keičiančių augimo parametrus (dopingą, reagentų srautus, slėgį, temperatūrą ir kt.) epitaksiniame augime, taip pat teorinį taško defekto ir indžio difuzijos modeliavimą. Mėginiai bus tiriami naudojant keletą metodų bendradarbiaujant su kitomis laboratorijomis. Todėl turėtume rasti būdą, kaip išvengti InGaN skilimo šviesos dioduose ir LD. (Lithuanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
U Projektu ćemo objasniti ulogu točkastih nedostataka (uglavnom Ga slobodnih radnih mjesta i nečistoće vodika) u razgradnji kvantnih bušotina InGaN. Ta se razgradnja događa tijekom rasta p-tipa GaN iznad tih bunara u LED i laserskim diodama (LD) koje emitiraju u plavo-zeleni spektralni raspon, i jedan je od glavnih razloga zašto učinkovitost zelenih emitera ima nisku učinkovitost („zeleni jaz”). U našem nedavnom istraživanju, dobili smo prvi put indikacije da je InGaN raspadanje uzrokovano difuzijom točkastih defekata. Da bismo razumjeli ovaj fenomen, planiramo napraviti niz eksperimenata koji mijenjaju parametre rasta (doping, protok reaktanata, tlak, temperatura itd.) u epitaksijalnom rastu, kao i teoretsko modeliranje točkastih defekta i indijske difuzije. Uzorci će biti ispitani nizom tehnika u suradnji s drugim laboratorijima. Kao rezultat toga, trebali bismo pronaći način izbjegavanja InGaN raspadanja u LED diodama i LD-ovima. (Croatian) | |||||||||||||||
| Property / summary: U Projektu ćemo objasniti ulogu točkastih nedostataka (uglavnom Ga slobodnih radnih mjesta i nečistoće vodika) u razgradnji kvantnih bušotina InGaN. Ta se razgradnja događa tijekom rasta p-tipa GaN iznad tih bunara u LED i laserskim diodama (LD) koje emitiraju u plavo-zeleni spektralni raspon, i jedan je od glavnih razloga zašto učinkovitost zelenih emitera ima nisku učinkovitost („zeleni jaz”). U našem nedavnom istraživanju, dobili smo prvi put indikacije da je InGaN raspadanje uzrokovano difuzijom točkastih defekata. Da bismo razumjeli ovaj fenomen, planiramo napraviti niz eksperimenata koji mijenjaju parametre rasta (doping, protok reaktanata, tlak, temperatura itd.) u epitaksijalnom rastu, kao i teoretsko modeliranje točkastih defekta i indijske difuzije. Uzorci će biti ispitani nizom tehnika u suradnji s drugim laboratorijima. Kao rezultat toga, trebali bismo pronaći način izbjegavanja InGaN raspadanja u LED diodama i LD-ovima. (Croatian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: U Projektu ćemo objasniti ulogu točkastih nedostataka (uglavnom Ga slobodnih radnih mjesta i nečistoće vodika) u razgradnji kvantnih bušotina InGaN. Ta se razgradnja događa tijekom rasta p-tipa GaN iznad tih bunara u LED i laserskim diodama (LD) koje emitiraju u plavo-zeleni spektralni raspon, i jedan je od glavnih razloga zašto učinkovitost zelenih emitera ima nisku učinkovitost („zeleni jaz”). U našem nedavnom istraživanju, dobili smo prvi put indikacije da je InGaN raspadanje uzrokovano difuzijom točkastih defekata. Da bismo razumjeli ovaj fenomen, planiramo napraviti niz eksperimenata koji mijenjaju parametre rasta (doping, protok reaktanata, tlak, temperatura itd.) u epitaksijalnom rastu, kao i teoretsko modeliranje točkastih defekta i indijske difuzije. Uzorci će biti ispitani nizom tehnika u suradnji s drugim laboratorijima. Kao rezultat toga, trebali bismo pronaći način izbjegavanja InGaN raspadanja u LED diodama i LD-ovima. (Croatian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Στο Project, θα εξηγήσουμε το ρόλο των σημειακών ελαττωμάτων (κυρίως κενές θέσεις Ga και ακαθαρσία υδρογόνου) στην αποσύνθεση των κβαντικών φρεατίων InGaN. Αυτή η αποσύνθεση συμβαίνει κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης του τύπου p GaN πάνω από αυτά τα φρεάτια σε LEDs και διόδους λέιζερ (LD) που εκπέμπουν σε μπλε/πράσινο φασματικό εύρος, και είναι ένας από τους κύριους λόγους για τους οποίους η αποτελεσματικότητα των πράσινων εκπομπών έχει χαμηλή απόδοση («πράσινο χάσμα»). Στην πρόσφατη έρευνά μας, πήραμε για πρώτη φορά ενδείξεις ότι η αποσύνθεση του InGaN προκαλείται από τη διάχυση των ελαττωμάτων των σημείων. Για να κατανοήσουμε αυτό το φαινόμενο, σχεδιάζουμε να κάνουμε μια σειρά πειραμάτων που αλλάζουν τις παραμέτρους ανάπτυξης (ντόπινγκ, ροές αντιδρώντων, πίεση, θερμοκρασία κ.λπ.) στην επιταξιακή ανάπτυξη, καθώς και να κάνουμε θεωρητική μοντελοποίηση του σημειακού ελαττώματος και της διάχυσης του ινδίου. Τα δείγματα θα εξεταστούν με τη χρήση διαφόρων τεχνικών σε συνεργασία με άλλα εργαστήρια. Ως αποτέλεσμα, θα πρέπει να βρούμε τον τρόπο να αποφύγουμε την αποσύνθεση InGaN σε LED και LD. (Greek) | |||||||||||||||
| Property / summary: Στο Project, θα εξηγήσουμε το ρόλο των σημειακών ελαττωμάτων (κυρίως κενές θέσεις Ga και ακαθαρσία υδρογόνου) στην αποσύνθεση των κβαντικών φρεατίων InGaN. Αυτή η αποσύνθεση συμβαίνει κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης του τύπου p GaN πάνω από αυτά τα φρεάτια σε LEDs και διόδους λέιζερ (LD) που εκπέμπουν σε μπλε/πράσινο φασματικό εύρος, και είναι ένας από τους κύριους λόγους για τους οποίους η αποτελεσματικότητα των πράσινων εκπομπών έχει χαμηλή απόδοση («πράσινο χάσμα»). Στην πρόσφατη έρευνά μας, πήραμε για πρώτη φορά ενδείξεις ότι η αποσύνθεση του InGaN προκαλείται από τη διάχυση των ελαττωμάτων των σημείων. Για να κατανοήσουμε αυτό το φαινόμενο, σχεδιάζουμε να κάνουμε μια σειρά πειραμάτων που αλλάζουν τις παραμέτρους ανάπτυξης (ντόπινγκ, ροές αντιδρώντων, πίεση, θερμοκρασία κ.λπ.) στην επιταξιακή ανάπτυξη, καθώς και να κάνουμε θεωρητική μοντελοποίηση του σημειακού ελαττώματος και της διάχυσης του ινδίου. Τα δείγματα θα εξεταστούν με τη χρήση διαφόρων τεχνικών σε συνεργασία με άλλα εργαστήρια. Ως αποτέλεσμα, θα πρέπει να βρούμε τον τρόπο να αποφύγουμε την αποσύνθεση InGaN σε LED και LD. (Greek) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Στο Project, θα εξηγήσουμε το ρόλο των σημειακών ελαττωμάτων (κυρίως κενές θέσεις Ga και ακαθαρσία υδρογόνου) στην αποσύνθεση των κβαντικών φρεατίων InGaN. Αυτή η αποσύνθεση συμβαίνει κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης του τύπου p GaN πάνω από αυτά τα φρεάτια σε LEDs και διόδους λέιζερ (LD) που εκπέμπουν σε μπλε/πράσινο φασματικό εύρος, και είναι ένας από τους κύριους λόγους για τους οποίους η αποτελεσματικότητα των πράσινων εκπομπών έχει χαμηλή απόδοση («πράσινο χάσμα»). Στην πρόσφατη έρευνά μας, πήραμε για πρώτη φορά ενδείξεις ότι η αποσύνθεση του InGaN προκαλείται από τη διάχυση των ελαττωμάτων των σημείων. Για να κατανοήσουμε αυτό το φαινόμενο, σχεδιάζουμε να κάνουμε μια σειρά πειραμάτων που αλλάζουν τις παραμέτρους ανάπτυξης (ντόπινγκ, ροές αντιδρώντων, πίεση, θερμοκρασία κ.λπ.) στην επιταξιακή ανάπτυξη, καθώς και να κάνουμε θεωρητική μοντελοποίηση του σημειακού ελαττώματος και της διάχυσης του ινδίου. Τα δείγματα θα εξεταστούν με τη χρήση διαφόρων τεχνικών σε συνεργασία με άλλα εργαστήρια. Ως αποτέλεσμα, θα πρέπει να βρούμε τον τρόπο να αποφύγουμε την αποσύνθεση InGaN σε LED και LD. (Greek) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
V projekte vysvetlíme úlohu bodových chýb (najmä voľných miest Ga a vodíkových nečistôt) pri rozklade kvantových vrtov InGaN. Tento rozklad sa vyskytuje počas rastu p-typu GaN nad týmito jamkami v LED diódach a laserových diódach (LD), ktoré vyžarujú v modrom/zelenom spektrálnom rozsahu, a je jedným z hlavných dôvodov, prečo má účinnosť zelených žiaričov nízku účinnosť („zelená medzera“). V našom nedávnom výskume sme po prvýkrát zistili, že rozklad InGaN je spôsobený napätou difúziou bodových defektov. Aby sme tento jav pochopili, plánujeme vykonať niekoľko experimentov, ktoré menia rastové parametre (doping, toky reaktantov, tlak, teplota atď.) v epitaxiálnom raste, ako aj teoretické modelovanie bodových defektov a difúzie india. Vzorky sa budú vyšetrovať pomocou niekoľkých techník v spolupráci s inými laboratóriami. V dôsledku toho by sme mali nájsť spôsob, ako sa vyhnúť rozkladu InGaN v LED a LD. (Slovak) | |||||||||||||||
| Property / summary: V projekte vysvetlíme úlohu bodových chýb (najmä voľných miest Ga a vodíkových nečistôt) pri rozklade kvantových vrtov InGaN. Tento rozklad sa vyskytuje počas rastu p-typu GaN nad týmito jamkami v LED diódach a laserových diódach (LD), ktoré vyžarujú v modrom/zelenom spektrálnom rozsahu, a je jedným z hlavných dôvodov, prečo má účinnosť zelených žiaričov nízku účinnosť („zelená medzera“). V našom nedávnom výskume sme po prvýkrát zistili, že rozklad InGaN je spôsobený napätou difúziou bodových defektov. Aby sme tento jav pochopili, plánujeme vykonať niekoľko experimentov, ktoré menia rastové parametre (doping, toky reaktantov, tlak, teplota atď.) v epitaxiálnom raste, ako aj teoretické modelovanie bodových defektov a difúzie india. Vzorky sa budú vyšetrovať pomocou niekoľkých techník v spolupráci s inými laboratóriami. V dôsledku toho by sme mali nájsť spôsob, ako sa vyhnúť rozkladu InGaN v LED a LD. (Slovak) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: V projekte vysvetlíme úlohu bodových chýb (najmä voľných miest Ga a vodíkových nečistôt) pri rozklade kvantových vrtov InGaN. Tento rozklad sa vyskytuje počas rastu p-typu GaN nad týmito jamkami v LED diódach a laserových diódach (LD), ktoré vyžarujú v modrom/zelenom spektrálnom rozsahu, a je jedným z hlavných dôvodov, prečo má účinnosť zelených žiaričov nízku účinnosť („zelená medzera“). V našom nedávnom výskume sme po prvýkrát zistili, že rozklad InGaN je spôsobený napätou difúziou bodových defektov. Aby sme tento jav pochopili, plánujeme vykonať niekoľko experimentov, ktoré menia rastové parametre (doping, toky reaktantov, tlak, teplota atď.) v epitaxiálnom raste, ako aj teoretické modelovanie bodových defektov a difúzie india. Vzorky sa budú vyšetrovať pomocou niekoľkých techník v spolupráci s inými laboratóriami. V dôsledku toho by sme mali nájsť spôsob, ako sa vyhnúť rozkladu InGaN v LED a LD. (Slovak) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Hankkeessa selitämme pistevikojen (lähinnä Ga-avoimet työpaikat ja vetyepäpuhtaus) roolin InGaN-kvanttikaivojen hajoamisessa. Tämä hajoaminen tapahtuu p-tyypin GaN: n kasvun aikana näiden kaivojen yläpuolella LED- ja laserdiodeissa, jotka säteilevät sinisellä/vihreällä spektrialueella, ja se on yksi tärkeimmistä syistä, miksi vihreiden päästöjen aiheuttajien tehokkuusedut ovat vähäisiä (”vihreä kuilu”). Tuoreessa tutkimuksessamme saimme ensimmäistä kertaa viitteitä siitä, että InGaN: n hajoaminen johtuu jännityspohjaisesta pistevikojen leviämisestä. Tämän ilmiön ymmärtämiseksi aiomme tehdä useita kokeita, joilla muutetaan kasvuparametreja (doping, reaktanttivirrat, paine, lämpötila jne.) epitaksiaalisessa kasvussa sekä teoreettista mallintamista pistevirheestä ja indium-diffuusiosta. Näytteet tutkitaan useilla tekniikoilla yhteistyössä muiden laboratorioiden kanssa. Tämän seurauksena meidän pitäisi löytää tapa välttää InGaN hajoaminen LEDit ja LDs. (Finnish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeessa selitämme pistevikojen (lähinnä Ga-avoimet työpaikat ja vetyepäpuhtaus) roolin InGaN-kvanttikaivojen hajoamisessa. Tämä hajoaminen tapahtuu p-tyypin GaN: n kasvun aikana näiden kaivojen yläpuolella LED- ja laserdiodeissa, jotka säteilevät sinisellä/vihreällä spektrialueella, ja se on yksi tärkeimmistä syistä, miksi vihreiden päästöjen aiheuttajien tehokkuusedut ovat vähäisiä (”vihreä kuilu”). Tuoreessa tutkimuksessamme saimme ensimmäistä kertaa viitteitä siitä, että InGaN: n hajoaminen johtuu jännityspohjaisesta pistevikojen leviämisestä. Tämän ilmiön ymmärtämiseksi aiomme tehdä useita kokeita, joilla muutetaan kasvuparametreja (doping, reaktanttivirrat, paine, lämpötila jne.) epitaksiaalisessa kasvussa sekä teoreettista mallintamista pistevirheestä ja indium-diffuusiosta. Näytteet tutkitaan useilla tekniikoilla yhteistyössä muiden laboratorioiden kanssa. Tämän seurauksena meidän pitäisi löytää tapa välttää InGaN hajoaminen LEDit ja LDs. (Finnish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeessa selitämme pistevikojen (lähinnä Ga-avoimet työpaikat ja vetyepäpuhtaus) roolin InGaN-kvanttikaivojen hajoamisessa. Tämä hajoaminen tapahtuu p-tyypin GaN: n kasvun aikana näiden kaivojen yläpuolella LED- ja laserdiodeissa, jotka säteilevät sinisellä/vihreällä spektrialueella, ja se on yksi tärkeimmistä syistä, miksi vihreiden päästöjen aiheuttajien tehokkuusedut ovat vähäisiä (”vihreä kuilu”). Tuoreessa tutkimuksessamme saimme ensimmäistä kertaa viitteitä siitä, että InGaN: n hajoaminen johtuu jännityspohjaisesta pistevikojen leviämisestä. Tämän ilmiön ymmärtämiseksi aiomme tehdä useita kokeita, joilla muutetaan kasvuparametreja (doping, reaktanttivirrat, paine, lämpötila jne.) epitaksiaalisessa kasvussa sekä teoreettista mallintamista pistevirheestä ja indium-diffuusiosta. Näytteet tutkitaan useilla tekniikoilla yhteistyössä muiden laboratorioiden kanssa. Tämän seurauksena meidän pitäisi löytää tapa välttää InGaN hajoaminen LEDit ja LDs. (Finnish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A projektben elmagyarázzuk a ponthibák (elsősorban Ga üres helyek és hidrogénszennyeződés) szerepét az InGaN kvantumkutak bomlásában. Ez a bomlás a kék/zöld spektrális tartományban kibocsátott LED-ek és lézerdiódák (LD-k) ezen kutak feletti p-típusú GaN-jének növekedése során következik be, és ez az egyik fő oka annak, hogy a zöld kibocsátók hatékonysága alacsony („zöld rés”). Legutóbbi kutatásaink során először kaptunk arra utaló jeleket, hogy az InGaN-bomlást a ponthibák törzsvezérelt diffúziója okozza. Ennek a jelenségnek a megértéséhez számos kísérletet tervezünk, amelyek megváltoztatják a növekedési paramétereket (dopping, reaktánsok áramlása, nyomás, hőmérséklet stb.) az epitaxiális növekedésben, valamint a ponthiba és az indium diffúzió elméleti modellezését. A mintákat más laboratóriumokkal együttműködve számos technikával megvizsgálják. Ennek eredményeként meg kell találnunk a módját, hogy elkerüljük az InGaN bomlását LED-ekben és LD-kben. (Hungarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: A projektben elmagyarázzuk a ponthibák (elsősorban Ga üres helyek és hidrogénszennyeződés) szerepét az InGaN kvantumkutak bomlásában. Ez a bomlás a kék/zöld spektrális tartományban kibocsátott LED-ek és lézerdiódák (LD-k) ezen kutak feletti p-típusú GaN-jének növekedése során következik be, és ez az egyik fő oka annak, hogy a zöld kibocsátók hatékonysága alacsony („zöld rés”). Legutóbbi kutatásaink során először kaptunk arra utaló jeleket, hogy az InGaN-bomlást a ponthibák törzsvezérelt diffúziója okozza. Ennek a jelenségnek a megértéséhez számos kísérletet tervezünk, amelyek megváltoztatják a növekedési paramétereket (dopping, reaktánsok áramlása, nyomás, hőmérséklet stb.) az epitaxiális növekedésben, valamint a ponthiba és az indium diffúzió elméleti modellezését. A mintákat más laboratóriumokkal együttműködve számos technikával megvizsgálják. Ennek eredményeként meg kell találnunk a módját, hogy elkerüljük az InGaN bomlását LED-ekben és LD-kben. (Hungarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A projektben elmagyarázzuk a ponthibák (elsősorban Ga üres helyek és hidrogénszennyeződés) szerepét az InGaN kvantumkutak bomlásában. Ez a bomlás a kék/zöld spektrális tartományban kibocsátott LED-ek és lézerdiódák (LD-k) ezen kutak feletti p-típusú GaN-jének növekedése során következik be, és ez az egyik fő oka annak, hogy a zöld kibocsátók hatékonysága alacsony („zöld rés”). Legutóbbi kutatásaink során először kaptunk arra utaló jeleket, hogy az InGaN-bomlást a ponthibák törzsvezérelt diffúziója okozza. Ennek a jelenségnek a megértéséhez számos kísérletet tervezünk, amelyek megváltoztatják a növekedési paramétereket (dopping, reaktánsok áramlása, nyomás, hőmérséklet stb.) az epitaxiális növekedésben, valamint a ponthiba és az indium diffúzió elméleti modellezését. A mintákat más laboratóriumokkal együttműködve számos technikával megvizsgálják. Ennek eredményeként meg kell találnunk a módját, hogy elkerüljük az InGaN bomlását LED-ekben és LD-kben. (Hungarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
V projektu vysvětlíme roli bodových defektů (především Ga volných míst a nečistoty vodíku) při rozkladu kvantových jamek InGaN. K tomuto rozkladu dochází během růstu p-typu GaN nad těmito vrty v LED a laserových diodách (LD) emitujících v modré/zelené spektrální oblasti a je jedním z hlavních důvodů, proč účinnost zelených emitorů má nízkou účinnost („zelená mezera“). V našem nedávném výzkumu jsme poprvé dostali náznaky, že rozklad InGaN je způsoben kmenovým šířením bodových defektů. Abychom tento jev pochopili, plánujeme provést řadu experimentů měnících růstové parametry (doping, toky reaktantů, tlak, teplota atd.) v epitaxiálním růstu, stejně jako teoretické modelování bodové defekty a difúze india. Vzorky budou vyšetřeny pomocí řady technik ve spolupráci s jinými laboratořemi. V důsledku toho bychom měli najít způsob, jak se vyhnout rozkladu InGaN v LED a LD. (Czech) | |||||||||||||||
| Property / summary: V projektu vysvětlíme roli bodových defektů (především Ga volných míst a nečistoty vodíku) při rozkladu kvantových jamek InGaN. K tomuto rozkladu dochází během růstu p-typu GaN nad těmito vrty v LED a laserových diodách (LD) emitujících v modré/zelené spektrální oblasti a je jedním z hlavních důvodů, proč účinnost zelených emitorů má nízkou účinnost („zelená mezera“). V našem nedávném výzkumu jsme poprvé dostali náznaky, že rozklad InGaN je způsoben kmenovým šířením bodových defektů. Abychom tento jev pochopili, plánujeme provést řadu experimentů měnících růstové parametry (doping, toky reaktantů, tlak, teplota atd.) v epitaxiálním růstu, stejně jako teoretické modelování bodové defekty a difúze india. Vzorky budou vyšetřeny pomocí řady technik ve spolupráci s jinými laboratořemi. V důsledku toho bychom měli najít způsob, jak se vyhnout rozkladu InGaN v LED a LD. (Czech) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: V projektu vysvětlíme roli bodových defektů (především Ga volných míst a nečistoty vodíku) při rozkladu kvantových jamek InGaN. K tomuto rozkladu dochází během růstu p-typu GaN nad těmito vrty v LED a laserových diodách (LD) emitujících v modré/zelené spektrální oblasti a je jedním z hlavních důvodů, proč účinnost zelených emitorů má nízkou účinnost („zelená mezera“). V našem nedávném výzkumu jsme poprvé dostali náznaky, že rozklad InGaN je způsoben kmenovým šířením bodových defektů. Abychom tento jev pochopili, plánujeme provést řadu experimentů měnících růstové parametry (doping, toky reaktantů, tlak, teplota atd.) v epitaxiálním růstu, stejně jako teoretické modelování bodové defekty a difúze india. Vzorky budou vyšetřeny pomocí řady technik ve spolupráci s jinými laboratořemi. V důsledku toho bychom měli najít způsob, jak se vyhnout rozkladu InGaN v LED a LD. (Czech) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projektā mēs izskaidrosim punktu defektu (galvenokārt Ga vakanču un ūdeņraža piemaisījumu) lomu InGaN kvantu urbumu sadalīšanās procesā. Šī sadalīšanās notiek p-tipa GaN augšanas laikā virs šīm iedobēm LED un lāzera diodes (LD), kas izstaro zilā/zaļā spektra diapazonā, un ir viens no galvenajiem iemesliem, kāpēc zaļo emitētāju efektivitātei ir zema efektivitāte (“zaļā plaisa”). Mūsu nesenajos pētījumos mēs pirmo reizi saņēmām norādes, ka InGaN sadalīšanos izraisa punktveida defektu difūzija. Lai saprastu šo parādību, mēs plānojam veikt vairākus eksperimentus, mainot augšanas parametrus (dopingu, reaģentu plūsmas, spiedienu, temperatūru u. c.) epitaksiālā augšanā, kā arī veikt teorētisku punktu defekta un indija difūzijas modelēšanu. Paraugus pārbauda, izmantojot vairākas metodes sadarbībā ar citām laboratorijām. Tā rezultātā, mums vajadzētu atrast veidu, kā izvairīties no InGaN sadalīšanās LED un LD. (Latvian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektā mēs izskaidrosim punktu defektu (galvenokārt Ga vakanču un ūdeņraža piemaisījumu) lomu InGaN kvantu urbumu sadalīšanās procesā. Šī sadalīšanās notiek p-tipa GaN augšanas laikā virs šīm iedobēm LED un lāzera diodes (LD), kas izstaro zilā/zaļā spektra diapazonā, un ir viens no galvenajiem iemesliem, kāpēc zaļo emitētāju efektivitātei ir zema efektivitāte (“zaļā plaisa”). Mūsu nesenajos pētījumos mēs pirmo reizi saņēmām norādes, ka InGaN sadalīšanos izraisa punktveida defektu difūzija. Lai saprastu šo parādību, mēs plānojam veikt vairākus eksperimentus, mainot augšanas parametrus (dopingu, reaģentu plūsmas, spiedienu, temperatūru u. c.) epitaksiālā augšanā, kā arī veikt teorētisku punktu defekta un indija difūzijas modelēšanu. Paraugus pārbauda, izmantojot vairākas metodes sadarbībā ar citām laboratorijām. Tā rezultātā, mums vajadzētu atrast veidu, kā izvairīties no InGaN sadalīšanās LED un LD. (Latvian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektā mēs izskaidrosim punktu defektu (galvenokārt Ga vakanču un ūdeņraža piemaisījumu) lomu InGaN kvantu urbumu sadalīšanās procesā. Šī sadalīšanās notiek p-tipa GaN augšanas laikā virs šīm iedobēm LED un lāzera diodes (LD), kas izstaro zilā/zaļā spektra diapazonā, un ir viens no galvenajiem iemesliem, kāpēc zaļo emitētāju efektivitātei ir zema efektivitāte (“zaļā plaisa”). Mūsu nesenajos pētījumos mēs pirmo reizi saņēmām norādes, ka InGaN sadalīšanos izraisa punktveida defektu difūzija. Lai saprastu šo parādību, mēs plānojam veikt vairākus eksperimentus, mainot augšanas parametrus (dopingu, reaģentu plūsmas, spiedienu, temperatūru u. c.) epitaksiālā augšanā, kā arī veikt teorētisku punktu defekta un indija difūzijas modelēšanu. Paraugus pārbauda, izmantojot vairākas metodes sadarbībā ar citām laboratorijām. Tā rezultātā, mums vajadzētu atrast veidu, kā izvairīties no InGaN sadalīšanās LED un LD. (Latvian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Sa Tionscadal, míneoimid ról lochtanna pointí (folúntais Ga agus eisíontas hidrigine den chuid is mó) i ndianscaoileadh toibreacha candamacha InGaN. Tarlaíonn an dianscaoileadh seo le linn fáis GaN de chineál p os cionn na dtoibreacha seo i soilse agus dé-óidí léasair (LDanna) a astaíonn i raon speictreach gorm/glas, agus tá sé ar cheann de na príomhchúiseanna go bhfuil éifeachtúlachtaí ísle (“an bhearna ghlas”) ag éifeachtúlachtaí na n-astaírí glasa. Sa taighde a rinneamar le déanaí, fuaireamar an chéad léiriú go bhfuil dianscaoileadh InGaN mar thoradh ar scaipeadh brú-thiomáinte lochtanna pointe. Chun tuiscint a fháil ar an bhfeiniméan seo, tá sé beartaithe againn roinnt turgnaimh a dhéanamh a athraíonn paraiméadair fáis (dópáil, sreafaí imoibreoirí, brú, teocht, srl) i bhfás eipealuadrach, chomh maith le samhaltú teoiriciúil a dhéanamh ar locht pointe agus idirleathadh indiam. Déanfar na samplaí a scrúdú trí úsáid a bhaint as roinnt teicnící i gcomhar le saotharlanna eile. Mar thoradh air sin, ba cheart dúinn teacht ar an mbealach chun dianscaoileadh InGaN a sheachaint i soilse agus i LDanna. (Irish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Sa Tionscadal, míneoimid ról lochtanna pointí (folúntais Ga agus eisíontas hidrigine den chuid is mó) i ndianscaoileadh toibreacha candamacha InGaN. Tarlaíonn an dianscaoileadh seo le linn fáis GaN de chineál p os cionn na dtoibreacha seo i soilse agus dé-óidí léasair (LDanna) a astaíonn i raon speictreach gorm/glas, agus tá sé ar cheann de na príomhchúiseanna go bhfuil éifeachtúlachtaí ísle (“an bhearna ghlas”) ag éifeachtúlachtaí na n-astaírí glasa. Sa taighde a rinneamar le déanaí, fuaireamar an chéad léiriú go bhfuil dianscaoileadh InGaN mar thoradh ar scaipeadh brú-thiomáinte lochtanna pointe. Chun tuiscint a fháil ar an bhfeiniméan seo, tá sé beartaithe againn roinnt turgnaimh a dhéanamh a athraíonn paraiméadair fáis (dópáil, sreafaí imoibreoirí, brú, teocht, srl) i bhfás eipealuadrach, chomh maith le samhaltú teoiriciúil a dhéanamh ar locht pointe agus idirleathadh indiam. Déanfar na samplaí a scrúdú trí úsáid a bhaint as roinnt teicnící i gcomhar le saotharlanna eile. Mar thoradh air sin, ba cheart dúinn teacht ar an mbealach chun dianscaoileadh InGaN a sheachaint i soilse agus i LDanna. (Irish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Sa Tionscadal, míneoimid ról lochtanna pointí (folúntais Ga agus eisíontas hidrigine den chuid is mó) i ndianscaoileadh toibreacha candamacha InGaN. Tarlaíonn an dianscaoileadh seo le linn fáis GaN de chineál p os cionn na dtoibreacha seo i soilse agus dé-óidí léasair (LDanna) a astaíonn i raon speictreach gorm/glas, agus tá sé ar cheann de na príomhchúiseanna go bhfuil éifeachtúlachtaí ísle (“an bhearna ghlas”) ag éifeachtúlachtaí na n-astaírí glasa. Sa taighde a rinneamar le déanaí, fuaireamar an chéad léiriú go bhfuil dianscaoileadh InGaN mar thoradh ar scaipeadh brú-thiomáinte lochtanna pointe. Chun tuiscint a fháil ar an bhfeiniméan seo, tá sé beartaithe againn roinnt turgnaimh a dhéanamh a athraíonn paraiméadair fáis (dópáil, sreafaí imoibreoirí, brú, teocht, srl) i bhfás eipealuadrach, chomh maith le samhaltú teoiriciúil a dhéanamh ar locht pointe agus idirleathadh indiam. Déanfar na samplaí a scrúdú trí úsáid a bhaint as roinnt teicnící i gcomhar le saotharlanna eile. Mar thoradh air sin, ba cheart dúinn teacht ar an mbealach chun dianscaoileadh InGaN a sheachaint i soilse agus i LDanna. (Irish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
V projektu bomo pojasnili vlogo točkovnih napak (predvsem Ga prostih delovnih mest in vodikove nečistoče) pri razgradnji kvantnih vodnjakov InGaN. Ta razgradnja se pojavi med rastjo p-tipa GaN nad temi jamicami v LED in laserskih diodah (LD), ki oddajajo modro/zeleno spektralno območje, in je eden od glavnih razlogov, zakaj imajo učinkovitost zelenih onesnaževalcev nizko učinkovitost („zelena vrzel“). V naši nedavni raziskavi smo prvič dobili znake, da je razgradnja InGaN posledica razpršenosti točkovnih napak na podlagi sevov. Da bi razumeli ta pojav, načrtujemo številne poskuse, ki spreminjajo parametre rasti (doping, tokovi reaktantov, tlak, temperatura itd.) v epitaksialni rasti, kot tudi teoretično modeliranje točkovne napake in indijske difuzije. Vzorci bodo pregledani s številnimi tehnikami v sodelovanju z drugimi laboratoriji. Zato bi morali najti način, kako se izogniti razgradnji InGaN v LED in LD-jih. (Slovenian) | |||||||||||||||
| Property / summary: V projektu bomo pojasnili vlogo točkovnih napak (predvsem Ga prostih delovnih mest in vodikove nečistoče) pri razgradnji kvantnih vodnjakov InGaN. Ta razgradnja se pojavi med rastjo p-tipa GaN nad temi jamicami v LED in laserskih diodah (LD), ki oddajajo modro/zeleno spektralno območje, in je eden od glavnih razlogov, zakaj imajo učinkovitost zelenih onesnaževalcev nizko učinkovitost („zelena vrzel“). V naši nedavni raziskavi smo prvič dobili znake, da je razgradnja InGaN posledica razpršenosti točkovnih napak na podlagi sevov. Da bi razumeli ta pojav, načrtujemo številne poskuse, ki spreminjajo parametre rasti (doping, tokovi reaktantov, tlak, temperatura itd.) v epitaksialni rasti, kot tudi teoretično modeliranje točkovne napake in indijske difuzije. Vzorci bodo pregledani s številnimi tehnikami v sodelovanju z drugimi laboratoriji. Zato bi morali najti način, kako se izogniti razgradnji InGaN v LED in LD-jih. (Slovenian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: V projektu bomo pojasnili vlogo točkovnih napak (predvsem Ga prostih delovnih mest in vodikove nečistoče) pri razgradnji kvantnih vodnjakov InGaN. Ta razgradnja se pojavi med rastjo p-tipa GaN nad temi jamicami v LED in laserskih diodah (LD), ki oddajajo modro/zeleno spektralno območje, in je eden od glavnih razlogov, zakaj imajo učinkovitost zelenih onesnaževalcev nizko učinkovitost („zelena vrzel“). V naši nedavni raziskavi smo prvič dobili znake, da je razgradnja InGaN posledica razpršenosti točkovnih napak na podlagi sevov. Da bi razumeli ta pojav, načrtujemo številne poskuse, ki spreminjajo parametre rasti (doping, tokovi reaktantov, tlak, temperatura itd.) v epitaksialni rasti, kot tudi teoretično modeliranje točkovne napake in indijske difuzije. Vzorci bodo pregledani s številnimi tehnikami v sodelovanju z drugimi laboratoriji. Zato bi morali najti način, kako se izogniti razgradnji InGaN v LED in LD-jih. (Slovenian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
В проекта ще обясним ролята на точковите дефекти (основно Ga свободни места и водородни примеси) при разграждането на квантовите кладенци InGaN. Това разлагане възниква по време на растежа на р-тип GaN над тези кладенци в светодиоди и лазерни диоди (LDs), излъчващи в синьо/зелени спектрални диапазони, и е една от основните причини, поради които ефективността на зелените излъчватели има ниска ефективност („зелена разлика“). В последните ни изследвания за първи път получихме индикации, че разлагането на InGaN е причинено от дифузия на точкови дефекти, задвижвани от щама. За да разберем това явление, планираме да направим редица експерименти, променящи параметрите на растежа (допинг, потоци от реагенти, налягане, температура и т.н.) в епитаксиалния растеж, както и да направим теоретично моделиране на точков дефект и дифузия на индий. Пробите ще бъдат изследвани с помощта на редица техники в сътрудничество с други лаборатории. В резултат на това трябва да намерим начин да избегнем разграждането на InGaN в светодиоди и LD. (Bulgarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: В проекта ще обясним ролята на точковите дефекти (основно Ga свободни места и водородни примеси) при разграждането на квантовите кладенци InGaN. Това разлагане възниква по време на растежа на р-тип GaN над тези кладенци в светодиоди и лазерни диоди (LDs), излъчващи в синьо/зелени спектрални диапазони, и е една от основните причини, поради които ефективността на зелените излъчватели има ниска ефективност („зелена разлика“). В последните ни изследвания за първи път получихме индикации, че разлагането на InGaN е причинено от дифузия на точкови дефекти, задвижвани от щама. За да разберем това явление, планираме да направим редица експерименти, променящи параметрите на растежа (допинг, потоци от реагенти, налягане, температура и т.н.) в епитаксиалния растеж, както и да направим теоретично моделиране на точков дефект и дифузия на индий. Пробите ще бъдат изследвани с помощта на редица техники в сътрудничество с други лаборатории. В резултат на това трябва да намерим начин да избегнем разграждането на InGaN в светодиоди и LD. (Bulgarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: В проекта ще обясним ролята на точковите дефекти (основно Ga свободни места и водородни примеси) при разграждането на квантовите кладенци InGaN. Това разлагане възниква по време на растежа на р-тип GaN над тези кладенци в светодиоди и лазерни диоди (LDs), излъчващи в синьо/зелени спектрални диапазони, и е една от основните причини, поради които ефективността на зелените излъчватели има ниска ефективност („зелена разлика“). В последните ни изследвания за първи път получихме индикации, че разлагането на InGaN е причинено от дифузия на точкови дефекти, задвижвани от щама. За да разберем това явление, планираме да направим редица експерименти, променящи параметрите на растежа (допинг, потоци от реагенти, налягане, температура и т.н.) в епитаксиалния растеж, както и да направим теоретично моделиране на точков дефект и дифузия на индий. Пробите ще бъдат изследвани с помощта на редица техники в сътрудничество с други лаборатории. В резултат на това трябва да намерим начин да избегнем разграждането на InGaN в светодиоди и LD. (Bulgarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Fil-Proġett, se nispjegaw ir-rwol tad-difetti fil-punti (prinċipalment il-postijiet battala ta’ Ga u l-impurità tal-idroġenu) fid-dekompożizzjoni tal-bjar tal-kwantum InGaN. Din id-dekompożizzjoni sseħħ matul it-tkabbir tal-GaN tat-tip p fuq dawn il-bjar f’LEDs u f’dijodi tal-lejżer (LDs) li jarmu fil-medda spettrali blu/ħadra, u hija waħda mir-raġunijiet ewlenin għaliex l-effiċjenzi tal-emittenti ekoloġiċi għandhom effiċjenzi baxxi (“distakk ekoloġiku”). Fir-riċerka reċenti tagħna, aħna ltqajna għall-ewwel darba indikazzjonijiet li d-dekompożizzjoni InGaN hija kkawżata minn diffużjoni misjuqa mill-razza ta ‘difetti punt. Biex nifhmu dan il-fenomenu, qed nippjanaw li nagħmlu għadd ta’ esperimenti li jbiddlu l-parametri tat-tkabbir (doping, flussi ta’ reattivi, pressjoni, temperatura, eċċ) fit-tkabbir epitassjali, kif ukoll li nagħmlu mudellar teoretiku ta’ difett fil-punt u diffużjoni tal-indju. Il-kampjuni se jiġu eżaminati bl-użu ta’ għadd ta’ tekniki b’kollaborazzjoni ma’ laboratorji oħra. B’riżultat ta’ dan, għandna nsibu l-mod kif nevitaw id-dekompożizzjoni InGaN fl-LEDs u l-LDs. (Maltese) | |||||||||||||||
| Property / summary: Fil-Proġett, se nispjegaw ir-rwol tad-difetti fil-punti (prinċipalment il-postijiet battala ta’ Ga u l-impurità tal-idroġenu) fid-dekompożizzjoni tal-bjar tal-kwantum InGaN. Din id-dekompożizzjoni sseħħ matul it-tkabbir tal-GaN tat-tip p fuq dawn il-bjar f’LEDs u f’dijodi tal-lejżer (LDs) li jarmu fil-medda spettrali blu/ħadra, u hija waħda mir-raġunijiet ewlenin għaliex l-effiċjenzi tal-emittenti ekoloġiċi għandhom effiċjenzi baxxi (“distakk ekoloġiku”). Fir-riċerka reċenti tagħna, aħna ltqajna għall-ewwel darba indikazzjonijiet li d-dekompożizzjoni InGaN hija kkawżata minn diffużjoni misjuqa mill-razza ta ‘difetti punt. Biex nifhmu dan il-fenomenu, qed nippjanaw li nagħmlu għadd ta’ esperimenti li jbiddlu l-parametri tat-tkabbir (doping, flussi ta’ reattivi, pressjoni, temperatura, eċċ) fit-tkabbir epitassjali, kif ukoll li nagħmlu mudellar teoretiku ta’ difett fil-punt u diffużjoni tal-indju. Il-kampjuni se jiġu eżaminati bl-użu ta’ għadd ta’ tekniki b’kollaborazzjoni ma’ laboratorji oħra. B’riżultat ta’ dan, għandna nsibu l-mod kif nevitaw id-dekompożizzjoni InGaN fl-LEDs u l-LDs. (Maltese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Fil-Proġett, se nispjegaw ir-rwol tad-difetti fil-punti (prinċipalment il-postijiet battala ta’ Ga u l-impurità tal-idroġenu) fid-dekompożizzjoni tal-bjar tal-kwantum InGaN. Din id-dekompożizzjoni sseħħ matul it-tkabbir tal-GaN tat-tip p fuq dawn il-bjar f’LEDs u f’dijodi tal-lejżer (LDs) li jarmu fil-medda spettrali blu/ħadra, u hija waħda mir-raġunijiet ewlenin għaliex l-effiċjenzi tal-emittenti ekoloġiċi għandhom effiċjenzi baxxi (“distakk ekoloġiku”). Fir-riċerka reċenti tagħna, aħna ltqajna għall-ewwel darba indikazzjonijiet li d-dekompożizzjoni InGaN hija kkawżata minn diffużjoni misjuqa mill-razza ta ‘difetti punt. Biex nifhmu dan il-fenomenu, qed nippjanaw li nagħmlu għadd ta’ esperimenti li jbiddlu l-parametri tat-tkabbir (doping, flussi ta’ reattivi, pressjoni, temperatura, eċċ) fit-tkabbir epitassjali, kif ukoll li nagħmlu mudellar teoretiku ta’ difett fil-punt u diffużjoni tal-indju. Il-kampjuni se jiġu eżaminati bl-użu ta’ għadd ta’ tekniki b’kollaborazzjoni ma’ laboratorji oħra. B’riżultat ta’ dan, għandna nsibu l-mod kif nevitaw id-dekompożizzjoni InGaN fl-LEDs u l-LDs. (Maltese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
No projeto, explicaremos o papel dos defeitos pontuais (principalmente as vagas de Ga e a impureza de hidrogénio) na decomposição dos poços quânticos InGaN. Esta decomposição ocorre durante o crescimento do GaN de tipo p acima destes poços em LED e díodos laser (LD) que emitem na gama espetral azul/verde e é uma das principais razões pelas quais as eficiências dos emissores verdes têm baixas eficiências («lacuna verde»). Em nossa pesquisa recente, obtivemos pela primeira vez indicações de que a decomposição do InGaN é causada pela difusão de defeitos pontuais. Para compreender este fenómeno, estamos a planear fazer uma série de experiências alterando parâmetros de crescimento (dopagem, fluxos de reagentes, pressão, temperatura, etc) no crescimento epitaxial, bem como fazer modelagem teórica do defeito de ponto e difusão índio. As amostras serão examinadas utilizando uma série de técnicas em colaboração com outros laboratórios. Como resultado, devemos encontrar a forma de evitar a decomposição do InGaN em LEDs e LDs. (Portuguese) | |||||||||||||||
| Property / summary: No projeto, explicaremos o papel dos defeitos pontuais (principalmente as vagas de Ga e a impureza de hidrogénio) na decomposição dos poços quânticos InGaN. Esta decomposição ocorre durante o crescimento do GaN de tipo p acima destes poços em LED e díodos laser (LD) que emitem na gama espetral azul/verde e é uma das principais razões pelas quais as eficiências dos emissores verdes têm baixas eficiências («lacuna verde»). Em nossa pesquisa recente, obtivemos pela primeira vez indicações de que a decomposição do InGaN é causada pela difusão de defeitos pontuais. Para compreender este fenómeno, estamos a planear fazer uma série de experiências alterando parâmetros de crescimento (dopagem, fluxos de reagentes, pressão, temperatura, etc) no crescimento epitaxial, bem como fazer modelagem teórica do defeito de ponto e difusão índio. As amostras serão examinadas utilizando uma série de técnicas em colaboração com outros laboratórios. Como resultado, devemos encontrar a forma de evitar a decomposição do InGaN em LEDs e LDs. (Portuguese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: No projeto, explicaremos o papel dos defeitos pontuais (principalmente as vagas de Ga e a impureza de hidrogénio) na decomposição dos poços quânticos InGaN. Esta decomposição ocorre durante o crescimento do GaN de tipo p acima destes poços em LED e díodos laser (LD) que emitem na gama espetral azul/verde e é uma das principais razões pelas quais as eficiências dos emissores verdes têm baixas eficiências («lacuna verde»). Em nossa pesquisa recente, obtivemos pela primeira vez indicações de que a decomposição do InGaN é causada pela difusão de defeitos pontuais. Para compreender este fenómeno, estamos a planear fazer uma série de experiências alterando parâmetros de crescimento (dopagem, fluxos de reagentes, pressão, temperatura, etc) no crescimento epitaxial, bem como fazer modelagem teórica do defeito de ponto e difusão índio. As amostras serão examinadas utilizando uma série de técnicas em colaboração com outros laboratórios. Como resultado, devemos encontrar a forma de evitar a decomposição do InGaN em LEDs e LDs. (Portuguese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
I projektet vil vi forklare den rolle, som punktfejl (hovedsagelig Ga ledige stillinger og hydrogen urenhed) i nedbrydning af InGaN kvantebrønde. Denne nedbrydning sker under vækst af p-type GaN over disse brønde i LED'er og laserdioder (LD'er), der udsender i blå/grøn spektralområde, og er en af hovedårsagerne til, at effektiviteten af grønne udledere har lav effektivitet ("grøn kløft"). I vores seneste forskning fik vi for første gang indikationer på, at InGaN-nedbrydningen skyldes belastningsdrevet diffusion af punktfejl. For at forstå dette fænomen planlægger vi at gøre en række eksperimenter, der ændrer vækstparametre (doping, strømme af reaktanter, tryk, temperatur osv.) i epitaxial vækst, samt at gøre teoretisk modellering af punktfejl og indium diffusion. Prøverne vil blive undersøgt ved hjælp af en række teknikker i samarbejde med andre laboratorier. Som et resultat, bør vi finde den måde at undgå InGaN nedbrydning i LED'er og LD'er. (Danish) | |||||||||||||||
| Property / summary: I projektet vil vi forklare den rolle, som punktfejl (hovedsagelig Ga ledige stillinger og hydrogen urenhed) i nedbrydning af InGaN kvantebrønde. Denne nedbrydning sker under vækst af p-type GaN over disse brønde i LED'er og laserdioder (LD'er), der udsender i blå/grøn spektralområde, og er en af hovedårsagerne til, at effektiviteten af grønne udledere har lav effektivitet ("grøn kløft"). I vores seneste forskning fik vi for første gang indikationer på, at InGaN-nedbrydningen skyldes belastningsdrevet diffusion af punktfejl. For at forstå dette fænomen planlægger vi at gøre en række eksperimenter, der ændrer vækstparametre (doping, strømme af reaktanter, tryk, temperatur osv.) i epitaxial vækst, samt at gøre teoretisk modellering af punktfejl og indium diffusion. Prøverne vil blive undersøgt ved hjælp af en række teknikker i samarbejde med andre laboratorier. Som et resultat, bør vi finde den måde at undgå InGaN nedbrydning i LED'er og LD'er. (Danish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: I projektet vil vi forklare den rolle, som punktfejl (hovedsagelig Ga ledige stillinger og hydrogen urenhed) i nedbrydning af InGaN kvantebrønde. Denne nedbrydning sker under vækst af p-type GaN over disse brønde i LED'er og laserdioder (LD'er), der udsender i blå/grøn spektralområde, og er en af hovedårsagerne til, at effektiviteten af grønne udledere har lav effektivitet ("grøn kløft"). I vores seneste forskning fik vi for første gang indikationer på, at InGaN-nedbrydningen skyldes belastningsdrevet diffusion af punktfejl. For at forstå dette fænomen planlægger vi at gøre en række eksperimenter, der ændrer vækstparametre (doping, strømme af reaktanter, tryk, temperatur osv.) i epitaxial vækst, samt at gøre teoretisk modellering af punktfejl og indium diffusion. Prøverne vil blive undersøgt ved hjælp af en række teknikker i samarbejde med andre laboratorier. Som et resultat, bør vi finde den måde at undgå InGaN nedbrydning i LED'er og LD'er. (Danish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
În proiect, vom explica rolul defectelor punctuale (în principal locurile vacante și impuritatea hidrogenului) în descompunerea sondelor cuantice InGaN. Această descompunere are loc în timpul creșterii GaN de tip p deasupra acestor sonde în LED-uri și diode laser (LD) care emit în spectru spectral albastru/verde și este unul dintre principalele motive pentru care eficiența emițătorilor verzi are o eficiență scăzută („decalaj verde”). În cercetările noastre recente, am primit pentru prima dată indicii că descompunerea InGaN este cauzată de răspândirea defectelor punctuale determinate de tulpină. Pentru a înțelege acest fenomen, intenționăm să facem o serie de experimente schimbând parametrii de creștere (doping, fluxuri de reactanți, presiune, temperatură etc.) în creșterea epitaxială, precum și să facem modelarea teoretică a defectelor punctuale și difuzării indiului. Probele vor fi examinate folosind o serie de tehnici în colaborare cu alte laboratoare. Ca urmare, ar trebui să găsim calea de a evita descompunerea InGaN în LED-uri și LD-uri. (Romanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: În proiect, vom explica rolul defectelor punctuale (în principal locurile vacante și impuritatea hidrogenului) în descompunerea sondelor cuantice InGaN. Această descompunere are loc în timpul creșterii GaN de tip p deasupra acestor sonde în LED-uri și diode laser (LD) care emit în spectru spectral albastru/verde și este unul dintre principalele motive pentru care eficiența emițătorilor verzi are o eficiență scăzută („decalaj verde”). În cercetările noastre recente, am primit pentru prima dată indicii că descompunerea InGaN este cauzată de răspândirea defectelor punctuale determinate de tulpină. Pentru a înțelege acest fenomen, intenționăm să facem o serie de experimente schimbând parametrii de creștere (doping, fluxuri de reactanți, presiune, temperatură etc.) în creșterea epitaxială, precum și să facem modelarea teoretică a defectelor punctuale și difuzării indiului. Probele vor fi examinate folosind o serie de tehnici în colaborare cu alte laboratoare. Ca urmare, ar trebui să găsim calea de a evita descompunerea InGaN în LED-uri și LD-uri. (Romanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: În proiect, vom explica rolul defectelor punctuale (în principal locurile vacante și impuritatea hidrogenului) în descompunerea sondelor cuantice InGaN. Această descompunere are loc în timpul creșterii GaN de tip p deasupra acestor sonde în LED-uri și diode laser (LD) care emit în spectru spectral albastru/verde și este unul dintre principalele motive pentru care eficiența emițătorilor verzi are o eficiență scăzută („decalaj verde”). În cercetările noastre recente, am primit pentru prima dată indicii că descompunerea InGaN este cauzată de răspândirea defectelor punctuale determinate de tulpină. Pentru a înțelege acest fenomen, intenționăm să facem o serie de experimente schimbând parametrii de creștere (doping, fluxuri de reactanți, presiune, temperatură etc.) în creșterea epitaxială, precum și să facem modelarea teoretică a defectelor punctuale și difuzării indiului. Probele vor fi examinate folosind o serie de tehnici în colaborare cu alte laboratoare. Ca urmare, ar trebui să găsim calea de a evita descompunerea InGaN în LED-uri și LD-uri. (Romanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
I projektet kommer vi att förklara betydelsen av punktfel (främst Ga vakanser och väteförorening) i nedbrytningen av InGaN kvantbrunnar. Denna nedbrytning sker under tillväxt av p-typ GaN över dessa brunnar i lysdioder och laserdioder (LDs) som avger i blått/grönt spektralområde, och är en av de främsta anledningarna till att effektiviteten hos gröna utsläppskällor har låga effektivitetsvinster (”gröna gap”). I vår senaste forskning fick vi för första gången indikationer på att InGaN-nedbrytningen orsakas av stamdriven diffusion av punktdefekter. För att förstå detta fenomen planerar vi att göra ett antal experiment som förändrar tillväxtparametrar (doping, flöden av reaktanter, tryck, temperatur, etc) i epitaxiell tillväxt, samt att göra teoretisk modellering av punktdefekt och indium diffusion. Proverna kommer att undersökas med hjälp av ett antal tekniker i samarbete med andra laboratorier. Som ett resultat bör vi hitta ett sätt att undvika inGaN-nedbrytningen i lysdioder och LD. (Swedish) | |||||||||||||||
| Property / summary: I projektet kommer vi att förklara betydelsen av punktfel (främst Ga vakanser och väteförorening) i nedbrytningen av InGaN kvantbrunnar. Denna nedbrytning sker under tillväxt av p-typ GaN över dessa brunnar i lysdioder och laserdioder (LDs) som avger i blått/grönt spektralområde, och är en av de främsta anledningarna till att effektiviteten hos gröna utsläppskällor har låga effektivitetsvinster (”gröna gap”). I vår senaste forskning fick vi för första gången indikationer på att InGaN-nedbrytningen orsakas av stamdriven diffusion av punktdefekter. För att förstå detta fenomen planerar vi att göra ett antal experiment som förändrar tillväxtparametrar (doping, flöden av reaktanter, tryck, temperatur, etc) i epitaxiell tillväxt, samt att göra teoretisk modellering av punktdefekt och indium diffusion. Proverna kommer att undersökas med hjälp av ett antal tekniker i samarbete med andra laboratorier. Som ett resultat bör vi hitta ett sätt att undvika inGaN-nedbrytningen i lysdioder och LD. (Swedish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: I projektet kommer vi att förklara betydelsen av punktfel (främst Ga vakanser och väteförorening) i nedbrytningen av InGaN kvantbrunnar. Denna nedbrytning sker under tillväxt av p-typ GaN över dessa brunnar i lysdioder och laserdioder (LDs) som avger i blått/grönt spektralområde, och är en av de främsta anledningarna till att effektiviteten hos gröna utsläppskällor har låga effektivitetsvinster (”gröna gap”). I vår senaste forskning fick vi för första gången indikationer på att InGaN-nedbrytningen orsakas av stamdriven diffusion av punktdefekter. För att förstå detta fenomen planerar vi att göra ett antal experiment som förändrar tillväxtparametrar (doping, flöden av reaktanter, tryck, temperatur, etc) i epitaxiell tillväxt, samt att göra teoretisk modellering av punktdefekt och indium diffusion. Proverna kommer att undersökas med hjälp av ett antal tekniker i samarbete med andra laboratorier. Som ett resultat bör vi hitta ett sätt att undvika inGaN-nedbrytningen i lysdioder och LD. (Swedish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / programme | |||||||||||||||
| Property / programme: Smart growth - PL - ERDF / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / fund | |||||||||||||||
| Property / fund: European Regional Development Fund / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / beneficiary | |||||||||||||||
| Property / beneficiary: Q2513832 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||||||
Cały Kraj | |||||||||||||||
| Property / location (string): Cały Kraj / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / priority axis | |||||||||||||||
| Property / priority axis: INCREASING RESEARCH CAPACITY / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
100.0 percent
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 100.0 percent / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E / qualifier | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Trójmiejski / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / thematic objective | |||||||||||||||
| Property / thematic objective: Research and innovation / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / end time | |||||||||||||||
29 May 2021
| |||||||||||||||
| Property / end time: 29 May 2021 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / date of last update | |||||||||||||||
6 July 2023
| |||||||||||||||
| Property / date of last update: 6 July 2023 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
Latest revision as of 15:42, 13 October 2024
Project Q84238 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs |
Project Q84238 in Poland |
Statements
3,464,455.0 zloty
0 references
3,464,455.0 zloty
0 references
100.0 percent
0 references
1 September 2017
0 references
29 May 2021
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies ("green gap"). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (Polish)
0 references
In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen Impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies (“green gap”). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs. (English)
14 October 2020
0.1131135157562804
0 references
Dans le projet, nous expliquerons le rôle des défauts ponctuels (principalement les postes vacants en Ga et l’impureté d’hydrogène) dans la décomposition des puits quantiques InGaN. Cette décomposition se produit au cours de la croissance du GaN de type p au-dessus de ces puits dans les LED et les diodes laser émettant dans la gamme spectrale bleue/verte, et est l’une des principales raisons pour lesquelles les gains d’efficacité des émetteurs verts ont de faibles rendements («écart vert»). Dans nos recherches récentes, nous avons obtenu pour la première fois des indications que la décomposition InGaN est causée par la diffusion par contrainte de défauts de points. Pour comprendre ce phénomène, nous prévoyons de faire un certain nombre d’expériences changeant les paramètres de croissance (dopage, flux de réactifs, pression, température, etc.) dans la croissance épitaxiale, ainsi que de faire une modélisation théorique des défauts ponctuels et de la diffusion de l’indium. Les échantillons seront examinés à l’aide d’un certain nombre de techniques en collaboration avec d’autres laboratoires. En conséquence, nous devrions trouver le moyen d’éviter la décomposition InGaN dans les LED et les LDs. (French)
30 November 2021
0 references
Im Projekt werden wir die Rolle von Punktdefekten (hauptsächlich Ga-Vakanzen und Wasserstoffunreinheit) bei der Zersetzung von InGaN-Quantenbohrungen erklären. Diese Zersetzung tritt während des Wachstums von p-Typ GaN über diesen Brunnen in LEDs und Laserdioden (LDs) auf, die im blauen/grünen Spektralbereich emittieren, und ist einer der Hauptgründe, warum die Wirkungsgrade von grünen Strahlern eine geringe Effizienz aufweisen („grüne Lücke“). In unserer aktuellen Forschung erhielten wir zum ersten Mal Hinweise darauf, dass die InGaN-Zersetzung durch die Diffusion von Punktdefekten verursacht wird. Um dieses Phänomen zu verstehen, planen wir eine Reihe von Experimenten, die Wachstumsparameter (Doping, Reaktantenströme, Druck, Temperatur usw.) im epitaxialen Wachstum ändern, sowie die theoretische Modellierung von Punktdefekten und Indiumdiffusion durchzuführen. Die Proben werden mit einer Reihe von Techniken in Zusammenarbeit mit anderen Laboren untersucht. Als Ergebnis sollten wir den Weg finden, die InGaN-Zersetzung in LEDs und LDs zu vermeiden. (German)
7 December 2021
0 references
In het project zullen we de rol van puntdefecten (voornamelijk Ga-vacatures en waterstofonzuiverheid) bij de ontbinding van InGaN kwantumputten uitleggen. Deze ontleding vindt plaats tijdens de groei van p-type GaN boven deze putten in LED’s en laserdioden (LD’s) die uitstoten in blauw/groen spectraal bereik, en is een van de belangrijkste redenen waarom de efficiëntie van groene emitters lage efficiëntieverbeteringen hebben („groene kloof”). In ons recente onderzoek kregen we voor het eerst aanwijzingen dat de InGaN-decompositie wordt veroorzaakt door stamgestuurde diffusie van puntdefecten. Om dit fenomeen te begrijpen, zijn we van plan om een aantal experimenten te doen die groeiparameters veranderen (doping, stromen van reactanten, druk, temperatuur, enz.) in epitaxiale groei, evenals theoretische modellering van puntdefect en indiumdiffusie. De monsters worden onderzocht met behulp van een aantal technieken in samenwerking met andere laboratoria. Als gevolg hiervan moeten we de manier vinden om de InGaN-decompositie in LED’s en LD’s te vermijden. (Dutch)
16 December 2021
0 references
Nel Progetto, spiegheremo il ruolo dei difetti di punto (principalmente posti vacanti di Ga e impurità all'idrogeno) nella decomposizione dei pozzi quantistici InGaN. Questa decomposizione si verifica durante la crescita del GaN di tipo p al di sopra di questi pozzi in LED e diodi laser (LD) che emettono nella gamma spettrale blu/verde, ed è uno dei motivi principali per cui l'efficienza degli emettitori verdi ha basse efficienze ("green gap"). Nella nostra recente ricerca, abbiamo ottenuto per la prima volta indicazioni che la decomposizione InGaN è causata dalla diffusione guidata da ceppo di difetti puntiformi. Per comprendere questo fenomeno, stiamo progettando di fare una serie di esperimenti modificando i parametri di crescita (doping, flussi di reagenti, pressione, temperatura, ecc.) nella crescita epitassiale, oltre a fare una modellazione teorica del difetto del punto e della diffusione dell'indio. I campioni saranno esaminati utilizzando una serie di tecniche in collaborazione con altri laboratori. Di conseguenza, dovremmo trovare il modo di evitare la decomposizione InGaN in LED e LD. (Italian)
16 January 2022
0 references
En el Proyecto, explicaremos el papel de los defectos puntuales (principalmente vacantes Ga e impureza de hidrógeno) en la descomposición de los pozos cuánticos InGaN. Esta descomposición ocurre durante el crecimiento de GaN tipo p por encima de estos pozos en LEDs y diodos láser (LD) que emiten en rango espectral azul/verde, y es una de las principales razones por las que las eficiencias de los emisores verdes tienen eficiencias bajas («brecha verde»). En nuestra investigación reciente, obtuvimos por primera vez indicios de que la descomposición de InGaN es causada por la difusión de defectos de punto impulsados por la tensión. Para entender este fenómeno, estamos planeando realizar una serie de experimentos que cambien los parámetros de crecimiento (dopaje, flujos de reactivos, presión, temperatura, etc.) en el crecimiento epitaxial, así como realizar modelos teóricos de defectos puntuales y difusión indio. Las muestras se examinarán utilizando una serie de técnicas en colaboración con otros laboratorios. Como resultado, debemos encontrar la manera de evitar la descomposición de InGaN en LEDs y LDs. (Spanish)
19 January 2022
0 references
Projektis selgitame punktdefektide (peamiselt vabu töökohti ja vesiniku lisandeid) rolli InGaN kvantkaevude lagunemisel. See lagunemine toimub p-tüüpi GaN kasvu ajal nende süvendite kohal LEDides ja laserdioodides, mis kiirgavad sinist/rohelist spektrivahemikku, ning see on üks peamisi põhjusi, miks roheliste saastajate efektiivsus on madal (roheline lõhe). Meie hiljutises uuringus saime esimest korda märke, et InGaN lagunemine on põhjustatud punkti defektide tüvepõhisest difusioonist. Selle nähtuse mõistmiseks plaanime teha mitmeid eksperimente, mis muudavad kasvuparameetreid (doping, reaktiivide vood, rõhk, temperatuur jne) epitaksiaalses kasvus, samuti punkti defekti ja indiumi difusiooni teoreetilist modelleerimist. Proove uuritakse mitmete meetodite abil koostöös teiste laboritega. Selle tulemusena peaksime leidma viisi, kuidas vältida InGaN lagunemist LED-ides ja LD-des. (Estonian)
13 August 2022
0 references
Projekte mes paaiškinsime taškų defektų (daugiausia Ga laisvų darbo vietų ir vandenilio priemaišų) vaidmenį „InGaN“ kvantinių gręžinių skilimo metu. Šis skilimas vyksta augant p-tipo GaN virš šių šulinių šviesos diodų ir lazerinių diodų (LD), skleidžiamų mėlynos/žalios spektro diapazone, ir yra viena iš pagrindinių priežasčių, kodėl žaliųjų teršėjų efektyvumas yra mažas (žalioji spraga). Savo neseniai atliktame tyrime pirmą kartą gavome požymių, kad InGaN skilimą sukelia padermės varoma taškinių defektų difuzija. Norėdami suprasti šį reiškinį, planuojame atlikti keletą eksperimentų, keičiančių augimo parametrus (dopingą, reagentų srautus, slėgį, temperatūrą ir kt.) epitaksiniame augime, taip pat teorinį taško defekto ir indžio difuzijos modeliavimą. Mėginiai bus tiriami naudojant keletą metodų bendradarbiaujant su kitomis laboratorijomis. Todėl turėtume rasti būdą, kaip išvengti InGaN skilimo šviesos dioduose ir LD. (Lithuanian)
13 August 2022
0 references
U Projektu ćemo objasniti ulogu točkastih nedostataka (uglavnom Ga slobodnih radnih mjesta i nečistoće vodika) u razgradnji kvantnih bušotina InGaN. Ta se razgradnja događa tijekom rasta p-tipa GaN iznad tih bunara u LED i laserskim diodama (LD) koje emitiraju u plavo-zeleni spektralni raspon, i jedan je od glavnih razloga zašto učinkovitost zelenih emitera ima nisku učinkovitost („zeleni jaz”). U našem nedavnom istraživanju, dobili smo prvi put indikacije da je InGaN raspadanje uzrokovano difuzijom točkastih defekata. Da bismo razumjeli ovaj fenomen, planiramo napraviti niz eksperimenata koji mijenjaju parametre rasta (doping, protok reaktanata, tlak, temperatura itd.) u epitaksijalnom rastu, kao i teoretsko modeliranje točkastih defekta i indijske difuzije. Uzorci će biti ispitani nizom tehnika u suradnji s drugim laboratorijima. Kao rezultat toga, trebali bismo pronaći način izbjegavanja InGaN raspadanja u LED diodama i LD-ovima. (Croatian)
13 August 2022
0 references
Στο Project, θα εξηγήσουμε το ρόλο των σημειακών ελαττωμάτων (κυρίως κενές θέσεις Ga και ακαθαρσία υδρογόνου) στην αποσύνθεση των κβαντικών φρεατίων InGaN. Αυτή η αποσύνθεση συμβαίνει κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης του τύπου p GaN πάνω από αυτά τα φρεάτια σε LEDs και διόδους λέιζερ (LD) που εκπέμπουν σε μπλε/πράσινο φασματικό εύρος, και είναι ένας από τους κύριους λόγους για τους οποίους η αποτελεσματικότητα των πράσινων εκπομπών έχει χαμηλή απόδοση («πράσινο χάσμα»). Στην πρόσφατη έρευνά μας, πήραμε για πρώτη φορά ενδείξεις ότι η αποσύνθεση του InGaN προκαλείται από τη διάχυση των ελαττωμάτων των σημείων. Για να κατανοήσουμε αυτό το φαινόμενο, σχεδιάζουμε να κάνουμε μια σειρά πειραμάτων που αλλάζουν τις παραμέτρους ανάπτυξης (ντόπινγκ, ροές αντιδρώντων, πίεση, θερμοκρασία κ.λπ.) στην επιταξιακή ανάπτυξη, καθώς και να κάνουμε θεωρητική μοντελοποίηση του σημειακού ελαττώματος και της διάχυσης του ινδίου. Τα δείγματα θα εξεταστούν με τη χρήση διαφόρων τεχνικών σε συνεργασία με άλλα εργαστήρια. Ως αποτέλεσμα, θα πρέπει να βρούμε τον τρόπο να αποφύγουμε την αποσύνθεση InGaN σε LED και LD. (Greek)
13 August 2022
0 references
V projekte vysvetlíme úlohu bodových chýb (najmä voľných miest Ga a vodíkových nečistôt) pri rozklade kvantových vrtov InGaN. Tento rozklad sa vyskytuje počas rastu p-typu GaN nad týmito jamkami v LED diódach a laserových diódach (LD), ktoré vyžarujú v modrom/zelenom spektrálnom rozsahu, a je jedným z hlavných dôvodov, prečo má účinnosť zelených žiaričov nízku účinnosť („zelená medzera“). V našom nedávnom výskume sme po prvýkrát zistili, že rozklad InGaN je spôsobený napätou difúziou bodových defektov. Aby sme tento jav pochopili, plánujeme vykonať niekoľko experimentov, ktoré menia rastové parametre (doping, toky reaktantov, tlak, teplota atď.) v epitaxiálnom raste, ako aj teoretické modelovanie bodových defektov a difúzie india. Vzorky sa budú vyšetrovať pomocou niekoľkých techník v spolupráci s inými laboratóriami. V dôsledku toho by sme mali nájsť spôsob, ako sa vyhnúť rozkladu InGaN v LED a LD. (Slovak)
13 August 2022
0 references
Hankkeessa selitämme pistevikojen (lähinnä Ga-avoimet työpaikat ja vetyepäpuhtaus) roolin InGaN-kvanttikaivojen hajoamisessa. Tämä hajoaminen tapahtuu p-tyypin GaN: n kasvun aikana näiden kaivojen yläpuolella LED- ja laserdiodeissa, jotka säteilevät sinisellä/vihreällä spektrialueella, ja se on yksi tärkeimmistä syistä, miksi vihreiden päästöjen aiheuttajien tehokkuusedut ovat vähäisiä (”vihreä kuilu”). Tuoreessa tutkimuksessamme saimme ensimmäistä kertaa viitteitä siitä, että InGaN: n hajoaminen johtuu jännityspohjaisesta pistevikojen leviämisestä. Tämän ilmiön ymmärtämiseksi aiomme tehdä useita kokeita, joilla muutetaan kasvuparametreja (doping, reaktanttivirrat, paine, lämpötila jne.) epitaksiaalisessa kasvussa sekä teoreettista mallintamista pistevirheestä ja indium-diffuusiosta. Näytteet tutkitaan useilla tekniikoilla yhteistyössä muiden laboratorioiden kanssa. Tämän seurauksena meidän pitäisi löytää tapa välttää InGaN hajoaminen LEDit ja LDs. (Finnish)
13 August 2022
0 references
A projektben elmagyarázzuk a ponthibák (elsősorban Ga üres helyek és hidrogénszennyeződés) szerepét az InGaN kvantumkutak bomlásában. Ez a bomlás a kék/zöld spektrális tartományban kibocsátott LED-ek és lézerdiódák (LD-k) ezen kutak feletti p-típusú GaN-jének növekedése során következik be, és ez az egyik fő oka annak, hogy a zöld kibocsátók hatékonysága alacsony („zöld rés”). Legutóbbi kutatásaink során először kaptunk arra utaló jeleket, hogy az InGaN-bomlást a ponthibák törzsvezérelt diffúziója okozza. Ennek a jelenségnek a megértéséhez számos kísérletet tervezünk, amelyek megváltoztatják a növekedési paramétereket (dopping, reaktánsok áramlása, nyomás, hőmérséklet stb.) az epitaxiális növekedésben, valamint a ponthiba és az indium diffúzió elméleti modellezését. A mintákat más laboratóriumokkal együttműködve számos technikával megvizsgálják. Ennek eredményeként meg kell találnunk a módját, hogy elkerüljük az InGaN bomlását LED-ekben és LD-kben. (Hungarian)
13 August 2022
0 references
V projektu vysvětlíme roli bodových defektů (především Ga volných míst a nečistoty vodíku) při rozkladu kvantových jamek InGaN. K tomuto rozkladu dochází během růstu p-typu GaN nad těmito vrty v LED a laserových diodách (LD) emitujících v modré/zelené spektrální oblasti a je jedním z hlavních důvodů, proč účinnost zelených emitorů má nízkou účinnost („zelená mezera“). V našem nedávném výzkumu jsme poprvé dostali náznaky, že rozklad InGaN je způsoben kmenovým šířením bodových defektů. Abychom tento jev pochopili, plánujeme provést řadu experimentů měnících růstové parametry (doping, toky reaktantů, tlak, teplota atd.) v epitaxiálním růstu, stejně jako teoretické modelování bodové defekty a difúze india. Vzorky budou vyšetřeny pomocí řady technik ve spolupráci s jinými laboratořemi. V důsledku toho bychom měli najít způsob, jak se vyhnout rozkladu InGaN v LED a LD. (Czech)
13 August 2022
0 references
Projektā mēs izskaidrosim punktu defektu (galvenokārt Ga vakanču un ūdeņraža piemaisījumu) lomu InGaN kvantu urbumu sadalīšanās procesā. Šī sadalīšanās notiek p-tipa GaN augšanas laikā virs šīm iedobēm LED un lāzera diodes (LD), kas izstaro zilā/zaļā spektra diapazonā, un ir viens no galvenajiem iemesliem, kāpēc zaļo emitētāju efektivitātei ir zema efektivitāte (“zaļā plaisa”). Mūsu nesenajos pētījumos mēs pirmo reizi saņēmām norādes, ka InGaN sadalīšanos izraisa punktveida defektu difūzija. Lai saprastu šo parādību, mēs plānojam veikt vairākus eksperimentus, mainot augšanas parametrus (dopingu, reaģentu plūsmas, spiedienu, temperatūru u. c.) epitaksiālā augšanā, kā arī veikt teorētisku punktu defekta un indija difūzijas modelēšanu. Paraugus pārbauda, izmantojot vairākas metodes sadarbībā ar citām laboratorijām. Tā rezultātā, mums vajadzētu atrast veidu, kā izvairīties no InGaN sadalīšanās LED un LD. (Latvian)
13 August 2022
0 references
Sa Tionscadal, míneoimid ról lochtanna pointí (folúntais Ga agus eisíontas hidrigine den chuid is mó) i ndianscaoileadh toibreacha candamacha InGaN. Tarlaíonn an dianscaoileadh seo le linn fáis GaN de chineál p os cionn na dtoibreacha seo i soilse agus dé-óidí léasair (LDanna) a astaíonn i raon speictreach gorm/glas, agus tá sé ar cheann de na príomhchúiseanna go bhfuil éifeachtúlachtaí ísle (“an bhearna ghlas”) ag éifeachtúlachtaí na n-astaírí glasa. Sa taighde a rinneamar le déanaí, fuaireamar an chéad léiriú go bhfuil dianscaoileadh InGaN mar thoradh ar scaipeadh brú-thiomáinte lochtanna pointe. Chun tuiscint a fháil ar an bhfeiniméan seo, tá sé beartaithe againn roinnt turgnaimh a dhéanamh a athraíonn paraiméadair fáis (dópáil, sreafaí imoibreoirí, brú, teocht, srl) i bhfás eipealuadrach, chomh maith le samhaltú teoiriciúil a dhéanamh ar locht pointe agus idirleathadh indiam. Déanfar na samplaí a scrúdú trí úsáid a bhaint as roinnt teicnící i gcomhar le saotharlanna eile. Mar thoradh air sin, ba cheart dúinn teacht ar an mbealach chun dianscaoileadh InGaN a sheachaint i soilse agus i LDanna. (Irish)
13 August 2022
0 references
V projektu bomo pojasnili vlogo točkovnih napak (predvsem Ga prostih delovnih mest in vodikove nečistoče) pri razgradnji kvantnih vodnjakov InGaN. Ta razgradnja se pojavi med rastjo p-tipa GaN nad temi jamicami v LED in laserskih diodah (LD), ki oddajajo modro/zeleno spektralno območje, in je eden od glavnih razlogov, zakaj imajo učinkovitost zelenih onesnaževalcev nizko učinkovitost („zelena vrzel“). V naši nedavni raziskavi smo prvič dobili znake, da je razgradnja InGaN posledica razpršenosti točkovnih napak na podlagi sevov. Da bi razumeli ta pojav, načrtujemo številne poskuse, ki spreminjajo parametre rasti (doping, tokovi reaktantov, tlak, temperatura itd.) v epitaksialni rasti, kot tudi teoretično modeliranje točkovne napake in indijske difuzije. Vzorci bodo pregledani s številnimi tehnikami v sodelovanju z drugimi laboratoriji. Zato bi morali najti način, kako se izogniti razgradnji InGaN v LED in LD-jih. (Slovenian)
13 August 2022
0 references
В проекта ще обясним ролята на точковите дефекти (основно Ga свободни места и водородни примеси) при разграждането на квантовите кладенци InGaN. Това разлагане възниква по време на растежа на р-тип GaN над тези кладенци в светодиоди и лазерни диоди (LDs), излъчващи в синьо/зелени спектрални диапазони, и е една от основните причини, поради които ефективността на зелените излъчватели има ниска ефективност („зелена разлика“). В последните ни изследвания за първи път получихме индикации, че разлагането на InGaN е причинено от дифузия на точкови дефекти, задвижвани от щама. За да разберем това явление, планираме да направим редица експерименти, променящи параметрите на растежа (допинг, потоци от реагенти, налягане, температура и т.н.) в епитаксиалния растеж, както и да направим теоретично моделиране на точков дефект и дифузия на индий. Пробите ще бъдат изследвани с помощта на редица техники в сътрудничество с други лаборатории. В резултат на това трябва да намерим начин да избегнем разграждането на InGaN в светодиоди и LD. (Bulgarian)
13 August 2022
0 references
Fil-Proġett, se nispjegaw ir-rwol tad-difetti fil-punti (prinċipalment il-postijiet battala ta’ Ga u l-impurità tal-idroġenu) fid-dekompożizzjoni tal-bjar tal-kwantum InGaN. Din id-dekompożizzjoni sseħħ matul it-tkabbir tal-GaN tat-tip p fuq dawn il-bjar f’LEDs u f’dijodi tal-lejżer (LDs) li jarmu fil-medda spettrali blu/ħadra, u hija waħda mir-raġunijiet ewlenin għaliex l-effiċjenzi tal-emittenti ekoloġiċi għandhom effiċjenzi baxxi (“distakk ekoloġiku”). Fir-riċerka reċenti tagħna, aħna ltqajna għall-ewwel darba indikazzjonijiet li d-dekompożizzjoni InGaN hija kkawżata minn diffużjoni misjuqa mill-razza ta ‘difetti punt. Biex nifhmu dan il-fenomenu, qed nippjanaw li nagħmlu għadd ta’ esperimenti li jbiddlu l-parametri tat-tkabbir (doping, flussi ta’ reattivi, pressjoni, temperatura, eċċ) fit-tkabbir epitassjali, kif ukoll li nagħmlu mudellar teoretiku ta’ difett fil-punt u diffużjoni tal-indju. Il-kampjuni se jiġu eżaminati bl-użu ta’ għadd ta’ tekniki b’kollaborazzjoni ma’ laboratorji oħra. B’riżultat ta’ dan, għandna nsibu l-mod kif nevitaw id-dekompożizzjoni InGaN fl-LEDs u l-LDs. (Maltese)
13 August 2022
0 references
No projeto, explicaremos o papel dos defeitos pontuais (principalmente as vagas de Ga e a impureza de hidrogénio) na decomposição dos poços quânticos InGaN. Esta decomposição ocorre durante o crescimento do GaN de tipo p acima destes poços em LED e díodos laser (LD) que emitem na gama espetral azul/verde e é uma das principais razões pelas quais as eficiências dos emissores verdes têm baixas eficiências («lacuna verde»). Em nossa pesquisa recente, obtivemos pela primeira vez indicações de que a decomposição do InGaN é causada pela difusão de defeitos pontuais. Para compreender este fenómeno, estamos a planear fazer uma série de experiências alterando parâmetros de crescimento (dopagem, fluxos de reagentes, pressão, temperatura, etc) no crescimento epitaxial, bem como fazer modelagem teórica do defeito de ponto e difusão índio. As amostras serão examinadas utilizando uma série de técnicas em colaboração com outros laboratórios. Como resultado, devemos encontrar a forma de evitar a decomposição do InGaN em LEDs e LDs. (Portuguese)
13 August 2022
0 references
I projektet vil vi forklare den rolle, som punktfejl (hovedsagelig Ga ledige stillinger og hydrogen urenhed) i nedbrydning af InGaN kvantebrønde. Denne nedbrydning sker under vækst af p-type GaN over disse brønde i LED'er og laserdioder (LD'er), der udsender i blå/grøn spektralområde, og er en af hovedårsagerne til, at effektiviteten af grønne udledere har lav effektivitet ("grøn kløft"). I vores seneste forskning fik vi for første gang indikationer på, at InGaN-nedbrydningen skyldes belastningsdrevet diffusion af punktfejl. For at forstå dette fænomen planlægger vi at gøre en række eksperimenter, der ændrer vækstparametre (doping, strømme af reaktanter, tryk, temperatur osv.) i epitaxial vækst, samt at gøre teoretisk modellering af punktfejl og indium diffusion. Prøverne vil blive undersøgt ved hjælp af en række teknikker i samarbejde med andre laboratorier. Som et resultat, bør vi finde den måde at undgå InGaN nedbrydning i LED'er og LD'er. (Danish)
13 August 2022
0 references
În proiect, vom explica rolul defectelor punctuale (în principal locurile vacante și impuritatea hidrogenului) în descompunerea sondelor cuantice InGaN. Această descompunere are loc în timpul creșterii GaN de tip p deasupra acestor sonde în LED-uri și diode laser (LD) care emit în spectru spectral albastru/verde și este unul dintre principalele motive pentru care eficiența emițătorilor verzi are o eficiență scăzută („decalaj verde”). În cercetările noastre recente, am primit pentru prima dată indicii că descompunerea InGaN este cauzată de răspândirea defectelor punctuale determinate de tulpină. Pentru a înțelege acest fenomen, intenționăm să facem o serie de experimente schimbând parametrii de creștere (doping, fluxuri de reactanți, presiune, temperatură etc.) în creșterea epitaxială, precum și să facem modelarea teoretică a defectelor punctuale și difuzării indiului. Probele vor fi examinate folosind o serie de tehnici în colaborare cu alte laboratoare. Ca urmare, ar trebui să găsim calea de a evita descompunerea InGaN în LED-uri și LD-uri. (Romanian)
13 August 2022
0 references
I projektet kommer vi att förklara betydelsen av punktfel (främst Ga vakanser och väteförorening) i nedbrytningen av InGaN kvantbrunnar. Denna nedbrytning sker under tillväxt av p-typ GaN över dessa brunnar i lysdioder och laserdioder (LDs) som avger i blått/grönt spektralområde, och är en av de främsta anledningarna till att effektiviteten hos gröna utsläppskällor har låga effektivitetsvinster (”gröna gap”). I vår senaste forskning fick vi för första gången indikationer på att InGaN-nedbrytningen orsakas av stamdriven diffusion av punktdefekter. För att förstå detta fenomen planerar vi att göra ett antal experiment som förändrar tillväxtparametrar (doping, flöden av reaktanter, tryck, temperatur, etc) i epitaxiell tillväxt, samt att göra teoretisk modellering av punktdefekt och indium diffusion. Proverna kommer att undersökas med hjälp av ett antal tekniker i samarbete med andra laboratorier. Som ett resultat bör vi hitta ett sätt att undvika inGaN-nedbrytningen i lysdioder och LD. (Swedish)
13 August 2022
0 references
Cały Kraj
0 references
6 July 2023
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-3C81/16
0 references