Development of high quality InAlN – the road to strain-free Nitride lasers (Q84318): Difference between revisions

From EU Knowledge Graph
Jump to navigation Jump to search
(‎Removed claim: summary (P836): The project proposals to leave the substance of InAlN.Concluding a mehz to pea high quality InAln lattice-matcheed to GN (17 % In) is fundamental for Laser Dides (LDS) and Vertical Surface emitting forests (VCSLs).InAlN could re-place AlGaN and eliminate problems of late index Contracting.In view of the institution with a view to finding the influence of the diffusion barriers, in view of the PAMBE and the Monteca-Carlo situations (PAMBE) and...)
(‎Changed label, description and/or aliases in pt)
 
(22 intermediate revisions by 2 users not shown)
label / enlabel / en
Development of high quality InAlN — the road to digestible nitride forests
Development of high quality InAlN – the road to strain-free Nitride lasers
label / frlabel / fr
 
Développement d’InAlN de haute qualité — la route vers les lasers au nitrure sans contrainte
label / delabel / de
 
Entwicklung hochwertiger InAlN – der Weg zu belastungsfreien Nitridlasern
label / nllabel / nl
 
Ontwikkeling van hoogwaardige InAlN — de weg naar spanningsvrije nitridelasers
label / itlabel / it
 
Sviluppo di InAlN di alta qualità — la strada per i laser a nitruro senza sforzo
label / eslabel / es
 
Desarrollo de InAlN de alta calidad: el camino hacia láseres de nitruro sin tensión
label / dalabel / da
 
Udvikling af høj kvalitet InAlN — vejen til belastningsfri nitride lasere
label / ellabel / el
 
Ανάπτυξη υψηλής ποιότητας InAlN — ο δρόμος για τα λέιζερ νιτριδίων χωρίς στέλεχος
label / hrlabel / hr
 
Razvoj visoke kvalitete InAlN – put do nitridnih lasera bez naprezanja
label / rolabel / ro
 
Dezvoltarea InAlN de înaltă calitate – drumul către laserele cu nitrură fără întindere
label / sklabel / sk
 
Vývoj vysoko kvalitných laserov InAlN – cesta k nitridovým laserom bez namáhania
label / mtlabel / mt
 
Żvilupp ta ‘InAlN ta’ kwalità għolja — it-triq għal lasers nitride ħielsa mill-istrapazz
label / ptlabel / pt
 
Desenvolvimento de InAlN de alta qualidade – o caminho para lasers de nitreto sem tensão
label / filabel / fi
 
Korkealaatuisten InAlN: n kehittäminen – tie rasituksettomiin nitridilasereihin
label / sllabel / sl
 
Razvoj visokokakovostnih InAlN – cesta do laserjev nitrida brez napetosti
label / cslabel / cs
 
Vývoj vysoce kvalitního InAlN – cesta k beznapěťovým nitridovým laserům
label / ltlabel / lt
 
Aukštos kokybės „InAlN“ – kelias į nitrido lazerius be padermių
label / lvlabel / lv
 
Augstas kvalitātes InAlN izstrāde — ceļš uz nitrīdu lāzeriem bez celma
label / bglabel / bg
 
Разработване на висококачествени лазери InAlN — пътят към безтегловните нитридни лазери
label / hulabel / hu
 
Kiváló minőségű InAlN fejlesztése – a törzsmentes nitrid lézerek felé vezető út
label / galabel / ga
 
Forbairt ar ardchaighdeán InAlN — an bóthar chun léasair nítríde saor ó bhrú
label / svlabel / sv
 
Utveckling av högkvalitativa InAlN – vägen till spänningsfria nitridlasrar
label / etlabel / et
 
Arendamine kõrge kvaliteediga InAlN – tee tüvi-free nitriid laserid
description / endescription / en
Project in Poland financed by DG Regio
Project Q84318 in Poland
description / pldescription / pl
Projekt w Polsce finansowany przez DG Regio
Projekt Q84318 w Polsce
description / bgdescription / bg
 
Проект Q84318 в Полша
description / hrdescription / hr
 
Projekt Q84318 u Poljskoj
description / hudescription / hu
 
Projekt Q84318 Lengyelországban
description / csdescription / cs
 
Projekt Q84318 v Polsku
description / dadescription / da
 
Projekt Q84318 i Polen
description / nldescription / nl
 
Project Q84318 in Polen
description / etdescription / et
 
Projekt Q84318 Poolas
description / fidescription / fi
 
Projekti Q84318 Puolassa
description / frdescription / fr
 
Projet Q84318 en Pologne
description / dedescription / de
 
Projekt Q84318 in Polen
description / eldescription / el
 
Έργο Q84318 στην Πολωνία
description / gadescription / ga
 
Tionscadal Q84318 sa Pholainn
description / itdescription / it
 
Progetto Q84318 in Polonia
description / lvdescription / lv
 
Projekts Q84318 Polijā
description / ltdescription / lt
 
Projektas Q84318 Lenkijoje
description / mtdescription / mt
 
Proġett Q84318 fil-Polonja
description / ptdescription / pt
 
Projeto Q84318 na Polônia
description / rodescription / ro
 
Proiectul Q84318 în Polonia
description / skdescription / sk
 
Projekt Q84318 v Poľsku
description / sldescription / sl
 
Projekt Q84318 na Poljskem
description / esdescription / es
 
Proyecto Q84318 en Polonia
description / svdescription / sv
 
Projekt Q84318 i Polen
Property / EU contributionProperty / EU contribution
191,664.0 Euro
Amount191,664.0 Euro
UnitEuro
177,528.78 Euro
Amount177,528.78 Euro
UnitEuro
Property / budgetProperty / budget
191,664.0 Euro
Amount191,664.0 Euro
UnitEuro
177,528.78 Euro
Amount177,528.78 Euro
UnitEuro
Property / co-financing rate
100.0 percent
Amount100.0 percent
Unitpercent
 
Property / co-financing rate: 100.0 percent / rank
Normal rank
 
Property / end time
30 April 2020
Timestamp+2020-04-30T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
 
Property / end time: 30 April 2020 / rank
Normal rank
 
Property / financed by
 
Property / financed by: Directorate-General for Regional and Urban Policy / rank
Normal rank
 
Property / contained in Local Administrative Unit
 
Property / contained in Local Administrative Unit: Gdańsk / rank
 
Normal rank
Property / summary
 
The project Proposes new routes to overcome substantial difficulties in fabrication of InAlN. Finding a method to grow high quality InAlN lattice-matched to GaN (17 % In) is fundamental for laser diodes (LDs) and vertical surface emitting lasers (VCSELs). InAlN could replace AlGaN and eliminate problems of lattice mismatch and improve refractive index contrast. We will grow by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and perform Monte-Carlo simulations to get an insight to kinetic processes during the growth and understand the influence of the diffusion barriers. We will (1) address the problem of low Al diffusion at low temperatures using high miscut GaN substrates (Ga-polar, N-polar and semipolar), (2) apply extremely high nitrogen flux to improve structural properties and (3) verify the impact of dislocation density on the mechanism of “honeycomb” structure formation. The InAlN layers will be implemented in device structures processed and tested in collaboration with TopGaN. (English)
Property / summary: The project Proposes new routes to overcome substantial difficulties in fabrication of InAlN. Finding a method to grow high quality InAlN lattice-matched to GaN (17 % In) is fundamental for laser diodes (LDs) and vertical surface emitting lasers (VCSELs). InAlN could replace AlGaN and eliminate problems of lattice mismatch and improve refractive index contrast. We will grow by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and perform Monte-Carlo simulations to get an insight to kinetic processes during the growth and understand the influence of the diffusion barriers. We will (1) address the problem of low Al diffusion at low temperatures using high miscut GaN substrates (Ga-polar, N-polar and semipolar), (2) apply extremely high nitrogen flux to improve structural properties and (3) verify the impact of dislocation density on the mechanism of “honeycomb” structure formation. The InAlN layers will be implemented in device structures processed and tested in collaboration with TopGaN. (English) / rank
 
Normal rank
Property / summary: The project Proposes new routes to overcome substantial difficulties in fabrication of InAlN. Finding a method to grow high quality InAlN lattice-matched to GaN (17 % In) is fundamental for laser diodes (LDs) and vertical surface emitting lasers (VCSELs). InAlN could replace AlGaN and eliminate problems of lattice mismatch and improve refractive index contrast. We will grow by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and perform Monte-Carlo simulations to get an insight to kinetic processes during the growth and understand the influence of the diffusion barriers. We will (1) address the problem of low Al diffusion at low temperatures using high miscut GaN substrates (Ga-polar, N-polar and semipolar), (2) apply extremely high nitrogen flux to improve structural properties and (3) verify the impact of dislocation density on the mechanism of “honeycomb” structure formation. The InAlN layers will be implemented in device structures processed and tested in collaboration with TopGaN. (English) / qualifier
 
point in time: 14 October 2020
Timestamp+2020-10-14T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary: The project Proposes new routes to overcome substantial difficulties in fabrication of InAlN. Finding a method to grow high quality InAlN lattice-matched to GaN (17 % In) is fundamental for laser diodes (LDs) and vertical surface emitting lasers (VCSELs). InAlN could replace AlGaN and eliminate problems of lattice mismatch and improve refractive index contrast. We will grow by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and perform Monte-Carlo simulations to get an insight to kinetic processes during the growth and understand the influence of the diffusion barriers. We will (1) address the problem of low Al diffusion at low temperatures using high miscut GaN substrates (Ga-polar, N-polar and semipolar), (2) apply extremely high nitrogen flux to improve structural properties and (3) verify the impact of dislocation density on the mechanism of “honeycomb” structure formation. The InAlN layers will be implemented in device structures processed and tested in collaboration with TopGaN. (English) / qualifier
 
readability score: 0.4874470084455069
Amount0.4874470084455069
Unit1
Property / summary
 
Le projet propose de nouvelles voies pour surmonter des difficultés importantes dans la fabrication d’InAlN. Trouver une méthode pour cultiver un treillis InAlN de haute qualité — assorti à GaN (17 % In) est fondamental pour les diodes laser (LDs) et les lasers émettant des surfaces verticales (VCSEL). InAlN pourrait remplacer AlGaN et éliminer les problèmes d’inadéquation des réseaux et améliorer le contraste de l’indice de réfraction. Nous allons croître par l’épitaxie de faisceau moléculaire assisté par plasma (PAMBE) et effectuer des simulations Monte-Carlo pour obtenir un aperçu des processus cinétiques pendant la croissance et comprendre l’influence des barrières de diffusion. Nous allons (1) aborder le problème de la faible diffusion d’Al à basse température en utilisant des substrats de GaN mal coupés élevés (Ga-polar, N-polaire et semipolaire), (2) appliquer un flux d’azote extrêmement élevé pour améliorer les propriétés structurelles et (3) vérifier l’impact de la densité de dislocation sur le mécanisme de formation de la structure «combin d’abeilles». Les couches InAlN seront implémentées dans des structures d’appareils traitées et testées en collaboration avec TopGaN. (French)
Property / summary: Le projet propose de nouvelles voies pour surmonter des difficultés importantes dans la fabrication d’InAlN. Trouver une méthode pour cultiver un treillis InAlN de haute qualité — assorti à GaN (17 % In) est fondamental pour les diodes laser (LDs) et les lasers émettant des surfaces verticales (VCSEL). InAlN pourrait remplacer AlGaN et éliminer les problèmes d’inadéquation des réseaux et améliorer le contraste de l’indice de réfraction. Nous allons croître par l’épitaxie de faisceau moléculaire assisté par plasma (PAMBE) et effectuer des simulations Monte-Carlo pour obtenir un aperçu des processus cinétiques pendant la croissance et comprendre l’influence des barrières de diffusion. Nous allons (1) aborder le problème de la faible diffusion d’Al à basse température en utilisant des substrats de GaN mal coupés élevés (Ga-polar, N-polaire et semipolaire), (2) appliquer un flux d’azote extrêmement élevé pour améliorer les propriétés structurelles et (3) vérifier l’impact de la densité de dislocation sur le mécanisme de formation de la structure «combin d’abeilles». Les couches InAlN seront implémentées dans des structures d’appareils traitées et testées en collaboration avec TopGaN. (French) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Le projet propose de nouvelles voies pour surmonter des difficultés importantes dans la fabrication d’InAlN. Trouver une méthode pour cultiver un treillis InAlN de haute qualité — assorti à GaN (17 % In) est fondamental pour les diodes laser (LDs) et les lasers émettant des surfaces verticales (VCSEL). InAlN pourrait remplacer AlGaN et éliminer les problèmes d’inadéquation des réseaux et améliorer le contraste de l’indice de réfraction. Nous allons croître par l’épitaxie de faisceau moléculaire assisté par plasma (PAMBE) et effectuer des simulations Monte-Carlo pour obtenir un aperçu des processus cinétiques pendant la croissance et comprendre l’influence des barrières de diffusion. Nous allons (1) aborder le problème de la faible diffusion d’Al à basse température en utilisant des substrats de GaN mal coupés élevés (Ga-polar, N-polaire et semipolaire), (2) appliquer un flux d’azote extrêmement élevé pour améliorer les propriétés structurelles et (3) vérifier l’impact de la densité de dislocation sur le mécanisme de formation de la structure «combin d’abeilles». Les couches InAlN seront implémentées dans des structures d’appareils traitées et testées en collaboration avec TopGaN. (French) / qualifier
 
point in time: 30 November 2021
Timestamp+2021-11-30T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Das Projekt schlägt neue Wege vor, um erhebliche Schwierigkeiten bei der Herstellung von InAlN zu überwinden. Für Laserdioden (LDs) und vertikale Oberflächenemissionslaser (VCSELs) ist eine Methode zu finden, mit der hochwertige InAlN-Gitter auf GaN (17 % In) wachsen können. InAlN könnte AlGaN ersetzen und Probleme des Gitterabgleichs beseitigen und den Brechungsindexkontrast verbessern. Wir werden durch Plasma-unterstützte molekulare Strahleptaxie (PAMBE) wachsen und Monte-Carlo-Simulationen durchführen, um einen Einblick in kinetische Prozesse während des Wachstums zu erhalten und den Einfluss der Diffusionsbarrieren zu verstehen. Wir werden (1) das Problem der niedrigen Al-Diffusion bei niedrigen Temperaturen mit hochfehlgeschnittenen GaN-Substraten (Ga-polar, N-polar und semipolar) angehen, (2) einen extrem hohen Stickstofffluss anwenden, um die strukturellen Eigenschaften zu verbessern und (3) den Einfluss der Dislokationsdichte auf den Mechanismus der „Honeycomb“-Strukturbildung zu überprüfen. Die InAlN-Layer werden in Gerätestrukturen implementiert, die in Zusammenarbeit mit TopGaN verarbeitet und getestet werden. (German)
Property / summary: Das Projekt schlägt neue Wege vor, um erhebliche Schwierigkeiten bei der Herstellung von InAlN zu überwinden. Für Laserdioden (LDs) und vertikale Oberflächenemissionslaser (VCSELs) ist eine Methode zu finden, mit der hochwertige InAlN-Gitter auf GaN (17 % In) wachsen können. InAlN könnte AlGaN ersetzen und Probleme des Gitterabgleichs beseitigen und den Brechungsindexkontrast verbessern. Wir werden durch Plasma-unterstützte molekulare Strahleptaxie (PAMBE) wachsen und Monte-Carlo-Simulationen durchführen, um einen Einblick in kinetische Prozesse während des Wachstums zu erhalten und den Einfluss der Diffusionsbarrieren zu verstehen. Wir werden (1) das Problem der niedrigen Al-Diffusion bei niedrigen Temperaturen mit hochfehlgeschnittenen GaN-Substraten (Ga-polar, N-polar und semipolar) angehen, (2) einen extrem hohen Stickstofffluss anwenden, um die strukturellen Eigenschaften zu verbessern und (3) den Einfluss der Dislokationsdichte auf den Mechanismus der „Honeycomb“-Strukturbildung zu überprüfen. Die InAlN-Layer werden in Gerätestrukturen implementiert, die in Zusammenarbeit mit TopGaN verarbeitet und getestet werden. (German) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Das Projekt schlägt neue Wege vor, um erhebliche Schwierigkeiten bei der Herstellung von InAlN zu überwinden. Für Laserdioden (LDs) und vertikale Oberflächenemissionslaser (VCSELs) ist eine Methode zu finden, mit der hochwertige InAlN-Gitter auf GaN (17 % In) wachsen können. InAlN könnte AlGaN ersetzen und Probleme des Gitterabgleichs beseitigen und den Brechungsindexkontrast verbessern. Wir werden durch Plasma-unterstützte molekulare Strahleptaxie (PAMBE) wachsen und Monte-Carlo-Simulationen durchführen, um einen Einblick in kinetische Prozesse während des Wachstums zu erhalten und den Einfluss der Diffusionsbarrieren zu verstehen. Wir werden (1) das Problem der niedrigen Al-Diffusion bei niedrigen Temperaturen mit hochfehlgeschnittenen GaN-Substraten (Ga-polar, N-polar und semipolar) angehen, (2) einen extrem hohen Stickstofffluss anwenden, um die strukturellen Eigenschaften zu verbessern und (3) den Einfluss der Dislokationsdichte auf den Mechanismus der „Honeycomb“-Strukturbildung zu überprüfen. Die InAlN-Layer werden in Gerätestrukturen implementiert, die in Zusammenarbeit mit TopGaN verarbeitet und getestet werden. (German) / qualifier
 
point in time: 7 December 2021
Timestamp+2021-12-07T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Het project stelt nieuwe routes voor om aanzienlijke moeilijkheden bij de fabricage van InAlN te overwinnen. Het vinden van een methode voor het kweken van hoge kwaliteit InAlN rooster-gelijk aan GaN (17 % In) is fundamenteel voor laserdioden (LD’s) en verticale oppervlakte-uitstralende lasers (VCSELs). InAlN kan AlGaN vervangen en problemen van roostermismatch elimineren en het contrast van de brekingsindex verbeteren. We zullen groeien door plasma-ondersteunde moleculaire straal epitaxie (PAMBE) en Monte-Carlo simulaties uitvoeren om inzicht te krijgen in kinetische processen tijdens de groei en inzicht te krijgen in de invloed van de diffusiebarrières. We zullen (1) het probleem van lage al-verspreiding bij lage temperaturen aanpakken met behulp van hoge miscut GaN-substraten (Ga-polaire, N-polaire en semipolaire), (2) extreem hoge stikstofflux toepassen om structurele eigenschappen te verbeteren en (3) het effect van dislocatiedichtheid op het mechanisme van de vorming van „honeycomb”-structuur controleren. De InAlN-lagen worden geïmplementeerd in apparaatstructuren die in samenwerking met TopGaN worden verwerkt en getest. (Dutch)
Property / summary: Het project stelt nieuwe routes voor om aanzienlijke moeilijkheden bij de fabricage van InAlN te overwinnen. Het vinden van een methode voor het kweken van hoge kwaliteit InAlN rooster-gelijk aan GaN (17 % In) is fundamenteel voor laserdioden (LD’s) en verticale oppervlakte-uitstralende lasers (VCSELs). InAlN kan AlGaN vervangen en problemen van roostermismatch elimineren en het contrast van de brekingsindex verbeteren. We zullen groeien door plasma-ondersteunde moleculaire straal epitaxie (PAMBE) en Monte-Carlo simulaties uitvoeren om inzicht te krijgen in kinetische processen tijdens de groei en inzicht te krijgen in de invloed van de diffusiebarrières. We zullen (1) het probleem van lage al-verspreiding bij lage temperaturen aanpakken met behulp van hoge miscut GaN-substraten (Ga-polaire, N-polaire en semipolaire), (2) extreem hoge stikstofflux toepassen om structurele eigenschappen te verbeteren en (3) het effect van dislocatiedichtheid op het mechanisme van de vorming van „honeycomb”-structuur controleren. De InAlN-lagen worden geïmplementeerd in apparaatstructuren die in samenwerking met TopGaN worden verwerkt en getest. (Dutch) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Het project stelt nieuwe routes voor om aanzienlijke moeilijkheden bij de fabricage van InAlN te overwinnen. Het vinden van een methode voor het kweken van hoge kwaliteit InAlN rooster-gelijk aan GaN (17 % In) is fundamenteel voor laserdioden (LD’s) en verticale oppervlakte-uitstralende lasers (VCSELs). InAlN kan AlGaN vervangen en problemen van roostermismatch elimineren en het contrast van de brekingsindex verbeteren. We zullen groeien door plasma-ondersteunde moleculaire straal epitaxie (PAMBE) en Monte-Carlo simulaties uitvoeren om inzicht te krijgen in kinetische processen tijdens de groei en inzicht te krijgen in de invloed van de diffusiebarrières. We zullen (1) het probleem van lage al-verspreiding bij lage temperaturen aanpakken met behulp van hoge miscut GaN-substraten (Ga-polaire, N-polaire en semipolaire), (2) extreem hoge stikstofflux toepassen om structurele eigenschappen te verbeteren en (3) het effect van dislocatiedichtheid op het mechanisme van de vorming van „honeycomb”-structuur controleren. De InAlN-lagen worden geïmplementeerd in apparaatstructuren die in samenwerking met TopGaN worden verwerkt en getest. (Dutch) / qualifier
 
point in time: 16 December 2021
Timestamp+2021-12-16T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Il progetto propone nuovi percorsi per superare notevoli difficoltà di fabbricazione di InAlN. Trovare un metodo per coltivare reticoli InAlN di alta qualità abbinati a GaN (17 % In) è fondamentale per i diodi laser (LD) e per i laser a emissione di superfici verticali (VCSEL). InAlN potrebbe sostituire AlGaN ed eliminare i problemi di disallineamento reticolare e migliorare il contrasto dell'indice di rifrazione. Cresceremo con l'epitassia del fascio molecolare assistito al plasma (PAMBE) ed eseguiremo simulazioni Monte-Carlo per ottenere una visione dei processi cinetici durante la crescita e comprendere l'influenza delle barriere di diffusione. (1) affronteremo il problema della bassa diffusione Al a basse temperature utilizzando substrati GaN ad alta miscut (Ga-polare, N-polare e semipolare), (2) applicare un flusso di azoto estremamente elevato per migliorare le proprietà strutturali e (3) verificare l'impatto della densità di dislocazione sul meccanismo della formazione della struttura a nido d'ape. Gli strati InAlN saranno implementati in strutture di dispositivi elaborate e testate in collaborazione con TopGaN. (Italian)
Property / summary: Il progetto propone nuovi percorsi per superare notevoli difficoltà di fabbricazione di InAlN. Trovare un metodo per coltivare reticoli InAlN di alta qualità abbinati a GaN (17 % In) è fondamentale per i diodi laser (LD) e per i laser a emissione di superfici verticali (VCSEL). InAlN potrebbe sostituire AlGaN ed eliminare i problemi di disallineamento reticolare e migliorare il contrasto dell'indice di rifrazione. Cresceremo con l'epitassia del fascio molecolare assistito al plasma (PAMBE) ed eseguiremo simulazioni Monte-Carlo per ottenere una visione dei processi cinetici durante la crescita e comprendere l'influenza delle barriere di diffusione. (1) affronteremo il problema della bassa diffusione Al a basse temperature utilizzando substrati GaN ad alta miscut (Ga-polare, N-polare e semipolare), (2) applicare un flusso di azoto estremamente elevato per migliorare le proprietà strutturali e (3) verificare l'impatto della densità di dislocazione sul meccanismo della formazione della struttura a nido d'ape. Gli strati InAlN saranno implementati in strutture di dispositivi elaborate e testate in collaborazione con TopGaN. (Italian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Il progetto propone nuovi percorsi per superare notevoli difficoltà di fabbricazione di InAlN. Trovare un metodo per coltivare reticoli InAlN di alta qualità abbinati a GaN (17 % In) è fondamentale per i diodi laser (LD) e per i laser a emissione di superfici verticali (VCSEL). InAlN potrebbe sostituire AlGaN ed eliminare i problemi di disallineamento reticolare e migliorare il contrasto dell'indice di rifrazione. Cresceremo con l'epitassia del fascio molecolare assistito al plasma (PAMBE) ed eseguiremo simulazioni Monte-Carlo per ottenere una visione dei processi cinetici durante la crescita e comprendere l'influenza delle barriere di diffusione. (1) affronteremo il problema della bassa diffusione Al a basse temperature utilizzando substrati GaN ad alta miscut (Ga-polare, N-polare e semipolare), (2) applicare un flusso di azoto estremamente elevato per migliorare le proprietà strutturali e (3) verificare l'impatto della densità di dislocazione sul meccanismo della formazione della struttura a nido d'ape. Gli strati InAlN saranno implementati in strutture di dispositivi elaborate e testate in collaborazione con TopGaN. (Italian) / qualifier
 
point in time: 16 January 2022
Timestamp+2022-01-16T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
El proyecto propone nuevas rutas para superar dificultades sustanciales en la fabricación de InAlN. Encontrar un método para crecer de alta calidad InAlN enrejado a GaN (17 % In) es fundamental para los diodos láser (LDs) y los láseres emisores de superficie vertical (VCSEL). InAlN podría reemplazar AlGaN y eliminar problemas de desajuste de la red y mejorar el contraste del índice de refracción. Creceremos mediante epitaxía de haz molecular asistida por plasma (PAMBE) y realizaremos simulaciones Monte-Carlo para obtener una visión de los procesos cinéticos durante el crecimiento y comprender la influencia de las barreras de difusión. (1) abordaremos el problema de la baja difusión de Al a bajas temperaturas utilizando sustratos GaN de corte alto (Ga-polar, N-polar y semipolar), (2) aplicar un flujo de nitrógeno extremadamente alto para mejorar las propiedades estructurales y (3) verificar el impacto de la densidad de dislocación en el mecanismo de formación de la estructura del «coma de miel». Las capas de InAlN se implementarán en estructuras de dispositivos procesadas y probadas en colaboración con TopGaN. (Spanish)
Property / summary: El proyecto propone nuevas rutas para superar dificultades sustanciales en la fabricación de InAlN. Encontrar un método para crecer de alta calidad InAlN enrejado a GaN (17 % In) es fundamental para los diodos láser (LDs) y los láseres emisores de superficie vertical (VCSEL). InAlN podría reemplazar AlGaN y eliminar problemas de desajuste de la red y mejorar el contraste del índice de refracción. Creceremos mediante epitaxía de haz molecular asistida por plasma (PAMBE) y realizaremos simulaciones Monte-Carlo para obtener una visión de los procesos cinéticos durante el crecimiento y comprender la influencia de las barreras de difusión. (1) abordaremos el problema de la baja difusión de Al a bajas temperaturas utilizando sustratos GaN de corte alto (Ga-polar, N-polar y semipolar), (2) aplicar un flujo de nitrógeno extremadamente alto para mejorar las propiedades estructurales y (3) verificar el impacto de la densidad de dislocación en el mecanismo de formación de la estructura del «coma de miel». Las capas de InAlN se implementarán en estructuras de dispositivos procesadas y probadas en colaboración con TopGaN. (Spanish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: El proyecto propone nuevas rutas para superar dificultades sustanciales en la fabricación de InAlN. Encontrar un método para crecer de alta calidad InAlN enrejado a GaN (17 % In) es fundamental para los diodos láser (LDs) y los láseres emisores de superficie vertical (VCSEL). InAlN podría reemplazar AlGaN y eliminar problemas de desajuste de la red y mejorar el contraste del índice de refracción. Creceremos mediante epitaxía de haz molecular asistida por plasma (PAMBE) y realizaremos simulaciones Monte-Carlo para obtener una visión de los procesos cinéticos durante el crecimiento y comprender la influencia de las barreras de difusión. (1) abordaremos el problema de la baja difusión de Al a bajas temperaturas utilizando sustratos GaN de corte alto (Ga-polar, N-polar y semipolar), (2) aplicar un flujo de nitrógeno extremadamente alto para mejorar las propiedades estructurales y (3) verificar el impacto de la densidad de dislocación en el mecanismo de formación de la estructura del «coma de miel». Las capas de InAlN se implementarán en estructuras de dispositivos procesadas y probadas en colaboración con TopGaN. (Spanish) / qualifier
 
point in time: 19 January 2022
Timestamp+2022-01-19T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projektet foreslår nye ruter for at overvinde betydelige vanskeligheder i forbindelse med fremstillingen af InAlN. At finde en metode til at vokse høj kvalitet InAlN gitter-matchet til GaN (17 % In) er grundlæggende for laserdioder (LD'er) og lodret overflade udsender lasere (VCSEL'er). InAlN kunne erstatte AlGaN og eliminere problemer med gitter mismatch og forbedre brydning indeks kontrast. Vi vil vokse med plasma-assisteret molekylær stråle epitaxi (PAMBE) og udføre Monte-Carlo simuleringer for at få et indblik i kinetiske processer under væksten og forstå indflydelsen af diffusionsbarriererne. Vi vil (1) løse problemet med lav Al diffusion ved lave temperaturer ved hjælp af høj miscut GaN substrater (Ga-polar, N-polar og semipolar), (2) anvende ekstremt høj kvælstofflux for at forbedre strukturelle egenskaber og (3) kontrollere virkningen af dislokationstæthed på mekanismen af "honeycomb" struktur dannelse. InAlN-lagene implementeres i enhedsstrukturer, der behandles og testes i samarbejde med TopGaN. (Danish)
Property / summary: Projektet foreslår nye ruter for at overvinde betydelige vanskeligheder i forbindelse med fremstillingen af InAlN. At finde en metode til at vokse høj kvalitet InAlN gitter-matchet til GaN (17 % In) er grundlæggende for laserdioder (LD'er) og lodret overflade udsender lasere (VCSEL'er). InAlN kunne erstatte AlGaN og eliminere problemer med gitter mismatch og forbedre brydning indeks kontrast. Vi vil vokse med plasma-assisteret molekylær stråle epitaxi (PAMBE) og udføre Monte-Carlo simuleringer for at få et indblik i kinetiske processer under væksten og forstå indflydelsen af diffusionsbarriererne. Vi vil (1) løse problemet med lav Al diffusion ved lave temperaturer ved hjælp af høj miscut GaN substrater (Ga-polar, N-polar og semipolar), (2) anvende ekstremt høj kvælstofflux for at forbedre strukturelle egenskaber og (3) kontrollere virkningen af dislokationstæthed på mekanismen af "honeycomb" struktur dannelse. InAlN-lagene implementeres i enhedsstrukturer, der behandles og testes i samarbejde med TopGaN. (Danish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projektet foreslår nye ruter for at overvinde betydelige vanskeligheder i forbindelse med fremstillingen af InAlN. At finde en metode til at vokse høj kvalitet InAlN gitter-matchet til GaN (17 % In) er grundlæggende for laserdioder (LD'er) og lodret overflade udsender lasere (VCSEL'er). InAlN kunne erstatte AlGaN og eliminere problemer med gitter mismatch og forbedre brydning indeks kontrast. Vi vil vokse med plasma-assisteret molekylær stråle epitaxi (PAMBE) og udføre Monte-Carlo simuleringer for at få et indblik i kinetiske processer under væksten og forstå indflydelsen af diffusionsbarriererne. Vi vil (1) løse problemet med lav Al diffusion ved lave temperaturer ved hjælp af høj miscut GaN substrater (Ga-polar, N-polar og semipolar), (2) anvende ekstremt høj kvælstofflux for at forbedre strukturelle egenskaber og (3) kontrollere virkningen af dislokationstæthed på mekanismen af "honeycomb" struktur dannelse. InAlN-lagene implementeres i enhedsstrukturer, der behandles og testes i samarbejde med TopGaN. (Danish) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Το έργο προτείνει νέες διαδρομές για να ξεπεραστούν σημαντικές δυσκολίες στην κατασκευή του InAlN. Η εύρεση μιας μεθόδου για την ανάπτυξη υψηλής ποιότητας InAlN πλέγμα-ταίριασμα με GaN (17 % In) είναι θεμελιώδης για τις διόδους λέιζερ (LD) και κάθετη επιφάνεια που εκπέμπει λέιζερ (VCSELs). Το InAlN θα μπορούσε να αντικαταστήσει το AlGaN και να εξαλείψει τα προβλήματα της αναντιστοιχίας πλέγματος και να βελτιώσει την αντίθεση δείκτη διάθλασης. Θα μεγαλώσουμε με την επιταξία της μοριακής δέσμης (PAMBE) με τη βοήθεια πλάσματος (PAMBE) και θα εκτελέσουμε προσομοιώσεις Monte-Carlo για να αποκτήσουμε μια εικόνα για τις κινητικές διεργασίες κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης και να κατανοήσουμε την επίδραση των εμποδίων διάχυσης. Θα αντιμετωπίσουμε (1) το πρόβλημα της χαμηλής διάχυσης Al σε χαμηλές θερμοκρασίες χρησιμοποιώντας υψηλά υποστρώματα GaN (γα-πολικά, Ν-πολικά και ημιπολικά), (2) εφαρμόζουμε εξαιρετικά υψηλή ροή αζώτου για να βελτιώσουμε τις δομικές ιδιότητες και (3) επαληθεύουμε την επίδραση της πυκνότητας εξάρθρωσης στο μηχανισμό σχηματισμού δομής «κυψέλης». Τα στρώματα InAlN θα εφαρμοστούν σε δομές συσκευών που επεξεργάζονται και δοκιμάζονται σε συνεργασία με την TopGaN. (Greek)
Property / summary: Το έργο προτείνει νέες διαδρομές για να ξεπεραστούν σημαντικές δυσκολίες στην κατασκευή του InAlN. Η εύρεση μιας μεθόδου για την ανάπτυξη υψηλής ποιότητας InAlN πλέγμα-ταίριασμα με GaN (17 % In) είναι θεμελιώδης για τις διόδους λέιζερ (LD) και κάθετη επιφάνεια που εκπέμπει λέιζερ (VCSELs). Το InAlN θα μπορούσε να αντικαταστήσει το AlGaN και να εξαλείψει τα προβλήματα της αναντιστοιχίας πλέγματος και να βελτιώσει την αντίθεση δείκτη διάθλασης. Θα μεγαλώσουμε με την επιταξία της μοριακής δέσμης (PAMBE) με τη βοήθεια πλάσματος (PAMBE) και θα εκτελέσουμε προσομοιώσεις Monte-Carlo για να αποκτήσουμε μια εικόνα για τις κινητικές διεργασίες κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης και να κατανοήσουμε την επίδραση των εμποδίων διάχυσης. Θα αντιμετωπίσουμε (1) το πρόβλημα της χαμηλής διάχυσης Al σε χαμηλές θερμοκρασίες χρησιμοποιώντας υψηλά υποστρώματα GaN (γα-πολικά, Ν-πολικά και ημιπολικά), (2) εφαρμόζουμε εξαιρετικά υψηλή ροή αζώτου για να βελτιώσουμε τις δομικές ιδιότητες και (3) επαληθεύουμε την επίδραση της πυκνότητας εξάρθρωσης στο μηχανισμό σχηματισμού δομής «κυψέλης». Τα στρώματα InAlN θα εφαρμοστούν σε δομές συσκευών που επεξεργάζονται και δοκιμάζονται σε συνεργασία με την TopGaN. (Greek) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Το έργο προτείνει νέες διαδρομές για να ξεπεραστούν σημαντικές δυσκολίες στην κατασκευή του InAlN. Η εύρεση μιας μεθόδου για την ανάπτυξη υψηλής ποιότητας InAlN πλέγμα-ταίριασμα με GaN (17 % In) είναι θεμελιώδης για τις διόδους λέιζερ (LD) και κάθετη επιφάνεια που εκπέμπει λέιζερ (VCSELs). Το InAlN θα μπορούσε να αντικαταστήσει το AlGaN και να εξαλείψει τα προβλήματα της αναντιστοιχίας πλέγματος και να βελτιώσει την αντίθεση δείκτη διάθλασης. Θα μεγαλώσουμε με την επιταξία της μοριακής δέσμης (PAMBE) με τη βοήθεια πλάσματος (PAMBE) και θα εκτελέσουμε προσομοιώσεις Monte-Carlo για να αποκτήσουμε μια εικόνα για τις κινητικές διεργασίες κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης και να κατανοήσουμε την επίδραση των εμποδίων διάχυσης. Θα αντιμετωπίσουμε (1) το πρόβλημα της χαμηλής διάχυσης Al σε χαμηλές θερμοκρασίες χρησιμοποιώντας υψηλά υποστρώματα GaN (γα-πολικά, Ν-πολικά και ημιπολικά), (2) εφαρμόζουμε εξαιρετικά υψηλή ροή αζώτου για να βελτιώσουμε τις δομικές ιδιότητες και (3) επαληθεύουμε την επίδραση της πυκνότητας εξάρθρωσης στο μηχανισμό σχηματισμού δομής «κυψέλης». Τα στρώματα InAlN θα εφαρμοστούν σε δομές συσκευών που επεξεργάζονται και δοκιμάζονται σε συνεργασία με την TopGaN. (Greek) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projekt predlaže nove rute kako bi se prevladale znatne poteškoće u izradi InAlN-a. Pronalaženje metode za rast visoke kvalitete InAlN rešetke podudara s GaN (17 % U) je temelj za laserske diode (LD) i vertikalne površine emitiranja lasera (VCSELs). InAlN bi mogao zamijeniti AlGaN i eliminirati probleme rešetke neusklađenosti i poboljšati kontrast indeksa loma. Mi ćemo rasti pomoću plazma potpomognute molekularne zrake epitaksije (PAMBE) i izvoditi Monte-Carlo simulacije kako bi dobili uvid u kinetičke procese tijekom rasta i razumjeli utjecaj difuzijskih barijera. Mi ćemo (1) riješiti problem niske difuzije Al na niskim temperaturama pomoću visoko pogrešnih GaN supstrata (Ga-polarni, N-polarni i polupolarni), (2) primijeniti iznimno visok protok dušika za poboljšanje strukturnih svojstava i (3) provjeriti utjecaj gustoće dislokacije na mehanizam formiranja strukture „saća”. InAlN slojevi će se implementirati u strukture uređaja obrađene i testirane u suradnji s TopGaN-om. (Croatian)
Property / summary: Projekt predlaže nove rute kako bi se prevladale znatne poteškoće u izradi InAlN-a. Pronalaženje metode za rast visoke kvalitete InAlN rešetke podudara s GaN (17 % U) je temelj za laserske diode (LD) i vertikalne površine emitiranja lasera (VCSELs). InAlN bi mogao zamijeniti AlGaN i eliminirati probleme rešetke neusklađenosti i poboljšati kontrast indeksa loma. Mi ćemo rasti pomoću plazma potpomognute molekularne zrake epitaksije (PAMBE) i izvoditi Monte-Carlo simulacije kako bi dobili uvid u kinetičke procese tijekom rasta i razumjeli utjecaj difuzijskih barijera. Mi ćemo (1) riješiti problem niske difuzije Al na niskim temperaturama pomoću visoko pogrešnih GaN supstrata (Ga-polarni, N-polarni i polupolarni), (2) primijeniti iznimno visok protok dušika za poboljšanje strukturnih svojstava i (3) provjeriti utjecaj gustoće dislokacije na mehanizam formiranja strukture „saća”. InAlN slojevi će se implementirati u strukture uređaja obrađene i testirane u suradnji s TopGaN-om. (Croatian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projekt predlaže nove rute kako bi se prevladale znatne poteškoće u izradi InAlN-a. Pronalaženje metode za rast visoke kvalitete InAlN rešetke podudara s GaN (17 % U) je temelj za laserske diode (LD) i vertikalne površine emitiranja lasera (VCSELs). InAlN bi mogao zamijeniti AlGaN i eliminirati probleme rešetke neusklađenosti i poboljšati kontrast indeksa loma. Mi ćemo rasti pomoću plazma potpomognute molekularne zrake epitaksije (PAMBE) i izvoditi Monte-Carlo simulacije kako bi dobili uvid u kinetičke procese tijekom rasta i razumjeli utjecaj difuzijskih barijera. Mi ćemo (1) riješiti problem niske difuzije Al na niskim temperaturama pomoću visoko pogrešnih GaN supstrata (Ga-polarni, N-polarni i polupolarni), (2) primijeniti iznimno visok protok dušika za poboljšanje strukturnih svojstava i (3) provjeriti utjecaj gustoće dislokacije na mehanizam formiranja strukture „saća”. InAlN slojevi će se implementirati u strukture uređaja obrađene i testirane u suradnji s TopGaN-om. (Croatian) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Proiectul propune noi căi de depășire a dificultăților substanțiale în fabricarea InAlN. Găsirea unei metode de creștere de înaltă calitate InAlN lattice-potrivită cu GaN (17 % In) este fundamentală pentru diodele laser (LD) și laserele cu emisie de suprafață verticală (VCSEL). InAlN ar putea înlocui AlGaN și ar putea elimina problemele de nepotrivire a rețelei și ar putea îmbunătăți contrastul indicelui de refracție. Vom crește prin epitaxia cu fascicul molecular asistată de plasmă (PAMBE) și vom efectua simulări Monte-Carlo pentru a obține o perspectivă asupra proceselor cinetice în timpul creșterii și pentru a înțelege influența barierelor de difuzie. Vom (1) aborda problema difuziei scazute a Al la temperaturi scazute, folosind substraturi GaN (Ga-polar, N-polar si semipolar), (2) aplica flux extrem de mare de azot pentru a imbunatati proprietatile structurale si (3) verifica impactul densitatii dislocarii asupra mecanismului de formare a structurii „fagure de fagure”. Straturile InAlN vor fi implementate în structuri de dispozitive procesate și testate în colaborare cu TopGaN. (Romanian)
Property / summary: Proiectul propune noi căi de depășire a dificultăților substanțiale în fabricarea InAlN. Găsirea unei metode de creștere de înaltă calitate InAlN lattice-potrivită cu GaN (17 % In) este fundamentală pentru diodele laser (LD) și laserele cu emisie de suprafață verticală (VCSEL). InAlN ar putea înlocui AlGaN și ar putea elimina problemele de nepotrivire a rețelei și ar putea îmbunătăți contrastul indicelui de refracție. Vom crește prin epitaxia cu fascicul molecular asistată de plasmă (PAMBE) și vom efectua simulări Monte-Carlo pentru a obține o perspectivă asupra proceselor cinetice în timpul creșterii și pentru a înțelege influența barierelor de difuzie. Vom (1) aborda problema difuziei scazute a Al la temperaturi scazute, folosind substraturi GaN (Ga-polar, N-polar si semipolar), (2) aplica flux extrem de mare de azot pentru a imbunatati proprietatile structurale si (3) verifica impactul densitatii dislocarii asupra mecanismului de formare a structurii „fagure de fagure”. Straturile InAlN vor fi implementate în structuri de dispozitive procesate și testate în colaborare cu TopGaN. (Romanian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Proiectul propune noi căi de depășire a dificultăților substanțiale în fabricarea InAlN. Găsirea unei metode de creștere de înaltă calitate InAlN lattice-potrivită cu GaN (17 % In) este fundamentală pentru diodele laser (LD) și laserele cu emisie de suprafață verticală (VCSEL). InAlN ar putea înlocui AlGaN și ar putea elimina problemele de nepotrivire a rețelei și ar putea îmbunătăți contrastul indicelui de refracție. Vom crește prin epitaxia cu fascicul molecular asistată de plasmă (PAMBE) și vom efectua simulări Monte-Carlo pentru a obține o perspectivă asupra proceselor cinetice în timpul creșterii și pentru a înțelege influența barierelor de difuzie. Vom (1) aborda problema difuziei scazute a Al la temperaturi scazute, folosind substraturi GaN (Ga-polar, N-polar si semipolar), (2) aplica flux extrem de mare de azot pentru a imbunatati proprietatile structurale si (3) verifica impactul densitatii dislocarii asupra mecanismului de formare a structurii „fagure de fagure”. Straturile InAlN vor fi implementate în structuri de dispozitive procesate și testate în colaborare cu TopGaN. (Romanian) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
V projekte sa navrhujú nové trasy na prekonanie značných ťažkostí pri výrobe InAlN. Nájdenie metódy rastu vysokej kvality InAlN mriežky zodpovedajúce GaN (17 % In) je základom pre laserové diódy (LD) a vertikálne povrchové vyžarujúce lasery (VCSEL). InAlN by mohol nahradiť AlGaN a odstrániť problémy nesúladu mriežok a zlepšiť kontrast indexu lomu. Budeme rásť pomocou epitaxie molekulárneho lúča asistovanej plazmou (PAMBE) a vykonávať simulácie Monte-Carlo, aby sme získali prehľad o kinetických procesoch počas rastu a pochopili vplyv difúznych bariér. Budeme (1) riešiť problém nízkeho Al difúzie pri nízkych teplotách s použitím vysoko chybných GaN substrátov (Ga-polárne, N-polárne a polopolárne), (2) aplikovať extrémne vysoký tok dusíka na zlepšenie štrukturálnych vlastností a (3) overiť vplyv dislokačnej hustoty na mechanizmus tvorby štruktúry „včelíc“. Vrstvy InAlN budú implementované do štruktúr zariadení spracovaných a testovaných v spolupráci s TopGaN. (Slovak)
Property / summary: V projekte sa navrhujú nové trasy na prekonanie značných ťažkostí pri výrobe InAlN. Nájdenie metódy rastu vysokej kvality InAlN mriežky zodpovedajúce GaN (17 % In) je základom pre laserové diódy (LD) a vertikálne povrchové vyžarujúce lasery (VCSEL). InAlN by mohol nahradiť AlGaN a odstrániť problémy nesúladu mriežok a zlepšiť kontrast indexu lomu. Budeme rásť pomocou epitaxie molekulárneho lúča asistovanej plazmou (PAMBE) a vykonávať simulácie Monte-Carlo, aby sme získali prehľad o kinetických procesoch počas rastu a pochopili vplyv difúznych bariér. Budeme (1) riešiť problém nízkeho Al difúzie pri nízkych teplotách s použitím vysoko chybných GaN substrátov (Ga-polárne, N-polárne a polopolárne), (2) aplikovať extrémne vysoký tok dusíka na zlepšenie štrukturálnych vlastností a (3) overiť vplyv dislokačnej hustoty na mechanizmus tvorby štruktúry „včelíc“. Vrstvy InAlN budú implementované do štruktúr zariadení spracovaných a testovaných v spolupráci s TopGaN. (Slovak) / rank
 
Normal rank
Property / summary: V projekte sa navrhujú nové trasy na prekonanie značných ťažkostí pri výrobe InAlN. Nájdenie metódy rastu vysokej kvality InAlN mriežky zodpovedajúce GaN (17 % In) je základom pre laserové diódy (LD) a vertikálne povrchové vyžarujúce lasery (VCSEL). InAlN by mohol nahradiť AlGaN a odstrániť problémy nesúladu mriežok a zlepšiť kontrast indexu lomu. Budeme rásť pomocou epitaxie molekulárneho lúča asistovanej plazmou (PAMBE) a vykonávať simulácie Monte-Carlo, aby sme získali prehľad o kinetických procesoch počas rastu a pochopili vplyv difúznych bariér. Budeme (1) riešiť problém nízkeho Al difúzie pri nízkych teplotách s použitím vysoko chybných GaN substrátov (Ga-polárne, N-polárne a polopolárne), (2) aplikovať extrémne vysoký tok dusíka na zlepšenie štrukturálnych vlastností a (3) overiť vplyv dislokačnej hustoty na mechanizmus tvorby štruktúry „včelíc“. Vrstvy InAlN budú implementované do štruktúr zariadení spracovaných a testovaných v spolupráci s TopGaN. (Slovak) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Il-proġett jipproponi rotot ġodda biex jingħelbu d-diffikultajiet sostanzjali fil-fabbrikazzjoni tal-InAlN. Tfittxija ta ‘metodu biex jikbru kwalità għolja InAlN kannizzata-imqabbla għal GaN (17 % In) huwa fundamentali għal dijodi laser (LDs) u lasers wiċċ vertikali li jarmu (VCSELs). InAlN jista’ jissostitwixxi l-AlGaN u jelimina problemi ta’ diskrepanza kannizzata u jtejjeb il-kuntrast tal-indiċi rifrattiv. Aħna se jikbru mill-plażma assistit epitaxy raġġ molekulari (PAMBE) u jwettaq simulazzjonijiet Monte-Carlo biex tikseb għarfien għall-proċessi kinetiċi matul it-tkabbir u jifhmu l-influwenza tal-barrieri diffużjoni. Aħna se (1) tindirizza l-problema tad-diffużjoni ta ‘Al baxx f’temperaturi baxxi bl-użu ta’ sottostrati GaN maqtugħ ħażin (Ga-polari, N-polari u semipolari), (2) tapplika fluss ta ‘nitroġenu estremament għoli biex ittejjeb il-proprjetajiet strutturali u (3) tivverifika l-impatt ta’ densità ta ‘diżlokazzjoni fuq il-mekkaniżmu ta’ “xehda” formazzjoni istruttura. Is-saffi InAlN se jiġu implimentati fi strutturi ta ‘tagħmir ipproċessati u ttestjati b’kollaborazzjoni ma’ TopGaN. (Maltese)
Property / summary: Il-proġett jipproponi rotot ġodda biex jingħelbu d-diffikultajiet sostanzjali fil-fabbrikazzjoni tal-InAlN. Tfittxija ta ‘metodu biex jikbru kwalità għolja InAlN kannizzata-imqabbla għal GaN (17 % In) huwa fundamentali għal dijodi laser (LDs) u lasers wiċċ vertikali li jarmu (VCSELs). InAlN jista’ jissostitwixxi l-AlGaN u jelimina problemi ta’ diskrepanza kannizzata u jtejjeb il-kuntrast tal-indiċi rifrattiv. Aħna se jikbru mill-plażma assistit epitaxy raġġ molekulari (PAMBE) u jwettaq simulazzjonijiet Monte-Carlo biex tikseb għarfien għall-proċessi kinetiċi matul it-tkabbir u jifhmu l-influwenza tal-barrieri diffużjoni. Aħna se (1) tindirizza l-problema tad-diffużjoni ta ‘Al baxx f’temperaturi baxxi bl-użu ta’ sottostrati GaN maqtugħ ħażin (Ga-polari, N-polari u semipolari), (2) tapplika fluss ta ‘nitroġenu estremament għoli biex ittejjeb il-proprjetajiet strutturali u (3) tivverifika l-impatt ta’ densità ta ‘diżlokazzjoni fuq il-mekkaniżmu ta’ “xehda” formazzjoni istruttura. Is-saffi InAlN se jiġu implimentati fi strutturi ta ‘tagħmir ipproċessati u ttestjati b’kollaborazzjoni ma’ TopGaN. (Maltese) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Il-proġett jipproponi rotot ġodda biex jingħelbu d-diffikultajiet sostanzjali fil-fabbrikazzjoni tal-InAlN. Tfittxija ta ‘metodu biex jikbru kwalità għolja InAlN kannizzata-imqabbla għal GaN (17 % In) huwa fundamentali għal dijodi laser (LDs) u lasers wiċċ vertikali li jarmu (VCSELs). InAlN jista’ jissostitwixxi l-AlGaN u jelimina problemi ta’ diskrepanza kannizzata u jtejjeb il-kuntrast tal-indiċi rifrattiv. Aħna se jikbru mill-plażma assistit epitaxy raġġ molekulari (PAMBE) u jwettaq simulazzjonijiet Monte-Carlo biex tikseb għarfien għall-proċessi kinetiċi matul it-tkabbir u jifhmu l-influwenza tal-barrieri diffużjoni. Aħna se (1) tindirizza l-problema tad-diffużjoni ta ‘Al baxx f’temperaturi baxxi bl-użu ta’ sottostrati GaN maqtugħ ħażin (Ga-polari, N-polari u semipolari), (2) tapplika fluss ta ‘nitroġenu estremament għoli biex ittejjeb il-proprjetajiet strutturali u (3) tivverifika l-impatt ta’ densità ta ‘diżlokazzjoni fuq il-mekkaniżmu ta’ “xehda” formazzjoni istruttura. Is-saffi InAlN se jiġu implimentati fi strutturi ta ‘tagħmir ipproċessati u ttestjati b’kollaborazzjoni ma’ TopGaN. (Maltese) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
O projeto propõe novas vias para superar dificuldades substanciais na fabricação do InAlN. Encontrar um método para cultivar uma rede InAlN de alta qualidade combinada com GaN (17 % In) é fundamental para díodos laser (LDs) e lasers emissores de superfície verticais (VCSELs). O InAlN pode substituir o AlGaN e eliminar problemas de desajuste da rede e melhorar o contraste do índice de refração. Vamos crescer por epitaxia de feixe molecular assistida por plasma (PAMBE) e realizar simulações de Monte-Carlo para obter uma visão dos processos cinéticos durante o crescimento e compreender a influência das barreiras de difusão. Iremos (1) abordar o problema da baixa difusão de Al a baixas temperaturas utilizando substratos de GaN com alto erro de corte (Ga-polar, N-polar e semipolar), (2) aplicar um fluxo de azoto extremamente elevado para melhorar as propriedades estruturais e (3) verificar o impacto da densidade de deslocamento no mecanismo de formação da estrutura do favo de mel. As camadas InAlN serão implementadas em estruturas de dispositivos processadas e testadas em colaboração com a TopGaN. (Portuguese)
Property / summary: O projeto propõe novas vias para superar dificuldades substanciais na fabricação do InAlN. Encontrar um método para cultivar uma rede InAlN de alta qualidade combinada com GaN (17 % In) é fundamental para díodos laser (LDs) e lasers emissores de superfície verticais (VCSELs). O InAlN pode substituir o AlGaN e eliminar problemas de desajuste da rede e melhorar o contraste do índice de refração. Vamos crescer por epitaxia de feixe molecular assistida por plasma (PAMBE) e realizar simulações de Monte-Carlo para obter uma visão dos processos cinéticos durante o crescimento e compreender a influência das barreiras de difusão. Iremos (1) abordar o problema da baixa difusão de Al a baixas temperaturas utilizando substratos de GaN com alto erro de corte (Ga-polar, N-polar e semipolar), (2) aplicar um fluxo de azoto extremamente elevado para melhorar as propriedades estruturais e (3) verificar o impacto da densidade de deslocamento no mecanismo de formação da estrutura do favo de mel. As camadas InAlN serão implementadas em estruturas de dispositivos processadas e testadas em colaboração com a TopGaN. (Portuguese) / rank
 
Normal rank
Property / summary: O projeto propõe novas vias para superar dificuldades substanciais na fabricação do InAlN. Encontrar um método para cultivar uma rede InAlN de alta qualidade combinada com GaN (17 % In) é fundamental para díodos laser (LDs) e lasers emissores de superfície verticais (VCSELs). O InAlN pode substituir o AlGaN e eliminar problemas de desajuste da rede e melhorar o contraste do índice de refração. Vamos crescer por epitaxia de feixe molecular assistida por plasma (PAMBE) e realizar simulações de Monte-Carlo para obter uma visão dos processos cinéticos durante o crescimento e compreender a influência das barreiras de difusão. Iremos (1) abordar o problema da baixa difusão de Al a baixas temperaturas utilizando substratos de GaN com alto erro de corte (Ga-polar, N-polar e semipolar), (2) aplicar um fluxo de azoto extremamente elevado para melhorar as propriedades estruturais e (3) verificar o impacto da densidade de deslocamento no mecanismo de formação da estrutura do favo de mel. As camadas InAlN serão implementadas em estruturas de dispositivos processadas e testadas em colaboração com a TopGaN. (Portuguese) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Hankkeessa ehdotetaan uusia reittejä InAlN:n valmistuksen huomattavien vaikeuksien voittamiseksi. Menetelmän löytäminen korkealaatuista InAlN-ristikkoa vastaa GaN (17 % in) on perusta laserdiodeja (LD) ja pystysuora pinta säteilevät laserit (VCSEL). InAlN voisi korvata AlGaN ja poistaa ongelmia ristikko epäsuhta ja parantaa taitto indeksi kontrastia. Kasvamme plasma-avusteisella molekyylipalkkiepitaksilla (PAMBE) ja suoritamme Monte-Carlo-simulaatioita saadaksemme käsityksen kineettisistä prosesseista kasvun aikana ja ymmärtääksemme diffuusioesteiden vaikutuksen. (1) käsittelemme matalan al-diffuusion ongelmaa alhaisissa lämpötiloissa käyttämällä suuria väärin leikattuja GaN-substraatteja (Ga-polar, N-polar ja puolinapa), (2) sovelletaan erittäin korkeaa typpivirtaa rakenteellisten ominaisuuksien parantamiseksi ja (3) tarkistetaan häiriötiheyden vaikutus ”hunajakennon” rakenteen muodostumismekanismiin. InAlN-kerrokset toteutetaan laiterakenteissa, joita käsitellään ja testataan yhteistyössä TopGaN:n kanssa. (Finnish)
Property / summary: Hankkeessa ehdotetaan uusia reittejä InAlN:n valmistuksen huomattavien vaikeuksien voittamiseksi. Menetelmän löytäminen korkealaatuista InAlN-ristikkoa vastaa GaN (17 % in) on perusta laserdiodeja (LD) ja pystysuora pinta säteilevät laserit (VCSEL). InAlN voisi korvata AlGaN ja poistaa ongelmia ristikko epäsuhta ja parantaa taitto indeksi kontrastia. Kasvamme plasma-avusteisella molekyylipalkkiepitaksilla (PAMBE) ja suoritamme Monte-Carlo-simulaatioita saadaksemme käsityksen kineettisistä prosesseista kasvun aikana ja ymmärtääksemme diffuusioesteiden vaikutuksen. (1) käsittelemme matalan al-diffuusion ongelmaa alhaisissa lämpötiloissa käyttämällä suuria väärin leikattuja GaN-substraatteja (Ga-polar, N-polar ja puolinapa), (2) sovelletaan erittäin korkeaa typpivirtaa rakenteellisten ominaisuuksien parantamiseksi ja (3) tarkistetaan häiriötiheyden vaikutus ”hunajakennon” rakenteen muodostumismekanismiin. InAlN-kerrokset toteutetaan laiterakenteissa, joita käsitellään ja testataan yhteistyössä TopGaN:n kanssa. (Finnish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Hankkeessa ehdotetaan uusia reittejä InAlN:n valmistuksen huomattavien vaikeuksien voittamiseksi. Menetelmän löytäminen korkealaatuista InAlN-ristikkoa vastaa GaN (17 % in) on perusta laserdiodeja (LD) ja pystysuora pinta säteilevät laserit (VCSEL). InAlN voisi korvata AlGaN ja poistaa ongelmia ristikko epäsuhta ja parantaa taitto indeksi kontrastia. Kasvamme plasma-avusteisella molekyylipalkkiepitaksilla (PAMBE) ja suoritamme Monte-Carlo-simulaatioita saadaksemme käsityksen kineettisistä prosesseista kasvun aikana ja ymmärtääksemme diffuusioesteiden vaikutuksen. (1) käsittelemme matalan al-diffuusion ongelmaa alhaisissa lämpötiloissa käyttämällä suuria väärin leikattuja GaN-substraatteja (Ga-polar, N-polar ja puolinapa), (2) sovelletaan erittäin korkeaa typpivirtaa rakenteellisten ominaisuuksien parantamiseksi ja (3) tarkistetaan häiriötiheyden vaikutus ”hunajakennon” rakenteen muodostumismekanismiin. InAlN-kerrokset toteutetaan laiterakenteissa, joita käsitellään ja testataan yhteistyössä TopGaN:n kanssa. (Finnish) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projekt predlaga nove poti za premagovanje znatnih težav pri izdelavi InAlN. Iskanje metode za rast visokokakovostne mreže InAlN, ki se ujema z GaN (17 % In), je bistvenega pomena za laserske diode (LD) in laserje, ki oddajajo navpično površino (VCSEL). InAlN bi lahko nadomestil AlGaN in odpravil težave z neusklajenostjo mrež in izboljšal kontrast lomnega indeksa. Rasli bomo s plazemsko podprto epitaksijo molekularnega žarka (PAMBE) in izvedli simulacije Monte-Carlo, da bi dobili vpogled v kinetične procese med rastjo in razumeli vpliv difuzijskih ovir. (1) bomo obravnavali problem nizke difuzije Al pri nizkih temperaturah z uporabo visoko miscut GaN substratov (Ga-polar, N-polar in polpolar), (2) uporabljati izjemno visok dušikov tok za izboljšanje strukturnih lastnosti in (3) preveriti vpliv dislokacijske gostote na mehanizem „medenega“ oblikovanja strukture. Plasti InAlN se bodo izvajale v strukturah naprav, obdelanih in testiranih v sodelovanju s TopGaN. (Slovenian)
Property / summary: Projekt predlaga nove poti za premagovanje znatnih težav pri izdelavi InAlN. Iskanje metode za rast visokokakovostne mreže InAlN, ki se ujema z GaN (17 % In), je bistvenega pomena za laserske diode (LD) in laserje, ki oddajajo navpično površino (VCSEL). InAlN bi lahko nadomestil AlGaN in odpravil težave z neusklajenostjo mrež in izboljšal kontrast lomnega indeksa. Rasli bomo s plazemsko podprto epitaksijo molekularnega žarka (PAMBE) in izvedli simulacije Monte-Carlo, da bi dobili vpogled v kinetične procese med rastjo in razumeli vpliv difuzijskih ovir. (1) bomo obravnavali problem nizke difuzije Al pri nizkih temperaturah z uporabo visoko miscut GaN substratov (Ga-polar, N-polar in polpolar), (2) uporabljati izjemno visok dušikov tok za izboljšanje strukturnih lastnosti in (3) preveriti vpliv dislokacijske gostote na mehanizem „medenega“ oblikovanja strukture. Plasti InAlN se bodo izvajale v strukturah naprav, obdelanih in testiranih v sodelovanju s TopGaN. (Slovenian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projekt predlaga nove poti za premagovanje znatnih težav pri izdelavi InAlN. Iskanje metode za rast visokokakovostne mreže InAlN, ki se ujema z GaN (17 % In), je bistvenega pomena za laserske diode (LD) in laserje, ki oddajajo navpično površino (VCSEL). InAlN bi lahko nadomestil AlGaN in odpravil težave z neusklajenostjo mrež in izboljšal kontrast lomnega indeksa. Rasli bomo s plazemsko podprto epitaksijo molekularnega žarka (PAMBE) in izvedli simulacije Monte-Carlo, da bi dobili vpogled v kinetične procese med rastjo in razumeli vpliv difuzijskih ovir. (1) bomo obravnavali problem nizke difuzije Al pri nizkih temperaturah z uporabo visoko miscut GaN substratov (Ga-polar, N-polar in polpolar), (2) uporabljati izjemno visok dušikov tok za izboljšanje strukturnih lastnosti in (3) preveriti vpliv dislokacijske gostote na mehanizem „medenega“ oblikovanja strukture. Plasti InAlN se bodo izvajale v strukturah naprav, obdelanih in testiranih v sodelovanju s TopGaN. (Slovenian) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projekt navrhuje nové cesty k překonání značných obtíží při výrobě InAlN. Nalezení metody pro růst vysoce kvalitní mřížky InAlN lattice odpovídající GaN (17 % In) je zásadní pro laserové diody (LD) a vertikální povrchové vyzařující lasery (VCSEL). InAlN by mohl nahradit AlGaN a eliminovat problémy nesouladu mřížky a zlepšit kontrast indexu lomu. Budeme růst plazmatickou epitaxí molekulárního paprsku (PAMBE) a provádět simulace Monte-Carlo, abychom získali vhled do kinetických procesů během růstu a pochopili vliv difúzních bariér. Budeme (1) řešit problém nízké difúze Al při nízkých teplotách pomocí vysoce špatně řezaných substrátů GaN (Ga-polární, N-polární a semipolární), (2) aplikovat extrémně vysoký tok dusíku ke zlepšení konstrukčních vlastností a (3) ověřit dopad dislokační hustoty na mechanismus tvorby struktury „honeycomb“. Vrstvy InAlN budou implementovány do struktur zařízení zpracovaných a testovaných ve spolupráci s TopGaN. (Czech)
Property / summary: Projekt navrhuje nové cesty k překonání značných obtíží při výrobě InAlN. Nalezení metody pro růst vysoce kvalitní mřížky InAlN lattice odpovídající GaN (17 % In) je zásadní pro laserové diody (LD) a vertikální povrchové vyzařující lasery (VCSEL). InAlN by mohl nahradit AlGaN a eliminovat problémy nesouladu mřížky a zlepšit kontrast indexu lomu. Budeme růst plazmatickou epitaxí molekulárního paprsku (PAMBE) a provádět simulace Monte-Carlo, abychom získali vhled do kinetických procesů během růstu a pochopili vliv difúzních bariér. Budeme (1) řešit problém nízké difúze Al při nízkých teplotách pomocí vysoce špatně řezaných substrátů GaN (Ga-polární, N-polární a semipolární), (2) aplikovat extrémně vysoký tok dusíku ke zlepšení konstrukčních vlastností a (3) ověřit dopad dislokační hustoty na mechanismus tvorby struktury „honeycomb“. Vrstvy InAlN budou implementovány do struktur zařízení zpracovaných a testovaných ve spolupráci s TopGaN. (Czech) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projekt navrhuje nové cesty k překonání značných obtíží při výrobě InAlN. Nalezení metody pro růst vysoce kvalitní mřížky InAlN lattice odpovídající GaN (17 % In) je zásadní pro laserové diody (LD) a vertikální povrchové vyzařující lasery (VCSEL). InAlN by mohl nahradit AlGaN a eliminovat problémy nesouladu mřížky a zlepšit kontrast indexu lomu. Budeme růst plazmatickou epitaxí molekulárního paprsku (PAMBE) a provádět simulace Monte-Carlo, abychom získali vhled do kinetických procesů během růstu a pochopili vliv difúzních bariér. Budeme (1) řešit problém nízké difúze Al při nízkých teplotách pomocí vysoce špatně řezaných substrátů GaN (Ga-polární, N-polární a semipolární), (2) aplikovat extrémně vysoký tok dusíku ke zlepšení konstrukčních vlastností a (3) ověřit dopad dislokační hustoty na mechanismus tvorby struktury „honeycomb“. Vrstvy InAlN budou implementovány do struktur zařízení zpracovaných a testovaných ve spolupráci s TopGaN. (Czech) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projekte siūlomi nauji keliai, kaip įveikti didelius InAlN gamybos sunkumus. Aukštos kokybės InAlN grotelės, atitinkančios GaN (17 % in), auginimo metodas yra labai svarbus lazeriniams diodams (LD) ir vertikaliems paviršiams spinduliuojantiems lazeriams (VCSEL). InAlN galėtų pakeisti AlGaN ir pašalinti grotelių neatitikimo problemas ir pagerinti lūžio indekso kontrastą. Augsime plazmos padedamų molekulinių spindulių epitaksija (PAMBE) ir atliksime Monte-Carlo simuliacijas, kad gautume įžvalgą apie kinetinius procesus augimo metu ir suprastume difuzijos barjerų įtaką. Mes (1) spręsime mažos Al difuzijos problemą esant žemai temperatūrai, naudojant didelio išpjauto GaN substratus (Ga-polar, N-polar ir semipolar), (2) taikyti itin didelį azoto srautą, kad pagerėtų struktūrinės savybės ir 3) patikrinti dislokacijos tankio poveikį „honeycomb“ struktūros formavimo mechanizmui. InAlN sluoksniai bus įdiegti įrenginių struktūrose, apdorotose ir išbandytose bendradarbiaujant su „TopGaN“. (Lithuanian)
Property / summary: Projekte siūlomi nauji keliai, kaip įveikti didelius InAlN gamybos sunkumus. Aukštos kokybės InAlN grotelės, atitinkančios GaN (17 % in), auginimo metodas yra labai svarbus lazeriniams diodams (LD) ir vertikaliems paviršiams spinduliuojantiems lazeriams (VCSEL). InAlN galėtų pakeisti AlGaN ir pašalinti grotelių neatitikimo problemas ir pagerinti lūžio indekso kontrastą. Augsime plazmos padedamų molekulinių spindulių epitaksija (PAMBE) ir atliksime Monte-Carlo simuliacijas, kad gautume įžvalgą apie kinetinius procesus augimo metu ir suprastume difuzijos barjerų įtaką. Mes (1) spręsime mažos Al difuzijos problemą esant žemai temperatūrai, naudojant didelio išpjauto GaN substratus (Ga-polar, N-polar ir semipolar), (2) taikyti itin didelį azoto srautą, kad pagerėtų struktūrinės savybės ir 3) patikrinti dislokacijos tankio poveikį „honeycomb“ struktūros formavimo mechanizmui. InAlN sluoksniai bus įdiegti įrenginių struktūrose, apdorotose ir išbandytose bendradarbiaujant su „TopGaN“. (Lithuanian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projekte siūlomi nauji keliai, kaip įveikti didelius InAlN gamybos sunkumus. Aukštos kokybės InAlN grotelės, atitinkančios GaN (17 % in), auginimo metodas yra labai svarbus lazeriniams diodams (LD) ir vertikaliems paviršiams spinduliuojantiems lazeriams (VCSEL). InAlN galėtų pakeisti AlGaN ir pašalinti grotelių neatitikimo problemas ir pagerinti lūžio indekso kontrastą. Augsime plazmos padedamų molekulinių spindulių epitaksija (PAMBE) ir atliksime Monte-Carlo simuliacijas, kad gautume įžvalgą apie kinetinius procesus augimo metu ir suprastume difuzijos barjerų įtaką. Mes (1) spręsime mažos Al difuzijos problemą esant žemai temperatūrai, naudojant didelio išpjauto GaN substratus (Ga-polar, N-polar ir semipolar), (2) taikyti itin didelį azoto srautą, kad pagerėtų struktūrinės savybės ir 3) patikrinti dislokacijos tankio poveikį „honeycomb“ struktūros formavimo mechanizmui. InAlN sluoksniai bus įdiegti įrenginių struktūrose, apdorotose ir išbandytose bendradarbiaujant su „TopGaN“. (Lithuanian) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projekts piedāvā jaunus maršrutus, lai pārvarētu būtiskas grūtības InAlN ražošanā. Atrast metodi, lai audzētu augstas kvalitātes InAlN režģa, kas atbilst GaN (17 % In) ir būtiska lāzera diodes (LD) un vertikālās virsmas izstarojošiem lāzeriem (VCSEL). InAlN varētu aizstāt AlGaN un novērst problēmas režģu nesakritību un uzlabot refrakcijas indeksu kontrastu. Mēs augsim ar plazmas atbalstīto molekulāro staru epitaksiju (PAMBE) un veiksim Monte-Carlo simulācijas, lai gūtu priekšstatu par kinētiskajiem procesiem augšanas laikā un izprastu difūzijas barjeru ietekmi. Mēs 1) risināt zemas Al difūzijas problēmu zemās temperatūrās, izmantojot augstas miscut GaN substrātus (Ga-polāru, N-polāru un semipolāru), 2) piemērot ļoti augstu slāpekļa plūsmu, lai uzlabotu strukturālās īpašības, un (3) pārbaudīt dislokācijas blīvuma ietekmi uz “honeycomb” struktūras veidošanās mehānismu. InAlN slāņi tiks ieviesti ierīču struktūrās, kas apstrādātas un pārbaudītas sadarbībā ar TopGaN. (Latvian)
Property / summary: Projekts piedāvā jaunus maršrutus, lai pārvarētu būtiskas grūtības InAlN ražošanā. Atrast metodi, lai audzētu augstas kvalitātes InAlN režģa, kas atbilst GaN (17 % In) ir būtiska lāzera diodes (LD) un vertikālās virsmas izstarojošiem lāzeriem (VCSEL). InAlN varētu aizstāt AlGaN un novērst problēmas režģu nesakritību un uzlabot refrakcijas indeksu kontrastu. Mēs augsim ar plazmas atbalstīto molekulāro staru epitaksiju (PAMBE) un veiksim Monte-Carlo simulācijas, lai gūtu priekšstatu par kinētiskajiem procesiem augšanas laikā un izprastu difūzijas barjeru ietekmi. Mēs 1) risināt zemas Al difūzijas problēmu zemās temperatūrās, izmantojot augstas miscut GaN substrātus (Ga-polāru, N-polāru un semipolāru), 2) piemērot ļoti augstu slāpekļa plūsmu, lai uzlabotu strukturālās īpašības, un (3) pārbaudīt dislokācijas blīvuma ietekmi uz “honeycomb” struktūras veidošanās mehānismu. InAlN slāņi tiks ieviesti ierīču struktūrās, kas apstrādātas un pārbaudītas sadarbībā ar TopGaN. (Latvian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projekts piedāvā jaunus maršrutus, lai pārvarētu būtiskas grūtības InAlN ražošanā. Atrast metodi, lai audzētu augstas kvalitātes InAlN režģa, kas atbilst GaN (17 % In) ir būtiska lāzera diodes (LD) un vertikālās virsmas izstarojošiem lāzeriem (VCSEL). InAlN varētu aizstāt AlGaN un novērst problēmas režģu nesakritību un uzlabot refrakcijas indeksu kontrastu. Mēs augsim ar plazmas atbalstīto molekulāro staru epitaksiju (PAMBE) un veiksim Monte-Carlo simulācijas, lai gūtu priekšstatu par kinētiskajiem procesiem augšanas laikā un izprastu difūzijas barjeru ietekmi. Mēs 1) risināt zemas Al difūzijas problēmu zemās temperatūrās, izmantojot augstas miscut GaN substrātus (Ga-polāru, N-polāru un semipolāru), 2) piemērot ļoti augstu slāpekļa plūsmu, lai uzlabotu strukturālās īpašības, un (3) pārbaudīt dislokācijas blīvuma ietekmi uz “honeycomb” struktūras veidošanās mehānismu. InAlN slāņi tiks ieviesti ierīču struktūrās, kas apstrādātas un pārbaudītas sadarbībā ar TopGaN. (Latvian) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Проектът предлага нови маршрути за преодоляване на значителни трудности при производството на InAlN. Намирането на метод за отглеждане на висококачествена решетка InAlN, съответстваща на GaN (17 % In), е от основно значение за лазерните диоди (LDs) и вертикалните повърхностни излъчващи лазери (VCSEL). InAlN може да замени AlGaN и да премахне проблемите с несъответствието на решетката и да подобри контраста на индекса на пречупване. Ние ще растем чрез плазмена молекулярна епитаксия (PAMBE) и ще извършваме симулации Монте Карло, за да получим представа за кинетичните процеси по време на растежа и да разберем влиянието на дифузионните бариери. Ще разгледаме проблема с ниската дифузия на Ал при ниски температури, като използваме високо разрязани GaN субстрати (Ga-полярни, N-полярни и полуполярни), (2) прилагаме изключително висок азотен поток за подобряване на структурните свойства и (3) проверяваме въздействието на плътността на дислокация върху механизма на образуване на структура на „медена пита“. Слоевете InAlN ще бъдат внедрени в структури от устройства, обработени и тествани в сътрудничество с TopGaN. (Bulgarian)
Property / summary: Проектът предлага нови маршрути за преодоляване на значителни трудности при производството на InAlN. Намирането на метод за отглеждане на висококачествена решетка InAlN, съответстваща на GaN (17 % In), е от основно значение за лазерните диоди (LDs) и вертикалните повърхностни излъчващи лазери (VCSEL). InAlN може да замени AlGaN и да премахне проблемите с несъответствието на решетката и да подобри контраста на индекса на пречупване. Ние ще растем чрез плазмена молекулярна епитаксия (PAMBE) и ще извършваме симулации Монте Карло, за да получим представа за кинетичните процеси по време на растежа и да разберем влиянието на дифузионните бариери. Ще разгледаме проблема с ниската дифузия на Ал при ниски температури, като използваме високо разрязани GaN субстрати (Ga-полярни, N-полярни и полуполярни), (2) прилагаме изключително висок азотен поток за подобряване на структурните свойства и (3) проверяваме въздействието на плътността на дислокация върху механизма на образуване на структура на „медена пита“. Слоевете InAlN ще бъдат внедрени в структури от устройства, обработени и тествани в сътрудничество с TopGaN. (Bulgarian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Проектът предлага нови маршрути за преодоляване на значителни трудности при производството на InAlN. Намирането на метод за отглеждане на висококачествена решетка InAlN, съответстваща на GaN (17 % In), е от основно значение за лазерните диоди (LDs) и вертикалните повърхностни излъчващи лазери (VCSEL). InAlN може да замени AlGaN и да премахне проблемите с несъответствието на решетката и да подобри контраста на индекса на пречупване. Ние ще растем чрез плазмена молекулярна епитаксия (PAMBE) и ще извършваме симулации Монте Карло, за да получим представа за кинетичните процеси по време на растежа и да разберем влиянието на дифузионните бариери. Ще разгледаме проблема с ниската дифузия на Ал при ниски температури, като използваме високо разрязани GaN субстрати (Ga-полярни, N-полярни и полуполярни), (2) прилагаме изключително висок азотен поток за подобряване на структурните свойства и (3) проверяваме въздействието на плътността на дислокация върху механизма на образуване на структура на „медена пита“. Слоевете InAlN ще бъдат внедрени в структури от устройства, обработени и тествани в сътрудничество с TopGaN. (Bulgarian) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
A projekt új utakat javasol az InAlN gyártási nehézségeinek leküzdésére. A magas minőségű InAlN rácshoz illeszkedő módszer megtalálása a GaN-hez (17% In) alapvető fontosságú a lézerdiódák (LD-k) és a függőleges felületkibocsátó lézerek (VCSEL) esetében. Az InAlN helyettesítheti az AlGaN-t, és megszüntetheti a rácshiány problémáit, és javíthatja a törésmutató-kontrasztot. A plazma által támogatott molekuláris gerenda epitaxiával (PAMBE) fogunk növekedni, és Monte-Carlo szimulációkat végzünk, hogy betekintést nyerjünk a kinetikus folyamatokba a növekedés során, és megértsük a diffúziós gátak hatását. (1) kezeljük az alacsony Al-diffúzió problémáját alacsony hőmérsékleten magas rosszul vágott GaN szubsztrátokkal (Ga-poláris, N-poláris és félpólusú), (2) rendkívül magas nitrogénáramot alkalmazunk a szerkezeti tulajdonságok javítására, és (3) ellenőrizzük a diszlokáció sűrűségének hatását a „honeycomb” szerkezetképződés mechanizmusára. Az InAlN rétegek a TopGaN-nal együttműködve feldolgozott és tesztelt eszközszerkezetekben kerülnek bevezetésre. (Hungarian)
Property / summary: A projekt új utakat javasol az InAlN gyártási nehézségeinek leküzdésére. A magas minőségű InAlN rácshoz illeszkedő módszer megtalálása a GaN-hez (17% In) alapvető fontosságú a lézerdiódák (LD-k) és a függőleges felületkibocsátó lézerek (VCSEL) esetében. Az InAlN helyettesítheti az AlGaN-t, és megszüntetheti a rácshiány problémáit, és javíthatja a törésmutató-kontrasztot. A plazma által támogatott molekuláris gerenda epitaxiával (PAMBE) fogunk növekedni, és Monte-Carlo szimulációkat végzünk, hogy betekintést nyerjünk a kinetikus folyamatokba a növekedés során, és megértsük a diffúziós gátak hatását. (1) kezeljük az alacsony Al-diffúzió problémáját alacsony hőmérsékleten magas rosszul vágott GaN szubsztrátokkal (Ga-poláris, N-poláris és félpólusú), (2) rendkívül magas nitrogénáramot alkalmazunk a szerkezeti tulajdonságok javítására, és (3) ellenőrizzük a diszlokáció sűrűségének hatását a „honeycomb” szerkezetképződés mechanizmusára. Az InAlN rétegek a TopGaN-nal együttműködve feldolgozott és tesztelt eszközszerkezetekben kerülnek bevezetésre. (Hungarian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: A projekt új utakat javasol az InAlN gyártási nehézségeinek leküzdésére. A magas minőségű InAlN rácshoz illeszkedő módszer megtalálása a GaN-hez (17% In) alapvető fontosságú a lézerdiódák (LD-k) és a függőleges felületkibocsátó lézerek (VCSEL) esetében. Az InAlN helyettesítheti az AlGaN-t, és megszüntetheti a rácshiány problémáit, és javíthatja a törésmutató-kontrasztot. A plazma által támogatott molekuláris gerenda epitaxiával (PAMBE) fogunk növekedni, és Monte-Carlo szimulációkat végzünk, hogy betekintést nyerjünk a kinetikus folyamatokba a növekedés során, és megértsük a diffúziós gátak hatását. (1) kezeljük az alacsony Al-diffúzió problémáját alacsony hőmérsékleten magas rosszul vágott GaN szubsztrátokkal (Ga-poláris, N-poláris és félpólusú), (2) rendkívül magas nitrogénáramot alkalmazunk a szerkezeti tulajdonságok javítására, és (3) ellenőrizzük a diszlokáció sűrűségének hatását a „honeycomb” szerkezetképződés mechanizmusára. Az InAlN rétegek a TopGaN-nal együttműködve feldolgozott és tesztelt eszközszerkezetekben kerülnek bevezetésre. (Hungarian) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Molann an tionscadal bealaí nua chun deacrachtaí suntasacha i monarú InAlN a shárú. Tá sé ríthábhachtach modh a aimsiú chun ardchaighdeán a fhás InAlN lattice-matched go GaN (17 % In) le haghaidh dé-óidí léasair (LDanna) agus léasair astaithe dromchla ingearach (VCSELs). D’fhéadfadh InAlN ionad AlGaN agus deireadh a chur le fadhbanna neamhréir laitíse agus codarsnacht innéacs athraonta a fheabhsú. Fásfaimid le epitaxy bhíoma mhóilíneach le cúnamh plasma (PAMBE) agus déanfaimid insamhaltaí Monte-Carlo chun léargas a fháil ar phróisis chinéiteacha le linn an fháis agus tuiscint a fháil ar thionchar na mbacainní idirleata. Déanfaimid (1) aghaidh a thabhairt ar an bhfadhb a bhaineann le scaipeadh íseal Al ag teochtaí ísle ag baint úsáide as foshraitheanna ard-mhíolacha GaN (Ga-polar, N-polar agus semipolar), (2) a chur i bhfeidhm flosc nítrigine an-ard chun airíonna struchtúracha a fheabhsú agus (3) tionchar dlús díláithrithe a fhíorú ar mheicníocht fhoirmiú struchtúr “honeycomb”. Cuirfear na sraitheanna InAlN i bhfeidhm i struchtúir feistí a phróiseáil agus a thástáil i gcomhar le TopGaN. (Irish)
Property / summary: Molann an tionscadal bealaí nua chun deacrachtaí suntasacha i monarú InAlN a shárú. Tá sé ríthábhachtach modh a aimsiú chun ardchaighdeán a fhás InAlN lattice-matched go GaN (17 % In) le haghaidh dé-óidí léasair (LDanna) agus léasair astaithe dromchla ingearach (VCSELs). D’fhéadfadh InAlN ionad AlGaN agus deireadh a chur le fadhbanna neamhréir laitíse agus codarsnacht innéacs athraonta a fheabhsú. Fásfaimid le epitaxy bhíoma mhóilíneach le cúnamh plasma (PAMBE) agus déanfaimid insamhaltaí Monte-Carlo chun léargas a fháil ar phróisis chinéiteacha le linn an fháis agus tuiscint a fháil ar thionchar na mbacainní idirleata. Déanfaimid (1) aghaidh a thabhairt ar an bhfadhb a bhaineann le scaipeadh íseal Al ag teochtaí ísle ag baint úsáide as foshraitheanna ard-mhíolacha GaN (Ga-polar, N-polar agus semipolar), (2) a chur i bhfeidhm flosc nítrigine an-ard chun airíonna struchtúracha a fheabhsú agus (3) tionchar dlús díláithrithe a fhíorú ar mheicníocht fhoirmiú struchtúr “honeycomb”. Cuirfear na sraitheanna InAlN i bhfeidhm i struchtúir feistí a phróiseáil agus a thástáil i gcomhar le TopGaN. (Irish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Molann an tionscadal bealaí nua chun deacrachtaí suntasacha i monarú InAlN a shárú. Tá sé ríthábhachtach modh a aimsiú chun ardchaighdeán a fhás InAlN lattice-matched go GaN (17 % In) le haghaidh dé-óidí léasair (LDanna) agus léasair astaithe dromchla ingearach (VCSELs). D’fhéadfadh InAlN ionad AlGaN agus deireadh a chur le fadhbanna neamhréir laitíse agus codarsnacht innéacs athraonta a fheabhsú. Fásfaimid le epitaxy bhíoma mhóilíneach le cúnamh plasma (PAMBE) agus déanfaimid insamhaltaí Monte-Carlo chun léargas a fháil ar phróisis chinéiteacha le linn an fháis agus tuiscint a fháil ar thionchar na mbacainní idirleata. Déanfaimid (1) aghaidh a thabhairt ar an bhfadhb a bhaineann le scaipeadh íseal Al ag teochtaí ísle ag baint úsáide as foshraitheanna ard-mhíolacha GaN (Ga-polar, N-polar agus semipolar), (2) a chur i bhfeidhm flosc nítrigine an-ard chun airíonna struchtúracha a fheabhsú agus (3) tionchar dlús díláithrithe a fhíorú ar mheicníocht fhoirmiú struchtúr “honeycomb”. Cuirfear na sraitheanna InAlN i bhfeidhm i struchtúir feistí a phróiseáil agus a thástáil i gcomhar le TopGaN. (Irish) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projektet föreslår nya vägar för att övervinna stora svårigheter vid tillverkning av InAlN. Att hitta en metod för att växa hög kvalitet InAlN-gitter-matchad med GaN (17 % In) är grundläggande för laserdioder (LDs) och vertikala ytemitterande lasrar (VCSELs). InAlN skulle kunna ersätta AlGaN och eliminera problem med gittermissmatchning och förbättra brytningsindexkontrast. Vi kommer att växa med plasmaassisterad molekylär stråle epitaxi (PAMBE) och utföra Monte-Carlo simuleringar för att få en inblick i kinetiska processer under tillväxten och förstå påverkan av diffusionsbarriärer. Vi kommer (1) att ta itu med problemet med låg Al diffusion vid låga temperaturer med hjälp av höga felskurna GaN-substrat (Ga-polära, N-polära och semipolära), (2) tillämpa extremt högt kväveflöde för att förbättra strukturella egenskaper och (3) verifiera effekten av dislokationstäthet på mekanismen för ”honeycomb” strukturbildning. InAlN-skikten kommer att implementeras i enhetsstrukturer som bearbetas och testas i samarbete med TopGaN. (Swedish)
Property / summary: Projektet föreslår nya vägar för att övervinna stora svårigheter vid tillverkning av InAlN. Att hitta en metod för att växa hög kvalitet InAlN-gitter-matchad med GaN (17 % In) är grundläggande för laserdioder (LDs) och vertikala ytemitterande lasrar (VCSELs). InAlN skulle kunna ersätta AlGaN och eliminera problem med gittermissmatchning och förbättra brytningsindexkontrast. Vi kommer att växa med plasmaassisterad molekylär stråle epitaxi (PAMBE) och utföra Monte-Carlo simuleringar för att få en inblick i kinetiska processer under tillväxten och förstå påverkan av diffusionsbarriärer. Vi kommer (1) att ta itu med problemet med låg Al diffusion vid låga temperaturer med hjälp av höga felskurna GaN-substrat (Ga-polära, N-polära och semipolära), (2) tillämpa extremt högt kväveflöde för att förbättra strukturella egenskaper och (3) verifiera effekten av dislokationstäthet på mekanismen för ”honeycomb” strukturbildning. InAlN-skikten kommer att implementeras i enhetsstrukturer som bearbetas och testas i samarbete med TopGaN. (Swedish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projektet föreslår nya vägar för att övervinna stora svårigheter vid tillverkning av InAlN. Att hitta en metod för att växa hög kvalitet InAlN-gitter-matchad med GaN (17 % In) är grundläggande för laserdioder (LDs) och vertikala ytemitterande lasrar (VCSELs). InAlN skulle kunna ersätta AlGaN och eliminera problem med gittermissmatchning och förbättra brytningsindexkontrast. Vi kommer att växa med plasmaassisterad molekylär stråle epitaxi (PAMBE) och utföra Monte-Carlo simuleringar för att få en inblick i kinetiska processer under tillväxten och förstå påverkan av diffusionsbarriärer. Vi kommer (1) att ta itu med problemet med låg Al diffusion vid låga temperaturer med hjälp av höga felskurna GaN-substrat (Ga-polära, N-polära och semipolära), (2) tillämpa extremt högt kväveflöde för att förbättra strukturella egenskaper och (3) verifiera effekten av dislokationstäthet på mekanismen för ”honeycomb” strukturbildning. InAlN-skikten kommer att implementeras i enhetsstrukturer som bearbetas och testas i samarbete med TopGaN. (Swedish) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projektis pakutakse välja uusi teid, et ületada olulised raskused InAlNi tootmisel. Meetodi leidmine, kuidas kasvatada kvaliteetset InAlN võret – sobitatud GaN-iga (17 % In) on oluline laserdioodide (LD) ja vertikaalsete pindade kiirgavate laserite (VCSEL) jaoks. InAlN võiks asendada AlGaN ja kõrvaldada probleemid võre ebakõla ja parandada murdumisnäitaja kontrasti. Me kasvame plasma abil molekulaarkiire epitaksia (PAMBE) abil ja teostame Monte-Carlo simulatsioone, et saada ülevaade kineetilistest protsessidest kasvu ajal ja mõista difusioonibarjääride mõju. Me (1) käsitleme madala Al difusiooni probleemi madalatel temperatuuridel, kasutades kõrge valesti lõigatud GaN substraate (Ga-polaarne, N-polaarne ja semipolaarne), 2) rakendame äärmiselt suurt lämmastikuvoogu, et parandada struktuuriomadusi ja (3) kontrollida dislokatsioonitiheduse mõju „meekombi“ struktuuri moodustumise mehhanismile. InAlN-i kihid rakendatakse seadmestruktuurides, mida töödeldakse ja katsetatakse koostöös TopGaN-iga. (Estonian)
Property / summary: Projektis pakutakse välja uusi teid, et ületada olulised raskused InAlNi tootmisel. Meetodi leidmine, kuidas kasvatada kvaliteetset InAlN võret – sobitatud GaN-iga (17 % In) on oluline laserdioodide (LD) ja vertikaalsete pindade kiirgavate laserite (VCSEL) jaoks. InAlN võiks asendada AlGaN ja kõrvaldada probleemid võre ebakõla ja parandada murdumisnäitaja kontrasti. Me kasvame plasma abil molekulaarkiire epitaksia (PAMBE) abil ja teostame Monte-Carlo simulatsioone, et saada ülevaade kineetilistest protsessidest kasvu ajal ja mõista difusioonibarjääride mõju. Me (1) käsitleme madala Al difusiooni probleemi madalatel temperatuuridel, kasutades kõrge valesti lõigatud GaN substraate (Ga-polaarne, N-polaarne ja semipolaarne), 2) rakendame äärmiselt suurt lämmastikuvoogu, et parandada struktuuriomadusi ja (3) kontrollida dislokatsioonitiheduse mõju „meekombi“ struktuuri moodustumise mehhanismile. InAlN-i kihid rakendatakse seadmestruktuurides, mida töödeldakse ja katsetatakse koostöös TopGaN-iga. (Estonian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projektis pakutakse välja uusi teid, et ületada olulised raskused InAlNi tootmisel. Meetodi leidmine, kuidas kasvatada kvaliteetset InAlN võret – sobitatud GaN-iga (17 % In) on oluline laserdioodide (LD) ja vertikaalsete pindade kiirgavate laserite (VCSEL) jaoks. InAlN võiks asendada AlGaN ja kõrvaldada probleemid võre ebakõla ja parandada murdumisnäitaja kontrasti. Me kasvame plasma abil molekulaarkiire epitaksia (PAMBE) abil ja teostame Monte-Carlo simulatsioone, et saada ülevaade kineetilistest protsessidest kasvu ajal ja mõista difusioonibarjääride mõju. Me (1) käsitleme madala Al difusiooni probleemi madalatel temperatuuridel, kasutades kõrge valesti lõigatud GaN substraate (Ga-polaarne, N-polaarne ja semipolaarne), 2) rakendame äärmiselt suurt lämmastikuvoogu, et parandada struktuuriomadusi ja (3) kontrollida dislokatsioonitiheduse mõju „meekombi“ struktuuri moodustumise mehhanismile. InAlN-i kihid rakendatakse seadmestruktuurides, mida töödeldakse ja katsetatakse koostöös TopGaN-iga. (Estonian) / qualifier
 
point in time: 26 July 2022
Timestamp+2022-07-26T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / location (string)
 
Cały Kraj
Property / location (string): Cały Kraj / rank
 
Normal rank
Property / priority axis
 
Property / priority axis: INCREASING RESEARCH CAPACITY / rank
 
Normal rank
Property / co-financing rate
 
100.0 percent
Amount100.0 percent
Unitpercent
Property / co-financing rate: 100.0 percent / rank
 
Normal rank
Property / coordinate location
 
54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E
Latitude54.4131161
Longitude18.5347373
Precision1.0E-5
Globehttp://www.wikidata.org/entity/Q2
Property / coordinate location: 54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E / rank
 
Normal rank
Property / coordinate location: 54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E / qualifier
 
Property / contained in NUTS
 
Property / contained in NUTS: Trójmiejski / rank
 
Normal rank
Property / thematic objective
 
Property / thematic objective: Research and innovation / rank
 
Normal rank
Property / end time
 
30 November 2021
Timestamp+2021-11-30T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / end time: 30 November 2021 / rank
 
Normal rank
Property / date of last update
 
6 July 2023
Timestamp+2023-07-06T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / date of last update: 6 July 2023 / rank
 
Normal rank

Latest revision as of 06:18, 13 October 2024

Project Q84318 in Poland
Language Label Description Also known as
English
Development of high quality InAlN – the road to strain-free Nitride lasers
Project Q84318 in Poland

    Statements

    country
    Poland
    0 references
    EU contribution
    798,600.0 zloty
    0 references
    177,528.78 Euro
    exchange rate to Euro
    0.24 Euro
    point in time
    13 January 2020
    0 references
    budget
    798,600.0 zloty
    0 references
    177,528.78 Euro
    exchange rate to Euro
    0.24 Euro
    point in time
    13 January 2020
    0 references
    co-financing rate
    100.0 percent
    0 references
    start time
    1 May 2018
    0 references
    end time
    30 November 2021
    0 references
    beneficiary name (string)
    INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
    0 references
    beneficiary
    Q2513832
    0 references
    coordinate location

    54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E
    inferred from
    location
    0 references
    summary
    The project proposes new routes to overcome substantial difficulties in fabrication of InAlN. Finding a method to grow high quality InAlN lattice-matched to GaN (17% In) is fundamental for laser diodes (LDs) and vertical surface emitting lasers (VCSELs). InAlN could replace AlGaN and eliminate problems of lattice mismatch and improve refractive index contrast. We will grow by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and perform Monte-Carlo simulations to get an insight to kinetic processes during the growth and understand the influence of the diffusion barriers. We will (1) address the problem of low Al diffusion at low temperatures using high miscut GaN substrates (Ga-polar, N-polar and semipolar), (2) apply extremely high nitrogen flux to improve structural properties and (3) verify the impact of dislocation density on the mechanism of “honeycomb” structure formation. The InAlN layers will be implemented in device structures processed and tested in collaboration with TopGaN. (Polish)
    0 references
    The project Proposes new routes to overcome substantial difficulties in fabrication of InAlN. Finding a method to grow high quality InAlN lattice-matched to GaN (17 % In) is fundamental for laser diodes (LDs) and vertical surface emitting lasers (VCSELs). InAlN could replace AlGaN and eliminate problems of lattice mismatch and improve refractive index contrast. We will grow by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and perform Monte-Carlo simulations to get an insight to kinetic processes during the growth and understand the influence of the diffusion barriers. We will (1) address the problem of low Al diffusion at low temperatures using high miscut GaN substrates (Ga-polar, N-polar and semipolar), (2) apply extremely high nitrogen flux to improve structural properties and (3) verify the impact of dislocation density on the mechanism of “honeycomb” structure formation. The InAlN layers will be implemented in device structures processed and tested in collaboration with TopGaN. (English)
    point in time
    14 October 2020
    readability score
    0.4874470084455069
    0 references
    Le projet propose de nouvelles voies pour surmonter des difficultés importantes dans la fabrication d’InAlN. Trouver une méthode pour cultiver un treillis InAlN de haute qualité — assorti à GaN (17 % In) est fondamental pour les diodes laser (LDs) et les lasers émettant des surfaces verticales (VCSEL). InAlN pourrait remplacer AlGaN et éliminer les problèmes d’inadéquation des réseaux et améliorer le contraste de l’indice de réfraction. Nous allons croître par l’épitaxie de faisceau moléculaire assisté par plasma (PAMBE) et effectuer des simulations Monte-Carlo pour obtenir un aperçu des processus cinétiques pendant la croissance et comprendre l’influence des barrières de diffusion. Nous allons (1) aborder le problème de la faible diffusion d’Al à basse température en utilisant des substrats de GaN mal coupés élevés (Ga-polar, N-polaire et semipolaire), (2) appliquer un flux d’azote extrêmement élevé pour améliorer les propriétés structurelles et (3) vérifier l’impact de la densité de dislocation sur le mécanisme de formation de la structure «combin d’abeilles». Les couches InAlN seront implémentées dans des structures d’appareils traitées et testées en collaboration avec TopGaN. (French)
    point in time
    30 November 2021
    0 references
    Das Projekt schlägt neue Wege vor, um erhebliche Schwierigkeiten bei der Herstellung von InAlN zu überwinden. Für Laserdioden (LDs) und vertikale Oberflächenemissionslaser (VCSELs) ist eine Methode zu finden, mit der hochwertige InAlN-Gitter auf GaN (17 % In) wachsen können. InAlN könnte AlGaN ersetzen und Probleme des Gitterabgleichs beseitigen und den Brechungsindexkontrast verbessern. Wir werden durch Plasma-unterstützte molekulare Strahleptaxie (PAMBE) wachsen und Monte-Carlo-Simulationen durchführen, um einen Einblick in kinetische Prozesse während des Wachstums zu erhalten und den Einfluss der Diffusionsbarrieren zu verstehen. Wir werden (1) das Problem der niedrigen Al-Diffusion bei niedrigen Temperaturen mit hochfehlgeschnittenen GaN-Substraten (Ga-polar, N-polar und semipolar) angehen, (2) einen extrem hohen Stickstofffluss anwenden, um die strukturellen Eigenschaften zu verbessern und (3) den Einfluss der Dislokationsdichte auf den Mechanismus der „Honeycomb“-Strukturbildung zu überprüfen. Die InAlN-Layer werden in Gerätestrukturen implementiert, die in Zusammenarbeit mit TopGaN verarbeitet und getestet werden. (German)
    point in time
    7 December 2021
    0 references
    Het project stelt nieuwe routes voor om aanzienlijke moeilijkheden bij de fabricage van InAlN te overwinnen. Het vinden van een methode voor het kweken van hoge kwaliteit InAlN rooster-gelijk aan GaN (17 % In) is fundamenteel voor laserdioden (LD’s) en verticale oppervlakte-uitstralende lasers (VCSELs). InAlN kan AlGaN vervangen en problemen van roostermismatch elimineren en het contrast van de brekingsindex verbeteren. We zullen groeien door plasma-ondersteunde moleculaire straal epitaxie (PAMBE) en Monte-Carlo simulaties uitvoeren om inzicht te krijgen in kinetische processen tijdens de groei en inzicht te krijgen in de invloed van de diffusiebarrières. We zullen (1) het probleem van lage al-verspreiding bij lage temperaturen aanpakken met behulp van hoge miscut GaN-substraten (Ga-polaire, N-polaire en semipolaire), (2) extreem hoge stikstofflux toepassen om structurele eigenschappen te verbeteren en (3) het effect van dislocatiedichtheid op het mechanisme van de vorming van „honeycomb”-structuur controleren. De InAlN-lagen worden geïmplementeerd in apparaatstructuren die in samenwerking met TopGaN worden verwerkt en getest. (Dutch)
    point in time
    16 December 2021
    0 references
    Il progetto propone nuovi percorsi per superare notevoli difficoltà di fabbricazione di InAlN. Trovare un metodo per coltivare reticoli InAlN di alta qualità abbinati a GaN (17 % In) è fondamentale per i diodi laser (LD) e per i laser a emissione di superfici verticali (VCSEL). InAlN potrebbe sostituire AlGaN ed eliminare i problemi di disallineamento reticolare e migliorare il contrasto dell'indice di rifrazione. Cresceremo con l'epitassia del fascio molecolare assistito al plasma (PAMBE) ed eseguiremo simulazioni Monte-Carlo per ottenere una visione dei processi cinetici durante la crescita e comprendere l'influenza delle barriere di diffusione. (1) affronteremo il problema della bassa diffusione Al a basse temperature utilizzando substrati GaN ad alta miscut (Ga-polare, N-polare e semipolare), (2) applicare un flusso di azoto estremamente elevato per migliorare le proprietà strutturali e (3) verificare l'impatto della densità di dislocazione sul meccanismo della formazione della struttura a nido d'ape. Gli strati InAlN saranno implementati in strutture di dispositivi elaborate e testate in collaborazione con TopGaN. (Italian)
    point in time
    16 January 2022
    0 references
    El proyecto propone nuevas rutas para superar dificultades sustanciales en la fabricación de InAlN. Encontrar un método para crecer de alta calidad InAlN enrejado a GaN (17 % In) es fundamental para los diodos láser (LDs) y los láseres emisores de superficie vertical (VCSEL). InAlN podría reemplazar AlGaN y eliminar problemas de desajuste de la red y mejorar el contraste del índice de refracción. Creceremos mediante epitaxía de haz molecular asistida por plasma (PAMBE) y realizaremos simulaciones Monte-Carlo para obtener una visión de los procesos cinéticos durante el crecimiento y comprender la influencia de las barreras de difusión. (1) abordaremos el problema de la baja difusión de Al a bajas temperaturas utilizando sustratos GaN de corte alto (Ga-polar, N-polar y semipolar), (2) aplicar un flujo de nitrógeno extremadamente alto para mejorar las propiedades estructurales y (3) verificar el impacto de la densidad de dislocación en el mecanismo de formación de la estructura del «coma de miel». Las capas de InAlN se implementarán en estructuras de dispositivos procesadas y probadas en colaboración con TopGaN. (Spanish)
    point in time
    19 January 2022
    0 references
    Projektet foreslår nye ruter for at overvinde betydelige vanskeligheder i forbindelse med fremstillingen af InAlN. At finde en metode til at vokse høj kvalitet InAlN gitter-matchet til GaN (17 % In) er grundlæggende for laserdioder (LD'er) og lodret overflade udsender lasere (VCSEL'er). InAlN kunne erstatte AlGaN og eliminere problemer med gitter mismatch og forbedre brydning indeks kontrast. Vi vil vokse med plasma-assisteret molekylær stråle epitaxi (PAMBE) og udføre Monte-Carlo simuleringer for at få et indblik i kinetiske processer under væksten og forstå indflydelsen af diffusionsbarriererne. Vi vil (1) løse problemet med lav Al diffusion ved lave temperaturer ved hjælp af høj miscut GaN substrater (Ga-polar, N-polar og semipolar), (2) anvende ekstremt høj kvælstofflux for at forbedre strukturelle egenskaber og (3) kontrollere virkningen af dislokationstæthed på mekanismen af "honeycomb" struktur dannelse. InAlN-lagene implementeres i enhedsstrukturer, der behandles og testes i samarbejde med TopGaN. (Danish)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Το έργο προτείνει νέες διαδρομές για να ξεπεραστούν σημαντικές δυσκολίες στην κατασκευή του InAlN. Η εύρεση μιας μεθόδου για την ανάπτυξη υψηλής ποιότητας InAlN πλέγμα-ταίριασμα με GaN (17 % In) είναι θεμελιώδης για τις διόδους λέιζερ (LD) και κάθετη επιφάνεια που εκπέμπει λέιζερ (VCSELs). Το InAlN θα μπορούσε να αντικαταστήσει το AlGaN και να εξαλείψει τα προβλήματα της αναντιστοιχίας πλέγματος και να βελτιώσει την αντίθεση δείκτη διάθλασης. Θα μεγαλώσουμε με την επιταξία της μοριακής δέσμης (PAMBE) με τη βοήθεια πλάσματος (PAMBE) και θα εκτελέσουμε προσομοιώσεις Monte-Carlo για να αποκτήσουμε μια εικόνα για τις κινητικές διεργασίες κατά τη διάρκεια της ανάπτυξης και να κατανοήσουμε την επίδραση των εμποδίων διάχυσης. Θα αντιμετωπίσουμε (1) το πρόβλημα της χαμηλής διάχυσης Al σε χαμηλές θερμοκρασίες χρησιμοποιώντας υψηλά υποστρώματα GaN (γα-πολικά, Ν-πολικά και ημιπολικά), (2) εφαρμόζουμε εξαιρετικά υψηλή ροή αζώτου για να βελτιώσουμε τις δομικές ιδιότητες και (3) επαληθεύουμε την επίδραση της πυκνότητας εξάρθρωσης στο μηχανισμό σχηματισμού δομής «κυψέλης». Τα στρώματα InAlN θα εφαρμοστούν σε δομές συσκευών που επεξεργάζονται και δοκιμάζονται σε συνεργασία με την TopGaN. (Greek)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Projekt predlaže nove rute kako bi se prevladale znatne poteškoće u izradi InAlN-a. Pronalaženje metode za rast visoke kvalitete InAlN rešetke podudara s GaN (17 % U) je temelj za laserske diode (LD) i vertikalne površine emitiranja lasera (VCSELs). InAlN bi mogao zamijeniti AlGaN i eliminirati probleme rešetke neusklađenosti i poboljšati kontrast indeksa loma. Mi ćemo rasti pomoću plazma potpomognute molekularne zrake epitaksije (PAMBE) i izvoditi Monte-Carlo simulacije kako bi dobili uvid u kinetičke procese tijekom rasta i razumjeli utjecaj difuzijskih barijera. Mi ćemo (1) riješiti problem niske difuzije Al na niskim temperaturama pomoću visoko pogrešnih GaN supstrata (Ga-polarni, N-polarni i polupolarni), (2) primijeniti iznimno visok protok dušika za poboljšanje strukturnih svojstava i (3) provjeriti utjecaj gustoće dislokacije na mehanizam formiranja strukture „saća”. InAlN slojevi će se implementirati u strukture uređaja obrađene i testirane u suradnji s TopGaN-om. (Croatian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Proiectul propune noi căi de depășire a dificultăților substanțiale în fabricarea InAlN. Găsirea unei metode de creștere de înaltă calitate InAlN lattice-potrivită cu GaN (17 % In) este fundamentală pentru diodele laser (LD) și laserele cu emisie de suprafață verticală (VCSEL). InAlN ar putea înlocui AlGaN și ar putea elimina problemele de nepotrivire a rețelei și ar putea îmbunătăți contrastul indicelui de refracție. Vom crește prin epitaxia cu fascicul molecular asistată de plasmă (PAMBE) și vom efectua simulări Monte-Carlo pentru a obține o perspectivă asupra proceselor cinetice în timpul creșterii și pentru a înțelege influența barierelor de difuzie. Vom (1) aborda problema difuziei scazute a Al la temperaturi scazute, folosind substraturi GaN (Ga-polar, N-polar si semipolar), (2) aplica flux extrem de mare de azot pentru a imbunatati proprietatile structurale si (3) verifica impactul densitatii dislocarii asupra mecanismului de formare a structurii „fagure de fagure”. Straturile InAlN vor fi implementate în structuri de dispozitive procesate și testate în colaborare cu TopGaN. (Romanian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    V projekte sa navrhujú nové trasy na prekonanie značných ťažkostí pri výrobe InAlN. Nájdenie metódy rastu vysokej kvality InAlN mriežky zodpovedajúce GaN (17 % In) je základom pre laserové diódy (LD) a vertikálne povrchové vyžarujúce lasery (VCSEL). InAlN by mohol nahradiť AlGaN a odstrániť problémy nesúladu mriežok a zlepšiť kontrast indexu lomu. Budeme rásť pomocou epitaxie molekulárneho lúča asistovanej plazmou (PAMBE) a vykonávať simulácie Monte-Carlo, aby sme získali prehľad o kinetických procesoch počas rastu a pochopili vplyv difúznych bariér. Budeme (1) riešiť problém nízkeho Al difúzie pri nízkych teplotách s použitím vysoko chybných GaN substrátov (Ga-polárne, N-polárne a polopolárne), (2) aplikovať extrémne vysoký tok dusíka na zlepšenie štrukturálnych vlastností a (3) overiť vplyv dislokačnej hustoty na mechanizmus tvorby štruktúry „včelíc“. Vrstvy InAlN budú implementované do štruktúr zariadení spracovaných a testovaných v spolupráci s TopGaN. (Slovak)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Il-proġett jipproponi rotot ġodda biex jingħelbu d-diffikultajiet sostanzjali fil-fabbrikazzjoni tal-InAlN. Tfittxija ta ‘metodu biex jikbru kwalità għolja InAlN kannizzata-imqabbla għal GaN (17 % In) huwa fundamentali għal dijodi laser (LDs) u lasers wiċċ vertikali li jarmu (VCSELs). InAlN jista’ jissostitwixxi l-AlGaN u jelimina problemi ta’ diskrepanza kannizzata u jtejjeb il-kuntrast tal-indiċi rifrattiv. Aħna se jikbru mill-plażma assistit epitaxy raġġ molekulari (PAMBE) u jwettaq simulazzjonijiet Monte-Carlo biex tikseb għarfien għall-proċessi kinetiċi matul it-tkabbir u jifhmu l-influwenza tal-barrieri diffużjoni. Aħna se (1) tindirizza l-problema tad-diffużjoni ta ‘Al baxx f’temperaturi baxxi bl-użu ta’ sottostrati GaN maqtugħ ħażin (Ga-polari, N-polari u semipolari), (2) tapplika fluss ta ‘nitroġenu estremament għoli biex ittejjeb il-proprjetajiet strutturali u (3) tivverifika l-impatt ta’ densità ta ‘diżlokazzjoni fuq il-mekkaniżmu ta’ “xehda” formazzjoni istruttura. Is-saffi InAlN se jiġu implimentati fi strutturi ta ‘tagħmir ipproċessati u ttestjati b’kollaborazzjoni ma’ TopGaN. (Maltese)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    O projeto propõe novas vias para superar dificuldades substanciais na fabricação do InAlN. Encontrar um método para cultivar uma rede InAlN de alta qualidade combinada com GaN (17 % In) é fundamental para díodos laser (LDs) e lasers emissores de superfície verticais (VCSELs). O InAlN pode substituir o AlGaN e eliminar problemas de desajuste da rede e melhorar o contraste do índice de refração. Vamos crescer por epitaxia de feixe molecular assistida por plasma (PAMBE) e realizar simulações de Monte-Carlo para obter uma visão dos processos cinéticos durante o crescimento e compreender a influência das barreiras de difusão. Iremos (1) abordar o problema da baixa difusão de Al a baixas temperaturas utilizando substratos de GaN com alto erro de corte (Ga-polar, N-polar e semipolar), (2) aplicar um fluxo de azoto extremamente elevado para melhorar as propriedades estruturais e (3) verificar o impacto da densidade de deslocamento no mecanismo de formação da estrutura do favo de mel. As camadas InAlN serão implementadas em estruturas de dispositivos processadas e testadas em colaboração com a TopGaN. (Portuguese)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Hankkeessa ehdotetaan uusia reittejä InAlN:n valmistuksen huomattavien vaikeuksien voittamiseksi. Menetelmän löytäminen korkealaatuista InAlN-ristikkoa vastaa GaN (17 % in) on perusta laserdiodeja (LD) ja pystysuora pinta säteilevät laserit (VCSEL). InAlN voisi korvata AlGaN ja poistaa ongelmia ristikko epäsuhta ja parantaa taitto indeksi kontrastia. Kasvamme plasma-avusteisella molekyylipalkkiepitaksilla (PAMBE) ja suoritamme Monte-Carlo-simulaatioita saadaksemme käsityksen kineettisistä prosesseista kasvun aikana ja ymmärtääksemme diffuusioesteiden vaikutuksen. (1) käsittelemme matalan al-diffuusion ongelmaa alhaisissa lämpötiloissa käyttämällä suuria väärin leikattuja GaN-substraatteja (Ga-polar, N-polar ja puolinapa), (2) sovelletaan erittäin korkeaa typpivirtaa rakenteellisten ominaisuuksien parantamiseksi ja (3) tarkistetaan häiriötiheyden vaikutus ”hunajakennon” rakenteen muodostumismekanismiin. InAlN-kerrokset toteutetaan laiterakenteissa, joita käsitellään ja testataan yhteistyössä TopGaN:n kanssa. (Finnish)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Projekt predlaga nove poti za premagovanje znatnih težav pri izdelavi InAlN. Iskanje metode za rast visokokakovostne mreže InAlN, ki se ujema z GaN (17 % In), je bistvenega pomena za laserske diode (LD) in laserje, ki oddajajo navpično površino (VCSEL). InAlN bi lahko nadomestil AlGaN in odpravil težave z neusklajenostjo mrež in izboljšal kontrast lomnega indeksa. Rasli bomo s plazemsko podprto epitaksijo molekularnega žarka (PAMBE) in izvedli simulacije Monte-Carlo, da bi dobili vpogled v kinetične procese med rastjo in razumeli vpliv difuzijskih ovir. (1) bomo obravnavali problem nizke difuzije Al pri nizkih temperaturah z uporabo visoko miscut GaN substratov (Ga-polar, N-polar in polpolar), (2) uporabljati izjemno visok dušikov tok za izboljšanje strukturnih lastnosti in (3) preveriti vpliv dislokacijske gostote na mehanizem „medenega“ oblikovanja strukture. Plasti InAlN se bodo izvajale v strukturah naprav, obdelanih in testiranih v sodelovanju s TopGaN. (Slovenian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Projekt navrhuje nové cesty k překonání značných obtíží při výrobě InAlN. Nalezení metody pro růst vysoce kvalitní mřížky InAlN lattice odpovídající GaN (17 % In) je zásadní pro laserové diody (LD) a vertikální povrchové vyzařující lasery (VCSEL). InAlN by mohl nahradit AlGaN a eliminovat problémy nesouladu mřížky a zlepšit kontrast indexu lomu. Budeme růst plazmatickou epitaxí molekulárního paprsku (PAMBE) a provádět simulace Monte-Carlo, abychom získali vhled do kinetických procesů během růstu a pochopili vliv difúzních bariér. Budeme (1) řešit problém nízké difúze Al při nízkých teplotách pomocí vysoce špatně řezaných substrátů GaN (Ga-polární, N-polární a semipolární), (2) aplikovat extrémně vysoký tok dusíku ke zlepšení konstrukčních vlastností a (3) ověřit dopad dislokační hustoty na mechanismus tvorby struktury „honeycomb“. Vrstvy InAlN budou implementovány do struktur zařízení zpracovaných a testovaných ve spolupráci s TopGaN. (Czech)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Projekte siūlomi nauji keliai, kaip įveikti didelius InAlN gamybos sunkumus. Aukštos kokybės InAlN grotelės, atitinkančios GaN (17 % in), auginimo metodas yra labai svarbus lazeriniams diodams (LD) ir vertikaliems paviršiams spinduliuojantiems lazeriams (VCSEL). InAlN galėtų pakeisti AlGaN ir pašalinti grotelių neatitikimo problemas ir pagerinti lūžio indekso kontrastą. Augsime plazmos padedamų molekulinių spindulių epitaksija (PAMBE) ir atliksime Monte-Carlo simuliacijas, kad gautume įžvalgą apie kinetinius procesus augimo metu ir suprastume difuzijos barjerų įtaką. Mes (1) spręsime mažos Al difuzijos problemą esant žemai temperatūrai, naudojant didelio išpjauto GaN substratus (Ga-polar, N-polar ir semipolar), (2) taikyti itin didelį azoto srautą, kad pagerėtų struktūrinės savybės ir 3) patikrinti dislokacijos tankio poveikį „honeycomb“ struktūros formavimo mechanizmui. InAlN sluoksniai bus įdiegti įrenginių struktūrose, apdorotose ir išbandytose bendradarbiaujant su „TopGaN“. (Lithuanian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Projekts piedāvā jaunus maršrutus, lai pārvarētu būtiskas grūtības InAlN ražošanā. Atrast metodi, lai audzētu augstas kvalitātes InAlN režģa, kas atbilst GaN (17 % In) ir būtiska lāzera diodes (LD) un vertikālās virsmas izstarojošiem lāzeriem (VCSEL). InAlN varētu aizstāt AlGaN un novērst problēmas režģu nesakritību un uzlabot refrakcijas indeksu kontrastu. Mēs augsim ar plazmas atbalstīto molekulāro staru epitaksiju (PAMBE) un veiksim Monte-Carlo simulācijas, lai gūtu priekšstatu par kinētiskajiem procesiem augšanas laikā un izprastu difūzijas barjeru ietekmi. Mēs 1) risināt zemas Al difūzijas problēmu zemās temperatūrās, izmantojot augstas miscut GaN substrātus (Ga-polāru, N-polāru un semipolāru), 2) piemērot ļoti augstu slāpekļa plūsmu, lai uzlabotu strukturālās īpašības, un (3) pārbaudīt dislokācijas blīvuma ietekmi uz “honeycomb” struktūras veidošanās mehānismu. InAlN slāņi tiks ieviesti ierīču struktūrās, kas apstrādātas un pārbaudītas sadarbībā ar TopGaN. (Latvian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Проектът предлага нови маршрути за преодоляване на значителни трудности при производството на InAlN. Намирането на метод за отглеждане на висококачествена решетка InAlN, съответстваща на GaN (17 % In), е от основно значение за лазерните диоди (LDs) и вертикалните повърхностни излъчващи лазери (VCSEL). InAlN може да замени AlGaN и да премахне проблемите с несъответствието на решетката и да подобри контраста на индекса на пречупване. Ние ще растем чрез плазмена молекулярна епитаксия (PAMBE) и ще извършваме симулации Монте Карло, за да получим представа за кинетичните процеси по време на растежа и да разберем влиянието на дифузионните бариери. Ще разгледаме проблема с ниската дифузия на Ал при ниски температури, като използваме високо разрязани GaN субстрати (Ga-полярни, N-полярни и полуполярни), (2) прилагаме изключително висок азотен поток за подобряване на структурните свойства и (3) проверяваме въздействието на плътността на дислокация върху механизма на образуване на структура на „медена пита“. Слоевете InAlN ще бъдат внедрени в структури от устройства, обработени и тествани в сътрудничество с TopGaN. (Bulgarian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    A projekt új utakat javasol az InAlN gyártási nehézségeinek leküzdésére. A magas minőségű InAlN rácshoz illeszkedő módszer megtalálása a GaN-hez (17% In) alapvető fontosságú a lézerdiódák (LD-k) és a függőleges felületkibocsátó lézerek (VCSEL) esetében. Az InAlN helyettesítheti az AlGaN-t, és megszüntetheti a rácshiány problémáit, és javíthatja a törésmutató-kontrasztot. A plazma által támogatott molekuláris gerenda epitaxiával (PAMBE) fogunk növekedni, és Monte-Carlo szimulációkat végzünk, hogy betekintést nyerjünk a kinetikus folyamatokba a növekedés során, és megértsük a diffúziós gátak hatását. (1) kezeljük az alacsony Al-diffúzió problémáját alacsony hőmérsékleten magas rosszul vágott GaN szubsztrátokkal (Ga-poláris, N-poláris és félpólusú), (2) rendkívül magas nitrogénáramot alkalmazunk a szerkezeti tulajdonságok javítására, és (3) ellenőrizzük a diszlokáció sűrűségének hatását a „honeycomb” szerkezetképződés mechanizmusára. Az InAlN rétegek a TopGaN-nal együttműködve feldolgozott és tesztelt eszközszerkezetekben kerülnek bevezetésre. (Hungarian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Molann an tionscadal bealaí nua chun deacrachtaí suntasacha i monarú InAlN a shárú. Tá sé ríthábhachtach modh a aimsiú chun ardchaighdeán a fhás InAlN lattice-matched go GaN (17 % In) le haghaidh dé-óidí léasair (LDanna) agus léasair astaithe dromchla ingearach (VCSELs). D’fhéadfadh InAlN ionad AlGaN agus deireadh a chur le fadhbanna neamhréir laitíse agus codarsnacht innéacs athraonta a fheabhsú. Fásfaimid le epitaxy bhíoma mhóilíneach le cúnamh plasma (PAMBE) agus déanfaimid insamhaltaí Monte-Carlo chun léargas a fháil ar phróisis chinéiteacha le linn an fháis agus tuiscint a fháil ar thionchar na mbacainní idirleata. Déanfaimid (1) aghaidh a thabhairt ar an bhfadhb a bhaineann le scaipeadh íseal Al ag teochtaí ísle ag baint úsáide as foshraitheanna ard-mhíolacha GaN (Ga-polar, N-polar agus semipolar), (2) a chur i bhfeidhm flosc nítrigine an-ard chun airíonna struchtúracha a fheabhsú agus (3) tionchar dlús díláithrithe a fhíorú ar mheicníocht fhoirmiú struchtúr “honeycomb”. Cuirfear na sraitheanna InAlN i bhfeidhm i struchtúir feistí a phróiseáil agus a thástáil i gcomhar le TopGaN. (Irish)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Projektet föreslår nya vägar för att övervinna stora svårigheter vid tillverkning av InAlN. Att hitta en metod för att växa hög kvalitet InAlN-gitter-matchad med GaN (17 % In) är grundläggande för laserdioder (LDs) och vertikala ytemitterande lasrar (VCSELs). InAlN skulle kunna ersätta AlGaN och eliminera problem med gittermissmatchning och förbättra brytningsindexkontrast. Vi kommer att växa med plasmaassisterad molekylär stråle epitaxi (PAMBE) och utföra Monte-Carlo simuleringar för att få en inblick i kinetiska processer under tillväxten och förstå påverkan av diffusionsbarriärer. Vi kommer (1) att ta itu med problemet med låg Al diffusion vid låga temperaturer med hjälp av höga felskurna GaN-substrat (Ga-polära, N-polära och semipolära), (2) tillämpa extremt högt kväveflöde för att förbättra strukturella egenskaper och (3) verifiera effekten av dislokationstäthet på mekanismen för ”honeycomb” strukturbildning. InAlN-skikten kommer att implementeras i enhetsstrukturer som bearbetas och testas i samarbete med TopGaN. (Swedish)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Projektis pakutakse välja uusi teid, et ületada olulised raskused InAlNi tootmisel. Meetodi leidmine, kuidas kasvatada kvaliteetset InAlN võret – sobitatud GaN-iga (17 % In) on oluline laserdioodide (LD) ja vertikaalsete pindade kiirgavate laserite (VCSEL) jaoks. InAlN võiks asendada AlGaN ja kõrvaldada probleemid võre ebakõla ja parandada murdumisnäitaja kontrasti. Me kasvame plasma abil molekulaarkiire epitaksia (PAMBE) abil ja teostame Monte-Carlo simulatsioone, et saada ülevaade kineetilistest protsessidest kasvu ajal ja mõista difusioonibarjääride mõju. Me (1) käsitleme madala Al difusiooni probleemi madalatel temperatuuridel, kasutades kõrge valesti lõigatud GaN substraate (Ga-polaarne, N-polaarne ja semipolaarne), 2) rakendame äärmiselt suurt lämmastikuvoogu, et parandada struktuuriomadusi ja (3) kontrollida dislokatsioonitiheduse mõju „meekombi“ struktuuri moodustumise mehhanismile. InAlN-i kihid rakendatakse seadmestruktuurides, mida töödeldakse ja katsetatakse koostöös TopGaN-iga. (Estonian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    location (string)
    Cały Kraj
    0 references
    date of last update
    6 July 2023
    0 references

    Identifiers

    Polish Kohesio ID
    POIR.04.04.00-00-4463/17
    0 references
     
    Retrieved from "https://linkedopendata.eu/w/index.php?title=Item:Q84318&oldid=44669635"