Polarity Engineering in Nitride Heterostructures (Q84349): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Removed claim: summary (P836): The project concentrates on nitro vertical forces with integrated design in Gas-post-crisis GaN substrate.It is the shoe features of the command unit of N-P tunnel juntions (TJ).Growth of N-P TJ prevaluing the active region of the destination RATHER that the active region.This results in an active region.Additally, suit will profit from keeping the n-type on the top.Will show that the botth of festivals can lead to new applications of light is...) |
(Changed label, description and/or aliases in pt) |
||||||||||||||
| (22 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||||||||||||||
| label / fr | label / fr | ||||||||||||||
Ingénierie de polarité dans les hétérostructures du Nitride | |||||||||||||||
| label / de | label / de | ||||||||||||||
Polaritäts-Engineering in Nitride-Heterostrukturen | |||||||||||||||
| label / nl | label / nl | ||||||||||||||
Polariteitstechniek in Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / it | label / it | ||||||||||||||
Ingegneria della polarità nelle eteroStrutture di nitruro | |||||||||||||||
| label / es | label / es | ||||||||||||||
Ingeniería de polaridad en heteroEstructuras de Nitrido | |||||||||||||||
| label / et | label / et | ||||||||||||||
Polaarsus ehitus Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / lt | label / lt | ||||||||||||||
Poliariškumo inžinerija Nitride heterostruktūros | |||||||||||||||
| label / hr | label / hr | ||||||||||||||
Polaritet inženjering u Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / el | label / el | ||||||||||||||
Πολικότητα Μηχανική σε Nitride ετεροδομές | |||||||||||||||
| label / sk | label / sk | ||||||||||||||
Polarita inžinierstva v Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / fi | label / fi | ||||||||||||||
Polarity Engineering in Nitride heteroStructures Näytä tarkat tiedot | |||||||||||||||
| label / hu | label / hu | ||||||||||||||
Polaritás Engineering Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / cs | label / cs | ||||||||||||||
Polarita Inženýrství v Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / lv | label / lv | ||||||||||||||
Polaritāte Inženierzinātnes Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / ga | label / ga | ||||||||||||||
Innealtóireacht Polarity in Heterostructures Nítríde | |||||||||||||||
| label / sl | label / sl | ||||||||||||||
Polarnost inženiring v Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / bg | label / bg | ||||||||||||||
Полярност Инженеринг в Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / mt | label / mt | ||||||||||||||
Inġinerija polarità fl-eteroStrutturi Nitride | |||||||||||||||
| label / pt | label / pt | ||||||||||||||
Engenharia de Polaridade em Heteroestruturas Nitridas | |||||||||||||||
| label / da | label / da | ||||||||||||||
Polaritet Ingeniørarbejde i Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| label / ro | label / ro | ||||||||||||||
Ingineria polarității în heterostraturile nitride | |||||||||||||||
| label / sv | label / sv | ||||||||||||||
Polaritetsteknik i Nitride heteroStructures | |||||||||||||||
| description / en | description / en | ||||||||||||||
Project in Poland | Project Q84349 in Poland | ||||||||||||||
| description / pl | description / pl | ||||||||||||||
Projekt w Polsce | Projekt Q84349 w Polsce | ||||||||||||||
| description / bg | description / bg | ||||||||||||||
Проект Q84349 в Полша | |||||||||||||||
| description / hr | description / hr | ||||||||||||||
Projekt Q84349 u Poljskoj | |||||||||||||||
| description / hu | description / hu | ||||||||||||||
Projekt Q84349 Lengyelországban | |||||||||||||||
| description / cs | description / cs | ||||||||||||||
Projekt Q84349 v Polsku | |||||||||||||||
| description / da | description / da | ||||||||||||||
Projekt Q84349 i Polen | |||||||||||||||
| description / nl | description / nl | ||||||||||||||
Project Q84349 in Polen | |||||||||||||||
| description / et | description / et | ||||||||||||||
Projekt Q84349 Poolas | |||||||||||||||
| description / fi | description / fi | ||||||||||||||
Projekti Q84349 Puolassa | |||||||||||||||
| description / fr | description / fr | ||||||||||||||
Projet Q84349 en Pologne | |||||||||||||||
| description / de | description / de | ||||||||||||||
Projekt Q84349 in Polen | |||||||||||||||
| description / el | description / el | ||||||||||||||
Έργο Q84349 στην Πολωνία | |||||||||||||||
| description / ga | description / ga | ||||||||||||||
Tionscadal Q84349 sa Pholainn | |||||||||||||||
| description / it | description / it | ||||||||||||||
Progetto Q84349 in Polonia | |||||||||||||||
| description / lv | description / lv | ||||||||||||||
Projekts Q84349 Polijā | |||||||||||||||
| description / lt | description / lt | ||||||||||||||
Projektas Q84349 Lenkijoje | |||||||||||||||
| description / mt | description / mt | ||||||||||||||
Proġett Q84349 fil-Polonja | |||||||||||||||
| description / pt | description / pt | ||||||||||||||
Projeto Q84349 na Polônia | |||||||||||||||
| description / ro | description / ro | ||||||||||||||
Proiectul Q84349 în Polonia | |||||||||||||||
| description / sk | description / sk | ||||||||||||||
Projekt Q84349 v Poľsku | |||||||||||||||
| description / sl | description / sl | ||||||||||||||
Projekt Q84349 na Poljskem | |||||||||||||||
| description / es | description / es | ||||||||||||||
Proyecto Q84349 en Polonia | |||||||||||||||
| description / sv | description / sv | ||||||||||||||
Projekt Q84349 i Polen | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | Property / EU contribution | ||||||||||||||
| 177,518.78 Euro
| ||||||||||||||
| Property / budget | Property / budget | ||||||||||||||
| 177,518.78 Euro
| ||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 100.0 percent / rank | |||||||||||||||
| Property / end time | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / end time: 30 September 2020 / rank | |||||||||||||||
| Property / financed by | |||||||||||||||
| Property / financed by: Directorate-General for Regional and Urban Policy / rank | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Gdańsk / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
The project focuses on Nitride vertical devices with inverted built-in polarisation fields in structures grown on Ga-polar GaN substrates. To build such devices we will exploit unique features of n-p tunnel junctions (TJ). Growth of n-p TJ preceding the active region of the device allows to Incorporate the active region within the p-n configuration rather than the commonly used n-p one. This results in an inverted built-in electric field direction inside the active region. Additionally, such devices will profit from having the n-type layer on the top. We will show that both features can lead to new applications of light emitting devices, laser diodes and transistors. Unique capabilities of the plasma-assisted molecular beam epitaxy system (high growth rate nitrogen plasma source, high Mg flux cell and Ge doping) installed in Warsaw will be crucial for samples growth. Project will be carried out in collaboration with groups at Cornell University and Wroclaw University of Technology. (English) | |||||||||||||||
| Property / summary: The project focuses on Nitride vertical devices with inverted built-in polarisation fields in structures grown on Ga-polar GaN substrates. To build such devices we will exploit unique features of n-p tunnel junctions (TJ). Growth of n-p TJ preceding the active region of the device allows to Incorporate the active region within the p-n configuration rather than the commonly used n-p one. This results in an inverted built-in electric field direction inside the active region. Additionally, such devices will profit from having the n-type layer on the top. We will show that both features can lead to new applications of light emitting devices, laser diodes and transistors. Unique capabilities of the plasma-assisted molecular beam epitaxy system (high growth rate nitrogen plasma source, high Mg flux cell and Ge doping) installed in Warsaw will be crucial for samples growth. Project will be carried out in collaboration with groups at Cornell University and Wroclaw University of Technology. (English) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: The project focuses on Nitride vertical devices with inverted built-in polarisation fields in structures grown on Ga-polar GaN substrates. To build such devices we will exploit unique features of n-p tunnel junctions (TJ). Growth of n-p TJ preceding the active region of the device allows to Incorporate the active region within the p-n configuration rather than the commonly used n-p one. This results in an inverted built-in electric field direction inside the active region. Additionally, such devices will profit from having the n-type layer on the top. We will show that both features can lead to new applications of light emitting devices, laser diodes and transistors. Unique capabilities of the plasma-assisted molecular beam epitaxy system (high growth rate nitrogen plasma source, high Mg flux cell and Ge doping) installed in Warsaw will be crucial for samples growth. Project will be carried out in collaboration with groups at Cornell University and Wroclaw University of Technology. (English) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 14 October 2020
| |||||||||||||||
| Property / summary: The project focuses on Nitride vertical devices with inverted built-in polarisation fields in structures grown on Ga-polar GaN substrates. To build such devices we will exploit unique features of n-p tunnel junctions (TJ). Growth of n-p TJ preceding the active region of the device allows to Incorporate the active region within the p-n configuration rather than the commonly used n-p one. This results in an inverted built-in electric field direction inside the active region. Additionally, such devices will profit from having the n-type layer on the top. We will show that both features can lead to new applications of light emitting devices, laser diodes and transistors. Unique capabilities of the plasma-assisted molecular beam epitaxy system (high growth rate nitrogen plasma source, high Mg flux cell and Ge doping) installed in Warsaw will be crucial for samples growth. Project will be carried out in collaboration with groups at Cornell University and Wroclaw University of Technology. (English) / qualifier | |||||||||||||||
readability score: 0.7236123820788259
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Le projet se concentre sur les dispositifs verticaux au nitrure avec des champs de polarisation intégrés inversés dans des structures cultivées sur des substrats GaN-polaires. Pour construire de tels dispositifs, nous exploiterons les caractéristiques uniques des jonctions de tunnel n-p (TJ). La croissance de n-p TJ précédant la région active de l’appareil permet d’incorporer la région active dans la configuration p-n plutôt que la région n-p couramment utilisée. Il en résulte un champ électrique intégré inversé à l’intérieur de la région active. De plus, ces appareils profiteront d’avoir la couche de type n sur le dessus. Nous allons montrer que ces deux caractéristiques peuvent conduire à de nouvelles applications de dispositifs émettant de la lumière, de diodes laser et de transistors. Les capacités uniques du système d’épitaxie à faisceau moléculaire assisté par plasma (source plasmatique à haut taux d’azote, cellule de flux Mg élevée et dopage Ge) installées à Varsovie seront cruciales pour la croissance des échantillons. Le projet sera réalisé en collaboration avec des groupes de l’Université Cornell et de l’Université de technologie de Wroclaw. (French) | |||||||||||||||
| Property / summary: Le projet se concentre sur les dispositifs verticaux au nitrure avec des champs de polarisation intégrés inversés dans des structures cultivées sur des substrats GaN-polaires. Pour construire de tels dispositifs, nous exploiterons les caractéristiques uniques des jonctions de tunnel n-p (TJ). La croissance de n-p TJ précédant la région active de l’appareil permet d’incorporer la région active dans la configuration p-n plutôt que la région n-p couramment utilisée. Il en résulte un champ électrique intégré inversé à l’intérieur de la région active. De plus, ces appareils profiteront d’avoir la couche de type n sur le dessus. Nous allons montrer que ces deux caractéristiques peuvent conduire à de nouvelles applications de dispositifs émettant de la lumière, de diodes laser et de transistors. Les capacités uniques du système d’épitaxie à faisceau moléculaire assisté par plasma (source plasmatique à haut taux d’azote, cellule de flux Mg élevée et dopage Ge) installées à Varsovie seront cruciales pour la croissance des échantillons. Le projet sera réalisé en collaboration avec des groupes de l’Université Cornell et de l’Université de technologie de Wroclaw. (French) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Le projet se concentre sur les dispositifs verticaux au nitrure avec des champs de polarisation intégrés inversés dans des structures cultivées sur des substrats GaN-polaires. Pour construire de tels dispositifs, nous exploiterons les caractéristiques uniques des jonctions de tunnel n-p (TJ). La croissance de n-p TJ précédant la région active de l’appareil permet d’incorporer la région active dans la configuration p-n plutôt que la région n-p couramment utilisée. Il en résulte un champ électrique intégré inversé à l’intérieur de la région active. De plus, ces appareils profiteront d’avoir la couche de type n sur le dessus. Nous allons montrer que ces deux caractéristiques peuvent conduire à de nouvelles applications de dispositifs émettant de la lumière, de diodes laser et de transistors. Les capacités uniques du système d’épitaxie à faisceau moléculaire assisté par plasma (source plasmatique à haut taux d’azote, cellule de flux Mg élevée et dopage Ge) installées à Varsovie seront cruciales pour la croissance des échantillons. Le projet sera réalisé en collaboration avec des groupes de l’Université Cornell et de l’Université de technologie de Wroclaw. (French) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 30 November 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Das Projekt konzentriert sich auf vertikale Nitridgeräte mit invertierten integrierten Polarisationsfeldern in Strukturen, die auf Ga-polaren GaN-Substraten wachsen. Um solche Geräte zu bauen, werden wir einzigartige Eigenschaften von n-p-Tunnel-Knotenpunkten (TJ) nutzen. Das Wachstum von n-p TJ vor dem aktiven Bereich des Geräts ermöglicht es, die aktive Region in die p-n-Konfiguration zu integrieren und nicht die allgemein verwendete n-p one. Dies führt zu einer invertierten eingebauten elektrischen Feldrichtung innerhalb des aktiven Bereichs. Darüber hinaus profitieren solche Geräte davon, dass die n-artige Schicht oben steht. Wir werden zeigen, dass beide Funktionen zu neuen Anwendungen von Licht emittierenden Geräten, Laserdioden und Transistoren führen können. Die einzigartigen Fähigkeiten des in Warschau installierten Plasma-gestützten molekularen Strahl-Epitaxiesystems (hohe Stickstoffplasmaquelle, hohe Mg-Flusszelle und Ge-Doping) werden entscheidend für das Probenwachstum sein. Das Projekt wird in Zusammenarbeit mit Gruppen der Cornell University und der Technischen Universität Breslau durchgeführt. (German) | |||||||||||||||
| Property / summary: Das Projekt konzentriert sich auf vertikale Nitridgeräte mit invertierten integrierten Polarisationsfeldern in Strukturen, die auf Ga-polaren GaN-Substraten wachsen. Um solche Geräte zu bauen, werden wir einzigartige Eigenschaften von n-p-Tunnel-Knotenpunkten (TJ) nutzen. Das Wachstum von n-p TJ vor dem aktiven Bereich des Geräts ermöglicht es, die aktive Region in die p-n-Konfiguration zu integrieren und nicht die allgemein verwendete n-p one. Dies führt zu einer invertierten eingebauten elektrischen Feldrichtung innerhalb des aktiven Bereichs. Darüber hinaus profitieren solche Geräte davon, dass die n-artige Schicht oben steht. Wir werden zeigen, dass beide Funktionen zu neuen Anwendungen von Licht emittierenden Geräten, Laserdioden und Transistoren führen können. Die einzigartigen Fähigkeiten des in Warschau installierten Plasma-gestützten molekularen Strahl-Epitaxiesystems (hohe Stickstoffplasmaquelle, hohe Mg-Flusszelle und Ge-Doping) werden entscheidend für das Probenwachstum sein. Das Projekt wird in Zusammenarbeit mit Gruppen der Cornell University und der Technischen Universität Breslau durchgeführt. (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Das Projekt konzentriert sich auf vertikale Nitridgeräte mit invertierten integrierten Polarisationsfeldern in Strukturen, die auf Ga-polaren GaN-Substraten wachsen. Um solche Geräte zu bauen, werden wir einzigartige Eigenschaften von n-p-Tunnel-Knotenpunkten (TJ) nutzen. Das Wachstum von n-p TJ vor dem aktiven Bereich des Geräts ermöglicht es, die aktive Region in die p-n-Konfiguration zu integrieren und nicht die allgemein verwendete n-p one. Dies führt zu einer invertierten eingebauten elektrischen Feldrichtung innerhalb des aktiven Bereichs. Darüber hinaus profitieren solche Geräte davon, dass die n-artige Schicht oben steht. Wir werden zeigen, dass beide Funktionen zu neuen Anwendungen von Licht emittierenden Geräten, Laserdioden und Transistoren führen können. Die einzigartigen Fähigkeiten des in Warschau installierten Plasma-gestützten molekularen Strahl-Epitaxiesystems (hohe Stickstoffplasmaquelle, hohe Mg-Flusszelle und Ge-Doping) werden entscheidend für das Probenwachstum sein. Das Projekt wird in Zusammenarbeit mit Gruppen der Cornell University und der Technischen Universität Breslau durchgeführt. (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 7 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Het project richt zich op nitride verticale apparaten met omgekeerde ingebouwde polarisatievelden in structuren die op Ga-polaire GaN-substraten worden gekweekt. Om dergelijke apparaten te bouwen zullen we gebruik maken van unieke kenmerken van n-p tunnel junctions (TJ). Groei van n-p TJ voorafgaand aan de actieve regio van het apparaat maakt het mogelijk om de actieve regio in de p-n configuratie op te nemen in plaats van de veelgebruikte n-p één. Dit resulteert in een omgekeerde ingebouwde elektrische veldrichting binnen de actieve regio. Bovendien zullen dergelijke apparaten profiteren van het hebben van de n-type laag aan de bovenkant. We zullen laten zien dat beide functies kunnen leiden tot nieuwe toepassingen van lichtgevende apparaten, laserdiodes en transistors. Unieke mogelijkheden van het plasma-ondersteunde moleculaire straal epitaxie systeem (hoge groeisnelheid stikstof plasma bron, hoge Mg flux cel en Ge doping) geïnstalleerd in Warschau zal cruciaal zijn voor de groei van monsters. Het project zal worden uitgevoerd in samenwerking met groepen van Cornell University en Wroclaw University of Technology. (Dutch) | |||||||||||||||
| Property / summary: Het project richt zich op nitride verticale apparaten met omgekeerde ingebouwde polarisatievelden in structuren die op Ga-polaire GaN-substraten worden gekweekt. Om dergelijke apparaten te bouwen zullen we gebruik maken van unieke kenmerken van n-p tunnel junctions (TJ). Groei van n-p TJ voorafgaand aan de actieve regio van het apparaat maakt het mogelijk om de actieve regio in de p-n configuratie op te nemen in plaats van de veelgebruikte n-p één. Dit resulteert in een omgekeerde ingebouwde elektrische veldrichting binnen de actieve regio. Bovendien zullen dergelijke apparaten profiteren van het hebben van de n-type laag aan de bovenkant. We zullen laten zien dat beide functies kunnen leiden tot nieuwe toepassingen van lichtgevende apparaten, laserdiodes en transistors. Unieke mogelijkheden van het plasma-ondersteunde moleculaire straal epitaxie systeem (hoge groeisnelheid stikstof plasma bron, hoge Mg flux cel en Ge doping) geïnstalleerd in Warschau zal cruciaal zijn voor de groei van monsters. Het project zal worden uitgevoerd in samenwerking met groepen van Cornell University en Wroclaw University of Technology. (Dutch) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Het project richt zich op nitride verticale apparaten met omgekeerde ingebouwde polarisatievelden in structuren die op Ga-polaire GaN-substraten worden gekweekt. Om dergelijke apparaten te bouwen zullen we gebruik maken van unieke kenmerken van n-p tunnel junctions (TJ). Groei van n-p TJ voorafgaand aan de actieve regio van het apparaat maakt het mogelijk om de actieve regio in de p-n configuratie op te nemen in plaats van de veelgebruikte n-p één. Dit resulteert in een omgekeerde ingebouwde elektrische veldrichting binnen de actieve regio. Bovendien zullen dergelijke apparaten profiteren van het hebben van de n-type laag aan de bovenkant. We zullen laten zien dat beide functies kunnen leiden tot nieuwe toepassingen van lichtgevende apparaten, laserdiodes en transistors. Unieke mogelijkheden van het plasma-ondersteunde moleculaire straal epitaxie systeem (hoge groeisnelheid stikstof plasma bron, hoge Mg flux cel en Ge doping) geïnstalleerd in Warschau zal cruciaal zijn voor de groei van monsters. Het project zal worden uitgevoerd in samenwerking met groepen van Cornell University en Wroclaw University of Technology. (Dutch) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Il progetto si concentra su dispositivi verticali a nitruro con campi di polarizzazione incorporati invertiti in strutture coltivate su substrati Ga-polar GaN. Per costruire tali dispositivi sfrutteremo caratteristiche uniche di giunzioni tunnel n-p (TJ). La crescita di n-p TJ che precede la regione attiva del dispositivo permette di incorporare la regione attiva all'interno della configurazione p-n piuttosto che l'n-p uno comunemente usato. Ciò si traduce in una direzione di campo elettrico incorporata invertita all'interno della regione attiva. Inoltre, tali dispositivi trarranno profitto dall'avere il livello di tipo n sulla parte superiore. Mostreremo che entrambe le caratteristiche possono portare a nuove applicazioni di dispositivi che emettono luce, diodi laser e transistor. Le capacità uniche del sistema di epitassi del fascio molecolare assistito al plasma (fonte plasmatica ad alto tasso di crescita, alta cellula di flusso Mg e doping Ge) installato a Varsavia saranno cruciali per la crescita dei campioni. Il progetto sarà realizzato in collaborazione con gruppi della Cornell University e della Wroclaw University of Technology. (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Il progetto si concentra su dispositivi verticali a nitruro con campi di polarizzazione incorporati invertiti in strutture coltivate su substrati Ga-polar GaN. Per costruire tali dispositivi sfrutteremo caratteristiche uniche di giunzioni tunnel n-p (TJ). La crescita di n-p TJ che precede la regione attiva del dispositivo permette di incorporare la regione attiva all'interno della configurazione p-n piuttosto che l'n-p uno comunemente usato. Ciò si traduce in una direzione di campo elettrico incorporata invertita all'interno della regione attiva. Inoltre, tali dispositivi trarranno profitto dall'avere il livello di tipo n sulla parte superiore. Mostreremo che entrambe le caratteristiche possono portare a nuove applicazioni di dispositivi che emettono luce, diodi laser e transistor. Le capacità uniche del sistema di epitassi del fascio molecolare assistito al plasma (fonte plasmatica ad alto tasso di crescita, alta cellula di flusso Mg e doping Ge) installato a Varsavia saranno cruciali per la crescita dei campioni. Il progetto sarà realizzato in collaborazione con gruppi della Cornell University e della Wroclaw University of Technology. (Italian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Il progetto si concentra su dispositivi verticali a nitruro con campi di polarizzazione incorporati invertiti in strutture coltivate su substrati Ga-polar GaN. Per costruire tali dispositivi sfrutteremo caratteristiche uniche di giunzioni tunnel n-p (TJ). La crescita di n-p TJ che precede la regione attiva del dispositivo permette di incorporare la regione attiva all'interno della configurazione p-n piuttosto che l'n-p uno comunemente usato. Ciò si traduce in una direzione di campo elettrico incorporata invertita all'interno della regione attiva. Inoltre, tali dispositivi trarranno profitto dall'avere il livello di tipo n sulla parte superiore. Mostreremo che entrambe le caratteristiche possono portare a nuove applicazioni di dispositivi che emettono luce, diodi laser e transistor. Le capacità uniche del sistema di epitassi del fascio molecolare assistito al plasma (fonte plasmatica ad alto tasso di crescita, alta cellula di flusso Mg e doping Ge) installato a Varsavia saranno cruciali per la crescita dei campioni. Il progetto sarà realizzato in collaborazione con gruppi della Cornell University e della Wroclaw University of Technology. (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
El proyecto se centra en dispositivos verticales de nitruro con campos de polarización integrados invertidos en estructuras cultivadas en sustratos Ga-polar GaN. Para construir tales dispositivos explotaremos características únicas de conexiones de túnel n-p (TJ). El crecimiento de n-p TJ que precede a la región activa del dispositivo permite incorporar la región activa dentro de la configuración p-n en lugar de la comúnmente utilizada n-p uno. Esto resulta en una dirección de campo eléctrico incorporada invertida dentro de la región activa. Además, estos dispositivos se beneficiarán de tener la capa de tipo n en la parte superior. Mostraremos que ambas características pueden conducir a nuevas aplicaciones de dispositivos emisores de luz, diodos láser y transistores. Las capacidades únicas del sistema de epitaxía del haz molecular asistido por plasma (fuente de plasma de nitrógeno de alta tasa de crecimiento, célula de flujo Mg alto y dopaje Ge) instalado en Varsovia serán cruciales para el crecimiento de las muestras. El proyecto se llevará a cabo en colaboración con grupos de la Universidad de Cornell y la Universidad Tecnológica de Wroclaw. (Spanish) | |||||||||||||||
| Property / summary: El proyecto se centra en dispositivos verticales de nitruro con campos de polarización integrados invertidos en estructuras cultivadas en sustratos Ga-polar GaN. Para construir tales dispositivos explotaremos características únicas de conexiones de túnel n-p (TJ). El crecimiento de n-p TJ que precede a la región activa del dispositivo permite incorporar la región activa dentro de la configuración p-n en lugar de la comúnmente utilizada n-p uno. Esto resulta en una dirección de campo eléctrico incorporada invertida dentro de la región activa. Además, estos dispositivos se beneficiarán de tener la capa de tipo n en la parte superior. Mostraremos que ambas características pueden conducir a nuevas aplicaciones de dispositivos emisores de luz, diodos láser y transistores. Las capacidades únicas del sistema de epitaxía del haz molecular asistido por plasma (fuente de plasma de nitrógeno de alta tasa de crecimiento, célula de flujo Mg alto y dopaje Ge) instalado en Varsovia serán cruciales para el crecimiento de las muestras. El proyecto se llevará a cabo en colaboración con grupos de la Universidad de Cornell y la Universidad Tecnológica de Wroclaw. (Spanish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: El proyecto se centra en dispositivos verticales de nitruro con campos de polarización integrados invertidos en estructuras cultivadas en sustratos Ga-polar GaN. Para construir tales dispositivos explotaremos características únicas de conexiones de túnel n-p (TJ). El crecimiento de n-p TJ que precede a la región activa del dispositivo permite incorporar la región activa dentro de la configuración p-n en lugar de la comúnmente utilizada n-p uno. Esto resulta en una dirección de campo eléctrico incorporada invertida dentro de la región activa. Además, estos dispositivos se beneficiarán de tener la capa de tipo n en la parte superior. Mostraremos que ambas características pueden conducir a nuevas aplicaciones de dispositivos emisores de luz, diodos láser y transistores. Las capacidades únicas del sistema de epitaxía del haz molecular asistido por plasma (fuente de plasma de nitrógeno de alta tasa de crecimiento, célula de flujo Mg alto y dopaje Ge) instalado en Varsovia serán cruciales para el crecimiento de las muestras. El proyecto se llevará a cabo en colaboración con grupos de la Universidad de Cornell y la Universidad Tecnológica de Wroclaw. (Spanish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 19 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekt keskendub nitriid vertikaalsetele seadmetele, millel on ümberpööratud sisseehitatud polarisatsiooniväljad Ga-polaarsetel GaN substraatidel kasvatatud struktuurides. Selliste seadmete ehitamiseks kasutame n-p tunneli ristmike (TJ) ainulaadseid omadusi. Seadme aktiivsele piirkonnale eelneva n-p TJ kasv võimaldab kaasata aktiivse piirkonna p-n konfiguratsioonisse, mitte tavaliselt kasutatavasse n-p konfiguratsiooni. Selle tulemuseks on ümberpööratud sisseehitatud elektrivälja suund aktiivses piirkonnas. Lisaks saavad sellised seadmed kasu, kui n-tüüpi kiht on peal. Näitame, et mõlemad funktsioonid võivad viia valgust kiirgavate seadmete, laserdioodide ja transistorite uute rakendusteni. Proovide kasvu jaoks on otsustava tähtsusega plasma abil toetatava molekulaarse tala epitaksiasüsteemi (suure kasvukiirusega lämmastiku plasmaallikas, suure Mg voo raku ja Ge doping) ainulaadne võimekus. Projekt viiakse läbi koostöös Cornelli ülikooli ja Wroclawi Tehnikaülikooli rühmadega. (Estonian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt keskendub nitriid vertikaalsetele seadmetele, millel on ümberpööratud sisseehitatud polarisatsiooniväljad Ga-polaarsetel GaN substraatidel kasvatatud struktuurides. Selliste seadmete ehitamiseks kasutame n-p tunneli ristmike (TJ) ainulaadseid omadusi. Seadme aktiivsele piirkonnale eelneva n-p TJ kasv võimaldab kaasata aktiivse piirkonna p-n konfiguratsioonisse, mitte tavaliselt kasutatavasse n-p konfiguratsiooni. Selle tulemuseks on ümberpööratud sisseehitatud elektrivälja suund aktiivses piirkonnas. Lisaks saavad sellised seadmed kasu, kui n-tüüpi kiht on peal. Näitame, et mõlemad funktsioonid võivad viia valgust kiirgavate seadmete, laserdioodide ja transistorite uute rakendusteni. Proovide kasvu jaoks on otsustava tähtsusega plasma abil toetatava molekulaarse tala epitaksiasüsteemi (suure kasvukiirusega lämmastiku plasmaallikas, suure Mg voo raku ja Ge doping) ainulaadne võimekus. Projekt viiakse läbi koostöös Cornelli ülikooli ja Wroclawi Tehnikaülikooli rühmadega. (Estonian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt keskendub nitriid vertikaalsetele seadmetele, millel on ümberpööratud sisseehitatud polarisatsiooniväljad Ga-polaarsetel GaN substraatidel kasvatatud struktuurides. Selliste seadmete ehitamiseks kasutame n-p tunneli ristmike (TJ) ainulaadseid omadusi. Seadme aktiivsele piirkonnale eelneva n-p TJ kasv võimaldab kaasata aktiivse piirkonna p-n konfiguratsioonisse, mitte tavaliselt kasutatavasse n-p konfiguratsiooni. Selle tulemuseks on ümberpööratud sisseehitatud elektrivälja suund aktiivses piirkonnas. Lisaks saavad sellised seadmed kasu, kui n-tüüpi kiht on peal. Näitame, et mõlemad funktsioonid võivad viia valgust kiirgavate seadmete, laserdioodide ja transistorite uute rakendusteni. Proovide kasvu jaoks on otsustava tähtsusega plasma abil toetatava molekulaarse tala epitaksiasüsteemi (suure kasvukiirusega lämmastiku plasmaallikas, suure Mg voo raku ja Ge doping) ainulaadne võimekus. Projekt viiakse läbi koostöös Cornelli ülikooli ja Wroclawi Tehnikaülikooli rühmadega. (Estonian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projektas orientuotas į nitrido vertikalius įtaisus su apverstais poliarizacijos laukais struktūrose, auginamose ant Ga-polar GaN substratų. Norėdami sukurti tokius įrenginius, išnaudosime unikalias n-p tunelių sankryžų (TJ) savybes. N-p TJ augimas prieš aktyvią prietaiso sritį leidžia įtraukti aktyvų regioną į p-n konfigūraciją, o ne paprastai naudojamą n-p vieną. Tai lemia apverstą įmontuotą elektrinio lauko kryptį aktyvaus regiono viduje. Be to, tokie prietaisai gaus naudos iš n tipo sluoksnio viršuje. Parodysime, kad abi funkcijos gali sukelti naujas šviesos spinduliuotės prietaisų, lazerinių diodų ir tranzistorių programas. Varšuvoje įdiegtos unikalios molekulinės spinduliuotės epitaksijos sistemos (didelio augimo greičio azoto plazmos šaltinio, didelio Mg srauto ląstelių ir Ge dopingo) galimybės bus labai svarbios mėginių augimui. Projektas bus vykdomas bendradarbiaujant su Kornelio universiteto ir Vroclavo technologijos universiteto grupėmis. (Lithuanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektas orientuotas į nitrido vertikalius įtaisus su apverstais poliarizacijos laukais struktūrose, auginamose ant Ga-polar GaN substratų. Norėdami sukurti tokius įrenginius, išnaudosime unikalias n-p tunelių sankryžų (TJ) savybes. N-p TJ augimas prieš aktyvią prietaiso sritį leidžia įtraukti aktyvų regioną į p-n konfigūraciją, o ne paprastai naudojamą n-p vieną. Tai lemia apverstą įmontuotą elektrinio lauko kryptį aktyvaus regiono viduje. Be to, tokie prietaisai gaus naudos iš n tipo sluoksnio viršuje. Parodysime, kad abi funkcijos gali sukelti naujas šviesos spinduliuotės prietaisų, lazerinių diodų ir tranzistorių programas. Varšuvoje įdiegtos unikalios molekulinės spinduliuotės epitaksijos sistemos (didelio augimo greičio azoto plazmos šaltinio, didelio Mg srauto ląstelių ir Ge dopingo) galimybės bus labai svarbios mėginių augimui. Projektas bus vykdomas bendradarbiaujant su Kornelio universiteto ir Vroclavo technologijos universiteto grupėmis. (Lithuanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektas orientuotas į nitrido vertikalius įtaisus su apverstais poliarizacijos laukais struktūrose, auginamose ant Ga-polar GaN substratų. Norėdami sukurti tokius įrenginius, išnaudosime unikalias n-p tunelių sankryžų (TJ) savybes. N-p TJ augimas prieš aktyvią prietaiso sritį leidžia įtraukti aktyvų regioną į p-n konfigūraciją, o ne paprastai naudojamą n-p vieną. Tai lemia apverstą įmontuotą elektrinio lauko kryptį aktyvaus regiono viduje. Be to, tokie prietaisai gaus naudos iš n tipo sluoksnio viršuje. Parodysime, kad abi funkcijos gali sukelti naujas šviesos spinduliuotės prietaisų, lazerinių diodų ir tranzistorių programas. Varšuvoje įdiegtos unikalios molekulinės spinduliuotės epitaksijos sistemos (didelio augimo greičio azoto plazmos šaltinio, didelio Mg srauto ląstelių ir Ge dopingo) galimybės bus labai svarbios mėginių augimui. Projektas bus vykdomas bendradarbiaujant su Kornelio universiteto ir Vroclavo technologijos universiteto grupėmis. (Lithuanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekt se usredotočuje na nitridne vertikalne uređaje s invertiranim ugrađenim polarizacijskim poljima u strukturama uzgojenim na Ga-polarnim GaN supstratima. Za izgradnju takvih uređaja iskoristit ćemo jedinstvene značajke čvorova n-p tunela (TJ). Rast n-p TJ koji prethodi aktivnom području uređaja omogućuje uključivanje aktivnog područja unutar p-n konfiguracije, a ne uobičajeno korištenog n-p. To rezultira preokrenutim smjerom električnog polja unutar aktivnog područja. Osim toga, takvi uređaji će profitirati od n-tipa sloja na vrhu. Pokazat ćemo da obje značajke mogu dovesti do novih primjena uređaja za emitiranje svjetlosti, laserskih dioda i tranzistora. Jedinstvene sposobnosti molekularnog epitaksi sustava potpomognutog plazmom (visoki izvor dušika u plazmi, visoka Mg stanica toka i Ge doping) bit će ključne za rast uzoraka. Projekt će se provoditi u suradnji s grupama na Sveučilištu Cornell i Tehnološkom sveučilištu u Wroclawu. (Croatian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt se usredotočuje na nitridne vertikalne uređaje s invertiranim ugrađenim polarizacijskim poljima u strukturama uzgojenim na Ga-polarnim GaN supstratima. Za izgradnju takvih uređaja iskoristit ćemo jedinstvene značajke čvorova n-p tunela (TJ). Rast n-p TJ koji prethodi aktivnom području uređaja omogućuje uključivanje aktivnog područja unutar p-n konfiguracije, a ne uobičajeno korištenog n-p. To rezultira preokrenutim smjerom električnog polja unutar aktivnog područja. Osim toga, takvi uređaji će profitirati od n-tipa sloja na vrhu. Pokazat ćemo da obje značajke mogu dovesti do novih primjena uređaja za emitiranje svjetlosti, laserskih dioda i tranzistora. Jedinstvene sposobnosti molekularnog epitaksi sustava potpomognutog plazmom (visoki izvor dušika u plazmi, visoka Mg stanica toka i Ge doping) bit će ključne za rast uzoraka. Projekt će se provoditi u suradnji s grupama na Sveučilištu Cornell i Tehnološkom sveučilištu u Wroclawu. (Croatian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt se usredotočuje na nitridne vertikalne uređaje s invertiranim ugrađenim polarizacijskim poljima u strukturama uzgojenim na Ga-polarnim GaN supstratima. Za izgradnju takvih uređaja iskoristit ćemo jedinstvene značajke čvorova n-p tunela (TJ). Rast n-p TJ koji prethodi aktivnom području uređaja omogućuje uključivanje aktivnog područja unutar p-n konfiguracije, a ne uobičajeno korištenog n-p. To rezultira preokrenutim smjerom električnog polja unutar aktivnog područja. Osim toga, takvi uređaji će profitirati od n-tipa sloja na vrhu. Pokazat ćemo da obje značajke mogu dovesti do novih primjena uređaja za emitiranje svjetlosti, laserskih dioda i tranzistora. Jedinstvene sposobnosti molekularnog epitaksi sustava potpomognutog plazmom (visoki izvor dušika u plazmi, visoka Mg stanica toka i Ge doping) bit će ključne za rast uzoraka. Projekt će se provoditi u suradnji s grupama na Sveučilištu Cornell i Tehnološkom sveučilištu u Wroclawu. (Croatian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Το έργο επικεντρώνεται σε κάθετες συσκευές νιτριδίων με ανεστραμμένα ενσωματωμένα πεδία πόλωσης σε δομές που αναπτύσσονται σε υποστρώματα Ga-polar GaN. Για την κατασκευή τέτοιων συσκευών θα εκμεταλλευτούμε μοναδικά χαρακτηριστικά των διασυνδέσεων σηράγγων (TJ). Η ανάπτυξη του n-p TJ πριν από την ενεργό περιοχή της συσκευής επιτρέπει την ενσωμάτωση της ενεργού περιοχής εντός της διαμόρφωσης p-n και όχι της κοινώς χρησιμοποιούμενης n-p 1. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα μια ανεστραμμένη ενσωματωμένη κατεύθυνση ηλεκτρικού πεδίου μέσα στην ενεργό περιοχή. Επιπλέον, τέτοιες συσκευές θα επωφεληθούν από το να έχουν το στρώμα ν-τύπου στην κορυφή. Θα δείξουμε ότι και τα δύο χαρακτηριστικά μπορούν να οδηγήσουν σε νέες εφαρμογές συσκευών εκπομπής φωτός, διόδων λέιζερ και τρανζίστορ. Οι μοναδικές δυνατότητες του συστήματος επιταξιακής μοριακής δέσμης με τη βοήθεια πλάσματος (υψηλός ρυθμός ανάπτυξης αζώτου πηγή πλάσματος, υψηλό κύτταρο ροής Mg και Ge ντόπινγκ) που εγκαθίστανται στη Βαρσοβία θα είναι ζωτικής σημασίας για την ανάπτυξη των δειγμάτων. Το έργο θα πραγματοποιηθεί σε συνεργασία με ομάδες στο Πανεπιστήμιο Cornell και στο Wroclaw University of Technology. (Greek) | |||||||||||||||
| Property / summary: Το έργο επικεντρώνεται σε κάθετες συσκευές νιτριδίων με ανεστραμμένα ενσωματωμένα πεδία πόλωσης σε δομές που αναπτύσσονται σε υποστρώματα Ga-polar GaN. Για την κατασκευή τέτοιων συσκευών θα εκμεταλλευτούμε μοναδικά χαρακτηριστικά των διασυνδέσεων σηράγγων (TJ). Η ανάπτυξη του n-p TJ πριν από την ενεργό περιοχή της συσκευής επιτρέπει την ενσωμάτωση της ενεργού περιοχής εντός της διαμόρφωσης p-n και όχι της κοινώς χρησιμοποιούμενης n-p 1. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα μια ανεστραμμένη ενσωματωμένη κατεύθυνση ηλεκτρικού πεδίου μέσα στην ενεργό περιοχή. Επιπλέον, τέτοιες συσκευές θα επωφεληθούν από το να έχουν το στρώμα ν-τύπου στην κορυφή. Θα δείξουμε ότι και τα δύο χαρακτηριστικά μπορούν να οδηγήσουν σε νέες εφαρμογές συσκευών εκπομπής φωτός, διόδων λέιζερ και τρανζίστορ. Οι μοναδικές δυνατότητες του συστήματος επιταξιακής μοριακής δέσμης με τη βοήθεια πλάσματος (υψηλός ρυθμός ανάπτυξης αζώτου πηγή πλάσματος, υψηλό κύτταρο ροής Mg και Ge ντόπινγκ) που εγκαθίστανται στη Βαρσοβία θα είναι ζωτικής σημασίας για την ανάπτυξη των δειγμάτων. Το έργο θα πραγματοποιηθεί σε συνεργασία με ομάδες στο Πανεπιστήμιο Cornell και στο Wroclaw University of Technology. (Greek) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Το έργο επικεντρώνεται σε κάθετες συσκευές νιτριδίων με ανεστραμμένα ενσωματωμένα πεδία πόλωσης σε δομές που αναπτύσσονται σε υποστρώματα Ga-polar GaN. Για την κατασκευή τέτοιων συσκευών θα εκμεταλλευτούμε μοναδικά χαρακτηριστικά των διασυνδέσεων σηράγγων (TJ). Η ανάπτυξη του n-p TJ πριν από την ενεργό περιοχή της συσκευής επιτρέπει την ενσωμάτωση της ενεργού περιοχής εντός της διαμόρφωσης p-n και όχι της κοινώς χρησιμοποιούμενης n-p 1. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα μια ανεστραμμένη ενσωματωμένη κατεύθυνση ηλεκτρικού πεδίου μέσα στην ενεργό περιοχή. Επιπλέον, τέτοιες συσκευές θα επωφεληθούν από το να έχουν το στρώμα ν-τύπου στην κορυφή. Θα δείξουμε ότι και τα δύο χαρακτηριστικά μπορούν να οδηγήσουν σε νέες εφαρμογές συσκευών εκπομπής φωτός, διόδων λέιζερ και τρανζίστορ. Οι μοναδικές δυνατότητες του συστήματος επιταξιακής μοριακής δέσμης με τη βοήθεια πλάσματος (υψηλός ρυθμός ανάπτυξης αζώτου πηγή πλάσματος, υψηλό κύτταρο ροής Mg και Ge ντόπινγκ) που εγκαθίστανται στη Βαρσοβία θα είναι ζωτικής σημασίας για την ανάπτυξη των δειγμάτων. Το έργο θα πραγματοποιηθεί σε συνεργασία με ομάδες στο Πανεπιστήμιο Cornell και στο Wroclaw University of Technology. (Greek) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekt sa zameriava na nitridové vertikálne zariadenia s obrátenými zabudovanými polarizačnými poľami v štruktúrach pestovaných na Ga-polárnych GaN substrátoch. Na vybudovanie takýchto zariadení využijeme jedinečné vlastnosti n-p tunelových križovatiek (TJ). Rast n-p TJ pred aktívnou oblasťou zariadenia umožňuje začleniť aktívnu oblasť do konfigurácie p-n namiesto bežne používanej n-p. Výsledkom je obrátený smer elektrického poľa vo vnútri aktívnej oblasti. Okrem toho, takéto zariadenia budú profitovať z toho, že na vrchu je vrstva typu n. Ukážeme, že obe funkcie môžu viesť k novým aplikáciám zariadení vyžarujúcich svetlo, laserových diód a tranzistorov. Jedinečné schopnosti systému epitaxie molekulárneho lúča asistovaného plazmou (zdroj dusíka s vysokou rýchlosťou rastu, vysoký Mg tok buniek a Ge doping) inštalovaný vo Varšave budú rozhodujúce pre rast vzoriek. Projekt bude realizovaný v spolupráci so skupinami na Cornell University a Wroclaw University of Technology. (Slovak) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt sa zameriava na nitridové vertikálne zariadenia s obrátenými zabudovanými polarizačnými poľami v štruktúrach pestovaných na Ga-polárnych GaN substrátoch. Na vybudovanie takýchto zariadení využijeme jedinečné vlastnosti n-p tunelových križovatiek (TJ). Rast n-p TJ pred aktívnou oblasťou zariadenia umožňuje začleniť aktívnu oblasť do konfigurácie p-n namiesto bežne používanej n-p. Výsledkom je obrátený smer elektrického poľa vo vnútri aktívnej oblasti. Okrem toho, takéto zariadenia budú profitovať z toho, že na vrchu je vrstva typu n. Ukážeme, že obe funkcie môžu viesť k novým aplikáciám zariadení vyžarujúcich svetlo, laserových diód a tranzistorov. Jedinečné schopnosti systému epitaxie molekulárneho lúča asistovaného plazmou (zdroj dusíka s vysokou rýchlosťou rastu, vysoký Mg tok buniek a Ge doping) inštalovaný vo Varšave budú rozhodujúce pre rast vzoriek. Projekt bude realizovaný v spolupráci so skupinami na Cornell University a Wroclaw University of Technology. (Slovak) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt sa zameriava na nitridové vertikálne zariadenia s obrátenými zabudovanými polarizačnými poľami v štruktúrach pestovaných na Ga-polárnych GaN substrátoch. Na vybudovanie takýchto zariadení využijeme jedinečné vlastnosti n-p tunelových križovatiek (TJ). Rast n-p TJ pred aktívnou oblasťou zariadenia umožňuje začleniť aktívnu oblasť do konfigurácie p-n namiesto bežne používanej n-p. Výsledkom je obrátený smer elektrického poľa vo vnútri aktívnej oblasti. Okrem toho, takéto zariadenia budú profitovať z toho, že na vrchu je vrstva typu n. Ukážeme, že obe funkcie môžu viesť k novým aplikáciám zariadení vyžarujúcich svetlo, laserových diód a tranzistorov. Jedinečné schopnosti systému epitaxie molekulárneho lúča asistovaného plazmou (zdroj dusíka s vysokou rýchlosťou rastu, vysoký Mg tok buniek a Ge doping) inštalovaný vo Varšave budú rozhodujúce pre rast vzoriek. Projekt bude realizovaný v spolupráci so skupinami na Cornell University a Wroclaw University of Technology. (Slovak) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Hankkeessa keskitytään nitridin pystysuoraan laitteisiin, joissa on käänteiset sisäänrakennetut polarisaatiokentät Ga-polar GaN -alustoilla kasvatetuissa rakenteissa. Tällaisten laitteiden rakentamiseksi hyödynnämme n-p tunneliliitosten (TJ) ainutlaatuisia ominaisuuksia. N-p TJ: n kasvu ennen laitteen aktiivista aluetta mahdollistaa aktiivisen alueen sisällyttämisen p-n konfiguraatioon yleisesti käytetyn n-p: n sijaan. Tämä johtaa käänteiseen sisäänrakennettuun sähkökentän suuntaan aktiivisella alueella. Lisäksi tällaiset laitteet hyötyvät siitä, että n-tyyppinen kerros on päällä. Osoitamme, että molemmat ominaisuudet voivat johtaa uusiin sovelluksiin valoa lähettävät laitteet, laserdiodit ja transistorit. Varsovaan asennetun plasma-avusteisen molekyylisäteen epitaksisen järjestelmän (suuren kasvunopeuden typpiplasman lähde, korkea Mg-virtasolu ja Ge-doping) ainutlaatuiset ominaisuudet ovat ratkaisevan tärkeitä näytteiden kasvulle. Hanke toteutetaan yhteistyössä Cornellin yliopiston ja Wroclawin teknillisen yliopiston ryhmien kanssa. (Finnish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeessa keskitytään nitridin pystysuoraan laitteisiin, joissa on käänteiset sisäänrakennetut polarisaatiokentät Ga-polar GaN -alustoilla kasvatetuissa rakenteissa. Tällaisten laitteiden rakentamiseksi hyödynnämme n-p tunneliliitosten (TJ) ainutlaatuisia ominaisuuksia. N-p TJ: n kasvu ennen laitteen aktiivista aluetta mahdollistaa aktiivisen alueen sisällyttämisen p-n konfiguraatioon yleisesti käytetyn n-p: n sijaan. Tämä johtaa käänteiseen sisäänrakennettuun sähkökentän suuntaan aktiivisella alueella. Lisäksi tällaiset laitteet hyötyvät siitä, että n-tyyppinen kerros on päällä. Osoitamme, että molemmat ominaisuudet voivat johtaa uusiin sovelluksiin valoa lähettävät laitteet, laserdiodit ja transistorit. Varsovaan asennetun plasma-avusteisen molekyylisäteen epitaksisen järjestelmän (suuren kasvunopeuden typpiplasman lähde, korkea Mg-virtasolu ja Ge-doping) ainutlaatuiset ominaisuudet ovat ratkaisevan tärkeitä näytteiden kasvulle. Hanke toteutetaan yhteistyössä Cornellin yliopiston ja Wroclawin teknillisen yliopiston ryhmien kanssa. (Finnish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeessa keskitytään nitridin pystysuoraan laitteisiin, joissa on käänteiset sisäänrakennetut polarisaatiokentät Ga-polar GaN -alustoilla kasvatetuissa rakenteissa. Tällaisten laitteiden rakentamiseksi hyödynnämme n-p tunneliliitosten (TJ) ainutlaatuisia ominaisuuksia. N-p TJ: n kasvu ennen laitteen aktiivista aluetta mahdollistaa aktiivisen alueen sisällyttämisen p-n konfiguraatioon yleisesti käytetyn n-p: n sijaan. Tämä johtaa käänteiseen sisäänrakennettuun sähkökentän suuntaan aktiivisella alueella. Lisäksi tällaiset laitteet hyötyvät siitä, että n-tyyppinen kerros on päällä. Osoitamme, että molemmat ominaisuudet voivat johtaa uusiin sovelluksiin valoa lähettävät laitteet, laserdiodit ja transistorit. Varsovaan asennetun plasma-avusteisen molekyylisäteen epitaksisen järjestelmän (suuren kasvunopeuden typpiplasman lähde, korkea Mg-virtasolu ja Ge-doping) ainutlaatuiset ominaisuudet ovat ratkaisevan tärkeitä näytteiden kasvulle. Hanke toteutetaan yhteistyössä Cornellin yliopiston ja Wroclawin teknillisen yliopiston ryhmien kanssa. (Finnish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A projekt középpontjában olyan függőleges nitrid eszközök állnak, amelyek invertált beépített polarizációs mezőkkel rendelkeznek a Ga-poláris GaN szubsztrátokon termesztett struktúrákban. Az ilyen eszközök megépítéséhez kihasználjuk az n-p alagút csomópontok (TJ) egyedi jellemzőit. Az eszköz aktív régióját megelőző n-p TJ növekedése lehetővé teszi az aktív régió p-n konfigurációba való beépítését a leggyakrabban használt n-p helyett. Ez egy invertált beépített elektromos tér irányt eredményez az aktív régióban. Továbbá, az ilyen eszközök profitálnak abból, hogy az n-típusú réteg a tetején van. Megmutatjuk, hogy mindkét funkció új fénykibocsátó készülékekhez, lézerdiódákhoz és tranzisztorokhoz vezethet. A Varsóban telepített plazma-asszisztens molekuláris gerenda epitaxiás rendszer (nagy növekedési sebességű nitrogén plazmaforrás, magas Mg flux sejt és Ge dopping) egyedülálló képességei kulcsfontosságúak lesznek a minták növekedéséhez. A projekt a Cornell Egyetem és a Wroclawi Műszaki Egyetem csoportjaival együttműködésben valósul meg. (Hungarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: A projekt középpontjában olyan függőleges nitrid eszközök állnak, amelyek invertált beépített polarizációs mezőkkel rendelkeznek a Ga-poláris GaN szubsztrátokon termesztett struktúrákban. Az ilyen eszközök megépítéséhez kihasználjuk az n-p alagút csomópontok (TJ) egyedi jellemzőit. Az eszköz aktív régióját megelőző n-p TJ növekedése lehetővé teszi az aktív régió p-n konfigurációba való beépítését a leggyakrabban használt n-p helyett. Ez egy invertált beépített elektromos tér irányt eredményez az aktív régióban. Továbbá, az ilyen eszközök profitálnak abból, hogy az n-típusú réteg a tetején van. Megmutatjuk, hogy mindkét funkció új fénykibocsátó készülékekhez, lézerdiódákhoz és tranzisztorokhoz vezethet. A Varsóban telepített plazma-asszisztens molekuláris gerenda epitaxiás rendszer (nagy növekedési sebességű nitrogén plazmaforrás, magas Mg flux sejt és Ge dopping) egyedülálló képességei kulcsfontosságúak lesznek a minták növekedéséhez. A projekt a Cornell Egyetem és a Wroclawi Műszaki Egyetem csoportjaival együttműködésben valósul meg. (Hungarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A projekt középpontjában olyan függőleges nitrid eszközök állnak, amelyek invertált beépített polarizációs mezőkkel rendelkeznek a Ga-poláris GaN szubsztrátokon termesztett struktúrákban. Az ilyen eszközök megépítéséhez kihasználjuk az n-p alagút csomópontok (TJ) egyedi jellemzőit. Az eszköz aktív régióját megelőző n-p TJ növekedése lehetővé teszi az aktív régió p-n konfigurációba való beépítését a leggyakrabban használt n-p helyett. Ez egy invertált beépített elektromos tér irányt eredményez az aktív régióban. Továbbá, az ilyen eszközök profitálnak abból, hogy az n-típusú réteg a tetején van. Megmutatjuk, hogy mindkét funkció új fénykibocsátó készülékekhez, lézerdiódákhoz és tranzisztorokhoz vezethet. A Varsóban telepített plazma-asszisztens molekuláris gerenda epitaxiás rendszer (nagy növekedési sebességű nitrogén plazmaforrás, magas Mg flux sejt és Ge dopping) egyedülálló képességei kulcsfontosságúak lesznek a minták növekedéséhez. A projekt a Cornell Egyetem és a Wroclawi Műszaki Egyetem csoportjaival együttműködésben valósul meg. (Hungarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekt se zaměřuje na vertikální zařízení nitridu s obrácenými zabudovanými polarizačními poli ve strukturách pěstovaných na substrátech Ga-polárních GaN. K výstavbě takových zařízení využijeme jedinečné vlastnosti tunelových spojů n-p (TJ). Růst n-p TJ předcházející aktivní oblasti zařízení umožňuje začlenit aktivní oblast do konfigurace p-n spíše než běžně používané n-p. To vede k obrácenému vestavěnému směru elektrického pole uvnitř aktivní oblasti. Kromě toho budou taková zařízení profitovat z toho, že mají vrstvu n-typu na horní straně. Ukážeme, že obě funkce mohou vést k novým aplikacím zařízení vyzařujících světlo, laserových diod a tranzistorů. Pro růst vzorků budou zásadní jedinečné schopnosti plazmatického systému epitaxe molekulárního paprsku (vysoký růstový zdroj plazmy dusíku, vysokofrekvenčního toku buněk a Ge dopingu) instalovaného ve Varšavě. Projekt bude realizován ve spolupráci se skupinami na Cornell University a Wroclaw University of Technology. (Czech) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt se zaměřuje na vertikální zařízení nitridu s obrácenými zabudovanými polarizačními poli ve strukturách pěstovaných na substrátech Ga-polárních GaN. K výstavbě takových zařízení využijeme jedinečné vlastnosti tunelových spojů n-p (TJ). Růst n-p TJ předcházející aktivní oblasti zařízení umožňuje začlenit aktivní oblast do konfigurace p-n spíše než běžně používané n-p. To vede k obrácenému vestavěnému směru elektrického pole uvnitř aktivní oblasti. Kromě toho budou taková zařízení profitovat z toho, že mají vrstvu n-typu na horní straně. Ukážeme, že obě funkce mohou vést k novým aplikacím zařízení vyzařujících světlo, laserových diod a tranzistorů. Pro růst vzorků budou zásadní jedinečné schopnosti plazmatického systému epitaxe molekulárního paprsku (vysoký růstový zdroj plazmy dusíku, vysokofrekvenčního toku buněk a Ge dopingu) instalovaného ve Varšavě. Projekt bude realizován ve spolupráci se skupinami na Cornell University a Wroclaw University of Technology. (Czech) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt se zaměřuje na vertikální zařízení nitridu s obrácenými zabudovanými polarizačními poli ve strukturách pěstovaných na substrátech Ga-polárních GaN. K výstavbě takových zařízení využijeme jedinečné vlastnosti tunelových spojů n-p (TJ). Růst n-p TJ předcházející aktivní oblasti zařízení umožňuje začlenit aktivní oblast do konfigurace p-n spíše než běžně používané n-p. To vede k obrácenému vestavěnému směru elektrického pole uvnitř aktivní oblasti. Kromě toho budou taková zařízení profitovat z toho, že mají vrstvu n-typu na horní straně. Ukážeme, že obě funkce mohou vést k novým aplikacím zařízení vyzařujících světlo, laserových diod a tranzistorů. Pro růst vzorků budou zásadní jedinečné schopnosti plazmatického systému epitaxe molekulárního paprsku (vysoký růstový zdroj plazmy dusíku, vysokofrekvenčního toku buněk a Ge dopingu) instalovaného ve Varšavě. Projekt bude realizován ve spolupráci se skupinami na Cornell University a Wroclaw University of Technology. (Czech) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekts koncentrējas uz nitrīdu vertikālām ierīcēm ar apgrieztiem iebūvētiem polarizācijas laukiem konstrukcijās, kas audzētas uz Ga-polārajiem GaN substrātiem. Lai izveidotu šādas ierīces, mēs izmantosim n-p tuneļu savienojumu (TJ) unikālās iezīmes. N-p TJ augšana pirms ierīces aktīvā reģiona ļauj iekļaut aktīvo reģionu p-n konfigurācijā, nevis parasti izmantoto n-p. Tas rada apgrieztu iebūvētu elektriskā lauka virzienu aktīvajā reģionā. Turklāt šādas ierīces gūs labumu no n-tipa slāņa augšpusē. Mēs parādīsim, ka abas funkcijas var novest pie jaunām gaismas izstarojošo ierīču, lāzera diožu un tranzistoru lietojumprogrammām. Varšavā uzstādītās plazmas molekulārās staru epitaksijas sistēmas (augsta augšanas ātruma slāpekļa plazmas avots, augsta Mg plūsmas šūnu un Ge dopinga) unikālās iespējas būs ļoti svarīgas paraugu augšanai. Projekts tiks īstenots sadarbībā ar grupām Kornelas Universitātē un Vroclavas Tehnoloģiju universitātē. (Latvian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekts koncentrējas uz nitrīdu vertikālām ierīcēm ar apgrieztiem iebūvētiem polarizācijas laukiem konstrukcijās, kas audzētas uz Ga-polārajiem GaN substrātiem. Lai izveidotu šādas ierīces, mēs izmantosim n-p tuneļu savienojumu (TJ) unikālās iezīmes. N-p TJ augšana pirms ierīces aktīvā reģiona ļauj iekļaut aktīvo reģionu p-n konfigurācijā, nevis parasti izmantoto n-p. Tas rada apgrieztu iebūvētu elektriskā lauka virzienu aktīvajā reģionā. Turklāt šādas ierīces gūs labumu no n-tipa slāņa augšpusē. Mēs parādīsim, ka abas funkcijas var novest pie jaunām gaismas izstarojošo ierīču, lāzera diožu un tranzistoru lietojumprogrammām. Varšavā uzstādītās plazmas molekulārās staru epitaksijas sistēmas (augsta augšanas ātruma slāpekļa plazmas avots, augsta Mg plūsmas šūnu un Ge dopinga) unikālās iespējas būs ļoti svarīgas paraugu augšanai. Projekts tiks īstenots sadarbībā ar grupām Kornelas Universitātē un Vroclavas Tehnoloģiju universitātē. (Latvian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekts koncentrējas uz nitrīdu vertikālām ierīcēm ar apgrieztiem iebūvētiem polarizācijas laukiem konstrukcijās, kas audzētas uz Ga-polārajiem GaN substrātiem. Lai izveidotu šādas ierīces, mēs izmantosim n-p tuneļu savienojumu (TJ) unikālās iezīmes. N-p TJ augšana pirms ierīces aktīvā reģiona ļauj iekļaut aktīvo reģionu p-n konfigurācijā, nevis parasti izmantoto n-p. Tas rada apgrieztu iebūvētu elektriskā lauka virzienu aktīvajā reģionā. Turklāt šādas ierīces gūs labumu no n-tipa slāņa augšpusē. Mēs parādīsim, ka abas funkcijas var novest pie jaunām gaismas izstarojošo ierīču, lāzera diožu un tranzistoru lietojumprogrammām. Varšavā uzstādītās plazmas molekulārās staru epitaksijas sistēmas (augsta augšanas ātruma slāpekļa plazmas avots, augsta Mg plūsmas šūnu un Ge dopinga) unikālās iespējas būs ļoti svarīgas paraugu augšanai. Projekts tiks īstenots sadarbībā ar grupām Kornelas Universitātē un Vroclavas Tehnoloģiju universitātē. (Latvian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Díríonn an tionscadal ar fheistí ingearacha nítríde le réimsí polaraithe inbhéartaithe i struchtúir a fhástar ar fhoshraitheanna Ga-polar GaN. Chun gléasanna den sórt sin a thógáil beimid ag leas a bhaint as gnéithe uathúla acomhail tollán n-p (TJ). Ceadaíonn fás n-p TJ roimh réigiún gníomhach na feiste an réigiún gníomhach a ionchorprú laistigh den chumraíocht p-n seachas an n-p amháin a úsáidtear go coitianta. Mar thoradh air seo i treo réimse leictreach inverted-tógtha i taobh istigh den réigiún gníomhach. Ina theannta sin, déanfaidh feistí den sórt sin brabús as an gciseal n-cineál a bheith acu ar an mbarr. Taispeánfaimid gur féidir leis an dá ghné iarratais nua a dhéanamh ar fheistí astaithe solais, dé-óidí léasair agus trasraitheoirí. Beidh cumais uathúla an chórais epitaxy bhíoma mhóilíneach cúnamh plasma (foinse plasma nítrigine ráta fáis ard, cill flosc ard Mg agus Ge dópáil) suiteáilte i Vársá ríthábhachtach d’fhás samplaí. Déanfar an tionscadal i gcomhar le grúpaí in Ollscoil Cornell agus in Ollscoil Teicneolaíochta Wroclaw. (Irish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Díríonn an tionscadal ar fheistí ingearacha nítríde le réimsí polaraithe inbhéartaithe i struchtúir a fhástar ar fhoshraitheanna Ga-polar GaN. Chun gléasanna den sórt sin a thógáil beimid ag leas a bhaint as gnéithe uathúla acomhail tollán n-p (TJ). Ceadaíonn fás n-p TJ roimh réigiún gníomhach na feiste an réigiún gníomhach a ionchorprú laistigh den chumraíocht p-n seachas an n-p amháin a úsáidtear go coitianta. Mar thoradh air seo i treo réimse leictreach inverted-tógtha i taobh istigh den réigiún gníomhach. Ina theannta sin, déanfaidh feistí den sórt sin brabús as an gciseal n-cineál a bheith acu ar an mbarr. Taispeánfaimid gur féidir leis an dá ghné iarratais nua a dhéanamh ar fheistí astaithe solais, dé-óidí léasair agus trasraitheoirí. Beidh cumais uathúla an chórais epitaxy bhíoma mhóilíneach cúnamh plasma (foinse plasma nítrigine ráta fáis ard, cill flosc ard Mg agus Ge dópáil) suiteáilte i Vársá ríthábhachtach d’fhás samplaí. Déanfar an tionscadal i gcomhar le grúpaí in Ollscoil Cornell agus in Ollscoil Teicneolaíochta Wroclaw. (Irish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Díríonn an tionscadal ar fheistí ingearacha nítríde le réimsí polaraithe inbhéartaithe i struchtúir a fhástar ar fhoshraitheanna Ga-polar GaN. Chun gléasanna den sórt sin a thógáil beimid ag leas a bhaint as gnéithe uathúla acomhail tollán n-p (TJ). Ceadaíonn fás n-p TJ roimh réigiún gníomhach na feiste an réigiún gníomhach a ionchorprú laistigh den chumraíocht p-n seachas an n-p amháin a úsáidtear go coitianta. Mar thoradh air seo i treo réimse leictreach inverted-tógtha i taobh istigh den réigiún gníomhach. Ina theannta sin, déanfaidh feistí den sórt sin brabús as an gciseal n-cineál a bheith acu ar an mbarr. Taispeánfaimid gur féidir leis an dá ghné iarratais nua a dhéanamh ar fheistí astaithe solais, dé-óidí léasair agus trasraitheoirí. Beidh cumais uathúla an chórais epitaxy bhíoma mhóilíneach cúnamh plasma (foinse plasma nítrigine ráta fáis ard, cill flosc ard Mg agus Ge dópáil) suiteáilte i Vársá ríthábhachtach d’fhás samplaí. Déanfar an tionscadal i gcomhar le grúpaí in Ollscoil Cornell agus in Ollscoil Teicneolaíochta Wroclaw. (Irish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekt se osredotoča na vertikalne naprave nitrida z obrnjenimi vgrajenimi polarizacijskimi polji v strukturah, ki se gojijo na Ga-polarnih GaN substratih. Za izgradnjo takšnih naprav bomo izkoristili edinstvene značilnosti n-p tunelskih križišč (TJ). Rast n-p TJ pred aktivnim območjem naprave omogoča vključitev aktivnega območja v konfiguracijo p-n in ne običajno uporabljene n-p ena. To ima za posledico obrnjeno vgrajeno smer električnega polja znotraj aktivne regije. Poleg tega bodo takšne naprave imele koristi od plasti tipa n na vrhu. Pokazali bomo, da lahko obe funkciji privedeta do novih aplikacij svetlobnih naprav, laserskih diod in tranzistorjev. Edinstvene zmogljivosti sistema epitaksije molekularnih žarkov s pomočjo plazme (vir dušika v plazmi z visoko stopnjo rasti, celice z visokim pretokom Mg in Ge doping), nameščen v Varšavi, bodo ključnega pomena za rast vzorcev. Projekt se bo izvajal v sodelovanju s skupinami na Univerzi Cornell in Univerzi za tehnologijo v Vroclavu. (Slovenian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt se osredotoča na vertikalne naprave nitrida z obrnjenimi vgrajenimi polarizacijskimi polji v strukturah, ki se gojijo na Ga-polarnih GaN substratih. Za izgradnjo takšnih naprav bomo izkoristili edinstvene značilnosti n-p tunelskih križišč (TJ). Rast n-p TJ pred aktivnim območjem naprave omogoča vključitev aktivnega območja v konfiguracijo p-n in ne običajno uporabljene n-p ena. To ima za posledico obrnjeno vgrajeno smer električnega polja znotraj aktivne regije. Poleg tega bodo takšne naprave imele koristi od plasti tipa n na vrhu. Pokazali bomo, da lahko obe funkciji privedeta do novih aplikacij svetlobnih naprav, laserskih diod in tranzistorjev. Edinstvene zmogljivosti sistema epitaksije molekularnih žarkov s pomočjo plazme (vir dušika v plazmi z visoko stopnjo rasti, celice z visokim pretokom Mg in Ge doping), nameščen v Varšavi, bodo ključnega pomena za rast vzorcev. Projekt se bo izvajal v sodelovanju s skupinami na Univerzi Cornell in Univerzi za tehnologijo v Vroclavu. (Slovenian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt se osredotoča na vertikalne naprave nitrida z obrnjenimi vgrajenimi polarizacijskimi polji v strukturah, ki se gojijo na Ga-polarnih GaN substratih. Za izgradnjo takšnih naprav bomo izkoristili edinstvene značilnosti n-p tunelskih križišč (TJ). Rast n-p TJ pred aktivnim območjem naprave omogoča vključitev aktivnega območja v konfiguracijo p-n in ne običajno uporabljene n-p ena. To ima za posledico obrnjeno vgrajeno smer električnega polja znotraj aktivne regije. Poleg tega bodo takšne naprave imele koristi od plasti tipa n na vrhu. Pokazali bomo, da lahko obe funkciji privedeta do novih aplikacij svetlobnih naprav, laserskih diod in tranzistorjev. Edinstvene zmogljivosti sistema epitaksije molekularnih žarkov s pomočjo plazme (vir dušika v plazmi z visoko stopnjo rasti, celice z visokim pretokom Mg in Ge doping), nameščen v Varšavi, bodo ključnega pomena za rast vzorcev. Projekt se bo izvajal v sodelovanju s skupinami na Univerzi Cornell in Univerzi za tehnologijo v Vroclavu. (Slovenian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Проектът се фокусира върху нитридни вертикални устройства с обърнати вградени поляризационни полета в структури, отглеждани върху Ga-полярни GaN субстрати. За да изградим такива устройства, ще използваме уникалните характеристики на n-p тунелните кръстовища (TJ). Растежът на n-p TJ, предшестващ активната област на устройството, позволява да се включи активната област в конфигурацията p-n, а не често използваната n-p 1. Това води до обърнато вградено направление на електрическото поле вътре в активната област. Освен това, такива устройства ще се възползват от наличието на n-тип слой на върха. Ще покажем, че и двете функции могат да доведат до нови приложения на устройства за излъчване на светлина, лазерни диоди и транзистори. Уникалните възможности на системата за епитаксия на молекулярните лъчи с помощта на плазма (високоскоростен азотен плазмен източник, висока Mg поток клетка и Ge допинг), инсталирана във Варшава, ще бъдат от решаващо значение за растежа на пробите. Проектът ще се осъществява в сътрудничество с групи от Университета Корнел и Вроцлавския технологичен университет. (Bulgarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Проектът се фокусира върху нитридни вертикални устройства с обърнати вградени поляризационни полета в структури, отглеждани върху Ga-полярни GaN субстрати. За да изградим такива устройства, ще използваме уникалните характеристики на n-p тунелните кръстовища (TJ). Растежът на n-p TJ, предшестващ активната област на устройството, позволява да се включи активната област в конфигурацията p-n, а не често използваната n-p 1. Това води до обърнато вградено направление на електрическото поле вътре в активната област. Освен това, такива устройства ще се възползват от наличието на n-тип слой на върха. Ще покажем, че и двете функции могат да доведат до нови приложения на устройства за излъчване на светлина, лазерни диоди и транзистори. Уникалните възможности на системата за епитаксия на молекулярните лъчи с помощта на плазма (високоскоростен азотен плазмен източник, висока Mg поток клетка и Ge допинг), инсталирана във Варшава, ще бъдат от решаващо значение за растежа на пробите. Проектът ще се осъществява в сътрудничество с групи от Университета Корнел и Вроцлавския технологичен университет. (Bulgarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Проектът се фокусира върху нитридни вертикални устройства с обърнати вградени поляризационни полета в структури, отглеждани върху Ga-полярни GaN субстрати. За да изградим такива устройства, ще използваме уникалните характеристики на n-p тунелните кръстовища (TJ). Растежът на n-p TJ, предшестващ активната област на устройството, позволява да се включи активната област в конфигурацията p-n, а не често използваната n-p 1. Това води до обърнато вградено направление на електрическото поле вътре в активната област. Освен това, такива устройства ще се възползват от наличието на n-тип слой на върха. Ще покажем, че и двете функции могат да доведат до нови приложения на устройства за излъчване на светлина, лазерни диоди и транзистори. Уникалните възможности на системата за епитаксия на молекулярните лъчи с помощта на плазма (високоскоростен азотен плазмен източник, висока Mg поток клетка и Ge допинг), инсталирана във Варшава, ще бъдат от решаващо значение за растежа на пробите. Проектът ще се осъществява в сътрудничество с групи от Университета Корнел и Вроцлавския технологичен университет. (Bulgarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Il-proġett jiffoka fuq tagħmir vertikali tan-nitride b’għelieqi ta’ polarizzazzjoni inkorporati invertiti fi strutturi mkabbra fuq sottostrati Ga-polari tal-GaN. Biex nibnu dawn l-apparati aħna se jisfruttaw karatteristiċi uniċi ta ‘n-p junctions mina (TJ). It-tkabbir ta’ n-p TJ li jiġi qabel ir-reġjun attiv tal-apparat jippermetti li jiġi inkorporat ir-reġjun attiv fil-konfigurazzjoni p-n aktar milli l-n-p wieħed użat b’mod komuni. Dan jirriżulta f’direzzjoni invertita tal-kamp elettriku ġewwa r-reġjun attiv. Barra minn hekk, dawn l-apparati se japprofittaw milli jkollhom is-saff tat-tip n fuq nett. Aħna se juru li ż-żewġ karatteristiċi jistgħu jwasslu għal applikazzjonijiet ġodda ta ‘apparati li jemettu d-dawl, dijodi tal-lejżer u transisters. Il-kapaċitajiet uniċi tas-sistema ta’ epitaxy b’raġġ molekulari assistit mill-plażma (sors tal-plażma tan-nitroġenu b’rata għolja ta’ tkabbir, ċellula tal-fluss Mg għolja u Ge doping) installati f’Varsavja se jkunu kruċjali għat-tkabbir tal-kampjuni. Il-proġett se jitwettaq b’kollaborazzjoni ma’ gruppi fl-Università ta’ Cornell u l-Università tat-Teknoloġija ta’ Wroclaw. (Maltese) | |||||||||||||||
| Property / summary: Il-proġett jiffoka fuq tagħmir vertikali tan-nitride b’għelieqi ta’ polarizzazzjoni inkorporati invertiti fi strutturi mkabbra fuq sottostrati Ga-polari tal-GaN. Biex nibnu dawn l-apparati aħna se jisfruttaw karatteristiċi uniċi ta ‘n-p junctions mina (TJ). It-tkabbir ta’ n-p TJ li jiġi qabel ir-reġjun attiv tal-apparat jippermetti li jiġi inkorporat ir-reġjun attiv fil-konfigurazzjoni p-n aktar milli l-n-p wieħed użat b’mod komuni. Dan jirriżulta f’direzzjoni invertita tal-kamp elettriku ġewwa r-reġjun attiv. Barra minn hekk, dawn l-apparati se japprofittaw milli jkollhom is-saff tat-tip n fuq nett. Aħna se juru li ż-żewġ karatteristiċi jistgħu jwasslu għal applikazzjonijiet ġodda ta ‘apparati li jemettu d-dawl, dijodi tal-lejżer u transisters. Il-kapaċitajiet uniċi tas-sistema ta’ epitaxy b’raġġ molekulari assistit mill-plażma (sors tal-plażma tan-nitroġenu b’rata għolja ta’ tkabbir, ċellula tal-fluss Mg għolja u Ge doping) installati f’Varsavja se jkunu kruċjali għat-tkabbir tal-kampjuni. Il-proġett se jitwettaq b’kollaborazzjoni ma’ gruppi fl-Università ta’ Cornell u l-Università tat-Teknoloġija ta’ Wroclaw. (Maltese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Il-proġett jiffoka fuq tagħmir vertikali tan-nitride b’għelieqi ta’ polarizzazzjoni inkorporati invertiti fi strutturi mkabbra fuq sottostrati Ga-polari tal-GaN. Biex nibnu dawn l-apparati aħna se jisfruttaw karatteristiċi uniċi ta ‘n-p junctions mina (TJ). It-tkabbir ta’ n-p TJ li jiġi qabel ir-reġjun attiv tal-apparat jippermetti li jiġi inkorporat ir-reġjun attiv fil-konfigurazzjoni p-n aktar milli l-n-p wieħed użat b’mod komuni. Dan jirriżulta f’direzzjoni invertita tal-kamp elettriku ġewwa r-reġjun attiv. Barra minn hekk, dawn l-apparati se japprofittaw milli jkollhom is-saff tat-tip n fuq nett. Aħna se juru li ż-żewġ karatteristiċi jistgħu jwasslu għal applikazzjonijiet ġodda ta ‘apparati li jemettu d-dawl, dijodi tal-lejżer u transisters. Il-kapaċitajiet uniċi tas-sistema ta’ epitaxy b’raġġ molekulari assistit mill-plażma (sors tal-plażma tan-nitroġenu b’rata għolja ta’ tkabbir, ċellula tal-fluss Mg għolja u Ge doping) installati f’Varsavja se jkunu kruċjali għat-tkabbir tal-kampjuni. Il-proġett se jitwettaq b’kollaborazzjoni ma’ gruppi fl-Università ta’ Cornell u l-Università tat-Teknoloġija ta’ Wroclaw. (Maltese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
O projeto centra-se em dispositivos verticais de nitreto com campos de polarização incorporados invertidos em estruturas cultivadas em substratos Ga-polares de GaN. Para construir tais dispositivos, vamos explorar características únicas das junções de túneis n-p (TJ). O crescimento da n-p TJ que precede a região ativa do dispositivo permite incorporar a região ativa dentro da configuração p-n em vez da comumente usada n-p. Isto resulta numa direção de campo elétrico invertida no interior da região ativa. Adicionalmente, tais dispositivos lucrarão de ter a camada do n-tipo na parte superior. Mostraremos que ambas as funcionalidades podem conduzir a novas aplicações de dispositivos emissores de luz, díodos laser e transístores. As capacidades únicas do sistema de epitaxia de feixe molecular assistido por plasma (fonte de plasma de azoto de elevada taxa de crescimento, célula de fluxo de Mg elevado e dopagem Ge) instalado em Varsóvia serão cruciais para o crescimento das amostras. O projeto será realizado em colaboração com grupos da Universidade de Cornell e da Universidade Tecnológica de Wroclaw. (Portuguese) | |||||||||||||||
| Property / summary: O projeto centra-se em dispositivos verticais de nitreto com campos de polarização incorporados invertidos em estruturas cultivadas em substratos Ga-polares de GaN. Para construir tais dispositivos, vamos explorar características únicas das junções de túneis n-p (TJ). O crescimento da n-p TJ que precede a região ativa do dispositivo permite incorporar a região ativa dentro da configuração p-n em vez da comumente usada n-p. Isto resulta numa direção de campo elétrico invertida no interior da região ativa. Adicionalmente, tais dispositivos lucrarão de ter a camada do n-tipo na parte superior. Mostraremos que ambas as funcionalidades podem conduzir a novas aplicações de dispositivos emissores de luz, díodos laser e transístores. As capacidades únicas do sistema de epitaxia de feixe molecular assistido por plasma (fonte de plasma de azoto de elevada taxa de crescimento, célula de fluxo de Mg elevado e dopagem Ge) instalado em Varsóvia serão cruciais para o crescimento das amostras. O projeto será realizado em colaboração com grupos da Universidade de Cornell e da Universidade Tecnológica de Wroclaw. (Portuguese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: O projeto centra-se em dispositivos verticais de nitreto com campos de polarização incorporados invertidos em estruturas cultivadas em substratos Ga-polares de GaN. Para construir tais dispositivos, vamos explorar características únicas das junções de túneis n-p (TJ). O crescimento da n-p TJ que precede a região ativa do dispositivo permite incorporar a região ativa dentro da configuração p-n em vez da comumente usada n-p. Isto resulta numa direção de campo elétrico invertida no interior da região ativa. Adicionalmente, tais dispositivos lucrarão de ter a camada do n-tipo na parte superior. Mostraremos que ambas as funcionalidades podem conduzir a novas aplicações de dispositivos emissores de luz, díodos laser e transístores. As capacidades únicas do sistema de epitaxia de feixe molecular assistido por plasma (fonte de plasma de azoto de elevada taxa de crescimento, célula de fluxo de Mg elevado e dopagem Ge) instalado em Varsóvia serão cruciais para o crescimento das amostras. O projeto será realizado em colaboração com grupos da Universidade de Cornell e da Universidade Tecnológica de Wroclaw. (Portuguese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projektet fokuserer på nitride lodrette enheder med omvendte indbyggede polarisering felter i strukturer dyrket på Ga-polære GaN substrater. For at bygge sådanne enheder vil vi udnytte unikke funktioner i n-p tunnelkryds (TJ). Vækst af n-p TJ forud for den aktive region af enheden gør det muligt at indarbejde den aktive region i p-n konfiguration snarere end den almindeligt anvendte n-p én. Dette resulterer i en omvendt indbygget elektrisk feltretning inde i det aktive område. Derudover vil sådanne enheder drage fordel af at have n-type lag på toppen. Vi vil vise, at begge funktioner kan føre til nye anvendelser af lysmitterende enheder, laserdioder og transistorer. Unikke egenskaber i plasma-assisteret molekylær stråle epitaxy system (høj væksthastighed nitrogen plasmakilde, høj Mg flux celle og Ge doping) installeret i Warszawa vil være afgørende for væksten af prøver. Projektet vil blive gennemført i samarbejde med grupper på Cornell University og Wroclaw University of Technology. (Danish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektet fokuserer på nitride lodrette enheder med omvendte indbyggede polarisering felter i strukturer dyrket på Ga-polære GaN substrater. For at bygge sådanne enheder vil vi udnytte unikke funktioner i n-p tunnelkryds (TJ). Vækst af n-p TJ forud for den aktive region af enheden gør det muligt at indarbejde den aktive region i p-n konfiguration snarere end den almindeligt anvendte n-p én. Dette resulterer i en omvendt indbygget elektrisk feltretning inde i det aktive område. Derudover vil sådanne enheder drage fordel af at have n-type lag på toppen. Vi vil vise, at begge funktioner kan føre til nye anvendelser af lysmitterende enheder, laserdioder og transistorer. Unikke egenskaber i plasma-assisteret molekylær stråle epitaxy system (høj væksthastighed nitrogen plasmakilde, høj Mg flux celle og Ge doping) installeret i Warszawa vil være afgørende for væksten af prøver. Projektet vil blive gennemført i samarbejde med grupper på Cornell University og Wroclaw University of Technology. (Danish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektet fokuserer på nitride lodrette enheder med omvendte indbyggede polarisering felter i strukturer dyrket på Ga-polære GaN substrater. For at bygge sådanne enheder vil vi udnytte unikke funktioner i n-p tunnelkryds (TJ). Vækst af n-p TJ forud for den aktive region af enheden gør det muligt at indarbejde den aktive region i p-n konfiguration snarere end den almindeligt anvendte n-p én. Dette resulterer i en omvendt indbygget elektrisk feltretning inde i det aktive område. Derudover vil sådanne enheder drage fordel af at have n-type lag på toppen. Vi vil vise, at begge funktioner kan føre til nye anvendelser af lysmitterende enheder, laserdioder og transistorer. Unikke egenskaber i plasma-assisteret molekylær stråle epitaxy system (høj væksthastighed nitrogen plasmakilde, høj Mg flux celle og Ge doping) installeret i Warszawa vil være afgørende for væksten af prøver. Projektet vil blive gennemført i samarbejde med grupper på Cornell University og Wroclaw University of Technology. (Danish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Proiectul se concentrează pe dispozitive verticale de nitrudă cu câmpuri de polarizare încorporate inversate în structuri cultivate pe substraturi GaN-polare. Pentru a construi astfel de dispozitive, vom exploata caracteristicile unice ale joncțiunilor tunelului n-p (TJ). Creșterea n-p TJ care precede regiunea activă a dispozitivului permite încorporarea regiunii active în configurația p-n, mai degrabă decât cea n-p utilizată în mod obișnuit. Acest lucru duce la o direcție inversată a câmpului electric încorporat în interiorul regiunii active. În plus, astfel de dispozitive vor profita de faptul că au stratul de tip n pe partea de sus. Vom arăta că ambele caracteristici pot duce la noi aplicații ale dispozitivelor emițătoare de lumină, diodelor laser și tranzistoarelor. Capacitățile unice ale sistemului de epitaxie cu fascicul molecular asistat de plasmă (sursă de plasmă de azot cu rată ridicată de creștere, celule cu flux mare de Mg și dopaj Ge) instalate în Varșovia vor fi cruciale pentru creșterea probelor. Proiectul va fi realizat în colaborare cu grupuri de la Universitatea Cornell și Wroclaw University of Technology. (Romanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Proiectul se concentrează pe dispozitive verticale de nitrudă cu câmpuri de polarizare încorporate inversate în structuri cultivate pe substraturi GaN-polare. Pentru a construi astfel de dispozitive, vom exploata caracteristicile unice ale joncțiunilor tunelului n-p (TJ). Creșterea n-p TJ care precede regiunea activă a dispozitivului permite încorporarea regiunii active în configurația p-n, mai degrabă decât cea n-p utilizată în mod obișnuit. Acest lucru duce la o direcție inversată a câmpului electric încorporat în interiorul regiunii active. În plus, astfel de dispozitive vor profita de faptul că au stratul de tip n pe partea de sus. Vom arăta că ambele caracteristici pot duce la noi aplicații ale dispozitivelor emițătoare de lumină, diodelor laser și tranzistoarelor. Capacitățile unice ale sistemului de epitaxie cu fascicul molecular asistat de plasmă (sursă de plasmă de azot cu rată ridicată de creștere, celule cu flux mare de Mg și dopaj Ge) instalate în Varșovia vor fi cruciale pentru creșterea probelor. Proiectul va fi realizat în colaborare cu grupuri de la Universitatea Cornell și Wroclaw University of Technology. (Romanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Proiectul se concentrează pe dispozitive verticale de nitrudă cu câmpuri de polarizare încorporate inversate în structuri cultivate pe substraturi GaN-polare. Pentru a construi astfel de dispozitive, vom exploata caracteristicile unice ale joncțiunilor tunelului n-p (TJ). Creșterea n-p TJ care precede regiunea activă a dispozitivului permite încorporarea regiunii active în configurația p-n, mai degrabă decât cea n-p utilizată în mod obișnuit. Acest lucru duce la o direcție inversată a câmpului electric încorporat în interiorul regiunii active. În plus, astfel de dispozitive vor profita de faptul că au stratul de tip n pe partea de sus. Vom arăta că ambele caracteristici pot duce la noi aplicații ale dispozitivelor emițătoare de lumină, diodelor laser și tranzistoarelor. Capacitățile unice ale sistemului de epitaxie cu fascicul molecular asistat de plasmă (sursă de plasmă de azot cu rată ridicată de creștere, celule cu flux mare de Mg și dopaj Ge) instalate în Varșovia vor fi cruciale pentru creșterea probelor. Proiectul va fi realizat în colaborare cu grupuri de la Universitatea Cornell și Wroclaw University of Technology. (Romanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projektet fokuserar på nitrid vertikala enheter med inverterade inbyggda polariseringsfält i strukturer som odlas på Ga-polar GaN-substrat. För att bygga sådana enheter kommer vi att utnyttja unika funktioner i n-p tunnelkorsningar (TJ). Tillväxt av n-p TJ före den aktiva regionen av enheten gör det möjligt att införliva den aktiva regionen i p-n konfigurationen snarare än den vanliga n-p en. Detta resulterar i en inverterad inbyggd elektrisk fältriktning inuti den aktiva regionen. Dessutom kommer sådana enheter att dra nytta av att ha n-typskiktet på toppen. Vi kommer att visa att båda funktionerna kan leda till nya tillämpningar av ljusavgivande enheter, laserdioder och transistorer. Unik kapacitet hos plasmaassisterad molekylär stråle epitaxisystem (hög tillväxthastighet kväve plasmakälla, hög Mg fluxcell och Ge doping) som installeras i Warszawa kommer att vara avgörande för provtillväxt. Projektet kommer att genomföras i samarbete med grupper vid Cornell University och Wroclaw University of Technology. (Swedish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektet fokuserar på nitrid vertikala enheter med inverterade inbyggda polariseringsfält i strukturer som odlas på Ga-polar GaN-substrat. För att bygga sådana enheter kommer vi att utnyttja unika funktioner i n-p tunnelkorsningar (TJ). Tillväxt av n-p TJ före den aktiva regionen av enheten gör det möjligt att införliva den aktiva regionen i p-n konfigurationen snarare än den vanliga n-p en. Detta resulterar i en inverterad inbyggd elektrisk fältriktning inuti den aktiva regionen. Dessutom kommer sådana enheter att dra nytta av att ha n-typskiktet på toppen. Vi kommer att visa att båda funktionerna kan leda till nya tillämpningar av ljusavgivande enheter, laserdioder och transistorer. Unik kapacitet hos plasmaassisterad molekylär stråle epitaxisystem (hög tillväxthastighet kväve plasmakälla, hög Mg fluxcell och Ge doping) som installeras i Warszawa kommer att vara avgörande för provtillväxt. Projektet kommer att genomföras i samarbete med grupper vid Cornell University och Wroclaw University of Technology. (Swedish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projektet fokuserar på nitrid vertikala enheter med inverterade inbyggda polariseringsfält i strukturer som odlas på Ga-polar GaN-substrat. För att bygga sådana enheter kommer vi att utnyttja unika funktioner i n-p tunnelkorsningar (TJ). Tillväxt av n-p TJ före den aktiva regionen av enheten gör det möjligt att införliva den aktiva regionen i p-n konfigurationen snarare än den vanliga n-p en. Detta resulterar i en inverterad inbyggd elektrisk fältriktning inuti den aktiva regionen. Dessutom kommer sådana enheter att dra nytta av att ha n-typskiktet på toppen. Vi kommer att visa att båda funktionerna kan leda till nya tillämpningar av ljusavgivande enheter, laserdioder och transistorer. Unik kapacitet hos plasmaassisterad molekylär stråle epitaxisystem (hög tillväxthastighet kväve plasmakälla, hög Mg fluxcell och Ge doping) som installeras i Warszawa kommer att vara avgörande för provtillväxt. Projektet kommer att genomföras i samarbete med grupper vid Cornell University och Wroclaw University of Technology. (Swedish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||||||
Cały Kraj | |||||||||||||||
| Property / location (string): Cały Kraj / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / priority axis | |||||||||||||||
| Property / priority axis: INCREASING RESEARCH CAPACITY / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
100.0 percent
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 100.0 percent / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E / qualifier | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Trójmiejski / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / thematic objective | |||||||||||||||
| Property / thematic objective: Research and innovation / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / end time | |||||||||||||||
29 June 2021
| |||||||||||||||
| Property / end time: 29 June 2021 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / date of last update | |||||||||||||||
6 July 2023
| |||||||||||||||
| Property / date of last update: 6 July 2023 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
Latest revision as of 22:03, 12 October 2024
Project Q84349 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Polarity Engineering in Nitride Heterostructures |
Project Q84349 in Poland |
Statements
798,555.0 zloty
0 references
798,555.0 zloty
0 references
100.0 percent
0 references
1 October 2018
0 references
29 June 2021
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
The project focuses on nitride vertical devices with inverted built-in polarization fields in structures grown on Ga-polar GaN substrates. To build such devices we will exploit unique features of n-p tunnel junctions (TJ). Growth of n-p TJ preceding the active region of the device allows to incorporate the active region within the p-n configuration rather than the commonly used n-p one. This results in an inverted built-in electric field direction inside the active region. Additionally, such devices will profit from having the n-type layer on the top. We will show that both features can lead to new applications of light emitting devices, laser diodes and transistors. Unique capabilities of the plasma-assisted molecular beam epitaxy system (high growth rate nitrogen plasma source, high Mg flux cell and Ge doping) installed in Warsaw will be crucial for samples growth. Project will be carried out in collaboration with groups at Cornell University and Wroclaw University of Technology. (Polish)
0 references
The project focuses on Nitride vertical devices with inverted built-in polarisation fields in structures grown on Ga-polar GaN substrates. To build such devices we will exploit unique features of n-p tunnel junctions (TJ). Growth of n-p TJ preceding the active region of the device allows to Incorporate the active region within the p-n configuration rather than the commonly used n-p one. This results in an inverted built-in electric field direction inside the active region. Additionally, such devices will profit from having the n-type layer on the top. We will show that both features can lead to new applications of light emitting devices, laser diodes and transistors. Unique capabilities of the plasma-assisted molecular beam epitaxy system (high growth rate nitrogen plasma source, high Mg flux cell and Ge doping) installed in Warsaw will be crucial for samples growth. Project will be carried out in collaboration with groups at Cornell University and Wroclaw University of Technology. (English)
14 October 2020
0.7236123820788259
0 references
Le projet se concentre sur les dispositifs verticaux au nitrure avec des champs de polarisation intégrés inversés dans des structures cultivées sur des substrats GaN-polaires. Pour construire de tels dispositifs, nous exploiterons les caractéristiques uniques des jonctions de tunnel n-p (TJ). La croissance de n-p TJ précédant la région active de l’appareil permet d’incorporer la région active dans la configuration p-n plutôt que la région n-p couramment utilisée. Il en résulte un champ électrique intégré inversé à l’intérieur de la région active. De plus, ces appareils profiteront d’avoir la couche de type n sur le dessus. Nous allons montrer que ces deux caractéristiques peuvent conduire à de nouvelles applications de dispositifs émettant de la lumière, de diodes laser et de transistors. Les capacités uniques du système d’épitaxie à faisceau moléculaire assisté par plasma (source plasmatique à haut taux d’azote, cellule de flux Mg élevée et dopage Ge) installées à Varsovie seront cruciales pour la croissance des échantillons. Le projet sera réalisé en collaboration avec des groupes de l’Université Cornell et de l’Université de technologie de Wroclaw. (French)
30 November 2021
0 references
Das Projekt konzentriert sich auf vertikale Nitridgeräte mit invertierten integrierten Polarisationsfeldern in Strukturen, die auf Ga-polaren GaN-Substraten wachsen. Um solche Geräte zu bauen, werden wir einzigartige Eigenschaften von n-p-Tunnel-Knotenpunkten (TJ) nutzen. Das Wachstum von n-p TJ vor dem aktiven Bereich des Geräts ermöglicht es, die aktive Region in die p-n-Konfiguration zu integrieren und nicht die allgemein verwendete n-p one. Dies führt zu einer invertierten eingebauten elektrischen Feldrichtung innerhalb des aktiven Bereichs. Darüber hinaus profitieren solche Geräte davon, dass die n-artige Schicht oben steht. Wir werden zeigen, dass beide Funktionen zu neuen Anwendungen von Licht emittierenden Geräten, Laserdioden und Transistoren führen können. Die einzigartigen Fähigkeiten des in Warschau installierten Plasma-gestützten molekularen Strahl-Epitaxiesystems (hohe Stickstoffplasmaquelle, hohe Mg-Flusszelle und Ge-Doping) werden entscheidend für das Probenwachstum sein. Das Projekt wird in Zusammenarbeit mit Gruppen der Cornell University und der Technischen Universität Breslau durchgeführt. (German)
7 December 2021
0 references
Het project richt zich op nitride verticale apparaten met omgekeerde ingebouwde polarisatievelden in structuren die op Ga-polaire GaN-substraten worden gekweekt. Om dergelijke apparaten te bouwen zullen we gebruik maken van unieke kenmerken van n-p tunnel junctions (TJ). Groei van n-p TJ voorafgaand aan de actieve regio van het apparaat maakt het mogelijk om de actieve regio in de p-n configuratie op te nemen in plaats van de veelgebruikte n-p één. Dit resulteert in een omgekeerde ingebouwde elektrische veldrichting binnen de actieve regio. Bovendien zullen dergelijke apparaten profiteren van het hebben van de n-type laag aan de bovenkant. We zullen laten zien dat beide functies kunnen leiden tot nieuwe toepassingen van lichtgevende apparaten, laserdiodes en transistors. Unieke mogelijkheden van het plasma-ondersteunde moleculaire straal epitaxie systeem (hoge groeisnelheid stikstof plasma bron, hoge Mg flux cel en Ge doping) geïnstalleerd in Warschau zal cruciaal zijn voor de groei van monsters. Het project zal worden uitgevoerd in samenwerking met groepen van Cornell University en Wroclaw University of Technology. (Dutch)
16 December 2021
0 references
Il progetto si concentra su dispositivi verticali a nitruro con campi di polarizzazione incorporati invertiti in strutture coltivate su substrati Ga-polar GaN. Per costruire tali dispositivi sfrutteremo caratteristiche uniche di giunzioni tunnel n-p (TJ). La crescita di n-p TJ che precede la regione attiva del dispositivo permette di incorporare la regione attiva all'interno della configurazione p-n piuttosto che l'n-p uno comunemente usato. Ciò si traduce in una direzione di campo elettrico incorporata invertita all'interno della regione attiva. Inoltre, tali dispositivi trarranno profitto dall'avere il livello di tipo n sulla parte superiore. Mostreremo che entrambe le caratteristiche possono portare a nuove applicazioni di dispositivi che emettono luce, diodi laser e transistor. Le capacità uniche del sistema di epitassi del fascio molecolare assistito al plasma (fonte plasmatica ad alto tasso di crescita, alta cellula di flusso Mg e doping Ge) installato a Varsavia saranno cruciali per la crescita dei campioni. Il progetto sarà realizzato in collaborazione con gruppi della Cornell University e della Wroclaw University of Technology. (Italian)
16 January 2022
0 references
El proyecto se centra en dispositivos verticales de nitruro con campos de polarización integrados invertidos en estructuras cultivadas en sustratos Ga-polar GaN. Para construir tales dispositivos explotaremos características únicas de conexiones de túnel n-p (TJ). El crecimiento de n-p TJ que precede a la región activa del dispositivo permite incorporar la región activa dentro de la configuración p-n en lugar de la comúnmente utilizada n-p uno. Esto resulta en una dirección de campo eléctrico incorporada invertida dentro de la región activa. Además, estos dispositivos se beneficiarán de tener la capa de tipo n en la parte superior. Mostraremos que ambas características pueden conducir a nuevas aplicaciones de dispositivos emisores de luz, diodos láser y transistores. Las capacidades únicas del sistema de epitaxía del haz molecular asistido por plasma (fuente de plasma de nitrógeno de alta tasa de crecimiento, célula de flujo Mg alto y dopaje Ge) instalado en Varsovia serán cruciales para el crecimiento de las muestras. El proyecto se llevará a cabo en colaboración con grupos de la Universidad de Cornell y la Universidad Tecnológica de Wroclaw. (Spanish)
19 January 2022
0 references
Projekt keskendub nitriid vertikaalsetele seadmetele, millel on ümberpööratud sisseehitatud polarisatsiooniväljad Ga-polaarsetel GaN substraatidel kasvatatud struktuurides. Selliste seadmete ehitamiseks kasutame n-p tunneli ristmike (TJ) ainulaadseid omadusi. Seadme aktiivsele piirkonnale eelneva n-p TJ kasv võimaldab kaasata aktiivse piirkonna p-n konfiguratsioonisse, mitte tavaliselt kasutatavasse n-p konfiguratsiooni. Selle tulemuseks on ümberpööratud sisseehitatud elektrivälja suund aktiivses piirkonnas. Lisaks saavad sellised seadmed kasu, kui n-tüüpi kiht on peal. Näitame, et mõlemad funktsioonid võivad viia valgust kiirgavate seadmete, laserdioodide ja transistorite uute rakendusteni. Proovide kasvu jaoks on otsustava tähtsusega plasma abil toetatava molekulaarse tala epitaksiasüsteemi (suure kasvukiirusega lämmastiku plasmaallikas, suure Mg voo raku ja Ge doping) ainulaadne võimekus. Projekt viiakse läbi koostöös Cornelli ülikooli ja Wroclawi Tehnikaülikooli rühmadega. (Estonian)
13 August 2022
0 references
Projektas orientuotas į nitrido vertikalius įtaisus su apverstais poliarizacijos laukais struktūrose, auginamose ant Ga-polar GaN substratų. Norėdami sukurti tokius įrenginius, išnaudosime unikalias n-p tunelių sankryžų (TJ) savybes. N-p TJ augimas prieš aktyvią prietaiso sritį leidžia įtraukti aktyvų regioną į p-n konfigūraciją, o ne paprastai naudojamą n-p vieną. Tai lemia apverstą įmontuotą elektrinio lauko kryptį aktyvaus regiono viduje. Be to, tokie prietaisai gaus naudos iš n tipo sluoksnio viršuje. Parodysime, kad abi funkcijos gali sukelti naujas šviesos spinduliuotės prietaisų, lazerinių diodų ir tranzistorių programas. Varšuvoje įdiegtos unikalios molekulinės spinduliuotės epitaksijos sistemos (didelio augimo greičio azoto plazmos šaltinio, didelio Mg srauto ląstelių ir Ge dopingo) galimybės bus labai svarbios mėginių augimui. Projektas bus vykdomas bendradarbiaujant su Kornelio universiteto ir Vroclavo technologijos universiteto grupėmis. (Lithuanian)
13 August 2022
0 references
Projekt se usredotočuje na nitridne vertikalne uređaje s invertiranim ugrađenim polarizacijskim poljima u strukturama uzgojenim na Ga-polarnim GaN supstratima. Za izgradnju takvih uređaja iskoristit ćemo jedinstvene značajke čvorova n-p tunela (TJ). Rast n-p TJ koji prethodi aktivnom području uređaja omogućuje uključivanje aktivnog područja unutar p-n konfiguracije, a ne uobičajeno korištenog n-p. To rezultira preokrenutim smjerom električnog polja unutar aktivnog područja. Osim toga, takvi uređaji će profitirati od n-tipa sloja na vrhu. Pokazat ćemo da obje značajke mogu dovesti do novih primjena uređaja za emitiranje svjetlosti, laserskih dioda i tranzistora. Jedinstvene sposobnosti molekularnog epitaksi sustava potpomognutog plazmom (visoki izvor dušika u plazmi, visoka Mg stanica toka i Ge doping) bit će ključne za rast uzoraka. Projekt će se provoditi u suradnji s grupama na Sveučilištu Cornell i Tehnološkom sveučilištu u Wroclawu. (Croatian)
13 August 2022
0 references
Το έργο επικεντρώνεται σε κάθετες συσκευές νιτριδίων με ανεστραμμένα ενσωματωμένα πεδία πόλωσης σε δομές που αναπτύσσονται σε υποστρώματα Ga-polar GaN. Για την κατασκευή τέτοιων συσκευών θα εκμεταλλευτούμε μοναδικά χαρακτηριστικά των διασυνδέσεων σηράγγων (TJ). Η ανάπτυξη του n-p TJ πριν από την ενεργό περιοχή της συσκευής επιτρέπει την ενσωμάτωση της ενεργού περιοχής εντός της διαμόρφωσης p-n και όχι της κοινώς χρησιμοποιούμενης n-p 1. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα μια ανεστραμμένη ενσωματωμένη κατεύθυνση ηλεκτρικού πεδίου μέσα στην ενεργό περιοχή. Επιπλέον, τέτοιες συσκευές θα επωφεληθούν από το να έχουν το στρώμα ν-τύπου στην κορυφή. Θα δείξουμε ότι και τα δύο χαρακτηριστικά μπορούν να οδηγήσουν σε νέες εφαρμογές συσκευών εκπομπής φωτός, διόδων λέιζερ και τρανζίστορ. Οι μοναδικές δυνατότητες του συστήματος επιταξιακής μοριακής δέσμης με τη βοήθεια πλάσματος (υψηλός ρυθμός ανάπτυξης αζώτου πηγή πλάσματος, υψηλό κύτταρο ροής Mg και Ge ντόπινγκ) που εγκαθίστανται στη Βαρσοβία θα είναι ζωτικής σημασίας για την ανάπτυξη των δειγμάτων. Το έργο θα πραγματοποιηθεί σε συνεργασία με ομάδες στο Πανεπιστήμιο Cornell και στο Wroclaw University of Technology. (Greek)
13 August 2022
0 references
Projekt sa zameriava na nitridové vertikálne zariadenia s obrátenými zabudovanými polarizačnými poľami v štruktúrach pestovaných na Ga-polárnych GaN substrátoch. Na vybudovanie takýchto zariadení využijeme jedinečné vlastnosti n-p tunelových križovatiek (TJ). Rast n-p TJ pred aktívnou oblasťou zariadenia umožňuje začleniť aktívnu oblasť do konfigurácie p-n namiesto bežne používanej n-p. Výsledkom je obrátený smer elektrického poľa vo vnútri aktívnej oblasti. Okrem toho, takéto zariadenia budú profitovať z toho, že na vrchu je vrstva typu n. Ukážeme, že obe funkcie môžu viesť k novým aplikáciám zariadení vyžarujúcich svetlo, laserových diód a tranzistorov. Jedinečné schopnosti systému epitaxie molekulárneho lúča asistovaného plazmou (zdroj dusíka s vysokou rýchlosťou rastu, vysoký Mg tok buniek a Ge doping) inštalovaný vo Varšave budú rozhodujúce pre rast vzoriek. Projekt bude realizovaný v spolupráci so skupinami na Cornell University a Wroclaw University of Technology. (Slovak)
13 August 2022
0 references
Hankkeessa keskitytään nitridin pystysuoraan laitteisiin, joissa on käänteiset sisäänrakennetut polarisaatiokentät Ga-polar GaN -alustoilla kasvatetuissa rakenteissa. Tällaisten laitteiden rakentamiseksi hyödynnämme n-p tunneliliitosten (TJ) ainutlaatuisia ominaisuuksia. N-p TJ: n kasvu ennen laitteen aktiivista aluetta mahdollistaa aktiivisen alueen sisällyttämisen p-n konfiguraatioon yleisesti käytetyn n-p: n sijaan. Tämä johtaa käänteiseen sisäänrakennettuun sähkökentän suuntaan aktiivisella alueella. Lisäksi tällaiset laitteet hyötyvät siitä, että n-tyyppinen kerros on päällä. Osoitamme, että molemmat ominaisuudet voivat johtaa uusiin sovelluksiin valoa lähettävät laitteet, laserdiodit ja transistorit. Varsovaan asennetun plasma-avusteisen molekyylisäteen epitaksisen järjestelmän (suuren kasvunopeuden typpiplasman lähde, korkea Mg-virtasolu ja Ge-doping) ainutlaatuiset ominaisuudet ovat ratkaisevan tärkeitä näytteiden kasvulle. Hanke toteutetaan yhteistyössä Cornellin yliopiston ja Wroclawin teknillisen yliopiston ryhmien kanssa. (Finnish)
13 August 2022
0 references
A projekt középpontjában olyan függőleges nitrid eszközök állnak, amelyek invertált beépített polarizációs mezőkkel rendelkeznek a Ga-poláris GaN szubsztrátokon termesztett struktúrákban. Az ilyen eszközök megépítéséhez kihasználjuk az n-p alagút csomópontok (TJ) egyedi jellemzőit. Az eszköz aktív régióját megelőző n-p TJ növekedése lehetővé teszi az aktív régió p-n konfigurációba való beépítését a leggyakrabban használt n-p helyett. Ez egy invertált beépített elektromos tér irányt eredményez az aktív régióban. Továbbá, az ilyen eszközök profitálnak abból, hogy az n-típusú réteg a tetején van. Megmutatjuk, hogy mindkét funkció új fénykibocsátó készülékekhez, lézerdiódákhoz és tranzisztorokhoz vezethet. A Varsóban telepített plazma-asszisztens molekuláris gerenda epitaxiás rendszer (nagy növekedési sebességű nitrogén plazmaforrás, magas Mg flux sejt és Ge dopping) egyedülálló képességei kulcsfontosságúak lesznek a minták növekedéséhez. A projekt a Cornell Egyetem és a Wroclawi Műszaki Egyetem csoportjaival együttműködésben valósul meg. (Hungarian)
13 August 2022
0 references
Projekt se zaměřuje na vertikální zařízení nitridu s obrácenými zabudovanými polarizačními poli ve strukturách pěstovaných na substrátech Ga-polárních GaN. K výstavbě takových zařízení využijeme jedinečné vlastnosti tunelových spojů n-p (TJ). Růst n-p TJ předcházející aktivní oblasti zařízení umožňuje začlenit aktivní oblast do konfigurace p-n spíše než běžně používané n-p. To vede k obrácenému vestavěnému směru elektrického pole uvnitř aktivní oblasti. Kromě toho budou taková zařízení profitovat z toho, že mají vrstvu n-typu na horní straně. Ukážeme, že obě funkce mohou vést k novým aplikacím zařízení vyzařujících světlo, laserových diod a tranzistorů. Pro růst vzorků budou zásadní jedinečné schopnosti plazmatického systému epitaxe molekulárního paprsku (vysoký růstový zdroj plazmy dusíku, vysokofrekvenčního toku buněk a Ge dopingu) instalovaného ve Varšavě. Projekt bude realizován ve spolupráci se skupinami na Cornell University a Wroclaw University of Technology. (Czech)
13 August 2022
0 references
Projekts koncentrējas uz nitrīdu vertikālām ierīcēm ar apgrieztiem iebūvētiem polarizācijas laukiem konstrukcijās, kas audzētas uz Ga-polārajiem GaN substrātiem. Lai izveidotu šādas ierīces, mēs izmantosim n-p tuneļu savienojumu (TJ) unikālās iezīmes. N-p TJ augšana pirms ierīces aktīvā reģiona ļauj iekļaut aktīvo reģionu p-n konfigurācijā, nevis parasti izmantoto n-p. Tas rada apgrieztu iebūvētu elektriskā lauka virzienu aktīvajā reģionā. Turklāt šādas ierīces gūs labumu no n-tipa slāņa augšpusē. Mēs parādīsim, ka abas funkcijas var novest pie jaunām gaismas izstarojošo ierīču, lāzera diožu un tranzistoru lietojumprogrammām. Varšavā uzstādītās plazmas molekulārās staru epitaksijas sistēmas (augsta augšanas ātruma slāpekļa plazmas avots, augsta Mg plūsmas šūnu un Ge dopinga) unikālās iespējas būs ļoti svarīgas paraugu augšanai. Projekts tiks īstenots sadarbībā ar grupām Kornelas Universitātē un Vroclavas Tehnoloģiju universitātē. (Latvian)
13 August 2022
0 references
Díríonn an tionscadal ar fheistí ingearacha nítríde le réimsí polaraithe inbhéartaithe i struchtúir a fhástar ar fhoshraitheanna Ga-polar GaN. Chun gléasanna den sórt sin a thógáil beimid ag leas a bhaint as gnéithe uathúla acomhail tollán n-p (TJ). Ceadaíonn fás n-p TJ roimh réigiún gníomhach na feiste an réigiún gníomhach a ionchorprú laistigh den chumraíocht p-n seachas an n-p amháin a úsáidtear go coitianta. Mar thoradh air seo i treo réimse leictreach inverted-tógtha i taobh istigh den réigiún gníomhach. Ina theannta sin, déanfaidh feistí den sórt sin brabús as an gciseal n-cineál a bheith acu ar an mbarr. Taispeánfaimid gur féidir leis an dá ghné iarratais nua a dhéanamh ar fheistí astaithe solais, dé-óidí léasair agus trasraitheoirí. Beidh cumais uathúla an chórais epitaxy bhíoma mhóilíneach cúnamh plasma (foinse plasma nítrigine ráta fáis ard, cill flosc ard Mg agus Ge dópáil) suiteáilte i Vársá ríthábhachtach d’fhás samplaí. Déanfar an tionscadal i gcomhar le grúpaí in Ollscoil Cornell agus in Ollscoil Teicneolaíochta Wroclaw. (Irish)
13 August 2022
0 references
Projekt se osredotoča na vertikalne naprave nitrida z obrnjenimi vgrajenimi polarizacijskimi polji v strukturah, ki se gojijo na Ga-polarnih GaN substratih. Za izgradnjo takšnih naprav bomo izkoristili edinstvene značilnosti n-p tunelskih križišč (TJ). Rast n-p TJ pred aktivnim območjem naprave omogoča vključitev aktivnega območja v konfiguracijo p-n in ne običajno uporabljene n-p ena. To ima za posledico obrnjeno vgrajeno smer električnega polja znotraj aktivne regije. Poleg tega bodo takšne naprave imele koristi od plasti tipa n na vrhu. Pokazali bomo, da lahko obe funkciji privedeta do novih aplikacij svetlobnih naprav, laserskih diod in tranzistorjev. Edinstvene zmogljivosti sistema epitaksije molekularnih žarkov s pomočjo plazme (vir dušika v plazmi z visoko stopnjo rasti, celice z visokim pretokom Mg in Ge doping), nameščen v Varšavi, bodo ključnega pomena za rast vzorcev. Projekt se bo izvajal v sodelovanju s skupinami na Univerzi Cornell in Univerzi za tehnologijo v Vroclavu. (Slovenian)
13 August 2022
0 references
Проектът се фокусира върху нитридни вертикални устройства с обърнати вградени поляризационни полета в структури, отглеждани върху Ga-полярни GaN субстрати. За да изградим такива устройства, ще използваме уникалните характеристики на n-p тунелните кръстовища (TJ). Растежът на n-p TJ, предшестващ активната област на устройството, позволява да се включи активната област в конфигурацията p-n, а не често използваната n-p 1. Това води до обърнато вградено направление на електрическото поле вътре в активната област. Освен това, такива устройства ще се възползват от наличието на n-тип слой на върха. Ще покажем, че и двете функции могат да доведат до нови приложения на устройства за излъчване на светлина, лазерни диоди и транзистори. Уникалните възможности на системата за епитаксия на молекулярните лъчи с помощта на плазма (високоскоростен азотен плазмен източник, висока Mg поток клетка и Ge допинг), инсталирана във Варшава, ще бъдат от решаващо значение за растежа на пробите. Проектът ще се осъществява в сътрудничество с групи от Университета Корнел и Вроцлавския технологичен университет. (Bulgarian)
13 August 2022
0 references
Il-proġett jiffoka fuq tagħmir vertikali tan-nitride b’għelieqi ta’ polarizzazzjoni inkorporati invertiti fi strutturi mkabbra fuq sottostrati Ga-polari tal-GaN. Biex nibnu dawn l-apparati aħna se jisfruttaw karatteristiċi uniċi ta ‘n-p junctions mina (TJ). It-tkabbir ta’ n-p TJ li jiġi qabel ir-reġjun attiv tal-apparat jippermetti li jiġi inkorporat ir-reġjun attiv fil-konfigurazzjoni p-n aktar milli l-n-p wieħed użat b’mod komuni. Dan jirriżulta f’direzzjoni invertita tal-kamp elettriku ġewwa r-reġjun attiv. Barra minn hekk, dawn l-apparati se japprofittaw milli jkollhom is-saff tat-tip n fuq nett. Aħna se juru li ż-żewġ karatteristiċi jistgħu jwasslu għal applikazzjonijiet ġodda ta ‘apparati li jemettu d-dawl, dijodi tal-lejżer u transisters. Il-kapaċitajiet uniċi tas-sistema ta’ epitaxy b’raġġ molekulari assistit mill-plażma (sors tal-plażma tan-nitroġenu b’rata għolja ta’ tkabbir, ċellula tal-fluss Mg għolja u Ge doping) installati f’Varsavja se jkunu kruċjali għat-tkabbir tal-kampjuni. Il-proġett se jitwettaq b’kollaborazzjoni ma’ gruppi fl-Università ta’ Cornell u l-Università tat-Teknoloġija ta’ Wroclaw. (Maltese)
13 August 2022
0 references
O projeto centra-se em dispositivos verticais de nitreto com campos de polarização incorporados invertidos em estruturas cultivadas em substratos Ga-polares de GaN. Para construir tais dispositivos, vamos explorar características únicas das junções de túneis n-p (TJ). O crescimento da n-p TJ que precede a região ativa do dispositivo permite incorporar a região ativa dentro da configuração p-n em vez da comumente usada n-p. Isto resulta numa direção de campo elétrico invertida no interior da região ativa. Adicionalmente, tais dispositivos lucrarão de ter a camada do n-tipo na parte superior. Mostraremos que ambas as funcionalidades podem conduzir a novas aplicações de dispositivos emissores de luz, díodos laser e transístores. As capacidades únicas do sistema de epitaxia de feixe molecular assistido por plasma (fonte de plasma de azoto de elevada taxa de crescimento, célula de fluxo de Mg elevado e dopagem Ge) instalado em Varsóvia serão cruciais para o crescimento das amostras. O projeto será realizado em colaboração com grupos da Universidade de Cornell e da Universidade Tecnológica de Wroclaw. (Portuguese)
13 August 2022
0 references
Projektet fokuserer på nitride lodrette enheder med omvendte indbyggede polarisering felter i strukturer dyrket på Ga-polære GaN substrater. For at bygge sådanne enheder vil vi udnytte unikke funktioner i n-p tunnelkryds (TJ). Vækst af n-p TJ forud for den aktive region af enheden gør det muligt at indarbejde den aktive region i p-n konfiguration snarere end den almindeligt anvendte n-p én. Dette resulterer i en omvendt indbygget elektrisk feltretning inde i det aktive område. Derudover vil sådanne enheder drage fordel af at have n-type lag på toppen. Vi vil vise, at begge funktioner kan føre til nye anvendelser af lysmitterende enheder, laserdioder og transistorer. Unikke egenskaber i plasma-assisteret molekylær stråle epitaxy system (høj væksthastighed nitrogen plasmakilde, høj Mg flux celle og Ge doping) installeret i Warszawa vil være afgørende for væksten af prøver. Projektet vil blive gennemført i samarbejde med grupper på Cornell University og Wroclaw University of Technology. (Danish)
13 August 2022
0 references
Proiectul se concentrează pe dispozitive verticale de nitrudă cu câmpuri de polarizare încorporate inversate în structuri cultivate pe substraturi GaN-polare. Pentru a construi astfel de dispozitive, vom exploata caracteristicile unice ale joncțiunilor tunelului n-p (TJ). Creșterea n-p TJ care precede regiunea activă a dispozitivului permite încorporarea regiunii active în configurația p-n, mai degrabă decât cea n-p utilizată în mod obișnuit. Acest lucru duce la o direcție inversată a câmpului electric încorporat în interiorul regiunii active. În plus, astfel de dispozitive vor profita de faptul că au stratul de tip n pe partea de sus. Vom arăta că ambele caracteristici pot duce la noi aplicații ale dispozitivelor emițătoare de lumină, diodelor laser și tranzistoarelor. Capacitățile unice ale sistemului de epitaxie cu fascicul molecular asistat de plasmă (sursă de plasmă de azot cu rată ridicată de creștere, celule cu flux mare de Mg și dopaj Ge) instalate în Varșovia vor fi cruciale pentru creșterea probelor. Proiectul va fi realizat în colaborare cu grupuri de la Universitatea Cornell și Wroclaw University of Technology. (Romanian)
13 August 2022
0 references
Projektet fokuserar på nitrid vertikala enheter med inverterade inbyggda polariseringsfält i strukturer som odlas på Ga-polar GaN-substrat. För att bygga sådana enheter kommer vi att utnyttja unika funktioner i n-p tunnelkorsningar (TJ). Tillväxt av n-p TJ före den aktiva regionen av enheten gör det möjligt att införliva den aktiva regionen i p-n konfigurationen snarare än den vanliga n-p en. Detta resulterar i en inverterad inbyggd elektrisk fältriktning inuti den aktiva regionen. Dessutom kommer sådana enheter att dra nytta av att ha n-typskiktet på toppen. Vi kommer att visa att båda funktionerna kan leda till nya tillämpningar av ljusavgivande enheter, laserdioder och transistorer. Unik kapacitet hos plasmaassisterad molekylär stråle epitaxisystem (hög tillväxthastighet kväve plasmakälla, hög Mg fluxcell och Ge doping) som installeras i Warszawa kommer att vara avgörande för provtillväxt. Projektet kommer att genomföras i samarbete med grupper vid Cornell University och Wroclaw University of Technology. (Swedish)
13 August 2022
0 references
Cały Kraj
0 references
6 July 2023
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-5D5B/18
0 references